KR101138195B1 - Connecting device, connecting method, testing apparatus and switch device - Google Patents

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Abstract

(과제) 제1 단자 및 제2 단자의 표면의 오염 및 산화막 등을 확실히 제거하고, 낮은 저항률로 접속한다.
(해결 수단) 제1 단자 및 제2 단자를 전기적으로 접속하는 접속 장치에 있어서, 제1 단자 및 제2 단자의 사이에 도전성의 복수의 자성 입자를 유지하는 유지부와, 제1 단자 및 제2 단자의 사이에 진동하는 자계를 주고, 복수의 자성 입자를 제1 단자 및 제2 단자의 대향 방향으로 정렬시켜, 제1 단자 및 제2 단자의 적어도 일방을 복수의 자성 입자에 의해 연마시키는 자계 발생부를 포함하는 접속 장치를 제공한다.(Problem) Contamination, oxide film, etc. of the surface of a 1st terminal and a 2nd terminal are removed reliably, and it connects with low resistivity.
(Solution means) A connecting device for electrically connecting a first terminal and a second terminal, comprising: a holding part for holding a plurality of conductive magnetic particles between the first terminal and the second terminal, and a first terminal and a second terminal. Magnetic field generation which gives a magnetic field oscillating between terminals, arrange | positions a some magnetic particle in the opposing direction of a 1st terminal and a 2nd terminal, and grinds at least one of a 1st terminal and a 2nd terminal by a some magnetic particle. It provides a connection device including a portion.

Description

접속 장치, 접속 방법, 시험 장치 및 스위치 장치{CONNECTING DEVICE, CONNECTING METHOD, TESTING APPARATUS AND SWITCH DEVICE}CONNECTING DEVICE, CONNECTING METHOD, TESTING APPARATUS AND SWITCH DEVICE}

본 발명은, 접속 장치, 접속 방법, 시험 장치 및 스위치 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a connection device, a connection method, a test device, and a switch device.

반도체 웨이퍼에 형성된 디바이스를 시험하는 시험 장치는, 프로브를 통해서 반도체 웨이퍼 상에 형성된 패드와 전기적으로 접속한다(특허 문헌 1). 이러한 시험 장치는, 프로브를 패드에 접촉시키는 경우에, 프로브의 선단을 패드에 가압함으로써 패드의 표면을 연마(스크러브)한다. 이에 의해, 시험 장치에서는, 패드의 표면의 오염 및 산화막 등을 제거하고, 프로브와 패드 사이의 접촉 저항을 작게 한다.The test apparatus for testing a device formed on a semiconductor wafer is electrically connected to a pad formed on the semiconductor wafer via a probe (Patent Document 1). Such a test apparatus polishes (scrubs) the surface of the pad by pressing the tip of the probe against the pad when the probe is in contact with the pad. As a result, in the test apparatus, contamination of the surface of the pad, oxide film, and the like are removed, and the contact resistance between the probe and the pad is reduced.

일본 특허 공개 공보 제2007-225501호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2007-225501

그런데, 저유전율의 반도체 웨이퍼는, 강도가 비교적으로 약하다. 따라서, 이러한 반도체 웨이퍼를 시험하는 시험 장치는, 충분히 강한 힘으로 프로브의 선단을 패드에 가압할 수 없다. 이로부터, 이러한 반도체 웨이퍼를 시험하는 시험 장치는, 패드의 표면의 오염 및 산화막 등을 제거하여 프로브와 패드의 접촉 저항을 충분히 작게 하는 것이 곤란했다.By the way, the low dielectric constant semiconductor wafer has comparatively weak strength. Therefore, the test apparatus for testing such a semiconductor wafer cannot press the tip of the probe to the pad with a sufficiently strong force. From this, it was difficult for the test apparatus for testing such a semiconductor wafer to sufficiently reduce the contact resistance between the probe and the pad by removing contamination of the surface of the pad, oxide film, and the like.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제1 태양에서는, 제1 단자 및 제2 단자를 전기적으로 접속하는 접속 장치에 있어서, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 사이에 도전성의 복수의 자성 입자를 유지하는 유지부와, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 사이에 진동하는 자계를 주고, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 적어도 일방을 상기 복수의 자성 입자에 의해 연마시키는 자계 발생부를 포함하는 접속 장치, 접속 방법 및 시험 장치를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, in the 1st aspect of this invention, in the connection device which electrically connects a 1st terminal and a 2nd terminal, several electroconductive magnetic particle between the said 1st terminal and said 2nd terminal. And a magnetic field generating portion for giving a vibrating magnetic field between the first terminal and the second terminal and polishing at least one of the first terminal and the second terminal with the plurality of magnetic particles. Provided are a connecting device, a connecting method, and a test device.

본 발명의 제2 태양에서는, 제1 단자 및 제2 단자를 전기적으로 접속하는 접속 장치에 있어서, 상기 제1 단자에 전기적으로 접속된 접촉자와, 상기 접촉자에 장착된 자성체와, 상기 접촉자를 상기 제2 단자에 접촉시킨 상태로 상기 자성체에 진동하는 자계를 주고, 상기 단자를 상기 접촉자에 의해 연마시키는 자계 발생부를 포함하는 접속 장치를 제공한다.In the second aspect of the present invention, in the connecting device for electrically connecting the first terminal and the second terminal, the contactor electrically connected to the first terminal, the magnetic body attached to the contactor, and the contactor Provided is a connecting device including a magnetic field generating portion which gives a magnetic field oscillating to the magnetic body in contact with two terminals and polishes the terminal by the contactor.

본 발명의 제3 태양에서는, 제1 단자 및 제2 단자의 사이의 전기적인 접속을 전환하는 스위치 장치에 있어서, 인가되는 자계에 따른 형상으로 변화하는 도전성의 자성 유체와, 상기 제2 단자에 대향하는 위치에 배치되어, 상기 자성 유체를 내부로 유지하고, 상기 제1 단자에 전기적으로 접속된 수납부와, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자를 전기적으로 접속하는 경우에, 상기 수납부 및 상기 제2 단자의 대향 방향의 자계를 상기 자성 유체에 인가하는 자계 발생부를 포함하는 스위치 장치를 제공한다.In the third aspect of the present invention, in a switch device for switching an electrical connection between a first terminal and a second terminal, a conductive magnetic fluid that changes in a shape corresponding to an applied magnetic field is opposed to the second terminal. The accommodating portion and the accommodating portion when the magnetic fluid is kept inside and electrically connected to the accommodating portion electrically connected to the first terminal, and the first terminal and the second terminal. It provides a switch device including a magnetic field generating portion for applying a magnetic field in the opposite direction of the second terminal to the magnetic fluid.

덧붙여, 상기의 발명의 개요는, 본 발명의 필요한 특징의 모두를 열거한 것은 아니다. 또한, 이러한 특징군의 서브 콤비네이션도 또한 발명이 될 수 있다.In addition, the summary of the said invention does not enumerate all of the required features of this invention. In addition, subcombinations of these groups of features may also be invented.

도 1은, 본 실시 형태에 관한 시험 장치(10)의 구성을 피시험 웨이퍼(100)와 함께 도시한다.
도 2는, 본 실시 형태에 관한 시험 장치(10)가 구비한 구성의 접속 관계를 피시험 웨이퍼(100)와 함께 도시한다.
도 3은, 자계를 발생하고 있지 않는 상태에서의, 접속 장치(30)의 구성의 일례를 시험용 기판(20) 및 피시험 웨이퍼(100)와 함께 도시한다.
도 4는, 자계를 발생하고 있는 상태에서의, 접속 장치(30)의 구성의 일례를 시험용 기판(20) 및 피시험 웨이퍼(100)와 함께 도시한다.
도 5는, 자계가 주어지지 않은 경우의 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다.
도 6은, 자계 발생부(52)로부터 주어지는 자계의 일례 및 자계 발생부(52)로부터 자계를 받았을 경우의 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다.
도 7은, 자계 발생부(52)로부터 주어지는 진동하는 자계의 일례 및 자계 발생부(52)로부터 진동하는 자계를 받았을 경우의 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다.
도 8은, 통전하고 있는 경우의 복수의 자성 입자(60) 상태의 일례를 나타낸다.
도 9는, 비접속인 경우에 자계 발생부(52)로부터 주어지는 자계의 일례 및 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다.
도 10은, 본 실시 형태의 제1 변형례에 관한 스위치 장치(70)의 접속 상태의 구성을, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)와 함께 도시한다.
도 11은, 본 실시 형태의 제1 변형례에 관한 스위치 장치(70)의 비접속 상태의 구성을, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)와 함께 도시한다.
도 12는, 본 실시 형태의 제2 변형례에 관한 접속 장치(30)의 구성을, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)와 함께 도시한다. FIG. 1: shows the structure of the test apparatus 10 which concerns on this embodiment with the wafer 100 under test.
2 shows the connection relationship of the configuration included in the test apparatus 10 according to the present embodiment together with the wafer under test 100.
3 shows an example of the configuration of the connection device 30 together with the test substrate 20 and the wafer under test 100 in a state where no magnetic field is generated.
4 shows an example of the configuration of the connection device 30 in the state of generating the magnetic field together with the test substrate 20 and the wafer under test 100.
5 shows an example of the state of the plurality of magnetic particles 60 when no magnetic field is given.
6 shows an example of the magnetic field given from the magnetic field generating unit 52 and an example of the state of the plurality of magnetic particles 60 when the magnetic field is received from the magnetic field generating unit 52.
7 shows an example of a vibrating magnetic field given from the magnetic field generating unit 52 and an example of a state of the plurality of magnetic particles 60 when receiving a vibrating magnetic field from the magnetic field generating unit 52.
8 shows an example of the state of the plurality of magnetic particles 60 when energized.
9 shows an example of the magnetic field given from the magnetic field generating unit 52 and an example of the state of the plurality of magnetic particles 60 in the case of non-connection.
FIG. 10: shows the structure of the connection state of the switch apparatus 70 which concerns on the 1st modified example of this embodiment with the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42. FIG.
FIG. 11: shows the structure of the non-connection state of the switch apparatus 70 which concerns on the 1st modification of this embodiment with the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42. FIG.
FIG. 12: shows the structure of the connection device 30 which concerns on the 2nd modified example of this embodiment with the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42. FIG.

이하, 발명의 실시의 형태를 통해서 본 발명을 설명하지만, 이하의 실시 형태는 청구의 범위에 걸리는 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 실시 형태 중에서 설명되는 특징의 조합의 모두가 발명의 해결 수단에 필수라고는 할 수 없다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although this invention is demonstrated through embodiment of invention, the following embodiment does not limit the invention based on a claim. Moreover, not all of the combination of the characteristics demonstrated in embodiment is essential to the solution means of this invention.

도 1은, 본 실시 형태에 관한 시험 장치(10)의 구성을 피시험 웨이퍼(100)와 함께 도시한다. 도 2는, 본 실시 형태에 관한 시험 장치(10)가 구비한 구성의 접속 관계를 피시험 웨이퍼(100)와 함께 도시한다.FIG. 1: shows the structure of the test apparatus 10 which concerns on this embodiment with the wafer 100 under test. 2 shows the connection relationship of the configuration included in the test apparatus 10 according to the present embodiment together with the wafer under test 100.

시험 장치(10)는, 피시험 웨이퍼(100)를 시험한다. 더욱 상세하게는, 피시험 웨이퍼(100)에 형성된 피시험 디바이스(110)를 시험한다.The test apparatus 10 tests the wafer under test 100. More specifically, the device under test 110 formed on the wafer under test 100 is tested.

시험 장치(10)는, 시험부(12)와, 시험용 기판(20)과, 접속 장치(30)를 구비한다. 시험부(12)는, 피시험 디바이스(110)를 시험하기 위한 시험 신호를 발생한다. 또한, 시험부(12)는, 피시험 디바이스(110)으로부터 출력된 응답 신호를 기대치와 비교하여 피시험 디바이스(110)의 양부를 판정한다.The test apparatus 10 includes a test unit 12, a test substrate 20, and a connection device 30. The test unit 12 generates a test signal for testing the device under test 110. In addition, the test part 12 compares the response signal output from the device under test 110 with an expected value, and determines the quality of the device under test 110.

시험용 기판(20)은, 시험부(12)에 의해 발생된 시험 신호를 피시험 디바이스(110)에게 준다. 더욱이, 시험용 기판(20)은, 피시험 디바이스(110)로부터 출력 된 응답 신호를 시험부(12)에게 준다.The test substrate 20 gives a test signal generated by the test section 12 to the device under test 110. In addition, the test substrate 20 gives the test unit 12 a response signal output from the device under test 110.

시험용 기판(20)은, 예를 들면, 박판 형상이어도 된다. 시험용 기판(20)은, 반도체 웨이퍼이어도 된다. 시험용 기판(20)가 반도체 웨이퍼이면, 시험부(12)는, 시험용 기판(20)의 내부에 형성되어도 된다.The test substrate 20 may be, for example, a thin plate shape. The test substrate 20 may be a semiconductor wafer. If the test substrate 20 is a semiconductor wafer, the test part 12 may be formed inside the test substrate 20.

접속 장치(30)는, 시험용 기판(20)과 피시험 웨이퍼(100)의 사이를 전기적으로 접속한다. 더욱 구체적으로는, 접속 장치(30)는, 시험용 기판(20)에 설치된 제1 단자(41) 및 피시험 웨이퍼(100)에 설치된 제2 단자(42)를 전기적으로 접속한다. 접속 장치(30)는, 일례로서, 시험용 기판(20)에 설치된 복수의 제1 단자(41)의 각각과, 피시험 웨이퍼(100)에 설치된 복수의 제2 단자(42)의 각각을, 일대일로 접속하여도 된다.The connection device 30 electrically connects between the test substrate 20 and the wafer under test 100. More specifically, the connection device 30 electrically connects the first terminal 41 provided on the test substrate 20 and the second terminal 42 provided on the wafer under test 100. As an example, the connection device 30 is one-to-one for each of the plurality of first terminals 41 provided on the test substrate 20 and each of the plurality of second terminals 42 provided on the wafer under test 100. You may connect with.

도 3 및 도 4는, 접속 장치(30)의 구성의 일례를, 시험용 기판(20) 및 피시험 웨이퍼(100)와 함께 도시한다. 덧붙여, 도 3은 자계를 발생하고 있지 않는 상태에서의 접속 장치(30)의 구성의 일례를 나타낸다. 또한, 도 4는, 자계를 발생하고 있는 상태에서의 접속 장치(30)의 구성의 일례를 나타낸다.3 and 4 show an example of the configuration of the connection device 30 together with the test substrate 20 and the wafer under test 100. 3 shows an example of the structure of the connection apparatus 30 in the state which does not generate a magnetic field. 4 shows an example of the configuration of the connection device 30 in the state of generating the magnetic field.

접속 장치(30)는, 유지부(50)와, 자계 발생부(52)를 가진다. 유지부(50)는, 일례로서, 박판 형상이며, 시험시에 있어서 시험용 기판(20)과 피시험 웨이퍼(100)의 사이에 끼워진다. 즉, 유지부(50)는, 일방의 표면에 시험용 기판(20)이, 접속되고 타방의 표면에 피시험 웨이퍼(100)가 접속된다.The connection device 30 has a holding unit 50 and a magnetic field generating unit 52. As an example, the holding part 50 has a thin plate shape and is sandwiched between the test substrate 20 and the wafer under test 100 at the time of testing. That is, the holding part 50 is connected with the test substrate 20 to one surface, and the wafer under test 100 is connected to the other surface.

그리고, 유지부(50)는, 시험용 기판(20)의 제1 단자(41) 및 피시험 웨이퍼(100)의 제2 단자(42)의 사이에 도전성의 복수의 자성 입자(60)를 유지한다. 더욱 상세하게는, 유지부(50)는, 대향하는 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이의 위치에 복수의 자성 입자(60)를 높은 밀도로 유지하고, 대향하는 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이의 이외의 위치에 복수의 자성 입자(60)를 낮은 밀도로 유지 한다.The holding unit 50 holds a plurality of conductive magnetic particles 60 between the first terminal 41 of the test substrate 20 and the second terminal 42 of the wafer under test 100. . In more detail, the holding | maintenance part 50 hold | maintains the several magnetic particle 60 in high density in the position between the opposing 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42, and opposes the 1st The plurality of magnetic particles 60 are held at a low density at positions other than between the terminal 41 and the second terminal 42.

도전성의 자성 입자(60)는, 일례로서 니켈 등의 강자성체의 입자이어도 된다. 자성 입자(60)의 직경은, 제1 단자(41) 또는 제2 단자(42)의 평면 형상과 같거나 또는 그 이하의 크기여도 좋다.The conductive magnetic particles 60 may be, for example, particles of ferromagnetic bodies such as nickel. The diameter of the magnetic particles 60 may be the same as or smaller than the planar shape of the first terminal 41 or the second terminal 42.

또한, 유지부(50)는, 복수의 자성 입자(60)를 유지부(50) 내에서 이동 가능하게 유지한다. 유지부(50)는, 일례로서, 실리콘 고무 등의 탄성을 가지는 재료로부터 형성되어 해당 탄력성을 가지는 재료 내에 복수의 자성 입자(60)를 유지하여도 된다. 또한, 유지부(50)는, 젤 상태의 재료로부터 형성되어 해당 젤 내에 복수의 자성 입자(60)를 유지하여도 된다.In addition, the holding unit 50 holds the plurality of magnetic particles 60 to be movable within the holding unit 50. As an example, the holding part 50 may be formed from a material having elasticity such as silicone rubber to hold the plurality of magnetic particles 60 in the material having the elasticity. In addition, the holding part 50 may be formed from the material of a gel state, and may hold | maintain the some magnetic particle 60 in the said gel.

따라서, 복수의 자성 입자(60)는, 유지부(50)의 두께 방향(제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 대향 방향에 대응하는 방향)의 자계를 외부로부터 받으면, 자속에 따른 방향으로 정렬한다. 그리고, 이와 같이 정렬한 복수의 자성 입자(60)는, 유지부(50)의 두께 방향의 표면 사이를 도통시킬 수 있다. 즉, 이와 같이 정렬한 복수의 자성 입자(60)는, 유지부(50)의 일방의 면과 타방의 면의 사이를 도통시킬 수 있다.Therefore, when the plurality of magnetic particles 60 receive a magnetic field in the thickness direction (direction corresponding to the opposing directions of the first terminal 41 and the second terminal 42) of the holding part 50 from the outside, Align in the direction of In addition, the plurality of magnetic particles 60 aligned in this manner can conduct electrical conduction between surfaces in the thickness direction of the holding part 50. That is, the plurality of magnetic particles 60 aligned in this manner can conduct electrical conduction between one surface of the holding part 50 and the other surface.

또한, 복수의 자성 입자(60)는, 외부로부터 자계를 받지 않은 상태에 있어서, 잔류 자화를 갖지 않는 상태에서는, 유지부(50)의 일방의 면과 타방의 면의 사이를 비도통으로 한다. 유지부(50)는, 일례로서, 특허 제3152166호 명세서에 나타나는 바와 같은, 이방 도전성 시트이어도 된다.In addition, in the state which does not receive a magnetic field from the exterior, the some magnetic particle 60 makes non-conduction between one surface of the holding | maintenance part 50, and the other surface. As an example, the holding part 50 may be an anisotropic conductive sheet, as shown in the specification of Japanese Patent No. 3152166.

또한, 일례로서, 정렬한 상태의 복수의 자성 입자(60)의 두께 방향의 길이는, 자계를 받지 않은 상태에서의 유지부(50)의 두께보다 길어져도 된다. 즉, 일례로서, 유지부(50)는, 복수의 자성 입자(60)가 정렬하고 있는 부분이, 다른 부분과 비교하여 두꺼워져도 된다.In addition, as an example, the length in the thickness direction of the plurality of magnetic particles 60 in the aligned state may be longer than the thickness of the holding part 50 in a state without receiving a magnetic field. That is, as an example, the holding part 50 may thicken the part which the some magnetic particle 60 arrange | positions compared with another part.

자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이의 공간에, 유지부(50)의 두께 방향(즉, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 대향 방향)의 자계를 준다. 또한, 자계 발생부(52)는, 이와 같이 준 자계를, 두께 방향으로 직교하는 방향(즉, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 대향 방향으로 직교하는 방향)으로 진동시킨다. 또한, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 대향 방향으로, 자계 반전을 포함한 진동하는 자계를 주어도 된다.The magnetic field generating unit 52 is formed in the space between the first terminal 41 and the second terminal 42 in the thickness direction of the holding unit 50 (that is, the first terminal 41 and the second terminal 42). Magnetic field in the opposite direction). In addition, the magnetic field generating unit 52 vibrates the quasi-magnetic field in this manner in a direction orthogonal to the thickness direction (that is, a direction orthogonal to the opposing directions of the first terminal 41 and the second terminal 42). In addition, the magnetic field generating unit 52 may give a vibrating magnetic field including magnetic field reversal in the opposing directions of the first terminal 41 and the second terminal 42.

자계 발생부(52)는, 일례로서, 일부에 갭을 가지는 요크(62)와, 요크(62)에 의해 형성된 자기 회로에 자속을 발생시키는 코일(64)을 포함한다. 그리고, 이러한 자계 발생부(52)는, 요크(62)의 갭 중에, 중첩된 시험용 기판(20), 유지부(50) 및 피시험 웨이퍼(100)가 삽입되고, 더하여, 갭 중의 자속을 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이의 공간에 통과시키도록 위치 조정된다. 이에 의해, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이의 공간에, 유지부(50)의 두께 방향의 자계를 줄 수 있다.As an example, the magnetic field generating unit 52 includes a yoke 62 having a gap in a portion thereof, and a coil 64 that generates magnetic flux in a magnetic circuit formed by the yoke 62. In the magnetic field generating unit 52, a superimposed test substrate 20, a holding unit 50, and a wafer under test 100 are inserted into the gap of the yoke 62, and the magnetic flux in the gap is removed. The position is adjusted so as to pass through the space between the first terminal 41 and the second terminal 42. Thereby, the magnetic field generation part 52 can give a magnetic field of the thickness direction of the holding | maintenance part 50 to the space between the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42. FIG.

또한, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이에 인가한 자계의 발생 위치를, 유지부(50)의 두께 방향과 직교하는 방향으로 진동시킨다. 자계 발생부(52)는, 일례로서, 유지부(50)의 두께 방향과 직교하는 방향의 진동 자계를 추가함으로써, 자계의 발생 위치를 진동시켜도 된다. 자계 발생부(52)는, 일례로서, 요크(62) 자체를, 유지부(50)의 두께 방향과 직교하는 방향으로 물리적으로 진동시켜도 된다.In addition, the magnetic field generator 52 vibrates the generating position of the magnetic field applied between the first terminal 41 and the second terminal 42 in a direction perpendicular to the thickness direction of the holding part 50. As an example, the magnetic field generating unit 52 may vibrate the generated position of the magnetic field by adding a vibrating magnetic field in a direction orthogonal to the thickness direction of the holding unit 50. As an example, the magnetic field generating unit 52 may physically vibrate the yoke 62 itself in a direction orthogonal to the thickness direction of the holding unit 50.

도 5는, 자계가 주어지지 않은 경우의 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다. 유지부(50)는, 시험용 기판(20)과 피시험 웨이퍼(100)의 사이에 끼워져 시험용 기판(20)과 피시험 웨이퍼(100)를 물리적으로 접속한다. 이 경우에 있어서, 유지부(50)는, 시험용 기판(20)에 설치된 제1 단자(41)과 피시험 웨이퍼(100)에 설치된 제2 단자(42)의 사이에, 복수의 자성 입자(60)를 집중하여 유지한다.5 shows an example of the state of the plurality of magnetic particles 60 when no magnetic field is given. The holding part 50 is sandwiched between the test substrate 20 and the test wafer 100 to physically connect the test substrate 20 and the test wafer 100. In this case, the holding part 50 has a plurality of magnetic particles 60 between the first terminal 41 provided on the test substrate 20 and the second terminal 42 provided on the wafer under test 100. ) To stay focused.

도 6은, 자계 발생부(52)로부터 주어지는 자계의 일례 및 자계 발생부(52)로부터 자계를 받았을 경우의 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다. 계속하여, 유지부(50)가 시험용 기판(20) 및 피시험 웨이퍼(100)를 물리적으로 접속한 후, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이의 공간에, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 대향 방향(즉, 유지부(50)의 두께 방향)의 자계를 인가한다. 이에 의해, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이에 집중하여 유지되고 있는 복수의 자성 입자(60)를, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 대향 방향으로 정렬되게 할 수 있다.6 shows an example of the magnetic field given from the magnetic field generating unit 52 and an example of the state of the plurality of magnetic particles 60 when the magnetic field is received from the magnetic field generating unit 52. Subsequently, after the holding unit 50 physically connects the test substrate 20 and the wafer under test 100, the magnetic field generating unit 52 is formed of the first terminal 41 and the second terminal 42. The magnetic field of the opposing direction (namely, the thickness direction of the holding | maintenance part 50) of the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42 is applied to the space between. As a result, the magnetic field generating unit 52 concentrates the plurality of magnetic particles 60 held between the first terminal 41 and the second terminal 42 to the first terminal 41 and the second. It can be made to align in the opposite direction of the terminal 42.

여기에서, 정렬한 복수의 자성 입자(60)는, 유지부(50)의 두께 방향의 길이가, 자계를 받지 않은 상태의 유지부(50)의 두께보다 길다. 따라서, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 각각에는, 정렬한 복수의 자성 입자(60)에 의해, 유지부(50) 측에서의 힘이 더해진다.Here, the length of the thickness direction of the holding | maintenance part 50 of the aligned several magnetic particle 60 is longer than the thickness of the holding | maintenance part 50 in the state which does not receive a magnetic field. Therefore, the force in the holding part 50 side is added to each of the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42 by the some magnetic particle 60 which aligned.

도 7은, 자계 발생부(52)로부터 주어지는 진동하는 자계의 일례 및 자계 발생부(52)로부터 진동하는 자계를 받았을 경우의 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다. 계속하여, 자계 발생부(52)는, 대향 방향으로 인가하는 자계의 발생 위치를, 해당 대향 방향과 직교하는 방향으로 진동시킨다. 이와 같이, 자계의 발생 위치를 진동시키면, 정렬한 복수의 자성 입자(60)도 해당 대향 방향과 직교하는 방향으로 진동한다.7 shows an example of a vibrating magnetic field given from the magnetic field generating unit 52 and an example of a state of the plurality of magnetic particles 60 when receiving a vibrating magnetic field from the magnetic field generating unit 52. Subsequently, the magnetic field generating unit 52 vibrates the generating position of the magnetic field applied in the opposite direction in a direction orthogonal to the opposite direction. As described above, when the generated position of the magnetic field is vibrated, the aligned plurality of magnetic particles 60 also vibrate in a direction orthogonal to the opposite direction.

여기에서, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 각각에는, 정렬한 복수의 자성 입자(60)에 의해 유지부(50) 측으로부터 힘이 더해진다. 따라서, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이에 대향 방향과 직교하는 방향으로 진동하는 자계를 주는 것에 의해, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)를 정렬시킨 복수의 자성 입자(60)에 의해 연마시킬 수 있다. 이에 의해, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 표면의 오염 및 산화막 등을 제거할 수 있다.Here, a force is added to each of the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42 from the holding part 50 side by the some magnetic particle 60 which aligned. Therefore, the magnetic field generating part 52 gives the magnetic field which vibrates in the direction orthogonal to a opposing direction between the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42, and the 1st terminal 41 and the 2nd The terminal 42 can be polished by the plurality of magnetic particles 60 aligned. Thereby, the magnetic field generation part 52 can remove the contamination, the oxide film, etc. on the surface of the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42. FIG.

또한, 이 경우에 있어서, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이에, 대향 방향의 자계(도 7의 점선 방향의 자계)로서 자계 반전을 포함한 진동하는 자계를 주어도 된다. 이에 의해, 자계 발생부(52)는, 자계 반전시에 있어서 자성 입자(60)의 잔류 자화를 작게 할 수 있으므로, 직교 방향으로 자성 입자(60)를 이동시키는 힘을 크게 할 수 있다. 이에 의해, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 표면의 오염 및 산화막 등을 제거하는 연마력을 크게 할 수 있다.In this case, the magnetic field generating unit 52 includes magnetic field inversion as the magnetic field in the opposite direction (the magnetic field in the dotted line direction in FIG. 7) between the first terminal 41 and the second terminal 42. You may give a vibrating magnetic field. Thereby, since the magnetic field generation part 52 can make small the residual magnetization of the magnetic particle 60 at the time of magnetic field reversal, the force which moves the magnetic particle 60 in a orthogonal direction can be enlarged. Thereby, the magnetic field generation part 52 can enlarge the grinding | polishing force which removes the contamination of the surface of the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42, an oxide film, etc., and the like.

도 8은, 통전하고 있는 경우의 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다. 자계 발생부(52)는, 정렬시킨 복수의 자성 입자(60)의 진동을, 미리 정해진 시간 경과 후에 정지한다. 이에 의해, 정렬된 복수의 자성 입자(60)는, 제1 단자(41)와 제2 단자(42)의 사이를 전기적으로 접속할 수 있다. 그리고, 이러한 상태에서, 시험 장치(10)는, 피시험 웨이퍼(100)를 시험할 수 있다.8 shows an example of the state of the plurality of magnetic particles 60 when energized. The magnetic field generating unit 52 stops the vibration of the plurality of aligned magnetic particles 60 after a predetermined time elapses. Thereby, the aligned several magnetic particle 60 can electrically connect between the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42. FIG. In this state, the test apparatus 10 can test the wafer under test 100.

또한, 이 경우에 있어서, 자계 발생부(52)는, 대향 방향으로 정(靜)자장을 인가하고, 복수의 자성 입자(60)를 정렬시킨다. 무엇보다, 자계 발생부(52)는, 복수의 자성 입자(60)에 의한 정렬 상태를 정렬시킨 후에, 정렬 상태가 잔류 자화에 의해 붕과되지 않는 경우에는, 대향 방향의 자계의 발생을 정지하여도 된다.In this case, the magnetic field generating unit 52 applies a positive magnetic field in the opposite direction to align the plurality of magnetic particles 60. Above all, the magnetic field generating unit 52 stops the generation of the magnetic field in the opposite direction when the alignment state is not disintegrated by the residual magnetization after aligning the alignment state by the plurality of magnetic particles 60. You may also

도 9는, 비접속으로 하는 경우에 자계 발생부(52)로부터 주어지는 자계의 일례 및 복수의 자성 입자(60)의 상태의 일례를 나타낸다. 시험 종료 후, 접속 장치(30)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)를 전기적으로 접속한 상태로부터 비접속 상태로 천이시킨다. 이 경우에 있어서, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 대향 방향의 자계를 감쇠 진동시킨다.9 shows an example of the magnetic field given from the magnetic field generating unit 52 and an example of the state of the plurality of magnetic particles 60 when the connection is not made. After completion of the test, the connecting device 30 causes the first terminal 41 and the second terminal 42 to transition from the electrically connected state to the unconnected state. In this case, the magnetic field generating unit 52 attenuates and vibrates the magnetic field in the opposite direction between the first terminal 41 and the second terminal 42.

이에 의해, 자계 발생부(52)는, 복수의 자성 입자(60)의 잔류 자화를 소자(消磁)할 수 있다. 또한, 자계 발생부(52)는, 자성 입자(60)와 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)가 결합하고 있었을 경우에는, 해당 결합을 풀 수 있다.As a result, the magnetic field generating unit 52 can element the residual magnetization of the plurality of magnetic particles 60. In addition, when the magnetic particle 60, the 1st terminal 41, and the 2nd terminal 42 were couple | bonded, the magnetic field generation part 52 can loosen | couple the said coupling | bonding.

이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 접속 장치(30)에 의하면, 시험용 기판(20)에 설치된 제1 단자(41)와 피시험 웨이퍼(100)에 설치된 제2 단자(42)의 사이를 전기적으로 접속할 수 있다. 또한, 접속 장치(30)에 의하면, 접속 시에 있어서, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 표면의 오염 및 산화막 등을 확실히 제거할 수 있다. 이에 의해, 접속 장치(30)에 의하면, 제1 단자(41)와, 예를 들면, 비교적으로 강도의 약한 저유전율의 반도체 웨이퍼에 형성된 제2 단자(42)의 사이를, 낮은 저항률로 접속할 수 있다.As described above, according to the connecting device 30 according to the present embodiment, the first terminal 41 provided on the test substrate 20 and the second terminal 42 provided on the wafer under test 100 are electrically connected. I can connect it. In addition, according to the connection device 30, it is possible to reliably remove the contamination, the oxide film, and the like on the surfaces of the first terminal 41 and the second terminal 42 at the time of connection. Thereby, according to the connection device 30, it can connect between the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42 formed in the semiconductor wafer of comparatively low strength low dielectric constant, for example with low resistivity. have.

덧붙여, 피시험 웨이퍼(100)와 시험용 기판(20)의 사이에 유지부(50)가 물리적으로 충분한 압력으로 끼워져 있으면, 유지부(50) 내의 자성 입자(60)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 표면에 대해서 접촉 압력을 줄 수 있다. 따라서, 이러한 경우, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 대향 방향으로 복수의 자성 입자(60)를 정렬시키지 않고, 직교 방향(도 7 중의 실선의 방향)으로 진동하는 자계를 주어도 된다. 이와 같이 하여도, 접속 장치(30)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 표면의 오염 및 산화막 등을 제거할 수 있다.In addition, if the holding part 50 is interposed between the wafer under test 100 and the test substrate 20 at a physically sufficient pressure, the magnetic particles 60 in the holding part 50 are separated from the first terminal 41. And a contact pressure may be applied to the surface of the second terminal 42. Therefore, in this case, the magnetic field generating unit 52 does not align the plurality of magnetic particles 60 in the opposing directions of the first terminal 41 and the second terminal 42, but in the orthogonal direction (solid line in FIG. 7). Direction) may be given a magnetic field that vibrates. Even in this way, the connection device 30 can remove the contamination, the oxide film, and the like on the surfaces of the first terminal 41 and the second terminal 42.

또한, 자계 발생부(52)는, 대향 방향(도 7중의 점선의 방향)으로만 자계 반전을 포함한 진동하는 자계를 주고, 직교 방향(도 7중 의 실선의 방향)으로 진동하는 자계를 주지 않아도 된다. 이와 같이 하여도, 접속 장치(30)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 표면의 오염 및 산화막 등을 제거할 수 있는 경우가 있다.In addition, the magnetic field generating unit 52 gives a vibrating magnetic field including the magnetic field reversal only in the opposite direction (the direction of the dotted line in FIG. 7), and does not give the magnetic field vibrating in the orthogonal direction (the direction of the solid line in FIG. 7). do. Even in this way, the connection device 30 may remove the contamination, the oxide film, and the like on the surfaces of the first terminal 41 and the second terminal 42 in some cases.

도 10 및 도 11은, 본 실시 형태의 제1 변형례에 관한 스위치 장치(70)의 구성을, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)와 함께 도시한다. 또한, 본 변형례에 관한 스위치 장치(70)는, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 본 실시 형태에 관한 접속 장치(30)와 실질적으로 동일한 구성 및 기능을 채용하므로, 본 실시 형태에 관한 접속 장치(30)가 구비하는 부재와 실질적으로 동일한 구성 및 기능의 부재에 동일한 부호를 부여하고, 이하 상이점을 제외하고는 설명을 생략한다.10 and 11 show the configuration of the switch device 70 according to the first modification example of the present embodiment together with the first terminal 41 and the second terminal 42. In addition, since the switch apparatus 70 which concerns on this modification adopts the structure and function substantially the same as the connection apparatus 30 which concerns on this embodiment demonstrated with reference to FIGS. 1-9, it is the connection which concerns on this embodiment. The same code | symbol is attached | subjected to the member of the structure and function substantially the same as the member with which the apparatus 30 is equipped, and description is abbreviate | omitted except a difference hereafter.

본 변형례에 관한 스위치 장치(70)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이의 전기적인 접속을 전환한다. 스위치 장치(70)는, 자성 유체(72)와, 수납부(74)와, 지지부(76)와, 자계 발생부(52)를 가진다.The switch device 70 according to the present modification switches the electrical connection between the first terminal 41 and the second terminal 42. The switch device 70 includes a magnetic fluid 72, a housing 74, a support 76, and a magnetic field generator 52.

자성 유체(72)는, 인가되는 자계에 따른 형상으로 변화한다. 즉, 자성 유체(72)는, 자속에 따른 형상으로 변형한다. 또한, 자성 유체(72)는, 도전성을 가진다. 자성 유체(72)는, 일례로서, 자속의 방향에 따라 정렬을 하는 복수의 자성 입자(60)이어도 된다.The magnetic fluid 72 changes into a shape corresponding to the applied magnetic field. That is, the magnetic fluid 72 deforms into a shape corresponding to the magnetic flux. In addition, the magnetic fluid 72 has conductivity. As an example, the magnetic fluid 72 may be a plurality of magnetic particles 60 that are aligned along the direction of the magnetic flux.

수납부(74)는, 제2 단자(42)에 대향하는 위치에 배치되어, 자성 유체(72)를 내부에 유지한다. 더욱이, 수납부(74)는, 도전성의 부재에 의해 형성되어 제1 단자(41)에 전기적으로 접속된다.The storage part 74 is arrange | positioned in the position which opposes the 2nd terminal 42, and hold | maintains the magnetic fluid 72 inside. Furthermore, the housing portion 74 is formed of a conductive member and electrically connected to the first terminal 41.

수납부(74)는, 일례로서 도전성의 저부(77)를 가지는 통 형상의 부재이며, 저부(77)의 안쪽이 제2 단자(42)에 대향하도록 배치된다. 또한, 저부(77)는, 배선(78)을 통해서 제1 단자(41)에 전기적으로 접속된다.The storage part 74 is a cylindrical member which has the electroconductive bottom part 77 as an example, and is arrange | positioned so that the inner side of the bottom part 77 may oppose the 2nd terminal 42. As shown in FIG. In addition, the bottom portion 77 is electrically connected to the first terminal 41 through the wiring 78.

지지부(76)는, 수납부(74)를 지지한다. 또한, 지지부(76)는, 일례로서, 제1 단자(41) 및 배선(78)이 설치된다. 또한, 지지부(76)는, 자계 발생부(52)가 설치되어도 된다.The support part 76 supports the storage part 74. In addition, the support part 76 is provided with the 1st terminal 41 and the wiring 78 as an example. In addition, the magnetic field generating part 52 may be provided in the support part 76.

자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)를 전기적으로 접속하는 경우에, 도 10에 도시된 바와 같이, 수납부(74) 및 제2 단자(42)의 대향 방향의 자계를 자성 유체(72)에 인가한다. 이러한 대향 방향의 자계가 인가되었을 경우, 자성 유체(72)는, 대향 방향의 자계에 따른 형상으로 변형한다. 자성 유체(72)는, 일례로서, 대향 방향으로 가늘고 긴 형상으로 변화하고, 일부분이 수납부(74)의 바깥쪽으로 노출한다. 그 결과, 자성 유체(72)는, 대향 방향의 일방의 선단 부분이 제2 단자(42)의 표면에 접촉하고, 타방의 선단 부분이 수납부(74)의 일부(예를 들면, 저부(77))에 접촉한다.When the magnetic field generating unit 52 electrically connects the first terminal 41 and the second terminal 42, as shown in FIG. 10, the magnetic field generating unit 52 of the housing unit 74 and the second terminal 42 is formed. The magnetic field in the opposite direction is applied to the magnetic fluid 72. When such a magnetic field in the opposite direction is applied, the magnetic fluid 72 deforms into a shape corresponding to the magnetic field in the opposite direction. As an example, the magnetic fluid 72 changes to an elongate shape in the opposite direction, and a part of the magnetic fluid 72 is exposed to the outside of the housing portion 74. As a result, the magnetic fluid 72 has one tip portion in the opposite direction in contact with the surface of the second terminal 42, and the other tip portion is a part of the housing portion 74 (for example, the bottom portion 77). Contact)).

이에 의해, 자성 유체(72)는, 자계 발생부(52)에 의해 대향 방향의 자계가 인가되었을 경우, 제2 단자(42)와 수납부(74)의 사이를 전기적으로 접속할 수 있다. 즉, 자계 발생부(52)는, 대향 방향의 자계를 자성 유체(72)에 인가함으로써, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)를 전기적으로 접속할 수 있다.Thereby, the magnetic fluid 72 can electrically connect between the 2nd terminal 42 and the accommodating part 74, when the magnetic field of the opposing direction is applied by the magnetic field generation part 52. FIG. That is, the magnetic field generating unit 52 can electrically connect the first terminal 41 and the second terminal 42 by applying the magnetic field in the opposite direction to the magnetic fluid 72.

또한, 자계 발생부(52)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)를 전기적으로 비접속하는 경우, 도 11에 도시된 바와 같이, 수납부(74)의 내부에 자성 유체(72)를 두는 자계를 자성 유체(72)에 인가한다. 자계 발생부(52)는, 일례로서, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)를 전기적으로 비접속하는 경우에, 수납부(74) 및 제2 단자(42)의 대향 방향으로 직교하는 자계를, 수납부(74)에 수납된 자성 유체(72)에 인가한다.In addition, when the magnetic field generating unit 52 electrically disconnects the first terminal 41 and the second terminal 42, as shown in FIG. 11, the magnetic fluid ( A magnetic field placing 72 is applied to the magnetic fluid 72. As an example, when the magnetic field generating unit 52 electrically disconnects the first terminal 41 and the second terminal 42, the magnetic field generating unit 52 is orthogonal to the opposing directions of the storage unit 74 and the second terminal 42. The magnetic field is applied to the magnetic fluid 72 accommodated in the housing portion 74.

이러한 대향 방향으로 직교하는 자계가 인가되었을 경우, 자성 유체(72)는, 대향 방향으로 직교하는 자계에 따른 형상으로 변형한다. 그 결과, 자성 유체(72)는, 수납부(74)의 내부에 머물고, 제2 단자(42)와 접촉하지 않는다.When a magnetic field orthogonal to such an opposite direction is applied, the magnetic fluid 72 deforms into a shape corresponding to the magnetic field orthogonal to the opposite direction. As a result, the magnetic fluid 72 stays inside the housing portion 74 and does not contact the second terminal 42.

이에 의해, 자성 유체(72)는, 자계 발생부(52)에 의해 자성 유체(72)를 수납부(74)의 내부에 두는 자계(예를 들면, 대향 방향에 직교하는 방향의 자계)가 인가되었을 경우, 제2 단자(42)와 수납부(74)의 사이를 전기적으로 비접속으로 할 수 있다. 즉, 자계 발생부(52)는, 자성 유체(72)를 수납부(74)의 내부에 두는 자계(예를 들면, 대향 방향으로 직교하는 방향의 자계)를 자성 유체(72)에 인가함으로써, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)를 전기적으로 비접속으로 할 수 있다.Thereby, the magnetic fluid 72 is applied by the magnetic field generating part 52 by the magnetic field which places the magnetic fluid 72 inside the accommodating part 74 (for example, the magnetic field of the direction orthogonal to an opposing direction). In this case, the connection between the second terminal 42 and the housing portion 74 can be made electrically disconnected. That is, the magnetic field generating unit 52 applies a magnetic field (for example, a magnetic field in a direction orthogonal to the opposite direction) that places the magnetic fluid 72 inside the housing portion 74 to the magnetic fluid 72. The first terminal 41 and the second terminal 42 can be electrically disconnected.

이상과 같이, 본 변형례에 관한 스위치 장치(70)에 의하면, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)의 사이의 전기적인 접속을 전환할 수 있다.As mentioned above, according to the switch apparatus 70 which concerns on this modification, the electrical connection between the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42 can be switched.

도 12는, 본 실시 형태의 제2 변형례에 관한 접속 장치(30)의 구성을, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)와 함께 도시한다. 덧붙여, 본 변형례에 관한 스위치 장치(70)는, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 본 실시 형태에 관한 접속 장치(30)와 실질적으로 동일한 구성 및 기능을 채용하므로, 본 실시 형태에 관한 접속 장치(30)가 구비하는 부재와 실질적으로 동일한 구성 및 기능의 부재에 동일한 부호를 부여하고 이하 상이점을 제외하고는 설명을 생략한다.FIG. 12: shows the structure of the connection device 30 which concerns on the 2nd modified example of this embodiment with the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42. FIG. In addition, since the switch apparatus 70 which concerns on this modification adopts the structure and function substantially the same as the connection apparatus 30 which concerns on this embodiment demonstrated with reference to FIGS. 1-9, the connection which concerns on this embodiment. The same code | symbol is attached | subjected to the member of the structure and function substantially the same as the member with which the apparatus 30 is equipped, and description is abbreviate | omitted except a difference hereafter.

본 변형례에 관한 접속 장치(30)는, 제1 단자(41) 및 제2 단자(42)를 전기적으로 접속한다. 접속 장치(30)는, 접촉자(92)와, 자성체(94)와, 지지부(96)와, 자계 발생부(52)를 가진다.The connection device 30 according to the present modification electrically connects the first terminal 41 and the second terminal 42. The connection device 30 has a contactor 92, a magnetic body 94, a support portion 96, and a magnetic field generating portion 52.

접촉자(92)는, 제1 단자(41)에 전기적으로 접속된다. 접촉자(92)는, 일례로서, 일방의 단부가 지지부(96)에 고정되고, 타방의 단부가 이동 가능한 자유단이 되는 도전성을 가지는 탐침이어도 된다. 접촉자(92)는, 일례로서, 지지부(96)에 형성된 배선(98)을 통해서 제1 단자(41)와 전기적으로 접속된다. 또한, 접촉자(92)는, 일례로서, 자유단측의 선단 부분이, 자성체(94)에 접촉한다.The contactor 92 is electrically connected to the first terminal 41. The contactor 92 may be, for example, a conductive probe whose one end is fixed to the support portion 96 and the other end is a free end that can be moved. As an example, the contactor 92 is electrically connected to the first terminal 41 through the wiring 98 formed in the support part 96. In the contactor 92, for example, the tip portion of the free end side contacts the magnetic body 94.

자성체(94)는, 접촉자(92)에 장착된다. 자성체(94)는, 일례로서, 접촉자(92)의 자유단 측의 근방에 장착된다.The magnetic body 94 is attached to the contactor 92. As an example, the magnetic body 94 is mounted near the free end side of the contactor 92.

지지부(96)는, 접촉자(92)를 지지한다. 또한, 지지부(96)는, 접촉자(92)의 자유단 측의 선단 부분이 제2 단자(42)와 접촉하는 위치로, 접촉자(92)를 이동시킨다. 또한, 지지부(96)는, 일례로서, 제1 단자(41) 및 배선(78)이 설치되어도 된다. 아울러, 지지부(96)는, 일례로서, 자계 발생부(52)의 일부 또는 전부가 설치되어도 된다.The support part 96 supports the contactor 92. Moreover, the support part 96 moves the contactor 92 to the position which the front-end | tip part of the free end side of the contactor 92 contacts with the 2nd terminal 42. FIG. In addition, the support part 96 may be provided with the 1st terminal 41 and the wiring 78 as an example. In addition, the support part 96 may be provided with one part or all part of the magnetic field generation part 52 as an example.

자계 발생부(52)는, 접촉자(92)를 제2 단자(42)에 접촉시킨 상태로 자성체(94)에 진동하는 자계를 주어 단자를 접촉자(92)에 의해 연마시킨다. 더욱 상세하게는, 자계 발생부(52)는, 자성체(94)에 진동하는 자계를 주어, 자성체(94)를 진동시킨다. 자성체(94)가 진동하면, 접촉자(92)의 선단 부분도 진동한다. 따라서, 접촉자(92)의 선단 부분이 진동하면, 해당 선단 부분에 접촉한 제2 단자(42)의 표면이 연마된다. 덧붙여, 자계 발생부(52)는, 일례로서, 제1 단자(41)와 제2 단자(42)의 사이의 전기적인 접속에 앞서, 자성체(94)에 진동하는 자계를 주어도 된다.The magnetic field generating unit 52 gives a magnetic field that vibrates the magnetic body 94 in the state in which the contactor 92 is in contact with the second terminal 42, and polishes the terminal by the contactor 92. More specifically, the magnetic field generating unit 52 gives a magnetic field to vibrate the magnetic body 94 and vibrates the magnetic body 94. When the magnetic body 94 vibrates, the tip portion of the contactor 92 also vibrates. Therefore, when the tip portion of the contactor 92 vibrates, the surface of the second terminal 42 in contact with the tip portion is polished. In addition, as an example, the magnetic field generating unit 52 may give a magnetic field vibrating to the magnetic body 94 before the electrical connection between the first terminal 41 and the second terminal 42.

이상과 같이, 제2 변형례에 관한 접속 장치(30)에 의하면, 전기적인 접속에 앞서 접촉자(92)에서의 제2 단자(42)와의 접촉 부분을 진동시킨다. 이에 의해, 접속 장치(30)에 의하면, 제2 단자(42)의 표면을 연마하여, 제2 단자(42)의 표면의 오염 및 산화막 등을 확실히 제거할 수 있다. 이에 의해, 접속 장치(30)에 의하면, 제1 단자(41)와 제2 단자(42)의 사이를, 낮은 저항률로 접속할 수 있다.As mentioned above, according to the connection device 30 which concerns on a 2nd modification, the contact part with the 2nd terminal 42 in the contactor 92 is vibrated before an electrical connection. Thereby, according to the connection device 30, the surface of the 2nd terminal 42 can be polished, and the contamination of the surface of the 2nd terminal 42, an oxide film, etc. can be removed reliably. Thereby, according to the connection device 30, it can connect between the 1st terminal 41 and the 2nd terminal 42 with low resistivity.

이상, 본 발명을 실시의 형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시 형태에 기재된 범위에는 한정되지 않는다. 상기 실시 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 더하는 것이 가능하다라는 것이 당업자에게 분명하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 더한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 청구의 범위의 기재로부터 분명하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It is apparent to those skilled in the art that various changes or improvements can be added to the above embodiments. It is clear from description of a claim that the form which added such a change or improvement can also be included in the technical scope of this invention.

청구의 범위, 명세서, 및 도면 중에서 나타낸 장치, 시스템, 프로그램, 및 방법에서의 동작, 순서, 스텝, 및 단계 등의 각 처리의 실행 순서는, 특별히 「보다 전에」, 「앞서며」등으로 명시하고 있지 않고, 또한, 전의 처리의 출력을 후의 처리로 이용하지 않는 한, 임의의 순서로 실현할 수 있다는 것에 유의해야 한다. 청구의 범위, 명세서, 및 도면 중의 동작 플로우에 관해서, 편의상 「우선,」, 「다음에,」등을 이용하여 설명하였다 하더라도, 이 순서로 실시하는 것이 필수인 것을 의미하는 것은 아니다.The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and steps in the devices, systems, programs, and methods shown in the claims, the specification, and the drawings is specifically stated as "before", "before", and the like. It should be noted that the present invention may be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the specification, and the drawings, the descriptions of the operation flows using "priority", "next," and the like for convenience do not necessarily mean that the operation is performed in this order.

10 시험 장치
12 시험부
20 시험용 기판
30 접속 장치
41 제 1단자
42 제 2단자
50 유지부
52 자계 발생부
60 자성 입자
62 요크
64 코일
70 스위치 장치
72 자성 유체
74 수납부
76 지지부
77 저부
78 배선
92 접촉자
94 자성체
96 지지부
98 배선
100 피시험 웨이퍼
110 피시험 디바이스10 test device
12 test parts
20 Test Board
30 connections
41 Terminal 1
42 Terminal 2
50 holding parts
52 Field Generator
60 magnetic particles
62 York
64 coil
70 switch unit
72 Magnetic Fluid
74 storage
76 support
77 bottom
78 wiring
92 contacts
94 magnetic material
96 support
98 wiring
100 wafers under test
110 device under test

Claims (10)

제1 단자 및 제2 단자를 전기적으로 접속하는 접속 장치에 있어서,
상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 사이에 도전성의 복수의 자성 입자를 유지하는 유지부; 및
상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 사이에 진동하는 자계를 주고, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 적어도 일방을 상기 복수의 자성 입자에 의해 연마시키는 자계 발생부
를 포함하는,
접속 장치.
In the connecting device which electrically connects a 1st terminal and a 2nd terminal,
A holding unit for holding a plurality of conductive magnetic particles between the first terminal and the second terminal; And
A magnetic field generating unit for giving a vibrating magnetic field between the first terminal and the second terminal and polishing at least one of the first terminal and the second terminal with the plurality of magnetic particles.
Including,
Connecting device.
제1항에 있어서,
상기 자계 발생부는, 상기 복수의 자성 입자를 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 대향 방향으로 정렬시키고, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 적어도 일방을 상기 복수의 자성 입자에 의해 연마시키는,
접속 장치.
The method of claim 1,
The magnetic field generating unit aligns the plurality of magnetic particles in opposite directions of the first terminal and the second terminal, and polishes at least one of the first terminal and the second terminal with the plurality of magnetic particles,
Connecting device.
제2항에 있어서,
상기 자계 발생부는, 정렬시킨 상기 복수의 자성 입자를, 상기 대향 방향으로 직교하는 방향으로 진동시키는,
접속 장치.
The method of claim 2,
The magnetic field generating unit vibrates the aligned plurality of magnetic particles in a direction orthogonal to the opposite direction,
Connecting device.
제1항에 있어서,
상기 자계 발생부는, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 대향 방향으로, 자계 반전을 포함하는 진동하는 자계를 주는,
접속 장치.
The method of claim 1,
The magnetic field generating unit gives a vibrating magnetic field including magnetic field reversal in a direction opposite to the first terminal and the second terminal,
Connecting device.
제3항에 있어서,
상기 자계 발생부는, 정렬시킨 상기 복수의 자성 입자의 진동을 미리 정해진 시간 경과 후에 정지하는,
접속 장치.
The method of claim 3,
The magnetic field generating unit stops the vibration of the aligned plurality of magnetic particles after a predetermined time elapses,
Connecting device.
제1항에 있어서,
상기 제1 단자 및 상기 제2 단자를 전기적으로 접속한 상태로부터 비접속 상태로 천이시키는 경우에, 상기 자계 발생부는, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 대향 방향의 자계를 감쇠 진동시키는,
접속 장치.
The method of claim 1,
In the case where the first terminal and the second terminal are transitioned from the electrically connected state to the non-connected state, the magnetic field generating unit attenuates and vibrates the magnetic field in the opposite direction between the first terminal and the second terminal,
Connecting device.
제1 단자 및 제2 단자를 전기적으로 접속하는 접속 장치에 있어서,
상기 제1 단자에 전기적으로 접속된 접촉자;
상기 접촉자에 장착된 자성체; 및
상기 접촉자를 상기 제2 단자에 접촉시킨 상태로 상기 자성체에 진동하는 자계를 주고, 상기 단자를 상기 접촉자에 의해 연마시키는 자계 발생부
를 포함하는,
접속 장치.
In the connecting device which electrically connects a 1st terminal and a 2nd terminal,
A contact electrically connected to the first terminal;
A magnetic body mounted on the contact; And
A magnetic field generating unit which gives a magnetic field to vibrate the magnetic body in a state in which the contactor is in contact with the second terminal, and polishes the terminal by the contactor.
Including,
Connecting device.
제1 단자 및 제2 단자를 전기적으로 접속하는 접속 방법에 있어서,
상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 사이에 도전성의 복수의 자성 입자를 유지하고,
상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 사이에 진동하는 자계를 주고, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자의 적어도 일방을 상기 복수의 자성 입자에 의해 연마하는,
접속 방법.
In the connection method for electrically connecting a 1st terminal and a 2nd terminal,
Hold a plurality of conductive magnetic particles between the first terminal and the second terminal,
Giving a vibrating magnetic field between the first terminal and the second terminal, and polishing at least one of the first terminal and the second terminal with the plurality of magnetic particles,
Connection method.
피시험 웨이퍼를 시험하는 시험 장치에 있어서,
시험 신호를 상기 피시험 웨이퍼에게 주는 시험용 기판; 및
상기 시험용 기판에 설치된 제1 단자 및 상기 피시험 웨이퍼에 설치된 제2 단자를 전기적으로 접속하는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 접속 장치
를 포함하는,
시험 장치.
In a test apparatus for testing a wafer under test,
A test substrate for giving a test signal to the test wafer; And
The connecting device according to any one of claims 1 to 7, which electrically connects a first terminal provided on the test substrate and a second terminal provided on the wafer under test.
Including,
tester.
제1 단자 및 제2 단자의 사이의 전기적인 접속을 전환하는 스위치 장치에 있어서,
인가되는 자계에 따른 형상으로 변화하는 도전성의 자성 유체;
상기 제2 단자에 대향하는 위치에 배치되어, 상기 자성 유체를 내부로 유지하고, 상기 제1 단자에 전기적으로 접속된 수납부; 및
상기 제1 단자 및 상기 제2 단자를 전기적으로 접속하는 경우에, 상기 수납부 및 상기 제2 단자의 대향 방향의 자계를 상기 자성 유체에 인가하는 자계 발생부
를 포함하는,
스위치 장치.In the switch device for switching the electrical connection between the first terminal and the second terminal,
Conductive magnetic fluid that changes in shape in accordance with the applied magnetic field;
An accommodating portion disposed at a position opposed to the second terminal to hold the magnetic fluid therein and electrically connected to the first terminal; And
In the case where the first terminal and the second terminal are electrically connected, a magnetic field generating unit for applying a magnetic field in a direction opposite to the housing section and the second terminal to the magnetic fluid.
Including,
Switch device.
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