KR102119688B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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세메스 주식회사
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 고정프레임, 상기 고정프레임에 장착 가능하며, 내부에 공간을 제공하는 처리모듈, 상기 고정프레임에 고정결합되며, 상기 공간에 에어를 제공하는 팬 필터부재, 그리고 상기 팬 필터부재에 에어를 공급하는 에어공급부재를 포함하되, 상기 에어공급부재는 공급덕트, 상기 공급덕트에 에어를 공급하는 팬부재, 그리고 상기 고정프레임을 관통하도록 위치되며, 상기 처리모듈과 상기 팬 필터부재를 직접 연결하는 중간덕트를 포함한다. 이로 인해 에어공급부재가 처리모듈에 직접 연결됨에 따라 에어의 손실을 최소화할 수 있다.An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus can be mounted on a fixed frame, the fixed frame, a processing module providing space therein, fixedly coupled to the fixed frame, a fan filter member providing air in the space, and air on the fan filter member It includes an air supply member for supplying, the air supply member is positioned to penetrate the supply duct, the fan member for supplying air to the supply duct, and the fixed frame, the processing module and the fan filter member directly connected It contains the intermediate duct. Due to this, the loss of air can be minimized as the air supply member is directly connected to the processing module.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}Apparatus for treating substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 세정, 증착, 에칭, 그리고 이온주입 등 다양한 공정이 수행된다. 이중 사진공정은 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 공정으로 반도체 소자의 미세화 및 집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다. 소자의 고미세화 및 고집적화에 따라 이물들은 파티클로 작용되며, 이는 패턴을 형성함에 있어서 큰 악영향을 끼친다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photography, cleaning, deposition, etching, and ion implantation are performed. The double photo process is a process for forming a pattern on a substrate and plays an important role in miniaturization and integration of semiconductor devices. As the device is highly refined and highly integrated, foreign matter acts as particles, which has a great adverse effect in forming a pattern.

일반적으로 처리모듈 내에 발생되는 이물의 영향을 최소화하고자, 처리모듈 내에 에어를 공급하여 하강기류를 발생시킨다. 고정프레임에 처리모듈이 장착되면, 에어공급부재는 처리모듈에 에어를 공급한다. 이로 인해 에어는 에어공급부재로부터 고정프레임 및 처리모듈을 순차적으로 지나 공급된다. In general, in order to minimize the influence of foreign matter generated in the processing module, a descending air stream is generated by supplying air into the processing module. When the processing module is mounted on the fixed frame, the air supply member supplies air to the processing module. Due to this, air is sequentially supplied from the air supply member through the fixed frame and the processing module.

미국 공개 특허 2002-0053319United States Published Patent 2002-0053319

본 발명은 처리모듈 내에 에어를 공급하는 장치를 제공하고자 한다. The present invention is to provide a device for supplying air in the processing module.

또한 본 발명은 처리모듈 내에 제공되는 에어의 손실을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a device that can minimize the loss of air provided in the processing module.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 고정프레임, 상기 고정프레임에 장착 가능하며, 내부에 공간을 제공하는 처리모듈, 상기 고정프레임에 고정결합되며, 상기 공간에 에어를 제공하는 팬 필터부재, 그리고 상기 팬 필터부재에 에어를 공급하는 에어공급부재를 포함하되, 상기 에어공급부재는 공급덕트, 상기 공급덕트에 에어를 공급하는 팬부재, 그리고 상기 고정프레임을 관통하도록 위치되며, 상기 처리모듈과 상기 팬 필터부재를 직접 연결하는 중간덕트를 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus can be mounted on a fixed frame, the fixed frame, a processing module providing space therein, fixedly coupled to the fixed frame, a fan filter member providing air in the space, and air on the fan filter member It includes an air supply member for supplying, the air supply member is positioned to penetrate the supply duct, the fan member for supplying air to the supply duct, and the fixed frame, the processing module and the fan filter member directly connected It contains the intermediate duct.

중간덕트는 상기 고정프레임의 일측면을 관통하도록 제공되는 제1플렌지, 상기 고정프레임의 타측면을 관통하도록 제공되는 제2플렌지, 그리고 상기 제1플렌지와 상기 제2플렌지 사이에서 서로를 연결하는 연결부재를 포함할 수 있다. 상기 에어공급부재는 상기 제1플렌지와 상기 공급덕트 사이에, 그리고 상기 제2플렌지와 상기 처리모듈 사이의 틈을 실링하는 실링부재를 더 포함할 수 있다. 상기 연결부재는 상기 제1플렌지 및 상기 제2플렌지와 상이한 직경을 가지는 배관으로 제공되며, 상기 제1플렌지 및 상기 제2플렌지 각각은 상기 배관을 대해 상대 이동되도록 제공될 수 있다. 상기 연결부재는 벨로우즈로 제공될 수 있다. 상기 중간덕트는 상기 고정프레임과 이격되게 위치될 수 있다.The intermediate duct is a first flange provided to penetrate one side of the fixed frame, a second flange provided to penetrate the other side of the fixed frame, and a connection connecting each other between the first flange and the second flange It may include a member. The air supply member may further include a sealing member that seals a gap between the first flange and the supply duct and between the second flange and the processing module. The connecting member may be provided as a pipe having a different diameter from the first flange and the second flange, and each of the first flange and the second flange may be provided to move relative to the pipe. The connecting member may be provided as a bellows. The intermediate duct may be located spaced apart from the fixed frame.

또한 기판처리장치는 복수의 수용공간이 상하방향을 따라 제공되는 고정프레임, 상부가 개방되며, 내부에 처리공간을 제공하고, 상기 수용공간 각각에 탈착 가능한 복수 개의 처리모듈들, 상기 수용공간들 각각의 상부에 위치되도록 상기 고정프레임에 고정결합되며, 상기 처리공간에 에어를 제공하는 팬 필터부재들, 그리고 상기 팬 필터부재들 각각에 에어를 공급하는 에어공급부재들을 포함하되, 상기 에어공급부재들 각각은 공급덕트, 상기 공급덕트에 에어를 공급하는 팬부재, 그리고 상기 고정프레임을 관통하도록 위치되며, 상기 처리모듈과 상기 팬 필터부재를 직접 연결하는 중간덕트를 포함한다. In addition, the substrate processing apparatus is a fixed frame in which a plurality of accommodation spaces are provided in the vertical direction, the upper part is opened, a processing space is provided inside, and a plurality of processing modules detachable to each of the accommodation spaces, each of the accommodation spaces It is fixedly coupled to the fixed frame so as to be located at the top of the, including the fan filter members for providing air to the processing space, and air supply members for supplying air to each of the fan filter members, the air supply members Each includes a supply duct, a fan member for supplying air to the supply duct, and an intermediate duct positioned to penetrate the fixed frame and directly connecting the processing module and the fan filter member.

상기 중간덕트는 상기 고정프레임과 이격되게 위치될 수 있다.The intermediate duct may be located spaced apart from the fixed frame.

본 발명의 실시예에 의하면, 에어공급부재가 처리모듈에 직접 연결됨에 따라 에어의 손실을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the loss of air as the air supply member is directly connected to the processing module.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치를 A-A 방향에서 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치를 B-B 방향에서 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 기판처리장치를 C-C 방향에서 보여주는 도면이다.
도5는 도1의 에어공급유닛을 보여주는 사시도이다.
도6은 도5의 에어공급유닛에 챔버가 장착된 상태를 보여주는 단면도이다.
도7은 도5의 'A' 영역을 확대한 도면이다.
도8은 도5의 에어공급유닛의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도9는 도5의 에어공급유닛의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1 in the AA direction.
3 is a view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1 in the BB direction.
4 is a view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1 in the CC direction.
Figure 5 is a perspective view showing the air supply unit of Figure 1;
6 is a cross-sectional view showing a state in which the chamber is installed in the air supply unit of FIG. 5.
7 is an enlarged view of area'A' of FIG. 5.
8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the air supply unit of FIG. 5.
9 is a cross-sectional view showing another embodiment of the air supply unit of FIG. 5.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer explanation.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment is connected to an exposure apparatus and is used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 1 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비(1)를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 1 to 11 are views schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a view of the substrate processing apparatus 1 as viewed from the top, FIG. 2 is a view of the facility 1 of FIG. 1 in the AA direction, and FIG. 3 is a view of the facility 1 of FIG. 1 as viewed from the BB direction , And FIG. 4 is a view of the facility 1 of FIG. 1 viewed from the CC direction.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 그리고 에어공급유닛을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 1 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, and a second buffer module 500 ), before and after the exposure processing module 600, the interface module 700, and an air supply unit. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, application and development module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 Are sequentially arranged in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which 700) is arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a second direction 14, and the first direction 12 and second The direction perpendicular to each of the directions 14 is referred to as a third direction 16.

웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The wafer W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, a front open unified pod (FOUP) having a door in the front may be used as the cassette 20.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 in which wafers W are stored is placed. A plurality of the mounting table 120 is provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four mounts 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the wafer W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of an empty cuboid inside, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 is driven by four axes so that the hand 221 directly handling the wafer W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. It has a possible structure. The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided in a stretchable and rotatable structure. The support 223 is disposed in the longitudinal direction along the third direction (16). The arm 222 is coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The base 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be movable linearly along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener that opens and closes the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the index module 200 and the coating and developing module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially arranged along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the application and development module 400 described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are applied to the application and development module described later ( 400) is positioned at a height corresponding to the developing module 402. The first buffer robot 360 is positioned at a predetermined distance apart in the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 and the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of wafers W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16. One wafer W is placed on each support 332. In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing unit robot 482 of the developing module 402 described later attach the wafer W to the support 332 in the housing 331. It has an opening (not shown) in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the coating unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the wafer W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the up or down direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is only two-axis driving along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chambers 350 cool the wafers W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has a top surface on which the wafer W is placed and a cooling means 353 for cooling the wafer W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Further, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the wafer W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the index robot 220 and the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described below can carry or carry the wafer W into or out of the cooling plate 352. The provided direction and the developing part robot 482 has an opening (not shown) in the provided direction. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the wafer W before the exposure process and a process of developing the wafer W after the exposure process. The coating and developing module 400 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 has an application module 401 and a development module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged to be divided into layers between each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)가 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as photoresist to the wafer W and a heat treatment process such as heating and cooling the wafer W before and after the resist application process. In the application module 401, a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430 are located. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the resist coating chamber 410 and the baking chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is illustrated. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. The drawing shows an example in which six bake chambers 420 are provided. However, unlike this, the bake chamber 420 may be provided in a larger number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned side by side in the first direction 12 with the first buffer 320 of the first buffer module 300. In the transfer chamber 430, an applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transport chamber 430 has a substantially rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first of the second buffer module 500 described later. The wafer W is transferred between the cooling chambers 520. The guide rail 433 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 such that it can move linearly in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437, and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 웨이퍼를 처리하는 공간을 제공한다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 하우징(411)은 복수 개로 제공된다. 지지 플레이트(412)는 각각의 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하도록 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. All of the resist coating chambers 410 have the same structure. However, the types of photoresist used in each resist coating chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photo resist on the wafer W. The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 provides a space for processing the wafer. The housing 411 has a cup shape with an open top. A plurality of housings 411 are provided. The support plate 412 is located in each housing 411 and supports the wafer W. The support plate 412 is provided to be rotatable. The nozzle 413 supplies photoresist onto the wafer W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the wafer W.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The baking chamber 420 heats the wafer W. For example, the bake chambers 420 may be prepared by heating the wafer W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove the organic matter or moisture on the surface of the wafer W or a prebake process or photoresist wafer ( W) performs a soft bake process or the like performed after coating on the surface, and performs a cooling process or the like to cool the wafer W after each heating process. The baking chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, the heating plate 422 is provided with heating means 424 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may have only the cooling plate 421, and other portions may have only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)가 위치된다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 supplies a developer to obtain a pattern on the wafer W to remove a portion of the photoresist, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the wafer W before and after the development process It includes. In the developing module 402, a developing chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480 are located. The developing chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the development chamber 460 and the bake chamber 470 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of each is provided in the first direction 12 and the third direction 16. The drawing shows an example in which six developing chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. The drawing shows an example in which six bake chambers 470 are provided. However, unlike this, the bake chamber 470 may be provided in a larger number.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned side by side in the first direction 12 with the second buffer 330 of the first buffer module 300. The developer robot 482 and the guide rail 483 are located in the transfer chamber 480. The transport chamber 480 has a substantially rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. The wafer W is transferred between the second cooling chambers 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to move linearly in the first direction 12. The developing unit robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a support 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it can move linearly in the third direction 16 along the support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The base 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing chambers 460 all have the same structure. However, the types of the developer used in each developing chamber 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region irradiated with light among photoresists on the wafer W. At this time, the light-irradiated region of the protective film is also removed. Depending on the type of the photoresist used selectively, only the region of the photoresist and the protective film that has not been irradiated can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the wafer W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer onto the wafer W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply a developer to the center of the wafer W. Optionally, the nozzle 463 has a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. Further, the developing chamber 460 may be further provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the wafer W surface to which the developer has been supplied.

베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The baking chamber 470 heats the wafer W. For example, the bake chambers 470 include a post-baking process that heats the wafer W before the development process is performed, and a hard bake process that heats the wafer W after the development process is performed, and heating after each bake process. And a cooling process for cooling the wafer. The baking chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474, such as a hot wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only the cooling plate 471, and other portions may have only the heating plate 472.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Further, when viewed from the top, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the wafer W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre-exposure processing module 600. In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the wafer W. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560. Have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located in the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16. When viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 of the application module 401 and the first direction 12. The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced a predetermined distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transports the wafer W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided with a structure similar to the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the wafers W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the wafer W on which the process was performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes the edge of the wafers W in which the cooling process is performed in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the wafer W before the wafers W having been processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the pre-processing module 601 described below. The second cooling chamber 540 cools the wafers W before the wafers W having been processed in the post-processing module 602 described below are transferred to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to the developing module 402. In this case, the wafers W processed by the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film that protects the photoresist film applied to the wafer W during the immersion exposure. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the wafer W after exposure. In addition, when the coating process is performed using a chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may process the bake process after exposure.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the wafer W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the wafer W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be divided into layers between each other. According to one example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602. The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the protective film coating chamber 610 and the baking chamber 620 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film coating chambers 610 are provided, and are disposed along the third direction 16 to form a layer with each other. Optionally, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. A plurality of bake chambers 620 are provided, and are disposed along the third direction 16 to form a layer with each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned side by side in the first direction 12 with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500. The pretreatment robot 632 is located in the transfer chamber 630. The transport chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is provided between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The wafer W is transferred. The pre-processing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided in a stretchable and rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 such that it can move linearly in the third direction 16 along the support 635.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film application chamber 610 applies a protective film protecting the resist film on the wafer W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the wafer W. The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the wafer W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply a protective liquid to the center of the wafer W. Optionally, the nozzle 613 has a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid contains a foamable material. As the protective liquid, a material having a low affinity with photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film coating chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the wafer W while rotating the wafer W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The baking chamber 620 heat-treats the wafer W coated with the protective film. The baking chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may include only the heating plate 622, and other portions may include only the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the bake chamber 670 after exposure are sequentially arranged along the second direction 14. Therefore, the cleaning chamber 660 and the bake chamber 670 after exposure are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. After exposure, a plurality of bake chambers 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form a layer with each other. Optionally, a plurality of bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16 after exposure.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned side by side in the first direction 12 with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 when viewed from the top. The transport chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second of the interface module 700 described below. The wafer W is transported between the buffers 730. The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided with the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the wafer W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the wafer W. The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies cleaning liquid onto the wafer W placed on the support plate 662. Water such as deionized water may be used as the cleaning solution. The cleaning chamber 660 supplies cleaning liquid to the central region of the wafer W while rotating the wafer W placed on the support plate 662. Optionally, while the wafer W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region of the wafer W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the wafer W on which the exposure process has been performed using far ultraviolet rays. The post-exposure bake process heats the wafer W to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. After exposure, the bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with heating means 674, such as a hot wire or thermoelectric element. After exposure, the bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673, such as cooling water or a thermoelectric element. Also, a baking chamber with only the cooling plate 671 can be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre- and post-exposure processing module 600, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 are provided with the same size, and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the protective film coating chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided with the same size as each other, so that they can be completely overlapped with each other when viewed from the top. In addition, the bake chamber 620 and the bake chamber 670 after exposure are provided with the same size, and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the wafer W between the pre- and post-exposure processing modules 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are disposed to be stacked with each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601, and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602. When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in line along the first chamber 12 and the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601, and the second buffer 730 is a post-processing module 602 It is positioned to be arranged in a line along the transport chamber 630 and the first direction (12).

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 and the second direction 14. The interface robot 740 transports the wafer W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the wafers W having been processed in the pre-processing module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900. In addition, the second buffer 730 temporarily stores the wafers W having been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided spaced apart from each other along the third direction 16. One wafer W is placed on each support 722. The housing 721 is provided with the interface robot 740 and the pre-processing robot provided with the interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pre-processing robot 632 can carry or carry the wafer W into the support 722 into the housing 721 ( 632) has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber that performs a predetermined process on the wafer.

에어공급유닛은 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포모듈, 현상모듈, 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700) 각각에 에어를 공급한다. 에어공급유닛은 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포모듈, 현상모듈, 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700) 각각에 하강기류를 형성한다. The air supply unit supplies air to each of the index module 200, the first buffer module 300, the application module, the developing module, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700. To supply. The air supply unit has a descending air flow in each of the index module 200, the first buffer module 300, the application module, the developing module, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700. To form.

도5는 도1의 에어공급유닛(800)을 보여주는 사시도이고, 도6은 도5의 에어공급유닛(800)에 챔버가 장착된 상태를 보여주는 단면도이며, 도7은 도5의 'A' 영역을 확대한 도면이다. 도5 내지 도7을 참조하면, 에어공급유닛(800)은 고정프레임(810), 에어공급부재(840), 그리고 팬 필터 부재(820)를 포함한다. 고정프레임(810)은 대체로 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 고정프레임(810)에는 복수 개의 수용공간(812)이 제공된다. 수용공간(812)은 상하방향을 따라 순차적으로 나열된다. 각각의 수용공간(812)에는 레지스트 도포 챔버(410)가 탈착 가능하다. 일 예에 의하면, 고정프레임(810)에는 3 개의 수용공간(812)이 제공될 수 있다. 선택적으로, 고정프레임(810)에는 4 개 이상의 수용공간(812)이 제공될 수 있다. 예컨대, 고정프레임(810)에는 a X b 개로 제공될 수 있다. 여기서 a는 수용공간(812)이 상하방향으로 나열되는 개수이고, b는 수용공간(812)이 수평방향으로 나열되는 개수이다.FIG. 5 is a perspective view showing the air supply unit 800 of FIG. 1, FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the chamber is mounted in the air supply unit 800 of FIG. 5, and FIG. 7 is an area'A' of FIG. 5 It is an enlarged drawing. 5 to 7, the air supply unit 800 includes a fixed frame 810, an air supply member 840, and a fan filter member 820. The fixed frame 810 is provided to have a substantially rectangular parallelepiped shape. The fixed frame 810 is provided with a plurality of accommodation spaces 812. The accommodation spaces 812 are sequentially arranged along the vertical direction. A resist coating chamber 410 is detachable in each receiving space 812. According to an example, three receiving spaces 812 may be provided in the fixed frame 810. Optionally, four or more accommodation spaces 812 may be provided in the fixed frame 810. For example, the fixed frame 810 may be provided as a X b pieces. Here, a is the number of accommodation spaces 812 arranged in the vertical direction, and b is the number of accommodation spaces 812 arranged in the horizontal direction.

팬필터부재(820)는 고정프레임(810)에 설치되어 수용공간(812)에 위치된 레지스트 도포 챔버에 에어를 공급한다. 팬필터부재(820)는 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 팬필터부재(820)는 고정프레임(810)이 제공된 수용공간(812)의 개수와 일대일 대응되도록 제공될 수 있다. 각각의 팬필터부재(820)는 각각의 수용공간(812)의 상부에 위치된다. 팬필터부재(820)는 수용공간(812)에 하강기류를 발생시키고, 하강기류는 레지스트 도포 챔버(410) 내에 제공될 수 있다. The fan filter member 820 is installed in the fixed frame 810 to supply air to the resist coating chamber located in the receiving space 812. A plurality of fan filter members 820 are provided. According to an example, the fan filter member 820 may be provided to correspond one-to-one with the number of accommodation spaces 812 provided with the fixed frame 810. Each fan filter member 820 is positioned above each receiving space 812. The fan filter member 820 generates a descending airflow in the accommodation space 812, and the descending airflow may be provided in the resist coating chamber 410.

에어공급부재(840)는 팬필터부재(820)들 각각에 에어를 공급한다. 에어공급부재(840)는 공급덕트(842), 중간덕트(852), 그리고 실링부재(862)를 포함한다. 공급덕트(842)는 그 일단이 고정프레임(810)을 사이에 두고 레지스트도포챔버와 대향되게 위치된다. 공급덕트(842)의 타단은 팬 부재(미도시)가 설치된다. 팬 부재는 기판처리장치의 외부에 제공된 에어가 공급덕트(842)에 타단에서 일단을 향하도록 에어를 안내한다. 공급덕트(842)의 일단은 고정프레임(810)과 인접하게, 그리고 이격되게 위치된다.The air supply member 840 supplies air to each of the fan filter members 820. The air supply member 840 includes a supply duct 842, an intermediate duct 852, and a sealing member 862. The supply duct 842 is positioned so that one end thereof faces the resist coating chamber with the fixed frame 810 interposed therebetween. A fan member (not shown) is installed at the other end of the supply duct 842. The fan member guides air so that air provided outside the substrate processing apparatus is directed to the supply duct 842 from one end to the other. One end of the supply duct 842 is positioned adjacent and spaced apart from the fixed frame 810.

중간덕트(852)는 공급덕트(842)와 팬필터부재(820) 각각을 직접 연결한다. 중간덕트(852)는 양단이 개방된 통 형상으로 제공된다. 중간덕트(852)는 고정프레임(810)을 관통하도록 위치된다. 중간덕트(852)는 고정프레임(810)으로부터 이격되게 위치된다. 중간덕트(852)는 제1플렌지(854), 제2플렌지(858), 그리고 연결부재(856)를 포함한다. The intermediate duct 852 directly connects each of the supply duct 842 and the fan filter member 820. The intermediate duct 852 is provided in a cylindrical shape with both ends open. The intermediate duct 852 is positioned to penetrate the fixed frame 810. The intermediate duct 852 is spaced apart from the fixed frame 810. The intermediate duct 852 includes a first flange 854, a second flange 858, and a connecting member 856.

제1플렌지(854)는 고정프레임(810)의 일측면을 관통하도록 제공된다. 제1플렌지(854)의 끝단은 공급덕트(842)의 일단과 대향되게 위치된다. 제2플렌지(858)는 고정프레임(810)의 타측면을 관통하도록 위치된다. 제2플렌지(858)는 제1플렌지(854)와 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 제2플렌지(858)는 고정프레임(810)을 중심으로 제1플렌지(854)와 대칭되게 위치된다. 제2플렌지(858)의 끝단은 팬필터부재(820)와 대향되게 위치된다. 연결부재(856)는 제1플렌지(854)와 제2플렌지(858) 사이에 위치된다. 연결부재(856)는 제1플렌지(854)와 제2플렌지(858)를 서로 연결시킨다. 예컨대, 연결부재(856)는 제1플렌지(854)와 제2플렌지(858)로부터 연장되는 배관일 수 있다. The first flange 854 is provided to penetrate one side of the fixed frame 810. The end of the first flange 854 is positioned opposite the one end of the supply duct 842. The second flange 858 is positioned to penetrate the other side of the fixed frame 810. The second flange 858 is provided to have the same shape as the first flange 854. The second flange 858 is positioned symmetrically with the first flange 854 around the fixed frame 810. The end of the second flange 858 is positioned to face the fan filter member 820. The connecting member 856 is positioned between the first flange 854 and the second flange 858. The connecting member 856 connects the first flange 854 and the second flange 858 to each other. For example, the connecting member 856 may be piping extending from the first flange 854 and the second flange 858.

실링부재(862)는 중간덕트(852)와 공급덕트(842) 사이에, 그리고 중간덕트(852)와 팬필터부재(820) 사이의 틈을 실링힌다. 실링부재(862)는 제1플렌지(854)와 공급덕트(842) 사이에, 제2플렌지(858)와 팬필터부재(820) 사이에 각각 제공된다. The sealing member 862 seals the gap between the intermediate duct 852 and the supply duct 842, and between the intermediate duct 852 and the fan filter member 820. The sealing member 862 is provided between the first flange 854 and the supply duct 842, and between the second flange 858 and the fan filter member 820, respectively.

고정프레임(810)에는 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 베이크챔버(420,470), 현상챔버(260), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 각각에 탈착된다. 그러나 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 베이크챔버(420,470), 현상챔버(260), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 탈착되는 구성은 상기 레지스트 도포챔버(410)가 탈착되는 구성되 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.The fixed frame 810 includes an index module 200, a first buffer module 300, a bake chamber 420,470, a development chamber 260, a second buffer module 500, a pre-exposure processing module 600, and an interface. Modules 700 are detached from each. However, the index module 200, the first buffer module 300, the bake chamber 420,470, the developing chamber 260, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700 The structure to be detached is the same as the structure to which the resist coating chamber 410 is detached, so a description thereof will be omitted.

상술한 실시예에는 1 개의 팬필터부재(820)에 1 개의 에어공급부재(840)가 연결되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 8과 같이, 1 개의 팬필터부재(820)에는 2 개 이상의 에어공급부재(840)가 연결될 수 있다. 예컨대, 팬필터부재(820)의 일측면에는 제1에어공급부재(840)가 에어를 공급하고, 타측면에는 제2에어공급부재(840)가 에어를 공급할 수 있다. In the above-described embodiment, it has been described that one air supply member 840 is connected to one fan filter member 820. However, as shown in FIG. 8, two or more air supply members 840 may be connected to one fan filter member 820. For example, the first air supply member 840 may supply air to one side of the fan filter member 820, and the second air supply member 840 may supply air to the other side.

또한 도9와 같이, 중간덕트(852)는 그 길이가 조절되도록 제공될 수 있다. 예컨대, 연결부재(856)는 벨로우즈로 제공될 수 있다. 선택적으로, 연결부재가(856)가 배관으로 제공되는 경우, 배관은 제1플렌지(854) 및 제2플렌지(858)보다 작은 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 제1플렌지(854) 및 제2플렌지(858) 각각은 배관에 대해 상대 이동되어 그 길이를 조절할 수 있다. 제1플렌지(854) 및 제2플렌지(858) 각각은 배관에 대해 슬라이드 이동될 수 있다.Also, as shown in FIG. 9, the intermediate duct 852 may be provided to adjust its length. For example, the connecting member 856 may be provided as a bellows. Optionally, when the connecting member 856 is provided as a pipe, the pipe may be provided to have a smaller diameter than the first flange 854 and the second flange 858. Each of the first flange 854 and the second flange 858 may be moved relative to the pipe to adjust its length. Each of the first flange 854 and the second flange 858 may be slided relative to the pipe.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.Next, an example of performing a process using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described.

웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다. The cassette 20 in which the wafers W are stored is placed on the mounting table 120 of the load port 100. The door of the cassette 20 is opened by the door opener. The index robot 220 takes the wafer W from the cassette 20 and transports it to the second buffer 330.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다. The first buffer robot 360 transports the wafer W stored in the second buffer 330 to the first buffer 320. The applicator robot 432 takes the wafer W out of the first buffer 320 and transports it to the bake chamber 420 of the applicator module 401. The baking chamber 420 sequentially performs pre-baking and cooling processes. The applicator robot 432 takes the wafer W out of the bake chamber 420 and transports it to the resist application chamber 410. The resist coating chamber 410 applies a photo resist on the wafer W. Subsequently, when a photo resist is applied on the wafer W, the applicator robot 432 transports the wafer W from the resist application chamber 410 to the bake chamber 420. The baking chamber 420 performs a soft baking process on the wafer W.

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.The applicator robot 432 removes the wafer W from the bake chamber 420 and transports it to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500. The cooling process is performed on the wafer W in the first cooling chamber 530. The wafer W having been processed in the first cooling chamber 530 is transported to the edge exposure chamber 550 by the second buffer robot 560. The edge exposure chamber 550 performs a process of exposing the edge region of the wafer W. The wafer W having been completed in the edge exposure chamber 550 is transferred to the buffer 520 by the second buffer robot 560.

전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다. The pre-processing robot 632 takes out the wafer W from the buffer 520 and transports it to the protective film coating chamber 610 of the pre-processing module 601. The protective film coating chamber 610 applies a protective film on the wafer W. Thereafter, the pre-processing robot 632 transfers the wafer W from the protective film application chamber 610 to the bake chamber 620. The bake chamber 620 performs heat treatment on the wafer W, such as heating and cooling.

전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.The pre-processing robot 632 removes the wafer W from the bake chamber 620 and transfers it to the first buffer 720 of the interface module 700. The interface robot 740 transports the wafer from the first buffer 720 to the inversion unit 840 of the processing module 800. The inversion unit 840 inverts the wafer such that the first surface (pattern surface) of the wafer faces downward. The inverted wafer is loaded on the spin chuck 810, and the loaded wafer is chucked by pin members 811a, 811b.

스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.An inert gas, such as nitrogen gas, is injected into the first surface of the wafer through the injection holes 852 formed in the support plate 812 of the spin chuck 810, and then deionized water is injected into the first surface of the wafer through the injection holes 852 The rinse liquid is sprayed. The rinse liquid may be sprayed with the gas to the first surface of the wafer through the injection holes 852. When spraying gas and/or rinse liquid onto the first surface of the wafer, the spin chuck 810 may be rotated, or may not be rotated otherwise. Then, the rinse liquid spraying unit 860 sprays the rinse liquid on the second surface of the wafer.

이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(730)로 운반한다. Thereafter, the wafer is transported from the processing module 800 to the first buffer 720 by the interface robot 740, and then from the first buffer 720 to the exposure apparatus 900. The exposure apparatus 900 performs an exposure process, for example, a liquid immersion exposure process, on the first surface of the wafer. When the exposure process is completed for the wafer W in the exposure apparatus 900, the interface robot 740 transfers the wafer W from the exposure apparatus 900 to the second buffer 730.

후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다.The post-processing robot 682 takes out the wafer W from the second buffer 730 and transports it to the cleaning chamber 660 of the post-processing module 602. The cleaning chamber 660 supplies a cleaning liquid to the surface of the wafer W to perform a cleaning process. When the cleaning of the wafer W using the cleaning solution is completed, the post-processing robot 682 immediately takes out the wafer W from the cleaning chamber 660 and transfers the wafer W to the bake chamber 670 after exposure. After the exposure, the cleaning liquid attached on the wafer W is removed by heating the wafer W in the heating plate 672 of the baking chamber 670, and at the same time, the acid generated in the photoresist is amplified to form a photo. The property change of the resist is completed. The post-processing robot 682 transfers the wafer W from the bake chamber 670 to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 after exposure. Cooling of the wafer W is performed in the second cooling chamber 540.

현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다. The developing unit robot 482 takes out the wafer W from the second cooling chamber 540 and transfers it to the bake chamber 470 of the developing module 402. The bake chamber 470 sequentially performs post-baking and cooling processes. The developing unit robot 482 takes out the wafer W from the bake chamber 470 and transports it to the developing chamber 460. The developing chamber 460 supplies a developing solution on the wafer W to perform a developing process. Thereafter, the developing unit robot 482 transports the wafer W from the developing chamber 460 to the bake chamber 470. The bake chamber 470 performs a hard bake process on the wafer W.

현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.The developing unit robot 482 takes the wafer W out of the bake chamber 470 and transports it to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The cooling chamber 350 performs a process of cooling the wafer W. The index robot 360 transports the wafer W from the cooling chamber 350 to the cassette 20. Alternatively, the developing unit robot 482 takes the wafer W out of the bake chamber 470 and transports it to the second buffer 330 of the first buffer module 300, and then the cassette (360) by the index robot 360 20).

다음은 상술한 기판 처리 장치(1)의 다양한 변형 예들을 예시한다. The following illustrates various modifications of the substrate processing apparatus 1 described above.

도포 및 현상 모듈(400)은 서로 층으로 구획된 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에 도포 챔버, 현상 챔버, 베이크 챔버, 그리고 반송 챔버들이 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 버퍼 모듈(300)에 제 1 버퍼(320), 제 1 버퍼 로봇(360)은 제공되지 않을 수 있다.The application and development module 400 may include only one module instead of the application module 401 and the development module 402 partitioned into layers. In this case, the application chamber, the development chamber, the bake chamber, and the transfer chambers can be provided in one module. In this case, the first buffer 320 and the first buffer robot 360 may not be provided to the first buffer module 300.

또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 제공되지 않고, 노광 전후 처리 모듈(600)과 도포 및 현상 모듈(400)이 인접하게 배치될 수 있다.In addition, the second buffer module 500 is not provided, and the pre- and post-exposure processing module 600 and the application and development module 400 may be disposed adjacently.

또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 서로 층으로 구획된 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에, 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670)가 모두 제공될 수 있다.In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may include only one module instead of the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 divided into layers. In this case, in one module, the protective film application chamber 610, the bake chamber 620, the cleaning chamber 660, and the bake chamber 670 after exposure may all be provided.

또한, 세정 챔버(660)에는 세정액을 공급하는 노즐 이외에 추가적으로 건조 가스를 공급하는 노즐을 더 제공될 수 있다. 이 경우, 노광 후 베이크 챔버(670)에서 웨이퍼(W)의 가열이 이루어지기 전에 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액을 제거할 수 있다. In addition, a nozzle for supplying a dry gas in addition to the nozzle for supplying a cleaning liquid may be further provided in the cleaning chamber 660. In this case, after the exposure, the cleaning liquid adhered to the wafer W may be removed before the wafer W is heated in the baking chamber 670.

또한, 노광 장치(900)가 액침 노광 방식 이외의 방식으로 공정을 수행하는 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 제공되지 않을 수 있다.In addition, when the exposure apparatus 900 performs a process in a method other than the liquid immersion exposure method, the pre-exposure processing module 600 may not be provided.

또한, 에지 노광 챔버(550)는 인터페이스 모듈(700)에 제공될 수 있다. 또한, 에지 노광 공정은 웨이퍼 상에 보호막을 도포하는 공정 이후에 수행되거나, 노광 공정과 웨이퍼를 세정하는 공정 사이에 수행되거나, 노광 후 베이크 공정과 현상 공정 사이에 수행될 수 있다.Also, the edge exposure chamber 550 may be provided in the interface module 700. In addition, the edge exposure process may be performed after the process of applying the protective film on the wafer, may be performed between the exposure process and the process of cleaning the wafer, or may be performed between the bake process and the development process after exposure.

상술한 실시예에서 본 발명의 건조유닛(450)은 포토 레지스트를 공급하는 장치에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 건조유닛(450)은 포토 레지스트뿐만 아니라 노즐을 이용하여 기판을 처리하는 현상 공정 및 세정 공정 등 다양한 장치에도 적용될 수 있다.In the above-described embodiment, it has been described that the drying unit 450 of the present invention is provided in an apparatus for supplying a photoresist. However, the drying unit 450 can be applied not only to photoresist, but also to various devices such as a developing process and a cleaning process of processing a substrate using a nozzle.

810: 고정프레임 820: 팬 필터부재
840: 에어공급부재 842: 공급덕트
852: 중간덕트 854: 제1플렌지
858: 제2플렌지 856: 연결부재
862: 실링부재810: fixed frame 820: fan filter member
840: air supply member 842: supply duct
852: Medium duct 854: 1st flange
858: second flange 856: connecting member
862: sealing member

Claims (8)

고정프레임과;
상기 고정프레임에 장착 가능하며, 내부에 공간을 제공하는 처리모듈과;
상기 고정프레임에 고정결합되며, 상기 공간에 에어를 제공하는 팬 필터부재와;
상기 팬 필터부재에 에어를 공급하는 에어공급부재를 포함하되,
상기 에어공급부재는,
공급덕트와;
상기 공급덕트에 에어를 공급하는 팬부재와;
상기 고정프레임을 관통하도록 위치되며, 상기 처리모듈과 상기 팬 필터부재를 직접 연결하는 중간덕트를 포함하되,
상기 중간덕트는,
상기 고정프레임의 일측면을 관통하도록 제공되는 제1플렌지와;
상기 고정프레임의 타측면을 관통하도록 제공되는 제2플렌지와;
상기 제1플렌지와 상기 제2플렌지 사이에서 서로를 연결하는 연결부재를 포함하고,
상기 연결부재는 상기 제1플렌지 및 상기 제2플렌지와 상이한 직경을 가지는 배관으로 제공되며,
상기 제1플렌지 및 상기 제2플렌지 각각은 상기 배관을 대해 상대 이동되도록 제공되는 기판처리장치.A fixed frame;
A processing module that can be mounted on the fixed frame and provides space therein;
A fan filter member fixedly coupled to the fixed frame and providing air to the space;
An air supply member for supplying air to the fan filter member,
The air supply member,
Supply duct;
A fan member for supplying air to the supply duct;
It is positioned to penetrate the fixed frame, and includes an intermediate duct directly connecting the processing module and the fan filter member,
The intermediate duct,
A first flange provided to penetrate one side of the fixed frame;
A second flange provided to penetrate the other side of the fixed frame;
And a connecting member connecting each other between the first flange and the second flange,
The connecting member is provided as a pipe having a different diameter from the first flange and the second flange,
Each of the first flange and the second flange is a substrate processing apparatus provided to be moved relative to the pipe. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 에어공급부재는,
상기 제1플렌지와 상기 공급덕트 사이에, 그리고 상기 제2플렌지와 상기 처리모듈 사이의 틈을 실링하는 실링부재를 더 포함하는 기판처리장치.According to claim 1,
The air supply member,
And a sealing member sealing a gap between the first flange and the supply duct and between the second flange and the processing module. 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 중간덕트는 상기 고정프레임과 이격되게 위치되는 기판처리장치.The method of claim 1 or 3,
The intermediate duct is a substrate processing apparatus that is located spaced apart from the fixed frame. 복수의 수용공간이 상하방향을 따라 제공되는 고정프레임과;
상부가 개방되며, 내부에 처리공간을 제공하고, 상기 수용공간 각각에 탈착 가능한 복수 개의 처리모듈들과;
상기 수용공간들 각각의 상부에 위치되도록 상기 고정프레임에 고정결합되며, 상기 처리공간에 에어를 제공하는 팬 필터부재들과;
상기 팬 필터부재들 각각에 에어를 공급하는 에어공급부재들을 포함하되,
상기 에어공급부재들 각각은,
공급덕트와;
상기 공급덕트에 에어를 공급하는 팬부재와;
상기 고정프레임을 관통하도록 위치되며, 상기 처리모듈과 상기 팬 필터부재를 직접 연결하는 중간덕트를 포함하되,
상기 중간덕트는,
상기 고정프레임의 일측면을 관통하도록 제공되는 제1플렌지와;
상기 고정프레임의 타측면을 관통하도록 제공되는 제2플렌지와;
상기 제1플렌지와 상기 제2플렌지 사이에서 서로를 연결하는 연결부재를 포함하고,
상기 연결부재는 상기 제1플렌지 및 상기 제2플렌지와 상이한 직경을 가지는 배관으로 제공되며,
상기 제1플렌지 및 상기 제2플렌지 각각은 상기 배관을 대해 상대 이동되도록 제공되는 기판처리장치.A fixed frame in which a plurality of accommodation spaces are provided along the vertical direction;
A plurality of processing modules that are open at the top, provide a processing space therein, and are detachably attached to each of the accommodation spaces;
Fan filter members fixedly coupled to the fixed frame so as to be positioned above each of the receiving spaces and providing air to the processing space;
It includes air supply members for supplying air to each of the fan filter member,
Each of the air supply members,
Supply duct;
A fan member for supplying air to the supply duct;
It is positioned to penetrate the fixed frame, and includes an intermediate duct directly connecting the processing module and the fan filter member,
The intermediate duct,
A first flange provided to penetrate one side of the fixed frame;
A second flange provided to penetrate the other side of the fixed frame;
And a connecting member connecting each other between the first flange and the second flange,
The connecting member is provided as a pipe having a different diameter from the first flange and the second flange,
Each of the first flange and the second flange is a substrate processing apparatus provided to be moved relative to the pipe. 제7항에 있어서,
상기 중간덕트는 상기 고정프레임과 이격되게 위치되는 기판처리장치.



The method of claim 7,
The intermediate duct is a substrate processing apparatus that is located spaced apart from the fixed frame.



KR1020130113394A 2013-09-24 2013-09-24 Apparatus for treating substrate KR102119688B1 (en)

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