KR101109074B1 - System and method for treating substrates - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 시스템은 도포 유닛, 노광 전후 처리 유닛, 그리고 현상 유닛을 가진다. 각각의 유닛은 로드 포트 및 인덱스 모듈을 가진다. 노광 전후 처리 유닛은 층으로 구획된 제 1 모듈과 제 2 모듈을 가진다. 제 1 모듈은 노광 전에 웨이퍼 상에 보호막을 도포하는 공정을 수행한다. 제 2 모듈은 노광 후에 웨이퍼를 세정하는 공정 및 노광 후 베이크 공정을 수행한다.
노광 후 베이크, 액침 노광, 보호막, 웨이퍼, 포토 리소그래피
The present invention provides a substrate processing system and a substrate processing method. The substrate processing system has a coating unit, a pre-exposure processing unit, and a developing unit. Each unit has a load port and an index module. The pre and post-exposure processing unit has a first module and a second module partitioned into layers. The first module performs a process of applying a protective film on the wafer before exposure. The second module performs a process of cleaning the wafer after exposure and a post-exposure bake process.
Bake after exposure, immersion exposure, protective film, wafer, photolithography
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 웨이퍼에 포토 리소그래피 공정을 수행하는 데 사용되는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method used to perform a photolithography process on a wafer.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed. Photolithography processes performed to form patterns play an important role in achieving high integration of semiconductor devices.
일반적으로 포토 리소그래피 공정을 수행하는 설비는 웨이퍼에 레지스트를 도포하는 도포기, 노광이 완료된 웨이퍼에 대해 현상 공정을 수행하는 현상기, 그리고 노광 장치와의 인라인 연결을 위한 인터페이스를 가진 처리 모듈을 가진다. 그러나 최근에 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 노광 공정에 소요되는 시간이 길어져 노광 장치에서 웨이퍼의 적체가 증가되고 있다. 이로 인해 기판 처리 모듈에 제공된 도포기와 현상기에서 처리 효율이 크게 저하되고 있다.In general, an apparatus for performing a photolithography process has an applicator for applying a resist to a wafer, a developer for performing a developing process on an exposed wafer, and a processing module having an interface for inline connection with the exposure apparatus. However, in recent years, as semiconductor devices have been highly integrated, the time required for the exposure process has been increased, and stacking of wafers in the exposure apparatus has increased. This greatly reduces the processing efficiency in the applicator and developer provided in the substrate processing module.
본 발명은 포토 리소그래피 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 시스템 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing system and method that can improve the efficiency of a photolithography process.
본 발명은 노광 공정의 전후에 수행되는 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 유닛들의 생산량을 증가시킬 수 있는 기판 처리 시스템 및 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing system and method capable of increasing the yield of units performing the coating process and the developing process performed before and after the exposure process.
본 발명은 공정을 수행하는 챔버들이 효율적으로 배치되도록 하는 레이아웃을 가진 기판 처리 시스템을 제공한다.The present invention provides a substrate processing system having a layout that allows the chambers that perform the process to be efficiently disposed.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명은 포토 리소그래피 공정을 수행하는 기판 처리 시스템을 제공한다. 상기 기판 처리 시스템은 기판에 대해 도포 공정을 수행하는 도포 유닛; 노광 공정을 수행하는 노광 장치와 연결되고, 상기 도포 유닛에서 공정이 수행된 기판에 대해 노광 전후 처리 공정을 수행하는 노광 전후 처리 유닛; 그리고 상기 노광 전후 처리 유닛에서 공정이 수행된 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 현상 유닛을 포함한다. 상기 도포 유닛, 상기 노광 전후 처리 유닛, 그리고 상기 현상 유닛은, 각각 웨이퍼들이 수납된 용기가 놓이는 로드 포트, 상기 용기로 기판을 넣거나 상기 용기로부터 기판을 꺼내는 인덱스 모듈, 그리고 기판 상에 소정의 공정을 수행하는 공정 모듈을 포함한다. 상기 로드 포트, 상기 인덱스 모듈, 그리고 상기 공정 모듈 은 순차적으로 배치된다. 상기 노광 전후 처리 유닛은 상기 노광 장치와 연결되는 인터페이스 모듈을 더 포함하고, 상기 인터페이스 모듈은 상기 공정 모듈을 기준으로 상기 인덱스 모듈의 반대 쪽에 배치된다. The present invention provides a substrate processing system for performing a photolithography process. The substrate processing system includes a coating unit that performs a coating process on a substrate; An exposure pre- and post-exposure processing unit connected to an exposure apparatus that performs an exposure process and performing a pre-exposure treatment process on a substrate on which the process is performed in the coating unit; And a developing unit which performs a developing process on the substrate on which the process is performed in the pre-exposure before and after processing unit. The coating unit, the pre-exposure processing unit, and the developing unit each include a load port in which a container containing wafers is placed, an index module for inserting a substrate into or removing a substrate from the container, and a predetermined process on the substrate. Process module to perform. The load port, the index module, and the process module are sequentially arranged. The pre-exposure before and after processing unit further includes an interface module connected to the exposure apparatus, and the interface module is disposed on the opposite side of the index module with respect to the process module.
일 예에 의하면, 상기 노광 전후 처리 유닛의 공정 모듈은 서로 층으로 구획되는 제 1 모듈과 제 2 모듈을 포함한다. 상기 제 1 모듈은 기판 상에 보호막을 도포하는 보호막 도포 챔버, 기판에 대해 열처리를 수행하는 베이크 챔버, 상기 보호막 도포 챔버와 상기 베이크 챔버 간에 기판을 운반하는 제 1 로봇을 포함할 수 있다. 상기 제 2 모듈은 기판을 세정하는 세정 챔버를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 모듈은 노광된 기판에 대해 노광 후 베이크 공정을 수행하는 노광 후 베이크 챔버와 상기 세정 챔버 및 상기 노광 후 베이크 챔버 간에 기판을 운반하는 제 2 로봇을 더 포함할 수 있다. In one embodiment, the process module of the pre-exposure before and after processing unit includes a first module and a second module partitioned into layers. The first module may include a protective coating chamber for applying a protective film on a substrate, a baking chamber for performing heat treatment on the substrate, and a first robot for transporting the substrate between the protective coating chamber and the baking chamber. The second module may include a cleaning chamber for cleaning the substrate. The second module may further include a post-exposure bake chamber that performs a post-exposure bake process on the exposed substrate, and a second robot that transports the substrate between the cleaning chamber and the post-exposure bake chamber.
상기 노광 전후 처리 유닛은 상기 인덱스 모듈과 상기 공정 모듈 사이에 배치된 버퍼 모듈을 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼 모듈은 상기 제 1 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 1 버퍼, 상기 제 2 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 2 버퍼를 포함할 수 있다. 상기 제 1 버퍼와 상기 제 2 버퍼 각각은 서로 적층되도록 배치되며, 기판이 놓이는 복수의 지지대들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 노광 전후 처리 유닛의 버퍼 모듈은 상기 제 1 버퍼와 상기 제 2 버퍼 간에 기판을 운반하는 버퍼 로봇을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 버퍼와 상기 제 2 버퍼는 상하 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 버퍼 모듈은 상기 제 1 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 냉 각하는 냉각 챔버를 더 포함할 수 있다. The pre-exposure before and after processing unit may further include a buffer module disposed between the index module and the process module. The buffer module may include a first buffer disposed at a height corresponding to the first module and temporarily storing the substrate, and a second buffer disposed at a height corresponding to the second module and temporarily storing the substrate. . Each of the first buffer and the second buffer may be disposed to be stacked on each other, and may include a plurality of supports on which a substrate is placed. In addition, the buffer module of the pre-exposure processing unit may further include a buffer robot for transporting the substrate between the first buffer and the second buffer. The first buffer and the second buffer may be arranged side by side in the vertical direction. The buffer module may further include a cooling chamber disposed at a height corresponding to the first module and cooling the substrate.
상기 인터페이스 모듈은 상기 제 1 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 1 버퍼, 상기 제 2 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 2 버퍼, 그리고 상기 제 1 버퍼와 상기 노광 장치, 그리고 상기 제 2 버퍼와 상기 노광 장치 간에 기판을 운반하는 인터페이스 로봇을 포함할 수 있다. The interface module is a first buffer disposed at a height corresponding to the first module and temporarily storing the substrate, a second buffer disposed at a height corresponding to the second module and temporarily storing the substrate, and the first buffer It may include a buffer and the exposure apparatus, and an interface robot for transporting the substrate between the second buffer and the exposure apparatus.
상기 도포 유닛은 에지 노광 모듈을 더 포함하되, 상기 에지 노광 모듈은 상기 공정 모듈을 기준으로 상기 인덱스 모듈의 반대쪽에 배치될 수 있다. The coating unit may further include an edge exposure module, wherein the edge exposure module may be disposed on an opposite side of the index module with respect to the process module.
또한 본 발명은 포토 레지스트가 도포된 기판에 대해 노광 전 및 노광 후에 요구되는 공정을 수행하는 노광 전후 처리 유닛을 제공한다. 상기 노광 전후 처리 유닛은 기판들이 수납된 용기가 놓이는 로드 포트, 상기 용기로부터 기판을 꺼내거나 상기 용기로 기판을 넣는 인덱스 모듈, 기판들에 대해 공정을 수행하는 공정 모듈, 그리고 노광 장치와 연결되는 인터페이스 모듈을 포함한다. 상기 로드 포트, 상기 인덱스 모듈, 상기 공정 모듈, 그리고 상기 인터페이스 모듈은 제 1 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 공정 모듈은 기판 상에 보호막을 도포하는 보호막 도포 챔버를 포함한다. 상기 공정 모듈은 기판을 세정하는 세정 챔버를 더 포함할 수 있다. 상기 공정 모듈은 기판에 대해 열처리를 수행하는 베이크 챔버를 더 포함할 수 있다. 상기 공정 모듈은 노광된 기판에 대해 노광 후 베이크 공정을 수행하는 노광 후 베이크 챔버를 더 포함할 수 있다. The present invention also provides a pre-exposure treatment unit for performing a process required before and after exposure to a substrate to which a photoresist is applied. The pre-exposure before and after processing unit includes a load port in which a container containing substrates is placed, an index module for removing a substrate from the container or inserting the substrate into the container, a process module for performing a process on the substrates, and an interface connected to the exposure apparatus. Contains modules The load port, the index module, the process module, and the interface module are sequentially disposed along a first direction, and the process module includes a protective film applying chamber for applying a protective film on a substrate. The process module may further include a cleaning chamber for cleaning the substrate. The process module may further include a baking chamber that performs heat treatment on the substrate. The process module may further include a post-exposure bake chamber that performs a post-exposure bake process on the exposed substrate.
상기 공정 모듈은 서로 층으로 구획되게 배치되는 제 1 모듈과 제 2 모듈을 포함하되, 상기 보호막 도포 챔버는 상기 제 1 모듈에 배치되고, 상기 세정 챔버는 상기 제 2 모듈에 배치될 수 있다. 상기 공정 모듈은 상기 제 1 모듈에 배치되며 기판에 대해 열처리를 수행하는 베이크 챔버와 상기 제 1 모듈에 배치되며 상기 보호막 도포 챔버와 상기 베이크 챔버 간에 기판을 운반하는 제 1 로봇, 상기 제 2 모듈에 배치되며 노광된 기판에 대해 노광 후 베이크 공정을 수행하는 노광 후 베이크 챔버, 그리고 상기 제 2 모듈에 배치되며 상기 세정 챔버 및 상기 노광 후 베이크 챔버 간에 기판을 운반하는 제 2 로봇을 포함할 수 있다. The process module may include a first module and a second module disposed to be partitioned into layers, wherein the protective film applying chamber may be disposed in the first module, and the cleaning chamber may be disposed in the second module. The process module is disposed in the first module and the bake chamber for performing heat treatment on the substrate and the first robot disposed in the first module and transports the substrate between the protective film applying chamber and the bake chamber, the second module And a post-exposure bake chamber configured to perform a post-exposure bake process on the exposed and disposed substrates, and a second robot disposed in the second module and transferring the substrate between the cleaning chamber and the post-exposure bake chamber.
상기 노광 전후 처리 유닛은 상기 인덱스 모듈과 상기 공정 모듈 사이에 배치된 버퍼 모듈을 더 포함하되, 상기 버퍼 모듈은 상기 제 1 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 1 버퍼와 상기 제 2 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 2 버퍼를 포함할 수 있다. 상기 제 1 버퍼와 상기 제 2 버퍼 각각은 서로 적층되도록 배치되며, 기판이 놓이는 복수의 지지대들을 포함할 수 있다. 상기 노광 전후 처리 유닛의 버퍼 모듈은 상기 제 1 버퍼와 상기 제 2 버퍼 간에 기판을 운반하는 버퍼 로봇을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 버퍼와 상기 제 2 버퍼는 상하 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 버퍼 모듈은 상기 제 1 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각 챔버를 더 포함할 수 있다. The pre-exposure before and after processing unit further includes a buffer module disposed between the index module and the process module, wherein the buffer module is disposed at a height corresponding to the first module and temporarily stores a substrate. It may include a second buffer disposed at a height corresponding to the second module to temporarily store the substrate. Each of the first buffer and the second buffer may be disposed to be stacked on each other, and may include a plurality of supports on which a substrate is placed. The buffer module of the pre-exposure before and after processing unit may further include a buffer robot that transports the substrate between the first buffer and the second buffer. The first buffer and the second buffer may be arranged side by side in the vertical direction. The buffer module may further include a cooling chamber disposed at a height corresponding to the first module and cooling the substrate.
상기 인터페이스 모듈은 상기 제 1 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 1 버퍼; 상기 제 2 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 2 버퍼; 상기 제 1 버퍼와 상기 노광 장치 간에, 그리 고 상기 제 2 버퍼와 상기 노광 장치 간에 기판을 운반하는 인터페이스 로봇을 포함할 수 있다. 상기 제 1 버퍼와 상기 제 2 버퍼 각각은 서로 적층되도록 배치되며, 기판이 놓이는 복수의 지지대들을 포함할 수 있다.The interface module may include a first buffer disposed at a height corresponding to the first module and temporarily storing a substrate; A second buffer disposed at a height corresponding to the second module and temporarily storing a substrate; And an interface robot for transporting a substrate between the first buffer and the exposure apparatus and between the second buffer and the exposure apparatus. Each of the first buffer and the second buffer may be disposed to be stacked on each other, and may include a plurality of supports on which a substrate is placed.
본 발명의 다른 예에 의하면, 노광 전후 처리 유닛은 기판들이 수납된 용기가 놓이는 로드 포트, 상기 용기로 기판을 넣거나 상기 용기로부터 기판을 꺼내는 인덱스 모듈, 기판들에 대해 공정을 수행하는 공정 모듈, 상기 인덱스 모듈과 상기 공정 모듈 사이에 배치되는 버퍼 모듈, 그리고 노광 장치와 연결되는 인터페이스 모듈을 포함한다. 상기 로드 포트, 상기 인덱스 모듈, 상기 버퍼 모듈, 상기 공정 모듈, 그리고 상기 인터페이스 모듈은 제 1 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 공정 모듈은 서로 층으로 구획되는 제 1 모듈과 제 2 모듈을 포함한다. 상기 제 1 모듈은 기판 상에 보호막을 도포하는 보호막 도포 챔버, 기판에 대해 열처리를 수행하는 베이크 챔버, 상기 보호막 도포 챔버, 상기 베이크 챔버, 상기 버퍼 모듈, 그리고 상기 인터페이스 모듈 간에 기판을 반송하는 제 1 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함한다. 상기 제 2 모듈은 기판을 세정하는 세정 챔버, 기판에 대해 노광 후 베이크 공정을 수행하는 노광 후 베이크 챔버, 상기 세정 챔버, 상기 노광 후 베이크 챔버, 상기 버퍼 모듈, 그리고 상기 인터페이스 모듈 간에 기판을 반송하는 제 2 로봇이 제공된 반송 챔버를 포함한다. According to another example of the invention, the pre-exposure before and after processing unit is a load port in which a container in which the substrates are placed, an index module for putting a substrate into or withdrawing the substrate from the container, a process module for performing a process on the substrates, A buffer module disposed between the index module and the process module, and an interface module connected to the exposure apparatus. The load port, the index module, the buffer module, the process module, and the interface module are sequentially disposed along a first direction, and the process module includes a first module and a second module partitioned into layers. . The first module may be configured to transfer a substrate between a protective film applying chamber for applying a protective film on a substrate, a baking chamber for performing heat treatment on the substrate, the protective film applying chamber, the bake chamber, the buffer module, and the interface module. The robot includes a transfer chamber provided. The second module transfers a substrate between a cleaning chamber for cleaning a substrate, a post-exposure bake chamber for performing a post-exposure bake process on the substrate, the cleaning chamber, the post-exposure bake chamber, the buffer module, and the interface module. The second robot includes a transfer chamber provided.
상기 보호막 도포 챔버, 상기 제 1 로봇이 제공된 반송 챔버, 상기 베이크 챔버는 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 세정 챔버, 상기 제 2 로봇이 제공된 반송 챔버, 상기 노광 후 베이크 챔버는 상기 제 2 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. The protective film applying chamber, the transfer chamber provided with the first robot, and the bake chamber are sequentially disposed along a second direction perpendicular to the first direction, and the cleaning chamber, the transfer chamber provided with the second robot, and the exposure The post bake chamber may be sequentially arranged along the second direction.
상기 제 1 모듈은 상기 제 2 모듈의 상부에 배치되고, 상기 버퍼 모듈은 상기 제 1 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 1 버퍼, 상기 제 2 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각 챔버를 포함하고, 상기 제 1 버퍼와 상기 냉각 챔버는 상하 방향으로 일렬로 배치되며, 상기 제 1 버퍼는 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 모듈의 반송 챔버와 상기 제 1 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있다. The first module is disposed above the second module, the buffer module is disposed at a height corresponding to the first module and the first buffer for temporarily storing the substrate, at a height corresponding to the second module And a cooling chamber configured to cool the substrate, wherein the first buffer and the cooling chamber are arranged in a line in the vertical direction, and the first buffer is viewed from above and the conveying chamber of the first module and the first direction. It can be arranged along the line.
상기 버퍼 모듈은 상기 제 2 모듈과 대응되는 높이에 배치되며 기판을 일시적으로 보관하는 제 2 버퍼, 상기 제 1 버퍼 및 상기 제 2 버퍼 간에 기판을 운반하는 버퍼 로봇을 더 포함하고, 상기 제 1 버퍼 및 상기 버퍼 로봇은 상부에서 바라볼 때 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 배치될 수 있다. The buffer module further includes a second buffer disposed at a height corresponding to the second module and temporarily transferring the substrate between the first buffer and the second buffer, wherein the buffer robot carries the substrate between the first buffer and the first buffer. And the buffer robot may be disposed along a second direction perpendicular to the first direction when viewed from the top.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은 기판 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정을 수행하는 단계, 상기 포토 레지스트가 도포된 기판 상에 보호막을 도포하는 공정을 수행하는 단계, 상기 보호막이 도포된 기판에 대해 액침 노광 공정을 수행하는 단계, 상기 액침 노광이 수행된 기판을 세정하는 공정을 수행하는 단계, 그리고 상기 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 단계를 포함한다. 상기 보호막을 도포하는 공정을 수행하는 단계와 상기 세정하는 공정을 수행하는 단계는 상기 액침 노광 공정을 수행하는 노광 장치와 인라인으로 연결된 노광 전후 처리 유닛에서 이루어지고, 상기 포토 레지스트를 도포하는 공정을 수행하는 단계는 상기 노광 전후 처리 유닛과 분리되어 배치된 도포 유닛에서 이루 어지고, 상기 현상 공정을 수행하는 단계는 상기 노광 전후 처리 유닛과 분리되어 배치된 도포 유닛에서 이루어진다. The present invention also provides a method of treating a substrate. The substrate treating method includes performing a process of applying a photoresist on a substrate, performing a process of applying a protective film on the substrate on which the photoresist is applied, and performing a liquid immersion exposure process on the substrate on which the protective film is applied. Performing a process of cleaning the substrate on which the liquid immersion exposure has been performed, and performing a developing process on the substrate. The process of applying the protective film and the performing of the cleaning process are performed in a pre-exposure processing unit connected inline with an exposure apparatus that performs the liquid immersion exposure process, and performs the process of applying the photoresist. The step of performing is performed in an application unit disposed separately from the pre-exposure treatment unit, and the step of performing the developing process is performed in an application unit disposed separately from the pre-exposure treatment unit.
상기 기판 처리 방법은 상기 기판을 세정하는 공정과 상기 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 단계 사이에, 상기 기판에 대해 노광 후 베이크 공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 기판을 세정하는 공정은 세정액을 기판으로 공급하여 이루어지고, 상기 기판 상에 잔류하는 세정액은 상기 노광 후 베이크 공정을 수행하는 동안 제거될 수 있다. The substrate processing method may further include performing a post-exposure bake process on the substrate between the process of cleaning the substrate and the process of developing the substrate. The process of cleaning the substrate is performed by supplying a cleaning liquid to the substrate, and the cleaning liquid remaining on the substrate may be removed during the post-exposure bake process.
상기 기판을 세정하는 공정은 세정액을 이용하여 기판을 세정하고, 상기 기판 상에 잔류하는 세정액을 제거하는 공정은 상기 기판을 세정하는 공정의 직후에 이루어지는 상기 노광 후 베이크 공정에서 수행될 수 있다. The process of cleaning the substrate may be performed in the post-exposure bake process performed immediately after the process of cleaning the substrate, and the process of removing the cleaning liquid remaining on the substrate using the cleaning liquid.
상기 보호막은 상기 노광 전후 처리 유닛의 외부에서 제거될 수 있다. 상기 보호막의 일부는 상기 현상 공정에서 제거되고, 나머지 일부는 애싱 공정에서 제거될 수 있다. The protective film may be removed from the outside of the processing unit before and after exposure. A part of the protective film may be removed in the developing process, and the other part may be removed in the ashing process.
본 발명에 의하면, 포토 리소그래피 공정을 효율적으로 수행할 수 있다.According to the present invention, a photolithography process can be performed efficiently.
본 발명에 의하면, 도포유닛 및 현상 유닛에서 생산량을 증가시킬 수 있다.According to the present invention, the yield can be increased in the coating unit and the developing unit.
본 발명에 의하면, 화학 증폭형 포토레지스트가 사용되는 경우, 노광 후 베이크 공정을 노광 공정 후 빠른 시간 내에 처리할 수 있다.According to the present invention, when a chemically amplified photoresist is used, the post-exposure bake process can be processed in a short time after the exposure process.
본 발명에 의하면, 세정 챔버에 별도의 건조 노즐을 제공하지 않고, 노광 후 베이크 유닛에서 산 증폭과 함께 기판 상에 잔류하는 세정액을 제거할 수 있으므로 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.According to the present invention, since the cleaning liquid remaining on the substrate can be removed together with acid amplification in the bake unit after exposure, a separate drying nozzle is not provided in the cleaning chamber, thereby reducing the time required for the process.
본 발명에 의하면, 노광 전후 처리 유닛에 별도의 보호막 제거 챔버를 제공하지 않고, 후속되는 현상 공정과 애싱 공정에서 보호막을 제거하므로, 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.According to the present invention, since the protective film is removed in a subsequent developing step and an ashing step without providing a separate protective film removing chamber in the pre-exposure processing unit, the time required for the process can be reduced.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 14g를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 14G. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.
본 실시예의 시스템은 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 시스템은 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정, 그리고 액침 노광 전후에 요구되는 노광 전후 처리 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The system of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the system of this embodiment is used to perform a coating process, a developing process, and a pre-exposure treatment process required before and after the liquid immersion exposure to the substrate. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1)을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템(1)은 도포 유닛(3000), 노광 전후 처리 유닛(4000), 그리고 현상 유닛(5000)을 가진다. 도포 유닛(3000), 노광 전후 처리 유닛(4000), 그리고 현상 유닛(5000)은 각각 서로 간에 분리되어 배치된 다. 웨이퍼(W)는 자동 이송 장치(1000)나 작업자에 의해 도포 유닛(3000), 노광 전후 처리 유닛(4000), 그리고 현상 유닛(5000) 간에 운반된다. 웨이퍼(W)는 용기(도 2의 2000) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이 때 용기(2000)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 용기(2000)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. 아래에서는 도포 유닛(3000), 노광 전후 처리 유닛(4000), 그리고 현상 유닛(5000)이 각각 그 길이방향이 서로 간에 나란하게 배치된 경우를 설명한다. 그러나 이와 달리 도포 유닛(3000), 노광 전후 처리 유닛(4000), 그리고 현상 유닛(5000)은 그 길이 방향이 서로 간에 평행하지 않은 상태로 배치될 수 있다.1 schematically shows a
도포 유닛(3000)은 웨이퍼(W)에 대해 제 1 공정을 수행한다. 제 1 공정은 웨이퍼(W)에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. The
현상 유닛(5000)은 웨이퍼(W)에 대해 제 2 공정을 수행한다. 제 2 공정은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다.The developing
노광 전후 처리 유닛(4000)은 노광 장치(9000)와 인라인으로 연결되도록 배치된다. 노광 전후 처리 유닛(4000)은 제 3 공정을 포함한다. 제 3 공정은 제 1 공정과 노광 공정 사이, 그리고 노광 공정과 제 2 공정 사이에 수행되는 공정으로 노광 전후에 요구되는 공정을 포함한다. 예컨대, 노광 장치(9000)가 액침 노광 공정 을 수행하는 경우, 제 3 공정은 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 제 3 공정은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행되고, 원자외선(deep ultraviolet, DUV) 광원을 사용하여 노광 공정이 수행되는 경우, 제 3 공정은 노광 후 베이크 공정을 포함할 수 있다. The pre-exposure before and after processing
이하, 각각의 유닛에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, each unit will be described in detail.
(도포 유닛)(Application unit)
도 2 내지 도 4는 도포 유닛(3000)의 구조를 개략적으로 보여주는 도면들이다. 도 2는 도포 유닛(3000)을 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 도포 유닛(3000)을 'A' 방향을 따라 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 도포 유닛(3000)을 'B' 방향을 따라 바라본 도면이다.2 to 4 are diagrams schematically showing the structure of the
도 2 내지 도 4를 참조하면, 도포 유닛(3000)은 로드 포트(3100), 인덱스 모듈(3200), 버퍼 모듈(3300), 공정 모듈(3400), 그리고 에지 노광 모듈(3500)을 가진다. 로드 포트(3100), 인덱스 모듈(3200), 버퍼 모듈(3300), 공정 모듈(3400), 그리고 에지 노광 모듈(3500)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(3100), 인덱스 모듈(3200), 버퍼 모듈(3300), 공정 모듈(3400), 그리고 에지 노광 모듈(3500)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. 2 to 4, the
로드 포트(3100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 용기(2000)가 놓여지는 재치대(3120)를 가진다. 재치대(3120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(3120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(3120)가 제공되었다. The
인덱스 모듈(3200)은 로드 포트(3100)의 재치대(3120)에 놓인 용기(2000)와 버퍼 모듈(3300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(3200)은 프레임(3210), 인덱스 로봇(3220), 그리고 가이드 레일(3230)을 가진다. 프레임(3210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(3100)와 버퍼 모듈(3300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(3200)의 프레임(3210)은 후술하는 버퍼 모듈(3300)의 프레임(3310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(3220)과 가이드 레일(3230)은 프레임(3210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(3220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(3221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(3220)은 핸드(3221), 아암(3222), 지지대(3223), 그리고 받침대(3224)를 가진다. 핸드(3221)는 아암(3222)에 고정 설치된다. 아암(3222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(3223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(3222)은 지지대(3223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(3223)에 결합된다. 지지대(3223)는 받침대(3224)에 고정결합된다. 가이드 레일(3230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(3224)는 가이드 레일(3230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(3230)에 결합된다. 또한, 도시 되지는 않았지만, 프레임(3210)에는 용기(2000)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
도 3을 참조하면, 버퍼 모듈(3300)은 프레임(3310), 제 1 버퍼(3320), 제 2 버퍼(3330), 제 1 냉각 챔버(3340), 제 2 냉각 챔버(3350), 그리고 버퍼 로봇(3360)을 가진다. 프레임(3310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(3200)과 공정 모듈(3400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(3320), 제 2 버퍼(3330), 제 1 냉각 챔버(3340), 제 2 냉각 챔버(3350), 그리고 버퍼 로봇(3360)은 프레임(3310) 내에 위치된다. 제 2 냉각 챔버(3350), 제 2 버퍼(3330), 제 1 냉각 챔버(3340), 그리고 제 1 버퍼(3320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 냉각 챔버(3340) 및 제 1 버퍼(3320)는 후술하는 공정 모듈(3400)의 제 1 모듈(3401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 냉각 챔버(3350)와 제 2 버퍼(3330)는 후술하는 공정 모듈(3400)의 제 2 모듈(3402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(3360)은 제 2 버퍼(3330), 제 2 냉각 챔버(3350), 제 1 버퍼(3320), 그리고 제 1 냉각 챔버(3340)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. Referring to FIG. 3, the
제 2 버퍼(3330)와 제 1 버퍼(3320)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(3330)는 하우징(3331)과 복수의 지지대들(3332)을 가진다. 지지대들(3332)은 하우징(3331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(3332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(3331)은 인덱스 로봇(3220), 버퍼 로봇(3360), 그리고 후술하는 제 2 모 듈(3402)의 제 2 로봇(3482)이 하우징(3331) 내 지지대(3332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(3220)이 제공된 방향, 버퍼 로봇(3360)이 제공된 방향, 그리고 제 2 로봇(3482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(3320)는 제 2 버퍼(3330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(3320)의 하우징(3321)에는 버퍼 로봇(3360)이 제공된 방향 및 후술하는 제 1 모듈(3401)에 위치된 제 1 로봇(3432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(3320)에 제공된 지지대(3322)의 수와 제 2 버퍼(3330)에 제공된 지지대(3332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(3330)에 제공된 지지대(3332)의 수는 제 1 버퍼(3320)에 제공된 지지대(3322)의 수보다 많을 수 있다. The
버퍼 로봇(3360)은 제 1 버퍼(3320)와 제 2 버퍼(3330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 버퍼 로봇(3360)은 핸드(3361), 아암(3362), 그리고 지지대(3363)를 가진다. 핸드(3361)는 아암(3362)에 고정 설치된다. 아암(3362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(3361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(3362)은 지지대(3363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(3363)에 결합된다. 지지대(3363)는 제 2 버퍼(3330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(3320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(3363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(3360)은 단순히 핸드(3361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The
제 1 냉각 챔버(3340)와 제 2 냉각 챔버(3350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한 다. 제 2 냉각 챔버(3350)는 하우징(3351)과 냉각 플레이트(3352)를 가진다. 냉각 플레이트(3352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(3353)을 가진다. 냉각 수단(3353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 제 2 냉각 챔버(3350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(3352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(3351)은 인덱스 로봇(3220) 및 후술하는 제 2 모듈(3402)에 제공된 제 2 로봇(3482)이 냉각 플레이트(3352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(3220)이 제공된 방향 및 제 2 로봇(3482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 제 2 냉각 챔버(3350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(3340)와 제 2 냉각 챔버(3350)는 서로 간에 동일한 구조를 가진다. The
공정 모듈(3400)은 웨이퍼(W)가 노광 전후 처리 유닛(4000)으로 운반되기 전에 필요한 공정을 수행한다. 공정 모듈(3400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 공정 모듈(3400)은 제 1 모듈(3401)과 제 2 모듈(3402)을 가진다. 제 1 모듈(3401)과 제 2 모듈(3402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 제 1 모듈(3401)과 제 2 모듈(3402)은 각각 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제 1 모듈(3401)은 제 2 모듈(3402)의 상부에 위치된다.The
제 1 모듈(3401)은 레지스트 도포 챔버(3410), 베이크 챔버(3420), 그리고 반송 챔버(3430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(3410), 베이크 챔버(3420), 그리고 반송 챔버(3430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(3410)와 베이크 챔버(3420)는 반송 챔버(3430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(3410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(3410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(3420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(3420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(3420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The
반송 챔버(3430)는 버퍼 모듈(3300)의 제 1 버퍼(3320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(3430) 내에는 제 1 로봇(3432)과 가이드 레일(3433)이 위치된다. 반송 챔버(3433)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 제 1 로봇(3432)은 베이크 챔버들(3420), 레지스트 도포 챔버들(3400), 버퍼 모듈(3300)의 제 1 버퍼(3320)와 제 1 냉각 챔버(3340), 그리고 후술하는 에지 노광 모듈(3500)의 제 1 버퍼(3520)와 제 1 냉각 챔버(3540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(3433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(3433)은 제 1 로봇(3432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 제 1 로봇(3432)은 핸드(3434), 아암(3435), 지지대(3436), 그리고 받침대(3437)를 가진다. 핸드(3434)는 아암(3435)에 고정 설치된다. 아암(3435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(3434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(3436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(3435)은 지지대(3436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(3436)에 결합된 다. 지지대(3436)는 받침대(3437)에 고정 결합되고, 받침대(3437)는 가이드 레일(3433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(3433)에 결합된다.The
레지스트 도포 챔버들(3410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(3410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(3410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(3410)는 하우징(3411), 지지 플레이트(3412), 그리고 노즐(3413)을 가진다. 하우징(3411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(3412)는 하우징(3411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(3412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(3413)은 지지 플레이트(3412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(3413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(3413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(3413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(3410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(3414)이 더 제공될 수 있다. The resist
베이크 챔버(3420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버(3420)들은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행 하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(3420)는 냉각 플레이트(3421) 또는 가열 플레이트(3422)를 가진다. 냉각 플레이트(3421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(3423)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(3422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(3424)이 제공된다. 가열 플레이트(3422)와 냉각 플레이트(3421)는 하나의 베이크 챔버(3420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(3420)들 중 일부는 가열 플레이트(3422)만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(3421)만을 구비할 수 있다. The
제 2 모듈(3402)은 레지스트 도포 챔버(3460), 베이크 챔버(3470), 그리고 반송 챔버(3480)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(3460), 베이크 챔버(3470), 그리고 반송 챔버(3480)는 제 1 모듈(3401)의 레지스트 도포 챔버(3410), 베이크 챔버(3420), 그리고 반송 챔버(3430)와 동일한 구조 및 배치를 가진다. 또한, 반송 챔버(3480)는 제 2 로봇(3482)을 가지며, 제 2 로봇(3482)은 제 1 모듈(3401)에 제공된 제 1 로봇(3432)과 동일한 구조를 가진다. 제 2 로봇(3482)은 레지스트 도포 챔버(3460), 베이크 챔버(3470), 버퍼 모듈(3300)의 제 2 버퍼(3330)와 제 2 냉각 챔버(3350), 그리고 후술하는 에지 노광 모듈(3500)의 제 2 버퍼(3530)와 제 2 냉각 챔버(3550) 간에 웨이퍼(W)를 운반하도록 제공된다.The
상술한 바와 같이 공정 모듈(3400)에서 제 1 모듈(3401)과 제 2 모듈(3402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제 1 모듈(3401)과 제 2 모듈(3402)은 동일한 구조 및 배치를 가질 수 있다. As described above, in the
에지 노광 모듈(3500)은 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 모듈(3500)은 프레임(3510), 제 1 버퍼(3520), 제 2 버퍼(3530),제 1 냉각 챔버(3540), 제 2 냉각 챔버(3550), 에지 노광 로봇(3560), 제 1 에지 노광 챔버(3570), 제 2 에지 노광 챔버(3580, 도 2에서 3570 아래에 배치됨)를 가진다. 프레임(3510)은 직육면체의 형상을 가진다. 에지 노광 로봇(3560), 제 1 버퍼(3520), 제 1 에지 노광 챔버(3570), 제 1 냉각 챔버(3540), 제 2 버퍼(3530), 제 2 에지 노광 챔버(3580), 그리고 제 2 냉각 챔버(3550)는 프레임(3510) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(3520), 제 1 에지 노광 챔버(3570), 제 1 냉각 챔버(3540)는 제 1 모듈(3401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 버퍼(3530), 제 2 에지 노광 챔버(3580), 제 2 냉각 챔버(3550)는 제 2 모듈(3402)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 1 버퍼(3520), 제 1 냉각 챔버(3540), 제 2 버퍼(3530), 제 2 냉각 챔버(3550)는 위에서부터 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(3520)는 제 1 모듈(3401)의 반송 챔버(3430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 제 1 에지 노광 챔버(3570)는 제 1 버퍼(3520) 및 제 1 냉각 챔버(3540)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. 제 2 에지 노광 챔버(3580)는 제 2 버퍼(3530) 및 제 2 냉각 챔버(3550)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. 제 2 에지 노광 챔버(3580)와 제 1 에지 노광 챔버(3570)는 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. The
에지 노광 로봇(3560)은 제 1 버퍼(3520), 제 1 에지 노광 챔버(3570), 제 1 냉각 챔버(3540), 제 2 버퍼(3530), 제 2 에지 노광 챔버(3580), 그리고 제 2 냉각 챔버(3550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 에지 노광 로봇(3560)은 제 1 에지 노광 챔버(3570)와 제 1 버퍼(3520) 사이에 위치된다. 에지 노광 로봇(3560)은 버퍼 로봇(3360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. The
제 1 버퍼(3520), 제 1 냉각 챔버(3540), 제 1 에지 노광 챔버(3570)는 제 1 모듈(3401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 버퍼(3520)과 제 2 버퍼(3560)은 각각 버퍼 모듈(3300)의 제 1 버퍼(3320)과 동일한 구조를 가진다. 제 1 냉각 챔버(3540)는 제 1 모듈(3401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(3540)는 버퍼 모듈(3300)의 제 1 냉각 챔버(3340)과 유사한 구조를 가진다. 제 1 에지 노광 챔버(3570)는 제 1 냉각 챔버(3540)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 제 1 버퍼(3520)는 제 1 에지 노광 챔버(3570)에서 에지 노광 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 다시 제 1 모듈(3401)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. The
제 2 버퍼(3530), 제 2 냉각 챔버(3550), 제 2 에지 노광 챔버(3580)는 제 2 모듈(3402)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 2 냉각 챔버(3550)는 제 2 모듈(3402)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 2 냉각 챔버(3550)은 버퍼 모듈(3300)의 제 2 냉각 챔버(3350)과 유사한 구조를 가진다. 제 2 에지 노광 챔버(3580)는 제 2 냉각 챔버(3550)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 제 2 버퍼(3530)는 제 2 에지 노광 챔버(3580)에서 에지 노광 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 다시 제 2 모듈(3402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. The
다음에는 도 5a와 도 5b를 참조하여, 도 2의 도포 유닛(3000)을 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다. 도 5a와 도 5b는 도포 유닛(3000)에서 웨이퍼(W)에 대해 공정이 수행되는 일 예를 보여주는 플로우 차트이다. Next, an example of performing a process using the
웨이퍼들(W)이 수납된 용기(2000)는 로드 포트(3100)의 재치대(3120)에 놓인다(스텝 S112). 도어 오프너에 의해 용기(2000)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(3220)은 용기(2000)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(3330)로 운반한다(스텝 S112). 웨이퍼(W)는 제 1 모듈(3401)과 제 2 모듈(3402) 중 선택된 곳으로 이동된다. The
웨이퍼(W)가 제 1 모듈(3401)에서 공정이 수행되도록 선택된 경우, 버퍼 로봇(3360)은 제 2 버퍼(3330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(3320)로 운반한다(스텝 S120). 제 1 로봇(3432)은 제 1 버퍼(3320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 베이크 챔버(3420)로 운반한다(스텝 S122). 베이크 챔버(3420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다(스텝 S124). 제 1 로봇(3432)은 베이크 챔버(3420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(3410)로 운반한다(스텝 S126). 레지스트 도포 챔버(3410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다(스텝 S128). 이후 제 1 로봇(3432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(3410)로부터 베이크 챔버(3420)로 운반한다(스텝 S130). 베이크 챔버(3420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다(스텝 S132). When the wafer W is selected to be processed in the
제 1 로봇(3432)은 베이크 챔버(3420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 에지 노광 모 듈(3500)의 제 1 냉각 챔버(3540)로 운반한다(스텝 S134). 제 1 냉각 챔버(3540)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다(스텝 S136). 선택적으로 냉각 공정은 베이크 챔버(3420)에서 수행되고, 웨이퍼(W)는 베이크 챔버(3420)에서 제 1 버퍼(3520)로 직접 운반될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(3540)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 에지 노광 로봇(3560)에 의해 제 1 에지 노광 챔버(3570)로 운반된다(스텝 S138). 선택적으로 제 1 냉각 챔버(3540)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 에지 노광 로봇(3560)에 의해 제 1 버퍼(3520)로 운반되어 일시적으로 보관된 후, 에지 노광 로봇(3560)에 의해 제 1 에지 노광 챔버(3570)로 운반될 수 있다. 제1 에지 노광 챔버는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다(스텝 S140). 제 1 에지 노광 챔버(3570)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 에지 노광 로봇(3560)에 의해 제 1 버퍼(3520)로 운반된다(스텝 S142). The
제 1 로봇(3432)은 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(3520)로부터 베이크 챔버(3420)로 운반한다(스텝 S144). 베이크 챔버(3420)는 웨이퍼(W)를 가열하는 공정을 수행된다(스텝 S146). 제 1 로봇(3432)은 베이크 챔버(3420)로부터 웨이퍼(W)를 버퍼 모듈(3300)의 제 1 냉각 챔버(3340)로 운반한다(스텝 S148). 제 1 냉각 챔버(3340)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다(스텝 S150). 인덱스 로봇(3220)은 제 1 냉각 챔버(3340)로부터 웨이퍼(W)를 용기(2000)로 운반한다(스텝 S152). The
웨이퍼(W)가 제 2 모듈(3402)에서 공정이 수행되도록 선택된 경우, 제 2 로봇(3482)은 제 2 버퍼(3330)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 모듈(3402)의 베이크 챔버(3470)로 운반한다(스텝 S160). 베이크 챔버(3470)는 프리 베이크 및 냉각 공 정을 순차적으로 수행한다(스텝 S162). 제 2 로봇(3482)은 베이크 챔버(3470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(3460)로 운반한다(스텝 S164). 레지스트 도포 챔버(3460)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다(스텝 S166). 이후 제 2 로봇(3482)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(3460)로부터 베이크 챔버(3470)로 운반한다(스텝 S168). 베이크 챔버(3470)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다(스텝 S170). When the wafer W is selected to perform the process in the
제 2 로봇(3482)은 베이크 챔버(3470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 에지 노광 모듈(3500)의 제 2 냉각 챔버(3550)로 운반한다(스텝 S172). 제 2 냉각 챔버(3550)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 선택적으로 냉각 공정은 베이크 챔버(3470)에서 수행되고, 웨이퍼(W)는 베이크 챔버(3470)에서 제 2 버퍼(3530)로 직접 운반될 수 있다. 제 2 냉각 챔버(3550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 에지 노광 로봇(3560)에 의해 제 2 에지 노광 챔버(3580)로 운반된다(스텝 S174). 선택적으로 제 2 냉각 챔버(3550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 에지 노광 로봇(3560)에 의해 제 2 버퍼(3530)로 운반되어 일시적으로 보관된 후, 에지 노광 로봇(3560)에 의해 제 2 에지 노광 챔버(3580)로 운반될 수 있다(스텝 S176). 제 2 에지 노광 챔버(3580)는 웨이퍼(W)의 가장자리를 노광하는 공정을 수행한다(스텝 S178). 제 2 에지 노광 챔버(3580)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 에지 노광 로봇(3560)에 의해 제 2 버퍼(3530)로 운반된다(스텝 S180). The second robot 3348 takes the wafer W out of the
제 2 로봇(3482)은 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(3530)로부터 베이크 챔버(3470)로 운반한다(스텝 S182). 베이크 챔버(3470)는 웨이퍼(W)를 가열하는 공정을 수행한 다(스텝 S184). 제 2 로봇(3482)은 베이크 챔버(3470)로부터 웨이퍼(W)를 버퍼 모듈(3300)의 제 2 냉각 챔버(3350)로 운반한다(스텝 S186). 제 2 냉각 챔버(3350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다(스텝 S188). 인덱스 로봇(3220)은 제 2 냉각 챔버(3350)로부터 웨이퍼(W)를 용기(2000)로 운반한다(스텝 S190). The second robot 3348 transfers the wafer W from the
다음에는 상술한 도포 유닛(3000)의 다양한 변형 예들을 예시한다.Next, various modifications of the above-described
공정 모듈(3400)은 서로 층으로 구획된 제 1 모듈(3401)과 제 2 모듈(3402) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. The
또한, 인덱스 모듈(3200)에는 제 1 냉각 챔버(3340) 및 제 2 냉각 챔버(3350) 각각이 복수개가 서로 적층되도록 배치될 수 있다. 또한, 에지 노광 모듈(3500)에는 제 1 냉각 챔버(3540) 및 제 1 에지 노광 챔버(3570) 각각이 복수개 제공되고, 제 2 냉각 챔버(3550) 및 제 2 에지 노광 챔버(3580) 각각이 복수 개 제공될 수 있다. In addition, the
또한, 버퍼 모듈(3300)에는 제 1 냉각 챔버(3340) 및 제 2 냉각 챔버(3350)가 제공되지 않을 수도 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 제 1 모듈(3401)로부터 제 1 로봇(3432)에 의해 직접 제 1 버퍼(3320)로 이송되고, 인덱스 로봇(3220)은 제 1 버퍼(3320)에 보관된 웨이퍼들(W)을 용기(2000)로 운반할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)는 제 2 모듈(3402)로부터 제 2 로봇(3482)에 의해 직접 제 2 버퍼(3330)로 이송되고, 인덱스 로봇(3220)은 제 2 버퍼(3330)에 보관된 웨이퍼들(W)을 용기(2000)로 운반할 수 있다. In addition, the
또한, 버퍼 모듈(3300)에서 제 1 버퍼(3320)와 제 1 냉각 챔버(3340)는 그 위치가 서로 변경될 수 있고, 제 2 버퍼(3330)와 제 2 냉각 챔버(3350)는 그 위치가 서로 변경될 수 있다. Also, in the
또한, 버퍼 모듈(3300)은 그 높이가 공정 모듈(3400)과 동일하게 제공될 수 있다. 이 경우, 선택적으로 인덱스 로봇(3220)은 제 1 버퍼(3320)에 직접 웨이퍼들(W)을 운반할 수 있다. In addition, the
또한, 에지 노광 모듈(3500)에는 제 1 냉각 챔버(3540) 및 제 2 냉각 챔버(3550)가 제공되지 않을 수 있다. 이 경우, 제 1 모듈(3401)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 1 로봇(3432)에 의해 직접 제 1 버퍼(3520)로 이송된다. 또한, 제 2 모듈(3402)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 로봇(3482)에 의해 직접 제 2 버퍼(3530)로 이송된다. In addition, the
또한, 에지 노광 모듈(3500)에서 제 1 냉각 챔버(3540)와 제 1 버퍼(3520)는 그 위치가 서로 변경될 수 있고, 제 2 냉각 챔버(3550)와 제 2 버퍼(3530)는 그 위치가 서로 변경될 수 있다. In addition, in the
또한, 에지 노광 모듈(3500)은 하나의 에지 노광 로봇(3560) 대신 제 1 에지 노광 챔버(3570), 제 1 버퍼(3520), 제 1 냉각 챔버(3540) 간에 웨이퍼(W)를 운반하는 상부 로봇(도시되지 않음)과 제 2 에지 노광 챔버(3580), 제 2 버퍼(3530), 제 2 냉각 챔버(3550) 간에 웨이퍼(W)를 운반하는 하부 로봇(도시되지 않음)을 각각 구비할 수 있다.In addition, the
또한, 공정 모듈(3400)에서는 상술한 공정들 이외에 또 다른 공정을 수행하는 챔버가 제공될 수 있다.In addition, the
(노광 전후 처리 유닛)(Exposure before and after processing unit)
도 6 내지 도 8은 노광 전후 처리 유닛(4000)의 구조를 개략적으로 보여주는 도면들이다. 도 6은 노광 전후 처리 유닛(4000)을 상부에서 바라본 도면이고, 도 7은 도 6의 유닛을 'C' 방향을 따라 바라본 도면이고, 도 8은 도 6의 유닛을 'D' 방향을 따라 바라본 도면이다.6 to 8 are diagrams schematically showing the structure of the pre- and
도 6 내지 도 8을 참조하면, 노광 전후 처리 유닛(4000)은 로드 포트(4100), 인덱스 모듈(4200), 버퍼 모듈(4300), 공정 모듈(4400), 그리고 인터페이스 모듈(4500)을 가진다. 노광 전후 처리 유닛(4000)은 노광 장치(9000)와 인라인으로 결합된다. 노광 장치(9000)는 제 1 방향(12)을 따라 인터페이스 모듈(4500)에 결합된다. 일 예에 의하면, 노광 장치(9000)는 액침 노광 기술을 이용한 공정을 수행한다. 또한, 노광 장치(9000)는 불화크립톤 엑시머 레이저(KrF excimer laser) 또는 불화아르곤 엑시머 레이저(ArF excimer laser)와 같은 원적외선 광원을 이용하여 노광 공정을 수행한다.6 to 8, the
로드 포트(4100)는 웨이퍼(W)들이 수납된 용기(2000)가 놓이는 재치대(4120)를 가진다. 재치대(4120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(4120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 6에서는 4개의 재치대(4120)가 제공되었다. The
인덱스 모듈(4200)은 로드 포트(4100)의 재치대(4120)에 놓인 용기(2000)와 버퍼 모듈(4300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(4200)은 프레임(4210), 인덱스 로봇(4220), 그리고 가이드 레일(4230)을 가진다. 프레임(4210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(4100)와 버퍼 모듈(4300) 사이에 배치된다. 프레임(4210)은 후술하는 버퍼 모듈(4300)의 프레임(4310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(4220)과 가이드 레일(4230)은 프레임(4210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(4220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드가(4221) 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고, 수평면 상에서 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(4220)은 핸드(4221), 아암(4222), 지지대(4223), 그리고 받침대(4224)를 가진다. 핸드(4221)는 아암(4222)에 고정 설치된다. 아암(4222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(4223)은 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(4222)은 지지대(4223)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(4223)에 결합된다. 가이드 레일(4230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(4224)는 가이드 레일(4230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(4230)에 결합된다. 프레임(4310)에는 용기(2000)의 도어를 개폐하는 도어 오프너(도시되지 않음)가 더 제공된다.The
버퍼 모듈(4300)은 프레임(4310), 제 1 버퍼(4320), 제 2 버퍼(4330), 냉각 챔버(4340), 그리고 버퍼 로봇(4350)을 가진다. 프레임(4310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(4200)과 공정 모듈(4400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(4320), 제 2 버퍼(4330), 냉각 챔버(4340), 그리고 버퍼 로봇(4350)은 프레임(4310) 내에 위치된다. 제 2 버퍼(4330), 냉각 챔버(4340), 그리고 제 1 버퍼(4320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버 퍼(4320)는 후술하는 공정 모듈(4400)의 제 1 모듈(4401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(4330)와 냉각 챔버(4340)는 후술하는 공정 모듈(4400)의 제 2 모듈(4402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(4350)은 제 2 버퍼(4330), 냉각 챔버(4340), 그리고 제 1 버퍼(4320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The
제 2 버퍼(4330)와 제 1 버퍼(4320)는 각각 복수의 웨이퍼(W)들을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(4330)는 하우징(4331)과 복수의 지지대들(4332)을 가진다. 지지대들(4332)은 하우징(4331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(4332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(4331)은 인덱스 로봇(4220) 및 버퍼 로봇(4350)이 하우징(4331) 내로 지지대(4332)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(4220)이 제공된 방향 및 버퍼 로봇(4350)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(4320)는 제 2 버퍼(4330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(4320)의 하우징에는 버퍼 로봇(4350)이 제공된 방향 및 후술하는 제 1 모듈(4401)에 위치된 제 1 로봇(4432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(4320)에 제공된 지지대(4322)의 수와 제 2 버퍼(4330)에 제공된 지지대(4332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. The
버퍼 로봇(4350)은 제 2 버퍼(4330)와 제 1 버퍼(4320) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 버퍼 로봇(4350)은 핸드(4361), 아암(4362), 그리고 지지대(4363)를 가진다. 핸드(4361)는 아암(4362)에 고정 설치된다. 아암(4362)은 신축 가능한 구조 로 제공되어, 핸드(4361)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 아암(4361)은 지지대(4363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(4363)에 결합된다. 지지대(4363)는 제 2 버퍼(4330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(4320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(4363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(4350)은 단순히 핸드(4361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The buffer robot 4350 transfers the wafer W between the
냉각 챔버(4340)는 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(4340)는 하우징(4341)과 냉각 플레이트(4342)를 가진다. 냉각 플레이트(4342)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(4343)을 가진다. 냉각 수단(4343)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(4340)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(4342) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(4341)은 인덱스 로봇(4220) 및 후술하는 제 2 모듈(4402)에 제공된 제 2 로봇(4482)이 냉각 플레이트(4342)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(4220)이 제공된 방향 및 버퍼 로봇(4350)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(4340)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.The
공정 모듈(4400)은 제 1 모듈(4401)과 제 2 모듈(4402)을 가진다. 제 1 모듈(4401)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 제 2 모듈(4402)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 제 1 모듈(4401)과 제 2 모듈(4402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의 하면, 제 1 모듈(4401)은 제 2 모듈(4402)의 상부에 위치된다. 제 1 모듈(4401)은 보호막 도포 챔버(4410), 베이크 챔버(4420), 그리고 반송 챔버(4430)를 가진다. 보호막 도포 챔버(4410), 반송 챔버(4430), 그리고 베이크 챔버(4420)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(4410)와 베이크 챔버(4420)는 반송 챔버(4430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(4410)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(4410)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(4420)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(4420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(4430)는 버퍼 모듈(4300)의 제 1 버퍼(4320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(4430) 내에는 제 1 로봇(4432)이 위치된다. 반송 챔버(4430)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 제 1 로봇(4432)은 베이크 챔버들(4420), 보호막 도포 챔버들(4410), 버퍼 모듈(4300)의 제 1 버퍼(4320), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(4500)의 제 1 버퍼(4520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 제 1 로봇(4432)은 핸드(4433), 아암(4434), 그리고 지지대(4435)를 가진다. 핸드(4433)는 아암(4434)에 고정 설치된다. 아암(4434)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(4434)은 지지대(4435)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(4435)에 결합된다. The
보호막 도포 챔버(4410)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(4410)는 하우징(4411), 지지 플레이트(4412), 그리고 노즐(4413)을 가진다. 하우징(4411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(4412)는 하우징(4411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(4412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(4413)은 지지 플레이트(4412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(4413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(4413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(4413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(4412)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(4410)는 지지 플레이트(4412)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective
베이크 챔버(4420)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(4420)는 냉각 플레이트(4421) 또는 가열 플레이트(4422)를 가진다. 냉각 플레이트(4421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(4423)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(4422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(4424)이 제공된다. 가열 플레이트(4422)와 냉각 플레이트(4421)는 하나의 베이크 챔버(4420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(4420)들 중 일부는 가열 플레이트(4422)만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(4421)만을 구비할 수 있다. The
제 2 모듈(4402)은 세정 챔버(4460), 노광 후 베이크 챔버(4470), 그리고 반송 챔버(4480)를 가진다. 세정 챔버(4460), 반송 챔버(4480), 그리고 노광 후 베이크 챔버(4470)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(4460)와 노광 후 베이크 챔버(4470)는 반송 챔버(4480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(4460)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(4460)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(4470)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(4470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(4480)는 상부에서 바라볼 때 버퍼 모듈(4300)의 제 2 버퍼(4330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(4480)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(4480) 내에는 제 2 로봇(4482)이 위치된다. 제 2 로봇(4482)은 노광 후 베이크 챔버들(4470), 세정 챔버들(4460), 버퍼 모듈(4300)의 냉각 챔버(4340), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(4500)의 제 2 버퍼(4530) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 모듈(4402)에 제공된 제 2 로봇(4482)은 제 1 모듈(4401)에 제공된 제 1 로봇(4432)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The
세정 챔버(4460)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(4460)는 하우징(4461), 지지 플레이트(4462), 그리고 노즐(4463)을 가진다. 하우징(4461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(4462)는 하우 징(4461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(4462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(4463)은 지지 플레이트(4462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(4460)는 지지 플레이트(4462)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(4463)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The
노광 후 베이크 챔버(4470)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(4470)는 가열 플레이트(4472)를 가진다. 가열 플레이트(4472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(4474)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(4470)는 그 내부에 냉각 플레이트(4471)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(4471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(4473)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(4471)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The
상술한 바와 같이 공정 모듈(4400)에서 제 1 모듈(4401)과 제 2 모듈(4402)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 제 1 모듈(4401)의 반송 챔버(4430)와 제 2 모듈(4402)의 반송 챔버(4480)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(4410)와 세정 챔버(4460)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(4420)와 노광 후 베이크 챔버(4470)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the
인터페이스 모듈(4500)은 공정 모듈(4400)과 노광 장치(9000) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(4500)은 프레임(4510), 인터페이스 로봇(4540), 제 1 버퍼(4520), 그리고 제 2 버퍼(4530)를 가진다. 인터페이스 로봇(4540), 제 1 버퍼(4520), 그리고 제 2 버퍼(4530)는 프레임(4510) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(4520)와 제 2 버퍼(4530)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(4520)는 제 2 버퍼(4530)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(4520)는 제 1 모듈(4401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(4530)는 제 2 모듈(4402)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(4520)는 제 1 모듈(4401)의 반송 챔버(4430)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(4530)는 제 2 모듈(4402)의 반송 챔버(4430)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. 인터페이스 로봇(4540)은 제 1 버퍼(4520) 및 제 2 버퍼(4530)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(4540)은 제 1 버퍼(4520), 제 2 버퍼(4530), 그리고 노광 장치(9000) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(4540)은 버퍼 로봇(4350)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The
제 1 버퍼(4520)는 제 1 모듈(4401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(9000)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(4530)는 노광 장치(9000)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 제 2 모듈(4402)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(4520)는 하우징(4521)과 복수의 지지대들(4522)을 가진다. 지지대들(4522)은 하우징(4521) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(4522)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(4521)은 인터페이스 로봇(4540) 및 제 1 로봇(4432)이 하우징(4521) 내로 지지대(4522)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(4540)이 제공된 방향 및 제 1 로봇(4432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(4530)는 제 1 버퍼(4520)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(4530)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(4540)이 제공된 방향 및 제 2 로봇(4482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(4520)에 제공된 지지대(4522)의 수와 제 2 버퍼(4530)에 제공된 지지대(4532)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. The
다음에는 도 9를 참조하여, 도 6의 노광 전후 처리 유닛(4000)을 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다. 도 9는 노광 전후 처리 유닛(4000)에서 웨이퍼(W)에 대해 공정이 수행되는 일 예를 보여주는 플로우 차트이다. 도 5에서는 웨이퍼(W) 상에 화학 증폭 레지스트가 도포되고, 노광 장치(9000)가 원자외선 광원을 이용한 노광 및 액침 노광에 의해 공정을 수행하는 경우를 예로 들어 설명한다. Next, an example of performing a process using the pre-exposure before and after processing
도포 유닛(3000)에서 도포 공정이 완료된 웨이퍼(W)들은 용기(2000)에 수납된다. 용기(2000)는 노광 전후 처리 유닛(4000)의 재치대(4120)에 놓인다(스텝 S212). 도어 오프너(도시되지 않음)에 의해 용기(2000)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(4220)은 용기(2000)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 버퍼 모듈(4300)의 제 2 버 퍼(4330)로 운반한다(스텝 S214). 버퍼 로봇(4350)은 제 2 버퍼(4330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(4320)로 운반한다(스텝 S216). 제 1 로봇(4432)은 제 1 버퍼(4320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 공정 모듈(4400)의 보호막 도포 챔버(4410)로 운반한다(스텝 S218). 보호막 도포 챔버(4410)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다(스텝 S220). 이후 제 1 로봇(4432)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(4410)로부터 베이크 챔버(4420)로 운반한다(스텝 S222). 베이크 챔버(4420)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다(스텝 S224). In the
제 1 로봇(4432)은 베이크 챔버(4420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼(4520)로 운반한다(스텝 S226). 인터페이스 로봇(4540)은 제 1 버퍼(4520)로부터 노광 장치(9000)로 웨이퍼(W)를 운반한다(스텝 S228). 노광 장치(9000)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 수행된다(스텝 S230). 이후, 인터페이스 로봇(4540)은 노광 장치(9000)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(4530)로 운반한다(스텝 S232). The
제 2 로봇(4482)은 제 2 버퍼(4530)의 지지대로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 공정 모듈(4400)의 세정 챔버(4460)로 운반한다(스텝 S234). 세정 챔버(4460)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다(스텝 S236). 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 제 2 로봇(4482)은 곧바로 세정 챔버(4460)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(4470)로 웨이퍼(W)를 운반한다(스텝 S238). 노광 후 베이크 챔버(4470)의 가열 플레이트에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다(스텝 S240). 제 2 로 봇(4482)은 노광 후 베이크 챔버(4470)로부터 웨이퍼(W)를 버퍼 모듈(4300)의 냉각 챔버(4340)로 운반한다(스텝 S242). 냉각 챔버(4340)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다(스텝 S244). 인덱스 로봇(4220)은 냉각 챔버(4340)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 용기(2000)로 운반한다(스텝 S246).The second robot 4442 removes the wafer W from the support of the
용기(2000)는 현상 유닛(5000)으로 운반되고, 현상 유닛(5000)에서 현상 공정이 수행된다.The
웨이퍼(W) 상에 잔류하는 보호막의 일부는 현상액에 의해 제거되고, 보호막의 나머지 일부는 애싱 공정시 포토 레지스트와 함께 제거된다. A part of the protective film remaining on the wafer W is removed by the developer, and the other part of the protective film is removed together with the photoresist during the ashing process.
도 6의 실시예에 의하면, 노광 전후 처리 유닛(4000)은 별도의 보호막 제거 챔버를 구비하지 않는다. 따라서 노광 전후 처리 유닛(4000)의 구조가 비교적 간단하고, 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.According to the embodiment of FIG. 6, the pre- and
또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하는 경우, 노광 공정이 완료된 후 노광 후 베이크 공정이 수행되는 시기는 중요하다. 도 6의 실시예에 의하면, 노광 전후 처리 유닛(4000)에 노광 후 베이크 챔버(4470)가 제공된다. 따라서 웨이퍼(W)가 현상 유닛(5000)으로 이동되기 전에 노광 전후 처리 유닛(4000) 내에서 빠르게 산 증폭을 수행할 수 있다. In addition, when using a chemically amplified resist, it is important that the post-exposure bake process is performed after the exposure process is completed. According to the embodiment of FIG. 6, the
또한, 도 6의 실시예에 의하면, 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)에 대해 세정액을 이용한 세정만을 수행하고, 별도로 건조가스와 같은 유체의 공급에 의한 웨이퍼(W) 건조는 수행하지 않는다. 웨이퍼(W) 건조는 가열에 의해 이루어진다. 예컨대, 웨이퍼 건조는 노광 후 베이크 챔버(670)에서 산 증폭과 동시에 수행된다. 따 라서 세정 챔버(660)에서 세정액에 의한 세정 및 건조 가스에 의한 건조를 모두 수행하는 경우에 비해 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.In addition, according to the embodiment of FIG. 6, the cleaning chamber 660 only performs cleaning with the cleaning liquid on the wafer W, and does not separately dry the wafer W by supplying a fluid such as a dry gas. The wafer W is dried by heating. For example, wafer drying is performed simultaneously with acid amplification in the bake chamber 670 after exposure. Therefore, the time required for the process can be reduced compared to the case where both the cleaning with the cleaning liquid and the drying with the drying gas are performed in the cleaning chamber 660.
다음에는 상술한 노광 전후 처리 유닛(4000)의 다양한 변형 예들을 예시한다.Next, various modifications of the above-described pre- and
상술한 예에서는 제 1 모듈(4401)이 상기 제 2 모듈(4402)의 상부에 배치되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 제 2 모듈(4402)가 제 1 모듈(4401)의 상부에 배치될 수 있다.In the above-described example, the
또한, 공정 모듈(4400)은 서로 층으로 구획된 제 1 모듈(4401)과 제 2 모듈(4402) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에, 보호막 도포 챔버(4410), 베이크 챔버(4420), 세정 챔버(4460), 노광 후 베이크 챔버(4470)가 모두 제공될 수 있다.In addition, the
또한, 세정 챔버(4460)에는 세정액을 공급하는 노즐 이외에 추가적으로 건조 가스를 공급하는 노즐을 더 제공될 수 있다. 이 경우, 노광 후 베이크 챔버(4470)에서 웨이퍼(W)의 가열이 이루어지기 전에 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액을 제거할 수 있다. In addition, the
또한, 제 2 모듈(4402)에는 냉각 플레이트는 제공되지 않을 수 있다. 웨이퍼(W)의 냉각은 오직 버퍼 모듈(4300)에 제공된 냉각 챔버(4340)에서만 이루어질 수 있다. 이 경우, 선택적으로 버퍼 모듈(4300)에는 복수의 냉각 챔버(4340)들이 서로간에 적층되도록 배치될 수 있다.In addition, a cooling plate may not be provided in the
또한, 버퍼 모듈(4300)에는 냉각 챔버(4340)가 제공되지 않을 수도 있다. 이 경우, 제 2 모듈(4402)의 냉각 플레이트에서 냉각이 이루어진 웨이퍼(W)는 제 2 로봇(4482)에 의해 직접 제 2 버퍼(4330)로 이송되고, 인덱스 로봇(4220)은 제 2 버퍼(4330)에 보관된 웨이퍼(W)들을 용기(2000)로 운반할 수 있다.In addition, the
또한, 버퍼 모듈(4300)에서 냉각 챔버(4340)와 제 2 버퍼(4330)는 그 위치가 서로 변경될 수 있다.In addition, the positions of the
또한, 제 1 모듈(4401)과 제 2 모듈(4402)은 그 위치가 서로 변경될 수 있다. 이 경우, 선택적으로, 버퍼 모듈(4300)에 제공된 냉각 유닛은 제 2 모듈(4402)과 대응되는 높이에 제공된다.In addition, the positions of the
또한, 버퍼 모듈(4300)은 그 높이가 공정 모듈(4400)과 동일하게 제공될 수 있다. 이 경우, 선택적으로 인덱스 로봇(4220)은 제 1 버퍼(4320)에 직접 웨이퍼(W)들에 공급할 수 있다. In addition, the
또한, 선택적으로 제 2 모듈(4402)에는 노광 공정 후 보호막을 제거하기 위한 보호막 제거 챔버가 제공될 수 있다. 이 경우, 애싱 공정이 수행되기 전에 미리 웨이퍼(W) 상에 제공된 보호막을 제거할 수 있다.Alternatively, the
또한, 노광 장치(9000)가 액침 노광 방식 이외의 방식으로 공정을 수행하는 경우, 제 1 모듈(4401)에는 보호막 도포 유닛(3000)이 제공되지 않을 수 있다. 이 경우, 선택적으로 베이크 챔버(4420)도 제공되지 않을 수 있다. 이 경우, 선택적으로 공정 모듈(4400)은 제 1 모듈(4401) 없이 제 2 모듈(4402)만으로 제공될 수 있다.In addition, when the
또한, 노광 장치(9000)가 원자외선 광원을 이용하여 공정을 수행하지 않는 경우, 제 2 모듈(4402)에 노광 후 베이크 챔버(4470)가 제공되지 않을 수 있다.In addition, when the
(현상 유닛)(Developing unit)
도 10 내지 도 12는 현상 유닛(5000)의 구조를 개략적으로 보여주는 도면들이다. 도 10은 현상 유닛(5000)을 상부에서 바라본 도면이고, 도 11은 도 10의 현상 유닛(5000)을 'E' 방향을 따라 바라본 도면이고, 도 12는 도 11의 유닛을 'F' 방향을 따라 바라본 도면이다.10 to 12 are diagrams schematically showing the structure of the developing
도 10 내지 도 12를 참조하면, 현상 유닛(5000)은 로드 포트(5100), 인덱스 모듈(5200), 버퍼 모듈(5300), 그리고 공정 모듈(5400)을 가진다. 로드 포트(5100), 인덱스 모듈(5200), 버퍼 모듈(5300), 그리고 공정 모듈(5400)은 순차적으로 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 로드 포트(5100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 용기(2000)가 놓여지는 재치대(5120)를 가진다. 재치대(5120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(5120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 10에서는 4개의 재치대(5120)가 제공되었다. 10 to 12, the developing
인덱스 모듈(5200)은 로드 포트(5100)의 재치대에 놓인 용기(2000)와 버퍼 모듈(5300) 간에 웨이퍼(w)을 이송한다. 인덱스 모듈(5200)은 프레임(5210), 인덱스 로봇(5220), 그리고 가이드 레일(5230)을 가진다. 프레임(5210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(5100)와 버퍼 모듈(5300) 사이에 배치된다. 프레임(5210)은 후술하는 버퍼 모듈(5300)의 프레임(5310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(5220)과 가이드 레일(5230)은 프레임(5210) 내 에 배치된다. 인덱스 로봇(5220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(5221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고, 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(5220)은 핸드(5221), 아암(5222), 지지대(5223), 그리고 받침대(5224)를 가진다. 아암(5222)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(5222)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(5223)은 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(5222)은 지지대(5223)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(5223)에 결합된다. 가이드 레일(5230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 지지대(5223)는 받침대(5224)에 고정 결합된다. 받침대(5224)는 가이드 레일(5230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(5210)에는 용기(2000)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
도 11을 참조하면, 버퍼 모듈(5300)은 프레임(5310), 제 1 버퍼(5320), 제 2 버퍼(5330), 제 1 냉각 챔버(5340), 제 2 냉각 챔버(5350), 그리고 버퍼 로봇(5360)을 가진다. 프레임(5310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(5200)과 공정 모듈(5400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(5320), 제 2 버퍼(5330), 제 1 냉각 챔버(5340), 제 2 냉각 챔버(5350), 그리고 버퍼 로봇(5360)은 프레임(5310) 내에 위치된다. 제 2 냉각 챔버(5350), 제 2 버퍼(5330), 제 1 냉각 챔버(5340), 그리고 제 1 버퍼(5320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 냉각 챔버(5340) 및 제 1 버퍼(5320)는 후술하는 공정 모 듈(5400)의 제 1 모듈(5401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 냉각 챔버(5350)와 제 2 버퍼(5330)는 후술하는 공정 모듈(5400)의 제 2 모듈(5402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(5360)은 제 2 버퍼(5330), 제 2 냉각 챔버(5350), 제 1 버퍼(5320), 그리고 제 1 냉각 챔버(5340)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. Referring to FIG. 11, the
제 2 버퍼(5330)와 제 1 버퍼(5320)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(5330)는 하우징(5331)과 복수의 지지대들(5332)을 가진다. 지지대들(5332)은 하우징(5331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(5332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(5331)은 인덱스 로봇(5220), 버퍼 로봇(5360), 그리고 후술하는 제 2 모듈(5402)의 제 2 로봇(5482)이 하우징(5331) 내로 지지대(5332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(5220)이 제공된 방향, 버퍼 로봇(5360)이 제공된 방향, 그리고 제 2 로봇(5482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(5320)는 제 2 버퍼(5330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(5320)의 하우징(5321)에는 버퍼 로봇(5360)이 제공된 방향 및 후술하는 제 1 챔버에 위치된 제 1 로봇(5432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(5320)에 제공된 지지대(5322)의 수와 제 2 버퍼(5330)에 제공된 지지대(5332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(5330)에 제공된 지지대(5332)의 수는 제 1 버퍼(5320)에 제공된 지지대(5322)의 수보다 많을 수 있다.The
버퍼 로봇(5360)은 제 2 버퍼(5330)와 제 1 버퍼(5320) 간에 웨이퍼(W)를 이 송시킨다. 버퍼 로봇(5360)은 핸드(5361), 아암(5362), 그리고 지지대(5363)를 가진다. 핸드(5361)는 아암(5362)에 고정 설치된다. 아암(5362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(5361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(5362)은 지지대(5363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(5363)에 결합된다. 지지대(5363)는 제 2 버퍼(5330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(5320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(5363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(5360)은 단순히 핸드(5361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The buffer robot 5560 transfers the wafer W between the
제 2 냉각 챔버(5350)와 제 1 냉각 챔버(5340)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 2 냉각 챔버(5350)와 제 1 냉각 챔버(5340)는 서로 간에 동일한 구조를 가진다. 제 2 냉각 챔버(5350)는 하우징(5351)과 냉각 플레이트(5352)를 가진다. 냉각 플레이트(5352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(5353)을 가진다. 냉각 수단(5353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(5350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(5352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(5351)은 인덱스 로봇(5220) 및 후술하는 제 2 모듈(5402)에 제공된 제 2 로봇(5482)이 냉각 플레이트에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(5220)이 제공된 방향 및 제 2 로봇(5482)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 제 2 냉각 챔버(5350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도 어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.The
공정 모듈(5400)은 웨이퍼(W)가 노광 전후 처리 유닛(4000)으로 운반되기 전에 필요한 공정을 수행한다. 공정 모듈(5400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 공정 모듈(5400)은 제 1 모듈(5401)과 제 2 모듈(5402)을 가진다. 제 1 모듈(5401)과 제 2 모듈(5402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 제 1 모듈(5401)과 제 2 모듈(5402)은 각각 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제 1 모듈(5401)은 제 2 모듈(5402)의 상부에 위치된다.The
제 1 모듈(5401)은 현상 챔버(5410), 베이크 챔버(5420), 그리고 반송 챔버(5430)를 가진다. 현상 챔버(5410), 베이크 챔버(5420), 그리고 반송 챔버(5430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(5410)와 베이크 챔버(5420)는 반송 챔버(5430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(5410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(5410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(5420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(5420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(5420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The
반송 챔버(5430)는 버퍼 모듈(5300)의 제 1 버퍼(5320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(5430) 내에는 제 1 로봇(5432)과 가이드 레일(5433)이 위치된다. 반송 챔버(5430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 제 1 로봇(5432)은 베이크 챔버들(5420), 현상 챔버들(5410), 제 1 버퍼(5320), 그리고 제 1 냉각 챔버(5340) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(3433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일은 제 1 로봇(5432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 제 1 로봇(5432)은 핸드(5434), 아암(5435), 지지대(5436), 그리고 받침대(5437)를 가진다. 핸드(5434)는 아암(5435)에 고정 설치된다. 아암(5435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(5434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(5436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(5435)은 지지대(5436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(5436)에 결합된다. 지지대(5436)는 받침대(5437)에 고정 결합된다. 받침대(5437)는 가이드 레일(5433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(5433)에 결합된다.The
현상 챔버들(5410)들은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(5410)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(5410)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing
현상 챔버(5410)는 하우징(5411), 지지 플레이트(5412), 그리고 노즐(5413)을 가진다. 하우징(5411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(5412)는 하우징(5411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(5412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(5413)은 지지 플레이트(5412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으 로 현상액을 공급한다. 노즐(5413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(5413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(5413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(5410)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(5414)이 더 제공될 수 있다. The developing
베이크 챔버(5420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(5420)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(5420)는 냉각 플레이트(5421) 또는 가열 플레이트(5422)를 가진다. 냉각 플레이트(5421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(5423)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(5422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(5424)이 제공된다. 가열 플레이트(5422)와 냉각 플레이트(5421)는 하나의 베이크 챔버(5420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(5420)들 중 일부는 가열 플레이트(5422)만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(5421)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 5520 heat-treats the wafer (W). For example, the bake chambers 5520 are heated after each baking process and a hard bake process for heating the wafer W after the developing process is performed, and a post bake process for heating the wafer W before the developing process is performed. And a cooling process for cooling the finished substrate. The bake chamber 5520 has a
제 2 모듈(5402)은 현상 챔버(5460), 베이크 챔버(5470), 그리고 반송 챔버(5480)를 가진다. 현상 챔버(5460), 베이크 챔버(5470), 그리고 반송 챔버(5480)는 제 1 모듈(5401)의 현상 챔버(5410), 베이크 챔버(5420), 그리고 반송 챔버(5430)와 동일한 구조 및 배치를 가진다. 또한, 반송 챔버(5480)는 제 2 로봇(5482)을 가지며, 제 2 로봇(5482)은 제 1 모듈(5401)에 제공된 제 1 로봇(5432) 과 동일한 구조를 가진다. 제 2 로봇(5482)은 현상 챔버(5460), 베이크 챔버(5470), 제 2 버퍼(5330), 그리고 제 2 냉각 챔버(5350) 간에 웨이퍼(W)를 운반하도록 제공된다.The
상술한 바와 같이 공정 모듈(5400)에서 제 1 모듈(5401)과 제 2 모듈(5402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제 1 모듈(5401)과 제 2 모듈(5402)은 동일한 구조 및 배치를 가질 수 있다. As described above, in the
다음에는 도 13a와 도 13b를 참조하여, 도 10의 현상 유닛(5000)을 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다. 도 13a와 도 13b는 현상 유닛(5000)에서 웨이퍼(W)에 대해 공정이 수행되는 일 예를 보여주는 플로우 차트이다. Next, an example of performing a process using the developing
웨이퍼들(W)이 수납된 용기(2000)는 로드 포트(5100)의 재치대(5120)에 놓인다(스텝 S312). 도어 오프너에 의해 용기(2000)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(5220)은 용기(2000)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(5330)로 운반한다(스텝 S314). 웨이퍼(W)는 제 1 모듈(5401)과 제 2 모듈(5402) 중 선택된 곳으로 이동된다. The
웨이퍼(W)가 제 1 모듈(5401)에서 공정이 수행되도록 선택된 경우, 버퍼 로봇(5360)은 제 2 버퍼(5330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(5320)로 운반한다(스텝 S320). 제 1 로봇(5432)은 제 1 버퍼(5320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 모듈(5401)의 베이크 챔버(5420)로 운반한다(스텝 S322). 베이크 챔버(5420)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다(스텝 S324). 제 1 로봇(5432)은 베이크 챔버(5420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(5410)로 운반한다(스텝 S326). 현상 챔버(5410)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다(스텝 S328). 이후 제 1 로봇(5432)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(5410)로부터 베이크 챔버(5420)로 운반한다(스텝 S330). 베이크 챔버(5420)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다(스텝 S332). When the wafer W is selected to be processed in the
제 1 로봇(5432)은 베이크 챔버(5420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 냉각 챔버(5340)로 운반한다(스텝 S334). 제 1 냉각 챔버(5340)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다(스텝 S336). 인덱스 로봇(5220)은 제 1 냉각 챔버(5340)부터 웨이퍼(W)를 용기(2000)로 운반한다(스텝 S338). The
웨이퍼(W)가 제 2 모듈(5402)에서 공정이 수행되도록 선택된 경우, 제 2 로봇(5482)은 제 2 버퍼(5330)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 모듈(5402)의 베이크 챔버(5470)로 운반한다(스텝 S360). 베이크 챔버(5470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다(스텝 S362). 제 2 로봇(5482)은 베이크 챔버(5470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(5460)로 운반한다(스텝 S364). 현상 챔버(5460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급한다(스텝 S366). 이후 제 2 로봇(5482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(5460)로부터 베이크 챔버(5470)로 운반한다(스텝 S368). 베이크 챔버(5470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다(스텝 S370). When the wafer W is selected to be processed in the
제 2 로봇(5482)은 베이크 챔버(5470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 냉각 챔버(5350)로 운반한다(스텝 S372). 제 2 냉각 챔버(5350)는 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정을 수행한다(스텝 S374). 인덱스 로봇(5220)은 제 2 냉각 챔버(5350)로부터 웨이퍼(W)를 용기(2000)로 운반한다(스텝 S376). The second robot 5542 removes the wafer W from the
다음에는 상술한 현상 유닛(5000)의 다양한 변형 예들을 예시한다.Next, various modified examples of the developing
공정 모듈(5400)은 서로 층으로 구획된 제 1 모듈(5401)과 제 2 모듈(5402) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. The
또한, 인덱스 모듈(5200)에는 제 1 냉각 챔버(5340)와 제 2 냉각 챔버(5350)가 각각 복수 개 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 배치될 수 있다. In addition, the
또한, 버퍼 모듈(5300)에는 제 1 냉각 챔버(5340) 및 제 2 냉각 챔버(5350)가 제공되지 않을 수도 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)는 제 1 모듈(5401)로부터 제 1 로봇(5432)에 의해 직접 제 1 버퍼(5320)로 이송되고, 인덱스 로봇(5220)은 제 1 버퍼(5320)에 보관된 웨이퍼들(W)을 용기(2000)로 운반할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)는 제 2 모듈(5402)로부터 제 2 로봇(5482)에 의해 직접 제 2 버퍼(5330)로 이송되고, 인덱스 로봇(5220)은 제 2 버퍼(5330)에 보관된 웨이퍼들(W)을 용기(2000)로 운반할 수 있다. In addition, the
또한, 버퍼 모듈(5300)에서 제 1 버퍼(5320)와 제 1 냉각 챔버(5340)는 그 위치가 서로 변경될 수 있고, 제 2 버퍼(5330)와 제 2 냉각 챔버(5350)는 그 위치가 서로 변경될 수 있다. In addition, in the
또한, 버퍼 모듈(5300)은 그 높이가 공정 모듈(5400)과 동일하게 제공될 수 있다. 이 경우, 선택적으로 인덱스 로봇(5220)은 제 1 버퍼(5320)에 직접 웨이퍼들(W)에 공급할 수 있다. In addition, the
또한, 공정 모듈(5400)에서는 상술한 공정과 달리 또 다른 공정이 추가될 수 있다.In addition, in the
도 1의 실시예에 의하면, 기판 처리 설비는 도포 공정을 수행하는 유닛, 현상 공정을 수행하는 유닛, 그리고 노광 장치(9000)와 인라인으로 연결되어 노광 전후 처리 공정을 수행하는 유닛이 각각 독립적으로 제공되어 있다. 따라서 도포 및 현상 공정을 동시에 수행하는 모듈이 노광 장치(9000)와 인라인으로 제공되는 설비와 달리, 노광 장치(9000)에서 긴 공정 소요 시간으로 인해 웨이퍼(W)의 적체가 이루어지더라도 도포 유닛(3000)과 현상 유닛(5000)에서는 계속적인 공정 수행이 가능하다.According to the embodiment of FIG. 1, the substrate treating apparatus is independently provided by a unit performing an application process, a unit performing a development process, and a unit connected inline with the
도 14a 내지 도 14g는 웨이퍼(W) 상의 박막에 패턴이 형성되는 과정을 순차적으로 보여준다.14A to 14G sequentially illustrate a process of forming a pattern on a thin film on a wafer (W).
처음에 증착 장치(도시되지 않음)에서 웨이퍼(W) 상에 박막(102)이 증착된다(도 14a), 웨이퍼(W)는 도포 유닛(3000)으로 운반된다. 도포 유닛(3000)에서 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트(104)가 도포된다(도 14b). 상술한 바와 같이 도포 유닛(3000)에서는 포토 레지스트(104)의 도포 이외에 베이크 공정이나 에지 노광 공정 등의 공정이 더 수행된다. 이후 웨이퍼(W)는 노광 전후 처리 유닛(4000)으로 운반된다. 노광 전후 처리 유닛(4000)의 제 1 모듈(4401)에서 웨이퍼(W) 상에 보호막(106)이 도포된다(도 14c). 상술한 바와 같이 제 1 모듈(4401)에서는 베이크 공정 등의 공정이 더 수행된다. 웨이퍼(W)는 노광 장치(9000)로 운반된다. 노광 장치(9000)는 보호막(106) 및 포토 레지스트(104) 상의 선택된 영역(108)에 광을 조사하여, 그 영역에 제공된 보호막(106) 및 포토 레지스트(104)의 성질을 변화시킨다(도 14d). 노광 전후 처리 유닛(4000)의 제 2 모듈(4402)은 세정 공정 및 노광 후 베이크 공정 등을 수행한다. 노광 후 베이크 공정 수행시 웨이퍼(W)에 잔류하는 세정액이 제거된다. 이후 웨이퍼(W)는 현상 유닛(5000)으로 운반된다. 현상 유닛(5000)에서 보호막(106)과 포토 레지스트들(104) 중 성질이 변화된 영역(108)이 제거된다(도 14e). 상술한 바와 같이 도포 유닛(3000)에서는 현상 공정 이외에 베이크 공정 등의 공정이 더 수행된다. 이후 웨이퍼(W)는 식각 장치(도시되지 않음)로 운반된다. 식각 장치에서 박막 중 노출된 영역(103)이 식각액에 의해 제거된다(도 14f). 이후 웨이퍼(W)는 애싱 장치(도시되지 않음)로 운반된다. 애싱 장치에서 박막(102) 상에 남아 있는 포토 레지스트(104) 및 보호막(106)이 제거된다(도 14g). 증착 장치, 도포 유닛(3000), 노광 전후 처리 유닛(4000), 현상 유닛(5000), 식각 장치, 그리고 애싱 장치 간에 웨이퍼(W)가 이동되는 동안 필요에 따라 웨이퍼(W)를 세정하는 공정 등과 같은 다른 공정이 수행될 수 있다.Initially, a
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 보여주는 도면이다. 1 is a schematic view of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도포 유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 도면들이다. 2 to 4 are schematic views showing the structure of an application unit according to an embodiment of the present invention.
도 5a와 도 5b는 도 2의 도포 유닛에서 공정이 수행되는 과정을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.5A and 5B are flowcharts sequentially illustrating a process of performing a process in the coating unit of FIG. 2.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 후 베이크 유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 도면들이다.6 to 8 are schematic views illustrating a structure of a post-exposure bake unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 9는 도 6의 도포 유닛에서 공정이 수행되는 과정을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.9 is a flowchart sequentially illustrating a process of performing a process in the coating unit of FIG. 6.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 현상 유닛의 구조를 개략적으로 보여주는 도면들이다.10 to 12 are schematic views showing the structure of a developing unit according to an embodiment of the present invention.
도 13a와 도 13b는 도 10의 현상 유닛에서 공정이 수행되는 과정을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.13A and 13B are flowcharts sequentially illustrating a process of performing a process in the developing unit of FIG. 10.
도 14a 내지 도 14g는 웨이퍼 상에 패턴이 형성되는 과정을 순차적으로 보여준다.14A through 14G sequentially illustrate a process of forming a pattern on a wafer.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1000 : 용기1000: Container
3000 : 도포 유닛3000: Dispensing Unit
4000 : 노광 후 베이크 유닛4000: Bake unit after exposure
5000 : 현상 유닛5000: developing unit
3100, 4100, 5100 : 로드 포트3100, 4100, 5100: Load port
3200, 4200, 5200 : 인덱스 모듈3200, 4200, 5200: Index Module
3300, 4300, 5300 : 버퍼 모듈3300, 4300, 5300: Buffer Module
3400, 4400, 5400 : 공정모듈3400, 4400, 5400: Process Module
3500 : 에지 노광 모듈3500: Edge Exposure Module
4500 : 인터페이스 모듈4500: interface module
Claims (35)
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW099102594A TWI424278B (en) | 2009-01-30 | 2010-01-29 | Exposure treatment unit |
US12/656,425 US8289496B2 (en) | 2009-01-30 | 2010-01-29 | System and method for treating substrate |
TW102133483A TWI509371B (en) | 2009-01-30 | 2010-01-29 | System and method for treating substrate |
CN 201010106018 CN101794710B (en) | 2009-01-30 | 2010-01-29 | Method and system for treating substrate |
JP2010019559A JP5181306B2 (en) | 2009-01-30 | 2010-01-29 | Substrate processing system, pre- and post-exposure processing unit, and substrate processing method |
US13/587,512 US9059224B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-08-16 | System and method for treating substrate |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20090007626 | 2009-01-30 | ||
KR1020090007626 | 2009-01-30 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110113886A Division KR20110135898A (en) | 2009-01-30 | 2011-11-03 | System and method for treating substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100088505A KR20100088505A (en) | 2010-08-09 |
KR101109074B1 true KR101109074B1 (en) | 2012-02-20 |
Family
ID=42754716
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090027373A KR101109074B1 (en) | 2009-01-30 | 2009-03-31 | System and method for treating substrates |
KR1020110113886A KR20110135898A (en) | 2009-01-30 | 2011-11-03 | System and method for treating substrates |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110113886A KR20110135898A (en) | 2009-01-30 | 2011-11-03 | System and method for treating substrates |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR101109074B1 (en) |
TW (2) | TWI509371B (en) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
J204 | Invalidation trial for patent | ||
J301 | Trial decision |
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