KR101131330B1 - Apparatus for preventing solution contamination - Google Patents

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박우철
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Abstract

본 발명은 액절장치에 관련된 것으로서, 에칭단계에서 기판에 도포된 에칭액이 남아 세정단계에 유입되는 것을 방지한다.The present invention relates to a liquid crystal device, and prevents the etching liquid applied to the substrate in the etching step from remaining in the cleaning step.

본 액절장치는 기판을 전체 너비방향으로 접촉지지하며 기판에 에칭액을 도포하는 제1 액절롤러부, 제1 액절롤러부를 통과한 기판을 전체 너비방향으로 접촉지지하며 기판에 희석액을 도포하는 제2 액절롤러부, 제1 액절롤러부의 하측에 위치하고, 제1 액절롤러부를 딥핑하여 에칭액을 제1 액절롤러부에 공급하는 제1 딥핑부, 및 제2 액절롤러부의 하측에 위치하고, 제2 액절롤러부를 딥핑하여 희석액을 제2 액절롤러부에 공급하는 제2 딥핑부를 포함한다.The liquid immersion apparatus supports the substrate in contact with the entire width direction, the first liquid squeezing roller portion for applying the etching liquid to the substrate, and the second liquid slicing portion for supporting the substrate passing through the first liquid squeezing roller roller in the full width direction and applying the diluent to the substrate. Located under the roller portion, the first liquid roller, and located under the first dip roller for supplying the etching liquid to the first liquid roller by dipping the first liquid roller, and the second liquid roller. And a second dipping portion for supplying the dilution liquid to the second liquid immersion roller portion.

액절장치, 에칭편차, 에칭액, 희석액 Liquid closing device, etching deviation, etching liquid, diluent

Description

액절장치{APPARATUS FOR PREVENTING SOLUTION CONTAMINATION}Liquid closing device {APPARATUS FOR PREVENTING SOLUTION CONTAMINATION}

본 발명은 기판의 액절장치에 관련된다.The present invention relates to a liquid crystal device for a substrate.

일반적으로, 인쇄회로기판의 제조에 있어서, 도금공정, 에칭공정 등 일련의 단위공정들을 처리하는 과정에서 이송시스템을 이용하여 기판들을 이송함으로써 순차적으로 단위공정들을 거치게 된다. 특히 에칭공정은 이송시스템에 의해 기판을 이송하면서 에칭단계, 액절단계, 세정단계를 진행한다.In general, in the manufacturing of a printed circuit board, the substrates are sequentially processed by transferring the substrates using a transfer system in the process of processing a series of unit processes such as a plating process and an etching process. In particular, the etching process is carried out the etching step, the liquid phase step, the cleaning step while transferring the substrate by the transfer system.

이러한 이송시스템은 수평 롤러방식이 일반적이다. 수평 롤러방식의 이송시스템은 이층구조로, 상단과 하단에 각각 일 열로 배열된 다수의 디스크 롤러(회전축과 하나의 회전축에 포함되는 디스크형상의 다수의 접촉부를 포함하여 구성됨)와 다수의 롤러를 구동시키는 구동부로 구성됨이 일반적이다. 이러한 이송시스템은 이층의 디스크 롤러 배열 사이에 기판이 삽입되고, 롤러가 회전함으로써 기판을 이동시킨다. This conveying system is generally a horizontal roller method. The horizontal roller type conveying system has a two-layer structure, which drives a plurality of disk rollers (comprising a plurality of disk-shaped contact portions included in one rotating shaft and one rotating shaft) arranged in a row at the top and the bottom thereof. It is generally composed of a drive unit to make. In such a conveying system, a substrate is inserted between two layers of disk roller arrangements, and the rollers rotate to move the substrate.

에칭단계에서 기판에 에칭액이 살포되어 금속패턴을 형성하고, 액절단계에서 에칭액을 예비제거하고, 세정단계에서 에칭액을 최종제거하여 건조하고 에칭공정이 종결된다.In the etching step, the etching solution is sprayed onto the substrate to form a metal pattern, the etching solution is preliminarily removed in the liquid phase step, the etching solution is finally removed in the cleaning step, and the etching process is completed.

종래의 액절장치는 에칭액이 세정단계에 유입되는 것을 막기 위해, 디스크 롤러에 기판을 이동시키면서 기판의 상/하측에 에어나이프를 이용하여 기판에 공기를 분사함으로써, 기판에 묻어 있는 용액을 없애는 방식으로 진행되었다.In order to prevent the etching liquid from flowing into the cleaning step, a conventional liquid crystal device removes the solution on the substrate by injecting air to the substrate by using an air knife on the upper and lower sides of the substrate while moving the substrate to the disk roller. Progressed.

그러나, 이러한 종래의 방식은 몇 가지 문제점을 안고 있었다. 최근, 제품의 경량화, 초 박판화가 진행됨에 따라 수평 롤러방식은 롤러의 사이즈가 작아지고, 구성되는 롤러의 개수도 많아지고 있는데, 종래의 액절장치는 디스크롤러에 존재하는 에칭액이 계속 반응하여 기판에 롤러 자국을 발생시키는 문제가 있었다.(그림자 현상).However, this conventional method has had some problems. In recent years, as the weight reduction and ultra-thinning of products have progressed, the horizontal roller method has a smaller roller size and a larger number of rollers. However, in the conventional liquid crystal device, the etching liquid present in the disc roller continues to react to the substrate. There was a problem of generating roller marks (shadow phenomenon).

이러한 그림자 현상은 기판의 외관불량을 발생시키고, 표면도금시 도금편차를 발생시키기도 하였다.This shadow phenomenon caused a poor appearance of the substrate, and sometimes caused a plating deviation during surface plating.

또한, 에어나이프로 공기를 분사하는 경우 에칭액이 증발하며 롤러에 고형화되어 롤러에 스케일을 발생시켰고, 이러한 스케일은 뒤에 들어오는 기판에 스크래치를 발생시키고, 롤러의 수명을 단축시켰다. In addition, when spraying air with an air knife, the etchant evaporated and solidified on the roller to generate a scale on the roller, which caused scratches on the substrate coming in later, and shortened the life of the roller.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 접촉부가 일체의 원통형으로 기판의 전체 너비방향을 접촉지지하며 에칭액과 희석액을 기판 전체에 도포하는 액절롤러를 채용하여 기판에 발생하는 그림자 현상을 제거할 수 있는 액절장치를 제안한다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, the contact portion is integrally cylindrical to support the entire width direction of the substrate and adopts a liquid-rolling roller for applying the etching liquid and the diluent to the entire substrate to avoid the shadow phenomenon generated on the substrate We propose a liquid removal device that can be removed.

또한, 에어나이프를 사용하지 않고, 에칭액과 희석액을 액절롤러에 공급하는 딥핑부를 채용하여 습식으로 액절단계를 거치는 액절장치를 제안한다.In addition, without using an air knife, by employing a dipping portion for supplying the etching liquid and the diluent to the liquid roller, we propose a liquid-repelling apparatus that undergoes a liquid phase step in a wet manner.

본 발명은, 에칭단계에서 기판에 도포된 에칭액이 남아 세정단계에 유입되는 것을 방지하는 액절장치에 있어서, 상기 기판을 전체 너비방향으로 접촉지지하며 상기 기판에 에칭액을 도포하는 제1 액절롤러부, 상기 제1 액절롤러부를 통과한 상기 기판을 전체 너비방향으로 접촉지지하며 상기 기판에 희석액을 도포하는 제2 액절롤러부, 상기 제1 액절롤러부의 하측에 위치하고, 상기 제1 액절롤러부를 딥핑하여 상기 에칭액을 상기 제1 액절롤러부에 공급하는 제1 딥핑부, 및 상기 제2 액절롤러부의 하측에 위치하고, 상기 제2 액절롤러부를 딥핑하여 상기 희석액을 상기 제2 액절롤러부에 공급하는 제2 딥핑부를 포함한다.The present invention relates to a liquid immersion apparatus for preventing an etching solution applied to a substrate in an etching step from remaining in the cleaning step, wherein the first liquid releasing roller unit supports the substrate in the entire width direction and applies the etching liquid to the substrate; A second liquid roller part for supporting the substrate having passed through the first liquid roller part in the full width direction and applying a dilution liquid to the substrate, and positioned under the first liquid roller part, and dipping the first liquid roller part to A first dipping portion for supplying an etchant to the first liquid squeezing roller portion, and a second dipping for lowering the second liquid squeezing roller portion and dipping the second liquid squeezing roller to supply the diluent to the second liquid squeezing roller. Contains wealth.

또한, 상기 제1 액절롤러부에 포함된 다수의 액절롤러에 있어서, 최 전측에 위치한 액절롤러는 후측의 액절롤러보다 지름이 작은 것을 특징으로 한다.In addition, in the plurality of liquid rollers included in the first liquid roller, the liquid roller located at the foremost side is smaller in diameter than the liquid roller at the rear side.

또한, 상기 제1 딥핑부와 상기 제2 딥핑부는 인접하여 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the first dipping portion and the second dipping portion is characterized in that the adjacent configuration.

또한, 상기 제1 딥핑부 및 상기 제2 딥핑부는 유량조절밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the first dipping portion and the second dipping portion is characterized in that it comprises a flow control valve.

또한, 상기 제1 딥핑부는 에칭액 유입영역부와 에칭액 유출영역부로 분리 구성되는 것을 특징으로 한다.The first dipping portion may be divided into an etching solution inflow region and an etching solution outlet region.

또한, 상기 제1 딥핑부는 상기 에칭액 유출영역부에서 유출된 에칭액을 수용한 후 재처리하여 상기 에칭액 유입영역부에 재공급하는 에칭액 탱크를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The first dipping portion may further include an etchant tank for receiving the etchant flowing out of the etchant outflow region and then reprocessing and resupply the etchant inflow region.

또한, 상기 제2 딥핑부는 희석액 유입영역부와 희석액 유출영역부로 분리 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the second dipping portion is characterized in that consisting of the diluent inlet area and the diluent outlet area.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best explain its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

본 발명에 따른 액절장치는, 에칭 이후 기판에 발생하는 그림자 현상을 제거할 수 있어 균일한 기판을 생산할 수 있다.The liquid crystal device according to the present invention can remove the shadow phenomenon occurring on the substrate after etching, thereby producing a uniform substrate.

또한, 액절롤러에 스케일이 발생하지 않아 롤러의 수명이 연장되며, 기판에 스크래치가 발생하지 않는다.In addition, since the scale does not occur in the liquefied roller, the life of the roller is extended, and scratches do not occur on the substrate.

또한, 액절롤러에서 에칭액의 희석이 일어나므로, 세정단계의 효율이 증가한다.In addition, since the dilution of the etching liquid occurs in the liquid separator roller, the efficiency of the cleaning step is increased.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the preferred embodiments associated with the accompanying drawings. In the present specification, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components as possible, even if displayed on different drawings have the same number as possible. In addition, in describing the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액절장치(100)를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액절장치의 딥핑부(제1 딥핑부 및 제2 딥핑부)를 도시한 단면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 액절장치(100)를 설명하기로 한다.1 is a cross-sectional view showing a liquid crystal device 100 according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 2 is a dipping portion (first dipping portion and second dipping portion) of the liquid storage device according to a preferred embodiment of the present invention It is sectional drawing. Hereinafter, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment will be described with reference to this.

도 1에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 액절장치(100)는 에칭단계에서 기판(5)에 도포된 에칭액이 남아 세정단계에 유입되는 것을 방지하기 위해, 제1 액절롤러부(10)와 제2 액절롤러부(20)를 통해 기판(5)을 이동시키면서, 상기 제1 액절롤러부(10)와 상기 제2 액절롤러부(20)의 하측에 위치한 제1 딥핑부(30)와 제2 딥핑부(40)에서 각각 제1 액절롤러부(10)와 제2 액절롤러부(20)를 딥핑하여 에칭액(35)과 희석액(45)을 공급한다.As shown in FIG. 1, in order to prevent the etching liquid applied to the substrate 5 from remaining in the etching step, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment may flow into the cleaning step. And a first dipping portion 30 positioned below the first liquid immersion roller portion 10 and the second liquid squeezer portion 20 while moving the substrate 5 through the second liquid squeezer roller 20. The etching solution 35 and the dilution 45 are supplied by dipping the first liquid immersion roller unit 10 and the second liquid squeezer roller 20 in the second dipping unit 40, respectively.

기판(5)은 에칭단계를 거친 후 액절장치(100)에 들어온다. 에칭단계를 간략히 검토하면, 회로패턴의 화상이 형성된 기판(5)은 에칭단계에서 기판에 에칭액이 도포되고 회로패턴을 형성하지 않는 부분의 동박이 에칭액에 의해 제거된다. 이러한 에칭단계는 에칭롤러부(2)를 통해 기판(5)을 이동시키면서 에칭롤러부(2)의 상/하측에 위치한 에칭액분사장치(4)에서 스프레이방식으로 기판에 에칭액을 공급한다.The substrate 5 enters the liquid crystal device 100 after undergoing an etching step. When the etching step is briefly examined, the substrate 5 on which the image of the circuit pattern is formed is applied with the etching liquid to the substrate in the etching step, and copper foil of the portion where the circuit pattern is not formed is removed by the etching liquid. In this etching step, the etching solution is supplied to the substrate by the spray method from the etching liquid spraying device 4 located above and below the etching roller portion 2 while moving the substrate 5 through the etching roller portion 2.

이때, 에칭롤러부(2)는 도 1에 도시한 것과 같이, 연속적으로 배열된 에칭롤러가 2단으로 형성되고, 상단과 하단의 에칭롤러 사이에 기판(5)을 끼워 접촉이동시킨다. 이때 에칭롤러는 기판의 회로패턴과 접촉을 최소화하기 위해 하나의 회전축에 다수의 디스크형상의 접촉부가 일정간격으로 배열된 디스크 롤러가 사용되는 것이 일반적이다. 또한, 인접하는 에칭롤러 사이의 간격을 좁히기 위해 인접하는 에칭롤러의 접촉부 개수는 상이하고, 접촉부의 배열은 전측 에칭롤러의 접촉부가 후측 에칭롤러의 접촉부 사이에 위치하게 구성된다.At this time, as shown in Fig. 1, the etching roller portion 2 is formed of two rows of etching rollers continuously arranged, and the substrate 5 is sandwiched between the upper and lower etching rollers to move the contact. In this case, in order to minimize contact with the circuit pattern of the substrate, it is common to use a disk roller having a plurality of disk-shaped contact portions arranged at a predetermined interval on one rotation shaft. Moreover, in order to narrow the space | interval between adjacent etching rollers, the number of the contact parts of adjacent etching rollers differs, and the arrangement | positioning of a contact part is comprised so that the contact part of a front side etching roller may be located between the contact parts of a rear side etching roller.

그리고, 도 1에 도시된 것과 같이, 제1 액절롤러부(10)와 제2 액절롤러부(20)는 상술한 에칭롤러부(2)와 같이 2단으로 형성된다. 제1 액절롤러부(10)와 제2 액절롤러부(20)는 각각 2개의 액절롤러로 구성되어 도시되고 있으나 그 개수는 제한되지 아니한다.As shown in FIG. 1, the first liquid immersion roller portion 10 and the second liquid immersion roller portion 20 are formed in two stages as in the etching roller portion 2 described above. The first liquid squeezing roller 10 and the second liquid squeezing roller 20 are each composed of two liquid squeezing rollers, but the number thereof is not limited.

여기서, 제1 액절롤러부(10)는 기판(5)을 전체 너비방향으로 접촉지지하며 기판(5) 전체에 에칭액을 도포한다. 이때, 제1 액절롤러부(10)를 구성하는 액절롤러는 회전축과 회전축의 일단에서 끝단으로 연속하여 형성된 원통형의 접촉부를 포함하여 구성된다.Here, the first liquid immersion roller unit 10 supports the substrate 5 in the overall width direction and applies the etching solution to the entire substrate 5. At this time, the liquefied rollers constituting the first liquefied roller unit 10 are configured to include a cylindrical contact portion formed continuously from one end to the end of the rotating shaft and the rotating shaft.

또한, 제1 액절롤러부(10)는 후술하는 제1 딥핑부(30)로부터 공급된 에칭액(35)을 기판 양면 전체에 도포한다.In addition, the first liquid immersion roller portion 10 applies the etching liquid 35 supplied from the first dipping portion 30 to be described later on both surfaces of the substrate.

이때, 에칭액(35)은 상술한 에칭단계에서 에칭액 분사장치(4)에서 분사되는 에칭액과 동일한 성분을 갖는다. 예를 들면, 염화철 에칭액, 염화동 에칭액, 알카리 에칭액, 과산화수소/황산계 에칭액이 사용될 수 있다. 이러한 에칭액은 다수의 첨가제를 부가하여 사용될 수 있다.At this time, the etching liquid 35 has the same component as the etching liquid injected from the etching liquid injector 4 in the above-described etching step. For example, iron chloride etchant, copper chloride etchant, alkali etchant, hydrogen peroxide / sulfuric acid etchant may be used. Such etchant may be used by adding a plurality of additives.

그리고, 제1 액절롤러부(10)는 상단과 하단의 2단 배열인데, 제1 딥핑부(30)에 잠긴 하단의 액절롤러가 회전하면서 액절롤러의 접촉부에 에칭액(35)을 묻히고, 하단의 액절롤러와 매우 근접하게 배치된 상단의 액절롤러에 에칭액(35)을 공급한다. 기판의 박판화가 이루어지면서 상단과 하단의 액절롤러는 수 마이크로미터 정도 이격되어 배치되는데, 하단 액절롤러가 에칭액(35)을 묻혀 회전하면 에칭액(35)은 상단 액절롤러와 접촉하여 공급된다. In addition, the first liquid immersion roller unit 10 is a two-stage arrangement of the top and the bottom. The liquid immersion roller immersed in the first dipping portion 30 rotates to bury the etching liquid 35 in the contact portion of the liquid squeegee, The etching liquid 35 is supplied to the upper liquid releasing roller disposed in close proximity to the liquid releasing roller. As the substrate is thinned, the upper and lower liquid crystal rollers are arranged to be spaced apart by a few micrometers. When the lower liquid roller is rotated by the etching liquid 35, the etching liquid 35 is supplied in contact with the upper liquid liquid roller.

그리고, 기판(5)이 제1 액절롤러부(10)에 들어오기 전 액절롤러를 구동하여 상단 액절롤러와 하단 액절롤러에 미리 에칭액(35)을 공급하고 기판이 들어오면 기판의 상하면 전부에 에칭액(35)을 접촉도포한다. 에칭단계에서는 디스크 롤러를 지나면서 에칭이 일어났으므로 디스크형상의 접촉부와 기판이 접촉하는 면과 그렇지 않은 면은 에칭편차가 발생한다. 그리고 종래와 같이, 디스크 롤러에 의해 기판을 이동시키면서 에어나이프를 사용하여 액절단계를 수행하는 경우 이러한 에칭편차는 그림자현상으로 발전되었다. 본 실시예에 따른 제1 액절롤러부(10)는 기판 전체에 에칭액(35)을 공급하여 에칭단계에서 발생한 에칭편차를 감소시킨다.Then, before the substrate 5 enters the first liquid roller part 10, the liquid roller is driven to supply the etching liquid 35 to the upper liquid roller and the lower liquid roller in advance. When the substrate enters, the etching liquid is applied to the upper and lower surfaces of the substrate. Apply (35) contact. In the etching step, since etching occurs while passing through the disk roller, etching deviation occurs between the contact surface between the disk-shaped contact portion and the substrate and the surface contacting the substrate. As in the related art, when the liquid phase step is performed using an air knife while moving a substrate by a disk roller, the etching deviation develops into a shadow phenomenon. The first liquid immersion roller unit 10 according to the present embodiment supplies the etching liquid 35 to the entire substrate to reduce the etching deviation generated in the etching step.

여기서, 제2 액절롤러부(20)는 제1 액절롤러부(10)에서 이송된 기판(5)을 전체 너비방향으로 접촉지지하며 기판(5) 전체에 희석액(45)을 도포한다. 제2 액절롤러부(20)의 형상, 배열, 및 구동방식은 제1 액절롤러부(10)와 동일한바 상세한 설명은 생략한다.Here, the second liquid crystal roller part 20 supports the substrate 5 transferred from the first liquid roller portion 10 in contact with the entire width direction and applies the diluent 45 to the entire substrate 5. The shape, arrangement, and driving method of the second liquid crystal roller unit 20 are the same as those of the first liquid roller unit 10, and thus detailed description thereof will be omitted.

이때, 제2 액절롤러부(20)는 기판(5)에 희석액(45)을 공급하여 상술한 제1 액절롤러부(10)에서 기판(5)에 공급한 에칭액(35)을 희석하고 부가적인 에칭을 중단시킨다. 희석액(45)은 액절단계 이후 세정단계에서 사용되는 세정액을 채용할 수 있고, 이온을 포함하지 않는 순수가 사용되는 것이 바람직하다. 이러한 희석액(45)은 기판에 공급된 에칭액(35)과 혼합되어 에칭액의 농도를 낮추고, 그럼으로써 에칭액은 그 기능을 상실하여, 에칭이 중단된다.At this time, the second liquid immersion roller part 20 supplies the diluent 45 to the substrate 5 to dilute the etching liquid 35 supplied from the first liquid squeeze roller part 10 to the substrate 5 and additionally. The etching is stopped. The diluent 45 may employ a washing solution used in the washing step after the liquid-repelling step, and pure water that does not contain ions is preferably used. This diluent 45 is mixed with the etchant 35 supplied to the substrate to lower the concentration of the etchant, whereby the etchant loses its function and the etching is stopped.

제2 액절롤러부(20) 역시 기판이 들어오기 전 미리 가동하여 상단과 하단의 액절롤러에 희석액(45)을 공급한 후 기판(5)이 들어오면 기판(5)에 접촉도포한다.The second liquid crystal roller unit 20 also operates in advance before the substrate enters, supplies the diluent 45 to the liquid crystal rollers at the upper and lower ends, and then contacts the substrate 5 when the substrate 5 enters.

도 1에 도시된 것과 같이, 제1 딥핑부(30)는 제1 액절롤러부(10)의 하측에 위치하고 에칭액(35)을 상기 제1 액절롤러부(10)에 공급한다. As shown in FIG. 1, the first dipping portion 30 is positioned below the first liquid roller portion 10 and supplies the etching liquid 35 to the first liquid roller portion 10.

도 2를 참조하여, 도 1에 도시된 제1 딥핑부(30)를 상세히 검토하기로 한다.Referring to FIG. 2, the first dipping portion 30 shown in FIG. 1 will be described in detail.

제1 딥핑부(30)는 에칭액(35)을 담을 수 있는 형상으로 에칭액(35)을 일정높이로 유지할 수 있도록 하는 구조이다. 제1 딥핑부(30)는 도 2에 도시된 것과 같이 상면은 오픈되어 액절롤러가 딥핑되고 에칭액(35)을 담을 수 있는 박스 형상이다. 다만, 이러한 박스 형상은 일 예에 불과하며, 제1 딥핑부(30)의 형상은 제한되지 아니한다.The first dipping portion 30 is a structure that can hold the etching solution 35 at a predetermined height in a shape capable of containing the etching solution 35. As illustrated in FIG. 2, the first dipping portion 30 is open and has a box shape in which the liquid squeezer is dipping and may contain the etching liquid 35. However, such a box shape is merely an example, and the shape of the first dipping portion 30 is not limited.

또한, 제1 딥핑부(30)는 에칭액(35)을 일정높이로 유지하며, 에칭액(35)의 성분을 일정하게 유지하기 위해 에칭액 유입구(31)를 통해 에칭액(35)이 유입된다. 기판(5)에 에칭액(35)을 공급함에 따라 제1 딥핑부(30)의 에칭액(35) 양이 감소하므로, 액절롤러가 계속하여 제1 딥핑부(35)에 딥핑될 수 있도록 에칭액(35)을 에칭액 유입구(31)를 통해 공급된다.In addition, the first dipping portion 30 maintains the etching solution 35 at a constant height, and the etching solution 35 is introduced through the etching solution inlet 31 in order to keep the components of the etching solution 35 constant. Since the amount of the etching solution 35 of the first dipping portion 30 decreases as the etching solution 35 is supplied to the substrate 5, the etching solution 35 can be continuously dipped into the first dipping portion 35. ) Is supplied through the etchant inlet 31.

또한, 제1 딥핑부(30)에 담긴 에칭액(35)이 일정한 농도와 성분비를 유지할 수 있도록 에칭액 유출구(32)를 통해 에칭액이 유출된다. 따라서 제1 딥핑부(30)의 에칭액(35)은 에칭액 유입구(31)와 에칭액 유출구(32)를 통해 순환되어 일정높이와 일정농도, 일정성분비를 유지할 수 있다.In addition, the etchant flows out through the etchant outlet 32 so that the etchant 35 contained in the first dipping portion 30 can maintain a constant concentration and component ratio. Therefore, the etching solution 35 of the first dipping portion 30 may be circulated through the etching solution inlet 31 and the etching solution outlet 32 to maintain a certain height, a certain concentration, and a predetermined component ratio.

이때, 순환되는 에칭액(35)은 액절롤러가 딥핑되었을 때, 반지름 정도의 깊이로 딥핑될 수 있도록 에칭액 유입구(31)와 에칭액 유출구(32)의 에칭액(35) 유량 을 조절하는 것이 바람직하다. 액절롤러가 절반 깊이로 딥핑되는 것이 기판(5)에 일정량의 에칭액을 공급할 수 있기 때문이다. 따라서, 에칭액 유입구(31) 또는 에칭액 유출구(32)에 유량조절밸브(미도시)를 설치하여 에칭액의 유입량과 유출량을 조절할 수 있다.At this time, the circulating etching solution 35 is preferably adjusted to the flow rate of the etching solution 35 of the etching solution inlet 31 and the etching solution outlet 32 so that when the immersion roller is dipped to a depth of about the radius. The reason why the liquid immersion roller is dipped to half the depth is because a certain amount of etching liquid can be supplied to the substrate 5. Therefore, a flow rate control valve (not shown) may be provided at the etching solution inlet 31 or the etching solution outlet 32 to adjust the inflow and outflow amounts of the etching solution.

한편, 도 2에는 제1 딥핑부(30)에 2개의 액절롤러가 딥핑되어 있으나 딥핑되는 액절롤러의 개수는 변경될 수 있다.Meanwhile, in FIG. 2, two liquefied rollers are dipped in the first dipping unit 30, but the number of dipping rollers may be changed.

또한, 도 2에 도시된 것과 같이, 제2 딥핑부(40)는 제2 액절롤러부(20)의 하측에 위치하고 희석액(45)을 상기 제2 액절롤러부(20)에 공급한다.In addition, as shown in FIG. 2, the second dipping portion 40 is positioned under the second liquid roller portion 20 and supplies the diluent 45 to the second liquid roller portion 20.

제2 딥핑부(40)의 형상과 구조는 상술한 제1 딥핑부(30)의 형상과 구조와 유사한바 상세한 설명은 생략한다. 제2 딥핑부(40) 역시 희석액(45)을 담을 수 있는 박스 형상이며, 희석액(45)을 일정량 유지할 수 있도록 희석액 유입구(41)와 희석액 유출구(42)를 포함하고, 각각 유량조절밸브를 포함할 수 있다.Since the shape and structure of the second dipping portion 40 is similar to the shape and structure of the first dipping portion 30 described above, a detailed description thereof will be omitted. The second dipping portion 40 also has a box shape to hold the diluent 45, and includes a diluent inlet 41 and a diluent outlet 42 to maintain a predetermined amount of the diluent 45, and each includes a flow control valve. can do.

희석액(45)이 에칭액의 농도를 낮추어 부가적인 에칭을 중단시킨다. 또한, 희석액(45)은 에칭반응의 결과물을 제거하는 예비세정의 역할을 한다. 그러므로 액절단계 이후에 실행되는 세정단계의 효율이 증가한다.Diluent 45 lowers the concentration of the etchant to stop additional etching. In addition, the diluent 45 serves as a preclean to remove the result of the etching reaction. Therefore, the efficiency of the cleaning step performed after the liquid phase step is increased.

에어나이프를 이용한 종래의 방식과 달리, 본 액절장치(100)는 에칭액을 제거하는 액절방식이 습식으로 이루어지므로 에칭액이 증발하여 액절롤러에 고형화되는 현상(액절롤러에 스케일 발생)을 방지할 수 있다. 따라서, 액절롤러의 수명은 연장되고, 액절롤러의 스케일에 의한 기판의 손상도 방지할 수 있다.Unlike the conventional method using the air knife, the liquid immersion apparatus 100 can prevent the phenomenon that the etching liquid evaporates and solidifies on the liquid squeezing roller (scale generation in the liquid squeezing roller) because the liquid squeezing method 100 removes the etching liquid. . Therefore, the life of the liquid crystal roller is extended, and damage to the substrate due to the scale of the liquid roller can also be prevented.

이때, 도 2에 도시된 것과 같이, 제1 딥핑부(30)와 제2 딥핑부(40)는 인접하여 구성되는 것이 바람직하다. 제1 딥핑부(30)와 제2 딥핑부(40)는 분리되어 구성될 수 있으나 이 경우 하나 이상의 액절롤러를 사이에 두고 분리되어 구성되므로 더 많은 공간이 요구된다. 따라서, 제1 딥핑부(30)와 제2 딥핑부(40)가 분리벽을 사이에 두고 일체로 형성되는 것이 불필요한 액절롤러의 개수를 감소시킬 수 있고, 액절장치의 부피를 감소시킬 수 있다.In this case, as shown in FIG. 2, the first dipping portion 30 and the second dipping portion 40 are preferably configured to be adjacent to each other. The first dipping portion 30 and the second dipping portion 40 may be configured separately, but in this case, more space is required since the first dipping portion 30 and the dipping portion 40 are separated from each other. Therefore, the first dipping portion 30 and the second dipping portion 40 formed integrally with the separation wall therebetween can reduce the number of unnecessary liquefied rollers, it is possible to reduce the volume of the liquefied device.

도 3은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 액절장치(200)를 도시한 단면도이다. 도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 액절장치의 딥핑부(제1 딥핑부 및 제2 딥핑부)를 도시한 단면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 액절장치(200)를 설명하기로 한다. 다만, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 액절장치(100)와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.3 is a cross-sectional view showing a liquid crystal device 200 according to another preferred embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view illustrating a dipping portion (a first dipping portion and a second dipping portion) of a liquid crystal device according to another preferred embodiment of the present invention. Hereinafter, the liquid crystal device 200 according to the present embodiment will be described with reference to this. However, detailed description of the same configuration as the liquid crystal device 100 described with reference to FIGS. 1 and 2 will be omitted.

도 3에 도시된 것과 같이, 제1 액절롤러부(10)에 포함된 액절롤러에 있어서, 최 전측에 위치한 액절롤러는 후측의 액절롤러보다 지름이 작은 것이 바람직하다. 기판(5)이 박판화 되어감에 따라 에칭단계에서 액절단계로 이송될 때, 액절롤러에 말려들어가는 문제가 발생할 수 있다. 이러한 문제는 제1 액절롤러(10)가 원통형의 접촉부를 갖고, 제1 딥핑부(30)에 딥핑되어 에칭액(35)을 기판(5)에 공급하므로 기판과 액절롤러의 습윤성이 높고, 상단의 액절롤러와 하단의 액절롤러에 공급된 에 칭액 양의 차이가 있기 때문에 발생한다. As shown in FIG. 3, in the liquid immersion roller included in the first liquid releasing roller unit 10, the liquid squeezing roller located at the foremost side is preferably smaller in diameter than the rear liquid squeezing roller. As the substrate 5 is thinned, when the substrate 5 is transferred from the etching step to the liquid phase step, a problem may occur in the liquid roller. This problem is because the first liquid immersion roller 10 has a cylindrical contact portion and is dipped in the first dipping portion 30 to supply the etching liquid 35 to the substrate 5 so that the wettability of the substrate and the liquid squeezer roller is high, and This occurs because there is a difference in the amount of etching liquid supplied to the liquefied roller and the lower liquefied roller.

이러한 말림 현상은 최 전측의 액절롤러를 지름이 작은 롤러를 사용함으로써 방지할 수 있다. 지름이 작은 최 전측의 롤러는 에칭액(35)의 공급보다는 기판(5)을 안내하는 역할에 중점을 둔다. 기판에 하중을 적게 주는 작은 사이즈의 최 전측 액절롤러가 기판(5)을 말림 없이 액절장치(200)에 들어오게 한 후 후측롤러가 기판(5)에 에칭액을 공급한다.This curling phenomenon can be prevented by using a roller having a small diameter on the front side of the liquefied roller. The roller at the foremost side having a smaller diameter focuses on guiding the substrate 5 rather than supplying the etching liquid 35. After the small-sized front-side liquid squeezer with a small load on the substrate allows the substrate 5 to enter the liquid squeezer 200 without curling, the rear rollers supply etching liquid to the substrate 5.

그리고, 도 4에 도시된 것과 같이 제1 딥핑부(30)는 에칭액 유입영역부(30-1)와 에칭액 유출영역부(30-2)로 분리된 구성을 가질 수 있다. 에칭액 유입영역부(30-1)에 에칭액 유입구(31)가 위치하여 에칭액(35)이 들어오고, 에칭액 유출영역(30-2)에 에칭액 유출구(32)가 연결되어 에칭액(35)이 나가면서 에칭액(35)이 순환된다. As shown in FIG. 4, the first dipping portion 30 may have a configuration separated into the etching liquid inflow region 30-1 and the etching liquid outflow region 30-2. The etchant inlet 31 is positioned in the etchant inlet region 30-1 so that the etchant 35 enters, and the etchant outlet 32 is connected to the etchant outlet region 30-2 so that the etchant 35 exits. The etching liquid 35 is circulated.

또한, 에칭액 유입영역부(30-1)와 에칭액 유출영역부(30-2)는 분리벽(33)에 의해 분리 구성되는데 분리벽(33)의 높이는 외벽의 높이보다 낮고 액절롤러에 이르지 않는 높이를 가져 분리벽(33) 상측을 통해 에칭액이 에칭액 유입영역부(30-1)에서 에칭액 유출영역부(30-2)로 이동한다. 제1 딥핑부(30)가 이러한 구조를 가짐으로써 제1 딥핑부(30)에 담긴 에칭액(35)은 일정농도와 일정성분비를 유지할 수 있다.In addition, the etchant inflow area 30-1 and the etchant outflow area 30-2 are separated by the separating wall 33. The height of the separating wall 33 is lower than the height of the outer wall and does not reach the liquid roller. The etching liquid moves from the etching liquid inflow region 30-1 to the etching liquid outflow region 30-2 through the separation wall 33. Since the first dipping portion 30 has such a structure, the etching liquid 35 contained in the first dipping portion 30 can maintain a constant concentration and a constant component ratio.

한편, 에칭액 유입영역부(30-1)와 에칭액 유출영역부(30-2)에 각각 하나의 액절롤러가 딥핑되어 있으나 이는 하나의 예시에 불과하고 액절롤러의 개수는 변형 될 수 있다.On the other hand, one etch roller is dipped in the etchant inflow area 30-1 and the etchant outflow area 30-2, respectively, but this is only one example and the number of the axial rollers may be modified.

이때, 제1 딥핑부(30)는 에칭액 유출영역부(30-2)에서 유출된 에칭액(35)을 수용하여 성분비를 재조정한 후 에칭액 유입영역부(30-1)에 공급하는 에칭액 탱크(34)를 더 포함할 수 있다. 에칭액 유출영역부(30-1)에서 유출된 에칭액(35)은 공급된 에칭액(35)에 비해 일부 성분의 구성비만 달라진 상태이다. 예를 들어, 에칭액(35)은 과산화수소를 포함할 수 있는데, 과산화수소는 시간이 흐름에 따라 산소가 발생하여 그 성질을 잃고 물로 변한다. 따라서 유출된 에칭액(35)에 과산화수소의 비율을 조절하여 다시 제1 딥핑부(30)에 유입시킴으로써 에칭액(35)의 낭비를 방지할 수 있다. 다만, 에칭액(35)을 일정성분비로 유지하기 위해 에칭액 탱크(34)에는 과산화수소 등 에칭액(35)을 구성하는 일부 성분이 보충되어야 하는데, 일부 성분을 보충하는 보충액 유입구는 도 4에 도시되지 않고 있다.At this time, the first dipping part 30 receives the etchant 35 flowing out of the etchant outflow region 30-2, readjusts the component ratio, and supplies the etchant tank 34 to the etchant inflow region 30-1. ) May be further included. The etchant 35 flowing out of the etchant outflow region part 30-1 is in a state in which only a part of components is different from the supplied etchant 35. For example, the etching solution 35 may include hydrogen peroxide, which hydrogen is generated over time and loses its properties and turns into water. Therefore, the waste of the etching solution 35 can be prevented by adjusting the ratio of hydrogen peroxide to the leaked etching solution 35 and flowing it back into the first dipping portion 30. However, in order to maintain the etching solution 35 at a constant component ratio, the etching liquid tank 34 needs to be supplemented with some components constituting the etching solution 35 such as hydrogen peroxide, and a supplement solution inlet for supplementing some components is not shown in FIG. 4. .

그리고, 도 4에 도시된 것과 같이 제2 딥핑부(40)는 희석액 유입영역부(40-1)와 희석액 유출영역부(40-2)로 분리된 구성을 가질 수 있다. 희석액 유입영역부(40-1)에 희석액 유입구(41)가 연결되어 희석액(45)이 들어오고, 희석액 유출영역(40-2)에 희석액 유출구(42)가 연결되어 희석액(45)이 나가면서 희석액(45)이 순환된다. 희석액(45) 역시 분리벽(44) 상측을 통해 이동된다. 이러한 제2 딥핑부(40)는 오염되지 않은 희석액을 제2 액절롤러(20)에 공급하기에 유리한 장점을 갖는다.And, as shown in FIG. 4, the second dipping portion 40 may have a configuration separated into a diluent inflow area 40-1 and a diluent outflow area 40-2. The diluent inlet 41 is connected to the diluent inlet area 40-1 so that the diluent 45 enters, and the diluent outlet 42 is connected to the diluent outlet 40-2 so that the dilution 45 exits. The dilution 45 is circulated. Diluent 45 is also moved through the separation wall 44 upper side. This second dipping portion 40 has an advantage of supplying the uncontaminated diluent liquid to the second liquid crystal roller 20.

한편 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다. 따라서, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, such modifications or variations will have to belong to the claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액절장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a liquid crystal device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액절장치의 딥핑부(제1 딥핑부 및 제2 딥핑부)를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a dipping portion (a first dipping portion and a second dipping portion) of a liquid crystal device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 액절장치를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a liquid crystal device according to another preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 액절장치의 딥핑부(제1 딥핑부 및 제2 딥핑부)를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a dipping portion (a first dipping portion and a second dipping portion) of a liquid crystal device according to another preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

2 ; 에칭롤러부 4 ; 에칭액 분사장치2 ; Etching roller section 4; Etching Liquid Injector

5 ; 기판 10 ; 제1 액절롤러부5; Substrate 10; First liquid roller part

20 ; 제2 액절롤러부 30 ; 제1 딥핑부20; 2nd liquid-liquid roller part 30; First dipping part

30-1 ; 에칭액 유입영역부 30-2 ; 에칭액 유출영역부30-1; Etching liquid inflow region 30-2; Etching liquid outflow area

31 ; 에칭액 유입구 32 ; 에칭액 유출구31; Etching liquid inlet 32; Etch solution outlet

33, 43 ; 분리벽 34 ; 에칭액 탱크33, 43; Partition wall 34; Etchant tank

35 ; 에칭액 40 ; 제2 딥핑부35; Etching liquid 40; 2nd dipping part

40-1 ; 희석액 유입영역부 40-2 ; 희석액 유출영역부40-1; Diluent inlet area 40-2; Diluent Outflow Area

41 ; 희석액 유입구 42 ; 희석액 유출구41; Diluent inlet 42; Diluent Outlet

45 ; 희석액45; diluent

Claims (7)

에칭단계에서 기판에 도포된 에칭액이 남아 세정단계에 유입되는 것을 방지하는 액절장치에 있어서,In the liquid-repelling apparatus for preventing the etching liquid applied to the substrate in the etching step remaining in the cleaning step, 상기 기판을 전체 너비방향으로 접촉지지하며 상기 기판에 에칭액을 도포하는 제1 액절롤러부;A first liquid roller part for supporting the substrate in the overall width direction and applying an etching solution to the substrate; 상기 제1 액절롤러부를 통과한 상기 기판을 전체 너비방향으로 접촉지지하며 상기 기판에 희석액을 도포하는 제2 액절롤러부;A second liquid roller part for supporting the substrate having passed through the first liquid roller part in the full width direction and applying a diluent to the substrate; 상기 제1 액절롤러부의 하측에 위치하고, 상기 제1 액절롤러부를 딥핑하여 상기 에칭액을 상기 제1 액절롤러부에 공급하는 제1 딥핑부; 및A first dipping part positioned under the first liquid squeezing roller part and supplying the etching liquid to the first liquid squeezing roller by dipping the first liquid squeezing roller part; And 상기 제2 액절롤러부의 하측에 위치하고, 상기 제2 액절롤러부를 딥핑하여 상기 희석액을 상기 제2 액절롤러부에 공급하는 제2 딥핑부를 포함하되,Located at the lower side of the second liquid immersion roller portion, including a second dipping portion for dipping the second liquid immersion roller portion to supply the diluent to the second liquid immersion roller portion, 상기 제1 액절롤러부에 포함된 다수의 액절롤러에 있어서,In the plurality of liquid rollers included in the first liquid roller, 최 전측에 위치한 액절롤러는 후측의 액절롤러보다 지름이 작은 것을 특징으로 하는 액절장치.The liquid collector which is located at the foremost side has a smaller diameter than the liquid roller at the rear side. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1 딥핑부와 상기 제2 딥핑부는 인접하여 구성된 것을 특징으로 하는 액절장치.And the first dipping portion and the second dipping portion are adjacent to each other. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1 딥핑부 및 상기 제2 딥핑부는 유량조절밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 액절장치.And the first dipping portion and the second dipping portion include a flow control valve. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제1 딥핑부는 에칭액 유입영역부와 에칭액 유출영역부로 분리 구성되는 것을 특징으로 하는 액절장치.And the first dipping portion is divided into an etchant inflow area and an etchant outflow area. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 제1 딥핑부는 상기 에칭액 유출영역부에서 유출된 에칭액을 수용한 후 재처리하여 상기 에칭액 유입영역부에 재공급하는 에칭액 탱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액절장치.And the first dipping portion further comprises an etchant tank for receiving the etchant flowing out of the etchant outflow region and then reprocessing and resupplying the etchant inflow portion. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제2 딥핑부는 희석액 유입영역부와 희석액 유출영역부로 분리 구성된 것을 특징으로 하는 액절장치.And the second dipping portion is configured to be divided into a diluent inflow region portion and a dilution liquid outlet region portion.
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