KR101064304B1 - 포토닉 크리스탈을 이용한 반사형 디스플레이 장치 및 이의제조방법 - Google Patents

포토닉 크리스탈을 이용한 반사형 디스플레이 장치 및 이의제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하부기판; 상기 하부기판과 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 상부기판; 상기 하부기판과 상부기판 사이의 갭을 유지하며 화소영역을 구획하는 스페이서; 상기 화소영역마다 전위차를 제어할 수 있도록 상기 하부기판 및 상부기판 각각에 형성된 제1 전극과 제2 전극; 상기 화소영역에 봉입되어 있으며 상기 제1 전극과 제2 전극에 가해진 전압에 따라 이온농도가 변하는 전해용매; 및 상기 하부기판 위에 형성되고 상기 전해용매와 접촉해 있는 포토닉 크리스탈을 포함하는 반사형 디스플레이 장치 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반사형 디스플레이 소자는 전 영역에서 정확한 색구현력을 갖추며, 백라이트 및 컬러필터를 사용하지 않아도 되므로 소자 구성이 비교적 단순하고, 공정 단가가 저렴하여 대형화가 용이하며 가요성(flexibility) 면에서도 우수한 장점이 있다.
포토닉 크리스탈, 반사형 디스플레이 장치

Description

포토닉 크리스탈을 이용한 반사형 디스플레이 장치 및 이의 제조방법{Reflection type display device using photonic crystal and method for fabricating thereof}
본 발명은 포토닉 크리스탈을 이용한 반사형 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세히는 포토닉 크리스탈을 이용하여 풀 컬러의 구현이 가능한 반사형 디스플레이 장치와 이의 제조방법을 제공한다.
디스플레이 소자는 발광형(LCD, PDP, OLED 등)과 반사형(E-ink, P-ink, Photonic Crystal)의 크게 두 가지로 나뉘어 진다. 고해상도 디스플레이의 경우 발광형 소자가 이용되고 있다. 이 중 LCD는 물리적인 문제로 더 이상의 대형화가 어렵고, PDP는 성능면에서 타 소자에 뒤진다. OLED의 경우에는 대형화 면에서 공정상의 문제가 있다. 최근 값싼 대형 디스플레이와 플렉시블 디스플레이(flexible display) 즉 종이와 같은 디스플레이에 대한 요구가 강하며, 이러한 점에서 반사형 소자가 연구되고 있다.
반사형 소자는 소자 구성이 비교적 단순하고, 공정 단가가 저렴하여 대형화가 용이하며, 전력소모량이 적고, 가요성(flexibility) 면에서 강점이 있다.
포토닉 크리스탈은 유전체를 주기적으로 배열한 인공결정을 말하는 것으로 결정격자 간격에 따라 반사되는 빛의 파장이 결정되기 때문에 다양한 색상을 낼 수 있으므로 이러한 격자 간격을 조절하여 디스플레이에 사용할 수 있는 연구가 진행되어 왔다.
최근 Y.J. Kang 등은 가시광선 또는 근적외선 영역에서 조절성을 가진 포토닉 크리스탈로서 1차원적 주기성 라멜라 구조를 가진 소수성 블록-친수성 고분자전해질 블록 중합체를 보고한 바 있다(Broad-wavelength-range chemically tunable block-copolymer photonic gels, Nature Materials 2007, Vol. 6, No. 12, 957-960). 이들은 포토닉 크리스탈 구조의 주기성 및/또는 굴절률을 변화시킴으로써 스톱 밴드(stop band)의 위치를 조절할 수 있음을 밝혔다.
하지만 아직까지는 이러한 블록 공중합체 형태의 포토닉 크리스탈을 반사형 디스플레이에 구체적으로 적용한 예가 없다. 따라서 전기화학적 조절방법으로 포토닉 크리스탈의 구조를 변화시켜 가역적으로 색상을 제어할 수 있는 반사형 디스플레이 장치를 제공할 필요성이 대두된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 주위 이온농도에 따라 광학적 특성이 달라지는 포토닉 크리스탈을 사용하고, 전기화학적으로 이온농도를 조절함으로써 이로부터 선택적으로 반사되는 빛의 파장을 전이시켜 모든 파장의 색상을 구현할 수 있는 반사형 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면은,
하부기판; 상기 하부기판과 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 상부기판;
상기 하부기판과 상부기판 사이의 갭을 유지하며 화소영역을 구획하는 스페이서; 상기 화소영역마다 전위차를 제어할 수 있도록 상기 하부기판 및 상부기판 각각에 형성된 제1 전극과 제2 전극; 상기 화소영역에 봉입되어 있으며 상기 제1 전극과 제2 전극에 가해진 전압에 따라 이온농도가 변하는 전해용매; 및 상기 하부기판 위에 형성되고 상기 전해용매와 접촉해 있는 포토닉 크리스탈을 포함하는 반사형 디스플레이 장치를 제공한다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 다른 측면은,
(a) 전극이 형성된 하부기판을 제공하는 단계; (b) 상기 하부기판에 스페이서를 형성하는 단계; (c) 상기 스페이서에 의해 구획된 화소영역 내에 포토닉 크리스탈 적층구조를 형성하는 단계; (d) 상기 포토닉 크리스탈 적층구조가 형성된 상기 화소영역 내에 전해용매를 도입하는 단계; 및 (e) 전극이 형성된 상부기판으로 상기 전해용매가 새지 않도록 패시베이션하는 단계를 포함하는 반사형 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 반사형 디스플레이 소자는 가시광선 전 영역에서 정확한 색구현력을 갖추며, 백라이트 및 컬러필터를 사용하지 않아도 되므로 소자 구성이 비교적 단순하고, 공정 단가가 저렴하여 대형화가 용이하며 가요성(flexibility) 면에서도 우수한 장점이 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 반사형 디스플레이의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 반사형 디스플레이의 장치의 단위 셀 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시한 것과 같이, 단위 셀(10)은 하부기판(11)과 상부기판(12), 스페이서(15), 각 기판에 형성된 제1 및 제2 전극(13, 14), 하부기판(11) 및 상부기판(12)과 양쪽 스페이서(15)에 의해 구획된 화소영역에 봉입된 전해용매(16) 및 포토닉 크리스탈(17)을 포함한다.
하부기판(11)은 및 상부기판(12)의 재질은 유리, 금속, 플라스틱 및 실리콘으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나 반드시 이에 국한되지 않으며, 유연성이 필요하다면, 플라스틱 재질의 경우 유연성 고분자 필름, 금속 재질의 경우 금속 호 일 등이 바람직하다. 디스플레이에 사용되므로 하부기판(11)과 상부기판(12) 중 적어도 하나는 투명한 것이 바람직하다.
상기 하부기판(11) 또는 상부기판(12)에는, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(미도시)와 화상을 표시하기 위한 화소 전극(제1 전극(13) 또는 제2 전극(14))이 매트릭스 형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 동작시키기 위해 게이트 라인과 데이터 라인이 직교하도록 형성될 수 있다.
스페이서(15)는 얇은 상부 및 하부기판을 깨지거나 휘어지지 않도록 소정의 갭을 유지하여 분리하고 절연체로서 주로 폴리이미드 및 감광성 유리 등이 이용된다. 본 발명에서는 또한 디스플레이 소자의 어레이 공정시 포토닉 크리스탈 용액의 프린팅을 위한 뱅크 역할을 하므로 포토닉 크리스탈 층의 주기적 구조 형성을 위한 용매 어닐링 공정에 견딜 수 있는 재료이어야 한다. 그러한 이유에서 패턴 형성이 용이하여야 하고, 내구성이 있으며, 어닐링 용매에 내성이 있는 재료로 프린팅 공정을 위해 소수성을 가지고 있으면 바람직하다. 이러한 감광성 재료의 예로서 폴리비닐알코올 수용액에 암모늄 디크로메이트가 광개시제로 첨가되고 수용성 불소 고분자재료가 첨가되어 소수성을 가질수 있는 조성의 재료나 PC403 (JSR)과 같은 광가교성 유기박막 형성 재료가 바람직하다.
전극은 제1 전극(13)과 제2 전극(14)이 있으며 각각 하부기판(11)과 상부기판(12)에 형성되어 양 단간 전압을 인가하기 위한 것이다. 제1 전극(13) 또는 제2 전극(14)의 경우 전도성이 높은 재질이라면 어떤 재질이든지 제한되지 않으며, 주로 금속이 이용된다. 또한 단위 셀(10) 내로 입사 및 반사되는 경로에 있는 쪽에는 투명기판 상에 투명전극이 형성된 것이 바람직하며, ITO, FTO, SnO2, ZnO 등이 사용될 수 있다. 각 단위 셀(10)에서 제2 전극(14)은 제1 전극(13)과 대향되어 있다.
전해용매(16)는 본 단위 셀(10)의 화학적인 튜닝을 가능하게 하는 매개체로서, 제1 전극(13)과 제2 전극(14) 사이의 전압에 따라 이온농도의 기울기를 형성시키는 역할을 한다. 전해용매(16)의 종류는 전해용매는 가해진 전압에 따라 이온농도가 변화하는 물질이면 특별히 한정되지 않으며 주로 염이 용해된 수용액이나 이온성 액체, 예를 들면 이미다졸륨과 같은 이온성 유기용매가 이용될 수 있다.
포토닉 크리스탈(17)은 본 발명의 반사형 디스플레이의 실질적인 구동을 담당하는 중심적 매체로서 하부기판(11) 위에 적층되어 있으며 전해용매(16)와 직접 접촉해 있다. 이는 물리적 또는 화학적 성질이 다른 영역으로 구분 지워지는 도메인들 간의 1차원, 2차원, 또는 3차원의 주기적 구조를 가질 수 있어서, 주기성에 따라 전자기파에 의해 반사되는 스톱 밴드의 위치가 결정된다. 만일 포토닉 크리스탈(17) 내의 도메인의 종류가 두 가지이고 그 둘 사이의 굴절률의 차이가 커지면 스톱 밴드도 커지게 된다.
포토닉 크리스탈(17)로 사용할 수 있는 재료는 외부의 자극, 예를 들어 전기적 자극 또는 이온농도의 변화에 따라 전자기 복사에 영향을 주도록 도메인의 주기적 구조가 가역적으로 변화될 수 있는 재료이면 제한되지 않으며, 소수성 블록중합체와 친수성 블록중합체로 구성된 양매성 이블록공중합체(amphiphilic diblock copolymer)가 바람직하다. 이러한 이블록 공중합체는 자기조립된 층상 구조체일 수 있다.
도 2는 포토닉 크리스탈로 사용된 고분자 필름과 이의 조절 메커니즘을 나타내는 개략도이다. 이하 도 2를 참조하여 본 발명의 포토닉 크리스탈의 바람직한 실시예로 사용되는 소수성인 폴리스티렌(PS) 블록-친수성인 고분자전해질 블록 형태의 공중합체인 하기의 화학식(1)의 폴리스티렌-b-4차화된 폴리(2-비닐피리딘)을 중심으로 포토닉 크리스탈의 조절 메커니즘을 상세히 설명하기로 한다.
<화학식 1>
Figure 112007094456313-pat00001
(여기서 m 및 n 은 각각 임의의 양의 정수, R은 수소, 알킬, 알켄 또는 아릴)
포토닉 크리스탈로 사용되는 상기 화학식 1의 블록 공중합체의 라멜라 스택은 유리상으로 된 폴리스티렌의 블록 층과 고분자전해질의 블록 겔인 4차화된 폴리(2-비닐피리딘) 블록 층이 교대로 배열된 적층구조이다. 여기서 친수성인 4차화된 폴리(2-비닐피리딘) 블록이 접해 있는 수성 용매에 의해 스택 방향으로 팽윤(swelling) 또는 비팽윤(deswelling)될 수 있다. 이 때 고분자전해질 블록의 도메인 스페이싱과 굴절률 대비의 증가 또는 감소를 가져오며 강한 반사성을 수반하 면서 스톱 밴드 위치를 장파장 또는 단파장 영역으로 전이시킨다.
이러한 팽윤/비팽윤 특성은 폴리(2-비닐피리딘) 블록 (이하 P2VP) 내의 피리딘을 1-브로모에탄과 같은 할로겐화알킬 화합물과 반응시켜 피리디늄으로 4차화(quaternization)하는 정도에 따라서, 또는 1,4-디브로모부탄과 같은 이할로겐화알킬 화합물과 반응시켜 4차화 및 인접 피리딘 분자간에 가교화하는 정도에 따라서 다양하게 변화시킬 수 있다.
만일 P2VP를 1-브로모에탄으로 처리할 경우, 4차화된 폴리(2-비닐피리딘) (이하 QP2VP)을 형성하고 친수성이 큰 피리디늄 양이온의 개수가 많아져 주위의 물을 많이 흡수하면서 팽윤될 수 있다. 블록공중합체 필름의 팽윤/비팽윤 간 QP2VP의 겔 층의 두께는 10배 이상 차이가 날 수 있으며, 이는 블록공중합체 마이크로도메인 주기에서의 큰 변화를 가져오므로 스톱 밴드의 조절성이 커진다고 볼 수 있다. 여기서 소수성인 유리상의 폴리스티렌 층은 겔 층의 팽창을 제한한다.
수분이 없는 상태인 건조 고분자 필름의 경우 도메인 스페이싱 및 굴절률 대비(nPS = nP2VP = 약 1.6)가 가시광선 영역에서 스톱 밴드를 보일 만큼 충분히 크지 않을 경우 고분자 필름은 눈에 투명하게 보이지만, 이를 물에 담그면 도메인 스페이싱 및 굴절률 대비가 커지게 되어 스톱 밴드에 의해 반사되는 빛의 파장을 전이시키며 QP2VP의 가교도에 따라 여러 가지 색상을 나타낸다. 예를 들면 1,4-디브로모부탄을 많이 사용하여 가교도가 높아지면 스톱 밴드가 파란색 쪽(λ=420nm 근방)에 나타나고 가교도가 낮아지면 빨간색 쪽(λ=660nm 근방)으로 전이함을 관찰할 수 있다.
팽윤/비팽윤 특성은 포토닉 크리스탈 자체의 구조를 조절함으로써 뿐만 아니라 전해용매, 바람직하게는 염이 첨가된 수용액이나 이온성 유기용매를 이용하여 조절할 수도 있다.
가교하지 않고 완전 4차화시킨 PS-b-QP2VP를 전해용매로 산성 수용액, 예를 들어 NH4Cl 용액에 접촉시킬 경우, 농도에 따라 다른 특성을 보인다. Y.J. Kang 등에 의해 보고된 바에 따르면 완전 4차화된 포토닉 겔 필름을 2.5M부터 0M의 다양한 NH4Cl 농도로 PS-b-QP2VP와 접촉시킬 경우 스톱 밴드 위치가 363nm 내지 1,627nm까지 전이, 즉 자외선-가시광선-근적외선 흡광스펙트럼을 나타낸다. 팽윤특성은 4차화가 많이 되고, 가교도가 낮을수록, 주위의 pH가 높을수록 팽윤되기 쉬워짐을 알 수 있다.
따라서 상기 특성을 이용하면 포토닉 크리스탈 재료와 전해용매의 종류를 적절히 선택함으로써 필요한 파장 범위, 예를 들면 디스플레이용이라면 가시광선 영역 전 범위에서 전기화학적으로 가역적으로 색상이 조절되는 시스템을 구현할 수 있다.
도 3은 포토닉 크리스탈 재료로 PS-b-QP2VP를 선택하여 전기화학적으로 구동되는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 작동원리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3의 (a)는 도 1의 단위 셀(10)의 화소영역 부분만을 분리하여 나타낸 것으로 QP2VP가 전해용매인 물과 접촉되어 있으며 제1, 2 전극(13, 14) 사이에 전압 이 인가되지 않은 상태이다. QP2VP는 P2VP에 1-브로모에탄과 1,4-디브로모부탄의 혼합물을 사용하여 4차화 및 가교화시킨 상태이다. 현재 물과 접촉하면서 어느 정도 팽윤이 일어나 있는 상태로 필요시 4차화 및 가교화하는 정도에 따라 스톱 밴드가 초록색 영역이나 파란색 영역 또는 보다 짧은 파장의 영역에서 나타날 수 있도록 조절할 수 있다. 피리디늄 주위의 짝이온으로서 1-브로모에탄 또는 1,4-디브로모부탄으로부터 유래한 Br-이 존재한다.
도 3의 (b)는 제1, 2 전극(13, 14) 사이에 각각 전원의 캐소드와 애노드와 연결하여 전압을 인가한 상태를 나타낸다. 이 때 양 전극에서는 하기와 같은 물 분자의 전해반응이 일어난다.
애노드(+): 2H2O → O2(g) + 4H+ + 4e-
캐소드(-): 2H2O + 2e- → H2(g) + 2OH-
애노드에서는 산화반응에 의해 양성자가 생성되고 캐소드에서는 환원반응에 의해 하이드록사이드 이온이 생긴다. 이로써 애노드와 캐소드 사이에 수소이온농도의 기울기가 형성되어 캐소드 쪽에 가까울수록 pH가 높아지게 된다. 결국 제1 전극(13) 주위의 OH- 이온이 다량 생성되면서 피리디늄 주위의 Br-을 OH-가 치환하게 되고 Br-는 전기장을 따라 애노드쪽으로 이동하게 된다. 이 때 친수성 블록층에서는 Br-보다 친수성이 강한 OH-에 의해 주위의 물(H2O) 분자들을 끌어당겨 흡수하게 되 고, 포토닉 크리스탈 층(17)의 팽윤이 일어난다. 따라서 전해질 고분자 블록의 도메인 스페이싱이 커짐으로써 스톱 밴드가 장파장 쪽으로 전이하게 된다.
상기와 같은 방식으로 양 전극 간 인가된 전압에 따라 고분자 필름의 컬러가 정해진다. 애노드와 캐소드 사이에 전압을 가하지 않거나 애노드와 캐소드의 극성을 바꾸면 수소이온농도의 기울기가 생기지 않거나 반대방향으로 생기게 된다. 이렇게 인가 전압에 따라 전해용매 내에서 전해 및 전기영동 현상이 발생하며 이에 따른 고분자필름의 팽윤도의 변화로 반사되는 파장이 변하게 된다. 또한 전압의 높낮이에 따라 가역적이고 연속적으로 변하게 되므로 반사형 디스플레이로서 충분히 작동할 수 있다.
결국, 포토닉 크리스탈의 종류, 전해용매의 종류를 선택하고 전압을 조절함으로써 원하는 파장영역의 빛을 반사하도록 제어할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 측면에 따른 반사형 디스플레이 장치의 제조방법에 관해 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 반사형 디스플레이 장치의 제조방법에 따른 바람직한 실시예를 나타낸 공정 개략도이다.
먼저 전극(13)이 형성된 하부기판(11)을 도입한다(도 4의 (a)). 하부기판(11)은 전극(13)으로서 소망하는 TFT 어레이를 패턴화한 기판이 바람직하다.
다음 상기 하부기판(11)에 감광성 재료를 패터닝하여 스페이서(15)를 형성한다(도 4의 (b)). 스페이서(15)는 상하부 기판의 갭을 유지하며 소자 간의 크로스-토크(cross-talk)를 방지하고 이후 프린팅 공정시 원하는 부분에만 포토닉 크리스 탈 용액(17a)을 충전할 수 있도록 화소영역을 분할하는 뱅크의 역할도 한다. 이는 공지된 여러 가지 방법에 의해 제조될 수 있으나, 폴리비닐알코올과 같은 수용성 고분자, 암모늄 디크로메이트와 같은 광개시제 및 수용성 불소 화합물의 혼합용액을 코팅 후 이를 포토리소그래피법에 의해 자외선에 노출시켜 현상하고 베이킹함으로써 제조하는 것이 바람직하다.
다음 스페이서(15)에 의해 구획된 화소 영역 내에 포토닉 크리스탈 용액(17a)을 도입한다(도 4의 (c)). 상기 포토닉 크리스탈 용액(17a)을 도입하는 방법으로 스크린 인쇄법, 프린팅법, 스프레이코팅법, 스핀코팅법, 딥코팅법, 잉크젯법 등을 예로 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이렇게 도입된 상기 포토닉 크리스탈 용액(17a)을 어닐링하여 상기 하부기판(11) 상에 포토닉 크리스탈(17)의 적층구조를 형성한다(도 4의 (d)). 바람직하게는 PS-b-QP2VP (수평균 분자량 = 190kg/mol-b-190kg/mol)의 5% 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 용액으로부터 스핀코팅하여 형성된 필름을 클로로포름 증기 중에서 50℃에서 24시간 동안 어닐링하여 제조할 수 있다.
이어 포토닉 크리스탈(17)의 적층구조가 형성된 상기 화소영역 내에 전해용매(16)를 도입한다 (도 4의 (e)).
전해용매(16)의 도입방법의 예로서 딥핑 등을 이용할 수 있다.
마지막으로 상부기판(12)으로 패시베이션(passivation)함으로써 디스플레이 소자의 어레이가 완성된다(도 4의 (f)). 상기 상부기판(12)은 화소영역을 사이에 두고 상기 하부기판(11)과 대향 배치되어 있고, 하부기판(11)의 제1 전극(13)과 대 응하는 제2 전극(14)이 형성이 되어 있다. 상부기판(12)은 또한 전해용매(16)가 새지 않도록 덮어주는 역할을 한다.
상부기판(12)과 하부기판(11) 중 적어도 하나는 빛이 포토닉 크리스탈(17) 쪽으로 투과 및 반사되어 나올 수 있도록 투명해야 하며 투명한 기판에는 투명 전극이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이상에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 반사형 디스플레이 장치의 단위 셀 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 포토닉 크리스탈로 사용된 고분자 필름과 이의 조절 메커니즘을 나타내는 개략도이다.
도 3은 포토닉 크리스탈 재료로 PS-b-QP2VP를 선택하여 전기화학적으로 구동되는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 작동원리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 반사형 디스플레이 장치의 제조방법에 따른 바람직한 실시예를 나타낸 공정 개략도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 설명 *
11, 12: 하부, 상부기판 13, 14: 제1, 제2 전극
15: 스페이서 16: 전해용매
17: 포토닉 크리스탈

Claims (16)

  1. 하부기판;
    상기 하부기판과 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 상부기판;
    상기 하부기판과 상부기판 사이의 갭을 유지하며 화소영역을 구획하는 스페이서;
    상기 화소영역마다 전위차를 제어할 수 있도록 상기 하부기판 및 상부기판 각각에 형성된 제1 전극과 제2 전극;
    상기 화소영역에 봉입되어 있으며 상기 제1 전극과 제2 전극에 가해진 전압에 따라 이온농도가 변하는 전해용매; 및
    상기 하부기판 위에 형성되고 상기 전해용매와 접촉해 있는 포토닉 크리스탈을 포함하는 반사형 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부기판 또는 상부기판 중 적어도 하나는 투명한 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하부기판 또는 상부기판은 유리, 금속, 플라스틱 또는 실리콘인 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 플라스틱 또는 금속은 유연성 재질인 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 감광성 재료인 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나는 투명 전극인 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전해용매는 염이 용해된 수용액 또는 이온성 유기용매인 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 포토닉 크리스탈은 전기적 자극 또는 이온농도의 변화에 따라 전자기 복사에 영향을 주도록 도메인의 주기적 구조가 가역적으로 변화될 수 있는 재료인 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 포토닉 크리스탈은 소수성 블록중합체와 친수성 블록중합체로 구성된 이블록공중합체(diblock copolymer)인 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 이블록공중합체는 자기조립된 층상 구조체인 것을 특 징으로 하는 반사형 디스플레이 장치.
  11. (a) 전극이 형성된 하부기판을 제공하는 단계;
    (b) 상기 하부기판에 스페이서를 형성하는 단계;
    (c) 상기 스페이서에 의해 구획된 화소영역 내에 포토닉 크리스탈 적층구조를 형성하는 단계;
    (d) 상기 포토닉 크리스탈 적층구조가 형성된 상기 화소영역 내에 전해용매를 도입하는 단계; 및
    (e) 전극이 형성된 상부기판으로 상기 전해용매가 새지 않도록 패시베이션하는 단계를 포함하는 반사형 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 스페이서는 감광성 재료를 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 감광성 재료는 광개시제를 포함하는 수용성 고분자와 불소화합물의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 (c) 단계는
    (c1) 상기 화소영역 내에 포토닉 크리스탈 용액을 도입하는 단계; 및
    (c2) 상기 포토닉 크리스탈 용액을 어닐링하여 포토닉 크리스탈 적층구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 포토닉 크리스탈 용액은 스크린 인쇄법, 스프레이코팅법, 프린팅법, 스핀코팅법, 딥코팅법 또는 잉크젯법에 의해 도입되는 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 전해용매는 딥핑에 의해 도입하는 것을 특징으로 하는 반사형 디스플레이 장치의 제조방법.
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