KR101099549B1 - Apparatus for heat treatment a substrate - Google Patents

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Abstract

기판 열처리 장치는 제1 핫 플레이트, 제2 핫 플레이트 및 지지체를 포함한다. 제1 핫 플레이트는 휜 형상을 갖는 기판의 하부에 배치되어 기판의 하면으로 제1 열을 제공한다. 제2 핫 플레이트는 기판의 상부에 제1 핫 플레이트와 평행하게 배치되어 기판의 상면으로 제2 열을 제공한다. 지지체는 제1 및 제2 핫 플레이트들의 사이에서 제1 열과 제2 열이 동일하게 제공되는 위치와 인접한 영역에 기판이 배치되도록 제1 핫 플레이트의 하부로부터 제1 핫 플레이트를 관통하여 기판을 지지한다. 따라서, 기판이 볼록 또는 오목하게 휜 형상을 가질 경우에도 두 개의 제1 및 제2 핫 플레이트들을 사용하여 기판을 균일하게 열처리할 수 있다.  The substrate heat treatment apparatus includes a first hot plate, a second hot plate, and a support. The first hot plate is disposed below the substrate having a fin shape to provide a first row to the bottom surface of the substrate. The second hot plate is disposed in parallel with the first hot plate on top of the substrate to provide a second row to the top surface of the substrate. The support supports the substrate through the first hot plate from the bottom of the first hot plate such that the substrate is disposed in an area adjacent to the position where the first and second rows are equally provided between the first and second hot plates. . Therefore, even when the substrate has a convex or concave shape, the first and second hot plates may be used to uniformly heat-treat the substrate.

Description

기판 열처리 장치{APPARATUS FOR HEAT TREATMENT A SUBSTRATE}Substrate Heat Treatment Equipment {APPARATUS FOR HEAT TREATMENT A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 열처리 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 집적 회로 소자를 제조하는데 사용되는 기판을 열처리하는 장치에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus, and more particularly, to an apparatus for heat treating a substrate used to manufacture an integrated circuit device.

일반적으로, 집적 회로 소자는 대부분의 전기 장치에서 기억 또는 제어 수단으로 사용되는 반도체 소자 및 박판 형태로 영상을 표시하는데 사용되는 디스플레이 소자를 포함할 수 있다. In general, integrated circuit devices may include semiconductor devices used as storage or control means in most electrical devices and display devices used to display images in the form of sheets.

이러한 반도체 소자 및 디스플레이 소자 각각은 실리콘 및 유리 재질의 기판을 대상으로 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 세정 공정, 검사 공정 등을 수행하여 제조된다.Each of the semiconductor device and the display device is manufactured by performing a deposition process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, and the like on substrates made of silicon and glass.

상기와 같은 공정들 중 포토리소그래피 공정은 상기 기판에 원하는 패턴을 형성하기 위하여 우선적으로 상기 기판에 감광막을 균일하게 도포하고, 상기 감광막 상에 패터닝된 마스크를 통해 노광한 다음, 현상액을 상기 마스크의 패턴에 따라 상기 감광막의 일부를 제거함으로써, 진행된다.Among the above processes, in order to form a desired pattern on the substrate, a photolithography process is performed by uniformly applying a photoresist film uniformly to the substrate, exposing through a patterned mask on the photoresist film, and then applying a developer to the pattern of the mask. By advancing | eliminating a part of the said photosensitive film | membrane, it advances.

이때, 상기 포토리소그래피 공정 중 상기 감광막을 도포하기 전과, 상기 감광막을 노광한 후와, 상기 현상액으로 상기 감광막의 일부를 제거한 후에는 상기 기판의 감광막이 형성될 부위 또는 형성된 부위를 열처리하는 공정이 수행된다. At this time, during the photolithography process, before the coating of the photoresist film, after exposing the photoresist film, and after removing a part of the photoresist film with the developer, a process of heat-treating a portion or a formed portion on which the photoresist film of the substrate is to be formed is performed. do.

여기서, 상기 열처리 공정은 발열체를 갖는 핫 플레이트의 상부로 돌출된 구조를 갖는 지지체에 상기 기판을 놓은 다음, 상기 발열체에 구동 전원을 인가하여 열을 발생시킴으로써, 수행된다.Here, the heat treatment process is performed by placing the substrate on a support having a structure protruding to the top of the hot plate having a heating element, and then applying a driving power to the heating element to generate heat.

그러나, 상기 열처리 공정을 수행하기 위한 기판이 이전의 증착 공정을 거치면서 볼록 또는 오목한 형상으로 휘게 될 경우, 상기 기판과 상기 핫 플레이트 사이의 이격된 거리가 불균일함에 따라, 상기 기판을 균일하게 열처리하지 못하는 문제점이 있다. However, when the substrate for performing the heat treatment process is bent in a convex or concave shape through the previous deposition process, as the spaced distance between the substrate and the hot plate is non-uniform, do not heat the substrate uniformly There is a problem.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 휜 형상의 기판도 균일하게 열처리할 수 있는 기판 열처리 장치를 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus capable of uniformly heat-treating a fin-shaped substrate.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 기판 열처리 장치는 제1 핫 플레이트, 제2 핫 플레이트 및 지지체를 포함한다.In order to achieve the above object of the present invention, the substrate heat treatment apparatus according to one feature comprises a first hot plate, a second hot plate and a support.

상기 제1 핫 플레이트는 휜 형상을 갖는 기판의 하부에 배치되어 상기 기판의 하면으로 제1 열을 제공한다. 상기 제2 핫 플레이트는 상기 기판의 상부에 상기 제1 핫 플레이트와 평행하게 배치되어 상기 기판의 상면으로 제2 열을 제공한다. The first hot plate is disposed below the substrate having a fin shape to provide a first row to the bottom surface of the substrate. The second hot plate is disposed in parallel with the first hot plate on an upper portion of the substrate to provide a second row to an upper surface of the substrate.

상기 지지체는 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들의 사이에서 상기 제1 열과 제2 열이 동일하게 제공되는 위치와 인접한 영역에 상기 기판이 배치되도록 상기 제1 핫 플레이트의 하부로부터 상기 제1 핫 플레이트를 관통하여 상기 기판을 지지한다.The support supports the first hot plate from a lower portion of the first hot plate such that the substrate is disposed in an area adjacent to a position where the first and second rows are equally provided between the first and second hot plates. It penetrates to support the substrate.

이에, 상기 기판 열처리 장치는 상기 지지체와 연결되며, 상기 기판의 위치가 조정되도록 상기 지지체를 상하 방향으로 구동시키는 지지체 승강부를 더 포함할 수 있다. Thus, the substrate heat treatment apparatus may further include a support lifter that is connected to the support and drives the support in the vertical direction so that the position of the substrate is adjusted.

또한, 상기 제2 핫 플레이트에는 상기 기판이 열처리되는 도중 발생되는 연무를 배출시키기 위한 적어도 하나의 배출구가 구성될 수 있다.In addition, the second hot plate may be provided with at least one outlet for discharging the mist generated during the heat treatment of the substrate.

한편, 상기 기판 열처리 장치는 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들 중 적어도 하나와 연결되며 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들 사이의 간격이 조절되도록 상기 제1 핫 플레이트 또는 상기 제2 핫 플레이트를 상하 방향으로 구동시키는 플레이트 승강부를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate heat treatment apparatus is connected to at least one of the first and second hot plates, and vertically moves the first hot plate or the second hot plate to adjust a gap between the first and second hot plates. It may further include a plate lifting unit for driving in the direction.

또한, 상기 기판 열처리 장치는 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들 각각의 상기 제1 및 제2 열들을 발생하기 위한 제1 및 제2 발열체들과 연결되어 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들 각각의 위치에 따라 상기 제1 및 제2 열들의 발열 정도를 제어하는 제1 및 제2 제어부들을 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate heat treatment apparatus is connected to the first and second heating elements for generating the first and second heats of the first and second hot plates, respectively. The apparatus may further include first and second controllers configured to control the degree of heat generation of the first and second columns according to the position.

이러한 기판 열처리 장치에 따르면, 기판이 휜 형상을 가질 경우에도 상기 기판의 상부와 하부에 서로 평행한 제1 및 제2 핫 플레이트들을 배치시켜 상기 기판의 위치에 따라 흡수되는 열이 일정하게 유지되도록 함으로써, 상기 기판을 균일하게 열처리할 수 있다. According to the substrate heat treatment apparatus, even when the substrate has a fin shape, by arranging first and second hot plates parallel to each other on the upper and lower portions of the substrate, the heat absorbed according to the position of the substrate is kept constant. The substrate may be uniformly heat treated.

따라서, 상기 열처리하는 공정을 거친 기판으로부터 생산된 반도체 소자 또는 디스플레이 소자와 같은 집적 회로 소자의 품질을 향상시킬 수 있다. Therefore, the quality of an integrated circuit device such as a semiconductor device or a display device produced from the substrate subjected to the heat treatment process can be improved.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.Hereinafter, a substrate heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미 와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판이 볼록한 경우와 오목한 경우의 기판 열처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면들이다.1 and 2 are diagrams illustrating a schematic configuration of a substrate heat treatment apparatus in a case where a substrate is convex and concave, according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1000)는 제1 핫 플레이트(100), 제2 핫 플레이트(200), 지지체(300) 및 지지체 승강부(400)를 포함한다.1 and 2, a substrate heat treatment apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention may include a first hot plate 100, a second hot plate 200, a support 300, and a support lifter 400. ).

상기 제1 핫 플레이트(100)는 기판(10)의 하부에 배치된다. 여기서, 상기 기판(10)은 반도체 소자 및 디스플레이 소자 등을 포함하는 집적 회로 소자를 제조하는데 사용되는 실리콘 재질 또는 유리 재질의 기판일 수 있다. The first hot plate 100 is disposed under the substrate 10. Here, the substrate 10 may be a silicon or glass substrate used to manufacture integrated circuit devices including semiconductor devices, display devices, and the like.

이러한 제1 핫 플레이트(100)는 상기 기판(10)과 제1 패턴으로 이격되어 배치된다. 구체적으로, 상기 제1 패턴은 상기 기판(10)이 평탄한 구조로 상기 제1 핫 플레이트(100)와 평행하게 배치될 경우에 상기 기판(10)의 전면에 걸쳐 동일한 이격 거리를 갖도록 형성된다.The first hot plate 100 is spaced apart from the substrate 10 in a first pattern. Specifically, the first pattern is formed to have the same separation distance over the entire surface of the substrate 10 when the substrate 10 is arranged in parallel with the first hot plate 100 in a flat structure.

하지만, 상기 기판(10)은 통상적으로 이전의 증착 공정을 거치면서 도 1에서와 같이 볼록하거나, 도 2에서와 같이 오목하게 휜 형상을 가지게 된다. However, the substrate 10 typically has a convex shape as shown in FIG. 1 or a concave shape as shown in FIG. 2 during the previous deposition process.

이에, 상기 제1 패턴은 상기 기판(10)이 도 1에서와 같이 볼록하게 휜 형상을 가질 경우에 상기 기판(10)의 중앙 부위에서보다 에지 부위에서 상기 제1 핫 플레이트(100)와 더 가깝게 형성되고, 반대로 상기 기판(10)이 도 2에서와 같이 오목 하게 휜 형상을 가질 경우에 상기 기판(10)의 에지 부위에서보다 중앙 부위에서 상기 제1 핫 플레이트(100)와 더 가깝게 형성될 수 있다. Thus, when the substrate 10 has a convexly concave shape as shown in FIG. 1, the first pattern is closer to the first hot plate 100 at the edge portion than at the center portion of the substrate 10. On the contrary, when the substrate 10 has a concave shape as shown in FIG. 2, the substrate 10 may be formed closer to the first hot plate 100 at the center portion than at the edge portion of the substrate 10. have.

상기 제1 핫 플레이트(100)는 하면에 제1 발열체(110)가 설치된다. 상기 제1 발열체(110)는 외부의 구동 전원으로부터 제1 열을 발생한다. 이로써, 상기 제1 핫 플레이트(100)는 상기 제1 발열체(110)를 통해 상기 기판(10)의 하면에 제1 열을 제공함으로써, 상기 기판(10)을 열처리한다.The first heating plate 110 is installed on the lower surface of the first hot plate 100. The first heating element 110 generates first heat from an external driving power source. As a result, the first hot plate 100 heats the substrate 10 by providing first heat to the bottom surface of the substrate 10 through the first heating element 110.

상기 제2 핫 플레이트(200)는 상기 기판(10)의 상부에서 상기 제1 핫 플레이트(100)와 평행하게 배치된다. 이러한 제2 핫 플레이트(200)는 상기 기판(10)과 제2 패턴으로 이격되어 배치된다. The second hot plate 200 is disposed in parallel with the first hot plate 100 on the substrate 10. The second hot plate 200 is spaced apart from the substrate 10 in a second pattern.

이에, 상기 제2 패턴은 상기 기판(10)이 평탄한 구조로 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들과 평행하게 배치될 경우에는 상기 제1 패턴과 마찬가지로 상기 기판(10)의 전면에 걸쳐 동일한 이격 거리를 갖도록 형성된다. Therefore, when the substrate 10 is disposed in parallel with the first and second hot plates 100 and 200 in a flat structure, the second pattern is formed on the front surface of the substrate 10 similarly to the first pattern. It is formed to have the same separation distance over.

하지만, 상기에서 설명한 바와 같이 상기 기판(10)은 이전의 증착 공정을 거치면서 도 1에서와 같이 볼록하거나, 도 2에서와 같이 오목하게 휜 형상을 가지게 되는 것이 통상적이므로, 상기 제2 패턴은 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들이 서로 평행하게 배치됨에 따라 상기 제1 패턴과 반대되는 거리로 상기 제2 핫 플레이트(200)와 이격된다. However, as described above, the substrate 10 may have a convex shape as shown in FIG. 1 or a concave shape as shown in FIG. 2 during the previous deposition process. As the first and second hot plates 100 and 200 are disposed parallel to each other, the first and second hot plates 100 and 200 are spaced apart from the second hot plate 200 at a distance opposite to the first pattern.

구체적으로, 상기 제2 패턴은 상기 기판(10)이 도 1에서와 같이 볼록하게 휜 형상을 가질 경우에 상기 기판(10)의 중앙 부위에서보다 에지 부위에서 상기 제2 핫 플레이트(200)와 더 멀게 형성되고, 반대로 상기 제2 패턴은 상기 기판(10)이 도 2에서와 같이 오목하게 휜 형상을 가질 경우에 상기 기판(10)의 에지 부위에서보다 중앙 부위에서 상기 제1 핫 플레이트(100)와 더 멀게 형성될 수 있다. Specifically, when the substrate 10 has a convexly concave shape as shown in FIG. 1, the second pattern is further formed with the second hot plate 200 at the edge portion than at the center portion of the substrate 10. The second pattern is formed far away, and in contrast, when the substrate 10 has a concave shape as shown in FIG. 2, the first hot plate 100 is formed at a central portion of the substrate 10 than at an edge portion of the substrate 10. Can be formed further away from and.

상기 제2 핫 플레이트(200)는 상면에 제2 발열체(210)가 설치된다. 상기 제2 발열체(210)는 외부의 구동 전원으로부터 제2 열을 발생한다. 이때, 상기 제2 발열체(210)에는 상기 제1 발열체(110)에 인가되는 구동 전원이 그대로 인가될 수 있다. 이로써, 상기 제1 핫 플레이트(100)는 상기 제1 발열체(110)를 통해 상기 기판(10)의 상면에 제2 열을 제공함으로써, 상기 기판(10)을 열처리한다.The second hot plate 200 has a second heating element 210 is installed on the upper surface. The second heating element 210 generates second heat from an external driving power source. In this case, the driving power applied to the first heating element 110 may be applied to the second heating element 210 as it is. Thus, the first hot plate 100 heats the substrate 10 by providing a second heat to the upper surface of the substrate 10 through the first heating element 110.

이때, 상기 제2 핫 플레이트(200)에는 상기 기판(10)을 열처리하면서 발생되는 연무를 외부로 배출하기 위한 적어도 하나의 배출구(220)가 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 배출구(220)는 상기 연무를 효과적으로 배출시키기 위하여 상기 제2 핫 플레이트(200)의 중앙 부위 또는 에지 부위에 모두 구성될 수 있다.At this time, the second hot plate 200 may be configured with at least one discharge port 220 for discharging the mist generated while the heat treatment of the substrate 10 to the outside. For example, the outlet 220 may be configured at both the center portion or the edge portion of the second hot plate 200 to effectively discharge the mist.

이하, 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들의 사이에서의 온도 분포를 통해 상기 기판(10)을 균일하게 열처리되는 방식에 대하여 도 3을 추가적으로 참조하여 보다 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, a method of uniformly heat-treating the substrate 10 through the temperature distribution between the first and second hot plates 100 and 200 will be described in more detail with reference to FIG. 3.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 기판 열처리 장치의 제1 및 제2 핫 플레이트의 사이에서의 온도 분포를 나타낸 그래프이다. 3 is a graph showing a temperature distribution between the first and second hot plates of the substrate heat treatment apparatus shown in FIGS. 1 and 2.

도 3을 추가적으로 참조하면, 서로 평행한 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들 사이에서는 그래프(G)와 같은 온도 분포가 나타난다.Referring further to FIG. 3, a temperature distribution such as a graph G appears between the first and second hot plates 100 and 200 which are parallel to each other.

구체적으로, 상기 그래프(G)를 살펴보면 상기 제1 핫 플레이트(100)와 가까운 위치에서는 상기 제1 발열체(110)로부터의 제1 열에 거의 직접적으로 영향을 받 아 상당히 높은 온도를 나타내다가 상기 제1 핫 플레이트(100)로부터 멀어질수록 점점 온도가 낮아진다.Specifically, referring to the graph (G), at a position close to the first hot plate 100, the first heat from the first heating element 110 is almost directly affected and shows a considerably high temperature. The further away from the hot plate 100, the lower the temperature.

이후, 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들의 사이의 정 가운데 위치를 기점으로 상기 제1 핫 플레이트(100)로부터 더 멀어질수록 다시 상기 제2 핫 플레이트(200)의 제2 발열체(210)로부터의 제2 열에 영향을 받아 다시 온도가 높아지게 된다. Subsequently, the second heating element of the second hot plate 200 is moved further away from the first hot plate 100 based on the center position between the first and second hot plates 100 and 200. The temperature is increased again by being affected by the second heat from 210.

이로써, 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들 사이의 어느 위치에서도 상기 제1 및 제2 열들의 합은 일정하게 유지될 수 있다. 이는, 상기 제1 및 제2 발열체(110, 210)들로부터 제1 및 제2 열들이 도달하는 거리의 합이 항상 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들의 사이 거리와 대략 동일하기 때문이다. As a result, the sum of the first and second rows may be kept constant at any position between the first and second hot plates 100 and 200. This means that the sum of the distances at which the first and second columns reach from the first and second heating elements 110 and 210 is always approximately equal to the distance between the first and second hot plates 100 and 200. Because.

다시 말해, 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들 사이의 어느 한 위치에서 상기 제1 발열체(110)로부터의 제1 열이 부족하게 제공된다면 이를 상기 제2 발열체(210)의 제2 열이 보상하고, 반대로 다른 위치에서 상기 제2 발열체(210)로부터의 제2 열이 부족하다면 이를 상기 제1 발열체(110)의 제1 열이 보상하기 때문이다. In other words, if the first heat from the first heating element 110 is insufficiently provided at any position between the first and second hot plates 100 and 200, the first heat of the second heating element 210 may be reduced. This is because the second heat compensates, and if the second heat from the second heat generator 210 is insufficient at another position, the first heat of the first heat generator 110 compensates for this.

이와 같은 온도 분포를 갖는 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들의 사이로 상기 기판(10)이 반입되면, 상기 기판(10)의 형상에 상관없이 상기 기판(10)에는 전체적으로 상기 제1 및 제2 발열체(210)들로부터 제1 및 제2 열들의 합이 위치에 따라 일정하게 유지된다. When the substrate 10 is loaded between the first and second hot plates 100 and 200 having such a temperature distribution, the first substrate as a whole may be formed on the substrate 10 regardless of the shape of the substrate 10. And the sum of the first and second rows from the second heating elements 210 is kept constant according to the position.

상기 지지체(300)는 상기 제1 핫 플레이트(100)의 하부로부터 상기 제1 핫 플레이트(100)를 관통하여 상기 기판(10)을 지지한다. 이때, 상기 지지체(300)는 상기 그래프(G)의 변곡점, 즉 상기 기판(10)에 제1 열과 제2 열이 동일하게 제공되는 위치와 인접한 영역에 상기 기판(10)이 배치되도록 한다. 이로써, 상기 지지체(300)는 상기 기판(10)에 제공되는 상기 제1 및 제2 열들의 차이를 최소화할 수 있다. The support 300 passes through the first hot plate 100 from the lower portion of the first hot plate 100 to support the substrate 10. In this case, the support 300 allows the substrate 10 to be disposed at an inflection point of the graph G, that is, a region adjacent to a position where the first and second columns are equally provided on the substrate 10. As a result, the support 300 may minimize the difference between the first and second rows provided to the substrate 10.

또한, 상기 지지체(300)는 상기 기판(10)이 상기 제1 핫 플레이트(100)와 일정한 거리로 이격되도록 한다. 이에 따라, 상기 지지체(300)는 상기 기판(10)이 상기 제1 핫 플레이트(100)에 직접 접촉하는 것을 방지함으로써, 상기 기판(10)이 상기 제1 핫 플레이트(100)로부터 오염되는 것을 방지할 수 있다. 아울러, 상기 지지체(300)는 상기 기판(10)과의 접촉 면적을 최소화하기 위하여 상기 기판(10)과 접촉하는 부위가 볼 또는 상단이 라운드진 핀 형태로 이루어질 수 있다. In addition, the support 300 allows the substrate 10 to be spaced apart from the first hot plate 100 by a predetermined distance. Accordingly, the support 300 prevents the substrate 10 from directly contacting the first hot plate 100, thereby preventing the substrate 10 from being contaminated from the first hot plate 100. can do. In addition, in order to minimize the contact area with the substrate 10, the support 300 may be formed in the form of a ball or a pin having a rounded top portion.

따라서, 상기 기판(10)이 이전의 증착 공정을 거치면서 볼록 또는 오목하게 휜 형상을 가질 경우에도 상기 지지체(300)에 의해 지지된 상기 기판(10)의 상부와 하부에 서로 반대인 제1 패턴 및 제2 패턴으로 각각 이격되도록 서로 평행한 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들을 배치시킴으로써, 상기 기판(10)을 균일하게 열처리할 수 있다. Therefore, even when the substrate 10 has a convex or concave shape during the previous deposition process, a first pattern opposite to the upper and lower portions of the substrate 10 supported by the support 300 is provided. And the first and second hot plates 100 and 200 parallel to each other to be spaced apart from each other in a second pattern, thereby uniformly heat treating the substrate 10.

또한, 상기 지지체(300)에 의하여 상기 기판(10)에 제공되는 상기 제1 및 제2 열들의 차이를 최소화함으로써, 상기 기판(10)을 보다 안정적으로 균일하게 열처리할 수 있다. In addition, by minimizing the difference between the first and second rows provided to the substrate 10 by the support 300, the substrate 10 may be heat treated more stably and uniformly.

이에 따라, 상기 열처리하는 공정을 거친 기판(10)으로부터 생산된 반도체 소자 또는 디스플레이 소자와 같은 집적 회로 소자의 품질을 향상시킬 수 있다. Accordingly, the quality of integrated circuit devices such as semiconductor devices or display devices produced from the substrate 10 subjected to the heat treatment may be improved.

상기 지지체 승강부(400)는 상기 제1 핫 플레이트(100)의 하부에서 상기 지지체(300)와 연결된다. 상기 지지체 승강부(400)는 상기 기판(10)과 상기 제1 핫 플레이트(100)와 이격된 거리가 조정되도록 상기 지지체(300)를 상하 방향으로 구동시킨다. 예를 들어, 상기 지지체 승강부(400)는 실린더(cylinder)로 이루어질 수 있다. The support lifting unit 400 is connected to the support 300 at the lower portion of the first hot plate 100. The support elevating unit 400 drives the support 300 in an up and down direction so that the distance from the substrate 10 and the first hot plate 100 is adjusted. For example, the support lifting unit 400 may be formed of a cylinder.

상기 지지체 승강부(400)는 외부의 검사 장치(20)와 연결된다. 여기서, 상기 검사 장치(20)는 상기 기판 열처리 장치(1000)와 인접한 위치에 배치된다. 상기 검사 장치(20)는 광 센서 등을 이용하여 상기 기판(10)의 볼록한지 또는 오목한지 등의 휜 형상을 검사한다. 또한, 상기 검사 장치(20)는 상기 기판(10)이 얼마나 볼록한지 또는 오목한지도 검사한다. 이러한 검사 장치(20)는 그 검사 결과를 상기 지지체 승강부(400)에 전송한다.The support lifting unit 400 is connected to the external inspection device 20. Here, the inspection apparatus 20 is disposed at a position adjacent to the substrate heat treatment apparatus 1000. The inspection apparatus 20 inspects the shape of the convex or concave of the substrate 10 using an optical sensor or the like. In addition, the inspection apparatus 20 also examines how convex or concave the substrate 10 is. The inspection device 20 transmits the inspection result to the support lifting unit 400.

이에, 상기 지지체 승강부(400)는 상기 검사 결과를 근거로 상기 기판(10)이 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들에 의하여 가장 적합하게 열처리되는 위치로 상기 지지체(300)를 구동시킨다.Thus, the support lifting unit 400 is the support 300 in a position where the substrate 10 is most appropriately heat treated by the first and second hot plates 100 and 200 based on the inspection result. Drive.

통상적으로, 상기 기판(10)은 상기 열처리 공정의 직접적인 대상이 되는 감광막과 같은 박막이 그 상면에 증착됨으로써, 상기 박막에 과도한 열이 제공되는 것을 방지하기 위하여 상기 지지체 승강부(400)는 상기 제2 핫 플레이트(200)보다는 상기 제1 핫 플레이트(100)에 가깝도록 상기 지지체(300)를 구동시킬 수 있다. 이때에도, 상기 기판(10)이 상기 그래프(G)의 변곡점 위치와 인접한 영역을 벗어나 지 않는 수준에서 상기 지지체(300)를 구동시킨다. Typically, the substrate 10 is formed by depositing a thin film, such as a photosensitive film, which is a direct object of the heat treatment process, on the upper surface thereof, so that the support lifting part 400 may prevent the excessive heat from being provided to the thin film. The support 300 may be driven closer to the first hot plate 100 than to the second hot plate 200. In this case, the substrate 10 drives the support 300 at a level that does not leave the region adjacent to the inflection point position of the graph G.

한편, 상기 제1 핫 플레이트(100)는 상기 지지체(300)에 의해 지지되는 기판(10)의 위치를 가이드하여 정렬시키기 위한 가이드부(120)가 주위에 구성될 수 있다. 상기 가이드부(120)는 상기 기판(10)을 상기 제1 핫 플레이트(100)의 중앙으로 가이드하기 위하여 상기 제1 핫 플레이트(100)의 에지로부터 중앙 방향으로 경사진 면을 가질 수 있다.On the other hand, the first hot plate 100 may be configured around the guide portion 120 for guiding and aligning the position of the substrate 10 supported by the support 300. The guide part 120 may have a surface inclined from the edge of the first hot plate 100 toward the center to guide the substrate 10 to the center of the first hot plate 100.

또한, 상기 기판 열처리 장치(1000)는 상기 기판(10)이 외부로부터 이송 로봇(미도시)이 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들의 사이로 반입될 때 또는 사이로부터 반출될 때 그 공간을 충분히 확보하기 위하여 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들 각각과 연결되어 구동시키는 제1 및 제2 플레이트 승강부(500, 600)들을 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate heat treatment apparatus 1000 may be used when the substrate 10 is transported from the outside when the transfer robot (not shown) is carried in or between the first and second hot plates 100 and 200. The first and second plate elevating units 500 and 600 may be further connected to each other to drive the first and second hot plates 100 and 200 to secure enough space.

이에, 상기 공간의 확보를 위해 상기 제1 플레이트 승강부(500)는 상기 제1 핫 플레이트(100)를 하강시키고, 상기 제2 플레이트 승강부(600)는 상기 제2 핫 플레이트(200)를 상승시킨다. Thus, in order to secure the space, the first plate elevating unit 500 lowers the first hot plate 100 and the second plate elevating unit 600 raises the second hot plate 200. Let's do it.

또한, 상기 제1 및 제2 플레이트 승강부(500, 600)들을 통해서 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들 사이의 간격을 상기 기판(10)에 상기 제1 및 제2 열들이 과도 또는 미흡하게 제공되지 않도록 조절할 수 있다. In addition, the first and second rows of the first and second hot plates 100 and 200 are spaced between the first and second hot plates 100 and 200 through the first and second plate elevating parts 500 and 600. It can be adjusted so that it is not provided excessively or poorly.

본 실시예에서는 상기 제1 및 제2 플레이트 승강부(500, 600)들이 모두 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들을 구동시키는 것으로 설명하였지만, 경우에 따라서 상기 제1 및 제2 플레이트 승강부(500, 600)들 중 어느 하나만이 상기 제1 핫 플레이트(100) 또는 제2 핫 플레이트(200)를 하강 및 상승시킬 수 있다. In the present exemplary embodiment, the first and second plate lifting units 500 and 600 both drive the first and second hot plates 100 and 200. Only one of the lifting units 500 and 600 may lower and raise the first hot plate 100 or the second hot plate 200.

한편, 상기 기판 열처리 장치(1000)는 상기 제1 핫 플레이트(100)의 제1 발열체(110)와 상기 제2 핫 플레이트(200)의 제2 발열체(210)에 연결되어 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들 각각의 위치에 따라 상기 제1 및 제2 열들의 발열 정도를 제어하는 제1 및 제2 제어부(130, 230)들을 더 포함할 수 있다. On the other hand, the substrate heat treatment apparatus 1000 is connected to the first heating element 110 of the first hot plate 100 and the second heating element 210 of the second hot plate 200 are connected to the first and second The apparatus may further include first and second controllers 130 and 230 that control the heat generation of the first and second rows according to the positions of the hot plates 100 and 200, respectively.

이로써, 상기 기판(10)의 심하게 볼록 또는 오목하게 휜 형상을 가질 경우에, 상기 제1 및 제2 제어부(130, 230)들을 통해서 상기 제1 및 제2 핫 플레이트(100, 200)들 각각의 위치에 따라 직접 상기 제1 및 제2 열들을 조절할 수 있다. As a result, when the substrate 10 is severely convex or concave in shape, each of the first and second hot plates 100 and 200 may be formed through the first and second control units 130 and 230. The first and second rows can be adjusted directly according to the position.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical and exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

상술한 본 발명은 기판이 볼록 또는 오목하게 휜 형상을 가질 경우에도 상기 기판의 하부 및 상부에 열을 제공하기 위한 제1 및 제2 핫 플레이트들을 서로 평행하게 배치시킴으로써, 상기 기판을 균일하게 열처리할 수 있는 장치에 이용될 수 있다According to the present invention, even when the substrate has a convex or concave shape, the substrate may be uniformly heat treated by arranging first and second hot plates to provide heat to the lower and upper portions of the substrate in parallel with each other. Can be used in the device which can

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판이 볼록한 경우와 오목한 경우의 기판 열처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면들이다.1 and 2 are diagrams illustrating a schematic configuration of a substrate heat treatment apparatus in a case where a substrate is convex and concave, according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 기판 열처리 장치의 제1 및 제2 핫 플레이트의 사이에서의 온도 분포를 나타낸 그래프이다. 3 is a graph showing a temperature distribution between the first and second hot plates of the substrate heat treatment apparatus shown in FIGS. 1 and 2.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 기판 20 : 검사 장치10 substrate 20 inspection device

100 : 제1 핫 플레이트 110 : 제1 발열체100: first hot plate 110: first heating element

200 : 제2 핫 플레이트 210 : 제2 발열체200: second hot plate 210: second heating element

220 : 배출구 300 : 지지체220: outlet 300: support

400 : 지지체 승강부 500 : 제1 플레이트 승강부400 support body lifting unit 500 first plate lifting unit

600 : 제2 플레이트 승강부 1000 : 기판 열처리 장치600: second plate lifting unit 1000: substrate heat treatment apparatus

Claims (5)

휜 형상을 갖는 기판의 하부에 배치되어, 상기 기판의 하면으로 제1 열을 제공하는 제1 핫 플레이트; A first hot plate disposed below the substrate having a fin shape and providing a first row to a bottom surface of the substrate; 상기 기판의 상부에 상기 제1 핫 플레이트와 평행하게 배치되어, 상기 기판의 상면으로 제2 열을 제공하는 제2 핫 플레이트; 및A second hot plate disposed on the substrate in parallel with the first hot plate and providing a second row to an upper surface of the substrate; And 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들의 사이에서 상기 제1 열과 제2 열이 동일하게 제공되는 위치와 인접한 영역에 상기 기판이 배치되도록 상기 제1 핫 플레이트의 하부로부터 상기 제1 핫 플레이트를 관통하여 상기 기판을 지지하는 지지체를 포함하고,Passing through the first hot plate from the bottom of the first hot plate such that the substrate is disposed in an area adjacent to the position where the first and second rows are equally provided between the first and second hot plates; A support for supporting the substrate, 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들 중 적어도 하나와 연결되며, 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들 사이의 간격이 조절되도록 상기 제1 핫 플레이트 또는 상기 제2 핫 플레이트를 상하 방향으로 구동시키는 플레이트 승강부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.A plate lifter which is connected to at least one of the first and second hot plates and drives the first hot plate or the second hot plate in a vertical direction so that a gap between the first and second hot plates is adjusted. Substrate heat treatment apparatus further comprising a portion. 휜 형상을 갖는 기판의 하부에 배치되어, 상기 기판의 하면으로 제1 열을 제공하는 제1 핫 플레이트; A first hot plate disposed below the substrate having a fin shape and providing a first row to a bottom surface of the substrate; 상기 기판의 상부에 상기 제1 핫 플레이트와 평행하게 배치되어, 상기 기판의 상면으로 제2 열을 제공하는 제2 핫 플레이트; 및A second hot plate disposed on the substrate in parallel with the first hot plate and providing a second row to an upper surface of the substrate; And 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들의 사이에서 상기 제1 열과 제2 열이 동일하게 제공되는 위치와 인접한 영역에 상기 기판이 배치되도록 상기 제1 핫 플레이트의 하부로부터 상기 제1 핫 플레이트를 관통하여 상기 기판을 지지하는 지지체를 포함하고,Passing through the first hot plate from the bottom of the first hot plate such that the substrate is disposed in an area adjacent to the position where the first and second rows are equally provided between the first and second hot plates; A support for supporting the substrate, 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들 각각의 상기 제1 및 제2 열들을 발생하기 위한 제1 및 제2 발열체들과 연결되어 상기 제1 및 제2 핫 플레이트들 각각의 위치에 따라 상기 제1 및 제2 열들의 발열 정도를 제어하는 제1 및 제2 제어부들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The first and second hot plates are connected to the first and second heating elements for generating the first and second heats of the first and second hot plates, respectively, and the first and second hot plates are disposed according to the positions of the first and second hot plates. Substrate heat treatment apparatus further comprises first and second control unit for controlling the heat generation degree of the second row. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 핫 플레이트에는 상기 기판이 열처리되는 도중 발생되는 연무를 배출시키기 위한 적어도 하나의 배출구가 구성된 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The substrate heat treatment apparatus of claim 1, wherein the second hot plate is configured with at least one discharge port for discharging fumes generated during the heat treatment of the substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지체와 연결되며, 상기 기판의 위치가 조정되도록 상기 지지체를 상하 방향으로 구동시키는 지지체 승강부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 열처리 장치.The substrate heat treatment apparatus of claim 1, further comprising a support lifter connected to the support and driving the support in the vertical direction so that the position of the substrate is adjusted. 삭제delete
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