KR101085411B1 - 제전 장치 - Google Patents

제전 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101085411B1
KR101085411B1 KR1020067021197A KR20067021197A KR101085411B1 KR 101085411 B1 KR101085411 B1 KR 101085411B1 KR 1020067021197 A KR1020067021197 A KR 1020067021197A KR 20067021197 A KR20067021197 A KR 20067021197A KR 101085411 B1 KR101085411 B1 KR 101085411B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
positive
negative
electrode
ions
ion
Prior art date
Application number
KR1020067021197A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070019715A (ko
Inventor
요마쓰 나카지마
Original Assignee
휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤 filed Critical 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤
Publication of KR20070019715A publication Critical patent/KR20070019715A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101085411B1 publication Critical patent/KR101085411B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/04—Carrying-off electrostatic charges by means of spark gaps or other discharge devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T23/00—Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T19/00—Devices providing for corona discharge
    • H01T19/04—Devices providing for corona discharge having pointed electrodes

Abstract

본 발명은 제전(除電) 장치에 관한 것으로서, 역대전을 발생시키지 않고, 대형의 제전 대상을 고속이고 또한 양호한 효율로 제전하는 직류 방식 기체 분사형의 제전 장치를 제공한다. 기체 분출구(60)는 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30) 사이에 배치되고, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)은 기체 분출구(60)로부터의 기체류(氣體流)를 향해 플러스 이온 및 마이너스 이온을 조사(照射)하도록 하여, 플러스 이온과 마이너스 이온을 모두 제전 대상에 고속으로 도달시켜 제전하도록 한 제전 장치(1)로 하였다.
제전 장치, 이온, 플러스 전극, 마이너스 전극.

Description

제전 장치 {NEUTRALIZATION APPARATUS}
본 발명은, 코로나 방전에 의해 발생시킨 플러스 이온 및 마이너스 이온에 의해, 제전(除電) 대상 표면에 대전(帶電)되어 있는 플러스 마이너스 정전기를 중화함으로써 제전하는 제전 장치에 관한 것이다.
종래 기술의 제전 장치는, 침형(針形)의 방전 전극(방전침)에 고전압을 인가하여 공기로부터 플러스 이온과 마이너스 이온(이하, 플러스 이온과 마이너스 이온을 총칭할 때는 단지 이온이라고 함)을 발생시켜, 대전되어 있는 제전 대상에 이온을 조사하여 제전하는 코로나 방전식의 제전 장치가 주류이다. 이 제전 대상의 일례로서, 예를 들면, 판형의 유리 기판 등을 들 수 있다. 이 유리 기판은, 예를 들면, TFT(박막 트랜지스터) 액정 패널, PDP(플라즈마 디스플레이 패널), 또는 LCD(액정 디스플레이) 등에 사용되는 기판이다.
그런데, 이와 같은 코로나 방전식 제전 장치는, 또한 방전침에 인가하는 고압 전원에 교류 전원을 사용하는 교류 방식 제전 장치와, 직류 전원을 사용하는 직류 방식 제전 장치로 대별된다. 각각의 제전 장치에 특징이 있으므로, 사용하는 목적에 따라 선택할 필요가 있다.
교류 방식 제전 장치는 주로 상용 전원을 승압 트랜스로 승압한 전원 전압을 사용하고 있고, 플러스 이온과 마이너스 이온이 1개의 방전침으로부터 교대로 발생한다. 발생한 이온을 에어류에 탑재하여 이동 속도를 빠르게 함으로써, 제전 효과를 높이고 있다.
이 교류 방식 제전 장치의 장점은, 예를 들면, 교류 전원이 50Hz의 경우에 20msec마다 1개의 방전침으로부터 플러스 이온과 마이너스 이온이 교대로 발생하여 공간에 있어서의 플러스 이온과 마이너스 이온이 치우치지 않고 존재하므로, 제전 대상의 근처에서 이온을 생성해도 제전 장치에 의한 역대전(동일 극성의 이온을 동일 개소에 집중하여 조사하여 그 이온이 제전 대상으로 대전하는 것)이 쉽게 생기지 않는 것이다.
한편, 교류 방식 제전 장치의 단점은 2가지로서, 제1 단점은 플러스 이온과 마이너스 이온이 근접하여 존재하므로, 플러스 이온과 마이너스 이온이 재결합할 확률이 높아, 발생한 이온이 먼 곳에 도달하지 못하고 감소하는 것이며, 제2 단점은, 교류 방식의 상용 전원을 승압하는 승압 트랜스의 소형화가 현 상태로는 곤란하므로, 이온 발생부와 고압 전원부를 분리하여 고압 전원부를 이온 발생부로부터 멀리하여 배치하고, 이온 발생부와 고압 전원부를 고압 전선으로 접속하는 구조로 되어 있어, 교류 방식 제전 장치의 소형화ㆍ일체화가 곤란한 것이다.
이어서, 직류 방식 제전 장치에 대하여는 도면을 참조하면서 설명한다. 도 11은, 종래 기술의 직류 방식 바형(bar type) 제전 장치의 구조도이다. 직류 방식 바형 제전 장치(200)는, 도 11에 나타낸 바와 같이, 제전 장치 본체(201), 플러스 방전침(202), 마이너스 방전침(203)을 구비하고 있다. 제전 장치 본체(201)는 가 로로 긴 바형이며, 이 제전 장치 본체(201) 내에 전원 전압부도 수납되어 있다. 제전 장치 본체(201)에는, 플러스 방전침(202)과 마이너스 방전침(203)이 각각 같은 수 설치되고, 플러스 방전침(202)이 플러스 이온을, 마이너스 방전침(203)이 마이너스 이온을 각각 생성한다.
또, 다른 직류 방식 제전 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 12는, 다른 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치의 구조도이다. 직류 방식 바형 제전 장치(200)는, 도 12에 나타낸 바와 같이, 제전 장치 본체(201), 플러스 방전침(202), 마이너스 방전침(203), 이온 센서(204), 센서 지지체(205)를 구비하고 있다. 제전 장치 본체(201)는 가로로 긴 바형이며, 이 제전 장치 본체(201) 내에 전원 전압부도 수납되어 있다. 제전 장치 본체(201)에는, 플러스 방전침(202)과 마이너스 방전침(203)이 각각 같은 수 설치되고, 플러스 방전침(202)이 플러스 이온을, 마이너스 방전침(203)이 마이너스 이온을 각각 생성한다. 이온 센서(204)는, 제전 장치 본체(201)와 같은 길이의 봉형(棒形)의 센서이며, 센서 지지체(205)에 의해 방전침 선단측으로 제전 장치 본체(201)의 길이 방향과 평행으로 장착되어 있다. 이 이온 센서(204)가 검출한 신호에 따라 이온 밸런스 분포를 계측하고, 플러스 이온이나 마이너스 이온의 출력량을 조정하도록 제어한다는 것이다.
이들 직류 방식 바형 제전 장치(200, 200')의 장점은 2가지 있으며, 제1 장점은 플러스 방전침(202)과 마이너스 방전침(203) 사이가 충분히 이격되어 있으므로, 플러스 이온과 마이너스 이온이 재결합할 확률은 교류 방식 제전 장치에 비해 낮고, 먼 곳까지 이온을 도달시킬 수 있는 것이며, 제2 장점은, 소형의 고주파 트 랜스로 승압한 고주파 전압을 정류 회로로 정류함으로써 플러스 고전압 및 마이너스 고전압을 얻을 수 있으므로, 구조적으로 소형의 고압 전원부를 채용할 수 있어 이온 발생부로 되는 제전 장치 본체(201)에 고압 전원부를 내장시켜 직류 방식 바형 제전 장치(200, 200')를 소형 구조ㆍ일체 구조로 할 수 있는 것이다.
한편, 직류 방식 바형 제전 장치(200, 200')의 단점은, 플러스 방전침(202) 및 마이너스 방전침(203)(이하, 플러스 방전침(202)과 마이너스 방전침(203)과의 양자를 나타내는 경우에는 단지 방전침이라고 함)으로부터 제전 대상까지의 제전 거리 L이 짧은 경우, 플러스 방전침(202) 근방의 공간은 플러스 이온 농도가 높고, 마이너스 방전침(203) 근방의 공간은 마이너스 이온 농도가 높으므로, 직류 방식 바형 제전 장치(200, 200')는 제전 대상을 부분적으로 플러스 또는 마이너스로 역대전시키는 것이다.
이와 같은 역대전의 경향에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 13은 역(逆)대전을 검증하는 실험장치의 설명도, 도 14는 실험 결과인 이온 밸런스 분포도이다. 도 13에 나타낸 바와 같이 다운 플로가 흐르는 환경 하에서 직류 방식 바형 제전 장치(200)에 의해 플러스 이온ㆍ마이너스 이온을 발생시켜, 제전 거리 L = 300mm 또는 1000mm 멀어진 A0., A, B, C, D, E, E0에 CPM(대전(帶電) 플레이트 모니터)를 각각 배치하고, 각 점의 CPM 전압을 계측하여 이온 밸런스 분포를 조사하였다. 이 CPM 대전 플레이트의 치수가 15cm×15cm로 정전 용량이 20pF으로 되어 있다.
직류 방식 바형 제전 장치(200)의 제전 범위에 있어서의 플러스 이온ㆍ마이너스 이온 밸런스 분포는, 도 14에 나타낸 바와 같이 된다. 이 이온 밸런스 분포에서는, 제전 장치 본체(201)의 중심(C의 부근)을 제로 V로 되도록 이온 밸런스를 조정하고 있으므로, 제전 장치 본체(201)의 마이너스 전극 측(A0, A의 부근)의 CPM 전압은 마이너스 전압으로 치우치고, 제전 장치 본체(201)의 플러스 전극 측(E0, E의 부근)의 CPM 전압은 플러스 전압으로 치우쳐, 도 14의 그래프의 실선과 같은 전압 구배(句配)를 그린다. 이 이온 밸런스 분포로부터도 명백한 바와 같이, CPM 전압은 높아, 제전이 완전하게 행해지지 않았다.
또, 역대전은, (1) 제전 거리 L에 의한 영향과 (2) 제전 위치 A0, A, B, C, D, E, E0에 의한 영향임을 알 수 있다.
(1)에서는, 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리가 긴(L=1000mm) 경우와 비교하여, 제전 거리가 짧은(L=300mm) 경우의 쪽이 CPM 전압이 전체적으로 높고, 역대전의 경향이 현저했다. 이와 같이 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리가 단축됨에 따라 역대전의 경향이 강해져 있었다.
(2)에서는, 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치(200)는, 방전침의 선단이 제전 대상을 향해 장착되고, 플러스 방전침(202)과 마이너스 방전침(203) 사이가 일정 거리를 두고 설치되어 있으므로, 플러스 방전침(202) 근방의 공간은 플러스 이온 농도가 높고, 마이너스 방전침(203) 근방의 공간은 마이너스 이온 농도가 높아지므로, 제전 대상도 부분적으로 플러스 또는 마이너스로 역대전하는 문제점이 있었다. 특히, 제전 장치 본체(201)의 일단에는 플러스 방전침(202)(도 13의 우측)이, 또 타단에는 마이너스 방전침(203)(도 13의 좌측)이 장착되는 구조이며, 플러스 방전침(202)이 있는 바의 끝 근방의 공간은 플러스 이온 농도가 바 중앙 부근에 비해 현격히 높고, 역으로 마이너스 방전침(203)이 있는 바의 끝 근방 공간은 마이너스 이온 농도가 바 중앙 부근에 비해 현격히 높아지는 경향이 있었다. 직류 방식 바형 제전 장치(200)의 제전 범위에 있어서의 플러스 이온ㆍ마이너스 이온 밸런스 분포는, 도 14에 나타낸 바와 같이, 플러스 방전침(202)이 있는 바의 단부 부근의 공간에서는 플러스 이온 농도가 바 중앙 부근에 비해 현격히 높고, 역으로 마이너스 방전침(203)이 있는 바의 끝 근방 공간에서는 마이너스 이온 농도가 바 중앙 부근에 비해 현격히 높아져 있다.
이 경향도 제전 거리 L에 의해 영향을 받아 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리 L이 짧은(L=300mm) 경우에는 CPM 전압이 돌출되어 높아지고, 단부에서는 역대전이 보다 강해지는 경향이 있었다.
그래서, 역대전을 없애기 위해 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리를 길게 하면, 이번에는 새로운 문제가 생긴다. 이 점에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 15는 실험 결과인 제전 시간-위치 특성도이다. 도 15에 나타낸 바와 같이, 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리 L이 긴 것이 제전 시간은 길다는 경향을 알 수 있다. 이로부터도 명백한 바와 같이, 직류 방식 바형 제전 장치(200)에서는, 제전 시간을 단축하도록 하여 제전 거리를 단축하면 역대전이 발생하고, 역으로 역대전을 해소하려고 제전 거리를 연장하면 제전 시간이 길어진다는 경향이 있었다. 이들 문제는 도 12에 나타낸 직류 방식 바형 제전 장치(200')에서도 일어날 수 있는 경향이다. 종래 기술에서는 적당히 제전 거리를 조정하여 대처하고 있었다.
종래 기술의 직류 방식의 제전 장치는 이와 같은 것이었다.
또, 다른 직류 방식의 제전 장치의 선행 기술로서, 예를 들면, 특허 문헌 1(일본국 특개 2001-155894호 공보, 발명의 명칭 「이오나이저」)이 개시되어 있다. 이 선행 기술에서는, 상기한 바와 같은 직류 방식 제전 장치로서의 특징에 더하여, 전극 윗쪽으로부터 에어 분사하여 이온을 빠르게 도달시키는 것이다.
최근에는 PDP 디스플레이의 대화면화에 따라 제전 대상이 대형화되어 가고 있어 제전 거리 L을 근접시켜 제전 시간을 단축하고, 또한 역대전을 발생시키지 않고 제전 가능하도록 하는 시책이 필요했다. 그러나, 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치에서는, 제전 시간 단축ㆍ역대전 방지에 대하여, 하기 (1)~(4)가 문제로 되어 있었다.
(1) 도 12, 13에 나타낸 바와 같은 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치(200, 200')에서는 역대전 방지책으로서 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리에 따라 플러스 방전침(202)과 마이너스 방전침(203)과의 전극 간격을 조정하여 플러스 이온과 마이너스 이온이 특정 개소에 집중되지 않도록 하여 역대전을 방지한다는 방법이 있지만, 플러스 방전침(202)과 마이너스 방전침(203)의 간격을 간단하게 조정하는 구조는 현상태에서는 없고, 주문시에 설계하여 생산하는 다품종 소량 생산으로 대응하고 있고, 생산 효율의 향상이 곤란했다. 또, 한 번 생산하면 변경ㆍ조정이 곤란하므로 특별 주문의 일품 제작으로 되어 설계 비용ㆍ생산 비용의 점에서 채산이 맞지 않고, 이와 같은 간격 조정에 의한 역대전의 방지는 채용할 수 없는 것이었다.
(2) 직류 방식 바형 제전 장치(200, 200')의 바형의 제전 장치 본체(201)는 커버로서 절연물의 수지 재료가 사용되고 있지만, 절연물의 수지 재료는 방전침으로부터 발생하는 전계에 의해 정전 유도에 의한 대전 현상이 일어난다. 플러스 방전침(202) 근방의 커버 표면은 플러스에 대전하고, 마이너스 방전침(203) 근방의 커버 표면은 마이너스에 대전한다. 이 플러스 대전 부분에는 마이너스 이온이 흡인되어 마이너스 대전 부분 플러스 이온이 흡인된다. 그 결과, 방전침으로부터 생성된 이온이 끌어당겨져 제전 대상으로의 이온 도달량이 적게 되어, 도 14와 같은 구배를 가진 이온 밸런스 분포로 되는 한 요인으로 되어 있었다. 이와 같은 새롭게 지견된 역대전의 발생 원인을 해소하는 역대전 방지책이 필요했었다.
(3) 또한, 도 12에 나타낸 이온 센서(204)를 장착한 직류 방식 바형 제전 장치(200')에서는, 바형의 제전 장치 본체(201)의 길이와 같은 길이의 선형의 이온 센서(204)를, 방전침 선단측에서 제전 장치 본체(201)와 평행하게 센서 지지체(205)에 의해 장착한다는 것이며, 이온 밸런스의 조정도 가능하다. 그러나, 최근에는 유리 기판인 PDP용 플랫 패널 등 제전 대상의 폭 방향이 2000mm 정도로 대형화가 현저해지고, 도 12의 직류 방식 바형 제전 장치(200')의 이온 센서(204)도 장척화(長尺化)되어 보강 구조 등도 필요해 지므로, 기계 구조를 간소화할 수 없었다.
(4) 제전 장치에 의한 제전 목적은, 제전 대상의 대전을 제로 V까지 제전하는 것이다. 그러나, 최근 플랫 패널 디스플레이 등의 제전 대상의 면적이 커지고 제전 용량이 크기 때문에, 축적되는 대전 전하량도 많게 되어, 종래 기술의 제전 장치에서는 단시간에 대전물을 제로 V로 하는 것이 곤란한 상황이다.
제전 시간을 짧게 하기 위해서는, 보다 제전 거리를 짧게 할 필요가 있지만, 먼저 설명한 바와 같이 역대전을 조장할 우려가 있었다. 또, 이온을 대량 발생시켜 제전 효율을 높이기 위해, 방전침에 인가하는 전압을 높게 하는 방법이 있지만, 플러스, 마이너스 20kV 이상의 고전압으로 되면, 절연물의 내압 열화에 의한 고압 리크의 문제나, 이온 발생 효율도 전압 상승에 비례해 커지지 않으므로, 양호한 효율의 해결 방법은 아니었다. 또, 제전 장치를 복수개 장착하여 이온량을 늘리는 방법도 있지만, 가격면으로부터 난점이 있었다.
이와 같이, 제전 대상의 대형화에 의해 생긴 제전의 장시간화ㆍ제전 용량의 증가에 대처할 새로운 방책이 필요가 있었다.
그래서, 본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적은, 재결합이 적고 이온의 대량 생성을 가능하게 하는 직류 방식을 채용하는 동시에 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리를 대폭 단축함으로써 대형의 제전 대상에 대하여 제전 시간을 짧고 하고, 또한 제전 거리 단축시에 일어나는 역대전에 대해서도 플러스 이온과 마이너스 이온 양쪽을 위치적으로 치우치는 일 없이 도달하도록 하여 역대전도 방지함으로써, 대형의 제전 대상을 고속이고 양호한 효율로 제전하는 직류 방식 기체 분사형 제전 장치를 제공하는 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위하여, 청구항 1에 관한 제전 장치는, 직류 전압에 의한 코로나 방전식의 제전 장치로서, 제전 장치 본체와, 제전 장치 본체에 설치되고, 정전압이 인가되어 플러스 이온을 생성하는 복수개의 플러스 전극과, 제전 장치 본체에 설치되고, 부전압이 인가되어 마이너스 이온을 생성하는 복수개의 마이너스 전극과, 제전 장치 본체에 설치되고, 이온 반송용 기체류를 분사하는 복수개의 기체 분출구를 구비하고, 기체 분출구를 플러스 전극과 마이너스 전극 사이에 배치한 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 2의 발명에 관한 제전 장치는, 청구항 1에 기재된 제전 장치에 있어서, 금속제로 비접지의 금속 도전판을 구비하고, 절연물의 수지재에 의해 형성된 제전 장치 본체의 외측을, 금속 도전판으로 덮는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 3의 발명에 관한 제전 장치는, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 제전 장치에 있어서, 플러스 전극과 마이너스 전극 사이에 배치되어 제전 장치 본체에 설치되고, 이온 밸런스의 상황을 검지하여 검지 신호를 출력하는 이온 센서와, 이온 센서로부터의 검지 신호에 따라 이온 밸런스 컨트롤하도록, 플러스 전극에 인가하는 정전압 및/또는 마이너스 전극에 인가하는 부전압을 조정하는 중앙 처리부를 구비하고, 이 중앙 처리부는, 검지 신호가 마이너스 이온이 많은 것을 나타내는 경우에는 플러스 전극에 인가하는 정전압 및/또는 마이너스 전극에 인가하는 부전압을 플러스측으로 승압(昇壓)시키는 수단과, 검지 신호가 플러스 이온이 많은 것을 나타내는 경우는 플러스 전극에 인가하는 정전압 및/또는 마이너스 전극에 인가하는 부전압을 마이너스측으로 강압(降壓)시키는 수단을 구비하고 이온 밸런스를 제로 밸런스로 조정하는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 4의 발명에 관한 제전 장치는, 청구항 3에 기재된 제전 장치에 있어서, 중앙 처리부에 접속되고, 이온 밸런스를 제로 밸런스로 조정하는 통상 모드에 대신하여, 플러스 이온을 마이너스 이온보다 많이 발생시키거나, 또는 플러스 이온만을 발생시켜 이온 밸런스를 언밸런스하게 하는 포지티브 모드, 또는 마이너스 이온을 플러스 이온보다 많이 발생시키거나, 또는 마이너스 이온만을 발생시켜 이온 밸런스를 언밸런스하게 하는 네가티브 모드를 설정하는 설정부를 구비하고, 중앙 처리부는, 포지티브 모드로 설정된 경우에는 플러스 전극에 인가하는 정전압 및/또는 마이너스 전극에 인가하는 부전압을 플러스측으로 승압시키는 수단과, 네가티브 모드로 설정된 경우에는 플러스 전극에 인가하는 정전압 및/또는 마이너스 전극에 인가하는 부전압을 마이너스측으로 강압시키는 수단을 구비하고 플러스 이온과 마이너스 이온을 의도적으로 언밸런스하게 조정하는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 5의 발명에 관한 제전 장치는, 청구항 1~ 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 제전 장치에 있어서, 플러스 전극 및 마이너스 전극은 기체 분출구 측으로 경사지는 방전침을 각각 구비하고, 기체 분출구는 제전 대상에 대하여 대략 수직으로 되도록 기체류(氣體流)를 분사(噴射)하고, 또한 이 기체류 상에서 플러스 전극의 방전침의 연장선과 마이너스 전극의 방전침의 연장선이 교차하는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 6의 발명에 관한 제전 장치는, 청구항 5에 기재된 제전 장치에 있어서, 이온 센서는 봉형(棒形)으로서, 이온 센서의 직선축 방향은 기체 분사 방향과 평행이며, 또한 이온 센서의 직선축은 플러스 전극의 방전침의 연장선과 마이너스 전극의 방전침의 연장선이 교차하도록 장착되는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 7의 발명에 관한 제전 장치는, 청구항 1~ 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 제전 장치에 있어서, 플러스 전극과 마이너스 전극은 모두 동일한 기계적 구조를 가지는 전극으로서, 전기적 절연체이며, 또한 제전 장치 본체에 기계적으로 연결되는 전극 홀더와, 전극 홀더의 내부에 배치되는 도전부와, 도전부와 전기적으로 접속되는 2개의 방전침을 구비하고, 2개의 방전침은 A자형으로 경사지게 배치되는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 8의 발명에 관한 제전 장치는, 청구항 7에 기재된 제전 장치에 있어서, 단부에 배치되는 단부 플러스 전극과 단부 마이너스 전극은 모두 동일한 기계적 구조를 가지는 전극으로서, 전기적 절연체이며, 또한 제전 장치 본체에 기계적으로 연결되는 전극 홀더와, 전극 홀더의 내부에 배치되는 도전부와, 도전부와 전기적으로 접속되는 1개의 방전침을 구비하고, 1개의 방전침은 기체 분출구 측으로 경사지게 배치되는 것을 특징으로 한다.
이상과 같은 본 발명에 의하면, 대형의 제전 대상을 고속이고 양호한 효율로 제전하는 직류 방식 기체 분사형 제전 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명을 실시하기 위한 바람직한 실시예의 제전 장치의 구조도로서, 도 1 (a)는 측면도, 도 1 (b)는 정면도, 도 1 (c)는 저면도이다.
도 2는 본 발명을 실시하기 위한 바람직한 실시예의 제전 장치의 에어계 블록도이다.
도 3은 본 발명을 실시하기 위한 바람직한 실시예의 제전 장치의 전기계 블록도이다.
도 4는 플러스 전극(마이너스 전극)의 단면 구조도이다.
도 5는 단부(端部) 플러스 전극(단부 마이너스 전극)의 단면 구조도이다.
도 6은 제전 원리를 설명하는 설명도이다.
도 7은 인접하는 플러스 전극과 마이너스 전극에 의한 역대전 방지 원리의 설명도이다.
도 8은 역대전을 검증하는 실험장치의 설명도이다.
도 9는 실험 결과인 이온 밸런스 분포도이다.
도 10은 실험 결과인 제전 시간-위치 특성도이다.
도 11은 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치의 구조도이다.
도 12는 다른 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치의 구조도이다.
도 13은 역대전을 검증하는 실험장치의 설명도이다.
도 14는 실험 결과인 이온 밸런스 분포도이다.
도 15는 실험 결과인 제전 시간-위치 특성도이다.
본 발명을 실시하기 위한 바람직한 실시예에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명을 실시하기 위한 바람직한 실시예의 제전 장치(1)의 구조 도로서, 도 1 (a)는 측면도, 도 1 (b)는 정면도, 도 1 (c)는 저면도이다.
제전 장치(1)의 외관은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제전 장치 본체(10), 플러스 전극(20), 마이너스 전극(30), 단부 플러스 전극(40), 단부 마이너스 전극(50), 기체 분출구(60), 금속 도전판(70), 이온 센서(80), 기체 도입구(90), 외부 입출력 단자(100), 전원 전압 입력 단자(110), 동작 표시 패널(120)을 구비하고 있다.
제전 장치 본체(10)는, 가로로 긴 바형(bar type)으로 설치되어 있다. 그리고, 제전 장치 본체(10)는 바형에 한정되지 않고, 직육면체형ㆍ입방체형ㆍ환봉형(丸棒形) 등 각종 형태가 가능하다.
플러스 전극(20)은, 제전 장치 본체(10)에 복수개 장착되어 있고, 정전압이 인가되어 플러스 이온을 경사 2방향(도 1에서는 좌우 경사 하방향)으로 생성한다.
마이너스 전극(30)은, 제전 장치 본체(10)에 복수개 장착되어 있고, 부전압이 인가되어 마이너스 이온을 경사 2방향(도 1에서는 좌우 경사 하방향)으로 생성한다.
플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)은, 전극 사이 거리 a 떨어져 배치된다.
단부 플러스 전극(40)은 제전 장치 본체(10)에 1개 장착되어 있고, 정전압이 인가되어 플러스 이온을 내측 경사 일방향(도 1에서는 좌측 경사 하방향)으로 생성한다. 단부 플러스 전극(40)과 마이너스 전극(30)은, 전극 사이 거리 a 떨어져 배치된다.
단부 마이너스 전극(50)은 제전 장치 본체(10)에 1개 장착되어 있고, 부전압이 인가되어 마이너스 이온을 내측 경사 일방향(도 1에서는 우측 경사 하방향)에 생성한다. 단부 마이너스 전극(50)과 플러스 전극(20)은, 전극 사이 거리 a 떨어져 배치된다.
기체 분출구(60)는, 단부 마이너스 전극(50)과 플러스 전극(20)의 대략 중간, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)의 대략 중간, 마이너스 전극(30)과 단부 플러스 전극(40)의 대략 중간에 각각 배치되고, 기체 분출구(60)의 바로 아래에 기체류를 분사한다. 이 기체류는, 예를 들면, 먼지 등이 필터에 의해 제거된 세정한 에어류이다. 본 형태에서는, 도 1 (c)에 나타낸 바와 같이 같은 개소에서 2개의 기체 분출구(60)가 형성되어 있다. 그리고, 이 개수는 적당히 조절 가능하다.
금속 도전판(70)은, 도전성을 가지는 금속제의 판이며, 절연 수지재로 형성된 제전 장치 본체(10)의 외측을 덮는다. 만일 금속 도전판(70)이 없는 구조의 경우에는, 절연 수지제의 제전 장치(10)의 표면에, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)의 전계에 의한 정전 유도 대전이 발생하고, 제전 장치 본체(10)는 부분적으로 플러스 대전이나 마이너스 대전이 교대로 분포하고, 제전 장치 본체(10)의 길이 방향을 따라 부분적으로 이온 밸런스에 영향을 미치는 원인으로 되어 있었다.
그래서, 제전 장치 본체(10)의 수지 표면에 얇은 금속 도전판(70)을 접착한 것에 의해, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)의 전계에 의한 정전 유도 대전 전하는 금속 도전판(70)을 흘러 중화되고, 제전 장치 본체(10)의 길이 방향 전체가 동일 전위로 되어, 부분적으로 이온 밸런스에 영향을 미치지 않게 되므로, 제전 장 치 본체(10)의 길이 방향 전체에서 균일한 이온 밸런스 컨트롤이 가능해진다.
또, 금속 도전판(70)을 어스에 접속한 경우, 균일한 이온 밸런스 컨트롤의 목적은 달성되지만, 플러스 전극(20)에서 발생한 플러스 이온과 마이너스 전극(30)에서 발생한 마이너스 이온의 일부가 금속 도전판(70)에 흡수되어 어스에 흘러 제전 속도에 영향을 미치므로, 금속 도전판(70)은 어스에 접속하지 않는 불접지의 구조로 하였다. 그 결과, 금속 도전판(70)에 의한 제전 속도의 영향은 없고, 또한 바의 길이 방향 전체에서 이온 밸런스를 균일하게 할 수 있다.
이온 센서(80)는, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30) 사이에 배치되고, 이온 밸런스의 상황을 검지하여 검지 신호를 출력한다. 이온 센서(80)는 봉형으로서, 이온 센서(80)의 직선축 방향은 기체 분사 방향과 평행하게 장착된다.
기체 도입구(90)는, 외부로부터의 공급 에어를 입력한다.
외부 입출력 단자(100)는, 커넥터로서 외부로부터의 통신 신호를 받아들인다.
전원 전압 입력 단자(110)는, 예를 들면, +12V 입력용의 4P 모듈러 커넥터이며, 외부로부터의 전원 전압 Vs를 입력한다.
동작 표시 패널(120)은, 동작 상태를 표시한다.
이어서, 제전 장치(1)의 에어계에 대하여 설명한다. 도 2는 본 형태의 제전 장치(1)의 에어계 블록도이다. 에어계는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 기체 도입구(90)에 에어 공급 경로(130)가 접속되고, 이 에어 공급 경로(130)에는 복수개의 기체 분출구(60)가 접속되는 것이며, 압축 공기인 공급 에어가 도입되어 기체 분출 구(60)로부터 에어류가 출력된다.
이어서, 제전 장치(1)의 전기계에 대하여 설명한다. 도 3은 본 형태의 제전 장치(1)의 전기계 블록도이다. 제전 장치(1)의 전기계는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 전원계, 신호 처리 시스템, 방전계로 나누어진다.
전원계는, 전원 전압 입력 단자(110), 전원 전압 생성부(140)를 구비한다. 신호 처리 시스템은, 설정부(160), 외부 입출력 단자(100), 중앙 처리부(150), 이온 센서(80)를 구비한다.
방전계는, 플러스 전극(20), 마이너스 전극(30), 단부 플러스 전극(40), 단부 마이너스 전극(50)을 구비한다.
전원 전압 입력 단자(110)를 통해서 전원 전압 VS(예를 들면+12V)가 전원 전압 생성부(140)에 입력되면, 전원 전압 생성부(140)는, 저압 전원 VL(예를 들면+5V), 플러스 고압 전원 +VH(예를 들면 +3kV ~ +7kV), 마이너스 고압 전원 -VH(예를 들면 -3kV ~ -7kV)를 생성하고, 저압 전원 VL을 신호 처리 시스템에, 플러스 고압 전원 +VH, 마이너스 고압 전원 -VH를 방전계에 공급한다. 특히 방전계에서는, 전류 제한 저항을 통하여 고전압이 인가된다.
이어서, 전극의 구조에 대하여 설명한다. 도 4는 플러스 전극(20)(마이너스 전극(30)의 단면 구조도이다. 도 1의 A-A'선의 단면도이다. 플러스 전극(20)은, 도 4에 나타낸 바와 같이, 전극 홀더(21), 도전부(22), 접속핀(23), 회전 스토 퍼(24), 커넥터 나사부(25), 커넥터(26), 방전침(27)을 구비한다. 마이너스 전극(30)은, 플러스 전극(20)과 같은 구조이며, 전극 홀더(31), 도전부(32), 접속핀(33), 회전 스토퍼(34), 커넥터 나사부(35), 커넥터(36), 방전침(37)을 구비한다. 전극 구조의 설명은, 플러스 전극(20)만으로 하고, 마이너스 전극(30)에 대하여는, 각 구조에 같은 명칭을 붙이는 동시에 중복되는 설명을 생략한다.
도전부(22)는, 전기적 도전체인 금속에 의해 형성되어 있고, 2개소에 암나사부가, 또 1개소에 전원 전압 생성부(140)와 전기적으로 접속하기 위한 접속핀(23)이 설치되어 있다. 전극 홀더(21)는 절연 수지에 의해 형성되어 있고, 접속핀(23)과 2개소의 암나사부만이 노출되도록 도전부(22)를 피복하고 있고, 2개소의 암나사부가 수납되는 2개의 바닥이 있는 구멍이 형성되어 있다. 또, 커넥터 나사부(25)가 형성된 커넥터(26)에는, 방전침(27)이 장착되고, 2개의 바닥이 있는 구멍에서 도전부(22)의 2개소의 암나사부에 각각 커넥터 나사부(25)가 나사삽입되어 2개의 방전침(27)이 도전부(22)와 전기적으로 접속된 상태로 수납된다. 이 2개의 방전침(27)은, 수직축에 대하여 각각 외측에 각도 θ 경사져 있다. 이 플러스 전극(20)이 도 1에 나타낸 바와 같이 제전 장치 본체(10)에 장착될 때, 제전 장치 본체(10)에 회전 스토퍼(24)와 동시에 플러스 전극(20)을 삽입하여 90도 회전시키면 회전 스토퍼(24)에 의해 돌아 멈추어져 고정되고, 동시에 접속핀(23)이 제전 장치 본체(10)의 전원 전압 생성부(140)와 전기적으로 접속되는 구조로 되어 있다.
이어서, 제전 장치 본체(10)의 최단부의 전극의 구조에 대하여 설명한다. 도 5는 단부 플러스 전극(40)(단부 마이너스 전극(50)의 단면 구조도이다. 단부 마이너스 전극(50)에 대하여는 도 1의 B-B'선의 단면도에 상당하고, 단부 플러스 전극(40)에 대하여는 도 5와 대칭으로 된다. 단부 플러스 전극(40)은, 도 5에 나타낸 바와 같이, 전극 홀더(41), 도전부(42), 접속핀(43), 회전 스토퍼(44), 커넥터 나사부(45), 커넥터(46), 방전침(47)을 구비한다. 단부 마이너스 전극(50)은, 플러스 전극(40)와 같은 구조이며, 전극 홀더(51), 도전부(52), 접속핀(53), 회전 스토퍼(54), 커넥터 나사부(55), 커넥터(56), 방전침(57)을 구비한다. 이들 단부 플러스 전극(40) 및 단부 마이너스 전극(50)의 전극 구조는, 먼저 설명한 플러스 전극(20)의 방전침(27)이 한 개로 된 구조이다. 단부 플러스 전극(40), 단부 마이너스 전극(50) 모두, 도 1에 나타낸 바와 같이, 방전침(47, 57)이 화살표 방향(내측)으로 경사지도록 배치되어 있다. 이외에 대하여는, 단부 플러스 전극(40), 단부 마이너스 전극(50)에 대하여는, 각 구성 모두 같은 기능을 가지고 있고, 같은 명칭을 붙이는 동시에 중복되는 설명을 생략한다.
이어서, 제전 원리에 대하여 설명한다. 도 6은 제전 원리를 설명하는 설명도, 도 7은 인접하는 플러스 전극과 마이너스 전극에 의한 역대전 방지 원리의 설명도이다.
도 1, 도 6에 나타낸 바와 같이 제전 장치 본체(10)에서는, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)이 교대로 배치된다. 또한, 플러스 전극(20)의 방전침(27)의 연장선과 마이너스 전극(30)의 방전침(37)의 연장선이 기체 분출구(60)로부터의 에어류 상에서 교차하도록 전극의 방전침을 배치한다. 연장선의 경사각은 θ로 된다.
상기와 같이 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)은 경사져 있고, 도 6에 나타낸 바와 같이, 양 전극(20, 30) 부근에서 생성된 플러스 이온, 마이너스 이온은 크론력에 의해 서로 접근한다. 그리고, 도 7에 나타낸 바와 같이 플러스 이온과 마이너스 이온이 중간 영역에서 섞인다. 통상은 플러스 이온과 마이너스 이온이 치우치지 않고 생성되도록, 플러스 고압 전원 +VH, 마이너스 고압 전원 -VH가 조정되므로, 플러스 마이너스에 편향이 없어진다. 그리고, 이와 같이 플러스 마이너스에 편향이 없는 중간 영역에 기체 분출구(60)로부터 에어류를 고속으로 분사하여, 제전 대상(170)에 이온을 분사하므로, 플러스 이온ㆍ마이너스 이온이 치우치지 않고 도달하고, 역대전하지 않고 제전된다. 또, 제전 대상(170)의 표면을 따라 에어류와 함께 이온이 흐르므로, 바의 양 단부를 제외하고 치우치지 않고 전체적으로 제전된다. 그리고, 도 6에 나타낸 바와 같이, 플러스 전극(20), 마이너스 전극(30)이 교대로 배치되고, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30) 사이에 기체 분출구(60)가 설치되어 있으므로, 전체적으로 플러스 이온과 마이너스 이온이 치우치지 않고 도달하므로, 역대전 없이 제전할 수 있다.
한편, 제전 장치 본체(10)의 양단의 외측의 공간의 이온 밸런스는 플러스 전극 측은 플러스 이온이 많고, 제전 대상을 플러스 측으로 대전시키고 역으로 마이너스 전극의 외측은 마이너스 이온이 많고, 제전 대상을 마이너스에 대전시키는 경향이 있다. 그래서, 본 형태의 제전 장치(1)에서는 단부 플러스 전극(40)과 단부 마이너스 전극(50)은, 플러스 전극(20) 및 마이너스 전극(30)이 가지는 2개의 방전 침 중, 제전 장치(10)의 단면 외측을 향하고 있는 방전침을 없애고, 내측을 향하고 있는 방전침 1개만 구비하는 구조로 하였다. 그 결과 제전 대상(170)의 단부 외측을 향해서는 불필요한 이온을 생성하지 않기 때문에, 여분의 이온이 없어져 제전 장치 본체(10)의 길이 방향 전체에 있어서, 플러스 이온이나 마이너스 이온이 치우치는 영역을 출현시키지 않기 때문에, 종래에는 외측에서 현저했던 역대전의 경향을 억제할 수 있다.
이어서, 신호 처리 시스템에 의한 처리에 대하여 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 이온 센서(80)가 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30) 사이에 배치된 상태에서 제전 대상(170) 측으로 수하(垂下)되어 있고, 이온 밸런스의 상황을 검지하여 검지 신호를 출력한다.
중앙 처리부(150)는, 이온 센서(80)로부터의 검지 신호에 따라 이온 밸런스 컨트롤하도록, 플러스 전극(20)ㆍ단부 플러스 전극(40)에 인가하는 플러스 고압 전원 +VH나, 마이너스 전극(30)ㆍ단부 마이너스 전극(50)에 인가하는 마이너스 고압 전원 -VH를 조정한다.
중앙 처리부(150)는, 검지 신호로부터, 제전 대상(170)이 마이너스로 치우쳐 대전되어 있는 것으로 판단한 경우나, 마이너스 이온이 많이 생성되어 있는 것으로 판단되는 경우에는 플러스 전극(20)ㆍ단부 플러스 전극(40)에 인가하는 플러스 고압 전원+VH를 보다 고전압으로 승압시켜(예를 들면 +3kV로부터 +5kV로 승압하여) 플러스 이온을 증가시키거나, 또는 마이너스 전극(30)ㆍ단부 마이너스 전극(50)에 인 가하는 마이너스 고압 전원 -VH를 보다 플러스측의 고전압으로 승압시켜(예를 들면 -5kV로부터 -3kV로 승압하여) 마이너스 이온을 감소시킨다. 이들 어느 한쪽의 실시, 또는 양자의 실시에 의해, 전체적으로 플러스 이온을 증가시켜 플러스 마이너스를 균형잡아, 이온 밸런스를 제로 밸런스로 조정한 후에 제전 대상(170)을 제전할 수 있다.
또, 마찬가지로, 검지 신호로부터, 제전 대상(170)이 플러스로 치우쳐 대전되고 있는 것으로 판단한 경우나, 플러스 이온이 많이 생성되고 있는 것으로 판단되는 경우에는 플러스 전극(20)ㆍ단부 플러스 전극(40)에 인가하는 플러스 고압 전원 +VH를 보다 저전압으로 강압시켜(예를 들면 +5kV로부터 +3kV로 강압하여) 플러스 이온을 감소시킨다. 또, 마이너스 전극(30)ㆍ단부 마이너스 전극(50)에 인가하는 마이너스 고압 전원 -VH를 보다 마이너스측의 저전압으로 강압시켜(예를 들면 -3kV로부터 -5kV로 강압하여) 마이너스 이온을 증가시킨다. 이들 어느 한쪽의 실시, 또는 양자의 실시에 의해, 마이너스 이온을 증가시켜 플러스 마이너스를 균형잡아, 이온 밸런스를 제로 밸런스로 조정한 후에 제전 대상(170)을 제전할 수 있다.
본 형태에서는 설정부(160)가 중앙 처리부(150)에 각종 설정할 수 있도록 되어 있다. 이 설정부(160)는 각종 형태를 채용할 수 있고, 예를 들면, 무선식 리모콘 송신을 이용한 설정부(160)로 하고, 플러스 전극(20)에 인가하는 플러스 고압 전원 +VH 및 마이너스 전극(30)에 인가하는 마이너스 고압 전원 -VH를 가능하게 가감(상태)할 수 있는 기능을 가지고 있다.
최근의 LCD나 PDP 등의 플랫 패널 디스플레이 등의 제전 대상(170)은 한 변의 길이가 2000mm 또는 그 이상의 크기의 유리이며, 제조 공정에서 발생하여 유리에 축적되는 전하량은 유리의 면적에 비례해 커지므로, 종래 기술의 제전 장치에서는 단시간에 제로 V 근처까지 제전하는 것이 곤란한 상황이었다. 그러나, 유리 등의 제전 대상(170)에서는, 일정한 정해진 제조 공정에서는 플러스 대전 또는 마이너스 대전 중 어느 한쪽으로 대전하는 것을 알 수 있다.
예를 들면, 도 12에 나타낸 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치(20O')에서는, 제전 대상인 대전값과 극성을 이온 센서(204)로 검지하여, 검지 신호를 피드백하여, 플러스 대전의 경우에는 마이너스 이온을 많이, 마이너스 대전의 경우에는 플러스 이온을 많이 내는 것에 의해 제전 속도를 빨리 하고 있었다. 그러나, 실제의 LCD 등의 제조 공정에서는, 직류 방식 바형 제전 장치(200')의 제전 영역을 유리가 통과하는 시간이 몇 초 정도이므로, 대전값을 이온 센서(204)로 검지하고 나서, 대전값과 반대 극성의 이온을 늘려도 제전 대상의 이동 속도가 빠르고, 시간적으로 제로 V 근처까지 제전하는 것이 불가능했다.
본 발명의 제전 장치(1)는, 제전 대상이 미리 플러스에 대전하는 것을 알고 있는 경우에는, 마이너스 이온을 플러스 이온보다 항상 많이 발하여 공간 전하를 마이너스 상태로 하여 두는 것에 의해, 플러스에 대전한 제전 대상(170)이 제전 영역을 통과할 때는 공간에 충만해 있는 마이너스 이온을 흡인하여 단시간에 제로 V 근처까지 제전하도록 했다. 그리고, 제전 영역 공간의 플러스 또는 마이너스 이온 농도는, 제전 대상(170)의 대전량이 큰 공정인가, 작은 공정인가 미리 측정하여 두 고, 이온량이 적당량으로 되도록 수개 스텝층으로 전환하여 컨트롤하도록 해도 된다.
그러므로, 이 제전 장치(1)는, 외부 입출력 단자(100)에 접속되는 설정부(160)에 의해, 중앙 처리부(150)의 설정을 변경할 수 있다. 통상은, 이온 밸런스를 제로 밸런스로 자동적으로 조정하는 통상 모드가 설정되어 있지만, 포지티브 모드나 네가티브 모드로 설정됨으로써 언밸런스하게 조정하는 것이 가능해진다.
포지티브 모드는, 플러스 이온을 마이너스 이온보다 많이 발생시키거나, 또는 플러스 이온만을 발생시켜 이온 밸런스를 언밸런스하게 하는 모드이다.
네가티브 모드는, 마이너스 이온을 플러스 이온보다 많이 발생시키거나, 또는 마이너스 이온만을 발생시켜 이온 밸런스를 언밸런스하게 하는 모드이다.
포지티브 모드로 설정된 경우, 중앙 처리부(150)는, 플러스 전극(20)ㆍ단부 플러스 전극(40)에 인가하는 정전압을 보다 고전압으로 승압하여(예를 들면 +3kV로부터 +5kV로 승압하여) 플러스 이온을 증가시킨다. 또, 마이너스 전극(30)ㆍ단부 마이너스 전극(50)에 인가하는 부전압을 플러스측의 고전압으로 승압하여(예를 들면 -5kV로부터 -3kV로 승압하여) 마이너스 이온을 감소시킨다. 이들 어느 한쪽의 실시, 또는 양자의 실시에 의해, 플러스 이온을 증가시켜, 플러스 이온과 마이너스 이온을 의도적으로 언밸런스하게 조정한다.
네가티브 모드로 설정된 경우에는, 중앙 처리부(150)는, 플러스 전극(20)ㆍ단부 플러스 전극(40)에 인가하는 정전압을 보다 저전압으로 강압하여(예를 들면+5kV로부터 +3kV로 강압하여) 플러스 이온을 감소시킨다. 또는, 마이너스 전 극(30)ㆍ단부 마이너스 전극(50)에 인가하는 부전압을 보다 마이너스측의 고전압으로 강압하여(예를 들면 -3kV로부터 -5kV에 강압하여) 마이너스 이온을 증가시킨다. 이들 어느 한쪽의 실시, 또는 양자의 실시에 의해, 마이너스 이온을 증가시켜, 플러스 이온과 마이너스 이온을 의도적으로 언밸런스하게 조정한다.
이어서, 본 형태의 제전 장치(1)에 의한 역대전의 억제 경향에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 8은 역대전을 검증하는 실험장치의 설명도, 도 9는 실험 결과인 이온 밸런스 분포도, 도 10은 실험 결과인 제전 시간-위치 특성도이다. 도 8에 나타낸 바와 같이 제전 장치(1)에 의해 플러스 이온ㆍ마이너스 이온을 발생시켜, 제전 거리 L= 300mm 또는 1000mm 이격된 A0, A, B, C, D, E, E0에 CPM(대전 플레이트 모니터)를 각각 배치하고, 각 점의 CPM 전압을 계측하여 이온 밸런스 분포를 조사하였다. 이 CPM는 대전 플레이트의 치수가 15cm×15cm로 정전 용량이 20pF로 되어 있다. 이 실험장치는, 도 13에 나타낸 실험장치와 같다.
제전 장치(1)의 제전 범위에 있어서의 플러스 이온ㆍ마이너스 이온 밸런스 분포는, 도 9에 나타낸 바와 같이 된다. 이 이온 밸런스 분포로부터도 명백한 바와 같이, 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리가 긴 경우(L= 1000mm)와 제전 거리가 짧은 경우(L= 30Omm) 모두 CPM 전압이 대략 같은 경향을 나타내고, 근거리로 해도 역대전을 억제하고 있다. 이것은 에어류가 플러스 이온과 마이너스 이온과의 재결합이 발생하기 전에 고속으로 이온을 도달시키기 때문에, 제전 거리의 장단의 영향을 없애고 있기 때문이다.
또, A0, A, B, C, D, E, E0에서는 특히 제전 대상(170)의 단부인 A, E에서 CPM 전압이 높은 경향을 볼 수 있지만, 그래도, +10V ~ -10V의 범위에 들어가 있고, 도 13과 같이 종래 기술의 +800V ~ -800V의 CPM 전압과 비교해도, 제전 거리 300mm에서도 역대전의 발생을 없애 이온 밸런스를 현저하게 개선하고 있다.
또, 역대전이 일어나지 않는 것이나, 대량의 이온을 에어류에 태워 고속으로 제전 대상에 도달시키기 위해, 제전 시간도 줄일 수가 있어 도 10에 나타낸 바와 같이, 방전침으로부터 제전 대상까지의 제전 거리가 길어도 제전 시간이 충분히 짧은데(약 9초) 더하여, 제전 거리의 단축에 의해 제전 시간이 보다 짧아지므로, 단시(약 4초) 사이에 소정의 제전을 달성할 수 있다.
이상 본 형태의 제전 장치(1)에 대하여 설명하였다. 본 형태에서는, 바형의 제전 장치 본체(10)를 가지는 제전 장치(1)의 이온 발생 방식을 이온 재결합이 적은 직류 방식으로 하고, 생성된 플러스 이온과 마이너스 이온을 혼재시켜 에어류로 제전 대상(170)에 분출함으로써, 제전 대상(170)과 제전 장치 본체(10)의 거리를 짧게 해도 직류 방식 바형 제전 장치에 의한 부분 대전이 종래보다 현격히 적어지도록 했기 때문에, 이온 밸런스 분포를 균형 제전 시간의 단축화를 실현시켜, 제전 대상의 대형화에도 대처할 수 있다.
이어서, 보다 실제의 형태에 가까운 실시예 1을 예로 들어 설명한다.
도 1에 나타낸 제전 장치(1)는, 특히, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)과의 전극 설치 간격 a를 약 40mm~ 50mm, 플러스 전극(20)(마이너스 전극(30))으로 부터 제전 대상(170)까지의 제전 거리 L을 300mm, 기체 분출구(60)를 직경 0.3mm로 하고, 유속이 빠른 기체를 분사시켜, 이온을 빠르게 제전 대상(170)에 도달시키는 구조로 하였다. 이것은 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치(200)에 비하여, 플러스 전극(20), 마이너스 전극(30)의 간격이 짧게 배치되어 있다. 종래 기술의 직류 방식 바형 제전 장치(200, 200')에서는, 이온의 재결합을 방지하기 위해 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)의 전극 사이 거리 a를 일정 거리 이상 이격시키는 구조였지만, 이 대상으로서 플러스 이온과 마이너스 이온의 흡인력이 약하고, 플러스 이온 영역과 마이너스 이온 영역이 형성되고, 제전 대상으로의 제전 거리 L이 300mm 정도의 거리에 있어서는, 국부적으로 플러스, 마이너스의 역대전이 발생하고, 제전 대상(170)에 악영향을 미치는 원인으로 되어 있었다.
한편 본 형태에서는 플러스 전극(20)의 방전침(27)과 플러스 고압 전원 +VH가, 마이너스 전극(30)의 방전침(37)으로 마이너스 고압 전원 -VH가, 각각 연속적으로 인가되어 방전침(27, 37)의 선단에서 코로나 방전을 발생시켜 공기 중의 분자를 이온화하고, 플러스극의 방전침(27) 근방은 플러스 이온이 생성되고, 마이너스극의 방전침(37) 근방에서는 마이너스 이온이 생성된다. 발생한 플러스 이온과 마이너스 이온은 흡인되어 중간 영역에 모이고, 이 중간 영역의 플러스 이온과 마이너스 이온은 에어류에 의해 동시에 반송되므로, 근거리에 있어서도 플러스, 마이너스의 부분적 역대전이 발생하지 않는다. 또한, 직경 0.3mm의 극소의 구멍으로부터 기체가 분사되므로 기체의 유속이 빠른, 즉 이온 반송 속도가 빠르기 때문에, 플러스 이온과 마이너스 이온과의 재결합율이 극히 낮고, 1500mm~ 2000mm의 긴 제전 거리에서도, 양호한 밸런스로 이온을 반송할 수 있는 고효율의 제전이 가능하게 되었다. 또 제전 장치 본체(10) 내에 도입하는 공급 에어의 압력을 조절함으로써, 이온 반송 속도를 자유롭게 컨트롤할 수 있으므로, 사용 장소에 대하여 최적인 제전 능력을 실현하는 것이 가능하게 되었다.
또, 제전 장치(1)는 이온 밸런스의 변동을 자동 컨트롤하기 위한 이온 센서(80)를, 플러스 전극(20)의 방전침(27)과 마이너스 전극(30)의 방전침(37)의 중간점에 구비한다. 이 이온 센서(80)의 구조는 직경 2~3mm, 길이 40mm~ 50mm의 금속제 환봉이며, 장착 각도는 분사 기체의 에어류의 흐름 방향(수직선 방향)과 평행으로 하였다. 이온 센서(80)의 수는 제전 장치 본체(10)의 중심에 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)의 중간점에 1개, 단부 마이너스 전극(50)과 플러스 전극(30)의 중간점에 1개, 마이너스 전극(30)과 단부 플러스 전극(40)의 중간점에 1개, 합계 3개로 함으로써, 제전 장치 본체(10)의 길이 방향 전체의 이온 밸런스의 경사가 균일한 분포 상태를 유지하도록 자동 컨트롤하는 것이 가능하게 되었다. 이온 센서(80)는 제전 장치 본체(10)에 나사삽입하여 장착하는 방식으로, 가격적으로 염가의 경제적인 구조로 되어 있다.
또, 제전 장치(1)의 금속 도전판은 양쪽 면 두께 0.3mm의 스테인레스제의 도전판으로 하고, 절연 수지제의 제전 장치 본체(10)에 접착되어 있다. 플러스 전극(20)의 플러스 방전침(27)과 마이너스 전극(30)의 마이너스 방전침(37)의 전계에 의한 정전 유도 대전 전하는 금속 도전판(70)을 흘러 중화되고, 제전 장치 본 체(10)의 길이 방향 전체가 동일 전위로 되어, 부분적으로 이온 밸런스에 영향을 미치지 않고, 제전 장치 본체(10)의 길이 방향 전체에서 균일한 이온 밸런스 컨트롤이 가능하게 되었다.
이와 같은 실시예 1에 의하면, 플러스 전극(20)의 방전침(27), 마이너스 전극(30)의 방전침(37)을 근거리로 대향시킨 상태에서 플러스 이온과 마이너스 이온을 생성시키면, 플러스 이온과 마이너스 이온은 흡인 작용으로 가까워지지만, 기체 분출구(60)의 직경 0.3mm의 구멍으로부터 분사하는 고속 기체에 의해 플러스 이온, 마이너스 이온을 동시에 제전 대상(170)까지 반송하고, 이온 밸런스가 양호한, 제전 시간이 빠른 직류 방식 바형의 제전 장치(1)를 제공하는 것이 가능하게 되었다.
플러스 전극(20)의 방전침(27), 마이너스 전극(30)의 방전침(37)을 근거리에서 대향시킴으로써, 이온 발생용의 고전압 ±VH를 ±3kV까지 내리는 것이 가능해져 인가 고전압이 내려간 것에 의해, 스퍼터 현상에 의한 방전침 선단의 소모와 방전침 선단의 파티클 부착을 경감시킬 수 있었다. 또한, 전압을 떨어뜨린 것에 의해, 바 본체 내부의 고압 리크의 위험성도 대폭 저하되고, 제품 수명을 길게 하는 것이 가능하게 되었다.
생성된 공기 중의 플러스 이온ㆍ마이너스 이온은 전극 사이 거리 a가 짧으므로 서로의 흡인력의 작용으로 공기 분사구가 있는 전극 간에 이동한다.
또한, 전극 간에 이동한 플러스 이온ㆍ마이너스 이온은 직경 0.3mm의 구멍으로부터 분사되는 고속의 기체의 흐름을 타고, 동시에 제전 대상까지 반송되므로, 플러스 이온ㆍ마이너스 이온을 양호한 밸런스로 공급하는 것이 가능하게 되었다.
또, 본 발명품에서는, 바 본체의 양쪽 면에 0.3mm의 두께의 SUS제의 도전판을 접착시킴으로써, 방전 전극에 의한 바 본체 측면의 유도 대전값을 균일화하는 것, 바의 중심, 양단 3개의 이온 밸런스 센서로 이온 밸런스를 측정하여, 이온 밸런스 컨트롤 회로로 컨트롤함으로써, 바의 길이 방향의 이온 밸런스의 구배를 ±10V까지 억제하고, 균일화하는 것이 가능하게 되었다.
이상 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명에서는 각종의 변형이 가능하다.
예를 들면, 플러스 전극(20)과 마이너스 전극(30)과, 단부 플러스 전극(40)과, 단부 마이너스 전극(50)의 경사각 θ을 15도, 30도, 45도, 60도라는 복수 종류를 준비해 두면, 필요에 따라 최적인 경사각 θ을 가지는 플러스 전극(20)과, 마이너스 전극(30)과, 단부 플러스 전극(40)과, 단부 마이너스 전극(50)을 장착하여 제전 장치(1)를 구성할 수 있으므로, 제품의 변화를 증가시킬 수 있다.
또, 본 형태에서는 다운 플로가 없는 것으로서 설명하였다. 그러나, 다운 플로를 송풍하는 송풍 수단을 제진 장치(1) 상에 배치하여, 보다 빠르게 제진 대상(170)에 이온을 도달시키도록 해도 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 대형의 제전 대상을 고속이고 양호한 효율로 제전하는 직류 방식 기체 분사형 제전 장치를 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. 직류 전압에 의한 코로나 방전식의 제전(除電) 장치로서,
    제전 장치 본체와,
    상기 제전 장치 본체에 설치되고, 정(正)전압이 인가되어 플러스 이온을 생성하는 복수개의 플러스 전극과,
    상기 제전 장치 본체에 설치되고, 부(負)전압이 인가되어 마이너스 이온을 생성하는 복수개의 마이너스 전극과,
    상기 제전 장치 본체에 설치되고, 이온 반송용(搬送用) 기체류(氣體流)를 분사(噴射)하는 복수개의 기체 분출구와,
    금속제로 된 비접지의 금속 도전판
    를 구비하고,
    상기 기체 분출구는 플러스 전극과 마이너스 전극 사이에 배치되며,
    상기 금속 도전판은 절연물의 수지재에 의해 형성된 상기 제전 장치 본체의 외측을 덮도록 구성된 것을 특징으로 하는 제전 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플러스 전극과 상기 마이너스 전극 사이에 배치되어 상기 제전 장치 본체에 설치되고, 이온 밸런스의 상황을 검지하여 검지 신호를 출력하는 이온 센서와,
    상기 이온 센서로부터의 검지 신호에 따라 이온 밸런스를 컨트롤하도록, 상기 플러스 전극에 인가하는 정전압 및 상기 마이너스 전극에 인가하는 부전압 중 하나 이상을 조정하는 중앙 처리부를 추가로 구비하고,
    상기 중앙 처리부는 검지 신호에 따라 상기 플러스 전극에 인가하는 정전압 및/또는 상기 마이너스 전극에 인가하는 부전압을 조정하고, 이온 밸런스를 제로 밸런스로 조정하는 것을 특징으로 하는 제전 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 중앙 처리부에 접속되고, 이온 밸런스를 제로 밸런스로 조정하는 통상 모드에 대신하여, 플러스 이온을 마이너스 이온보다 많이 발생시키거나, 또는 플러스 이온만을 발생시켜 이온 밸런스를 언밸런스하게 하는 포지티브 모드, 또는 마이너스 이온을 플러스 이온보다 많이 발생시키거나, 또는 마이너스 이온만을 발생시켜 이온 밸런스를 언밸런스하게 하는 네가티브 모드를 설정하는 설정부를 추가로 구비하고,
    상기 중앙 처리부는 포지티브 모드 또는 네가티브 모드에 따라 상기 플러스 이온과 상기 마이너스 이온을 의도적으로 언밸런스하게 조정하는 것을 특징으로 하는 제전 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플러스 전극 및 상기 마이너스 전극은 기체 분출구 측으로 경사지는 방전침을 각각 구비하고,
    상기 기체 분출구는 제전 대상에 대하여 수직이 되도록 기체류를 분사하고, 상기 기체류 상에서 상기 플러스 전극의 방전침의 연장선과 상기 마이너스 전극의 방전침의 연장선이 교차하는 것을 특징으로 하는 제전 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 플러스 전극 및 상기 마이너스 전극은 기체 분출구 측으로 경사지는 방전침을 각각 구비하고,
    상기 이온 센서는 봉형(棒形)이며,
    상기 이온 센서의 직선축 방향은 기체 분사 방향과 평행이며, 상기 이온 센서의 직선축은 상기 플러스 전극의 방전침의 연장선과 상기 마이너스 전극의 방전침의 연장선이 교차하도록 장착되는 것을 특징으로 하는 제전 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플러스 전극과 상기 마이너스 전극은 모두 동일한 기계적 구조를 가지는 전극이며,
    상기 플러스 전극과 상기 마이너스 전극은,
    전기적 절연체로서 상기 제전 장치 본체에 기계적으로 연결되는 전극 홀더와,
    상기 전극 홀더의 내부에 배치되는 도전부와,
    상기 도전부와 전기적으로 접속되는 2개의 방전침을
    각각 구비하고,
    상기 2개의 방전침은 A자형으로 경사지게 배치되는 것을 특징으로 하는 제전 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수개의 플러스 전극 및 상기 복수개의 마이너스 전극 중, 상기 제전 장치 본체의 양측 단부에 배치되는 단부 플러스 전극과 단부 마이너스 전극은 모두 동일한 기계적 구조를 가지는 전극이고,
    상기 단부 플러스 전극과 상기 단부 마이너스 전극은,
    전기적 절연체로서 제전 장치 본체에 기계적으로 연결되는 전극 홀더와,
    상기 전극 홀더의 내부에 배치되는 도전부와,
    상기 도전부와 전기적으로 접속되는 1개의 방전침
    을 각각 구비하고,
    상기 1개의 방전침은 기체 분출구 측으로 경사지게 배치되는 것을 특징으로 하는 제전 장치.
  8. 삭제
KR1020067021197A 2004-05-26 2005-03-17 제전 장치 KR101085411B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00155807 2004-05-26
JP2004155807A JP3750817B2 (ja) 2004-05-26 2004-05-26 除電装置
PCT/JP2005/005461 WO2005117506A1 (ja) 2004-05-26 2005-03-17 除電装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070019715A KR20070019715A (ko) 2007-02-15
KR101085411B1 true KR101085411B1 (ko) 2011-11-21

Family

ID=35451306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067021197A KR101085411B1 (ko) 2004-05-26 2005-03-17 제전 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070274019A1 (ko)
JP (1) JP3750817B2 (ko)
KR (1) KR101085411B1 (ko)
CN (1) CN1951159A (ko)
TW (1) TW200539754A (ko)
WO (1) WO2005117506A1 (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100759587B1 (ko) * 2005-04-19 2007-09-17 (주)선재하이테크 막대형 이오나이저
KR100813032B1 (ko) * 2006-04-18 2008-03-14 (주)선재하이테크 직진형 송풍 방식의 이온 블로어
KR100941610B1 (ko) * 2007-09-05 2010-02-11 (주)선재하이테크 출력전압 조절이 가능한 막대형 이오나이저
JP5097514B2 (ja) * 2007-11-22 2012-12-12 国立大学法人東京工業大学 ワイヤ電極式イオナイザ
JP5262363B2 (ja) * 2008-07-04 2013-08-14 富士通株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP4233058B1 (ja) * 2008-07-08 2009-03-04 一雄 岡野 放電電極
WO2010023979A1 (ja) 2008-08-28 2010-03-04 シャープ株式会社 イオン検出装置及びイオン発生装置
JP4404948B1 (ja) 2008-08-28 2010-01-27 シャープ株式会社 イオン発生装置
JP2010275566A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 金属微粒子生成装置及びそれを備えた髪ケア装置
JP2012103056A (ja) * 2010-11-09 2012-05-31 Hugle Electronics Inc チャージプレートモニタ
JP2011054579A (ja) * 2010-12-10 2011-03-17 Keyence Corp 除電装置
DE102011007136A1 (de) * 2011-04-11 2012-10-11 Hildebrand Technology AG Antistatikvorrichtung und zugehöriges Betriebsverfahren
JP5810813B2 (ja) * 2011-10-07 2015-11-11 オムロン株式会社 除電装置
DE102011054534A1 (de) * 2011-10-17 2013-04-18 Stefan Kist Überwachungsvorrichtung, Ionisator zur Erzeugung von Ionen sowie Verfahren zur Überwachung mindestens einer ersten Elektrode zweier Elektroden eines Ionisators
JP5794584B2 (ja) * 2013-06-14 2015-10-14 株式会社ハーモ 帯電体除電装置とこれを用いた帯電体除電方法
CN103336214A (zh) * 2013-07-10 2013-10-02 深圳市华星光电技术有限公司 静电消除器的监控装置及其监控方法
CN103682689B (zh) * 2013-12-11 2016-03-09 四川中光防雷科技股份有限公司 一种流体导电介质接地装置及方法
CN104797069B (zh) * 2015-04-27 2018-03-30 爱美克空气过滤器（苏州）有限公司 用于熔喷滤料的静电施加装置及包括它的熔喷滤料架
CN108531929B (zh) * 2017-03-03 2021-04-13 林信涌 气体产生器
JP7011817B2 (ja) * 2018-03-19 2022-01-27 株式会社松井製作所 除電装置及び除電方法
KR102346822B1 (ko) * 2019-09-17 2022-01-04 (주)선재하이테크 이온 밸런스의 감시 및 이온 밸런스의 자동 조정 기능을 구비한 바 타입 이오나이저
CN111693807A (zh) * 2020-06-09 2020-09-22 刘斌 测试离子静电消除设备消除性能的方法和装置
CN112756111A (zh) * 2020-12-14 2021-05-07 苏州天华超净科技股份有限公司 具备静电消除功能的空气过滤装置
CN113311253B (zh) * 2021-05-07 2022-11-08 Oppo广东移动通信有限公司 屏幕电荷累积测试装置及方法
GB202203530D0 (en) * 2022-03-14 2022-04-27 Meech Static Eliminators Ltd Metod and apparatus for ionising a gas

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217094A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Kasuga Electric Works Ltd 直流除電器の制御方法及び制御装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE792786A (fr) * 1971-12-31 1973-03-30 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de prelevement de particules dans un gaz avec separation granulometrique
US4498116A (en) * 1980-02-25 1985-02-05 Saurenman Donald G Control of static neutralization employing positive and negative ion distributor
US4951172A (en) * 1988-07-20 1990-08-21 Ion Systems, Inc. Method and apparatus for regulating air ionization
JPH0719120Y2 (ja) * 1990-10-05 1995-05-01 春日電機株式会社 室内除電器
JP3401702B2 (ja) * 1993-03-22 2003-04-28 高砂熱学工業株式会社 帯電物品の中和装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217094A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Kasuga Electric Works Ltd 直流除電器の制御方法及び制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070019715A (ko) 2007-02-15
WO2005117506A1 (ja) 2005-12-08
JP2005339935A (ja) 2005-12-08
CN1951159A (zh) 2007-04-18
US20070274019A1 (en) 2007-11-29
TW200539754A (en) 2005-12-01
JP3750817B2 (ja) 2006-03-01
TWI308850B (ko) 2009-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101085411B1 (ko) 제전 장치
TWI384905B (zh) 壓電變壓器式電離器及除電方法
KR101167741B1 (ko) 이온 생성 방법 및 장치
US20090135537A1 (en) Wire electrode type ionizer
US7973292B2 (en) Neutralizer
JP2002025791A (ja) Ａｃ電源方式イオナイザー
DE60045368D1 (de) Gaswäscher mit beladenen tröpfchen und verfahren
KR101390130B1 (ko) 공기 이온 측정 장치
US3930614A (en) Device for spraying a traveling paper web or the like
KR20120095306A (ko) 제전장치 및 방법
KR101474973B1 (ko) 분사형 플라즈마 발생기
KR100834466B1 (ko) 피에조 및 노즐을 이용한 바형 이오나이저
JP2011009235A (ja) イオン発生方法、イオン発生電極及びイオナイザモジュール
JP2001035686A (ja) 直流除電器
KR101460994B1 (ko) 전극 유닛 및 이오나이저
KR101967104B1 (ko) 노즐형 제전장치
KR100821629B1 (ko) 노즐형 제전장치
KR100245298B1 (ko) 기판코팅장치
KR20090118803A (ko) 액정 패널 기판의 제전장치
KR20080101328A (ko) 피에조 세라믹 소자를 이용한 막대형 정전기 제거 장치
US20130215550A1 (en) Ion generation system and method for controlling ion balance
KR100541967B1 (ko) 정전기 제거 장치
KR200377019Y1 (ko) 정전기 제거 장치
KR20210050859A (ko) 대향 전극이 구비된 방전 전극 소켓
JP2018185159A (ja) 電界非対称性イオン移動度分光計、およびそれを用いた混合物分離方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141010

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151103

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161111

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee