KR101130296B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101130296B1
KR101130296B1 KR1020090130027A KR20090130027A KR101130296B1 KR 101130296 B1 KR101130296 B1 KR 101130296B1 KR 1020090130027 A KR1020090130027 A KR 1020090130027A KR 20090130027 A KR20090130027 A KR 20090130027A KR 101130296 B1 KR101130296 B1 KR 101130296B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sio
weight
display panel
plasma display
partition wall
Prior art date
Application number
KR1020090130027A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110072915A (ko
Inventor
이범욱
최종서
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020090130027A priority Critical patent/KR101130296B1/ko
Priority to US12/959,099 priority patent/US20110152061A1/en
Publication of KR20110072915A publication Critical patent/KR20110072915A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101130296B1 publication Critical patent/KR101130296B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/32—Phosphorus-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/02—Homopolymers or copolymers of acids; Metal or ammonium salts thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/38—Boron-containing compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

SiO2 및 B2O3을 합한 함량 50 중량% 내지 80 중량% 또는 SiO2 및 P2O5을 합한 함량 50 중량% 내지 80 중량%를 포함하는 무기물 및 감광성 성분을 포함하는 유기물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물이 제공된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물{A photosensitive paste composition for a barrier rib of Plasma display panel}
플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널, 즉 PDP(Plasma display panel) 구조에 있어서, 격벽은 하판 (또는 배면 기판)에 형성되는 구조물로서, 방전 공간 확보 및 인접한 셀 간의 전기적 및 광학적 크로스 토크 (cross talk)를 방지하는 역할을 한다.　 이러한 격벽은 PDP의 종류에 따라서 형태 (스트라이프형 (stripe) 또는 격자형 (matrix)) 및 치수 (폭 및 피치)가 다양하다.
격벽은 PDP 하판에 어드레스 전극 및 그 위에 유전체를 형성한 다음, 샌드 블라스트법 (sand blast method), 에칭법(etching) 또는 감광성법 (photolithography) 등을 이용해서 형성된다.
샌드 블라스트법은 격벽 페이스트를 테이블 코터 (table coater) 등을 이용하여 한번에 인쇄하고 건조시킴으로써 원하는 두께의 막을 형성한 다음, 내샌딩성을 갖는 드라이 필름 레지스트 (dry film resist)를 라미네이션시키고 노광 및 현 상 공정을 통해서 패터닝한다.　 이어서, 이러한 드라이 필름 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 샌딩 공정에서 고압의 미세 연마제를 분사시켜 격벽을 패턴화하고, 남아 있는 드라이 필름 레지스트를 제거한 후, 소성 공정을 거침으로써 격벽을 완성한다.　
에칭법은 샌드 블라스트법과 유사한 방법으로서, 샌딩 공정 대신에 소성된 막을 에칭액을 사용하여 패턴화하여 격벽을 형성하는 방법이다.
감광성법은 감광성 페이스트를 인쇄 및 건조하여 막을 형성하고 원하는 두께의 막을 형성하고, 포토마스크가 장착된 자외선 노광 장치를 이용하여 노광하는 인쇄, 건조, 및 노광 공정을 반복 실시하여 원하는 두께를 형성한 다음, 현상 공정에서 비 노광부를 선택적으로 제거한 후, 소성 공정을 거쳐 격벽을 제조하는 방법이다.
친환경적이며, 소비 전력을 낮추는 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물을 제공한다.
상기 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 제공한다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따라,
무기물 및
감광성 성분을 포함하는 유기물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물에 있어서,
상기 무기물이 SiO2 및 B2O3을 포함하며 SiO2 및 B2O3을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%의 무기물이거나, 또는 SiO2 및 P2O5을 포함하며 SiO2 및 P2O5을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%의 무기물인 감광성 페이스트 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 무기물은 SiO2 및 B2O3을 포함하며 SiO2 및 B2O3을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 55 량% 내지 60 중량%의 무기물이거나, 또는 SiO2 및 P2O5을 포함하며 SiO2 및 P2O5을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 65 량% 내지 77 중량%의 무기물인 감광성 페이스트 조성물일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따라,
무기물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 격벽에 있어서,
상기 무기물이 SiO2 및 B2O3을 포함하며 SiO2 및 B2O3을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%의 무기물이거나, 또는 SiO2 및 P2O5을 포함하며 SiO2 및 P2O5을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%의 무기물인 플라즈마 디스플레이 패널 격벽이 제공된다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 격벽에서 SiO2 및 B2O3을 합한 함량은 55 중량% 내지 60 중량%이거나 또는 SiO2 및 P2O5을 합한 함량은 65 중량% 내지 77 중량%일 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 격벽의 유전율은 7 내지 8일 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 상기 격벽의 굴절율은 1.50 내지 1.55일 수 있다.
본 발명의 또다른 측면에 따라, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널이 제공된다.
본 발명의 일 구현예는 감광성 격벽형성 공법에 적합한 감광성 페이스트 조성물을 제공하는 것으로서, 친환경 특성을 가지면서, 구동시 효율 증가에 따른 구동 전압의 감소로 소비 전력을 낮출 수 있는 효과를 가져온다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
첫째, 종래 기술에서 제시된 무기물은 환경 유해 물질인 PbO 또는 Bi2O3를 포함하고 있으며, 둘째, PbO 또는 Bi2O3를 포함하는 무기물의 유전율은 PbO-free 또는 Bi2O3-free 무기물에 비해 상대적으로 크기 때문에 구동시 효율이 떨어지고, 이로 인해 구동 전압이 높아야 하기 때문에 소비 전력이 증가하는 문제점을 갖는다.
본 발명의 일 측면에 따라, 무기물 및 감광성 성분을 포함하는 유기물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물에 있어서, 상기 감광성 페이스트 조성물의 무기물은 SiO2 및 B2O3을 포함하며 SiO2 및 B2O3을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%의 무기물이거나, 또는 SiO2 및 P2O5을 포함하며 SiO2 및 P2O5을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%를 포함한다. 50 중량% 미만이거나 80 중량%를 초과하게 되면 원하는 물성의 페이스트 재료를 만들 수 없어 공정에 적용하는데 문제가 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, PDP 격벽 제조에 있어 친환경적이고 저유전 율인 무기물을 사용함으로써 구동 효율을 높이고, 결과적으로 소비 전력을 낮출 수 있게 된다.
상기 무기물은 유리 분말(glass frit)과 충진제 (filler)로 구성되는데, 유리 분말의 성분은 이에 제한되지는 않지만, 규소 (Si), 붕소 (B), 알루미늄 (Al), 바륨 (Ba), 아연 (Zn), 마그네슘 (Mg), 칼슘 (Ca), 리튬 (Li), 나트륨 (Na), 칼륨 (K) 및 인 (P) 등의 산화물을 3종 이상 포함하는 복합 산화물을 예로 들 수 있으며, 이들 유리 분말들은 단독 또는 2종으로 혼합하여 사용될 수도 있다.　
이러한 조건을 만족시키는 유리 분말의 보다 구체적인 예로는, SiO2-B2O3-Al2O3계, SiO2-B2O3-BaO계, SiO2-B2O3-CaO계, SiO2-B2O3-ZnO계, P2O5-BaO계, 또는 P2O5-ZnO계 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 들 수 있다.　 또한, 이들 유리 분말들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유리 분말의 입자 형상은 특별히 한정되지 않지만, 구형에 가까운 것이 바람직한데, 이는 구형에 가까울수록 충진율 및 자외선 투과도에 있어서 더욱 우수한 특성을 갖기 때문이다.
상기 유리 분말의 크기는 중간값 (D50)이 2 ㎛ 내지 5 ㎛, 최소값 (Dmin)은 0.1 ㎛ 이상, 최대값 (Dmax)은 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.　 중간값이 2 ㎛ 미만이거나 최소값이 0.1 ㎛ 미만이 되면 분산성이 떨어져 인쇄 특성이 나빠지고, 소성시 수축율이 커서 원하는 형태의 격벽을 얻을 수 없으며, 중간값이 5 ㎛를 초과하거나 최대값이 20 ㎛를 초과하게 되면 격벽의 치밀성 및 격벽 모양의 직진성이 떨어지게 되어 바람직하지 못하다.
상기 유리 분말의 연화 온도 (softening temperature, Ts)는 하기 수학식 1을 만족하는 것이 바람직하다.
소성 온도 - 80 ℃ <Ts < 소성 온도
상기 유리 분말의 연화 온도가 (소성 온도 - 80 ℃) 이하가 되면 소성시 격벽 형상이 무너지고, 연화 온도가 소성 온도 이상이 되면 소결이 제대로 일어나지 않는 문제가 발생한다.
상기 유리 분말의 함량은 무기물에 대해서 75 중량% 내지 95 중량%가 적합하며, 75 중량% 미만이면 격벽 표면이 거칠고 격벽 내부의 치밀성이 떨어지는 문제가 발생하고, 95 중량%를 초과하게 되면 소성 후 패턴이 무너져 원하는 형상의 격벽을 얻을 수 없다.
상기 무기물에 사용되는 충진제는, 이에 제한되지는 않지만, 규소, 붕소, 알루미늄, 바륨, 아연, 마그네슘 및 칼슘 등의 산화물을 단독 또는 2종 이상 포함하는 복합 산화물을 예로 들 수 있으며, 이들 충진제는 단독 또는 2종으로 혼합하여 사용될 수도 있다.　
상기 충진제의 보다 구체적인 예로는, SiO2, SiO2-B2O3계, SiO2-Al2O3계 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 들 수 있다.
상기 충진제의 입자 형상은 특별히 한정되지 않지만, 구형에 가까운 것이 바 람직한데, 이는 구형에 가까울수록 충진률 및 자외선 투과도에 있어서 더욱 우수한 특성을 갖기 때문이다.
상기 충진제의 크기는 중간값이 1 ㎛ 내지 4 ㎛, 최소값은 0.1 ㎛ 이상, 최대값은 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.　 중간값이 1 ㎛ 미만이거나 최소값이 0.1 ㎛ 미만이 되면 노광 감도의 저하 및 소성시 수축율이 커서 원하는 형태의 격벽을 얻을 수 없고, 중간값이 4 ㎛를 초과하거나 최대값이 20 ㎛를 초과하게 되면 격벽의 치밀성 및 격벽 모양의 직진성이 떨어지게 되어 바람직하지 못하다.
상기 충진제의 연화 온도는 하기 수학식 2를 만족하는 것이 바람직하다.
Ts > 소성 온도 + 20 ℃
상기 충진제의 연화 온도가 (소성 온도 + 20 ℃) 이하가 되면 소성시 격벽 형상이 무너지는 문제가 발생한다.
상기 충진제의 함량은 무기물에 대해서 5 중량% 내지 25 중량%가 적합하며, 5 중량% 미만이면 소성 후 패턴이 무너져 원하는 형상의 격벽을 얻을 수 없는 문제가 발생하며, 25 중량%를 초과하게 되면 격벽 표면이 거칠고 격벽 내부의 치밀성이 떨어지는 문제가 발생한다.
상기 유리 분말과 충진제로 구성된 무기물의 성분은 SiO2와 B2O3를 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량% 또는 SiO2와 P2O5를 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%를 갖는 것이 바람직하며, SiO2와 B2O3를 합한 함량 또는 SiO2와 P2O5를 합한 함량이 50 중량% 미만이면 유기물과의 굴절률 차이가 커져서 원하는 형상의 격벽을 형성할 수 없으며, 80 중량%를 초과하면 원하는 열적 특성을 갖는 무기물을 제조할 수 없는 문제가　 발생한다.
예를 들어, SiO2 및 B2O3을 합한 함량은 무기물 100 중량%에 대하여 55 중량% 내지 60 중량%의 무기물이거나, 또는 SiO2 및 P2O5을 포함하며 SiO2 및 P2O5을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 65 중량% 내지 77 중량%일 수 있다.
무기물 성분이 SiO2, B2O3, P2O5 를 모두 포함하는 경우, 상기 SiO2 함량에 B2O3함량 또는 P2O5 함량을 합산하되, P2O5 또는 B2O3중에서 많은 성분의 함량을 고려한다.
상기 유리 분말과 충진제로 구성된 무기물의 열팽창 계수는 격벽이 형성되는 기판의 열 팽창 계수에 가까울 수록 좋다. 유리 분말과 기판과의 열 팽창 계수 차이가 크게 되면 기판이 휘거나 심한 경우에는 파손될 수도 있다.
이러한 감광성 페이스트 조성물로 제조된 격벽의 유전율은 7 내지 8일 수 있으며, 상기 격벽의 굴절율은 1.50 내지 1.55일 수 있다.
페이스트 조성물에서 SiO2와 B2O3를 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량% 또는 SiO2와 P2O5를 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%를 갖는 경우, 격벽의 유전율 및 굴절율은 상기 범위 값을 가진다. 유전율 및 굴절율이 상기 범위 내인 경우 PDP의 구동 효율 상승율이 높다.
본 발명에 따른 조성물은 또한 감광성 성분으로 구성된 유기물을 포함하며, 유기물의 함량은 상기 격벽 페이스트에 대해서 20 중량% 내지 50 중량%인 것이 바람직하다.　 유기물의 함량이 20 중량% 미만이거나 50 중량%를 초과하는 경우에는 원하는 물성의 페이스트 재료를 만들 수 없어 공정에 적용할 수 없다.
조성물은 건조, 소성 과정을 거쳐 격벽을 형성하므로 조성물의 유기물 성분은 건조, 소성 과정에서 모두 사라지게 된다. 따라서, 격벽에서의 SiO2 및 B2O3을 합한 함량 또는 또는 SiO2 및 P2O5을 합한 함량은 조성물에서 무기물 100 중량%에 대한 함량과 같다. 즉, 격벽에서 SiO2 및 B2O3을 합한 함량은 50 중량% 내지 80 중량%이거나 또는 SiO2 및 P2O5을 합한 함량은 50 중량% 내지 80 중량%일 수 있다.
예를 들어, 상기 격벽에서 SiO2 및 B2O3을 합한 함량은 55 중량% 내지 60 중량%이거나 또는 SiO2 및 P2O5을 합한 함량은 65 중량% 내지 77 중량%일 수 있다.
상기 유기물의 구성 성분인 감광성 성분은 유기 바인더, 가교제, 광개시제, 용매 및 기타 첨가제를 포함한다.
현상 공정에서 알카리 수용액을 현상액으로 사용하는 경우에, 유기 바인더는 산성기를 포함하는 것을 사용한다.　 이러한 유기 바인더로는 여러 가지 종류의 고분자가 사용될 수 있는데, 그 중 아크릴계 수지가 가격 및 특성 면에서 가장 적합하다.　 아크릴계 수지 내에 산성기를 갖게 하기 위해서는 카르복실기를 갖는 모노 머를 이용할 수 있으며, 따라서 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 바인더로서 카르복실기를 갖는 모노머와 다른 1개 이상의 모노머들과의 공중합체를 사용할 수 있다.　
카르복실기를 갖는 모노머는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 말레인산, 비닐초산 및 이들의 무수물로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것일 수 있으며, 이러한 카르복실기를 갖는 모노머와 공중합되는 다른 모노머는 아크릴기를 포함하는 화합물일 수 있다.
또한, 유기 바인더로는 상기 공중합체(상기 공중합체는 카르복실기를 갖는 모노머와 다른 1개 이상의 모노머들과의 공중합체이다. 이하 같다)의 카르복실기와 에틸렌성 불포화 화합물을 반응시킴으로써, 결과적으로 바인더 내에 가교 반응을 일으킬 성분이 부가된 것을 이용할 수도 있다.　
상기 에틸렌성 불포화 화합물로는 글리시딜메타크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 및 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 것이 사용될 수 있다.
더 나아가, 유기 바인더로는 상기 공중합체들을 단독으로 사용할 수도 있으나, 막 레벨링이나 요변 특성 향상 등의 목적으로 셀루로오즈계 화합물을 사용할 수 있다.
상기 공중합체의 분자량은 5,000 g/mol내지 100,000 g/mol인 것이 바람직하며, 산가는 50 mgKOH/g내지 200 mgKOH/g인 것이 바람직하다. 공중합체의 분자량이 5,000 g/mol 미만인 경우에는 페이스트의 인쇄성이 떨어지고, 100,000 g/mol을 초 과하는 경우에는 현상시 비노광부가 제거가 안되는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.　
또한, 공중합체의 산가가 50 mgKOH/g 미만인 경우에는 현상성이 떨어지고, 200 mgKOH/g을 초과하는 경우에는 노광된 부분까지 현상되는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
상기 유기 바인더의 함량은 첨가되는 무기물의 함량, 증점제의 첨가 여부 및 그 함량 등에 의해서 결정되는데, 유기 바인더는 유기물에 대해서 10 중량% 내지 50 중량%인 것이 바람직하다.　 유기 바인더의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 점도 및 인쇄성 저하라는 문제점이 있어서 바람직하지 않고, 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 현상성 불량 및 수축율이 심해서 원하는 격벽의 형상을 얻을 수 없어 바람직하지 않다.
가교제로는 단관능 및 다관능 모노머가 이용될 수 있는데, 일반적으로는 노광 감도가 좋은 다관능 모노머를 이용한다.
이러한 다관능 모노머로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 아크릴레이트계 화합물을 사용할 수 있다.
상기 가교제의 함량은 상기 공중합체 바인더에 대해서 50 중량% 내지 200 중량%인 것이 바람직한데, 가교제의 함량이 50 중량% 미만인 경우에는 노광 감도가 떨어져서 패턴된 격벽을 얻을 수 없고, 200 중량%를 초과하는 경우에는 수축율이 심해 원하는 격벽의 형상을 얻을 수 없어 바람직하지 않다.
상기 광개시제로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 벤조페논, o-벤조일벤조 산메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 및 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다.　
상기 광개시제의 함량은 상기 가교제에 대해서 1 중량% 내지 20 중량%인 것이 바람직한데, 광개시제의 함량이 1 중량% 미만인 경우에는 페이스트의 노광 감도가 떨어져서 원하는 크기의 격벽 선폭을 얻을 수가 없고, 20 중량%를 초과하는 경우에는 격벽 선폭이 크게 나오거나 현상이 안 되는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.
상기 용매로는, 유기 바인더 및 광개시제를 용해시킬 수 있고, 가교제 및 기타 첨가제와 잘 혼합되면서 비등점이 150 ℃이상인 것이 사용될 수 있다.　 비등점이 150 ℃미만인 경우에는 조성물의 제조 과정, 특히 3-롤 밀 공정에서 휘발되는 경향이 커서 문제가 되며, 또한 인쇄시 용매가 너무 빨리 휘발되어 인쇄 상태가 좋지 않게 되므로 바람직하지 않다.
상기 조건을 충족시킬 수 있는 바람직한 용매로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브아세테이트, 부틸 셀로솔브아세테이트, 및 트리프로필렌글리콜로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다.　 상기 용매의 함량은 특별히 한정하지 않으나, 인쇄 또는 코팅에 알맞는 페이스트의 점도가 되도록 사용해야 한다.
또한, 상기 유기물은 감도를 향상시키는 증감제, 조성물의 보존성을 향상시키는 중합금지제 및 산화방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 조성물 내의 기포를 줄여 주는 소포제, 분산성을 향상시키는 분산제, 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제, 및 요변 특성을 부여하는 가소제 등과 같은 첨가제를 더 포함할 수도 있다.
본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물은 하기와 같은 방법에 의해서 제조될 수 있다.
먼저 감광성 성분을 갖는 유기물을 제조한다.　 유기물은 상기에서 상술한 바와 같이 유기 바인더, 광개시제, 가교제 및 첨가제가 포함되어 있으며, 필요시 용매도 포함될 수 있다.　 상기 유기물은 정해진 양에 따라 각각의 성분을 혼합하고 충분히 교반시켜 균일하고 투명한 용액으로 제조된다.
상기 제조된 유기물은 무기 분말과 PLM (planetary mixer) 등을 이용하여 혼합한 다음, 3-롤 밀을 수 회 실시하여 기계적 혼합을 수행하고, 최종적으로 SUS #400 내지 #600 메시로 필터링한 다음, 진공 펌프를 이용하여 탈포 (degassing)함으로써 본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물을 제조할 수 있게 된다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 상기 서술한 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 PDP 격벽을 제공한다.　 격벽은 미세 패턴의 형성 과정 및 소성 과정을 통하여 제조된다.
미세 패턴의 형성 과정은, 상기와 같이 제조된 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물을 테이블 코터 등을 이용하여 어드레스 전극과 유전층이 형성된 하판 기판에 인쇄를 행하고, 드라이 오븐 (dry oven) 또는 IR 오븐에서 100 ℃ 내지 150 ℃ 의 온도로, 5 분 내지 30 분 동안 건조시킨 다음, 형성된 페이스트 코팅 막 위에 자외선 광원을 사용하여 300 nm 내지 450 nm의 빛으로 패턴이 형성되도록 노광을 행하고, 다시 상기 격벽 형성용 감광성 페이스트의 인쇄 및 노광까지의 공정을 반복 실시한 다음 Na2CO3 용액, KOH, TMAH 등과 같은 적당한 알칼리 현상액으로 30 ℃ 내외의 온도에서 현상하여 미 노광된 부위를 제거함으로써 이루어진다. 또한, 소성 과정은, 상기와 같이 형성된 미세 패턴을 전기로 등에서 피크온도 540 ℃ 내지 600 ℃로 10 분 내지 30 분간 소성함으로써 이루어진다.
또 다른 구현예에서, 본 발명은 상기 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
도 1에는 본 발명에 따른 감광성 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구체적인 구조가 도시되어 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전방 패널 (110) 및 후방 패널 (120)을 포함하는 구조로 되어 있다. 상기 전방 패널 (110)은 전면 기판 (111), 상기 전면 기판의 배면 (111a)에 형성된 Y전극 (112)과 X전극 (113)을 구비한 유지 전극쌍 (114)들, 상기 유지 전극쌍들을 덮는 전방 유전체층 (115), 및 상기 전방 유전체층을 덮는 보호막 (116)을 구비한다. 상기 Y전극 (112)과 X전극 (113) 각각은, ITO 등으로 형성된 투명 전극 (112b, 113b); 명암 향상을 위한 흑색 전극 (미도시) 및 도전성을 부여하는 백색 전극 (미도시)으로 구성되는 버스 전극 (112a, 113a)을 구비한다. 상기 버스 전극 (112a, 113a)들은 PDP의 좌우측에 배치된 연결 케이블과 연결된다.
상기 후방 패널 (120)은 배면 기판 (121), 배면 기판의 전면 (121a)에 상기 유지 전극쌍과 교차하도록 형성된 어드레스 전극 (122)들, 상기 어드레스 전극들을 덮는 후방 유전체층 (123), 상기 후방 유전체층 상에 형성되어 발광 셀 (126)들을 구획하는 격벽 (124), 및 상기 발광 셀 내에 배치된 형광체층 (125)을 구비한다. 상기 어드레스 전극 (122)들은 PDP의 상하측에 배치된 연결 케이블과 연결된다.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1
하기 표 1의 유리분말 A 50 중량%, 하기 표 2의 충진제 A 10 중량%, 하기 표 3의 유기물 40 중량%를 PLM(planetary mixer)에서 넣어 1차 혼합한 후 3-롤 밀을 이용하여 2차 혼합한 후 SUS 306 #400 메시로 필터링과 진공 탈포를 거쳐 감광성 페이스트를 제조하였다.
상기 감광성 페이스트 조성물을 어드레스 전극과 하유전체가 형성되어 있는 6" 유리 기판 위에 코터를 이용하여 wet 두께 250 ㎛로 도포한 다음, 드라이 오븐 에 넣어 130 ℃에서 15 분간 건조시켰다. 이후, 격자 모양의 패턴을 갖는 포토마스크 (선폭 = 30 ㎛, 피치 = 160 ㎛)가 장착된 고압 수은 램프 자외선 노광 장치를 이용하여 150 mJ/㎠로 조사하였다.　 조사된 유리 기판은 30 ℃의 0.4% 탄산나트륨 수용액을 노즐압력 1.5 kgf/㎠로 300 초 동안 분사하여 현상한 다음, 상온의 순수를 노즐압력 1.0 kgf/㎠로 30 초 동안 분사하여 세정하였다.　 이후, 에어나이프 (air knife)를 이용하여 건조시킨 다음, 전기 소성로에 넣어 피크온도 570 ℃에서 20 분간 소성하여 격벽을 형성하였다.
격벽이 형성된 6" 유리 기판에 스크린 인쇄기를 이용하여 R, G, B 형광체를 각각 인쇄 및 건조하여 형광막 건조된 하판을 제작하였다.
이후, 유리 간판에 버스 전극, 상유전체, MgO 막이 형성되어 있는 상판과 상기 제작된 하판을 실링재를 이용하여 붙인 뒤, 소성로에 넣어 피크온도 560 ℃에서 20 분간 소성하여 패널을 제작하고, 이후 점등 검사를 실시하기 위해 에이징 공정을 거쳐 최종적으로 테스트 패널 1을 제작하였다.
상기 제작된 테스트 패널의 점등 검사 결과를 표 4에 나타내었다.
상기 격벽의 유전율 및 굴절율을 측정하여 각각 7.25 및 1.53의 결과를 얻었다.
실시예 2
하기 표 1의 유리분말 B 50 중량%, 하기 표 2의 충진제 B 10 중량%, 하기 표 3의 유기물 40 중량%를 PLM에서 1차 혼합한 후 3-롤 밀을 이용하여 2차 혼합한 후 SUS #400 메시로 필터링과 진공 탈포를 거쳐 감광성 페이스트를 제조하였다.　 이후 상기 예 1과 동일한 방법을 거쳐 테스트 패널 2를 제작하였고, 점등 검사 결과를 표 4에 나타내었다.
상기 격벽의 유전율 및 굴절율을 측정하여 각각 7.65 및 1.53의 결과를 얻었다.
실시예 3
하기 표 1의 유리분말 B 50 중량%, 하기 표 2의 충진제 A 10 중량%, 하기 표 3의 유기물 40 중량%를 PLM에서 1차 혼합한 후 3-롤 밀을 이용하여 2차 혼합한 후 SUS #400 메시로 필터링과 진공 탈포를 거쳐 감광성 페이스트를 제조하였다.　 이후 상기 예 1과 동일한 방법을 거쳐 테스트 패널 3을 제작하였고, 점등 검사 결과를 표 4에 나타내었다.
상기 격벽의 유전율 및 굴절율을 측정하여 각각 7.08 및 1.52의 결과를 얻었다.
비교예 1
하기 표 1의 유리분말 A 50 중량%, 하기 표 2의 충진제 C 10 중량%, 하기 표 3의 유기물 40 중량%를 PLM에서 1차 혼합한 후 3-롤 밀을 이용하여 2차 혼합한 후 SUS #400 메시로 필터링과 진공 탈포를 거쳐 감광성 페이스트를 제조하였다.　 이후 상기 예 1과 동일한 방법을 거쳐 테스트 패널 4를 제작하였고, 점등 검사 결과를 표 4에 나타내었다.
상기 격벽의 유전율 및 굴절율을 측정하여 각각 8.20 및 1.58의 결과를 얻었 다.
비교예 2
하기 표 1의 유리분말 C 50 중량%, 하기 표 2의 충진제 A 10 중량%, 하기 표 3의 유기물 40 중량%를 PLM에서 1차 혼합한 후 3-롤 밀을 이용하여 2차 혼합한 후 SUS #400 메시로 필터링과 진공 탈포를 거쳐 감광성 페이스트를 제조하였다.　 이후 상기 예 1과 동일한 방법을 거쳐 테스트 패널 5를 제작하였고, 점등 검사 결과를 표 4에 나타내었다.
상기 격벽의 유전율 및 굴절율을 측정하여 각각 10.3 및 1.65의 결과를 얻었다.
[표 1]유리 분말 조성 (표 1내에 나타낸 숫자는 중량%를 나타낸다)
성분 유리 분말 A 유리 분말 B 유리 분말 C
SiO2 10 5 13
B2O3 40 - 18
Al2O3 19 3 4
BaO - 8 14
ZnO 16 18 21
MgO 3 　 4
CaO 4 　 　
Li2O 2 　 -
Na2O 6 　 -
Bi2O3 - 　 26
P2O5 - 66 -
[표 2]충진제 조성 (표 2 내에 나타낸 숫자는 중량%를 나타낸다)
성분 충진제 A 충진제 B 충진제 C
SiO2 100 50 -
B2O3 - 12 -
Al2O3 - 30 100
BaO - 5 -
ZnO - 5 -
Na2O - 5 -
[표 3]유기물 조성 (표 내에 나타낸 숫자는 중량%를 나타낸다)
조성 성분 함량
바인더　1 카르복실기를 갖는 아크릴 고분자, 분자량 12,000g/mol, 산가 150 mgKOH/g 32.5
바인더　2 히드록시프로필 셀룰로오스 0.5
가교제 1 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 16.4
가교제 2 펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트 4.8
개시제 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논 2.5
분산제 BYK 110(BirdChem사) 1.5
레벨링제 BYK 306(BirdChem사) 0.2
용제 캄마부티로락톤 41.6
[표 4] 점등 검사 결과
성분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예2
B/P 1.21 1.24 1.32 0.98 1.03
(B/P : Brightness/Power, 전력 소비 대비 밝기 값)
하기 표 5에 상기 실시예 1, 2, 비교예 1, 2에 사용한 무기물에 대해서 SiO2와 B2O3 및 SiO2와 P2O5의 합한 중량%를 나타내었다.
[표 5] 무기물 중 SiO2와 B2O3의 또는 SiO2와 P2O5의 함량
성분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예2
SiO2+B2O3 58.3% 　 　 41.6% 42.5%
SiO2+P2O5 　 67.5% 75.8% 　 　
상기 표 4의 점등 검사 결과와 표 5를 보면 SiO2와 B2O3 또는 SiO2와 P2O5를 합한 함량이 50 중량%를 초과하는 실시예 1 내지 3의 경우 B/P가 1.2 이상으로 높게 나온 반면 SiO2와 B2O3 또는 SiO2와 P2O5를 합한 함량이 50 중량% 미만인 비교예 1과 2의 경우에는 B/P가 상대적으로 낮게 나온 것을 알 수 있다.　
상기의 결과는 실시예 1 내지 3에 사용된 무기물의 경우 비교예 1 및 2에 사용된 무기물에 비해 상대적으로 유전율이 낮아 구동 효율이 상승됨으로써, 결과적으로 구동 전압 (power) 대비 휘도 (brightness)가 높게 나온 것을 나타내고 있다.
도 1은 본 발명에 따른 PDP에 대한 구조를 도시한 부분 절개 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110: 전방 패널 111: 전면 기판
112: Y 전극 113: X 전극
114: 유지 전극쌍 115: 전방 유전체층
116: 보호막 120: 후방 패널
121: 배면기판 122: 어드레스 전극
123: 후방 유전체층 124: 격벽
125: 형광체층 126: 발광 셀

Claims (9)

  1. 무기물; 및
    감광성 성분을 포함하는 유기물;
    을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물에 있어서,
    상기 무기물이 SiO2와 B2O3 및 P2O5 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 SiO2와 B2O3 및 P2O5 중 함량이 많은 것과의 총 합량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%인 감광성 페이스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기물이 SiO2 및 B2O3을 포함하며 SiO2 및 B2O3을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 55 중량% 내지 60 중량%인 감광성 페이스트 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기물이 SiO2 및 P2O5을 포함하며 SiO2 및 P2O5을 합한 함량이 무기물 100 중량%에 대하여 65 중량% 내지 77 중량%의 무기물인 감광성 페이스트 조성물.
  4. 무기물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 격벽에 있어서,
    상기 무기물이 SiO2와 B2O3 및 P2O5 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 SiO2와 B2O3 및 P2O5 중 함량이 많은 것과의 총 합량이 무기물 100 중량%에 대하여 50 중량% 내지 80 중량%인 플라즈마 디스플레이 패널 격벽.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 격벽에서 SiO2 및 B2O3을 합한 함량이 55 중량% 내지 60 중량%인 플라즈마 디스플레이 패널 격벽.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 격벽에서 SiO2 및 P2O5을 합한 함량이 65 중량% 내지 77 중량%인 플라즈마 디스플레이 패널 격벽.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 격벽의 유전율이 7 내지 8인 플라즈마 디스플레이 패널 격벽.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 격벽의 굴절율이 1.50 내지 1.55인 플라즈마 디스플레이 패널 격벽.
  9. 제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
KR1020090130027A 2009-12-23 2009-12-23 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물 KR101130296B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090130027A KR101130296B1 (ko) 2009-12-23 2009-12-23 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물
US12/959,099 US20110152061A1 (en) 2009-12-23 2010-12-02 Photosensitive paste composition for forming barrier ribs of plasma display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090130027A KR101130296B1 (ko) 2009-12-23 2009-12-23 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110072915A KR20110072915A (ko) 2011-06-29
KR101130296B1 true KR101130296B1 (ko) 2012-03-22

Family

ID=44151910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090130027A KR101130296B1 (ko) 2009-12-23 2009-12-23 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110152061A1 (ko)
KR (1) KR101130296B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080032458A (ko) * 2006-10-10 2008-04-15 엘지전자 주식회사 격벽 재료와 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및제조 방법
KR100889774B1 (ko) * 2007-03-06 2009-03-24 삼성에스디아이 주식회사 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6197480B1 (en) * 1995-06-12 2001-03-06 Toray Industries, Inc. Photosensitive paste, a plasma display, and a method for the production thereof
KR20080065660A (ko) * 2005-11-11 2008-07-14 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 디스플레이 디바이스, 유리 링이 부착된 통기관, 인산계유리 링 및 그 제조 방법
JP4598008B2 (ja) * 2007-02-06 2010-12-15 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 耐酸性を有する無鉛ガラス組成物およびガラスペースト
KR100852706B1 (ko) * 2007-03-02 2008-08-19 삼성에스디아이 주식회사 격벽 형성용 조성물, 및 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널
WO2009017035A1 (ja) * 2007-07-27 2009-02-05 Asahi Glass Co., Ltd. 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080032458A (ko) * 2006-10-10 2008-04-15 엘지전자 주식회사 격벽 재료와 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및제조 방법
KR100889774B1 (ko) * 2007-03-06 2009-03-24 삼성에스디아이 주식회사 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널

Also Published As

Publication number Publication date
US20110152061A1 (en) 2011-06-23
KR20110072915A (ko) 2011-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005352481A (ja) 感光性ペースト組成物、これを利用して製造されたｐｄｐ電極、及びこれを備えるｐｄｐ
JP2006196455A (ja) 感光性ペースト組成物、それを利用して製造されたｐｄｐ電極、及びそれを含むｐｄｐ
JP2006199958A (ja) 感光性ペースト組成物、及びそれを利用して製造されたプラズマディスプレイパネル
KR101117693B1 (ko) 알루미늄을 포함하는 ｐｄｐ 전극용 페이스트, 상기 페이스트를 이용하여 ｐｄｐ 전극을 형성하는 방법, 및 상기 방법에 따라 형성한 ｐｄｐ 전극
KR100889774B1 (ko) 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널의 격벽 및 이를 포함하는 플라즈마디스플레이 패널
KR100967978B1 (ko) 흑색 페이스트 조성물 및 이것을 사용하여 흑색 패턴을형성한 플라즈마 디스플레이 패널
KR20080083518A (ko) 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된 플라즈마디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR101005360B1 (ko) 광경화성 조성물 및 이를 이용하여 흑색 패턴을 형성한플라즈마 디스플레이 패널
JPH11135025A (ja) プラズマディスプレイおよびその製造方法
JP4411940B2 (ja) 無機材料ペースト、およびプラズマディスプレイ部材ならびにプラズマディスプレイ
KR101130296B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물
JP5129217B2 (ja) 隔壁材料、これを利用して形成した隔壁及び前記隔壁を備えるｐｄｐ
KR101113464B1 (ko) 광경화성 수지 조성물 및 플라즈마 디스플레이 패널용전면 기판
KR101174888B1 (ko) 격벽 재료, 이를 이용하여 형성한 격벽 및 상기 격벽을 포함하는 ｐｄｐ
JP3858005B2 (ja) 光硬化性樹脂組成物及びプラズマディスプレイパネル用前面基板
KR20060082532A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극, 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JP2008108719A (ja) プラズマディスプレイ用部材の製造方法
KR20080064596A (ko) 격벽 형성용 페이스트 조성물, 이를 이용하여 제조된ｐｄｐ 격벽, 및 이를 포함하는 ｐｄｐ
KR20060084620A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법
KR20060080404A (ko) 격벽 형성용 감광성 페이스트 조성물, 이를 이용하여제조된 ｐｄｐ 격벽, 및 이를 포함하는 ｐｄｐ
KR100836449B1 (ko) 광경화성 조성물 및 그것을 이용하여 흑색 패턴을 형성한플라즈마 디스플레이 패널
KR101082441B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 기판 구조체, 이의 제조 방법 및 상기 기판 구조체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
JP2004288581A (ja) 隔壁用感光性黒色ペースト、プラズマディスプレイ用部材およびプラズマディスプレイ
JP2009181764A (ja) プラズマディスプレイ用部材の製造方法
JPWO2008016003A1 (ja) プラズマディスプレイ用背面板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee