KR101133250B1 - 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법 - Google Patents

상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플렉시블한 투명전극을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상압하에서, 플라즈마발생장치에 반응가스를 공급하고, 교류전원을 인가시켜 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 발생 영역에 폴리머 기판을 위치시켜 플라즈마 표면 개질 후, 상기 폴리머 기판에 투명전도성산화물층을 형성하여 플렉시블한 전자소자를 확보하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해, 폴리머 기판을 상압 플라즈마 표면처리하여 투명전도성산화물층을 증착시킴으로써 플렉시블한 전자소자를 확보하고, 상압, 상온 하에서도 투명도 및 전도도의 조절이 용이하여 제조공정이 간단하고, 경제적인 이점이 있다.
상압 플라즈마 표면처리 폴리머 투명전도성산화물 투명도 플렉시블 유연소자

Description

상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법{manufacturing mathod of transparency electrode using polymer substrate atmosphere plasma treated }
본 발명은 플렉시블한 투명전극을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 특히 폴리머 기판을 상압 플라즈마 표면처리하여 투명전도성산화물층을 증착시킴으로써 플렉시블한 전자소자를 확보하고, 상압, 상온 하에서도 투명도 및 전도도의 조절이 용이한 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.
기체 상태의 물질이 에너지를 받으면 이온화된 입자들로 분해되게 되는데 이러한 이온화된 입자 즉, 양과 음의 입자들이 동일한 수로 존재하여 전체적으로는 중성을 띄는 물질 상태를 플라즈마라 한다.
플라즈마를 이용한 산업분야는 산업화가 진행됨에 따라 점점 더 다양해지고 있으며, 크게 진공상태에서 작동하는 저온 플라즈마 장치와, 상압상태에서 작동하는 상압 플라즈마 장치가 있다.
상기 저온 플라즈마 장치는 별도의 진공챔버 및 고압장비를 구비하고, 진공 상태에서 플라즈마처리를 수행하게 되므로, 최근의 피처리물의 크기나 형태, 종류의 다양성을 따라가지 못하며, 입자의 에너지가 커서 피처리물의 표면이 가열되거나 이온화비율이 낮아서 피처리물의 표면 처리가 용이하지 않은 단점이 있다.
따라서, 최근에는 저온화의 필요성, 장비의 간단화, 반응이온의 농도(radical density)가 높고, 피처리물의 형태나 크기에 상관없이 사용될 수 있는 상압 플라즈마 장치가 각종 산업분야에 널리 사용되고 있다.
상기 상압 플라즈마 장치는 진공 및 고온 처리를 위한 별도의 장비가 필요없으므로 상압에서 반응가스의 주입 및 전원의 인가로부터 플라즈마를 신속히 발생시켜, 플라즈마 처리 작업시간이 단축되는 이점이 있으며, 공정의 단순화 및 경제적인 이점이 있다.
이러한 상압 플라즈마 장치를 이용한 산업분야는 피처리물의 종류에 상관없이 사용할 수 있는 장점이 있으며, 특히, 플라스틱이나 합성수지, 폴리머의 표면을 개질하여 그 표면에 인쇄, 착색, 접착작업을 수행하거나 발수성을 친수성으로 개질하거나, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체장치, 반도체박막, 기판 등의 표면의 유기물을 세정하거나 살균, 멸균하거나 에칭하는 것 등의 각종 표면처리 산업에 활용되어지고 있다.
한편, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정 디스플레이(LCD) 소자, 발광다이오드소자(LED), 유기전자발광소자(OLED), 터치패널 또는 태양전지 등의 전자소자에는 투명도 및 도전성이 요구되는 투명전극이 사용되게 된다. 상기 투명전극은 일반적으로 투명 결정기판 또는 유리기판과 같은 하드(hard)한 기판 상측에 전도성 물질을 박막 형태로 증착하여 사용하여 왔다.
그러나, 이러한 형태의 투명전극은 최근의 상기 전자소자들의 다양한 소비욕구에 부합하는 플렉시블한 형태의 구현에는 한계가 있다.
또한, 종래의 이러한 투명전극은 고진공, 고온 하의 엄격한 형성조건이 필요하게 되어 제작방법이 까다롭고, 제조단가 및 제조시간의 상승을 초래하며, 기판과 전도성 물질과의 부착력이 떨어져 전자소자의 수명을 단축시킬 뿐만 아니라, 박막의 재현성 및 고품질에 한계를 가지고 있다.
또한, 전도도나 투명도를 조절시키고자 할 경우에는 기판 상측에 증착되는 전도성 물질에 별도의 도핑 처리나, 별개의 물질을 증착하여야 하므로 그 공정이 복잡한 문제점이 있다. 특히, 투명도 및 전도도와 관련이 높은 전도성 물질의 결정도는 고온의 환경에서만 형성되는 경향이 있어, 온도에 취약한 고분자 폴리머 기판의 상용화에는 한계가 있는 실정이다.
따라서, 본 발명은 폴리머 기판을 상압플라즈마 표면처리하여 투명전도성산화물층을 증착시킴으로써 플렉시블한 전자소자를 확보하고, 상온, 상압하에서도 투명도 및 전도도의 조절이 용이하여 고품질의 투명전극의 확보가 가능한 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법의 제공을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 상압하에서, 플라즈마발생장치에 반응가스를 공급하고, 교류전원을 인가시켜 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 발생 영역에 폴리머 기판을 위치시켜 플라즈마 표면 개질 후, 상기 폴리머 기판에 투명전도성산화물층을 형성하여 플렉시블한 전자소자를 확보하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
또한, 상기 폴리머 기판은, PC, PET, PS, PI 및 PE 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 상압 플라즈마 표면처리를 위한 반응가스는, Ar가스에 H2, O2 및 N2 중의 어느 하나 또는 이를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 투명전도성산화물층은, ZnO, 도핑된 ZnO, ITO, In2O3 및 SnO2 중 의 어느 하나인 것이 바람직하며, 또한, 상기 투명전도성산화물층은, 박막, 나노라드, 나노닷 및 나노와이어 중의 어느 하나의 형태로 제작되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 투명전도성산화물층은, DC/RF sputter, PLD, sol-gel, ALD, thermal evaporation 및 E-beam evaporation 방법 중의 어느 하나의 물리적인 증착방법 또는 spray pyrolysis, electro-deposition, solution 및 CVD 방법 중의 어느 하나의 화학적인 증착방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
이에 의해 본 발명은, 폴리머 기판을 상압플라즈마 표면처리하여 투명전도성산화물층을 증착시킴으로써 플렉시블한 투명전극의 제조가 가능하여 플렉시블한 전자소자를 제공할 수 있으며, 박막의 구조 변화없이 고온 증착 또는 열처리 등의 효과와 동일한 결과를 가지는 효과가 있다.
또한, 상압 플라즈마 표면처리 시간에 따라 전도도, 투명도, 결정도, 기판과의 부착성, 소수성, 친수성 등의 물성의 간단한 조절이 가능하여 제조공정이 간단해지며, 제조시간 및 제조단가를 낮출 수 있어 경제적인 효과가 있다.
본 발명은 폴리머 기판을 상압하에서 생성된 플라즈마 영역에 위치시켜, 폴리머 기판을 플라즈마 표면처리하고, 그 상층에 투명전도성산화물층을 형성하여 유연성이 확보된 투명전극을 제조하는 것이다.
여기에서, 상압이라 함은 대기압이나 대기압 근처의 압력을 의미하며, 이에 의해 발생된 플라즈마는 비교적 낮은 에너지를 가지는 글로우 방전형태로써, 피처 리물의 물성 및 구조를 변화시키지 않으면서 표면개질의 효과를 가지고 올 수 있는 것이다.
특히 전도성 물질에 대한 본 발명에서는 투명전도성산화물층의 결정도를 높이기 위해서는 수백도 이상의 고온에서 증착이 이루어져야 하는데, 이는 폴리머 기판의 사용을 애초에 불가능하게 만든다. 그러나, 본 발명에 따른 폴리머 기판의 상압 플라즈마 표면처리는 투명전극의 투명도 및 전도도 뿐만 아니라 이의 최대 변수인 결정도의 조절이 가능하게 되어, 제조공정의 경제성, 투명도 및 전도도의 용이한 조절이 가능한 유연소자의 확보가 가능하게 되는 것이다.
본 발명에서는 플라즈마발생장치로 통상의 RF 방식의 상압 플라즈마발생장치를 사용하며, 이는 일정한 방전공간을 사이에 두고 RF 전원전극 및 접지전극이 대향되게 형성되어, 상기 방전공간에 상압 플라즈마를 샤워타입(shower type)으로 발생시키는 장치이다. 이렇게 발생된 상압 플라즈마는 반응가스의 공급압력에 의해 자연스럽게 플라즈마 처리대상물, 여기에서는 폴리머 기판이 놓여진 곳으로 공급되게 된다. 또한, 상기 폴리머 기판은 대면적 표면처리 뿐만 아니라, 릴투릴 방식으로 공급되도록 하여 장선의 투명전극의 제조도 가능하게 된다.
여기에서, 상기 폴리머 기판은, PC(poly carbonate), PET(poly ethylene terephthalate), PS(poly styrene), PI(poly imide) 또는 PE(poly ethylene) 등의 고분자 필름을 사용할 수 있으며, 대면적, 장선으로 연속하여 플라즈마발생장치에 제공되어도 무방하다.
또한, 상기 상압 플라즈마 표면처리를 위한 반응가스는, Ar가스에 H2, O2 및 N2 중의 어느 하나 또는 이를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하며, 이는 폴리머 기판의 종류, 표면개질 목적 즉, 친수성, 소수성 표면 개질에 따라, 또는 표면개질 정도에 따라 반응가스 양의 조절 또는 종류를 변경하여 사용할 수 있다. 일반적으로, 반응가스로 아르곤과 수소가스를 사용하는 경우에는 폴리머 기판이 소수성을 띄며, 아르곤과 산소나 질소를 사용한 경우에는 친수성을 띄는 경향이 있다.
또한, 상압 플라즈마 표면처리는 상기 반응가스의 종류 및 양의 변화뿐만 아니라, 처리시간, RF 파워의 세기 등에 따라 조절할 수 있으며, 이에 따라서도 폴리머 기판의 표면 특징을 달라지게 된다.
또한, 상기 투명전도성산화물층은, 각종 전자소자에 사용되는 것으로, ZnO, 도핑된 ZnO, ITO, In2O3 및 SnO2 중의 어느 하나를 사용하며, 도핑된 ZnO의 도핑후보는 Al, Cu, B, F, In, Si, Ge, Sn, H, Ga, Ni, Ag 등을 사용한다.
또한, 상기 투명전도성산화물층은, 전자소자의 사용목적에 따라 박막, 나노라드(nano-rod), 나노닷(nano-dot) 및 나노와이어(nano-wire) 중의 어느 하나의 형태로 형성한다.
상기 투명전도성산화물층은, DC/RF 스파터, PLD, sol-gel, ALD, thermal evaporation 및 E-beam evaporation 방법 중의 어느 하나의 물리적인 증착방법 또는 spray pyrolysis, electro-deposition, solution 및 MO, PE 등과 같은 CVD 방법 중의 어느 하나의 화학적인 증착방법에 의해 형성된다.
상술한 바와 같이, 상기의 투명전도성산화물층의 특징은 상기 폴리머 기판의 종류와 상압 플라즈마 처리 조건의 차이에 의해 부착성, 결정도, 투과도 및 전도도 등의 조절이 가능하여 제조공정이 간단하고 경제적인 장점이 있다.
본 발명에 따른 폴리머 기판 및 투명전도성산화물층에 의해 형성된 투명전극은 디스플레이 패널(PDP), 액정 디스플레이(LCD) 소자, 발광다이오드소자(LED), 유기전자발광소자(OLEL), 터치패널 또는 태양전지 등의 특히 플렉시블한 전자소자에 사용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예로부터 폴리머 기판 및 투명전극의 물성 측정 데이타에 대해 설명하고자 한다.
먼저, 폴리머 기판으로 PET(poly ethylene terephthalate)를 사용하며, 이를 플라즈마 발생장치의 그라운딩 홀더(grounding holder)에 안착시키고 반응가스를 공급하여 상압 플라즈마를 발생시키면, 즉시 PET 표면의 상압 플라즈마 표면처리가 이루어지게 된다.
반응가스로는 아르곤 가스에 산소를 100:2의 비율로 섞어서 공급하며, 상기 산소는 상압 플라즈마에서 라디칼(radicals)의 역할을 하게 되며, PET 표면에 카보닐(carbonyl)기, 아미노(amino)기, 카복실(carboxyl)기를 생성시키게 된다. 이러한 작용기(functional groups)는 PET 표면을 친수성(hydrophilic)을 띄게 한다.
플라즈마발생장치의 파워는 2.93kV, 125mA, 처리시간은 24cm/min, 12cm/min, 6cm/min로 각각 이루어지도록 하며, 플라즈마 처리하지 않은 샘플(untreated)과 비 교하였다.
도 1은 PET 기판의 플라즈마 처리시간에 따른 접촉각을 측정한 데이타이다. 도시된 바와 같이, 오랜시간 동안 플라즈마 처리를 할 수록 접촉각은 점점 감소하게 되어 PET 상면에 증착되는 투명전도성산화물층의 부착성을 향상시키게 된다.
그리고, 투명전도성산화물층으로 Ga0.05Zn0.95O(이하 GZO라 함)를 펄스레이저법(PLD)으로 증착하여 상기 PET 상층에 증착시켰다. 이를 위해 248nm, 200mJ, 10Hz의 KrF 엑시머 레이저를 사용하고, 상온에서 20분동안 증착을 수행하며, 갈륨 5mol%, 산소 공급은 1.00sccm, 기본 압력은 4.9x10-6, 증착압력은 9.6x10-4에서 이루어졌다.
도 2는 PET 기판의 상층에 증착된 GZO의 표면 거칠기에 대한 데이타이다. 도시된 바와 같이, 상압 플라즈마 처리 시간 변화에 따라 GZO의 표면 거칠기가 달라짐을 알 수 있었다. 본 실험에서는 PET 기판의 플라즈마 처리 시간에 따른 GZO의 표면 거칠기의 상관 관계는 나타나지 않았으나, 플라즈마 처리 시간이나 기판의 종류, 투명전도성산화물층의 종류에 따라 폴리머 기판의 표면 거칠기에 대응하여 그 상층에 증착되는 투명전도성산화물층의 거칠기도 변화될 것으로 판단된다.
도 3은 PET 기판의 상층에 증착된 GZO의 X선 회절 데이타이다. 도시된 바에 의하면, Ga2O3의 피크가 2θ~33°근처에서 관찰되었으며, 상온에서 증착된 GZO 박막은 나노 결정구조(nano crystaline)를 보였다. 이러한 상온에서 GZO 박막을 증착하여도 어느 정도의 결정성이 보이는 결과는 기판으로 사용된 PET 기판의 상압 플 라즈마 표면처리와 무관하지 않은 것으로 판단된다.
도 4는 PET 기판의 상층에 증착된 GZO의 홀효과(Hall effect) 측정 데이타이다. 일반적으로 홀효과는 증착온도가 증가할수록, 그레인 싸이즈(grain size)가 증가할 수록, 그레인 바운더리 스캐터링(grain boundary scattering)이 줄어들어 저항이 감소하는 경향이 있다. 도시된 바에 의하면, 폴리머 기판에 상압 플라즈마 표면처리를 수행하면, GZO의 증착온도를 올리지 않아도 저항을 낮출 수 있으며, 이는 GZO의 그레인 바운더리 스캐터링이 줄어들고, 그레인 사이즈를 증가시켜 증착온도를 높인 효과가 나타나기 때문이다.
도 5는 PET 기판의 상층에 증착된 GZO의 투명도를 측정한 데이타로써, 80% 이상의 높은 투명도를 보이고 있다. 도시된 바에 의하면, 상압 플라즈마 표면처리를 오래할 수록 투과율이 점점 높아지는 효과를 보이게 되며 상압 플라즈마 표면처리된 샘플 중에 속도 6, 12cm/min으로 처리된 샘플은 투과도가 90%에 이르는 것을 확인할 수 있었다.
이와 같이 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판의 상층에 투명전도성산화물층을 형성시키면 투명전도성산화물층의 특성을 향상시키게 된다. 이는 투명전도성산화물층의 특성을 향상시키기 위해 증착시 기판의 온도를 올리거나, 후열처리 공정, 기타 도핑 공정 등을 거치지 않고 단순히 상압에서, 플라즈마 표면 처리를 수행하기만 하여도, 박막의 구조 변화없이 고온 증착 또는 열처리 등의 효과와 동일한 결과를 가져옴을 알 수 있었다. 이는 폴리머 기판의 사용에 의해 플렉시블한 소자의 활용에의 큰 장점이 되게 된다.
또한, 단순한 상압 플라즈마 표면처리 시간에 따라 전도도, 투명도, 결정도, 기판과의 부착성, 소수성, 친수성 등의 물성에 영향을 끼치게 되며, 사용 목적에 부합하는 최적의 플라즈마 처리시간, 파워, 반응가스의 종류 및 양, 기판의 종류 등을 선택하여 최적의 물성을 가지는 플렉시블한 투명전극을 제조할 수 있게 된다.
도 1 - 본 발명의 일실시예에 따라 PET 기판의 플라즈마 처리시간에 따른 접촉각을 측정한 데이타를 나타낸 도.
도 2 - 본 발명의 일실시예에 따라 PET 기판의 상층에 증착된 GZO의 표면 거칠기에 대한 데이타를 나타낸 도.
도 3 - 본 발명의 일실시예에 따라 PET 기판의 상층에 증착된 GZO의 X선 회절 데이타를 나타낸 도.
도 4 - 본 발명의 일실시예에 따라 PET 기판의 상층에 증착된 GZO의 홀효과(Hall effect) 측정 데이타를 나타낸 도.
도 5 - 본 발명의 일실시예에 따라 PET 기판의 상층에 증착된 GZO의 투명도를 측정한 데이타를 나타낸 도.

Claims (6)

  1. 상압하에서, 플라즈마발생장치에 반응가스를 공급하고, 교류전원을 인가시켜 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 발생 영역에 폴리머 기판을 위치시켜 플라즈마 처리를 통하여 폴리머 기판에 작용기(functional group)가 형성되도록 표면 개질 한 후, 상기 폴리머 기판에 투명전도성산화물층을 형성하여 플렉시블한 전자소자를 확보하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 폴리머 기판은,
    PC, PET, PS, PI 및 PE 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 상압 플라즈마 표면처리를 위한 반응가스는, Ar가스에 H2, O2 및 N2 중의 어느 하나 또는 이를 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 투명전도성산화물층은,
    ZnO, 도핑된 ZnO, ITO, In2O3 및 SnO2 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 투명전도성산화물층은, 박막, 나노라드, 나노닷 및 나노와이어 중의 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 투명전도성산화물층은,
    DC/RF sputter, PLD, sol-gel, ALD, thermal evaporation 및 E-beam evaporation 방법 중의 어느 하나의 물리적인 증착방법 또는 spray pyrolysis, electro-deposition, solution 및 CVD 방법 중의 어느 하나의 화학적인 증착방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리된 폴리머 기판을 이용한 투명전극의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI649803B (zh) * 2013-09-30 2019-02-01 蘭姆研究公司 具有電漿輔助式原子層沉積及電漿輔助式化學氣相沉積合成法之深寬比可變的特徵物之間隙填充
KR101881195B1 (ko) * 2015-04-01 2018-07-23 성균관대학교산학협력단 나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법
KR102390446B1 (ko) * 2020-07-31 2022-04-22 서울시립대학교 산학협력단 Izto 전극을 포함하는 유연성 투명 압력센서

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030045607A (ko) * 2001-12-03 2003-06-11 코니카가부시끼가이샤 투명 도전막의 형성 방법, 이 방법에 의해 형성된 투명도전막 및 이 투명 도전막을 포함하는 물품
KR20070012718A (ko) * 2004-05-20 2007-01-26 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. 금속 산화물의 플라즈마 화학 증착법
KR100680181B1 (ko) * 2005-03-14 2007-02-08 한국기계연구원 투명전도성 박막 및 그 제조방법
KR20100124016A (ko) * 2009-05-18 2010-11-26 주식회사 동아테크윈 터치스크린에 사용되는 플렉시블 기판의 폴리머 형성 및 투명전극 아이티오 형성 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030045607A (ko) * 2001-12-03 2003-06-11 코니카가부시끼가이샤 투명 도전막의 형성 방법, 이 방법에 의해 형성된 투명도전막 및 이 투명 도전막을 포함하는 물품
KR20070012718A (ko) * 2004-05-20 2007-01-26 다우 글로벌 테크놀로지스 인크. 금속 산화물의 플라즈마 화학 증착법
KR100680181B1 (ko) * 2005-03-14 2007-02-08 한국기계연구원 투명전도성 박막 및 그 제조방법
KR20100124016A (ko) * 2009-05-18 2010-11-26 주식회사 동아테크윈 터치스크린에 사용되는 플렉시블 기판의 폴리머 형성 및 투명전극 아이티오 형성 방법

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