KR101152011B1 - 1,5-디니트로나프탈렌의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 30 내지 80 ℃의 온도에서 황산의 부재하에, 농도가 72 내지 87 중량%인 질산으로 나프탈렌을 니트로화하고, 수득된 반응 혼합물을 5 내지 20 ℃의 온도에서 여과하고, 수득된 고체 침전물을 물로 세척하고, 아세톤으로 세척하여 세척된 침전물로부터 1,5-디니트로나프탈렌을 단리시키는, 1,5-디니트로나프탈렌의 제조 방법에 관한 것이다.
1,5-디니트로나프탈렌, 나프탈렌, 질산, 아세톤, 니트로화

Description

1,5-디니트로나프탈렌의 제조 방법 {PROCESS FOR THE PRODUCTION OF 1,5-DINITRONAPHTHALENE}
본 발명은 나프탈렌의 직접 니트로화를 기초로 한, 1,5-디니트로나프탈렌 (1,5-DNN)의 제조 방법에 관한 것이다.
1,5-디니트로나프탈렌은 1,5-디아미노나프탈렌, 나프탈렌디이소시아네이트-1,5 및 다양한 축합 중합체의 제조에서 중간체이다.
실제로, 1,5-디니트로나프탈렌, 1,8-디니트로나프탈렌, 1-모노니트로나프탈렌을 포함하는 조 혼합물 및 부분 산화의 생성물은 나프탈렌을 황산 및 질산의 혼합물로 니트로화하여 제조할 수 있다 (DE-A 11 50 965).
그러나, 디니트로나프탈렌의 조 혼합물의 제조에서 황산 및 질산 혼합물의 사용은 사용된 산의 처리, 및 질산 및 황산의 분리된 회수를 위해 고비용이고, 생태학적으로 유해한 장치의 설치를 요한다.
니트로화 혼합물에 시약 및 용매를 도입함으로써 1,5-디니트로나프탈렌 제조에서의 수율 증가를 다룬 수 많은 문헌들이 있다 (US-A-3,221,062, DE-A-24 53 529, FR-A-22 08 398, DD-A-26541).
그러나, 고비용의 분리 및 회수 공정을 피하기 위해, 실제로 단일 니트로화제로서 질산을 사용하는 것이 훨씬 더 유리하다.
US-A-3,998,893에 질산을 사용하여 조 디니트로나프탈렌 혼합물을 제조하는 방법이 공지되어 있다. 그러나, US-A-3,998,893에 따른 방법에서는 주 원료로서 모노니트로나프탈렌을 사용한다. 또한, US-A-3,998,893은 제조된 조 디니트로나프탈렌 혼합물의 이성질체 조성, 1,5-디니트로나프탈렌의 수율 및 조 디니트로나프탈렌 혼합물로부터 이의 분리에 대한 정보를 제공하지 않는다.
조 디니트로나프탈렌 혼합물로부터 1,5-디니트로나프탈렌의 분리 및 정제는 1,5-디니트로나프탈렌의 제조에서 중요한 공정 단계이다. 그러나, 상기 분리 및 정제를 위한 단순한 방법은 문헌에 공지되어 있지 않다. FR-A-13 20 250에, 1,5-디니트로나프탈렌의 분리를 위한 선택적인 용매-추출제로서 디메틸포름아미드 (DMFA)의 사용이 개시되어 있다.
그러나, 디메틸포름아미드 (DMFA) 회수의 기술적 복잡성 및 추출제에서 1,5-디니트로나프탈렌의 비교적 큰 잔류물 용해도는 상기 방법의 실시를 부적합하게 한다.
따라서, 본 발명은 1,5-디니트로나프탈렌의 제조를 위한 단순한 방법을 제공함으로써 당업계의 고유 문제를 감소시키거나 또는 제거한다.
본 발명의 상기 및 다른 장점과 이익은 하기의 발명의 상세한 설명에서 명백해질 수 있다.
본 발명은 제한이 아닌, 예시를 목적으로 기재된다. 작업 실시예, 또는 다르게 지적하는 경우를 제외하고, 명세서에서 양, 비율 등을 표시하는 모든 수는 모든 경우에 있어 용어 "약"으로 변형될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명은
30 내지 80 ℃의 온도에서 황산의 부재하에, 농도가 72 내지 87 중량%인 질산으로 나프탈렌을 니트로화하고,
니트로화된 나프탈렌을 5 내지 20 ℃의 온도에서 여과하고, 수득된 고체 침전물을 물로 세척하고,
아세톤으로 세척하여 세척된 침전물로부터 1,5-디니트로나프탈렌을 단리시키는 것을 포함하는,
1,5-디니트로나프탈렌의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 1,5-디니트로나프탈렌의 제조 방법은 모노니트로나프탈렌의 단리 없이 농도가 72 내지 87 중량%인 질산에 의한 나프탈렌의 직접 니트로화를 기초로 한다. 물 및 아세톤으로 반응 생성물을 세척하여 고순도 [98 중량% 이상]의 1,5-디니트로나프탈렌을 수득한다. 본 방법에서 사용된 아세톤 및 질산은 회수되고, 공정에 복귀될 수 있다. 1,8-디니트로나프탈렌이 부산물로서 본 방법에서 생성된다.
니트로화 단계는 다음과 같이 실시될 수 있다. 72 내지 87 중량%의 질산을 반응기내로 충전하고, 분말화된 나프탈렌을 교반하며 투여한다. 니트로화 반응은 30 내지 80 ℃, 바람직하게는 45 내지 65 ℃의 온도에서 실시된다. 나프탈렌의 니트로화 시간은 주로 질산의 농도, 냉각 정도, 반응기내 온도 및 반응물의 몰비에 따라, 바람직하게는 15 분 내지 2 시간, 보다 바람직하게는 1.5 내지 2 시간의 범위이다.
질산 대 나프탈렌의 몰비는 바람직하게는 8:1 이상, 보다 바람직하게는 8 내지 20:1이다.
니트로화 방법은 배치식 및 연속식 반응기에서 실시될 수 있다.
디니트로나프탈렌 이성질체는 사용된 질산에서 제한된 용해도를 갖는다. 세척 단계에서의 손실을 감소시키기 위해, 니트로화가 종료되면, 사용된 질산에서 디니트로나프탈렌의 용해도를 감소시키도록 반응 혼합물을 냉각시키고, 이후 5 내지 20 ℃에서 여과한다. 이어서, 수득된 고체 침전물을 바람직하게는 중화 반응이 될 때까지 물로 세척한다. 본 발명의 바람직한 실시양태에서, 반응 혼합물을 냉각시키고, 5 내지 20 ℃에서 여과시키며, 수득된 고체 침전물을 바람직하게는 농도가 65 내지 70 중량%인 복귀된 질산으로 세척한 후, 중화 반응이 될 때까지 물로 세척한다.
본 발명 방법의 최종 단계에서, 수득되는 세척된 조 침전물을 아세톤으로 처리하여 1,8-디니트로나프탈렌 이성질체 및 다른 불순물을 추출한다. 바람직하게는, 아세톤에서 조 혼합물을 교반시켜 추출을 수행할 수 있다. 추출 온도는 바람직하게는 45 내지 55 ℃, 보다 바람직하게는 50 내지 55 ℃의 범위이다. 5 내지 30 분, 바람직하게는 15 내지 20 동안 추출한 후, 현탁액을 15 내지 20 ℃로 냉각 시키고, 여과한다. 이어서, 침전물을 바람직하게는 필터상에서 순수한 냉각 아세톤으로 세척한 후, 물로 세척하고, 20 내지 110 ℃, 바람직하게는 100 내지 110 ℃의 온도에서 건조시킨다.
추출 단계에서, 바람직하게는 무수 조 디니트로나프탈렌 혼합물 1 ㎏ 당 3 내지 7 ㎏의 아세톤, 보다 바람직하게는 4 내지 6 ㎏의 아세톤을 사용하여 이성질체 1,5-디니트로나프탈렌에 수반되는 목적하지 않는 물질을 추출한다.
추출을 실시한 후, 용매 아세톤의 2/3을 증류 제거하고, 잔류물 (바닥 생성물)을 10 내지 20 ℃로 냉각시킬 수 있다. 이어서, 이성질체 1,8 디니트로나프탈렌, 보통 5 내지 10 중량%의 불순물을 바닥 생성물로부터 결정화한다. 결정 침전물 (주로 1,8 디니트로나프탈렌)을 여과로 분리하고, 모액을 주 추출액과 합할 수 있다. 응축된 아세톤을 추출 단계로 복귀시키는 것이 바람직하다. 1,8-디니트로나프탈렌을 보통 물로 세척하고, 20 내지 105 ℃에서 건조시킨다. 물 및 아세톤을 함유하는 수용액을 정류하여 아세톤을 싸이클에 복귀시킬 수 있다.
