KR101128102B1 - 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 - Google Patents

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주상현
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경기대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일례로, 기판; 상기 기판 상에 형성된 복수의 나노 와이어; 상기 나노 와이어 상에 형성되고, 상기 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극 상에 형성되고, 상기 제 1 전극에 의해 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하는 유기 발광 다이오드를 개시한다.

Description

유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시장치는 정보통신의 발달과 더불어 큰 발전을 하고 있으며, 현대인에게 있어 필수품으로 자리잡고 있다. 이와 같은 표시장치 중 유기 발광 다이오드 표시장치는 액정표시장치와 같이 백라이트 광원이 필요하지 않아 경량 박형이 가능하다. 또한, 유기 발광 다이오드 표시장치는 단순한 공정을 통해 제조될 수 있어 격 경쟁력을 가질 수 있다. 이에 더하여, 유기 발광 다이오드 표시장치는 저전압 구동, 높은 발광효율, 넓은 시야각을 가진다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드 표시장치는 차세대 디스플레이로서 급상승하고 있다.
이러한 유기 발광 다이오드 소자는 기본적으로 애노드 전극, 캐소드 전극 및 상기 두 전극 사이에 개재된 유기 발광층으로 구성된다. 유기 발광 다이오드 소자는 애노드 전극과 캐소드 전극에서 각각 제공된 정공(hole)과 전자(electron)가 유기 발광층에서 재결합하여 여기자를 형성하고, 상기 여기자가 불안정한 상태에서 안정한 상태로 떨어지면서 광이 발생되는 발광 원리를 이용한다.
본 발명은 전류 밀도를 감소시켜 발광 효율이 증대되고, 종래보다 수명이 길어진 유기 발광 다이오드를 제공한다.
또한, 상기 유기 발광 다이오드의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 복수의 나노 와이어; 상기 나노 와이어 상에 형성되고, 상기 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극 상에 형성되고, 상기 제 1 전극에 의해 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함한다.
또한, 상기 기판 상에 형성된 씨드 패턴을 더 포함하고, 상기 복수의 나노 와이어는 상기 씨드 패턴으로부터 성장되어 형성된 것일 수 있다.
또한, 상기 복수의 나노 와이어는 별도의 기판에 제작된 복수의 나노 와이어가 상기 기판 상에 분산되어 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 제 1 전극 상에 형성된 복수의 금속 나노 와이어; 상기 금속 나노 와이어 상에 형성되고, 상기 금속 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함한다.
또한, 상기 제 1 전극층은 상기 기판 상에 형성된 금속 씨드 패턴을 포함하고, 상기 복수의 금속 나노 와이어는 상기 금속 씨드 패턴으로부터 성장하여 형성된 것일 수 있다.
또한, 상기 복수의 금속 나노 와이어는 별도의 기판에 제작된 복수의 금속 나노 와이어가 상기 기판 상에 분산되어 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법은, (a) 기판 상에 복수의 나노 와이어를 형성하는 단계; (b) 상기 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 나노 와이어 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 (a) 단계는, (a-1) 별도로 제작된 복수의 나노 와이어를 상기 기판 상에 분산시키는 단계; 및 (a-2) 픽셀 블로킹 층을 이용하여 픽셀 영역을 정의하며, 픽셀 영역 이외의 영역에 존재하는 나노 와이어를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 (a) 단계는, (a-1) 상기 기판 상에 씨드 패턴을 형성하는 단계; 및 (a-2) 상기 씨드 패턴으로부터 성장시켜 상기 복수의 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법은, (a) 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 전극층 상에 복수의 금속 나노 와이어를 형성하는 단계; (c) 상기 금속 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 금속 나노 와이어 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 (b) 단계는, (b-1) 별도로 제작된 복수의 금속 나노 와이어를 상기 제 1 전극층 상에 분산시키는 단계; 및 (b-2) 픽셀 블로킹 층을 이용하여 픽셀 영역을 정의하며, 픽셀 영역 이외의 영역에 존재하는 금속 나노 와이어를 제거하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 (a) 단계에서, 상기 제 1 전극층은 상기 기판 상에 금속 씨드 물질을 패터닝하여 형성하고, 상기 (b) 단계에서, 상기 금속 나노 와이어는 상기 금속 씨드 패턴을 성장시켜 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전류 밀도를 감소시켜 발광 효율이 증대되고, 종래보다 수명이 길어진 유기 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
또한, 상기 유기 발광 다이오드의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 첫 번째 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 두 번째 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 첫 번째 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 6a 내지 도 4e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 두 번째 제조방법을 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
여기서, 명세서 전체를 통하여 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.
우선, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드에 대하여 상세히 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(100A, 100B)를 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 1a는 본 발명의 일 실시예에서 첫 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(100A)를 도시한 단면도이고 도 1b는 두 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(100B)를 도시한 단면도이다.
[Case 1-1]
도 1a를 참조하면 본 발명의 일 실시예 중 첫 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(100A)는, 기판(110), 복수의 나노 와이어(120), 제 1 전극층(130), 유기 발광층(140), 제 2 전극층(150) 및 PDL(Pixel Define Layer, 160)을 포함한다.
여기서, 제 1 전극층(130)은 애노드 전극층이고, 제 2 전극층(150)은 캐소드 전극층일 수 있으며, 물론 그 반대도 가능하다.
기판(110)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판일 수 있으며, 통상적인 유기 발광 다이오드에서 사용되는 기판일 수 있다.
복수의 나노 와이어(120)는 상기 기판(110) 상에 형성된다. 상기 복수의 나노 와이어(120)는 별도의 기판에서 제작된 나노 와이어들을 상기 기판(110) 상에 분산시킴으로써 형성될 수 있다. 이때, 상기 나노 와이어들(120)은 상기 기판(110)에 누워짐으로써 상기 기판(110)과 대략 수평한 방향으로 정렬될 수 있다. 따라서, 상기 기판(110)의 표면은 상기 나노 와이어들(120)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖게 된다.
제 1 전극층(130)은 상기 나노 와이어들(120)을 덮도록 상기 기판(110) 상에 형성된다. 여기서, 제 1 전극층(130)은 상기 나노 와이어들(120)에 의해 표면 요철 구조를 갖게 된다. 즉, 제 1 전극층(130)의 표면은 평탄하지 않고 상기 나노 와이어들(120)에 의해 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이때, 제 1 전극층(130)의 울퉁불퉁한 정도가 크면 클수록 제 1 전극층(130)의 표면 단면적이 증가되며, 상기 표면 단면적이 크면 클수록 계면에서 유기 발광층(140)과의 접촉 면적이 증가하게 된다.
유기 발광층(140)은 상기 제 1 전극층(130) 상에 형성된다. 상기 유기 발광층(140)은 상기 제 1 전극층(130)의 표면 구조를 따라 형성된다. 즉, 제 1 전극층(130)과 유기 발광층(140)의 계면은 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이러한 경우, 평탄한 두 층이 이루는 접촉면적보다 더욱 큰 접촉면적을 갖게 된다.
도시하지는 않았으나, 상기 유기 발광층(140)은 상기 제 1 전극층(130)이 애노드 전극인 경우 제 1 전극층(130) 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer), 정공 수송층(Hole Transfer Layer), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(Electron Transfer Layer), 및 전자 주입층(Electron Injection Layer) 순으로 이루어질 수 있다. 또한, 제 1 전극층(130)이 캐소드 전극일 경우, 상기 유기 발광층(140)은 제 1 전극층(130) 상에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층 순으로 이루어질 수 있다.
상기 정공 주입층은 상기 제 1 전극층(130)의 상부에 형성되며, 정공의 주입을 용이하게 한다. 정공 주입층은 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 금속 산화물은 예를 들면, MoOx, GaOx, MgO, Cr2O3, V2O5, WO3, SnO2, ZnO, MnO2, CoO2, TiO2이거나 이들 중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질이 될 수 있다. 상기 정공 주입층은 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 전자선 증착법, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 또는 캐스트법 등에 의하여 제 1 전극층(130) 상에 형성될 수 있다.
상기 정공 수송층은 정공 주입층의 상부에 형성되며, 주입된 정공을 수송한다. 정공 수송층은 정공 수송층 물질을 이용하여 진공 증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 통해 형성될 수 있다. 정공 수송층 물질로는 N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등이 사용될 수 있다.
상기 발광층은 정공 수송층의 상부에 형성된다. 상기 발광층은 발광층 물질을 이용하여 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 통해 형성될 수 있다. 상기 발광층 물질은 공지된 다양한 재료로서, 단일 물질, 또는 호스트와 도펀트를 혼합한 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면, Alq3 또는 CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 또는 PVK(폴리(n-비닐카바졸)) 등을 사용할 수 있다. 도펀트 재료의 경우, 형광 도펀트로서는 IDE102, IDE105 및 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서는 적색 인광 도펀트 PtOEP, 녹색 인광 도판트 Ir(PPy)3(PPy=2-phenylpyridine), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색 인광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. 특히, Alq3로 발광층을 형성할 경우, Alq3는 발광층 및 전자 수송층의 역할을 동시에 할 수 있는 바, 전자 수송층을 별도로 마련하지 않을 수 있다.
상기 전자 수송층은 발광층 상부에 형성되며, 제 2 전극층(150)으로부터 주입된 전자를 수송하는 기능을 한다. 상기 전자 수송층의 구성 물질은 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3)을 포함할 수 있으며, 이를 한정하는 것은 아니다.
상기 전자 주입층은 상기 전자 수송층과 제 2 전극층(150) 사이에 형성되며, 제 2 전극층(150)으로부터의 전자 주입을 용이하게 한다. 상기 전자 주입층의 구성 물질로는 Li, Cs, Mg, BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 등의 물질을 포함할 수 있으며, 이를 한정하는 것은 아니다.
제 2 전극층(150)은 상기 유기 발광층(140) 상에 형성된다. 상술한 바와 같이 상기 유기 발광층(140)의 표면은 평탄하지 않고 제 1 전극층(130)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖는다. 따라서, 상기 유기 발광층(140)과 제 2 전극층(150)의 계면 또한 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이때, 상기 유기 발광층(140) 표면의 울퉁불퉁한 정도가 크면 클수록 상기 유기 발광층(140) 및 제 2 전극층(150)의 접촉 면적이 증가하게 된다.
PDL(160)은 상기 기판(110) 상에서 하나의 픽셀 영역을 정의 또는 구분하기 위한 층으로서, 불필요한 픽셀 간 전기적 단락을 방지할 수도 있다.
[Case 1-2]
도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예 중 두 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(100B)는, 기판(110), 복수의 나노 와이어(120), 제 1 전극층(130), 유기 발광층(140), 제 2 전극층(150) 및 PDL(Pixel Define Layer, 160)을 포함한다.
여기서, 제 1 전극층(130)은 애노드 전극층이고, 제 2 전극층(150)은 캐소드 전극층일 수 있으며, 물론 그 반대도 가능하다.
두 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(100B)는 첫 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(100A)의 구성과 비교하면, 나노 와이어(120)의 구성이 차이가 있으며 그 이외의 기판(110), 제 1 전극층(130), 유기 발광층(140), 제 2 전극층(150) 및 PDL(160)의 구성은 동일하다.
따라서, 이하에는 두 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(100B)의 나노 와이어(120)의 구성에 관해서만 설명하고, 그 이외의 구성들은 첫 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(100A)에 관한 상세한 설명으로 대체하도록 한다.
두 번째 케이스의 나노 와이어(120)의 경우, 상기 기판(110) 상에 미리 정의된 영역에 씨드 패턴(미도시)을 형성하고, 상기 씨드 패턴(미도시)으로부터 성장하여 형성된 것이다. 통상적으로 나노 와이어는 씨드로부터 방향성 없이 성장하기 때문에, 상기 나노 와이어(120)의 경우, 첫 번째 케이스의 나노 와이어보다 더욱 울퉁불퉁한 표면 요철 구조를 형성할 수 있다. 한편, 씨드 패턴(미도시)으로부터 성장된 나노 와이어는 스탬프와 같은 수단을 통해 눌려짐으로써 기판(110)과 대략 수평한 방향으로 정렬될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 나노 와이어들의 구조를 이용하여 나노 와이어 상에 형성되는 구조물들 간의 계면을 요철 형태로 형성함으로써, 구조물들 간의 접촉면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 전극층과 유기 발광층 사이의 접촉면적이 증가함으로써, 그에 따른 유기 발광 다이오드의 전류 밀도가 감소하게 되며, 전류 밀도의 감소로 인해 발광 효율이 증대되며, 특히 소자의 수명이 개선될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드(200A, 200B)를 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 2a는 본 발명의 다른 실시예에서 첫 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(200A)를 도시한 단면도이고 도 2b는 두 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(200B)를 도시한 단면도이다.
[Case 2-1]
도 1를 참조하면 본 발명의 다른 실시예 중 첫 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(200A)는, 기판(210), 제 1 전극층(220), 복수의 금속 나노 와이어(230), 유기 발광층(240), 제 2 전극층(250), 및 PDL(260)을 포함한다.
여기서, 제 1 전극층(220)은 애노드 전극층이고, 제 2 전극층(250)은 캐소드 전극층일 수 있으며, 물론 그 반대도 가능하다.
기판(210)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판일 수 있으며, 통상적인 유기 발광 다이오드에서 사용되는 기판일 수 있다.
제 1 전극층(220)은 상기 기판(210) 상에 형성되며, 픽셀 영역에 따라 패터닝 될 수 있다.
복수의 금속 나노 와이어(230)는 제 1 전극층(220) 상에 형성된다. 상기 복수의 나노 와이어(230)는 별도의 기판에서 제작된 금속 나노 와이어들을 상기 기판(210) 상에 분산시킴으로써 형성될 수 있다. 이때, 상기 금속 나노 와이어들(230)은 상기 기판(210)에 누워짐으로써 상기 기판(210)과 대략 수평한 방향으로 정렬될 수 있다. 따라서, 상기 기판(210)의 표면은 상기 금속 나노 와이어들(230)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖게 된다. 또한, 상기 금속 나노 와이어들(230)은 제 1 전극층(220)과 전기적으로 연결된 형태가 된다.
유기 발광층(240)는 상기 금속 나노 와이어(230)를 덮도록 상기 제 1 전극층(220) 상에 형성된다. 상기 제 1 전극층(220)은 상기 금속 나노 와이어들(230)에 의해 표면 요철 구조를 갖게 된다. 즉, 제 1 전극층(220)의 표면은 평탄하지 않고 상기 금속 나노 와이어(120)에 의해 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이때, 상기 금속 나노 와이어들(230)에 의해 제 1 전극층(220)의 울퉁불퉁한 정도가 크면 클수록 제 1 전극층(220)의 표면 단면적이 증가되며, 상기 표면 단면적이 크면 클수록 계면에서 유기 발광층(240)과의 접촉 면적이 증가하게 된다.
도시하지는 않았으나, 상기 유기 발광층(240)은 상기 제 1 전극층(220)이 애노드 전극인 경우 제 1 전극층(220) 및 금속 나노 와이어들(230) 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer), 정공 수송층(Hole Transfer Layer), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(Electron Transfer Layer), 및 전자 주입층(Electron Injection Layer) 순으로 이루어질 수 있다. 또한, 제 1 전극층(220)이 캐소드 전극일 경우, 상기 유기 발광층(240)은 제 1 전극층(220) 상에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층 순으로 이루어질 수 있다.
상기 정공 주입층은 상기 제 1 전극층(220) 및 금속 나노 와이어들(230)의 상부에 형성되며, 정공의 주입을 용이하게 한다. 정공 주입층은 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 금속 산화물은 예를 들면, MoOx, GaOx, MgO, Cr2O3, V2O5, WO3, SnO2, ZnO, MnO2, CoO2, TiO2이거나 이들 중 적어도 어느 하나 이상을 혼합한 물질이 될 수 있다. 상기 정공 주입층은 RF 스퍼터법, DC 스퍼터법, 전자선 증착법, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 또는 캐스트법 등에 의하여 제 1 전극층(220) 상에 형성될 수 있다.
상기 정공 수송층은 정공 주입층의 상부에 형성되며, 주입된 정공을 수송한다. 정공 수송층은 정공 수송층 물질을 이용하여 진공 증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 통해 형성될 수 있다. 정공 수송층 물질로는 N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등이 사용될 수 있다.
상기 발광층은 정공 수송층의 상부에 형성된다. 상기 발광층은 발광층 물질을 이용하여 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 통해 형성될 수 있다. 상기 발광층 물질은 공지된 다양한 재료로서, 단일 물질, 또는 호스트와 도펀트를 혼합한 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면, Alq3 또는 CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 또는 PVK(폴리(n-비닐카바졸)) 등을 사용할 수 있다. 도펀트 재료의 경우, 형광 도펀트로서는 IDE102, IDE105 및 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서는 적색 인광 도펀트 PtOEP, 녹색 인광 도판트 Ir(PPy)3(PPy=2-phenylpyridine), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색 인광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. 특히, Alq3로 발광층을 형성할 경우, Alq3는 발광층 및 전자 수송층의 역할을 동시에 할 수 있는 바, 전자 수송층을 별도로 마련하지 않을 수 있다.
상기 전자 수송층은 발광층 상부에 형성되며, 제 2 전극층(250)으로부터 주입된 전자를 수송하는 기능을 한다. 상기 전자 수송층의 구성 물질은 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3)을 포함할 수 있으며, 이를 한정하는 것은 아니다.
상기 전자 주입층은 상기 전자 수송층과 제 2 전극층(250) 사이에 형성되며, 제 2 전극층(250)으로부터의 전자 주입을 용이하게 한다. 상기 전자 주입층의 구성 물질로는 Li, Cs, Mg, BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 등의 물질을 포함할 수 있으며, 이를 한정하는 것은 아니다.
제 2 전극층(250)은 상기 유기 발광층(240) 상에 형성된다. 상술한 바와 같이 상기 유기 발광층(240)의 표면은 평탄하지 않고 상기 금속 나노 와이어들(230)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖는다. 따라서, 상기 유기 발광층(240)과 제 2 전극층(250)의 계면 또한 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이때, 상기 유기 발광층(240) 표면의 울퉁불퉁한 정도가 크면 클수록 상기 유기 발광층(240) 및 제 2 전극층(250)의 접촉 면적이 증가하게 된다.
PDL(260)은 상기 기판(210) 상에서 하나의 픽셀 영역을 정의 또는 구분하기 위한 층으로서, 불필요한 픽셀 간 전기적 단락을 방지할 수도 있다.
[Case 2-2]
도 2b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예 중 두 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(200B)는, 기판(210), 제 1 전극층(220a), 복수의 금속 나노 와이어(220b), 유기 발광층(230), 제 2 전극층(240), 및 PDL(240)을 포함한다.
여기서, 제 1 전극층(220a)은 애노드 전극층이고, 제 2 전극층(240)은 캐소드 전극층일 수 있으며, 물론 그 반대도 가능하다.
두 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(200B)는 첫 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(200A)의 구성과 비교하면, 제 1 전극층(220a) 및 금속 나노 와이어(220b)의 구성이 차이가 있으며 그 이외의 기판(210), 유기 발광층(230), 제 2 전극층(240) 및 PDL(240)의 구성은 첫 번째 케이스의 기판(210), 유기 발광층(240), 제 2 전극층(250) 및 PDL(260)의 구성과 각각 동일하다.
따라서, 이하에는 두 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(200B)의 제 1 전극층(220a) 및 금속 나노 와이어(220b)의 구성에 관해서만 설명하고, 그 이외의 구성들은 첫 번째 케이스의 유기 발광 다이오드(200A)에 관한 상세한 설명으로 대체하도록 한다.
두 번째 케이스의 제 1 전극층(220a)은 금속 나노 와이어를 성장시킬 수 있는 촉매 물질로 구성될 수 있으며, 예를 들면 금(Au), 니켈(Ni), 백금(Pt), 그래핀(Graphene) 또는 성장시키고자 하는 금속 나노 와이어와 동일한 물질로 구성될 수 있다. 따라서, 제 1 전극층(220a)은 전극으로서뿐만 아니라 상기 금속 나노 와이어(220b)의 씨드로서 역할을 한다.
상기 금속 나노 와이어(220b)는 상기 제 1 전극층(220a)으로부터 성장하여 형성된 것이다. 통상적으로 나노 와이어는 씨드로부터 방향성 없이 성장하기 때문에, 상기 금속 나노 와이어(220b)의 경우, 첫 번째 케이스의 금속 나노 와이어보다 더욱 울퉁불퉁한 표면 요철 구조를 형성할 수 있다.
한편, 씨드 패턴으로부터 성장된 금속 나노 와이어는 스탬프와 같은 수단을 통해 눌려짐으로써 기판(210)과 대략 수평한 방향으로 정렬될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 나노 와이어들의 구조를 이용하여 나노 와이어 상에 형성되는 구조물들 간의 계면을 요철 형태로 형성함으로써, 구조물들 간의 접촉면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 전극층과 유기 발광층 사이의 접촉면적이 증가함으로써, 그에 따른 유기 발광 다이오드의 전류 밀도가 감소하게 되며, 전류 밀도의 감소로 인해 발광 효율이 증대되며, 특히 소자의 수명이 개선될 수 있다. 또한, 씨드 물질 자체를 전극으로 이용함으로써 금속 나노 와이어를 형성할 별도의 씨드 물질이 구성될 필요가 없다.
다음, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
[Case 1-1]
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 첫 번째 제조방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(310) 상에 복수의 나노 와이어(320)를 형성한다. 상기 기판(310)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있으며, 통상적인 유기 발광 다이오드에서 사용되는 기판을 사용할 수도 있다. 상기 복수의 나노 와이어(310)는 별도의 기판에서 제작된 나노 와이어들을 상기 기판(310) 상에 분산시킴으로써 형성할 수 있다. 이때, 상기 나노 와이어들(320)은 상기 기판(310)에 누워짐으로써 상기 기판(310)과 대략 수평한 방향으로 정렬할 수 있다. 따라서, 상기 기판(310)의 표면은 상기 나노 와이어들(320)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖게 된다.
다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 픽셀 영역으로 정의되지 않은 나노 와이어들을 제거한다. 나노 와이어 제거는 픽셀 블로킹 수단(미도시)을 이용하여 픽셀 영역에 존재하는 나노 와이어는 남기고, 픽셀 영역 외의 부분에 불필요하게 존재하는 나노 와이어는 제거한다. 픽셀 영역 외에 존재하는 나노 와이어는 쇼트(short)나 단락(open)과 같은 부작용(side effect)이 발생될 가능성이 있으므로 제거하는 것이 바람직하다.
다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 나노 와이어(230)가 덮이도록 제 1 전극층(330)을 형성한다. 상기 제 1 전극층(330)은 매우 얇은 형태로 형성하여, 그 표면이 상기 나노 와이어들(230)에 의해 요철 구조를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.
다음, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 기판(310) 상에 PDL(340)을 형성한다. 상기 PDL(340)은 하나의 픽셀 영역을 정의 또는 구분하기 위한 층으로서, 불필요한 픽셀 간 전기적 단락을 방지할 수도 있다.
다음, 도 3e에 도시된 바와 같이, 제 1 전극층(330) 상에 유기 발광층(350)을 형성한다. 이때, 유기 발광층(350)은 상기 제 1 전극층(330)의 표면 구조를 따라 형성되도록 한다. 즉, 제 1 전극층(330)과 유기 발광층(350)의 계면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형태를 갖도록 한다. 이러한 경우, 평탄한 두 층이 이루는 접촉면적보다 더욱 큰 접촉면적을 갖게 된다.
다음, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 유기 발광층(350) 상에 제 2 전극층(360)을 형성한다. 상술한 바와 같이 상기 유기 발광층(350)의 표면은 평탄하지 않고 제 1 전극층(330)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖는다. 따라서, 상기 유기 발광층(350)과 제 2 전극층(360)의 계면 또한 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이때, 상기 유기 발광층(350) 표면의 울퉁불퉁한 정도가 크면 클수록 상기 유기 발광층(350) 및 제 2 전극층(360)의 접촉 면적이 증가하게 된다.
[Case 1-2]
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 두 번째 제조방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 기판(410) 상에 씨드 패턴(420a)을 형성한다. 상기 기판(310)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있으며, 통상적인 유기 발광 다이오드에서 사용되는 기판을 사용할 수도 있다.
다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 씨드 패턴(420a)을 성장시켜 복수의 나노 와이어(420b)을 형성한다. 통상적으로 나노 와이어는 씨드로부터 방향성 없이 성장하기 때문에, 상기 나노 와이어(420b)의 경우, 첫 번째 케이스의 나노 와이어보다 더욱 울퉁불퉁한 표면 요철 구조를 형성할 수 있다. 한편, 씨드 패턴(420a)으로부터 성장된 나노 와이어는 스탬프와 같은 수단을 통해 눌려짐으로써 기판(310)과 대략 수평한 방향으로 정렬될 수 있다. 상기 스탬프는 PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 특수 수지로 제작된 것일 수 있다.
다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 씨드 패턴(420a) 및 상기 나노 와이어(420b) 상에 제 1 전극층(430)을 형성한다. 이때, 상기 제 1 전극층(430)은 상기 나노 와이어(420b)에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 형성한다.
다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 기판(410) 상에 PDL(440)을 형성한다. 상기 PDL(440)은 하나의 픽셀 영역을 정의 또는 구분하기 위한 층으로서, 불필요한 픽셀 간 전기적 단락을 방지할 수도 있다.
다음, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극층(430) 상에 유기 발광층(450)을 형성한다. 이때, 유기 발광층(450)은 상기 제 1 전극층(430)의 표면 구조를 따라 형성되도록 한다. 즉, 제 1 전극층(430)과 유기 발광층(450)의 계면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형태를 갖도록 한다. 이러한 경우, 평탄한 두 층이 이루는 접촉면적보다 더욱 큰 접촉면적을 갖게 된다.
다음, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 유기 발광층(450) 상에 제 2 전극층(460)을 형성한다. 상술한 바와 같이 상기 유기 발광층(450)의 표면은 평탄하지 않고 제 1 전극층(430)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖는다. 따라서, 상기 유기 발광층(450)과 제 2 전극층(460)의 계면 또한 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이때, 상기 유기 발광층(450) 표면의 울퉁불퉁한 정도가 크면 클수록 상기 유기 발광층(450) 및 제 2 전극층(460)의 접촉 면적이 증가하게 된다.
[Case 2-1]
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 첫 번째 제조방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(510) 상에 제 1 전극층(520)을 형성한다. 또한, 제 1 전극층(520)은 미리 정의한 픽셀 영역을 갖도록 패터닝될 수 있다. 상기 기판(510)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있으며, 통상적인 유기 발광 다이오드에서 사용되는 기판을 사용할 수도 있다.
다음, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(510) 및 제 1 전극층(520) 상에 복수의 금속 나노 와이어(530)를 형성한다. 상기 복수의 금속 나노 와이어(530)는 별도의 기판에서 제작된 나노 와이어들을 상기 기판(510) 상에 분산킴으로써 형성할 수 있다. 이때, 상기 금속 나노 와이어들(530)은 상기 제 1 전극층(520) 상에 누워짐으로써 상기 기판(510)과 대략 수평한 방향으로 정렬할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 전극층(520)의 표면은 상기 금속 나노 와이어들(530)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖게 된다.
다음, 도 5c에 도시된 바와 같이, 픽셀 영역으로 정의되지 않은 금속 나노 와이어들을 제거한다. 금속 나노 와이어 제거는 픽셀 블로킹 수단(미도시)을 이용하여 제 1 전극층(520)에 존재하는 금속 나노 와이어는 남기고, 제 1 전극층(520) 외의 부분에 불필요하게 존재하는 금속 나노 와이어는 제거한다. 픽셀 영역 외에 존재하는 금속 나노 와이어는 쇼트(short)나 단락(open)과 같은 부작용(side effect)이 발생될 가능성이 있으므로 제거하는 것이 바람직하다.
다음, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 기판(510) 상에 PDL(540)을 형성한다. 상기 PDL(540)은 하나의 픽셀 영역을 정의 또는 구분하기 위한 층으로서, 불필요한 픽셀 간 전기적 단락을 방지할 수도 있다.
다음, 도 5e에 도시된 바와 같이, 제 1 전극층(520) 및 금속 나노 와이어들(530) 상에 유기 발광층(550)을 형성한다. 이때, 유기 발광층(550)은 상기 금속 나노 와이어들(530)에 의한 제 1 전극층(520)의 표면 구조를 따라 형성되도록 한다. 즉, 제 1 전극층(520)과 유기 발광층(550)의 계면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형태를 갖도록 한다. 이러한 경우, 평탄한 두 층이 이루는 접촉면적보다 더욱 큰 접촉면적을 갖게 된다.
다음, 도 5f에 도시된 바와 같이, 상기 유기 발광층(550) 상에 제 2 전극층(560)을 형성한다. 상술한 바와 같이 상기 유기 발광층(550)의 표면은 평탄하지 않고 금속 나노 와이어들(530)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖는다. 따라서, 상기 유기 발광층(550)과 제 2 전극층(560)의 계면 또한 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이때, 상기 유기 발광층(550) 표면의 울퉁불퉁한 정도가 크면 클수록 상기 유기 발광층(550) 및 제 2 전극층(560)의 접촉 면적이 증가하게 된다.
[Case 2-2]
도 6a 내지 도 4e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 두 번째 제조방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판(510) 상에 제 1 전극층(620)을 형성한다. 또한, 제 1 전극층(620)은 미리 정의한 픽셀 영역을 갖도록 패터닝될 수 있다. 상기 제 1 전극층(620)는 금속 나노 와이어를 성장시킬 수 있는 촉매 물질로 구성될 수 있으며, 예를 들면 금(Au), 니켈(Ni), 백금(Pt), 그래핀(Graphene) 또는 성장시키고자 하는 금속 나노 와이어와 동일한 물질로 구성될 수 있다. 따라서, 제 1 전극층(620)은 전극으로서뿐만 아니라 상기 금속 나노 와이어(630)의 씨드로서 역할을 한다. 한편, 상기 기판(610)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있으며, 통상적인 유기 발광 다이오드에서 사용되는 기판을 사용할 수도 있다.
다음, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극층(620)을 성장시켜 복수의 금속 나노 와이어(630)을 형성한다. 이러한 경우 성장된 나노 와이어는 스탬프와 같은 수단을 통해 눌려짐으로써 기판(610)과 대략 수평한 방향으로 정렬될 수 있다. 상기 스탬프는 PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 특수 수지로 제작된 것일 수 있다.
다음, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 기판(610) 상에 PDL(640)을 형성한다. 상기 PDL(640)은 하나의 픽셀 영역을 정의 또는 구분하기 위한 층으로서, 불필요한 픽셀 간 전기적 단락을 방지할 수도 있다.
다음, 도 6d에 도시된 바와 같이, 제 1 전극층(620) 및 금속 나노 와이어들(630) 상에 유기 발광층(650)을 형성한다. 이때, 유기 발광층(650)은 상기 금속 나노 와이어들(630)에 의한 제 1 전극층(620)의 표면 구조를 따라 형성되도록 한다. 즉, 제 1 전극층(620)과 유기 발광층(550)의 계면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형태를 갖도록 한다. 이러한 경우, 평탄한 두 층이 이루는 접촉면적보다 더욱 큰 접촉면적을 갖게 된다.
다음, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 유기 발광층(650) 상에 제 2 전극층(660)을 형성한다. 상술한 바와 같이 상기 유기 발광층(650)의 표면은 평탄하지 않고 금속 나노 와이어들(630)에 의해 울퉁불퉁한 요철 구조를 갖는다. 따라서, 상기 유기 발광층(650)과 제 2 전극층(660)의 계면 또한 울퉁불퉁한 형태를 갖게 된다. 이때, 상기 유기 발광층(650) 표면의 울퉁불퉁한 정도가 크면 클수록 상기 유기 발광층(650) 및 제 2 전극층(660)의 접촉 면적이 증가하게 된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims (12)

  1. 기판;
    상기 기판의 일부분 상에 분산된 형태로 형성된 씨드 패턴;
    상기 씨드 패턴으로부터 성장하여 형성된 복수의 나노 와이어;
    상기 기판 및 상기 복수의 나노 와이어 상에 형성되되, 상기 복수의 나노 와이어가 존재하지 않은 상기 기판의 나머지 일부분과, 상기 복수의 나노 와이어를 덮도록 형성되어, 표면 요철 구조를 갖는 제 1 전극층;
    상기 제 1 전극층 상에 형성되고, 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,
    상기 제 1 전극층과 상기 유기 발광층의 계면, 및 상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극층의 계면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  2. 삭제
  3. 기판;
    상기 기판의 일부분 상에 분산된 형태로 존재하는 복수의 나노 와이어;
    상기 기판 및 상기 복수의 나노 와이어 상에 형성되되, 상기 복수의 나노 와이어가 존재하지 않은 상기 기판의 나머지 일부분과, 상기 복수의 나노 와이어를 덮도록 형성되어, 표면 요철 구조를 갖는 제 1 전극층;
    상기 제 1 전극층 상에 형성되고, 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,
    상기 복수의 나노 와이어는 별도의 기판에 제작된 복수의 나노 와이어가 상기 기판 상에 분산되어 형성되며,
    상기 제 1 전극층과 상기 유기 발광층의 계면, 및 상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극층의 계면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  4. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제 1 전극층;
    상기 제 1 전극층의 일부분 상에 분산된 형태로 존재하는 복수의 금속 나노 와이어;
    상기 제 1 전극층 및 상기 복수의 금속 나노 와이어 상에 형성되되, 상기 복수의 금속 나노 와이어가 존재하지 않은 상기 제 1 전극층의 나머지 일부분과 상기 복수의 금속 나노 와이어를 덮도록 형성되어, 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,
    상기 제 1 전극층은 상기 기판 상에 형성된 금속 씨드 패턴을 포함하고,
    상기 복수의 금속 나노 와이어는 상기 금속 씨드 패턴으로부터 성장하여 형성되며,
    상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극층의 계면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  5. 삭제
  6. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제 1 전극층;
    상기 제 1 전극층의 일부분 상에 분산된 형태로 존재하는 복수의 금속 나노 와이어;
    상기 제 1 전극층 및 상기 복수의 금속 나노 와이어 상에 형성되되, 상기 복수의 금속 나노 와이어가 존재하지 않은 상기 제 1 전극층의 나머지 일부분과 상기 복수의 금속 나노 와이어를 덮도록 형성되어, 표면 요철 구조를 갖는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극층을 포함하고,
    상기 복수의 금속 나노 와이어는 별도의 기판에 제작된 복수의 금속 나노 와이어가 상기 기판 상에 분산되어 형성되며,
    상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극층의 계면은 요철 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  7. 제 1 항의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법으로,
    (a) 별도로 제작된 복수의 나노 와이어를 기판 상에 분산시키는 단계;
    (b) 상기 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 기판 및 상기 나노 와이어 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 (a) 단계는,
    픽셀 블로킹 층을 이용하여 픽셀 영역을 정의하며, 픽셀 영역 이외의 영역에 존재하는 나노 와이어를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  9. 제 3 항의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법으로,
    (a) 기판 상에 복수의 나노 와이어를 분산 형성하는 단계;
    (b) 상기 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 기판 및 상기 나노 와이어 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 제 1 전극층에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 (a) 단계는,
    (a-1) 상기 기판 상에 씨드 패턴을 형성하는 단계; 및
    (a-2) 상기 씨드 패턴으로부터 성장시켜 상기 복수의 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  10. 제 4 항의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법으로,
    (a) 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;
    (b) 별도로 제작된 복수의 금속 나노 와이어를 상기 제 1 전극층 상에 분산시키는 단계;
    (c) 상기 금속 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 및 상기 금속 나노 와이어 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    픽셀 블로킹 층을 이용하여 픽셀 영역을 정의하며, 픽셀 영역 이외의 영역에 존재하는 금속 나노 와이어를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
  12. 제 6 항의 유기 발광 다이오드를 제조하는 방법으로,
    (a) 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 제 1 전극층 상에 복수의 금속 나노 와이어를 분산 형성하는 단계;
    (c) 상기 금속 나노 와이어에 의해 표면 요철 구조를 갖도록 상기 제 1 전극층 및 상기 금속 나노 와이어 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고
    상기 (a) 단계에서,
    상기 제 1 전극층은 상기 기판 상에 금속 씨드 물질을 패터닝하여 형성하고,
    상기 (b) 단계에서,
    상기 금속 나노 와이어는 상기 금속 씨드 패턴을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법.
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