KR101064166B1 - 무기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 무기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 위에 하부전극을 형성하는 단계, 상기 하부전극 위에 습식 공정으로 형광층을 형성하는 단계, 상기 형광층 위에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이와 같은 본 발명에 의해 박막에 가까운 두께의 치밀하고 균일한 형광체를 형성하여, 휘도가 증가되고 낮은 전압에서도 구동이 가능하며, 수명이 증가된 무기전계발광소자를 제공할 수 있다.

무기전계발광소자, 무기 EL, EL, 형광층, 습식 코팅

Description

무기전계발광소자 및 그 제조방법{Inorganic Electro Luminescence device and manufacturing method thereof}

본 발명은 무기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막에 가까운 두께의 치밀하고 균일한 형광체를 형성하여, 휘도가 증가되고 낮은 전압에서도 구동이 가능하며, 수명이 증가된 무기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일본 기업을 중심으로 사업이 전개되고 있는 유기전계발광소자는 2002년부터 휴대폰용 외부 창으로 일반 소비자들에게 알려진 반면, 무기전계발광소자는 아직까지 인지도가 거의 없는 상태이다.

유기전계발광소자와 무기전계발광소자는 제조공정 상의 차이와 발광물질이 유기물이냐 무기물이냐에 따라 구분 되어 질 뿐, 동일한 구동 메커니즘(전계에 의한 구동)을 가지고 있다.

1936년 O.W.Destriau가 ZnS:Cu의 결정성 분말을 두 개의 전극 사이에 넣고 교류전장을 인가하여 EL(Electro Luminescence)현상을 발견한 이후, 분말형 EL에 관한 연구가 집중되어 황화아연(ZnS)를 모체로 가지는 계열의 다수의 무기발광재가 개발되었다.

무기전계발광(Inorganic Electro Luminescence)소자는 전극과 전극 사이에 형광체와 유전체가 존재하며, 양단의 전극에 걸리는 전압을 이용하여 화상 혹은 빛을 표시하는 장치로서, 플라스틱 기판, 유리 기판 또는 고분자 수지 필름 위에 형성이 가능하여 플렉서블 표시소자로서 우수한 특성을 가지므로, 차세대 표시소자로서 주목을 받고 있다.

그리고, 무기전계발광소자는TFT(Thin Film Transistor)가 필요 없어 상대적으로 대형화가 용이하다는 특성을 가지고 있으며, 간단한 제조공정에 의한 낮은 원가와 극한 환경에서도 안정된 성능의 구현이 가능하다.

또한 제조공정 상에서 박막(Thin Film) 공정이 필요한 TFT-LCD, 유기 EL과는 달리 가격이 저렴한 후막(Thick Film) 공정으로 제품을 만들 수 있다는 점도 큰 장점이다.

이러한 무기전계발광소자는 전극에 인가되는 전압이 임계전압이상이 되면, 유전체와 형광체의 계면준위에서의 터널링 효과에 의해 방출된 전자가 높은 전계에 의해 가속되어 형광체의 발광센터에 충돌하게 되고, 이때 발광센터의 전자들은 여기 상태가 되며, 이때 여기 된 전자들이 기저상태로 완화될 때 발광하게 된다.

무기전계발광소자는 만들어지는 방법 및 재료에 따라서 박막형(Thin Film) 발광소자와 후막형(Thick Film) 발광소자로 분류된다.

박막형 발광소자는 일반적으로 모든 증착 공정이 고진공상태에서 이루어져야 하며, 500℃이상에서 수시간 동안 열처리 공정을 거쳐야 한다.

따라서 기판으로는 고온 공정이 가능한 유리, 세라믹 재료 등이 사용되며, 고온의 열처리 과정으로 인해 플렉서블한 발광 소자를 제조할 수 가 없다.

형광체, 전극 등의 증착에는 스퍼터링, 이빔(E-Beam) 장치 등의 일반적인 박막 증착에 이용되는 방법이 사용하여 수십~수백 나노 두께로 각각의 막을 증착한다.

후막형 발광소자는 박막형 발광소자와는 달리 고온의 열처리 공정이 필요 없어 기판으로 유리나 세라믹뿐만 아니라 플렉서블한 필름 등 다양하게 사용할 수 있다.

여기서 전극은 진공 증착이나 스크린 인쇄공정 등을 통하여 형성하고, 형광체나 절연층은 스크린 인쇄공정 등에 의하여 수십 마이크로 두께로 인쇄한다.

도1은 종래 후막형 무기전계발광소자의 일반적인 구성을 도시한 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 후막형 무기전계발광소자는 일반적으로 기판(11)위에 하부전극(12), 형광층(13), 절연층(14), 상부전극(15)의 순서로 적층하여 이루어지며, 상기 하부전극(12)과 상기 상부전극(15)에 전압을 인가하여 발광시킨다.

상기 절연층(14)은 형광층(13)을 보호하고, 하부전극(12)과 상부전극(15)사이를 절연시키며, 휘도를 증가시키기 위하여 일반적으로 유전율이 높은 유전체를 사용한다.

이렇게 종래의 방법에 따라 제조된 후막형 무기전계발광소자는, 수십~수백 마이크로에 이르는 형광체와 절연층의 두께로 인해 발광을 하기 위해서는 최소 100V 이상의 고전압이 요구되어 구동할 때 전기적 노이즈가 발생하게 되고, 이러한 노이즈는 미세한 소음이나 전자파 등을 발산한다.

또한, 상기와 같은 높은 구동 전압으로 인해 발광효율이 낮으며, 소자의 사용 수명 역시 짧아지는 문제점이 있다.

게다가 후막형 발광소자에 필요한 절연층으로 인해 전체 소자의 두께가 더욱 두꺼워지는 문제점이 있다.

더욱이, 상기와 같은 후막형 발광소자는 일반적으로 수십 마이크로의 형광체 파우더를 페이스트 형태로 제조해 스크린 인쇄를 통해 발광층으로 사용하는데, 이러한 스크린 인쇄는 그물 형태의 망을 통과해서 코팅이 되므로, 균일한 막질이 형성될 수 없다.

또한 수십 마이크로 입자로 된 형광체는 수분이나 습기 등에 취약하므로 아무리 보호막을 잘 형성한다 해도 단수명의 문제를 극복하기에는 한계가 있다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 수백나노~수마이크로의 박막에 가까운 두께의 치밀하고 균일한 형광체를 포함하는 무기전계발광소자를 제공하는 데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 형광체 위해 절연층을 따로 형성할 필요가 없어 소자의 두께를 더욱 얇게 형성할 수 있는 무기전계발광소자를 제공하는 데 있다.

그리고, 본 발명은 형광층의 치밀하고 균일한 막질로 인해 발광 효율이 증가되어 휘도가 증가되는 무기전계발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

더욱이, 본 발명은 얇은 두께로 인해 수십 볼트의 낮은 전압에서도 구동이 가능하여 소비전력 및 구동 노이즈를 최소한으로 할 수 있는 무기전계발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

더욱이, 본 발명은 치밀한 형광층으로 인하여 습기에 강하고, 고전압에 의해 형광체에 가해지는 데미지를 줄일 수 있어 수명이 증가되는 무기전계발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 무기전계발광소자의 제조방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 위에 습식 공정으로 형광층을 형성하는 단계; 상기 형광층 위에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.

여기서, 상기의 무기전계발광소자의 제조방법은, 상기 상부전극 위에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 하부전극은 알루미늄, 금, 은, 니켈, 구리, ITO 중 어느 하나로 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 습식 코팅 방식은 황화아연, 아세트산, 암모니아, 사이오요소, 히드라진 모노하이드레이트를 포함하는 용액을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 용액은 구리, 염소, 망간, 알루미늄, 터븀 또는 사마륨을 더 포함할 수 있다.

그리고, 상기 용액은 황산 또는 물을 더 포함할 수 있으며, 상기 습식 코팅 방식으로 형성된 형광층의 두께는 100 내지 5000nm의 범위로 형성되는 것이 바람직하다.

더욱이, 상기 상부전극은 ITO로 형성될 수 있고, 상기 하부전극이 형성된 기판을 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다.

한편, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 무기전계발광소자는 기판; 상기 기판 위에 형성되는 하부전극; 상기 하부전극 위에 습식 코팅 방식으로 형성되는 형광층; 상기 형광층 위에 형성되는 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 상부전극 위에 형성되는 보호막을 더 포함할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 무기전계발광소자 및 그 제조방법에서는,

수백나노~수마이크로의 박막에 가까운 두께의 치밀하고 균일한 형광체를 포함하는 무기전계발광소자를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에서는, 형광체 위해 절연층을 따로 형성할 필요가 없어 소자 의 두께를 더욱 얇게 형성하는 것이 가능하게 된다.

나아가서 본 발명에 따르면, 형광층의 치밀하고 균일한 막질로 인해 발광 효율이 증가되어 휘도가 증가되는 무기전계발광소자를 제공할 수 있다.

더욱이, 본 발명은 얇은 두께로 인해 수십 볼트의 낮은 전압에서도 구동이 가능하여 소비전력 및 구동 노이즈를 최소한으로 할 수 있는 장점이 있다.

그리고, 본 발명은 치밀한 형광층으로 인하여 습기에 강하고, 고전압에 의해 형광체에 가해지는 데미지를 줄일 수 있어 수명이 증가되는 효과가 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 이하에 기재된 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것이며, 본 발명의 실시 범위가 기재된 실시예에 한정되는 것은 아니다.

이하, 도 2내지 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 무기전계발광소자의 제조방법을 상세히 설명한다.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 무기전계발광소자의 제조방법에 따라 먼저 0.2~3.0mm의 두께의 기판을 준비한다.

여기서 상기 기판(100)은 유리 기판, 알루미나와 같은 세라믹, 플라스틱 형태의 기판, 고분자 플렉서블 필름, 금속 기판 등이 사용될 수 있다.

상기 유리 기판으로는 소다라임 유리, 파이렉스 유리, PD200, 강화 유리가 사용될 수 있다.

상기 기판(100) 위에는 50~5000nm두께로 하부전극(110)을 형성하며, 하부전극(110)으로는 알루미늄, 은, 니켈, 구리, 금, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 일반적인 전극 재료로 이용될 수 있는 모든 물질이 사용될 수 있다.

상기 하부전극(110)은 상기의 알루미늄, 은, 니켈, 구리, 금, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링(DC Magnetron Sputtering), 열적 증발기(Thermal Evaporator)를 이용한 진공증착법, 일반적인 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 스크린 프린터 장치를 이용한 인쇄법, 스핀코팅 장치를 이용한 코팅법, 또는 스프레이 코팅법 등을 이용하여 형성할 수 있다.

여기서 상기의 증착 방식은 하부의 기판(100)의 재질에 따라 달라질 수 있는데, 가령 기판(100)의 재질이 고온 공정에 적합한 유리 등으로 형성된 경우는 상기 하부전극(110)이 DC 마그네트론 스퍼터링(DC Magnetron Sputtering), 열적 증발기(Thermal Evaporator)를 이용한 진공증착법, 일반적인 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD) 등을 이용하여 증착될 수 있다.

반면에, 상기의 기판(100)의 재질이 고온 공정을 적용할 수 없는 플라스틱 형태의 기판 등이라면 상기 하부전극(110)은 스크린 프린터 장치를 이용한 인쇄법, 스핀코팅 장치를 이용한 코팅법, 또는 스프레이 코팅법 등을 이용하여 형성하여야 할 것이다.

다음으로, 도 3을 참조하면, 상기의 하부전극(110)이 형성된 기판(100)위에 100nm~5000nm 두께의 형광층(120)을 형성한다.

상기 형광층(120)을 형성하기 위해서는 습식 방식이 이용된다.

상기 형광층(120)을 형성하기 위해, 상기 상기의 하부전극(110)이 형성된 기판(100)을 준비된 황산용액으로 1~5분간 세척한 다음 에탄올에 넣어 10~20 분간 초음파 세척을 한 후 D.I Water로 헹군 다음 건조한다.

건조 된 기판(100)은 황화아연, 아세트산, 암모니아, 사이오요소, 히드라진 모노하이드레이트, 구리를 혼합한 용액에 담근 후 코팅 두께에 따라 10분~5시간 동안 습식 코팅을 진행한다.

여기서 파란색 계열의 빛을 내기 위해 습식 코팅 용액에 황화아연과 구리를 넣어 모체인 황화아연에 구리가 치환되도록 하였다.

즉, 상기의 혼합물 용액에 상기 하부전극(110)이 형성된 기판(100)을 담그면 황화아연(ZnS) 입자에 구리(Cu)가 치환되어 상기 기판(100)의 표면에 ZnS:Cu 입자들이 엉겨 붙는다.

상기 구리 대신 염소(Cl)를 넣거나 구리와 염소 모두를 넣어 황화아연에 염소 또는 구리와 염소가 치환되도록 할 수도 있다.

이렇게 하여 형성된 형광층(120)은 ZnS:Cu, ZnS:Cl 또는 ZnS:Cu,Cl 구조를 형성하고 있으며, 여기에 전계를 가하게 되면 파란색의 빛을 내게 된다.

여기서 형광층(120)이 파란색 이외의 색, 가령 빨간색, 노란색, 초록색 등을 내게 하기 위해서는 상기 구리 또는 염소 대신 망간(Mn), 알루미늄(Al) 등의 다른 원소를 첨가하면 된다.

예를 들어, 상기 구리나 염소 대신 망간을 첨가할 경우, 망간을 많이 첨가할수록 상기 형광층(120)은 오렌지색에 가까운 빛을 내게 되고, 망간을 적게 넣을수록 상기 형광층(120)은 노란색에 가까운 빛을 내게 된다.

상기 형광층(120)이 빨간색 빛을 내게 하기 위해서는 상기 황화아연에 망간을 과량 첨가하거나 사마륨(Sm)을 첨가할 수 있다.

또한, 상기 형광층(120)이 녹색 빛을 내게 하기 위해서는 상기 황화아연에 터븀(Tb)을 첨가할 수 있다.

이는 상기 형광층(120)이 다양한 색의 빛을 내게 하기 위한 하나의 예에 불과하며 다양한 원소의 첨가, 색변환 원료 파우더의 첨가로 더욱 많은 색의 빛을 내게 할 수 있으며, 상기에 언급한 방법 외에도 다양한 방법으로 상기 형광층(120)이 여러 가지 색의 빛을 내게 할 수 있다.

따라서, 상기 빛의 삼원색(RGB)으로 백라이트가 필요 없는 차세대 디스플레이의 구현도 가능할 것이다.

한편, 상기 습식 코팅을 위한 용액에는 황산이나 물이 더 포함될 수 있다.

여기서 상기 습식 코팅을 위한 용액은 암모니아 100~1000g의 용액에 황화아연 10~50g을 녹인 다음 히드라진 모노하이드레이트를 50~300g 넣고, 다음으로 아세트산 10~100g을 혼합한 다음 구리 1~20g과 사이오요소 5~50g을 차례로 넣은 다음 혼합하여 제조한다.

이렇게 형성된 상기 형광층(120)의 입자의 크기는 수십~수백 나노의 크기를 가지며, 홀(hole) 이나 결함이 없는 치밀한 막을 형성하여 상기 기판(100)의 표면에 균일하게 코팅된다.

상기 형광층(120)은 그 코팅시간에 따라 수백나노~수마이크로의 두께를 가지도록 형성될 수 있는데, 그 두께가 거의 박막의 두께 수준으로 얇다.

따라서, 상기 형광층(120)은 기존의 후막형 발광소자에 비하여 두께가 상당히 얇아 발광효율이 증가되어 휘도가 증가된다.

또한 얇은 두께로 인해 수십 볼트의 낮은 전압에서도 구동이 가능하여 소비전력 및 구동 노이즈를 최소한으로 할 수 있게 된다.

더욱이, 종래의 후막형 발광소자의 경우 형광층이 치밀하지 못해 전극 간 절연이나 휘도 증가를 위해 절연층을 삽입했어야 했는데, 본 발명의 경우 상기 형광층(120)의 치밀한 막질로 인해 절연을 위해 따로 절연층을 삽입할 필요가 없다.

따라서 절연층을 생략 할 수 있어 소자의 두께를 더욱 줄일 수 있으며, 생산 비용도 절감할 수 있다.

또한, 치밀한 형광층(120)은 습기에 강할 뿐만 아니라, 얇은 두께로 인해 낮은 전압으로 구동이 가능하므로 고전압에 의해 형광체에 가해지는 데미지를 줄일 수 있으므로 수명이 증가되는 효과가 있다.

다음으로, 도 4를 참조하면, 상기 형광층(120) 위에 80~300nm의 두께로 상부전극(130)을 형성하며, 상부전극(130)으로는 알루미늄, 은, 니켈, 구리, 금, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 일반적인 전극 재료로 이용될 수 있는 모든 물질이 사용될 수 있다.

상기 상부전극(130)은 상기의 알루미늄, 은, 니켈, 구리, 금, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링(DC Magnetron Sputtering), 열적 증발기(Thermal Evaporator)를 이용한 진공증착법, 일반적인 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 스크린 프린터 장치를 이용한 인쇄법, 스핀코팅 장치를 이용한 코팅법, 또는 스프레이 코팅법 등을 이용하여 형성할 수 있다.

여기서 상기의 증착 방식은 하부의 기판(100)의 재질에 따라 달라질 수 있는데, 이는 하부전극(110)과 마찬가지이다.

여기서 상기 형광층(120)을 100nm의 두께로 하여 반투명하게 하고, 상기 하부전극(110)과 상기 상부전극(130)을 모두 ITO나 IZO 등의 투명전극을 사용하여 형성하면 양면 발광형 반투면 무기전계발광소자의 제작도 가능하게 된다.

다음으로, 도 5를 참조하면, 상기 상부전극(130) 위에 10~50μm의 두께로 보호막을 형성하는데, 상기 보호막(140)의 재료로는 실리콘고분자, 고분자 접착제, MgO 등이 사용된다.

도 6을 참조하면, 도 6은 종래의 후막형 무기전계발광소자의 전압대 휘도비를 나타낸 표이고, 도 7은 본 발명에 따른 무기전계발광소자의 전압대 휘도비를 나타낸 표이며, 도 8은 도 7에 따른 전압대 휘도비를 나타낸 그래프이다.

상기 종래의 후막형 무기전계발광소자 및 본 발명에 따른 무기전계발광소자 는 파란색 형광체를 사용하여 실험한 것이다.

도 6과 도7을 비교하면 같은 전압 구간에서 본 발명에 따른 무기전계발광소자의 휘도가 훨씬 높은 것을 확인 할 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 1은 종래 후막형 무기전계발광소자의 일반적인 구성을 도시한 단면도이고,

도 2 내지 도 5는 본 발명에 따른 무기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이며,

도 6은 종래의 후막형 무기전계발광소자의 전압대 휘도비를 나타낸 표이고,

도 7은 본 발명에 따른 무기전계발광소자의 전압대 휘도비를 나타낸 표이며,

도 8은 도 7에 따른 전압대 휘도비를 나타낸 그래프이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100: 기판 110: 하부전극

120: 형광층 130: 상부전극

140: 보호막

Claims (11)

1. 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,

   기판 위에 하부전극을 형성하는 단계;

   상기 하부전극 위에 습식 코팅 방식으로 형광층을 형성하는 단계; 및

   상기 형광층 위에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하며,

   상기 습식 코팅 방식은,

   상기 하부전극이 형성된 기판에 황화아연, 아세트산, 암모니아, 사이오요소, 히드라진 모노하이드레이트를 포함하는 혼합용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자의 제조방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 상부전극 위에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자의 제조방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 하부전극은 알루미늄, 금, 은, 니켈, 구리, ITO, IZO 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자의 제조방법.
4. 삭제
5. 제1항에 있어서,

   상기 혼합용액은 구리, 염소, 망간, 알루미늄, 터븀 또는 사마륨을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자의 제조방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 혼합용액은 황산 또는 물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자의 제조방법.
7. 제1항에 있어서,

   상기 습식 공정으로 형성된 형광층의 두께는 100 내지 5000nm의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자의 제조방법.
8. 제1항에 있어서,

   상기 상부전극은 ITO로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자의 제조방법.
9. 제1항에 있어서,

   상기 하부전극이 형성된 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자의 제조방법.
10. 기판;

    상기 기판 위에 형성되는 하부전극;

    상기 하부전극 위에 습식 코팅 방식으로 형성되는 형광층;

    상기 형광층 위에 형성되는 상부전극을 포함하며,

    상기 습식 코팅 방식은,

    상기 하부전극이 형성된 기판에 황화아연, 아세트산, 암모니아, 사이오요소, 히드라진 모노하이드레이트를 포함하는 혼합용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자.
11. 제10항에 있어서,

    상기 상부전극 위에 형성되는 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기전계발광소자.

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