KR101124485B1 - Processing system for substrate - Google Patents

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허윤성
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(유)에스엔티
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Abstract

기판 처리 시스템이 개시된다. 상기 기판 처리 시스템은, 기판이 안착된 트레이가 공급되는 로딩부; 상기 로딩부와 이격되는 언로딩부; 직선운동 및 회전운동을 통해 상기 트레이를 전달하는 제1 암 유닛을 포함하고, 상기 로딩부와 상기 언로딩부 사이에 개재되는 이송부; - 이 때, 상기 로딩부와 이송부 및 언로딩부는 제1 경로를 형성함 - 상기 이송부로부터 상기 트레이를 공급받는 제2 암 유닛을 포함하고, 상기 제1 경로와 교차하는 제2 경로 상에 배치되는 로드락 챔버; 및 상기 제2 경로와 교차하는 제3 경로 상에 배치되며, 상기 로드락 챔버로부터 상기 트레이를 공급받아 상기 기판을 처리하는 복수의 공정챔버를 포함한다. 이 때, 상기 공정챔버에서 처리 공정을 거친 트레이는 상기 로드락 챔버와 상기 이송부를 통해 상기 언로딩부로 전달된다.A substrate processing system is disclosed. The substrate processing system includes a loading unit to which a tray on which a substrate is mounted is supplied; An unloading part spaced apart from the loading part; A transfer unit including a first arm unit configured to transfer the tray through linear motion and rotational motion, the transfer part being interposed between the loading part and the unloading part; Wherein the loading part, the conveying part and the unloading part form a first path. The second arm unit receives the tray from the conveying part, and is disposed on a second path intersecting the first path. A load lock chamber; And a plurality of process chambers disposed on a third path crossing the second path and receiving the tray from the load lock chamber to process the substrate. At this time, the tray which has been processed in the process chamber is transferred to the unloading unit through the load lock chamber and the transfer unit.

Description

기판 처리 시스템{Processing system for substrate}Processing system for substrate

본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing system.

반사방지막(anti-reflection coating)은 상층에서 반사된 빛과 하층에서 반사된 빛이 서로 상쇄간섭을 일으키도록 함으로써 태양전지 표면에서의 빛 반사를 줄이고, 특정한 파장영역의 선택성을 증가시키기 위해 사용된다. 이러한 반사방지막은 챔버 내에서 기판의 표면에 SiNx를 증착 등의 방식으로 코팅하여 형성된다.An anti-reflection coating is used to reduce light reflection on the surface of a solar cell and increase selectivity of a specific wavelength region by causing the light reflected from the upper layer and the light reflected from the lower layer to cancel each other. Such an antireflection film is formed by coating SiNx on the surface of a substrate in a chamber, for example, by vapor deposition.

도 1에는 종래기술에 따른 기판 처리 시스템이 도시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따르면, 기판을 인라인 방식으로 연속적으로 공급하면서, 이송 경로 상에 로딩부(1), 가열부(2), 공정처리부(3), 냉각부(4), 언로딩부(5)를 직렬로 배치하였다. 도 1의 화살표는 기판의 이송경로를나타낸다.1 shows a substrate processing system according to the prior art. As shown in FIG. 1, according to the prior art, the loading part 1, the heating part 2, the process part 3, the cooling part 4 on the transfer path while continuously feeding the substrate in an inline manner. And the unloading part 5 was arrange | positioned in series. Arrows in FIG. 1 indicate the transfer path of the substrate.

이와 같은 직렬배치구조의 기판 처리 시스템의 경우, 기판 처리 시스템이 차지하는 공간이 크기 때문에 공간 운영이 효율적이지 못한 문제가 있으며, 기판의 이송경로 상에 공정챔버가 직렬로 배치되기 때문에 단위 시간 내에 처리해 낼 수 있는 기판의 양에 한계가 존재한다.In the case of such a substrate processing system having a serial arrangement structure, there is a problem that space operation is not efficient due to the large space occupied by the substrate processing system. There is a limit to the amount of substrate that can be made.

이에, 기판을 처리하고 이송하는 데에 이용되는 설비를 최적화 하여, 처리 시스템이 차지하는 공간 규모를 줄이고, 가격 경쟁력을 높일 수 있는 기판 처리 시스템에 대한 개발이 필요한 실정이다.
Accordingly, it is necessary to develop a substrate processing system capable of optimizing a facility used to process and transfer a substrate, to reduce the amount of space occupied by the processing system, and to increase the price competitiveness.

본 발명은 점유공간 및 규모를 줄일 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.
The present invention is to provide a substrate processing system that can reduce the occupied space and scale.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판이 안착된 트레이가 공급되는 로딩부; 상기 로딩부와 이격되는 언로딩부; 직선운동 및 회전운동을 통해 상기 트레이를 전달하는 제1 암 유닛을 포함하고, 상기 로딩부와 상기 언로딩부 사이에 개재되는 이송부; - 이 때, 상기 로딩부와 이송부 및 언로딩부는 제1 경로를 형성함 - 상기 이송부로부터 상기 트레이를 공급받는 제2 암 유닛을 포함하고, 상기 제1 경로와 교차하는 제2 경로 상에 배치되는 로드락 챔버; 및 상기 제2 경로와 교차하는 제3 경로 상에 배치되며, 상기 로드락 챔버로부터 상기 트레이를 공급받아 상기 기판을 처리하는 복수의 공정챔버를 포함한다.이 때, 상기 공정챔버에서 처리 공정을 거친 트레이는 상기 로드락 챔버와 상기 이송부를 통해 상기 언로딩부로 전달된다.According to an aspect of the invention, the loading unit is supplied with a tray on which the substrate is mounted; An unloading part spaced apart from the loading part; A transfer unit including a first arm unit configured to transfer the tray through linear motion and rotational motion, the transfer part being interposed between the loading part and the unloading part; Wherein the loading part, the conveying part and the unloading part form a first path. The second arm unit receives the tray from the conveying part, and is disposed on a second path intersecting the first path. A load lock chamber; And a plurality of process chambers disposed on a third path crossing the second path and receiving the tray from the load lock chamber to process the substrate. The tray is transferred to the unloading part through the load lock chamber and the transfer part.

여기서, 상기 트레이에는 복수 개의 기판이 안착되어 전달될 수 있다.Here, a plurality of substrates may be seated and transferred to the tray.

또한, 상기 이송부는, 상기 제1 암 유닛의 이동을 가이드하도록 상기 제1 경로를 따라 형성되는 제1 가이드레일; 상기 제1 암 유닛의 이동을 가이드하도록 상기 제2 경로를 따라 형성되는 제2 가이드레일; 및 상기 제1 암 유닛을 회동시켜 상기 제1 암 유닛의 경로를 변경시키는 회동수단을 더 포함할 수 있다.The transfer unit may further include: a first guide rail formed along the first path to guide the movement of the first arm unit; A second guide rail formed along the second path to guide movement of the first arm unit; And rotating means for rotating the first arm unit to change a path of the first arm unit.

상기 로딩부는, 상기 트레이를 연속적으로 공급하는 제1 컨베이어 벨트; 및 상기 공급된 트레이를 일시적으로 보관하는 제1 버퍼부를 포함할 수 있으며, 복수 개의 트레이를 동시에 전달하도록, 상기 제1 암 유닛은 복수 개의 지지암을 포함 수도 있다. 이 때, 상기 복수 개의 지지암은 상하로 배치될 수 있다.The loading unit includes a first conveyor belt for continuously supplying the tray; And a first buffer unit for temporarily storing the supplied tray, and the first arm unit may include a plurality of support arms to simultaneously transfer the plurality of trays. In this case, the plurality of support arms may be disposed up and down.

한편, 상기 제1 암 유닛은 상기 복수 개의 지지암의 일단부가 모두 결합되는 암헤드를 더 포함할 수 있으며, 이로 인해 상기 복수 개의 지지암은 일체로 거동할 수도 있다.On the other hand, the first arm unit may further include an arm head to which one end of the plurality of support arms are all coupled, whereby the plurality of support arms may be integrally behaved.

상기 제1 경로, 제2 경로 및 제3 경로는, ‘工’ 형상으로 배치될 수 있으며, 상기 복수의 공정챔버는 상기 로드락 챔버를 중심으로 대칭적으로 배치될 수도 있다.The first path, the second path, and the third path may be disposed in a '工' shape, and the plurality of process chambers may be symmetrically disposed about the load lock chamber.

상기 제2 암 유닛은 복수 개일 수 있으며, 이 때, 상기 제2 암 유닛의 수는 상기 공정챔버의 수와 동일할 수 있다. 한편, 상기 복수 개의 제2 암 유닛은 상하로 배치될 수 있다.The second arm unit may be plural, wherein the number of the second arm units may be equal to the number of the process chambers. Meanwhile, the plurality of second arm units may be disposed up and down.

상기 언로딩부는, 상기 공정챔버에서 처리 공정을 거친 트레이를 후속 공정으로 전달하는 제2 컨베이어 벨트; 및 상기 공정챔버에서 처리 공정을 거친 트레이를 일시적으로 보관하는 제2 버퍼부를 포함할 수 있다.The unloading unit may include: a second conveyor belt configured to transfer a tray which has been processed in the process chamber to a subsequent process; And a second buffer unit temporarily storing the tray which has been processed in the process chamber.

상기 공정챔버는 상기 기판의 표면에 반사방지막을 형성하는 기능을 수행할 수 있다.The process chamber may perform a function of forming an anti-reflection film on the surface of the substrate.

한편, 제2 암 유닛은, 회전운동의 중심이 되는 회전축부; 상기 트레이의 양단 하부를 지지하도록 서로 이격되는 한 쌍의 지지바; 및 상기 회전축부와 상기 한 쌍의 지지바를 연결하는 연결부를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 한 쌍의 지지바 중, 상기 트레이가 공급될 공정챔버 측에 위치한 지지바는, 나머지 지지바보다 짧을 수 있다.On the other hand, the second arm unit, the rotating shaft portion which is the center of the rotational movement; A pair of support bars spaced apart from each other to support lower ends of the trays; And it may include a connecting portion for connecting the rotating shaft portion and the pair of support bars. At this time, of the pair of support bars, the support bar located on the side of the process chamber to which the tray is supplied, may be shorter than the remaining support bar.

한편, 상기 로딩부에서는 상기 기판에 대한 예열이 진행될 수 있다.On the other hand, the loading unit may be preheated to the substrate.

또한, 상기 로드락 챔버는, 상기 로딩부 및 언로딩부 보다는 높고, 상기 공정챔버 보다는 낮은 온도로 유지될 수 있다.In addition, the load lock chamber may be maintained at a temperature higher than that of the loading unit and the unloading unit, and lower than the process chamber.

또한, 상기 언로딩부는 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각수단을 구비할 수 있다.
In addition, the unloading unit may include cooling means for cooling the substrate.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판 처리 시스템이 차지하는 공간 및 규모를 줄여 가격 경쟁력을 높일 수 있다.
According to a preferred embodiment of the present invention, it is possible to increase the price competitiveness by reducing the space and the size occupied by the substrate processing system.

도 1은 종래기술에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 블록도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 블록도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 평면도.
도 5는 제1 암 유닛을 나타내는 측면도.
도 6은 제1 암 유닛에 트레이가 안착된 모습을 나타내는 도면.
도 7은 제1 암 유닛이 회동하여 로드락 챔버를 향하고 있는 모습을 나타내는 도면.
도 8은 제2 암 유닛을 나타내는 도면.
도 9는 제1 암 유닛이 언로딩부를 향하고 있는 모습을 나타내는 도면.
1 is a block diagram illustrating a substrate processing system according to the prior art.
2 is a block diagram illustrating a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
5 is a side view of the first arm unit.
6 is a view showing a tray seated on the first arm unit.
7 is a view showing a state in which the first arm unit rotates and faces the load lock chamber.
8 shows a second arm unit.
9 is a view showing a state in which the first arm unit faces the unloading part.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

이하, 본 발명에 따른 기판 처리 시스템의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
Hereinafter, a preferred embodiment of a substrate processing system according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and duplicated thereto. The description will be omitted.

먼저, 도 2를 참조하여 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 흐름에 대해 설명하도록 한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 블록도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템은, 로딩부(10), 이송부(20), 로드락 챔버(30), 복수의 공정챔버(40) 및 언로딩부(50)를 포함한다.First, a flow of the substrate processing system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 2. 2 is a block diagram illustrating a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the substrate processing system according to the present embodiment includes a loading unit 10, a transfer unit 20, a load lock chamber 30, a plurality of process chambers 40 and an unloading unit 50. It includes.

이송부(20)는 로딩부(10)와 언로딩부(50) 사이에 위치하여 트레이(도 3의 T 참조)를 주고 받는 기능을 수행한다. 이 때, 로딩부(10)와 이송부(20) 및 언로딩부(50)는 제1 경로(P1)를 형성하게 되는데, 본 실시예의 경우, 제1 경로(P1)는 트레이(T)의 인라인 이송방향, 보다 구체적으로는 기판의 인라인 이송방향과 동일하다.The transfer unit 20 is located between the loading unit 10 and the unloading unit 50 to perform a function of exchanging a tray (see T in FIG. 3). In this case, the loading unit 10, the transfer unit 20, and the unloading unit 50 form the first path P1. In the present embodiment, the first path P1 is in-line of the tray T. The conveying direction, more specifically, is the same as the in-line conveying direction of the substrate.

로딩부(10)에 트레이(T)가 공급되면, 이송부(20)는 로딩부(10)에 공급된 트레이(T)를 전달받아 로드락 챔버(30)에 전달한다. 이 때, 도 2에 도시된 바와 같이 이송부(20)와 로드락 챔버(30)가 형성하는 제2 경로(P2)는 제1 경로(P1)와는 교차하게 된다. 이는 도 1에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따른 기판 처리 시스템이 단일 경로 상에서 기판에 대한 공정 처리 및 이송을 수행하였던 점과 대비되는 부분이다. 이를 위해, 이송부(20)는 직선운동 및 회전운동이 모두 가능한 구성으로 이루어질 수 있다.When the tray T is supplied to the loading unit 10, the transfer unit 20 receives the tray T supplied to the loading unit 10 and transmits the tray T to the load lock chamber 30. At this time, as shown in FIG. 2, the second path P2 formed by the transfer unit 20 and the load lock chamber 30 crosses the first path P1. This is in contrast to the point where the substrate processing system according to the prior art, as shown in FIG. 1, performed the process and transfer of the substrate on a single path. To this end, the transfer unit 20 may be made of a configuration capable of both linear and rotational movement.

한편, 로딩부(10)에서는 트레이에 안착된 기판에 대한 예열이 진행될 수 있다. 이를 위해, 로딩부(10)는 기판을 가열하기 위한 별도의 가열수단(미도시)을 구비할 수도 있고, 그 외면을 보온재로 둘러 쌈으로써 선행 공정에서 비롯된 기판의 온도가 하강하지 않고 유지되도록 하는 구조로 이루어질 수 있을 것이다. 예를 들어, 추후 설명할 공정챔버(40) 내의 온도가 약 450℃인 경우, 로딩부(10)는 약 200℃를 유지할 수 있다. 이를 통해, 추후 공정챔버(40)에서의 처리시간을 단축시키는 효과를 기대할 수 있게 된다.Meanwhile, in the loading unit 10, preheating of the substrate seated on the tray may be performed. To this end, the loading unit 10 may be provided with a separate heating means (not shown) for heating the substrate, so that the temperature of the substrate resulting from the previous process is maintained without falling by surrounding the outer surface with a heat insulating material. It may be structured. For example, when the temperature in the process chamber 40 to be described later is about 450 ℃, the loading unit 10 may maintain about 200 ℃. Through this, it is possible to expect the effect of shortening the processing time in the process chamber 40 later.

로드락 챔버(30)는 이송부(20)로부터 전달 받은 트레이(T)를 이에 인접하게 배치된 복수 개의 공정챔버(40)에 전달한다. 이를 위해, 로드락 챔버(30) 내에는 소정의 회전축을 중심으로 회전 운동할 수 있는 제2 암 유닛(32)이 구비될 수 있다. 이 때, 로드락 챔버(30)와 공정챔버(40)가 형성하는 제3 경로(P3)는 제2 경로(P2)와 교차하게 된다. 도 2에는 제1 경로(P1)와 제2 경로(P2) 및 제3 경로(P3)가 서로 직교하는 ‘工’ 형상을 갖도록 형성된 모습이 도시되어 있으나, 소정 각도만큼 경사질 수도 있는 등 반드시 직교 형상에 한정되는 것은 아니다.The load lock chamber 30 transfers the tray T received from the transfer unit 20 to the plurality of process chambers 40 disposed adjacent thereto. To this end, the load lock chamber 30 may be provided with a second arm unit 32 capable of rotating around a predetermined rotation axis. At this time, the third path P3 formed by the load lock chamber 30 and the process chamber 40 crosses the second path P2. In FIG. 2, although the first path P1, the second path P2, and the third path P3 are formed to have a '工' shape orthogonal to each other, the first path P1, the second path P2, and the third path P3 may be inclined by a predetermined angle. It is not limited to a shape.

