KR101145453B1 - Mask blank and photomask - Google Patents

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KR101145453B1 KR1020070031343A KR20070031343A KR101145453B1 KR 101145453 B1 KR101145453 B1 KR 101145453B1 KR 1020070031343 A KR1020070031343 A KR 1020070031343A KR 20070031343 A KR20070031343 A KR 20070031343A KR 101145453 B1 KR101145453 B1 KR 101145453B1
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호야 가부시키가이샤
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Abstract

FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크(10)로서, 투광성 기판(12)과, 기판(12) 상에 형성된, i선부터 g선에 걸친 파장 영역의 광에 대해 투광성의 투광성 막(14)과, 투광성 막(14) 상에 형성된, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 형성된 차광막(16)을 구비하고, 차광막(16)은 웨트 에칭에 의해 패터닝되는 막이며, 투광성 막(14)은 차광막(16)과 에칭 선택성을 갖는 재료의 막이다.A mask blank 10 for manufacturing an FPD device, comprising: a light transmissive substrate 12, a light transmissive film 14 transmissive to light in a wavelength region from i to g lines, formed on the substrate 12, And a light shielding film 16 formed of a metal silicide-based material containing metal and silicon, formed on the light transmissive film 14, the light shielding film 16 is a film patterned by wet etching, and the light transmissive film 14 is a light shielding film. (16) and a film of material having etching selectivity.

FPD 디바이스, 마스크 블랭크, 투광성 기판, 투광성 막, 차광막 FPD device, mask blank, light transmissive substrate, light transmissive film, light shielding film

Description

마스크 블랭크 및 포토마스크{MASK BLANK AND PHOTOMASK}Mask blanks and photomasks {MASK BLANK AND PHOTOMASK}

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 마스크 블랭크(10)의 구성의 제1 예를 도시하는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows the 1st example of the structure of the mask blank 10 which concerns on one Embodiment of this invention.

도 2는 마스크 블랭크(10)의 구성의 제2 예를 도시하는 도면.2 is a diagram illustrating a second example of the configuration of the mask blank 10.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

10 : 마스크 블랭크10: mask blank

12 : 기판12: substrate

14 : 투광성 막14: light transmitting film

16, 20 : 차광막16, 20: light shielding film

18 : 반투광막18: translucent film

[비특허 문헌 1] 월간 FPD Intelligence, p.31-35, 1999년 5월[Non-Patent Document 1] Monthly FPD Intelligence, p.31-35, May 1999

[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 소62-218585호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-open No. 62-218585

[특허 문헌 2] 일본 특허 공고 평3-66656호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-66656

[특허 문헌 3] 일본 특허 공고 평4-35743호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-35743

[특허 문헌 4] 일본 특허 출원 공개 평5-134386호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 5-134386

[특허 문헌 5] 일본 특허 출원 공개 평7-36176호 공보[Patent Document 5] Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 7-36176

본 발명은, 마스크 블랭크 및 포토마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a mask blank and a photomask.

최근, 대형의 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크(FPD용 마스크)의 분야에 있어서, 그레이톤 마스크를 이용하여 마스크 매수를 삭감하는 시도가 이루어지고 있다(비특허 문헌 1). 그레이톤 마스크라는 것은, 투명 기판 상에, 차광부와, 투과부와, 그레이톤부를 갖는 포토마스크이다. 그레이톤부는, 예를 들면 반투광막(하프 투광성 막)을 형성한 반투광성 영역, 또는 그레이톤 패턴을 형성한 반투광성 영역이며, 노광 광의 투과량을 조정하는 기능을 갖는다. 이에 의해, 그레이톤부는 그 영역을 투과하는 광의 투과량을 저감하고 이 영역에 의한 조사량을 저감하여, 이 영역에 대응하는 포토레지스트의 현상 후의 막 감소된 막 두께를 원하는 값으로 제어한다. 또한, 그레이톤 패턴은, 대형 FPD용 노광기의 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴 및 미세 투과부를 갖는 패턴이며, 차광막을 패터닝하여 형성된다.In recent years, in the field of photomasks (masks for FPDs) for manufacturing large sized FPD devices, attempts have been made to reduce the number of masks using a gray tone mask (Non-Patent Document 1). A gray tone mask is a photomask which has a light shielding part, a transmission part, and a gray tone part on a transparent substrate. The gray tone portion is, for example, a semi-transmissive region in which a semi-transmissive film (half translucent film) is formed, or a semi-transmissive region in which a gray-tone pattern is formed, and has a function of adjusting the amount of light transmitted. As a result, the gray tone portion reduces the amount of light transmitted through the area and reduces the amount of irradiation by this area, thereby controlling the film thickness after development of the photoresist corresponding to this area to a desired value. In addition, a gray tone pattern is a pattern which has the fine light-shielding pattern and the micro-transmissive part below the resolution limit of a large sized FPD exposure machine, and is formed by patterning a light shielding film.

그레이톤 마스크를, 미러 프로젝션 방식이나, 렌즈를 사용한 렌즈 프로젝션 방식의 대형 노광 장치에 탑재하여 사용하는 경우, 그레이톤부를 통과한 노광 광은 전체적으로 노광량이 부족해진다. 그로 인해, 그레이톤부를 통해 노광한 포지티브형 포토레지스트는 막 두께가 얇아질 뿐이고 기판 상에 남는다. 즉, 레지스트는 노광량의 차이에 의해, 통상의 차광부에 대응하는 부분과 그레이톤부에 대응하는 부분에서 현상액에 대한 용해성에 차이가 생긴다. 그로 인해, 현상 후의 레지스트 형상은, 예를 들면 통상의 차광부에 대응하는 부분이 약 1 ㎛, 그레이톤부에 대응하는 부분이 약 0.4 내지 0.5 ㎛, 투과부에 대응하는 부분은 레지스트가 없는 부분으로 된다. 그리고, 레지스트가 없는 부분에서 피가공 기판의 제1 에칭을 행하고, 그레이톤부에 대응하는 얇은 부분의 레지스트를 애싱 등에 의해 제거하고, 이 부분에서 제2 에칭을 행함으로써, 1매의 마스크로 종래의 마스크 2매분의 공정을 행하여, 마스크 매수를 삭감한다.When the gray tone mask is mounted and used in a large-scale exposure apparatus of a mirror projection method or a lens projection method using a lens, the exposure light passing through the gray tone part becomes insufficient as a whole. For this reason, the positive photoresist exposed through the gray tone portion only becomes thin and remains on the substrate. That is, the resist has a difference in solubility in the developer in the portion corresponding to the normal light shielding portion and the portion corresponding to the gray tone portion due to the difference in the exposure amount. For this reason, the resist shape after development is, for example, a portion corresponding to a normal light shielding portion of about 1 µm, a portion corresponding to a gray tone portion of about 0.4 to 0.5 µm, and a portion corresponding to the transmission portion is a portion without resist. . Then, the first etching of the substrate to be processed is performed at the portion without the resist, the resist of the thin portion corresponding to the gray tone portion is removed by ashing or the like, and the second etching is performed at this portion, whereby one mask is used. Two masks are performed to reduce the number of masks.

또한, 종래, LSI를 제조하기 위한 포토마스크(LSI용 마스크)의 분야에 있어서, 금속 실리사이드(몰리브덴 실리사이드 등)의 차광막을 이용하는 것이 제안되어 있다(특허 문헌 1). 특허 문헌 1에 있어서, 이 차광막은, 웨트 에칭에 의한 패터닝에 적합한 재료로서 제안되어 있다.Moreover, in the field of the photomask (mask for LSI) for manufacturing LSI conventionally, using the light shielding film of metal silicide (molybdenum silicide etc.) is proposed (patent document 1). In patent document 1, this light shielding film is proposed as a material suitable for patterning by wet etching.

그 후, 드라이 에칭 기술의 향상에 수반하여, LSI용 마스크의 분야에서는, 높은 패턴 치수 정밀도를 실현하기 위해, 드라이 에칭으로의 패터닝이 일반적으로 되었다. 그리고, 드라이 에칭으로의 패터닝이 가능한 차광막 재료로서, 금속 실리사이드의 차광막이 제안되었다(특허 문헌 2). 또한, 금속 실리사이드의 막 상에 산화된 금속 실리사이드의 막을 형성함으로써, 반사 방지 기능을 갖는 차광막으로 하는 구성이 제안되었다(특허 문헌 3). 이와 같이, 최근 LSI용 마스크에서는, 금속 실리사이드의 막은 드라이 에칭 전용의 막으로서 개발이 진행되고 있고, 웨트 에칭에 적합한 금속 실리사이드계 재료로 이루어지는 막의 개발은 특허 문헌 1 이후 진행되고 있지 않다.Then, with the improvement of the dry etching technique, in the field of the mask for LSI, in order to implement | achieve a high pattern dimension precision, patterning by dry etching became common. And as the light shielding film material which can be patterned by dry etching, the light shielding film of metal silicide was proposed (patent document 2). Moreover, the structure which makes it the light shielding film which has an antireflection function by forming the film of the oxidized metal silicide on the film of metal silicide was proposed (patent document 3). As described above, in the LSI mask, the development of the film of the metal silicide as a film exclusively for dry etching has progressed, and the development of a film made of a metal silicide-based material suitable for wet etching has not proceeded since Patent Document 1.

또한, 종래, LSI용 위상 시프트 마스크에 있어서의 위상 시프트량을 정확하 게 설정하기 위해, 기판 표면에 에칭 스토퍼층을 형성한 구성이 제안되어 있다(특허 문헌 4, 특허 문헌 5). 특허 문헌 4에 있어서, 위상 시프터용 막은, 산화 실리콘을 주성분으로 하는 막이다. 에칭 스토퍼층은, Al2O3을 필수의 구성 요소로 하고, 이것에 MgO, ZrO, Ta2O3, 또는 HfO를 혼합한 재료로 이루어지는 막이다. 특허 문헌 5에 있어서, 위상 시프터용 막은 도포 글래스의 막이다. 에칭 스토퍼층은, 산화 하프늄을 주체로 하는 막이다.Moreover, the structure which provided the etching stopper layer in the surface of the board | substrate is proposed conventionally in order to set the phase shift amount in the LSI phase shift mask correctly (patent document 4, patent document 5). In Patent Document 4, the phase shifter film is a film containing silicon oxide as a main component. An etching stopper layer is a film of Al 2 O 3 as essential components, and made of a material mixed with MgO, ZrO, Ta 2 O 3, or HfO thereto. In Patent Document 5, the film for phase shifter is a film of coated glass. The etching stopper layer is a film mainly composed of hafnium oxide.

LSI용 마스크는, 마이크로프로세서, 반도체 메모리, 시스템 LSI 등의 반도체 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크로서, 최대 6×6인치 정도로 상대적으로 소형이다. 그로 인해, 스테퍼(숏-스테퍼 노광) 방식에 의한 축소 투영 노광 장치에 탑재되어 사용되는 것이 많다. 또한, LSI용 마스크에서는, 렌즈계에 의한 색 수차 배제 및 그에 의한 해상성 향상의 관점에서, 단색의 노광 광이 사용된다. 최근, LSI용 마스크에서는, 노광 파장으로 결정되는 해상 한계를 타파하기 위해, 노광 파장의 단파장화가 도모되고 있다. 이 단색의 노광 파장의 단파장화는, 초고압 수은등의 g선(436 nm), i선(365 nm), KrF 엑시머 레이저(248 nm), ArF 엑시머 레이저(193 nm)로 진행되어 오고 있다. 또한, LSI용 마스크를 제조하기 위한 소형 마스크 블랭크에 있어서는, 높은 패턴 치수 정밀도가 필요하므로, 드라이 에칭에 의해 박막의 패터닝이 실시된다.LSI masks are photomasks for manufacturing semiconductor devices such as microprocessors, semiconductor memories, system LSIs, etc., and are relatively small, up to about 6 by 6 inches. Therefore, it is often mounted and used in the reduction projection exposure apparatus by a stepper (short-stepper exposure) system. In the mask for LSI, monochromatic exposure light is used from the viewpoint of eliminating chromatic aberration by the lens system and thereby improving resolution. In recent years, in the LSI mask, shortening of the exposure wavelength has been achieved in order to overcome the resolution limit determined by the exposure wavelength. The short wavelength of this monochromatic exposure wavelength has been advanced by g line (436 nm), i line (365 nm), KrF excimer laser (248 nm), and ArF excimer laser (193 nm) of an ultrahigh pressure mercury lamp. Moreover, in the small mask blank for manufacturing the mask for LSI, since high pattern dimension precision is needed, patterning of a thin film is performed by dry etching.

이에 대해, FPD(플랫 패널 디스플레이)용 대형 마스크는, 예를 들면 330 mm × 450 mm 내지 1220 mm × 1400 mm로 상대적으로 대형이다. 그로 인해, 미러 프 로젝션(스캐닝 노광 방식에 의한, 등배 투영 노광) 방식이나 렌즈를 사용한 렌즈 프로젝션 방식의 노광 장치에 탑재되어 사용되는 것이 많다. 이들 노광 장치에 있어서는, 코스트면 및 스루풋을 중시하여, 초고압 수은등의 i～g선의 넓은 대역을 이용한 다색파 노광이 행해진다. 또한, FPD용 대형 마스크를 제조하기 위한 대형 마스크 블랭크에 있어서는, LSI용 마스크와 동일 정도의 매우 높은 패턴 치수 정밀도를 중시하는 것보다도, 오히려 코스트면 및 스루풋을 중시하여, 에칭액(에천트)을 이용한 웨트 에칭에 의해 박막의 패터닝이 실시된다.In contrast, a large-sized mask for FPD (flat panel display) is relatively large, for example, from 330 mm x 450 mm to 1220 mm x 1400 mm. Therefore, it is often mounted and used in the mirror projection (equivalent projection exposure by a scanning exposure system) system, or the exposure apparatus of the lens projection system using a lens. In these exposure apparatuses, polychromatic wave exposure using the wide band of i-g line | wires, such as an ultra-high pressure mercury lamp, is made focusing on cost surface and throughput. In addition, in the large-sized mask blank for manufacturing the large-sized mask for FPD, rather than focusing on the very high pattern dimensional accuracy of the same degree as the mask for LSI, the cost surface and throughput are emphasized, and the etching liquid (etchant) is used. The thin film is patterned by wet etching.

여기서, 본원 발명자는 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크(FPD용 마스크 블랭크)의 반투광막이나 차광막으로서, 금속 실리사이드계 재료로 형성된 금속 실리사이드계 막을 이용하는 것을 검토하였다. 금속 실리사이드계 막은, 기판에 대한 밀착성이 좋고, 내약품성이 높다. 또한, 반투광막이나 차광막으로서 다색파 노광의 대역의 노광 광에 대해 양호한 광학 특성을 갖고 있다. 그러나, FPD용 마스크 블랭크에 이용한 경우에는, 이하의 문제점 (1), (2)가 있는 것이 판명되었다.Here, the inventors of the present invention have considered using a metal silicide-based film formed of a metal silicide-based material as a semi-transmissive film or light-shielding film of a mask blank (mask blank for FPD) for manufacturing an FPD device. The metal silicide-based film has good adhesion to a substrate and high chemical resistance. Moreover, it has favorable optical characteristic with respect to the exposure light of the band of polychromatic wave exposure as a semi-transmissive film and a light shielding film. However, when used for the mask blank for FPD, it turned out that there exist the following problems (1) and (2).

(1) 금속 실리사이드계 막을 에칭하기 위한 에칭액에 의해 기판이 데미지를 받을 우려가 있다.(1) The substrate may be damaged by the etching liquid for etching the metal silicide-based film.

금속 실리사이드계 막용의 에칭액으로서는, 예를 들면 불화 수소 암모늄 등의 수용액이 이용된다. 이 경우, 예를 들면 기판이 글래스 기판이면, 기판 표면에 데미지가 발생하여, 표면 거칠기가 거칠어지거나, 투과율이 저하하는 문제가 있다. 이러한 문제는 금후의 FPD용 대형 마스크 블랭크 및 마스크의 고품질화의 장해로 되는 것을 알 수 있었다.As etching liquid for metal silicide type | system | group films, aqueous solutions, such as ammonium hydrogen fluoride, are used, for example. In this case, for example, when the substrate is a glass substrate, damage occurs on the surface of the substrate, resulting in a roughness of the surface or a decrease in transmittance. This problem was found to be an obstacle in the future of the large-sized mask blanks for FPDs and high quality masks.

또한, 기판이 소다 라임 글래스 등의 기판인 경우, 이 문제에 더하여 기판 표면에 백탁이 발생하여 투과율이 더욱 저하하는 문제가 있는 것을 알 수 있었다. 이들 이유는, 금속 실리사이드계 막용의 에칭액(불화 수소 암모늄 등)은, 글래스 기판에 대해 에칭 작용을 갖고 있고, 비교적 긴 시간, 에칭액이 글래스 기판 표면에 접촉하면, 이들 문제가 현재화되기 때문이라고 생각된다. 또한, Cr계 재료를 패터닝할 때에 에칭액으로서 사용되는 질산 제2 세륨 암모늄과 과염소산의 수용액은, 글래스 기판에 대해 에칭 작용을 갖고 있지 않다. 그로 인해, 이러한 문제는 발생되지 않는다.In addition, in the case where the substrate is a substrate such as soda lime glass, it has been found that in addition to this problem, there is a problem in that turbidity occurs on the surface of the substrate and the transmittance is further lowered. These reasons are because the etching liquid (ammonium hydrogen fluoride etc.) for metal silicide type | system | groups has an etching effect with respect to a glass substrate, and these problems are present when a etching liquid contacts the glass substrate surface for a comparatively long time. do. In addition, the aqueous solution of dicerium ammonium nitrate and perchloric acid used as an etching liquid at the time of patterning Cr type material does not have an etching effect with respect to a glass substrate. Therefore, this problem does not arise.

(2) 충분한 패턴 치수 정밀도가 얻어지지 않을 우려가 있다.(2) There exists a possibility that sufficient pattern dimension precision may not be obtained.

상술한 바와 같이, 최근 LSI 마스크의 분야에 있어서, 금속 실리사이드계 막과 마찬가지의 구성의 막은, 드라이 에칭 전용의 막으로서 개발이 진행되고 있다. 그로 인해, 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭으로 패터닝하는 것에 대해서는 충분한 연구가 진행되고 있지 않다. 따라서, 예를 들면 특허 문헌 2, 3에 개시되어 있는 막을 그대로 FPD용 마스크 블랭크에 이용하였다고 해도, 웨트 에칭에 의해 충분한 패턴 치수 정밀도로 패터닝하는 것은 곤란하다.As mentioned above, in the field of the LSI mask, the film | membrane of the structure similar to a metal silicide type | system | group film | membrane is currently developing as a film dedicated to dry etching. Therefore, there is not enough research on the patterning of the metal silicide-based film by wet etching. Therefore, even if the film disclosed by patent document 2, 3 was used for the mask blank for FPD as it is, it is difficult to pattern with sufficient pattern dimension precision by wet etching.

예를 들어, 특허 문헌 2, 3에 개시되어 있는 막을 그대로 FPD용 마스크 블랭크의 반투광막이나 차광막으로서 사용하고, 불화 수소 암모늄 등의 수용액에 의한 웨트 에칭을 적용한 경우, 단면 형상이 나빠지는 것이 판명되었다. 또한, 그 결 과, 패턴 치수 정밀도는, 예를 들면 크롬계 재료의 막을 패터닝한 경우와 비교하여 저하하게 된다. 그로 인해, 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭으로 패터닝한 경우에는, 충분한 패턴 치수 정밀도가 얻어지지 않을 우려가 있다. 이러한 패턴의 단면 형상의 악화나, 패턴 치수 정밀도의 악화는 패턴 선폭 균일성(CD 정밀도)의 저하로 이어지고, 대형 마스크를 사용하여 FPD 디바이스(액정 표시 장치 등)를 제작하였을 때에, 표시 불균일이 발생하는 원인으로 된다. 그로 인해, 이러한 문제는 금후의 FPD용 대형 마스크 블랭크 및 마스크의 고품질화의 장해로 될 우려가 있다.For example, when the film disclosed in patent documents 2 and 3 is used as a semi-transmissive film or a light shielding film of a mask blank for FPD as it is, and wet etching with an aqueous solution such as ammonium hydrogen fluoride is applied, it is found that the cross-sectional shape becomes worse. It became. As a result, the pattern dimensional accuracy decreases, for example, as compared with the case where the film of the chromium-based material is patterned. Therefore, when patterning a metal silicide type film by wet etching, there exists a possibility that sufficient pattern dimension precision may not be obtained. The deterioration of the cross-sectional shape of the pattern and the deterioration of the pattern dimension accuracy lead to the deterioration of the pattern line width uniformity (CD accuracy), and the display unevenness occurs when the FPD device (liquid crystal display device, etc.) is manufactured using a large mask. It causes. Therefore, there exists a possibility that such a problem may become the obstacle of the high quality of a large mask blank for FPD and a mask in future.

그래서, 본 발명은 상기한 과제를 해결할 수 있는 마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, an object of this invention is to provide the mask blank and the photomask which can solve the said subject.

상기 목적하에, 본원 발명자는 예의 연구를 행하여, 본원 발명에 이르렀다. 본원 발명은, 이하의 구성을 갖는다.For this purpose, the inventors of the present invention have conducted intensive studies to reach the present invention. This invention has the following structures.

(구성 1)(Configuration 1)

FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크로서, 투광성 기판과, 기판 상에 형성된 i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 투광성의 투광성 막과, 투광성 막 상에 형성된 반투광막 또는 차광막으로서, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 형성된 금속 실리사이드계 막을 포함하고, 금속 실리사이드계 막은, 웨트 에칭에 의해 패터닝되는 막이며, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막과 에칭 선택성을 갖는 재료의 막이다. 금속 실리사이드계 재료라는 것은, 예를 들면 금속 실리사이드, 또는 금속 실리사이드에 첨가 원소를 첨가한 재료이다.A mask blank for manufacturing an FPD device, comprising: a light-transmissive film, a light-transmissive film for light in a wavelength region formed from the i-line to g-ray formed on the substrate, and a semi-transmissive film or light-shielding film formed on the light-transmissive film, the metal And a metal silicide-based film formed of a metal silicide-based material containing silicon and silicon, wherein the metal silicide-based film is a film patterned by wet etching, and the light transmissive film is a film of a material having a metal silicide-based film and etching selectivity. A metal silicide type material is a material which added an additional element to metal silicide or metal silicide, for example.

이와 같이 구성하면, 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭하기 위한 에칭액으로부터 기판을 보호할 수 있다. 그로 인해, 에칭액에 의해 기판이 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이에 의해 상기 (1)의 과제를 해결할 수 있다.If comprised in this way, a board | substrate can be protected from the etching liquid for wet-etching a metal silicide system film. Therefore, it is possible to prevent the substrate from being damaged by the etching solution. Moreover, the problem of said (1) can be solved by this.

또한, 이와 같은 투광성 막을 형성함으로써, 예를 들면 기판에 영향을 미치는 일 없이, 금속 실리사이드계 막의 오버 에칭을 적절하게 행할 수 있다. 이에 의해, 금속 실리사이드계 막의 단면 형상에 있어서의 끝자락을 적게 할 수 있으므로, 단면 형상이 서서, 양호하게 된다. 그로 인해, 이와 같이 구성하면, 금속 실리사이드계 막의 웨트 에칭에 있어서의 패턴 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 이에 의해, 상기 (2)의 과제를 해결할 수 있다. 또한, 이 마스크 블랭크로부터 작성되는 포토마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작한 경우에, 표시 불균일의 발생을 억제할 수 있다.In addition, by forming such a light-transmissive film, for example, overetching of the metal silicide-based film can be appropriately performed without affecting the substrate. Thereby, since the edge in the cross-sectional shape of a metal silicide system film | membrane can be reduced, a cross-sectional shape stands out and becomes favorable. Therefore, if comprised in this way, the pattern dimension precision in the wet etching of a metal silicide system film can be improved. Moreover, the problem of said (2) can be solved by this. Moreover, when a FPD device is manufactured using the photomask created from this mask blank, generation | occurrence | production of a display nonuniformity can be suppressed.

여기서, 투광성 막은, 예를 들면 에칭 스토퍼층으로서의 기능을 갖는 막이다. 이 경우, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막과 에칭 선택성을 갖는 재료로서, 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭하기 위한 에칭액에 대해 실질적으로 에칭되지 않는 재료로 형성된다. 또한, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막의 웨트 에칭시에 일부가 에칭되는 희생층이어도 된다. 이 경우, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막의 오버 에칭을 행한 경우에도 완전히 제거되지 않는 막 두께를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 투광성 막은, 금속 실리사이드계 막보다도 에칭율이 느린 재료로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the light transmissive film is a film having a function as an etching stopper layer, for example. In this case, the light transmissive film is a material having etching selectivity with the metal silicide film, and is formed of a material that is not substantially etched with respect to the etching liquid for wet etching the metal silicide film. The light transmissive film may be a sacrificial layer which is partially etched during wet etching of the metal silicide based film. In this case, it is preferable that the light transmissive film has a film thickness which is not completely removed even when the metal silicide-based film is overetched. The light transmissive film is preferably formed of a material having a lower etching rate than the metal silicide film.

이 마스크 블랭크는, 예를 들면 그레이톤 마스크용 마스크 블랭크이다. 이 그레이톤 마스크는, 차광막으로 그레이톤부를 형성하는 타입의 그레이톤 마스크이어도 되고, 반투광막으로 그레이톤부를 형성하는 타입의 그레이톤 마스크이어도 된다.This mask blank is a mask blank for gray tone masks, for example. This gray tone mask may be a gray tone mask of the type which forms a gray tone part with a light shielding film, and may be a gray tone mask of the type which forms a gray tone part with a semi-transmissive film.

(구성 2)(Composition 2)

투광성 막은, 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 불화 리튬 중으로부터 선택되는 1개 또는 2개 이상을 포함하는 재료로 형성된다. 이들 재료는, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 투광성이 높고, 또한 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭하기 위한 에칭액에 대해 실질적으로 에칭되지 않는다. 그로 인해, 이와 같이 구성하면, 투광성 막을 적절하게 형성할 수 있다. 또한, 투광성 막의 재료로서 Al2O3을 이용하는 경우, 투광성 막의 가열에 의해 알루미늄을 충분히 산화시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 투광성 막의 에칭 내성을 높일 수 있다.The light-transmitting film is formed of a material containing one or two or more selected from calcium fluoride, magnesium fluoride, tin oxide, indium oxide, indium oxide-tin, tin oxide-antimony, aluminum oxide, hafnium oxide, and lithium fluoride. . These materials are highly transmissive to the light in the wavelength range from i to g, and are not substantially etched with respect to the etching liquid for wet etching the metal silicide-based film. Therefore, if comprised in this way, a translucent film can be formed suitably. In addition, in the case of using Al 2 O 3 film as a light transmitting material, it is desirable to fully oxidize the aluminum by heating the transparent film. Thereby, the etching tolerance of a light transmissive film can be improved.

(구성 3)(Composition 3)

금속 실리사이드계 막은, 몰리브덴과 규소를 포함하는 몰리브덴 실리사이드계 재료로 형성된다. 이와 같이 구성하면, 포토마스크 제조시의 내약품성(내산성)이 높아, 성막시의 결함 발생이 적으므로 바람직하다.The metal silicide based film is formed of a molybdenum silicide based material containing molybdenum and silicon. Such a configuration is preferable because the chemical resistance (acid resistance) at the time of photomask manufacture is high and there is little defect generation at the time of film formation.

(구성 4)(Composition 4)

투광성 막은, 질화 금속막이다. 이와 같이 구성하면, 기판과의 부착성도 좋아, 투광성 막을 적절하게 형성할 수 있다.The light transmissive film is a metal nitride film. If comprised in this way, adhesiveness with a board | substrate is also good and a translucent film can be formed suitably.

(구성 5)(Composition 5)

투광성 막은, 질소 및 탄소 중 적어도 한쪽을 첨가 원소로서 첨가한 금속 실리사이드로 형성된다. 이와 같이, 반투광막이나 차광막과 동일한 금속 실리사이드계 재료로 형성하면, 성막하기 쉽고, 반투광막이나 차광막과의 부착성도 좋아지므로 바람직하다. 또한, 이와 같이 구성한 경우, 반투광막 또는 차광막 뿐만 아니라, 투광성 막도 실리사이드계 재료로 형성되게 된다. 이 경우, 투광성 막을, 반투광막 또는 차광막보다 에칭 속도가 느린 실리사이드계 재료로 형성하는 것이 바람직하다.The light transmissive film is formed of a metal silicide in which at least one of nitrogen and carbon is added as an additional element. Thus, when formed with the same metal silicide type material as a transflective film or a light shielding film, since it is easy to form into a film and adhesiveness with a translucent film or a light shielding film becomes favorable, it is preferable. In this configuration, not only the translucent film or the light shielding film, but also the translucent film is formed of a silicide-based material. In this case, it is preferable to form the translucent film from a silicide-based material having a slower etching rate than the translucent film or the light shielding film.

(구성 6)(Composition 6)

투광성 막은, 크롬막 또는 산화 크롬막이다. 이와 같이 구성하면, 투광성 막을 적절하게 형성할 수 있다. 또한, 크롬막(Cr 막)이나 산화 크롬막(CrO 막)은, 후막화하면, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 차광성 막으로 된다. 그로 인해, 필요한 투과율이 얻어지도록, 투광성 막을 충분히 박막화할 필요가 있다.The light transmissive film is a chromium film or a chromium oxide film. If comprised in this way, a light transmissive film can be formed suitably. In addition, when the chromium film (Cr film) or the chromium oxide film (CrO film) is thickened, it becomes a light-shielding film with respect to light in the wavelength range from i to g line. Therefore, it is necessary to fully thin the translucent film so that the required transmittance can be obtained.

(구성 7)(Composition 7)

투광성 막은, 다이아몬드 형상의 탄소막이다. 이와 같이 구성하면, 투광성 막을 적절하게 형성할 수 있다. 또한, 이와 같이 구성한 경우, 투광성 막의 열 전도성을 높일 수 있다. FPD용 마스크 등의 대형의 포토마스크에 있어서는, 노광시에 발생하는 열에 의해 기판에 발생하는 온도 분포의 불균일의 영향이 크다. 그러나, 이와 같이 구성하면, 이 마스크 블랭크로 제작되는 포토마스크에 있어서, 기판 면 내에서의 온도 분포를 균일화할 수 있다. 또한, 이에 의해 패턴 전사의 정밀도를 높일 수 있다. 나아가서는, 이에 의해, 이 포토마스크를 이용하여 제작되는 FPD 디바이스의 표시 불균일을 억제할 수 있다.The light transmissive film is a diamond-shaped carbon film. If comprised in this way, a light transmissive film can be formed suitably. Moreover, when comprised in this way, the thermal conductivity of a translucent film can be improved. In large photomasks, such as an FPD mask, the influence of the nonuniformity of the temperature distribution generate | occur | produced in a board | substrate by the heat generate | occur | produced at the time of exposure is large. However, if comprised in this way, in the photomask manufactured with this mask blank, the temperature distribution in the inside of a board | substrate can be made uniform. In addition, the accuracy of pattern transfer can be improved. Furthermore, the display nonuniformity of the FPD device manufactured using this photomask can be suppressed by this.

(구성 8)(Composition 8)

구성 1 내지 7 중 어느 하나에 기재된 마스크 블랭크를 이용하여, 금속 실리사이드계 막을, 웨트 에칭에 의해 패터닝하여 제조된 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토 마스크. 이와 같이 구성하면, 구성 1 내지 7과 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.A photomask for producing an FPD device, which is produced by patterning a metal silicide-based film by wet etching using the mask blank according to any one of Configurations 1 to 7. If comprised in this way, the effect similar to the structure 1-7 can be acquired.

또한, 상기한 각 구성에 있어서, FPD용 마스크 블랭크 및 마스크로서는, LCD(액정 디스플레이), 플라즈마 디스플레이, 유기 EL(일렉트로 루미네센스) 디스플레이 등의 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크를 예로 들 수 있다.In each of the above configurations, examples of mask blanks and masks for FPD include mask blanks and masks for manufacturing FPD devices such as LCD (liquid crystal display), plasma display, and organic EL (electroluminescence) display. Can be.

LCD용 마스크에는, LCD의 제조에 필요한 모든 마스크가 포함되고, 예를 들면 TFT(박막 트랜지스터), 특히 TFT 채널부나 콘택트홀부, 저온 폴리실리콘 TFT, 컬러 필터, 반사판(블랙 매트릭스) 등을 형성하기 위한 마스크가 포함된다. 다른 표시 디바이스 제조용 마스크에는, 유기 EL(일렉트로 루미네센스) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 제조에 필요한 모든 마스크가 포함된다.The mask for LCD includes all the masks necessary for the manufacture of the LCD, for example, for forming a TFT (thin film transistor), especially a TFT channel portion or a contact hole portion, a low temperature polysilicon TFT, a color filter, a reflector (black matrix), and the like. A mask is included. Other masks for manufacturing display devices include all masks necessary for manufacturing organic EL (electroluminescence) displays, plasma displays and the like.

본 발명에 따르면, 상술한 과제 (1), (2)의 쌍방의 개선을 도모한 마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공할 수 있다.According to this invention, the mask blank and the photomask which aimed at the improvement of both the above-mentioned subjects (1) and (2) can be provided.

<실시예><Examples>

이하, 본 발명에 관한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment which concerns on this invention is described, referring drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 마스크 블랭크(10)의 구성의 제1 예를 도시한다. 마스크 블랭크(10)는, FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크이다. 또한, 마스크 블랭크(10)는, 예를 들면 1변이 330 mm 이상(예를 들면 330 mm × 450 mm ～ 1220 mm × 1400 mm)인 대형의 마스크 블랭크이다.1 shows a first example of the configuration of a mask blank 10 according to one embodiment of the present invention. The mask blank 10 is a mask blank for manufacturing the FPD device. In addition, the mask blank 10 is a large mask blank whose one side is 330 mm or more (for example, 330 mm x 450 mm-1220 mm x 1400 mm).

마스크 블랭크(10)로 제조되는 FPD용 포토마스크는, 차광막으로 그레이톤부를 형성하는 타입의 그레이톤 마스크이며, 예를 들면 미러 프로젝션(스캐닝 노광 방식에 의한, 등배 투영 노광) 방식이나 렌즈를 사용한 렌즈 프로젝션 방식의 노광 장치에 탑재되어 사용된다. 이 포토마스크는, 예를 들면 i선부터 g선에 걸치는 파장 대역의 광을 이용한 다색파 노광용 포토마스크로서, 예를 들면 1 ㎛ 이하의 그레이톤 패턴을 갖는다.The photomask for FPD manufactured by the mask blank 10 is a gray tone mask of the type which forms a gray tone part with a light shielding film, For example, the lens using the mirror projection (equal-time projection exposure by a scanning exposure system) system, or a lens It is mounted on a projection exposure apparatus and used. The photomask is, for example, a photomask for multicolor wave exposure using light in a wavelength band from i to g, and has a gray tone pattern of 1 µm or less, for example.

본 예에 있어서, 마스크 블랭크(10)는 기판(12), 투광성 막(14), 및 차광막(16)을 구비한다. 마스크 블랭크(10)는 차광막(16) 상에 레지스트 막을 더 구비하여도 된다. 또한, 차광막(16) 상에, 반사 방지막을 더 구비하여도 된다. 반사 방지막으로서는, 예를 들면 산화된 금속 실리사이드의 막을 이용할 수 있다. 기판(12)으로서는, 예를 들면 합성 석영, 소다 라임 글래스, 무알칼리 글래스 등의 기판을 이용할 수 있다. 다색파 노광의 노광 광이나 내약품성의 관점 등에서, 합성 석영의 기판이 특히 바람직하다.In this example, the mask blank 10 includes a substrate 12, a light transmissive film 14, and a light shielding film 16. The mask blank 10 may further include a resist film on the light shielding film 16. In addition, an anti-reflection film may be further provided on the light shielding film 16. As the antireflection film, for example, a film of oxidized metal silicide can be used. As the board | substrate 12, board | substrates, such as synthetic quartz, soda lime glass, and an alkali free glass, can be used, for example. From the viewpoint of exposure light and chemical resistance of multi-color wave exposure, a substrate of synthetic quartz is particularly preferable.

투광성 막(14)은, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 투광성인 막이다. 투광성 막(14)의 투과율은, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해, 예를 들면 80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 90 ％ 이상이다. 투광성 막(14)의 투과율은, 기판(12)의 투과율보다도 높은 것이 바람직하다. 투과율이 낮은 재료로 투광성 막(14)을 형성하는 경우, 이 투과율을 충족시키는 막 두께로 투광성 막(14)을 형성하는 것이 바람직하다.The light transmissive film 14 is a film which is light transmissive to light in the wavelength region from i to g line. The transmittance of the light-transmitting film 14 is, for example, 80% or more, and more preferably 90% or more, with respect to light in a wavelength range from i to g line. The transmittance of the light transmissive film 14 is preferably higher than the transmittance of the substrate 12. When the light transmissive film 14 is formed of a material having a low transmittance, it is preferable to form the light transmissive film 14 with a film thickness that satisfies this transmittance.

투광성 막(14)은, 예를 들면 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 불화 리튬 중으로부터 선택되는 1개 또는 2개 이상을 포함하는 재료로, 기판(12) 상에 형성된다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 20～500 옹스트롬, 보다 바람직하게는 50～350 옹스트롬이다. 바람직한 재료는, 산화 주석, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 하프늄이다. 이들 재료는, 포토마스크 제조시에 사용되는 약품에 대해 내약품성이 양호하다.The light-transmitting film 14 is one or two or more selected from, for example, calcium fluoride, magnesium fluoride, tin oxide, indium oxide, indium oxide-tin, tin oxide-antimony, aluminum oxide, hafnium oxide, and lithium fluoride. It is formed of a material containing, on the substrate 12. In this case, the film thickness of the light transmissive film 14 is 20-500 angstroms, More preferably, it is 50-350 angstroms. Preferred materials are tin oxide, indium tin oxide, tin oxide antimony and hafnium oxide. These materials are excellent in chemical resistance with respect to the chemical | medical agent used at the time of photomask manufacture.

투광성 막(14)은, 질화 금속막이어도 된다. 질화 금속막으로서는, 예를 들면 SiN막, TaN막, CrN막 등을 이용할 수 있다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 SiN막의 경우, 20～200 옹스트롬, TaN막이나 CrN막의 경우, 20～50 옹스트롬이다. 또한, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대해 높은 투광성이 얻어지는 점에서, SiN막이 특히 바람직하다.The light transmissive film 14 may be a metal nitride film. As the metal nitride film, for example, a SiN film, a TaN film, a CrN film, or the like can be used. In this case, the film thickness of the light transmissive film 14 is, for example, 20 to 200 angstroms for a SiN film, and 20 to 50 angstroms for a TaN film or a CrN film. Moreover, a SiN film is especially preferable at the point from which high light transmittance is acquired with respect to the light of the wavelength range from i line | wire to g line | wire.

투광성 막(14)은, 질소 및 탄소 중 적어도 한쪽을 첨가 원소로서 첨가한 금속 실리사이드로 형성되어도 된다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 20～100 옹스트롬, 보다 바람직하게는 20～50 옹스트롬이다. 이 투광성 막(14)으로서는, 예를 들면 MoSiN막, MoSiC막, MoSiON막, MoSiCO막, 또는 MoSiCON막 등을 이용할 수 있다. 또한, 상기 각 막에 있어서의 몰리브덴(Mo)을 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 또는 텅스텐(W) 등으로 치환한 막을 이용하는 것도 고려된다.The light transmissive film 14 may be formed of a metal silicide in which at least one of nitrogen and carbon is added as an additional element. In this case, the film thickness of the light transmissive film 14 is 20-100 angstroms, More preferably, it is 20-50 angstroms. As the light-transmitting film 14, for example, a MoSiN film, a MoSiC film, a MoSiON film, a MoSiCO film, or a MoSiCON film can be used. In addition, it is also possible to use a film obtained by replacing molybdenum (Mo) with tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W), or the like in the respective films.

투광성 막(14)은, 박막화한 크롬막(Cr 막) 또는 산화 크롬막(CrO 막)이어도 된다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 크롬막의 경우, 20～50 옹스트롬, 산화 크롬막인 경우, 20～100 옹스트롬이다.The light transmissive film 14 may be a thinned chromium film (Cr film) or a chromium oxide film (CrO film). In this case, the film thickness of the light transmissive film 14 is, for example, 20 to 50 angstroms for the chromium film and 20 to 100 angstroms for the chromium oxide film.

투광성 막(14)은, 다이아몬드 형상의 탄소막이어도 된다. 이 경우, 투광성 막(14)의 막 두께는, 예를 들면 20～50 옹스트롬이다. 또한, 투광성 막(14)은, 예를 들면 CVD법으로 형성된다. 투광성 막(14)은, 스퍼터링법으로 형성되어도 된다.The translucent film 14 may be a diamond-shaped carbon film. In this case, the film thickness of the light transmissive film 14 is 20-50 angstroms, for example. In addition, the light transmissive film 14 is formed by CVD method, for example. The light transmissive film 14 may be formed by sputtering.

차광막(16)은, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 형성된 금속 실리사이드계 막으로서, 투광성 막(14) 상에 형성된다. 차광막(16)은, 광학 농도가 3 이상으로 되는 막 두께로 형성된다. 차광막(16)의 두께는, 예를 들면 850～1800 옹스트롬이다.The light shielding film 16 is a metal silicide-based film formed of a metal silicide-based material containing metal and silicon, and is formed on the light-transmitting film 14. The light shielding film 16 is formed in the film thickness which optical density becomes three or more. The thickness of the light shielding film 16 is 850-1800 angstroms, for example.

금속 실리사이드계 막인 차광막(16)으로서는, 예를 들면 몰리브덴 실리사이드(MoSi), 탄탈 실리사이드(TaSi), 티탄 실리사이드(TiSi), 텅스텐 실리사이드(WSi)나, 이들의 산화물(MoSiO 등), 질화물(MoSiN 등), 또는 산질화물(MoSiON 등)의 막 등을 이용할 수 있다. 또한, 이들 막의 적층막을 이용하여도 된다. 또한, 금속과 규소의 비율은, 적절하게 변경 가능하다. 예를 들어, 몰리브덴 실리사이드계의 금속 실리사이드계 막으로서는, MoSi막[Mo : Si = 50 : 50(원자 ％비)], MoSi2막[Mo : Si = 33 : 67(원자 ％비)], MoSi4막[Mo : Si = 20 : 80(원자 ％비)] 등을 이용할 수 있다.As the light shielding film 16 which is a metal silicide type film, for example, molybdenum silicide (MoSi), tantalum silicide (TaSi), titanium silicide (TiSi), tungsten silicide (WSi), oxides thereof (MoSiO, etc.), nitride (MoSiN, etc.) ), Or a film of oxynitride (MoSiON or the like) can be used. In addition, a laminated film of these films may be used. In addition, the ratio of metal and silicon can be changed suitably. For example, as a metal silicide film of molybdenum silicide system, a MoSi film [Mo: Si = 50: 50 (atomic% ratio)], a MoSi 2 film [Mo: Si = 33: 67 (atomic% ratio)], MoSi 4 films [Mo: Si = 20: 80 (atomic% ratio)] etc. can be used.

또한, 차광막(16)은 웨트 에칭에 의해 패터닝되는 막이다. 차광막(16)의 적어도 일부는, 그레이톤 마스크에 있어서의 그레이톤부로 될 부분이며, 대형 FPD용 노광기의 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴 및 미세 투과부를 갖는 그레이톤 패턴으로 패터닝된다. 차광막(16)의 웨트 에칭에 이용하는 에칭액으로서는, 예를 들면 불화 수소 암모늄, 불화 암모늄, 규불화 수소산, 불화 붕소산, 불화 수소산 등의 불소 화합물과, 과산화수소, 질산, 황산 등의 산화제를 혼합한 수용액 등을 이용할 수 있다.In addition, the light shielding film 16 is a film patterned by wet etching. At least a part of the light shielding film 16 is a portion to be a gray tone portion in the gray tone mask, and is patterned into a gray tone pattern having a fine light shielding pattern and a fine transmission portion below the resolution limit of the large-scale FPD exposure machine. As an etchant used for wet etching of the light shielding film 16, the aqueous solution which mixed fluorine compounds, such as ammonium hydrogen fluoride, ammonium fluoride, hydrofluoric acid, a boric fluoride acid, hydrofluoric acid, and oxidizing agents, such as hydrogen peroxide, nitric acid, sulfuric acid, for example Etc. can be used.

여기서, 본 예에 있어서, 투광성 막(14)은 차광막(16)의 웨트 에칭용의 에칭액에 대해 내성을 갖고 있다. 그로 인해, 투광성 막(14)은, 차광막(16)의 웨트 에칭에 의해 제거되지 않고 기판(12) 상에 남는다. 이에 의해, 차광막(16)의 웨트 에칭용의 에칭액으로부터 기판(12)을 적절하게 보호할 수 있다. 또한, 이 에칭액에 의해 기판(12)이 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.Here, in this example, the light transmissive film 14 is resistant to the etching liquid for wet etching of the light shielding film 16. Therefore, the light transmissive film 14 remains on the substrate 12 without being removed by the wet etching of the light shielding film 16. Thereby, the board | substrate 12 can be suitably protected from the etching liquid for wet etching of the light shielding film 16. FIG. In addition, it is possible to prevent the substrate 12 from being damaged by this etching solution.

나아가서는, 투광성 막(14)을 형성함으로써, 기판(12)에 영향을 미치는 일 없이, 차광막(16)의 오버 에칭을 적절하게 행할 수 있다. 그로 인해, 본 예에 따르면, 차광막(16)의 웨트 에칭에 있어서의 패턴 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 이에 의해, 마스크 블랭크(10)로부터 작성되는 포토마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작한 경우에, 표시 불균일의 발생을 억제할 수 있다.Furthermore, by forming the light transmissive film 14, the over-etching of the light shielding film 16 can be appropriately performed without affecting the substrate 12. Therefore, according to this example, the pattern dimension precision in the wet etching of the light shielding film 16 can be improved. In addition, when a FPD device is manufactured using the photomask created from the mask blank 10, generation | occurrence | production of a display nonuniformity can be suppressed.

도 2는, 마스크 블랭크(10)의 구성의 제2 예를 도시한다. 본 예에 있어서, 마스크 블랭크(10)로 제조되는 FPD용 포토마스크는, 반투광막으로 그레이톤부를 형 성하는 타입의 그레이톤 마스크이다. 마스크 블랭크(10)는, 아래 놓기 타입(선장착 타입)의 마스크 블랭크로서, 기판(12), 투광성 막(14), 반투광막(18) 및 차광막(20)을 구비한다. 마스크 블랭크(10)는 차광막(20) 상에 레지스트 막을 더 구비하여도 된다. 또한, 이하에 설명하는 점을 제외하고, 도 2에 있어서 도 1과 동일한 부호를 붙인 구성은, 도 1에 있어서의 구성과 동일 또는 마찬가지의 것이다.2 shows a second example of the configuration of the mask blank 10. In this example, the FPD photomask manufactured from the mask blank 10 is a gray tone mask of a type for forming a gray tone portion with a semi-transmissive film. The mask blank 10 is a mask blank of a laying type (predeposition type), and includes a substrate 12, a light transmissive film 14, a semi-transmissive film 18, and a light shielding film 20. The mask blank 10 may further include a resist film on the light shielding film 20. In addition, except for the point demonstrated below, the structure with the same code | symbol as FIG. 1 in FIG. 2 is the same as or the same as the structure in FIG.

반투광막(18)은, 막 두께 이외에는 도 1을 이용하여 설명한 차광막(16)과 동일 또는 마찬가지의 금속 실리사이드계 막이다. 반투광막(18)은, 기판(12) 및 투광성 막(14) 상에, 차광막(16)보다 먼저, 차광막(16) 아래에 형성된다. 반투광막(18)의 투과율은, 예를 들면 10～60 ％이다. 반투광막(18)의 막 두께는, 예를 들면 20～100 옹스트롬, 보다 바람직하게는 40～60 옹스트롬이다.The semitransmissive film 18 is the same or the same metal silicide-based film as the light shielding film 16 described using FIG. 1 except for the film thickness. The semitransmissive film 18 is formed below the light shielding film 16 on the substrate 12 and the light transmissive film 14 before the light shielding film 16. The transmittance | permeability of the translucent film 18 is 10 to 60%, for example. The film thickness of the translucent film 18 is 20-100 angstroms, More preferably, it is 40-60 angstroms.

차광막(20)은, 크롬계 재료로 형성된 차광막이다. 차광막(20)은 크롬(Cr)에 산소, 질소, 탄소로부터 선택되는 1개 이상의 첨가 원소를 첨가한 막, 또는 그들의 적층 막이어도 된다. 예를 들어, 차광막(20)은 질화 크롬(CrN), 탄화 크롬(CrC), 및 산질화 크롬(CrON)을 기판(12)측으로부터 차례로 적층시킨 적층막이다.The light shielding film 20 is a light shielding film formed of a chromium-based material. The light shielding film 20 may be a film in which at least one additional element selected from oxygen, nitrogen, and carbon is added to chromium (Cr), or a laminated film thereof. For example, the light shielding film 20 is a laminated film in which chromium nitride (CrN), chromium carbide (CrC), and chromium oxynitride (CrON) are sequentially stacked from the substrate 12 side.

반투광막(18) 및 차광막(20)은, 각각 다른 에칭액을 이용하여 웨트 에칭에 의해 패터닝된다. 차광막(20)의 웨트 에칭용의 에칭액으로서는, 예를 들면 크롬계의 막을 에칭하기 위한 각종 공지의 에칭액을 이용할 수 있다. 반투광막(18)의 웨트 에칭용의 에칭액으로서는, 도 1을 이용하여 설명한 차광막(16)의 웨트 에칭에 이용하는 에칭액과 동일 또는 마찬가지의 에칭액을 이용할 수 있다. 웨트 에칭에 의해, 반투광막(18)은 패터닝되어, 그레이톤 마스크에 있어서의 그레이톤부로 된 다.The semitransmissive film 18 and the light shielding film 20 are each patterned by wet etching using different etching liquids. As the etching liquid for wet etching of the light shielding film 20, various well-known etching liquid for etching a chromium system film can be used, for example. As the etchant for wet etching of the semitransmissive film 18, an etchant that is the same as or similar to that used for wet etching of the light shielding film 16 described with reference to FIG. 1 can be used. By wet etching, the semitransmissive film 18 is patterned into a gray tone portion in the gray tone mask.

본 예에 있어서도, 투광성 막(14)은 반투광막(18)의 웨트 에칭용의 에칭액에 대해 내성을 갖고 있다. 그로 인해, 투광성 막(14)은 반투광막(18)의 웨트 에칭에 의해 제거되지 않고 기판(12) 상에 남는다. 이에 의해, 반투광막(18)의 웨트 에칭용의 에칭액으로부터 기판(12)을 적절하게 보호할 수 있다. 또한, 이 에칭액에 의해 기판(12)이 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.Also in this example, the light transmissive film 14 is resistant to the etching liquid for wet etching of the translucent film 18. Therefore, the light transmissive film 14 remains on the substrate 12 without being removed by the wet etching of the translucent film 18. Thereby, the board | substrate 12 can be suitably protected from the etching liquid for wet etching of the translucent film 18. FIG. In addition, it is possible to prevent the substrate 12 from being damaged by this etching solution.

나아가서는, 투광성 막(14)을 형성함으로써, 기판(12)에 영향을 미치는 일 없이, 반투광막(18)의 오버 에칭을 적절하게 행할 수 있다. 그로 인해, 본 예에 따르면 반투광막(18)의 웨트 에칭에 있어서의 패턴 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 마스크 블랭크(10)로부터 작성되는 포토마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작한 경우에, 표시 불균일의 발생을 억제할 수 있다.Furthermore, by forming the light transmissive film 14, the over-etching of the translucent film 18 can be appropriately performed without affecting the substrate 12. Therefore, according to this example, the pattern dimension precision in the wet etching of the translucent film 18 can be improved. Moreover, when a FPD device is manufactured using the photomask created from the mask blank 10, generation | occurrence | production of a display nonuniformity can be suppressed.

이하, 실시예를 기초로 하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail based on an Example.

(제1 실시예)(First embodiment)

대형 글래스 기판[합성 석영(QZ) 10 mm 두께, 사이즈 850 mm × 1200 mm] 상에, 대형 인라인 스퍼터링 장치를 사용하여, 투광성 막, 차광막, 및 반사 방지막의 성막을 행하였다. 성막은, 대형 인라인 스퍼터링 장치 내에 연속하여 배치된 각 스페이스(스퍼터실)에, 산화 하프늄(HfO2) 타깃, 및 몰리브덴 실리사이드(MoSi2) 타깃(Mo : 33 몰 ％, Si : 67 몰 ％)을 각각 배치하고, 우선 최초의 스퍼터실에 있어서, 산화 하프늄 타깃에 대해 Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 HfO2막의 투광성 막을 100 옹스트롬 성막하였다. 이어서, 다음 스퍼터실에 있어서, MoSi2 타깃에 대해 Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 MoSi2막의 차광막을 1000 옹스트롬 성막하였다. 또한, Ar 가스 및 O2 가스를 스퍼터링 가스로 하여 MoSi2O막의 반사 방지막을 400 옹스트롬 더 성막하여, FPD용 대형 마스크 블랭크를 제작하였다.On the large glass substrate (10 mm thick synthetic quartz (QZ), size 850 mm x 1200 mm), a light-transmissive film, a light shielding film, and an anti-reflection film were formed using a large inline sputtering apparatus. The film formation is performed by placing a hafnium oxide (HfO 2 ) target and a molybdenum silicide (MoSi 2 ) target (Mo: 33 mol%, Si: 67 mol%) in each space (sputter chamber) continuously disposed in a large inline sputtering apparatus. Each of them was placed, and first, in the first sputtering chamber, 100 angstrom of a translucent film of the HfO 2 film was formed using Ar gas as the sputtering gas with respect to the hafnium oxide target. Then, in the sputter chamber, and then, the MoSi 2 layer light-shielding film by the Ar gas in the sputtering gas for the target MoSi 2 was deposited to 1000 angstroms. Further, an antireflection film of the MoSi 2 O film was further formed by 400 angstroms using Ar gas and O 2 gas as the sputtering gas, to prepare a large mask blank for FPD.

상기에 의해 제작한 마스크 블랭크를 이용하여, 세정 처리(순수, 상온) 후, 공지의 슬릿 코터 장치(일본 특허 출원 공개 제2005-286232호 공보에 기재된 슬릿 코터 장치)를 이용하여 레지스트액을 도포하고, 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 불화 수소 암모늄과 과산화수소를 혼합한 수용액을 에칭액으로서 이용하고, 반사 방지막 및 차광막을 웨트 에칭으로 패터닝하여, FPD용 대형 마스크를 제작하였다. 이 포토마스크는, 5 ㎛ 폭의 통상의 패턴 및 1 ㎛ 폭의 그레이톤 패턴을 갖는다.After the cleaning process (pure, room temperature) using the mask blank produced by the above, a resist liquid is apply | coated using a well-known slit coater apparatus (a slit coater apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-286232). By forming a resist pattern by development, using an aqueous solution of ammonium hydrogen fluoride and hydrogen peroxide as an etching solution using the resist pattern as a mask, an antireflection film and a light shielding film were patterned by wet etching to prepare a large-sized mask for FPD. It was. This photomask has a normal pattern of 5 mu m width and a gray tone pattern of 1 mu m width.

이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 어느 마스크 패턴에 대해서도 단면 형상이 좋고, 패턴 치수 정밀도도 양호하였다. 또한, 이 FPD용 대형 마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작하고, 표시 불균일을 확인한 바, 제작한 FPD 디바이스에는 표시 얼룩은 없는 것을 확인하였다.When the large-size mask for FPD was observed with the scanning electron microscope (SEM), the cross-sectional shape was good also in any mask pattern, and the pattern dimension precision was also favorable. Moreover, when the FPD device was produced using this large sized mask for FPD, and display unevenness was confirmed, it confirmed that there was no display unevenness in the produced FPD device.

또한, 이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰 및 투과율의 측정을 행하였다. 상기 에칭액에 의한 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음의 발생은 모두 없고, 투과율의 저하도 확인되지 않았다.In addition, this large sized mask for FPD was observed with a scanning electron microscope (SEM) and the transmittance was measured. There was no occurrence of damage on the surface of the substrate and roughness of the surface roughness, which are thought to be due to the etching action of the substrate surface by the etching solution, and no decrease in transmittance was also confirmed.

또한, 기판을 소다 라임 글래스로 바꾼 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 기판 표면의 상태를 확인하였다. 상기 에칭액에 의한 글래스 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음, 기판 표면의 백탁의 발생은 모두 없고, 투과율의 저하도 확인되지 않았다.In addition, the state of the surface of the board | substrate was confirmed like Example 1 except having changed the board | substrate into soda lime glass. The damage of the substrate surface, the roughness of the surface roughness, and the cloudiness of the board | substrate which were considered to originate in the etching effect of the glass substrate surface by the said etching liquid did not exist, and neither the fall of the transmittance | permeability was confirmed.

(제1 비교예)(Comparative Example 1)

HfO2막의 투광성 막을 형성하지 않은 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 제1 비교예에 따른 FPD용 대형 마스크를 제작하였다. 이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 마스크 패턴에 끝자락이 발생하여, 단면 형상이 악화되어 있었다. 그로 인해, 웨트 에칭에 의한 패턴 치수 정밀도는 불충분하였다.A large sized mask for FPD according to the first comparative example was produced in the same manner as in the first example except that no light transmitting film of the HfO 2 film was formed. When the large-size mask for FPD was observed with the scanning electron microscope (SEM), the edge generate | occur | produced in the mask pattern and the cross-sectional shape deteriorated. Therefore, the pattern dimension precision by wet etching was inadequate.

또한, 이 FPD용 대형 마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작하였다. 이 FPD 디바이스에 있어서는, 패턴 단면 형상이나 패턴 치수 정밀도가 나쁜 것이 원인으로 생각되는 표시 불균일이 발생되는 것이 확인되었다. 또한, 표시 불균일은 1 ㎛ 폭의 그레이톤 패턴에 대응하는 영역에서 특히 발생되어 있었다.Moreover, the FPD device was produced using this large mask for FPDs. In this FPD device, it was confirmed that display unevenness caused by poor pattern cross-sectional shape and pattern dimensional accuracy was caused. In addition, display unevenness occurred especially in the area | region corresponding to the gray-tone pattern of 1 micrometer width.

또한, 이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰 및 투과율의 측정을 행하였다. 상기 에칭액에 의한 글래스 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 글래스 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음의 발생이 확인되고, 투과율의 저하도 확인되었다.In addition, this large sized mask for FPD was observed with a scanning electron microscope (SEM) and the transmittance was measured. The occurrence of damage on the surface of the glass substrate and the roughness of the surface roughness, which are thought to be due to the etching action of the glass substrate surface by the etching solution, was confirmed, and the decrease in the transmittance was also confirmed.

또한, 기판을 소다 라임 글래스로 바꾼 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지 로 하여, 기판 표면의 상태를 확인하였다. 상기 에칭액에 의한 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 글래스 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음, 글래스 기판 표면의 백탁의 발생이 확인되고, 투과율의 저하도 확인되었다.In addition, the state of the surface of the board | substrate was confirmed like Example 1 except having changed the board | substrate into soda lime glass. The damage on the surface of the glass substrate, the roughness of the surface roughness, and the cloudiness of the glass substrate surface which were considered to be attributable to the etching effect of the substrate surface by the said etching liquid were confirmed, and the fall of the transmittance | permeability was also confirmed.

(제2 실시예)(2nd Example)

대형 글래스 기판[합성 석영(QZ) 10 mm 두께, 사이즈 850 mm × 1200 mm] 상에, 대형 인라인 스퍼터링 장치를 사용하여, 투광성 막, 반투광막, 및 차광막의 성막을 행하였다. 성막은, 대형 인라인 스퍼터링 장치 내에 연속하여 배치된 각 스페이스(스퍼터실)에, 산화 하프늄(HfO2) 타깃, MoSi2 타깃(Mo : 33 몰 ％, Si : 67 몰 ％), 및 Cr 타깃을 각각 배치하고, 우선 최초의 스퍼터실에 있어서 산화 하프늄 타깃에 대해 Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 HfO2막의 투광성 막을 100 옹스트롬 성막하였다. 이어서, 다음 스퍼터실에 있어서, MoSi2 타깃에 대해 Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 MoSi2 타깃의 반투광막을 45 옹스트롬 성막하였다.On the large-size glass substrate (synthetic quartz (QZ) 10 mm thick, size 850 mm x 1200 mm), a light-transmissive film, a semi-transmissive film, and a light-shielding film were formed using a large inline sputtering apparatus. The film formation is performed by placing a hafnium oxide (HfO 2 ) target, a MoSi 2 target (Mo: 33 mol%, Si: 67 mol%), and a Cr target in each space (sputter chamber) continuously arranged in a large inline sputtering apparatus. First, in the first sputtering chamber, 100 angstrom of a light-transmissive film of the HfO 2 film was formed using Ar gas as the sputtering gas for the hafnium oxide target. Then, in the sputter chamber, and then, by the Ar gas to the target MoSi 2 in the sputtering gas was formed of 45 angstroms half transparent film of MoSi 2 target.

이어서, Cr 타깃을 이용하여, 차광막을 성막하였다. 우선, Ar 가스와 N2 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrN막을 150 옹스트롬, 이어서 Ar 가스와 CH4 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrC막을 620 옹스트롬, 이어서 Ar 가스와 NO 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrON막을 250 옹스트롬, 연속 성막하여 FPD용 대형 마스크 블랭크(그레이톤 마스크 블랭크)를 제작하였다.Next, the light shielding film was formed into a film using Cr target. First, the CrN film is 150 angstroms using Ar gas and N 2 gas as sputtering gas, followed by Ar gas and CH 4. A large mask blank (Grayton mask blank) for FPD was fabricated by continuously forming a CrON film 250 angstroms using a CrC film as a sputtering gas and 620 angstroms of a CrC film, followed by an Ar gas and a NO gas as a sputtering gas.

상기에 의해 제작한 마스크 블랭크를 이용하여, 세정 처리(순수, 상온) 후, 공지의 방법에 의해, 차광막의 패터닝을 행하였다. 이어서, 제1 실시예의 차광막의 패터닝과 마찬가지로 하여, 반투광막을 패터닝하여, FPD용 대형의 그레이톤 마스크를 제작하였다. 패터닝된 반투광막은, 5 ㎛ 폭의 통상의 패턴을 갖는다.The light shielding film was patterned by the well-known method after the washing process (pure water and normal temperature) using the mask blank produced by the above. Next, similarly to the patterning of the light shielding film of the first embodiment, the semi-transmissive film was patterned to produce a large gray tone mask for FPD. The patterned translucent film has a normal pattern of 5 mu m width.

이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 어느 마스크 패턴에 대해서도 단면 형상이 좋고, 패턴 치수 정밀도도 양호하였다. 또한, 이 FPD용 대형 그레이톤 마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작하고, 표시 불균일을 확인한 바, 제작한 FPD 디바이스에는 표시 불균일은 없는 것을 확인하였다. 또한, 기판의 상태에 대해서도, 제1 실시예와 마찬가지로 양호하였다. 기판을 소다 라임 글래스로 바꾼 경우도 마찬가지이다.When the large-size mask for FPD was observed with the scanning electron microscope (SEM), the cross-sectional shape was good also in any mask pattern, and the pattern dimension precision was also favorable. Moreover, when the FPD device was produced using this large gray tone mask for FPDs, and the display unevenness was confirmed, it confirmed that there was no display unevenness in the produced FPD device. Moreover, also about the state of a board | substrate, it was favorable similarly to 1st Example. The same is true when the substrate is replaced with soda lime glass.

(제3 내지 제7 실시예)(Third to seventh embodiments)

상술한 제1 실시예에 있어서, 투광성 막으로서, 산화 주석-안티몬(SnxSbyOz)막(막 두께 150 옹스트롬)(제3 실시예), 질화 규소(SiN)막(막 두께 170 옹스트롬)(제4 실시예), 질화된 몰리브덴 실리사이드(MoSiN)막(막 두께 45 옹스트롬)(제5 실시예), 산화 크롬(CrO)막(막 두께 80 옹스트롬)(제6 실시예), 다이아몬드 형상의 탄소(다이아몬드 라이크 카본)막(막 두께 20 옹스트롬)(제7 실시예)으로 한 것 이외에는, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 FPD용 대형 마스크 블랭크, 및 FPD용 대형 마스크를 제작하였다.In the above-described first embodiment, as the light transmissive film, a tin oxide-antimony (SnxSbyOz) film (film thickness 150 angstroms) (third embodiment) and silicon nitride (SiN) film (film thickness 170 angstroms) (fourth embodiment Example) Nitrided molybdenum silicide (MoSiN) film (film thickness 45 angstroms) (Example 5), chromium oxide (CrO) film (film thickness 80 angstroms) (Example 6), diamond-shaped carbon (diamond like) A large-sized mask blank for FPD and a large-sized mask for FPD were produced in the same manner as in the first embodiment except that the carbon) film (film thickness of 20 Angstroms) (Example 7) was used.

이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰한 바, 어느 마스크 패턴에 대해서도 단면 형상이 좋고, 패턴 치수 정밀도도 양호하였다. 또한, 이 FPD용 대형 마스크를 이용하여 FPD 디바이스를 제작하고, 표시 불균일을 확인한 바, 제작한 FPD 디바이스에는 표시 불균일은 없는 것을 확인하였다.When the large-size mask for FPD was observed with the scanning electron microscope (SEM), the cross-sectional shape was good also in any mask pattern, and the pattern dimension precision was also favorable. Moreover, when the FPD device was produced using this large sized mask for FPD and the display unevenness was confirmed, it confirmed that there was no display unevenness in the produced FPD device.

게다가, 이 FPD용 대형 마스크를 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관찰 및 투과율의 측정을 행하였다. 상기 에칭액에 의한 기판 표면의 에칭 작용에 기인한 것으로 생각되는 기판 표면의 데미지, 표면 거칠기의 거칠음의 발생은 모두 없고, 투과율의 저하도 확인되지 않았다. 이는, 기판을 소다 라임 글래스로 바꾼 경우도 마찬가지의 결과가 얻어졌다.In addition, the large sized mask for FPD was observed with a scanning electron microscope (SEM) and the transmittance was measured. There was no occurrence of damage on the surface of the substrate and roughness of the surface roughness, which are thought to be due to the etching action of the substrate surface by the etching solution, and no decrease in transmittance was also confirmed. The same result was obtained when the board | substrate was changed to soda lime glass.

이상, 본 발명을 실시 형태를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시 형태에 기재된 범위에는 한정되지 않는다. 상기 실시 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 추가하는 것이 가능한 것이 당업자에 명백하다. 그러한 변경 또는 개량을 추가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 특허청구의 범위의 기재로부터 명백하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It is apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiments. It is evident from the description of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

본 발명은, 예를 들면 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크에 적합하게 적용할 수 있다.The present invention can be suitably applied to, for example, mask blanks and masks for manufacturing FPD devices.

따라서, 본 발명에 따르면, 금속 실리사이드계 막을 에칭하기 위한 에칭액에 의해 기판이 데미지를 받는 것을 방지할 수 있고, 또한 충분한 패턴 치수 정밀도를 얻을 수 있다는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the substrate can be prevented from being damaged by the etching liquid for etching the metal silicide-based film, and there is an effect that sufficient pattern dimensional accuracy can be obtained.

Claims (18)

FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크로서,As a mask blank for manufacturing an FPD device, 글래스 기판과,Glass substrate, 상기 글래스 기판에 접하여 형성된, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대한 투과율이 80% 이상인 투광성 막과,A light-transmissive film formed in contact with the glass substrate and having a transmittance of 80% or more for light in a wavelength region ranging from i to g lines; 상기 투광성 막에 접하여 형성된 반투광막 또는 차광막으로서, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 형성된 금속 실리사이드계 막을 포함하고,A semi-transmissive film or light-shielding film formed in contact with the light-transmitting film, comprising a metal silicide-based film formed of a metal silicide-based material containing metal and silicon, 상기 금속 실리사이드계 막은, 불소 화합물과 산화제를 혼합한 수용액인 에칭액을 이용한 웨트 에칭에 의해 패터닝되는 막이며,The metal silicide-based film is a film patterned by wet etching using an etching solution which is an aqueous solution in which a fluorine compound and an oxidizing agent are mixed. 상기 투광성 막은, 상기 금속 실리사이드계 막을 웨트 에칭할 때에 사용되는 에칭액에 대하여 에칭 선택성을 갖는 재료로 형성된 막이고,The light-transmitting film is a film formed of a material having etching selectivity with respect to the etching liquid used when wet etching the metal silicide-based film, 상기 투광성 막은, 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 불화 리튬 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The light-transmitting film is formed of a material containing one or two or more selected from calcium fluoride, magnesium fluoride, tin oxide, indium oxide, indium tin-tin, tin oxide-antimony, aluminum oxide, hafnium oxide, and lithium fluoride. Mask blank. 제1항에 있어서, 상기 투광성 막은 막 두께가 20 내지 500 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The mask blank of claim 1, wherein the light transmissive film has a film thickness of 20 to 500 angstroms. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 금속 실리사이드계 막은, 몰리브덴과 규소를 포함하는 몰리브덴 실리사이드계 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.And the metal silicide-based film is formed of a molybdenum silicide-based material containing molybdenum and silicon. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 투광성 막은, 질화 금속막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The light transmitting film is a mask blank, characterized in that the metal nitride film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 실리사이드계 막은, 금속 실리사이드만으로 이루어지는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The said metal silicide system film | membrane is formed with the material which consists only of metal silicide, The mask blank characterized by the above-mentioned. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 투광성 막은, 질소 및 탄소 중 적어도 한쪽을 첨가 원소로서 첨가한 금속 실리사이드로 형성된 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The light-transmitting film is a mask blank, characterized in that formed of a metal silicide to which at least one of nitrogen and carbon is added as an additional element. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 투광성 막은, 크롬막 또는 산화 크롬막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The light transmitting film is a mask blank, characterized in that the chromium film or chromium oxide film. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 투광성 막은, 다이아몬드 형상의 탄소막인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The light transmitting film is a mask blank, characterized in that the diamond-like carbon film. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 글래스 기판은, 합성 석영으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The mask blank of claim 1, wherein the glass substrate is made of synthetic quartz. 제1항, 제2항, 제4항 내지 제9항, 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 실리사이드계 막은, 반투광막이며, 상기 금속 실리사이드계 막 상에 크롬을 함유하는 재료로 형성된 차광막을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.The said metal silicide system film | membrane is a translucent film | membrane, The material of any one of Claims 1, 2, 4-9, and 11 containing chromium on the said metal silicide system film | membrane. The mask blank which has a light shielding film formed. 제1항, 제2항, 제4항 내지 제9항, 제11항 중 어느 한 항의 마스크 블랭크를 이용하여, 상기 금속 실리사이드계 막을, 웨트 에칭에 의해 패터닝하여 제조된 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크.An FPD device is produced by patterning the metal silicide-based film by wet etching using the mask blank of any one of claims 1, 2, 4, 9, and 11. Photomask for manufacturing. 제12항의 마스크 블랭크를 이용하여, 상기 차광막과 상기 금속 실리사이드계 막을, 각각 웨트 에칭으로 패터닝하여 제조된 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토 마스크.The photomask for manufacturing an FPD device, wherein the light shielding film and the metal silicide based film are each patterned by wet etching using the mask blank of claim 12. 제13항에 있어서, 상기 투광성 막은 상기 금속 실리사이드계 막이 패터닝에 의해 제거된 글래스 기판 상의 영역에도 잔존하고 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.The photomask according to claim 13, wherein the light-transmitting film remains in a region on the glass substrate from which the metal silicide-based film is removed by patterning. 제14항에 있어서, 상기 투광성 막은 상기 금속 실리사이드계 막이 패터닝에 의해 제거된 글래스 기판 상의 영역에도 잔존하고 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.15. The photomask according to claim 14, wherein the light transmissive film also remains in a region on the glass substrate from which the metal silicide based film is removed by patterning. FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토 마스크로서,As a photo mask for manufacturing an FPD device, 글래스 기판과,Glass substrate, 상기 글래스 기판에 접하여 형성된, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대한 투과율이 80% 이상인 투광성 막과,A light-transmissive film formed in contact with the glass substrate and having a transmittance of 80% or more for light in a wavelength region ranging from i to g lines; 상기 투광성 막에 접하여 형성되고, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 이루어지며, 불소 화합물과 산화제를 혼합한 수용액인 에칭액을 이용한 웨트 에칭에 의해 패터닝되어 있는 차광막A light shielding film formed in contact with the light-transmissive film and made of a metal silicide-based material containing metal and silicon, and patterned by wet etching using an etching solution which is an aqueous solution of a fluorine compound and an oxidizing agent. 을 포함하며,/ RTI &gt; 상기 투광성막은 상기 차광막의 웨트 에칭에 사용된 에칭액에 대하여 에칭 선택성을 갖는 재료로 형성되고,The light transmissive film is formed of a material having etching selectivity with respect to the etchant used for wet etching of the light shielding film, 상기 투광성 막은, 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 불화 리튬 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 재료로 형성되며,The light-transmitting film is formed of a material containing one or more selected from calcium fluoride, magnesium fluoride, tin oxide, indium oxide, indium tin-tin, tin oxide-antimony, aluminum oxide, hafnium oxide, and lithium fluoride, 상기 투광성 막은 상기 차광막이 패터닝에 의해 제거된 글래스 기판 상의 영역에도 잔존하고 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.The light transmissive film remains in a region on the glass substrate from which the light shielding film is removed by patterning. FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토 마스크로서,As a photo mask for manufacturing an FPD device, 글래스 기판과,Glass substrate, 상기 글래스 기판에 접하여 형성되고, i선부터 g선에 걸치는 파장 영역의 광에 대한 투과율이 80% 이상인 투광성 막과,A light-transmissive film formed in contact with the glass substrate and having a transmittance of 80% or more for light in a wavelength region ranging from i to g lines; 상기 투광성 막에 접하여 형성되고, 금속과 규소를 포함하는 금속 실리사이드계 재료로 이루어지며, 불소 화합물과 산화제를 혼합한 수용액인 에칭액을 이용한 웨트 에칭에 의해 패터닝되는 반투광막과,A semi-transmissive film formed of a metal silicide-based material which is formed in contact with the light-transmitting film and is made of a metal silicide-based material, and patterned by wet etching using an etching solution that is an aqueous solution of a fluorine compound and an oxidizing agent; 상기 반투광막 상에 형성되고, 크롬을 함유하는 재료로 이루어지며, 패터닝되어 있는 차광막을 포함하며,It is formed on the semi-transmissive film, made of a material containing chromium, and comprises a patterned light shielding film, 상기 투광성막은 상기 반투광막의 웨트 에칭에 사용된 에칭액에 대하여 에칭 선택성을 갖는 재료로 형성되고,The light transmissive film is formed of a material having an etching selectivity with respect to the etchant used for the wet etching of the translucent film, 상기 투광성 막은, 불화 칼슘, 불화 마그네슘, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 인듐-주석, 산화 주석-안티몬, 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 불화 리튬 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 재료로 형성되며,The light-transmitting film is formed of a material containing one or more selected from calcium fluoride, magnesium fluoride, tin oxide, indium oxide, indium tin-tin, tin oxide-antimony, aluminum oxide, hafnium oxide, and lithium fluoride, 상기 투광성 막은, 상기 반투광막이 패터닝에 의해 제거된 글래스 기판 상의 영역에도 잔존하고 있는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.The translucent film remains in the region on the glass substrate from which the translucent film is removed by patterning.
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