KR101156057B1 - 알루미나용 식각액 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 Al2O3용 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아미노계 실란 용액 및 물을 포함함으로써 Al2O3을 선택적으로 식각하여 수 ㎛ 크기의 패턴을 형성할 수 있는 Al2O3용 식각액 조성물에 관한 것이다.

Description

알루미나용 식각액 조성물{An etching composition for alumina}
본 발명은 Al2O3용 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아미노계 실란 용액 및 물을 포함함으로써 Al2O3을 선택적으로 식각하여 수 ㎛ 크기의 패턴을 형성할 수 있는 Al2O3용 식각액 조성물에 관한 것이다.
현재의 반도체 제조기술을 고집적화를 통한 대량생산 및 생산비용 절감을 기본으로 하고 있으나, 이와 같은 고집적화 기술은 명백한 한계를 가지고 있으며, 이러한 한계는 주요과학기술분야에서 차세대 반도체소자기술의 개발이라는 중대한 사명을 안겨주고 있다.
반도체 소자의 크기 감소와 집적도의 증가는 나노소재와 나노소자에 대한 관심과 연구에 대한 동기가 되었다. 나노소재와 나노소자기술은 다양한 분야에서 광범위하게 적용되고 그 분야의 기술을 획기적으로 발전시키고 있다. 한편, 나노화된 전자소자의 패터닝 방법은 크게 전통적인 탑-다운(top-down) 방식과 바텀-업(bottom-up) 방식으로 대변된다.
전통적인 탑-다운 방식은 포토마스크를 이용하여 기판 상에 패턴을 새기는 포토리소그래피 방법이 대표적이나, 이런 방법으로 제작되는 선의 폭은 점점 감소되어 가공가능한 선의 폭이 한계에 이르고 있는 상황이다. 왜냐하면, 탑-다운 방식의 경우에는 제조 가능한 가장 작은 형태의 크기 한계가 사용되는 도구의 정밀도에 직접적으로 좌우되게 되기 때문이다. 탑-다운 방식 내에서 개발되는 차세대 공정 기술로는 극자외선(EUV: Etreme Ultra-Violet) 리소그래피와 전자빔(Electron Beam) 리소그래피 기술 등이 각광을 받고 있기는 하나, 두 기술 모두 비용과 시간의 관점에서 효율적이지 못하다. 반면에, 바텀-업 방식의 경우는 개별 원자 혹은 분자들을 그들이 있어야 할 곳에 정확히 위치시키거나 자기조립(self-assembly)되도록 하는 기술을 의미한다. 자기조립기술은 분자들의 자기조립 성질을 이용한 패터닝 기술이며 분자가 자기조립할 때 여러 조건을 조절하여 원하는 패턴을 만드는 기술이다.
이러한 나노 기술 중에서 가장 효율적인 분야로 평가받고 있는 분야가 바로 나노선(nanowire)이다.
나노선은 크기 촉매를 이용한 방법과 촉매를 이용하지 않는 두가지 방법으로 성장시킬 수 있다. 일반적으로 촉매를 이용한 성장방법으로는 기판 위에 촉매입자를 얇게 입히고, 그 기판을 전기로에 넣고 화학 반응가스를 전기로에 넣어서 성장시키는 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition) 방법이 있다. 반면에 촉매가 없이 성장시키는 방법에는 주로 금속유기화학기상증착(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법이 사용되고 있다. 성장된 나노선을 소자 제작에 이용하는 방법으로는 일반적으로 성장된 나노선을 기판으로부터 분리시킨 후 소자를 제작하는 방법이 사용되고 있다.
이렇게 만들어진 나노선 트랜지스터는 기존 실리콘 기반의 MOSFET(Metal-Oxide-Silicone Field Effect Transistor)에서의 채널 형성 구조와 구조가 다르다. N 채널 MOSFET의 경우를 예를 들자면, P형의 실리콘 기판 위에 N채널의 소오스/드레인 전극을 형성하고 게이트에 일정한 조건의 전압을 인가하게 되면 MOSFET의 공핍층 영역에서의 N채널이 형성된다. 즉, MOSFET에서 이러한 N채널을 형성하기 위해 일정한 전압을 가해주어야 하는 방식의 트랜지스터를 증식형(enhancement mode) 트랜지스터라 부른다. 반대로, 게이트에 어떠한 전압을 인가하지 않아도 이미 채널이 존재하는 경우를 공핍형(depletion mode) 트랜지스터라 부른다. MOSFET에서 이러한 공핍형의 트랜지스터를 만들기 위해 이온주입방법 등의 방법을 사용하여 증식형의 트랜지스터를 공핍형의 트랜지스터로 만들 수 있다. 그러나 이러한 이온 주입법의 경우 소자 자체에 대한 손상을 고려하지 않을 수 없다. 이와 반대로 나노선을 채널자체로서 사용하는 나노선 트랜지스터의 경우는 나노선이 이미 채널로서의 역할을 하기 때문에 트랜지스터를 제작할 경우 공핍형의 트랜지스터만이 제작될 수 있다. 기존의 MOSFET에서 공핍형의 트랜지스터를 제작하기 어렵다고 한다면, 특히 나노선의 트랜지스터에서는 증식형의 트랜지스터를 제작하는 것이 어렵다고 볼 수 있다.
한편, 나노선 트랜지스터에 절연막으로 사용되는 Al2O3를 식각하기 위하여, 습식식각 또는 건식식각이 이용되고 있다. 이 중에서 습식식각의 경우, 식각액 조성물이 사용되고 있는데, 이중에서 가장 대표적인 것이 HF, H3PO4, HNO3와 같은 강산, 강염기를 사용하는 것이다. 하지만, HF를 포함하는 식각액 조성물은 식각속도가 너무 높아서 공정 조절이 어려운 단점이 있다. H3PO4를 포함하는 식각액 조성물의 경우, 생성되는 기포 중 수소가 알루미늄막에 부착되어 식각에 방해를 주고, 식각이 되지 않는 미소부분이 발생할 수 있다. 또한 강산, 강염기를 포함하는 식각액 조성물로 Al2O3를 식각하면, 소자나 다른 부분에 영향을 줄 수 있는 손상이 발생하기 때문에 공정 상의 어려움이 많다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 Al2O3, 특히 원자층 박막 성장 방법(Atomic Layer Deposition: ALD)으로 성장한 Al2O3을 선택적으로 식각하여 수 ㎛ 크기의 패턴을 형성할 수 있는 Al2O3용 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 공정이 간단하고, 안정적이고, 경제적인 Al2O3용 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 나노선 전계효과트랜지스터(NW FET), 서스펜디드(Suspended) 나노선 전계효과트랜지스터 및 플렉서블 디스플레이 소자의 제조에 사용될 수 있는 Al2O3용 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 아미노계 실란 용액; 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 Al2O3용 식각액 조성물을 제공한다.
일실시예에 따르면, 상기 아미노계 실란 용액과 물은 0.01:100 내지 30:100의 부피비로 혼합하는 것이 바람직하다.
일실시예에 따르면, 상기 아미노계 실란 용액은 아미노계 실란 화합물과 용매의 혼합물이고, 그 농도는 50~99.99wt%이다.
일실시예에 따르면, 상기 아미노계 실란 화합물은 아미노C1-6알킬기와 C1-6알콕시기를 포함하는 실란 화합물이고, 상기 용매는 물이다.
일실시예에 따르면, 상기 아미노계 실란 화합물은 3-아미노프로필 트리메톡시 실란, 3-아미노에틸 트리메톡시 실란, 3-아미노프로필 트리에톡시 실란, 3-아미노에틸 트리에톡시 실란, 3-아미노메틸 트리메톡시 실란 및 3-아미노메틸 트리에톡시 실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이다.
일실시예에 따르면, 상기 Al2O3용 식각액 조성물은 나노선 전계효과트랜지스터 또는 플렉서블 디스플레이 소자의 제조에 이용된다.
일시예에 따르면, 상기 나노선 전계효과트랜지스터는 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터이다.
본 발명의 Al2O3용 식각액 조성물을 이용하면 간단하고 경제적으로 Al2O3, 특히 원자층 박막 성장 방법(Atomic Layer Deposition: ALD)으로 성장한 Al2O3을 선택적으로 식각하여 수 ㎛ 크기의 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서 본 발명의 Al2O3용 식각액 조성물은 Al2O3에 대한 패턴형성, 나아가 나노선 전계효과트랜지스터(NW FET), 서스펜디드(Suspended) 나노선 전계효과트랜지스터 및 플렉서블 디스플레이 소자의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 실시예 2에 따른 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2 및 도 3은 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 구조도이다.
도 4는 실시예 2에 따른 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조방법 중, 제2 E-beam 리소그래피 공정을 수행하여 상기 반도체 나노선을 직사각형 형태로 노출시킨 후(a)와 실시예1의 식각액 조성물로 Al2O3를 식각한 후(b)를 나타낸 광학현미경 사진이다.
도 5는 실시예 2에 따른 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조방법 중, Al2O3를 식각한 후를 나타낸 SEM 사진이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명은 아미노계 실란 용액; 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 Al2O3용 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명에서 상기 아미노계 실란 용액과 물은 그 혼합비를 당 업자가 경우에 따라 적절히 결정할 수 있으나, 바람직하게는 0.01:100 내지 30:100의 부피비로 혼합할 수 있고, 더욱 바람직하게는 0.1:100 내지 10:100의 부피비로 혼합할 수 있다.
이때, 상기 아미노계 실란 용액은 아미노계 실란 화합물과 용매의 혼합물로서, 그 농도는 50~99.99wt%인 것이 바람직하고, 90~99.99wt%인 것이 보다 바람직하다. 상술한 범위를 만족하면, 안정적이고 경제적인 식각액 조성물을 형성할 수 있다.
상기 아미노계 실란 화합물은 약염기이므로, 이를 포함하는 본 발명의 Al2O3용 식각액 조성물은 강산 또는 강염기의 식각액에 비해 안정적이다. 따라서 본 발명의 식각액 조성물을 이용하여 소자를 제조할 경우, 필요 부분인 Al2O3 외 다른 구성요소에 미치는 영향이 비교적 적다. 예를 들어, 나노선 전계효과트랜지스터의 경우, 본 발명의 식각액 조성물이 나노선에 영향을 전혀 끼치지 않으므로, 부담 없이 사용할 수 있다. 특히 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 경우, 나노선이 하부의 절연막에 영향을 받지 않도록 공중에 나노선을 띄운 상태의 소자를 쉽게 제조할 수 있다. 또한, 플렉서블 디스플레이 소자의 경우, 플렉서블 기판으로 이용되는 플라스틱 기판에 본 발명의 식각액 조성물이 전혀 영향을 미치지 않으므로, 부담 없이 사용할 수 있다.
본 발명에서, 상기 아미노계 실란 화합물은 구체적으로 아미노C1-6알킬기와 C1-6알콕시기를 포함하는 실란 화합물이다. 특별히 제한은 없으나, 예를 들면, 3-아미노프로필 트리메톡시 실란, 3-아미노에틸 트리메톡시 실란, 3-아미노프로필 트리에톡시 실란, 3-아미노에틸 트리에톡시 실란, 3-아미노메틸 트리메톡시 실란 및 3-아미노메틸 트리에톡시 실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상 사용할 수 이TEk. 바람직하게는 상기 아미노계 실란 화합물로서, 3-아미노프로필 트리모톡시 실란을 사용한다.
또한 상기 용매로는 물, 유기 용매 등을 제한없이 사용할 수 있으나, 바람직하게는 물을 사용한다.
한편, 본 발명의 식각액 조성물의 다른 구성성분인 물은 아미노계 실란 용액을 희석시키기 위하여 사용하는 것으로서, 탈이온수 또는 증류수를 의미한다. 상기 물은 반도체 공정용을 사용하는 것이 바람직하며, 18㏁/㎝ 이상의 물을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 Al2O3용 식각액 조성물은 상기에 언급된 성분들 외에 식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 등의 첨가제를 1종 또는 2종 이상 더 함유할 수 있다.
상기 계면활성제로는 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제 또는 음이온 계면활성제 등을 1종 이상 제한 없이 이용할 수 있다. 상기 금속 이온 봉쇄제 역시 제한은 없으나, 예를 들어 폴리아크릴레이트와 비이온 화합물로 구성된 것을 이용할 수 있다. 또한, 상기 부식 방지제도 제한은 없으나, 질소화합물, 아민 화합물, 사이오 화합물, 시트릭산, 질산염 또는 폴리설파이드 등을 이용할 수 있다.
이러한 본 발명의 Al2O3용 식각액 조성물은 나노선 전계효과트랜지스터 또는 기타의 플렉서블 디스플레이 소자의 제조에 이용될 수 있다.
이하에서는 그 구체적인 과정을 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조를 예를 들어 설명한다.
도 1은 바텀 게이트형 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조방법을 나타낸 개략도이다.
도 1을 참조하면, P 도핑된 제1 실리콘 기판 상에 SiO2를 형성한다. 상기 SiO2 상에 ALD 법을 이용하여 Al2O3를 형성한다. 이때, Al2O3의 성장을 위하여, 트리메틸알루미늄과 증류수를 소오스 물질로 사용하는 것이 바람직하다.
이어서, SnO2 NWs를 IPA(i-propanol) 용액 속에 분산시킨 후 상기 Al2O3 상에 떨어뜨리고 건조시켜 반도체 나노선을 형성한다. 상기 반도체 나노선 상에 E-beam용 포토레지스트를 형성하여 제1 E-beam 리소그래피 공정을 수행하여 소오스/드레인 전극 형성을 위한 패턴을 형성한다. 이때, 상기 반도체 나노선의 양 끝단에 리드 라인(lead line)을 만들어 주기 위한 패턴도 함께 형성하는 것이 바람직하다. 제1 E-beam 리소그래피에서 이용한 현상액은 MIBK(methyl isobutyl ketone)과 IPA를 1:3의 비율로 혼합한 용액을 사용하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 제1 및 제2 포토레지스트층을 포함하는 기판 상에 E-beam 증착기를 이용하여 소오스/드레인 전극을 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극은 Ti과 Au로 이루어진 이중층인 것이 바람직하다. 그 후, 상기 제1 및 제2 포토레지스트층을 제거한다.
이어서, 상기 소오스/드레인 전극을 포함하는 기판 상에 제1 E-beam 리소그래피 공정과 동일한 방법으로 제2 E-beam 리소그래피 공정을 수행하여 상기 반도체 나노선을 직사각형 형태로 노출시킨다. 상기 반도체 나노선이 노출된 기판을 본 발명의 식각액 조성물에 담가놓아, 상기 반도체 나노선의 하부에 위치한 Al2O3를 식각한다.
이어서, P 도핑된 제2 실리콘 기판 상에 SiO2를 형성한다. 상기 SiO2 상에 게이트 전극을 형성한다. 상기 게이트 전극은 알루미늄, 금, 티타늄 등을 사용할 수 있다.
이어서, 상기 제1 실리콘 기판의 반도체 나노선 등이 형성되지 않은 일면과 상기 제2 실리콘 기판의 게이트 전극이 형성된 일면을 접착시켜 나노와이어 전계효과트랜지스터를 완성한다.
도 2 및 도 3은 탑 게이트 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 구조도이다.
도 2를 참조하면, 고농도로 도핑된 실리콘 기판(200) 상에 실리콘 산화막(Si02, 210)을 형성한다. 상기 고농도로 도핑된 실리콘 기판(200)은 0 내지 0.005Ω/㎝의 저항을 갖는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 실리콘 산화막(210) 상이 Al2O3층(220)을 형성한다. 상기 Al2O3층(220)은 원자층 박막 성장 방법(Atomic Layer Deposition: ALD)으로 성장시킨 것이 바람직하다.
이어서, 상기 Al2O3층(220) 상에 반도체 나노선(240)을 형성한다. 상기 반도체 나노선(240)으로는 탄소나노튜브, Si와 같은 금속 반도체 나노선 및 금속산화물 기반이 나노선을 적용할 수 있으며, 특히 ZnO, SnO2, In2O3와 같은 금속산화물 반도체 나노선이 바람직하다.
이어서, 상기 반도체 나노선(240)의 양단에 소오스/드레인 전극(230, 235)을 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극(230, 235) 전극을 포함하는 기판에 본 발명의 Al2O3용 식각액 조성물을 분사시켜, 상기 반도체 나노선(240) 하부에 위치한 Al2O3를 식각한다.
도 3을 참조하면, 상기 반도체 나노선(240)의 상부에 게이트 절연막(250)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(250)은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 알루미늄 산화막(Al2O3), 하프늄산화막(Hf2O3), 지르코늄산화막(ZrO3)과 고분자 절연막 중의 하나를 사용할 수 있다. 상기 게이트 절연막의 두께는 10 내지 100㎚인 것이 바람직하다.
이어서, 상기 게이트 절연막(250) 상부에 게이트 전극(260)을 형성한다.
상기에서는 바텀 게이트 형 및 탑 게이트형의 나노선 전계효과트랜지스터에 대하여 설명하였지만, 이에 한정되는 것이 아니고, 다양한 형태의 나노선 전계효과트랜지스터에도 적용할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1: Al 2 O 3 용 식각액 조성물의 제조]
97wt%의 3-아미노프로필 트리메톡시 실란 용액(구입처: Aldrich) 300㎕를 탈이온수 50㎖에 혼합하여 Al2O3용 식각액 조성물을 제조하였다.
[제조예 1: Al 2 O 3 용 식각액 조성물을 이용한 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조]
P 도핑된 제1 실리콘 기판 상에 SiO2를 300㎚의 두께로 형성하였다. 상기 SiO2 상에 ALD 법을 이용하여 225℃에서 Al2O3를 60㎚로 형성하였다. 이때, Al2O3의 성장을 위하여, 트리메틸알루미늄과 증류수를 소오스 물질로 사용하였다. 이어서, SnO2 NWs를 IPA(i-propanol) 용액 속에 분산시킨 후 Al2O3 상에 떨어뜨리고 건조시켜 반도체 나노선을 형성하였다. 상기 반도체 나노선 상에 제1 포토레지스트층으로 MMA (8.5) MAA EL 11(상품명, 제조사: MICROCHEM Corp.)를 스핀코팅(10s, 500rpm)으로 형성하고, 핫플레이트에서 170℃로 10분 동안 건조시켰다. 상기 제1 포토레지스트층 상에 제2 포토레지스트층으로 950 PMMA C4(상품명, 제조사: MICROCHEM Corp.)를 스핀코팅(35s, 4500rpm)으로 형성하고, 핫플레이트에서 170℃로 60분 동안 건조시켰다. 한편, 상기 반도체 나노선 상에 후 공정에서 전극 형성을 위한 패턴과 상기 반도체 나노선의 양 끝단에 리드 라인(lead line)을 만들어 주기 위하여 상기 제1 및 제2 포토레지스트층에 제1 E-beam 리소그래피 공정을 이용하였다. 제1 E-beam 리소그래피에서 이용한 현상액은 MIBK(methyl isobutyl ketone)과 IPA를 1:3의 비율로 혼합한 용액이었고, 상기 현상액 내에 제2 포토레지스트층을 포함하는 기판을 20℃에서 약 1분 25초 동안 담그고, 탈이온수로 세척하여. 리드 라인을 형성하였다.
이어서, 상기 제1 및 제2 포토레지스트층을 포함하는 기판 상에 E-beam 증착기를 이용하여 소오스/드레인 전극으로 Ti/Au(80/80㎚)을 형성하였고, 상기 제1 및 제2 포토레지스트층을 제거하였다.
이어서, 상기 소오스/드레인 전극을 포함하는 기판 상에 상술한 방법으로 제1 및 제2 포토레지스트층을 형성하였다. 그리고 제2 E-beam 리소그래피 공정을 수행하여 상기 반도체 나노선을 직사각형 형태로 노출시켰다(도 4의 (a)). 상기 반도체 나노선이 노출된 기판을 실시예 1의 식각액 조성물에 3시간 동안 담가놓아, 상기 반도체 나노선의 하부에 위치한 Al2O3를 식각하였다.
이어서, P 도핑된 제2 실리콘 기판 상에 SiO2를 300㎚의 두께로 형성하였다. 상기 SiO2 상에 Au를 100㎚로 증착하여 게이트 전극을 형성하였다.
이어서, 상기 제1 실리콘 기판의 반도체 나노선 등이 형성되지 않은 일면과 상기 제2 실리콘 기판의 게이트 전극이 형성된 일면을 접착시켜 나노와이어 전계효과트랜지스터를 완성하였다.
[실시예 2-4: Al 2 O 3 용 식각액 조성물의 제조]
3-아미노프로필 트리메톡시 실란 용액을 300㎕ 대신 500㎕(실시예2), 700㎕(실시예3), 1000㎕(실시예4) 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 식각액 조성물을 제조하였다.
[제조예 2-4: Al 2 O 3 용 식각액 조성물을 이용한 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터의 제조]
식각액 조성물로 실시예 2-4를 각각 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 트랜지스터를 제조하였다.
제조예 1 내지 4에서 얻은 트랜지스터를 살펴본 결과, 모두 Al2O3가 깨끗이 식각되었음을 확인할 수 있었다. 특히 제조예 1로 제조된 트랜지스터는 도 4의 (b) 및 도 5에 나타난 바와 같이, 반도체 나노선의 아랫부분에 위치한 Al2O3가 깨끗이 식각되었다.
200: 실리콘 기판 210: 실리콘 산화막
220: Al2O3층 230: 소오스 전극
235: 드레인 전극 240: 반도체 나노선
250: 게이트 절연막 260: 게이트 전극

Claims (7)

  1. 아미노계 실란 용액; 및
    물을 포함하고, 강산 또는 강염기를 포함하지 않는 Al2O3용 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 아미노계 실란 용액과 물은 0.01:100 내지 30:100의 부피비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 Al2O3용 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 아미노계 실란 용액은 아미노계 실란 화합물과 용매의 혼합물이고, 그 농도는 50~99.99wt%인 것을 특징으로 하는 Al2O3용 식각액 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 아미노계 실란 화합물은 아미노C1-6알킬기와 C1-6알콕시기를 포함하는 실란 화합물이고, 상기 용매는 물인 것을 특징으로 하는 Al2O3용 식각액 조성물.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 아미노계 실란 화합물은 3-아미노프로필 트리메톡시 실란, 3-아미노에틸 트리메톡시 실란, 3-아미노프로필 트리에톡시 실란, 3-아미노에틸 트리에톡시 실란, 3-아미노메틸 트리메톡시 실란 및 3-아미노메틸 트리에톡시 실란으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종인 것을 특징으로 하는 Al2O3용 식각액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 Al2O3용 식각액 조성물은 나노선 전계효과트랜지스터 또는 플렉서블 디스플레이 소자의 제조에 이용되는 것을 특징으로 하는 Al2O3용 식각액 조성물.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 나노선 전계효과트랜지스터는 서스펜디드 나노선 전계효과트랜지스터인 것을 특징으로 하는 Al2O3용 식각액 조성물.


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