95 내지 99.9 중량%, 바람직하게는 98 내지 99 중량%의 질산을 가하여 예비농축시킨 후, 사용된 질산을 니트로화 단계로 복귀시킬 수 있다.
<실시예>
A. 나프탈렌 니트로화
패들 혼합기, 온도계, 원뿔 깔대기가 장착된 250 ㎖ 3-구 둥근 바닥 플라스크에 질산을 넣었다. 미세하게 분쇄된 나프탈렌의 칭량된 부분을 실온에서 교반하며 가하였다. 제1 나프탈렌 부분에 의해 반응 혼합물은 50 ℃로 자체 가열되었다. 또한, 반응기내 온도가 30 내지 40 ℃로 유지되도록, 나프탈렌 투여 속도를 유지하였다. 이를 위해, 플라스크를 냉수로 냉각시켰다. 나프탈렌의 투여를 완료 (15 내지 25 분)한 후, 반응 혼합물을 45 내지 65 ℃에서 2 시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 15 ℃로 냉각시키고, 침전물을 유리 필터에서 여과하였다. 침전물을 냉각된 질산 (65 %)으로, 매회 7 ㎖로 4회 세척하였다. 주의하여 압착한 후, 침전물을 세척수가 중화 반응이 될 때까지 물로 세척하였다. 세척된 침전물을 개방 상태에서 건조시키고, 칭량하였다. 니트로화의 결정 생성물의 조성을 HP-6840에서 GLC (가스 액체 크로마토그래피)로 분석하였다.
실시예 1 내지 9에 사용된 시약의 양 및 농도를 하기 표 1에 나타내었다.
B. 디니트로나프탈렌 이성질체의 분리
실시예 1 내지 9에서 수득된 디니트로나프탈렌의 조 혼합물 각각을 200 ㎖의 아세톤과 함께 혼합기가 장착된 500 ㎖ 플라스크에 넣었다. 현탁액을 50 내지 55 ℃에서 15 분 동안 가열하였다. 이어서, 현탁액을 교반하면서 15 ℃로 냉각시키고, 진공 필터에서 여과시켰다. 그 후, 침전물을 필터에서 20 ㎖의 아세톤으로 3회 세척한 후, 물로 3회 세척하고, 개방 상태로 실온에서 건조시켰다.
건조 생성물을 칭량하고, 기본 물질의 함량을 GLC로 분석하였다. 실시예 1 내지 9의 데이타 및 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112004048978677-pat00001

발명이 예시의 목적으로 상기에 상세히 기재되었을지라도, 상세한 설명은 단 지 예시 목적을 위한 것이며, 청구 범위에 의해 제한될 수 있는 것을 제외하고는, 당업자는 본 발명의 사상 및 범주내에서 변형을 실시할 수 있음을 이해해야 한다.
본 발명은 단일 니트로화제로서 질산을 사용하여 종래 기술보다 저비용의 단순한 1,5-디니트로나프탈렌 제조 방법을 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. 30 내지 80 ℃의 온도에서 황산의 부재하에, 농도가 72 내지 87 중량%인 질산으로 나프탈렌을 니트로화하고,
    니트로화된 나프탈렌을 5 내지 20℃의 온도에서 여과하고, 수득된 고체 침전물을 물로 세척하고,
    아세톤으로 세척하여 세척된 침전물로부터 1,5-디니트로나프탈렌을 단리시키는 것을 포함하는,
    1,5-디니트로나프탈렌의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 니트로화에서 사용된 질산 대 나프탈렌의 몰비가 8:1 이상인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 니트로화 단계에서 사용된 질산을 95 내지 99 중량%의 새로운 질산과 혼합하여 생성된 72 내지 87 중량%의 혼합된 질산을 후속의 니트로화 단계에 사용하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 세척된 침전물 대 아세톤의 중량비가 1:3 내지 1:7의 범위인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 1,8-디니트로나프탈렌을 함유하는 아세톤을 증발시키고, 단리 단계로 복귀시키는 것을 더 포함하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 니트로화 단계가 45 내지 65 ℃의 온도에서 일어나는 방법.
  7. 제1항의 방법에 의해 제조된 1,5-디니트로나프탈렌을 사용하는 것을 포함하는, 1,5-디아미노나프탈렌 또는 나프탈렌디이소시아네이트-1,5의 개선된 제조 방법.
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