KR20060082532A - 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극, 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 Ag 성분 이동 방지층을 포함함으로써 전극의 단선 또는 합선을 방지할 수 있는 어드레스 전극, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 어드레스 전극 중의 Ag 성분의 이동 (migration)으로 인한 전극의 단선 또는 합선을 방지할 수 있다는 효과가 있다.

플라즈마 디스플레이 패널, 어드레스 전극, 단선

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 {An address electrode for plasma display panel, plasma display panel comprising the same and a method of preparing the same}

도 1은 종래기술에 따른 교류형 플라즈마 디스플레이 패널에 구비된 단위 방전 셀에 대한 단면도이다.

도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 어드레스 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하측 기판에 대한 단면도이다.

도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 개략적으로 보여주는 부분 사시도이다.

도 4a 내지 4i는 본 발명의 일 구현예에 따라서 본 발명의 어드레스 전극을 제조하기 위한 공정도를 개략적으로 나타낸 도면이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

21: 유리 기판 22: Ag층

23: Ag 성분 이동 방지층 24: 어드레스 전극

310: 전면 패널 311: 전면 기판

312: Y 전극 313: X 전극

314: 유지 전극쌍 315: 전방 유전체층

316: 보호막 320: 배면 패널

321: 배면 기판 322: 어드레스 전극

323: 후방 유전체층 324: 격벽

325: 형광체층 326: 발광 셀

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, Ag 성분 이동 방지층을 포함함으로써 전극의 단선 또는 합선을 방지할 수 있는 어드레스 전극, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.

통상적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 밀폐된 공간에 설치된 전극들 사이에 가스가 충전된 상태에서 전극에 소정의 전압을 인가하여 글로우 방전 (glow discharge)이 일어나도록 하고, 글로우 방전시 발생되는 자외선에 의해 소정 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성하게 된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 구동방법에 따라 직류형 또는 교류형 또는 혼합형 (Hybrid type)으로 분류되고, 전극 구조에 따라 방전에 필요한 최소 2개의 전극을 갖는 것과, 3개의 전극을 갖는 것으로 구분된다.

도 1에는 통상적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널에 구비된 단위 방전 셀에 대한 단면 구조를 나타내었다.

도 1을 참조하면, 방전 셀 (110)에 있어, 상측 기판 (111)의 하면에는 상호 간에 방전 갭으로 이격된 X 전극 (113)과 Y 전극 (114)으로 이루어진 유지 전극쌍 (112)이 형성되어 있다. 상기 X 전극 (113)과 Y 전극 (114)은 공통 전극과 스캔 전극으로 각각 작용하게 된다. 상기 X 전극 (113) 및 Y 전극 (114)은 각각 투명 전극 (113a)(114a)과 이들의 하면에 형성되어 전압을 인가하는 버스 전극 (113b)(114b)으로 구비되어 있다. 상기 유지 전극쌍 (112)은 상측 유전체층 (115)에 의해 매립되어 있으며, 상기 상측 유전체층 (115)의 하면에는 보호층 (116)이 형성되어 있다.

그리고, 상기 상측 기판 (111)과 대향되도록 하측 기판 (121)이 배치되어 있으며, 상기 하측 기판 (121)상에는 어드레스 전극 (122)이 형성되어 있다. 상기 어드레스 전극 (122)은 하측 유전체층 (123)에 의해 매립되어 있다. 그리고, 상기 하측 유전체층 (123)상에는 형광 물질로 형광체층 (124)이 형성되어 있다. 한편, 이와 같이 구성된 방전 셀 (110) 내에는 방전 가스가 주입되어진다.

상기와 같은 구조를 가지는 방전 셀 (110)들이 구비된 플라즈마 디스플레이 패널의 작동을 간략하게 설명하면 다음과 같다.

먼저, 어드레스 전극 (122)과 Y 전극 (114) 사이에 어드레스방전 전압이 인가되면 어드레스방전이 일어나게 되며, 이에 따라 어드레싱된 방전 셀 (110)에 소정의 벽전하가 형성된다. 그리고, 이와 같은 상태에서 X 전극 (113)과 Y 전극 (114) 사이에 유지방전 전압이 인가되면 유지방전이 일어나게 된다. 이러한 방전에 의해 발생된 전하들은 방전 가스와 충돌하게 되며, 이에 따라 플라즈마가 형성 되어 자외선이 발생하게 된다. 이와 같은 자외선의 발생으로 형광체층 (124)이 여기됨으로써 화상이 표시되어진다.

현재 상기와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상측 기판의 어드레스 전극은 대부분 Ag 등의 도전성 분말을 포함하는 감광성 페이스트를 이용하여 사진식각법 (photolithography)으로 형성되고 있다. 그러나, 어드레스 전극에 도전성을 부여하는 Ag 성분은 유리 기판으로 이동 (migration)하거나, 또는 전극과 전극 사이에서 이동하여 전극 저항을 증가시키고, 단자부와 인터컨넥션부의 단선 및 합선 등을 초래한다.

이러한 Ag 성분의 이동 방식은 전자 이동 방식과 이온 이동 방식에 의하고, 그 정도는 Ag 전극에 인접한 재료와 제조 공정 조건들에 영향을 받는데, 구체적으로, Ag 전극과 인접한 재료인 기판, 특히 유리 기판의 경우에 Na 및 K와 같은 알카리 금속 및 Mg 및 Ca와 같은 알카리토금속 성분들 (그 중에서도 특히 알카리 금속)을 많이 포함할수록 Ag 성분의 유리 기판으로의 이동 현상이 증가한다.

한편, 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 단자부의 경우에, Ag 이동은 유리 기판으로의 이동도 발생하지만, 주로 전극과 이웃한 전극 사이에서 대부분 발생한다. 이것은 단자부의 전극과 전극 사이의 간격이 표시부에 비해 매우 좁은 것이 근본적인 원인이며, 이와 더불어, 어드레스 전극 제조 시에, 현상 공정에서 비노광부가 현상액에 깨끗하게 제거되지 않고 일부 남아 있는 상태에서 소성을 함으로써 비노광부 영역에 Ag 잔류물이 존재하는 경우, 또는 전극의 패턴이 깨끗하지 않고 잔사 (residue)나 돌기 등이 심한 경우에도 발생한다. 또한, 어드레스 전극 의 인터컨넥션부의 경우에는, 상기 단자부의 Ag 이동 원인 외에 인터컨넥션 공정의 이반도전성필름 (Anisotropic Conductive Film, ACF) 및 연성기판 (Flexible Printed Circuit, FPC)을 부착하는 과정에서 공기 중의 이물질 및 수분이 유입되는 경우에 Ag 이동을 가속시키는 주 원인으로 작용하기도 한다.

따라서, 종래에는 이러한 Ag 성분 이동에 의한 단선 또는 합선을 감소시키기 위해서, 전극 도전성 물질로서 Ag를 사용하지 않고, Ag의 합금, 예를 들어 Ag/Pd, Ag/Pd/Au, 또는 Ag/Cu 등의 합금을 사용하기도 하였으나, Ag/Pd 및 Ag/Pd/Au 합금은 그 가격이 매우 고가인 단점이 있고, Ag/Cu 합금의 경우 저항이 크게 증가된다는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하여, 비용이 저렴하면서도, 전극의 저항을 크게 증가시킴이 없이, 플라즈마 디스플레이 패널 전극의 단선 또는 합선을 방지할 수 있는 새로운 어드레스 전극 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 일 구현예는 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,

Ag층 및 Ag 성분 이동 방지층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극을 제공한다.

다른 구현예에서, 본 발명은 상기 어드레스 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

또 다른 구현예에서, 본 발명은,

기판 상에 Ag 감광성 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;

포토 마스크가 부착된 노광 장치를 이용하여 건조된 Ag 감광성 페이스트를 노광하는 단계;

현상액을 분사하여 미노광된 Ag 감광성 페이스트 부분을 제거함으로써 Ag 패턴을 제조하는 단계;

상기 Ag 패턴 상에 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;

포토마스크가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 건조된 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트를 노광하는 단계;

현상액을 분사하여 미노광된 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트 부분을 제거함으로써 어드레스 전극 패턴을 제조하는 단계; 및

상기 어드레스 전극 패턴을 소성하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법을 제공한다.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.

본 발명에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극의 도전성 성분인 Ag 성분의 이동을 방지함으로써 전극의 단선 또는 합선을 방지하고자 한다.

본 발명은 상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위해서, Ag 성분 이동 방지층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극을 제공한다. 도 2에는 본 발명에 따른 어드레스 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 하측 기판 에 대한 단면도가 도시되어 있다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 하측 기판은 유리 기판 (21) 상에 Ag층 (22) 및 Ag 성분 이동방지층 (23)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것을 알 수 있다. 도 2에서 Ag층 (22) 및 Ag 성분 이동방지층 (23)을 합하여 어드레스 전극이라 한다 (24).

바람직하게는, 상기 Ag 성분 이동 방지층 (23)은 Ni층이다.

Ni층은 Ag 이동과 같은 현상이 발생되지 않고, Ag보다는 도전성이 다소 떨어지지만, 비교적 우수한 도전성을 보유하고 있으며, 가격이 저렴하고, 또한 Ag 분말과 같이 원하는 형태 및 크기를 조절하여 제조하기가 용이하기 때문에 본 발명의 Ag 성분 이동 방지층 (23)으로 사용되기에 적합하다.

바람직하게는, 상기 Ag 성분 이동 방지층의 선폭 (w₂)은 상기 Ag층의 선폭 (w₁)보다 더 크다. 이는, 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 단자부의 경우에, Ag 이동은 유리 기판으로의 이동도 발생하지만, 단자부의 전극과 전극 사이의 간격이 표시부에 비해서 매우 좁기 때문에, 주로 전극과 이웃한 전극 사이에서 대부분 발생하고, 따라서 효과적으로 단선 또는 합선을 방지하기 위해서는 Ag의 종방향 이동, 즉 유리 기판으로의 이동보다는 Ag의 횡방향 이동, 즉 이웃한 전극으로의 이동을 방지하는 것이 필수적이기 때문이다. 본 발명에 따른 Ag 성분 이동 방지층은 Ag층의 선폭 (w₁)보다 더 큰 선폭 (w₂)을 갖는 관계로, Ag층의 상면뿐 아니라, 측면도 감싸는 구조를 가질 수 있게 되며, 따라서 효과적인 Ag 이동 방지가 이 루어진다.

또한, 바람직하게는, 상기 Ag 성분 이동 방지층의 상면 두께 (b)는 0.1 내지 3.0 ㎛인 것이 바람직한데, 이는 두께가 0.1 ㎛ 미만인 경우에는 Ag 이동을 방지하는 효과가 떨어지는 문제점이 있고, 두께가 3.0 ㎛를 초과하는 경우에는 전극의 저항이 증가하는 문제점이 있어서 바람직하지 않기 때문이다.

또한, 바람직하게는, 상기 Ag 성분 이동 방지층의 측면 두께 (a)는 1.0 내지 20 ㎛인 것이 바람직한데, 이는 두께가 1.0 ㎛ 미만인 경우에는 Ag 이동을 방지하는 효과가 떨어지는 문제점이 있고, 두께가 20 ㎛를 초과하는 경우에는 전극의 저항이 증가하는 문제점이 있어서 바람직하지 않기 때문이다.

상기 Ag 성분 이동 방지층 (23)은 어드레스 전극의 단자부 및 인터컨넥션부상에만 한정되어 형성될 수도 있지만, Ag 성분 이동 방지층 (23)이 Ni층과 같이 도전성이 우수한 성분인 경우에는, 어드레스 전극 전체, 예를 들어 표시부 상에도 형성될 수도 있다.

다른 구현예에서, 본 발명은 상기 어드레스 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

도 3에는 본 발명의 어드레스 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 보여주는 부분 사시도를 도시하였다.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널 (310) 및 배면 패널 (320)을 포함하는 구조로 되어 있다. 상기 전면 패널 (310)은 전면 기판 (311), 상기 전면 기판의 배면 (311a)에 형성된 Y전극 (312)과 X전극 (313)을 구비한 유지 전극쌍 (314)들, 상기 유지 전극쌍들을 덮는 전방 유전체층 (315), 및 상기 전방 유전체층을 덮는 보호막 (316)을 구비한다. 상기 Y전극 (312)과 X전극 (313) 각각은, ITO 등으로 형성된 투명 전극 (312b, 313b), 및 버스 전극 (312a, 113a)을 구비한다. 상기 버스 전극 (312a, 313a)들은 PDP의 좌우측에 배치된 연결 케이블과 연결된다.

상기 배면 패널 (320)은 배면 기판 (321), 배면 기판의 전면 (321a)에 상기 유지 전극쌍과 교차하도록 형성된 어드레스 전극 (322)들, 상기 어드레스 전극들을 덮는 후방 유전체층 (323), 상기 후방 유전체층 상에 형성되어 발광 셀 (326)들을 구획하는 격벽 (324)을 구비하며, 상기 어드레스 전극 (322)들은 플라즈마 디스플레이 패널의 상하측에 배치된 연결 케이블과 연결된다.

상기 전면 패널 (310) 및 배면 패널 (320) 사이의 발광 셀 (326) 내에는 형광체층이 배치된다.

또 다른 구현예에서, 본 발명은, 기판 상에 Ag 감광성 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계; 포토 마스크가 부착된 노광 장치를 이용하여 건조된 Ag 감광성 페이스트를 노광하는 단계; 현상액을 분사하여 미노광된 Ag 감광성 페이스트 부분을 제거함으로써 Ag 패턴을 제조하는 단계; 상기 Ag 패턴 상에 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계; 포토마스크가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 건조된 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트를 노광하는 단계; 현상액을 분사하여 미노광된 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트 부분을 제거함으로써 어드레스 전극 패턴을 제조하는 단계; 및 상기 어드 레스 전극 패턴을 소성하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법을 제공한다.

상기 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트는 상술한 바와 마찬가지의 이유로 Ni 감광성 페이스트인 것이 바람직하다.

도 4a 내지 4i에는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법에 대한 공정도를 개략적으로 나타내었다.

도 4a 내지 4i를 참조하면, 먼저 유리 기판 등의 기판 (41) 상에 Ag 감광성 페이스트 (42)를 스크린 인쇄법 등에 의해서 인쇄하고 (도 4a), 인쇄된 Ag 감광성 페이스트 (42)는 열풍 건조기 또는 IR 건조기 등을 사용하여 80 내지 120℃의 온도로, 5분 내지 30분 동안 건조한다 (도 4b).

이어서, 포토마스크 (44)가 부착된 자외선 노광장치를 이용하여 건조된 Ag 감광성 페이스트 (43)에 자외선을 조사한다. 이 경우, 300 mJ/cm² 내지 700 mJ/cm²의 노광 에너지로 조사할 수 있다 (도 4c).

상기 노광 단계 이후에는, 현상액을 노즐 등을 통해 분사시킴으로써 상기 노광 단계에서 미노광된 Ag 감광성 페이스트 막을 현상시켜 제거함으로써, Ag 패턴 (45)을 제조한다. 현상액으로는 Na₂CO₃, KOH, TMAH, 및 모노에탄올아민 등의 현상액이 사용될 수 있다 (도 4d).

상기 4a 내지 4d 단계에 의해서 Ag 패턴 (45)을 제조하는 방법은 종래기술에 따른 어드레스 전극의 제조방법과 동일하며, 따라서 상기 언급한 방법 이외에도 종 래기술에서 통상적으로 사용되는 다양한 방법들이 Ag 패턴의 제조에 적용될 수 있다.

상기와 같이 Ag 패턴 (45)을 제조한 이후에는, 상기 Ag 패턴 (45) 상에 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트를 사용하여 Ag 성분 이동 방지층 (46)을 스크린 인쇄법 등에 의해서 인쇄하고 (도 4e), 인쇄된 Ag 성분 이동 방지층 (46)은 열풍 건조기 또는 IR 건조기 등을 사용하여 80 내지 120℃의 온도로, 5분 내지 30분 동안 건조한다 (도 4f). 상기 서술한 바와 동일한 이유로, 상기 Ag 성분 이동 방지층 (46)은 Ni층인 것이 바람직하다.

이어서, 포토마스크 (44')가 부착된 자외선 노광장치를 이용하여 건조된 Ag 성분 이동 방지층 (47)에 자외선을 조사한다. 이 경우, 300 mJ/cm² 내지 700 mJ/cm²의 노광 에너지로 조사할 수 있다 (도 4g).

한편, 상기 4g 단계의 포토마스크 (44')는 상기 Ag 패턴 (45)의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 포토마스크인 것이 바람직하다. 이는, 상기 설명한 바와 같이 Ag 패턴 (45)의 상면뿐만이 아니라, 측면에도 Ag 성분 이동 방지층을 형성함으로써, 이웃한 전극으로의 Ag 이동을 방지하여, 어드레스 전극의 단선 또는 합선을 더욱 효과적으로 방지하기 위한 이유때문이다.

마지막으로, 상기 노광 단계 이후에는, 현상액을 노즐 등을 통해 분사시킴으로써 상기 노광 단계에서 미노광된 Ag 성분 이동 방지층을 제거함으로써, Ag 성분 이동 방지층의 패턴 (48)을 제조하고 (도 4h), 이를 소성함으로써 본 발명에 따른 어드레스 전극을 제조한다 (도 4i). 상기 소성 단계는 500 내지 580℃의 온도에서, 10분 내지 30분 동안 수행될 수 있다.

상기에서는, 본 발명에 따른 어드레스 전극을 제조함에 있어서, 감광성 페이스트를 이용한 사진식각법 (photolithography)을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명에 따른 어드레스 전극의 제조방법이 상기에만 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 비감광성 페이스트를 이용한 스크린 인쇄법, 또는 감광성 그린 시트를 이용한 사진식각법 등의 방법이 사용될 수도 있다.

한편, 상기 4a 단계 및 4e 단계에서 사용된 Ag 감광성 페이스트 및 Ag 성분 이동 방지층 및 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트는 각각 하기의 조성을 갖는다. 상기 두 가지 감광성 페이스트는 전자가 Ag 성분을 포함하고, 후자가 Ag층 이동 방지 성분 (예를 들어, Ni 성분)을 포함한다는 점을 제외하고는 그 구성 성분이 동일하다. 즉, 감광성 페이스트는 도전성 분말, 무기질계 바인더, 및 유기 비이클 (vehicle)을 포함하며, 여기에서 도전성 분말은 전자의 경우는 Ag 분말이고, 후자의 경우는 Ni 분말과 같은 Ag층 이동 방지 성분 분말이며, 이하에서는 Ni 분말을 예로 들어 설명하기로 한다.

본 발명의 감광성 페이스트 조성물 중 각각의 성분의 함량은 도전성 분말 100 중량부에 대해서, 무기질계 바인더 0.1 내지 10 중량부, 및 유기 비이클 20 내지 100 중량부인 것이 바람직하다.

조성물 중 도전성 분말의 상대적 함량이 상기 범위에 미달되는 경우에는, 소성 시에 도전 막의 선폭 수축이 심하고, 단선이 발생될 수 있으며, 상기 범위를 초 과하는 경우에는, 인쇄성 불량 및 광 투과의 저하에 의한 불충분한 가교 반응에 의해서 원하는 패턴을 얻을 수 없어 바람직하지 못하다.

상기 도전성 분말인 은 또는 니켈의 분말의 입형은 구형인 것이 바람직한데, 이는 구형의 입자가 충진율 및 자외선 투과도에 있어서 판상이나 무정형보다 우수한 특성을 갖기 때문이다. 또한, 상기 도전성 분말의 평균 입경은 0.1 내지 5.0 ㎛인 것이 바람직한데, 평균 입경이 5.0 ㎛를 초과하게 되면 소성 막 패턴의 직진성이 불량하고 또한 소성 막의 저항이 높게 되는 문제점이 나타나고, 평균 입경이 0.1 ㎛ 미만이 되면 페이스트의 분산성 및 노광 감도가 불량해지기 때문에 바람직하지 않다.

본 발명에 따른 조성물은 또한 무기질계 바인더를 포함하며, 상기 무기질계 바인더는 소성 공정에서 도전성 분말의 소결 (sintering) 특성을 향상시키며, 또한 도전막과 유리 기판 사이에 접착력을 부여하는 역할을 한다. 상기 무기질계 바인더의 함량은 도전성 분말 100 중량부에 대해서 0.1 내지 10 중량부인 것이 바람직한데, 무기질계 바인더의 함량이 0.1 중량부 미만인 경우에는 도전성 분말의 소결이 제대로 일어나지 않고, 전도막과 유리 기판 사이의 접착력이 저하되어 후 공정을 거치는 과정에서 전도막이 떨어지게 되는 문제점이 발생하고, 10 중량부를 초과하게 되는 경우에는 전도막의 저항이 증가되는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.

상기 무기질계 바인더로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, Pb, Si, B, Ba, Zn, 및 Bi 등의 복합 산화물을 들 수 있으며, 예를 들어 PbO-SiO₂-B₂O₃ 계, PbO-SiO₂- B₂O₃-BaO계, PbO-SiO₂-B₂O₃-BaO-ZnO계, Bi ₂O₃-SiO₂-B₂O₃계, Bi₂O₃ -SiO₂-B₂O₃-BaO계, Bi₂O₃-SiO₂-B₂O₃-BaO-ZnO계로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 사용될 수 있다.

무기질계 바인더의 입자 외형은 특별히 한정되지 않으나, 구형일수록 좋고, 평균 입경은 5.0 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 평균 입경이 5.0 ㎛를 초과하는 경우에는 소성막이 불균일하고 직진성이 나빠진다는 문제점이 있어서 바람직하지 않다. 또한, 상기 무기질계 바인더는 연화 온도 (softening temperature)는 400 내지 600 ℃인 것이 바람직하다. 연화 온도가 400 ℃ 미만인 경우에는 소성 시 전극 주변으로 흘러 내려 퍼져 버리거나 유기물 분해를 방해하게 되며, 연화 온도가 600 ℃를 초과하는 경우에는 소성 온도가 600 ℃를 초과하는 온도에서는 유리 기판이 휘어지기 때문에 소성 온도를 600 ℃ 이상으로 사용할 수 없어서, 무기질계 바인더의 연화가 일어날 수 없게 되는 문제점이 있다.

본 발명에 따른 조성물은 또한 유기 비이클을 포함하며, 유기 비이클의 함량은 상기 도전성 분말 100 중량부에 대해서 20 내지 100 중량부인 것이 바람직하다. 유기 비이클의 함량이 20 중량부에 미달되는 경우에는 페이스트의 인쇄성 불량 및 노광 감도가 저하되므로 바람직하지 못하며, 100 중량부를 초과하는 경우에는 상대적으로 도전성 분말의 함량비가 낮게 되어 소성 시에 전도막의 선폭 수축이 심하고, 단선이 발생되기 때문에 바람직하지 못하다.

유기 비이클은 바인더, 가교제, 광개시제, 용매 및 기타 첨가제를 포함하며, 그 함량은, 바인더 100 중량부에 대해서, 20 내지 150 중량부의 가교제, 10 내지 150 중량부의 광개시제, 및 100 내지 500 중량부의 용매를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 바인더는 카르복실기를 갖는 모노머와 다른 1개 이상의 모노머들과의 공중합체의 형태이며, 본 발명에 따른 조성물이 알카리 수용액에 현상이 되게 하는 역할을 한다. 유기 비이클 중 바인더의 함량이 상기 범위에 미달되는 경우에는 인쇄성이 떨어지고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 현상성 불량 및 소성막 주변에 잔사 (residue)를 발생시킬 수 있어서 바람직하지 않다.

상기 카르복실기를 갖는 모노머는 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 말레인산, 비닐초산 및 이들의 무수물로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택된 것이 바람직하며, 이들 산성기를 갖는 모노머들과 공중합시킬 수 있는 모노머들로는 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 및 에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 모노머가 사용될 수 있다.

또한, 바인더로는 상기 중합체의 산성기인 카르복실기의 일부분과 에틸렌성 불포화 화합물을 반응시킴으로써, 자외선 조사에 의하여 바인더 내에 가교 반응을 일으킬 성분이 부가된 것을 이용할 수도 있다. 상기 에틸렌성 불포화 화합물로는 글리시딜 메타크릴레이트, 3,4-에폭시 시클로헥실 메틸메타크릴레이트, 및 3,4-에 폭시 시클로헥실 메틸아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 것이 사용될 수 있다.

또한, 바인더로는 상기 공중합체를 단독으로 사용할 수도 있으나, 막 레벨링이나 요변 특성 향상 등의 목적으로 셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 프로필셀룰로오스, 에틸메틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 히드록시메틸셀룰로오즈, 히드록시에틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 카르복시에틸셀룰로오스, 및 카르복시에틸메틸셀룰로오스로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 혼합하여 사용할 수도 있다.

상기 공중합체의 분자량은 5,000 내지 50,000 g/mol인 것이 바람직하며, 산가는 20 내지 100 mgKOH/g인 것이 바람직하다. 공중합체의 분자량이 5,000 g/mol 미만인 경우에는 페이스트의 인쇄성이 떨어지고, 50,000 g/mol을 초과하는 경우에는 현상시 비노광부가 제거가 안되는 문제점이 있어서 바람직하지 않다. 또한, 공중합체의 산가가 20 mgKOH/g 미만인 경우에는 현상성이 떨어지고, 100 mgKOH/g을 초과하는 경우에는 노광된 부분까지 현상되는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.

가교제로는 단관능 및 다관능 모노머가 이용될 수 있는데, 일반적으로는 노광 감도가 좋은 다관능 모노머를 이용한다. 이러한 다관능 모노머로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(EGDA)와 같은 디아크릴레이트계; 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(TMPTA), 트리메틸올프로판에톡시레이트트리아크릴레이트(TMPEOTA), 또는 펜타에리스리톨트리아크릴레이트(PETA)와 같은 트리아크릴레이트계; 테트라메틸올프로판 테트라아크릴레이트, 또는 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트와 같은 테트라아크릴레이트계; 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트(DPHA)와 같은 헥사아크릴레이트계로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이 사용될 수 있다.

상기 가교제의 함량은 상기 공중합체 바인더 100 중량부에 대해서 20 내지 150 중량부인 것이 바람직한데, 가교제의 함량이 20 중량부 미만인 경우에는 노광 감도가 떨어져서 원하는 크기의 소성막 선폭을 얻을 수 없고, 150 중량부를 초과하는 경우에는 소성막에 잔사를 발생시키게 되어 바람직하지 않다.

광 개시제는 자외선을 받으면 분해되어 라디칼 (radical)을 형성하고, 이 들 라디칼 (radical)은 가교제를 공격하여 가교제가 가교 반응을 일으키도록 하는 역할을 한다. 광 개시제의 구체적인 예로서 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4,4-비스(디메틸아민)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 이것들을 1종 또는 2종이상 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 광개시제의 함량은 상기 공중합체 바인더 100 중량부에 대해서 10 내지 150 중량부인 것이 바람직한데, 광개시제의 함량이 10 중량부 미만인 경우에는 페이스트의 노광 감도가 떨어져서 원하는 크기의 소성막 선폭을 얻을 수가 없고, 150 중량부를 초과하는 경우에는 소성막의 선폭이 크게 나오거나 소성막 주변에 잔사가 발생되는 문제점이 있어서 바람직하지 않다.

상기 용매로는, 바인더 및 광개시제를 용해시킬 수 있고, 가교제 및 기타 첨가제와 잘 혼합되면서 비등점이 150℃ 이상인 것이 사용될 수 있다. 비등점이 150℃ 미만인 경우에는 조성물의 제조 과정, 특히 3-롤 밀 공정에서 휘발되는 경향이 커서 문제가 되며, 또한 인쇄시 용매가 너무 빨리 휘발되어 인쇄 상태가 좋지 않게 되므로 바람직하지 않다.

상기 조건을 충족시킬 수 있는 바람직한 용매로는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 및 트리프로필렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이 사용될 수 있다.

상기 용매의 함량은 바인더 100 중량부에 대해서 100 내지 500 중량부인 것이 바람직한데, 용매의 함량이 100 중량부 미만인 경우에는 페이스트의 점도가 너무 높아 인쇄가 제대로 되지 않기 때문에 바람직하지 않고, 500 중량부를 초과하는 경우에는 점도가 너무 낮아서 인쇄를 할 수 없어서 바람직하지 않다.

또한, 상기 유기 비이클은 감도를 향상시키는 증감제, 조성물의 보존성을 향상시키는 중합금지제 및 산화방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 조성물 내의 기포를 줄여 주는 소포제, 분산성을 향상시키는 분산제, 및 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제 등과 같은 첨가제를 더 포함할 수도 있다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.

실시예

실시예 1. Ag 감광성 페이스트 조성물의 제조

은 분말 (구형, 평균 입경 = 1.5 ㎛) 65.0 중량%, 무기질계 바인더 (무정형, PbO-SiO₂-B₂O₃-BaO-ZnO계, 최대입경 3.4 ㎛, 평균입경 1.5 ㎛) 3.0 중량%, 바인더 1 (poly(MMA-co-MAA), 중량 평균 분자량 24,000 g/mol, 산가 115 mgKOH/g) 5.0 중량%, 바인더 2 (히드록시프로필셀룰로오스, 중량 평균 분자량 100,000 g/mol) 1.0 중량%, 중합 광개시제 (2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온) 0.8 중량%, 증감제 (이소프로필티오산톤) 0.2 중량%, 가교제 A (트리메틸올프로판 에톡시 트리아크릴레이트 2.0 중량%, 가교제 B (디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트) 2.0 중량%, 저장안정제 (말론산) 0.1 중량%, 및 용매 (텍사놀) 20.9 중량%를 배합하여 교반기에 의해서 교반한 후, 3-롤 밀을 이용하여 반죽함으로써 본 발명에 따른 Ag 감광성 페이스트 조성물을 제조하였다.

실시예 2. Ni 감광성 페이스트 조성물의 제조

니켈 분말 (구형, 평균 입경 = 1.0 ㎛) 65.0 중량%, 무기질계 바인더 (무정형, PbO-SiO₂-B₂O₃-BaO-ZnO계, 최대입경 3.4 ㎛, 평균입경 1.5 ㎛) 5.0 중량%, 바인더 1 (poly(MMA-co-MAA), 중량 평균 분자량 24,000 g/mol, 산가 115 mgKOH/g) 5.0 중량%, 바인더 2 (히드록시프로필셀룰로오스, 중량 평균 분자량 100,000 g/mol) 1.0 중량%, 중합 광개시제 (2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온) 1.2 중량%, 증감제 (이소프로필티오산톤) 0.3 중량%, 가교제 A (트리메틸올프로판 에톡시 트리아크릴레이트 2.0 중량%, 가교제 B (디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트) 2.0 중량%, 저장안정제 (말론산) 0.1 중량%, 및 용매 (텍사놀) 18.4 중량%를 배합하여 교반기에 의해서 교반한 후, 3-롤 밀을 이용하여 반죽함으로써 본 발명에 따른 Ni 감광성 페이스트 조성물을 제조하였다.

실시예 3. 본 발명에 따른 어드레스 전극 (단자부 및 인터컨넥션부에만 Ag 성분 이동 방지층을 가짐)의 제조

6인치 테스트 유리 기판 위에 실시예 1에 따른 Ag 감광성 페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 평균 웨트 (wet) 두께가 17.2 ㎛인 도포 막을 형성하였다. 인쇄된 유리 기판을 IR 건조기를 이용하여 100℃에서 15분간 건조시켜 두께 7.5 ㎛를 갖는 건조 막을 형성하였다. 포토마스크 (표시부의 라인 및 스페이스 = 100 및 200 ㎛, 단자부 및 인터컨넥션부의 라인 및 스페이스 = 60 및 60 ㎛)가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 건조 막을 350 mJ/cm²로 조사하였다. 노광된 유리 기판을 현상액으로 30℃의 0.4% 탄산나트륨 수용액을 이용하여 노즐압력 1.5kgf/cm²로 30초 동안 분사하여 미노광된 부분을 현상시켜, 표시부의 경우 선폭 105 ㎛를 갖고, 단자부 및 인터컨넥션부의 경우 선폭 63 ㎛를 갖는 스트라이프형 패턴을 형성하였다.

Ag 패턴 막이 형성된 유리 기판에 실시예 2에 따른 Ni 감광성 페이스트를 스 크린 인쇄법으로 인쇄하여 평균 웨트 두께가 23.2 ㎛인 도포 막을 형성하였다. 인쇄된 유리 기판을 IR 건조기를 이용하여 100℃에서 15분간 건조시켜 두께 10.1 ㎛를 갖는 건조 막을 형성하였다. 포토마스크 (표시부는 자외선이 투과 안되게 되어 있고, 단자부 및 인터컨넥션부의 라인 및 스페이스 = 70 및 50 ㎛)가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 건조 막을 450 mJ/cm²로 조사하였다. 자외선 조사 시 얼라인먼트 (alignment)를 실시하여 정확한 위치에 노광되도록 하였다. 노광된 유리 기판을 현상액으로 30℃의 0.4% 탄산나트륨 수용액을 이용하여 노즐압력 1.5kgf/cm²로 30초 동안 분사하여 미노광된 부분을 현상시켜, 단자부 및 인터컨넥션부에서 선폭 72 ㎛를 갖는 스트라이프형 패턴을 형성하였다.

패턴된 유리 기판을 소성로를 이용하여 550 ℃에서 20분간 소성을 실시하여 표시부의 경우 선폭 84 ㎛ 및 두께 3.5 ㎛의 Ag층을 갖고, 단자부 및 인터컨넥션부의 경우 선폭 51 ㎛, 및 두께 3.3 ㎛의 Ag층 및 이를 덮고 있는 선폭 60 ㎛ 및 두께 5.2 ㎛ (Ag 층 위에 형성된 두께는 1.9 ㎛)의 Ni층을 갖는 어드레스 전극을 제조하였다.

실시예 4. 본 발명에 따른 어드레스 전극 (단자부 및 인터컨넥션부 이외에 표시부에도 Ag 성분 이동 방지층을 가짐)의 제조

6인치 테스트 유리 기판 위에 실시예 1에 따른 Ag 감광성 페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 평균 웨트 두께가 14.7 ㎛인 도포 막을 형성하였다. 인쇄된 유리 기판을 IR 건조기를 이용하여 100℃에서 15분간 건조시켜 두께 6.4 ㎛를 갖는 건조 막을 형성하였다. 포토마스크 (표시부의 라인 및 스페이스 = 100 및 200 ㎛, 단자부 및 인터컨넥션부의 라인 및 스페이스 = 60 및 60 ㎛)가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 건조 막을 350 mJ/cm²로 조사하였다. 노광된 유리 기판을 현상액으로 30℃의 0.4% 탄산나트륨 수용액을 이용하여 노즐압력 1.5kgf/cm²로 30초 동안 분사하여 미노광된 부분을 현상시켜, 표시부의 경우 선폭 107 ㎛를 갖고, 단자부 및 인터컨넥션부의 경우 선폭 64 ㎛를 갖는 스트라이프형 패턴을 형성하였다.

Ag 패턴 막이 형성된 유리 기판에 실시예 2에 따른 Ni 감광성 페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 평균 웨트 두께가 22.8 ㎛인 도포 막을 형성하였다. 인쇄된 유리 기판을 IR 건조기를 이용하여 100℃에서 15분간 건조시켜 두께 9.7 ㎛를 갖는 건조 막을 형성하였다. 포토마스크 (표시부의 라인 및 스페이스 = 110 및 190 ㎛, 단자부 및 인터컨넥션부의 라인 및 스페이스 = 70 및 50 ㎛)가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 건조 막을 450 mJ/cm²로 조사하였다. 자외선 조사 시 얼라인먼트를 실시하여 정확한 위치에 노광되도록 하였다. 노광된 유리 기판을 현상액으로 30℃의 0.4% 탄산나트륨 수용액을 이용하여 노즐압력 1.5kgf/cm²로 30초 동안 분사하여 미노광된 부분을 현상시켜, 표시부에는 선폭 113 ㎛를 갖고, 단자부 및 인터컨넥션부는 선폭 73 ㎛를 갖는 스트라이프형 패턴을 형성하였다.

패턴된 유리 기판을 소성로를 이용하여 550 ℃에서 20분간 소성을 실시하여 표시부의 경우 선폭 86 ㎛ 및 두께 2.8 ㎛의 Ag층 및 이를 덮고 있는 선폭 95 ㎛ 및 두께 4.8 ㎛ (Ag 층 위에 형성된 두께는 2.0 ㎛)의 Ni층을 갖고, 단자부 및 인터컨넥션부의 경우 선폭 52 ㎛ 및 두께 2.7 ㎛의 Ag층 및 이를 덮고 있는 선폭 62 ㎛ 및 두께 4.8 ㎛ (Ag 층 위에 형성된 두께는 2.1 ㎛)의 Ni층을 갖는 어드레스 전극을 제조하였다.

비교예 1. 종래기술에 따른 어드레스 전극의 제조

상기 실시예 3 및 4에 따른 본 발명의 어드레스 전극과의 비교를 위해서, 종래기술에 따른 어드레스 전극을 하기와 같이 제작하였다.

6인치 테스트 유리 기판 위에 Ag 감광성 페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 평균 웨트 두께가 18.6 ㎛인 도포 막을 형성하였다. 인쇄된 유리 기판을 IR 건조기를 이용하여 100℃에서 15분간 건조시켜 두께 8.2 ㎛를 갖는 건조 막을 형성하였다. 포토마스크 (표시부의 라인 및 스페이스 = 100 및 200 ㎛, 단자부 및 인터컨넥션부의 라인 및 스페이스 = 60 및 60 ㎛)가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 건조 막을 350 mJ/cm²로 조사하였다. 노광된 유리 기판을 현상액으로 30℃의 0.4% 탄산나트륨 수용액을 이용하여 노즐압력 1.5kgf/cm²로 30초 동안 분사하여 미노광된 부분을 현상시켜, 표시부의 경우 선폭 102 ㎛를 갖고, 단자부 및 인터컨넥션부의 경우 선폭 61 ㎛를 갖는 스트라이프형 패턴을 형성하였다. 패턴된 유리 기판을 소성로를 이용하여 550 ℃에서 20분간 소성을 실시하여 표시부의 경우 선폭 82 ㎛ 및 두께 4.2 ㎛를 갖고, 단자부 및 인터컨넥션부의 경우 선폭 49 ㎛ 및 두께 4.3 ㎛를 갖는 스트라이프형 패턴을 형성하였다.

실험예. 패널 제작 및 평가

상기 실시예 3 및 4와 비교예 1에 의해서 제작된 6" 테스트 유리 기판을 이용하여 테스트용 패널을 제작하였다. 제작된 패널의 Ag 이동에 대한 경향을 비교하기 위해 다음과 같은 방법으로 가혹 테스트 평가를 실시하였다.

상기 제작된 3개의 패널을 온도 40℃, 습도 80%가 되도록 꾸민 방 (클리닝이 수행되지 않는 일반적인 테스트룸)에 24시간 방치 후, 이반도전성 필름 (Anisotropic Conductive Film, ACF) 형성 공정 및 연성 기판 (Flexible Printed Circuit, FPC) 형성 공정을 거친 후 구동회로와 조립하였다. 조립 후 가속 전압 테스트기에 3개의 패널을 걸고 100시간 동안 가속 전압을 가하였다. 가속 전압 테스트 완료 후, 어드레스 전극의 단선이나 합선 여부를 분석하였다.

분석 결과, 실시예 3 및 4의 유리 기판을 이용하여 만든 본 발명에 따른 패널의 경우에는 단선이나 합성이 발생하지 않은 반면, 비교예 1에 따른 유리 기판을 이용하여 만든 종래기술에 따른 패널의 경우에는 단선 및 합성 불량이 발생하였다.

본 발명에 따르면, 플라즈마 디스플레이 패널 전극의 단선 또는 합선을 방지할 수 있는 새로운 어드레스 전극, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (15)

1. Ag층 및 Ag 성분 이동 방지층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드 레스 전극.
2. 제1항에 있어서,

   상기 Ag 성분 이동 방지층은 Ni층인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극.
3. 제1항에 있어서,

   상기 Ag 성분 이동 방지층의 선폭은 상기 Ag층의 선폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극.
4. 제1항에 있어서,

   상기 Ag 성분 이동 방지층의 상면 두께는 0.1 내지 3.0㎛ 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극.
5. 제1항에 있어서,

   상기 Ag 성분 이동 방지층의 측면 두께는 1.0 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극.
6. 제1항에 있어서,

   상기 Ag 성분 이동 방지층은 상기 어드레스 전극의 단자부 및 인터컨넥션부 상에만 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극.
7. 제1항에 있어서,

   상기 Ag 성분 이동 방지층은 상기 어드레스 전극 전체 상에 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극.
8. 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 따른 어드레스 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
9. 기판 상에 Ag 감광성 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;

   포토 마스크가 부착된 노광 장치를 이용하여 건조된 Ag 감광성 페이스트를 노광하는 단계;

   현상액을 분사하여 미노광된 Ag 감광성 페이스트 부분을 제거함으로써 Ag 패턴을 제조하는 단계;

   상기 Ag 패턴 상에 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트를 인쇄하고 건조시키는 단계;

   포토마스크가 부착된 자외선 노광 장치를 이용하여 건조된 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트를 노광하는 단계;

   현상액을 분사하여 미노광된 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트 부분을 제거함으로써 어드레스 전극 패턴을 제조하는 단계; 및

   상기 어드레스 전극 패턴을 소성하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법.
10. 제9항에 있어서,

    상기 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트는 Ni 감광성 페이스트인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법.
11. 제9항에 있어서,

    상기 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트를 노광하는 단계에서 사용되는 포토마스크의 선폭은 상기 Ag 패턴의 선폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법.
12. 제9항에 있어서,

    상기 Ag 감광성 페이스트는 Ag 분말, 무기질계 바인더, 및 유기 비이클 (vehicle)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법.
13. 제9항에 있어서,

    상기 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트는 Ni 분말, 무기질계 바인더, 및 유기 비이클을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법.
14. 제12항에 있어서,

    상기 Ag 감광성 페이스트는 Ag 분말 100 중량부에 대해서, 무기질계 바인더 0.1 내지 10 중량부, 및 유기 비이클 20 내지 100 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법.
15. 제13항에 있어서,

    상기 Ag 성분 이동 방지층 형성용 감광성 페이스트는 Ni 분말 100 중량부에 대해서, 무기질계 바인더 0.1 내지 10 중량부, 및 유기 비이클 20 내지 100 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 전극 제조방법.

Images