KR101160891B1 - 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치 및 처리방법 - Google Patents

전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치 및 처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치는 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 증착챔버에서 나오는 반도체 제조공정 중의 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버; 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및 상기 폐가스 처리챔버와 연결되고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 상기 폐가스 처리챔버 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 계속 전자빔 조사처리하도록 제어하는 폐가스 분석장치를 포함한다.

Description

전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치 및 처리방법{Apparatus and Method for Treating Semiconductor Waste Gas by Electron Beam}
본 발명은 반도체 제조공정 중 발생하는 폐가스를 처리하는 장치와 방법에 관한 것으로, 특히 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 상에 박막을 형성하거나 또는 식각을 위해 사용되는 다양한 종류의 반응가스는 산화성분, 인화성분 및 유독성분 등이 있기 때문에 사용을 마친 반응가스(이하, 폐가스라 칭함)를 그대로 대기중에 방출할 경우 인체에 유해할 뿐만 아니라 환경오염을 유발시키게 된다. 이에 따라, 반도체 설비의 배기 라인에는 폐가스의 산화성분, 인화성분 및 유독성분 등을 일정 기준 이상으로 순화시켜 대기로 배출하고 있다.
상기와 같이 제거 대상이 되는 폐가스를 정화하기 위해 대한민국 공개특허공보 제2008-0105377호 등에 개시된 플라즈마를 이용한 처리, 공개특허공보 제2010-0054347 호 등에 개시된 건습식처리, 촉매를 이용한 처리 등 다양한 처리방법이 적용되고 있다.
다만 상기와 같은 방법은 각각 처리할 수 있는 폐가스의 종류가 제한적이므로 반도체 공정 중 발생하는 다양한 가스를 처리하기 위해서는 여러가지 처리장치를 구비해야 하는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 반도체 제조공정 중 발생하는 다양한 폐가스를 일괄적으로 처리하여 생체 및 환경에 무해한 물질로 변환할 수 있는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치 및 처리방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치는 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 증착챔버에서 나오는 반도체 제조공정 중의 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버; 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및 상기 폐가스 처리챔버와 연결되고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 상기 폐가스 처리챔버 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 계속 전자빔 조사처리하도록 제어하는 폐가스 분석장치를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치는 반도체 증착챔버; 상기 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버; 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및 전자빔 조사장치로부터 배출된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치는 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 유입되는 가스관; 상기 가스관의 외주면에 위치하고, 상기 가스관에 흐르는 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및 전자빔 조사처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스를 상기 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사 처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법은 반도체 증착챔버에서 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계; 폐가스 처리챔버에 상기 폐가스를 모으는 단계; 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔 조사처리를 하는 단계; 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및 전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하일 때는 상기 반도체 처리챔버 밖으로 배출하고, 상기 기준치 이상일 때는 계속 전자빔 조사처리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법은 반도체 증착챔버에서 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계; 폐가스 처리챔버에 상기 폐가스를 모으는 단계; 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔 조사처리를 하는 단계; 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및 전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 기준치 이하일 때는 상기 반도체 처리챔버 밖으로 배출하고, 기준치 이상일 때는 상기 폐가스를 순환시켜 다시 전자빔 조사처리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법은 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계; 상기 가스관을 흐르는 상기 폐가스를 전자빔 조사처리하는 단계; 전자빔 조사처리된 상기 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및 전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하일 때는 상기 폐가스를 외부로 배출하고, 기준치 이상일 때는 상기 폐가스를 순환시켜 다시 전자빔 조사처리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면 반도체 제조공정 중 발생하는 다양한 폐가스를 일괄적으로 처리하여 생체 및 환경에 무해한 물질로 변환하여 배출할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 측면에 따른 개방형 폐가스 처리장치를 나타내는 모식도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 순환형 폐가스 처리장치를 나타내는 모식도이다.
도 2c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 순환형 폐가스 처리장치를 나타내는 모식도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 다른 측면에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 폐가스 C3F8에 대하여 전자빔 조사처리 전과 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 조사처리 후의 가스 크로마토그래프를 각각 나타낸다.
도 7은 폐가스 SF6에 대하여 전자빔 조사처리 전과 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 조사처리 후의 가스 크로마토그래프를 각각 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 측면에 따른 개방형 폐가스 처리장치를 나타내는 모식도이다. 도 1a를 참조하면 폐가스 처리장치는 폐가스 처리챔버(13), H20 공급장치(12), 전자빔 조사장치(14), 폐가스 분석장치(15), 필터장치(16)를 포함한다.
폐가스 처리챔버(13)는 반도체 증착챔버(10)와 가스관(11)으로 연결되어 반도체 증착공정에서 사용되고 남은 폐가스가 유입되어 모인다. 폐가스는 NF3, CF4, PFCs, SF6 및 C3F8로 이루어진 군 중에 적어도 하나일 수 있다. 폐가스 처리챔버(13)는 상기 폐가스를 모아 일괄적으로 전자빔 조사처리할 수 있도록 한다.
H20 공급장치(12)는 도 1a 내지 도2c에 도시된 바와 같이, 폐가스가 전자빔 조사 처리되기 전에 폐가스에 H20를 공급할 수 있다. 또는 본 발명의 도면에 도시되지 않았지만 폐가스 처리챔버 또는 가스관에 연결되어 폐가스에 대한 전자빔 처리가 되는 동안 H20를 공급할 수도 있다.
H20 공급장치(12)에서 공급하는 H20는 수증기일 수 있고, 미세한 물방울일 수도 있다. H20를 전자빔 조사시 생성된 전자와 반응시켜 생성된 OH라디칼로 폐가스, 특히 유기화합물을 수소추출반응 및 OH첨가반응에 의해 용이하게 분해할 수 있다.
폐가스에 공급되는 H20의 유량을 정밀하게 조절하기 위해 H20 공급장치(12)는 공급되는 H20량을 검출할 수 있는 유량감지기(미도시)와 공급되는 H20량을 조절하는 유량 제어기(미도시)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 전자빔 조사장치(14)는 도 1a에 도시된 바와 같이 폐가스 처리챔버(13) 외부에 위치하여 폐가스 처리챔버(13)에 구비된 전자빔 조사창을 통해 폐가스 처리챔버(13)에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사할 수 있다.
또는 도 1b에 도시된 바와 같이 전자빔 조사장치(14’)는 폐가스 처리챔버(13’) 내부에 위치할 수 있다. 일 실시예로 전자빔 조사장치(14’)는 실린더 형태로 상기 폐가스 처리챔버(13’)에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 방사상(放射狀)으로 조사함으로써 폐가스에 전자빔이 골고루 조사되어 폐가스 분해가 촉진될 수 있다.
전자빔 조사장치(14)에서 조사하는 전자빔은 펄스빔 형태로 2 Hz 내지 22 MHz의 범위로 상기 폐가스에 조사될 수 있다. 또는 전자빔은 직류(direct current) 형태로 상기 폐가스에 조사될 수 있다.
전자빔 조사장치(14)는 폐가스 처리챔버(13)에 고정되어 있을 수 있고 또는 자동차나 자체 이동수단에 탑재되어 폐가스 처리챔버(13)에 탈착될 수도 있다.
폐가스 분석장치(15)는 전자빔 조사 전과 조사 후의 폐가스 및 부산물의 성분 및 농도를 측정할 수 있다. 폐가스 분석장치(15)는 적외선 푸리에 변환 분광기(Fourier transform intrared spectroscopy; FTIR), 가스 크로마토그래프(Gas chromatograph) 및 질량 분석기(Mass spectrometer) 중 적어도 하나일 수 있다. 측정 결과, 전자빔 조사 처리된 폐가스의 농도가 기준치 이하가 될 경우 폐가스 처리챔버(13, 13’)에 모인 폐가스를 챔버 외부로 배출하고 농도가 기준치보다 높은 경우 계속 전자빔 조사처리할 수 있다. 폐가스는 제어장치에 의해 자동으로 배출될 수 있고, 폐가스의 농도를 확인한 후 수동으로 밸브를 열어 배출될 수도 있다.
필터장치(16)는 폐가스 처리챔버(13, 13’)와 연결되고 전자빔 조사처리된 폐가스를 필터링한 후에 외부로 배출할 수 있다.
반도체 증착챔버(10)로부터 반도체 폐가스의 인출 및 전자빔 조사처리된 폐가스를 외부로 원활하게 배출하기 위해서 폐가스 처리장치는 적어도 하나의 펌프를 구비할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 순환형 폐가스 처리장치를 나타내는 모식도이다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 순환형 폐가스 처리장치는 폐가스 처리챔버(23, 23’), H20 공급장치(22), 전자빔 조사장치(24, 24’), 폐가스 분석장치(25), 필터장치(26)를 포함한다. 도 2a에 도시된 전자빔 조사장치(24)는 도 1a에 도시된 전자빔 조사장치(14)와 거의 동일하고, 도 2b에 도시된 전자빔 조사장치(24’)는 도 1b에 도시된 전자빔 조사장치(14’)와 거의 동일하다.
폐가스 처리챔버(23, 23’) 내에서 전자빔 조사처리된 폐가스는 폐가스 분석장치(25)를 통해 농도 및 성분이 분석된다. 분석한 결과, 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하이면, 필터장치(26)를 통해 필터링 된 후 외부로 배출된다. 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이상이면 다시 전자빔 조사처리되도록 폐가스는 순환된다.
한편, 폐가스 처리챔버(23, 23’), H20 공급장치(22) 는 도 1a 및 도 1b에 개시된 각각의 구성요소와 대동소이하므로 상기 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 폐가스 처리장치는 도 1a 및 도 1b에 도시된 개방형 폐가스 처리장치와 차이가 있다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 폐가스 처리장치는 폐가스 처리챔버(23, 23’) 내에서 일정 시간 전자빔 조사처리된 폐가스를 챔버 외부로 배출한 후 폐가스 분석장치(25)를 이용해 폐가스의 성분 및 농도를 측정한다. 측정된 폐가스의 농도가 기준치 이하인 경우에는 폐가스를 폐가스 처리장치 외부로 배출한다. 측정된 폐가스의 농도가 기준치 이상인 경우 폐가스를 순환하여 다시 폐가스 처리챔버(23, 23’)로 유입시켜 전자빔 조사처리를 거치도록 하는 구조이다.
도 2c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 순환형 폐가스 처리장치를 나타내는 모식도이다. 도 2a에 도시된 구조와 비교할 때 도 2c의 폐가스 처리장치는 폐가스 처리챔버를 따로 구비하지 않고, 폐가스가 순환하는 가스관(21)의 외부에 전자빔 조사처리 장치(24)를 연결하여 전자빔 조사처리 하는 구조이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 다른 측면에 따른 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3내지 도 5을 참조하면, 반도체 증착챔버로부터 반도체 폐가스를 가스관으로 인출한다(41, 51, 61). 가스관으로부터 반도체 증착챔버로 폐가스의 역류가 일어나지 않도록 가스관에 펌프 등을 연결함으로써 폐가스를 보다 용이하게 인출할 수도 있다.
다음 가스관에 수분(H2O), 특히 수증기를 공급하여 반도체 폐가스와 혼합되도록 할 수 있다(42, 52, 62). 그리고 폐가스 처리챔버에 수증기와 혼합된 폐가스를 모은다(43, 63). 도 5의 경우 순환형 폐가스 처리방식의 일 실시예로서 별도의 폐가스 처리챔버를 필요로 하지 않으므로 수증기가 혼합된 폐가스를 모으는 과정은 생략된다.
또는, 본 발명의 도면에는 도시되지 않았지만, 폐가스에 전자빔을 조사처리 하는 동안 수분(H2O)을 공급할 수도 있다.
폐가스에 대한 전자빔 조사 처리 전단계 또는 조사처리하는 단계에서 수분을 공급하는 것은 선택 사항이므로 어느 단계에서 실시하더라도 무방하다.
수분은 전자빔 조사 처리시 전자빔과 반응하여 OH라디칼로 생성됨으로써, 반도체 폐가스 중 특히 유기화합물이 OH라디칼과 수소추출반응 및 OH첨가반응에 의해 용이하게 분해될 수 있다.
기존 플라즈마 또는 열처리를 이용한 반도체 폐가스 처리방법이 각 폐가스 별로 별도의 처리챔버를 필요로 하는 데 비하여, 본 발명의 전자빔 조사 방식의 폐가스 처리방법은 하나의 폐가스 처리챔버에 여러 종류의 반도체 폐가스를 모아 일괄적으로 폐가스를 처리할 수 있다는 장점이 있다.
도 3 또는 도 5와 같이 폐가스 처리챔버에 모여 있는 폐가스를 전자빔 조사 처리하거나(44, 64), 도 4와 같이 가스관에서 흐르는 폐가스를 전자빔 조사 처리한다(54). 전자빔은 펄스빔 형태로 2 Hz 내지 22 MHz의 범위로 상기 폐가스에 조사될 수 있다. 또는 전자빔은 직류(direct current) 형태로 상기 폐가스에 조사될 수 있다.
전자빔 조사처리된 가스는 폐가스 분석장치에서 성분 및 농도를 분석한다(45, 56, 65).
폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 폐가스는 필터링과정을 거쳐(56) 폐가스 처리장치 외부로 배출되거나(57), 폐가스 처리챔버 밖으로 배출되고(46, 66), 폐가스의 농도가 기준치 이상인 경우 폐가스는 계속 전자빔 조사 처리 되도록 한다(44, 54, 64). 폐가스 처리챔버 외부로 배출된 반도체 폐가스는 필터장치로 필터링 될 수 있다(46, 66). 필터장치에 의해 필터링된 반도체 폐가스는 폐가스 처리장치 외부로 배출되면서 폐가스 처리공정은 완료된다(47, 67).
도 6은 폐가스 C3F8에 대하여 전자빔 조사처리 전과 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 조사처리 후의 가스 크로마토그래프를 각각 나타낸다. C3F8를 처리하기 위해 180KeV의 에너지를 가지는 전자빔 0.89mA를 약 10분 동안 조사하였다.
도 6의 (a)는 전자빔 조사처리 전 C3F8에 대한 가스 크로마토그래피 분석데이터를 나타낸다. 도 6의 (b)는 전자빔 조사처리 후 C3F8에 대한 가스 크로마토그래피 분석데이터를 나타낸다.
도 6의 (a)의 붉은 화살표가 가리키는 피크는 전자빔 조사처리 전 C3F8 을 나타낸다. 피크의 면적은 해당 가스의 양을 나타낸다. 도 6의 (b)의 붉은 화살표가 가리키는 피크는 전자빔 조사처리 후 C3F8 을 나타낸다. 전자빔 조사처리 전과 후의 C3F8 의양을 비교하면 전자빔 조사처리후 C3F8 의 양은 약 77.4% 감소하였음을 알 수 있다.
도 7은 폐가스 SF6에 대하여 전자빔 조사처리 전과 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 조사처리 후의 가스 크로마토그래프를 각각 나타낸다. 가스 크로마토그래피를 나타낸다. SF6를 처리하기 위해 H2를 혼합하고 175KeV의 에너지를 가지는 전자빔 1.5A를 약 5분 동안 조사하였다.
도 7의 (a)는 전자빔 조사처리 전 SF6에 대한 가스 크로마토그래피 분석데이터를 나타낸다. 도 7의 (b)는 전자빔 조사처리 후 SF6에 대한 가스 크로마토그래피 분석데이터를 나타낸다.
도 7의 (a)의 파란 화살표가 가리키는 피크는 전자빔 조사처리 전 SF6을 나타낸다. 피크의 면적은 해당 가스의 양을 나타낸다. 도 7의 (b)의 파란 화살표가 가리키는 피크는 전자빔 조사처리 후 SF6을 나타낸다. 전자빔 조사처리 전과 후의 SF6의양을 비교하면 전자빔 조사처리후 SF6의 양은 약 44% 감소하였음을 알 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
10, 20, 30: 반도체 증착챔버
11, 21: 가스관
12, 22: H2O 공급장치
13, 13’, 23, 23’: 폐가스 처리챔버
14, 14’, 24, 24’: 전자빔 조사장치
15, 25: 폐가스 분석장치
16, 26: 필터장치

Claims (41)

  1. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 제조공정 중의 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    상기 폐가스가 상기 폐가스 처리챔버에 유입되기 전에 상기 폐가스에 물(H2O)을 공급하는 H20 공급장치;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    상기 폐가스 처리챔버와 연결되고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 상기 폐가스 처리챔버 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 계속 전자빔 조사처리하도록 제어하는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  2. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 제조공정 중의 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치;
    상기 폐가스 처리챔버와 연결되어 상기 폐가스가 전자빔 조사되는 동안 물(H2O)을 공급하는 H20 공급장치; 및
    상기 폐가스 처리챔버와 연결되고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 상기 폐가스 처리챔버 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 계속 전자빔 조사처리하도록 제어하는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  3. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 제조공정 중의 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    이동수단에 탑재되어 이동이 가능하고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    상기 폐가스 처리챔버와 연결되고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 상기 폐가스 처리챔버 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 계속 전자빔 조사처리하도록 제어하는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  4. 전자빔 조사창을 구비하고, 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 제조공정 중의 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    상기 전자빔 조사창을 통해 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    상기 폐가스 처리챔버와 연결되고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 상기 폐가스 처리챔버 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 계속 전자빔 조사처리하도록 제어하는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  5. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 제조공정 중의 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 직류(direct current) 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    상기 폐가스 처리챔버와 연결되고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 상기 폐가스 처리챔버 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 계속 전자빔 조사처리하도록 제어하는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폐가스 처리챔버와 연결되고, 전자빔 조사처리된 상기 폐가스를 필터링하여 외부로 배출하는 필터장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  7. 제1항 내지 제3항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자빔 조사장치는 상기 폐가스 처리챔버 내부에 위치하고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 방사상(放射狀)으로 전자빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자빔 조사장치는 2Hz 내지 22MHz 펄스 전자빔을 상기 폐가스에 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 증착챔버에서 나오는 상기 폐가스는 NF3, CF4, PFCs, SF6 및 C3F8로 이루어진 군 중에 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폐가스의 인출이 용이하도록 하는 적어도 하나의 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  11. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    상기 폐가스가 상기 폐가스 처리챔버에 유입되기 전에 상기 폐가스에 물(H2O)을 공급하는 H20 공급장치;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    전자빔 조사장치로부터 배출된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  12. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 상기 폐가스 처리챔버와 연결되어 상기 폐가스가 전자빔 조사되는 동안 물(H2O)을 공급하는 H20 공급장치; 및
    전자빔 조사장치로부터 배출된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  13. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    이동수단에 탑재되어 이동 가능하고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    전자빔 조사장치로부터 배출된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  14. 전자빔 조사창을 구비하고, 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    상기 전자빔 조사창을 통하여 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    전자빔 조사장치로부터 배출된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  15. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 모이는 폐가스 처리챔버;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 직류(direct current) 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    전자빔 조사장치로부터 배출된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  16. 제11항 내지 13항 및 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자빔 조사장치는 상기 폐가스 처리챔버 내부에 위치하고, 상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 방사상(放射狀)으로 전자빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  17. 제11항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자빔 조사장치는 2Hz 내지 22MHz 펄스 전자빔을 상기 폐가스에 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  18. 제11항 내지 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스를 필터링하여 외부로 배출하는 필터장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  19. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 유입되는 가스관;
    상기 가스관의 외주면에 위치하고, 상기 가스관에 흐르는 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치;
    상기 폐가스가 전자빔 조사되기 전에 상기 폐가스에 물(H2O)을 공급하는 H20 공급장치
    ; 및
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스를 상기 가스관 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사 처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  20. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 유입되는 가스관;
    상기 가스관의 외주면에 위치하고, 상기 가스관에 흐르는 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치;
    상기 폐가스가 전자빔 조사되는 동안 물(H2O)을 공급하는 H20 공급장치; 및
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스를 상기 가스관 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사 처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  21. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 유입되는 가스관;
    이동수단에 탑재되어 이동 가능하고, 상기 가스관의 외주면에 위치하고, 상기 가스관에 흐르는 상기 폐가스에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스를 상기 가스관 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사 처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  22. 반도체 증착챔버와 연결되어 상기 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스가 유입되는 가스관;
    상기 가스관의 외주면에 위치하고, 상기 가스관에 흐르는 상기 폐가스에 직류(direct current) 전자빔을 조사하는 전자빔 조사장치; 및
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도를 분석하여 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하인 경우 상기 폐가스를 상기 가스관 외부로 배출하고, 성분 및 농도가 상기 기준치 이상인 경우 상기 폐가스가 다시 전자빔 조사 처리되도록 순환시키는 폐가스 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  23. 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자빔 조사장치는 2Hz 내지 22MHz 펄스 전자빔을 상기 폐가스에 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  24. 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스를 필터링하여 외부로 배출하는 필터장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  25. 제11항 내지 제15항 및 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폐가스가 원활하게 순환하도록 적어도 하나의 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  26. 제11항 내지 제15항 및 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 증착챔버에서 나오는 상기 폐가스는 NF3, CF4, PFCs, SF6 및 C3F8로 이루어진 군 중에 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리장치.
  27. 반도체 증착챔버에서 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계;
    폐가스 처리챔버에 상기 폐가스를 모으는 단계;
    상기 폐가스에 물(H2O)을 공급하는 단계;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔 조사처리를 하는 단계;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및
    전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하일 때는 상기 반도체 처리챔버 밖으로 배출하고, 상기 기준치 이상일 때는 계속 전자빔 조사처리하는 단계
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  28. 반도체 증착챔버에서 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계;
    폐가스 처리챔버에 상기 폐가스를 모으는 단계;
    상기 폐가스에 물(H2O)을 공급하는 단계;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 전자빔 조사처리를 하는 단계;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및
    전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 기준치 이하일 때는 상기 반도체 처리챔버 밖으로 배출하고, 기준치 이상일 때는 상기 폐가스를 순환시켜 다시 전자빔 조사처리하는 단계
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  29. 반도체 증착챔버에서 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계;
    폐가스 처리챔버에 상기 폐가스를 모으는 단계;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 물(H2O) 공급 및 전자빔 조사처리를 하는 단계;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및
    전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 기준치 이하일 때는 상기 반도체 처리챔버 밖으로 배출하고, 기준치 이상일 때는 상기 폐가스를 순환시켜 다시 전자빔 조사처리하는 단계
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  30. 반도체 증착챔버에서 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계;
    폐가스 처리챔버에 상기 폐가스를 모으는 단계;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 상기 폐가스에 물(H2O) 공급 및 전자빔 조사처리를 하는 단계;
    상기 폐가스 처리챔버에 모인 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및
    전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 기준치 이하일 때는 상기 반도체 처리챔버 밖으로 배출하고, 기준치 이상일 때는 상기 폐가스를 순환시켜 다시 전자빔 조사처리하는 단계
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  31. 제 27항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폐가스에 전자빔 조사처리를 하는 단계는 2Hz 내지 22MHz 펄스 전자빔을 상기 폐가스에 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  32. 제 27항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폐가스에 전자빔 조사처리를 하는 단계는 직류(direct current) 전자빔을 상기 폐가스에 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  33. 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계;
    상기 폐가스에 물(H2O)을 공급하는 단계;
    상기 가스관을 흐르는 상기 폐가스를 전자빔 조사처리하는 단계;
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및
    전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하일 때는 상기 폐가스를 외부로 배출하고, 기준치 이상일 때는 상기 폐가스를 순환시켜 다시 전자빔 조사처리하는 단계;
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  34. 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계;
    상기 가스관을 흐르는 상기 폐가스에 물(H2O) 공급 및 전자빔 조사처리하는 단계;
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및
    전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하일 때는 상기 폐가스를 외부로 배출하고, 기준치 이상일 때는 상기 폐가스를 순환시켜 다시 전자빔 조사처리하는 단계;
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  35. 제33항 또는 제34항에 있어서,
    상기 폐가스에 전자빔 조사처리를 하는 단계는 2Hz 내지 22MHz 펄스 전자빔을 상기 폐가스에 조사하는 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  36. 반도체 증착챔버에서 나오는 반도체 폐가스를 가스관으로 인출하는 단계;
    상기 가스관을 흐르는 상기 폐가스에 직류(direct current) 전자빔을 조사하는 단계;
    전자빔 조사처리된 상기 폐가스를 가스 분석장치를 이용해 성분 및 농도를 분석하는 단계; 및
    전자빔 조사 처리된 상기 폐가스의 성분 및 농도가 미리 설정된 기준치 이하일 때는 상기 폐가스를 외부로 배출하고, 기준치 이상일 때는 상기 폐가스를 순환시켜 다시 전자빔 조사처리하는 단계;
    를 포함하는 전자빔을 이용한, 반도체 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
  37. 제33항, 제34항 및 제36항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 증착챔버에서 나오는 상기 폐가스는 NF3, CF4, PFCs, SF6 및 C3F8로 이루어진 군 중에 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전자빔을 이용한, 반도체 제조공정의 폐가스 처리방법.
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