JP5664701B2 - Coating, developing device, coating, developing method and storage medium - Google Patents

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Description

本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。   The present invention relates to a coating, developing apparatus, coating, developing method, and storage medium that apply a resist to a substrate and perform development.

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ(以下、ウエハという)の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。   In the photoresist process, which is one of the semiconductor manufacturing processes, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), the resist is exposed in a predetermined pattern, and then developed to form a resist pattern. . The coating / developing apparatus for forming the resist pattern is provided with a processing block including a processing module for performing various processes on the wafer.

処理ブロックは、例えば特許文献1に記載されるように、反射防止膜やレジスト膜などの各種の塗布膜を形成する塗布膜形成用の単位ブロック及び現像処理を行う現像処理用の単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。ウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールを受け渡されて処理を受ける。   As described in Patent Document 1, for example, the processing block includes a unit block for forming a coating film for forming various coating films such as an antireflection film and a resist film and a unit block for developing processing for performing development processing. It is configured by stacking. The wafers are sequentially processed by delivering processing modules provided in each unit block.

ウエハは上記の塗布膜の形成処理を受ける塗布膜のウエハへの密着性を高めるために疎水化処理される場合がある。ところで、これら疎水化処理を行う疎水化処理モジュールや塗布膜形成用の単位ブロックは、故障を起こしたときやメンテナンスを行うときにはウエハの搬送を停止しなければならない場合がある。しかし、上記のようにウエハは順番に処理モジュールを受け渡されるため、このように疎水化処理モジュールや塗布膜形成用の単位ブロックへの搬送を停止することは、塗布、現像装置全体でウエハの搬送を停止させることになってしまい、スループットが低下してしまうという問題がある。   The wafer may be subjected to a hydrophobic treatment in order to improve the adhesion of the coating film subjected to the coating film forming process to the wafer. By the way, the hydrophobic processing module for performing the hydrophobic processing and the unit block for forming the coating film may have to stop the wafer conveyance when a failure occurs or maintenance is performed. However, since the wafers are sequentially transferred to the processing modules as described above, stopping the transfer to the hydrophobic processing module or the unit block for forming the coating film in this way prevents the wafer from being transferred to the entire coating and developing apparatus. There is a problem that the conveyance is stopped and the throughput is lowered.

同種のモジュールを複数設けることでこのように搬送が停止されることを防ぐことも考えられるが、モジュールの数が増えることで搬送手段の動作が煩雑になり、十分にスループットの向上を図れないおそれがあるし、この搬送手段を制御するプログラムの作成も困難になってしまう。特許文献1には、塗布膜形成用の単位ブロックに搬入前のウエハを疎水化処理するモジュールを複数備えた塗布、現像装置について示されているが、このような問題を解決できるものではない。   Providing multiple modules of the same type may prevent the conveyance from being stopped in this way, but increasing the number of modules may complicate the operation of the conveyance means and may not sufficiently improve the throughput. In addition, it is difficult to create a program for controlling the conveying means. Patent Document 1 discloses a coating and developing apparatus provided with a plurality of modules for hydrophobizing a wafer before loading in a unit block for coating film formation. However, such a problem cannot be solved.

特開2007−115831JP2007-115831

本発明はこのような事情の下になされたものであり、疎水化処理モジュールまたは塗布膜形成用の単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに塗布、現像装置の稼働効率の低下を抑えることができ、基板の搬送手段の動作の複雑化を防ぐ技術を提供することにある。   The present invention has been made under such circumstances, and an abnormality occurs in the hydrophobic treatment module or the unit block for forming the coating film, and the operating efficiency of the coating and developing apparatus is reduced when maintenance is performed. An object of the present invention is to provide a technique that can suppress the complexity of the operation of the substrate transfer means.

本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記処理ブロックは、前記N重化した塗布用の単位ブロックに積層され、露光後の基板に現像液を供給して現像処理する現像モジュールを備えた現像用の単位ブロックを含み、
) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックが設けられ、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々基板を受け渡すための第1の昇降搬送機構と、前記現像用の単位ブロックに対して基板を受け渡すための第2の昇降搬送機構と、多数積層されて設けられた受け渡しモジュールと、を備え、
前記キャリアブロックと前記処理ブロックと前記昇降搬送ブロックとの配列方向を前後方向とすると、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構及び多数積層された受け渡しモジュールは左右方向に設けられると共に、多数積層された受け渡しモジュールは、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構との間に挟まれるように設けられ、
) 前記第1の昇降搬送機構及び第2の昇降搬送機構は、昇降する昇降基体と、前記昇降基体を鉛直軸回りに回転する回転基台と、第1の搬送アームと、第2の搬送アームと、を夫々備え、
) 前記第1の搬送アーム及び第2の搬送アームは、前記回転基台に対して互いに独立して進退し、
前記第1の搬送アームは基板の裏面を支持すると共に、その進退方向に直交する当該第1の搬送アームの幅は、前記基板の幅より狭く構成され、
前記第2の搬送アームは、基板の側周を囲む囲い部と、前記囲い部の内周縁に複数設けられ、基板の裏面を支持する爪部と、を備え、
) 前記多数積層されて設けられた受け渡しモジュールには、載置された基板を冷却するための冷却液の流路を備えたステージからなる第1の受け渡しモジュールと、前記冷却液の流路を備えていないステージからなる第2の受け渡しモジュールとが含まれ、
前記第2の受け渡しモジュールに対する基板の受け渡しには前記第1の搬送アームが使用され、
前記第1の受け渡しモジュールに対する基板の受け渡しには前記第2の搬送アームが使用されることを特徴とする。

In the coating and developing apparatus of the present invention, the substrate carried into the carrier block by the carrier is transferred to the processing block, and after the coating film including the resist film is formed in the processing block, the carrier block is defined with respect to the processing block. In the coating and developing apparatus, the substrate after the exposure is conveyed to the exposure apparatus through the interface block located on the opposite side, and returned to the carrier block after being developed through the processing block. ,
a) The processing block includes a liquid processing module that supplies a chemical solution for forming the coating film to the substrate, a heating module that heats the substrate after the chemical solution is applied, and the substrate between the modules. And a unit block transport mechanism that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block, and stacks unit blocks for coating on each other so that N (N is an integer of 2 or more) Including laminated laminates,
b) The N-layered coating unit blocks are configured such that the same coating film is formed on each other,
c) The processing block includes a developing unit block provided with a developing module that is stacked on the N-layered coating unit block and supplies a developing solution to the substrate after the exposure to perform development processing.
d ) A lifting / lowering transport block is provided between the carrier block and the processing block, and the lifting / lowering transport block is a first lifting / lowering for delivering a substrate to each of the N-layered application unit blocks. A transport mechanism, a second lifting / lowering transport mechanism for delivering the substrate to the unit block for development, and a delivery module provided in a stacked manner,
Assuming that the arrangement direction of the carrier block, the processing block, and the lifting / lowering transport block is a front-rear direction, the first lifting / lowering transport mechanism, the second lifting / lowering transport mechanism, and a plurality of stacked delivery modules are provided in the left-right direction. The multi-layered delivery modules are provided so as to be sandwiched between the first elevating and conveying mechanism and the second elevating and conveying mechanism.
e ) The first lifting / lowering transport mechanism and the second lifting / lowering mechanism include a lifting base that moves up and down, a rotating base that rotates the lifting base around a vertical axis, a first transport arm, and a second transport. Each with arm,
f ) The first transfer arm and the second transfer arm advance and retract independently from each other with respect to the rotation base,
The first transfer arm supports the back surface of the substrate, and the width of the first transfer arm perpendicular to the advancing and retreating direction is configured to be narrower than the width of the substrate.
The second transfer arm includes a surrounding portion that surrounds a side periphery of the substrate, and a plurality of claw portions that are provided on the inner peripheral edge of the surrounding portion and support the back surface of the substrate,
g ) The delivery module provided in a stacked manner includes a first delivery module comprising a stage having a coolant flow path for cooling the mounted substrate, and a flow path for the coolant. And a second delivery module consisting of a stage not provided ,
The first transfer arm is used for transferring the substrate to the second transfer module ,
The second transfer arm is used for transferring the substrate to the first transfer module .

前記塗布、現像装置の具体的態様は、例えば下記の通りである。
(1)前記塗布用の単位ブロックは、
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を備える。
(2)前記昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられると共に前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールを備え、
前記第1の昇降搬送機構は、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御され、
前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止すると共に、前記Nグループのうち使用可能な塗布用単位ブロックに対応付けられたグループが停止したときに、
使用可能なグループから対応付けられていない前記使用可能な塗布用の単位ブロックへ基板の搬送先を切り替えるように受け渡し機構が制御される。
(3)前記の周縁部に複数の切り欠きが設けられ、
前記第2の搬送アームは、当該冷却ステージに前記基板を受け渡すために、前記冷却ステージに対して昇降し、
前記切り欠きは当該昇降時に前記第2の搬送アームの複数の爪部を、通過させるために設けられることを特徴とする。
(4)塗布用の単位ブロックに搬送される前の基板を疎水化処理する疎水化処理モジュールが設けられ、
前記第1の昇降搬送機構に対して前記受け渡しモジュールが設けられる側を、前記左右方向における左側とすると、前記疎水化処理モジュールは、前記第1の昇降搬送機構の右側に設けられる。
Specific examples of the coating and developing apparatus are as follows, for example.
(1) The unit block for coating is
A liquid processing module for a lower layer that supplies a chemical solution for forming an antireflection film to a substrate to form an antireflection film on the lower layer side, and a liquid processing that forms a resist film by supplying a resist solution on the antireflection film For pre-stage processing comprising a module, a heating module for heating the substrate, and a transport mechanism for a unit block that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block in order to transport the substrate between these modules Unit block of
A liquid processing module for an upper layer that forms a film on the upper layer side by supplying a chemical liquid for film formation on the upper layer side to the substrate on which the resist film is formed and laminated on the unit block for the previous stage processing, and the substrate A unit block for subsequent processing, comprising a heating module for heating, and a transport mechanism for a unit block that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block in order to transport a substrate between these modules; Is provided.
(2) The lifting transport block is associated with each of the N-layered application unit blocks, and the hydrophobicity of N groups for subjecting the substrate before forming the coating film to hydrophobic treatment Module,
The first elevating / conveying mechanism is controlled to deliver a substrate from the N group hydrophobizing module to a corresponding application unit block,
When one of the N overlapping application unit blocks is stopped and a group associated with an available application unit block among the N groups is stopped,
The delivery mechanism is controlled to switch the substrate transport destination from the usable group to the usable application unit block that is not associated.
(3) A plurality of notches are provided in the peripheral edge,
The second transfer arm is moved up and down with respect to the cooling stage to deliver the substrate to the cooling stage;
The notch is provided to allow the plurality of claw portions of the second transfer arm to pass when the elevator is moved up and down.
(4) A hydrophobic treatment module for hydrophobizing the substrate before being transported to the coating unit block is provided,
If the side on which the delivery module is provided with respect to the first lifting / lowering transport mechanism is the left side in the left-right direction, the hydrophobic treatment module is provided on the right side of the first lifting / lowering transport mechanism.

本発明の塗布、現像方法は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記処理ブロックは、前記N重化した塗布用の単位ブロックに積層され、露光後の基板に現像液を供給して現像処理する現像モジュールを備えた現像用の単位ブロックを含み、
) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックが設けられ、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々基板を受け渡すための第1の昇降搬送機構と、前記現像用の単位ブロックに対して基板を受け渡すための第2の昇降搬送機構と、多数積層されて設けられた受け渡しモジュールと、を備え、
前記キャリアブロックと前記処理ブロックと前記昇降搬送ブロックとの配列方向を前後方向とすると、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構及び多数の受け渡しモジュールは左右方向に設けられると共に、多数の受け渡しモジュールは、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構との間に挟まれるように設けられ、
) 前記第1の昇降搬送機構及び第2の昇降搬送機構は、昇降する昇降基体と、前記昇降基体を鉛直軸回りに回転する回転基台と、第1の搬送アームと、第2の搬送アームと、を夫々備え、
) 前記第1の搬送アーム及び第2の搬送アームは、前記回転基台に対して互いに独立して進退し、
前記第1の搬送アームは基板の裏面を支持すると共に、その進退方向に直交する当該第1の搬送アームの幅は、前記基板の幅より狭く構成され、
前記第2の搬送アームは、基板の側周を囲む囲い部と、前記囲い部の内周縁に複数設けられ、基板の裏面を支持する爪部と、を備え、
) 前記多数積層されて設けられた受け渡しモジュールには、載置された基板を冷却するための冷却液の流路を備えたステージからなる第1の受け渡しモジュールと、前記冷却液の流路を備えていないステージからなる第2の受け渡しモジュールとが含まれる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
前記第1の搬送アームを用いて、前記基板を前記第2の受け渡しモジュールに受け渡す工程と、
前記第2の搬送アームを用いて、前記基板を前記第1の受け渡しモジュールに受け渡す工程と、
を備えることを特徴とする
In the coating and developing method of the present invention, a substrate carried into a carrier block by a carrier is transferred to a processing block, and after a coating film including a resist film is formed in this processing block, the carrier block is referred to the processing block. In the coating and developing apparatus, the substrate after the exposure is conveyed to the exposure apparatus through the interface block located on the opposite side, and returned to the carrier block after being developed through the processing block. ,
a) The processing block includes a liquid processing module that supplies a chemical solution for forming the coating film to the substrate, a heating module that heats the substrate after the chemical solution is applied, and the substrate between the modules. And a unit block transport mechanism that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block, and stacks unit blocks for coating on each other so that N (N is an integer of 2 or more) Including laminated laminates,
b) The N-layered coating unit blocks are configured such that the same coating film is formed on each other,
c) The processing block includes a developing unit block provided with a developing module that is stacked on the N-layered coating unit block and supplies a developing solution to the substrate after the exposure to perform development processing.
d ) A lifting / lowering transport block is provided between the carrier block and the processing block, and the lifting / lowering transport block is a first lifting / lowering for delivering a substrate to each of the N-layered application unit blocks. A transport mechanism, a second lifting / lowering transport mechanism for delivering the substrate to the unit block for development, and a delivery module provided in a stacked manner,
Assuming that the arrangement direction of the carrier block, the processing block, and the lifting / lowering transport block is the front-rear direction, the first lifting / lowering transport mechanism, the second lifting / lowering transport mechanism, and a number of delivery modules are provided in the left-right direction. The delivery module is provided so as to be sandwiched between the first lifting and lowering transport mechanism and the second lifting and lowering transport mechanism,
e ) The first lifting / lowering transport mechanism and the second lifting / lowering mechanism include a lifting base that moves up and down, a rotating base that rotates the lifting base around a vertical axis, a first transport arm, and a second transport. Each with arm,
f ) The first transfer arm and the second transfer arm advance and retract independently from each other with respect to the rotation base,
The first transfer arm supports the back surface of the substrate, and the width of the first transfer arm perpendicular to the advancing and retreating direction is configured to be narrower than the width of the substrate.
The second transfer arm includes a surrounding portion that surrounds a side periphery of the substrate, and a plurality of claw portions that are provided on the inner peripheral edge of the surrounding portion and support the back surface of the substrate,
g ) The delivery module provided in a stacked manner includes a first delivery module comprising a stage having a coolant flow path for cooling the mounted substrate, and a flow path for the coolant. In a coating and developing method using a developing device including a second delivery module composed of a stage not provided ,
Transferring the substrate to the second transfer module using the first transfer arm;
Using the second transfer arm to transfer the substrate to the first transfer module ;
It is characterized by providing .

本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
The storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a coating and developing apparatus,
The computer program is for carrying out the coating and developing methods described above.

本発明によれば、互いに同数の疎水化処理モジュールからなるN個のグループとN重化された塗布用の単位ブロックとが設けられ、各疎水化処理モジュールのグループから対応する塗布用の単位ブロックに基板を搬送する。このように基板の搬送経路が複数設けられているため、疎水化処理モジュールのグループまたは塗布用の単位ブロックが使用不可になっても、他のグループまたは単位ブロックを含む経路を用いて基板の搬送を継続できる。従って、装置の稼働効率の低下を抑えることができる。また、前記グループ毎に搬送先の単位ブロックが設定されているため、前記各単位ブロックに基板の搬送を行う受け渡し機構の動作が煩雑化することが抑えられるのでスループットの向上を図ることができるし、当該受け渡し機構の動作を制御するプログラムの作成も容易となる。   According to the present invention, N groups each including the same number of hydrophobic treatment modules and N overlapping application unit blocks are provided, and the corresponding application unit blocks from the respective groups of hydrophobic treatment modules are provided. Transport the substrate to Since a plurality of substrate transfer paths are provided in this way, even when a group of hydrophobic treatment modules or a unit block for coating becomes unusable, a substrate is transferred using a path including another group or unit block. Can continue. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the operating efficiency of the apparatus. In addition, since the unit block of the transfer destination is set for each group, it is possible to improve the throughput because the operation of the transfer mechanism that transfers the substrate to each unit block can be suppressed. It is also easy to create a program for controlling the operation of the delivery mechanism.

本発明の塗布、現像装置の搬送経路の概略を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the outline of the conveyance path | route of the application | coating and developing apparatus of this invention. 本発明の塗布、現像装置の搬送経路の概略を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the outline of the conveyance path | route of the application | coating and developing apparatus of this invention. 本発明の塗布、現像装置の搬送経路の概略を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the outline of the conveyance path | route of the application | coating and developing apparatus of this invention. 本発明に係る塗布、現像装置の平面図である。1 is a plan view of a coating and developing apparatus according to the present invention. 前記塗布、現像装置の斜視図である。It is a perspective view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。It is a vertical side view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の処理ブロックの縦断側面図である。It is a vertical side view of the processing block of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の昇降搬送ブロックの縦断背面図である。It is a vertical back view of the raising / lowering conveyance block of the said application | coating and developing apparatus. 前記昇降搬送ブロックに設けられる搬送機構の斜視図である。It is a perspective view of the conveyance mechanism provided in the said raising / lowering conveyance block. 前記昇降搬送ブロックに設けられる受け渡しモジュールの斜視図である。It is a perspective view of the delivery module provided in the said raising / lowering conveyance block. 前記昇降搬送ブロックに設けられる他の受け渡しモジュールの斜視図である。It is a perspective view of the other delivery module provided in the said raising / lowering conveyance block. 前記昇降搬送ブロックに設けられるさらに他の受け渡しモジュールの斜視図である。It is a perspective view of the other delivery module provided in the said raising / lowering conveyance block. 前記昇降搬送ブロックに設けられる疎水化処理モジュールの斜視図である。It is a perspective view of the hydrophobic treatment module provided in the said raising / lowering conveyance block. 本発明の塗布、現像装置の搬送経路の概略を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the outline of the conveyance path | route of the application | coating and developing apparatus of this invention. 他の処理ブロックの概略構成図である。It is a schematic block diagram of another process block.

(第1の実施形態)
本発明に係る塗布、現像装置1の構成を詳細に説明する前に、この装置1の構成の概略と基板であるウエハWの搬送経路の概略とを図1〜図3を用いて説明する。図中S1は複数枚の基板であるウエハWが格納されたキャリアCが搬送されるキャリアブロックである。図中S2は昇降搬送ブロックであり、第1の疎水化処理モジュール群10A及び第2の疎水化処理モジュール群10Bを備えている。疎水化処理モジュール群10Aは4基の疎水化処理モジュールADH1〜ADH4からなり、疎水化処理モジュール群10Bは4基の疎水化処理モジュールADH5〜ADH8からなる。各疎水化処理モジュールADHにウエハWが順次搬送され、当該疎水化処理モジュールADHで並行してウエハWに疎水化処理が行われる。
(First embodiment)
Before describing the configuration of the coating and developing apparatus 1 according to the present invention in detail, an outline of the configuration of the apparatus 1 and an outline of a transfer path of a wafer W that is a substrate will be described with reference to FIGS. In the figure, S1 is a carrier block on which a carrier C storing a plurality of wafers W is transferred. In the figure, S2 is an elevating and conveying block, and includes a first hydrophobic treatment module group 10A and a second hydrophobic treatment module group 10B. The hydrophobic treatment module group 10A includes four hydrophobic treatment modules ADH1 to ADH4, and the hydrophobic treatment module group 10B includes four hydrophobic treatment modules ADH5 to ADH8. The wafers W are sequentially transferred to the respective hydrophobic processing modules ADH, and the hydrophobic processing is performed on the wafers W in parallel with the hydrophobic processing modules ADH.

図中S3は処理ブロックであり、ウエハWに各々反射防止膜形成処理及びレジスト膜の形成処理を行う第1の単位ブロックB1、第2の単位ブロックB2を備えている。また、処理ブロックS3には、レジスト膜形成後、露光処理されたウエハWを現像する現像処理用の単位ブロックが設けられている。これらの単位ブロックは互いに積層されている。   In the drawing, S3 is a processing block, and includes a first unit block B1 and a second unit block B2 for performing an antireflection film forming process and a resist film forming process on the wafer W, respectively. The processing block S3 is provided with a unit block for development processing for developing the wafer W subjected to the exposure processing after the resist film is formed. These unit blocks are stacked on each other.

図1は各単位ブロック及び各疎水化処理モジュールが使用可能な通常時におけるウエハWの搬送を示している。キャリアCから払い出されたウエハWは、疎水化処理モジュール群10A、10Bに振り分けられ、各疎水化処理モジュール群を構成する疎水化処理モジュールADHで処理を受ける。そして第1の疎水化処理モジュール群10Aの疎水化処理モジュールADHで処理されたウエハWは、第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受け、第2の疎水化処理モジュール群10Bの疎水化処理モジュールADHで処理されたウエハWは、第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。   FIG. 1 shows the transfer of the wafer W in a normal state where each unit block and each hydrophobic treatment module can be used. The wafers W discharged from the carrier C are distributed to the hydrophobic processing module groups 10A and 10B, and are processed by the hydrophobic processing modules ADH constituting the respective hydrophobic processing module groups. The wafer W processed by the hydrophobizing module ADH of the first hydrophobizing module group 10A is transferred to the first unit block B1 for processing, and the second hydrophobizing module group 10B is hydrophobized. The wafer W processed by the processing module ADH is transferred to the second unit block B2 and processed.

これら第1の単位ブロックB1及び第2の単位ブロックB2で処理されたウエハWは露光後、現像処理用の単位ブロックで処理され、キャリアCに戻される。このように第1の疎水化処理モジュール群10A及び第1の単位ブロックB1を含む経路と、第2の疎水化処理モジュール群10B及び第2の単位ブロックB2を含む経路とにウエハWが振り分けられ、これらの各経路で互いに並行してウエハWが処理される。   The wafers W processed in the first unit block B1 and the second unit block B2 are exposed, processed in a unit block for development processing, and returned to the carrier C. As described above, the wafer W is allocated to the path including the first hydrophobic processing module group 10A and the first unit block B1 and the path including the second hydrophobic processing module group 10B and the second unit block B2. The wafers W are processed in parallel with each other through these paths.

図2は、メンテナンスや例えば後述の搬送アームの故障により第1の単位ブロックB1において、ウエハWの処理ができなくなったときのウエハWの搬送経路を示している。このように第1の単位ブロックB1が使用不可になった場合、ケース1として第1の疎水化処理モジュール群10Aから第1の単位ブロックB1への搬送が停止し、キャリアCから第1の疎水化処理モジュール群10Aへの搬送も停止する。その一方でキャリアC→第2の疎水化処理モジュール群10B→第2の単位ブロックB2→現像処理用の単位ブロック→キャリアC(第2の経路とする)の搬送は継続され、後続のウエハWはこの第2の経路で搬送されて処理を受ける。従って、ケース1では図2中に実線の矢印で示すようにウエハWが搬送される。 FIG. 2 shows the transfer path of the wafer W when the wafer W cannot be processed in the first unit block B1 due to maintenance or a transfer arm failure described later. As described above, when the first unit block B1 becomes unusable, as the case 1, the transport from the first hydrophobic processing module group 10A to the first unit block B1 is stopped, and the first hydrophobic block from the carrier C is stopped. Conveyance to the process module group 10A is also stopped. On the other hand, the carrier C → second hydrophobization processing module group 10B → second unit block B2 → development processing unit block → carrier C (second path) continues to be transferred, and the subsequent wafer W Are transported through this second route and processed. Accordingly, in case 1, the wafer W is transferred as shown by the solid arrow in FIG.

また、例えばユーザはケース1の搬送に代えてケース2の搬送も選択できる。このケース2では、ケース1と同様に第1の疎水化処理モジュール群10Aから第1の単位ブロックB1への搬送が停止するが、キャリアCからは通常時と同様に疎水化処理モジュール群10A、10BにウエハWが搬送される。疎水化処理モジュール群10A、10Bで処理後のウエハWは、第2の単位ブロックB2へ搬入され、その後はケース1と同様に搬送される。従って、ケース2では図2中に実線の矢印及び点線の矢印で示すようにウエハWが搬送される。   In addition, for example, the user can select conveyance of case 2 instead of conveyance of case 1. In this case 2, the transfer from the first hydrophobizing module group 10A to the first unit block B1 is stopped as in the case 1, but from the carrier C, the hydrophobizing module group 10A, The wafer W is transferred to 10B. The wafers W processed by the hydrophobic processing module groups 10A and 10B are loaded into the second unit block B2, and thereafter transferred in the same manner as the case 1. Therefore, in the case 2, the wafer W is transferred as shown by solid line arrows and dotted line arrows in FIG.

逆に、第2の単位ブロックB2においてメンテナンスや例えば後述の搬送アームの故障ウエハWの処理ができなくなったときには、ケース3の搬送経路でウエハWが搬送される。このケース3では第2の疎水化処理モジュール群10Bから第2の単位ブロックB2への搬送が停止し、キャリアCから第2の疎水化処理モジュール群10Bへの搬送も停止する。その一方で、キャリアC→第1の疎水化処理モジュール群10A→第1の単位ブロックB1→現像処理用の単位ブロック→キャリアC(第1の経路とする)の搬送は継続され、後続のウエハWはこの第1の経路で搬送されて処理を受ける。   On the contrary, when maintenance or processing of a failed wafer W in a transfer arm, which will be described later, becomes impossible in the second unit block B2, the wafer W is transferred along the transfer path of the case 3. In this case 3, the transport from the second hydrophobic treatment module group 10B to the second unit block B2 is stopped, and the transport from the carrier C to the second hydrophobic treatment module group 10B is also stopped. On the other hand, the carrier C → first hydrophobizing module group 10A → first unit block B1 → development processing unit block → carrier C (which is the first path) is continued to be transferred to the subsequent wafer. W is transported along this first path and undergoes processing.

また、例えばユーザはケース3の搬送に代えてケース4の搬送も選択できる。このケース4では、ケース3と同様に第2の疎水化処理モジュール群10Bから第2の単位ブロックB2への搬送が停止するが、キャリアCからは通常時と同様に疎水化処理モジュール群10A、10BにウエハWが搬送される。疎水化処理モジュール群10A、10Bで処理後のウエハWは、第1の単位ブロックB1へ搬入され、その後はケース3と同様に搬送される。 Further, for example, the user can also select conveyance of the case 4 instead of conveyance of the case 3. In this case 4, the transfer from the second hydrophobic treatment module group 10B to the second unit block B2 is stopped as in the case 3, but from the carrier C, the hydrophobic treatment module group 10A, The wafer W is transferred to 10B. The wafers W processed by the hydrophobic processing module groups 10A and 10B are loaded into the first unit block B1, and thereafter transferred in the same manner as the case 3.

図3は、第1の疎水化処理モジュール群10Aを構成するすべての疎水化処理モジュールADHにおいて、処理が行えなくなったときのウエハWの搬送経路を示している。この場合、キャリアCから第1の疎水化処理モジュール群10Aへの搬送が停止し、この停止によって第1の単位ブロックB1へのウエハWの搬送も停止する。その一方で前記第2の経路の搬送は継続される。   FIG. 3 shows a transfer path of the wafer W when processing cannot be performed in all the hydrophobic processing modules ADH constituting the first hydrophobic processing module group 10A. In this case, the transfer from the carrier C to the first hydrophobizing module group 10A is stopped, and the transfer of the wafer W to the first unit block B1 is also stopped by this stop. On the other hand, the conveyance of the second route is continued.

逆に、第2の疎水化処理モジュール群10Bを構成するすべての疎水化処理モジュールADHにおいて処理が行えなくなったときには、キャリアCから第2の疎水化処理モジュール群10Bへの搬送が停止し、この搬送停止によって第2の単位ブロックB2へのウエハWの搬送も停止する。その一方で前記第1の経路の搬送は継続される。   On the contrary, when the processing cannot be performed in all the hydrophobic processing modules ADH constituting the second hydrophobic processing module group 10B, the transport from the carrier C to the second hydrophobic processing module group 10B is stopped. By stopping the transfer, the transfer of the wafer W to the second unit block B2 is also stopped. On the other hand, the conveyance of the first route is continued.

続いて塗布、現像装置1の構成の詳細を説明する。図4は、塗布、現像装置1の平面図、図5は同概略斜視図、図6は同概略側面図である。この塗布、現像装置1は、前記キャリアブロックS1と、前記昇降搬送ブロックS2と、前記処理ブロックS3と、インターフェイスブロックS4と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックS4には、さらに液浸露光を行う露光装置S5が接続されている。   Next, details of the configuration of the coating and developing apparatus 1 will be described. 4 is a plan view of the coating and developing apparatus 1, FIG. 5 is a schematic perspective view thereof, and FIG. 6 is a schematic side view thereof. The coating and developing apparatus 1 is configured by linearly connecting the carrier block S1, the elevating and conveying block S2, the processing block S3, and the interface block S4. An exposure apparatus S5 for performing immersion exposure is further connected to the interface block S4.

キャリアブロックS1について説明すると、図中11はキャリアCの載置台であり、12は側壁に設けられた開閉部である。図中13は受け渡しアームであり、前記開閉部12を介して昇降搬送ブロックS2との間でウエハWを受け渡す。図中14は、載置台11上に設けられた棚14であり、キャリア搬送機構15により載置台11と棚14との間でキャリアCが受け渡される。載置台11に置かれてウエハWを払い出したキャリアCは、ウエハWが戻るまで棚14で待機する。これによって、前記キャリアCによる載置台11の占有を防ぎ、複数のキャリアCのウエハWを続けて塗布、現像装置1に搬入することができる。   The carrier block S1 will be described. In the figure, 11 is a mounting table for the carrier C, and 12 is an opening / closing part provided on the side wall. In the figure, reference numeral 13 denotes a transfer arm, which transfers the wafer W to and from the lifting / lowering transport block S2 through the opening / closing part 12. In the figure, reference numeral 14 denotes a shelf 14 provided on the mounting table 11, and the carrier C is transferred between the mounting table 11 and the shelf 14 by the carrier transport mechanism 15. The carrier C that is placed on the mounting table 11 and delivers the wafer W waits on the shelf 14 until the wafer W returns. This prevents the carrier C from occupying the mounting table 11 and allows the wafers W of a plurality of carriers C to be successively carried into the coating and developing apparatus 1.

昇降搬送ブロックS2は、キャリアブロックS1と処理ブロックS3との間でウエハWを受け渡す。この昇降搬送ブロックS2については後述することにし、先に図7の縦断側面図も参照しながら処理ブロックS3の構成を説明すると、処理ブロックS3は互いに仕切られた第1の単位ブロックB1〜第6の単位ブロックB6が上下に積層されている。各単位ブロックはウエハWに液処理を行う液処理モジュールと、ウエハWを加熱する加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段である搬送アームAと、前記搬送アームAが移動する搬送領域R1と、を備えている。各単位ブロックBでは、搬送アームAにより互いに独立してウエハWが搬送されて、当該ウエハWに処理が行われる。なお、各単位ブロックB1〜B6の搬送アームは、A1〜A6として図6に示している。   The lifting / lowering transport block S2 delivers the wafer W between the carrier block S1 and the processing block S3. The lifting and conveying block S2 will be described later, and the configuration of the processing block S3 will be described with reference to the longitudinal side view of FIG. 7. First, the processing block S3 is divided into first unit blocks B1 to B6. Unit blocks B6 are stacked one above the other. Each unit block includes a liquid processing module that performs liquid processing on the wafer W, a heating module that heats the wafer W, a transfer arm A that is a transfer unit for the unit block, a transfer region R1 in which the transfer arm A moves, It has. In each unit block B, the wafer W is transferred independently from each other by the transfer arm A, and the wafer W is processed. In addition, the conveyance arm of each unit block B1-B6 is shown in FIG. 6 as A1-A6.

これらの単位ブロックB1〜B6は、そのうちの2つが互いに同様に構成されており、第1の単位ブロックB1及び第2の単位ブロックB2は、既述のように反射防止膜の形成処理とレジスト膜の形成処理とを行う。第3の単位ブロックB3及び第4の単位ブロックB4は、レジスト膜の上層に液浸露光用の保護膜の形成処理とウエハWの裏面の洗浄処理とを行う。第5の単位ブロックB5及び第6の単位ブロックB6は、既述の現像処理用の単位ブロックに相当する。   Two of these unit blocks B1 to B6 are configured in the same manner, and the first unit block B1 and the second unit block B2 are formed of an antireflection film and a resist film as described above. The forming process is performed. The third unit block B3 and the fourth unit block B4 perform a process for forming a protective film for immersion exposure and a process for cleaning the back surface of the wafer W on the resist film. The fifth unit block B5 and the sixth unit block B6 correspond to the above-described development processing unit blocks.

各単位ブロックB1〜B6では、前記液処理モジュールと、加熱モジュールと、搬送領域R1とが同様のレイアウトで配置されており、以下代表して図4に示した第1の単位ブロックB1について説明する。第1の単位ブロックB1には、図1中X方向(ブロックS1〜S4の配列方向)に前記搬送領域R1が形成されている。この搬送領域R1を左右方向(図1中Y方向)から挟むように液処理ユニット20と、棚ユニットU1〜U6とが夫々配置されている。   In each of the unit blocks B1 to B6, the liquid processing module, the heating module, and the transfer region R1 are arranged in the same layout, and the first unit block B1 shown in FIG. . In the first unit block B1, the transport region R1 is formed in the X direction (the arrangement direction of the blocks S1 to S4) in FIG. The liquid processing unit 20 and the shelf units U1 to U6 are arranged so as to sandwich the transport region R1 from the left and right direction (Y direction in FIG. 1).

液処理ユニット20には、液処理モジュールである反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト膜形成モジュールCOTが搬送領域R1に沿って設けられている。反射防止膜形成モジュールBCTは、ウエハWがその内部に搬送される2つのカップ21と、各カップ21内でウエハWの裏面を保持すると共にウエハWを鉛直軸回りに回転させるスピンチャック22と、2つのカップ21間を移動すると共にこれらカップ21で共用の薬液供給ノズル23とを備えている。前記薬液供給ノズル23からウエハWに供給された薬液は、スピンコーティングによりウエハWに塗布される。レジスト膜形成モジュールCOTは、前記薬液がレジストである他は反射防止膜形成モジュールBCTと同様に構成されている。   In the liquid processing unit 20, an antireflection film forming module BCT and a resist film forming module COT, which are liquid processing modules, are provided along the transport region R1. The antireflection film forming module BCT includes two cups 21 in which wafers W are transferred, spin chucks 22 that hold the back surfaces of the wafers W in the cups 21 and rotate the wafers W about the vertical axis, The cup 21 is provided with a chemical solution supply nozzle 23 that moves between the two cups 21 and is shared by these cups 21. The chemical liquid supplied to the wafer W from the chemical liquid supply nozzle 23 is applied to the wafer W by spin coating. The resist film forming module COT is configured in the same manner as the antireflection film forming module BCT except that the chemical solution is a resist.

前記搬送領域R1に設けられる搬送アームA1について説明する。この搬送アームA1は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ搬送領域R1の長さ方向に移動自在に構成されており、第1の単位ブロックB1の全てのモジュール間でウエハWの受け渡しを行うことができる。図中24はウエハWの外周を囲むフォーク部であり、ウエハWの裏面を支持する爪部25を備えている。   The transfer arm A1 provided in the transfer region R1 will be described. The transfer arm A1 is configured to be movable back and forth, freely movable up and down, rotatable about the vertical axis, and movable in the length direction of the transfer region R1, and the wafer W between all the modules of the first unit block B1. Can be delivered. In the figure, reference numeral 24 denotes a fork portion that surrounds the outer periphery of the wafer W, and includes a claw portion 25 that supports the back surface of the wafer W.

棚ユニットU1〜U6は搬送領域R1の長さ方向に沿って配列され、各棚ユニットU1〜U5は、ウエハWの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば2段に積層されて構成されている。棚ユニットU6は、互いに積層された2基の周縁露光モジュールにより構成される。   The shelf units U <b> 1 to U <b> 6 are arranged along the length direction of the transfer region R <b> 1, and each shelf unit U <b> 1 to U <b> 5 is configured by stacking, for example, two heating modules that perform the heat treatment of the wafer W. The shelf unit U6 is composed of two peripheral edge exposure modules stacked on each other.

他の単位ブロックBについて第1の単位ブロックB1との差異点を説明する。第2の単位ブロックB2は、既述のように第1の単位ブロックB1と同様の構成である。単位ブロックB3〜B6は、液処理ユニット20を構成する液処理モジュールが異なること及び周縁露光モジュールの代わりに加熱モジュールが設けられることを除き、単位ブロックB1、B2と同様に構成される。単位ブロックB3、B4は、反射防止膜形成モジュールBCT、レジスト膜形成モジュールCOTの代わりに保護膜形成モジュールTCT、裏面洗浄モジュールBSTを夫々備えている。単位ブロックB5、B6は、反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト膜形成モジュールCOTの代わりに現像モジュールDEVを備えている。また、単位ブロックB3〜B6の棚ユニットU6は周縁露光モジュールの代わりに加熱モジュールが設けられる。   Differences of the other unit block B from the first unit block B1 will be described. The second unit block B2 has the same configuration as the first unit block B1 as described above. The unit blocks B3 to B6 are configured in the same manner as the unit blocks B1 and B2 except that the liquid processing modules constituting the liquid processing unit 20 are different and a heating module is provided instead of the peripheral exposure module. The unit blocks B3 and B4 respectively include a protective film forming module TCT and a back surface cleaning module BST instead of the antireflection film forming module BCT and the resist film forming module COT. The unit blocks B5 and B6 include a developing module DEV instead of the antireflection film forming module BCT and the resist film forming module COT. Further, the shelf unit U6 of the unit blocks B3 to B6 is provided with a heating module instead of the edge exposure module.

前記保護膜形成モジュールTCT、現像モジュールDEVは、反射防止膜形成用の薬液の代わりに保護膜形成用の薬液、現像液を夫々ウエハWに供給することを除いて反射防止膜形成用モジュールBCTと同様に構成されている。裏面洗浄モジュールBSTは、薬液供給ノズル23が設けられる代わりに、カップ21内でウエハWの裏面を洗浄するためのブラシ26が設けられることを除いて反射防止膜形成用モジュールBCTと同様に構成されている。   The protective film forming module TCT and the developing module DEV are different from the antireflection film forming module BCT except that the chemical liquid for forming the protective film and the developing solution are supplied to the wafer W instead of the chemical liquid for forming the antireflection film, respectively. It is constituted similarly. The back surface cleaning module BST is configured in the same manner as the antireflection film forming module BCT except that a brush 26 for cleaning the back surface of the wafer W is provided in the cup 21 instead of providing the chemical solution supply nozzle 23. ing.

続いて昇降搬送ブロックS2について、その縦断背面図である図8も参照しながら説明する。昇降搬送ブロックS2の前記Y方向の中央部には棚ユニットU7が設けられており、棚ユニットU7は、ウエハWをキャリアブロックS1と処理ブロックS2との間及び処理ブロックS2における各単位ブロック間で受け渡すために、ウエハWが一旦載置される受け渡しモジュールが多数積層されて設けられている。以降の説明において、ウエハWを載置するステージに、ウエハWを冷却するための冷却水の流路を備える受け渡しモジュールをCPLとして示し、前記流路が設けられず、雰囲気の温度によりウエハWを温調する受け渡しモジュールをTRSとして示す。各受け渡しモジュールの構成については後述する。   Next, the lifting and conveying block S2 will be described with reference to FIG. 8 which is a longitudinal rear view thereof. A shelf unit U7 is provided at the center in the Y direction of the elevating / conveying block S2. The shelf unit U7 moves the wafer W between the carrier block S1 and the processing block S2 and between each unit block in the processing block S2. In order to deliver, a large number of delivery modules on which the wafer W is once mounted are stacked. In the following description, a delivery module having a flow path of cooling water for cooling the wafer W is shown as CPL on the stage on which the wafer W is placed. The flow path is not provided, and the wafer W is moved according to the temperature of the atmosphere. The delivery module that regulates the temperature is shown as TRS. The configuration of each delivery module will be described later.

各受け渡しモジュールと単位ブロックBとの位置関係を説明すると、第1の単位ブロックB1の高さ位置に、受け渡しモジュールTRS11、CPL11、CPL12が設けられている。第2の単位ブロックB2の高さ位置に、受け渡しモジュールTRS12、CPL13、CPL14が設けられている。第3の単位ブロックB3、第4の単位ブロックB4の高さ位置には、受け渡しモジュールCPL15及びCPL16、CPL17及びCPL18が夫々設けられている。第5の単位ブロックB5、第6の単位ブロックB6の高さ位置には、受け渡しモジュールCPL19及びCPL20、CPL21及びCPL22が夫々設けられている。また、キャリアブロックS1の受け渡しアーム13がアクセスできる高さ位置に受け渡しモジュールTRS13、TRS14が設けられている。   Explaining the positional relationship between each delivery module and the unit block B, delivery modules TRS11, CPL11, and CPL12 are provided at the height position of the first unit block B1. Delivery modules TRS12, CPL13, and CPL14 are provided at the height position of the second unit block B2. Delivery modules CPL15 and CPL16, CPL17 and CPL18 are provided at the height positions of the third unit block B3 and the fourth unit block B4, respectively. Delivery modules CPL19 and CPL20, CPL21 and CPL22 are provided at height positions of the fifth unit block B5 and the sixth unit block B6, respectively. In addition, delivery modules TRS13 and TRS14 are provided at a height that can be accessed by the delivery arm 13 of the carrier block S1.

また、棚ユニットU7にはバッファモジュール31、32と、検査モジュール34とが設けられている。バッファモジュール31、32は多数のウエハWを滞留させることができるように構成されている。バッファモジュール31は、反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト塗布モジュールCOTの処理速度に応じてウエハWを払い出すことにより、第1の単位ブロックB1、B2におけるウエハWの滞留を抑える役割を有する。また、バッファモジュール32は、キャリアCが前記棚14から載置台11に戻されるタイミングに合わせてウエハWをキャリアブロックS1に払い出せるように、ウエハWの払い出しのタイミングを調整する役割を有する。検査モジュール34は、現像処理後のウエハWについてパーティクルの有無やパターンの線幅の異常の有無など、ウエハWの表面状態について様々な検査を行う。   The shelf unit U7 is provided with buffer modules 31 and 32 and an inspection module 34. The buffer modules 31 and 32 are configured so that a large number of wafers W can be retained. The buffer module 31 has a role of suppressing the stay of the wafer W in the first unit blocks B1 and B2 by paying out the wafer W according to the processing speed of the antireflection film forming module BCT and the resist coating module COT. In addition, the buffer module 32 has a role of adjusting the timing of dispensing the wafer W so that the wafer W can be dispensed to the carrier block S1 in accordance with the timing when the carrier C is returned from the shelf 14 to the mounting table 11. The inspection module 34 performs various inspections on the surface state of the wafer W, such as the presence / absence of particles and the presence / absence of abnormality in the line width of the pattern, on the wafer W after the development processing.