로드락 챔버(30)에서는 기판에 대한 2차 예열이 진행될 수도 있다. 이를 위해, 로드락 챔버(30) 내에는 기판을 가열하기 위한 별도의 히터(미도시)를 구비될 수 있다. 이 때, 로드락 챔버(30) 내의 온도는 로딩부(10)의 온도와 공정챔버(40) 내의 온도 사이의 값을 가진다.Secondary preheating of the substrate may be performed in the load lock chamber 30. To this end, the load lock chamber 30 may be provided with a separate heater (not shown) for heating the substrate. At this time, the temperature in the load lock chamber 30 has a value between the temperature of the loading unit 10 and the temperature in the process chamber 40.

한편, 이상에서는 로딩부(10)에서 1차 예열이 이루어지고, 로드락 챔버(30)에서 2차 예열이 이루어지는 경우를 설명하였으나, 로딩부(10)에서의 예열이 생략되고 로드락 챔버(30)에서만 예열이 진행될 수도 있음은 물론이다.Meanwhile, in the above description, a case in which the primary preheating is performed in the loading unit 10 and the secondary preheating in the load lock chamber 30 has been described, but the preheating in the loading unit 10 is omitted and the load lock chamber 30 is omitted. Of course, preheating may only occur.

공정챔버(40)에서는 전달된 트레이(T)에 안착된 기판에 대한 반도체 공정이 수행된다. 예를 들면, 공정챔버(40) 내에서는 태양전지 제조공정 중 기판의 표면에 반사방지막을 형성하는 공정이 진행될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 챔버 내에서 수행될 필요가 있는 각종 반도체 공정이 공정챔버(40) 내에서 수행될 수도 있을 것이다.In the process chamber 40, a semiconductor process on a substrate seated on the transferred tray T is performed. For example, in the process chamber 40, a process of forming an anti-reflection film on the surface of the substrate during the solar cell manufacturing process may be performed. However, the present invention is not limited thereto, and various semiconductor processes that need to be performed in the chamber may be performed in the process chamber 40.

공정챔버(40)에서의 처리가 완료되면, 로드락 챔버(30) 내에 구비된 제2 암 유닛(32)은 공정챔버(40)로부터 트레이(T)를 다시 전달 받아 이송부(20)에 전달하게 되고, 이송부(20)는 이를 다시 언로딩부(50)로 전달하게 된다. 이로써, 기판에 대한 처리 및 이송이 완료될 수 있게 된다.When the process in the process chamber 40 is completed, the second arm unit 32 provided in the load lock chamber 30 receives the tray T from the process chamber 40 and delivers it to the transfer unit 20. Then, the transfer unit 20 is to transfer it to the unloading unit 50 again. This allows the processing and transfer to the substrate to be completed.

이 때, 전술한 바와 같이 로드락 챔버(30)가 예열 기능을 수행하는 경우, 로드락 챔버(30)는 그와 동시에 기판에 대한 1차 냉각 기능을 수행할 수 있게 된다. 이는 로드락 챔버(30)가 공정챔버(40) 보다는 낮은 온도로 설정되어 유지되기 때문이다. 다시 말해, 로드락 챔버(30)는, 공정챔버(40)에 공급되는 기판에 대해서는 가열 기능을 수행하고, 공정챔버(40)에서 나오는 기판에 대해서는 냉각 기능을 수행할 수 있게 되는 것이다.At this time, when the load lock chamber 30 performs the preheating function as described above, the load lock chamber 30 can perform the primary cooling function for the substrate at the same time. This is because the load lock chamber 30 is maintained at a lower temperature than the process chamber 40. In other words, the load lock chamber 30 may perform a heating function on the substrate supplied to the process chamber 40, and perform a cooling function on the substrate exiting from the process chamber 40.

한편, 언로딩부(50)에서는 트레이(T)에 안착된 기판에 대한 냉각이 진행될 수 있다. 이를 위해, 언로딩부(50)는 기판을 냉각시키기 위한 에어쿨러(미도시)와 같은 별도의 냉각수단을 구비할 수 있을 것이다. 예를 들어, 공정챔버(40) 내의 온도가 약 450℃인 경우, 언로딩부(50)는 약 100℃를 유지할 수 있다.Meanwhile, in the unloading unit 50, cooling of the substrate seated on the tray T may be performed. To this end, the unloading unit 50 may have a separate cooling means such as an air cooler (not shown) for cooling the substrate. For example, when the temperature in the process chamber 40 is about 450 ° C, the unloading part 50 may maintain about 100 ° C.

전술한 바와 같이, 로드락 챔버(30)가 기판에 대한 1차 냉각 기능을 수행하는 경우, 공정챔버(40)에서 공정 처리가 완료된 기판은 로드락 챔버(30)와 언로딩부(50)를 거치며 두 차례의 냉각이 진행될 수 있게 된다.As described above, when the load lock chamber 30 performs the primary cooling function with respect to the substrate, the substrate on which the process is completed in the process chamber 40 is connected to the load lock chamber 30 and the unloading unit 50. Through this, two cooling cycles can be performed.

이상에서는 도 2를 참조하여 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 흐름에 대해 간략히 설명하였으며, 이하에서는 도 3 내지 도 9를 참조하여 보다 구체적인 구성에 대해 설명하도록 한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 평면도이다.In the above, the flow of the substrate processing system according to the present embodiment is briefly described with reference to FIG. 2, and the detailed configuration will be described below with reference to FIGS. 3 to 9. 3 is a perspective view illustrating a substrate processing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view illustrating a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

로딩부(10)는 기판이 공급되는 곳이다. 이 때, 기판은 트레이(T)에 안착된 상태에서 공급된다. 복수 개의 기판에 대한 동시 처리가 가능하도록, 트레이(T)에는 복수 개의 기판이 안착되어 있을 수 있다. 여기서, 기판은 실리콘 웨이퍼와 같이 태양전지의 제조에 이용되는 자재 등과 같이 각종 반도체 공정의 대상이 되는 자재를 의미한다.The loading unit 10 is where the substrate is supplied. At this time, the substrate is supplied in a state seated on the tray (T). A plurality of substrates may be mounted on the tray T to allow simultaneous processing of the plurality of substrates. Here, the substrate means a material that is subject to various semiconductor processes, such as a material used for manufacturing a solar cell, such as a silicon wafer.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 로딩부(10)는 트레이(T)를 연속적으로 공급하는 제1 컨베이어 벨트(12)를 포함할 수 있다. 이와 같이 컨베이어 벨트(12)를 이용하여 트레이(T)를 공급하는 인라인 타입(in-line type)을 적용하게 되면, 연속적인 처리를 가능케 하여 단위 시간당 처리량을 향상시킬 수 있게 된다.On the other hand, as shown in Figure 3, the loading unit 10 may include a first conveyor belt 12 for continuously supplying the tray (T). As such, when the in-line type of supplying the tray T is applied using the conveyor belt 12, the throughput per unit time can be improved by enabling continuous processing.

한편, 공정챔버(40)에서 처리하는 트레이(T)의 수보다 컨베이어 벨트(12)를 통해 공급되는 트레이(T)의 양이 많아지는 경우에 대비하여, 로딩부(10)에는 컨베이어 벨트(12)를 통해 공급된 트레이(T)를 일시적으로 보관하는 제1 버퍼부(14)가 마련될 수 있다. 초과 공급된 트레이(T)는 추후 설명할 이송부(20)에 의해 제1 버퍼부(14)의 빈 공간에 일시적으로 보관되었다가, 추후에 공정챔버(40)로 공급될 수 있게 된다. 제1 버퍼부(14)는 도 3에 도시된 바와 같이, 다층구조로 이루어질 수 있다.On the other hand, in the case where the amount of the tray T supplied through the conveyor belt 12 becomes larger than the number of trays T processed in the process chamber 40, the loading belt 10 has a conveyor belt 12 The first buffer unit 14 may be provided to temporarily store the tray (T) supplied through the (). The over-supplied tray T is temporarily stored in the empty space of the first buffer unit 14 by the transfer unit 20 which will be described later, and can be supplied to the process chamber 40 later. As shown in FIG. 3, the first buffer unit 14 may have a multilayer structure.

이송부(20)는 로딩부(10)에 공급된 트레이(T)를 로드락 챔버(30)에 전달한다. 이를 위해 이송부(20)는 기판을 지지하는 제1 암 유닛(도 4 및 도 5의 22 참조)이 직선운동 및 회전운동을 할 수 있게 구성된다. 즉, 이송부(20)는, 제1 암 유닛(22)이 제1 경로(P1)를 따라 이동할 수 있도록 가이드하는 제1 가이드레일(도 7의 23 참조) 제1 암 유닛(22)이 제2 경로(P2)를 따라 이동할 수 있도록 가이드 하는 제2 가이드레일(도 4의 24 참조) 및 제1 암 유닛(22)을 회동시켜 경로를 변경시키는 회동수단(26)을 구비할 수 있다. 이 때, 회동수단(26)으로는 제1 가이드레일(23)과 제2 가이드레일(24)이 교차하는 부분의 하측에 위치하는 기어드모터를 이용할 수 있으며, 이 밖의 다양한 동력전달 시스템을 이용할 수도 있을 것이다.The transfer unit 20 transfers the tray T supplied to the loading unit 10 to the load lock chamber 30. To this end, the transfer unit 20 is configured such that the first arm unit (see 22 of FIGS. 4 and 5) supporting the substrate can perform a linear motion and a rotational motion. That is, the transfer part 20 may include a first guide rail (see 23 in FIG. 7) that guides the first arm unit 22 to move along the first path P1. A second guide rail (see 24 of FIG. 4) for guiding the movement along the path P2 and the first arm unit 22 may be rotated to change the path. At this time, the rotating means 26 may be used a geared motor located below the intersection of the first guide rail 23 and the second guide rail 24, it is also possible to use a variety of other power transmission system. There will be.

이 밖에도 도 3에 도시된 바와 같이 제1 암 유닛(22)이 상하로 이동할 수 있도록 승강부(28)가 구비될 수도 있다. 이러한 승강부(28)로 인해 제1 암 유닛(22)은 다층구조의 제1 버퍼부(14)에 트레이(T)를 보관할 수도 있고, 보관된 트레이(T)를 전달 받을 수도 있게 된다.In addition, as shown in FIG. 3, the lifting unit 28 may be provided to move the first arm unit 22 up and down. Due to the lifting unit 28, the first arm unit 22 may store the tray T in the first buffer unit 14 of the multilayer structure, or may receive the stored tray T.

도 5에는 제1 암 유닛(22)의 일 예가 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 제1 암 유닛(22)은 복수개의 지지암(22b, 22c)을 포함할 수 있다. 이와 같이 제1 암 유닛(22)이 복수 개의 지지암(22b, 22c)을 구비하게 되면, 복수 개의 트레이(T)를 동시에 전달할 수 있게 되어, 단위 시간당 처리량을 향상시킬 수 있게 된다. 이 때, 복수 개의 지지암(22b, 22c)은 상하로 배치될 수 있으며, 이 경우, 다층구조의 제1 버퍼부(14)에 보관된 트레이(T)들을 동시에 전달하기에 유리해 진다.An example of the first arm unit 22 is shown in FIG. 5. Referring to FIG. 5, the first arm unit 22 may include a plurality of support arms 22b and 22c. As such, when the first arm unit 22 includes the plurality of support arms 22b and 22c, the plurality of trays T can be delivered at the same time, thereby improving throughput per unit time. In this case, the plurality of support arms 22b and 22c may be disposed up and down, and in this case, it is advantageous to simultaneously deliver the trays T stored in the first buffer part 14 of the multilayer structure.

한편, 복수 개의 지지암(22b, 22c)의 일단부는 모두 암헤드(22a)에 결합될 수 있다. 이 경우, 복수 개의 지지암(22b, 22c)은 일체로 거동할 수 있게되어, 한번의 동작으로 복수 개의 트레이(T)를 동시에 전달할 수 있게 된다.Meanwhile, both ends of the plurality of support arms 22b and 22c may be coupled to the arm head 22a. In this case, the plurality of support arms 22b and 22c may be integrally behaved, so that the plurality of trays T may be simultaneously delivered in one operation.

도 6에는 제1 암 유닛(22)이 로딩부(10)를 향한 상태에서 트레이(T)를 지지하고 있는 모습이 도시되어 있으며, 도 7에는 제1 암 유닛(22)이 회동하여 로드락 챔버(30)를 향하고 있는 모습이 도시되어 있다.FIG. 6 shows a state in which the first arm unit 22 supports the tray T in a state in which the first arm unit 22 faces the loading unit 10. In FIG. 7, the first arm unit 22 rotates to load the chamber. The figure facing 30 is shown.

로드락 챔버(30)는 이송부(20), 보다 구체적으로는 제1 암 유닛(22)으로부터 트레이(T)를 전달 받으며, 그 내부에 구비된 제2 암 유닛(32-1, 32-2, 이하 통칭 시 ‘32’)의 회전운동을 통해 공정챔버(40) 안으로 트레이(T)를 공급한다. 이 때, 복수 개의 공정챔버(40)에 보다 효율적으로 트레이(T)를 공급하기 위하여, 제2 암 유닛(32)은 복수 개 구비될 수 있으며, 바람직하게는, 공정챔버(40)의 수와 동일한 수의 제2 암 유닛(32)이 구비될 수 있다. 한편, 제1 암 유닛(22)의 경우와 마찬가지로, 제2 암 유닛(32)들은 상하로 배치될 수도 있다.The load lock chamber 30 receives the tray T from the transfer unit 20, more specifically, the first arm unit 22, and the second arm units 32-1, 32-2, Hereinafter, the tray T is supplied into the process chamber 40 through the rotational movement of '32'. At this time, in order to more efficiently supply the trays T to the plurality of process chambers 40, a plurality of second arm units 32 may be provided. Preferably, the number of process chambers 40 The same number of second arm units 32 may be provided. Meanwhile, similarly to the case of the first arm unit 22, the second arm units 32 may be disposed up and down.

도 8에는 도 7에 도시된 두 개의 제2 암 유닛(32-1, 32-2) 중 상대적으로 위쪽에 위치한 제2 암 유닛(32-1)이 도시되어 있다. 이하에서 설명되는 제2 암 유닛(32-1)의 구조 및 기능이, 도 7에서 상대적으로 아래쪽에 위치한 제2 암 유닛(32-2)에도 적용될 수 있음은 물론이다.FIG. 8 shows a second arm unit 32-1 located relatively upward of the two second arm units 32-1 and 32-2 shown in FIG. 7. The structure and function of the second arm unit 32-1 described below can also be applied to the second arm unit 32-2 positioned relatively downward in FIG. 7.

도 8에 도시된 바와 같이, 제2 암 유닛(32-1)은 회전운동의 중심이 되는 회전축부(32a) 트레이(T)의 양단 하부를 지지하도록 서로 이격되는 한 쌍의 지지바(32c, 32d) 회전축부(32a)와 한 쌍의 지지바(32c, 32d)를 연결하는 연결부(32b)를 포함한다. 이 때, 한 쌍의 지지바(32c, 32d) 사이의 간격은 제1 암 유닛(22)의 지지암(22b)의 폭보다 크다. 이를 통해, 제1 암 유닛(22)이 회동하여 로드락 챔버(30)를 향한 상태에서, 제1 암 유닛(22)이 전진하게 되면, 제1 암 유닛(22) 상에 지지되어 있던 트레이(T)는 제2 암 유닛(32-1) 상으로 전달될 수 있게 된다.As shown in FIG. 8, the second arm unit 32-1 is provided with a pair of support bars 32c spaced apart from each other so as to support lower ends of both ends of the tray T, which is the center of the rotary shaft 32a. 32d) includes a connecting portion 32b for connecting the rotating shaft portion 32a and the pair of support bars 32c and 32d. At this time, the distance between the pair of support bars 32c and 32d is larger than the width of the support arm 22b of the first arm unit 22. As a result, when the first arm unit 22 moves forward while the first arm unit 22 rotates to face the load lock chamber 30, the tray supported on the first arm unit 22 ( T) can be delivered on the second arm unit 32-1.

이렇게 제2 암 유닛(32-1)으로 트레이(T)가 전달되면, 트레이(T)는 회전축부(32a)를 중심으로 회동하여 인접한 공정챔버(40)에 트레이(T)를 공급하게 된다. 이 때, 트레이(T)가 공급될 공정챔버(40) 측에 위치한 지지바(32d)가 나머지 지지바(32c)보다 짧게 형성됨으로써, 공정챔버(40) 내에 트레이(T)를 공급하기 위한 제2 암 유닛(32-1)의 회동 시 지지바(32d)가 공정챔버(40)와 간섭을 일으키는 문제를 해결할 수 있다.When the tray T is transferred to the second arm unit 32-1, the tray T rotates around the rotation shaft part 32a to supply the tray T to the adjacent process chamber 40. At this time, the support bar 32d positioned on the side of the process chamber 40 to which the tray T is to be supplied is formed to be shorter than the remaining support bars 32c, thereby providing a tray T for supplying the tray T into the process chamber 40. It is possible to solve the problem that the support bar 32d causes interference with the process chamber 40 when the two arm unit 32-1 is rotated.

한편, 복수 개의 공정챔버(40)는 로드락 챔버(30)를 중심으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 이 경우, 로드락 챔버(30) 내에 구비된 제2 암 유닛(32)의 회동제어를 단순화시킬 수 있는 장점이 있다.Meanwhile, the plurality of process chambers 40 may be symmetrically disposed about the load lock chamber 30. In this case, there is an advantage that the rotation control of the second arm unit 32 provided in the load lock chamber 30 can be simplified.

공정챔버(40)에서는 전달된 트레이(T)에 안착된 기판에 대한 반도체 공정, 예를 들면 태양전지 제조공정 중 기판의 표면에 반사방지막을 형성하는 공정이 수행된다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 챔버 내에서 수행될 필요가 있는 각종 반도체 공정이 공정챔버(40) 내에서 수행될 수도 있을 것이다.In the process chamber 40, a semiconductor process for the substrate seated on the transferred tray T, for example, a process of forming an anti-reflection film on the surface of the substrate during a solar cell manufacturing process is performed. However, the present invention is not limited thereto, and various semiconductor processes that need to be performed in the chamber may be performed in the process chamber 40.

공정챔버(40)에서의 처리가 완료되면, 제2 암 유닛(32)은 공정챔버(40)로부터 트레이(T)를 다시 전달 받아 제1 암 유닛(22)에 전달한다. 제2 암 유닛(32)으로부터 제1 암 유닛(22)으로 트레이(T)를 전달하는 과정은, 제1 암 유닛(22)으로부터 제2 암 유닛(32)으로의 전달 과정의 역과 같다.When the process in the process chamber 40 is completed, the second arm unit 32 receives the tray T from the process chamber 40 and delivers the tray T to the first arm unit 22. The process of transferring the tray T from the second arm unit 32 to the first arm unit 22 is the same as the inverse of the transfer process from the first arm unit 22 to the second arm unit 32.

공정 처리가 완료된 트레이(T)를 다시 전달 받은 제1 암 유닛(22)은 후진하여, 회동할 수 있는 상태로 복귀한 뒤, 도 9에 도시된 바와 같이 언로딩부(50)를 향한다. 이 후, 제1 암 유닛(22)이 언로딩부(50)를 향해 직진하게 되면, 제1 암 유닛(22) 상에 지지되어 있던 트레이(T)는 언로딩부(50)로 전달될 수 있게 된다.The first arm unit 22, which has received the tray T after the process processing is completed, moves backward, returns to the rotatable state, and then faces the unloading unit 50 as illustrated in FIG. 9. Thereafter, when the first arm unit 22 goes straight toward the unloading part 50, the tray T supported on the first arm unit 22 may be transferred to the unloading part 50. Will be.

이 때, 로딩부(10)의 경우와 마찬가지로, 언로딩부(50) 역시, 도 3에 도시된 바와 같이, 공정챔버(40)에서 처리 공정을 거친 트레이(T)를 후속 공정으로 전달하는 제2 컨베이어 벨트(52)와, 공정챔버(40)에서 처리 공정을 거친 트레이(T)를 일시적으로 보관하는 제2 버퍼부(54)를 포함할 수 있다.
At this time, as in the case of the loading unit 10, as shown in FIG. 3, the unloading unit 50, as shown in FIG. The second conveyor belt 52 and the second buffer unit 54 for temporarily storing the tray T which has been processed in the process chamber 40 may be included.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood that the invention may be varied and varied without departing from the scope of the invention.

전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
Many embodiments other than the above-described embodiments are within the scope of the claims of the present invention.

10 : 로딩부 12 : 컨베이어 벨트
14 : 버퍼부 20 : 이송부
22 : 제1 암 유닛 30 : 로드락 챔버
32 : 제2 암 유닛 40 : 공정챔버
50 : 언로딩부 52 : 컨베이어 벨트
54 : 버퍼부
10 loading portion 12 conveyor belt
14: buffer portion 20: transfer portion
22: first arm unit 30: load lock chamber
32: second arm unit 40: process chamber
50: unloading unit 52: conveyor belt
54 buffer area

Claims (19)

기판이 안착된 트레이가 공급되는 로딩부;
상기 로딩부와 이격되는 언로딩부;
직선운동 및 회전운동을 통해 상기 트레이를 전달하는 제1 암 유닛을 포함하고, 상기 로딩부와 상기 언로딩부 사이에 개재되는 이송부; - 이 때, 상기 로딩부와 이송부 및 언로딩부는 제1 경로를 형성함 -
상기 이송부로부터 상기 트레이를 공급받는 제2 암 유닛을 포함하고, 상기 제1 경로와 교차하는 제2 경로 상에 배치되는 로드락 챔버; 및
상기 제2 경로와 교차하는 제3 경로 상에 배치되며, 상기 로드락 챔버로부터 상기 트레이를 공급받아 상기 기판을 처리하는 복수의 공정챔버;를 포함하며,
상기 공정챔버에서 처리 공정을 거친 트레이는 상기 로드락 챔버와 상기 이송부를 통해 상기 언로딩부로 전달되고,
상기 이송부는,
상기 제1 암 유닛의 이동을 가이드하도록 상기 제1 경로를 따라 형성되는 제1 가이드레일;
상기 제1 암 유닛의 이동을 가이드하도록 상기 제2 경로를 따라 형성되는 제2 가이드레일; 및
상기 제1 암 유닛을 회동시켜 상기 제1 암 유닛의 경로를 변경시키는 회동수단을 더 포함하는, 기판 처리 시스템.
A loading unit to which a tray on which a substrate is mounted is supplied;
An unloading part spaced apart from the loading part;
A transfer unit including a first arm unit configured to transfer the tray through linear motion and rotational motion, the transfer part being interposed between the loading part and the unloading part; Wherein the loading part, the conveying part and the unloading part form a first path.
A load lock chamber including a second arm unit receiving the tray from the transfer unit and disposed on a second path crossing the first path; And
And a plurality of process chambers disposed on a third path crossing the second path and receiving the tray from the load lock chamber to process the substrate.
The tray which has been processed in the process chamber is transferred to the unloading part through the load lock chamber and the transfer part,
The transfer unit
A first guide rail formed along the first path to guide movement of the first arm unit;
A second guide rail formed along the second path to guide movement of the first arm unit; And
And rotating means for rotating the first arm unit to change a path of the first arm unit.
제1항에 있어서,
상기 트레이에는 복수 개의 기판이 안착되어 전달되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
A substrate processing system, characterized in that a plurality of substrates are seated and transferred to the tray.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 로딩부는,
상기 트레이를 연속적으로 공급하는 제1 컨베이어 벨트; 및
상기 공급된 트레이를 일시적으로 보관하는 제1 버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
The loading unit,
A first conveyor belt for continuously feeding the tray; And
And a first buffer unit for temporarily storing the supplied tray.
제4항에 있어서,
복수 개의 트레이를 동시에 전달하도록, 상기 제1 암 유닛은 복수 개의 지지암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 4, wherein
And the first arm unit comprises a plurality of support arms to simultaneously deliver a plurality of trays.
제5항에 있어서,
상기 복수 개의 지지암은 상하로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 5,
The plurality of support arms are disposed up and down.
제6항에 있어서,
상기 제1 암 유닛은 상기 복수 개의 지지암의 일단부가 모두 결합되는 암헤드를 더 포함하며, 상기 복수 개의 지지암은 일체로 거동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 6,
The first arm unit further includes an arm head to which one end of the plurality of support arms are all coupled, wherein the plurality of support arms be integrally behaved.
제1항에 있어서,
상기 제1 경로, 제2 경로 및 제3 경로는, ‘工’ 형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
The first path, the second path, and the third path are disposed in a '工' shape, substrate processing system, characterized in that.
제1항에 있어서,
상기 복수의 공정챔버는 상기 로드락 챔버를 중심으로 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
And the plurality of process chambers are symmetrically disposed about the load lock chamber.
제1항에 있어서,
상기 제2 암 유닛은 복수 개인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
The second arm unit is a plurality of substrate processing system, characterized in that.
제10항에 있어서,
상기 제2 암 유닛의 수는 상기 공정챔버의 수와 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 10,
And the number of the second female units is equal to the number of the process chambers.
제10항에 있어서,
상기 복수 개의 제2 암 유닛은 상하로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 10,
The plurality of second arm units are disposed up and down.
제1항에 있어서,
상기 언로딩부는,
상기 공정챔버에서 처리 공정을 거친 트레이를 후속 공정으로 전달하는 제2 컨베이어 벨트; 및
상기 공정챔버에서 처리 공정을 거친 트레이를 일시적으로 보관하는 제2 버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
The unloading unit,
A second conveyor belt which transfers the tray which has been processed in the process chamber to a subsequent process; And
And a second buffer unit configured to temporarily store the tray which has been processed in the process chamber.
제1항에 있어서,
상기 공정챔버는 상기 기판의 표면에 반사방지막을 형성하는 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
And the process chamber performs a function of forming an anti-reflection film on the surface of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 제2 암 유닛은,
회전운동의 중심이 되는 회전축부;
상기 트레이의 양단 하부를 지지하도록 서로 이격되는 한 쌍의 지지바; 및
상기 회전축부와 상기 한 쌍의 지지바를 연결하는 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
The second arm unit,
A rotating shaft unit which is a center of the rotating movement;
A pair of support bars spaced apart from each other to support lower ends of the trays; And
And a connecting portion connecting the rotating shaft portion and the pair of support bars.
제15항에 있어서,
상기 한 쌍의 지지바 중, 상기 트레이가 공급될 공정챔버 측에 위치한 지지바는, 나머지 지지바보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
16. The method of claim 15,
Among the pair of support bars, the support bar located on the side of the process chamber to which the tray is to be supplied is shorter than the other support bar substrate processing system.
제1항에 있어서,
상기 로딩부에서는 상기 기판에 대한 예열이 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
And the loading part performs preheating of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 로드락 챔버는,
상기 로딩부 및 언로딩부 보다는 높고, 상기 공정챔버 보다는 낮은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
The load lock chamber,
And a temperature higher than that of the loading and unloading portions, and maintained at a lower temperature than the process chamber.
제1항에 있어서,
상기 언로딩부는 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
The method of claim 1,
And said unloading portion comprises cooling means for cooling said substrate.
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KR20070071282A (en) * 2005-12-29 2007-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Vacuum apparatus for fabricating liquid crystal dispaly device
KR100819176B1 (en) * 2006-12-29 2008-04-04 주식회사 케이씨텍 Large waper processing chamber system

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