KR101065556B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

검출 회로의 규모를 증대시키지 않고, 표시부의 면 내 경사나 변동을 수반하여 열화된 화소의 표시의 보정을 행할 수 있는 표시 장치가 제공된다. 전류량에 따라서 발광량이 변화하는 복수의 화소에 의해 구성된 표시부와, 상기 화소에 표시 신호 전압을 입력하기 위한 신호선을 갖는 표시 장치로서, 상기 화소에의 전원의 공급에 의해 얻어지는 상기 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 상기 신호선을 절환함으로써 출력시키는 스위치 회로와, 상기 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 상기 표시부의 수평 라인 상을 따라 순차적으로 검출하는 A/D 변환기를 구비하고,상기 A/D 변환기는, 그 레퍼런스 전압을 변경하는 회로를 구비하며,상기 수평 라인 상에서의 화소 수를 복수로 분할한 블록마다 그 블록 내의 각 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 검출하도록 구성되어 있다.
검출 회로, 스위치 회로, 화소, 레퍼런스 전압, 표시 장치

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로,예를 들면, 그 표시 소자가 자발광 소자로 구성되는 표시 장치에 관한 것이다.
여러 가지 정보 처리 장치의 보급에 의해, 역할에 맞는 표시 장치가 다양하게 존재한다. 그 중에서, 표시 소자가 자발광 소자로 구성된 소위 자발광형이라 불리는 표시 장치가 주목받고 있다. 이와 같은 표시 장치에서, 그 표시 소자는, 예를 들면, 유기 EL(Electro Luminescence) 소자, 혹은 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode) 등이 이용된 것이 알려져 있다. 이와 같은 표시 장치는, 백라이트가 불필요하여 저소비 전력에 적합하며, 또한,종래의 액정 디스플레이에 비하여 화소의 시인성이 높고, 응답 속도가 빠른 등의 이점을 갖는다. 또한,이와 같은 발광 소자는 다이오드와 닮은 특성을 가지며, 소자에 흘리는 전류량에 따라 휘도를 제어할 수 있다. 이와 같은 자발광형 표시 장치에 대해서는 일본 특허 공개 제2006-91709호 공보 등에 개시되어 있다.
그러나,이와 같이 구성된 표시 장치에서, 그 발광 소자의 특성으로서, 사용 기간이나 주위 환경에 의해 소자의 내부 저항값이 변화하는 것을 면할 수 없다. 특히 사용 기간이 증대하면 경시적으로 내부 저항이 높게 되어, 소자에 흐르는 전류가 감소하는 성질이 있다. 그 때문에,예를 들면 메뉴 표시 등을 행하는 경우에, 화면 내의 동일 개소의 화소를 계속해서 점등하고 있으면,그 부분에 대하여 소부 현상이 생긴다. 이 상태를 보정하기 위해서는 화소의 상태를 검출할 필요가 있다. 이 검출 방법으로서는 표시의 귀선 기간에서 화소의 상태를 검출하는 방법을 취한다. 귀선 기간에서는 화소에 대하여 발광시키지 않으므로 전압이 걸리지 않는다. 그 때문에,발광에 사용하는 전원과는 다른 전원을 이용하고, 귀선 기간에 화소에 대하여 어떤 일정한 전류를 인가하고 그 상태에서의 전압을 검출함으로써, 전압의 변화로부터 소부에서의 열화를 검출하는 방법을 취한다. 그리고, 화소 상태를 검출하여 보정하는 방법으로서, 예를 들면 일본 특허 공개 제2006-91860호 공보에 개시된 바와 같이, 모니터 소자를 표시부의 발광 소자의 각 행 방향으로 병설하고, 기본 전류원에 의해, 상기 모니터 소자에 정전류를 공급하고, 그 모니터 소자에 발생하는 전압을, 모니터 소자에 나란히 행 방향으로 배치된 복수의 발광 소자에 인가하고, 그 발광 소자를 정전압 구동시키도록 한 것이 알려져 있다.
그러나,상기 특허 문헌 2에 개시한 표시 장치는, 표시부에서의 각 화소의 상태를, 모니터 소자를 설치한 행 방향으로밖에 검출할 수 없어, 열 방향의 변동 특성을 고려하지 않은 것으로 되어 있다. 이 때문에, 각 화소에서 그 상태를 검출하는 것이 바람직하지만, 검출 회로의 규모가 증대하게 되는 것을 면할 수 없다. 따라서,검출 회로의 규모를 증대시키지 않고, 표시부의 면 내 경사나 변동을 수반하여 열화된 화소의 표시의 보정이 요망되기에 이르렀다.
본 발명의 목적은, 검출 회로의 규모를 증대시키지 않고, 표시부의 면 내 경사나 변동을 수반하여 열화된 화소의 표시의 보정을 행할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 표시 장치는, 검출의 기준값을 처음(예를 들면, 표시부의 좌단)에서 설정하고, 1 프레임이나 1라인분의 1회의 검출로 기준값을 변경하지 않는 것이 이상적인 것으로 되지만, 실제로는, 외부 요인 때문에 검출값의 변동량이 크게 되고, 이것을 회피하기 위해서, 검출 영역을 세분화한다. 면 내 경사의 영향에 의해 검출 전압이 변동하지만, 검출기(A/D 변환기)의 검출 범위 내에서 대응할 수 있는 변동 범위로 하면 회로의 규모의 증대는 없다. 따라서 검출 전압 변동 범위를 A/D 변환기의 검출 범위 내에 들어가도록, 하나의 레퍼런스 전압에 대한 검출 화소 수를 세분화하고, 환언하면, 블록화하여 검출한다.
본 발명의 하나의 실시 양태에 의하면, 전류량에 따라서 발광량이 변화하는 복수의 화소에 의해 구성된 표시부와, 상기 화소에 표시 신호 전압을 입력하기 위한 신호선을 갖는 표시 장치로서, 상기 화소에의 전원의 공급에 의해 얻어지는 상기 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 상기 신호선의 절환에 의해 출력시키는 스위치 회로와, 상기 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 상기 표시부의 수평 라인 상을 따라 순차적으로 검출하는 A/D 변환기를 구비하고,상기 A/D 변환기는, 그 레 퍼런스 전압을 변경하는 회로를 구비하며,상기 수평 라인 상에서의 화소 수를 복수로 분할한 블록마다 그 블록 내의 각 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 검출하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 표시 장치에 의하면, 검출 회로(A/D 변환기)의 규모를 증대시키지 않고, 표시부의 면 내 경사나 변동을 수반하여 열화된 화소의 표시의 보정을 행할 수 있다.
본 발명의 그 밖의 효과에 대해서는, 명세서 전체의 기재로부터 명백하게 된다.
본 발명의 실시예를, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한,각 도면 및 각 실시예에서,동일 또는 유사한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고,설명을 생략한다.
<제1 실시 형태>
도 1은, 본 발명에 따른 표시 장치에서의 개략을 나타내는 구성도이다. 표시 장치는 드라이버(1)와 표시부(2)로 구성된다. 드라이버(1)에는, 표시 제어부(3), 검출 스위치(4), 검출부(5), 검출용 전원(6)을 구비한다. 표시부(2)에는, 표시용 전원(7), 표시 소자(8), 화소 제어부(9), 스위치(10)를 구비한다. 외부로부터의 표시 데이터는, 드라이버(1)의 표시 제어부(3)에 입력된다. 표시 제어부(3)는, 상기 표시 데이터의 타이밍 제어나 신호 제어를 행한다. 드라이버(1) 내에서의 신호의 흐름은 크게 3종류 있으며, 표시 경로, 검출 경로, 보정 경로로서 파악할 수 있다. 상기 표시 경로는, 상기 표시 데이터가, 표시 제어부(3), 검출 스위치(4)를 통해서 표시부(2)에 들어가고, 화소 제어부(9)를 통해서 표시용 전원(7)에 의해 표시 소자(8)를 구동하는 흐름으로 되어 있다. 상기 검출 경로는, 표시 소자(8)로부터 스위치(10), 검출 스위치(4)를 통해 검출부(5)로 가는 흐름으로 되어 있다. 보정 경로는, 검출부(5)로부터 표시 제어부(3)로 가서 상기 표시 데이터를 보정하는 흐름으로 되어 있다. 상기 검출 스위치(4)는, 표시 시와 검출 시에서의 데이터 방향을 절환하도록 되어 있다. 표시 시에는 표시용 전원(7)을 이용하여 표시부(2)의 전원으로 하고, 검출 시에는 검출용 전원(6)을 이용하여 표시부(2)의 전원으로 한다. 본 실시예에서는, 전원의 개수는 2개로서 나타내었지만, 구성에 따라서는 증감하고, 전원의 종류도 전류원이나 전압원에 의해 구성되는 경우가 있다. 화소 제어부(9)는, 표시 시에 상기 표시 데이터에 의해 표시용 전원(7)의 제어를 행하고, 검출 시에 검출용 전원(6)을 이용하여 표시 소자(8)의 상태 데이터를 검출부(5)에 전달하도록 되어 있다.
도 2는, 도 1에 도시한 구성도를 더 상세히 설명하는 도면이다. 그리고, 표시 장치로서 예를 들면 유기 EL 소자를 표시 소자(도면에서 부호 8로 나타냄)로 한 표시 장치를 나타내고 있다. 표시 소자(8)의 구동 전원은, 검출 시와 표시 시로 독립된 형태를 갖는다. 즉, 검출 시에는, 검출용 전원(6)으로서 검출용 전류원(11)을 이용하고, 표시 시에는, 표시용 전원(7)으로서 표시용 전압원(12)을 이용한다. 표시용 전압원(12)은, 표시에 기여하는 표시 소자에 공통인 것이 바람직하다. 스위치(14)는 신호선(18)에 의해 표시 연산부(16)에 접속하고, 표시 시에 온 으로 된다. 검출용 전류원(11)은, 검출선(13)에 의해 스위치(15)와 접속된다. 여기에서, 스위치(14)와 스위치(15)는 동시에 온으로 되는 일은 없다. 표시 연산부(16)는, 각 스위치나 전원의 제어 및 검출과 보정을 행한다. 시프트 레지스터(17)는, 표시 연산부(16) 내에 내장되어도 되고, 독립된 제어부로서 배치되어도 되며, 제어는 표시 연산부(16)가 행한다. 신호선(21)은, 표시 시와 검출 시의 양방에서 이용하는 공용선이다. 신호선(21)에 접속되어 있는 스위치(14)는, 표시 연산부(16)가 제어하는 제어 신호(20)에 의해 제어되고, 스위치(15)는, 시프트 레지스터(17)가 제어하는 제어 신호(19)에 의해 제어된다. 표시용 전압원(12)과 표시 소자(8)는 화소 제어부(9)에 의해 접속되어 있다. 또한,검출용 전류원(11)과 표시용 전압원(12)은 별개의 전원으로 되어 있지만, 검출 구성에 따라서는, 전류원 또는 전압원 중 어느 한쪽의 전원에 통합하여 구성하여도 된다. 신호선(21)과 표시 소자(8)는, 스위치(10)에 의해 접속된다. 스위치(10)는, 표시 연산부(16)가 제어하는 모드 선택 신호(22)에 의해 제어된다. 화소 상태의 검출 결과는, 검출선(13)을 통해서 검출부(5)에서 얻도록 되어 있다. 검출부(5)는, 버퍼(24), A/D 변환부(25), 검출 연산부(26)에 의해 구성되어 있다. 버퍼(24)는, 검출선(13)의 값을 증폭하여 신호(27)로 출력한다. A/D 변환부(25)는, 신호(27)의 아날로그값을 신호(28)의 디지털값으로 변환한다. 검출 연산부(26)는, 신호(28)의 디지털값으로부터, 보정량을 산출하고, 신호(23)로서 상기 표시 연산부(16)에 출력한다. 또한,검출 연산부(26)로부터의 제어 신호(29)에 의해 A/D 변환부(25)를 제어하도록 되어 있다. 검출 연산부(26)에는, 설정 레지스터나 설정 메모리를 포함하여도 되고, 이 설정값에 의해 검출 방법이나 각종 설정을 변경하는 것이 가능하다.
도 3은, 상기 A/D 변환부(25)의 일 실시예를 나타내는 내부 구성도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, A/D 변환부(25)는, 검출 결과를 나타내는 신호(27)를 입력받고, A/D 회로(30)에 의해 A/D 변환된 신호(28)를 출력으로서 취출하도록 되어 있다. 또한,A/D 변환부(25)에, 레퍼런스 전압 생성 회로(31)와, 가산 회로(32), 감산 회로(35)를 구비한다. A/D 변환부(25)에는 상기 검출 연산부(26)(도 2 참조)로부터 제어 신호(29)가 공급되고, 그 제어 신호(29)는 상기 레퍼런스 전압 생성 회로(31)에 입력되고, 그 레퍼런스 전압 생성 회로(31)로부터는 신호(33) 및 신호(36)를 출력시키도록 되어 있다. 신호(33)의 값과 신호(36)의 값은 동일하여도 되고 서로 달라도 된다. 신호(33)는 가산 회로(32)에 입력되고, 그 가산 회로(32)는 기준 전압 A가 출력되어 상기 A/D 회로(30)에 공급되도록 되어 있다. 신호(36)는 감산 회로(35)에 입력되고, 그 감산 회로(35)는 기준 전압 B가 출력되어 상기 A/D 회로(30)에 공급되도록 되어 있다. 기준 전압 A34와 기준 전압 B37은 상기 A/D 회로(30)의 기준 전압으로서 이용되도록 되어 있다.
도 4는, 상기 A/D 회로(30)의 일 실시예의 내부 구성을 나타낸 도면이다. 도 4에서, 상기 A/D 회로(30)는 기준 전압 A34 및 기준 전압 B37에 의해 생성된 기준값(41)과, 입력되는 신호(27)의 검출 결과를 비교기(42)에 의해 비교하도록 되어 있다. 기준 전압 A34와 기준 전압 B37은 한쪽을 기준선의 값으로 하고, 레퍼런스 전압값에 오프셋값을 가산 또는 감산하여 구한 값으로 한다. 비교에 이용하는 기준값(41)은 기준 전압 A34와 기준 전압 B37의 사이를 저항 래더(40)로 분할한 값으 로 되어 있다. 이것에 의해,비교기(42)는 검출 결과(27)와 기준값(41)을 비교한다. 도 4에 도시한 비교기(42)는 예를 들면 7개로 구성되어 있다. 그러나,이 비교기(42)의 개수 및 저항 래더(40)의 개수는 요망되는 비교 정밀도에 따라서 증감될 수 있다.
도 5는, 표시 장치(패널)의 표시 영역에서의 수평 1라인에 대하여 본 경우의, 외부 요인이 없는 상태에서의 검출 결과를 나타내고 있다. 도 5에서 횡축은 상기 수평 1라인 상의 개소를 나타내며, 종축은 검출값을 취하고 있다. 도 5에서는,패널 특유의 예를 들면 화소 선택용의 박막 트랜지스터(TFT)의 스위치 변동만을 고려하는 것으로 하고 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 1라인의 검출 결과(50)는 아무런 변동도 없고, 소부도 생기지 않아, 대략 일정값으로 검출할 수 있는 것을 나타내고 있다. 여기에서, 1라인 내의 검출 개소로서 좌단부(51), 중심부(52), 우단부(53)를 본다. 각 개소의 검출 결과의 확대도를 도 5의 하측에 나타내고 있으며, 각 화소에서의 검출 결과(예를 들면, 도면에서 부호 56으로 나타냄)는 범위(54) 내에서 변동되어 있는 것을 알 수 있다. 여기에서, 도면에서 범위(55)는 A/D 회로(30)에 의한 검출의 최소 레인지를 나타내고 있다. 변동이 없는 경우, 범위(54)는 없어져서, 검출값(56)은 모두 동일한 값으로 된다. 이것에 대하여, 도 6은, 표시 영역에서의 수평 1라인에 대하여 본 경우의, 외부 요인을 포함시킨 상태에서의 검출 결과를 나타내고 있다. 도 5의 경우와 마찬가지로 표시 영역에서의 수평 1라인에 대하여 본 경우를 나타내고 있다. 패널 특유의 변동 이외에 주위 온도 등의 영향을 고려한 것으로 되어 있다. 1라인의 검출 결과(60)는, 1라인 내에 서 외부 요인의 영향을 받아 일정하지 않게 된다. 여기에서, 1라인 내의 검출 개소로서 좌단부(61), 중심부(62), 우단부(63)를 본다. 범위(64)는 변동의 범위를 나타내고 있으며, 이 범위는 패널 고유의 변동이기 때문에, 도 5에 도시한 범위(54)와는 거의 동일한 값으로 된다. 또한,범위(65)는 A/D 검출의 최소 레인지를 나타내고 있다. 또한,이 예에서는, 중앙부(62)에서, 좌단부(61) 혹은 우단부(63)와 검출 전압이 크게 상이하며,A/D 검출의 레인지가 2단계에 걸쳐 있는 것을 알 수 있다. 본 발명은, 이와 같은 외부 요인에 의한 영향을 고려한 검출 방법을 제안하는 것이다.
도 7은, 패널의 표시 영역(70)에서의 수평 방향의 전술한 검출에서, 표시 영역(70)의 상부의 검출 결과를 (a)에 나타내는 검출값(71)으로서, 중앙부의 검출 결과를 (b)에 나타내는 검출값(72)으로서, 하부의 검출 결과를 (c)에 나타내는 검출값(73)으로서 나타내고 있다. 이 예에서는, 표시 영역(70)의 상부는 변동이 적고 하부로 이동함에 따라서 변동이 커지는 특성을 나타낸 것이다. 이와 같은 특성을 패널에 따라 서로 다르기 때문에,도 7에 도시한 것에 한정되지 않고, 그 밖에 다양한 패턴이 존재한다.
도 8은 상기 A/D 회로(30)의 레인지 구성을 나타낸 도면이다. A/D 회로(30)의 레인지(80)에서, 최소 레인지는 도면에서 범위(81)로 한다. 이 범위에서, 레퍼런스 전압(82)을 중심으로, 전압의 플러스측에 3단계의 전압 범위(83)가, 전압의 마이너스측에 3단계의 전압 범위(84)가 설정된다. 이 단계의 수는 비교기(42)의 총 수(본 실시예에서는 7개)에 대응하고 있으며, 본 실시예에서는, 후의 설명으로 부터 명백하게 되는 바와 같이, 보정에 대한 횟수에 대응하고 있다. 여기에서, 예를 들면 3단계의 검출을 실시하는 경우, 어떤 범위에서, 반드시 4단계에 들어가는 것으로 하면,처음의 검출 결과에 의해, 설정이 변화한다. 예를 들면, 처음 화소가 정상적으로 동작하고, 그 검출 결과가 "0"인 경우이면, 사용하는 범위는 "0", "1", "2", "3"으로 된다. 또한,처음 화소가 예를 들면 1.5% 열화되어 있으며, 그 검출 결과가 "-1"의 장소이면, "-1", 0", "1", "2"와 같이 된다. 또한,처음 화소가 예를 들면 3.0% 열화되어 있으며, 그 검출 결과가 "-2"의 장소이면, "-2", "-1", "0", "1"과 같이 된다. 또한,처음 화소가 예를 들면 4.5% 열화되어 있으며, 그 검출 결과가 "-3"의 장소이면, "-3", "-2", "-1", "0"과 같이 된다. 1라인의 검출 결과의 모두가 이 범위에 들어가면 문제가 없지만, 외부 요인에 의해 범위를 일탈할 가능성이 충분히 있을 수 있다.
도 9a는, 표시 영역의 1수평 라인을 따른 검출값의 변화가 큰 경우에(도 7의 (c)의 경우를 상정), 그들 모두의 검출값을 얻기 위한 하나의 방법을 나타낸 것이다. 모든 검출값을 포함하도록 하여 설정된 도 9a에서의 블록(90)은, 하나의 A/D 회로(30)에서 상기 블록(90)을 커버할 수 있는 레인지를 가져야만 하는 것을 나타내고 있다. 이 경우, A/D 회로(30)의 비교기(42)의 개수는 필요 범위 w를 A/D 회로(30)의 최소 레인지로 나눈 개수 이상으로 된다. 예를 들면, 검출 범위가 1V이고 최소 레인지가 20㎷로 하면 50단계 필요로 된다. 이 경우, A/D 회로(30)의 회로 규모가 증대하게 되는 것을 면할 수 없다.
이것에 대하여, 도 9b는, 본 발명에 의해 검출값을 얻는 방법을 나타내고, 상기 블록(90)보다도 대폭 작은 영역인 블록을, 도 9b에 도시한 바와 같이, 블록(91, 92, 93, …)과 같이, 검출값의 변화에 추종시켜, 각각의 블록(91, 92, 93, …)마다 검출 결과를 얻도록 하고 있다. 이와 같이 한 경우, 상기 A/D 회로(30)의 비교기(42)의 개수는 예를 들면 7개로 적은 경우이어도, 그 블록을 검출 범위 내에 들어가도록 하면서 수평 방향으로 분할 수에 따른 이동을 시킴으로써, 검출 결과를 얻을 수 있다.
도 10은, 전술한 각 블록에서의 수평 라인 상에 병설되는 화소마다의 검출에 대하여 나타내고 있다. 도 10에서, 화살표는 수평 라인 방향에 상당하며, 블록(91, 92, 93, …)은, 설명의 편의상, 상기 수평 라인 방향에 대하여 수직 방향으로 순차적으로 어긋나게 하여 묘화하고 있다. 이 실시예에서는, 각 블록에서의 화소의 검출 개수는 일정하게 하고, 그 수를 Gn으로 하고 있다. 각 블록(91)에서는 첫번째로부터 Gn번째의 각 화소를 순차적으로 검출하여, 예를 들면 첫번째의 화소로부터는 검출 결과(100)를 얻고, Gn번째 화소로부터는 검출 결과(101)를 얻도록 되어 있다. 이들 검출 결과는 각각 절대값으로 하여도 되지만, 인접하는 화소간에서의 차분을 계산하여 상대값으로서 검출하도록 하여도 된다. 이 경우, 두번째의 블록(92)에서는, 앞의 블록(91)의 마지막 화소인 Gn으로부터 검출 개수를 가산한 G2n까지를 검출하도록 하고 있다. 마찬가지로 3번째의 블록(93)은, 앞의 블록(92)의 마지막 화소인 G2n으로부터 검출 개수를 가산한 G3n까지를 검출하도록 하고 있다. 이와 같이, 어떤 블록의 마지막 화소와 다음 블록의 처음 화소를 공통으로 함으로써, 전술한 바와 같이 상대값으로 검출하는 경우에, 블록간의 연속성을 신뢰성 좋게 확보할 수 있는 효과를 발휘한다.
도 11은, 표시와 검출의 타이밍을 나타낸 도면이다. 이 실시예에서는, 예를 들면, 1프레임의 표시에 대하여 1라인의 검출을 행하도록 되어 있다. 도 11의 위쪽에 도시한 바와 같이, 표시의 1프레임은 표시 기간과 귀선 기간으로 이루어지고, 이것이 반복하도록 되어 있다. 본 실시예에서는, 상기 귀선 기간을 검출 기간에 할당하고 있으며, 이것에 의해,1프레임은 표시 기간(110)과 검출 기간(111)의 구성으로 된다. 그리고, 검출 기간(111)은, 1라인의 블록 수인 n개로 분할하여 검출하도록 하고 있다. 도 11에서, 블록(112)이 첫번째의 블록, 블록(113)이 n번째의 블록으로 되어 있다. 마찬가지로 다음 프레임의 검출 기간(114)에 대해서도 n개의 블록으로 분할하여, 블록(115)이 첫번째의 블록, 블록(116)이 n'번째의 블록으로 되어 있다. 또한,도 11의 아래쪽에는, 검출 기간(11)에서의 각 블록의 상세를 나타낸 도면이다. 도 11에서, 1블록 내에는 레퍼런스 생성 기간과 화소 검출 기간이 할당되고, 화소(118)가 첫번째의 화소, 화소(119)가 p번째의 화소로 되어 있다. 여기에서, 1블록의 p개의 화소 수는, 1수평 라인에서의 총 화소 수를 블록 수 n으로 나눈 개수에 상당한다.
도 12는, 각 수평 라인의 수직 방향에서의 순차 검출의 방법에 대한 예를 나타낸 도면이다. 도 12의 위쪽의 도면으로부터 명백한 바와 같이, 1수평 라인 상의 총 화소 수를 Xn개로 하고 있다. 라인(수평 라인) y에서의 검출 결과는 결과(120)로서 얻어지고, 다음 라인인 라인 y+1에서의 검출 결과는 결과(121)로서 얻어지고, 또한 다음 라인인 라인 y+2에서의 검출 결과는 결과(122)로서 얻어진다. 이 예에 서는, 예를 들면, 라인 y에서의 마지막 화소의 검출값(123)과, 다음 라인 y+1의 처음 화소의 검출값(124)은 서로 다르다. 도 12의 아래쪽에 도시한 바와 같이, 각각의 수평 라인마다 검출을 행하고, 예를 들면 라인 y와 라인 y+1에서 검출값을 공통으로 하여 겹치지 않고 검출하고 있기 때문이다.
도 13은, 화소의 표시를 행하기 위한 제어 플로우차트를 나타내고 있다. 도 13에서, 처리(130)에서 표시의 처리를 개시하면,처리(131)에서 시스템을 초기화한다. 그 후, 처리(132)에서 표시 처리를 개시하고, 처리(133)에서 검출 처리를 개시한다. 시스템 기동 중에는, 처리(132)와 처리(133)를 반복한다. 여기에서, 처리(132)에서의 표시 개시와 처리(133)에서의 검출 개시는 표시의 1프레임 내에서 행해지는 것은 전술한 바와 같다.
도 14는, 화소의 검출을 행하기 위한 제어 플로우차트를 나타내고 있으며, 도 13에 도시한 처리(133)의 동작의 상세를 나타낸 것이다. 도 14에서, 처리(140)에서 검출 제어를 개시하면,처리(141)에서 시프트 레지스터(도 2에서 부호 17로 나타냄)의 초기화 설정을 한다. 그 후, 처리(142)에서 레퍼런스 전압을 설정하고, 처리(143)에서 화소의 상태를 검출한다. 처리(144)에서, 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달하였는지 여부를 판정하고, 달하지 않은 경우, 처리(145)에서 상기 시프트 레지스터를 시프트하고, 처리(143)로부터 반복한다. 처리(144)에서 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달한 경우, 처리(146)에서 블록 수가 설정 수에 달하였는지 여부를 판정하고, 달하지 않은 경우, 처리(142)로부터 반복한다. 처리(146)에서 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달한 경우, 처리(147)에서 검출 동작을 종료한다.
<제2 실시 형태>
도 15는, 본 발명의 표시 장치의 제2 실시 형태를 나타내는 도면으로, 제1 실시 형태의 도 11에 대응하는 도면으로 되어 있다. 도 15에 도시한 바와 같이, 이 구성에서는 표시의 2프레임에 대하여 1수평 라인에서의 검출을 행하도록 하고 있다. 전술한 바와 같이 1프레임은 표시 기간과 귀선 기간으로 이루어지고, 검출 기간(도면에서 부호 151)을 상기 귀선 기간에 할당하고 있다.
여기에서, 검출 기간(151)은, 1수평 라인의 블록 수에 n개의 절반인 m개로 분할하여 검출하고 있다. 즉, 이 예에서는, m=n/2로 하고 있다. 이와 같이 한 이유는, 1프레임의 검출 기간에 1수평 라인분의 검출이 시간에 맞춰지지 않은 경우를 상정함으로써,나머지 블록에서의 화소의 검출은 다음 수평 라인에서 행하도록 하고 있다. 따라서,검출에 시간을 더 필요로 하는 경우에는 분할 수를 늘릴 수 있고, 이와 같이 한 경우, 검출의 1수평 라인에 관련한 표시 프레임 수가 증가하게 된다. 도 15에서, 처음의 1프레임에서의 검출 기간(151)에서, 블록(152)이 첫번째의 블록, 블록(153)이 m번째의 블록으로서 나타내고 있다. 그리고, 다음의 1프레임의 검출 기간에서, 블록(154)이 m+1번째의 블록, 블록(155)이 n번째의 블록으로서 나타내고 있다. 첫번째의 블록으로부터 n번째의 블록에 걸쳐 각 화소의 검출이 이루어짐으로써, 1수평 라인 상의 화소의 검출이 종료하게 된다.
도 16은, 도 15에 도시한 바와 같이 하여 화소의 검출을 행하는 경우의 제어 플로우차트를 나타내고 있다. 처리(160)에서 검출 제어를 개시하면,처리(161)에서 라인 분할 플래그가 온인지의 여부를 조사한다. 여기에서, 라인 분할 플래그 는, 검출의 1수평 라인의 처리를 복수 프레임으로 처리할 때의 도중인지 종료하였는지를 나타내는 것이다. 라인 분할 플래그가 온인 경우, 검출 처리의 도중인 것을 나타내고, 라인 분할 플래그가 오프인 경우, 검출 처리가 종료한 것을 나타낸다. 처리(161)에서 라인 분할 플래그가 오프인 경우, 즉, 라인의 처음의 검출인 경우, 처리(162)에서 시프트 레지스터(도 2의 부호 17로 나타냄)의 초기화 설정을 한다. 처리(162)의 후, 혹은, 처리(161)에서 라인 분할 플래그가 온인 경우, 처리(163)에서 레퍼런스 전압을 설정하고, 처리(164)에서 화소의 상태를 검출한다. 처리(165)에서, 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달하였는지의 여부를 판정하고, 달하지 않은 경우, 처리(166)에서 시프트 레지스터를 시프트하고, 처리(164)부터 반복한다. 처리(165)에서 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달한 경우, 처리(167)에서 블록 수가 설정 수에 달하였는지의 여부를 판정하고, 달하지 않은 경우, 처리(163)부터 반복한다. 처리(167)에서 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달한 경우, 처리(168)에서 라인 분할 수의 설정 수에 달한 경우, 처리(169)에서 라인 분할 블록을 오프로 한다. 처리(168)에서 라인 분할 수의 설정 수에 달하지 않은 경우, 처리(170)에서 라인 분할 플래그를 온으로 한다. 그 후, 처리(171)에서 검출 동작을 종료한다.
<제3 실시 형태>
도 17은, 본 발명의 표시 장치의 제3 실시 형태를 나타내는 도면으로, 제1 실시 형태의 도 17에서의 설명에 관련된 내용으로 되어 있다. 이 구성에서는, 각 수평 라인 상의 화소의 검출을 행할 때에, 블록의 분할 수는 변하지 않지만, 1블록 의 검출 화소 수를 변경하도록 하고 있다. 도 17에 도시한 바와 같이, 블록 번호(175)는 1라인에서의 분할 블록을 나타내고, 1라인을 예를 들면 10블록으로 분할하고 있다. 패턴 1(등간격)(176)은, 블록마다 등간격의 화소로 검출하는 것을 나타내고 있으며, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는 패턴 1을 채용하는 것을 전제로 하여 설명해 왔다. 이것에 대하여, 본 실시 형태에서는, 패턴 2(가변 길이)(177)에 도시한 바와 같이, 1수평 라인의 처음 단부에서는 검출하는 화소 수를 적게 하고, 중앙부에서는 많게 하며, 또한,마지막 단부에서 적게 하도록 하고 있다. 검출값의 변동 특성이 예를 들면 도 7의 (c)에 도시한 바와 같은 경우가 상정될 때에, 그 중앙부에서 검출 화소 수를 많게 하는 것은, 신뢰성 있는 화소 특성의 보정을 할 수 있기 때문이다. 이 밖에도 많은 조합을 갖고,패널의 특성에 맞춰서 설정하도록 할 수 있다.
도 18은, 도 17에 도시한 바와 같이 하여 화소의 검출을 행하는 경우의 제어 플로우차트를 나타내고 있다. 도 18에 도시한 바와 같이, 처리(180)에서 검출 제어를 개시하면,처리(181)에서 라인 분할 플래그가 온인지의 여부를 조사한다. 라인 분할 플래그란 검출의 1라인의 처리를 복수 프레임으로 처리할 때의 도중인지 종료하였는지를 나타내는 것이다. 라인 분할 플래그가 온인 경우, 검출 처리의 도중인 것을 나타내고, 라인 분할 플래그가 오프인 경우, 검출 처리가 종료한 것을 나타낸다. 처리(181)에서 라인 분할 플래그가 오프인 경우, 즉, 라인의 처음의 검출인 경우, 처리(182)에서 시프트 레지스터의 초기화 설정을 한다. 처리(182)의 후, 혹은, 처리(181)에서 라인 분할 플래그가 온인 경우, 처리(183)에서 검출 화소 수의 개수를 패턴 표로부터 설정하고, 처리(184)에서 레퍼런스 전압을 설정하며, 처리(185)에서 화소의 상태를 검출한다. 처리(186)에서, 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달하였는지의 여부를 판정하고, 달하지 않은 경우, 처리(187)에서 시프트 레지스터를 시프트하고, 처리(185)로부터 반복한다. 처리(186)에서 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달한 경우, 처리(188)에서 블록 수가 설정 수에 달하였는지의 여부를 판정하고, 달하지 않은 경우, 처리(183)로부터 반복한다. 처리(188)에서 블록 내의 화소 수의 설정 수에 달한 경우, 처리(189)에서 라인 분할 수의 설정 수에 달한 경우, 처리(190)에서 라인 분할 플래그를 오프로 한다. 처리(189)에서 라인 분할 수의 설정 수에 달하지 않은 경우, 처리(191)에서 라인 분할 플래그를 온으로 한다. 그 후, 처리(192)에서 검출 동작을 종료한다.
<제4 실시 형태>
도 19는, 본 발명의 표시 장치의 제4 실시 형태를 나타내는 도면으로, 제1 실시 형태의 도 12와 대응하는 도면으로 되어 있다. 도 19의 위쪽에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 수평 라인 방향에서의 총 화소 수를 Xn개로 하고, 라인 y에서의 검출 결과를 결과(200)로 하고, 다음 라인인 라인 y+1에서의 검출 결과를 결과(201)로 하며, 또한 다음 라인인 라인 y+2에서의 검출 결과를 결과(202)로서 나타내고 있다. 그리고, 상기 결과(200)의 마지막 검출값(203)과, 결과(201)의 처음의 검출값을 동일하게 하고, 그 다음 검출에서 라인 y+1의 첫번째의 검출값을 검출값(204)으로 하고 있다. 도 19의 아래쪽에 도시한 바와 같이, 수평 라인 상의 화소의 검출에 있어서, 라인 y의 마지막 검출과 라인 y+1의 처음의 검출에서, 그들 의 차분을 취하여 상대값으로 검출값을 산출하도록 하고 있다. 이 경우, 패널의 표시 영역의 양단에서 화소의 검출값의 변동이 없는 경우에 극히 유효하게 된다.
<제5 실시 형태>
도 20은, 본 발명의 표시 장치의 제5 실시 형태를 나타내는 도면으로, 도 19와 대응한 도면으로 되어 있다. 이 실시 형태에서는, 도 20의 아래쪽으로부터 명백한 바와 같이, 화소의 검출 방향에서 홀수번째의 수평 라인과 짝수번째의 수평 라인은 서로 다르게 되어 있다. 즉, 표시 영역을 사행하여 주행하도록 화소의 순차 검출이 이루어지도록 되어 있다. 이 경우, 도 20의 위쪽에 도시한 바와 같이, 라인 y에서의 검출 결과를 결과(210)로 하고, 다음 라인인 라인 y+1에서의 검출 결과를 결과(211)로 하고, 다음 라인인 라인 y+2에서의 검출 결과를 결과(212)로 한 경우, 결과(210)의 마지막 검출값(213)과, 결과(211)의 처음 검출값을 동일하게 하고, 그 다음 검출에서 라인 y+1의 마지막 검출값을 검출값(214)으로 하고 있다. 전술한 바와 같이, 결과(211)에서 라인 내의 검출 방향이 반대로 되어 있지만, 연속적인 상대값으로서 검출할 수 있다.
<제6 실시 형태>
도 21은, 본 발명의 표시 장치의 제6 실시 형태를 나타내는 도면으로, 도 12와 대응한 도면으로 되어 있다. 도 21의 아래쪽에 도시한 바와 같이, 각 수평 라인에서 화소의 검출은 동일한 방향으로 하도록 하고 있다. 그리고, 도 21의 위쪽에 도시한 바와 같이, 각 수평 라인의 총 화소 수를 Xn으로 하고 있다. 라인 y에서의 검출 결과를 결과(220)로 하고, 다음 라인인 라인 y+1에서의 검출 결과를 결 과(221)로 하며, 또한 다음 라인인 라인 y+2에서의 검출 결과를 결과(222)로 하고 있다. 또한,결과(221)의 처음 검출값(223)은, 라인 y의 처음 화소의 검출값으로 하고, 검출값(224)은 라인 y+1의 처음 화소의 검출값으로 하고 있다. 라인의 선두 화소에서 y 라인의 값과 y+1라인의 값을 비교함으로써 라인의 기준을 상대적으로 볼 수 있다. 즉, 라인 y의 처음의 검출과 라인 y+1의 처음의 검출에서 차분을 취하고, 또한,라인 y+1의 처음의 검출과 라인 y+2의 처음의 검출에서 차분을 취함으로써, 상대값으로서의 검출 결과를 얻을 수 있다.
본 발명은, 표시 장치 단체, 내장 패널, 혹은 정보 처리 단말기의 표시 장치로서 이용 가능하다.
도 1은 본 발명의 표시 장치의 개략을 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 표시 장치의 화소의 검출부를 나타내는 구성도.
도 3은 화소의 검출부에서의 A/D 변환부를 나타내는 구성도.
도 4는 A/D 변환부 내의 A/D 회로를 나타내는 구성도.
도 5는 화소의 검출에서 이상 상태의 라인 검출을 나타낸 도면.
도 6은 화소의 검출에서 실제 환경의 라인 검출을 나타낸 도면.
도 7은 패널의 표시부에서의 라인 검출에서의 라인마다의 변화를 나타낸 도면.
도 8은 상기 A/D 회로의 레인지 구성을 설명하는 도면.
도 9a 및 도 9b는 본 발명에 따른 블록마다에 의한 화소의 검출을 나타내는 설명도.
도 10은 블록 검출과 그 블록 내의 화소의 관계를 나타낸 도면.
도 11은 제1 실시 형태에서의 표시와 검출의 타이밍을 나타낸 도면.
도 12는 제1 실시 형태에서 표시부의 수직 방향에서의 검출 방법을 나타낸 도면.
도 13은 제1 실시 형태에서의 전체 제어에 대한 플로우차트.
도 14는 제1 실시 형태에서의 검출 제어에 대한 플로우차트.
도 15는 제2 실시 형태에서의 표시와 검출의 타이밍을 나타낸 도면.
도 16은 제2 실시 형태에서의 검출 제어에 대한 플로우차트.
도 17은 제3 실시 형태에서 블록 내의 검출 화소 수의 일례를 나타낸 도면.
도 18은 제3 실시 형태에서의 검출 제어에 대한 플로우차트.
도 19는 제4 실시 형태에서의 표시부의 수직 방향에서의 검출 방법을 나타낸 도면.
도 20은 제5 실시 형태에서의 표시부의 수직 방향에서의 검출 방법을 나타낸 도면.
도 21은 제6 실시 형태에서의 표시부의 수직 방향에서의 검출 방법을 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 드라이버
2: 표시부
3: 표시 제어부
4: 검출 스위치
5: 검출부
6: 검출용 전원
7: 표시용 전원
8: 표시 소자
9: 화소 제어부
10: 스위치

Claims (11)

  1. 전류량에 따라서 발광량이 변화하는 복수의 화소에 의해 구성된 표시부와, 상기 화소에 표시 신호 전압을 입력하기 위한 신호선을 갖는 표시 장치로서,
    상기 화소에의 검출용 전원의 공급에 의해 얻어지는 상기 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 상기 신호선의 절환에 의해 출력시키는 스위치 회로와,
    상기 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 상기 표시부의 수평 라인 상을 따라 순차적으로 검출하는 A/D 변환기를 포함하고,
    상기 A/D 변환기는, 그 레퍼런스 전압을 변경하는 회로를 포함하고,상기 수평 라인 상에서의 화소 수를 복수로 분할한 블록마다 그 블록 내의 각 화소의 화소 상태에 대응하는 신호를 검출하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 A/D 변환기는, 레퍼런스 전압 생성 회로, 가산 회로 및 감산 회로를 포함하고, 레퍼런스 전압을 중심으로 하여 상기 가산 회로와 상기 감산 회로로부터 각각 기준 전압을 생성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 A/D 변환기는, 임의의 2화소 중 제1 화소의 화소 상태 출력으로부터, 복수의 기준 상태를 생성하고, 그 복수의 기준 상태와 그 임의의 2화소 중 제2 화 소의 화소 상태 출력을 비교하는 복수의 비교기를 설치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 A/D 변환기는, 표시부의 1수평 라인 상의 각 화소를 임의의 개수로 분할한 블록마다의 검출 결과로부터 1수평 라인 상의 각 화소의 검출 결과를 재구성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    연속하는 각 블록에서, 처음 블록의 마지막 검출 화소와 다음 블록의 처음 검출 화소를 동일한 화소로 한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    각 프레임의 귀선 기간에 할당된 검출 기간의 각각에서 1수평 라인 상의 화소의 검출을 행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    1수평 라인 상의 화소의 검출을 복수 프레임의 귀선 기간에 할당된 검출 기간으로 분할하여 행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    블록 내의 검출 화소 수가 다른 블록 내의 검출 화소와 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제4항에 있어서,
    복수의 수평 라인 상의 블록마다의 화소의 검출에서, 그 검출 방향은 각 수평 라인에서 동일하게 하고, 또한, 수평 라인 상의 마지막 화소를 다음 수평 라인의 처음 화소의 검출에 앞서 재차 검출하고, 그 차분을 취함으로써 화소간의 검출값의 연속성을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제4항에 있어서,
    복수의 수평 라인 상의 블록마다의 화소의 검출에서, 그 검출 방향은 인접하는 수평 라인에서 서로 다르게 하고, 또한, 수평 라인 상의 마지막 화소를 다음 수평 라인의 처음 화소의 검출에 앞서 재차 검출하고, 그 차분을 취함으로써 화소간의 검출값의 연속성을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제4항에 있어서,
    복수의 수평 라인 상의 블록마다의 화소의 검출에서, 그 검출 방향은 각 수평 라인에서 동일하게 하고, 또한, 수평 라인 상의 처음 화소를 다음 수평 라인의 처음 화소의 검출에 앞서 재차 검출하고, 그 차분을 취함으로써 화소간의 검출값의 연속성을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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