また、棚ユニットU7をY方向から挟むように、当該棚ユニットU7のモジュール間でウエハWを受け渡す第1の昇降搬送機構41、第2の昇降搬送機構42が設けられている。これら昇降搬送機構41、42は、設けられる高さ位置を除いて同様に構成されており、ガイド43と、ガイド43に沿って昇降する昇降基体44と、昇降基体44を鉛直軸回りに回転する回転基台45と、回転基台45上を独立して進退する第1のアーム46及び第2のアーム47とを備えている。図9は、これら第1のアーム46及び第2のアーム47の斜視図であり、第1のアーム46は狭幅且つ平板な二股のフォーク状に形成されている。第2のアーム47は、ウエハWの側周を囲む二股のフォーク48とフォーク48に設けられ、ウエハWの裏面を支持する爪部49とを備えている。第1のアーム46、第2のアーム47は、これらのアームがアクセスする受け渡しモジュールの構成の違いに対応して、このように互いに異なる形状を有している。   Further, a first elevating / conveying mechanism 41 and a second elevating / conveying mechanism 42 that deliver wafers W between modules of the shelf unit U7 are provided so as to sandwich the shelf unit U7 from the Y direction. These lifting and lowering transport mechanisms 41 and 42 are configured in the same manner except for the height position where they are provided, and rotate the guide 43, the lifting base 44 that moves up and down along the guide 43, and the lifting base 44 around a vertical axis. The rotary base 45 is provided with a first arm 46 and a second arm 47 that advance and retract independently on the rotary base 45. FIG. 9 is a perspective view of the first arm 46 and the second arm 47, and the first arm 46 is formed in a narrow and flat bifurcated fork shape. The second arm 47 includes a bifurcated fork 48 that surrounds the side periphery of the wafer W, and a claw portion 49 that supports the back surface of the wafer W. The first arm 46 and the second arm 47 have different shapes as described above, corresponding to the difference in the configuration of the delivery module accessed by these arms.

ここで、既述の第1の単位ブロックB1の高さ位置にある受け渡しモジュールCPL11の構成を、図10を用いて説明する。受け渡しモジュールCPL11は互いに積層された複数枚の概ね円形なプレート51を備え、各プレート51にウエハWが載置される。この受け渡しモジュールCPL11には、第1の単位ブロックB1の搬送アームA1が図中のX方向から、昇降搬送ブロックS2の第1の昇降搬送機構41の第2のアーム47が図中のY方向から夫々アクセスする。   Here, the configuration of the delivery module CPL11 at the height position of the above-described first unit block B1 will be described with reference to FIG. The delivery module CPL11 includes a plurality of generally circular plates 51 stacked on each other, and a wafer W is placed on each plate 51. In the delivery module CPL11, the transport arm A1 of the first unit block B1 is from the X direction in the figure, and the second arm 47 of the first lift transport mechanism 41 of the lift transport block S2 is from the Y direction in the figure. Access each one.

プレート51の周縁には、多数の切り欠き52が設けられている。各アームA1、47は、プレート51に対して昇降するときに、前記各アームの爪部25、49がこの切り欠き52を通過する。それによって各アームA1、47とプレート51との間でウエハWが受け渡される。この例では、受け渡しモジュールCPL12〜CPL22、TRS11、TRS12及びインターフェイスブロックS3に設けられる各受け渡しモジュールも受け渡しモジュールCPL11と同様にプレート51を備えている。また、バッファモジュール31は多数のプレート51が積層されて構成され、多数のウエハWを滞留させることができる。   A number of notches 52 are provided on the periphery of the plate 51. When the arms A1 and 47 move up and down with respect to the plate 51, the claw portions 25 and 49 of the arms pass through the notches 52. As a result, the wafer W is transferred between the arms A1 and 47 and the plate 51. In this example, each of the delivery modules provided in the delivery modules CPL12 to CPL22, TRS11, TRS12, and the interface block S3 also includes a plate 51 like the delivery module CPL11. Further, the buffer module 31 is configured by laminating a large number of plates 51, and can retain a large number of wafers W.

他の受け渡しモジュールの構成について説明する。受け渡しモジュールTRS13は、図11に示すように上下方向に伸びる3つの支柱53と、各支柱53から水平に伸びる支持棒54とを備えている。支持棒54は上下方向に間隔をおいて多数設けられ、その先端側はウエハWの裏面の周縁部を支持する水平面を備える。これによって上下方向に多数枚のウエハWを水平に支持することができる。この受け渡しモジュールTRS13には、支柱53間を通過して、受け渡しアーム13がX方向から、第1の昇降搬送機構41の第1のアーム46がY方向から夫々アクセスし、各アームは昇降動作により支持棒54との間でウエハWの受け渡しを行うことができる。この例では後述のバッファモジュール32も受け渡しモジュールTRS13と同様に構成されている。   The configuration of another delivery module will be described. As shown in FIG. 11, the delivery module TRS 13 includes three support columns 53 extending in the vertical direction and support bars 54 extending horizontally from the support columns 53. A large number of support bars 54 are provided at intervals in the vertical direction, and the front end side thereof is provided with a horizontal plane that supports the peripheral edge of the back surface of the wafer W. As a result, a large number of wafers W can be horizontally supported in the vertical direction. The delivery module TRS13 passes between the columns 53, the delivery arm 13 is accessed from the X direction, and the first arm 46 of the first elevating / conveying mechanism 41 is accessed from the Y direction. The wafer W can be transferred to and from the support bar 54. In this example, a buffer module 32 to be described later is also configured in the same manner as the delivery module TRS13.

また、受け渡しモジュールTRS14は、図12に示すようにウエハWの裏面を支持する3本のピン55が設けられたプレート56を備えている。受け渡しアーム13及び第1の昇降搬送機構41の第1のアーム46は昇降動作によりピン55との間でウエハWを受け渡すことができる。プレート56は複数設けられ、互いに積層されている。   The delivery module TRS14 includes a plate 56 provided with three pins 55 that support the back surface of the wafer W, as shown in FIG. The transfer arm 13 and the first arm 46 of the first elevating / conveying mechanism 41 can transfer the wafer W between the pins 55 by the elevating operation. A plurality of plates 56 are provided and are stacked on each other.

図8の昇降搬送ブロックS2の説明に戻る。棚ユニットU7からY方向に離れ、第2の昇降搬送機構42がアクセスできる位置にはバッファモジュール32が設けられている。棚ユニットU7と共に第1の昇降搬送機構41をY方向から挟むように、既述の第1の疎水化処理モジュール群10A及び第2の疎水化処理モジュール群10Bが設けられ、これら疎水化処理モジュール群10A、10Bを構成する疎水化処理モジュールADH1〜ADH8は互いに積層されている。   Returning to the description of the up-and-down conveying block S2 in FIG. A buffer module 32 is provided at a position away from the shelf unit U7 in the Y direction and accessible by the second lifting and lowering transport mechanism 42. The first hydrophobizing module group 10A and the second hydrophobizing module group 10B described above are provided so as to sandwich the first elevating / conveying mechanism 41 together with the shelf unit U7 from the Y direction. The hydrophobizing modules ADH1 to ADH8 constituting the groups 10A and 10B are stacked on each other.

疎水化処理モジュールADH1〜ADH8は互いに同様に構成されており、代表してADH1について、その縦断側面図、平面図である図13を参照しながら説明する。図中61は処理容器であり、容器本体62と、昇降自在な蓋体63とからなる。図中64はウエハWが載置されるステージであり、容器本体62に設けられる。また、図示は省略しているが、ステージ64は、ウエハWの裏面を支持し、第1の昇降搬送機構41との間でウエハWを受け渡すための昇降ピンを備えている。さらにステージ64は載置されたウエハWの温度を調整するヒータを備えている。   The hydrophobizing modules ADH1 to ADH8 are configured in the same manner, and ADH1 is representatively described with reference to FIG. 13 which is a longitudinal side view and a plan view thereof. In the figure, reference numeral 61 denotes a processing container, which comprises a container main body 62 and a lid 63 that can be raised and lowered. In the figure, reference numeral 64 denotes a stage on which the wafer W is placed, and is provided on the container main body 62. Although not shown, the stage 64 includes lifting pins for supporting the back surface of the wafer W and delivering the wafer W to and from the first lifting / lowering transport mechanism 41. Further, the stage 64 includes a heater that adjusts the temperature of the wafer W placed thereon.

図中66は容器本体62の周方向に複数設けられるパージガス導入路であり、67は蓋体63にリング状に設けられるパージガス排出路である。図中68は、前記パージガス排出路67の内側に、前記周方向に複数設けられた排気口であり、真空ポンプ69に接続されている。図中71は、蓋体63の中央部に設けられたガス吐出口であり、ウエハWの周縁に向けてガスを吐出できるように、前記周方向に複数開口している。ガス吐出口71は、疎水化処理用ガス及びパージガスの供給源72に接続されている。   In the figure, reference numeral 66 denotes a plurality of purge gas introduction paths provided in the circumferential direction of the container main body 62, and reference numeral 67 denotes a purge gas discharge path provided in a ring shape on the lid 63. In the figure, 68 is a plurality of exhaust ports provided in the circumferential direction inside the purge gas discharge passage 67, and is connected to a vacuum pump 69. In the figure, reference numeral 71 denotes a gas discharge port provided at the center of the lid 63, and a plurality of openings are opened in the circumferential direction so that gas can be discharged toward the periphery of the wafer W. The gas discharge port 71 is connected to a supply source 72 of a hydrophobization gas and a purge gas.

ウエハWの疎水化処理時には図13に示すように蓋体63が容器本体62に近接し、排気口68から排気され且つパージガスが導入路66からパージガス排出路67へ向けて供給される。このときパージガスの一部は、排気口68に吸引されて内側へ向かい、ガスのバリアを形成する。この状態で疎水化処理用のガスが、ガス吐出口71から供給され、前記ガスのバリアに阻まれて処理容器61から漏れることなく、排気口68から排気される。図13中の矢印は各ガスの流れを示している。   When the wafer W is hydrophobized, as shown in FIG. 13, the lid 63 is close to the container body 62, exhausted from the exhaust port 68, and purge gas is supplied from the introduction path 66 toward the purge gas discharge path 67. At this time, a part of the purge gas is sucked into the exhaust port 68 and moves inward to form a gas barrier. In this state, the hydrophobization gas is supplied from the gas discharge port 71 and is exhausted from the exhaust port 68 without being blocked by the gas barrier and leaking from the processing container 61. The arrows in FIG. 13 indicate the flow of each gas.

前記疎水化処理用ガスに曝されて、ウエハWの表面全体が疎水化処理されることにより、ウエハW表面に形成される膜の当該ウエハWへの密着性が高まる。疎水化処理後、疎水化処理用ガスに代わりパージガスがガス吐出口71から吐出され、疎水化処理用のガスが処理容器61から除去される。疎水化処理モジュールADHにおいて、各種のガス流量の異常、昇降ピンの昇降の異常、蓋体63の昇降の異常、ステージ64に載置されたウエハWの温度異常など、モジュールの動作について異常が発生したときに、当該疎水化処理モジュールADHは、後述の制御部100に信号を送信する。   When the entire surface of the wafer W is exposed to the hydrophobic treatment gas, the film formed on the surface of the wafer W is improved in adhesion to the wafer W. After the hydrophobic treatment, a purge gas is discharged from the gas discharge port 71 instead of the hydrophobic treatment gas, and the hydrophobic treatment gas is removed from the processing vessel 61. In the hydrophobization module ADH, abnormalities occur in the operation of the module, such as abnormalities in various gas flow rates, abnormalities in raising and lowering the lift pins, abnormalities in raising and lowering the lid 63, and abnormal temperatures in the wafer W placed on the stage 64. Then, the hydrophobic processing module ADH transmits a signal to the control unit 100 described later.

図4〜図6に戻ってインターフェイスブロックS4について説明する。インターフェイスブロックS4は多数の受け渡しモジュールが積層された棚ユニットU8を備えている。棚ユニットU8において、第3の単位ブロックB3〜第6の単位ブロックB6に対応する各高さ位置には受け渡しモジュールTRS31、TRS32、TRS33、TRS34が設けられている。また、棚ユニットU8には、露光装置S5に搬入前にウエハWを冷却する受け渡しモジュールCPL31と、露光後のウエハWが受け渡される受け渡しモジュールTRS35と、露光前のウエハWを一旦滞留させるバッファモジュール74と、露光後のウエハWを一旦滞留させるバッファモジュール75とが設けられている。各バッファモジュール74,75はバッファモジュール31と同様に構成される。   Returning to FIGS. 4 to 6, the interface block S4 will be described. The interface block S4 includes a shelf unit U8 on which a number of delivery modules are stacked. In the shelf unit U8, delivery modules TRS31, TRS32, TRS33, and TRS34 are provided at respective height positions corresponding to the third unit block B3 to the sixth unit block B6. Further, the shelf unit U8 includes a delivery module CPL31 for cooling the wafer W before it is carried into the exposure apparatus S5, a delivery module TRS35 for delivering the wafer W after exposure, and a buffer module for temporarily retaining the wafer W before exposure. 74 and a buffer module 75 for temporarily retaining the wafer W after exposure is provided. Each of the buffer modules 74 and 75 is configured in the same manner as the buffer module 31.

棚ユニットU7からY方向に離れた位置には複数の露光後洗浄モジュールPIRが積層されて設けられている。また、インターフェイスブロックS4は、昇降搬送ブロックS2の第1の昇降搬送機構41と略同様に構成されたインターフェイスアーム81〜83を備えている。インターフェイスアーム81は棚ユニットU7の各モジュール間でウエハWを搬送する。インターフェイスアーム82は前記各モジュール間及び前記モジュールと露光後洗浄モジュールPIRとの間でウエハWを受け渡す。インターフェイスアーム83は、図1中Y方向に移動自在に構成され、露光装置S5のウエハWの搬入出部84と、前記受け渡しモジュールCPL31と、受け渡しモジュールTRS35との間でウエハWを受け渡す。   A plurality of post-exposure cleaning modules PIR are stacked and provided at positions away from the shelf unit U7 in the Y direction. The interface block S4 includes interface arms 81 to 83 that are configured in substantially the same manner as the first lifting / lowering transport mechanism 41 of the lifting / lowering transport block S2. The interface arm 81 carries the wafer W between the modules of the shelf unit U7. The interface arm 82 delivers the wafer W between the modules and between the module and the post-exposure cleaning module PIR. The interface arm 83 is configured to be movable in the Y direction in FIG. 1, and transfers the wafer W between the wafer W loading / unloading portion 84 of the exposure apparatus S5, the transfer module CPL31, and the transfer module TRS35.

この塗布、現像装置1には、例えばコンピュータからなる制御部100が設けられている。制御部100はプログラム、メモリ、CPUからなるデータ処理部などを備えており、前記プログラムには制御部100から塗布、現像装置1の各部に制御信号を送り、ウエハWの搬送と各モジュールでのウエハWの処理を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれている。このプログラム(処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む)は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)及びメモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部100にインストールされる。   The coating / developing apparatus 1 is provided with a control unit 100 including, for example, a computer. The control unit 100 includes a program, a memory, a data processing unit including a CPU, and the like. The control unit 100 sends control signals to the coating and developing unit 1 from the control unit 100 to transfer the wafer W and to each module. Instructions (each step) are incorporated so as to advance the processing of the wafer W. This program (including programs related to processing parameter input operations and display) is stored in a storage medium such as a computer storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk), and a memory card and stored in the control unit 100. Installed.

制御部100は、各疎水化処理モジュールADHから、既述のモジュールの動作に異常が発生したことを示す信号を受信したときに、当該モジュールを含む疎水化処理モジュール群において他の疎水化処理モジュールADHにウエハWを搬送するように制御信号を送信する。それによって、信号を送信した疎水化処理モジュールADHは使用不可になり、当該疎水化処理モジュールADHへ搬送されるように設定されていたウエハWは、当該モジュールが属する疎水化処理モジュール群の他の疎水化処理モジュールADHへ搬送されることになる。一の疎水化処理モジュール群のすべての疎水化処理モジュールが、このような動作異常を起こしたり、メンテナンスを行うことで使用不可になった場合に、制御部100は、既述したように後続のウエハWを他の疎水化処理モジュール群に搬送するように第1の昇降搬送機構41の動作を制御する。   When the control unit 100 receives a signal indicating that an abnormality has occurred in the operation of the above-described module from each of the hydrophobic processing modules ADH, the control unit 100 includes other hydrophobic processing modules in the hydrophobic processing module group including the module. A control signal is transmitted so as to transfer the wafer W to the ADH. As a result, the hydrophobic processing module ADH that has transmitted the signal becomes unusable, and the wafer W that has been set to be transferred to the hydrophobic processing module ADH becomes another member of the hydrophobic processing module group to which the module belongs. It will be conveyed to the hydrophobization module ADH. When all of the hydrophobic processing modules of one hydrophobic processing module group have become unusable due to such abnormal operation or maintenance, the control unit 100, as described above, The operation of the first lifting / lowering transfer mechanism 41 is controlled so as to transfer the wafer W to another hydrophobic treatment module group.

また、制御部100はウエハWごとに検査モジュール34による検査結果を表示する表示部を備えている。さらに、制御部100はユーザの指示により、第1の疎水化処理モジュール群10A及び当該疎水化処理モジュール群10Aに対応付けられた第1の単位ブロックB1での処理、第2の疎水化処理モジュール群10B及び当該疎水化処理モジュール群10Bに対応付けられた第2の単位ブロックB2での処理を夫々停止することができる。   In addition, the control unit 100 includes a display unit that displays the inspection result of the inspection module 34 for each wafer W. Furthermore, the control unit 100 performs a process in the first hydrophobic processing module group 10A and the first unit block B1 associated with the hydrophobic processing module group 10A, a second hydrophobic processing module according to a user instruction. The processing in the second unit block B2 associated with the group 10B and the hydrophobic processing module group 10B can be stopped.

(通常時の搬送)
塗布、現像装置1の通常時のウエハWの搬送経路を説明する。図1で説明したようにウエハWは第1の疎水化処理モジュール群10A及び第1の単位ブロックB1を通過する第1の経路と、第2の疎水化処理モジュール群10B及び第2の単位ブロックB2を通過する第2の経路とに振り分けられる。この振り分けは、例えばキャリアCから払い出された順に交互に行われる。第1の経路、第2の経路で搬送されるように設定されているウエハWを説明の便宜上夫々W1、W2とする。ウエハW1、W2は、互いに同種のモジュールを順番に搬送され、同様の処理を受ける。
(Normal transport)
A normal transfer path of the wafer W in the coating and developing apparatus 1 will be described. As described with reference to FIG. 1, the wafer W passes through the first hydrophobic treatment module group 10A and the first unit block B1, and the second hydrophobic treatment module group 10B and the second unit block. It is distributed to the second route passing through B2. This distribution is performed alternately, for example, in the order paid out from the carrier C. For convenience of explanation, the wafers W set to be transferred by the first path and the second path are denoted by W1 and W2, respectively. Wafers W1 and W2 are sequentially transferred with the same type of modules and subjected to the same processing.

先ず、ウエハW1の搬送例を説明する。ウエハW1は、キャリアC→受け渡しアーム13→受け渡しモジュールTRS13→第1の昇降搬送機構41の第1のアーム46の順に受け渡され、第1の疎水化処理モジュール群10Aの疎水化処理モジュールADH1〜ADH4のうち、ウエハWが搬入されていないモジュールに搬入されて疎水化処理される。   First, an example of transferring the wafer W1 will be described. The wafer W1 is transferred in the order of the carrier C → the transfer arm 13 → the transfer module TRS13 → the first arm 46 of the first lifting / lowering transport mechanism 41, and the hydrophobic processing modules ADH1 to ADH1 of the first hydrophobic processing module group 10A. Of the ADH 4, the wafer W is loaded into a module into which the wafer W is not loaded and subjected to a hydrophobic treatment.

疎水化処理後、ウエハW1は、第1の昇降搬送機構41の第2のアーム47→バッファモジュール31→前記第2のアーム47→受け渡しモジュールCPL11の順に受け渡され、搬送アームA1により第1の単位ブロックB1に搬入される。そしてウエハW1は、反射防止膜形成モジュールBCT→搬送アームA1→加熱モジュール→受け渡しモジュールCPL12→搬送アームA1→レジスト塗布モジュールCOT→搬送アームA1→加熱モジュール→周縁露光モジュールWEE→搬送アームA1→受け渡しモジュールTRS11の順で搬送される。これによって、ウエハW1の表面には下層側から反射防止膜、レジスト膜が、この順に形成される。   After the hydrophobic treatment, the wafer W1 is transferred in the order of the second arm 47 of the first lifting / lowering transfer mechanism 41 → the buffer module 31 → the second arm 47 → the transfer module CPL11. It is carried into the unit block B1. Then, the wafer W1 has an antireflection film forming module BCT → transfer arm A1 → heating module → delivery module CPL12 → transfer arm A1 → resist coating module COT → transfer arm A1 → heating module → periphery exposure module WEE → transfer arm A1 → delivery module. Transported in the order of TRS11. As a result, an antireflection film and a resist film are formed in this order on the surface of the wafer W1 from the lower layer side.

その後、ウエハW1は第1の昇降搬送機構41の第2のアーム47→受け渡しモジュールCPL15の順に受け渡され、搬送アームA3により第3の単位ブロックB3に搬入される。そしてウエハW1は、保護膜形成モジュールTCT→搬送アームA3→加熱モジュール→搬送アームA3→受け渡しモジュールCPL16→裏面洗浄モジュールBST→受け渡しモジュールTRS31の順に搬送されて、レジスト膜の上層に保護膜が形成され、さらに裏面が洗浄処理された後、インターフェイスブロックS4へと搬入される。   Thereafter, the wafer W1 is transferred in the order of the second arm 47 → the transfer module CPL15 of the first lifting / lowering transfer mechanism 41, and is transferred into the third unit block B3 by the transfer arm A3. Then, the wafer W1 is transferred in the order of the protective film forming module TCT → transfer arm A3 → heating module → transfer arm A3 → transfer module CPL16 → back surface cleaning module BST → transfer module TRS31, and a protective film is formed on the upper layer of the resist film. After the back surface is further cleaned, it is carried into the interface block S4.

前記ウエハW1は、第1のインターフェイスアーム81→バッファモジュール74→第2のインターフェイスアーム82→受け渡しモジュールCPL31→第3のインターフェイスアーム83→露光装置S5の順で搬送され、液浸露光処理を受ける。   The wafer W1 is transferred in the order of the first interface arm 81 → buffer module 74 → second interface arm 82 → delivery module CPL31 → third interface arm 83 → exposure apparatus S5 and is subjected to an immersion exposure process.

露光済みのウエハW1は、第3のインターフェイスアーム83→受け渡しモジュールTRS35→第2のインターフェイスアーム3B→露光後洗浄モジュールPIR→バッファモジュール75→第2のインターフェイスアーム82→受け渡しモジュールTRS33の順に搬送される。その後、搬送アームA5により、第5の単位ブロックB5に搬入され、加熱モジュール→受け渡しモジュールCPL19→現像モジュールDEV→搬送アームA5→加熱モジュール→搬送アームA5→受け渡しモジュールCPL20の順で搬送され、現像処理を受ける。   The exposed wafer W1 is transferred in the order of the third interface arm 83 → the delivery module TRS35 → the second interface arm 3B → the post-exposure cleaning module PIR → the buffer module 75 → the second interface arm 82 → the delivery module TRS33. . After that, it is carried into the fifth unit block B5 by the transport arm A5, and transported in the order of heating module → delivery module CPL19 → development module DEV → conveying arm A5 → heating module → conveying arm A5 → delivery module CPL20 for development processing Receive.

その後、昇降搬送ブロックS2における第2の昇降搬送機構42の第2のアーム47により検査モジュール34に搬送されて検査を受け、然る後、第2の昇降搬送機構42の第2のアーム47→アーム入れ替えモジュール33A、33B→第2の昇降搬送機構42の第1のアーム46→バッファモジュール32→前記第1のアーム46→受け渡しモジュールTRS14→受け渡しアーム13→キャリアCの順に搬送される。   Thereafter, the second arm 47 of the second lifting / lowering transport mechanism 42 in the lifting / lowering transport block S2 is transported to the inspection module 34 for inspection, and then the second arm 47 of the second lifting / lowering transport mechanism 42 → The arm replacement modules 33A and 33B are transferred in the order of the first arm 46 of the second lifting / lowering transport mechanism 42 → the buffer module 32 → the first arm 46 → the transfer module TRS14 → the transfer arm 13 → the carrier C.

続いて、第2の疎水化処理モジュール群10B及び第2の単位ブロックB2を通過するように設定されたウエハW2の搬送経路について説明する。ウエハW2は、ウエハW1と同種のモジュールに搬送され、同様の処理を受ける。キャリアCから払い出されたウエハW2は、ウエハW1と同様に第1の昇降搬送機構41の第1のアーム46へ搬送され、その後、第2の疎水化処理モジュール群10Bの疎水化処理モジュールADH5〜ADH8のうち、ウエハW2が搬入されていないモジュールに搬入される。疎水化処理後は、ウエハW1と同様にバッファモジュール31に受け渡された後、第2のアーム47を介して受け渡しモジュールCPL13の順に受け渡され、搬送アームA2により第2の単位ブロックB2に搬入される。   Subsequently, the transfer path of the wafer W2 set so as to pass through the second hydrophobic treatment module group 10B and the second unit block B2 will be described. Wafer W2 is transferred to the same type of module as wafer W1 and undergoes the same processing. The wafer W2 discharged from the carrier C is transferred to the first arm 46 of the first lifting / lowering transfer mechanism 41 in the same manner as the wafer W1, and then the hydrophobic treatment module ADH5 of the second hydrophobic treatment module group 10B. ˜ADH8 is loaded into a module in which the wafer W2 is not loaded. After the hydrophobic treatment, the wafer W1 is transferred to the buffer module 31 in the same manner as the wafer W1, and then transferred in the order of the transfer module CPL13 via the second arm 47, and is transferred to the second unit block B2 by the transfer arm A2. Is done.

ウエハW2は、第1の単位ブロックB1に搬入されたウエハW1と同様に第2の単位ブロックB2内のモジュールを受け渡され、反射防止膜、レジスト膜が順に形成される。ただし、この単位ブロックB2におけるウエハW2の搬送では、上記のウエハW1の搬送と異なり、受け渡しモジュールCPL12の代わりに当該モジュールに対応する受け渡しモジュールCPL14が用いられる。   The wafer W2 receives the module in the second unit block B2 in the same manner as the wafer W1 carried into the first unit block B1, and an antireflection film and a resist film are formed in order. However, in the transfer of the wafer W2 in the unit block B2, unlike the transfer of the wafer W1, the transfer module CPL14 corresponding to the module is used instead of the transfer module CPL12.

前記各膜の形成後、搬送アームA2により受け渡しモジュールTRS13に搬送されたウエハW2は、第1の昇降搬送機構41の第2のアーム47→受け渡しモジュールCPL17の順に受け渡される。そして、ウエハW2は搬送アームA4により第4の単位ブロックB4に搬入され、第3の単位ブロックB3に搬入されたウエハW1と同様に、第4の単位ブロックB4内のモジュールを受け渡され、保護膜の形成処理、裏面が洗浄処理を順に受け、受け渡しモジュールTRS32を介してインターフェイスブロックS4へと搬入される。ただし、この単位ブロックB4におけるウエハW2の搬送では、上記のウエハW1の搬送と異なり、受け渡しモジュールCPL16の代わりに当該モジュールに対応する受け渡しモジュールCPL18が用いられる。   After the formation of each film, the wafer W2 transferred to the transfer module TRS13 by the transfer arm A2 is transferred in the order of the second arm 47 → the transfer module CPL17 of the first lifting / lowering transfer mechanism 41. Then, the wafer W2 is loaded into the fourth unit block B4 by the transfer arm A4, and the module in the fourth unit block B4 is delivered and protected in the same manner as the wafer W1 loaded into the third unit block B3. The film forming process and the back surface are sequentially subjected to the cleaning process, and are carried into the interface block S4 via the delivery module TRS32. However, in the transfer of the wafer W2 in the unit block B4, unlike the transfer of the wafer W1, the transfer module CPL18 corresponding to the module is used instead of the transfer module CPL16.

受け渡しモジュールTRS32から第1のインターフェイスアーム81に受け渡された後、ウエハW2はウエハW1と同様に搬送され、露光され、さらに露光洗浄された後、第2のインターフェイスアーム82により受け渡しモジュールTRS34に受け渡される。その後、ウエハW2は、搬送アームA6により第6の単位ブロックB6に搬入され、第5の単位ブロックB5に搬入されたウエハW1と同様に、第6の単位ブロックB6内のモジュールを受け渡され、現像処理を受ける。然る後、ウエハW2は受け渡しモジュールCPL22に搬送され、第2の昇降搬送機構42に受け渡された後はウエハW1と同様に搬送されてキャリアCに戻される。ただし、この単位ブロックB6におけるウエハW2の搬送では、上記のウエハW1の搬送と異なり、受け渡しモジュールCPL19の代わりに当該モジュールに対応する受け渡しモジュールCPL20が用いられる。   After the wafer W2 is transferred from the transfer module TRS32 to the first interface arm 81, the wafer W2 is transferred, exposed, exposed and cleaned in the same manner as the wafer W1, and then transferred to the transfer module TRS34 by the second interface arm 82. Passed. Thereafter, the wafer W2 is loaded into the sixth unit block B6 by the transfer arm A6, and the module in the sixth unit block B6 is delivered in the same manner as the wafer W1 loaded into the fifth unit block B5. Receive development processing. Thereafter, the wafer W2 is transferred to the transfer module CPL22, transferred to the second lift transfer mechanism 42, and then transferred in the same manner as the wafer W1 and returned to the carrier C. However, in the transfer of the wafer W2 in the unit block B6, unlike the transfer of the wafer W1, the transfer module CPL20 corresponding to the module is used instead of the transfer module CPL19.

(第1の単位ブロックB1の処理が停止したとき)
続いて通常の搬送中に、図2に示したように第1の単位ブロックB1が故障やメンテナンスを行うことにより当該ブロックB1での処理が停止した場合について上記のケース1の搬送を説明する。このように処理停止となってもウエハW2の搬送は、通常時と同様に行われる。そして、この処理停止時点において第1の疎水化処理モジュール群10Aに搬送されているウエハW1は、疎水化処理後、バッファモジュール31に搬送され、然る後ウエハW2と同様に第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。また、第1の疎水化処理モジュール群10Aからバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW1も同様に、第2の単位ブロックB2に搬入されて処理される。
(When processing of the first unit block B1 is stopped)
Next, the case 1 conveyance will be described in the case where the processing in the block B1 is stopped due to failure or maintenance of the first unit block B1 as shown in FIG. 2 during normal conveyance. Even when the processing is stopped in this way, the transfer of the wafer W2 is performed in the same manner as in normal times. Then, the wafer W1 transferred to the first hydrophobizing module group 10A at the time of this process stop is transferred to the buffer module 31 after the hydrophobizing process, and then the second unit block as with the wafer W2. It is transported to B2 and processed. Similarly, the wafer W1 on the path from the first hydrophobic treatment module group 10A to the buffer module 31 is also loaded into the second unit block B2 and processed.

また、処理停止時点においてキャリアCから疎水化処理モジュールADH群までの経路にあるウエハW1は、第2の疎水化処理モジュール群10Bに搬送され、疎水化処理後はウエハW2と同様に受け渡しモジュールCPL13を介して第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。そして、前記処理停止時点から後にキャリアCから払い出されたウエハW1は、ウエハW2と同様に疎水化処理モジュール群10Bに搬送されて処理された後、第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。   Further, the wafer W1 on the path from the carrier C to the hydrophobic processing module ADH group at the time of the processing stop is transferred to the second hydrophobic processing module group 10B, and after the hydrophobic processing, the transfer module CPL13 is similar to the wafer W2. To be transferred to the second unit block B2 for processing. The wafer W1 discharged from the carrier C after the processing stop time is transferred to the hydrophobic processing module group 10B and processed in the same manner as the wafer W2, and then transferred to the second unit block B2 and processed. Receive.

第2の単位ブロックB2で処理を受けたウエハW1は、第1の昇降搬送機構41により受け渡しモジュールCPL15を介して第3の単位ブロックB3に搬送され、以降は通常時と同様に搬送されて処理を受ける。従って、第1の単位ブロックB1における処理ができなくなった場合のケース1のウエハW1の搬送経路を極めて概略的に述べると、第1の疎水化処理モジュール群10Aに搬送される代わりに第2の疎水化処理モジュール群10Bに搬送され、且つ第1の単位ブロックB1に搬送される代わりに第2の単位ブロックB2に搬送されることになる。   The wafer W1 that has been processed in the second unit block B2 is transferred to the third unit block B3 via the transfer module CPL15 by the first lifting / lowering transfer mechanism 41, and thereafter transferred and processed in the same manner as normal. Receive. Therefore, when the transfer path of the wafer W1 of the case 1 when the process in the first unit block B1 cannot be performed is described in a very schematic manner, instead of being transferred to the first hydrophobizing module group 10A, the second Instead of being transported to the hydrophobic treatment module group 10B and transported to the first unit block B1, it is transported to the second unit block B2.

また、既述のケース2においては、第1の単位ブロックB1の処理が停止した時点において、疎水化処理モジュール群10Aからバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW1はケース1と同様に受け渡しモジュールCPL13を介して第2の単位ブロックB2に搬入される。しかしケース1と異なり、前記第1の単位ブロックB1の処理停止後も、疎水化処理モジュール群10Aへの搬入が続けられる。疎水化処理モジュール群10Aで処理されたウエハW1は、ウエハW2と同様に受け渡しモジュールCPL13を介して第2の単位ブロックB2に搬入され、その後はケース1と同様に搬送される。   Further, in the case 2 already described, when the processing of the first unit block B1 is stopped, the wafer W1 on the path from the hydrophobic treatment module group 10A to the buffer module 31 is delivered in the same manner as in the case 1. It is carried into the second unit block B2 via the module CPL13. However, unlike the case 1, even after the processing of the first unit block B1 is stopped, the loading into the hydrophobic processing module group 10A is continued. The wafer W1 processed by the hydrophobic processing module group 10A is transferred into the second unit block B2 via the transfer module CPL13 in the same manner as the wafer W2, and thereafter transferred in the same manner as in the case 1.

(第2の単位ブロックB2の処理が停止したとき)
続いて、第2の単位ブロックB2が故障やメンテナンスを行うことによりその処理を停止した場合について、上記のケース3の搬送を説明する。この場合、ウエハW1の搬送が通常時と同様に行われる。そして、この処理停止時点において第2の疎水化処理モジュール群10Bに搬送されているウエハW2は、疎水化処理後にバッファモジュール31に搬送され、その後はウエハW1と同様に第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。また、第2の疎水化処理モジュール群10Bからバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW2も同様に、第1の単位ブロックB1に搬入されて処理される。
(When processing of the second unit block B2 is stopped)
Subsequently, the conveyance of the above case 3 will be described in the case where the processing is stopped due to failure or maintenance of the second unit block B2. In this case, the transfer of the wafer W1 is performed in the same manner as normal. Then, the wafer W2 transferred to the second hydrophobizing module group 10B at the time of this process stop is transferred to the buffer module 31 after the hydrophobizing process, and thereafter transferred to the first unit block B1 like the wafer W1. It is conveyed and processed. Similarly, the wafer W2 on the path from the second hydrophobic treatment module group 10B to the buffer module 31 is also loaded into the first unit block B1 and processed.

また、処理停止時点においてキャリアCから疎水化処理モジュールADH群までの経路にあるウエハW2は、第1の疎水化処理モジュール群10Aに搬送され、疎水化処理後はウエハW1と同様に第2の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。そして、前記処理停止時点から後にキャリアCから払い出されたウエハW2は、ウエハW1と同様に第1の疎水化処理モジュール群10Aに搬送されて処理された後、第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。   Further, the wafer W2 on the path from the carrier C to the hydrophobic processing module ADH group at the time of the processing stop is transferred to the first hydrophobic processing module group 10A, and after the hydrophobic processing, the second wafer W2 is transferred in the same manner as the wafer W1. It is transported to unit block B1 for processing. Then, the wafer W2 discharged from the carrier C after the processing stop time is transferred to the first hydrophobizing module group 10A and processed in the same manner as the wafer W1, and then transferred to the first unit block B1. To be processed.

第1の単位ブロックB1で処理を受けたウエハW2は、第2の昇降搬送機構42により受け渡しモジュールCPL17を介して第4の単位ブロックB4に搬送され、以降は通常時と同様に搬送されて処理を受ける。従って、第2の単位ブロックB2における処理ができなくなった場合のウエハW2の搬送経路を極めて概略的に述べると、第2の疎水化処理モジュール群10Bに搬送される代わりに第1の疎水化処理モジュール群10Aに搬送され、且つ第2の単位ブロックB2に搬送される代わりに第1の単位ブロックB1に搬送されることになる。   The wafer W2 processed in the first unit block B1 is transferred to the fourth unit block B4 via the transfer module CPL17 by the second lifting / lowering transfer mechanism 42, and thereafter transferred and processed in the same manner as normal. Receive. Accordingly, the transfer path of the wafer W2 when the process in the second unit block B2 cannot be performed will be described in a very schematic manner. Instead of being transferred to the second hydrophobic processing module group 10B, the first hydrophobic process is performed. Instead of being transported to the module group 10A and transported to the second unit block B2, it is transported to the first unit block B1.

既述のケース4においては、第2の単位ブロックB2の処理が停止した時点において、疎水化処理モジュール群10Bからバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハWは、ケース3と同様に受け渡しモジュールCPL11を介して第1の単位ブロックB1に搬入される。ただしケース3と異なり、前記第2の単位ブロックB2の処理停止後も、疎水化処理モジュール群10Bへの搬入が続けられる。疎水化処理モジュール群10Bで処理されたウエハWは、同様に受け渡しモジュールCPL11を介して第1の単位ブロックB1に搬入され、後はケース1と同様に搬送される。   In the case 4 described above, when the processing of the second unit block B2 is stopped, the wafer W on the path from the hydrophobic treatment module group 10B to the buffer module 31 is transferred as in the case 3. It is carried into the first unit block B1 via the CPL11. However, unlike the case 3, even after the processing of the second unit block B2 is stopped, the loading into the hydrophobization processing module group 10B is continued. The wafer W processed in the hydrophobic processing module group 10B is similarly transferred to the first unit block B1 via the transfer module CPL11, and then transferred in the same manner as the case 1.

(第1の疎水化処理モジュール群10Aへ搬送不可のとき)
続いて通常搬送中に、図3に示したように疎水化処理モジュールADH1〜ADH4のすべてが、故障やメンテナンスにより搬送不可になった場合について説明する。この場合は、ウエハW2の搬送は通常時と同様に行われる。その一方で、このように搬送不可になった時点でキャリアCから払い出され、疎水化処理モジュール群までの経路にあるウエハW1は、ウエハW2と同様に疎水化処理モジュール群10Bに搬送され、さらにウエハW2と同様に第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。また、搬送不可になった時点から後にキャリアCから払い出されたウエハW1も、ウエハW2と同様に疎水化処理モジュール群10Bに搬送されて処理された後、第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。
(When transporting to the first hydrophobic treatment module group 10A is not possible)
Next, a case will be described in which all of the hydrophobization modules ADH1 to ADH4 cannot be transported due to failure or maintenance during normal transport as shown in FIG. In this case, the transfer of the wafer W2 is performed in the same manner as normal. On the other hand, the wafer W1 which is paid out from the carrier C at the time when the transfer becomes impossible in this way and is on the path to the hydrophobic treatment module group is transferred to the hydrophobic treatment module group 10B like the wafer W2, Further, like the wafer W2, it is transferred to the second unit block B2 and undergoes processing. Also, the wafer W1 discharged from the carrier C after the time when the transfer becomes impossible is transferred to the hydrophobic processing module group 10B and processed similarly to the wafer W2, and then transferred to the second unit block B2. Receive processing.

前記搬送不可になった時点において、すでに第1の単位ブロックB1及び第1の単位ブロックB1の搬入口である受け渡しモジュールCPL11に搬入されているウエハW1は、通常の搬送時と同様に第1の単位ブロックB1で処理されて第3の単位ブロックB3へと搬送される。また、前記搬送不可になった時点で、疎水化処理モジュールADH1〜ADH4から前記受け渡しモジュールCPL11の前段のバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW1は、ウエハW2と同様に第2の単位ブロックB2に搬送される。   At the time when the transfer becomes impossible, the wafer W1 already transferred into the first unit block B1 and the delivery module CPL11 which is the transfer port of the first unit block B1 is the same as in the normal transfer. It is processed in the unit block B1 and conveyed to the third unit block B3. At the time when the transfer becomes impossible, the wafer W1 in the path from the hydrophobic processing modules ADH1 to ADH4 to the buffer module 31 in the previous stage of the delivery module CPL11 is the second unit block, like the wafer W2. It is conveyed to B2.

第2の単位ブロックB2で処理を受けたウエハW1は、第1の昇降搬送機構41により受け渡しモジュールCPL15を介して第3の単位ブロックB3に搬送され、以降は通常時と同様に搬送されて処理を受ける。   The wafer W1 that has been processed in the second unit block B2 is transferred to the third unit block B3 via the transfer module CPL15 by the first lifting / lowering transfer mechanism 41, and thereafter transferred and processed in the same manner as normal. Receive.

(第2の疎水化処理モジュール群10Bへ搬送不可のとき)
続いて通常の搬送中に、疎水化処理モジュールADH5〜ADH8のすべてが故障やメンテナンスにより搬送不可になった場合について説明する。この場合は、ウエハW1の搬送は通常時と同様に行われる。その一方で、このように搬送不可になった時点でキャリアCから払い出され、疎水化処理モジュール群までの経路にあるウエハW2は、ウエハW1と同様に疎水化処理モジュール群10Aに搬送され、さらにウエハW1と同様に第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。また、搬送不可になった時点から後にキャリアCから払い出されたウエハW2も、ウエハW1と同様に第1の疎水化処理モジュール群10A及び第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。
(When transporting to the second hydrophobic treatment module group 10B is impossible)
Next, a case will be described in which all of the hydrophobization modules ADH5 to ADH8 become unusable due to failure or maintenance during normal transport. In this case, the transfer of the wafer W1 is performed in the same manner as normal. On the other hand, the wafer W2 which is discharged from the carrier C at the time when the transfer becomes impossible in this way and is in the path to the hydrophobic treatment module group is transferred to the hydrophobic treatment module group 10A in the same manner as the wafer W1, Further, like the wafer W1, it is transferred to the first unit block B1 and undergoes processing. Further, the wafer W2 discharged from the carrier C after the time when the transfer becomes impossible is also transferred to the first hydrophobizing module group 10A and the first unit block B1 for processing, similarly to the wafer W1.

前記搬送不可になった時点において、すでに第2の単位ブロックB2及び第2の単位ブロックB2の搬入口である受け渡しモジュールCPL13に搬入されているウエハW2は通常の搬送時と同様に第2の単位ブロックB2で処理されて第4の単位ブロックB4へと搬送される。また、前記搬送不可になった時点で、疎水化処理モジュールADH5〜ADH8から前記受け渡しモジュールCPL13の前段のバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW2は、ウエハW1と同様に第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。   At the time when the transfer becomes impossible, the second unit block B2 and the wafer W2 already transferred into the transfer module CPL13 which is the transfer port of the second unit block B2 are in the second unit block as in the normal transfer. It is processed in the block B2 and conveyed to the fourth unit block B4. At the time when the transfer becomes impossible, the wafer W2 in the path from the hydrophobization modules ADH5 to ADH8 to the buffer module 31 in the previous stage of the delivery module CPL13 is the first unit block, like the wafer W1. It is conveyed to B1 and processed.

第1の単位ブロックB1で処理を受けたウエハW2は、第2の昇降搬送機構41により受け渡しモジュールCPL17を介して第4の単位ブロックB4に搬送され、以降通常時と同様に搬送されて処理を受ける。また、上記のようにユーザは、前記検査モジュール34の検査結果を参照して、第1の疎水化処理モジュール群10A及び第1の単位ブロックB1の処理、または第2の疎水化処理モジュール群10B及び第2の単位ブロックB2の処理を停止させることができる。つまり、ユーザは通常時の搬送から任意に上記のケース1またはケース3の搬送へ、搬送経路を切り替えることができる。そして、ユーザは、停止させた疎水化処理モジュール群及び単位ブロックにおいて適切な処理を行えなかったモジュールを特定し、修理や交換するなどの対処を行うことができる。   The wafer W2 processed in the first unit block B1 is transferred to the fourth unit block B4 via the delivery module CPL17 by the second lifting / lowering transfer mechanism 41, and thereafter transferred and processed in the same manner as normal. receive. Further, as described above, the user refers to the inspection result of the inspection module 34 and processes the first hydrophobizing module group 10A and the first unit block B1, or the second hydrophobizing module group 10B. The processing of the second unit block B2 can be stopped. That is, the user can arbitrarily switch the conveyance path from the normal conveyance to the conveyance of the case 1 or the case 3 described above. Then, the user can identify the module that could not perform appropriate processing in the stopped hydrophobic treatment module group and the unit block, and take measures such as repair or replacement.

そして、このような対処を行う間に、停止させていない疎水化処理モジュール群及び単位ブロックB1またはB2を用いて処理を継続させることができる。このように通常の搬送時において複数の疎水化処理モジュールからなる群を複数設定し、各群から複数設けられた塗布膜形成用の単位ブロックへ搬送経路を予め設定しておくことにより、既述のように処理の異常が起きたときに、どの搬送経路において異常が発生したかを容易に特定することができる。そして、特定した搬送経路での処理を停止させ、他の搬送経路における処理を継続することで、装置の生産性の低下を抑えることができ、さらにウエハWが無駄になることを防ぐことができるという利点がある。   And while performing such a countermeasure, a process can be continued using the hydrophobic processing module group and unit block B1 or B2 which are not stopped. As described above, a plurality of groups of a plurality of hydrophobic treatment modules are set during normal transfer, and a transfer path is set in advance from each group to a plurality of coating film forming unit blocks. As described above, when a processing abnormality occurs, it is possible to easily identify in which transport route the abnormality has occurred. Then, by stopping the processing in the specified transfer path and continuing the process in the other transfer path, it is possible to suppress a reduction in the productivity of the apparatus and to prevent the wafer W from being wasted. There is an advantage.

この塗布、現像装置1によれば、互いに4基の疎水化処理モジュールADHからなる疎水化処理モジュール群10A、10Bと、2重化された塗布用の単位ブロックである単位ブロックB1、B2とが設けられ、各疎水化処理モジュール群10A、10Bから夫々対応する単位ブロックB1、B2にウエハWを搬送する。このようにウエハWの搬送経路が2つ設けられているため、いずれかの搬送経路における疎水化処理モジュール群または単位ブロックへの搬送ができなくなっても、他の搬送経路を用いてウエハWの搬送を継続できるため装置の稼働効率の低下を抑えることができる。また、疎水化処理モジュール群ごとに搬送先の単位ブロックBが設定されているため、ウエハWの搬送を行う昇降搬送機構41の動作が煩雑化することが抑えられる結果として、スループットの向上を図ることができるし、昇降搬送機構41の動作を制御するプログラムの作成も容易となる。   According to the coating / developing apparatus 1, the hydrophobic processing module groups 10A and 10B including the four hydrophobic processing modules ADH and the unit blocks B1 and B2 which are duplicated unit blocks for coating are provided. The wafer W is transferred from each of the hydrophobic treatment module groups 10A and 10B to the corresponding unit blocks B1 and B2, respectively. As described above, since two transfer paths for the wafer W are provided, even if transfer to the hydrophobic processing module group or unit block in any of the transfer paths becomes impossible, the transfer of the wafer W can be performed using another transfer path. Since conveyance can be continued, the fall of the operating efficiency of an apparatus can be suppressed. Further, since the transfer destination unit block B is set for each hydrophobic treatment module group, the operation of the lifting / lowering transfer mechanism 41 for transferring the wafer W can be prevented from becoming complicated, thereby improving the throughput. In addition, it is easy to create a program for controlling the operation of the lifting and lowering transport mechanism 41.

また、上記のケース1、ケース3の搬送においては、単位ブロックB1またはB2においてウエハWの搬送を行えなくなったときに、この搬送を行えなくなった単位ブロックに対応付けられた疎水化処理モジュール群への搬送を停止する。従って、上記のようにウエハWの処理に異常が検出されたときに、原因となるモジュールの特定が容易となる。また、処理ブロックS3の処理能力の低下に合わせて使用する疎水化処理モジュールの数が制限されることで、装置に使用する電力などが無駄になることを抑えることができる。また、疎水化処理モジュール群を構成する一の疎水化処理モジュールが使用不可になっても、当該モジュール群を構成する他のモジュールに搬送されるため、スループットの低下を抑えることができる。   Further, in the transfer of the above cases 1 and 3, when the transfer of the wafer W cannot be performed in the unit block B1 or B2, the hydrophobic processing module group associated with the unit block which cannot perform the transfer is transferred. Stop the transport. Therefore, when an abnormality is detected in the processing of the wafer W as described above, it becomes easy to identify the module that is the cause. Further, by limiting the number of hydrophobic processing modules used in accordance with the decrease in processing capacity of the processing block S3, it is possible to suppress waste of power used for the apparatus. Further, even if one hydrophobic treatment module constituting the hydrophobic treatment module group becomes unusable, it is transported to other modules constituting the module group, so that a reduction in throughput can be suppressed.

ところで、疎水化処理モジュール群と単位ブロックとを対応付けるとは両者を不可分の関係にすることではなく、疎水化処理モジュール群からウエハを搬送する単位ブロックを予め設定しておくことであり、この対応付けを変更する、即ち疎水化処理モジュール群から搬送先の単位ブロックが変更されてもよい。そこで、具体的に制御部100は次のようにウエハWの搬送を制御することができる。図14に示すように第1の疎水化処理モジュール群10Aと第2の単位ブロックB2とが共に使用不可になった場合、疎水化処理モジュール群10Bで処理されたウエハWの搬送先を第1の単位ブロックB1に変更して装置の処理を継続させる。同様に第2の疎水化処理モジュール群10Bと第1の単位ブロックB1とが共に使用不可になった場合、疎水化処理モジュール群10Aで処理されたウエハWの搬送先を第2の単位ブロックB2に変更して装置の処理を継続させる。   By the way, associating the hydrophobic processing module group with the unit block is not to make the two inseparable but to set a unit block for transporting a wafer from the hydrophobic processing module group in advance. The unit of the transport destination may be changed from the hydrophobic processing module group. Therefore, specifically, the control unit 100 can control the transfer of the wafer W as follows. As shown in FIG. 14, when both the first hydrophobizing module group 10A and the second unit block B2 become unusable, the transfer destination of the wafer W processed by the hydrophobizing module group 10B is set to the first destination block. The unit block B1 is changed to continue the processing of the apparatus. Similarly, when both the second hydrophobic processing module group 10B and the first unit block B1 become unusable, the transfer destination of the wafer W processed by the hydrophobic processing module group 10A is designated as the second unit block B2. To continue processing of the device.

このように通常の搬送時に対応付けているモジュール群と単位ブロックとが無くなった場合に、対応付けられていなかったモジュール群から単位ブロックBへウエハWの搬送先を例えば制御部100が自動で切り替えることで、装置の生産性の低下を抑えることができる。なお、疎水化処理モジュール群が10A、10B、10Cの3つあり、単位ブロックB1、B2と同様に構成された単位ブロックB7があり、疎水化処理モジュール群10A、10B、10Cに単位ブロックB1、B2、B7が夫々対応付けられた場合について説明する。例えば単位ブロックB1、B3が使用不可になり、疎水化処理モジュール群10Bが使用不可になると、対応しているモジュールと単位ブロックとが無くなる。この場合には稼働中の疎水化処理モジュール群10A、10Cから、稼働中の単位ブロックB2へ搬送が行われることになる。 In this way, when the module group and the unit block associated with each other during normal transfer are lost, for example, the control unit 100 automatically switches the transfer destination of the wafer W from the module group not associated to the unit block B. As a result, it is possible to suppress a decrease in the productivity of the apparatus. There are three hydrophobic treatment module groups 10A, 10B, and 10C, and there is a unit block B7 configured in the same manner as the unit blocks B1 and B2. The hydrophobic treatment module groups 10A, 10B, and 10C have unit blocks B1, A case where B2 and B7 are associated with each other will be described. For example, when the unit blocks B1 and B3 are unusable and the hydrophobic processing module group 10B is unusable, the corresponding module and unit block disappear. In this case, the transfer is performed from the operating hydrophobic treatment module group 10A, 10C to the operating unit block B2.

(第2の実施形態)
以下、第2の実施形態の塗布、現像装置9について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。第1の実施形態ではレジスト塗布モジュールCOTと反射防止膜形成モジュールBCTとが同じ層に設けられているが、図15に示すように互いに異なる層に設けてもよい。この塗布、現像装置9では、単位ブロックC1、単位ブロックC2に反射防止膜形成モジュールBCTが2基ずつ設けられ、単位ブロックC3、C4にレジスト膜形成モジュールCOTが2基ずつ設けられている。単位ブロックC1〜C4は互いに積層され、液処理モジュールが異なることを除いて第1の単位ブロックB1と同様に構成される。
(Second Embodiment)
Hereinafter, the coating and developing apparatus 9 of the second embodiment will be described focusing on differences from the first embodiment. In the first embodiment, the resist coating module COT and the antireflection film forming module BCT are provided in the same layer, but may be provided in different layers as shown in FIG. In the coating / developing apparatus 9, two antireflection film forming modules BCT are provided in each of the unit blocks C1 and C2, and two resist film forming modules COT are provided in the unit blocks C3 and C4. The unit blocks C1 to C4 are stacked together and configured in the same manner as the first unit block B1 except that the liquid processing modules are different.

そして単位ブロックC1〜C4上には第1の実施形態で説明した単位ブロックB3〜B6が積層されている。そして、第1の実施形態と同様に、昇降搬送ブロックS2の各単位ブロックに対応する高さには受け渡しモジュールが設けられ、各受け渡しモジュールを介して各単位ブロック間での移動及び疎水化処理モジュール群10A、10Bと各単位ブロックとの間での移動が行われる。 The unit blocks B3 to B6 described in the first embodiment are stacked on the unit blocks C1 to C4. Similarly to the first embodiment, a delivery module is provided at a height corresponding to each unit block of the lifting and lowering transport block S2, and a movement and hydrophobization module between each unit block is provided via each delivery module. Movement between the groups 10A and 10B and each unit block is performed.

通常搬送時に、ウエハW1は第1の疎水化処理モジュール10A群→単位ブロックC1→単位ブロックC3→単位ブロックB3の順で搬送され、以降は第1の実施形態と同様の経路で搬送される。また、通常搬送時にウエハW2は第2の疎水化処理モジュール10B群→単位ブロックC2→単位ブロックC4→単位ブロックB4の順で搬送され、以降は第1の実施形態と同様の経路で搬送される。   During normal transfer, the wafer W1 is transferred in the order of the first hydrophobizing module 10A group → unit block C1 → unit block C3 → unit block B3, and thereafter transferred along the same path as in the first embodiment. During normal transfer, the wafer W2 is transferred in the order of the second hydrophobizing module 10B group → unit block C2 → unit block C4 → unit block B4. Thereafter, the wafer W2 is transferred by the same route as in the first embodiment. .

単位ブロックC1または単位ブロックC3が使用不可になったときは、ウエハW1はウエハW2と共に第2の疎水化処理モジュール10B→単位ブロックC2→単位ブロックC4の経路で搬送され、以降は通常時と同様の搬送経路で搬送される。単位ブロックC2または単位ブロックC4が使用不可になったときは、ウエハW2はウエハW1と共に第1の疎水化処理モジュール10A群→単位ブロックC1→単位ブロックC3の経路で搬送され、以降は通常時と同様の搬送経路で搬送される。   When the unit block C1 or the unit block C3 becomes unusable, the wafer W1 is transferred along with the wafer W2 along the path of the second hydrophobizing module 10B → unit block C2 → unit block C4. It is conveyed by the conveyance route. When the unit block C2 or the unit block C4 becomes unusable, the wafer W2 is transferred together with the wafer W1 through the first hydrophobic processing module 10A group → unit block C1 → unit block C3. It is transported along the same transport path.

第1の疎水化処理モジュール群10Aのすべてのモジュールが使用不可になった場合もウエハW1はウエハW2と共に疎水化処理モジュール10B群→単位ブロックC2→単位ブロックC4の経路で搬送され、以降は通常時と同様の搬送経路で搬送される。第2の疎水化処理モジュール群10Bのすべてのモジュールが使用不可になった場合も、ウエハW2はウエハW1と共に疎水化処理モジュール10A群→単位ブロックC1→単位ブロックC3の経路で搬送され、以降は通常時と同様の搬送経路で搬送される。この第2の実施形態においても第1の実施形態と同様の効果を有する。   Even when all the modules of the first hydrophobizing module group 10A become unusable, the wafer W1 is transferred along with the wafer W2 along the path of the hydrophobizing module 10B group → unit block C2 → unit block C4, and thereafter normally. It is transported by the same transport path as the time. Even when all the modules of the second hydrophobizing module group 10B become unusable, the wafer W2 is transferred along with the wafer W1 along the path of the hydrophobizing module 10A group → unit block C1 → unit block C3. It is transported along the same transport path as in normal times. This second embodiment also has the same effect as the first embodiment.

上記の塗布、現像装置の例では塗布用の単位ブロックが2重化されており、疎水化処理モジュールが2グループある。塗布膜用の単位ブロックが3重化され、疎水化処理モジュールが3グループある塗布、現像装置も、2重化されている塗布用の単位ブロック及び2グループの塗布膜用の単位ブロックを含むことになるため、本発明の権利範囲に含まれる。つまり、前記単位ブロック及び前記グループは2個以上であればよい。単位ブロックのN重化(Nは整数)とはウエハWを処理するモジュール数やモジュールのレイアウトを同じにすることには限られず、各単位ブロックでウエハWに同様の処理を行うことができればよい。また、各グループを構成する疎水化処理モジュールの数は1つ以上であればよい。さらに、ウエハWには反射防止膜を形成せず、各実施形態において、疎水化処理モジュールADHによる処理後に疎水化処理されたウエハW表面にレジスト膜を形成してもよい。   In the example of the coating and developing apparatus, the unit block for coating is doubled and there are two groups of hydrophobic treatment modules. The coating / developing apparatus in which the unit block for the coating film is tripled and the hydrophobic treatment module is in three groups also includes the unit block for coating and the unit block for two groups of coating films that are duplexed. Therefore, it is included in the scope of rights of the present invention. That is, the unit block and the group may be two or more. The unit block N-folding (N is an integer) is not limited to the same number of modules for processing the wafer W and the same module layout, and it is sufficient that the same processing can be performed on the wafer W in each unit block. . Further, the number of hydrophobizing modules constituting each group may be one or more. Further, an antireflection film may not be formed on the wafer W, and in each embodiment, a resist film may be formed on the surface of the wafer W that has been subjected to the hydrophobic treatment after the treatment by the hydrophobic treatment module ADH.

W ウエハ
ADH 疎水化処理モジュール
BCT 反射防止膜形成モジュール
COT レジスト膜形成モジュール
DEV 現像モジュール
S2 昇降搬送ブロック
S3 処理ブロック
1 塗布、現像装置
100 制御部
A1〜A6 搬送アーム
B1〜B6 単位ブロック
TRS 受け渡しモジュール
CPL 受け渡しモジュール
W Wafer ADH Hydrophobization processing module BCT Antireflection film forming module COT Resist film forming module DEV Development module S2 Elevating and conveying block S3 Processing block 1 Coating and developing apparatus 100 Control unit A1 to A6 Transfer arm B1 to B6 Unit block TRS Delivery module CPL Delivery module

Claims (9)

キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記処理ブロックは、前記N重化した塗布用の単位ブロックに積層され、露光後の基板に現像液を供給して現像処理する現像モジュールを備えた現像用の単位ブロックを含み、
) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックが設けられ、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々基板を受け渡すための第1の昇降搬送機構と、前記現像用の単位ブロックに対して基板を受け渡すための第2の昇降搬送機構と、多数積層されて設けられた受け渡しモジュールと、を備え、
前記キャリアブロックと前記処理ブロックと前記昇降搬送ブロックとの配列方向を前後方向とすると、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構及び多数積層された受け渡しモジュールは左右方向に設けられると共に、多数積層された受け渡しモジュールは、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構との間に挟まれるように設けられ、
) 前記第1の昇降搬送機構及び第2の昇降搬送機構は、昇降する昇降基体と、前記昇降基体を鉛直軸回りに回転する回転基台と、第1の搬送アームと、第2の搬送アームと、を夫々備え、
) 前記第1の搬送アーム及び第2の搬送アームは、前記回転基台に対して互いに独立して進退し、
前記第1の搬送アームは基板の裏面を支持すると共に、その進退方向に直交する当該第1の搬送アームの幅は、前記基板の幅より狭く構成され、
前記第2の搬送アームは、基板の側周を囲む二股の囲い部と、前記囲い部の内周縁に複数設けられ、基板の裏面を支持する爪部と、を備え、
) 前記多数積層されて設けられた受け渡しモジュールには、載置された基板を冷却するための冷却液の流路を備えたステージからなる第1の受け渡しモジュールと、前記冷却液の流路を備えていないステージからなる第2の受け渡しモジュールとが含まれ、
前記第2の受け渡しモジュールに対する基板の受け渡しには前記第1の搬送アームが使用され、
前記第1の受け渡しモジュールに対する基板の受け渡しには前記第2の搬送アームが使用されることを特徴とする塗布、現像装置。
After the substrate carried into the carrier block by the carrier is transferred to the processing block and a coating film including a resist film is formed in the processing block, the substrate is passed through an interface block located on the opposite side of the processing block from the carrier block. In the coating and developing apparatus, the substrate after exposure that has been transferred to the exposure apparatus and returned through the interface block is developed in the processing block and transferred to the carrier block.
a) The processing block includes a liquid processing module that supplies a chemical solution for forming the coating film to the substrate, a heating module that heats the substrate after the chemical solution is applied, and the substrate between the modules. And a unit block transport mechanism that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block, and stacks unit blocks for coating on each other so that N (N is an integer of 2 or more) Including laminated laminates,
b) The N-layered coating unit blocks are configured such that the same coating film is formed on each other,
c) The processing block includes a developing unit block provided with a developing module that is stacked on the N-layered coating unit block and supplies a developing solution to the substrate after the exposure to perform development processing.
d ) A lifting / lowering transport block is provided between the carrier block and the processing block, and the lifting / lowering transport block is a first lifting / lowering for delivering a substrate to each of the N-layered application unit blocks. A transport mechanism, a second lifting / lowering transport mechanism for delivering the substrate to the unit block for development, and a delivery module provided in a stacked manner,
Assuming that the arrangement direction of the carrier block, the processing block, and the lifting / lowering transport block is a front-rear direction, the first lifting / lowering transport mechanism, the second lifting / lowering transport mechanism, and a plurality of stacked delivery modules are provided in the left-right direction. The multi-layered delivery modules are provided so as to be sandwiched between the first elevating and conveying mechanism and the second elevating and conveying mechanism.
e ) The first lifting / lowering transport mechanism and the second lifting / lowering mechanism include a lifting base that moves up and down, a rotating base that rotates the lifting base around a vertical axis, a first transport arm, and a second transport. Each with arm,
f ) The first transfer arm and the second transfer arm advance and retract independently from each other with respect to the rotation base,
The first transfer arm supports the back surface of the substrate, and the width of the first transfer arm perpendicular to the advancing and retreating direction is configured to be narrower than the width of the substrate.
The second transfer arm includes a bifurcated enclosure that surrounds the side periphery of the substrate, and a plurality of claw portions that are provided on the inner periphery of the enclosure and support the back surface of the substrate.
g ) The delivery module provided in a stacked manner includes a first delivery module comprising a stage having a coolant flow path for cooling the mounted substrate, and a flow path for the coolant. And a second delivery module consisting of a stage not provided ,
The first transfer arm is used for transferring the substrate to the second transfer module ,
The coating and developing apparatus, wherein the second transfer arm is used for transferring the substrate to the first transfer module .
前記塗布用の単位ブロックは、
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を備えたことを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
The unit block for coating is
A liquid processing module for a lower layer that supplies a chemical solution for forming an antireflection film to a substrate to form an antireflection film on the lower layer side, and a liquid processing that forms a resist film by supplying a resist solution on the antireflection film For pre-stage processing comprising a module, a heating module for heating the substrate, and a transport mechanism for a unit block that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block in order to transport the substrate between these modules Unit block of
A liquid processing module for an upper layer that forms a film on the upper layer side by supplying a chemical liquid for film formation on the upper layer side to the substrate on which the resist film is formed and laminated on the unit block for the previous stage processing, and the substrate A unit block for subsequent processing, comprising a heating module for heating, and a transport mechanism for a unit block that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block in order to transport a substrate between these modules; The coating and developing apparatus according to claim 1, further comprising:
前記昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられると共に前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールを備え、
前記第1の昇降搬送機構は、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御され、
前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止すると共に、前記Nグループのうち使用可能な塗布用単位ブロックに対応付けられたグループが停止したときに、
使用可能なグループから対応付けられていない前記使用可能な塗布用の単位ブロックへ基板の搬送先を切り替えるように受け渡し機構が制御されることを特徴とする請求項1または2記載の塗布、現像装置。
The elevating transport block is associated with each of the N-layered application unit blocks, and includes an N group hydrophobizing module for hydrophobizing the substrate before forming the coating film. Prepared,
The first elevating / conveying mechanism is controlled to deliver a substrate from the N group hydrophobizing module to a corresponding application unit block,
When one of the N overlapping application unit blocks is stopped and a group associated with an available application unit block among the N groups is stopped,
3. The coating and developing apparatus according to claim 1, wherein a delivery mechanism is controlled so as to switch a substrate transport destination to a usable coating unit block that is not associated with a usable group. .
前記冷却ステージの周縁部に複数の切り欠きが設けられ、
前記第2の搬送アームは、当該冷却ステージに前記基板を受け渡すために、前記冷却ステージに対して昇降し、
前記切り欠きは当該昇降時に前記第2の搬送アームの複数の爪部を、通過させるために設けられることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
A plurality of notches are provided on the peripheral edge of the cooling stage,
The second transfer arm is moved up and down with respect to the cooling stage to deliver the substrate to the cooling stage;
4. The coating and developing apparatus according to claim 1, wherein the notch is provided to allow the plurality of claw portions of the second transport arm to pass when the elevator is moved up and down.
塗布用の単位ブロックに搬送される前の基板を疎水化処理する疎水化処理モジュールが設けられ、
前記第1の昇降搬送機構に対して前記受け渡しモジュールが設けられる側を、前記左右方向における左側とすると、前記疎水化処理モジュールは、前記第1の昇降搬送機構の右側に設けられることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
A hydrophobic treatment module for hydrophobizing the substrate before being transported to the coating unit block is provided,
When the side on which the delivery module is provided with respect to the first lifting / lowering transport mechanism is the left side in the left-right direction, the hydrophobic treatment module is provided on the right side of the first lifting / lowering transport mechanism. The coating and developing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記処理ブロックは、前記N重化した塗布用の単位ブロックに積層され、露光後の基板に現像液を供給して現像処理する現像モジュールを備えた現像用の単位ブロックを含み、
) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックが設けられ、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々基板を受け渡すための第1の昇降搬送機構と、前記現像用の単位ブロックに対して基板を受け渡すための第2の昇降搬送機構と、多数積層されて設けられた受け渡しモジュールと、を備え、
前記キャリアブロックと前記処理ブロックと前記昇降搬送ブロックとの配列方向を前後方向とすると、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構及び多数の受け渡しモジュールは左右方向に設けられると共に、多数の受け渡しモジュールは、前記第1の昇降搬送機構、第2の昇降搬送機構との間に挟まれるように設けられ、
) 前記第1の昇降搬送機構及び第2の昇降搬送機構は、昇降する昇降基体と、前記昇降基体を鉛直軸回りに回転する回転基台と、第1の搬送アームと、第2の搬送アームと、を夫々備え、
) 前記第1の搬送アーム及び第2の搬送アームは、前記回転基台に対して互いに独立して進退し、
前記第1の搬送アームは基板の裏面を支持すると共に、その進退方向に直交する当該第1の搬送アームの幅は、前記基板の幅より狭く構成され、
前記第2の搬送アームは、基板の側周を囲む二股の囲い部と、前記囲い部の内周縁に複数設けられ、基板の裏面を支持する爪部と、を備え、
) 前記多数積層されて設けられた受け渡しモジュールには、載置された基板を冷却するための冷却液の流路を備えたステージからなる第1の受け渡しモジュールと、前記冷却液の流路を備えていないステージからなる第2の受け渡しモジュールとが含まれる塗布、現像装置を用いた塗布、現像方法において、
前記第1の搬送アームを用いて、前記基板を前記第2の受け渡しモジュールに受け渡す工程と、
前記第2の搬送アームを用いて、前記基板を前記第1の受け渡しモジュールに受け渡す工程と、
を備えることを特徴とする塗布、現像方法。
After the substrate carried into the carrier block by the carrier is transferred to the processing block and a coating film including a resist film is formed in the processing block, the substrate is passed through an interface block located on the opposite side of the processing block from the carrier block. In the coating and developing apparatus, the substrate after exposure that has been transferred to the exposure apparatus and returned through the interface block is developed in the processing block and transferred to the carrier block.
a) The processing block includes a liquid processing module that supplies a chemical solution for forming the coating film to the substrate, a heating module that heats the substrate after the chemical solution is applied, and the substrate between the modules. And a unit block transport mechanism that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block, and stacks unit blocks for coating on each other so that N (N is an integer of 2 or more) Including laminated laminates,
b) The N-layered coating unit blocks are configured such that the same coating film is formed on each other,
c) The processing block includes a developing unit block provided with a developing module that is stacked on the N-layered coating unit block and supplies a developing solution to the substrate after the exposure to perform development processing.
d ) A lifting / lowering transport block is provided between the carrier block and the processing block, and the lifting / lowering transport block is a first lifting / lowering for delivering a substrate to each of the N-layered application unit blocks. A transport mechanism, a second lifting / lowering transport mechanism for delivering the substrate to the unit block for development, and a delivery module provided in a stacked manner,
Assuming that the arrangement direction of the carrier block, the processing block, and the lifting / lowering transport block is the front-rear direction, the first lifting / lowering transport mechanism, the second lifting / lowering transport mechanism, and a number of delivery modules are provided in the left-right direction. The delivery module is provided so as to be sandwiched between the first lifting and lowering transport mechanism and the second lifting and lowering transport mechanism,
e ) The first lifting / lowering transport mechanism and the second lifting / lowering mechanism include a lifting base that moves up and down, a rotating base that rotates the lifting base around a vertical axis, a first transport arm, and a second transport. Each with arm,
f ) The first transfer arm and the second transfer arm advance and retract independently from each other with respect to the rotation base,
The first transfer arm supports the back surface of the substrate, and the width of the first transfer arm perpendicular to the advancing and retreating direction is configured to be narrower than the width of the substrate.
The second transfer arm includes a bifurcated enclosure that surrounds the side periphery of the substrate, and a plurality of claw portions that are provided on the inner periphery of the enclosure and support the back surface of the substrate.
g ) The delivery module provided in a stacked manner includes a first delivery module comprising a stage having a coolant flow path for cooling the mounted substrate, and a flow path for the coolant. In a coating and developing method using a developing device including a second delivery module composed of a stage not provided ,
Transferring the substrate to the second transfer module using the first transfer arm;
Using the second transfer arm to transfer the substrate to the first transfer module ;
A coating and developing method comprising:
前記塗布用の単位ブロックは、
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を備えたことを特徴とする請求項6記載の塗布、現像方法。
The unit block for coating is
A liquid processing module for a lower layer that supplies a chemical solution for forming an antireflection film to a substrate to form an antireflection film on the lower layer side, and a liquid processing that forms a resist film by supplying a resist solution on the antireflection film For pre-stage processing comprising a module, a heating module for heating the substrate, and a transport mechanism for a unit block that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block in order to transport the substrate between these modules Unit block of
A liquid processing module for an upper layer that forms a film on the upper layer side by supplying a chemical liquid for film formation on the upper layer side to the substrate on which the resist film is formed and laminated on the unit block for the previous stage processing, and the substrate A unit block for subsequent processing, comprising a heating module for heating, and a transport mechanism for a unit block that moves on a straight transport path connecting the carrier block and the interface block in order to transport a substrate between these modules; The coating and developing method according to claim 6, further comprising:
前記昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられると共に前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールを備え、
前記第1の昇降搬送機構により、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡す工程と、
前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止すると共に、前記Nグループのうち使用可能な塗布用単位ブロックに対応付けられたグループが停止したときに、
使用可能なグループから対応付けられていない前記使用可能な塗布用の単位ブロックへ基板の搬送先を切り替える工程と、を含むことを特徴とする請求項6または7記載の塗布、現像方法。
The elevating transport block is associated with each of the N-layered application unit blocks, and includes an N group hydrophobizing module for hydrophobizing the substrate before forming the coating film. Prepared,
A step of delivering a substrate from the N group hydrophobization module to the corresponding application unit block by the first lifting and lowering transport mechanism;
When one of the N overlapping application unit blocks is stopped and a group associated with an available application unit block among the N groups is stopped,
8. The coating and developing method according to claim 6, further comprising a step of switching a substrate transport destination from the usable group to the usable coating unit block that is not associated.
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項6ないし8のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
A storage medium storing a computer program used in a coating and developing apparatus,
A storage medium characterized in that the computer program is for carrying out the coating and developing method according to any one of claims 6 to 8.
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