KR101131884B1 - 발광소자의 코팅 방법 - Google Patents
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Abstract
본 개시는 상면 및 측면을 가지는 다층구조 반도체층을 포함하는 발광소자의 코팅 방법에 있어서, 다층구조 반도체층의 상면의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계; 다층구조 반도체층을 커버하도록 코팅물질을 구비하는 단계; 검출된 다층구조 반도체층 상면의 정보를 기준으로 코팅물질에 선택적으로 빛을 조사하여 다층구조 반도체층의 상면 및 다층구조 반도체층의 측면에 구비되는 코팅물질을 설정된 두께만큼 경화시키는 단계; 및 경화되지 않은 코팅물질을 제거하는 단계;를 포함하는 발광소자의 코팅 방법에 관한 것이다.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 발광소자의 코팅 방법에 관한 것으로, 특히 와이어본딩(wire-bonding) 공정 전 칩(chip) 단위의 발광소자에 적용될 수 있는 발광소자의 코팅 방법에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 도면으로서, 발광소자(110)의 코팅 공정은 다이본딩(die-bonding) 공정 및 와이어본딩(wire-bonding) 공정이 완료된 상태에서 진행된다.
다이본딩 공정은 칩(chip) 단위의 발광소자(110)를 접착물질을 이용하여 마운트(120)에 고정시키는 공정을 의미한다.
와이어본딩 공정은 마운트(120)와 일체로 구비되며 전원이 도입되는 리드프레임(130)과 발광소자(110)를 전기적으로 연결시키는 공정을 의미하며, 양자의 연결에는 가는 금속선(140)이 이용되는 것이 일반적이다.
발광소자(110)의 코팅 공정은 와이어본딩된 발광소자(110)에 유동성을 가지는 코팅물질(150)을 공급하고, 이를 경화시키는 방법에 의한다.
경화된 코팅물질(150)의 형상은 코팅물질(150)의 유동성, 공급된 양, 마운트(120)의 형상 등에 따라 결정된다.
따라서, 발광소자(110)에 일정한 두께로 코팅물질(150)을 코팅하는 것이 거의 불가능한 문제가 있으며, 이로 인해 발광소자(110)로부터 코팅물질(150)을 통해 방출되는 빛의 균일성이 떨어지고 따라서 고품질의 조명광을 얻을 수 없다는 문제가 있다.
또한, 발광소자(110)의 코팅 공정이 다이본딩 공정 및 와이어본딩 공정 후에 진행되므로, 코팅 공정에서 불량이 발생되는 경우 다이본딩 공정 및 와이어본딩 공정에 쓰인 재료를 모두 폐기하여야 하므로 큰 손실이 발생되는 문제가 있다.
또한, 복수 개의 발광소자(110)를 코팅하는 경우, 각각의 발광소자(110) 마다 별도로 코팅물질(150)을 공급하여야 하므로 공정의 효율이 떨어지는 문제가 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 상면 및 측면을 가지는 다층구조 반도체층을 포함하는 발광소자의 코팅 방법에 있어서, 다층구조 반도체층의 상면의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계; 다층구조 반도체층을 커버하도록 코팅물질을 구비하는 단계; 검출된 다층구조 반도체층 상면의 정보를 기준으로 코팅물질에 선택적으로 빛을 조사하여 다층구조 반도체층의 상면 및 다층구조 반도체층의 측면에 구비되는 코팅물질을 설정된 두께만큼 경화시키는 단계; 및 경화되지 않은 코팅물질을 제거하는 단계;를 포함하는 발광소자의 코팅 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 2는 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 순서도,
도 3 내지 도 7은 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 단계별로 설명하는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 다른 예를 보인 도면.
도 2는 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 순서도,
도 3 내지 도 7은 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 단계별로 설명하는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 다른 예를 보인 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 2는 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 순서도, 도 3 내지 도 7은 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 일 예를 단계별로 설명하는 도면으로서, 본 예에 따른 발광소자의 코팅 방법은 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)의 정보를 검출하는 단계(S10), 코팅물질(17)을 구비하는 단계(S20), 코팅물질(17)을 선택적으로 경화하는 단계(S30), 경화되지 않은 코팅물질(17)을 제거하는 단계(S40)를 포함한다.
여기서, 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)의 정보는, 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)의 이미지를 촬영하는 단계(S11)와 그 이미지로부터 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)의 정보를 검출하는 단계(S12)에 의해 검출되는 것이 바람직하다.
다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)의 정보는 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)의 형상 및 위치 정보를 의미하는 것으로, 기준점에 대한 상면(10a)의 테두리의 좌표값이 될 수 있다.
다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)의 형상 및 위치 정보를 바탕으로 다층구조 반도체층(11)에 도포되어 구비되는 코팅물질(17) 중 일부 영역에는 빛을 조사하고, 일부 영역에는 빛이 조사되지않도록 하여, 코팅물질(17)을 선택적으로 경화시키게 된다.
이에 의해, 발광소자(10)를 칩(chip) 단위에서 코팅하는 것이 가능하게 되며, 코팅물질(17)의 두께 조절이 가능해지게 된다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a) 이미지를 얻고, 얻어진 이미지로부터 필요한 정보를 검출하기 위해, 이미지 촬영부(21)와 정보 검출부(23)가 구비되는 것이 바람직하다.
이미지 촬영부(21)는 카메라로 구비되며, 촬영된 이미지로부터 정보의 검출이 용이하도록 디지털 정보로 이미지가 저장되는 디지털 카메라로 구비되는 것이 바람직하다.
정보 검출부(23)는 촬영된 이미지로부터 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 형상 및 위치 정보를 검출한다. 구체적으로 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출한다.
다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 테두리의 형상 및 위치 정보는, 도 4에서 기준좌표계(XOY)에 대한 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 각 꼭지점(A,B,C,D)의 좌표값이 될 수 있다.
이와 달리, 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 테두리의 형상 및 위치 정보는, 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 각 변의 길이(a,b)와, 기준좌표계(XOY)에 대한 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 중심점(E)의 좌표와, 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)이 회전된 각(θ)이 될 수 있다.
여기서, 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 테두리는 촬영된 이미지에서 명암의 차이로 결정될 수 있다.
한편, 다층구조 반도체층(11)은 전자를 제공하는 n형 반도체층(11c)과, 정공을 제공하는 p형 반도체층(11a)과, n형 반도체층(11c) 및 p형 반도체층(11a) 사이에 개재되며 제공된 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 발생되는 활성층(11b)이 적층되어 형성된다.
다층구조 반도체층(11)을 구성하는 물질은 3족 질화물 반도체, 2족 산화물 반도체, 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 등 발광 가능한 모든 광반도체를 예로 들 수 있다.
또한, 다층구조 반도체층(11)은 기판(13) 위에 주로 MOCVD(유기금속기상성장법)에 의해 성장된다.
기판(13)은 3족 질화물 반도체가 성장되는 경우 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용될 수 있다.
그리고, 발광소자(10)는 이미지 촬영 및 추후 공정 중 위치의 변경이 방지되도록 고정부재(15)에 부착된다.
고정부재(30)는 접착제가 도포된 투광성의 기판이나 연신 가능한 물질(예: 투명테이프)로 구비되는 것이 바람직하다.
또한, 다층구조 반도체층(11)에는 n형 반도체층(11c) 및 p형 반도체층(11a)에 각각 전기적으로 접속되는 본딩 패드(12a,12b)가 구비된다.
도 3과 같이, 본딩 패드(12a,12b)가 다층구조 반도체층(11)의 상부에 위치되는 경우, 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 테두리의 형상 및 위치 정보와 함께 본딩 패드(12a,12b)의 형상 및 위치 정보를 검출하는 것이 필요하다.
본딩 패드(12a,12b)의 형상 및 위치 정보는, 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 것과 같은 방식으로 검출할 수 있을 것이다.
그러나, 요구 광출력의 증가에 따른 칩의 크기가 커질수록 본딩 패드(12a,12b)의 크기가 상대적으로 매우 작으므로 촬영된 이미지로부터 본딩 패드(12a,12b)의 형상 및 위치 정보를 검출하기 위해서는 촬영된 이미지의 해상도를 크게 하여야 하는 문제가 있다.
따라서, 촬영된 이미지를 이용하지 않고, 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)에 대한 본딩 패드(12a,12b)의 상대적 위치 정보 및 본딩 패드(12a,12b)의 형상 정보(예: 직경이 R ㎛인 원형)와, 검출된 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 테두리의 형상 및 위치 정보로부터 계산에 의해 본딩 패드(12a,12b)의 형상 및 위치 정보를 검출하는 것이 바람직하다.
이를 위해, 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)에 대한 본딩 패드(12a,12b)의 상대적 위치 정보 및 본딩 패드(12a,12b)의 형상 정보가 정보 검출부(23)에 입력되는 것이 필요하다.
