KR101067528B1

KR101067528B1 - 웨이퍼 세정장치

Info

Publication number: KR101067528B1
Application number: KR1020090120804A
Authority: KR
Inventors: 한기윤; 김봉균; 오광우; 용문석
Original assignee: 주식회사 엘지실트론
Priority date: 2009-12-07
Filing date: 2009-12-07
Publication date: 2011-09-27
Also published as: KR20110064288A

Abstract

실시예에 따른 웨이퍼 세정장치는, 웨이퍼 세정장치는, 순수가 채워지는 베스와, 상기 베스 내부에 설치되고 웨이퍼를 순차적으로 수납하는 카세트와, 상기 베스의 외측에 설치되는 공급부와, 상기 베스를 관통하여 그 일단이 상기 공급부와 연결되는 공급라인과, 상기 공급라인의 타단과 연결되고, 상기 웨이퍼의 측부를 향해 순수를 분사하는 분사부를 포함하는 순수 공급장치를 포함하고, 상기 분사부는 일정 회전 반경을 가지도록 위치 이동되는 것을 특징으로 한다.

상기와 같은 발명은 CMP 장치에서 폴리싱 작업이 완료된 웨이퍼를 언로딩 베스에서 다음 공정으로 이동하기 전까지 웨이퍼의 보관 및 클리닝 효과를 향상시킬 수 있다.

CMP 장치, 웨이퍼 세정

Description

웨이퍼 세정장치{WAFER CLEANING APPARATUS}

실시예는 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing:CMP) 공정 후 반도체 웨이퍼를 보관 및 세정하기 위한 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.

일반적으로 CMP 공정은 화학적, 물리적인 반응을 통하여 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 기술이다,

이러한 CMP 공정의 원리는 웨이퍼를 연마포(탄성패드) 표면 위에 접촉하도록 한 상태에서 슬러리(연마액)을 공급하여 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 플래튼(Platen)과 캐리어(웨이퍼 홀더)를 상대 운동시켜 물리적으로 웨이퍼 표면의 요철부분을 평탄화하는 것이다.

연마된 웨이퍼 상의 연마액 및 임의의 잔해는 CMP 처리에 후속하는 CMP 후 세정공정을 통해 웨이퍼의 표면으로부터 제거될 수 있다. 이때, CMP 처리와 세정공정 사이에는 일정한 웨이퍼 대기 시간이 존재한다. 연마된 웨이퍼의 표면이 언급된 대기 시간 내에 건조되면, 건조된 표면으로부터 연마된 웨이퍼의 잔해 및 연마액을 제거하는 것이 매우 어렵게 된다. 이에 따라, CMP 처리된 웨이퍼의 표면을 젖은 상태로 유지하기 위해서, 상기 웨이퍼는 대기시간 동안 순수가 담겨진 워터 베 스(water bath)에 보관될 수 있다.

도 1은 일반적인 CMP 장비의 웨이퍼 보관 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 순수 공급장치에서 배출되는 탈이온수의 공급방향을 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하여, 폴리싱 작업이 완료된 후 웨이퍼(W)는 베스(bath)(2) 내부의 카세트 지지부(4) 상의 카세트(3) 하단부부터 차례로 로딩(loading)된다.

이때 상기 웨이퍼(W)의 대기 상태에는 상기 카세트(3) 내의 웨이퍼(W) 상면이 항상 탈이온수(deionized water;DIW)에 잠길 수 있도록 카세트 승강부(5)가 업(up)/다운(down) 동작을 한다.

또한 상기 베스(2)의 하단부에 설치된 순수 공급장치(8)로부터 탈이온수가 공급되며, 공급된 탈이온수는 공급량에 따라 상기 베스(2) 외부로 일정량 오버 플로우(over flow)된다.

상기와 같은 웨이퍼 보관장치(1)는 CMP 작업 후의 웨이퍼(W)를 카세트(3) 내에 로딩하기 위한 상기 승강부(5)의 구동 샤프트(6)가 상기 베스(2)의 바닥면을 관통하여 설치된다. 이에 따라, 상기 샤프트(6))의 승하강에 따른 탈이온수의 누출을 방지하기 위한 각종 실(seal)(7))을 사용하게 된다. 하지만, 반복적인 승하강 동작에 따라 상기 실(seal)(7)의 마모된 이물질이 상기 샤프트(6)의 이동을 따라 상기 베스(2) 내부로 침투하여 상기 웨이퍼(W)의 오염 소스가 될 수 있다.

상기 카세트(3) 최하단의 웨이퍼(W)는 최종 웨이퍼(일반적으로 25번째)가 들어올 때까지 장시간 상기 베스(2) 내부에 정체하게 된다. 특히, 상기 베스(2) 내부 에 오염물질이 있을 경우 최하부의 웨이퍼(W)는 상부 웨이퍼(W)들보다 오염 정도가 커지게 되어, 웨이퍼(W)의 품질을 저하시킬 수 있다.

상기 순수 공급장치(8)는 상기 베스(2)의 하단부에서 일정량의 탈이온수를 공급하고, 상기 탈이온수가 상기 베스(2) 외부로 오버 플로우되도록 설치되어 있다. 이때 상기 순수 공급장치(8)는 상기 웨이퍼(W)에 대하여 수직으로 배치되어 있으므로 상기 웨이퍼(W)들 사이는 클리닝이 되지 않게 되어 상기 웨이퍼(W)의 오염 발생률이 높아질 수 있다.

상기와 같이, CMP 공정 후에는 웨이퍼 상에 슬러리의 잔류물이 발생하기 쉽다. 이렇게 잔류된 슬러리들은 후속 공정에 서 파티클(Paticle)로 작용하고, 잔류 화학물질은 다른 종류의 결함(defect)으로 작용할 수 있다.

이에 CMP 공정 완료 후 파티클(particle) 및 LLS(Localized Light Scatter) 관리가 중요해지고 있으며, 동시에 CMP 완료 후 다음 공정으로 이동되기 전까지의 웨이퍼 클리닝 효과 증대 및 오염방지가 요구된다.

실시예에서는 CMP 공정 후 다음 공정으로 이동되기 전까지 웨이퍼를 보관 및 세정할 수 있는 웨이퍼 세정장치를 제공한다.

실시예에 따른 웨이퍼 세정장치는, 순수가 채워지는 베스와, 상기 베스 내부에 설치되고 웨이퍼를 순차적으로 수납하는 카세트와, 상기 베스의 외측에 설치되는 공급부와, 상기 베스를 관통하여 그 일단이 상기 공급부와 연결되는 공급라인과, 상기 공급라인의 타단과 연결되고, 상기 웨이퍼의 측부를 향해 순수를 분사하는 분사부를 포함하는 순수 공급장치를 포함하고, 상기 분사부는 일정 회전 반경을 가지도록 위치 이동되는 것을 특징으로 한다.

실시예에 의한 웨이퍼 세정장치는 폴리싱 작업 후 웨이퍼의 보관 및 클리닝 효과를 향상시킬 수 있다.

즉, CMP 처리 공정 후 일정한 웨이퍼 대기 시간 동안 상기 웨이퍼의 표면을 젖은 상태로 유지하면서, 상기 웨이퍼를 클리닝 할 수 있으므로 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있다.

상기 웨이퍼 세정장치는 카세트 구동부가 세정장치의 상측에서 승하강하므로 별도의 실 사용을 배제할 수 있으므로, 상기 세정장치의 베스 내부의 오염을 방지할 수 있다.

또한, 상기 베스 내부로 순수를 공급하는 분사부가 상기 웨이퍼들의 측면에 대하여 수평방향에 설치되고, 상기 웨이퍼들 사이에 라미나 플로우(Laminar flow) 를 형성할 수 있다.

이에 따라, 웨이퍼의 세정력이 더욱 향상되어 파티클의 제거가 용이해질 수 있다.

또한, 상기 분사부에는 적어도 2개 이상의 분사홀이 형성되어 상기 웨이퍼로 순수를 공급할 수 있다.

상기 분사부에 대응하는 상기 베스의 하부 모서리 영역은 경사를 가지도록 직선 또는 곡선 형태로 형성되어, 상기 분사부의 수압에 의한 와류를 방지하여 상기 웨이퍼들이 오염되는 것을 방지할 수 있다.

특히, 상기 베스의 경사진 모서리 영역에는 배수구가 형성되고, 오염물을 상기 베스의 외부로 배출할 수 있다.

이하, 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

실시 예의 설명에 있어서, 각 웨이퍼, 장비, 장치, 부재, 부, 영역 또는 라인 등이 각 기판, 층, 막 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 "상" 또는 "아래"에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.

도 3은 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치의 구조를 도시한 단면도이다.

도 3을 참조하여, 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치(10)는 베스(100), 카세트(400), 승강장치(200) 및 순수 공급장치(300)를 포함한다.

상기 베스(100)는 순수(DIW) 및 카세트(400)가 수납되는 공간을 제공하도록 상부가 개방된 직육면체 형태로 형성될 수 있다.

상기 베스(100)의 상부는 개방되고, 상기 베스(100)의 개방된 상부로 순수가 오버플로우(overflow) 될 수 있다.

상기 베스(100)의 하부의 모서리 영역 중 적어도 어느 하나는 모서리가 직선 또는 곡선을 가지는 둔각의 형태로 형성될 수 있다.

예를 들어, 상기 베스(100)의 하부 모서리 영역 중에서 그 형태가 직각을 이루는 영역을 제1 영역(110)이라고 지칭하고, 직선 또는 곡선의 둔각을 이루는 영역을 제2 영역(120)이라고 지칭한다.

상기 제2 영역(120)은 상기 순수 공급장치(300)의 분사부(330)와 마주하는 위치에 형성될 수 있다.

상기 제2 영역(120)은 상기 분사부(330)와 마주하는 상기 베스(100)의 하부 모서리 양측에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 영역(120)은 상기 베스(100)의 4개의 모서리 영역 중 두개의 모서리 영역에 형성될 수 있다.

상기 베스(100)의 모서리 영역 중 적어도 하나의 영역이 라운드 형태로 형성되므로 상기 베스(100)의 하부 영역까지 순수가 원활히 공급되도록 할 수 있다.

상기 제2 영역(120)에는 배수구(150)가 형성될 수 있다.

상기 배수구(150)가 상기 제2 영역(120)에 형성되고, 상기 베스(100) 하부의 라미나 플로우(Laminar Flow)를 원활하게 형성할 수 있다.

이에 따라, 상기 베스(100) 하부 영역에서의 와류 발생을 방지하고, 상기 베스(100) 내부의 오염소스를 제거할 수 있다.

상기 카세트(400)는 상기 웨이퍼(W)를 상기 베스(100)의 내부에 보관하기 위한 수납장치이다.

상기 카세트(400)는 25개 정도의 웨이퍼(W)를 수납할 수 있다.

상기 카세트(400)는 상기 승강장치(200)의 지지부(230) 상에 고정되고, 상기 승강장치(200)의 업(up)/다운(down) 동작에 의하여 상기 베스(100)의 외부 및 내부에 선택적으로 위치될 수 있다.

상기 승강장치(200)는 상기 카세트(400)의 하부를 지지하는 지지부(230), 상기 지지부(230)와 연결되고 상기 지지부(230)를 승하강시키는 구동 샤프트(220), 상기 베스(100)의 외부에 설치되고 상기 구동 샤프트(220)에 전원을 공급하는 구동부(210)를 포함한다.

상기 구동 샤프트(220)는 상기 베스(100)의 측벽과 평행하도록 길이방향으로 형성된다. 상기 구동 샤프트(220)의 일단은 상기 구동부(210)와 연결되고, 타단은 상기 지지부(230)와 연결될 수 있다.

한편, 상기 구동 샤프트(220)와 상기 지지부(230)는 일체로 형성될 수 있다.

상기 구동 샤프트(220)는 상기 베스(100)의 개방된 상부방향 연장되고 상기 구동부(210)와 연결될 수 있다.

즉, 상기 구동 샤프트(220)는 상기 베스(100)의 개방된 상부영역을 통해 승하강 동작을 할 수 있다.

이에 따라, 상기 구동 샤프트(220)를 고정시키던 별도의 실(seal) 사용이 배제되므로 실의 마모에 의한 오염 소스를 근본적으로 제거할 수 있다.

또한, 상기 구동 샤프트(220)는 상기 순수 공급장치(300)의 순수 분사부(330)와 마주하도록 배치될 수 있다.

즉, 상기 구동 샤프트(220)는 상기 분사부(330)의 라미나 플로우(Laminar Flow)를 방해하지 않는 위치에 형성될 수 있다.

상기 순수 공급장치(300)는 순수를 웨이퍼(W)로 분사하는 순수 분사부(330), 상기 분사부(330)로 순수를 공급하는 공급부(310) 및 상기 공급부(310)와 상기 분사부(330)를 연결하는 공급라인(320)을 포함한다.

상기 공급부(310)는 상기 베스(100)의 외측에 설치되고 상기 베스(100) 내부로 순수를 공급할 수 있다.

상기 공급부(310)는 상기 베스(100) 내부로 공급되는 순수의 수량을 조절할 수 있다.

상기 공급부(310)는 상기 베스(100)의 하부 영역에 배치될 수 있다. 한편, 실시예에서 상기 공급부(310)가 상기 베스(100)의 하부 영역에 위치된 것으로 도시하였지만, 상기 순수 공급부(310)의 위치는 상기 베스(100)의 상부 외측에 설치될 수도 있으며, 어느 한 영역으로 한정되지 않는다.

상기 공급라인(320)은 상기 베스(100) 내부의 상기 지지부(230) 하부에 평행 하도록 배치될 수 있다. 상기 공급라인(320)의 일단은 상기 베스(100)를 관통하여 상기 공급부(310)와 연결되고 타단은 상기 분사부(330)와 연결될 수 있다.

한편, 상기 공급라인(320)과 상기 분사부(330)는 일체로 형성될 수도 있다.

상기 분사부(330)는 상기 베스(100) 내부의 일측에 설치되고, 상기 베스(100) 내부로 순수를 공급할 수 있다.

상기 분사부(330)는 상기 카세트(400)의 길이방향에 대응되는 길이로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 카세트(400) 내부에 수납된 상기 웨이퍼(W)들로 순수를 공급할 수 있다.

상기 분사부(330)는 상기 베스(100)의 제2 영역(120)과 대향되는 위치에 설치될 수 있다.

예를 들어, 상기 분사부(330)는 상기 제2 영역(120)과 마주하는 상기 베스(100)의 내부에 1개 내지 5개 배치될 수 있다.

상기 분사부(330)가 상기 제2 영역(120)과 마주하는 영역에 설치되어, 상기 분사부(330)에서 공급되는 순수의 라미나 플로우(Laminar Flow)가 원활하게 형성될 수 있다.

도 4의 (a),(b),(c),(d)는 상기 분사부(330)에 형성된 분사홀(350)의 다양한 형태를 나타내는 정면도이다.

도 4를 참조하여, 상기 분사부(330)는 적어도 10개 이상의 분사홀(350)을 포함한다.

상기 분사홀(350)은 동일한 크기 또는 서로 다른 크기로 형성될 수 있다.

예를 들어, 상기 분사부(330)에는 10~30개 정도의 분사홀(350)이 형성될 수 있다. 상기 분사홀(350)은 1㎜~10㎜의 직경으로 형성될 수 있다.

상기 분사홀(350)은 상기 공급부(310)에 의한 수압차에 따라 점차적으로 크게 형성되거나 또는 점차적으로 작은 크기로 형성될 수 있다.

즉, 상기 공급부(310)가 상기 베스(100)의 하측에 위치하는 경우, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 분사홀(350)은 상부로 갈수록 점차 작은 크기로 형성될 수 있다.

또는, 상기 공급부(310)가 상기 베스(100)의 상측에 위치하는 경우, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 분사홀(350)은 하부로 갈수록 점차 작은 크기로 형성될 수 있다.

또는, 상기 공급부(310)가 상기 베스(100)의 중간부에 위치하는 경우, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이 상기 분사홀(350)은 중앙을 기준으로 양측으로 갈수록 점차 작은 크기로 형성될 수도 있다.

한편, 상기 분사홀(350)의 위치에 따른 크기는 이에 한정되지 않고 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이 위치에 따라 다양한 크기로 형성될 수도 있다.

도 5는 상기 베스(100)에서 상기 분사부(330)의 위치를 도시한 평면도이다. 특히, 도 5에서 상기 베스(100)의 제2 영역(120)은 직선의 경사형태를 가질 수 있다.

구체적으로, 상기 베스(100) 내부에 배치된 웨이퍼(W)를 기준으로 보았을 때, 상기 웨이퍼(W)의 일측에는 상기 베스(100)의 제2 영역(120)이 위치되고, 상기 웨이퍼(W)의 타측에는 상기 분사부(330)가 위치될 수 있다.

상기 베스(100) 내부에 한 개의 분사부(330)가 배치되고, 상기 분사부(330)는 양측으로 위치이동 될 수 있다.

즉, 상기 웨이퍼(W)의 중앙과 일직선을 이루도록 상기 분사부(330)가 설치되고, 상기 분사부(330)는 오른쪽 또는 왼쪽으로 10~90°의 회전반경을 가지도록 위치이동될 수도 있다.

도 6은 상기 베스(100)에서 상기 분사부의 위치를 도시한 평면도이다. 특히, 상기 분사부는 제1 분사부(331) 및 제2 분사부(332)를 가질 수 있다. 또한, 상기 베스의 제2 영역(120)은 곡선의 경사형태를 가질 수 있다.

구체적으로, 상기 베스(100) 내부에 배치된 웨이퍼(W)를 기준으로 보았을 때, 웨이퍼(W)의 일측에는 상기 베스(100)의 제2 영역(120)이 위치되고, 상기 웨이퍼(W)의 타측에는 각각 제1 분사부(331) 및 제2 분사부(332)가 위치될 수 있다.

상기 제1 분사부(331) 및 상기 제2 분사부(332)는 각각 오른쪽 또는 왼쪽으로 위치이동될 수 있다.

상기 제1 및 제2 분사부(331,332)가 위치이동 될 때, 상기 제1 및 제2 분사부(33,332)의 분사홀(350)들은 상기 웨이퍼(W)를 향하도록 위치변경될 수 있다.

또한, 상기 제1 및 제2 분사부(331, 332)의 형태는 사각형, 삼각형, 원형 및 부채꼴형을 포함하는 다양한 형태로 형성할 수 있다.

상기의 구조를 가지는 웨이퍼 세정장치의 동작을 도 3 및 도 7을 참조하여 구체적으로 설명한다.

CMP 공정에 의하여 폴리싱된 웨이퍼(W)를 보관하기 위하여 상기 웨이퍼 세정장치(10)의 카세트(400)에 수납한다. 즉, 상기 폴리싱 후 상기 웨이퍼(W)의 표면이 건조되는 것을 방지하기 위하여 베스(100) 내부에 설치된 상기 카세트(400)에 웨이퍼(W)를 수납하는 것이다.

상기 카세트(400)는 상기 승강장치(200)의 지지부(230)에 고정되어 있고, 상기 지지부(230)는 상기 승강장치(200)의 구동 샤프트(220)에 연결되어 있다.

상기 구동 샤프트(220)가 상기 베스(100)의 개방된 상부를 통해 상기 구동부(210)와 연결되어 있으므로, 상기 웨이퍼(W)가 수납될 때마다 상기 구동 샤프트(220)는 상기 베스(100)의 바닥면을 향해 점차 하강할 수 있다.

따라서, 최종 웨이퍼(W)(예를 들어, 25번째 웨이퍼일 수 있음)가 상기 카세트(400)에 수납되고, 상기 카세트(400)는 상기 베스(100) 내부로 완전히 들어가게 된다.

상기 웨이퍼(W) 수납될 때 상기 순수 공급장치(300)에서는 상기 분사부(330)를 통해 순수를 상기 베스(100) 내부로 공급한다.

따라서, 상기 베스(100) 내부에 순수가 채워지고, 상기 웨이퍼(W)는 순수에 잠겨진 상태가 되어 건조를 방지할 수 있다.

상기 분사부(330)는 상기 카세트(400)의 길이방향과 대응되는 길이로 형성되고, 상기 분사부(330)의 길이방향을 따라 분사홀(350)이 형성되어 있다.

도 7에 도시된 바와 같이, 상기 분사홀(350)을 통해 공급되는 순수는 상기 웨이퍼(W) 사이의 공간으로 라미나 플로우(Laminar Flow)를 형성할 수 있다.

즉, 상기 분사부(330)가 상기 카세트(400의 길이방향을 따라 형성되고, 상기 분사홀(350)을 통해 순수가 상기 웨이퍼(W)들의 측면들 사이로 공급되어 라미나 플로우(Laminar Flow)가 형성되는 것이다.

이러한 라미나 플로우 형성에 의하여 상기 웨이퍼(W)들 사이로 순수가 직접 공급되고, 상기 웨이퍼(W)의 표면에 남아있는 파티클을 제거함으로써 클리닝 효과를 향상시킬 수 있다.

상기 분사홀(350)에 의하여 상기 카세트(400)에 수납된 모든 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다.

상기 분사부(330)는 위치이동 가능하므로, 다양한 위치에서 상기 웨이퍼(W)의 세정이 가능하다.

이에 따라, 상기 웨이퍼(W) 상의 오염물질을 제거하고, 품질을 향상시킬 수 있다.

한편, 상기 순수 공급장치(300)에 의하여 상기 베스(100) 내부로 순수가 계속 공급되고, 순수 중 일부는 상기 베스(100)의 개방된 상부로 오버 플로우(over flow) 될 수 있다.

이때 상기 베스(100)의 하부에는 모서리 영역이 경사진 형태의 제2 영역(120)이 형성되어 있다. 이에 따라, 상기 베스(100) 하부 영역에서의 와류를 방지하고, 상기 베스(100) 내부의 이물질에 의한 재오염을 방지할 수 있다.

또한, 상기 베스(100)의 제2 영역(120)에는 배수구(150)가 형성되어 있으므로 상기 베스(100) 하부의 이물질을 상기 배수구(150)를 통해 배출시킬 수 있다.

따라서, 상기 베스(100) 내부의 오염물질을 제거함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 오염을 방지할 수 있다.

상기와 같이 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치에 의하여 웨이퍼의 건조 방지 뿐만 아니라 세정을 동시에 할 수 있다.

따라서, 상기 웨이퍼의 오염 방지 및 클리닝 효과를 증대시켜, 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있다.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 1은 종래의 CMP 장비의 웨이퍼 보관장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.

도 2는 도 1에서 웨이퍼에 대한 순수의 공급방향을 개략적으로 나타내는 단면도이다.

도 3은 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 도시한 단면도이다.

도 4는 도 3에 도시된 순수 공급장치의 공급라인 형태를 나타내는 정면도이다.

도 5는 상기 순수 공급라인의 위치이동 범위를 나타내는 평면도이다.

도 6은 상기 순수 공급라인이 2개 형성된 것을 나타내는 평면도이다.

도 7은 도 3에서 웨이퍼에 대한 순수의 공급방향을 개략적으로 나타내는 단면도이다.

Claims

순수가 채워지는 베스;

상기 베스 내부에 설치되고 웨이퍼를 순차적으로 수납하는 카세트; 및

상기 베스의 외측에 설치되는 공급부와, 상기 베스를 관통하여 그 일단이 상기 공급부와 연결되는 공급라인과, 상기 공급라인의 타단과 연결되고, 상기 웨이퍼의 측부를 향해 순수를 분사하는 분사부를 포함하는 순수 공급장치를 포함하고,

상기 분사부는 일정 회전 반경을 가지도록 위치 이동되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.
삭제
제1항에 있어서,

상기 분사부는 10~30개의 분사홀이 형성된 것을 포함하는 웨이퍼 세정장치.
제3항에 있어서,

상기 분사홀은 상기 공급부에서 가까워질수록 비례적으로 커지거나 또는 작아지는 형태를 가지는 웨이퍼 세정장치.
제3항에 있어서,

상기 분사홀은 동일한 크기로 형성된 것을 포함하는 웨이퍼 세정장치.
제3항에 있어서,

상기 분사홀은 제1 크기를 가지는 제1 분사홀 및 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 가지는 제2 분사홀을 포함하고,

상기 제1 분사홀 및 제2 분사홀은 교대로 배치되는 것을 포함하는 웨이퍼 세정장치.
제1항에 있어서,

상기 베스의 하부 모서리 영역은 적어도 어느 하나의 모서리 영역은 직선 또는 곡선 형태로 형성된 것을 포함하는 웨이퍼 세정장치.
제7항에 있어서,

상기 분사부는 상기 베스의 직선 또는 곡선 형태의 모서리 영역과 마주하는 위치에 형성된 웨이퍼 세정장치.
제1항에 있어서,

상기 분사부는 적어도 1개 이상 설치된 웨이퍼 세정장치.
제7항에 있어서,

상기 베스의 직선 또는 곡선 형태의 모서리 영역에는 배수구가 형성된 것을 더 포함하는 웨이퍼 세정장치.
제1항에 있어서,

상기 베스의 상부는 개방된 형태로 형성되고,

상기 베스의 개방된 상부를 통해 상기 베스의 내부로 연장되고, 상기 카세트를 승하강시키는 승강장치를 더 포함하는 웨이퍼 세정장치.
제11항에 있어서,

상기 승강장치는,

상기 카세트의 하부를 지지하는 지지부;

상기 지지부와 그 일단이 연결되고, 상기 지지부를 승하강시키는 구동 샤프트;

상기 베스의 외측에 설치되고, 상기 구동 샤프트의 타단과 연결되는 구동부를 포함하는 웨이퍼 세정장치.