KR101122424B1 - 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 구동 방법 - Google Patents

고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 구동 방법 Download PDF

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Abstract

2행분의 각 화소의 전하를 열마다 축적하는 2개의 캐패시터를 구비함과 함께, 이들 캐패시터의 각각에 축적된 전하에 따른 화소 신호를 각각 출력하는 2개의 전하-전압 변환 앰프를 구비하는 MOS형 고체 촬상 장치로서, 전하-전압 변환 앰프의 입력 단자끼리 선택적으로 단락하는 스위치와, 출력 단자끼리 선택적으로 단락하는 스위치를 설치하고, 제1 구동 모드에서는 스위치를 비 단락 상태로 하여 2선 출력의 형태로 아날로그 신호를 판독하도록 하고, 제2 구동 모드에서는 스위치를 단락 상태로 하여 아날로그 신호의 평균값을 판독하도록 한다.
Figure R1020050011985
고체 촬상 장치, 화소, 캐패시터, 전하, 전하-전압 변환 앰프, 스위치, 구동 모드, 아날로그 신호, 2선 출력, 입력 단자, 출력 단자

Description

고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 구동 방법{SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND DRIVING METHOD THEREFOR}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 MOS형 고체 촬상 장치를 도시하는 개략 구성도.
도 2는 선택 신호, 드레인 전위, 리셋 신호 및 전송 신호의 타이밍 관계를 도시하는 타이밍차트.
도 3은 컬럼 회로에서의 S/H 회로 부분의 1열분의 구성 및 출력 회로부의 구성의 일례를 도시하는 회로도.
도 4a는 전하-전압 변환 앰프에서의 전하-전압 변환의 원리의 설명도로서, 리셋상(reset phase)의 등가 회로.
도 4b는 전하-전압 변환 앰프에서의 전하-전압 변환의 원리의 설명도로서, 샘플상(sample phase)의 등가 회로.
도 5는 리셋 펄스 및 스위치 제어 펄스의 타이밍 관계를 도시하는 타이밍차트.
도 6은 전류-전압 변환 앰프의 구성의 일례를 도시하는 회로도.
도 7은 본 발명의 변형예에 따른 수평 스캔 방식의 CCD형 고체 촬상 장치를 도시하는 개략 구성도.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 카메라(또는 카메라 모듈)의 구성 도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11, 61 : 화소
12 : 화소 영역
15-1～15-n, 64-1～64-n : 수직 신호선
16 : 수직 구동 회로
17 : 컬럼 회로
18 : 수평 주사 회로
19 : 수평 선택 스위치 제어 회로
20 : 출력 회로부
21-1, 21-2 : 수평 신호선
22-1, 22-2 : 수평 선택 스위치
23-1, 23-2 : 전하-전압 변환 앰프
24-1, 24-2 : 샘플 홀드(S/H) 회로
25, 26 : 스위치
27-1, 27-2 : 아날로그 출력 단자
31-1, 31-2 : 샘플링 스위치
32-1, 32-2 : 캐패시터
41, 51 : 오피 앰프
44 : 리셋 스위치
50 : 전류-전압 변환 앰프
62-1～62-n : 수직 전송부
63-1～63-n : 전하 검출부
본 발명은 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 구동 방법에 관한 것으로, 특히 수평 스캔 방식의 고체 촬상 장치 및 수평 스캔 방식의 고체 촬상 장치의 구동 방법에 관한 것이다.
고체 촬상 장치를 촬상 디바이스로서 이용한 디지털 스틸 카메라 등의 카메라 모듈에서, 고체 촬상 장치의 모든 화소의 정보를 이용하는 정지 화상 모드에 대하여, 예를 들면 피사체를 모니터링하는 모니터 모드에서는 화소 정보를 가산하거나 화소 정보를 스킵핑(skipping)하거나 함으로써 해상도를 낮추는 처리가 행하여진다. 이와 같이, 저해상도에서 화소 정보의 판독을 행하는 고체 촬상 장치에서는, 종래, 수평 주사 회로로부터 복수 열분의 수평 주사 펄스
Figure 112005007638496-pat00001
H를 동시에 활성화하여, 복수의 열에 동시에 액세스를 행함으로써, 수평 신호선 상에서 수평 방향(가로 방향)의 복수 화소분의 화소 정보를 가산하도록 하고 있었다(예를 들면, 일본특허공개 평11-146278호 공보 참조).
그러나, 상기 종래예에 따른 고체 촬상 장치에서는, 수평 방향의 화소 가산을 전제로 한 구성의 것이기 때문에, 예를 들면 디지털 스틸 카메라의 촬상 디바이스로서 이용하는 경우에, 수직 방향(세로 방향)의 화소 가산이 필요한 모니터 모드에는 대응할 수 없다. 또한, 1개의 수평 신호선을 통해서 1행마다 화소 정보를 판독해야 하기 때문에, 정지 화상 모드에서의 모든 화소 판독의 고속화에 대응할 수 없다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 것은, 모든 화소의 정보를 판독할 때의 고속화에 대응 가능함과 함께, 수직 방향에서의 정밀도가 좋은 화소 가산이 가능한 고체 촬상 장치 및 그 고체 촬상 장치의 구동 방법을 제공하는 것에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 고체 촬상 장치는, 광전 변환부를 각각 포함하는 화소들이 행렬 형상으로 2차원 배치되어 있는 화소 어레이 영역과, 상기 화소 어레이 영역으로부터 수직 신호선을 통해 출력되는 복수 행의 각 화소의 전하를 열마다 축적하는 복수의 캐패시터와, 상기 복수의 캐패시터의 각각에 축적된 전하에 따른 아날로그 신호를 각각 출력하는 복수의 출력 회로와, 상기 복수의 출력 회로의 입력 단자끼리 선택적으로 단락하는 스위치 수단을 포함하는 구성으로 되어 있다. 그리고, 이 고체 촬상 장치에서, 상기 스위치 수단을 비 단락 상태로 하여 상기 복수의 출력 회로로부터 독립적으로 아날로그 신호를 판독하는 제1 구동 모드와, 상기 스위치 수단을 단락 상태로 하여 상기 복수의 출력 회로로부터 각 아날로그 신호의 평균값을 판독하는 제2 구동 모드를 적절하게 선택적으로 설정하도록 한다.
상기 구성의 고체 촬상 장치에서, 제1 구동 모드에서는 복수의 캐패시터의 각각에 축적된 전하에 따른 아날로그 신호가 복수의 출력 회로를 통해 독립적으로 출력되기 때문에, 복수 행의 화소의 정보를 병행하여 판독하는 것이 가능하다. 또한, 제2 구동 모드에서는 복수의 출력 회로의 입력 단자끼리 단락함으로써, 복수 행의 화소의 정보가 화소마다 가산되어, 단순한 합이 아니라 평균값으로서 판독된다.
본 발명에 따르면, 제1 구동 모드에서는, 복수행의 화소 정보가 병렬로 판독될 수 있기 때문에, 모든 화소의 고속 판독에 대응할 수 있다. 제2 구동 모드에서는, 복수행의 화소의 정보가 각 화소마다 가산되어 평균이 판독되기 때문에, 수직 방향의 화소 가산이 실현될 수 있다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상 장치를 도시하는 개략 구성도이다. 여기서는, MOS형 고체 촬상 장치에 본 발명을 적용한 경우를, 예를 들어 설명하는 것으로 한다.
도 1에서, 광전 변환부, 예를 들면 포토다이오드 PD를 포함하는 화소(화소 회로)(11)는 m행 n열의 화소 배열로서 2차원 배열됨으로써, 화소 어레이 영역(12)을 구성하고 있다. 이 화소 어레이 영역(12)에는, 화소(11)의 행렬 형상의 배열에 대하여 행마다 전송 제어선(13-1～13-m) 및 리셋 제어선(14-1～14-m)이 배선되고, 열마다 수직 신호선(15-1～15-n)이 배선되어 있다. 화소(11)는, 포토다이오드 PD 이외에, 예를 들면 전송 트랜지스터 Q11, 증폭 트랜지스터 Q12 및 리셋 트랜지스터 Q13을 갖는 3 트랜지스터의 화소 구성으로 되어 있다. 전송 트랜지스터 Q11, 증폭 트랜지스터 Q12 및 리셋 트랜지스터 Q13은, 예를 들면 N 채널의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있다.
이러한 화소(화소 회로)(11)에서, 포토다이오드 PD는 애노드 전극이 접지되어 설치되어 있다. 전송 트랜지스터 Q11은, 소스가 포토다이오드 PD의 캐소드 전극에, 드레인이 FD(플로팅 디퓨전)부에, 게이트가 전송 제어선(13-1～13-m)에 각각 접속되어 있고, 포토다이오드 PD에서 광전 변환하여 얻어지는 신호 전하(광전자)를 FD부에 전송한다. 여기서, FD부는 기생 용량을 갖고 있는 확산층이다. 증폭 트랜지스터 Q12는, 게이트가 FD부에, 드레인이 드레인 전위 DRN에, 소스가 대응 수직 신호선(15-1～15-n)에 각각 접속되어 있고, FD부의 전위에 대응한 신호(리셋 레벨/신호 레벨)를 대응 수직 신호선(15-1～15-n)에 출력한다. 리셋 트랜지스터 Q13은, 소스가 FD부에, 드레인이 드레인 전위 DRN에, 게이트가 대응 리셋 제어선(14-1～14-m)에 각각 접속되어 있고, FD부의 전위를 드레인 전위 DRN으로 리셋한다.
또한, 여기서는, 화소(화소 회로)(11)의 구성으로서 3 트랜지스터 구성의 경우를 예로 들었지만, 이 구성의 것에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 화소를 선택하는 선택 트랜지스터를 갖는 4 트랜지스터 구성의 것 등이어도 되며, 그 구성은 불문하는 것으로 한다.
화소 어레이 영역(12)의 주변에는, 수직 구동 회로(16), 신호 처리 수단으로 서의 컬럼 회로(17), 수평 구동 회로로서의 수평 주사 회로(18) 및 수평 선택 스위치 제어 회로(19), 및 출력 회로부(20)가 설치되어 있다.
수직 구동 회로(16)는, 예를 들면 시프트 레지스터 등으로 구성되고, 화소 어레이 영역(12)의 각 화소(11)를 행 단위로 선택함과 함께, 선택 행의 화소(11)에 대하여 대응 전송 제어선(13-1～13-m)을 통해서 전송 신호 TRF를, 대응 리셋 제어선(14-1～14-m)을 통해서 리셋 신호 RST를 각각 공급한다. 여기서, 화소(11)의 행 단위로의 선택은, 수직 주사에 동기하여 수직 구동 회로(16)로부터 선택 신호 SEL이 전원 제어 회로(도시 생략)에 공급되고, 이것에 응답하여 그 전원 제어 회로로부터 선택 행의 화소(11)에 드레인 전위 DRN이 공급됨으로써 행해진다.
도 2에 선택 신호 SEL, 드레인 전위 DRN, 리셋 신호 RST 및 전송 신호 TRF의 타이밍 관계를 도시한다. 선택 신호 SEL에 기초하여 화소(11)의 행 단위로의 선택이 행하여진다. 그리고, 선택 행에서, 리셋 신호 RST가 화소(11)에 공급됨으로써 FD부의 전위가 드레인 전위 DRN에 리셋되고, 그 리셋 후의 FD부의 전위가 리셋 레벨로서 증폭 트랜지스터 Q12를 통하여 대응 수직 신호선(15-1～15-n)에 출력된다. 그 후, 전송 신호 TRF가 화소(11)에 공급됨으로써 포토다이오드 PD에서 광전 변환된 신호 전하가 FD부에 전송되고, 그 전송 후의 FD부의 전위가 신호 레벨로서 증폭 트랜지스터 Q12를 통하여 대응 수직 신호선(15-1～15-n)에 출력된다.
수직 신호선(15-1～15-n)의 일단으로부터 추출되는 신호는 컬럼 회로(17)에 공급된다. 컬럼 회로(17)는, 예를 들면 CDS(Correlated Double Sampling ; 상관 이중 샘플링) 회로 및 S/H(샘플 홀드) 회로 등의 신호 처리 회로로 구성되어 있고, 수평 블랭킹 기간 중에 화소 어레이 영역(12)의 예를 들면 2개의 선택 행의 각 화소(11)로부터 출력되는 리셋 레벨과 신호 레벨을 열마다 취득하고, 이들 레벨의 차를 취함으로써, 화소(11)의 고정 패턴 노이즈를 제거하는 처리를 행함과 함께, 예를 들면 2행분의 화소의 전하를 샘플 홀드한다.
도 3에 컬럼 회로(17)에서의 S/H 회로 부분의 1열분의 구성의 일례를 도시한다. 도 3으로부터 분명한 바와 같이, 1열분의 컬럼 회로(17)의 S/H 회로 부분은 화소 어레이 영역(12)의 예를 들면 2행분의 화소로부터 판독되고, 상기 CDS 회로에 의해서 노이즈 제거 처리된 2계통의 전하에 대하여 샘플 홀드하기 위해, 수직 신호선(15)과 기준 전위, 예를 들면 접지 전위와의 사이에, 샘플링 스위치(31-1) 및 캐패시터(32-1)가 서로 직렬로 접속됨과 함께, 샘플링 스위치(31-2) 및 캐패시터(32-2)가 서로 직렬로 접속된 구성으로 되어 있다. 그리고, 샘플링 스위치(31-1, 31-2)는 수직 신호선(15)을 통하여 공급되는 2행분의 화소의 신호를 각각 샘플링하여 캐패시터(32-1, 32-2)에 축적한다.
컬럼 회로(17)가 2계통의 전하를 처리하는 데 대응하여, 2개의 수평 신호선(21-1, 21-2)이 배선되어 있다. 또한, 샘플링 스위치(31-1) 및 캐패시터(32-1)의 공통 접속 노드 N11과 수평 신호선(21-1)과의 사이에 수평 선택 스위치(22-1)가 접속되고, 샘플링 스위치(31-2) 및 캐패시터(32-2)의 공통 접속 노드 N12와 수평 신호선(21-1)과의 사이에 수평 선택 스위치(22-2)가 접속되어 있다. 이들 수평 선택 스위치(22-1, 22-2)는 수평 주사 회로(18) 및 수평 선택 스위치 제어 회로(19)와 함께 수평 구동 회로를 구성하고 있다.
수평 주사 회로(18)는, 예를 들면 시프트 레지스터로 구성되고, 수평 주사 기간(유효 화소 기간)에서 수평 주사 펄스
Figure 112005007638496-pat00002
H1～
Figure 112005007638496-pat00003
Hn을 순서대로 출력한다. 수평 선택 스위치 제어 회로(19)는, 수평 주사 회로(18)로부터 순서대로 출력되는 수평 주사 펄스
Figure 112005007638496-pat00004
H1～
Figure 112005007638496-pat00005
Hn에 동기하여, 2계통의 스위치 제어 펄스
Figure 112005007638496-pat00006
S1-1,
Figure 112005007638496-pat00007
S1-2～
Figure 112005007638496-pat00008
Sn-1,
Figure 112005007638496-pat00009
Sn-2를 순차적으로 출력하고, 수평 선택 스위치(22-1, 22-2)를 구동 제어한다. 수평 선택 스위치(22-1, 22-2)는 스위치 제어 펄스
Figure 112005007638496-pat00010
S1-1,
Figure 112005007638496-pat00011
S1-2～
Figure 112005007638496-pat00012
Sn-1,
Figure 112005007638496-pat00013
Sn-2가 공급됨으로써, 온(폐쇄) 상태로 되어, 캐패시터(32-1, 32-2)에 각각 축적되어 있는 전하를, 수평 신호선(21-1, 21-2)을 통하여 출력 회로부(20)에 공급한다.
도 3은 S/H 회로 부분의 1열분의 구성과 함께 출력 회로부(20)의 구성의 일례를 도시하는 회로도이다.
도 3으로부터 분명한 바와 같이, 출력 회로부(20)는, 수평 신호선(21-1, 21-2)에 각각 대응하여 설치된 2개의 출력 회로, 예를 들면 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)와, 이들 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 출력측에 설치된 S/H 회로(24-1, 24-2)와, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 선택적으로 단락하는 스위치(25)와, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 출력 단자끼리 선택적으로 단락하는 스위치(26)를 구비하는 구성으로 되어 있다. 여기서, 스위치(26)는 필수적인 것이 아니다. 그 이유에 대해서는 나중에 상세하게 설명한다.
전하-전압 변환 앰프(23-1)는, 수평 신호선(21-1)의 출력단에 반전(-) 입력 단자가 접속되고, 비반전(+) 입력 단자에 참조 전압 Vref가 공급되는 오피 앰프(41)와, 이 오피 앰프(41)의 반전 입력 단자와 출력 단자 사이에 서로 직렬 접속된 스위치(42a), 피드백 캐패시터(43) 및 스위치(42b)와, 오피(operational) 앰프(41)의 반전 입력 단자와 출력 단자 사이에 접속된 리셋 스위치(44)를 구비하는 구성으로 되어 있고, 수평 신호선(21-1)을 통하여 공급되는 전하를 전압으로 변환한다. 또한, 스위치(42a1 내지 42ak), 피드백 캐패시터(43-1 내지 43-k) 및 스위치(42b1 내지 42bk)는 전하-전압 변환 앰프(23-1)의 게인을 임의로 설정할 수 있도록, k조(k는 2 이상의 정수) 설치되어 있다. 전하-전압 변환 앰프(23-2)도 전하-전압 변환 앰프(23-1)와 완전히 동일한 구성으로 되어 있다.
S/H 회로(24-1, 24-2)는 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 각 출력 신호의 데이터부를 샘플 홀드한다. 이 S/H 회로(24-1, 24-2)의 각 홀드 데이터(화소 데이터)는 화소(11)에서 광전 변환된 전하에 따른 화소 신호(아날로그 신호)로서 2계통의 출력 단자(27-1, 27-2)로부터 도출된다. 스위치(25, 26)는 상호 연동하고, 수직 방향의 화소 가산을 행하여 저해상도에서 화소 정보의 판독을 행하는 구동 모드 시에, 그 구동 모드를 지정하는 모드 신호에 응답하여 온(폐쇄) 상태로 되며, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 및 출력 단자끼리 각각 단락한다.
여기서, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)에서의 전하-전압 변환의 원리에 대하여 도 4a 내지 도 4b를 이용하여 설명한다. 여기서는, 전하-전압 변환 앰프(23-1)를, 예를 들어 설명하지만, 전하-전압 변환 앰프(23-2)에 대해서도 그 원리 는 완전히 동일하다. 임의의 열 i의 캐패시터(32-1i)에 축적되어 있는 전하에 따른 전위를 Vm, 전하-전압 변환 앰프(23-1)의 참조 전위를 Vref라고 한다.
도 5의 타이밍차트에서, 리셋 펄스 RP가 활성화(고레벨)로 되는 도 4a에 도시된 리셋상에서는, 리셋 펄스 RP에 응답하여 리셋 스위치(44)가 온하면, 오피 앰프(41)의 반전 입력 단자와 비반전 입력 단자가 단락된다. 이에 의해, 전하-전압 변환 앰프(23-1)는 볼티지 팔로워(voltage follower)로서 기능하기 때문에, 수평 신호선(21-1)의 전위 및 전하-전압 변환 앰프(23-1)의 출력 전위가 참조 전위 Vref로 된다. 여기서, 캐패시터(32-1i)의 용량값을 C1이라고 하면, 그 캐패시터(32-1i)에는
Q1=Vm?C1
으로 되는 전하량의 전하가 축적되어 있다.
리셋 펄스 RP가 비활성화(저레벨)로 되는 도 4b에 도시된 샘플상에서는, 리셋 스위치(44)가 오프하고, 또한 수평 주사 펄스
Figure 112005007638496-pat00014
H에 동기한 스위치 제어 펄스
Figure 112005007638496-pat00015
Si-1에 응답하여 수평 선택 스위치(22-1i)가 온하기 때문에, 캐패시터(32-1i)가 수평 선택 스위치(22-1i)를 통하여 수평 신호선(21-1)에 접속된다. 이 때, 수평 신호선(21-1)의 전위는 전하-전압 변환 앰프(23-1)에 의해 참조 전위 Vref로 유지되기 때문에, 캐패시터(32-1i)의 전하량은 전하량 Q1으로부터
Q2=Vref?C1
으로 되는 전하량 Q2로 변화한다.
이러한 전하량의 변화량(차분량) ΔQ(=Q1-Q2)가 전하-전압 변환 앰프(23-1)의 피드백 캐패시터(43)의 부분에 나타난다. 그 결과, 피드백 캐패시터(43)의 용량값을 C2(피드백 캐패시터(43-1～43-k) 중 어느 하나의 용량값 또는 복수의 조합의 합성 용량값)로 하면, 캐패시터(32-1i)에 축적된 전하가 아래의 식으로 표현되는 전압 Vout으로 변환된다.
Vout=Vref+{(C1/C2)?(Vref-Vm)}
도 3을 다시 참조하여 설명한다. 본 실시예에 따른 고체 촬상 장치에서는, 캐패시터(32-1, 32-2) 및 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)를 2계통 갖는 구성으로 되어 있기 때문에, 화소 정보를 고속으로 판독하는 구동 모드를 채용할 필요가 있는 경우에는, 스위치(25, 26)를 모두 오프 상태로 하고, 출력 회로인 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 및 출력 단자끼리 각각 비 단락 상태로 하여 2계통의 회로계를 2선 출력이라고 하는 형태로 이용함으로써, 아날로그 출력 단자(27-1, 27-2)로부터 2행분의 아날로그 화소 신호를 독립적으로 병행하여 판독하는 것이 가능하다.
한편, 저해상도에서 화소 정보의 판독을 행하는 구동 모드를 채용할 때에는, 동일한 회로계를 사용하여 수직 방향에서의 화소 가산을 행할 수 있다. 구체적으로는, 스위치(25)를 온시켜 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 단락 상태로 함으로써 수직 방향에서 2 화소의 화소 가산을 행할 수 있다. 이와 같이, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 단락함으로써, 2계통의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 각 오프셋을 무시하면, 원리적으로, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 각 출력은, 2행분의 아날로그 화상 신호가 화소마다 가산되어, 단순한 합이 아니라 평균값으로 되어, 각각의 출력이 동일한 값으로 된다.
따라서, 아날로그 출력 단자(27-1, 27-2)의 어느 쪽이든 한쪽으로부터, 화소 가산하여 평균화한 화소 신호를 판독하도록 하면 된다. 아날로그 출력 단자(27-1, 27-2)의 어느 쪽이든 한쪽으로부터 화소 신호를 판독하기 위해서는, 일반적으로 스위치와 캐패시터의 조합으로 이루어지는 S/H 회로(24-1, 24-2)의 한쪽 스위치만을 온 상태로 하면 된다. 이 때, 오프 상태에 있는 스위치측의 S/H 회로(24-1 또는 24-2)로부터 본 부하가 낮아지기 때문에, 그만큼 고속 판독을 행할 수 있다.
또한, 스위치(25)에 연동시켜 스위치(26)도 온시켜, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리뿐만 아니라, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 출력 단자끼리도 단락함으로써, 2계통의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)에 각각 오프셋이 있었다고 하여도, 이들 오프셋을 부정한 평균값을 출력할 수 있다. 즉, 2계통의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 및 출력 단자끼리 각각 단락함으로써, 이들 2개의 전하-전압 변환 앰프 앰프(23-1, 23-2)가 큰 1개의 전하-전압 변환 앰프로서 기능하게 된다.
단, 저해상도에서 화소 정보의 판독을 행하는 구동 모드일 때에도, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 후단에 있는 2계통의 S/H 회로(24-1, 24-2)의 각 스위치를 양쪽 모두 온 상태로 하여, 아날로그 출력 단자(27-1, 27-2)의 양쪽으로부터 동일한 값의 평균값을 판독하는 것도 가능하다. 이와 같이, 2계통의 S/H 회로(24-1, 24-2)의 각 스위치를 양쪽 모두 온 상태로 해 두면, 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)로부터 본 부하가 2선 출력으로서 사용하는 구동 모드의 경우와 완전히 동일하게 되기 때문에, 2개의 구동 모드에서 서로 다른 부하 상태를 상정한 앰프의 설계를 행할 필요가 없어져, 그만큼 앰프의 설계가 용이하게 된다.
상술한 바와 같이, 복수 행, 예를 들면 2행의 각 화소의 전하를 열마다 축적하는 2개의 캐패시터(32-1, 32-2)를 구비함과 함께, 이들 캐패시터(32-1, 32-2)의 각각에 축적된 전하에 따른 아날로그 신호를 각각 출력하는 2개의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)를 구비하는 MOS형 고체 촬상 장치에서, 2개의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 선택적으로 단락하는 스위치(25)를 설치하고, 바람직하게는 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 출력 단자끼리 선택적으로 단락하는 스위치(26)도 설치함으로써, 스위치(25, 26)를 비 단락 상태(오프 상태)로 하여 2개의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)로부터 독립적으로 아날로그 신호를 판독하는 제1 구동 모드와, 스위치(25, 26)를 단락 상태(온 상태)로 하여 2개의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)로부터 각 아날로그 신호의 평균값을 판독하는 제2 구동 모드의 2개의 모드에서의 구동이 선택적으로 가능하게 된다.
그리고, 제1 구동 모드에서는, 스위치(25, 26)를 함께 오프 상태로 하여 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 및 출력 단자끼리 각각 비 단락 상태로 함으로써, 2계통의 회로계를 2선 출력이라고 하는 형태로 이용하여, 아날로그 출력 단자(27-1, 27-2)로부터 2행분의 아날로그 화상 신호를 독립적으로 병행하여 판독하는 것이 가능하다. 이와 같이, 2선 출력의 형태를 채용함으로써, 정지 화상 모드 등 모든 화소의 화소 정보를 판독할 때에 고속 판독을 실현할 수 있다. 단, 2선 출력의 형태에 한하지 않고, 2계통의 캐패시터(32-1, 32-2) 및 2개의 전하 -전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 한쪽만을 사용하여 1선 출력의 형태를 채용하는 것도 가능하다.
한편, 제2 구동 모드에서는, 스위치(25)를 온 상태로 하여 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자끼리 단락 상태로 함으로써, 2행분의 아날로그 화소 신호를 화소마다 가산하여, 단순한 합이 아니라 평균값으로서 판독하는 것이 가능하다. 또한, 스위치(26)도 온 상태로 하여 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 출력 단자끼리도 단락 상태로 함으로써, 2계통의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)에 각각 오프셋이 있었다고 하여도, 이들 오프셋을 부정하는 것이 가능하기 때문에, 오프셋이 포함되지 않은 평균값을 출력할 수 있다. 이와 같이, 수직 방향에서 2 화소 가산을 행함으로써, 저해상도의 판독을 실현할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 캐패시터(32-1, 32-2) 및 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)를 2계통 설치한 경우를, 예를 들어 설명하였지만, 2계통에 한정되는 것이 아니고, 3계통 이상 설치하여, 수직 방향에서 3 화소 이상의 화소 가산을 행하여, 더욱 저해상도에서 판독을 행하도록 하는 것도 가능하다. 이 경우에도, f개(f는 3 이상의 정수)의 전하-전압 변환 앰프(23-1～23-f)의 입력 단자 사이 및 출력 단자 사이에 각각 스위치를 설치함으로써, 제1 구동 모드에서는 f선 출력, 제2 구동 모드에서는 수직 방향에서의 f 화소 가산을 각각 실현할 수 있다.
부언하면, 상기 실시예에서는, 수직 방향에서의 화소 가산에 대해서만 설명하였지만, 수평 방향에서의 화소 가산에 대해서는 주지의 기술을 적용하여, 수평 주사 시에, 수평 주사 회로(18)로부터 복수 열분의 수평 주사 펄스
Figure 112005007638496-pat00016
H를 동시에 활성화하여, 복수의 열에 동시에 액세스를 행함으로써, 수평 신호선(21-1, 21-2) 상에서 수평 방향(가로 방향)의 복수 화소분의 정보를 가산할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 캐패시터(32-1, 32-2)의 각각에 축적된 전하에 따른 아날로그 신호를 각각 출력하는 출력 회로로서, 전하를 전압으로 변환하는 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)를 이용한 경우를, 예를 들어 설명하였지만, 전하-전압 변환 앰프에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 도 6에 도시하는 바와 같이, 참조 전압 Vref를 비반전 입력으로 하는 오피 앰프(51)와, 그 오피 앰프(51)의 반전 입력 단자에 접속된 입력 저항(52)과, 오피 앰프(51)의 출력 단자와 반전 입력 단자 사이에 접속된 귀환 저항(53)을 구비하는 구성의 전류-전압 변환 앰프(50)를 이용하는 것도 가능하다.
이러한 전류-전압 변환 앰프(50)에서, 귀환 저항(53)의 저항값을 R이라고 하면, 캐패시터에 축적된 전하에 따른 전류 I가 입력 저항(52)에 유입됨으로써, 오피 앰프(51)의 출력 전압 Vout은
Vout=I?R
로 된다.
여기서, 입력 저항(52)은 발진 방지를 위한 것으로서, 연산에는 기여하지 않는다. 이러한 전류-전압 변환 앰프(50)를 출력 회로로서 이용하여, 제2 구동 모드에서 입력 단자끼리 및 출력 단자끼리 단락함으로써, 2개의 귀환 저항(53-1, 53-2)이 서로 병렬로 접속된 상태로 되어, 합성 저항값이 R/2로 되기 때문에, 캐패시터(32-1, 32-2)의 각각에 축적된 전하에 따른 전류가 서로 동일하다고 가정하면, 이 때의 출력 전압 Vout도
Vout=2I?(R/2)=I?R
로 되어, 수직 방향에서의 2 화소의 정보를 가산하여 평균화한 것으로 된다.
또한, 상기 실시예에서는, 캐패시터(32-1, 32-2) 및 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)를 2개의 수평 신호선(21-1, 21-2)의 각각에 대응하여 설치하고, 이들 수평 신호선(21-1, 21-2)을 통해서 캐패시터(32-1, 32-2)로부터 각각 출력되는 전하를 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)에서 각각 전압으로 변환하는 구성의 MOS형 고체 촬상 장치에 적용한 경우를, 예를 들어 설명하였지만, 그 이외에도, 예를 들면, 노이즈 저감을 목적으로 하여, 캐패시터(32-1, 32-2) 및 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)를 수직 신호선(15-1～15-n)마다 설치하고, 캐패시터(32-1, 32-2)로부터 각각 출력되는 전하를 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)에 의해 전압으로 변환하여 수평 신호선(21-1, 21-2)에 출력하는 구성의 MOS형 고체 촬상 장치의 적용에도 마찬가지로 적용하는 것이 가능하다.
이 경우에는, 수평 신호선(21-1, 21-2)에는 S/H 회로(24-1, 24-2)만이 설치된다. 또한, 수직 신호선(15-1～15-n)마다 2개의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)의 입력 단자 사이에 스위치(25)를 설치하고, 2개의 수평 신호선(21-1, 21-2) 사이에 스위치(26)를 설치함으로써, 제2 구동 모드 시에, 수직 신호선(15-1～15-n)마다 설치된 2개의 전하-전압 변환 앰프(23-1, 23-2)에 대하여, 입력 단자끼리 및 출력 단자끼리 단락 상태로 할 수 있기 때문에, 상기 실시예의 경우와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 화소(11)마다 광전 변환하여 얻은 전하를 전기 신호로 변환한 후 수직 신호선(15-1～15-n)에 판독하고, 그러한 후, 수평 스캔에 의해 출력하는 수평 스캔 방식의 MOS 구성의 MOS형 고체 촬상 장치에 본 발명을 적용한 경우를, 예를 들어 설명하였지만, 도 7에 도시하는 바와 같이, 화소(61)에서 광전 변환하여 얻은 전하를 수직 화소 열마다 배치된 수직 전송부(수직 CCD)(62-1～62-n)에 의해 수직 전송한 후, 각 수직 화소 열마다 수직 전송부(62-1～62-n)의 후단에 설치된 전하 검출부(예를 들면, 전하-전압 변환부)(63-1～63-n)에 의해 전기 신호로 변환되고, 수직 신호선(64-1～64-n)을 통해 판독하여, 그러한 후, 수평 스캔에 의해 출력하는 수평 스캔 방식의 CCD(Charge Coupled Device)형 고체 촬상 장치에도 본 발명을 마찬가지로 적용할 수 있다. 또한, 도 7에서, 컬럼 회로(17), 수평 주사 회로(18), 수평 선택 스위치 제어 회로(19) 및 출력 회로부(20)의 구성에 대해서는 도 1의 경우와 동일하다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 고체 촬상 장치는, 예를 들면 정지 화상 모드(제1 구동 모드) 및 모니터 모드(제2 구동 모드)를 갖는 디지털 스틸 카메라 등의 카메라 모듈의 촬상 디바이스로서, 나아가서는 정지 화상 모드 및 모니터 모드를 갖는 카메라 기능을 탑재한 휴대 전화기로 대표되는 휴대 단말 장치의 촬상 디바이스로서 이용된다.
본 발명에 따르면, 제1 구동 모드에서는, 복수 행의 화소의 정보를 병행하여 판독하는 것이 가능하기 때문에, 모든 화소의 정보를 판독할 때의 고속화에 대응할 수 있다. 또한, 제2 구동 모드에서는, 복수 행의 화소의 정보가 화소마다 가산되고, 평균화되어 판독되기 때문에, 수직 방향에서의 화소 가산이 가능하게 된다.

Claims (24)

  1. 고체 촬상 장치로서,
    광전 변환부를 각각 포함하는 화소들이 행렬 형상으로 2차원 배치되어 있는 화소 어레이 영역과,
    상기 화소 어레이 영역으로부터 수직 신호선을 통해 출력되는 복수 행의 화소의 전하를 열마다 축적하는 복수의 캐패시터와,
    상기 복수의 캐패시터에 축적된 전하에 대응하는 아날로그 신호를 출력하는 복수의 출력 회로와,
    상기 복수의 출력 회로의 입력 단자를 선택적으로 단락하는 제1 스위치 수단과,
    상기 복수의 출력 회로의 출력 단자를 선택적으로 단락하는 제2 스위치 수단
    을 포함하고,
    상기 복수의 캐패시터 및 상기 복수의 출력 회로는 복수의 수평 신호선에 대응하도록 설치되어 있고, 상기 복수의 수평 신호선을 통해 상기 복수의 캐패시터로부터 출력되는 전하를 상기 복수의 출력 회로에 의해 전압으로 변환하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 수평 신호선을 통해 상기 복수의 캐패시터로부터 출력되는 상기 전하에 대응하는 전류를 상기 복수의 출력 회로에 의해 전압으로 변환하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 캐패시터 및 상기 복수의 출력 회로는 상기 수직 신호선마다 설치되어 있고,
    상기 복수의 캐패시터로부터 출력되는 상기 전하를 상기 복수의 출력 회로에 의해 전압으로 변환하여 상기 복수의 수평 신호선에 출력하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  6. 고체 촬상 장치로서,
    광전 변환부를 각각 포함하는 화소들이 행렬 형상으로 2차원 배치되어 있는 화소 어레이 영역과,
    상기 화소 어레이 영역으로부터 수직 신호선을 통해 출력되는 복수 행의 화소의 전하를 열마다 축적하는 복수의 캐패시터와,
    상기 복수의 캐패시터에 축적된 전하에 대응하는 아날로그 신호를 출력하도록 구성된 복수의 출력 회로와,
    상기 복수의 출력 회로의 입력 단자를 선택적으로 단락하는 제1 스위치 수단과,
    상기 제1 스위치 수단을 비 단락 상태로 하여 상기 복수의 출력 회로로부터 아날로그 신호를 독립적으로 판독하는 제1 구동 모드와,
    상기 제1 스위치 수단을 단락 상태로 하여 상기 복수의 출력 회로로부터 아날로그 신호의 평균값을 판독하는 제2 구동 모드
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 스위치 수단에 연동하여 상기 복수의 출력 회로의 출력 단자를 선택적으로 단락하는 제2 스위치 수단
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치.
  8. 광전 변환부를 각각 포함하는 화소들이 행렬 형상으로 2차원 배치되어 있는 화소 어레이 영역과,
    상기 화소 어레이 영역으로부터 수직 신호선을 통해 출력되는 복수 행의 화소의 전하를 열마다 축적하는 복수의 캐패시터와,
    상기 복수의 캐패시터에 축적된 전하에 대응하는 아날로그 신호를 출력하도록 구성된 복수의 출력 회로와,
    상기 복수의 출력 회로의 입력 단자를 선택적으로 단락하는 제1 스위치 수단
    을 포함하는 고체 촬상 장치의 구동 방법으로서,
    상기 제1 스위치 수단을 비 단락 상태로 하여, 상기 복수의 출력 회로로부터 아날로그 신호를 독립적으로 판독하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 고체 촬상 장치는
    상기 제1 스위치 수단에 연동하여 상기 복수의 출력 회로의 출력 단자를 선택적으로 단락하는 제2 스위치 수단
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 출력 회로 중 하나의 출력 회로로부터 상기 아날로그 신호를 판독하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 출력 회로로부터 병행하여 상기 아날로그 신호를 판독하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  12. 광전 변환부를 각각 포함하는 화소들이 행렬 형상으로 2차원 배치되어 있는 화소 어레이 영역과,
    상기 화소 어레이 영역으로부터 수직 신호선을 통해 출력되는 복수 행의 화소의 전하를 열마다 축적하는 복수의 캐패시터와,
    상기 복수의 캐패시터에 축적된 전하에 대응하는 아날로그 신호를 출력하도록 구성된 복수의 출력 회로와,
    상기 복수의 출력 회로의 입력 단자를 선택적으로 단락하는 제1 스위치 수단과,
    상기 제1 스위치 수단에 연동하여 상기 복수의 출력 회로의 출력 단자를 선택적으로 단락하는 제2 스위치 수단
    을 포함하는 고체 촬상 장치의 구동 방법으로서,
    상기 제1 스위치 수단을 단락 상태로 하여, 상기 복수의 출력 회로로부터 아날로그 신호의 평균값을 판독하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  13. 삭제
  14. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 출력 회로의 전부로부터 상기 평균값을 판독하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 출력 회로 중 하나의 출력 회로로부터 상기 평균값을 판독하고, 나머지 출력 회로의 출력측을 차단 상태로 하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  16. 광전 변환부를 각각 포함하는 화소들이 행렬 형상으로 2차원 배치되어 있는 화소 어레이 영역과,
    상기 화소 어레이 영역으로부터 수직 신호선을 통해 출력되는 복수 행의 화소의 전하를 열마다 축적하는 복수의 캐패시터와,
    상기 복수의 캐패시터에 축적된 전하에 대응하는 아날로그 신호를 출력하도록 구성된 복수의 출력 회로와,
    상기 복수의 출력 회로의 입력 단자를 선택적으로 단락하는 제1 스위치 수단
    을 포함하는 고체 촬상 장치의 구동 방법으로서,
    상기 제1 스위치 수단을 비 단락 상태로 하여 상기 복수의 출력 회로로부터 아날로그 신호를 독립적으로 판독하는 제1 구동 모드와, 상기 제1 스위치 수단을 단락 상태로 하여 상기 복수의 출력 회로로부터 아날로그 신호의 평균값을 판독하는 제2 구동 모드로 상기 고체 촬상 장치를 선택적으로 구동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 고체 촬상 장치는
    상기 제1 스위치 수단에 연동하여 상기 복수의 출력 회로의 출력 단자를 선택적으로 단락하는 제2 스위치 수단
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제1 구동 모드에서는 상기 복수의 출력 회로 중 하나의 출력 회로로부터 상기 아날로그 신호를 판독하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 제1 구동 모드에서는 상기 복수의 출력 회로로부터 병행하여 상기 아날로그 신호를 판독하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제2 구동 모드에서는 상기 복수의 출력 회로의 전부로부터 상기 평균값 을 판독하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  21. 제16항에 있어서,
    상기 제2 구동 모드에서는, 상기 복수의 출력 회로 중 하나의 출력 회로로부터 상기 평균값을 판독하고, 나머지 출력 회로의 출력측을 차단 상태로 하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 장치의 구동 방법.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006014316A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Samsung Electronics Co Ltd サブサンプリングされたアナログ信号を平均化する改善された固体撮像素子及びその駆動方法
KR100674957B1 (ko) * 2005-02-23 2007-01-26 삼성전자주식회사 임의의 서브-샘플링 레이트로 아날로그 신호를 평균화하여서브-샘플링하는 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법
EP1788797B1 (en) * 2005-11-18 2013-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device
JP2007274504A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Eastman Kodak Co デジタルカメラ
CN101197921B (zh) * 2006-12-07 2010-11-03 比亚迪股份有限公司 一种图像信号采样电路及其方法
JP4305507B2 (ja) * 2006-12-18 2009-07-29 ソニー株式会社 撮像装置およびカメラ
JP4058459B1 (ja) * 2007-03-02 2008-03-12 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5188221B2 (ja) * 2008-03-14 2013-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP4659868B2 (ja) * 2008-09-19 2011-03-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
US8212903B2 (en) * 2009-07-31 2012-07-03 Xerox Corporation Sensor array with selectable resolution and method thereof
JP5235814B2 (ja) * 2009-08-04 2013-07-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置
PT2367321E (pt) 2010-03-05 2014-03-27 Televés S A Sistema e processo de comunicação
US9699395B1 (en) * 2016-03-17 2017-07-04 Raytheon Company Imaging circuits and method
JP7271131B2 (ja) * 2018-10-24 2023-05-11 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像装置の制御方法
JP7222656B2 (ja) * 2018-10-24 2023-02-15 株式会社ジャパンディスプレイ 指紋検出装置及び指紋検出装置付き表示装置
US11082643B2 (en) 2019-11-20 2021-08-03 Waymo Llc Systems and methods for binning light detectors

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5790191A (en) * 1996-03-07 1998-08-04 Omnivision Technologies, Inc. Method and apparatus for preamplification in a MOS imaging array
US5901257A (en) * 1996-05-03 1999-05-04 Omnivision Technologies, Inc. Single chip color MOS image sensor with two line reading structure and improved color filter pattern
JP3466886B2 (ja) * 1997-10-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US6765613B1 (en) * 1998-07-22 2004-07-20 Micron Technology, Inc. Low light sensor signal to noise improvement
US7068312B2 (en) * 2000-02-10 2006-06-27 Minolta Co., Ltd. Solid-state image-sensing device
JP4011818B2 (ja) * 2000-02-29 2007-11-21 キヤノン株式会社 半導体固体撮像装置
US6952228B2 (en) * 2000-10-13 2005-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
AU2002221005A1 (en) 2000-11-27 2002-06-03 Vision Sciences, Inc. Programmable resolution cmos image sensor
JP2002330349A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Fujitsu Ltd Ｘｙアドレス型固体撮像装置
US6541751B1 (en) * 2001-10-03 2003-04-01 Pixim Inc Time multiplexing image processing functions for noise reduction
JP2004153705A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 増幅型固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US7304674B2 (en) * 2002-11-15 2007-12-04 Avago Technologies General Ip Pte Ltd Sampling image signals generated by pixel circuits of an active pixel sensor (APS) image sensor in a sub-sampling mode

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