같은 원리로, 본딩 패드(12a,12b)의 형상 및 위치 정보를 촬영된 이미지로부터 검출하고, 검출된 본딩 패드(12a,12b)의 형상 및 위치 정보와, 다층구조 반도체층(11)의 상면(10a)에 대한 본딩 패드(12a,12b)의 상대적 위치 정보 및 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 형상 정보(예: 가로 a ㎛, 세로 b ㎛인 사각형)로부터 다층구조 반도체층(11) 상면(10a) 테두리의 형상 및 위치 정보가 계산될 수 있을 것이다.
한편, 본딩 패드(12a,12b)가 다층구조 반도체층(11)의 하면에 구비되는 경우(예: 플립칩(flip chip))에는 본딩 패드(12a,12b)의 형상 및 위치 정보의 검출은 불필요하다.
다음으로, 도 5와 같이, 다층구조 반도체층(11)에 코팅물질(17)이 도포된다.
코팅물질(17)은 발광소자(10)를 덮는 두께로 도포된다.
여기서, 코팅물질(17)을 도포하는 속도가 빠를 경우 도포된 코팅물질(17)에 기포가 생길 수 있으므로 이를 방지하기 위한 코팅물질(17)의 도포 속도를 적절히 조절하는 것이 필요하다.
코팅물질(17)은 빛에 의해 경화되는 광경화성 물질로 구비된다.
광경화성 물질은 UV epoxy, UV-patternable polymer를 예로 들 수 있으며, 이 밖에 광에 의해 경화 또는 패터닝될 수 있는 수지로 구비될 수 있다.
특히, 코팅물질(17)은 자외선 영역의 빛에 의해 경화되는 광경화성 물질로 구비되는 것이 바람직하다.
일반적으로, 경화성 물질(수지)은 광경화성 수지와 열경화성 수지로 나누어진다. 열경화성 수지는 열(또는 적외선)에 의해 경화되는 수지로서 안정적인 특성 및 신뢰성을 갖는다. 반면에 광경화성 수지에 비하여 경화 시간이 오래 걸리고, 패터닝이 요구되거나 국부적으로 경화시키고자 할 때에는 사용할 수 없는 단점이 있다.
이에 비해 광경화성 수지는 일반적으로 자외선에 의해 경화되는 수지로서 짧은 시간에 경화가 이루어지므로 공정 시간이 단축되고 국부적 경화가 요구되거나, 패터닝이 요구되는 경우에도 사용될 수 있는 장점이 있다.
한편, 코팅물질(17)에는 활성층(11b)에서 방출되는 빛의 파장을 변화시키는 형광체(23)가 혼입될 수 있다.
이에 의해, 발광소자(10)에서 방출되는 빛의 색이 다양하게 연출될 수 있다.
다음으로, 도 6을 참조하면, 도포된 코팅물질(17)의 선택적인 경화를 위해 조명부(27)와 디지털 마이크로미러 소자(25)(Digital Micormirror Device; DMD)가 구비된다.
이에 의해, 별도의 포토 마스크 없이 코팅물질(17)에 선택적으로 빛을 조사하여 국부적으로 코팅물질(17)을 경화시킬 수 있게 된다. 도 6에서 M영역은 빛이 조사되는 영역이며, N영역은 빛이 조사되지 않아 코팅물질(17)이 경화되지 않은 상태로 유지되는 영역이다.
디지털 마이크로미러 소자(25)는 조명부(27)에서 조사된 빛의 반사방향이 각각 독립적으로 제어되는 다수의 마이크로미러(미도시)에 의해 코팅물질(17)에 선택적으로 빛을 조사하는 것으로, 마이크로미러의 제어는 정보 검출부(23)에서 전달된 다층구조 반도체층(11) 상면(10a)의 테두리의 형상 및 위치 정보 및/또는 본딩 패드(12a,12b)의 형상 및 위치 정보에 의해 제어된다.
다음으로, 도 7과 같이, 경화되지 않은 코팅물질(17)이 제거된다.
이에 의해, 상면과 측면에 일정한 두께의 코팅물질(17)이 도포되며, 본딩와이어 공정을 위해 본딩 패드(12a,12b)의 상부에는 코팅물질(17)이 도포되지 않게 된다.
도 8은 본 개시에 따른 발광소자의 코팅 방법의 다른 예를 보인 도면으로서, 고정부재(15)에 각각 소정의 간격만큼 떨어져 위치되는 복수 개의 발광소자(10)의 코팅 공정이 완료된 상태를 보인 것이다.
비록 각각의 발광소자(10)가 규칙적으로 배열되지 않고 회전되거나 병진이동되어 위치되는 경우라도, 각각의 발광소자(10)의 측면에 일정한 두께의 코팅물질(17)이 코팅되는 것을 볼 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 다층구조 반도체층 상면의 정보 검출 단계는, 다층구조 반도체층 상면의 이미지를 촬영하는 단계; 및 이미지로부터 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(2) 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보는 다층구조 반도체층 상면의 이미지의 명암차이를 이용하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(3) 발광소자는 다층구조 반도체층의 상면에 구비되는 본딩 패드를 더 포함하고, 다층구조 반도체층 상면의 정보 검출 단계는, 다층구조 반도체층 상면의 이미지를 촬영하는 단계; 이미지로부터 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계; 및 이미지로부터 본딩 패드의 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;를 포함하며, 경화된 코팅층 형성 단계는, 본딩 패드 위에 구비된 코팅물질이 경화되지 않도록 선택적으로 빛이 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(4) 발광소자는 다층구조 반도체층의 상면에 구비되는 본딩 패드를 더 포함하고, 다층구조 반도체층 상면의 정보 검출 단계는, 다층구조 반도체층 상면의 이미지를 촬영하는 단계; 이미지로부터 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계; 다층구조 반도체층의 상면에 대한 본딩 패드의 상대적 위치 정보 및 형상 정보를 입력받는 단계; 및 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보와, 다층구조 반도체층의 상면에 대한 본딩 패드의 상대적 위치 정보 및 형상 정보로부터 본딩 패드의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;를 포함하며, 경화된 코팅층 형성 단계는, 본딩 패드 위에 구비된 코팅물질이 경화되지 않도록 선택적으로 빛이 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(5) 발광소자는 다층구조 반도체층의 상면에 구비되는 본딩 패드를 더 포함하고, 다층구조 반도체층 상면의 정보 검출 단계는, 본딩 패드의 이미지를 촬영하는 단계; 본딩 패드의 이미지로부터 본딩 패드의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계; 다층구조 반도체층의 상면에 대한 본딩 패드의 상대적 위치 정보 및 형상 정보를 입력받는 단계; 및 본딩 패드의 형상 및 위치 정보와, 다층구조 반도체층의 상면에 대한 본딩 패드의 상대적 위치 정보 및 형상 정보로부터 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;를 포함하며, 경화된 코팅층 형성 단계는, 본딩 패드 위에 구비된 코팅물질이 경화되지 않도록 선택적으로 빛이 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(6) 코팅물질은 광경화성 물질로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(7) 코팅물질은 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(8) 빛은 디지털 마이크로미러 소자(Digital Micormirror Device; DMD)에 의해 선택적으로 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(9) 발광소자는 복수 개로 구비되고, 복수 개의 발광소자는 서로 설정된 간격만큼 떨어져 위치된 상태로 고정되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
(10) 복수 개의 발광소자는 경화되지 않은 코팅물질에 의해 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법.
본 개시에 따른 하나의 발광소자의 코팅 방법에 의하면, 발광소자에 일정한 두께로 코팅물질을 코팅하는 것이 가능해지며, 이로 인해 발광소자로부터 코팅물질을 통해 방출되는 빛의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한 본 개시에 따른 다른 발광소자의 코팅 방법에 의하면, 발광소자의 코팅 공정이 다이본딩 공정 및 와이어본딩 공정 전에 진행되므로, 코팅 공정에서 불량이 발생되더라도 재료의 손실을 최소화할 수 있게 된다.
또한, 본 개시에 따른 또 다른 발광소자의 코팅 방법에 의하면, 복수 개의 발광소자를 코팅하는 경우, 복수 개의 발광소자에 동시에 코팅물질을 도포할 수 있으므로 코팅 공정의 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
Claims (12)
- 상면 및 측면을 가지는 다층구조 반도체층을 포함하는 발광소자의 코팅 방법에 있어서,
다층구조 반도체층의 상면의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;
다층구조 반도체층을 커버하도록 코팅물질을 구비하는 단계;
검출된 다층구조 반도체층 상면의 정보를 기준으로 코팅물질에 선택적으로 빛을 조사하여 다층구조 반도체층의 상면 및 다층구조 반도체층의 측면에 구비되는 코팅물질을 설정된 두께만큼 경화시키는 단계; 및
경화되지 않은 코팅물질을 제거하는 단계;를 포함하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 1에 있어서,
다층구조 반도체층 상면의 정보 검출 단계는,
다층구조 반도체층 상면의 이미지를 촬영하는 단계; 및
이미지로부터 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 2에 있어서,
다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보는 다층구조 반도체층 상면의 이미지의 명암차이를 이용하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 1에 있어서,
발광소자는 다층구조 반도체층의 상면에 구비되는 본딩 패드를 더 포함하고,
다층구조 반도체층 상면의 정보 검출 단계는,
다층구조 반도체층 상면의 이미지를 촬영하는 단계;
이미지로부터 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계; 및
이미지로부터 본딩 패드의 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;를 포함하며,
경화된 코팅층 형성 단계는, 본딩 패드 위에 구비된 코팅물질이 경화되지 않도록 선택적으로 빛이 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 1에 있어서,
발광소자는 다층구조 반도체층의 상면에 구비되는 본딩 패드를 더 포함하고,
다층구조 반도체층 상면의 정보 검출 단계는,
다층구조 반도체층 상면의 이미지를 촬영하는 단계;
이미지로부터 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;
다층구조 반도체층의 상면에 대한 본딩 패드의 상대적 위치 정보 및 형상 정보를 입력받는 단계; 및
다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보와, 다층구조 반도체층의 상면에 대한 본딩 패드의 상대적 위치 정보 및 형상 정보로부터 본딩 패드의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;를 포함하며,
경화된 코팅층 형성 단계는, 본딩 패드 위에 구비된 코팅물질이 경화되지 않도록 선택적으로 빛이 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 1에 있어서,
발광소자는 다층구조 반도체층의 상면에 구비되는 본딩 패드를 더 포함하고,
다층구조 반도체층 상면의 정보 검출 단계는,
본딩 패드의 이미지를 촬영하는 단계;
본딩 패드의 이미지로부터 본딩 패드의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;
다층구조 반도체층의 상면에 대한 본딩 패드의 상대적 위치 정보 및 형상 정보를 입력받는 단계; 및
본딩 패드의 형상 및 위치 정보와, 다층구조 반도체층의 상면에 대한 본딩 패드의 상대적 위치 정보 및 형상 정보로부터 다층구조 반도체층의 상면 테두리의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;를 포함하며,
경화된 코팅층 형성 단계는, 본딩 패드 위에 구비된 코팅물질이 경화되지 않도록 선택적으로 빛이 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 1에 있어서,
코팅물질은 광경화성 물질로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 7에 있어서,
코팅물질은 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 1에 있어서,
빛은 디지털 마이크로미러 소자(Digital Micormirror Device; DMD)에 의해 선택적으로 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 1에 있어서,
발광소자는 복수 개로 구비되고,
복수 개의 발광소자는 서로 설정된 간격만큼 떨어져 위치된 상태로 고정되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 10에 있어서,
복수 개의 발광소자는 경화되지 않은 코팅물질에 의해 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 코팅 방법. - 청구항 1에 있어서,
다층구조 반도체층의 상면에 구비되는 본딩 패드를 더 포함하며,
다층구조 반도체층의 상면 및 본딩 패드의 이미지를 이용하여 다층구조 반도체층의 상면 및 본딩 패드의 형상 및 위치 정보를 검출하는 단계;
다층구조 반도체층을 커버하도록 형광체를 포함하는 광경화성 물질의 코팅물질을 구비하는 단계;
검출된 다층구조 반도체층 상면 및 본딩 패드의 정보를 기준으로 디지털 마이크로미러 소자(Digital Micormirror Device; DMD)를 이용하여 코팅물질에 선택적으로 빛을 조사하여 다층구조 반도체층의 상면 및 다층구조 반도체층의 측면에 구비되는 코팅물질을 설정된 두께만큼 경화시키는 단계; 및
경화되지 않은 코팅물질을 제거하는 단계;를 포함하는 발광소자의 코팅 방법.
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Citations (4)
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| JP2001135861A (ja) | 2000-10-06 | 2001-05-18 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2009010109A (ja) | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Namics Corp | 発光ダイオードチップの封止体の製造方法 |
| KR20090076101A (ko) * | 2008-01-07 | 2009-07-13 | 서울대학교산학협력단 | 발광 다이오드 코팅 방법 |
| KR20110030014A (ko) * | 2009-09-17 | 2011-03-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 발광다이오드의 밀봉 방법 및 이에 의해 밀봉된 발광다이오드 |
-
2010
- 2010-07-30 KR KR1020100074053A patent/KR101131884B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001135861A (ja) | 2000-10-06 | 2001-05-18 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2009010109A (ja) | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Namics Corp | 発光ダイオードチップの封止体の製造方法 |
| KR20090076101A (ko) * | 2008-01-07 | 2009-07-13 | 서울대학교산학협력단 | 발광 다이오드 코팅 방법 |
| KR20110030014A (ko) * | 2009-09-17 | 2011-03-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 발광다이오드의 밀봉 방법 및 이에 의해 밀봉된 발광다이오드 |
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