KR101068313B1 - Rfid tag being tested on the wafer and method thereof - Google Patents

Rfid tag being tested on the wafer and method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101068313B1
KR101068313B1 KR1020090056389A KR20090056389A KR101068313B1 KR 101068313 B1 KR101068313 B1 KR 101068313B1 KR 1020090056389 A KR1020090056389 A KR 1020090056389A KR 20090056389 A KR20090056389 A KR 20090056389A KR 101068313 B1 KR101068313 B1 KR 101068313B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
test
signal
input
output
rfid tag
Prior art date
Application number
KR1020090056389A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100138045A (en
Inventor
강희복
홍석경
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020090056389A priority Critical patent/KR101068313B1/en
Priority to US12/650,524 priority patent/US20100327877A1/en
Priority to TW098146246A priority patent/TW201101187A/en
Priority to CN2010100007267A priority patent/CN101930527A/en
Publication of KR20100138045A publication Critical patent/KR20100138045A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101068313B1 publication Critical patent/KR101068313B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/3183Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3177Testing of logic operation, e.g. by logic analysers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31903Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
    • G01R31/31912Tester/user interface
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31919Storing and outputting test patterns
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/3193Tester hardware, i.e. output processing circuits with comparison between actual response and known fault free response
    • G01R31/31932Comparators
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs

Abstract

본 발명은 웨이퍼 상에서 RFID 태그에 직접 테스트 신호와 전원 전압을 인가하여 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시켜 테스트를 수행하는 RFID 태그및 테스트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an RFID tag and a test method for performing a test by sequentially activating a plurality of RFID tags by applying a test signal and a power supply voltage directly to an RFID tag on a wafer.

구체적으로, 본 발명은 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터, 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 i) 테스트 입력 신호 또는 ii) 어드레스 신호 및 제어 신호에 따라 테스트를 수행하는 테스트 회로부, 및 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 테스트 시리얼 입력 신호, 테스트 클럭, 테스트 입력 신호, 어드레스 신호 및 제어 신호를 입력받고, 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하는 RFID 태그를 개시한다.Specifically, the present invention is activated by a shift register for receiving a test serial input signal and a test clock and generating and outputting a test serial output signal, a test serial output signal, i) a test input signal input from the outside during the activation period, or ii) a test circuit unit which performs a test according to an address signal and a control signal, and receives a power supply voltage and a ground voltage from an external source, and receives a test serial input signal, a test clock, a test input signal, an address signal, and a control signal, and tests Disclosed is an RFID tag including an input / output pad unit for outputting a serial output signal.

RFID, 태그, 테스트, 순차적, 직렬, 활성화, 입력, 출력 RFID, tag, test, sequential, serial, active, input, output

Description

웨이퍼 상에서 테스트 가능한 RFID 태그 및 그 테스트 방법 {RFID TAG BEING TESTED ON THE WAFER AND METHOD THEREOF}RDF tag that can be tested on wafer and test method {RFID TAG BEING TESTED ON THE WAFER AND METHOD THEREOF}

본 발명은 웨이퍼 상에서 RFID 태그에 직접 테스트 신호와 전원 전압을 인가하여 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시켜 테스트를 수행하는 RFID 태그 및 테스트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an RFID tag and a test method for performing a test by sequentially activating a plurality of RFID tags by applying a test signal and a power supply voltage directly to an RFID tag on a wafer.

더 상세하게는, 본 발명은 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터, 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 i) 테스트 입력 신호 또는 ii) 어드레스 신호 및 제어 신호에 따라 테스트를 수행하는 테스트 회로부, 및 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 테스트 시리얼 입력 신호, 테스트 클럭, 테스트 입력 신호, 어드레스 신호 및 제어 신호를 입력받고, 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하는 RFID 태그에 관한 것이다.More specifically, the present invention is activated by a shift register, a test serial output signal that receives a test serial input signal and a test clock and generates and outputs a test serial output signal, and i) a test input input from the outside during the activation period. Signal or ii) a test circuit unit for performing a test according to an address signal and a control signal, and receiving a power supply voltage and a ground voltage from an external source, and receiving a test serial input signal, a test clock, a test input signal, an address signal and a control signal. The present invention relates to an RFID tag including an input / output pad unit for outputting a test serial output signal.

RFID란 무선 신호를 이용하여 사물을 자동으로 식별하기 위하여 식별 대상 사물에는 RFID 태그를 부착하고 무선 신호를 이용한 송수신을 통해 RFID 리더와 통 신을 하는 비접촉식 자동 식별 방식을 제공하는 기술로서, 종래의 자동 식별 기술인 바코드 및 광학 문자 인식 기술의 단점을 보완할 수 있는 기술이다.RFID is a technology that provides a contactless automatic identification method that attaches an RFID tag to an object to be identified and communicates with an RFID reader through transmission and reception using a wireless signal to automatically identify the object using a wireless signal. It is a technology that can compensate for the shortcomings of barcode and optical character recognition technology.

최근에 들어, RFID 태그는 물류 관리 시스템, 사용자 인증 시스템, 전자 화폐 시스템, 교통 시스템 등의 여러 가지 경우에 이용되고 있다.Recently, RFID tags have been used in various cases, such as logistics management systems, user authentication systems, electronic money systems, transportation systems.

예를 들어, 물류 관리 시스템에서는 배달 전표 또는 태그 대신에 데이터가 기록된 IC(Integrated Circuit) 태그를 이용하여 화물의 분류 또는 재고 관리 등이 행해지고 있다. 또한, 사용자 인증 시스템에서는 개인 정보 등을 기록한 IC 카드를 이용하여 입실 관리 등을 행하고 있다.For example, in the logistics management system, cargo classification or inventory management is performed using an integrated circuit (IC) tag in which data is recorded instead of a delivery slip or a tag. In the user authentication system, admission management and the like are performed using an IC card that records personal information and the like.

일반적으로 RFID 태그에는 불휘발성 강유전체 메모리가 사용될 수 있다.In general, a nonvolatile ferroelectric memory may be used for an RFID tag.

불휘발성 강유전체 메모리 즉 FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 디램(DRAM;Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이터가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다. Non-volatile ferroelectric memory, or FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory), has a data processing speed of about DRAM (DRAM) and is attracting attention as a next-generation memory device because of its characteristic that data is preserved even when the power is turned off.

이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 소자로서, 기억 소자로 강유전체 커패시터를 사용한다. 강유전체는 높은 잔류 분극 특성을 가지는데, 그 결과 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다. The FeRAM is a device having a structure almost similar to that of a DRAM, and uses a ferroelectric capacitor as a memory device. Ferroelectrics have a high residual polarization characteristic, and as a result, the data is not erased even when the electric field is removed.

RFID는 여러 대역의 주파수를 사용하는데, 주파수 대역에 따라 그 특성이 달라진다. 일반적으로 RFID는 주파수 대역이 낮을수록 인식 속도가 느리고 짧은 거리에서 동작하며, 환경의 영향을 적게 받는다. 반대로, 주파수 대역이 높을수록 인식 속도가 빠르고 긴 거리에서 동작하며, 환경의 영향을 많이 받는다.RFID uses several bands of frequency, and its characteristics vary depending on the frequency band. In general, the lower the frequency band, the slower the recognition speed, the shorter the distance operation, and is less affected by the environment. On the contrary, the higher the frequency band, the faster the recognition speed and the longer the distance is affected by the environment.

도 1은 종래 기술에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.1 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 RFID 태그는 크게 안테나부(10), 아날로그부(100), 디지털부(200) 및 메모리(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the RFID tag according to the related art largely includes an antenna unit 10, an analog unit 100, a digital unit 200, and a memory 300.

안테나부(10)는 RFID 리더로부터 송신된 무선 신호를 수신하는 역할을 한다. 수신된 무선 신호는 안테나 패드(11,12)를 통해 아날로그부(100)로 입력된다. The antenna unit 10 serves to receive a radio signal transmitted from the RFID reader. The received radio signal is input to the analog unit 100 through the antenna pads 11 and 12.

아날로그부(100)는 입력된 무선 신호를 증폭하여, RFID 태그의 구동전압인 전원전압 VDD을 생성한다. 그리고 입력된 무선 신호에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령 신호 CMD를 디지털부(200)에 출력한다. 그 외에, 아날로그부(100)는 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR와 클록신호 CLK를 디지털부(200)로 출력한다.The analog unit 100 amplifies the input wireless signal to generate a power supply voltage VDD which is a driving voltage of the RFID tag. The operation command signal is detected from the input wireless signal, and the command signal CMD is output to the digital unit 200. In addition, the analog unit 100 senses the output voltage VDD and outputs a power-on reset signal POR and a clock signal CLK for controlling the reset operation to the digital unit 200.

디지털부(200)은 아날로그부(100)로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클록신호 CLK 및 명령 신호 CMD를 입력받아, 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어 신호 CTR 및 클록 CLK을 메모리(300)에 출력한다.The digital unit 200 receives the power supply voltage VDD, the power-on reset signal POR, the clock signal CLK, and the command signal CMD from the analog unit 100, and the address ADD, input / output data I / O, control signal CTR, and clock CLK. Is output to the memory 300.

메모리(300)는 메모리 소자를 이용하여 데이타를 리드/라이트하고, 데이터를 저장한다.The memory 300 reads / writes data using a memory device and stores data.

이러한 RFID 태그가 정상적으로 동작하는지 여부를 테스트하는 가장 바람직한 방법은 개별 RFID 태그의 안테나 패드(11,12)를 통해 무선 신호를 인가하고, RFID 태그 내부의 디지털부(200)에 의해 무선 신호가 처리되어 생성된 응답 신호 RP를 변조하여 RFID 리더로 송신하고, RFID 리더에서 수신된 신호가 원하는 신호인지 여부를 확인하는 것이다. The most preferable method for testing whether the RFID tag operates normally is to apply a radio signal through the antenna pads 11 and 12 of the individual RFID tag, and process the radio signal by the digital unit 200 inside the RFID tag. The response signal RP generated is modulated and transmitted to the RFID reader, and the received signal from the RFID reader is checked to see if it is a desired signal.

하지만 웨이퍼 당 수천개 이상의 RFID 태그를 개별적으로 무선 신호를 인가 하여 테스트하는 것은 비용이 많이 들고, 비효율적이라는 문제점이 있다.However, it is expensive and inefficient to test thousands of RFID tags per wafer individually by applying wireless signals.

상기한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼 상에서 RFID 태그 포함된 입/출력 패드를 통해 RFID 태그 내부 회로에 직접 테스트 신호, 전원 전압 및 제어 신호를 인가하여 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시켜 테스트를 수행하는 RFID 태그 및 테스트 방법을 개시한다.In order to solve the above problems, the present invention by applying a test signal, a power supply voltage and a control signal directly to the RFID tag internal circuit through the input / output pad containing the RFID tag on the wafer to sequentially activate the plurality of RFID tags Disclosed is an RFID tag and a test method for performing the method.

본 발명은 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터, 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 테스트 입력 신호에 따라 테스트를 수행하는 테스트 회로부, 및 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 테스트 시리얼 입력 신호, 테스트 클럭 및 테스트 입력 신호를 입력받고, 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하는 RFID 태그를 개시한다.The present invention is activated by a shift register for receiving and receiving a test serial input signal and a test clock to generate and output a test serial output signal, and performing a test according to a test input signal input from the outside during the activation period. An RFID tag includes a test circuit unit and an input / output pad unit configured to receive a power supply voltage and a ground voltage from an external source, receive a test serial input signal, a test clock, and a test input signal, and output a test serial output signal.

추가적으로, 본 발명은 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터, 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 어드레스 신호 및 제어 신호에 따라 테스트를 수행하는 테스트 회로부, 및 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 테스트 시리얼 입력 신호, 테스트 클럭 및 어드레스 신호 및 제어 신호를 입력받고, 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부 를 포함하는 RFID 태그를 개시한다.Additionally, the present invention is activated by a shift register for receiving a test serial input signal and a test clock and generating and outputting a test serial output signal, and being activated by a test serial output signal, according to an address signal and a control signal input from the outside during the activation period. And an input / output pad unit configured to receive a power supply voltage and a ground voltage from an external source, receive a test serial input signal, a test clock and an address signal, and a control signal, and output a test serial output signal. An RFID tag is disclosed.

추가적으로, 본 발명은 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터, 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 테스트 입력 신호에 따라 테스트를 수행하는 테스트 회로부, 및 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 테스트 시리얼 입력 신호, 테스트 클럭 및 테스트 입력 신호를 입력받고, 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하는 RFID 태그를 테스트하는 방법으로서, 테스트 시리얼 출력 신호에 의해 테스트 회로부를 활성화시키는 단계, 입/출력 패드부를 통해 테스트 입력 신호를 입력하는 단계, 테스트 입력 신호에 따라 테스트 회로부가 테스트 동작을 수행하고 테스트 출력 신호를 생성하는 단계, 테스트 출력 신호를 외부로 출력하는 단계, 및 테스트 입력 신호와 테스트 출력 신호를 비교하는 단계를 포함하는 RFID 태그 테스트 방법을 개시한다.In addition, the present invention is activated by a test register and a shift register for receiving a test serial input signal and a test clock and generating and outputting a test serial output signal, and performing a test according to a test input signal input from the outside during the activation period. Test an RFID tag including a test circuit unit to perform a power supply, a ground voltage, a test serial input signal, a test clock and a test input signal, and outputs a test serial output signal. The method may include: activating a test circuit unit by a test serial output signal, inputting a test input signal through an input / output pad unit, and performing a test operation and generating a test output signal according to the test input signal. only It discloses, outputting a test output signal to the outside, and the test input signal and an RFID tag test comprises comparing the test output signal.

마지막으로, 본 발명은 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터, 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 어드레스 신호 및 제어 신호에 따라 테스트를 수행하는 테스트 회로부, 및 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 테스트 시리얼 입력 신호, 테스트 클럭, 어드레스 신호 및 제어 신호를 입력받고, 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하는 RFID 태그를 테스트하는 방법으로서, 테스트 시리얼 출력 신호에 의해 테 스트 회로부를 활성화시키는 단계, 입/출력 패드부를 통해 어드레스 신호 및 제어 신호를 입력하는 단계, 어드레스 신호 및 제어 신호에 따라 테스트 회로부가 테스트 동작을 수행하고 테스트 출력 신호를 생성하는 단계, 테스트 출력 신호를 외부로 출력하는 단계, 및 테스트 입력 신호와 테스트 출력 신호를 비교하는 단계를 포함하는 RFID 태그 테스트 방법을 개시한다.Finally, the present invention is activated by a shift register that receives the test serial input signal and the test clock and generates and outputs a test serial output signal, and is activated by a test serial output signal. A test circuit unit for performing a test according to the present invention, and an input / output pad unit for receiving a power supply voltage and a ground voltage from an external device, receiving a test serial input signal, a test clock, an address signal, and a control signal, and outputting a test serial output signal. A method of testing an RFID tag, the method comprising: activating a test circuit unit by a test serial output signal, inputting an address signal and a control signal through an input / output pad unit, and testing the test circuit unit according to the address signal and the control signal To perform an action A method of testing an RFID tag comprising generating a high test output signal, outputting a test output signal to the outside, and comparing the test input signal with the test output signal.

첫째, 본 발명은 복수 개의 RFID 태그를 하나의 RFID 태그 어레이으로 설정하고, RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 테스트함으로써, 테스트에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다는 장점이 있다. 예를 들어, 10만개의 RFID 태그를 테스트한다고 가정하면 10만개를 각각 테스트 할 경우에 1초씩 10만초가 소요되지만, 1000개의 RFID 태그를 포함하는 RFID 태그 어레이 단위로 테스트 할 경우에는 100개의 RFID 태그 어레이에 대하여 동시에 테스트를 진행할 수 있기 때문에 1000초가 소요되어 테스트 시간을 단축시킬 수 있다.First, the present invention has the advantage of reducing the time required for testing by setting a plurality of RFID tags as one RFID tag array and testing a plurality of RFID tags included in the RFID tag array. For example, suppose you are testing 100,000 RFID tags. If you test 100,000 each, it will take 100,000 seconds each. However, if you test in an RFID tag array unit containing 1000 RFID tags, 100 RFID tags will be tested. Since the array can be tested at the same time, it takes 1000 seconds to reduce test time.

둘째, 본 발명은 태그 어레이마다 하나의 테스트 칩을 설정하고, 테스트 칩만 초기화해주면 테스트 칩과 연결된 복수 개의 RFID 태그가 순차적으로 활성화되어 테스트를 수행되기 때문에 웨이퍼 상의 모든 RFID 태그를 활성화해줄 필요가 없다. 따라서 복수 개의 RFID 태그에 대한 테스트를 간편하게 수행할 수 있다.Second, the present invention does not need to activate all RFID tags on a wafer because one test chip is set for each tag array, and only the test chip is initialized, a plurality of RFID tags connected to the test chip are sequentially activated to perform a test. Therefore, a test on a plurality of RFID tags can be easily performed.

셋째, 본 발명은 태그 어레이마다 하나의 테스트 칩을 설정하고, 테스트 칩만 초기화해주면 직렬로 연결된 RFID 태그 사이에서 테스트 출력 신호가 순차적으로 전송되어 RFID 태그를 활성화시키고 테스트가 수행된다. 만약 모든 RFID 태그에 테스트 입력/출력 신호를 동시에 입력/출력시킨다면 테스트 입력/출력 신호의 입/출력에 필요한 추가적인 스크라이브 라인이 필요하게 된다. 하지만 본 발명은 추가적인 스크라이브 라인없이 복수 개의 RFID 태그를 각각 직렬로 연결해 주기만 하면 되기 때문에 레이아웃이 감소하고, 회로 구성이 간단해진다.Third, in the present invention, one test chip is set for each tag array, and if only the test chip is initialized, test output signals are sequentially transmitted between serially connected RFID tags to activate the RFID tag and perform a test. If all the RFID tags are simultaneously input / output with the test input / output signals, then an additional scribe line is required for input / output of the test input / output signals. However, since the present invention only needs to connect a plurality of RFID tags in series without additional scribe lines, the layout is reduced and the circuit configuration is simplified.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 복수 개의 RFID 태그 어레이를 포함하는 웨이퍼를 나타내는 구성도이다.2 is a block diagram illustrating a wafer including a plurality of RFID tag arrays according to the present invention.

도 2를 참고하면, 하나의 웨이퍼 상에는 복수 개의 RFID 태그 어레이가 배열되어 있다. 각각의 RFID 태그 어레이는 복수 개의 RFID 태그(미도시)를 포함한다. 즉 RFID 태그 어레이는 복수 개의 RFID 태그를 스크라이브 라인을 이용하여 서로 연결한 RFID 태그들의 집합을 의미한다. Referring to FIG. 2, a plurality of RFID tag arrays are arranged on one wafer. Each RFID tag array includes a plurality of RFID tags (not shown). That is, the RFID tag array refers to a set of RFID tags in which a plurality of RFID tags are connected to each other using a scribe line.

도 3은 본 발명에 따른 하나의 RFID 태그 어레이의 구성을 나타내는 구성도이다.3 is a block diagram showing the configuration of one RFID tag array according to the present invention.

도 3을 참고하면, 하나의 RFID 태그 어레이는 하나의 테스트 칩과 복수 개의 RFID 태그를 포함한다. 테스트 칩은 전원 전압이 공급되면 초기화되어 가장 먼저 활성화되고, RFID 태그 TAG01 내지 RFID 태그 TAGN이 순차적으로 활성화된다. Referring to FIG. 3, one RFID tag array includes one test chip and a plurality of RFID tags. The test chip is initialized and activated first when the power supply voltage is supplied, and the RFID tags TAG01 to RFID tags TAGN are sequentially activated.

도 4는 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에서 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시키는 과정을 나타내는 구성도이다.4 is a block diagram illustrating a process of sequentially activating a plurality of RFID tags in the RFID tag array according to the present invention.

도 4를 참고하면, 테스트 칩이 초기화되면 제 1 행에서 X 축의 양의 방향으 로 RFID 태그 TAG01~TAG09를 순차적으로 활성화시켜 제 1 행의 RFID 태그 각각에 대한 테스트 동작을 수행한다. 그리고 제 2 행에서 X 축의 음의 방향으로 RFID 태그 TAG10~TAG19를 순차적으로 활성화시켜 제 2 행의 RFID 태그 각각에 대한 테스트 동작을 수행한다. 그리고 제 3 행에서 X 축의 양의 방향으로 RFID 태그 TAG20~TAG29를 순차적으로 활성화시켜 제 3 행의 RFID 태그에 대한 테스트 동작을 수행한다. 이러한 방식으로 RFID 태그 어레이에 포함된 모든 RFID 태그를 순차적으로 활성화시켜 테스트 동작을 수행한다.Referring to FIG. 4, when the test chip is initialized, the RFID tags TAG01 to TAG09 are sequentially activated in the positive direction of the X axis in the first row to perform a test operation on each RFID tag in the first row. In the second row, the RFID tags TAG10 to TAG19 are sequentially activated in the negative direction of the X axis to perform a test operation on each of the RFID tags in the second row. In the third row, the RFID tags TAG20 to TAG29 are sequentially activated in the positive direction of the X axis to perform a test operation on the RFID tag of the third row. In this manner, all RFID tags included in the RFID tag array are sequentially activated to perform a test operation.

상기 순서는 예시적인 것이고, 복수 개의 RFID 태그를 활성화시키는 순서는 사용자의 의도에 따라 스크라이브 라인의 배열을 바꿈으로써 변경이 가능하다. 예를 들어, i) 제 1 열에 대해 Y 축의 음의 방향으로 RFID 태그를 활성화시킨 후에, 제 2 열에 대해 Y 축의 양의 방향으로 RFID 태그를 활성화시키거나, ii) 대각선 방향, 즉 RFID 태그 TAG01, RFID 태그 TAG19, RFID 태그 TAG20, RFID 태그 TAG18 등의 순서로 RFID 태그를 활성화시킬 수도 있다.The order is exemplary, and the order of activating the plurality of RFID tags can be changed by changing the arrangement of the scribe lines according to the user's intention. For example, i) after activating the RFID tag in the negative direction of the Y axis for the first column, and activating the RFID tag in the positive direction of the Y axis for the second column, or ii) diagonally, that is, the RFID tag TAG01, The RFID tag may be activated in the order of the RFID tag TAG19, the RFID tag TAG20, and the RFID tag TAG18.

도 5는 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이를 나타내는 회로도이다.5 is a circuit diagram illustrating an RFID tag array according to the present invention.

도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이는 하나의 테스트 칩과 복수 개의 RFID 태그를 포함한다.Referring to FIG. 5, an RFID tag array according to the present invention includes one test chip and a plurality of RFID tags.

외부로부터 공급된 전원 전압 VDD 및 그라운드 전압 GND은 X 및 Y축 방향으로 배열된 복수 개의 스크라이브 라인을 거쳐, RFID 태그의 입/출력 패드를 통해 RFID 태그 내부 회로로 공급된다. The power supply voltage VDD and ground voltage GND supplied from the outside are supplied to the RFID tag internal circuit through the input / output pad of the RFID tag via a plurality of scribe lines arranged in the X and Y axis directions.

외부로부터 입력되는 테스트 입력 신호 TI, 테스트 클록 TCLK, 제어 신호, 어드레스 신호 등은 X 및 Y축 방향으로 배열된 복수 개의 스크라이브 라인을 거쳐, RFID 태그의 입/출력 패드를 통해 RFID 태그 내부 회로로 입력된다.Test input signals TI, test clock TCLK, control signals, and address signals input from the outside are input to the RFID tag internal circuit through the RFID tag input / output pads through a plurality of scribe lines arranged in the X and Y axis directions. do.

