KR101114108B1 - 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체 - Google Patents

에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR101114108B1
KR101114108B1 KR1020100009494A KR20100009494A KR101114108B1 KR 101114108 B1 KR101114108 B1 KR 101114108B1 KR 1020100009494 A KR1020100009494 A KR 1020100009494A KR 20100009494 A KR20100009494 A KR 20100009494A KR 101114108 B1 KR101114108 B1 KR 101114108B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
base
housing
emitting component
package structure
Prior art date
Application number
KR1020100009494A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110050332A (ko
Inventor
치-밍 천
Original Assignee
어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 filed Critical 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드
Publication of KR20110050332A publication Critical patent/KR20110050332A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101114108B1 publication Critical patent/KR101114108B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V17/00—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages
    • F21V17/10—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages characterised by specific fastening means or way of fastening
    • F21V17/12—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages characterised by specific fastening means or way of fastening by screwing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S8/00—Lighting devices intended for fixed installation
    • F21S8/04—Lighting devices intended for fixed installation intended only for mounting on a ceiling or the like overhead structures
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V1/00—Shades for light sources, i.e. lampshades for table, floor, wall or ceiling lamps
    • F21V1/02—Frames
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V1/00—Shades for light sources, i.e. lampshades for table, floor, wall or ceiling lamps
    • F21V1/12—Composite shades, i.e. shades being made of distinct parts
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
    • F21W2121/00—Use or application of lighting devices or systems for decorative purposes, not provided for in codes F21W2102/00 – F21W2107/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체가 개시되며, 이것은 하우징 및 발광 구성 요소를 포함한다. 하우징의 내측 표면은 하우징의 베이스로부터 외측으로 경사져서 140 도 내지 150 도 범위로 포함된 각도를 형성한다. 하우징의 상부로부터 베이스로 수직으로 측정된 하우징의 깊이는 약 0.25 mm 내지 0.3 mm 이다. 더욱이, 하우징의 개구는 발광 표면으로서 베이스 면적의 1.5 배 내지 2 배의 면적을 가진다.

Description

에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체{Edge type light emitting component package structure}
본 발명은 발광 구성 요소 패키지 구조체에 관한 것으로서, 특히 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 토치 라이트(torch light), 자동차 헤드라이트 램프, 램프 전구 및 램프 튜브와 같은 조명 장치에서 이용되었고, 예를 들면 텔레비젼 세트, 모니터 및 휴대 전화의 배면광 모듈에서 이용되었다. 기판상에 있는 LED 칩으로부터의 광의 조사 방향에 따라서, 배면광 모듈은 상이한 유형의 제품들에 대한 수요를 위하여 직접형(direct type) 및 에지형(edge type)으로 분류될 수 있다.
배면광 모듈에서 이용되는 종래의 에지형 LED 는 전체적으로 컵을 가진 베이스 및 베이스상에 배치된 LED 칩을 가진다. LED 가 광을 조사한 이후에, 광의 일부는 컵의 개구로부터 직접적으로 환경으로 조사되며, 컵의 하우징에 입사된 광의 일부는 반사되고 마지막으로 환경에 조사된다. 도 1 에 도시된 컵을 가진 베이스의 개략적인 단면으로서, 전체적으로, 깊이(D1)는 0.6 mm 이고, 컵의 하우징(10)은 90 내지 110 도의 경사 각도(θ1)를 가진다. 그러나, 그러한 설계에서는 LED 칩(12)으로부터 조사된 광(14)의 일부가 내측 표면(11)에 의해 반사되고 발광 표면(16)에 도달하기 전에 계속 경로내에서 회절되며, 다음에 조사되어 수광부(18)에 의해 수광될 것이다. 결과적으로 광 추출 효율은 광 경로가 길기 때문에 저하된다.
미국 특허 출원 No. 2009/0114936 A1 은 발광 장치를 개시하는데, 여기에서는 패키지가 요부를 가지며 요부 안에 발광 요소가 장착된다. 요부의 개구는 하나의 방향으로 신장되고, 요부의 길이 방향에 위치된 요부의 양쪽 하우징들은 경사진 표면이며, 양쪽 경사진 표면 사이의 각도는 90 도 또는 그 이상이다. 일 구현예에서, 양쪽 경사진 표면 사이의 각도는 135 도 내지 165 도 범위이다. 다른 구현예에서, 길이 방향 개구의 길이는 같은 방향에서 요부의 저부 표면 길이의 2 배 내지 4 배이다. 다른 구현예에서, 개구로부터 저부 표면으로 측정된 요부의 깊이는 길이 방향에서 요부의 저부 표면 길이의 0.2 배 내지 0.4 배이다. 따라서, 발광 요소에 의해 조사된 광은 밴드 형상 비임(band-shaped beam)을 발생시키기 위하여 개구의 길이 방향으로 충분히 펼쳐진다. 결과적으로, 복수개의 발광 요소들이 표면 발광 장치를 구성하기 위하여 요부의 수광 표면 길이 방향을 따라서 배치될 때, 휘도의 불균일성이 억제될 수 있다.
그러나, 높은 광 추출 효율을 가진 새로운 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체에 대한 필요성이 여전히 존재한다.
본 발명의 목적은 광의 대부분을 독특한 컵 형상 설계를 통하여 직접적으로 조사할 수 있고 따라서 우수한 광 추출 효율을 가지는, 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체는 베이스, 베이스상에 배치된 적어도 하나의 발광 구성 요소 및, 적어도 하나의 발광 구성 요소를 둘러싸고 베이스와 결합된 하우징을 가진 컵을 구비한다. 적어도 하나의 발광 구성 요소를 향하는 하우징의 표면은 반사성이다. 하우징은 베이스로부터 외측으로 경사져서 하우징의 표면과 베이스 사이에 포함된 140 내지 150 도 범위의 각도를 형성한다. 하우징의 상부로부터 베이스로 수직으로 측정된 깊이, 즉, 베이스에 대하여 직각으로 측정된 깊이는 0.25 mm 내지 0.3 mm 범위이다. 개구는 발광 표면으로서, 이것은 하우징에 의해 둘러싸인 베이스 면적의 1.5 배 내지 2 배인 면적을 가진다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 에지형 표면 실장 장치(surface mounnt device; SMD) LED 패키지 구조체는, 개구를 가진 공간을 형성하는 베이스 및 하우징을 포함하는 컵을 구비하는 베이스, 베이스상에 배치된 리이드 프레임, 공간 내에서 리이드 프레임상에 배치된 적어도 하나의 LED 칩 및, 적어도 하나의 LED 칩을 덮는 시일 층을 포함한다. 하우징의 내측 표면은 반사성이다. 하우징은 베이스로부터 외측으로 경사져서 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 140 도 내지 150 도 범위의 각도를 형성한다. 하우징의 상부로부터 베이스로 수직으로 측정된 깊이는 0.25 mm 내지 0.3 mm 범위이다. 개구는 발광 표면으로서 공간내의 베이스 면적의 1.5 배 내지 2 배인 면적을 가진다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 에지형 발광 구성 요소 패키지 하우징은 베이스 및 베이스와 결합된 하우징을 구비하여 개구를 가진 컵 형상의 공간을 형성한다. 하우징의 내측 표면은 반사성이다. 하우징은 베이스로부터 외측으로 경사져서 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 140 도 내지 150 도 범위의 각도를 형성한다. 개구는 발광 표면으로서 베이스 면적의 1.5 배 내지 2 배의 면적을 가진다.
본 발명에서, 하우징은 종래 기술과 비교하여 얕기 때문에, 발광 구성 요소와 패키지 구조체의 발광 표면 사이의 거리는 짧다. 더욱이, 하우징의 경사 각도가크게 되어, 발광 구성 요소가 장착되는 작업 면적에 대한 발광 표면의 면적의 비율은 특정의 범위내에 있게 되며, 발광 각도가 커서, 광 비임이 직접적으로 발광 표면에 도달할 수 있고 패키지로부터 조사될 수 있거나, 또는 광 비임이 전체적으로 한번의 반사를 겪은 이후에 패키지로부터 조사될 수 있어서, 다른 반사, 회절 또는 산란의 기회를 감소시킨다. 따라서, 본 발명의 패키지 구조체는 백라이트 모듈 또는 조명 장치의 역할을 잘 수행하기 위한 우수한 발광 성능 및 높은 광 추출 효율을 가진다.
도 1 은 통상적인 패키지 구조체 및 발광을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2 는 본 발명에 따른 발광 구성 요소 패키지 하우징의 구현예를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 3 은 본 발명에 따른 발광 구성 요소 패키지의 다른 구현예를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 4 는 본 발명에 따른 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체의 구현예를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 5 는 도 4 에 도시된 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체를 도시하는 개략적인 평면도이다.
도 6 은 본 발명의 패키지 구조체에 따른 구현예 및 통상적인 패키지 구조체의 하우징의, 깊이에 대한 발광 플럭스의 그래프를 도시한다.
도 7 은 본 발명의 패키지 구조체에 따른 구현예 및 통상적인 패키지 구조체의, 광 강도에 대한 발광 플럭스의 그래프를 도시한다.
본 발명에 따른 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체는 컵을 가진 베이스내에 배치된 적어도 하나의 발광 구성 요소를 포함한다. 컵 구조 기판의 하우징은 베이스로부터 외측으로 경사져서 하우징과 베이스 사이에 포함된 140 내지 150 도 범위의 각도를 형성한다. 하우징의 상부로부터 베이스까지 수직으로 측정된 깊이는 0.25 mm 내지 0.3 mm 범위이다. 개구는 발광 표면이며, 하우징에 의해 둘러싸인 베이스 면적의 1.5 내지 2 배의 면적을 가진다.
도 2 는 본 발명에 따른 구현예를 도시하는 개략적인 단면도이다. 에지형 발광 구성 요소 패키지 하우징(20)은 베이스(22) 및, 베이스(22)에 결합된 하우징(26)을 구비하여 컵 형상 공간을 형성한다. 하나 이상의 발광 구성 요소들은 베이스(22)상에 유지될 수 있다. 발광 구성 요소는 예를 들면 LED, 유기 발광 다이오드(OLED), 공진 공동 발광 다이오드(resonant cavity light emitting diode) 또는 반도체 레이저 다이오드일 수 있다. 컵 형상 공간의 내측을 향하는 하우징(26)의 내측 표면(27)은 반사성이다. 하우징(26)은 베이스(22)로부터 외측으로 경사져서 내측 표면(27)과 베이스(22) 사이에 포함된 140 내지 150 도 범위의 각도(θ2)를 형성한다. 하우징(26)은 베이스(22)에 대하여 직각으로 측정된 깊이(D2)를 가진다. D2 는 0.25 mm 내지 0.3 mm 의 범위이다. 컵 형상 공간의 개구는 발광 표면(28)으로서, 하우징(26)에 의해 둘러싸이는 베이스(22)의 면적(A2)의 1.5 배 내지 2 배인 면적(A1)을 가진다. 즉, A1 (발광 표면의 면적): A2 (베이스의 면적)=1.5:1 내지 2:1 이다. 개구 및 베이스는 각각 예를 들면 신장된 타원형의 형상일 수 있거나, 또는 임의의 신장된 형상 또는 불규칙 형상일 수 있다.
베이스 및 하우징은 Al2O3 및 AIN 과 같은 세라믹 재료, 또는 플라스틱 재료로 형성될 수 있거나, 이들 재료가 함께 조합되거나 또는 일체로 형성될 수 있다. 리이드 프레임(lead frame)이 이용될 수 있다. 리이드 프레임은 알루미늄, 구리, 실버(silver)로 코팅된 알루미늄, 실버로 코팅된 구리, 알루미늄-실리콘 합금, 알루미늄 마그네슘 합금, 알루미늄 마그네슘 실리콘 합금, 또는 알루미늄 구리 합금으로 제작될 수 있으며, 그러나 이들 재료에 제한되는 것은 아니다. 발광 구성 요소를 향하는 하우징의 내측 표면은 반사성이며, 이것은 하우징의 표면을 고 반사 특성을 가진 재료로 코팅하거나, 또는 반사 재료의 역할을 하는 백색 세라믹 재료를 이용함으로써 달성될 수 있다.
도 3 은 본 발명에 따른 발광 구성 요소 패키지의 구현예를 더 도시하는 개략적인 단면도로서, 이것은 도 1 과 비교된다. 본 발명의 하우징의 깊이(D2)는 작으며, 발광 구성 요소(24)는 발광 표면(28)으로부터 짧은 거리(L)를 가지거나, 또는 발광 표면(28)에 가깝다. 더욱이, 하우징의 경사 각도는 증가되며, 발광 표면(28)은 베이스(22)의 면적의 1.5 배 내지 2 배인 면적을 가진다. 결과적으로, 종래의 구조에 비해서, 발광 구성 요소(24)에 의해 조사된 광의 대부분인 광 비임(50)은 발광 표면(28)으로부터 환경으로 직접 조사되고, 발광 구성 요소(24)에 의해 조사된 광의 작은 부분인 광 비임(52)은 발광 표면(28)으로부터 대기로 조사되기 전에 내측 표면(27)에 의해 반사된다. 반사 또는 회절에 기인한 광 손실은 감소된다. 따라서, 수광부(54)에 의해 수광된 광의 발광 플럭스(luminous flux)는 종래 구조의 발광 플럭스 보다 클 수 있다.
도 4 는 본 발명에 따른 구현예를 도시하는 개략적인 단면도이다. 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체(30)에서, 컵을 가진 베이스는 베이스(32) 및 하우징(34)으로 형성된다. 베이스(32) 및 하우징(34)은 일체로 형성될 수 있거나 또는 서로 결합되어서 발광 구성 요소를 둘러싸고 공간을 형성한다. 공간을 향하는 (즉, 발광 구성 요소를 향하는) 하우징(34)의 내측 표면(35)은 반사성이다. 2 개 부분(361,362)들을 포함하는 리이드 프레임(36)이 베이스(32) 상에 배치되어 있다. LED 칩(38)과 같은 적어도 하나의 발광 구성 요소는 공간내에서 리이드 프레임(36)의 부분(362)상에 배치된다. LED 칩(38)은 도전성 와이어(39)를 통해서 리이드 프레임(36)의 부분(361)에 전기적으로 연결된 양극 및 음극을 포함할 수 있다. 리이드 프레임(36)은 배면광 모듈 또는 조명 모듈을 제조하는 차후 공정에서의 연결을 위하여 컵 구조 기판의 내측으로부터 컵 구조 기판의 외측으로 연장된다. 시일 층(40)이 LED 칩(38)을 덮도록 더 구비될 수 있다. 하우징의 내측 표면(35)은 베이스(32)로부터 외측으로 경사져서 내측 표면(35)과 베이스(32) 사이에 포함된 140 도 내지 150 도 범위의 각도(θ3)를 형성한다. 하우징(34)은 하우징(34)의 상부로부터 베이스(32)로 수직으로 측정된, 0.25 mm 내지 0.3 mm 범위의 깊이(D3)를 가진다. 하우징(34)의 개구는 발광 표면(42)으로서, 이것은 공간 내의 베이스(32)의 면적의 1.5 배 내지 2 배인 면적을 가진다.
시일 층은 발광 구성 요소를 덮는다. 시일 층은 예를 들면, LED 칩 및 금속 도전성 와이어와 같은, 발광 구성 요소를 보호하고 고정시키기 위한 에폭시 수지 또는 실리콘으로 형성될 수 있다. 시일 층은 광 혼합(color mixing) 또는 칼러 혼합(color mixing)을 위한 인광 물질(phosphor material)을 더 포함할 수 있다.
도 5 는 도 4 에 도시된 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체(30)를 도시하는 개략적인 평면도이다. 발광 표면(42)의 면적(A3)은 공간내의 베이스(32)의 면적(A4)의 1.5 배 내지 2 배이다. 개구 및 베이스는 신장된 타원 형상인 것으로 도시되어 있지만, 그에 제한되는 것은 아니다.
도 6 은 본 발명의 구현예에 따른 에지형 SMD LED 패키지 구조체(하우징의 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 140 도의 각도를 가짐)와 종래의 LED 패키지 구조체(하우징의 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 90 도의 각도를 가짐)에서, 밀리미터(mm)로 표시된 하우징의 깊이에 대한 루멘(lumen;lm)으로 표시된 발광 플럭스의 그래프를 도시한다. 도 6 에 도시된 바와 같이, 깊이가 같을 때, 본 발명의 패키지 구조체의 발광 플럭스는 종래의 것보다 크다. 더욱이, 본 발명의 하우징의 깊이가 0.6 mm 로부터 0.3 mm 로 변화될 때, 발광 플럭스는 약 1 lm 증가하며, 이것은 약 20 % 에 상당하는 것이다. 이것은 광 추출 효율의 향상을 나타낸다.
도 7 은 본 발명에 따른 에지형 SMD LED 패키지 구조체의 구현예 및 종래의 LED 패키지 구조체에서 광 강도에 대한 발광 플럭스의 그래프를 도시한다. 본 발명의 패키지 구조체는 하우징의 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 140 도의 각도를 가지며, 하우징의 깊이는 0.3 mm 이다. 종래의 패키지 구조체는 하우징의 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 90 도의 각도를 가지며, 하우징의 깊이는 0.6 mm 이다. 횡좌표는 광 강도(light intensity;Iv)를 칸델라(cd)로 나타낸다. 종좌표는 발광 플럭스를 lm 으로 나타낸다. 도 7 에 도시된 바와 같이, 약 1.46 cd 보다 큰 동일한 광 강도에서, 본 발명의 패키지 구조체의 발광 플럭스는 종래의 패키지 구조체의 발광 플럭스보다 높으며, 따라서 본 발명의 패키지 구조체는 향상된 광 추출 효율을 가진다.
상기에 설명된 것은 본 발명의 바람직한 구현예들에 대한 것이다. 본 발명의 청구항들에 균등한 모든 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 범위에 속하는 것이어야 한다.
10. 하우징 11. 내측 표면
12. LED 칩 14. 광 비임
16. 발광 표면 18. 수광부
20. 에지형 발광 구성 요소 패키지 하우징 22. 베이스
24. 발광 구성 요소 26. 하우징
27. 내측 표면 28. 발광 표면
30. 에지형 발광 구성 요소 패키지 하우징 32. 베이스
34. 하우징 35. 내측 표면
36. 리이드 프레임 361. 리이드 프레임의 부분
362. 리이드 프레임의 부분 38. LED 칩
39. 도전성 와이어 40. 시일 층
42. 발광 표면 50. 광 비임
52. 광 비임 54. 수광부

Claims (10)

  1. 베이스;
    베이스상에 배치된 적어도 하나의 발광 구성 요소; 및,
    베이스와 결합되고 적어도 하나의 발광 구성 요소를 둘러쌈으로써 개구를 형성하는 하우징;을 구비하는 에지형(edge type) 발광 구성 요소 패키지 구조체로서,
    적어도 하나의 발광 구성 요소를 향하는 하우징의 내측 표면은 반사성이고, 하우징은 베이스로부터 외측으로 경사져서 하우징의 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 140 내지 150 도 범위의 각도를 형성하고, 하우징의 상부로부터 베이스까지 수직으로 측정된 깊이는 0.25 mm 내지 0.3 mm 범위이고, 개구는 하우징에 의해 둘러싸인 베이스의 면적의 1.5 내지 2 배인 면적을 가지는, 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 발광 구성 요소를 덮는 시일 층을 더 포함하는, 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 발광 구성 요소는 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드, 공명 공동(rosonant cavity) 발광 다이오드 또는 반도체 레이저 다이오드를 포함하는, 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    적어도 하나의 발광 구성 요소에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 도전성 와이어를 더 포함하는, 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체는 표면 실장 장치(surface mount device)인, 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체.
  6. 개구를 가진 공간을 형성하는 베이스 및 하우징을 포함하는 컵을 구비한 베이스로서, 하우징의 내측 표면은 반사성이고, 하우징은 베이스로부터 외측으로 경사져서 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 140 내지 150 도 범위의 각도를 형성하고, 하우징의 상부로부터 베이스로 수직으로 측정된 깊이는 0.25 mm 내지 0.3 mm 범위이고, 개구는 발광 표면으로서 공간내의 베이스 면적의 1.5 배 내지 2 배의 면적을 가지는, 베이스;
    베이스상에 배치된 리이드 프레임;
    공간 안에서 리이드 프레임상에 배치된 적어도 하나의 발광 다이오드 칩; 및
    적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 덮는 시일 층;을 포함하는, 에지형 SMD 발광 다이오드 패키지 구조체.
  7. 제 6 항에 있어서,
    시일 층은 인광 물질(phosphor material)을 더 포함하는, 에지형 SMD 발광 다이오드 패키지 구조체.
  8. 베이스; 및,
    개구를 가진 컵 형상 공간을 형성하도록 베이스와 결합된 하우징;을 포함하는 에지형 발광 구성 요소 패키지 하우징으로서,
    하우징의 내측 표면은 반사성이고, 하우징은 베이스로부터 외측으로 경사져서 내측 표면과 베이스 사이에 포함된 140 내지 150 도 범위의 각도를 형성하고, 하우징의 상부로부터 베이스까지 수직으로 측정된 깊이는 0.25 mm 내지 0.3 mm 범위이고, 개구는 발광 표면으로서 베이스의 면적의 1.5 배 내지 2 배인 면적을 가지는, 에지형 발광 구성 요소 패키지 하우징.
  9. 삭제
  10. 제 8 항에 있어서,
    베이스상에 배치된 리이드 프레임을 더 포함하는, 에지형 발광 구성 요소 패키지 하우징.
KR1020100009494A 2009-11-06 2010-02-02 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체 KR101114108B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200910212345.2 2009-11-06
CN2009102123452A CN102054828A (zh) 2009-11-06 2009-11-06 侧光式发光元件封装壳体及封装结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110050332A KR20110050332A (ko) 2011-05-13
KR101114108B1 true KR101114108B1 (ko) 2012-02-22

Family

ID=43958996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100009494A KR101114108B1 (ko) 2009-11-06 2010-02-02 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110108871A1 (ko)
JP (1) JP2011101019A (ko)
KR (1) KR101114108B1 (ko)
CN (1) CN102054828A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102800787A (zh) * 2012-07-23 2012-11-28 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式发光二极管支架、贴片式发光二极管及显示屏模组
CN103515515A (zh) * 2013-09-27 2014-01-15 重庆四联光电科技有限公司 封装结构及方法
CN110265530B (zh) * 2014-01-29 2023-03-21 亮锐控股有限公司 填充有密封剂的用于磷光体转换led的浅反射器杯
CN107731999A (zh) * 2017-10-30 2018-02-23 深圳市立彩光电科技有限公司 侧发光的led
CN112445024B (zh) * 2019-09-03 2024-03-22 纬联电子科技(中山)有限公司 显示器及其背光模块与灯源支架

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090002319A (ko) * 2007-06-27 2009-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080025030A9 (en) * 2003-09-23 2008-01-31 Lee Kong W Ceramic packaging for high brightness LED devices
TWI256737B (en) * 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
US7279722B2 (en) * 2005-10-21 2007-10-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd Light emitting device with adjustable reflector cup
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090002319A (ko) * 2007-06-27 2009-01-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20110108871A1 (en) 2011-05-12
JP2011101019A (ja) 2011-05-19
KR20110050332A (ko) 2011-05-13
CN102054828A (zh) 2011-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7192164B2 (en) Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
KR101937643B1 (ko) 발광 모듈, 램프, 조명기구 및 디스플레이 장치
US7868345B2 (en) Light emitting device mounting substrate, light emitting device housing package, light emitting apparatus, and illuminating apparatus
KR101088910B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP3900848B2 (ja) 発光ダイオード
WO2005025933A2 (en) Led light source
KR101114108B1 (ko) 에지형 발광 구성 요소 패키지 구조체
EP2403324A2 (en) Light-emitting module and illumination device
WO2012151270A1 (en) Light emitting diode (led) packages, systems, devices and related methods
CN105591015B (zh) 发光器件封装和包括该发光器件封装的照明系统
JP2013030594A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP2005039194A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
TW201429005A (zh) 具有齊納（ｚｅｎｅｒ）二極體上之整合式反射遮罩的發光二極體封裝
JP2011151112A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
KR20100003469A (ko) Ｌｅｄ 패키지
JP2006237571A (ja) 発光ダイオード装置
JP2005310911A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2005057089A (ja) 白色ｌｅｄランプ
JP4624069B2 (ja) 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置
US10168007B2 (en) Light-emitting device and illuminating apparatus
KR20120001189A (ko) 발광 다이오드 패키지
KR101518459B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR20090007763U (ko) 발광다이오드 패키지
JP2018022808A (ja) 発光装置及び照明装置
US9698321B2 (en) Light-emitting apparatus, illumination apparatus, and method of manufacturing light-emitting apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee