JP6674809B2 - Phase shift mask blank cleaning apparatus and phase shift mask blank manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクブランクの洗浄装置、およびこれを用いた位相シフトマスクブランクの製造方法に用いて好適な技術に関する。   The present invention relates to a phase shift mask blank cleaning apparatus capable of forming a fine and highly accurate exposure pattern, and a technique suitable for use in a phase shift mask blank manufacturing method using the same.

一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィー法を用いて微細パターンの形成が行われている。この微細パターンの形成には、通常何枚もの転写用マスクと呼ばれている基板が使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細な薄膜パターンを設けたものである。この転写用マスクの製造においても、フォトリソグラフィー法が用いられている。   Generally, in a manufacturing process of a semiconductor device, a fine pattern is formed using a photolithography method. To form this fine pattern, a number of substrates, which are usually called transfer masks, are used. This transfer mask generally has a fine thin film pattern made of a metal thin film or the like provided on a translucent glass substrate. A photolithography method is also used in manufacturing the transfer mask.

近年、半導体装置の集積度が著しく向上するにつれ、転写用マスクにおけるパターンの微細化の要求が高まっている。転写用マスクとしては、バイナリマスクや位相シフトマスクが知られている。バイナリマスクは、透光性基板上に、例えばクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するマスクである。位相シフトマスクは、透光性基板上に、露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト層を形成したマスクである。   2. Description of the Related Art In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has been remarkably improved, there has been an increasing demand for finer patterns in transfer masks. Binary masks and phase shift masks are known as transfer masks. The binary mask is a mask having a light-shielding film pattern made of, for example, a chromium-based material on a light-transmitting substrate. The phase shift mask is a mask in which a phase shift layer that causes a predetermined phase difference with respect to exposure light is formed on a translucent substrate.

位相シフトフォトマスクは、パターンの遮光部分でもわずかながら光を透過することを特徴としており、この透過した光と主パターンの光とは位相が逆転しているため、パターンの境界部分では逆転した光と主パターンの光との干渉により光強度低下が起こり、この現象が光り強度分布の裾の広がりを防ぐため解像力向上効果を得ることができ、従来から種々の分野で利用されている。   The phase shift photomask is characterized by transmitting a small amount of light even in a light-shielded portion of the pattern. Since the phase of the transmitted light and the light of the main pattern are reversed, the reversed light is transmitted at the boundary of the pattern. The light intensity decreases due to interference between the light and the main pattern light, and this phenomenon can obtain the effect of improving the resolution in order to prevent the spread of the light intensity distribution from spreading, and has been conventionally used in various fields.

このような位相シフトマスクを形成するための位相シフトマスクブランクスの製造にあたっては、位相シフトマスクブランクスの耐薬品性を高めるために、加熱処理を行っている。しかしながら、こうした加熱工程において、加熱炉の内部でパーティクルが多く発生するという課題があった。こうしたパーティクルは、加熱温度が比較的高いために、位相シフトマスクブランクスに付着すると、パーティクルが固着してしまい、後工程である洗浄工程において、固着したパーティクルの除去が困難であった。   In manufacturing a phase shift mask blank for forming such a phase shift mask, a heat treatment is performed to enhance the chemical resistance of the phase shift mask blank. However, in such a heating step, there is a problem that a large amount of particles are generated inside the heating furnace. Since such particles have a relatively high heating temperature, they adhere when adhered to the phase shift mask blanks, and it is difficult to remove the adhered particles in a subsequent cleaning step.

このため、洗浄効果の高い薬液を用いることによってパーティクルを除去する方法もあるが、洗浄効果の高い薬液は位相シフト層の光学特性を変化させてしまうという課題がある。   For this reason, there is a method of removing particles by using a chemical solution having a high cleaning effect. However, there is a problem that a chemical solution having a high cleaning effect changes the optical characteristics of the phase shift layer.

特開平8−272071号公報JP-A-8-272071 特開2006−078953号公報JP 2006-078953 A 特開2007−271720号公報JP 2007-271720 A

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、パーティクルを効果的に除去することができ、かつ位相シフト層の光学特性の変化を抑制可能な位相シフトマスクブランクスの洗浄装置、および位相シフトマスクブランクスの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a phase shift mask blank cleaning apparatus capable of effectively removing particles and suppressing a change in optical characteristics of a phase shift layer, and a phase shift mask. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a shift mask blank.

すなわち、本発明の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置は、以下の構成を有する。
透明基板と、該透明基板の表面に形成された位相シフト層と、を有する位相シフトマスクブランクスの洗浄装置であって、前記位相シフトマスクブランクスを回転させる回転手段と、前記位相シフトマスクブランクスの表面に対して所定の間隔を保ってオゾン濃度が40ppm以上の高濃度オゾン水を噴射する噴射ノズルと、前記噴射ノズルに、液温が40℃以上60℃以下の範囲の前記高濃度オゾン水を供給するオゾン水加熱手段と、を備えたことを特徴とする。
That is, the apparatus for cleaning phase shift mask blanks of the present invention has the following configuration.
An apparatus for cleaning a phase shift mask blank, comprising: a transparent substrate; and a phase shift layer formed on a surface of the transparent substrate, a rotating unit configured to rotate the phase shift mask blank, and a surface of the phase shift mask blank. And an injection nozzle for injecting high-concentration ozone water having an ozone concentration of 40 ppm or more at a predetermined interval, and supplying the high-concentration ozone water having a liquid temperature in a range of 40 ° C to 60 ° C to the injection nozzle. And ozone water heating means .

このような構成の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置によれば、高濃度オゾン水を、位相シフトマスクブランクスの表面に噴射することによって、熱処理されている位相シフトマスクブランクスであっても、表面に存在するパーティクルを強い酸化力で確実に除去する。また、こうした高濃度オゾン水は、他の酸化剤、例えば高濃度酸などと比較して位相シフト層の光学特性を変化させることが殆ど無いため、位相シフト層の光学特性を劣化させることなく位相シフトマスクブランクスの表面に固着されたパーティクルを除去することができる。   According to the phase shift mask blank cleaning apparatus having such a configuration, the high-concentration ozone water is sprayed onto the surface of the phase shift mask blank, so that even if the phase shift mask blank is heat-treated, it is present on the surface. Particles are reliably removed with strong oxidizing power. In addition, since such high-concentration ozone water hardly changes the optical characteristics of the phase shift layer as compared with other oxidizing agents, for example, high-concentration acid, the phase shift layer does not deteriorate the optical characteristics. Particles fixed on the surface of the shift mask blank can be removed.

前記噴射ノズルに、オゾン濃度が79ppm以上150ppm以下の範囲の前記高濃度オゾン水を供給するオゾン水供給手段を備えたことを特徴とする。 The spray nozzle is characterized by comprising ozone water supply means for supplying the high-concentration ozone water having an ozone concentration of 79 ppm or more and 150 ppm or less.

前記噴射ノズルを前記位相シフトマスクブランクスの表面に対して平行にスキャンさせるノズル移動手段を備えたことを特徴とする。   A nozzle moving means for scanning the spray nozzle in parallel with the surface of the phase shift mask blank is provided.

前記噴射ノズルの先端と前記位相シフトマスクブランクスの表面との間隔は、5mm以上、20mm以下の範囲に設定されることを特徴とする。   The distance between the tip of the spray nozzle and the surface of the phase shift mask blank is set in a range of 5 mm or more and 20 mm or less.

前記位相シフト層は、モリブデンシリサイドの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物及び酸化炭化窒化物のいずれかより構成されていることを特徴とする。   The phase shift layer is characterized by being composed of any of molybdenum silicide oxide, nitride, carbide, oxynitride, carbonitride and oxycarbonitride.

本発明の位相シフトマスクブランクスの製造方法は、以下の構成を有する。
透明基板と、該透明基板の表面に形成された位相シフト層と、を有する位相シフトマスクブランクスの製造方法であって、前記透明基板上に前記位相シフト層を形成する位相シフト層形成工程と、前記位相シフトマスクブランクスを加熱する加熱工程と、前記位相シフトマスクブランクスを回転させつつ、前記位相シフトマスクブランクスの表面に対してオゾン濃度が40ppm以上で液温が40℃以上60℃以下の範囲の高濃度オゾン水を噴射し、前記位相シフト層を洗浄する洗浄工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
The method for manufacturing a phase shift mask blank of the present invention has the following configuration.
A transparent substrate, a phase shift layer formed on the surface of the transparent substrate, a method for manufacturing a phase shift mask blanks, comprising a phase shift layer forming step of forming the phase shift layer on the transparent substrate, A heating step of heating the phase shift mask blanks, and while rotating the phase shift mask blanks, an ozone concentration of 40 ppm or more and a liquid temperature of 40 ° C. or more and 60 ° C. or less with respect to the surface of the phase shift mask blanks . A cleaning step of injecting high-concentration ozone water to clean the phase shift layer.

このような構成の位相シフトマスクブランクスの製造方法によれば、高濃度オゾン水を、位相シフトマスクブランクスの表面に噴射する工程によって、熱処理されている位相シフトマスクブランクスであっても、表面に存在するパーティクルを強い酸化力で確実に除去できる。また、こうした高濃度オゾン水は、他の酸化剤、例えば高濃度酸などと比較して位相シフト層の光学特性を変化させることが殆ど無いため、位相シフト層の光学特性を劣化させることなく位相シフトマスクブランクスの表面に固着されたパーティクルを除去することができる。   According to the method for manufacturing a phase shift mask blank having such a configuration, even if the phase shift mask blank has been heat-treated, the high concentration ozone water is sprayed onto the surface of the phase shift mask blank. Particles can be reliably removed with strong oxidizing power. In addition, since such high-concentration ozone water hardly changes the optical characteristics of the phase shift layer as compared with other oxidizing agents, for example, high-concentration acid, the phase shift layer does not deteriorate the optical characteristics. Particles fixed on the surface of the shift mask blank can be removed.

本発明の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置、および位相シフトマスクブランクスの製造方法によれば、パーティクルを効果的に除去することができ、かつ位相シフト層の光学特性の変化を抑制可能な位相シフトマスクブランクスの洗浄装置、および位相シフトマスクブランクスの製造方法を提供することが可能になる。   According to the phase shift mask blank cleaning apparatus and the phase shift mask blank manufacturing method of the present invention, a phase shift mask capable of effectively removing particles and suppressing a change in optical characteristics of a phase shift layer. It is possible to provide a blank cleaning apparatus and a method of manufacturing a phase shift mask blank.

位相シフトマスクブランクスの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of a phase shift mask blank. 位相シフトマスクの一例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of a phase shift mask. 本発明の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置を示す概要図である。It is a schematic diagram showing the cleaning equipment of the phase shift mask blanks of the present invention. 図3の噴射ノズル付近を示す要部拡大平面図である。FIG. 4 is an enlarged plan view of a main part showing the vicinity of an injection nozzle in FIG. 3. 本発明の位相シフトマスクブランクスの製造方法を段階的に示したフローチャートである。3 is a flowchart showing a method of manufacturing a phase shift mask blank of the present invention step by step.

以下、本発明を適用した一実施形態である位相シフトマスクブランクスの洗浄装置、および位相シフトマスクブランクスの製造方法について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。   Hereinafter, a phase shift mask blank cleaning apparatus and a phase shift mask blank manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The embodiments described below are specifically described for better understanding of the gist of the invention, and do not limit the invention unless otherwise specified. Also, in the drawings used in the following description, for the sake of simplicity, features of the present invention may be enlarged for convenience, for convenience, and the dimensional ratio of each component is the same as the actual size. Is not always the case.

<位相シフトマスクブランクスの洗浄装置>
まず最初に、図1は、本発明の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置の洗浄対象物である位相シフトマスクブランクスについて説明する。
図1は、位相シフトマスクブランクスの一例を示す断面図である。
位相シフトマスクブランクスMBは、透明基板10と、この透明基板10の一面に形成された位相シフト層11と、位相シフト層11に重ねて形成された遮光層13と、から構成されている。
<Phase shift mask blank cleaning equipment>
First, FIG. 1 illustrates a phase shift mask blank which is an object to be cleaned by the phase shift mask blank cleaning apparatus of the present invention.
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a phase shift mask blank.
The phase shift mask blank MB includes a transparent substrate 10, a phase shift layer 11 formed on one surface of the transparent substrate 10, and a light shielding layer 13 formed on the phase shift layer 11.

透明基板10としては、透明性及び光学的等方性に優れた材料が用いられ、例えば、石英ガラス基板を用いることができる。透明基板10の大きさは特に制限されず、当該マスクを用いて露光する基板(例えば半導体基板)に応じて適宜選定される。一例として、径寸法100mm程度の基板や、一辺50〜100mm程度から、一辺300mm以上の矩形基板に適用可能であり、更に、縦450mm、横550mm、厚み8mmの石英基板や、最大辺寸法1000mm以上で、厚み10mm以上の基板も用いることができる。   As the transparent substrate 10, a material having excellent transparency and optical isotropy is used, and for example, a quartz glass substrate can be used. The size of the transparent substrate 10 is not particularly limited, and is appropriately selected according to a substrate (for example, a semiconductor substrate) to be exposed using the mask. As an example, it can be applied to a substrate having a diameter of about 100 mm, a rectangular substrate having a side of about 50 to 100 mm, and a side of 300 mm or more, and a quartz substrate having a length of 450 mm, a width of 550 mm, a thickness of 8 mm, and a maximum side dimension of 1000 mm or more. Thus, a substrate having a thickness of 10 mm or more can also be used.

また、透明基板10の表面を研磨することで、透明基板10のフラットネスを低減するようにしてもよい。透明基板10のフラットネスは、例えば、20μm以下とすることができる。これにより、マスクの焦点深度が深くなり、微細かつ高精度なパターン形成に大きく貢献することが可能となる。さらにフラットネスは10μm以下と、小さい方が良好である。   Further, the flatness of the transparent substrate 10 may be reduced by polishing the surface of the transparent substrate 10. The flatness of the transparent substrate 10 can be, for example, 20 μm or less. As a result, the depth of focus of the mask is increased, and it is possible to greatly contribute to fine and highly accurate pattern formation. Further, the smaller the flatness is 10 μm or less, the better.

位相シフト層11は遷移金属(例えば、遷移金属はモリブデン)とシリコンを主成分とするものであり、具体的には、モリブデンシリサイドの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物及び酸化炭化窒化物から選択される1つで構成することができ、また、これらの中から選択される2種以上を積層して構成することもできる。   The phase shift layer 11 is mainly composed of a transition metal (for example, the transition metal is molybdenum) and silicon. Specifically, the phase shift layer 11 is an oxide, a nitride, a carbide, an oxynitride, a carbonitride, and a molybdenum silicide. It can be composed of one selected from oxycarbonitrides, and can also be composed by laminating two or more selected from these.

位相シフト層11は、例えば、300nm以上500nm以下の波長領域の何れかの光(例えば、波長365nmのi線)に対して略180°の位相差をもたせることが可能な厚さ(例えば、60〜170nm)で形成される。遮光層13は、所定の光学特性が得られる厚み(例えば、40nm〜200nm)で形成される。   The phase shift layer 11 has, for example, a thickness (for example, 60) that can give a phase difference of approximately 180 ° to any light (for example, i-line having a wavelength of 365 nm) in a wavelength region of 300 nm or more and 500 nm or less. 170170 nm). The light-shielding layer 13 is formed with a thickness (for example, 40 nm to 200 nm) at which predetermined optical characteristics can be obtained.

図2は、図1の位相シフトマスクブランクスを用いた位相シフトマスクを示す断面図である。位相シフトマスクMは、上述した位相シフト層11に対して所定の露光パターンを象った位相シフトパターン11Aを形成したものである。こうした位相シフトマスクMは、位相シフト層11上にレジスト膜(図示略)などを形成し、例えば、クリプトン−フッ素レーザー光(波長248nm)、アルゴン−フッ素レーザー光(波長193nm)等を含む露光光を用いて、フォトリソグラフィー法を用いた微細パターンの形成を行うことができる。なお、露光光は任意の波長の光を用いることができ、限定されるものでは無い。   FIG. 2 is a sectional view showing a phase shift mask using the phase shift mask blanks of FIG. The phase shift mask M is obtained by forming a phase shift pattern 11A in a predetermined exposure pattern on the phase shift layer 11 described above. Such a phase shift mask M is formed by forming a resist film (not shown) on the phase shift layer 11 and exposing light including, for example, krypton-fluorine laser light (wavelength 248 nm), argon-fluorine laser light (wavelength 193 nm) and the like. Can be used to form a fine pattern using a photolithography method. Note that the exposure light may be light having an arbitrary wavelength, and is not limited.

図3は、本発明の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置を示す概要図である。
図4は、図3の噴射ノズル付近を示す要部拡大平面図である。
位相シフトマスクブランクスMBの洗浄装置20(以下、単に洗浄装置と称することがある)は、筐体21と、この筐体21に収容される保持機構22と、噴射ノズル23と、この噴射ノズル23を動かすノズル移動手段26と、噴射ノズル23に高濃度オゾン水Wを供給するオゾン水供給機構24と、これら各部を制御する制御部25とを備えている。
FIG. 3 is a schematic view showing a phase shift mask blank cleaning apparatus of the present invention.
FIG. 4 is an enlarged plan view of a main part showing the vicinity of the injection nozzle of FIG.
The phase shift mask blank MB cleaning apparatus 20 (hereinafter, may be simply referred to as a cleaning apparatus) includes a housing 21, a holding mechanism 22 housed in the housing 21, an injection nozzle 23, and an injection nozzle 23. , An ozone water supply mechanism 24 for supplying high-concentration ozone water W to the injection nozzle 23, and a control unit 25 for controlling these components.

筐体21は、例えば全体がステンレスによって形成された略円筒形の容器であり、内部に保持機構22が収容されている。
保持機構22は、例えば矩形の位相シフトマスクブランクスMBを載置するステージ31と、このステージ31を回転させる回転手段32、例えばモータなどから構成されている。
The housing 21 is, for example, a substantially cylindrical container entirely formed of stainless steel, and houses a holding mechanism 22 therein.
The holding mechanism 22 includes, for example, a stage 31 on which a rectangular phase shift mask blank MB is mounted, and rotating means 32 for rotating the stage 31, for example, a motor.

噴射ノズル23は、その先端部23aが位相シフトマスクブランクスMBの表面に対して所定の間隔Δt(図4参照)を保って高濃度オゾン水Wを噴射させるものである。この所定の間隔Δtは、例えば、5mm以上、20mm以下、本実施形態では10mmに設定される。こうした間隔範囲に設定することによって、高濃度オゾン水Wから溶存しているオゾンが揮発することを抑制し、かつ、高濃度オゾン水Wの位相シフトマスクブランクスMBの表面での飛散を防止する。   The jet nozzle 23 jets the high-concentration ozone water W while maintaining a predetermined interval Δt (see FIG. 4) at the tip 23a of the jet nozzle 23 with respect to the surface of the phase shift mask blank MB. The predetermined interval Δt is set to, for example, 5 mm or more and 20 mm or less, and in this embodiment, 10 mm. By setting such an interval range, volatilization of dissolved ozone from the high-concentration ozone water W is suppressed, and scattering of the high-concentration ozone water W on the surface of the phase shift mask blank MB is prevented.

また、噴射ノズル23には、オゾン濃度を検出する濃度計33が接続され、この濃度計33によって、噴射される高濃度オゾン水Wのオゾン濃度が連続して測定され、濃度信号として制御部25に出力される。   A concentration meter 33 for detecting the ozone concentration is connected to the injection nozzle 23. The concentration meter 33 continuously measures the ozone concentration of the high-concentration ozone water W to be ejected, and outputs the concentration signal as a concentration signal to the control unit 25. Is output to

ノズル移動手段26は、噴射ノズル23の少なくとも先端部分を位相シフトマスクブランクスMBの表面に対して平行にスキャンさせる。これにより、噴射ノズル23の先端部23aと位相シフトマスクブランクスMBの表面との間で所定の間隔を保ちつつ、高濃度オゾン水Wが位相シフトマスクブランクスMBの表面全体にムラなく噴射される。   The nozzle moving means 26 scans at least the tip portion of the injection nozzle 23 in parallel with the surface of the phase shift mask blank MB. Thereby, the high-concentration ozone water W is uniformly sprayed on the entire surface of the phase shift mask blank MB while maintaining a predetermined interval between the tip portion 23a of the spray nozzle 23 and the surface of the phase shift mask blank MB.

オゾン水供給機構24は、高濃度オゾン水Wを生成するオゾン水生成器36と、生成させた高濃度オゾン水Wを加熱するオゾン水加熱器37とを備えている。
オゾン水生成器36は、例えば、原料ガスである酸素ガスに対して無声放電(誘電体バリア放電)を行うことでオゾンを発生させ、生じたオゾンを高濃度に水に溶解させて高濃度オゾン水Wを生成される。なお、オゾンの発生方法としては、酸素ガスに対する無声放電以外にも、水銀灯などの短波長の紫外線照射や、黒鉛電極および白金電極を用いた希硫酸の電気分解、あるいは、白金陰極と二酸化鉛陽極との間に固体高分子電解質膜形成して水を電気分解するなど、各種オゾンの発生方法を用いることができる。
The ozone water supply mechanism 24 includes an ozone water generator 36 that generates high-concentration ozone water W, and an ozone water heater 37 that heats the generated high-concentration ozone water W.
The ozone water generator 36 generates, for example, ozone by performing a silent discharge (dielectric barrier discharge) on oxygen gas as a raw material gas, and dissolves the generated ozone to a high concentration in water to form a high-concentration ozone. Water W is generated. The method of generating ozone is not only silent discharge to oxygen gas, but also ultraviolet irradiation of short wavelength such as a mercury lamp, electrolysis of dilute sulfuric acid using a graphite electrode and a platinum electrode, or a platinum cathode and a lead dioxide anode. Various ozone generation methods can be used, such as forming a solid polymer electrolyte membrane between them and electrolyzing water.

このようなオゾン水生成器36によって生成される高濃度オゾン水Wは、オゾン濃度が30ppm以上150ppm以下の範囲、本実施形態では90ppmとされている。従来、一般的なオゾン水生成器によって生成される、位相シフトマスクブランクス向けの洗浄用オゾン水のオゾン濃度は、20ppm程度とされている。しかし、本発明では、こうした従来の一般的なオゾン水よりもオゾン濃度が高い30ppm以上150ppm以下の範囲のオゾン水を用いている。本発明における高濃度オゾン水は、オゾン濃度が30ppm以上150ppm以下の範囲のオゾン水を言う。   The high-concentration ozone water W generated by such an ozone water generator 36 has an ozone concentration in a range of 30 ppm to 150 ppm, in this embodiment, 90 ppm. Conventionally, the ozone concentration of cleaning ozone water for a phase shift mask blank, which is generated by a general ozone water generator, is about 20 ppm. However, in the present invention, ozone water having an ozone concentration higher than that of the conventional general ozone water in a range of 30 ppm to 150 ppm is used. The high-concentration ozone water in the present invention refers to ozone water having an ozone concentration of 30 ppm or more and 150 ppm or less.

オゾン水加熱器37は、例えば、オゾン水生成器36によって生成された高濃度オゾン水Wを貯留する液槽と、この液槽内を加熱する加熱手段とから構成されている。オゾン水加熱器37は、オゾン水生成器36によって生成された高濃度オゾン水Wを、液温が40℃以上の60℃以下の範囲、本実施形態では50℃となるように加熱する。これによって、例えば、オゾン濃度が90ppmで、かつ液温が50℃の高濃度オゾン水W(加熱)が形成される。
以上の様なオゾン水供給機構24によって形成された、加熱された高濃度オゾン水Wは、供給ポンプ、配管などを介して噴射ノズル23に圧送される。
The ozone water heater 37 includes, for example, a liquid tank that stores the high-concentration ozone water W generated by the ozone water generator 36, and a heating unit that heats the inside of the liquid tank. The ozone water heater 37 heats the high-concentration ozone water W generated by the ozone water generator 36 so that the liquid temperature is in a range of 40 ° C. or more and 60 ° C. or less, and in this embodiment, 50 ° C. Thereby, for example, high-concentration ozone water W (heating) having an ozone concentration of 90 ppm and a liquid temperature of 50 ° C. is formed.
The heated high-concentration ozone water W formed by the ozone water supply mechanism 24 as described above is pressure-fed to the injection nozzle 23 via a supply pump, piping, and the like.

制御部25は、保持機構22の回転手段32や、オゾン水供給機構24の各部を制御する、例えばCPUやインターフェイスなどから構成される。この制御部25は、洗浄動作中は濃度計33から出力される高濃度オゾン水Wのオゾン濃度を連続して監視し、高濃度オゾン水Wのオゾン濃度が設定範囲となるようにオゾン水生成器36を制御する。なお、噴射ノズル23に温度センサを更に付加して、高濃度オゾン水Wの液温が設定範囲となるようにオゾン水加熱器37を制御する構成にすることも好ましい。   The control unit 25 controls the rotating unit 32 of the holding mechanism 22 and each unit of the ozone water supply mechanism 24, and includes, for example, a CPU and an interface. The controller 25 continuously monitors the ozone concentration of the high-concentration ozone water W output from the concentration meter 33 during the cleaning operation, and generates ozone water so that the ozone concentration of the high-concentration ozone water W is within a set range. The control unit 36 is controlled. It is also preferable that a temperature sensor is further added to the injection nozzle 23 to control the ozone water heater 37 so that the liquid temperature of the high-concentration ozone water W falls within a set range.

以上の様な構成の位相シフトマスクブランクスMBの洗浄装置20の作用、効果を説明する。
本発明の位相シフトマスクブランクスMBの洗浄装置20は、洗浄対象物である位相シフトマスクブランクスMB(未洗浄)をステージ31に載置して、このステージ31を回転手段32によって回転させる。そして、オゾン水供給機構24から、50℃に加熱され、オゾン濃度が90ppmの高濃度オゾン水Wを、位相シフトマスクブランクスMBの表面に噴射する。高濃度オゾン水Wの噴射流量は、例えば、500ml/min〜4000ml/minの範囲であればよい。また、ノズル移動手段26のスキャン動作によって、加熱された高濃度オゾン水Wが位相シフトマスクブランクスMBの表面全体にムラなく行き渡る。
The operation and effect of the cleaning device 20 for the phase shift mask blank MB having the above configuration will be described.
The phase shift mask blank MB cleaning apparatus 20 of the present invention mounts the phase shift mask blank MB (uncleaned) to be cleaned on the stage 31 and rotates the stage 31 by the rotating means 32. Then, the ozone water supply mechanism 24 jets high-concentration ozone water W heated to 50 ° C. and having an ozone concentration of 90 ppm onto the surface of the phase shift mask blank MB. The injection flow rate of the high-concentration ozone water W may be, for example, in the range of 500 ml / min to 4000 ml / min. Further, by the scanning operation of the nozzle moving means 26, the heated high-concentration ozone water W spreads evenly over the entire surface of the phase shift mask blank MB.

加熱された高濃度オゾン水Wは、前工程において熱処理されている位相シフトマスクブランクスMBの表面に存在するパーティクルを強い酸化力で除去する。加熱された高濃度オゾン水Wを洗浄液として用いることによって、例えば加熱工程で位相シフトマスクブランクスMBの表面に固着されたパーティクルであっても、確実に除去することができる。また、こうした熱された高濃度オゾン水Wは、他の酸化剤、例えば高濃度酸などと比較して位相シフト層11の光学特性を変化させることが殆ど無いため、位相シフト層11の光学特性を劣化させることなく位相シフトマスクブランクスMBの表面に固着されたパーティクルを除去することができる。   The heated high-concentration ozone water W removes particles existing on the surface of the phase shift mask blank MB that has been heat-treated in the previous process with a strong oxidizing power. By using the heated high-concentration ozone water W as a cleaning liquid, for example, even particles fixed to the surface of the phase shift mask blank MB in the heating step can be reliably removed. The heated high-concentration ozone water W hardly changes the optical characteristics of the phase shift layer 11 as compared with other oxidizing agents, for example, high-concentration acids. Particles fixed on the surface of the phase shift mask blank MB can be removed without deteriorating.

なお、上述した実施形態では、高濃度オゾン水Wをオゾン水加熱器37によって原水の水温よりも高温になるように加熱しているが、特に高濃度オゾン水Wを加熱しないで位相シフトマスクブランクスMBの表面に噴射する構成にしてもよい。   In the above-described embodiment, the high-concentration ozone water W is heated by the ozone water heater 37 so as to be higher than the water temperature of the raw water. It may be configured to spray on the surface of the MB.

<位相シフトマスクブランクスの製造方法>
本発明の位相シフトマスクブランクスの製造方法を図1〜5を用いて説明する。図5は、本発明の位相シフトマスクブランクスの製造方法を段階的に示したフローチャートである。
本発明の位相シフトマスクブランクスの製造方法によって位相シフトマスクブランクスを製造する際には、まず、透明基板10の一面に位相シフト層11を形成する(位相シフト層形成工程:S1)。
<Method of manufacturing phase shift mask blanks>
A method for manufacturing a phase shift mask blank according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a flowchart showing step by step the method for manufacturing a phase shift mask blank of the present invention.
When manufacturing a phase shift mask blank by the method for manufacturing a phase shift mask blank of the present invention, first, the phase shift layer 11 is formed on one surface of the transparent substrate 10 (phase shift layer forming step: S1).

位相シフト層11の形成は、例えば、スパッタリングや薄膜接合によって形成することができる。透明基板10としては、例えば、石英ガラス基板を用いることができる。位相シフト層11としては、遷移金属(例えば、遷移金属はモリブデン)とシリコンを主成分とするものであり、具体的には、モリブデンシリサイドの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物及び酸化炭化窒化物から選択される1つで構成することができる。   The phase shift layer 11 can be formed by, for example, sputtering or thin film bonding. As the transparent substrate 10, for example, a quartz glass substrate can be used. The phase shift layer 11 is mainly composed of a transition metal (for example, molybdenum is a transition metal) and silicon. Specifically, the phase shift layer 11 is an oxide, nitride, carbide, oxynitride, or carbonitride of molybdenum silicide. And one selected from oxycarbonitrides.

次に、透明基板10の一面に位相シフト層11を形成した位相シフトマスクブランクスMBの熱処理を行う(加熱工程:S2)。位相シフトマスクブランクスMBの熱処理は、例えば、アニール炉において、位相シフトマスクブランクスMBを250℃〜600℃の範囲で、最高温度が60分以上保たれるように、大気又は酸素を含む雰囲気中で加熱を行えばよい。こうした加熱工程Sによって、位相シフトマスクブランクスMBの耐薬品性が高められる。 Next, a heat treatment is performed on the phase shift mask blank MB having the phase shift layer 11 formed on one surface of the transparent substrate 10 (heating step: S2). The heat treatment of the phase shift mask blank MB is performed, for example, in an annealing furnace in the atmosphere or in an atmosphere containing oxygen so that the phase shift mask blank MB is maintained at a temperature of 250 ° C. to 600 ° C. for 60 minutes or more. Heating may be performed. By such heating step S 2, the chemical resistance of the phase shift mask blank MB is enhanced.

次に、熱処理後の位相シフトマスクブランクスMBを高濃度オゾン水Wによって洗浄する(洗浄工程:S3)。洗浄工程S3においては、図3に示す洗浄装置20を用いて、位相シフトマスクブランクスMBをステージ31上で回転させつつ、ノズル移動手段26によって噴射ノズル23を水平にスキャンさせながら、位相シフトマスクブランクスMBの表面全体に高濃度オゾン水Wを噴射する。高濃度オゾン水Wとしては、例えば、50℃に加熱され、オゾン濃度が90ppmの高濃度オゾン水を用いる。   Next, the phase shift mask blank MB after the heat treatment is washed with high-concentration ozone water W (washing step: S3). In the cleaning step S3, the phase shift mask blanks MB are rotated on the stage 31 using the cleaning apparatus 20 shown in FIG. High-concentration ozone water W is sprayed over the entire surface of the MB. As the high-concentration ozone water W, for example, high-concentration ozone water heated to 50 ° C. and having an ozone concentration of 90 ppm is used.

このような高濃度オゾン水Wの噴射によって、加熱工程を経た位相シフトマスクブランクスMBの表面を洗浄することによって、位相シフトマスクブランクスMBの表面に固着されたパーティクルが確実に除去される。そして、表面にパーティクルの無い、清浄な位相シフトマスクブランクスMBを得ることができる。   The particles fixed to the surface of the phase shift mask blank MB are reliably removed by washing the surface of the phase shift mask blank MB that has undergone the heating process by the injection of the high-concentration ozone water W. Then, a clean phase shift mask blank MB having no particles on its surface can be obtained.

次に、高濃度オゾン水Wの噴射によって洗浄した位相シフトマスクブランクスMBの位相シフト層11に重ねて遮光層13を形成し(遮光層形成工程:S4)、遮光層13が形成された位相シフトマスクブランクスMBを得る。遮光層13の形成は、例えば、スパッタリングや薄膜接合によって形成することができる。また、遮光層13としては、Cr単体や、Crの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物及び酸化炭化窒化物などを用いることができる。   Next, a light-shielding layer 13 is formed on the phase-shift layer 11 of the phase-shift mask blank MB that has been cleaned by spraying the high-concentration ozone water W (light-shielding layer forming step: S4). Obtain mask blanks MB. The light shielding layer 13 can be formed by, for example, sputtering or thin film bonding. The light-shielding layer 13 may be made of Cr alone, Cr oxide, nitride, carbide, oxynitride, carbonitride, oxycarbonitride, or the like.

なお、この後、遮光層13が形成された位相シフトマスクブランクスMBを用いて位相シフトマスクMを形成する際には、フォトリソグラフィー工程S5によって、位相シフトマスクブランクスMBに所望の露光パターンを象った位相シフトパターン11Aを形成する。これによって、パーティクルが除去された、所望の露光パターンが正確に反映された高精度な位相シフトマスクMを得ることができる。   After that, when the phase shift mask M is formed using the phase shift mask blank MB on which the light shielding layer 13 is formed, a desired exposure pattern is formed on the phase shift mask blank MB by the photolithography step S5. The formed phase shift pattern 11A is formed. This makes it possible to obtain a high-precision phase shift mask M from which particles have been removed and on which a desired exposure pattern has been accurately reflected.

以上、本発明の実施形態を図面を参照して説明したが、これらの各実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら各実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、追加、ないし変更を行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   As described above, the embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings. However, each of these embodiments is presented as an example, and is not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in other various forms, and various omissions, replacements, additions, or changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention as well as in the inventions described in the claims and their equivalents.

本発明の効果を検証した。
検証にあたっては、図1に示すような、同一条件で形成した熱処理後の位相シフトマスクブランクスMB(試料)を14枚用意した。そして、これら試料を2枚一組として本発明例1〜6、および比較例1とし、表1の「オゾン水条件」に示すようにオゾン水のオゾン濃度と液温とを設定して、それぞれの条件のオゾン水で試料の洗浄を行った。
表1に、それぞれの試料における「洗浄前の透過率、位相差」、「洗浄後の透過率、位相差」「洗浄前と洗浄後の透過率および位相差の変化量」、「1組の試料ごとの変化量の平均」および「洗浄性」をそれぞれ示す。なお、洗浄性は、優、良、可、不可の4段階で評価した。
The effect of the present invention was verified.
In the verification, 14 heat-treated phase shift mask blanks MB (samples) formed under the same conditions as shown in FIG. 1 were prepared. Then, these samples were taken as a set of two sheets to be Examples 1 to 6 of the present invention and Comparative Example 1, and the ozone concentration and the liquid temperature of the ozone water were set as shown in “Ozone water conditions” in Table 1, and The sample was washed with ozone water under the following conditions.
Table 1 shows “transmittance and phase difference before washing”, “transmittance and phase difference after washing”, “changes in transmittance and phase difference before and after washing” and “one set of samples” in each sample. The average and the detergency of the amount of change for each sample are shown. In addition, the washability was evaluated in four grades: excellent, good, acceptable, and unacceptable.

Figure 0006674809
Figure 0006674809

表1に示す結果によれば、本発明例1〜6に示すオゾン濃度が40ppm〜124ppmの高濃度オゾン水を用いて洗浄を行った試料は、洗浄性が高いことが確認された。特に、オゾン濃度を124ppmにした本発明例1や、液温を50℃にした本発明例4、5は、パーティクルの洗浄効果が特に高いことが確認された。一方、比較例1に示すオゾン濃度が20ppmの低濃度オゾン水を用いて洗浄を行った試料は、洗浄性が低く、パーティクルが充分に除去されていなかった。
本発明の位相シフトマスクブランクスの製造方法によれば、パーティクルが少なく、かつ、透過率や位相差の変化が少ない位相シフトマスクブランクスを得ることができることが確認された。
According to the results shown in Table 1, a sample concentration of ozone in this invention Examples 1 to 6 were washed had use of high concentration ozone water 40ppm~124ppm, it was confirmed that high cleaning property. In particular, it was confirmed that Example 1 of the present invention in which the ozone concentration was set to 124 ppm and Examples 4 and 5 of the present invention in which the liquid temperature was 50 ° C. had a particularly high particle cleaning effect. On the other hand, in the sample shown in Comparative Example 1 which was washed using low-concentration ozone water having an ozone concentration of 20 ppm, the cleaning property was low and particles were not sufficiently removed.
According to the method for manufacturing a phase shift mask blank of the present invention, it was confirmed that a phase shift mask blank having few particles and little change in transmittance and phase difference can be obtained.

10 透明基板
11 位相シフト層
13 遮光層
20 洗浄装置
21 筐体
22 保持機構
23 噴射ノズル
24 オゾン水供給機構
25 制御部
26 ノズル移動手段
33 濃度計
MB 位相シフトマスクブランクス
W 高濃度オゾン水
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Transparent substrate 11 Phase shift layer 13 Light shielding layer 20 Cleaning device 21 Housing 22 Holding mechanism 23 Injection nozzle 24 Ozone water supply mechanism 25 Control part 26 Nozzle moving means 33 Densitometer MB Phase shift mask blanks W High concentration ozone water

Claims (6)

透明基板と、該透明基板の表面に形成された位相シフト層と、を有する位相シフトマスクブランクスの洗浄装置であって、
前記位相シフトマスクブランクスを回転させる回転手段と、前記位相シフトマスクブランクスの表面に対して所定の間隔を保ってオゾン濃度が40ppm以上の高濃度オゾン水を噴射する噴射ノズルと、前記噴射ノズルに、液温が40℃以上60℃以下の範囲の前記高濃度オゾン水を供給するオゾン水加熱手段と、を備えたことを特徴とする位相シフトマスクブランクスの洗浄装置。
A transparent substrate, a phase shift layer formed on the surface of the transparent substrate, a phase shift mask blank cleaning apparatus having a,
A rotating means for rotating the phase shift mask blank, an injection nozzle for injecting high-concentration ozone water having an ozone concentration of 40 ppm or more while maintaining a predetermined interval with respect to the surface of the phase shift mask blank, and the injection nozzle, An ozone water heating means for supplying the high-concentration ozone water having a liquid temperature in the range of 40 ° C. or more and 60 ° C. or less, and an apparatus for cleaning phase shift mask blanks.
前記噴射ノズルに、オゾン濃度が79ppm以上150ppm以下の範囲の前記高濃度オゾン水を供給するオゾン水供給手段を備えたことを特徴とする請求項1記載の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置。 2. The apparatus for cleaning phase shift mask blanks according to claim 1, wherein said spray nozzle is provided with an ozone water supply means for supplying said high concentration ozone water having an ozone concentration of 79 ppm or more and 150 ppm or less. 前記噴射ノズルを前記位相シフトマスクブランクスの表面に対して平行にスキャンさせるノズル移動手段を備えたことを特徴とする請求項1または2に一項記載の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置。 Cleaning device of the phase shift mask blank of claim 1 or 2, wherein one item, characterized in that a nozzle moving means for parallel scanning the jet nozzle to the surface of the phase shift mask blank. 前記噴射ノズルの先端と前記位相シフトマスクブランクスの表面との間隔は、5mm以上、20mm以下の範囲に設定されることを特徴とする請求項1ないしいずれか一項記載の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置。 The space between the tip of the injection nozzle and the surface of the phase shift mask blank is set in a range of 5 mm or more and 20 mm or less, The phase shift mask blank according to any one of claims 1 to 3 , wherein Cleaning equipment. 前記位相シフト層は、モリブデンシリサイドの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物及び酸化炭化窒化物のいずれかより構成されていることを特徴とする請求項1ないしいずれか一項記載の位相シフトマスクブランクスの洗浄装置。 Wherein the phase shift layer is an oxide of molybdenum silicide, nitride, carbide, oxynitride, claims 1, characterized in that it is composed of one of carbon nitride and oxide carbide nitride 3 any one The apparatus for cleaning a phase shift mask blank according to any one of the preceding claims. 透明基板と、該透明基板の表面に形成された位相シフト層と、を有する位相シフトマスクブランクスの製造方法であって、
前記透明基板上に前記位相シフト層を形成する位相シフト層形成工程と、
前記位相シフトマスクブランクスを加熱する加熱工程と、
前記位相シフトマスクブランクスを回転させつつ、前記位相シフトマスクブランクスの表面に対してオゾン濃度が40ppm以上で液温が40℃以上60℃以下の範囲の高濃度オゾン水を噴射し、前記位相シフト層を洗浄する洗浄工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする位相シフトマスクブランクスの製造方法。
A transparent substrate, a phase shift layer formed on the surface of the transparent substrate, a method for manufacturing a phase shift mask blanks, comprising:
A phase shift layer forming step of forming the phase shift layer on the transparent substrate,
A heating step of heating the phase shift mask blanks,
While rotating the phase shift mask blank , high-concentration ozone water having an ozone concentration of 40 ppm or more and a liquid temperature of 40 ° C. or more and 60 ° C. or less is jetted to the surface of the phase shift mask blank, And a cleaning step of cleaning the phase shift mask blanks.
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