RFID 태그에서 생성된 테스트 출력 신호 TO, 제어 결과 신호 등은 RFID 태그 내부 회로로부터 RFID 태그의 입/출력 패드를 통해 X 및 Y축 방향으로 배열된 복수 개의 스크라이브 라인을 거쳐 외부로 출력된다.The test output signal TO and the control result signal generated from the RFID tag are output to the outside from the RFID tag internal circuit through a plurality of scribe lines arranged in the X and Y-axis directions through the input / output pad of the RFID tag.

테스트 칩과 RFID 태그 TAG01, 각각의 RFID 태그 TAG02~TAGN는 X 및 Y 축 방향으로 배열된 복수 개의 스크라이브 라인에 의해 서로 연결된다. 이 스크라이브 라인을 통해 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 시리얼 출력 신호가 RFID 태그 사이에서 순차적으로 전송된다. The test chip and the RFID tag TAG01 and each of the RFID tags TAG02 to TAGN are connected to each other by a plurality of scribe lines arranged in the X and Y axis directions. Through this scribe line, test serial input signals and test serial output signals are sequentially transmitted between RFID tags.

도 6은 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시키고, 활성화 구간동안 테스트하는 과정을 나타내는 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a process of sequentially activating a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to the present invention and testing them during an activation period.

도 6을 참고하면, RFID 태그 어레이를 테스트하기 위해서는 먼저 테스트 칩을 초기화한다. 테스트 칩을 초기화하는 방법은 여러 가지 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 입/출력 패드를 통해 전원 전압 VDD이 공급되기 시작하면 테스트 칩이 초기화되도록 설정할 수 있다.Referring to FIG. 6, in order to test an RFID tag array, a test chip is initialized first. Various methods may be used to initialize the test chip. For example, the test chip can be set to initialize when the supply voltage VDD begins to supply through the input / output pads.

테스트 칩이 초기화되면, 테스트 시리얼 입력 신호가 입력 단자 TS000로부터 RFID 태그 TAG01의 입력 단자 TSI01로 입력된다. When the test chip is initialized, the test serial input signal is input from the input terminal TS000 to the input terminal TSI01 of the RFID tag TAG01.

RFID 태그 TAG01는 전원 전압 VDD 및 그라운드 전압 GND이 공급되고 테스트 시리얼 입력 신호가 입력된 상태에서 테스트 클록 TCLK에 동기하여 활성화된다. RFID 태그 TAG01가 활성화되면, 입/출력 패드를 통해 테스트 입력 신호 TI가 RFID 태그 TAG01로 입력되어 테스트 동작을 수행한다.The RFID tag TAG01 is activated in synchronization with the test clock TCLK with the supply voltage VDD and ground voltage GND supplied and a test serial input signal. When the RFID tag TAG01 is activated, the test input signal TI is input to the RFID tag TAG01 through the input / output pad to perform a test operation.

RFID 태그 TAG01에 대한 테스트 동작이 종료되면 테스트 클록 TCLK에 동기하여 테스트 시리얼 출력 신호가 생성된다. 그리고 테스트 시리얼 출력 신호는 출력 단자 TS001로부터 입력 단자 TSI02로 전송된다.When the test operation for the RFID tag TAG01 ends, a test serial output signal is generated in synchronization with the test clock TCLK. The test serial output signal is then sent from the output terminal TS001 to the input terminal TSI02.

도 7은 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시키고, 활성화 구간동안 테스트하는 과정을 나타내는 회로도이다.7 is a circuit diagram illustrating a process of sequentially activating a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to the present invention and testing them during an activation period.

도 7을 참고하면, RFID 태그 TAG02는 전원 전압 VDD 및 그라운드 전압 GND이 공급되고 테스트 시리얼 출력 신호가 입력된 상태에서 테스트 클록 TCLK에 동기하여 활성화된다. RFID 태그 TAG02가 활성화되면, 입/출력 패드를 통해 테스트 입력 신호 TI가 RFID 태그 TAG02로 입력되어 테스트 동작을 수행한다.Referring to FIG. 7, the RFID tag TAG02 is activated in synchronization with the test clock TCLK while a power supply voltage VDD and a ground voltage GND are supplied and a test serial output signal is input. When the RFID tag TAG02 is activated, the test input signal TI is input to the RFID tag TAG02 through the input / output pad to perform a test operation.

RFID 태그 TAG02에 대한 테스트 동작이 종료되면 테스트 클록 TCLK에 동기하여 테스트 시리얼 출력 신호가 생성된다. 그리고 테스트 시리얼 출력 신호는 출력 단자 TS002로부터 입력 단자 TSI03로 전송된다.When the test operation for the RFID tag TAG02 ends, a test serial output signal is generated in synchronization with the test clock TCLK. The test serial output signal is then sent from the output terminal TS002 to the input terminal TSI03.

마찬가지로, RFID 태그 TAG03~TAGN에 대해서도 테스트 시리얼 출력 신호가 전송되면서 각각의 RFID 태그가 활성화되고, 활성화 구간동안 테스트 동작을 수행할 수 있다.Similarly, as the test serial output signal is transmitted to the RFID tags TAG03 to TAGN, each RFID tag is activated and a test operation can be performed during the activation period.

도 8은 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에서 각각의 RFID 태그가 스크라이브 라인을 통해 연결되는 구성을 나타내는 회로도이다.8 is a circuit diagram illustrating a configuration in which each RFID tag is connected through a scribe line in the RFID tag array according to the present invention.

도 8을 참고하면, 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이는 하나의 테스트 칩과 복수 개의 RFID 태그를 포함한다. 그리고 X 및 Y 축 방향으로 배열된 복수 개의 스크라이브 라인은 M1 및 M2 레이어와 같은 서로 다른 레이어에 형성될 수 있다. Referring to FIG. 8, an RFID tag array according to the present invention includes one test chip and a plurality of RFID tags. The plurality of scribe lines arranged in the X and Y axis directions may be formed in different layers such as the M1 and M2 layers.

M1 레이어에는 X 축 방향으로 복수 개의 스크라이브 라인이 형성되고, M2 레이어에는 Y 축 방향으로 복수 개의 스크라이브 라인이 형성된다. 그리고 M1 레이어의 스크라이브 라인과 M2 레이어의 스크라이브 라인은 콘택을 통해 서로 연결된다.The scribe lines are formed in the M1 layer in the X axis direction, and the scribe lines are formed in the M2 layer in the Y axis direction. The scribe line of the M1 layer and the scribe line of the M2 layer are connected to each other through a contact.

외부로부터 공급된 전원 전압 및 그라운드 전압은 M1 레이어의 X 축 방향으로 배열된 스크라이브 라인, 콘택, M2 레이어의 Y 축 방향으로 배열된 스크라이브 라인을 차례로 거쳐 RFID 태그의 입/출력 패드를 통해 RFID 태그 내부 회로로 공급된다.The power supply voltage and ground voltage supplied from the outside pass through the scribe lines arranged in the X-axis direction of the M1 layer, the contacts, and the scribe lines arranged in the Y-axis direction of the M2 layer. Supplied to the circuit.

외부로부터 입력되는 테스트 입력 신호, 테스트 클록, 제어 신호, 어드레스 신호는 M1 레이어의 X 축 방향으로 배열된 스크라이브 라인, 콘택, M2 레이어의 Y 축 방향으로 배열된 스크라이브 라인을 차례로 거쳐 RFID 태그의 입/출력 패드를 통해 RFID 태그 내부 회로로 입력된다.The test input signal, test clock, control signal, and address signal input from the outside are input / received through the scribe lines arranged in the X axis direction of the M1 layer, the contacts, and the scribe lines arranged in the Y axis direction of the M2 layer. The output pad is input into the RFID tag internal circuit.

RFID 태그에서 생성된 테스트 출력 신호, 테스트 시리얼 출력 신호, 제어 출력 신호 등은 RFID 태그 내부 회로로부터 RFID 태그의 입/출력 패드를 통해 M2 레이어의 Y축 방향으로 배열된 스크라이브 라인, 콘택, M1 레이어의 X 축 방향으로 배열된 스크라이브 라인을 차례로 거쳐 외부로 출력된다.The test output signal, test serial output signal, and control output signal generated from the RFID tag can be read from the scribe lines, contacts, and M1 layer arranged in the Y-axis direction of the M2 layer from the RFID tag internal circuit through the input / output pad of the RFID tag. It is output to the outside via the scribe lines arranged in the X axis direction in order.

테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 시리얼 출력 신호는 M2 레이어의 Y 축 방향으로 배열된 스크라이브 라인, 콘택, M1 레이어의 X 축 방향으로 배열된 스크 라이브 라인, 콘택, M2 레이어의 Y 축 방향으로 배열된 스크라이브 라인을 통해, 테스트 칩과 RFID 태그 TAG01, 각각의 RFID 태그 TAG02~TAGN 사이로 전송된다.The test serial input signal and the test serial output signal are scribe lines arranged in the Y axis direction of the M2 layer, contacts, scribe lines arranged in the X axis direction of the M1 layer, contacts, scribe lines arranged in the Y axis direction of the M2 layer. Through the test chip, the RFID tag TAG01 is transmitted between each RFID tag TAG02 to TAGN.

도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.9 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to a first embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RFID 태그는 크게 안테나부(10), 아날로그부(100), 디지털부(200) 및 메모리(300)를 포함한다.Referring to FIG. 9, the RFID tag according to the first embodiment of the present invention includes an antenna unit 10, an analog unit 100, a digital unit 200, and a memory 300.

안테나부(10)는 RFID 리더로부터 송신된 무선 신호를 수신하는 역할을 한다. 수신된 무선 신호는 안테나 패드(11,12)를 통해 아날로그부(100)로 입력된다. The antenna unit 10 serves to receive a radio signal transmitted from the RFID reader. The received radio signal is input to the analog unit 100 through the antenna pads 11 and 12.

아날로그부(100)는 전압 증폭부(110), 복조부(120), 클록 발생부(130), 파워 온 리셋부(140), 테스트 입력 버퍼(150), 변조부(160) 및 테스트 출력 구동부(170)를 포함한다.The analog unit 100 includes a voltage amplifier 110, a demodulator 120, a clock generator 130, a power-on reset unit 140, a test input buffer 150, a modulator 160, and a test output driver. And 170.

전압 증폭부(110)는 안테나부(10)로부터 인가되는 무선 신호를 정류 및 승압하여 RFID 태그의 구동전압인 전원 전압을 생성한다.The voltage amplifying unit 110 rectifies and boosts a radio signal applied from the antenna unit 10 to generate a power supply voltage which is a driving voltage of the RFID tag.

복조부(120)는 전압 증폭부(110)의 출력전압에 따라 안테나부(10)로부터 입력되는 무선 신호를 복조하여 복조 신호 DEMOD를 생성하고, 생성된 복조 신호 DEMOD를 테스트 입력 버퍼(150)로 출력한다.The demodulator 120 demodulates a radio signal input from the antenna unit 10 according to the output voltage of the voltage amplifier 110 to generate a demodulated signal DEMOD, and converts the generated demodulated signal DEMOD into the test input buffer 150. Output

클록 발생부(130)는 전압 증폭부(110)에서 생성된 전원 전압에 따라 디지털부(200)의 동작을 제어하기 위한 클록 CLK를 디지털부(200)에 공급한다. The clock generator 130 supplies the clock CLK for controlling the operation of the digital unit 200 according to the power voltage generated by the voltage amplifier 110 to the digital unit 200.

파워 온 리셋부(140)는 전압 증폭부(110)에서 생성된 전원 전압을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋 신호 POR를 전압 조정부(120) 및 디지털부(200)에 출력한다.The power on reset unit 140 detects a power supply voltage generated by the voltage amplifier 110 and outputs a power on reset signal POR for controlling the reset operation to the voltage adjusting unit 120 and the digital unit 200.

파워 온 리셋 신호 POR는 전원 전압이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하는 동안 전원 전압과 같이 상승하다가, 전원 전압이 전원 전압 레벨 VDD로 공급되는 순간 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하여 RFID 태그 내부의 회로를 리셋시키는 신호를 의미한다. The power-on reset signal POR rises together with the power supply voltage while the power supply voltage transitions from the low level to the high level, and then transitions from the high level to the low level as soon as the power supply voltage is supplied to the power supply voltage level VDD to break the circuit inside the RFID tag. It means the signal to reset.

테스트 입력 버퍼(150)는 테스트 신호 입력 패드(13)를 통해 입력되는 테스트 입력 신호 TI와 복조부(120)로부터 입력되는 복조 신호 DEMOD로부터 동작 명령 신호를 검출하여 명령 신호 CMD를 생성한다.The test input buffer 150 detects an operation command signal from the test input signal TI input through the test signal input pad 13 and the demodulation signal DEMOD input from the demodulator 120 to generate a command signal CMD.

변조부(160)는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP를 변조하여 안테나부(10)에 전송한다.The modulator 160 modulates the response signal RP input from the digital unit 200 and transmits the modulated response signal RP to the antenna unit 10.

전원 전압 인가 패드(15)는 RFID 태그가 활성화되어 웨이퍼 상에서 복수 개의 RFID 태그를 테스트할 때 전원 전압 VDD이 인가되는 패드를 나타내고, 그라운드 전압 인가 패드(16)는 웨이퍼 상에서 복수 개의 RFID 태그를 테스트할 때 그라운드 전압 GND이 인가되는 패드를 나타낸다. The power supply voltage application pad 15 represents a pad to which the power supply voltage VDD is applied when the RFID tag is activated to test the plurality of RFID tags on the wafer, and the ground voltage application pad 16 is used to test the plurality of RFID tags on the wafer. When the ground voltage GND is applied to the pad.

즉 RFID 태그가 RFID 리더와 통신을 하여 무선 신호를 수신하는 경우에는 전압 증폭부(110)가 전원 전압 VDD을 공급하지만, 본 발명에서는 웨이퍼 상에서 테스트를 수행하기 때문에 별도의 전원 전압 인가 패드(15) 및 그라운드 전압 인가 패드(16)를 통해 전원 전압 VDD 및 그라운드 전압 GND이 공급된다.That is, when the RFID tag communicates with the RFID reader to receive the radio signal, the voltage amplifier 110 supplies the power supply voltage VDD. However, in the present invention, since the test is performed on the wafer, a separate power supply voltage application pad 15 is provided. And a power supply voltage VDD and a ground voltage GND are supplied through the ground voltage applying pad 16.

테스트 출력 구동부(170)는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP에 따라 테스트 출력 신호 TO를 구동하여 테스트 신호 출력 패드(14)를 통해 출력한다.The test output driver 170 drives the test output signal TO according to the response signal RP input from the digital unit 200 and outputs the test output signal TO through the test signal output pad 14.

디지털부(200)는 아날로그부(100)로부터 전원 전압, 파워 온 리셋 신호 POR, 클록 CLK 및 명령 신호 CMD를 입력받아 명령 신호 CMD를 해석하고 제어 신호 및 처리신호들을 생성한다. 그리고 제어 신호 및 처리신호에 대응하는 응답 신호 RP를 아날로그부(100)로 출력한다.The digital unit 200 receives a power supply voltage, a power-on reset signal POR, a clock CLK, and a command signal CMD from the analog unit 100 to interpret the command signal CMD and generate control signals and processing signals. The response signal RP corresponding to the control signal and the processing signal is output to the analog unit 100.

디지털부(200)는 RFID 태그를 활성화시키기 위한 슬롯 카운터 제어부(210)를 포함한다. 슬롯 카운터 제어부(210)는 테스트 클록 입력 패드(201)로부터 테스트 클록 TCLK을 입력받고, 테스트 시리얼 신호 입력 패드(202)로부터 테스트 시리얼 입력 신호 또는 테스트 시리얼 출력 신호를 입력받으며, 파워 온 리셋부(140)로부터 파워 온 리셋 신호 POR를 입력받는다. 그리고 슬롯 카운터 제어부(210)는 슬롯 카운터 비트를 생성하여 RFID 태그의 활성화 여부를 제어하고, 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 테스트 시리얼 신호 출력 패드(203)을 통해 다른 RFID 태그로 출력한다.The digital unit 200 includes a slot counter controller 210 for activating an RFID tag. The slot counter controller 210 receives a test clock TCLK from the test clock input pad 201, a test serial input signal or a test serial output signal from the test serial signal input pad 202, and the power-on reset unit 140. ) Receives the power-on reset signal POR. The slot counter controller 210 generates slot counter bits to control whether the RFID tag is activated, and generates a test serial output signal and outputs the test serial signal to another RFID tag through the test serial signal output pad 203.

마지막으로, 디지털부(200)는 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어 신호 CTR 및 클록 CLK을 메모리(300)에 출력한다. 메모리(300)는 데이터를 저장 소자에 라이트하고, 저장 소자에 저장된 데이터를 리드하는 역할을 한다.Finally, the digital unit 200 outputs the address ADD, the input / output data I / O, the control signal CTR, and the clock CLK to the memory 300. The memory 300 writes data to the storage device and reads data stored in the storage device.

메모리(300)로는 불휘발성 강유전체 메모리(FeRAM)가 사용될 수 있다. FeRAM은 디램 정도의 데이터 처리 속도를 갖는다. 또한, FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 가지고, 커패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 가진다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다.As the memory 300, a nonvolatile ferroelectric memory (FeRAM) may be used. FeRAM has a data processing speed of about DRAM. In addition, FeRAM has a structure almost similar to DRAM, and has a high residual polarization characteristic of the ferroelectric by using a ferroelectric as the material of the capacitor. Due to this residual polarization characteristic, data is not erased even when the electric field is removed.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.10 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to a second embodiment of the present invention.

도 10을 참고하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 RFID 태그는 크게 안테나부(10), 아날로그부(100), 디지털부(200) 및 메모리(300)를 포함한다.Referring to FIG. 10, the RFID tag according to the second embodiment of the present invention includes an antenna unit 10, an analog unit 100, a digital unit 200, and a memory 300.

제 2 실시예의 안테나부, 디지털부(200) 및 메모리(300)의 구성은 제 1 실시예와 동일하고, 제 2 실시예의 아날로그부(100)는 전압 리미터(180)를 더 포함한다. 전압 리미터(180)는 전압 증폭부(110)에서 증폭된 전압 또는 외부로부터 공급된 전원 전압이 전원 전압 레벨 VDD보다 순간적으로 높아져서 RFID 태그 내부 회로를 손상시키는 것을 방지하기 위해, 일정 전압 레벨로 전압이 높아지지 않도록 전압의 크기를 제한한다.The configuration of the antenna unit, the digital unit 200 and the memory 300 of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and the analog unit 100 of the second embodiment further includes a voltage limiter 180. The voltage limiter 180 has a voltage at a constant voltage level to prevent the voltage amplified by the voltage amplifier 110 or the power supply voltage supplied from the outside from being momentarily higher than the power supply voltage level VDD, thereby damaging the internal circuit of the RFID tag. Limit the magnitude of the voltage so that it does not rise.

도 11은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 슬롯 카운터 제어부(210)를 나타내는 블록 다이어그램이다.11 is a block diagram showing a slot counter controller 210 according to the first and second embodiments of the present invention.

도 11을 참고하면, 본 발명의 슬롯 카운터 제어부(210)는 슬롯 카운터(211) 및 시프트 레지스터(212)를 포함한다. Referring to FIG. 11, the slot counter controller 210 of the present invention includes a slot counter 211 and a shift register 212.

테스트 클록 TCLK은 테스트 클록 입력 패드(201)를 통해 슬롯 카운터(211) 및 시프트 레지스터(212)로 입력된다. 테스트 클록 입력 패드(201)와 그라운드 단자 사이에는 패드 저항 Rpd이 병렬로 연결된다. The test clock TCLK is input to the slot counter 211 and the shift register 212 through the test clock input pad 201. The pad resistor Rpd is connected in parallel between the test clock input pad 201 and the ground terminal.

패드 저항 Rpd은 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되지 않는 경우, 즉 테스트 클록 TCLK에 노이즈가 발생하여 로우 레벨과 하이 레벨 사이의 레벨로 입력되는 경우, 노이즈가 슬롯 카운터(211)에 입력되지 않도록 입력 신호를 로우 레벨로 바이어스시킨다. 다만 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면, 입력 신호 자 체의 구동 능력이 있기 때문에 패드 저항 Rpd에 의해 입력 신호가 로우 레벨로 바이어스되지 않는다.The pad resistor Rpd is input so that noise is not input to the slot counter 211 when the test clock TCLK is not input at the high level, that is, when noise is generated in the test clock TCLK and is input at a level between the low level and the high level. Bias the signal to low level. However, when the test clock TCLK is input at the high level, the input signal itself is capable of driving so that the input signal is not biased to the low level by the pad resistor Rpd.

테스트 칩으로부터 입력되는 테스트 시리얼 입력 신호 또는 다른 RFID 태그로부터 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호는 테스트 시리얼 신호 입력 패드(202)를 통해 시프트 레지스터(212)로 입력된다. 테스트 시리얼 신호 입력 패드(202)와 그라운드 단자 사이에는 패드 저항 Rpd이 병렬로 연결된다.The test serial input signal input from the test chip or the test serial output signal input from another RFID tag is input to the shift register 212 through the test serial signal input pad 202. The pad resistor Rpd is connected in parallel between the test serial signal input pad 202 and the ground terminal.

패드 저항 Rpd은 테스트 시리얼 입력(출력) 신호가 하이 레벨로 입력되지 않는 경우, 즉 테스트 시리얼 입력(출력) 신호에 노이즈가 발생하여 로우 레벨과 하이 레벨 사이의 레벨로 입력되는 경우, 노이즈가 시프트 레지스터(212)에 입력되지 않도록 입력되는 신호를 로우 레벨로 바이어스시킨다. 다만 테스트 시리얼 입력(출력) 신호가 하이 레벨로 입력되면, 입력되는 신호 자체의 구동 능력이 있기 때문에 패드 저항 Rpd에 의해 입력되는 신호가 로우 레벨로 바이어스되지 않는다.The pad resistance Rpd is the shift register when the test serial input (output) signal is not input at a high level, that is, when noise is generated in the test serial input (output) signal and is input at a level between a low level and a high level. The input signal is biased to a low level so as not to be input to 212. However, when the test serial input (output) signal is input at the high level, the signal input by the pad resistor Rpd is not biased to the low level because there is a driving capability of the input signal itself.

슬롯 카운터(211)는 테스트 클록 TCLK에 의해 세트되어 슬롯 카운터 비트를 로우 레벨로 출력하고, 시프트 레지스터(212)로부터 출력되는 테스트 시리얼 출력 신호에 의해 리셋되어 슬롯 카운터 비트를 하이 레벨로 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 로우 레벨로 출력되면 RFID 태그가 활성화되고, 하이 레벨로 출력되면 RFID 태그가 비활성화된다.The slot counter 211 is set by the test clock TCLK to output the slot counter bits at a low level, and is reset by the test serial output signal output from the shift register 212 to output the slot counter bits at a high level. When the slot counter bit is output at the low level, the RFID tag is activated. When the output is at the high level, the RFID tag is deactivated.

시프트 레지스터(212)는 테스트 칩으로부터 입력되는 테스트 시리얼 입력 신호 또는 다른 RFID 태그로부터 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호의 값을 저장했다가 테스트 클록 TCLK에 의해 시프트 레지스터(212)가 활성화되면 테스트 시리얼 입 력 신호 또는 다른 RFID 태그로부터 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호의 값을 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. 테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211) 및 테스트 시리얼 신호 출력 패드(203)로 출력된다. 시프트 레지스터(212)는 파워 온 리셋부(140)로부터 파워 온 리셋 신호 POR를 입력받아 리셋된다.The shift register 212 stores a value of a test serial input signal input from the test chip or a test serial output signal input from another RFID tag, and then, when the shift register 212 is activated by the test clock TCLK, the test serial input signal. Alternatively, the value of the test serial output signal input from another RFID tag is output as the test serial output signal. The test serial output signal is output to the slot counter 211 and the test serial signal output pad 203. The shift register 212 is reset by receiving the power-on reset signal POR from the power-on reset unit 140.

도 12는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 RFID 태그의 테스트에 사용되는 입/출력 패드를 나타내는 구성도이다. 12 is a configuration diagram showing an input / output pad used for testing an RFID tag according to the first and second embodiments of the present invention.

도 12를 참고하면, 본 발명의 RFID 태그의 입/출력 패드는 테스트 신호 입력 패드(13), 테스트 신호 출력 패드(14), 전원 전압 인가 패드(15), 그라운드 전압 인가 패드(16) 및 테스트 클록 입력 패드(201), 테스트 시리얼 신호 입력 패드(202) 및 테스트 시리얼 신호 출력 패드(203)를 포함한다.Referring to FIG. 12, the input / output pad of the RFID tag according to the present invention includes a test signal input pad 13, a test signal output pad 14, a power voltage applying pad 15, a ground voltage applying pad 16, and a test. A clock input pad 201, a test serial signal input pad 202, and a test serial signal output pad 203 are included.

테스트 신호 입력 패드(13)를 통해 테스트 입력 신호 TI가 입력되고, 테스트 신호 출력 패드(14)를 통해 테스트 출력 신호 TO가 출력되고, 전원 전압 인가 패드(15)를 통해 전원 전압 VDD이 인가되고, 그라운드 전압 인가 패드(16)를 통해 그라운드 전압 GND이 인가되고, 테스트 클록 입력 패드(201)를 통해 테스트 클록 TCLK이 입력되고, 테스트 시리얼 신호 입력 패드(202)를 통해 테스트 시리얼 입력(출력) 신호가 입력되며, 테스트 시리얼 신호 출력 패드(203)를 통해 테스트 시리얼 출력 신호가 출력된다.The test input signal TI is input through the test signal input pad 13, the test output signal TO is output through the test signal output pad 14, and the power supply voltage VDD is applied through the power supply voltage applying pad 15. The ground voltage GND is applied through the ground voltage applying pad 16, the test clock TCLK is input through the test clock input pad 201, and the test serial input (output) signal is input through the test serial signal input pad 202. The test serial output signal is output through the test serial signal output pad 203.

도 13은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 RFID 태그 TAG01에 포함된 슬롯 카운터 제어부(210)의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.13 is a timing diagram showing an operation timing of the slot counter controller 210 included in the RFID tag TAG01 according to the first and second embodiments of the present invention.

도 13를 참고하면, ti에서 전원 전압 인가 패드(15)를 통해 전원 전압 VDD이 공급되기 시작하면 테스트 칩이 초기화된다. 동시에 파워 온 리셋 신호 POR도 로우 레벨에서 하이 레벨로 초기화된다. 파워 온 리셋 신호 POR는 시프트 레지스터(212)에도 입력되므로 시프트 레지스터(212)도 파워 온 리셋 신호 POR에 의해 초기화된다.Referring to FIG. 13, when ti starts to supply the supply voltage VDD through the supply voltage applying pad 15, the test chip is initialized. At the same time, the power-on reset signal POR is also initialized from low level to high level. Since the power on reset signal POR is also input to the shift register 212, the shift register 212 is also initialized by the power on reset signal POR.

t0에서, 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이한다. 즉 테스트 시리얼 입력 신호가 테스트 칩으로부터 RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI01로 입력된다. RFID 태그 TAG01로 입력된 테스트 시리얼 입력 신호는 슬롯 카운터 제어부(210)의 시프트 레지스터(212)로 입력된다. At t0, the test serial input signal transitions from low level to high level. That is, the test serial input signal is input from the test chip to the test serial signal input pad TSI01 of the RFID tag TAG01. The test serial input signal input to the RFID tag TAG01 is input to the shift register 212 of the slot counter control unit 210.

시프트 레지스터(212)는 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨일 때 활성화되므로, t1에서, 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이할 때 시프트 레지스터(212)는 비활성화된다. 따라서 시프트 레지스터(212)는 활성화될 때까지 초기화된 상태에서 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력한다.Since the shift register 212 is activated when the test clock TCLK is at the low level, at t1, the shift register 212 is deactivated when the test clock TCLK transitions from the low level to the high level. Thus, the shift register 212 outputs the test serial output signal at a low level in an initialized state until activated.

t1에서, 테스트 클록 TCLK은 슬롯 카운터(211)의 세트 단자로 입력되기 때문에, 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨에서 하이 레벨로 입력되면 슬롯 카운터(211)가 세트되어 "111..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 "111..."로 출력되면 RFID 태그가 비활성화된다. 따라서 테스트 동작이 수행될 수 없다.At t1, since the test clock TCLK is input to the set terminal of the slot counter 211, when the test clock TCLK is input from the low level to the high level, the slot counter 211 is set so that the slot counter bit of " 111 ... " Outputs When the slot counter bit is output as "111 ...", the RFID tag is deactivated. Therefore, the test operation cannot be performed.

t2에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 시프트 레지스터(212)가 활성화된다. 시프트 레지스터(212)가 활성화되면, 시프트 레지스터(212)는 t2에서의 테스트 시리얼 입력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다.At t2, shift register 212 is activated when test clock TCLK transitions from high level to low level. When the shift register 212 is activated, the shift register 212 stores the test serial input signal value at t2 and outputs it as a test serial output signal.

시프트 레지스터(212)는 활성화될 때의 입력 신호를 저장했다가 비활성화될 때까지 계속 출력한다. 따라서 t3에서 테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨로 천이하더라도, 테스트 클록 TCLK이 계속 로우 레벨로 유지되어 시프트 레지스터(212)가 활성화된 상태를 유지하는 동안은 테스트 시리얼 출력 신호는 하이 레벨로 출력된다. 테스트 시리얼 입력 신호는 테스트 클럭 TCLK이 하이 레벨로 천이하는 t4 이전에 로우 레벨로 입력되는 것이 바람직하다.The shift register 212 stores the input signal when activated and continues to output until deactivated. Thus, even if the test serial output signal transitions to a low level at t3, the test serial output signal is output at a high level while the test clock TCLK remains at a low level and the shift register 212 remains active. The test serial input signal is preferably input at the low level before t4 at which the test clock TCLK transitions to the high level.

테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211)의 리셋 단자로도 입력된다. 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨이면, 슬롯 카운터(211)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되면 RFID 태그가 활성화된다. The test serial output signal is also input to the reset terminal of the slot counter 211. If the test serial output signal is at a high level, the slot counter 211 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". The RFID tag is activated when the slot counter bit is output as "000 ...".

즉 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되어 시프트 레지스터(212)가 비활성화될 때까지는 슬롯 카운터(211)가 리셋 상태를 유지한다. 따라서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되는 t4까지는 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되어 RFID 태그는 활성화 상태를 유지하고, 이 활성화 구간동안 테스트 동작을 수행할 수 있다.That is, the slot counter 211 maintains the reset state until the test clock TCLK is input at a high level and the shift register 212 is deactivated. Therefore, the slot counter bit is output as "000 ..." until t4 at which the test clock TCLK is input at the high level, so that the RFID tag can be activated and perform a test operation during this activation period.

테스트 동작은 RFID 태그의 사용자의 의도에 따라 아날로그부(100), 디지털부(200) 또는 메모리(300)에 수행될 수 있다. 예를 들어, 메모리(300)에 대해 테스트 동작을 수행할 경우, 메모리(300)의 각 메모리 셀에 리셋 데이터를 라이트한다. 그리고 입/출력 패드를 통해 테스트 입력 신호 TI가 입력된다. 테스트 입력 신호 TI는 테스트 입력 버퍼(150)에 입력되어 명령 신호 CMD를 생성한다. 명령 신호 CMD 에는 RFID 태그에 라이트된 데이터를 리드하도록 동작하는 신호가 포함된다. The test operation may be performed on the analog unit 100, the digital unit 200, or the memory 300 according to the intention of the user of the RFID tag. For example, when performing a test operation on the memory 300, reset data is written to each memory cell of the memory 300. The test input signal TI is input through the input / output pads. The test input signal TI is input to the test input buffer 150 to generate a command signal CMD. The command signal CMD includes a signal operative to read data written to the RFID tag.

디지털부(200)는 명령 신호 CMD에 따라 제어 신호 CTR를 이용하여 메모리(300)에 라이트된 데이터를 리드한다. 디지털부(200)에서 생성되는 응답 신호 RP는 리드된 데이터에 대한 정보를 포함한다. 응답 신호 RP는 테스트 출력 구동부(170)에 의해 구동되어 테스트 출력 신호 TO의 형태로 테스트 신호 출력 패드(14)를 통해 출력된다. 테스트 출력 신호 TO로부터 리드된 데이터에 대한 정보를 얻고, RFID 태그 외부의 테스트 장비(도시되지 않음)는 리드된 데이터와 라이트된 데이터와 일치하는지 여부를 비교한다. 리드된 데이터와 라이트된 데이터가 일치하면 정상으로 판정하고, 일치하지 않으면 불량으로 판정함으로써 테스트 동작을 완료한다.The digital unit 200 reads the data written to the memory 300 using the control signal CTR according to the command signal CMD. The response signal RP generated by the digital unit 200 includes information about the read data. The response signal RP is driven by the test output driver 170 and output through the test signal output pad 14 in the form of the test output signal TO. Obtaining information about the data read from the test output signal TO, test equipment (not shown) outside the RFID tag compares the read data with the written data or not. If the read data and the written data match, it is determined to be normal, and if not, the test operation is completed by determining as bad.

t4에서, 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하면 시프트 레지스터(212)가 비활성화된다. 시프트 레지스터(212)는 다음 테스트 클럭 TCLK이 로우 레벨로 입력되어 시프트 레지스터(212)가 활성화될 때까지 테스트 시리얼 출력 신호를 하이 레벨로 출력한다. 그리고 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되면 슬롯 카운터(212)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되면 RFID 태그 TAG01가 활성화된다.At t4, the shift register 212 is deactivated when the test clock TCLK transitions from low level to high level. The shift register 212 outputs a test serial output signal at a high level until the next test clock TCLK is input low and the shift register 212 is activated. When the test serial output signal is output at a high level, the slot counter 212 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". When the slot counter bit is output as "000 ...", the RFID tag TAG01 is activated.

t5에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 RFID 태그 TAG01의 시프트 레지스터(212)가 다시 활성화된다. 시프트 레지스터(212)가 활성화되면, 시프트 레지스터(212)는 t5에서 RFID 태그 TAG01로 입력되는 테스트 시리얼 입력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. 따라서 t5에서 테스트 시리얼 입력 신호는 로우 레벨로 입력되므로 테스트 시리얼 출력 신호는 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이한다. 테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211)의 리셋 단자로도 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨을 유지하면 슬롯 카운터(211)가 세트 상태를 유지하여 "111..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 “111..."로 출력되면 RFID 태그 TAG01는 비활성화된 상태를 유지한다.At t5, the shift register 212 of the RFID tag TAG01 is activated again when the test clock TCLK transitions from high level to low level. When the shift register 212 is activated, the shift register 212 stores a test serial input signal value input to the RFID tag TAG01 at t5 and outputs the test serial input signal. Therefore, at t5, the test serial input signal is input at the low level, so the test serial output signal transitions from the high level to the low level. Since the test serial output signal is also input to the reset terminal of the slot counter 211, when the test serial output signal maintains a low level, the slot counter 211 remains set to clear the slot counter bit of "111 ...". Output If the slot counter bit is output as "111 ...", the RFID tag TAG01 remains inactive.

도 14는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 복수 개의 RFID 태그가 순차적으로 활성화되는 동작 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.14 is a timing diagram illustrating an operation timing of sequentially activating a plurality of RFID tags according to the first and second embodiments of the present invention.

도 14를 참고하면, ti에서 전원 전압 VDD이 공급되기 시작하면 테스트 칩이 초기화된다. 동시에 파워 온 리셋 신호 POR도 로우 레벨에서 하이 레벨로 초기화된다. 파워 온 리셋 신호 POR는 시프트 레지스터(212)에도 입력되므로 시프트 레지스터(212)도 파워 온 리셋 신호 POR에 의해 초기화된다.Referring to FIG. 14, when the power supply voltage VDD starts to be supplied at ti, the test chip is initialized. At the same time, the power-on reset signal POR is also initialized from low level to high level. Since the power on reset signal POR is also input to the shift register 212, the shift register 212 is also initialized by the power on reset signal POR.

t0에서, 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이한다. 즉 테스트 시리얼 입력 신호가 테스트 칩으로부터 RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI01로 입력된다. RFID 태그 TAG01로 입력된 테스트 시리얼 입력 신호는 슬롯 카운터 제어부(210)의 시프트 레지스터(212)로 입력된다. At t0, the test serial input signal transitions from low level to high level. That is, the test serial input signal is input from the test chip to the test serial signal input pad TSI01 of the RFID tag TAG01. The test serial input signal input to the RFID tag TAG01 is input to the shift register 212 of the slot counter control unit 210.

시프트 레지스터(212)는 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨일 때 활성화되므로, t1에서 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이할 때 시프트 레지스터(212)는 비활성화된다. 따라서 RFID 태그 TAG01의 시프트 레지스터(212)는 활성화될 때까지 초기화된 상태에서 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력하게 된다.Since the shift register 212 is activated when the test clock TCLK is at the low level, the shift register 212 is deactivated when the test clock TCLK transitions from the low level to the high level at t1. Accordingly, the shift register 212 of the RFID tag TAG01 outputs the test serial output signal at a low level in the initialized state until it is activated.

t1에서, 테스트 클록 TCLK은 슬롯 카운터(211)의 세트 단자로 입력되기 때문에, 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨에서 하이 레벨로 입력되면 슬롯 카운터(211)가 세트되어 "111..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 "111..."로 출력되면 RFID 태그가 비활성화된다. 따라서 테스트 동작이 수행될 수 없다.At t1, since the test clock TCLK is input to the set terminal of the slot counter 211, when the test clock TCLK is input from the low level to the high level, the slot counter 211 is set so that the slot counter bit of " 111 ... " Outputs When the slot counter bit is output as "111 ...", the RFID tag is deactivated. Therefore, the test operation cannot be performed.

t2에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 시프트 레지스터(212)가 활성화된다. 시프트 레지스터(212)가 활성화되면, 시프트 레지스터(212)는 t2에서의 테스트 시리얼 입력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. At t2, shift register 212 is activated when test clock TCLK transitions from high level to low level. When the shift register 212 is activated, the shift register 212 stores the test serial input signal value at t2 and outputs it as a test serial output signal.

t2에서, 테스트 시리얼 입력 신호는 하이 레벨로 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호도 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이한다. 테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211)의 리셋 단자로도 입력된다. 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨이면 슬롯 카운터(211)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 그 결과 RFID 태그 TAG01가 활성화된다. At t2, the test serial input signal is input at high level, so the test serial output signal also transitions from low level to high level. The test serial output signal is also input to the reset terminal of the slot counter 211. If the test serial output signal is at a high level, the slot counter 211 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". As a result, the RFID tag TAG01 is activated.

시프트 레지스터(212)는 활성화될 때의 입력 신호를 저장했다가 비활성화될 때까지 계속 출력한다. 따라서 t3에서 테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨로 천이하더라도, 테스트 클록 TCLK이 계속 로우 레벨로 유지되어 시프트 레지스터(212)가 활성화된 상태를 유지하는 동안은 테스트 시리얼 출력 신호는 하이 레벨로 출력된다. 테스트 시리얼 입력 신호는 테스트 클럭 TCLK이 하이 레벨로 천이하는 t4 이전에 로우 레벨로 입력되는 것이 바람직하다.The shift register 212 stores the input signal when activated and continues to output until deactivated. Thus, even if the test serial output signal transitions to a low level at t3, the test serial output signal is output at a high level while the test clock TCLK remains at a low level and the shift register 212 remains active. The test serial input signal is preferably input at the low level before t4 at which the test clock TCLK transitions to the high level.

테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211)의 리셋 단자로도 입력된다. 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨이면, 슬롯 카운터(211)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되면 RFID 태그가 활성화된다. The test serial output signal is also input to the reset terminal of the slot counter 211. If the test serial output signal is at a high level, the slot counter 211 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". The RFID tag is activated when the slot counter bit is output as "000 ...".

t4에서, 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하면 시프트 레지스터(212)가 비활성화된다. 시프트 레지스터(212)는 다음 테스트 클럭 TCLK이 로우 레벨로 입력되어 시프트 레지스터(212)가 활성화될 때까지 테스트 시리얼 출력 신호를 하이 레벨로 출력한다. 그리고 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되면 슬롯 카운터(212)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되면 RFID 태그 TAG01가 활성화된다.At t4, the shift register 212 is deactivated when the test clock TCLK transitions from low level to high level. The shift register 212 outputs a test serial output signal at a high level until the next test clock TCLK is input low and the shift register 212 is activated. When the test serial output signal is output at a high level, the slot counter 212 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". When the slot counter bit is output as "000 ...", the RFID tag TAG01 is activated.

t5에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 RFID 태그 TAG01의 시프트 레지스터(212)가 다시 활성화된다. 시프트 레지스터(212)가 활성화되면, 시프트 레지스터(212)는 t5에서 RFID 태그 TAG01로 입력되는 테스트 시리얼 입력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. 따라서 t5에서 테스트 시리얼 입력 신호는 로우 레벨로 입력되므로 테스트 시리얼 출력 신호는 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이한다. 테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211)의 리셋 단자로도 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨을 유지하면 슬롯 카운터(211)가 세트 상태를 유지하여 "111..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 “111..."로 출력되면 RFID 태그 TAG01는 비활성화된다.At t5, the shift register 212 of the RFID tag TAG01 is activated again when the test clock TCLK transitions from high level to low level. When the shift register 212 is activated, the shift register 212 stores a test serial input signal value input to the RFID tag TAG01 at t5 and outputs the test serial input signal. Therefore, at t5, the test serial input signal is input at the low level, so the test serial output signal transitions from the high level to the low level. Since the test serial output signal is also input to the reset terminal of the slot counter 211, when the test serial output signal maintains a low level, the slot counter 211 remains set to clear the slot counter bit of "111 ...". Output If the slot counter bit is output as "111 ...", the RFID tag TAG01 is deactivated.

한편, RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 출력 신호는 RFID 태그 TAG02의 테 스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI02로 입력된다.On the other hand, the test serial output signal of the RFID tag TAG01 is input to the test serial signal input pad TSI02 of the RFID tag TAG02.

t5에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터(212)가 활성화된다. 시프트 레지스터(212)가 활성화되면, 시프트 레지스터(212)는 t5에서 RFID 태그 TAG02로 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. At t5, the shift register 212 of the RFID tag TAG02 is activated when the test clock TCLK transitions from high level to low level. When the shift register 212 is activated, the shift register 212 stores a test serial output signal value input to the RFID tag TAG02 at t5 and outputs the test serial output signal.

실제 회로에서는 테스트 클록 TCLK이 천이하는 시점과 테스트 시리얼 출력 신호가 천이하는 시점 사이에 약간의 딜레이가 발생한다. 즉 t5에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하고 약간의 딜레이 후에 RFID 태그 TAG02에 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이한다. 따라서 t5에서 RFID 태그 TAG02에 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값은 하이 레벨이므로, RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터(212)는 테스트 시리얼 출력 신호를 하이 레벨로 출력한다.In real circuits, there is a slight delay between the transition of the test clock TCLK and the transition of the test serial output signal. In other words, at t5, the test clock TCLK transitions from the high level to the low level, and after a slight delay, the test serial output signal value input to the RFID tag TAG02 transitions from the high level to the low level. Therefore, since the test serial output signal value input to the RFID tag TAG02 at t5 is at the high level, the shift register 212 of the RFID tag TAG02 outputs the test serial output signal at the high level.

테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211)의 리셋 단자로도 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨이면 슬롯 카운터(211)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되면 RFID 태그 TAG02가 활성화된다. Since the test serial output signal is also input to the reset terminal of the slot counter 211, when the test serial output signal is at a high level, the slot counter 211 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". When the slot counter bit is output as "000 ...", the RFID tag TAG02 is activated.

t6에서, 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하면 시프트 레지스터(212)가 비활성화된다. 시프트 레지스터(212)는 다음 테스트 클럭 TCLK이 로우 레벨로 입력되어 시프트 레지스터(212)가 활성화될 때까지 테스트 시리얼 출력 신호를 하이 레벨로 출력한다. 그리고 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출 력되면 슬롯 카운터(212)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 따라서 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되므로 RFID 태그 TAG02가 활성화 상태를 유지한다.At t6, the shift register 212 is deactivated when the test clock TCLK transitions from low level to high level. The shift register 212 outputs a test serial output signal at a high level until the next test clock TCLK is input low and the shift register 212 is activated. When the test serial output signal is output at a high level, the slot counter 212 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". Therefore, the RFID counter TAG02 remains active because the slot counter bit is output as "000 ...".

t7에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터(212)가 다시 활성화된다. 시프트 레지스터(212)가 활성화되면, 시프트 레지스터(212)는 t7에서 RFID 태그 TAG02로 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. 따라서 t7에서 테스트 시리얼 출력 신호는 로우 레벨로 입력되므로 테스트 시리얼 출력 신호는 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이한다. 테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211)의 리셋 단자로도 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨을 유지하면 슬롯 카운터(211)가 세트 상태를 유지하여 "111..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 “111..."로 출력되면 RFID 태그 TAG02는 비활성화된다.At t7, the shift register 212 of the RFID tag TAG02 is activated again when the test clock TCLK transitions from high level to low level. When the shift register 212 is activated, the shift register 212 stores a test serial output signal value input to the RFID tag TAG02 at t7 and outputs the test serial output signal as a test serial output signal. Therefore, the test serial output signal is input at the low level at t7, so the test serial output signal transitions from the high level to the low level. Since the test serial output signal is also input to the reset terminal of the slot counter 211, when the test serial output signal maintains a low level, the slot counter 211 remains set to clear the slot counter bit of "111 ...". Output If the slot counter bit is output as "111 ...", the RFID tag TAG02 is deactivated.

마찬가지로, RFID 태그 TAG02의 테스트 시리얼 출력 신호는 RFID 태그 TAG03의 테스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI03로 입력된다. Similarly, the test serial output signal of the RFID tag TAG02 is input to the test serial signal input pad TSI03 of the RFID tag TAG03.

t7에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하면 RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터(212)가 활성화된다. 시프트 레지스터(212)가 활성화되면, 시프트 레지스터(212)는 t7에서 RFID 태그 TAG03로 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. At t7, the shift register 212 of the RFID tag TAG03 is activated when the test clock TCLK transitions from high level to low level. When the shift register 212 is activated, the shift register 212 stores the test serial output signal value input to the RFID tag TAG03 at t7 and outputs the test serial output signal.

실제 회로에서는 테스트 클록 TCLK이 천이하는 시점과 테스트 시리얼 출력 신호가 천이하는 시점 사이에 약간의 딜레이가 발생한다. 즉 t7에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하고 약간의 딜레이 후에 RFID 태그 TAG03에 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값이 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이한다. 따라서 t7에서 RFID 태그 TAG02에 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값은 하이 레벨이므로, RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터(212)는 테스트 시리얼 출력 신호를 하이 레벨로 출력한다.In real circuits, there is a slight delay between the transition of the test clock TCLK and the transition of the test serial output signal. That is, at t7, the test clock TCLK transitions from the high level to the low level, and after a slight delay, the test serial output signal value input to the RFID tag TAG03 transitions from the high level to the low level. Therefore, since the test serial output signal value input to the RFID tag TAG02 at t7 is at the high level, the shift register 212 of the RFID tag TAG03 outputs the test serial output signal at the high level.

테스트 시리얼 출력 신호는 슬롯 카운터(211)의 리셋 단자로도 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨이면 슬롯 카운터(211)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되면 RFID 태그 TAG03가 활성화된다. Since the test serial output signal is also input to the reset terminal of the slot counter 211, when the test serial output signal is at a high level, the slot counter 211 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". When the slot counter bit is output as "000 ...", the RFID tag TAG03 is activated.

t8에서, 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하면 시프트 레지스터(212)가 비활성화된다. 시프트 레지스터(212)는 다음 테스트 클럭 TCLK이 로우 레벨로 입력되어 시프트 레지스터(212)가 활성화될 때까지 테스트 시리얼 출력 신호를 하이 레벨로 출력한다. 그리고 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되면 슬롯 카운터(212)가 리셋되어 "000..."의 슬롯 카운터 비트를 출력한다. 따라서 슬롯 카운터 비트가 "000..."로 출력되므로 RFID 태그 TAG02가 활성화 상태를 유지한다.At t8, the shift register 212 is disabled when the test clock TCLK transitions from low level to high level. The shift register 212 outputs a test serial output signal at a high level until the next test clock TCLK is input low and the shift register 212 is activated. When the test serial output signal is output at a high level, the slot counter 212 is reset to output a slot counter bit of "000 ...". Therefore, the RFID counter TAG02 remains active because the slot counter bit is output as "000 ...".

이상에서 살펴본 것처럼, RFID 태그 TAG04~TAGN에 대해서도 각 RFID 태그를 순차적으로 활성화시키고, 활성화 구간동안 테스트 동작을 수행할 수 있다. 도 15는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 테스트하는 방법을 나타내는 순서도이다.As described above, the RFID tags TAG04 to TAGN may be sequentially activated for each RFID tag, and a test operation may be performed during the activation period. 15 is a flowchart illustrating a method of sequentially testing a plurality of RFID tags according to the first and second embodiments of the present invention.

도 15를 참고하면, RFID 태그 어레이에 포함된 테스트 칩에 전원 전압을 공급하여 테스트 칩을 초기화한다(S101).Referring to FIG. 15, the test chip is initialized by supplying a power voltage to the test chip included in the RFID tag array (S101).

파워 온 리셋 신호를 이용하여 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 리셋한다(S102).The plurality of RFID tags included in the RFID tag array are reset using the power on reset signal (S102).

테스트 칩이 초기화되면, 테스트 칩은 테스트 시리얼 입력 신호를 생성하여 RFID 태그 TAG01로 출력한다(S103).When the test chip is initialized, the test chip generates a test serial input signal and outputs the test serial input signal to the RFID tag TAG01 (S103).

RFID 태그 TAG01가 테스트 시리얼 입력 신호를 입력받으면, RFID 태그 TAG01가 테스트 클록 TCLK에 동기하여 활성화되고, 비활성화되기 전까지의 활성화 구간동안 테스트 동작을 수행한다(S104).When the RFID tag TAG01 receives the test serial input signal, the RFID tag TAG01 is activated in synchronization with the test clock TCLK, and performs a test operation during the activation period until it is deactivated (S104).

RFID 태그 TAG01가 테스트 시리얼 출력 신호를 RFID 태그 TAG02로 출력한다(S105).The RFID tag TAG01 outputs the test serial output signal to the RFID tag TAG02 (S105).

마지막 RFID 태그가 활성화되어 테스트 동작을 완료할 때까지 상기 테스트 시리얼 신호를 다음 RFID 태그로 출력하고 테스트 동작을 수행하는 단계를 반복한다(S106).The step of outputting the test serial signal to the next RFID tag and performing the test operation is repeated until the last RFID tag is activated to complete the test operation (S106).

도 16는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 테스트 입력 버퍼(150)를 나타내는 회로도이다. 16 is a circuit diagram showing a test input buffer 150 according to the first and second embodiments of the present invention.

도 16을 참고하면, 본 발명에 따른 테스트 입력 버퍼(150)는 테스트 입력 신호 TI 및 복조 신호 DEMOD가 논리 소자 OR로 입력된다. Referring to FIG. 16, in the test input buffer 150 according to the present invention, a test input signal TI and a demodulation signal DEMOD are input to a logic element OR.

테스트 입력 신호 TI가 입력되는 논리 소자 OR의 입력 단자와 그라운드 단자 사이에는 패드 저항 Rpd이 병렬로 연결된다. The pad resistor Rpd is connected in parallel between the input terminal of the logic element OR to which the test input signal TI is input and the ground terminal.

패드 저항 Rpd은 테스트 입력 신호 TI가 하이 레벨로 입력되지 않는 경우, 즉 테스트 입력 신호에 노이즈가 발생하여 로우 레벨과 하이 레벨 사이의 레벨로 입력되는 경우, 노이즈가 테스트 입력 버퍼(150)에 입력되지 않도록 입력 신호를 로우 레벨로 바이어스시킨다. 다만 테스트 입력 신호 TI가 하이 레벨로 입력되면, 입력 신호 자체의 구동 능력이 있기 때문에 패드 저항 Rpd에 의해 입력 신호가 로우 레벨로 바이어스되지 않는다.The pad resistor Rpd may not be input to the test input buffer 150 when the test input signal TI is not input at the high level, that is, when noise is generated in the test input signal and is input at a level between the low level and the high level. Bias the input signal to a low level. However, when the test input signal TI is input at the high level, the input signal is not driven to the low level by the pad resistor Rpd because of the driving capability of the input signal itself.

논리 단자 OR는 입력되는 테스트 입력 신호 TI와 복조 신호 DEMOD를 OR 연산한다. 즉 테스트 입력 신호 TI 또는 복조 신호 DEMOD 중 하나가 활성화될 경우 명령 신호 CMD를 활성화시켜 디지털 블록(200)에 출력한다.The logic terminal OR ORs the input test input signal TI and the demodulation signal DEMOD. That is, when one of the test input signal TI or the demodulation signal DEMOD is activated, the command signal CMD is activated and output to the digital block 200.

도 17은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 RFID 태그가 비활성화된 상태에서의 테스트 입력 버퍼(150)의 동작을 나타내는 타이밍도이다.FIG. 17 is a timing diagram illustrating an operation of the test input buffer 150 in a state in which an RFID tag according to the first and second embodiments of the present invention is inactivated.

도 17을 참고하면, 테스트 입력 신호 TI가 로우 레벨로 입력되므로 테스트 동작을 수행할 수 없다. 복조 신호 DEMOD가 입력될 경우, 명령 신호 CMD는 복조 신호 DEMOD에 동기하여 활성화된다. 즉 복조 신호 DEMOD가 하이 레벨로 입력되면 명령 신호 CMD가 하이 레벨로 출력되고, 복조 신호 DEMOD가 로우 레벨로 입력되면 명령 신호 CMD가 로우 레벨로 출력된다.Referring to FIG. 17, a test operation cannot be performed since the test input signal TI is input at a low level. When the demodulation signal DEMOD is input, the command signal CMD is activated in synchronization with the demodulation signal DEMOD. That is, when the demodulation signal DEMOD is input at the high level, the command signal CMD is output at the high level, and when the demodulation signal DEMOD is input at the low level, the command signal CMD is output at the low level.

도 18은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 RFID 태그가 활성화된 상태에서의 테스트 입력 버퍼(150)의 동작을 나타내는 타이밍도이다.18 is a timing diagram illustrating an operation of the test input buffer 150 in a state in which an RFID tag according to the first and second embodiments of the present invention is activated.

도 18을 참고하면, 전원 전압 VDD 및 그라운드 전압 GND이 RFID 태그에 공급된다.Referring to FIG. 18, a power supply voltage VDD and a ground voltage GND are supplied to an RFID tag.

테스트 동작을 수행할 경우, 무선 신호를 수신하지 않는 것이 바람직하므로 복조 신호 DEMOD는 로우 레벨로 입력된다. 그리고 테스트 입력 신호 TI에 동기하여 명령 신호 CMD가 출력된다. 즉 테스트 입력 신호 TI가 하이 레벨로 입력되면 명령 신호 CMD가 하이 레벨로 출력되고, 테스트 입력 신호 TI가 로우 레벨로 입력되면 명령 신호 CMD가 로우 레벨로 출력된다.When the test operation is performed, the demodulation signal DEMOD is input at a low level because it is preferable not to receive the radio signal. The command signal CMD is output in synchronization with the test input signal TI. That is, when the test input signal TI is input at the high level, the command signal CMD is output at the high level, and when the test input signal TI is input at the low level, the command signal CMD is output at the low level.

도 19는 본 발명에 따른 테스트 출력 구동부(170)를 나타내는 회로도이다.19 is a circuit diagram illustrating a test output driver 170 according to the present invention.

도 19를 참고하면, 본 발명에 따른 테스트 출력 구동부(170)는 오픈 드레인 구조를 갖는 NMOS 트랜지스터 N를 포함한다. NMOS 트랜지스터 N는 게이트로 응답 신호 RP가 입력되고, 소스는 그라운드 단자에 연결되며, 드레인은 테스트 신호 출력 패드(14)에 연결된다.Referring to FIG. 19, the test output driver 170 according to the present invention includes an NMOS transistor N having an open drain structure. The NMOS transistor N is gated with a response signal RP, a source is connected to the ground terminal, and a drain is connected to the test signal output pad 14.

응답 신호 RP가 하이 레벨로 입력되면 NMOS 트랜지스터 N가 턴 온되어 소스와 드레인이 도통되므로, 테스트 출력 신호 TO가 로우 레벨로 구동되고, 응답 신호 RP가 로우 레벨로 입력되면 NMOS 트랜지스터 N가 턴 오프되어 소스와 드레인이 차단되므로, 테스트 출력 신호 TO가 하이 레벨로 구동된다.Since the NMOS transistor N is turned on when the response signal RP is input at high level and the source and drain are conducted, the test output signal TO is driven at a low level, and when the response signal RP is input at the low level, the NMOS transistor N is turned off. Since the source and drain are shut off, the test output signal TO is driven to a high level.

도 20은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 테스트 출력 구동부(170)의 동작을 나타내는 타이밍도이다.20 is a timing diagram illustrating an operation of the test output driver 170 according to the first and second embodiments of the present invention.

도 20을 참고하면, 본 발명에 따른 테스트 출력 구동부(170)는 전원 전압 VDD 및 그라운드 전압 GND이 RFID 태그에 공급된다.Referring to FIG. 20, the test output driver 170 according to the present invention is supplied with a power supply voltage VDD and a ground voltage GND to an RFID tag.

응답 신호 RP가 로우 레벨로 입력되면 NMOS 트랜지스터 N가 턴 오프되어 테스트 출력 신호 TO를 하이 레벨로 출력하고, 응답 신호 RP가 하이 레벨로 입력되면 NMOS 트랜지스터 N가 턴 온되어 테스트 출력 신호 TO를 로우 레벨로 출력한다. 즉 테스트 출력 구동부(170)는 응답 신호 RP와 반대 위상을 가지는 테스트 출력 신호 TO를 테스트 신호 출력 패드(14)에 출력한다.When the response signal RP is input at the low level, the NMOS transistor N is turned off to output the test output signal TO at a high level. When the response signal RP is input at the high level, the NMOS transistor N is turned on to bring the test output signal TO to a low level. Will output That is, the test output driver 170 outputs the test output signal TO having the phase opposite to the response signal RP to the test signal output pad 14.

도 21은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.21 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to a third embodiment of the present invention.

도 21을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 RFID 태그는 크게 안테나부(10), 아날로그부(100), 디지털부(200), 테스트 회로(300) 및 메모리(400)를 포함한다.Referring to FIG. 21, an RFID tag according to a third embodiment of the present invention includes an antenna unit 10, an analog unit 100, a digital unit 200, a test circuit 300, and a memory 400. .

안테나부(10)는 RFID 리더로부터 송신된 무선 신호를 수신하는 역할을 한다. 수신된 무선 신호는 안테나 패드(11,12)를 통해 아날로그부(100)로 입력된다. The antenna unit 10 serves to receive a radio signal transmitted from the RFID reader. The received radio signal is input to the analog unit 100 through the antenna pads 11 and 12.

아날로그부(100)는 전압 증폭부(110), 복조부(120), 클록 발생부(130), 파워 온 리셋부(140), 테스트 입력 버퍼(150), 변조부(160), 테스트 출력 구동부(170) 및 시프트 레지스터(180)를 포함한다.The analog unit 100 includes a voltage amplifier 110, a demodulator 120, a clock generator 130, a power-on reset unit 140, a test input buffer 150, a modulator 160, and a test output driver. 170 and shift register 180.

전압 증폭부(110)는 안테나부(10)로부터 인가되는 무선 신호를 정류 및 승압하여 RFID 태그의 구동전압인 전원 전압을 생성한다.The voltage amplifying unit 110 rectifies and boosts a radio signal applied from the antenna unit 10 to generate a power supply voltage which is a driving voltage of the RFID tag.

복조부(120)는 전압 증폭부(110)의 출력전압에 따라 안테나부(10)로부터 입력되는 무선 신호를 복조하여 복조 신호 DEMOD를 생성하고, 생성된 복조 신호 DEMOD를 테스트 입력 버퍼(150)로 출력한다.The demodulator 120 demodulates a radio signal input from the antenna unit 10 according to the output voltage of the voltage amplifier 110 to generate a demodulated signal DEMOD, and converts the generated demodulated signal DEMOD into the test input buffer 150. Output

클록 발생부(130)는 전압 증폭부(110)에서 생성된 전원 전압에 따라 디지털부(200)의 동작을 제어하기 위한 클록 CLK를 디지털부(200)에 공급한다. The clock generator 130 supplies the clock CLK for controlling the operation of the digital unit 200 according to the power voltage generated by the voltage amplifier 110 to the digital unit 200.

파워 온 리셋부(140)는 전압 증폭부(110)에서 생성된 전원 전압을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋 신호 POR를 시프트 레지스터(180) 및 디지털부(200)에 출력한다.The power on reset unit 140 detects a power supply voltage generated by the voltage amplifier 110 and outputs a power on reset signal POR for controlling the reset operation to the shift register 180 and the digital unit 200.

파워 온 리셋 신호 POR는 전원 전압이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하는 동안 전원 전압과 같이 상승하다가, 전원 전압이 전원 전압 레벨 VDD로 공급되는 순간 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하여 RFID 태그 내부의 회로를 리셋시키는 신호를 의미한다. The power-on reset signal POR rises together with the power supply voltage while the power supply voltage transitions from the low level to the high level, and then transitions from the high level to the low level as soon as the power supply voltage is supplied to the power supply voltage level VDD to break the circuit inside the RFID tag. It means the signal to reset.

테스트 입력 버퍼(150)는 테스트 신호 입력 패드(13)를 통해 입력되는 테스트 입력 신호 TI와 복조부(120)로부터 입력되는 복조 신호 DEMOD로부터 동작 명령 신호를 검출하여 명령 신호 CMD를 생성한다.The test input buffer 150 detects an operation command signal from the test input signal TI input through the test signal input pad 13 and the demodulation signal DEMOD input from the demodulator 120 to generate a command signal CMD.

변조부(160)는 디지털부(200)로부터 출력되는 응답 신호 RP를 변조하여 안테나부(10)를 통해 RFID 리더에 전송한다.The modulator 160 modulates the response signal RP output from the digital unit 200 and transmits the modulated response signal RP to the RFID reader through the antenna unit 10.

전원 전압 인가 패드(15)는 웨이퍼 상에서 복수 개의 RFID 태그를 테스트할 때 전원 전압 VDD이 인가되는 패드를 나타내고, 그라운드 전압 인가 패드(16)는 웨이퍼 상에서 복수 개의 RFID 태그를 테스트할 때 그라운드 전압 GND이 인가되는 패드를 나타낸다. The power supply voltage application pad 15 represents a pad to which a power supply voltage VDD is applied when testing a plurality of RFID tags on a wafer, and the ground voltage application pad 16 shows a ground voltage GND when testing a plurality of RFID tags on a wafer. Indicates the pad being applied.

즉 RFID 태그가 RFID 리더와 통신을 하여 무선 신호를 수신하는 경우에는 전압 증폭부(110)가 전원 전압 VDD을 공급하지만, 본 발명에 따라 웨이퍼 상에서 RFID 태그를 테스트하는 경우에는 별도의 전원 전압 인가 패드(15) 및 그라운드 전압 인가 패드(16)를 통해 전원 전압 VDD 및 그라운드 전압 GND을 공급한다.That is, when the RFID tag communicates with the RFID reader to receive a radio signal, the voltage amplifier 110 supplies the power supply voltage VDD. However, when the RFID tag is tested on the wafer according to the present invention, a separate power supply voltage application pad is provided. The power supply voltage VDD and the ground voltage GND are supplied through the 15 and the ground voltage application pad 16.

테스트 출력 구동부(170)는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP를 구동하여 테스트 출력 신호 TO를 생성한다.The test output driver 170 drives the response signal RP input from the digital unit 200 to generate the test output signal TO.

디지털부(200)는 아날로그부(100)로부터 전원 전압, 파워 온 리셋 신호 POR, 클록 CLK 및 명령 신호 CMD를 입력받아 명령 신호 CMD를 해석하고 제어 신호 및 처리신호들을 생성한다. 그리고 제어 신호 및 처리신호에 대응하는 응답 신호 RP를 아날로그부(100)로 출력한다.The digital unit 200 receives a power supply voltage, a power-on reset signal POR, a clock CLK, and a command signal CMD from the analog unit 100 to interpret the command signal CMD and generate control signals and processing signals. The response signal RP corresponding to the control signal and the processing signal is output to the analog unit 100.

테스트 회로(300)는 시프트 레지스터(180)가 활성화되어 생성된 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화된다. 테스트 회로(300)가 활성화되면, 외부로부터 입력되는 어드레스 신호 XADD,XBANK 및 제어 신호 XDD,XCE,XWE,XOE 또는 디지털부(200)로부터 입력되는 어드레스 신호 DADD,DBANK 및 제어 신호 DI,DCE,DWE,DOE에 따라 RFID 태그에 포함된 내부 회로, 즉 아날로그부(100), 디지털부(200) 및 메모리(400)를 테스트한다.The test circuit 300 is activated by the test serial output signal generated by the shift register 180 being activated. When the test circuit 300 is activated, the address signal XADD, XBANK and the control signal XDD, XCE, XWE, XOE or the control signal XADD, DBANK and the control signal DI, DCE, DWE input from the outside are input. According to the DOE, the internal circuits included in the RFID tag, that is, the analog unit 100, the digital unit 200, and the memory 400 are tested.

디지털부(200)는 테스트 신호 입력 패드(13)를 통해 입력된 테스트 입력 신호 TI에 따라 생성된 명령 신호 CMD에 의해 어드레스 신호 DADD,DBANK 및 제어 신호 DI,DCE,DWE,DOE를 생성한다. 테스트 회로(300)는 어드레스 신호 DADD,DBANK 및 제어 신호 DI,DCE,DWE,DOE에 따라 어드레스 신호 ADD,BANK 및 제어 신호 I,CE,WE,OE를 생성하여 메모리(400)를 테스트한다. 테스트 회로(300)는 메모리(400)로부터 테스트 결과인 제어 결과 신호 O를 입력받고 제어 결과 신호 DO를 생성한다. 디지털부(200)는 제어 결과 신호 DO에 따라 응답 신호 RP를 생성하고, 이를 테스트 신호 출력 구동부(170)로 구동하여 테스트 신호 출력 패드(14)를 통해 출력한다.The digital unit 200 generates the address signals DADD, DBANK and the control signals DI, DCE, DWE, DOE by the command signal CMD generated according to the test input signal TI input through the test signal input pad 13. The test circuit 300 generates the address signals ADD, BANK and the control signals I, CE, WE, and OE according to the address signals DADD, DBANK and the control signals DI, DCE, DWE, and DOE to test the memory 400. The test circuit 300 receives a control result signal O which is a test result from the memory 400 and generates a control result signal DO. The digital unit 200 generates a response signal RP according to the control result signal DO, and drives the response signal RP by the test signal output driver 170 to output the test signal through the test signal output pad 14.

테스트 회로(300)는 어드레스 신호 입력 패드(301)를 통해 입력된 어드레스 신호 XADD,XBANK 및 제어 신호 입력 패드(302,303,304,305)를 통해 입력된 제어 신호 XDD,XCE,XWE,XOE에 따라 어드레스 신호 ADD,BANK 및 제어 신호 I,CE,WE,OE를 생성하여 메모리(400)를 테스트한다. 테스트 회로(300)는 메모리(400)로부터 테스트 결과인 제어 결과 신호 O를 입력받고 제어 결과 신호 XDO를 생성한다. 테스트 회로(300)는 제어 결과 신호 XDO를 출력하고, 이를 제어 출력 구동부(171)로 구동하여 제어 신호 출력 패드(306)를 통해 출력한다.The test circuit 300 includes the address signals ADD, XBANK and the control signals XDD, XCE, XWE, and XOE inputted through the address signal input pad 301 and the control signals XDD, XCE, XWE, and XOE inputted through the control signal input pads 302, 303, 304, and 305. And control signals I, CE, WE, and OE to test the memory 400. The test circuit 300 receives a control result signal O which is a test result from the memory 400 and generates a control result signal XDO. The test circuit 300 outputs the control result signal XDO, and drives the control result signal XDO through the control signal output pad 306.

메모리(400)는 복수 개의 메모리 셀을 포함하고, 각각의 메모리 셀은 데이터를 저장 소자에 라이트하고, 저장 소자에 저장된 데이터를 리드하는 역할을 한다.The memory 400 includes a plurality of memory cells, each of which serves to write data to the storage device and to read data stored in the storage device.

메모리(400)는 불휘발성 강유전체 메모리가 사용될 수 있다. FeRAM은 디램 정도의 데이터 처리 속도를 갖는다. 또한, FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 가지고, 커패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 가진다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다.The memory 400 may be a nonvolatile ferroelectric memory. FeRAM has a data processing speed of about DRAM. In addition, FeRAM has a structure almost similar to DRAM, and has a high residual polarization characteristic of the ferroelectric by using a ferroelectric as the material of the capacitor. Due to this residual polarization characteristic, data is not erased even when the electric field is removed.

도 22는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.22 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to a fourth embodiment of the present invention.

도 22를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 RFID 태그는 크게 안테나부(10), 아날로그부(100), 디지털부(200), 테스트 회로(300) 및 메모리(400)를 포함한다.Referring to FIG. 22, an RFID tag according to a fourth embodiment of the present invention includes an antenna unit 10, an analog unit 100, a digital unit 200, a test circuit 300, and a memory 400. .

제 4 실시예의 안테나부, 디지털부(200), 테스트 회로(300) 및 메모리(400)의 구성은 제 3 실시예와 동일하고, 제 4 실시예의 아날로그부(100)는 전압 리미 터(190)를 더 포함한다. 전압 리미터(190)는 전압 증폭부(110)에서 증폭된 전압 또는 외부로부터 공급된 전원 전압이 전원 전압 레벨 VDD보다 순간적으로 높아져서 RFID 태그 내부 회로를 손상시키는 것을 방지하기 위해, 일정 전압 레벨로 전압이 높아지지 않도록 전압의 크기를 제한한다.The configuration of the antenna unit, the digital unit 200, the test circuit 300 and the memory 400 of the fourth embodiment is the same as that of the third embodiment, and the analog unit 100 of the fourth embodiment has a voltage limiter 190. It further includes. The voltage limiter 190 prevents the voltage amplified by the voltage amplification unit 110 or the power supply voltage supplied from the outside from being temporarily higher than the power supply voltage level VDD to damage the internal circuit of the RFID tag. Limit the magnitude of the voltage so that it does not rise.

도 23은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 시프트 레지스터(180)를 나타내는 블록 다이어그램이다.23 is a block diagram showing a shift register 180 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 23을 참고하면, 본 발명의 시프트 레지스터(180)는 시프트 레지스터 회로(185), 정전기 방지부(186) 및 입력 버퍼(187)를 포함한다.Referring to FIG. 23, the shift register 180 of the present invention includes a shift register circuit 185, an antistatic unit 186, and an input buffer 187.

시프트 레지스터 회로(185)는 테스트 칩으로부터 입력되는 테스트 시리얼 입력 신호 또는 다른 RFID 태그로부터 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호의 값을 저장했다가 테스트 클록 TCLK에 의해 시프트 레지스터 회로(185)가 활성화되면 테스트 시리얼 입력 신호 또는 다른 RFID 태그로부터 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호의 값을 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. The shift register circuit 185 stores a value of a test serial input signal input from a test chip or a test serial output signal input from another RFID tag, and then when the shift register circuit 185 is activated by the test clock TCLK, the test serial input Outputs the value of the test serial output signal input from the signal or another RFID tag as a test serial output signal.

시프트 레지스터 회로(185)는 파워 온 리셋부(140)로부터 입력되는 파워 온 리셋 신호 POR 또는 외부로부터 테스트 리셋 신호 입력 패드(184)를 통해 입력되는 테스트 리셋 신호 TRST에 의해 리셋된다. 시프트 레지스터 회로(185)가 리셋되면 입력되는 신호에 관계없이 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력한다.The shift register circuit 185 is reset by the power on reset signal POR input from the power on reset unit 140 or the test reset signal TRST input through the test reset signal input pad 184 from the outside. When the shift register circuit 185 is reset, the test serial output signal is output at a low level regardless of the input signal.

테스트 클록 TCLK은 테스트 클록 입력 패드(181)를 통해 시프트 레지스터(180)로 입력된다. 테스트 클록 입력 패드(181)와 그라운드 단자 사이에는 정전기 방지부(186)가 병렬로 연결된다. The test clock TCLK is input to the shift register 180 through the test clock input pad 181. An antistatic unit 186 is connected in parallel between the test clock input pad 181 and the ground terminal.

정전기 방지부(186)는 NMOS 트랜지스터 ND를 포함한다. NMOS 트랜지스터 ND는 게이트 및 소스가 그라운드 단자에 연결되고, 드레인이 테스트 클록 입력 패드(181)에 연결된다. NMOS 트랜지스터 ND는 게이트가 그라운드 단자에 연결되어 있으므로, 턴 오프된 상태를 유지한다. 하지만 테스트 클록 입력 패드(181)에 정전기가 발생하여 순간적으로 높은 전압이 인가되면, NMOS 트랜지스터 ND가 턴 온되어 그라운드 단자를 통해 전류가 흐르게 된다. 따라서 시프트 레지스터 회로(185)에 고전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.The antistatic part 186 includes an NMOS transistor ND. The NMOS transistor ND has a gate and a source connected to the ground terminal and a drain connected to the test clock input pad 181. The NMOS transistor ND remains turned off because its gate is connected to the ground terminal. However, when static electricity is generated in the test clock input pad 181 and a high voltage is momentarily applied, the NMOS transistor ND is turned on so that current flows through the ground terminal. Therefore, high current can be prevented from flowing to the shift register circuit 185.

입력 버퍼(187)는 파워 온 리셋 신호 POR와 테스트 리셋 신호 TRST를 입력받아 시프트 레지스터 회로(185)의 리셋 단자로 리셋 신호를 출력한다. 입력 버퍼(187)는 오아 논리 소자로 구현될 수 있다. The input buffer 187 receives the power-on reset signal POR and the test reset signal TRST and outputs a reset signal to the reset terminal of the shift register circuit 185. The input buffer 187 may be implemented with a OR logic element.

파워 온 리셋 신호 POR가 하이 레벨로 입력되는 경우, 즉 RFID 태그에 전원 전압이 공급되기 시작할 때 파워 온 리셋 신호가 하이 레벨로 입력되면, 논리 소자 OR는 리셋 신호를 하이 레벨로 출력하여 시프트 레지스터 회로(185)를 리셋한다. 따라서 시프트 레지스터 회로(185)는 입력되는 신호에 관계없이 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력한다.When the power-on reset signal POR is input at a high level, that is, when the power-on reset signal is input at a high level when a power supply voltage is supplied to the RFID tag, the logic element OR outputs a reset signal at a high level so that the shift register circuit is output. Reset (185). Accordingly, the shift register circuit 185 outputs the test serial output signal at a low level regardless of the input signal.

전원 전압이 공급된 이후에 시프트 레지스터 회로(185)를 리셋시키기 위하여 외부로부터 테스트 리셋 신호 TRST가 하이 레벨로 입력되면, 논리 소자OR는 리셋 신호를 하이 레벨로 출력하여 시프트 레지스터 회로(185)를 리셋한다. 따라서 시프트 레지스터 회로(185)는 입력되는 신호에 관계없이 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력한다.If the test reset signal TRST is input to the high level from the outside to reset the shift register circuit 185 after the power supply voltage is supplied, the logic element OR outputs the reset signal to the high level to reset the shift register circuit 185. do. Accordingly, the shift register circuit 185 outputs the test serial output signal at a low level regardless of the input signal.

도 24는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그의 입/출력 패드(500)의 구성을 나타내는 구성도이다.24 is a configuration diagram showing the configuration of the input / output pad 500 of the RFID tag according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 24를 참고하면, 본 발명에 따른 입/출력 패드(500)는 중앙부에 입/출력 회로부(510)를 포함하고, 중앙부 주변 영역에 테스트 신호 입력 패드(13), 테스트 신호 출력 패드(14), 전원 전압 인가 패드(15), 그라운드 전압 인가 패드(16), 테스트 클록 입력 패드(181), 테스트 시리얼 신호 입력 패드(182), 테스트 시리얼 신호 출력 패드(183), 테스트 리셋 신호 입력 패드(184), 어드레스 신호 입력 패드(301), 제어 신호 입력 패드(302,303,304,305) 및 제어 신호 출력 패드(306)가 배열된다. 그리고 중앙부와 주변 영역 사이에 정전기 방지부(520)가 형성되어, 입력 패드에서 발생하는 정전기에 의해 중앙부에 있는 입/출력 회로부(510)가 손상되지 않도록 한다.Referring to FIG. 24, the input / output pad 500 according to the present invention includes an input / output circuit unit 510 at a central portion, and a test signal input pad 13 and a test signal output pad 14 at a central peripheral area. , Power supply voltage applying pad 15, ground voltage applying pad 16, test clock input pad 181, test serial signal input pad 182, test serial signal output pad 183, test reset signal input pad 184 ), An address signal input pad 301, control signal input pads 302, 303, 304, and 305 and a control signal output pad 306 are arranged. An antistatic portion 520 is formed between the central portion and the peripheral region so that the input / output circuit portion 510 in the central portion is not damaged by the static electricity generated from the input pad.

도 25은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그 TAG01에 포함된 시프트 레지스터(180)의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.FIG. 25 is a timing chart showing an operation timing of the shift register 180 included in the RFID tag TAG01 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 25를 참고하면, ti에서 전원 전압 인가 패드(15)를 통해 전원 전압 VDD이 공급되기 시작하면 테스트 칩이 초기화된다. 동시에 파워 온 리셋 신호 POR도 로우 레벨에서 하이 레벨로 초기화된다. 파워 온 리셋 신호 POR는 시프트 레지스터 회로(185)에 입력되어 시프트 레지스터 회로(185)를 리셋한다.Referring to FIG. 25, the test chip is initialized when the power voltage VDD starts to be supplied through the power voltage applying pad 15 at ti. At the same time, the power-on reset signal POR is also initialized from low level to high level. The power on reset signal POR is input to the shift register circuit 185 to reset the shift register circuit 185.

ti에서, 테스트 리셋 신호 TRST가 하이 레벨로 입력되는 경우에도 시프트 레지스터 회로(185)가 리셋된다.At ti, the shift register circuit 185 is reset even when the test reset signal TRST is input at the high level.

t0에서, 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이한다. 즉 테스트 시리얼 입력 신호가 테스트 칩으로부터 RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI01로 입력된다. RFID 태그 TAG01로 입력된 테스트 시리얼 입력 신호는 시프트 레지스터(180)의 시프트 레지스터 회로(185)로 입력된다. At t0, the test serial input signal transitions from low level to high level. That is, the test serial input signal is input from the test chip to the test serial signal input pad TSI01 of the RFID tag TAG01. The test serial input signal input to the RFID tag TAG01 is input to the shift register circuit 185 of the shift register 180.

t1에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 시프트 레지스터 회로(185)는 t1에서의 테스트 시리얼 입력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. t1에서의 테스트 시리얼 입력 신호가 하이 레벨로 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호를 하이 레벨로 출력한다. At t1, when test clock TCLK is input at a high level, shift register circuit 185 stores the test serial input signal value at t1 and outputs it as a test serial output signal. Since the test serial input signal at t1 is input at a high level, the test serial output signal is output at a high level.

시프트 레지스터 회로(185)는 테스트 클록 TCLK에 의해 세트되므로 t1에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되고 다시 t4에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력될 때까지는 테스트 시리얼 출력 신호를 계속 하이 레벨로 출력한다. 따라서 t2에서 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨로 천이하거나 또는 t3에서, 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 천이하더라도, 테스트 시리얼 출력 신호는 하이 레벨로 출력된다. Since the shift register circuit 185 is set by the test clock TCLK, the test serial output signal is continuously output at a high level until the test clock TCLK is input at a high level at t1 and again at a high level at t4. . Thus, even if the test clock TCLK transitions to low level at t2 or at test t3, the test serial output signal is output at high level even if the test serial input signal transitions to low level.

RFID 태그 TAG01를 비활성화시키기 위해서는 테스트 시리얼 입력 신호는 다음 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 출력되기 전에 로우 레벨로 설정되는 것이 바람직하다. 즉 본 발명에서는 t3에서 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 입력되기 시작하지만, 본 발명의 목적을 달성하기 위해서는 t1~t4 사이의 구간에서 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 입력되면 된다.In order to deactivate the RFID tag TAG01, the test serial input signal is preferably set to the low level before the next test clock TCLK is output to the high level. That is, in the present invention, the test serial input signal starts to be input at the low level at t3, but in order to achieve the object of the present invention, the test serial input signal may be input at the low level in the interval between t1 and t4.

테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되면 테스트 회로(300)가 활성화되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되는 동안 테스트 동작을 수행할 수 있다.When the test serial output signal is output at the high level, the test circuit 300 is activated, so that the test operation may be performed while the test serial output signal is output at the high level.

t4에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 시프트 레지스터 회로(185)는 t4에서의 테스트 시리얼 입력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. t4에서 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력한다.At t4, when the test clock TCLK is input at the high level, the shift register circuit 185 stores the test serial input signal value at t4 and outputs it as a test serial output signal. Since the test serial input signal is input at the low level at t4, the test serial output signal is output at the low level.

테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨로 출력되면 테스트 회로(300)가 비활성화되므로, 테스트 동작을 수행할 수 없다.When the test serial output signal is output at a low level, the test circuit 300 is inactivated, and thus a test operation cannot be performed.

도 26은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 복수 개의 RFID 태그가 순차적으로 활성화되는 동작 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.26 is a timing diagram illustrating an operation timing of sequentially activating a plurality of RFID tags according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 26을 참고하면, ti에서 전원 전압 VDD이 공급되기 시작하면 테스트 칩이 초기화된다. 동시에 파워 온 리셋 신호 POR도 로우 레벨에서 하이 레벨로 초기화된다. 파워 온 리셋 신호 PRO는 시프트 레지스터 회로(185)에도 입력되므로 시프트 레지스터 회로(185)도 파워 온 리셋 신호 POR에 의해 초기화된다.Referring to FIG. 26, the test chip is initialized when the power voltage VDD starts to be supplied at ti. At the same time, the power-on reset signal POR is also initialized from low level to high level. Since the power on reset signal PRO is also input to the shift register circuit 185, the shift register circuit 185 is also initialized by the power on reset signal POR.

ti에서, 테스트 리셋 신호 TRST가 하이 레벨로 입력되는 경우에도 시프트 레지스터 회로(185)가 리셋된다.At ti, the shift register circuit 185 is reset even when the test reset signal TRST is input at the high level.

t0에서, 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이한다. 즉 테스트 시리얼 입력 신호가 테스트 칩으로부터 RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI01로 입력된다. RFID 태그 TAG01로 입력된 테스트 시리얼 입력 신호는 시프트 레지스터(180)의 시프트 레지스터 회로(185)로 입력된다. At t0, the test serial input signal transitions from low level to high level. That is, the test serial input signal is input from the test chip to the test serial signal input pad TSI01 of the RFID tag TAG01. The test serial input signal input to the RFID tag TAG01 is input to the shift register circuit 185 of the shift register 180.

t1에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 시프트 레지스터 회 로(185)는 t1에서의 테스트 시리얼 입력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. t1에서의 테스트 시리얼 입력 신호가 하이 레벨로 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호를 하이 레벨로 출력한다. At t1, when test clock TCLK is input at high level, shift register circuit 185 stores the test serial input signal value at t1 and outputs it as a test serial output signal. Since the test serial input signal at t1 is input at a high level, the test serial output signal is output at a high level.

시프트 레지스터 회로(185)는 테스트 클록 TCLK에 의해 세트되므로 t1에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되고 다시 t4에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력될 때까지는 테스트 시리얼 출력 신호를 계속 하이 레벨로 출력한다. 따라서 t2에서 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨로 천이하거나 또는 t3에서, 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 천이하더라도, 테스트 시리얼 출력 신호는 하이 레벨로 출력된다. Since the shift register circuit 185 is set by the test clock TCLK, the test serial output signal is continuously output at a high level until the test clock TCLK is input at a high level at t1 and again at a high level at t4. . Thus, even if the test clock TCLK transitions to low level at t2 or at test t3, the test serial output signal is output at high level even if the test serial input signal transitions to low level.

RFID 태그 TAG01를 비활성화시키기 위해서는 테스트 시리얼 입력 신호는 다음 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 출력되기 전에 로우 레벨로 설정되는 것이 바람직하다. 즉 본 발명에서는 t3에서 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 입력되기 시작하지만, 본 발명의 목적을 달성하기 위해서는 t1~t4 사이의 구간에서 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 입력되면 된다.In order to deactivate the RFID tag TAG01, the test serial input signal is preferably set to the low level before the next test clock TCLK is output to the high level. That is, in the present invention, the test serial input signal starts to be input at the low level at t3, but in order to achieve the object of the present invention, the test serial input signal may be input at the low level in the interval between t1 and t4.

RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되면 테스트 회로(300)가 활성화되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되는 동안 테스트 동작을 수행할 수 있다.When the test serial output signal of the RFID tag TAG01 is output at the high level, the test circuit 300 is activated, so that the test operation may be performed while the test serial output signal is output at the high level.

t4에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 RFID 태그 TAG01의 시프트 레지스터 회로(185)는 t4에서의 테스트 시리얼 입력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. t4에서 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력한다. RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨로 출력되면 테스트 회로(300)가 비활성화되므로, RFID 태그 TAG01이 비활성화된다.At t4, when the test clock TCLK is input at the high level, the shift register circuit 185 of the RFID tag TAG01 stores the test serial input signal value at t4 and outputs it as a test serial output signal. Since the test serial input signal is input at the low level at t4, the test serial output signal is output at the low level. When the test serial output signal of the RFID tag TAG01 is output at a low level, the test circuit 300 is inactivated, and thus the RFID tag TAG01 is inactivated.

한편 RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 출력 신호는 RFID 태그 TAG02의 테스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI02로 입력된다. The test serial output signal of the RFID tag TAG01 is input to the test serial signal input pad TSI02 of the RFID tag TAG02.

t4에서, RFID 태그 TAG02에 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터 회로는 t4에서 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값을 저장했다가 RFID 태그 TAG02의 테스트 시리얼 신호 출력 패드 TSO02를 통해 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. At t4, when the test clock TCLK is input to the RFID tag TAG02 at a high level, the shift register circuit of the RFID tag TAG02 stores the test serial output signal value input at t4 and then tests it with the test serial signal output pad TSO02 of the RFID tag TAG02. Output via serial output signal.

t4에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 RFID 태그 TAG01의 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 출력된다. 실제 회로에서는 테스트 클록 TCLK이 천이하는 순간과 테스트 시리얼 출력 신호가 천이하는 시점 사이에 약간의 딜레이가 발생한다. t4에서 RFID 태그 TAG02에 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값은 하이 레벨이므로, RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터 회로는 하이 레벨 값을 저장했다가 RFID 태그 TAG02의 출력 패드 TSO02를 통해 하이 레벨의 테스트 출력 신호를 출력한다.At t4, when the test clock TCLK is input at the high level, the test serial output signal of the RFID tag TAG01 is output from the high level to the low level. In a real circuit, there will be a slight delay between the instant the test clock TCLK transitions and the test serial output signal transitions. Since the test serial output signal value input to the RFID tag TAG02 at t4 is high level, the shift register circuit of the RFID tag TAG02 stores the high level value and outputs the high level test output signal through the output pad TSO02 of the RFID tag TAG02. do.

RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터로부터 출력되는 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되면 RFID 태그 TAG02의 테스트 회로가 활성화되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되는 동안 테스트 동작을 수행할 수 있다.When the test serial output signal output from the shift register of the RFID tag TAG02 is output at the high level, the test circuit of the RFID tag TAG02 is activated, so that the test operation may be performed while the test serial output signal is output at the high level.

RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터 회로는 테스트 클록 TCLK에 의해 세트되 므로 t4에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되고 다시 t6에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력될 때까지는 테스트 시리얼 출력 신호를 계속 하이 레벨로 출력한다. 따라서 t5에서 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨로 천이하더라도 RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터로부터 출력되는 테스트 시리얼 출력 신호는 t6까지 하이 레벨을 유지한다.Since the shift register circuit of the RFID tag TAG02 is set by the test clock TCLK, the test serial output signal continues to the high level until the test clock TCLK is input at high level at t4 and again at the high level at t6. Output Thus, even when the test clock TCLK transitions to a low level at t5, the test serial output signal output from the shift register of the RFID tag TAG02 remains at a high level until t6.

t6에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터 회로는 t6에서 RFID 태그 TAG02로 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. t6에서 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력한다.At t6, when the test clock TCLK is input at the high level, the shift register circuit of the RFID tag TAG02 stores the test serial output signal value input to the RFID tag TAG02 at t6 and outputs it as a test serial output signal. Since the test serial input signal is input at the low level at t6, the test serial output signal is output at the low level.

RFID 태그 TAG02의 시프트 레지스터 회로로부터 테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨로 출력되면 테스트 회로(300)가 비활성화되므로, RFID 태그 TAG02가 비활성화된다.When the test serial output signal is output at a low level from the shift register circuit of the RFID tag TAG02, the test circuit 300 is inactivated, so that the RFID tag TAG02 is inactivated.

RFID 태그 TAG02의 테스트 시리얼 출력 신호는 RFID 태그 TAG03의 테스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI02로도 입력된다. The test serial output signal of the RFID tag TAG02 is also input to the test serial signal input pad TSI02 of the RFID tag TAG03.

t6에서, RFID 태그 TAG03에 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터 회로는 t6에서 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값을 저장했다가 RFID 태그 TAG03의 테스트 시리얼 신호 출력 패드 TSO03를 통해 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. At t6, when the test clock TCLK is input to the RFID tag TAG03 at a high level, the shift register circuit of the RFID tag TAG03 stores the test serial output signal value input at t6 and then tests it with the test serial signal output pad TSO03 of the RFID tag TAG03. Output via serial output signal.

t6에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 RFID 태그 TAG02의 테스 트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨에서 로우 레벨로 출력된다. 실제 회로에서는 테스트 클록 TCLK이 천이하는 순간과 테스트 시리얼 출력 신호가 천이하는 시점 사이에 약간의 딜레이가 발생한다. t6에서 RFID 태그 TAG03에 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값은 하이 레벨이므로, RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터 회로는 하이 레벨 값을 저장했다가 RFID 태그 TAG03의 출력 패드 TSO03를 통해 하이 레벨의 테스트 출력 신호를 출력한다.At t6, when the test clock TCLK is input at the high level, the test serial output signal of the RFID tag TAG02 is output from the high level to the low level. In a real circuit, there will be a slight delay between the instant the test clock TCLK transitions and the test serial output signal transitions. Since the test serial output signal value input to the RFID tag TAG03 at t6 is high level, the shift register circuit of the RFID tag TAG03 stores the high level value and outputs a high level test output signal through the output pad TSO03 of the RFID tag TAG03. do.

RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터로부터 출력되는 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되면 RFID 태그 TAG03의 테스트 회로가 활성화되므로, 테스트 시리얼 출력 신호가 하이 레벨로 출력되는 동안 테스트 동작을 수행할 수 있다.When the test serial output signal output from the shift register of the RFID tag TAG03 is output at the high level, the test circuit of the RFID tag TAG03 is activated, so that the test operation may be performed while the test serial output signal is output at the high level.

RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터 회로는 테스트 클록 TCLK에 의해 세트되므로 t6에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되고 다시 t8에서 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력될 때까지는 테스트 시리얼 출력 신호를 계속 하이 레벨로 출력한다. 따라서 t7에서 테스트 클록 TCLK이 로우 레벨로 천이하더라도 RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터로부터 출력되는 테스트 시리얼 출력 신호는 t8까지 하이 레벨을 유지한다.The shift register circuit of the RFID tag TAG03 is set by the test clock TCLK, so the test serial output signal continues to be at a high level until the test clock TCLK is input at high level at t6 and again at high level at t8. do. Thus, even when the test clock TCLK transitions to a low level at t7, the test serial output signal output from the shift register of the RFID tag TAG03 remains at a high level until t8.

t8에서, 테스트 클록 TCLK이 하이 레벨로 입력되면 RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터 회로는 t8에서 RFID 태그 TAG03로 입력되는 테스트 시리얼 출력 신호 값을 저장했다가 테스트 시리얼 출력 신호로 출력한다. t8에서 테스트 시리얼 입력 신호가 로우 레벨로 입력되므로, 테스트 시리얼 출력 신호를 로우 레벨로 출력한다.At t8, when the test clock TCLK is input at the high level, the shift register circuit of the RFID tag TAG03 stores the test serial output signal value input to the RFID tag TAG03 at t8 and outputs it as a test serial output signal. Since the test serial input signal is input at the low level at t8, the test serial output signal is output at the low level.

RFID 태그 TAG03의 시프트 레지스터 회로로부터 테스트 시리얼 출력 신호가 로우 레벨로 출력되면 테스트 회로(300)가 비활성화되므로, RFID 태그 TAG03가 비활성화된다.When the test serial output signal is output at a low level from the shift register circuit of the RFID tag TAG03, the test circuit 300 is inactivated, and thus the RFID tag TAG03 is inactivated.

마찬가지로, RFID 태그 TAG03의 테스트 시리얼 출력 신호는 RFID 태그 TAG04의 테스트 시리얼 신호 입력 패드 TSI04로 입력된다. 그리고 상기와 같이 순차적으로 RFID 태그 TAG04~TAGN를 활성화시키고, 활성화 구간동안 테스트 동작을 수행할 수 있다.Similarly, the test serial output signal of the RFID tag TAG03 is input to the test serial signal input pad TSI04 of the RFID tag TAG04. As described above, the RFID tags TAG04 to TAGN may be sequentially activated, and a test operation may be performed during the activation period.

활성화 구간 동안의 테스트 동작은 다음과 같이 이루어진다. The test operation during the activation interval is performed as follows.

테스트 동작은 RFID 태그의 사용자의 의도에 따라 아날로그부(100), 디지털부(200) 또는 메모리(400)에 수행될 수 있다. 예를 들어, 메모리(400)에 대해 테스트 동작을 수행할 경우, 메모리(400)에 리셋 데이터를 라이트한다. 그리고 입/출력 패드를 통해 테스트 입력 신호 TI가 입력된다. 테스트 입력 신호 TI는 테스트 입력 버퍼(150)에 입력되어 명령 신호 CMD를 생성한다. 명령 신호 CMD에는 RFID 태그에 라이트된 데이터를 리드하도록 동작하는 신호가 포함된다. The test operation may be performed on the analog unit 100, the digital unit 200, or the memory 400 according to the intention of the user of the RFID tag. For example, when performing a test operation on the memory 400, reset data is written to the memory 400. The test input signal TI is input through the input / output pads. The test input signal TI is input to the test input buffer 150 to generate a command signal CMD. The command signal CMD includes a signal operative to read data written to the RFID tag.

테스트 회로(300)는 명령 신호 CMD에 따라 제어 신호 CTR를 이용하여 메모리(400)에 라이트된 데이터를 리드한다. 테스트 회로(300)에서 생성되는 응답 신호 RP는 리드된 데이터에 대한 정보를 포함한다. 응답 신호 RP는 테스트 출력 구동부(170)에 의해 구동되어 테스트 출력 신호 TO의 형태로 테스트 신호 출력 패드(14)를 통해 출력된다. 테스트 출력 신호 TO로부터 리드된 데이터에 대한 정보를 얻고, RFID 태그 외부의 테스트 장비(도시되지 않음)는 리드된 데이터와 라이트된 데이터와 일치하는지 여부를 비교한다. 리드된 데이터와 라이트된 데이터가 일치하면 정상으로 판정하고, 일치하지 않으면 불량으로 판정함으로써 테스트 동작을 완료한다.The test circuit 300 reads the data written to the memory 400 using the control signal CTR according to the command signal CMD. The response signal RP generated by the test circuit 300 includes information about the read data. The response signal RP is driven by the test output driver 170 and output through the test signal output pad 14 in the form of the test output signal TO. Obtaining information about the data read from the test output signal TO, test equipment (not shown) outside the RFID tag compares the read data with the written data or not. If the read data and the written data match, it is determined to be normal, and if not, the test operation is completed by determining as bad.

도 27은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 테스트하는 방법을 나타내는 순서도이다.FIG. 27 is a flowchart illustrating a method of sequentially testing a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to third and fourth embodiments of the present invention.

도 27을 참고하면, RFID 태그 어레이에 포함된 테스트 칩에 전원 전압을 공급하여 테스트 칩을 초기화한다(S101).Referring to FIG. 27, the test chip is initialized by supplying a power voltage to the test chip included in the RFID tag array (S101).

파워 온 리셋 신호를 이용하여 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 리셋한다(S102).The plurality of RFID tags included in the RFID tag array are reset using the power on reset signal (S102).

테스트 칩이 초기화되면, 테스트 칩은 테스트 시리얼 입력 신호를 생성하여 RFID 태그 TAG01로 출력한다(S103).When the test chip is initialized, the test chip generates a test serial input signal and outputs the test serial input signal to the RFID tag TAG01 (S103).

RFID 태그 TAG01가 테스트 시리얼 입력 신호를 입력받으면, RFID 태그 TAG01가 테스트 클록 TCLK에 동기하여 활성화되고, 비활성화되기 전까지의 활성화 구간동안 테스트 동작을 수행한다(S104).When the RFID tag TAG01 receives the test serial input signal, the RFID tag TAG01 is activated in synchronization with the test clock TCLK, and performs a test operation during the activation period until it is deactivated (S104).

RFID 태그 TAG01가 테스트 시리얼 출력 신호를 RFID 태그 TAG02로 출력한다(S105).The RFID tag TAG01 outputs the test serial output signal to the RFID tag TAG02 (S105).

마지막 RFID 태그가 활성화되어 테스트 동작을 완료할 때까지 상기 테스트 시리얼 신호를 다음 RFID 태그로 출력하고 테스트 동작을 수행하는 단계를 반복한다(S106).The step of outputting the test serial signal to the next RFID tag and performing the test operation is repeated until the last RFID tag is activated to complete the test operation (S106).

도 28은 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그 각 각을 테스트하는 제 1 실시예를 나타내는 순서도이다.28 is a flowchart illustrating a first embodiment in which each of the plurality of RFID tags included in the RFID tag array according to the present invention is tested.

도 28을 참고하면, RFID 태그가 활성화된 상태에서 상기 단계 S104의 구체적인 테스트 동작은 다음과 같이 수행될 수 있다. Referring to FIG. 28, the detailed test operation of step S104 in the state where the RFID tag is activated may be performed as follows.

RFID 태그가 활성화되면 RFID 태그의 테스트 신호 입력 패드(13)를 통해 테스트 입력 신호 TI를 입력한다(S104-1).When the RFID tag is activated, the test input signal TI is input through the test signal input pad 13 of the RFID tag (S104-1).

테스트 입력 신호 TI에 의해 테스트 회로(300)가 테스트 동작을 수행하고, 테스트 결과 신호 TXO를 테스트 출력 구동부(170)로 출력한다(S104-2).The test circuit 300 performs a test operation by the test input signal TI, and outputs the test result signal TXO to the test output driver 170 (S104-2).

테스트 출력 구동부(170)는 테스트 결과 신호 TXO를 구동하여 테스트 출력 신호 TO를 생성한 후 테스트 신호 출력 패드(14)를 통해 외부로 출력한다(S104-3).The test output driver 170 generates a test output signal TO by driving the test result signal TXO and outputs the test output signal TO to the outside through the test signal output pad 14 (S104-3).

외부의 테스트 장치는 테스트 입력 신호 TI와 테스트 출력 신호 TO를 비교하여 RFID 태그가 정상적으로 동작하는지 확인한다(S104-4).The external test apparatus compares the test input signal TI and the test output signal TO to check whether the RFID tag operates normally (S104-4).

도 29는 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그 각각을 테스트하는 제 2 실시예를 나타내는 순서도이다.29 is a flowchart illustrating a second embodiment of testing each of a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to the present invention.

도 29를 참고하면, RFID 태그가 활성화된 상태에서 상기 단계 S104의 구체적인 테스트 동작은 다음과 같이 수행될 수 있다. Referring to FIG. 29, a detailed test operation of step S104 in the state where the RFID tag is activated may be performed as follows.

RFID 태그가 활성화되면 RFID 태그의 어드레스 신호 입력 패드(301) 및 제어 신호 입력 패드(302,303,304,305)를 통해 어드레스 신호 XADD,XBANK 및 제어 신호 XDD,XCE,XWE,XOE를 입력한다(S104-1).When the RFID tag is activated, the address signals XADD, XBANK and the control signals XDD, XCE, XWE, and XOE are input through the address signal input pad 301 and the control signal input pads 302, 303, 304 and 305 of the RFID tag (S104-1).

테스트 회로(300)는 어드레스 신호 XADD,XBANK 및 제어 신호 XDD,XCE,XWE,XOE에 따라 테스트 동작을 수행하고, 제어 결과 신호 XDO를 제어 신호 출력 구동부(171)로 출력한다(S104-2).The test circuit 300 performs a test operation according to the address signals XADD, XBANK and the control signals XDD, XCE, XWE, and XOE, and outputs the control result signal XDO to the control signal output driver 171 (S104-2).

제어 신호 출력 구동부(171)는 제어 결과 신호 XDO를 구동하여 제어 출력 신호 XO를 생성한 후 제어 신호 출력 패드(306)를 통해 외부로 출력한다(S104-3).The control signal output driver 171 drives the control result signal XDO to generate the control output signal XO and then outputs the result to the outside through the control signal output pad 306 (S104-3).

외부의 테스트 장치는 어드레스 신호 XADD,XBANK 및 제어 신호 XDD,XCE,XWE,XOE와 제어 출력 신호 XO를 비교하여 RFID 태그가 정상적으로 동작하는지 확인한다(S104-4).The external test apparatus compares the address signals XADD, XBANK and the control signals XDD, XCE, XWE, XOE with the control output signal XO to check whether the RFID tag is normally operated (S104-4).

도 30은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 테스트 입력 버퍼(150)를 나타내는 회로도이다.30 is a circuit diagram showing a test input buffer 150 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 30을 참고하면, 본 발명의 테스트 입력 버퍼(150)는 복조부(120)로부터 복조 신호 DEMOD가 입력되고, 외부로부터 테스트 입력 신호 TI가 입력되며,시프트 레지스터(180)로부터 테스트 시리얼 출력 신호가 입력된다.Referring to FIG. 30, in the test input buffer 150 of the present invention, a demodulation signal DEMOD is input from the demodulator 120, a test input signal TI is input from the outside, and a test serial output signal is output from the shift register 180. Is entered.

테스트 입력 신호 TI 및 테스트 출력 신호는 논리 소자 AND로 입력된다. 논리 소자 AND는 테스트 입력 신호 TI 및 테스트 출력 신호에 대하여 앤드(And) 연산을 수행한다. The test input signal TI and the test output signal are input to the logic element AND. The logic element AND performs an AND operation on the test input signal TI and the test output signal.

논리 소자 OR는 복조 신호 DEMOD 및 논리 소자 AND로부터 입력되는 신호를 입력받아 오아(Or) 연산을 수행하여 명령 신호 CMD를 생성한다. 명령 신호 CMD는 디지털부(200)로 출력된다.The logic element OR receives a signal input from the demodulation signal DEMOD and the logic element AND and performs an OR operation to generate a command signal CMD. The command signal CMD is output to the digital unit 200.

도 31은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그가 비활성화된 상태에서의 테스트 입력 버퍼(150)의 동작을 나타내는 타이밍도이다.FIG. 31 is a timing diagram illustrating an operation of the test input buffer 150 in a state where an RFID tag is inactivated according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 31을 참고하면, RFID 태그는 비활성화 상태므로 테스트 동작을 수행할 수 없다. 테스트 동작을 수행할 수 없으므로 테스트 입력 신호 TI도 로우 레벨로 입력된다. Referring to FIG. 31, the RFID tag is inactive and thus cannot perform a test operation. Since the test operation cannot be performed, the test input signal TI is also input at the low level.

테스트 입력 신호 TI가 로우 레벨로 입력되면 논리 소자 AND는 앤드 연산을 수행하여 로우 레벨의 신호를 출력한다. When the test input signal TI is input at the low level, the logic element AND performs an AND operation to output a low level signal.

논리 소자 OR는 오아 연산을 수행하고, 논리 소자 AND로부터 입력되는 신호가 로우 레벨이므로 복조 신호 DEMOD에 따라 명령 신호 CMD를 생성한다. 즉 복조 신호 DEMOD가 하이 레벨로 입력되면 명령 신호 CMD를 하이 레벨로 출력하고, 복조 신호 DEMOD가 로우 레벨로 입력되면 명령 신호 CMD를 로우 레벨로 출력한다. The logic element OR performs an OR operation and generates a command signal CMD according to the demodulation signal DEMOD since the signal input from the logic element AND is at a low level. That is, when the demodulation signal DEMOD is input at a high level, the command signal CMD is output at a high level, and when the demodulation signal DEMOD is input at a low level, the command signal CMD is output at a low level.

도 32는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그가 활성화된 상태에서의 테스트 입력 버퍼(150)의 동작을 나타내는 타이밍도이다.32 is a timing diagram illustrating an operation of the test input buffer 150 in the state where the RFID tag according to the third and fourth embodiments of the present invention is activated.

도 32를 참고하면, RFID 태그가 활성화된 상태이므로 테스트 입력 신호에 의해 테스트를 수행할 수 있다. RFID 태그가 활성화된 상태이므로 전원 전압이 전원 전압 레벨 VDD로 공급되고, 그라운드 전압이 그라운드 전압 레벨 GND로 공급된다. Referring to FIG. 32, since an RFID tag is activated, a test may be performed by a test input signal. Since the RFID tag is activated, the power supply voltage is supplied to the power supply voltage level VDD, and the ground voltage is supplied to the ground voltage level GND.

테스트 입력 신호 TI가 로우 레벨로 입력되면 논리 소자 AND는 앤드 연산을 수행하여 로우 레벨의 신호를 출력한다. When the test input signal TI is input at the low level, the logic element AND performs an AND operation to output a low level signal.

RFID 태그가 활성화된 상태이므로 테스트 출력 신호가 하이 레벨로 논리 소자 AND에 입력되고, 논리 소자 AND는 앤드 연산을 수행하므로 테스트 입력 신호 TI에 동기하는 신호가 논리 소자 AND로부터 출력된다. Since the RFID tag is activated, the test output signal is input to the logic element AND at a high level, and the logic element AND performs an AND operation, so that a signal synchronized with the test input signal TI is output from the logic element AND.

테스트 동작을 수행하는 동안은 복조 신호 DEMOD가 로우 레벨로 입력되고, 논리 소자 OR는 복조 신호 DEMOD 및 논리 소자 AND의 출력 신호를 오아 연산하여 명령 신호 CMD를 생성한다. 즉 테스트 입력 신호 TI가 하이 레벨로 입력되면 명령 신호 CMD를 하이 레벨로 출력하고, 테스트 입력 신호 TI가 로우 레벨로 입력되면 명령 신호 CMD를 로우 레벨로 출력한다.During the test operation, the demodulation signal DEMOD is input at a low level, and the logic element OR generates a command signal CMD by performing a round operation on the demodulation signal DEMOD and an output signal of the logic element AND. That is, when the test input signal TI is input at a high level, the command signal CMD is output at a high level, and when the test input signal TI is input at a low level, the command signal CMD is output at a low level.

도 33은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 입/출력 회로부(510)를 나타내는 회로도이다.33 is a circuit diagram illustrating the input / output circuit unit 510 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 33을 참고하면, 입/출력 회로부(510)는 테스트 출력 구동부(170), 제어 출력 구동부(171), 어드레스 신호 입/출력부(172) 및 제어 신호 입/출력부(173,174,175)를 포함한다.Referring to FIG. 33, the input / output circuit unit 510 includes a test output driver 170, a control output driver 171, an address signal input / output unit 172, and a control signal input / output unit 173, 174, 175. .

테스트 출력 구동부(170)는 풀업 구동부 PU_T 및 구동부 DRV_T를 포함한다. 풀업 구동부 PU_T는 그라운드 단자에 연결되어 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP를 풀업 구동한다. 구동부 DRV_T는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP를 구동하여 테스트 출력 신호 TO를 생성한 후 테스트 신호 출력 패드(14)을 통해 외부로 출력한다.The test output driver 170 includes a pull-up driver PU_T and a driver DRV_T. The pull-up driving unit PU_T is connected to the ground terminal to pull up the response signal RP input from the digital unit 200. The driver DRV_T generates the test output signal TO by driving the response signal RP input from the digital unit 200 and outputs the test output signal TO to the outside through the test signal output pad 14.

제어 출력 구동부(171)는 풀업 구동부 PU_X 및 구동부 DRV_X를 포함한다. 풀업 구동부 PU_X는 제어 신호 입력 패드(305)를 통해 입력되는 제어 신호 XOE에 따라 제어 결과 신호 XDO를 선택적으로 풀업 구동한다. 구동부 DRV_X는 제어 신호 입/출력부(174)로부터 출력되는 제어 결과 신호 XDO를 구동하여 제어 출력 신호 XO를 생성한 후 제어 신호 출력 패드(306)를 통해 외부로 출력한다.The control output driver 171 includes a pull-up driver PU_X and a driver DRV_X. The pull-up driver PU_X selectively pulls-up the control result signal XDO according to the control signal XOE input through the control signal input pad 305. The driver DRV_X drives the control result signal XDO output from the control signal input / output unit 174 to generate the control output signal XO and then outputs the result to the outside through the control signal output pad 306.

어드레스 신호 입/출력부(172)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되고, 각각의 논리 소자 OR는 외부로부터 어드레스 신호 XADD를, 디지털부(200)로부 터 어드레스 신호 DADD를, 시프트 레지스터(180)로부터 테스트 시리얼 출력 신호를 입력받아 어드레스 신호 ADD를 생성하고, 어드레스 신호 ADD를 메모리(400)로 출력한다.In the address signal input / output unit 172, a plurality of logic elements OR are connected in parallel, and each logic element OR receives an address signal XADD from the outside, an address signal DADD from the digital unit 200, and a shift register 180. In response to the test serial output signal, the address signal ADD is generated and the address signal ADD is output to the memory 400.

제어 신호 입/출력부(173)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되고, 각각의 논리 소자 OR는 외부로부터 제어 신호 XDI를, 디지털부(200)로부터 제어 신호 DI를, 시프트 레지스터(180)로부터 테스트 시리얼 출력 신호를 입력받아 제어 신호 I를 생성하고, 제어 신호 I를 메모리(400)로 출력한다.The control signal input / output unit 173 has a plurality of logic elements OR connected in parallel, and each logic element OR connects the control signal XDI from the outside, the control signal DI from the digital unit 200, and the shift register 180. The test serial output signal is received from the control signal I, and the control signal I is output to the memory 400.

제어 신호 입/출력부(174)는 복수 개의 논리 소자 XOR가 병렬로 연결되고, 각각의 논리 소자 XOR는 메모리(400)로부터 제어 신호 O를, 시프트 레지스터(180)로부터 테스트 시리얼 출력 신호를 입력받아 제어 결과 신호 XDO를 생성하고, 제어 결과 신호 XDO를 제어 출력 구동부(171)로 출력한다.The control signal input / output unit 174 has a plurality of logic elements XOR connected in parallel, and each logic element XOR receives a control signal O from the memory 400 and a test serial output signal from the shift register 180. The control result signal XDO is generated, and the control result signal XDO is output to the control output driver 171.

제어 신호 입/출력부(175)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되고, 디지털부(200)로부터 제어 신호 DCE,DWE,DOE를, 외부로부터 제어 신호 XCE,XWE,XOE를 입력받아 제어 신호 CE,WE,OE를 생성하고, 제어 신호 CE,WE,OE를 메모리(400)로 출력한다.The control signal input / output unit 175 has a plurality of logic elements OR connected in parallel, and receives a control signal DCE, DWE, DOE from the digital unit 200, and a control signal XCE, XWE, XOE from the outside. The CE, WE, OE are generated and the control signals CE, WE, OE are output to the memory 400.

도 34는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 테스트 출력 구동부(170)를 나타내는 회로도이다.34 is a circuit diagram illustrating the test output driver 170 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 34를 참고하면, 본 발명에 따른 테스트 출력 구동부(170)는 풀업 구동부 PU_T 및 구동부 DRV_T를 포함한다. Referring to FIG. 34, the test output driver 170 according to the present invention includes a pull-up driver PU_T and a driver DRV_T.

풀업 구동부 PU_T는 PMOS 트랜지스터로 구성된다. PMOS 트랜지스터는 게이트 로 그라운드 전압 인가 패드(16)를 통해 그라운드 전압 GND이 인가되고, 드레인으로 전원 전압 인가 패드(15)를 통해 전원 전압 VDD이 공급되며, 소스가 구동부 DRV_T의 입력 단자에 연결된다. PMOS 트랜지스터의 게이트에 그라운드 전압이 인가되므로, PMOS 트랜지스터는 턴 온 상태를 유지한다. 따라서 풀업 구동부 PU_T는 구동부 DRV_T로 입력되는 응답 신호 RP를 풀업 구동한다.The pull-up driver PU_T consists of a PMOS transistor. The PMOS transistor is applied with a ground voltage GND through a gate low ground voltage applying pad 16, a power supply voltage VDD is supplied through a power supply voltage applying pad 15 as a drain, and a source is connected to an input terminal of the driver DRV_T. Since the ground voltage is applied to the gate of the PMOS transistor, the PMOS transistor remains turned on. Accordingly, the pull-up driver PU_T pulls up the response signal RP input to the driver DRV_T.

풀업 구동부 PU_T가 항상 활성화되어 있으므로 구동부 DRV_T는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP를 구동하여 테스트 출력 신호 TO를 생성한 후 테스트 신호 출력 패드(14)를 통해 출력한다.Since the pull-up driver PU_T is always activated, the driver DRV_T generates a test output signal TO by driving the response signal RP input from the digital unit 200 and outputs the test output signal TO through the test signal output pad 14.

도 35는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 테스트 출력 구동부(170)의 동작을 나타내는 타이밍도이다.35 is a timing diagram illustrating an operation of the test output driver 170 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 35를 참고하면, 본 발명에 따른 테스트 출력 구동부(170)는 풀업 구동부 PU_T에 의하여 전원 전압 레벨 VDD의 풀업 전압이 구동부 DRV_T의 입력 단자에 공급된다. 따라서 풀업 전압을 이용하여 구동부 DRV_T는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP를 테스트 출력 신호 TO로 구동한다.Referring to FIG. 35, the test output driver 170 according to the present invention is supplied with the pull-up voltage of the power supply voltage level VDD to the input terminal of the driver DRV_T by the pull-up driver PU_T. Therefore, using the pull-up voltage, the driver DRV_T drives the response signal RP input from the digital unit 200 as the test output signal TO.

구동부 DRV_T는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP가 로우 레벨로 입력되면 테스트 출력 신호 TO를 로우 레벨로 구동하고, 응답 신호 RP가 하이 레벨로 입력되면 테스트 출력 신호 TO를 하이 레벨로 구동한다. The driver DRV_T drives the test output signal TO to a low level when the response signal RP input from the digital unit 200 is input at a low level, and drives the test output signal TO to a high level when the response signal RP is input to a high level. .

도 36은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 출력 구동부(171)를 나타내는 회로도이다.36 is a circuit diagram showing the control output driver 171 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 36을 참고하면, 본 발명에 따른 제어 출력 구동부(171)는 풀업 구동부 PU_X 및 구동부 DRV_X를 포함한다.Referring to FIG. 36, the control output driver 171 according to the present invention includes a pull-up driver PU_X and a driver DRV_X.

풀업 구동부 PU_X는 PMOS 트랜지스터로 구성된다. PMOS 트랜지스터는 게이트로 제어 신호 입력 패드(305)를 통해 제어 신호 XOE가 입력되고, 드레인으로 전원 전압 VDD이 공급되며, 소스가 구동부 DRV_X의 입력 단자에 연결된다. The pull-up driver PU_X is composed of a PMOS transistor. The PMOS transistor is inputted with a control signal XOE through a control signal input pad 305 to a gate, a power supply voltage VDD is supplied to a drain, and a source is connected to an input terminal of the driver DRV_X.

제어 신호 XOE가 하이 레벨로 입력되면, PMOS 트랜지스터가 턴 오프되어 전원 전압 VDD의 공급이 차단되므로 풀업 구동부 PU_X는 구동부 DRV_X로 입력되는 제어 결과 신호 XDO를 풀업 구동하지 못한다. When the control signal XOE is input at the high level, the PMOS transistor is turned off and the supply of the power supply voltage VDD is cut off, so the pull-up driver PU_X does not pull-up the control result signal XDO input to the driver DRV_X.

제어 신호 XOE가 로우 레벨로 입력되면, PMOS 트랜지스터가 턴 온되므로 전원 전압 VDD이 구동부 DRV_X의 입력 단자에 공급되어 제어 결과 신호 XDO를 풀업 구동한다. 따라서 제어 결과 신호 XDO가 로우 레벨로 입력되더라도 제어 신호 XOE가 로우 레벨로 입력되면 제어 결과 신호 XDO가 풀업되어 하이 레벨로 리셋된다.When the control signal XOE is input at the low level, since the PMOS transistor is turned on, the power supply voltage VDD is supplied to the input terminal of the driver DRV_X to pull up the control result signal XDO. Therefore, even when the control result signal XDO is input at the low level, when the control signal XOE is input at the low level, the control result signal XDO is pulled up and reset to the high level.

구동부 DRV_X는 디지털부(200)로부터 입력되는 제어 결과 신호 XDO를 구동하여 제어 출력 신호 XO를 생성하고, 제어 출력 신호 XO를 제어 신호 출력 패드(306)를 통해 외부로 출력한다. The driver DRV_X drives the control result signal XDO input from the digital unit 200 to generate the control output signal XO, and outputs the control output signal XO to the outside through the control signal output pad 306.

제어 신호 XOE가 로우 레벨로 입력되면 풀업 구동부 PU_X가 활성화되어 제어 결과 신호 XDO가 하이 레벨로 리셋되므로 구동부 DRV_X는 제어 결과 신호 XDO를 구동하고, 제어 신호 XOE가 하이 레벨로 입력되면 풀업 구동부 PU_X가 비활성화되므로 구동부 DRV_X는 제어 결과 신호 XDO를 풀업 구동하지 않는다.When the control signal XOE is input at the low level, the pull-up driver PU_X is activated and the control result signal XDO is reset to the high level. Therefore, the driver DRV_X drives the control result signal XDO. When the control signal XOE is input at the high level, the pull-up driver PU_X is deactivated. Therefore, the driver DRV_X does not pull up the control result signal XDO.

도 37은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 출력 구동부(171)의 동작을 나타내는 타이밍도이다. 37 is a timing diagram showing the operation of the control output driver 171 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 37을 참고하면, 제어 출력 구동부(171)는 t1 구간에서 제어 신호 XOE가 로우 레벨로 입력되어 풀업 구동부 PU_X가 활성화된다. 풀업 구동부 PU_X가 활성화되면 전원 전압 VDD을 구동부 DRV_X의 입력 단자에 공급한다. 따라서 구동부 DRV_X에 입력되는 제어 결과 신호 XDO가 풀업되어 하이 레벨로 리셋된다. Referring to FIG. 37, in the control output driver 171, the control signal XOE is input at a low level in the period t1 to activate the pull-up driver PU_X. When the pull-up driver PU_X is activated, the power supply voltage VDD is supplied to an input terminal of the driver DRV_X. Therefore, the control result signal XDO input to the driver DRV_X is pulled up and reset to the high level.

t2 구간에서 제어 신호 XOE가 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하면, 풀업 구동부 PU_X가 비활성화된다. 풀업 구동부 PU_X가 비활성화되면 전원 전압 VDD이 구동부 DRV_X의 입력 단자에 공급되지 않는다. 따라서 구동부 DRV_X에 입력되는 제어 결과 신호 XDO는 디지털부(200)로부터 입력되는 레벨대로 구동된다. 즉 제어 결과 신호 XDO가 로우 레벨로 입력되면 구동부 DRV_X는 제어 출력 신호 XO를 로우 레벨로 구동하고, 제어 결과 신호 XDO가 하이 레벨로 입력되면 구동부 DRV_X는 제어 출력 신호 XO를 하이 레벨로 구동한다.When the control signal XOE transitions from the low level to the high level in the t2 section, the pull-up driver PU_X is inactivated. When the pull-up driver PU_X is deactivated, the power supply voltage VDD is not supplied to the input terminal of the driver DRV_X. Therefore, the control result signal XDO input to the driver DRV_X is driven at the level input from the digital unit 200. That is, when the control result signal XDO is input at the low level, the driver DRV_X drives the control output signal XO at the low level. When the control result signal XDO is input at the high level, the driver DRV_X drives the control output signal XO at the high level.

t3 구간에서 제어 신호 XOE가 하이 레벨에서 로우 레벨로 다시 천이하면, 풀업 구동부 PU_X가 활성화되어 제어 결과 신호 XDO가 하이 레벨로 풀업된다. 따라서 구동부 DRV_X는 제어 결과 신호 XDO를 하이 레벨로 구동한다.When the control signal XOE transitions from the high level to the low level again in the period t3, the pull-up driving unit PU_X is activated to pull up the control result signal XDO to the high level. Therefore, the driver DRV_X drives the control result signal XDO to a high level.

도 38은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 어드레스 신호 입/출력부(172)를 나타내는 회로도이다.38 is a circuit diagram showing an address signal input / output unit 172 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 38을 참고하면, 어드레스 신호 입/출력부(172)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되고, 각각의 논리 소자 OR는 외부로부터 어드레스 신호 XADD를, 디지털부(200)로부터 어드레스 신호 DADD를, 시프트 레지스터(180)로부터 테스트 시리얼 출력 신호를 입력받아 어드레스 신호 ADD를 생성하고, 어드레스 신호 ADD를 메모리(400)로 출력한다.Referring to FIG. 38, in the address signal input / output unit 172, a plurality of logic elements OR are connected in parallel, and each logic element OR receives an address signal XADD from the outside and an address signal DADD from the digital unit 200. The test serial output signal is input from the shift register 180 to generate an address signal ADD, and outputs the address signal ADD to the memory 400.

외부로부터 입력되는 어드레스 신호 XADD는 제어 신호 XCE,XWE,XOE에 의해 RFID 태그를 테스트하기 위해 사용되는 신호이고, 디지털부(200)로부터 입력되는 어드레스 신호 DADD는 테스트 입력 신호 TI에 의해 RFID 태그를 테스트하기 위해 사용되는 신호이다. The address signal XADD input from the outside is a signal used to test the RFID tag by the control signals XCE, XWE, and XOE, and the address signal DADD input from the digital unit 200 tests the RFID tag by the test input signal TI. Is the signal used to

어드레스 신호 입/출력부(172)는 어드레스 신호 XADD,DADD를 입력받아 어떤 방식에 의해 테스트를 수행할 것인가에 따라서 어드레스 신호 ADD를 생성하고, 어드레스 신호 ADD를 메모리(400)로 출력한다. 어드레스 신호 ADD는 메모리(400)에 포함된 메모리 셀의 위치에 대한 정보로서, 메모리(400)에 포함된 전체 메모리 셀 또는 특정 메모리 셀에 대해서 선택적으로 테스트 동작을 수행할 수 있다.The address signal input / output unit 172 receives the address signals XADD and DADD, generates an address signal ADD according to how to perform the test, and outputs the address signal ADD to the memory 400. The address signal ADD is information on the location of the memory cell included in the memory 400 and may selectively perform a test operation on all memory cells or a specific memory cell included in the memory 400.

어드레스 신호 입력부(172)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되어 있는데, 각각의 논리 소자 OR는 어드레스 신호 XADD와 테스트 출력 신호를 앤드 연산한 신호와 어드레스 신호 DADD를 오아 연산한다.In the address signal input unit 172, a plurality of logic elements OR are connected in parallel, and each logic element OR performs an operation by performing an AND operation on an address signal XADD and a test output signal and an address signal DADD.

논리 소자 OR는 테스트 동작이 수행되어 테스트 출력 신호가 하이 레벨로 출력되는 경우에만 어드레스 신호 ADD를 출력한다. 테스트 출력 신호가 하이 레벨로 출력되고, 어드레스 신호 DADD 또는 어드레스 신호 XADD가 하이 레벨로 입력될 때, 어드레스 신호 ADD를 하이 레벨로 출력한다. 어드레스 신호 XADD 및 어드레스 신호 DADD가 모두 로우 레벨로 입력되면 어드레스 신호 ADD가 로우 레벨로 출력된다. The logic element OR outputs the address signal ADD only when a test operation is performed and the test output signal is output at a high level. When the test output signal is output at the high level and the address signal DADD or the address signal XADD is input at the high level, the address signal ADD is output at the high level. When both the address signal XADD and the address signal DADD are input at the low level, the address signal ADD is output at the low level.

즉 테스트 입력 신호 TI에 의해 테스트를 수행할 경우에는 어드레스 신호 XADD에 따라 어드레스 신호 ADD를 생성하고, 제어 신호 XCE,XWE,XOE에 의해 테스트 를 수행할 경우에는 어드레스 신호 DADD에 따라 어드레스 신호 ADD를 생성한다.That is, when the test is performed by the test input signal TI, the address signal ADD is generated according to the address signal XADD. When the test is performed by the control signals XCE, XWE, and XOE, the address signal ADD is generated by the address signal DADD. do.

도 39는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 신호 입/출력부(173)를 나타내는 회로도이다.39 is a circuit diagram showing a control signal input / output unit 173 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 39를 참고하면, 제어 신호 입/출력부(173)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되고, 각각의 논리 소자 OR는 외부로부터 제어 신호 XDI를, 디지털부(200)로부터 제어 신호 DI를, 시프트 레지스터(180)로부터 테스트 시리얼 출력 신호를 입력받아 제어 신호 I를 생성하고, 제어 신호 I를 메모리(400)로 출력한다.Referring to FIG. 39, in the control signal input / output unit 173, a plurality of logic elements OR are connected in parallel, and each logic element OR receives a control signal XDI from the outside and a control signal DI from the digital unit 200. The test serial output signal is received from the shift register 180 to generate a control signal I, and output the control signal I to the memory 400.

외부로부터 입력되는 제어 신호 XDI는 제어 신호 XCE,XWE,XOE와 함께 RFID 태그를 테스트하기 위해 사용되는 신호이고, 디지털부(200)로부터 입력되는 제어 신호 DI는 테스트 입력 신호 TI에 의해 RFID 태그를 테스트하기 위해 사용되는 신호이다. The control signal XDI input from the outside is a signal used to test the RFID tag together with the control signals XCE, XWE, and XOE, and the control signal DI input from the digital unit 200 tests the RFID tag by the test input signal TI. Is the signal used to

제어 신호 입/출력부(173)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되어 있는데, 각각의 논리 소자 OR는 제어 신호 XDI와 테스트 출력 신호를 앤드 연산한 신호와 제어 신호 DI를 오아 연산한다. 본 실시예에서는 두 개의 제어 신호 XDI<0>,XDI<1>가 분기되어 4 개의 논리 소자 OR에 입력된다. 하지만 제어 신호 XDI의 개수는 사용자의 의도에 따라 얼마든지 변경 가능하다.In the control signal input / output unit 173, a plurality of logic elements OR are connected in parallel, and each logic element OR performs calculation by ANDing the control signal XDI and the test output signal and the control signal DI. In the present embodiment, two control signals XDI <0> and XDI <1> are branched and input to four logic elements OR. However, the number of control signals XDI can be changed as desired by the user.

논리 소자 OR는 테스트 동작이 수행되어 테스트 출력 신호가 하이 레벨로 출력되는 경우에만 제어 신호 I를 출력한다. 테스트 출력 신호가 하이 레벨로 출력되고, 제어 신호 XDI 또는 제어 신호 DI가 하이 레벨로 입력될 때, 제어 신호 I를 하이 레벨로 출력한다. 제어 신호 XDI 및 제어 신호 DI가 모두 로우 레벨로 입력되면 제어 신호 I가 로우 레벨로 출력된다.The logic element OR outputs the control signal I only when a test operation is performed to output the test output signal at a high level. When the test output signal is output at the high level and the control signal XDI or the control signal DI is input at the high level, the control signal I is output at the high level. When both the control signal XDI and the control signal DI are input at the low level, the control signal I is output at the low level.

[표 1]은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 신호 입/출력부(173)의 입/출력 관계를 나타낸다.
[표 1]
외부 테스트 입력 내부 디지털부(200)의
디폴트(Default) 출력
유효 메모리부(400)의
입력
메모리부(400)의 출력 검출 외부 테스트 출력
XDI
<0>
XDI
<1>
DI
<0>
DI
<1>
DI
<2>
DI
<3>
DI
<4>
DI
<5>
DI<6> DI
<7>
I
<0>
I
<1>
I
<2>
I
<3>
I
<4>
I
<5>
I
<6>
I
<7>
XOR
OUT
XDO
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1

[표 1]을 참고하면, 제어 신호 XDI<0>,XDI<1>에 따라 테스트 회로(300)가 제어 신호 I에 의해 메모리(400)를 테스트하고, 그 결과인 제어 결과 신호 XDO를 나타낸다.
Table 1 shows the input / output relationship of the control signal input / output unit 173 according to the third and fourth embodiments of the present invention.
TABLE 1
External test input Of the internal digital unit 200
Default output
Of the effective memory unit 400
input
Output detection of the memory unit 400 External test output
XDI
<0>
XDI
<1>
DI
<0>
DI
<1>
DI
<2>
DI
<3>
DI
<4>
DI
<5>
DI <6> DI
<7>
I
<0>
I
<1>
I
<2>
I
<3>
I
<4>
I
<5>
I
<6>
I
<7>
XOR
OUT
XDO
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 One 0 One 0 0 0 0 0 0 0 0 0 One 0 One 0 One 0 One 0 One One 0 0 0 0 0 0 0 0 0 One 0 One 0 One 0 One 0 0 One One One 0 0 0 0 0 0 0 0 One One One One One One One One 0 One

Referring to [Table 1], the test circuit 300 tests the memory 400 by the control signal I according to the control signals XDI <0> and XDI <1>, and shows the result of the control result signal XDO.

삭제delete

예를 들어, 제어 신호 XDI<0>가 로우 레벨로 입력되고, 제어 신호 XDI<1>가 하이 레벨로 입력되며, 제어 신호 DI<0>~<7>가 로우 레벨로 입력되면, 제어 신호 I<1>,I<3>I<5>I<7>이 하이 레벨로 출력되어 해당 메모리 셀에 대한 테스트를 수행한다. 그리고 테스트 결과인 제어 결과 신호 XDO를 하이 레벨로 출력한다. For example, when the control signal XDI <0> is input at the low level, the control signal XDI <1> is input at the high level, and the control signals DI <0> to <7> are input at the low level, the control signal I <1>, I <3> I <5> I <7> are output at a high level to test the corresponding memory cells. The control result signal XDO, which is a test result, is output at a high level.

다른 예로서, 제어 신호 XDI<0> 및 제어 신호 XDI<1>가 모두 하이 레벨로 입력되고, 제어 신호 DI<0>~<7>가 로우 레벨로 입력되면, 제어 신호 I<0>~<7>이 모두 하이 레벨로 출력되어 모든 메모리 셀에 대한 테스트를 수행한다. 그리고 테스트 결과인 제어 결과 신호 XDO를 하이 레벨로 출력한다. As another example, when both the control signal XDI <0> and the control signal XDI <1> are input at the high level, and the control signals DI <0> to <7> are input at the low level, the control signals I <0> to < 7> are all output at a high level to test all memory cells. The control result signal XDO, which is a test result, is output at a high level.

도 40은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 신호 입/출력부(174)를 나타내는 회로도이다.40 is a circuit diagram illustrating a control signal input / output unit 174 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 40을 참고하면, 제어 신호 입/출력부(174)는 복수 개의 논리 소자 XOR가 병렬로 연결되고, 각각의 논리 소자 XOR는 메모리(400)로부터 제어 신호 O를, 시프트 레지스터(180)로부터 테스트 시리얼 출력 신호를 입력받아 제어 결과 신호 XDO를 생성하고, 제어 결과 신호 XDO를 제어 출력 구동부(171)로 출력한다.Referring to FIG. 40, the control signal input / output unit 174 has a plurality of logic elements XOR connected in parallel, and each logic element XOR tests the control signal O from the memory 400 from the shift register 180. The control output signal XDO is generated by receiving the serial output signal and outputs the control result signal XDO to the control output driver 171.

제어 결과 신호 O는 메모리(400)에 대한 테스트를 수행한 결과를 나타내는 신호이다. 제어 신호 입/출력부(174)는 메모리(400)로부터 출력되는 제어 결과 신호 O<0>~<7>를 엑스오아(XOR) 연산한다. 즉 제어 결과 신호 O<0>,O<1>, 제어 결과 신호 O<2>,O<3>, 제어 결과 신호 O<4>,O<5>, 제어 결과 신호 O<6>,O<7>를 각각 엑스오아 연산하고, 출력된 4개의 신호를 다시 2개씩 엑스오아 연산하며, 출력된 2 개의 신호를 마지막으로 엑스오아 연산하여 제어 결과 신호 XOROUT를 생성한다.The control result signal O is a signal indicating a result of performing a test on the memory 400. The control signal input / output unit 174 XORs the control result signals O <0> to <7> output from the memory 400. Control result signals O <0>, O <1>, control result signals O <2>, O <3>, control result signals O <4>, O <5>, control result signals O <6>, O < 7> are each XOA, the four output signals are XO2 again, and the two output signals are XOOUT last to generate the control result signal XOROUT.

제어 신호 입/출력부(174)의 출력 단자는 직렬 연결된 2 개의 NMOS 트랜지스터를 포함한다. NMOS 트랜지스터 ND1은 게이트로 제어 결과 신호 XOROUT가 입력되고, 드레인으로 제어 결과 신호 XDO가 출력되며, 소스가 NMOS 트랜지스터 ND2의 소스와 연결된다. NMOS 트랜지스터 ND2는 게이트로 테스트 출력 신호가 입력되고, 드레인이 NMOS 트랜지스터 ND1의 소스와 연결되며, 소스가 그라운드 단자와 연결된다. The output terminal of the control signal input / output section 174 includes two NMOS transistors connected in series. The NMOS transistor ND1 is gated with the control result signal XOROUT, the drain with the control result signal XDO, and the source is connected to the source of the NMOS transistor ND2. The NMOS transistor ND2 has its gate connected to the test output signal, its drain is connected to the source of the NMOS transistor ND1, and the source is connected to the ground terminal.

제어 신호 입/출력부(174) 는 제어 결과 신호 XOROUT 및 테스트 출력 신호가 동시에 하이 레벨인 경우에는 NMOS 트랜지스터 ND1,ND2가 모두 턴 온되므로 그라운드 레벨로 구동된다. The control signal input / output unit 174 is driven to the ground level when the NMOS transistors ND1 and ND2 are both turned on when the control result signal XOROUT and the test output signal are both at the same time.

도 41은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 결과 신호 출력부(175)를 나타내는 회로도이다.41 is a circuit diagram showing a control result signal output unit 175 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 41을 참고하면, 제어 신호 입/출력부(175)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되고, 디지털부(200)로부터 제어 신호 DCE,DWE,DOE를, 외부로부터 제어 신호 XCE,XWE,XOE를 입력받아 제어 신호 CE,WE,OE를 생성하고, 제어 신호 CE,WE,OE 를 메모리(400)로 출력한다.Referring to FIG. 41, the control signal input / output unit 175 includes a plurality of logic elements OR connected in parallel, the control signals DCE, DWE, DOE from the digital unit 200, the control signals XCE, XWE, The control signal CE, WE, OE is generated by receiving the XOE, and the control signals CE, WE, OE are output to the memory 400.

외부로부터 입력되는 제어 신호 XDI는 제어 신호 XCE,XWE,XOE와 함께 RFID 태그를 테스트하기 위해 사용되는 신호이고, 디지털부(200)로부터 입력되는 제어 신호 DI는 테스트 입력 신호 TI에 의해 RFID 태그를 테스트하기 위해 사용되는 신호이다. The control signal XDI input from the outside is a signal used to test the RFID tag together with the control signals XCE, XWE, and XOE, and the control signal DI input from the digital unit 200 tests the RFID tag by the test input signal TI. Is the signal used to

제어 신호 입/출력부(173)는 복수 개의 논리 소자 OR가 병렬로 연결되어 있다. 논리 소자 OR1는 제어 신호 XCE와 테스트 출력 신호를 앤드 연산한 신호와 제어 신호 DCE를 오아 연산하여 제어 신호 CE를 출력한다. 논리 소자 OR2는 제어 신호 XWE와 테스트 출력 신호를 앤드 연산한 신호와 제어 신호 DWE를 오아 연산하여 제어 신호 WE를 출력한다. 논리 소자 OR3는 제어 신호XOE와 테스트 출력 신호를 앤드 연산한 신호와 제어 신호 DOE를 오아 연산하여 제어 신호 OE를 출력한다. In the control signal input / output unit 173, a plurality of logic elements OR are connected in parallel. The logic element OR1 performs an operation on the AND signal of the control signal XCE, the test output signal, and the control signal DCE, and outputs the control signal CE. The logic element OR2 performs an operation on the AND signal of the control signal XWE, the test output signal, and the control signal DWE, and outputs the control signal WE. The logic element OR3 outputs the control signal OE by performing calculation on the AND signal of the control signal XOE, the test output signal, and the control signal DOE.

도 42는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 정전기 방지부(520)를 나타내는 회로도이다.42 is a circuit diagram illustrating the antistatic part 520 according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 42를 참고하면, 테스트 시리얼 신호 입력 패드(182)는 외부로부터 테스트 시리얼 입력 신호 또는 테스트 시리얼 출력 신호를 입력받아 시프트 레지스터(180)로 전달한다. 정전기 방지부(520)는 테스트 시리얼 신호 입력 패드(182)와 그라운드 단자 사이에 병렬로 연결된다.Referring to FIG. 42, the test serial signal input pad 182 receives a test serial input signal or a test serial output signal from an external source and transfers the test serial signal to the shift register 180. The antistatic unit 520 is connected in parallel between the test serial signal input pad 182 and the ground terminal.

정전기 방지부(520)는 NMOS 트랜지스터 ND를 포함한다. NMOS 트랜지스터 ND는 게이트 및 소스가 그라운드 단자에 연결되고, 드레인이 테스트 시리얼 신호 입력 패드(182)에 연결된다. NMOS 트랜지스터 ND는 게이트가 그라운드 단자에 연결되 어 있으므로, 턴 오프된 상태를 유지한다. 하지만 테스트 시리얼 신호 입력 패드(182)에 정전기가 발생하여 순간적으로 높은 전압이 인가되면, NMOS 트랜지스터 ND가 턴 온되어 그라운드 단자를 통해 전류가 흐르게 된다. 따라서 RFID 태그 내부의 시프트 레지스터(180)에 고전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.The antistatic part 520 includes an NMOS transistor ND. The NMOS transistor ND has a gate and a source connected to the ground terminal and a drain connected to the test serial signal input pad 182. The NMOS transistor ND remains turned off because its gate is connected to the ground terminal. However, when static electricity is generated in the test serial signal input pad 182 and a high voltage is momentarily applied, the NMOS transistor ND is turned on so that current flows through the ground terminal. Therefore, high current can be prevented from flowing to the shift register 180 inside the RFID tag.

도 1은 종래 기술에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.1 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 복수 개의 RFID 태그 어레이를 포함하는 웨이퍼를 나타내는 구성도이다.2 is a block diagram illustrating a wafer including a plurality of RFID tag arrays according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 하나의 RFID 태그 어레이의 구성을 나타내는 구성도이다.3 is a block diagram showing the configuration of one RFID tag array according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에서 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시키는 과정을 나타내는 구성도이다.4 is a block diagram illustrating a process of sequentially activating a plurality of RFID tags in the RFID tag array according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이를 나타내는 회로도이다.5 is a circuit diagram illustrating an RFID tag array according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시키고, 활성화 구간동안 테스트하는 과정을 나타내는 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a process of sequentially activating a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to the present invention and testing them during an activation period.

도 7은 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 활성화시키고, 활성화 구간동안 테스트하는 과정을 나타내는 회로도이다.7 is a circuit diagram illustrating a process of sequentially activating a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to the present invention and testing them during an activation period.

도 8은 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에서 각각의 RFID 태그가 스크라이브 라인을 통해 연결되는 구성을 나타내는 회로도이다.8 is a circuit diagram illustrating a configuration in which each RFID tag is connected through a scribe line in the RFID tag array according to the present invention.

도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.9 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to a first embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.10 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to a second embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 슬롯 카운터 제어부를 나타 내는 블록 다이어그램이다.11 is a block diagram illustrating a slot counter controller according to the first and second embodiments of the present invention.

도 12는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 RFID 태그의 테스트에 사용되는 입/출력 패드를 나타내는 구성도이다.12 is a configuration diagram showing an input / output pad used for testing an RFID tag according to the first and second embodiments of the present invention.

도 13은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 슬롯 카운터 제어부의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.13 is a timing diagram showing an operation timing of a slot counter control unit according to the first and second embodiments of the present invention.

도 14는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 복수 개의 RFID 태그가 순차적으로 활성화되는 동작 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.14 is a timing diagram illustrating an operation timing of sequentially activating a plurality of RFID tags according to the first and second embodiments of the present invention.

도 15는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 테스트하는 방법을 나타내는 순서도이다.15 is a flowchart illustrating a method of sequentially testing a plurality of RFID tags according to the first and second embodiments of the present invention.

도 16는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 테스트 입력 버퍼를 나타내는 회로도이다. 16 is a circuit diagram illustrating a test input buffer according to the first and second embodiments of the present invention.

도 17은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 RFID 태그가 비활성화된 상태에서의 테스트 입력 버퍼의 동작을 나타내는 타이밍도이다.17 is a timing diagram illustrating an operation of a test input buffer in a state in which an RFID tag is inactivated according to the first and second embodiments of the present invention.

도 18은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 RFID 태그가 활성화된 상태에서의 테스트 입력 버퍼의 동작을 나타내는 타이밍도이다.18 is a timing diagram illustrating an operation of a test input buffer in a state in which an RFID tag is activated according to the first and second embodiments of the present invention.

도 19는 본 발명에 따른 테스트 출력 구동부를 나타내는 회로도이다.19 is a circuit diagram illustrating a test output driver according to the present invention.

도 20은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 테스트 출력 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.20 is a timing diagram illustrating the operation of the test output driver according to the first and second embodiments of the present invention.

도 21은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.21 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to a third embodiment of the present invention.

도 22는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 RFID 태그의 전체 구성도이다.22 is an overall configuration diagram of an RFID tag according to a fourth embodiment of the present invention.

도 23은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 시프트 레지스터를 나타내는 블록 다이어그램이다.23 is a block diagram showing a shift register according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 24는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그의 입/출력 패드의 구성을 나타내는 구성도이다.24 is a configuration diagram showing the configuration of an input / output pad of an RFID tag according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 25은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 시프트 레지스터의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.Fig. 25 is a timing chart showing operation timings of the shift registers according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 26은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 복수 개의 RFID 태그가 순차적으로 활성화되는 동작 타이밍을 나타내는 타이밍도이다.26 is a timing diagram illustrating an operation timing of sequentially activating a plurality of RFID tags according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 27은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그를 순차적으로 테스트하는 방법을 나타내는 순서도이다.FIG. 27 is a flowchart illustrating a method of sequentially testing a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to third and fourth embodiments of the present invention.

도 28은 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그 각각을 테스트하는 제 1 실시예를 나타내는 순서도이다.28 is a flowchart illustrating a first embodiment of testing each of a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to the present invention.

도 29는 본 발명에 따른 RFID 태그 어레이에 포함된 복수 개의 RFID 태그 각각을 테스트하는 제 2 실시예를 나타내는 순서도이다.29 is a flowchart illustrating a second embodiment of testing each of a plurality of RFID tags included in an RFID tag array according to the present invention.

도 30은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 테스트 입력 버퍼를 나타내는 회로도이다.30 is a circuit diagram illustrating a test input buffer according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 31은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그가 비활성화된 상태에서의 테스트 입력 버퍼의 동작을 나타내는 타이밍도이다.FIG. 31 is a timing diagram illustrating an operation of a test input buffer in a state in which an RFID tag is inactivated according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 32는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 RFID 태그가 활성화된 상태에서의 테스트 입력 버퍼의 동작을 나타내는 타이밍도이다.32 is a timing diagram illustrating an operation of a test input buffer in a state in which an RFID tag according to the third and fourth embodiments of the present invention is activated.

도 33은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 입/출력 회로부를 나타내는 회로도이다.33 is a circuit diagram illustrating an input / output circuit unit according to third and fourth embodiments of the present invention.

도 34는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 테스트 출력 구동부를 나타내는 회로도이다.34 is a circuit diagram illustrating test output drivers according to third and fourth embodiments of the present invention.

도 35는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 테스트 출력 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다.35 is a timing diagram illustrating the operation of the test output driver according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 36은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 출력 구동부를 나타내는 회로도이다.36 is a circuit diagram showing a control output driver according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 37은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 출력 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다. 37 is a timing diagram showing the operation of the control output driver according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 38은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 어드레스 신호 입/출력부를 나타내는 회로도이다.38 is a circuit diagram showing an address signal input / output unit according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 39는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 신호 입/출력부를 나타내는 회로도이다.39 is a circuit diagram illustrating a control signal input / output unit according to third and fourth embodiments of the present invention.

도 40은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 신호 입/출력부를 나타내는 회로도이다.40 is a circuit diagram illustrating a control signal input / output unit according to third and fourth embodiments of the present invention.

도 41은 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 제어 결과 신호 출력부를 나타내는 회로도이다.Fig. 41 is a circuit diagram showing a control result signal output unit according to the third and fourth embodiments of the present invention.

도 42는 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예에 따른 정전기 방지부를 나타내는 회로도이다.42 is a circuit diagram illustrating an antistatic part according to third and fourth embodiments of the present invention.

Claims (26)

RFID 리더와 무선 신호를 송수신하는 RFID 태그에 있어서,In the RFID tag for transmitting and receiving radio signals with the RFID reader, 테스트 동작 동안에, 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터;A shift register which receives a test serial input signal and a test clock and generates and outputs a test serial output signal during a test operation; 상기 테스트 동작 동안에, 상기 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 테스트 입력 신호를 제공하여 상기 RFID 태그 내부 회로의 정상 동작 여부에 대한 테스트를 수행하는 테스트 회로부; 및A test circuit unit activated by the test serial output signal during the test operation and providing a test input signal input from the outside during an activation period to test whether the RFID tag internal circuit operates normally; And 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 상기 테스트 시리얼 입력 신호, 상기 테스트 클럭 및 상기 테스트 입력 신호를 입력받고, 상기 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하며,An input / output pad unit configured to receive a power supply voltage and a ground voltage from an external device, receive the test serial input signal, the test clock, and the test input signal, and output the test serial output signal; 상기 테스트는 상기 테스트 입력 신호가 제공된 RFID 태그 내부 회로에서 출력되는 테스트 출력 신호와 상기 테스트 입력 신호를 비교하여 수행되는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And the test is performed by comparing the test input signal with a test output signal output from an RFID tag internal circuit provided with the test input signal. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 시프트 레지스터는The shift register 상기 테스트 시리얼 입력 신호의 값을 저장했다가 테스트 클럭에 동기하여 상기 테스트 시리얼 입력 신호의 값을 테스트 시리얼 출력 신호로 출력하는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And storing the value of the test serial input signal and outputting the value of the test serial input signal as a test serial output signal in synchronization with a test clock. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 시프트 레지스터는 파워 온 리셋 신호에 의해 리셋되는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And the shift register is reset by a power on reset signal. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 시프트 레지스터는 외부로부터 입력되는 테스트 리셋 신호에 의해 리셋되는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And the shift register is reset by a test reset signal input from the outside. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 RFID 리더로부터 수신한 무선 신호를 복조한 복조 신호 및 상기 테스트 입력 신호를 입력받아 명령 신호를 생성하는 테스트 입력 버퍼를 더 포함하는 RFID 태그.And a test input buffer configured to receive a demodulated signal demodulating the radio signal received from the RFID reader and the test input signal to generate a command signal. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 테스트 입력 버퍼는 오아 논리 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And the test input buffer comprises an ORA logic element. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 테스트 입력 신호가 로우 레벨로 입력되면 상기 복조 신호를 상기 명령 신호로 출력하는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And the demodulation signal is output as the command signal when the test input signal is input at a low level. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 복조 신호가 로우 레벨로 입력되면 상기 테스트 입력 신호를 상기 명령 신호로 출력하는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And when the demodulation signal is input at a low level, output the test input signal as the command signal. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 테스트 입력 버퍼는The test input buffer 상기 테스트 입력 신호가 입력되는 입력 단자와 그라운드 단자 사이에 병렬로 연결되어, 상기 테스트 입력 신호를 로우 레벨로 바이어스시키는 저항 소자를 포함하는 RFID 태그.And a resistance element connected in parallel between an input terminal to which the test input signal is input and a ground terminal to bias the test input signal to a low level. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 테스트가 완료되면 상기 테스트 회로부로부터 출력되는 테스트 결과 신호를 테스트 출력 신호로 구동하여 출력하는 테스트 신호 출력 구동부를 더 포함하는 RFID 태그.And a test signal output driver for driving the test result signal output from the test circuit unit as a test output signal when the test is completed. 청구항 10에 있어서,The method according to claim 10, 상기 테스트 신호 출력 구동부는The test signal output driver 상기 테스트 결과 신호를 구동하여 상기 테스트 출력 신호를 생성하는 구동부; 및A driving unit driving the test result signal to generate the test output signal; And 상기 구동부의 입력 단자로 입력되는 상기 테스트 결과 신호를 풀업시키는 풀업 구동부를 포함하는 RFID 태그.And a pull-up driving unit configured to pull up the test result signal inputted to the input terminal of the driving unit. 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신 호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터;A shift register which receives a test serial input signal and a test clock and generates and outputs a test serial output signal; 상기 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 어드레스 신호 및 제어 신호에 따라 테스트를 수행하는 테스트 회로부; 및A test circuit unit activated by the test serial output signal and performing a test according to an address signal and a control signal input from the outside during the activation period; And 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 상기 테스트 시리얼 입력 신호, 상기 테스트 클럭 및 상기 어드레스 신호 및 상기 제어 신호를 입력받고, 상기 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하는 RFID 태그.And an input / output pad unit configured to receive a power supply voltage and a ground voltage from an external source, receive the test serial input signal, the test clock and the address signal, and the control signal, and output the test serial output signal. 청구항 12에 있어서,The method according to claim 12, 상기 시프트 레지스터는The shift register 상기 테스트 시리얼 입력 신호의 값을 저장했다가 테스트 클럭에 동기하여 상기 테스트 시리얼 입력 신호의 값을 테스트 시리얼 출력 신호로 출력하는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And storing the value of the test serial input signal and outputting the value of the test serial input signal as a test serial output signal in synchronization with a test clock. 청구항 12에 있어서,The method according to claim 12, 상기 테스트 회로부는The test circuit unit 상기 어드레스 신호 및 상기 제어 신호에 따라 테스트를 수행하고 제어 결과 신호를 생성하여 출력하는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And performing a test according to the address signal and the control signal and generating and outputting a control result signal. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1 또는 청구항 12에 있어서,The method according to claim 1 or 12, 외부로부터 공급되는 전원 전압이 전원 전압 레벨보다 높아지지 않도록 제한하는 전압 리미터를 더 포함하는 RFID 태그.The RFID tag further includes a voltage limiter for restricting the power supply voltage supplied from the outside from higher than the power supply voltage level. 청구항 1 또는 청구항 12에 있어서,The method according to claim 1 or 12, 데이터를 저장하는 복수 개의 메모리 셀을 구비한 메모리 블록을 포함하는 RFID 태그.RFID tag comprising a memory block having a plurality of memory cells for storing data. 청구항 19에 있어서,The method of claim 19, 상기 테스트 회로부는The test circuit unit 상기 테스트 입력 신호에 따라 상기 복수 개의 메모리 셀 중 테스트 대상이되는 메모리 셀을 선택적으로 테스트하는 것을 특징으로 하는 RFID 태그.And selectively testing a memory cell, which is a test target, among the plurality of memory cells according to the test input signal. 청구항 19에 있어서,The method of claim 19, 상기 복수 개의 메모리 셀은 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 RFID 태그.And the plurality of memory cells comprise ferroelectric capacitor elements. 청구항 10에 있어서The method according to claim 10 상기 입/출력 패드부는The input / output pad unit 상기 전원 전압이 인가되는 전원 전압 인가 패드;A power supply voltage applying pad to which the power supply voltage is applied; 상기 그라운드 전압이 인가되는 그라운드 전압 인가 패드;A ground voltage applying pad to which the ground voltage is applied; 상기 테스트 시리얼 입력 신호가 입력되는 테스트 시리얼 신호 입력 패드;A test serial signal input pad to which the test serial input signal is input; 상기 테스트 시리얼 출력 신호가 출력되는 테스트 시리얼 신호 출력 패드;A test serial signal output pad to which the test serial output signal is output; 상기 테스트 클럭이 입력되는 테스트 클럭 입력 패드;A test clock input pad to which the test clock is input; 상기 테스트 입력 신호가 입력되는 테스트 신호 입력 패드; 및A test signal input pad to which the test input signal is input; And 상기 테스트 출력 신호가 출력되는 테스트 신호 출력 패드를 포함하는 RFID 태그.RFID tag including a test signal output pad to which the test output signal is output. 삭제delete 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터,A shift register which receives a test serial input signal and a test clock and generates and outputs a test serial output signal; 상기 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 테스트 입력 신호에 기초하여 테스트 동작을 수행하는 테스트 회로부, 및A test circuit unit activated by the test serial output signal and performing a test operation based on a test input signal input from the outside during the activation period; 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 상기 테스트 시리얼 입력 신호, 상기 테스트 클럭 및 상기 테스트 입력 신호를 입력받고, 상기 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하는 RFID 태그에 있어서, 상기 테스트 동작은 상기 테스트 입력 신호에 기초하여 상기 RFID 태그의 내부 회로의 정상 동작 여부를 테스트하는 방법으로서,An RFID tag comprising an input / output pad unit for receiving a power supply voltage and a ground voltage from an external device, receiving the test serial input signal, the test clock, and the test input signal, and outputting the test serial output signal. The test operation is a method of testing whether an internal circuit of the RFID tag is normally operated based on the test input signal. 상기 테스트 시리얼 출력 신호에 의해 상기 테스트 회로부를 활성화시키는 단계;Activating the test circuitry by the test serial output signal; 상기 입/출력 패드부를 통해 상기 테스트 입력 신호를 입력하는 단계;Inputting the test input signal through the input / output pad unit; 상기 테스트 입력 신호에 따라 상기 활성화된 테스트 회로부가 RFID 태그의 내부 회로에 상기 테스트 입력 신호를 제공하고, 제공된 테스트 입력 신호에 따른 출력 신호에 기초하여 테스트 출력 신호를 생성하는 단계;Providing, by the activated test circuit unit, the test input signal to an internal circuit of an RFID tag according to the test input signal, and generating a test output signal based on an output signal according to the provided test input signal; 상기 테스트 출력 신호를 외부로 출력하는 단계; 및Outputting the test output signal to the outside; And 상기 테스트 입력 신호와 상기 테스트 출력 신호를 비교하여 RFID 태그 내부 회로의 정상 동작 여부를 테스트하는 단계를 포함하는 RFID 태그 테스트 방법.And comparing the test input signal with the test output signal to test whether the internal circuit of the RFID tag operates normally. 청구항 24에 있어서,27. The method of claim 24, 상기 테스트 동작을 수행하고 테스트 출력 신호를 생성하는 단계는,Performing the test operation and generating a test output signal, 상기 테스트 입력 신호로부터 어드레스 신호 및 제어 신호를 생성하는 단계;Generating an address signal and a control signal from the test input signal; 상기 어드레스 신호 및 상기 제어 신호에 따라 테스트 동작을 수행하는 단계; 및Performing a test operation according to the address signal and the control signal; And 테스트를 완료하고 상기 테스트 출력 신호를 생성하는 단계를 포함하는 RFID 태그 테스트 방법.Completing a test and generating the test output signal. 테스트 시리얼 입력 신호 및 테스트 클럭을 입력받아 테스트 시리얼 출력 신호를 생성하여 출력하는 시프트 레지스터,A shift register which receives a test serial input signal and a test clock and generates and outputs a test serial output signal; 상기 테스트 시리얼 출력 신호에 의하여 활성화되고, 활성화 구간동안 외부로부터 입력된 어드레스 신호 및 제어 신호에 기초하여 RFID 태그 내부의 메모리부의 정상 동작 여부에 대한 테스트를 수행하는 테스트 회로부, 및A test circuit unit activated by the test serial output signal and performing a test on whether a memory unit inside the RFID tag is normally operated based on an address signal and a control signal input from the outside during the activation period; 외부로부터 전원 전압, 그라운드 전압을 공급받고, 상기 테스트 시리얼 입력 신호, 상기 테스트 클럭, 상기 어드레스 신호 및 상기 제어 신호를 입력받고, 상기 테스트 시리얼 출력 신호를 출력하는 입/출력 패드부를 포함하는 RFID 태그를 테스트하는 방법으로서,An RFID tag including an input / output pad unit configured to receive a power supply voltage and a ground voltage from an external source, receive the test serial input signal, the test clock, the address signal, and the control signal, and output the test serial output signal; As a test method, 상기 테스트 시리얼 출력 신호에 의해 상기 테스트 회로부를 활성화시키는 단계;Activating the test circuitry by the test serial output signal; 상기 입/출력 패드부를 통해 상기 어드레스 신호 및 상기 제어 신호를 입력하는 단계;Inputting the address signal and the control signal through the input / output pad unit; 상기 어드레스 신호 및 상기 제어 신호에 따라 상기 테스트 회로부가 상기 메모리부에 상기 테스트 입력 신호를 제공하여 수신된 출력 신호에 기초하여 테스트 출력 신호를 생성하는 단계;Providing, by the test circuit unit, the test input signal to the memory unit based on the address signal and the control signal to generate a test output signal based on the received output signal; 상기 테스트 출력 신호를 외부로 출력하는 단계; 및Outputting the test output signal to the outside; And 상기 테스트 입력 신호와 상기 테스트 출력 신호를 비교하여 상기 메모리부의 정상 동작 여부를 테스트하는 단계를 포함하는 RFID 태그 테스트 방법.And comparing the test input signal with the test output signal to test whether the memory unit operates normally.
KR1020090056389A 2009-06-24 2009-06-24 Rfid tag being tested on the wafer and method thereof KR101068313B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090056389A KR101068313B1 (en) 2009-06-24 2009-06-24 Rfid tag being tested on the wafer and method thereof
US12/650,524 US20100327877A1 (en) 2009-06-24 2009-12-30 Radio frequency identification (rfid) device and method for testing the same
TW098146246A TW201101187A (en) 2009-06-24 2009-12-31 Radio frequency identification (RFID) device and method for testing the same
CN2010100007267A CN101930527A (en) 2009-06-24 2010-01-15 Radio frequency identification (rfid) device and method for testing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090056389A KR101068313B1 (en) 2009-06-24 2009-06-24 Rfid tag being tested on the wafer and method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100138045A KR20100138045A (en) 2010-12-31
KR101068313B1 true KR101068313B1 (en) 2011-09-28

Family

ID=43511566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090056389A KR101068313B1 (en) 2009-06-24 2009-06-24 Rfid tag being tested on the wafer and method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101068313B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4113378A1 (en) * 2021-06-28 2023-01-04 Nxp B.V. Rf communication device without temporary connection line, and manufacturing method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101068351B1 (en) * 2009-06-24 2011-09-28 주식회사 하이닉스반도체 RFID device and test method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000017023A (en) * 1998-08-03 2000-03-25 포만 제프리 엘 Timing of wordline activation for dc burn-in of a dram with the self-refresh
KR20040005125A (en) * 2002-07-08 2004-01-16 삼성전자주식회사 Apparatus for testing an on-chip ROM and method thereof
KR20080052049A (en) * 2006-12-07 2008-06-11 주식회사 하이닉스반도체 Semiconductor memory apparatus having test mode driving circuit and test mode driving method
KR20090026652A (en) * 2007-09-10 2009-03-13 주식회사 하이닉스반도체 Semiconductor memory device including test mode circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000017023A (en) * 1998-08-03 2000-03-25 포만 제프리 엘 Timing of wordline activation for dc burn-in of a dram with the self-refresh
KR20040005125A (en) * 2002-07-08 2004-01-16 삼성전자주식회사 Apparatus for testing an on-chip ROM and method thereof
KR20080052049A (en) * 2006-12-07 2008-06-11 주식회사 하이닉스반도체 Semiconductor memory apparatus having test mode driving circuit and test mode driving method
KR20090026652A (en) * 2007-09-10 2009-03-13 주식회사 하이닉스반도체 Semiconductor memory device including test mode circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4113378A1 (en) * 2021-06-28 2023-01-04 Nxp B.V. Rf communication device without temporary connection line, and manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100138045A (en) 2010-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100991158B1 (en) Integrated circuit with embedded feram-based rfid
US20100327877A1 (en) Radio frequency identification (rfid) device and method for testing the same
KR100696775B1 (en) RFID device having Non-volatile Ferro-electric memory device
KR100966997B1 (en) Radio Frequency Identification Device
KR101068389B1 (en) Rfid device being tested on the wafer and method thereof
KR101068313B1 (en) Rfid tag being tested on the wafer and method thereof
KR101004514B1 (en) RFID device
KR101087934B1 (en) RFID device
KR101068314B1 (en) Rfid tag being tested on the wafer and method thereof
KR101068351B1 (en) RFID device and test method thereof
KR20110012507A (en) Rfid test system
KR101095084B1 (en) RFID device and test method thereof
KR101226963B1 (en) RFID device, test system thereof, and test method thereof
KR101067886B1 (en) RFID device
KR101060579B1 (en) Rfid device and test system of thereof
KR101101998B1 (en) Rfid device
KR101101997B1 (en) Rfid device
KR101067887B1 (en) RFID device
KR101037546B1 (en) Rfid device
KR101067888B1 (en) RFID device
KR101150525B1 (en) RFID device and test method thereof
KR101095082B1 (en) Rfid device
KR20120110471A (en) Rfid monitoring device
KR101037499B1 (en) Rfid tag
KR101068337B1 (en) RFID device and test method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee