KR101122000B1 - 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101122000B1
KR101122000B1 KR1020050058872A KR20050058872A KR101122000B1 KR 101122000 B1 KR101122000 B1 KR 101122000B1 KR 1020050058872 A KR1020050058872 A KR 1020050058872A KR 20050058872 A KR20050058872 A KR 20050058872A KR 101122000 B1 KR101122000 B1 KR 101122000B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
deposition mask
deposition
transmission region
liquid crystal
mask
Prior art date
Application number
KR1020050058872A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070003129A (ko
Inventor
남승희
류순성
권오남
조흥렬
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020050058872A priority Critical patent/KR101122000B1/ko
Publication of KR20070003129A publication Critical patent/KR20070003129A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101122000B1 publication Critical patent/KR101122000B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크 증착을 적용하여 박막 트랜지스터 소자의 콘택 홀(Contact hole) 등 홀 형태의 패턴을 손쉽게 형성하기 위한 것으로, 기본 형상과 기본 형상이 대각선 방향으로 옮겨진 쉬프트 형상이 겹쳐진 외곽선으로 이루어지는 투과 영역과, 투과 영역을 제외한 부분에 형성되어 증착을 막는 차단 영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
증착 마스크, 액정 표시 장치, 콘택 홀

Description

증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법{Deposition mask and method for manufacturing of liquid crystal display using it}
도 1은 종래 기술에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 소자를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래의 마스크 증착 공정을 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4는 종래의 마스크 증착 공정에 사용되는 증착 마스크를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크를 나타낸 도면이다.
도 6는 도 5의 증착 마스크에서, 하나의 투과 영역을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8 및 도 9는 도 7의 일부 단계에서 증착 마스크 및 투명 절연 기판을 나타낸 도면이다.
도 10 및 도 11은 도 7의 일부 단계에서 증착 마스크 및 투명 절연 기판을 나타낸 도면이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100: 증착 마스크 110: 투과 영역
120: 차단 영역 200: 투명 절연 기판
210: 1차 보호막 패턴 220: 2차 보호막 패턴
230: 콘택 홀(Contact hole)
본 발명은 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마스크 증착(Mask deposition)에 사용되는 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 공통 전극, 컬러 필터, 블랙 매트릭스 등이 형성되어 있는 상부 투명 절연 기판과 스위칭 소자, 화소 전극 등이 형성되어 있는 하부 투명 절연 기판 사이에 이방성 유전율을 갖는 액정 물질을 주입해 놓고, 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 액정 물질에 형성되는 전계의 세기를 조정하여 액정 물질의 분자 배열을 변경시키고, 이를 통하여 투명 절연 기판에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써 액정 표시 패널 상에 원하는 화상을 표현하는 표시 장치이다. 이러한 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT) 소자를 스위칭 소자로 이용하는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(TFT LCD)가 주로 사용되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 소자를 나타낸 도면이다.
종래 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 소자는 도 1에 도시된 것처럼, 투명 절연 기판(10) 상에 형성된 게이트 전극(11)과, 게이트 전극(11) 상부에 형성된 게이트 절연막(12)과, 게이트 절연막(12) 상부에 도핑되지 않은 비정질 실리콘 물질로 이루어지며 게이트 전극(11)과 대응되는 영역이 채널부(13_1)로 정의된 반도체층(13)과, 채널부(13_1)에서 반도체층(13)을 노출시키며 서로 이격되게 위치하여 형성된 소스 전극(16) 및 드레인 전극(17)과, 소스 전극(16) 및 드레인 전극(17)과 반도체층(13) 간의 계면에 형성되고, n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 실리콘의 물질로 이루어진 저항성 접촉층(ohmic contact layer)(14, 15)을 포함한다.
박막 트랜지스터 소자의 상부에는 실리콘 질화막(SiNx) 등의 무기 절연 물질이나 유기 절연 물질로 이루어진 보호막(18)이 형성되어 있고, 이러한 보호막(18)에는 드레인 전극(17)을 노출시키는 콘택 홀(18_1)이 형성되어 있으며, 이러한 콘택 홀(18_1)을 통해서 드레인 전극(17)에 연결되며 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(19)이 형성되어 있다.
도 2는 이러한 액정 표시 장치의 제조에 사용되는 종래의 마스크 증착 공정을 나타낸 도면이고, 도 3 및 도 4는 종래의 마스크 증착 공정에 사용되는 증착 마스크를 나타낸 도면이다.
마스크 증착 공정은 도 2에 도시된 것처럼, 투명 절연 기판(30)의 상부에 증착 마스크(20)를 위치시킨 후 증기 증착(Evaporation deposition) 등을 수행함으로 써, 투명 절연 기판(30) 상에 섬(Island) 형태의 패턴(31)을 형성하는 것이다.
이때, 증착 마스크(20)에는 도 3이나 도 4과 같이 특정한 형상을 갖는 홀 형태의 마스크 패턴(21)이 형성되어 있으므로, 마스크 증착을 통하여 얻어지는 패턴(31)은 섬 형태를 갖게 된다.
그런데, 투명 절연 기판(30) 상의 박막 트랜지스터 소자에 구성되는 콘택 홀(Contact hole) 등 홀 형태의 패턴을 형성하는데 마스크 증착을 적용하는 경우를 가정하면, 홀 형태의 패턴을 형성하기 위한 섬 형태의 마스크 패턴이 필요하게 되는데, 이러한 마스크 제작은 원리적으로 불가능하다.
이와 같이, 마스킹(Masking)과 증착(Deposition)을 동시에 수행하기 위한 마스크 증착은 섬 형태의 패턴은 용이하게 형성할 수 있으나, 홀 형태의 패턴을 형성할 수 없다는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 마스크 증착에 사용되어 박막 트랜지스터 소자의 콘택 홀(Contact hole) 등 홀 형태의 패턴을 손쉽게 형성할 수 있도록 하는 증착 마스크를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기된 증착 마스크를 이용하여 효율적인 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크는 기본 형상과 상기 기본 형상이 대각선 방향으로 옮겨진 쉬프트 형상이 겹쳐진 외곽선으로 이루어지는 투과 영역과, 상기 투과 영역을 제외한 부분에 형성되어 증착을 막는 차단 영역으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법은 투명 절연 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 구비된 박막 트랜지스터 소자를 형성하는 단계와, 증착 마스크를 상기 투명 절연 기판 상부의 기본 위치에 두고 절연 물질을 1차 증착하여 상기 증착 마스크의 투과 영역에 대응하는 부분에 섬 형태의 1차 보호막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 증착 마스크를 상기 기본 위치에서 대각선 방향의 쉬프트 위치로 옮기는 단계와, 상기 증착 마스크를 상기 쉬프트 위치에 두고 상기 절연 물질을 2차 증착하여 상기 섬 형태의 1차 보호막 패턴과 상기 증착 마스크의 투과 영역에 대응하는 부분에 증착되는 섬 형태의 2차 보호막 패턴에 의하여 상기 드레인 전극과 접촉되는 위치에 콘택 홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 투과 영역은 서로 마주보는 두 개의 모서리 부분이 대칭되는 형상으로 이루어진 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 투과 영역은 서로 마주보는 두 개의 모서리 부분이 사각형 또는 반원 형상으로 각각 형성된 것이 더욱 바람직하다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 증착 마스크에 대하여 도 5 및 도 6을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크를 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5의 증착 마스크에서, 하나의 투과 영역을 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크(100)는 홀(Hole)이 뚫린 형태의 투과 영역(110)과, 투과 영역(110)을 제외한 부분에 형성되어 마스크 증착 수행시, 증착을 막는 차단 영역(120)으로 구성된다.
투과 영역(110)은 도 6에 도시된 것처럼, 사각형이나 원형 등의 기본 형상(S1)과, 기본 형상이 대각선 방향으로 옮겨진 쉬프트 형상(S2)이 겹쳐진 외곽선으로 이루어진다.
이와 같은 투과 영역(110)에서, 서로 마주보는 두 개의 모서리 부분은 사각형이나 반원 형상 등의 대칭되는 형상으로 각각 이루어지는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 증착 마스크를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 7 내지 도 11을 참조하여 상세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도로서, 박막 트랜지스터 소자의 콘택 홀을 형성하는 경우를 설명한 것이다.
도 8 및 도 9는 도 7의 일부 단계에서 증착 마스크 및 투명 절연 기판을 나타낸 도면으로서, 1차 보호막 패턴(210)이 형성되는 S110 단계를 도시하고 있다.
도 10 및 도 11은 도 7의 일부 단계에서 증착 마스크 및 투명 절연 기판을 나타낸 도면으로서, 1차 보호막 패턴(210) 및 2차 보호막 패턴(220)에 의하여 콘택 홀(230)을 형성하는 단계를 도시하고 있다.
도 7을 참조하면, 먼저, S100 단계에서, 투명 절연 기판(200) 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 구비된 박막 트랜지스터 소자를 형성한다.
다음으로, S110 단계에서, 도 8에 도시된 것처럼, 증착 마스크(100)를 투명 절연 기판(200) 상부의 기본 위치에 두고 절연 물질을 1차 증착한다. 그러면, 도 9에 도시된 것처럼, 투명 절연 기판(200)에서 증착 마스크(100)의 투과 영역(110)에 대응하는 부분에 섬 형태의 1차 보호막 패턴(210)이 형성된다.
여기서, 투과 영역(110)은 서로 마주보는 두 개의 모서리 부분이 사각형 또는 반원 형상 등의 대칭되는 형상으로 각각 이루어진 것이 바람직하다.
다음으로, S120 단계에서, 증착 마스크(100)를 기본 위치에서 대각선 방향의 쉬프트 위치로 옮긴다.
다음으로, S130 단계에서, 도 10에 도시된 것처럼, 증착 마스크(100)를 쉬프트 위치에 두고 절연 물질을 2차 증착한다. 그러면, 도 11에 도시된 것처럼, 섬 형 태의 1차 보호막 패턴(210)과 증착 마스크(100)의 투과 영역(110)에 대응하는 부분에 증착되는 섬 형태의 2차 보호막 패턴(220)에 의하여 드레인 전극과 접촉되는 위치에 홀(Hole) 형태의 패턴인 콘택 홀(230)이 형성된다.
종래에는, 섬 형태의 마스크 패턴을 갖는 증착 마스크의 제작이 근본적으로 불가능하였으므로, 콘택 홀(230) 등 홀 형태의 패턴을 형성하기 위하여 증착(Depositon), 포토 레지스트 코팅(PR coat), 경화(Cure), 노광(Exposure), 현상(Develop), 베이크(Bake), 에칭(Etch), 포토 레지스트 스트립(PR strip)의 복잡한 단계를 거치는 것이 불가피하였다.
그러나, 본 발명에 따르면, 1차 증착(Deposition), 증착 마스크(100)를 옮긴 후 2차 증착(Depostion)으로 이루어지는 두 단계의 간단한 마스크 증착 공정을 통하여 콘택 홀(230) 등 홀 형태의 패턴을 손쉽게 형성할 수 있는 것이다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크는 마스 크 증착에 사용되어 박막 트랜지스터 소자의 콘택 홀(Contact hole) 등 홀 형태의 패턴을 손쉽게 형성할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 마스크를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법은 이와 같은 증착 마스크를 이용하여 효율적으로 액정 표시 장치를 제조할 수 있도록 한다.

Claims (6)

  1. 기본 형상과 상기 기본 형상이 대각선 방향으로 옮겨진 쉬프트 형상이 겹쳐진 외곽선으로 이루어지는 투과 영역; 및
    상기 투과 영역을 제외한 부분에 형성되어 증착을 막는 차단 영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투과 영역은,
    서로 마주보는 두 개의 모서리 부분이 대칭되는 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 증착 마스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투과 영역은,
    서로 마주보는 두 개의 모서리 부분이 사각형 또는 반원 형상으로 각각 형성된 것을 특징으로 하는 증착 마스크.
  4. 투명 절연 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극이 구비된 박막 트랜지스터 소자를 형성하는 단계;
    증착 마스크를 상기 투명 절연 기판 상부의 기본 위치에 두고 절연 물질을 1 차 증착하여 상기 증착 마스크의 투과 영역에 대응하는 부분에 섬 형태의 1차 보호막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 증착 마스크를 상기 기본 위치에서 대각선 방향의 쉬프트 위치로 옮기는 단계; 및
    상기 증착 마스크를 상기 쉬프트 위치에 두고 상기 절연 물질을 2차 증착하여 상기 섬 형태의 1차 보호막 패턴과 상기 증착 마스크의 투과 영역에 대응하는 부분에 증착되는 섬 형태의 2차 보호막 패턴에 의하여 상기 드레인 전극과 접촉되는 위치에 콘택 홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 마스크를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 투과 영역은,
    서로 마주보는 두 개의 모서리 부분이 대칭되는 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 증착 마스크를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 투과 영역은,
    서로 마주보는 두 개의 모서리 부분이 사각형 또는 반원 형상으로 각각 형성된 것을 특징으로 하는 증착 마스크를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법.
KR1020050058872A 2005-06-30 2005-06-30 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 KR101122000B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050058872A KR101122000B1 (ko) 2005-06-30 2005-06-30 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050058872A KR101122000B1 (ko) 2005-06-30 2005-06-30 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070003129A KR20070003129A (ko) 2007-01-05
KR101122000B1 true KR101122000B1 (ko) 2012-06-13

Family

ID=37870028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050058872A KR101122000B1 (ko) 2005-06-30 2005-06-30 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101122000B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980047612A (ko) * 1996-12-16 1998-09-15 김영환 패턴간 정렬 오차 보상용 마스크들 및 이들 마스크를 이용한 패턴간 정렬 오차 보상방법
KR19980050135A (ko) * 1996-12-20 1998-09-15 김영환 반도체소자의 콘택홀 제조방법
KR100350762B1 (ko) * 1995-12-15 2003-03-26 주식회사 하이닉스반도체 미세 패턴 형성 방법
KR20030056015A (ko) * 2001-12-27 2003-07-04 주식회사 하이닉스반도체 극미세 패턴의 형성방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100350762B1 (ko) * 1995-12-15 2003-03-26 주식회사 하이닉스반도체 미세 패턴 형성 방법
KR19980047612A (ko) * 1996-12-16 1998-09-15 김영환 패턴간 정렬 오차 보상용 마스크들 및 이들 마스크를 이용한 패턴간 정렬 오차 보상방법
KR19980050135A (ko) * 1996-12-20 1998-09-15 김영환 반도체소자의 콘택홀 제조방법
KR20030056015A (ko) * 2001-12-27 2003-07-04 주식회사 하이닉스반도체 극미세 패턴의 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070003129A (ko) 2007-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621635B1 (ko) 어레이 기판과 그 제조 방법 및 디스플레이 디바이스
US8716062B1 (en) Array substrate and method of fabricating the same
US7507616B2 (en) Method of manufacturing a flexible thin film transistor array panel including plastic substrate
CN106802519B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
US8054395B2 (en) Liquid crystal display device and fabrication method thereof
US8598589B2 (en) Array substrate, method of manufacturing the array substrate, and display apparatus including the array substrate
KR101322885B1 (ko) 어레이 기판과 액정 디스플레이
KR100333180B1 (ko) Tft-lcd제조방법
US20170162708A1 (en) Tft substrates and the manufacturing methods thereof
US20170255044A1 (en) Tft substrates and the manufacturing methods thereof
KR102067669B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2002107758A (ja) 液晶表示装置の製造方法、表示装置の製造方法、及び液晶表示装置
CN109524356B (zh) 一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
WO2016161700A1 (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US8357937B2 (en) Thin film transistor liquid crystal display device
WO2011021425A1 (ja) アレイ基板、その製造方法及び表示装置
TWI655768B (zh) 陣列基板
KR101409704B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR101122000B1 (ko) 증착 마스크 및 그를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법
KR100754125B1 (ko) 액정 표시장치의 제조방법
KR101087242B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법
US20190019893A1 (en) Array substrate, manufacturing method, and lcd panel
KR101097675B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US5916737A (en) Method for fabricating liquid crystal display device
CN108803171B (zh) 阵列基板、液晶显示屏及阵列基板制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150127

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160128

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170116

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190114

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200116

Year of fee payment: 9