KR101118467B1 - 기판처리장치의 ｒｆ접지 어셈블리 - Google Patents

기판처리장치의 ｒｆ접지 어셈블리 Download PDF

Info

Publication number
KR101118467B1
KR101118467B1 KR1020100052810A KR20100052810A KR101118467B1 KR 101118467 B1 KR101118467 B1 KR 101118467B1 KR 1020100052810 A KR1020100052810 A KR 1020100052810A KR 20100052810 A KR20100052810 A KR 20100052810A KR 101118467 B1 KR101118467 B1 KR 101118467B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
block
terminal
fixed block
fixed
grounding
Prior art date
Application number
KR1020100052810A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110133205A (ko
Inventor
노희성
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020100052810A priority Critical patent/KR101118467B1/ko
Publication of KR20110133205A publication Critical patent/KR20110133205A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101118467B1 publication Critical patent/KR101118467B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판처리장치의 RF접지 어셈블리에 관한 것으로서, RF터미널과, 상기 RF터미널이 고정되는 고정블럭과, 고정블럭이 슬라이드 이동가능하게 연결되는 가이드블럭과, 상기 고정블럭에 전기적으로 연결되는 플렉시블 스트랩과, 상기 플렉시블 스트랩에 전기적으로 연결되는 접지바를 구비하는 RF접지부를 포함하여 구성되며, 상기 RF터미널은 상기 기판지지부 내에서 상기 히터블럭의 하부와 상기 고정블럭에서만 접점을 갖고, 상기 플렉시블 스트랩은 중앙부분이 원호형상으로 절곡된 절곡부가 다수 형성되어 있어, RF터미널의 접점 부분을 최소화하여 접점에서의 RF아킹으로 인한 RF저항을 최소화함과 동시에, 상기 RF터미널과 상기 고정블럭과의 접촉면적이 넓게 되고, 상기 상부블럭과 상기 하부블럭의 스크류체결에 의해 안정적으로 체결하여 RF터미널과 고정구조물 사이의 공극에서의 RF아킹을 방지하고, RF터미널의 팽창을 상기 고정블럭과 상기 가이드블럭과의 상대적 슬라이드 이동에 의해 수용함과 동시에, 상기 고정블럭에 연결된 플렉시블 스트랩에 의해 전기적 연결이 가능하기 때문에 RF터미널과 접지 구조물 사이의 상대적 이동에 의한 RF아킹이 발생할 염려가 없고 이에 따라 RF저항에 의한 열발생을 방지할 수 있으므로 RF터미널의 손상을 안정적으로 방지할 수 있다.

Description

기판처리장치의 ＲＦ접지 어셈블리{RF GROUNDING ASSEMBLY FOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판처리장치의 RF접지 어셈블리에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 RF터미널의 접점 부분을 최소화하여 RF 아킹 발생으로 인한 열화를 방지하고 RF터미널과 RF터미널의 고정블럭과의 상대적 이동을 방지하여 접촉저항의 발생으로 인한 RF터미널의 손상을 최소화하기 위한 RF접지 어셈블리에 관한 것이다.
일반적으로, 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시켜 실리콘 웨이퍼나 유리와 같은 기판상에 막 또는 패턴을 형성하는 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD) 공정이 널리 이용되고 있다.
이러한 PE-CVD공정에서는 공정챔버의 내부로 반응가스가 유입되고, 챔버 외부의 고전압의 에너지를 이용하여 반응가스를 플라즈마 상태로 여기시킨 상태에서 반응가스들의 화학반응을 유도하여 기판상에 물질막을 증착하는 공정이 이루어지고 있다.
종래의 PE-CVD 장치는 반도체 기판을 가공하기 위한 공간을 갖는 처리챔버와, 처리챔버 내부에 배치되며 반도체 기판을 가열하기 위한 히터, 및 처리챔버로 공급된 반응 가스를 플라스마 가스로 형성하기 위한 전극을 포함한다. 상기 히터에는 발열 전극이 내장되어 있고, 증착과정 동안에 증착의 균일성을 위하여 기판 양단에서 전압강하가 일어나지 않도록 RF접지시키는 접지 구조물이 내장되어 있다.
종래의 접지 구조물의 일예로서 다접점 연결방식이 사용되고 있으나, 이러한 다접점 연결방식은 RF터미널과 주변 구조물 사이의 접점이 많기 때문에 접점에서 RF아킹이 발생하여 RF저항을 증가시키고 저항증가에 의한 열 발생으로 인하여 접지 구조물이 손상되기 쉽다고 하는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 접지구조물의 다른 예로서, 도 1에 나타낸 바와 같이, RF터미널을 집게 형상의 아암으로 둘러싸서 고정하는 접지구조물이 제안되고 있다. 그러나, 도 1에 나타낸 종래의 접지구조물은 집게 아암이 RF터미널을 전체 둘레에 걸쳐서 고정하지 못하기 때문에 히터의 온도가 상승함에 따라 집게 아암의 고정력이 약해져서 집게 아암과 RF터미널이 상대적으로 이동가능하게 되어 RF터미널의 외주면에 아킹으로 인하여 접촉 저항이 증가되고 이에 따라 RF터미널이 손상되기 쉽다고 하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 본 발명의 목적은 RF터미널의 접점 부분을 최소화하여 RF 아킹 발생으로 인한 열화를 방지하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 RF터미널과 고정블럭과의 상대적 이동을 방지하여 접촉저항의 발생으로 인한 RF터미널의 손상을 최소화하기 위한 RF접지 어셈블리를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 기판처리장치의 RF접지 어셈블리는, 기판을 가열하는 히터블럭을 구비하는 기판처리장치에 있어서, 상기 기판과 상기 히터블럭을 지지하는 기판지지부에 수용되며 상기 히터블럭에 전기적으로 접속되는 RF터미널과, 상기 RF터미널이 고정되는 고정블럭을 구비하며 상기 RF터미널을 접지하는 RF접지부를 포함하여 구성되며, 상기 RF터미널은 상기 기판지지부 내에서 상기 히터블럭의 하부와 상기 고정블럭에서만 접점을 갖는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 RF접지부는, 상기 RF터미널이 삽입되어 고정되는 고정블럭과, 상기 고정블럭이 슬라이드 이동가능하게 연결되는 가이드블럭과, 상기 고정블럭에 전기적으로 연결되는 플렉시블 스트랩과, 상기 플렉시블 스트랩에 전기적으로 연결되는 접지바를 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 고정블럭은 상기 플렉시블 스트랩이 연결되며 하부면 중앙에 반원형상의 홈이 형성된 상부블럭과, 하부면에 도브테일 형상으로 절개되어 형성된 연결돌기와 상부면 중앙에 반원형상의 홈이 형성된 하부블럭을 구비하고, 상기 가이드블럭은 도브테일 형상으로 절개되어 상기 연결돌기가 수용되는 고정블럭 수용홈을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 플렉시블 스트랩은 중앙부분이 원호형상으로 절곡된 절곡부가 다수 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 고정블럭은 황동 재질로 이루어지고, 상기 가이드블럭은 PEEK 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 구성을 가지는 본 발명에 의한 RF접지 어셈블리에 의하면, 상기 RF터미널이 상기 고정블럭에 고정되는 위치에서만 접점을 가지고 상기 기판지지부 내에서 히터블럭의 하부면과 상기 RF접지 어셈블리 사이에서는 접점을 가지지 않기 때문에 RF터미널의 접점 부분을 최소화할 수 있으므로, RF 아킹으로 인한 RF저항을 최소화하여 RF터미널의 열화를 방지할 수 있다.
또한, RF터미널이 고정블럭에 안정적으로 체결고정되어 있고, 상기 고정블럭이 상기 가이드블럭에 체결되어 상대적 슬라이드 이동이 가능하기 때문에, 히터블럭의 가열에 의해 RF터미널이 길이방향으로 팽창하더라도 RF터미널의 팽창을 상기 고정블럭과 상기 가이드블럭과의 상대적 슬라이드 이동에 의해 수용함과 동시에, 상기 고정블럭에 연결된 플렉시블 스트랩에 의해 전기적 연결이 가능하기 때문에 RF터미널과 접지 구조물 사이의 상대적 이동에 의한 RF아킹이 발생할 염려가 없고 이에 따라 RF저항에 의한 열발생을 방지할 수 있으므로 RF터미널의 손상을 안정적으로 방지할 수 있다.
도 1은 종래기술에 의한 접지구조물을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 의한 RF접지 어셈블리가 장착된 히터블럭을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 의한 RF접지 어셈블리의 고정블럭과 가이드블럭을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 RF접지 어셈블리를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 의한 RF접지 어셈블리의 분해사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판처리장치의 RF접지 어셈블리에 대하여 실시예로써 상세하게 설명한다.
도 2 내지 도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의한 RF접지 어셈블리(1)는 RF터미널(4)과, RF접지부(5)로 구성된다.
상기 RF터미널(4)은 기판지지부(3)에 수용되며, 히터블럭(2)에 전기적으로 접속되어 있다. 상기 히터블럭(2)은 기판처리장치(도시하지 않음)의 처리챔버 내에 설치되며, 내부에는 히팅열선이 내장되어 상기 기판처리장치 내로 반입된 기판을 가열처리한다. 상기 기판지지부(3)는 상기 기판처리장치의 처리챔버 내에 설치되며 상기 히터블럭(2)의 하부에 설치되어 상기 처리챔버 내로 반입된 기판 및 상기 히터블럭을 지지하도록 구성된다. 또한, 상기 기판지지부(3)의 하부에는 상기 처리챔버의 바닥면 또는 벽면에 고정설치된 고정부(도시하지 않음)가 연결되어 상기 기판지지부가 안정적으로 지지되도록 구성되어 있다.
상기 RF터미널(4)의 상측끝단은 상기 히터블럭(2)에 접속되어 외부공급전원(도시하지 않음)으로부터 공급된 RF 전원이 상기 히터블럭에 내장된 히팅열선에 전달될 때, RF전원을 후술하는 RF접지부를 통해 그라운드하도록 구성되어 있다.
상기 RF접지부(5)는 상기 RF터미널(4)의 하측끝단에 설치된다. 상기 RF접지부(5)는, 고정블럭(10)과, 가이드블럭(20)과, 플렉시블 스트랩(30)과 접지 바(40)로 구성되어 있다.
상기 고정블럭(10)에는 상기 RF터미널(4)이 삽입되어 고정되며 전기적으로 연결된다. 상기 고정블럭(10)은 상부블럭(11)과 하부블럭(12)으로 구성되며, 상기 상부블럭(11)은 대략 장방형상의 직육면체로 형성되며, 상기 상부블럭(11)의 하부면 중앙에는 반원형상의 홈(11a)이 길이방향을 따라 형성되어 있다. 또한, 상기 상부블럭(11)에는 상기 상부블럭(11)을 두께방향으로 관통하는 다수의 체결구멍(11b)이 형성되어 있다.
상기 상부블럭(12)의 하부에는 하부블럭(12)이 설치되며, 상기 하부블럭(12)에는 상기 하부블럭(11)을 두께방향으로 관통하는 다수의 체결구멍(12b)이 형성되어, 상기 상부블럭의 체결구멍 및 상기 하부블럭의 체결구멍(12a, 12b)에 나사 등의 체결부재를 삽입하여 체결하도록 구성된다.
상기 하부블럭(12)의 상부면 중앙에는 반원형상의 홈(12a)이 길이방향을 따라 형성되어 있고, 상기 상부블럭과 상기 하부블럭을 체결시에 상기 상부블럭의 반원형상의 홈 및 상기 하부블럭의 반원형상의 홈(11a, 12a)에 의해 형성되는 원형 홈에 상기 RF터미널(4)을 삽입할 수 있도록 구성된다.
이로써, 상기 RF터미널(4)이 RF터미널의 전체둘레에 걸쳐서 상기 고정블럭(10)과 체결될 수 있어서, 상기 RF터미널과 상기 고정블럭과의 접촉면적이 넓게 되고, 상기 상부블럭과 상기 하부블럭의 스크류체결에 의해 안정적으로 체결할 수 있기 때문에, 종래의 접지구조물에서 발생하는 RF터미널과 고정구조물 사이의 공극에서의 RF아킹을 방지할 수 있다.
또한, 상기 RF터미널(4)의 상부끝단은 상기 기판지지부 내에서 상기 히터블럭의 하부에서 접점되고, 하부끝단은 상기 고정블럭에서 접점되도록 구성되어 있기 때문에, 상기 RF터미널이 상기 기판지지부 내에서 다른 접점을 가지지 않으면서 고정될 수 있기 때문에, 종래의 다접점 연결방식에서와 같이 많은 접점에서 접촉하여 RF아킹이 발생하고 이에 따라 접지 구조물이 손상되기 쉽다고 하는 문제점을 해결할 수 있다.
한편, 상기 RF터미널(4)이 삽입 고정된 상기 고정블럭(10)은 상기 가이드블럭(20)에 체결되어 상기 가이드블럭(20)을 따라 상대적으로 슬라이드 이동가능하게 설치된다.
상기 하부블럭(12)의 하부면에는 도브테일 형상으로 돌출되어 형성된 연결돌기(12c)가 마련되고, 상기 하부블럭(12)의 양측끝단에는 상기 하부블럭의 상부면에 수직으로 연장형성된 벽부(12d)가 마련된다.
또한, 상기 가이드블럭(20)의 내측면 중앙에는 도브테일 형상으로 절개된 고정블럭 수용홈(22)이 형성되어 있고, 상기 고정블럭 수용홈(22)에는 상기 하부블럭의 도브테일 형상의 상기 연결돌기(12c)가 삽입된다. 또한, 상기 가이드블럭(20)의 상부면 일측 또는 양측에는 상부면으로부터 수직으로 연장형성된 가이드벽부(21)가 형성되어 있고, 상기 가이드벽부(21)의 내측면에는 상기 하부블럭(12)의 벽부(12d)의 외측면이 맞닿도록 구성되어 있다.
또한, 상기 고정블럭의 상기 상부블럭 및 상기 하부블럭(11, 12)은 예를 들면 황동 등의 재질로 형성되어 상기 고정블럭에 삽입 고정된 상기 RF터미널(4)을 통해 전달된 RF전원을 후술하는 플렉시블 스트랩에 전달할 수 있도록 구성되어 있고, 상기 가이드블럭(20)은 예를 들면 플라스틱 재질의 PEEK(폴리에테르에테르케톤)로 이루어져 상기 고정블럭과 상기 가이드블럭이 전기적으로 절연되도록 구성되어 있다.
상술한 바와 같은 구성에 의해, 상기 히터블럭의 가열에 의해 상기 RF터미널(4)이 길이방향으로 팽창할 때에, 상기 RF터미널(4)이 삽입되어 고정된 채로 상기 고정블럭(10)이 상기 가이드블럭(20)을 따라 상하로 슬라이드 이동가능하게 구성되어 상기 RF터미널과 상기 고정블럭 사이의 상대적 이동을 방지하여 RF아킹을 방지하면서도 상기 RF터미널의 열에 의한 팽창을 수용할 수 있도록 구성된다.
상기 플렉시블 스트랩(30)의 일측에는 상기 상부블럭의 체결구멍에 상응하는 위치에 다수의 체결구멍이 형성되어 있고, 상기 체결구멍을 통해 상기 상부블럭(10)의 상부면에는 플렉시블 스트랩(30)이 연결되어, 상기 RF터미널에 전달된 RF전원이 상기 플렉시블 스트랩(30)에 전달될 수 있도록 구성되어 있다.
상기 플렉시블 스트랩(30)은 유연한 재질의 전기도체 재료로 형성되어 있고, 상기 플렉시블 스트랩(30)에는 원호형상으로 절곡된 절곡부(31, 32)가 다수 형성되어, 상기 히터블럭의 가열에 의해 상기 RF터미널(4)이 길이방향으로 팽창하여 상기 고정블럭(10)이 상기 가이드블럭(20)을 따라 길이방향으로 상하로 슬라이드 이동할 때에, 상기 고정블럭의 상기 상부블럭(11)에 연결된 상기 플렉시블 스트랩(30)이 상기 절곡부(31, 32)의 절곡 및 신축 팽창에 의해 상기 고정블럭의 이동을 수용할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 상기 플렉시블 스트랩(30)의 타측은 상기 접지 바(40)에 고정연결되어, 상기 고정블럭을 통해 전달된 RF전원을 상기 접지 바(40)에 전기적으로 전달할 수 있도록 구성된다.
이로써, RF터미널의 접점 부분을 최소화하여 접점에서의 RF아킹으로 인한 RF저항을 최소화함과 동시에, 상기 RF터미널과 상기 고정블럭과의 접촉면적이 넓게 되고, 상기 상부블럭과 상기 하부블럭의 스크류체결에 의해 안정적으로 체결하여 RF터미널과 고정구조물 사이의 공극에서의 RF아킹을 방지하고, RF터미널의 팽창을 상기 고정블럭과 상기 가이드블럭과의 상대적 슬라이드 이동에 의해 수용함과 동시에, 상기 고정블럭에 연결된 플렉시블 스트랩에 의해 전기적 연결이 가능하기 때문에 RF터미널과 접지 구조물 사이의 상대적 이동에 의한 RF아킹이 발생할 염려가 없고 이에 따라 RF저항에 의한 열발생을 방지할 수 있으므로 RF터미널의 손상을 안정적으로 방지할 수 있다.
본 실시예는 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타낸 것에 불과하며, 본 발명의 명세서에 포함된 기술적 사상의 범위내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형예와 구체적인 실시예는 모두 본 발명의 기술적 사상에 포함되는 것은 자명하다.
1 : RF접지 어셈블리
4 : RF터미널
5 : RF접지부
10 : 고정블럭
11 : 상부블럭
12 : 하부블럭
20 : 가이드블럭
30 : 플렉시블 스트랩
40 : 접지 바

Claims (5)

  1. 기판을 가열하는 히터블럭을 구비하는 기판처리장치에 있어서,
    상기 기판과 상기 히터블럭을 지지하는 기판지지부에 수용되며 상기 히터블럭에 전기적으로 접속되는 RF터미널과,
    상기 RF터미널이 고정되는 고정블럭을 구비하며 상기 RF터미널을 접지하는 RF접지부를 포함하여 구성되며,
    상기 RF터미널은 상기 기판지지부 내에서 상기 히터블럭의 하부와 상기 고정블럭에서만 접점을 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 RF접지 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 RF접지부는,
    상기 RF터미널이 삽입되어 고정되는 고정블럭과,
    상기 고정블럭이 슬라이드 이동가능하게 연결되는 가이드블럭과,
    상기 고정블럭에 전기적으로 연결되는 플렉시블 스트랩과,
    상기 플렉시블 스트랩에 전기적으로 연결되는 접지바를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 RF접지 어셈블리.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 고정블럭은 상기 플렉시블 스트랩이 연결되며 하부면 중앙에 반원형상의 홈이 형성된 상부블럭과, 하부면에 도브테일 형상으로 절개되어 형성된 연결돌기와 상부면 중앙에 반원형상의 홈이 형성된 하부블럭을 구비하고,
    상기 가이드블럭은 도브테일 형상으로 절개되어 상기 연결돌기가 수용되는 고정블럭 수용홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 RF접지 어셈블리.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 플렉시블 스트랩은 중앙부분이 원호형상으로 절곡된 절곡부가 다수 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 RF접지 어셈블리.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 고정블럭은 황동 재질로 이루어지고, 상기 가이드블럭은 PEEK 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 RF접지 어셈블리.



KR1020100052810A 2010-06-04 2010-06-04 기판처리장치의 ｒｆ접지 어셈블리 KR101118467B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100052810A KR101118467B1 (ko) 2010-06-04 2010-06-04 기판처리장치의 ｒｆ접지 어셈블리

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100052810A KR101118467B1 (ko) 2010-06-04 2010-06-04 기판처리장치의 ｒｆ접지 어셈블리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110133205A KR20110133205A (ko) 2011-12-12
KR101118467B1 true KR101118467B1 (ko) 2012-03-12

Family

ID=45500953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100052810A KR101118467B1 (ko) 2010-06-04 2010-06-04 기판처리장치의 ｒｆ접지 어셈블리

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101118467B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010073961A (ko) * 2000-01-24 2001-08-03 윤덕용 인간의 얼굴 모델을 생성하는 모델러 제작방법
KR100836183B1 (ko) 2007-01-16 2008-06-09 (주)나노테크 히터 조립체 및 그 설치구조
KR20080096373A (ko) * 2007-04-26 2008-10-30 김서연 물품관리시스템용 알에프 안테나 블록

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010073961A (ko) * 2000-01-24 2001-08-03 윤덕용 인간의 얼굴 모델을 생성하는 모델러 제작방법
KR100836183B1 (ko) 2007-01-16 2008-06-09 (주)나노테크 히터 조립체 및 그 설치구조
KR20080096373A (ko) * 2007-04-26 2008-10-30 김서연 물품관리시스템용 알에프 안테나 블록

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110133205A (ko) 2011-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8419893B2 (en) Shielded lid heater assembly
JP6330087B2 (ja) 対称給電構造を有する基板サポート
US10374358B2 (en) Feeder-cover structure and semiconductor production apparatus
TWI744229B (zh) 晶舟、晶圓處理裝置以及晶圓處理方法
KR20130086523A (ko) 대면적 전극 상에 억지 끼워맞춤된 세라믹 절연체
KR20090068117A (ko) 기판 온도 조정 및 고정 장치
TW201330706A (zh) 用於改善射頻接地的可靠性之裝置及方法
TW201704563A (zh) 晶舟以及晶圓處理裝置
KR100726528B1 (ko) 기판 처리챔버용 안테나 코일 조립체
KR20110039259A (ko) 기판 위의 입자 오염을 감소시키기 위한 플래튼 및 그 방법
KR101118467B1 (ko) 기판처리장치의 ｒｆ접지 어셈블리
KR100933432B1 (ko) 연결 부재, 이를 갖는 접지 구조물, 히터 및 기판 가공장치
TWI405868B (zh) 接地結構、加熱器，以及具有其之化學氣相沈積裝置
KR200420693Y1 (ko) 무선주파수 접지 장치
KR101638269B1 (ko) 진공 증착 소스 가열 시스템 및 진공 증착 시스템
KR102559456B1 (ko) 기판 지지 어셈블리
KR100963481B1 (ko) 접지 구조물, 이를 갖는 히터 및 화학기상증착장치
JP4942360B2 (ja) プラズマ処理装置の電極構造
KR101098767B1 (ko) 대면적 챔버의 가스분사장치
US20240266208A1 (en) Susceptor
KR101532747B1 (ko) 플라즈마 발생장치
JP2010098327A (ja) 基板処理装置
JP2005150605A (ja) 基板処理装置
TW201703109A (zh) 晶圓用的電漿處理裝置
JP2013004356A (ja) プラズマ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151208

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161206

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171204

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181211

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 9