KR101050984B1 - 플라즈마의 기계적 제한을 위한 자기 강화 - Google Patents

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루민 리
에릭 에이 허드슨
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에릭 에이치 렌츠
라진더 딘드사
김지수
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Abstract

기판을 프로세스하기 위한 플라즈마 프로세싱 장치를 제공한다. 챔버 벽을 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버가 제공된다. 기판 지지체는 챔버 벽 내에 제공된다. 하나 이상의 제한 링이 제공되며, 제한 링 및 기판 지지체는 플라즈마 부피를 정의한다. 하나 이상의 제한 링이 제공하는 물리적 제한을 자기적 강화시키기 위하여, 자계를 생성하는 자기 소오스가 제공된다.
플라즈마의 기계적 제한, 자기 강화

Description

플라즈마의 기계적 제한을 위한 자기 강화 {MAGNETIC ENHANCEMENT FOR MECHANICAL CONFINEMENT OF PLASMA}
발명의 배경
본 발명은 제한 링 (confinement ring) 을 구비한 플라즈마 처리 챔버에 관한 것이다.
2000 년 2 월 1 일 등록된 미국 특허 제 6,019,060 호, Eric H. Lenz 저, "Cam-Based Arrangement For Positioning Confinement Rings In A Plasma Processing Chamber" 에서는, 플라즈마를 부피 내로 제한하기 위하여 제한 링을 이용하는 플라즈마 처리 에칭 챔버를 개시한다. 제한 링은 플라즈마 챔버 벽 내부에 배치되고 챔버 벽에 도달하는 플라즈마 및 다른 가스의 양을 줄이고, 제한 링 내에서 압력을 유지하며, 제한 링을 통과하는 가스의 흐름을 제어할 것을 도울 수도 있다.
다양한 플라즈마 프로세스 동안에, 챔버 벽에 도달하는 플라즈마 및 다른 가스의 양을 최소화시키면서, 제한 링을 통과하는 가스의 흐름을 증가시키는 것이 바람직할 수 있다.
발명의 요약
상술한 것을 달성하기 위해서 그리고 본 발명의 목적에 따라, 기판을 처리하는 방법이 제공된다. 기판이 프로세스 챔버에 놓인다. 가스 소스로부터 프로세스 챔버로 가스가 제공된다. 프로세스 챔버 내의 가스로부터 플라즈마가 생성된다. 그 가스는 플라즈마의 물리적 제한을 제공하는 적어도 하나의 제한 링에 인접하는 갭을 통해 흐른다. 플라즈마의 자기 제한 (magnetic confinement) 은 플라즈마의 물리적 제한을 강화하도록 제공된다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 기판을 처리하기 위한 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 챔버 벽을 구비한 플라즈마 처리 챔버가 제공된다. 기판 지지체는 챔버 벽 내에 제공된다. 적어도 하나의 제한 링이 제공되며, 여기서 제한 링 및 기판 지지체가 플라즈마 부피를 정의한다. 적어도 하나의 제한 링에 의해 제공된 물리적 제한을 자기적으로 강화시키기 위하여 자계를 생성하는 자기 소스가 제공된다.
본 발명의 이들 특징 및 다른 특징은 다음의 도면을 참조하여 본 발명의 상세한 설명을 통해 이하에서 보다 상세하게 설명될 것이다.
도면의 간단한 설명
본 발명은 첨부된 도면의 도면으로 예시적이나 제한적이지 않게 설명되며, 동일한 참조 부호들은 동일한 요소들을 참조한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에서 이용될 수 있는 플라즈마 처리 챔버의 개략도이다.
도 2 는 도 1 에 도시된 실시형태에서의 제한 링 및 상부 자석의 개략적인 평면도이다.
도 3 은 제 1 자석 쌍을 구비한 제한 링의 부분 확대도이다.
도 4 는 제한 링의 부분 평면도이다.
도 5 는 또다른 실시형태의 평면도이다.
도 6 은 본 발명의 또다른 실시형태의 개략적인 단면도이다.
도 7 은 도 6 에 도시된 실시형태의 제한 링 및 상부 자석링의 개략도이다.
도 8 은 제한 링 근처의 국소 플라즈마 밀도 및/또는 전자 온도를 상승시키기 위하여 자계를 이용하고, 이로써 제한 링에서의 플라즈마 밀도를 줄여 물리적 제한을 강화하는 프로세스 챔버의 개략도이다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
이하, 본 발명은 첨부된 도면에 도시되는 바와 같이 몇몇의 바람직한 실시형태를 참조하여 상세하게 설명될 것이다. 다음의 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위하여 다양한 구체적 상세함이 설명된다. 그러나, 당업자에게는 본 발명이 이들 구체적 상세함의 일부 또는 전부 없이도 실시될 수도 있음이 명백할 것이다. 다른 경우, 공지된 프로세스 단계들 및/또는 구조물들은 본 발명을 불필요하게 모호하지 않도록 상세하게 설명되지 않았다.
이해를 돕기 위하여, 도 1 은 본 발명의 일 실시형태에서 이용할 수도 있는 플라즈마 처리 챔버 (100) 의 개략도이다. 플라즈마 처리 챔버 (100) 는 제한 링 (102), 상부 전극 (104), 하부 전극 (108), 가스 소스 (110) 및 배기 펌프 (120) 을 포함한다. 플라즈마 처리 챔버 (100) 내에서, 웨이퍼 (180) 는 웨이퍼 지지체를 형성하는 하부 전극 (108) 상에 위치된다. 하부 전극 (108) 은 웨이퍼 (180) 를 고정하기 위한 적절한 기판 척킹 메커니즘 (chucking mechanism) (예를 들어, 정전, 기계적 클램핑 등) 을 포함한다. 반응기 상부 (128) 는 하부 전극 (108) 과 바로 대향 배치된 상부 전극 (104) 을 포함한다. 챔버의 부피는 챔버 벽 (152), 챔버 천장 (107) 및 챔버 바닥 (109) 으로 정의된다. 챔버 부피 내에서, 상부 전극 (104), 하부 전극 (108) 및 제한 링 (102) 은 제한된 플라즈마 부피 (140) 를 정의한다.
복수의 자석들 (112, 114, 116, 118) 은 제한 링 (102) 주위에 배치되어 제한 링 (102) 의 영역에 자계를 형성한다. 자석들 (112, 114, 116, 118) 은 제한 링의 영역에 자계를 제공하도록 배치된다. 본 실시형태에서, 이것은 자석을 쌍으로 제공함으로써 달성된다. 제 1 자석 쌍 (112, 114) 은 도시한 바와 같이 제한 링 (102) 의 반대측 상에 서로 이격되게 배치된다. 제 2 자석 쌍 (116, 118) 은 도시한 바와 같이 제한 링의 반대측 상에 서로 이격되게 배치된다. 도 2 는 제한 링 (102) 과 상부 자석들 (112, 116, 204) 의 개략적인 평면도이다. 제 1 자석 쌍 중 상부 자석 (112) 은 제한 링 (102) 의 원주의 일부 위에 있는 것으로서 도시된다. 제 2 자석 쌍 중 상부 자석 (116) 은 제 1 자석 쌍 중 상부 자석 (112) 으로부터 연장되는 제한 링 (102) 의 직경의 반대 측에 있는 제한 링 (102) 의 원주의 일부 위에 있는 것으로서 도시된다. 추가의 상부 자석 (204) 들은 도시한 바와 같이 제한 링 (102) 의 원주 위에 원을 형성한다. 본 실시형태에서, 상부 자석의 상부 극 (pole) 모두는 N 극이며, 이로써 자석은 인접한 자석들 사이에서 엇갈리게 되지 않는다. 제한 링 (102) 은 내경 (D1) 과 외경 (D2) 를 갖는다. 상부 자석들 (112, 116, 204) 에 의해 형성된 링은 직경 (D3) 를 갖는다. 본 실시형태에서, 상부 자석들 (112, 116, 204) 에 의해 형성된 링 (D3) 은 제한 링 (102) 의 외경 (D2) 보다 작으며, 제한 링의 내경 (D1) 보다 크다.
가스는 가스 소스 (110) 에 의해 제한된 플라즈마 부피로 공급되며, 제한된 플라즈마 부피로부터 제한 링 (102) 을 통과해, 배기 펌프 (120) 를 통해 배기 포트로 배기된다. 제 1 RF 소스 (144) 는 상부 전극 (104) 에 전기적으로 접속된다. 제 2 RF 소스 (148) 는 하부 전극 (108) 에 전기적으로 접속된다. 제 1 RF 소스 (144) 및 제 2 RF 소스 (148) 양자 모두는 27㎒ 의 전원 및 2㎒ 전원을 포함할 수도 있다. 전극에 RF 전력을 접속하기 위한 상이한 조합도 가능하다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서 이용될 수도 있는, 추가 자석으로 변경된 California 주 Fremont 소재 LAM Research CorporationTM 에서 제조된 Exelan HP 의 경우, RF 소스 양자 모두는 하부 전극에 접속되고, 상부 전극은 접지된다. 제어기 (149) 는 가스 소스 (110), 제 1 RF 소스 (144) 및 제 2 RF 소스 (148), 제한 링 (102) 및 배기 펌프 (120) 에 제어가능하게 접속될 수 있다.
동작 시, 높은 가스 유량이 요구되는 에칭이 이용된다. 제한 링 (102) 은 제한 링들 사이에 큰 갭을 제공하도록 조정되어, 제한 링 (102) 에 의해 야기된 흐름 저항을 감소시키며, 이것은 제한 링 (102) 을 통과해 배기 펌프 (120) 로의 가스의 유량을 증가시킨다. 제한 링을 통과하는 가스 흐름의 증가에 따라, 이온 및 불순물의 증가분이 또한 제한 링을 통과해 흘러, 챔버 벽 (153) 을 오염시킬 수도 있다.
자석의 목적은 제한 링과 함께 작용하여 하전 입자들 (이온 및/또는 전자) 의 제한을 증가시키는 한편, 중성 가스의 높은 유량을 허용하는 것이다. 본 실시예에서, 증가된 제한은 자계로 하여금 제한 링과 충돌하는 하전 입자의 비율을 증가시키게 함으로써 달성된다.
도 3 은 본 발명의 실시형태의 일반적인 동작을 나타내기 위한 제 1 자석 쌍 (112, 114) 을 구비한 제한 링 (102) 의 부분 확대도이다. 본 발명의 배후 이론에 대해 보다 상세한 설명은 뒤에 제공될 것이다. 자석들 (112, 114) 사이의 자계선 (304) 이 도시된다. 자계선 (304) 은 제한 링 (102) 을 통과한다.
다양한 하전 입자 궤도의 예들이 나타난다. 제 1 하전 입자 궤도 (320) 는 하부의 제한 링 (102) 에 충돌하도록 향하게 된다. 이러한 경우, 자계 (304) 는 이러한 입자의 제한을 돕는데 필요하지 않다. 플라즈마의 제한 링 통과 방지는 제한 링 (물리적 제한) 혼자만에 의해서 제공된다. 제 2 입자 궤도 (324) 는 제한 링들 사이를 지나는 입자의 정상 경로 길이 내에서 제한 링 (102) 과 충돌하도록 향하게 되지 않고, 제한 링 (102) 에 평행하지 않도록 되며, 따라서 입자가 제한 링 중 하나에 접근한다. 이로써, 입자는 자계 (304) 를 통과하고, 입자 경로의 궤도는 구부러진다. 본 실시형태에서는, 궤도가 구부러져, 제한 링 (102) 사이의 입자 경로 길이를 증가시킨다. 증가된 경로 길이는 입자가 입자의 제한 링으로의 접근을 충분하게 하여, 입자가 제한 링과 충돌하게 한다. 따라서, 이들 하전 입자가 제한 링 사이를 통과하는 것에 대한 방지는 자계에 의해 강화된다. 제 3 하전 입자 궤도 (328) 는 제한 링 (102) 에 거의 평행하다. 이로써, 입자는 자계 (304) 를 통과하고, 입자 경로의 궤도는 구부러진다. 그 궤도는 구부러져 제한 링 (102) 사이의 입자 경로 길이를 증가시킨다. 이들 입자는 제한 링 (102) 에 충분히 평행하고, 따라서 심지어 증가된 경로 길이의 경우에도 이들 입자는 제한 링과 충돌하지 않는다. 그러므로, 제한 링 및 자기 강화의 물리적 제한은 이들 입자로 하여금 제한 링과의 충돌을 야기하지 않는다. 이들 입자는 다른 입자와 충돌하여 자신의 궤도에서의 변화를 일으키고, 이것은 이들이 제한 링 (102) 과 충돌하도록 할 수 있다.
다양한 체계 하에서, 충분한 수의 하전 입자가 제한 링과 충돌하도록 제한 링이 충분히 가깝게 유지되기 때문에 물리적 제한은 충분하다. 그러나, 몇몇 프로세스에서는 중성 가스의 높은 흐름이 요구되는 것이 발견되었다. 이러한 경우, 제한 링은 보다 큰 갭을 형성하도록 분리되어, 중성 가스의 보다 높은 흐름이 갭 내부에서 배기 펌프 (120) 로 지나게 한다. 또한, 보다 큰 갭은 제한 링과의 충돌로부터 하전 입자의 보다 낮은 비율 (lower fraction) 을 야기한다. 자계의 존재는 제한 링과 충돌하는 하전 입자의 비율을 증가시킨다. 플라즈마 소멸선 (plasma extinction line) (332) 은 플라즈마가 소멸되는 경계이다. 도시한 바와 같이, 플라즈마는 제한 링 (102) 들 사이에서 소멸되고, 그러므로 제한 링 (102) 을 넘어 연장되지 않고, 플라즈마 챔버의 벽에 도달하지 않으며, 이것은 플라즈마가 플라즈마 챔버의 벽을 손상 또는 오염시키는 것을 방지한다. 플라즈마 제한은 폴리머 성막의 제한을 초래하는 것으로 알려졌다. 제한 링 (102) 과 충돌하는 하전 입자의 비율이 증가함에 따라, 폴리머 가스를 이용한 프로세스의 경우, 제한 링 상에 형성되는 폴리머 (336) 의 비율은 증가되고, 플라즈마 챔버의 벽 상에 형성되는 폴리머의 비율을 감소시킨다. 이는 챔버 벽으로부터 오염물질의 양을 낮추는데 바람직하다.
또한 자계는 플라즈마 챔버의 내부 천장 (107) 및 바닥 (109) 과 충돌하는 이온 또는 전자의 비율을 증가시킬 수도 있음이 주목될 것이다. 제한 링 (102) 과 함께 내부 천장 (107) 및 바닥 (109) 은, 이들 실시형태에서, 내부 천장 (107) 과 제한 링의 상부면 사이의 제 1 갭, 제한 링 (102) 들 사이의 제 2 갭, 및 바닥 (109) 과 제한 링의 저부면 사이의 제 3 갭으로 가스가 배기될 수 있는 3 개의 갭들을 제공함으로써, 물리적 제한 시스템을 형성한다. 가장 넓은 갭은 제한 링 (102) 사이의 갭이다.
본 발명이 추가 자석과 함께 실시될 수도 있는 디바이스의 예로서는 California 주 Fremont 소재의 LAM Research CorporationTM 에서 제조된 Exelan-HP 이다. 이러한 디바이스에 대해서, 유량은 100sccm 내지 300sccm 인 것이 바람직하다.
상술한 자기 궤도 연장 (MTE: Magnetic Trajectory Extension) 의 배후의 기본적인 원리는 제한이 제한 링 사이의 플라즈마의 소멸에 크게 기인한다는 아이디어에서 기초한다. 이 아이디어는 제한 링 갭이 고정된 상태에서 제한 링의 유효 길이가 연장된다면, 제한이 강화될 것이라는 점을 의미한다. 이것은 링의 표면과의 충돌에 기인하여 손실될 더욱 많은 기회를 가지는 이온 및 전자 때문이다. 플라즈마가 링 사이로 전달됨에 따라, 손실이 결국 크게 되어 플라즈마가 최종적으로 소멸된다. 이 이동 길이가 연장될 수 있다면, 제한이 강화될 수 있음이 기대될 것이다. 이 개념은, 상술한 바와 같이 자석에 의해서 생성된 자계를 이용하여 효과적으로 이온 및 전자의 양자 모두의 궤적을 연장함으로써 링 사이의 플라스마 손실의 기회가 강화되다.
이들 자석들은 도 4 에 나타낸 바와 같이, 자계를 생성하며, 이러한 자계는 이온 및 전자가 반경ρ (즉, "Larmor" 반경ρ) 을 가지는 만곡한 궤도를 따르게 할 것이다. 도 4 는 제한 링 (102) 의 부분 평면도이다. 도시된 바와 같이, 자계선 (304) 은 페이지 밖으로 나오고 있다. 자계는 궤도 경로 (408) 를 갖는 입자가 원의 경로를 따른 만곡된 궤도 (412) 를 이동하게 한다. 궤도 (416) 는 만약 자계가 존재하지 않으면 생길 수 있는 궤도이다. 알 수 있는 바와 같이, 자계로부터 원을 따르는 궤도 (412) 의 경로는 자계가 존재하지 않는 경우에 생기는 궤도 (416) 보다 크다. 이것은 이온 또는 전자가 제한 링을 횡단하는데 필요한 시간을 연장하는 것이 될 것이다. 본 실시예에서, 목적은 실제로 자기적으로 플라즈마를 제한하는 것이 아니다. 만약 반경 ρ 이 제한 링 길이와 거의 동일하다면, 제한 링 투과 시간 (또는 유효 제한 링 길이) 이 현저하게 강화될 것으로 예상할 수 있다.
예시 목적으로서, 제한 링은, 제한 링의 내경 및 외경 사이의 차이가 0.06m 폭인 것으로 가정된다. 이온은 450 °K 인 온도를 갖는 것으로 가정된다. 평균적으로 이온은 이온 열 속도로 제한 링 영역으로 들어간다고 가정된다. 450 °K 인 온도에서 이온 열 속도는 다음과 같다.
Figure 112005074463597-pct00001
필요한 최소 자계는 다음과 구해진다.
Figure 112005074463597-pct00002
여기서, ρi 은 궤도의 반경이며, e 는 이온의 전하이다 (단일의 이온화가 가정된다). 본 예시적 계산을 위하여, 아르곤이 가정된다. 아르곤은 40×1.67×10-27kg 의 질량을 가진다.
이러한 동일한 자계가 또한 전자에 영향을 미치는 것이 주목될 것이다. 전자 행동을 고려하기 위해서 평균적으로 전자는 전자 열 속도로 제한 영역에 들어가는 것으로 가정된다. 전자는 4eV (46,400°K) 의 온도를 갖는 것으로 가정된다. 4 eV 의 온도에서 전자 열 속도는 다음과 같다.
Figure 112005074463597-pct00003
30 가우스에서, 전자 궤도의 곡률 반경 ρe 은 다음과 같이 구해진다.
Figure 112005074463597-pct00004
이것은 0.06m 이온 반경 보다 훨씬 작은 반경이다. 이것은 단순히 전자가 적은 질량을 갖는다는 사실의 결과일 뿐이다. 또한, 이들은 보다 높은 속도로 제한 영역에 들어가고, 이로써 매우 큰 자기력의 영향을 받는다. 상술한 결과를 검토하면, 이온 궤도가 제한을 강화시킬 만큼 충분히 구부러진 경우, 전자 궤도는 훨씬 더 많이 만곡될 것임이 명확하다. 따라서, 이 논의의 나머지에 대해서, 이온 제한 강화에 요구된 자계만이 고려된다.
이온 제한 강화를 위하여 전술한 바와 같이 결정된 자기값은 기술적으로 쉽게 달성된다. 예를 들어, 2000 가우스의 자계로 인용된 Samarium Cobalt 자석을 찾아내는 것이 일반적이다. 이 애플리케이션에 요구된 자계가 작다는 것은 추가의 이점을 암시한다. 임의의 자기 제한 개념을 고려할 때, 웨이퍼 상에서 자계가 지구의 자계와 동일한 오더의 크기로 이루어지도록 자계를 배열하는 것이 통상 바람직하다. 지구의 자계는 0.6 가우스이다. 작은 자계로 시작한다면, 이 요건을 획득하기 위한 어려움이 감소된다.
이용되는 영구 자석은 본질적으로 자기 쌍극자로서 구성된다. 이러한 자계는 쌍극자 유사 특성을 가질 것이다. 이로써, 자석의 중심선으로부터의 거리의 세제곱의 역에 따라 B-필드가 감쇠한다는 것을 예상할 수 있다. 이러한 논의를 이용해 이하의 관계식을 이용함으로써 공간 감쇠를 추정할 수 있다.
Figure 112005074463597-pct00005
비록 이것은 실제 자계 공간 감쇠의 근사값일 수도 있으나, 이 분석은 본 발명의 일반적인 작용을 반영한다.
추가적인 관심은 이온-중립자 (ion-neutral) 충돌 레이트이다. 이온-중립자 충돌 레이트는 본 명세서에서 설명한 개념을 이용하여 시스템에 대한 압력의 상한을 설정하는 효과를 갖는다. 편향된 이온이 편향된 궤도의 상당한 부분을 완료하기 전에 중립자와 다양한 충돌을 겪는다면, 위에서 가정된 만곡된 궤도를 실제로 따를 지가 의심스럽게 된다. 원하는 효과는 소멸되거나 손실될 것이다. 이 효과는 중립자-중립자 충돌 평균 자유 경로가 이온-중립자 충돌 평균 자유 경로를 가장 잘 추정한다는 것을 가정함으로써 예측될 수 있다. 작용 가스는 50mT 의 압력에서의 아르곤으로 가정된다. 이온-중립자 충돌 평균 자유 경로는 다음과 같이 예측된다.
Figure 112005074463597-pct00006
강체-구형 (hard-sphere) 단면은 σhardsphere=9.73×10-16 cm2 으로 가정되었다.
제한 링이 6cm 폭인 것으로 가정하면, 제한 링 횡단 동안 약 10 회의 충돌이 예상될 수 있다. 이는 비교적 많은 횟수이며 50mT 초과 압력에서 자기 강화의 효과가 상당히 경감된다는 것을 시사한다. Larmor 반경이 충돌 길이와 대략 동일하도록 자계를 증가시킴으로써, 이 효과는 감소된다. 50mT 경우에 대해서, 0.6cm 인 Larmor 반경이 이용될 수도 있다. 이 곡율 반경을 달성하기 위하여, 210 가우스 의 B-필드가 필요하다.
도 5 는 본 발명의 또다른 실시형태의 평면도이다. 도 5 에서는, 복수의 자석들 (112, 114, 116, 118, 204) 이 제한 링 (102) 위의 상부 링 자석 (504) 으로 교체되고 하부 링 자석이 제한 링 아래에 배치되는 점을 제외하고, 도 1 내지 도 4 에서와 동일한 프로세스 챔버를 이용할 수도 있다. 상부 링 자석 (504) 은 이전의 실시형태의 상부 자석의 영역을 지날 수 있다. 하부 링 자석은 이전 실시형태의 하부 자석을 지날 수 있다. 이러한 구성은 보다 균일한 자계를 제공할 수 있다.
도 6 은 본 발명의 또다른 실시형태의 개략적인 단면도이다. 본 실시형태의 프로세스 챔버 (600) 는, 기울어진 (canted) 자계가 제공된다는 점을 제외하고, 도 1 의 프로세스 챔버와 동일할 수도 있다. 따라서, 본 실시형태에서, 복수의 자석은, 링 형상의 상부 자석 (612) 및 링 형상의 하부 자석 (614) 을 포함하며, 여기서 상부 자석 (612) 의 직경이 하부 자석 (614) 의 직경보다 작다. 그 결과, 자계선 (608) 이, 상부 자석 (612) 및 하부 자석 (614) 사이에 생성되며, 이것은 제한 링 (102) 의 가장 넓은 표면에 대해 기울어진다 (수직하지 않는다).
도 7 은 제한 링 (102) 과 상부 자석 링 (612) 의 개략적인 평면도이다. 상부 자석 링 (612) 은 제한 링 (102) 의 원주의 일부 위에 있는 것으로 도시된다. 본 실시형태에서, 상부 자석 링 (612) 은 제한 링 (102) 의 내부 에지 부근에 있으나, 하부 자석 링 (614) 은 제한 링 (102) 의 외부 에지 부근에 있다. 이 개념은 제한 링 (102) 사이에서 이동되는 거리를 증가시키는 것에 의존할뿐 아니라, 하전된 입자를 제한 링 (102) 에 자기 편향시켜 하전된 입자의 링으로의 충돌 레이트를 강화시킨다.
예비적 분석을 위하여, 자석은 B-필드가 제한 링에 의해 형성된 평면과 45° 각도를 형성하도록 위치될 수 있다고 가정된다. 또한, 제한 링 사이의 간격은, 1.12cm (약 1/2 인치) 으로 가정되며, 이것은 매우 적극적인 (aggressive) 갭 간격이고, 시중에서 통상 이용되는 것보다 훨씬 넓다.
요구된 자계의 계산은 제한 링의 평면에 수직인 방향에서 약 0.5cm 인 Larmor 반경이 요구된다는 것을 우선 주지함으로써 시작된다. 다시, 450°K 인 온도가 가정된다. 또한, 이온은 이온 열 속도와 동일한 평균 속도로 제한 링 영역에 들어가는 것으로 가정된다. 450 °K 의 온도에서 이온 열 속도는 다음과 같다.
Figure 112005074463597-pct00007
따라서, 필요한 최소 자계는 다음과 같다 (0.5cm 를 미터로 환산).
Figure 112005074463597-pct00008
여기서, ρi 은 궤도의 반경이며, e 는 이온의 전하 (단일 이온화가 가정된다) 이다. 이러한 예시적 계산을 위하여, 이온은 아르곤으로 가정되며, 아르곤은 40×1.67×10-27 kg 의 질량을 갖는다.
가정된 Larmor 반경은 50mT 중성 압력에 대해 위에서 계산된 이온-중립자 충돌 길이 보다 작다. 이들 값으로부터, 충돌은 50mT 까지의 압력에 대해서 충돌이 이러한 접근법에 현저하게 영향을 미치지 않을 수도 있음을 추측할 수 있다. 100mT 에서, 이온-중립자 충돌 길이는 약 0.3cm 의 값으로 감소될 수도 있다. 따라서, 100mT 에서, 제한 링과의 충돌 전에 한번 또는 두번의 충돌만이 예상될 수 있다. 이 충돌 레이트는 자기 편향 행동에 자기적으로만 영향을 미칠 수도 있고 강화된 제한도 여전히 관찰될 수도 있다고 여겨진다.
보다 고압에서 개선된 제한 성능을 원한다면, Larmor 반경이 원하는 제한 링 간격의 1/2 보다 작은 Larmor 반경을 원하지 않기 때문에, 보다 큰 자계는 도움되지 않을 수도 있다.
도 1 및 도 6 에 나타낸 실시형태에서, 자계는 제한 링 (102) 을 가로질러 통과한다. 또한, 이러한 실시형태는 자계를 이용하여, 제한 링과 충돌하는 하전 이온 또는 전자 비율을 증가시킨다. 다양한 다른 자기 구성들은 제한 링과 충돌하는 이온 또는 전자의 비율을 증가시키도록 이용될 수도 있다. 예를 들어, 인접한 자석들은 교번하는 자계를 가질 수도 있으며, 또는, 자석 쌍을 형성하는 자석들은 반대 방향으로 배치된 극성을 가질 수도 있다. 이러한 실시형태에서, 자석 링 또는 복수의 자석들이 이용되는 경우, 자석은 방사상 대칭이 되는 것이 바람직하다. 이러한 실시형태에서, 자석은 제한 링 위에 및 아래에 배치된다. 이것은 솔리드 링 (solid ring) 또는 링 형상으로 배치된 작은 자석들 중 어느 하나로서 링 형상으로 자석을 형성함으로써 행해진다. 자석으로 형성된 링 형상의 직경은 제한 링의 외경 보다 작고 제한 링의 내경보다 크다.
도 8 은 제한 링 근처의 국소 플라즈마 밀도 및/또는 전자 온도를 상승시키기 위하여 자계를 이용하고, 이로써 제한 링에서의 플라즈마 밀도를 줄여 물리적 제한을 강화하는 프로세스 챔버 (800) 의 개략도이다. 이 실시형태에서, 자석들 (812, 814) 은 도 8 에 나타낸 바와 같이 제한 링 내의 영역 위 및 아래 위치로 이동된다. 이 개념은 2 가지의 효과 중 어느 하나를 가질 수도 있다. 자석 근처의 밀도의 국소적 강화는, 그렇지 않으면 존재해야할 플라즈마 감쇠보다 자석 및 제한 링의 사이의 더욱 급격한 플라스마 감쇠를 초래하여, 링의 전면 (front) 에 있어서의 밀도의 감소가 초래된다. 다른 방법으로, 본 접근법은 또한 자석 위치에서의 플라즈마 포텐셜을 강화시킬 수도 있다. 이것은 핫 일렉트론의 우선적 제한으로 인한 것으로, 이것은 국소 플라즈마 전자 온도를 상승시킬 수 있다. 이는 "포지티브" (이온 제한) 방향에서의 플라즈마 포텐셜의 국소 증가를 유발할 수 있다. 이후, 이것은 플라즈마 제한을 도울 수도 있다. 플라즈마 밀도 및/또는 전자 온도의 국소적 강화를 달성하기 위하여, 전자 궤도 (electron trajectory) 는 강화시킬 영역의 스케일 사이즈보다 작은 곡률의 반경 (즉, "Larmor 반경") 을 가져야 한다. 이후, 이러한 전자가 손실 전에 여러 개의 자이로 (gyro)-궤도를 완료하고, 이로써 중성 가스의 국소 이온화를 강화할 것이라는 점이 예상된다.
본 실시형태의 예로서는, 21 가우스 자계가 0.23cm 의 전자 Larmor 반경을 제공하도록 예상된다는 것을 미리 보여주었다. 플라즈마 강화가 요구되는 영역은, 본 실시예에서, 1.5cm 내지 2cm 인 영역이다. 이로써, 21 가우스 자계는 충분할 것이다.
자계가 제한 링 내에 형성된 개구를 통과하는 본 실시형태 및 자계가 제한 링을 통과하는 이전 실시형태들에서, 자계는 제한 링의 영역을 통과하는 것으로서 일반적으로 정의될 수도 있다.
이 실시형태에서, 자석 링 또는 복수의 자석들이 이용되는 경우, 자석은 방사상 대칭인 것이 바람직하다. 본 실시형태에서, 자석은 제한 링 위에 및 아래에 배치된다. 이것은 솔리드 링 또는 링 형상에 배치된 보다 작은 자석들 중 어느 하나로서 자석을 링으로 형성함으로써 된다. 자석들에 의해 형성된 링 형상의 직경은 제한 링의 내경보다 작다. 챔버가 다양한 배향으로 배치될 수도 있기 때문에, 자석의 배치는 제한 링의 제 1 측, 및 제 1 측과 반대인 제한 링의 제 2 측 상에 있는 것으로 보다 일반적으로 기술되며, 여기서 제한 링의 위에 및 아래에 배치하는 것은 이러한 배치의 일례이다.
일반적으로, 플라즈마 챔버는 전극 갭에 대한 웨이퍼의 직경의 높은 비율을 갖는다. 통상 웨이퍼 사이즈는 300mm 가 될 수도 있다. 일반적으로, 하부 전극은 웨이퍼와 거의 동일한 사이즈이며, 따라서 하부 전극은 약 300mm 이다. 이러한 웨이퍼 직경에 대해서, 통상의 전극 갭은 약 2cm 가 된다. 따라서, 본 실시예에서 전극 갭에 대한 웨이퍼 또는 하부 전극 직경 비율은 300 : 20 또는 15 : 1 일 것이다. 통상의 전극 갭에 대한 웨이퍼 직경은 6 : 1 내지 60 : 1 일 것이다.
자계가 물리적 제한을 강화시키지만 물리적 제한을 제공하지 않기 때문에, 자석은 제한 링 사이의 갭으로 연장되지 않거나, 제한 링 사이의 갭을 가로지르지 않는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 다양한 실시형태에서 나타낸 바와 같이, 자석은 챔버 내로 연장되지 않고, 따라서 상부 자석이 챔버 천장 아래로 연장되지 않으며, 하부 자석이 챔버 바닥 위로 연장되지 않는다.
본 발명의 다른 실시형태는 제한 링을 이용한 물리적 제한에 추가적 자기 제한을 제공하는 다른 자기 구성들을 가질 수도 있다. 위에서 언급한 바와 같이, 자석은 교번의 자계를 제공하도록 배치될 수도 있다. 이것은 제한 링의 표면에 평행한 자계선을 생성할 수도 있으며, 하전 입자를 제한 링 표면으로 향하게 할 수도 있다.
다른 제한 링 구성을 제공할 수도 있다. 예를 들어, 단일 제한 링 또는 3 개의 제한 링과 같은 다른 수의 제한 링이 이용될 수도 있다. 바람직하게는, 적어도 하나의 제한 링이 프로세스 압력의 변화를 가능하게 하도록 이동가능하다. 몇몇 제한 링 구성은 단일 이동가능한 제한 링을 포함할 수도 있다.
본 발명은 여러 바람직한 실시형태의 관점에서 설명되었으나, 본 발명의 범위에 포함되는 변경, 조합 및 다양한 치환 등가물이 있다. 또한, 본 발명의 방법 및 장치를 구현하는 많은 다른 방법이 있음을 주목해야 할 것이다. 따라서, 다음의 첨부된 청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상 및 범위에 포함되는 이러한 변경, 조합, 및 다양한 치환 등가물을 포함하는 것으로서 해석되는 것으로서 의도된다.

Claims (16)

  1. 기판을 처리하기 위한 플라즈마 처리 장치로서,
    챔버 벽을 구비한 플라즈마 처리 챔버;
    상기 챔버 벽 내의 기판 지지체;
    서로 분리되어 위치한 복수의 제한 링 (confinement ring) 으로서, 상기 복수의 제한 링은 상기 챔버 벽의 내부에 상기 챔버 벽으로부터 분리되어 위치하고, 상기 복수의 제한 링 및 상기 기판 지지체가 플라즈마 부피를 정의하는, 상기 복수의 제한 링; 및
    상기 복수의 제한 링에 의해 제공된 물리적 제한을 자기적으로 강화시키기 위한 자계를 생성하는 자기 소스를 포함하고,
    상기 자계는, 상기 자계를 통과하는 입자의 궤도를 구부러지게하고 플라즈마를 자기적으로 제한하지 않는 강도를 갖고,
    상기 자기 소스는,
    상기 복수의 제한 링보다 상기 기판 지지체에 더 가깝고, 상기 복수의 제한 링의 제 1 측에 떨어져 배치된 제 1 자기 소자; 및
    상기 복수의 제한 링보다 상기 기판 지지체로부터 더 멀고, 상기 복수의 제한 링의 제 2 측에 떨어져 배치된 제 2 자기 소자를 포함하고,
    상기 제 1 자기 소자로부터 상기 제 2 자기 소자로 지나가는 자계선은 상기 복수의 제한 링을 통과하는, 플라즈마 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 자기 소자는 직경을 갖는 링 형상을 형성하고, 상기 제 2 자기 소자는 직경을 갖는 링 형상을 형성하고, 상기 제한 링은 내경 및 외경을 가지며, 상기 제 1 자기 소자의 직경 및 상기 제 2 자기 소자의 직경은 상기 제한 링의 상기 외경보다 작고 상기 제한 링의 상기 내경보다 큰, 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 자기 소자의 직경은 상기 제 2 자기 소자의 직경과 동일하지 않은, 플라즈마 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제한 링은 이동가능하여 가변 갭을 정의하고, 상기 가변 갭은 상기 플라즈마 부피 내에서의 압력을 변화시키는데 이용되는, 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 자기 소자 및 상기 제 2 자기 소자는 상기 가변 갭을 가로지르지 않는, 플라즈마 처리 장치.
  10. 프로세스 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계;
    가스 소스로부터 상기 프로세스 챔버로 가스를 제공하는 단계;
    상기 프로세스 챔버 내에서 상기 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계;
    상기 플라즈마의 물리적 제한을 제공하는 서로 분리되어 위치한 복수의 제한 링 (confinement ring) 에 인접한 갭을 통해 상기 가스를 흘리는 단계로서, 상기 복수의 제한 링은 상기 챔버 벽의 내부에 상기 챔버 벽으로부터 분리되어 위치하고, 상기 복수의 제한 링 및 상기 기판 지지체가 플라즈마 부피를 정의하는, 상기 가스를 흘리는 단계; 및
    상기 복수의 제한 링에 의해 제공되는 상기 플라즈마의 상기 물리적 제한을 자기적으로 강화시키도록 자계를 생성하기 위한 자기 소스를 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 자계는, 상기 자계를 통과하는 입자의 궤도를 구부러지게하고 플라즈마를 자기적으로 제한하지 않는 정도의 강도를 갖고,
    상기 자기 소스는,
    상기 복수의 제한 링보다 상기 기판 지지체에 더 가깝고, 상기 복수의 제한 링의 제 1 측에 떨어져 배치된 제 1 자기 소자; 및
    상기 복수의 제한 링보다 상기 기판 지지체로부터 더 멀고, 상기 복수의 제한 링의 제 2 측에 떨어져 배치된 제 2 자기 소자를 포함하고,
    상기 제 1 자기 소자로부터 상기 제 2 자기 소자로 지나가는 자계선은 상기 복수의 제한 링을 통과하는, 기판 처리 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제한 링을 이동시켜 플라즈마 압력을 제어하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 자기 제한은 방사상 대칭 자계를 제공하는, 기판 처리 방법.
  16. 삭제
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060226003A1 (en) * 2003-01-22 2006-10-12 John Mize Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer
US7244311B2 (en) * 2004-10-13 2007-07-17 Lam Research Corporation Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity
US7430986B2 (en) 2005-03-18 2008-10-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
US9659758B2 (en) 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
US20060278520A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Lee Eal H Use of DC magnetron sputtering systems
KR101218114B1 (ko) * 2005-08-04 2013-01-18 주성엔지니어링(주) 플라즈마 식각 장치
US7879184B2 (en) * 2006-06-20 2011-02-01 Lam Research Corporation Apparatuses, systems and methods for rapid cleaning of plasma confinement rings with minimal erosion of other chamber parts
US8268116B2 (en) * 2007-06-14 2012-09-18 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for protecting a region of process exclusion adjacent to a region of process performance in a process chamber
US20090194414A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Nolander Ira G Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
CN102915902B (zh) * 2011-08-02 2015-11-25 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法
US10540354B2 (en) * 2011-10-17 2020-01-21 Micro Focus Llc Discovering representative composite CI patterns in an it system
US9083182B2 (en) 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
US9263240B2 (en) * 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
KR101971312B1 (ko) * 2011-11-23 2019-04-22 램 리써치 코포레이션 다중 존 가스 주입 상부 전극 시스템
WO2013078434A1 (en) 2011-11-24 2013-05-30 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric rf return strap
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
CN108776129B (zh) * 2018-07-06 2023-12-08 中国科学院西安光学精密机械研究所 多功能环形磁铁阵列激光等离子体约束装置及其应用系统
CN110729165B (zh) * 2018-07-17 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 电感耦合装置、工艺腔室和半导体处理设备
CN112885688B (zh) * 2021-01-11 2022-04-22 长江存储科技有限责任公司 离子注入装置及离子注入方法
CN115966451A (zh) * 2021-10-11 2023-04-14 中微半导体设备(上海)股份有限公司 限制环以及等离子体处理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61128527A (ja) * 1984-11-27 1986-06-16 Mitsubishi Electric Corp プラズマエツチング装置
JPS6269621A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Anelva Corp プラズマ処理装置
WO2003003403A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-09 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59591B2 (ja) * 1981-09-26 1984-01-07 富士通株式会社 プラズマエツチング方法
JPH06181187A (ja) * 1992-12-11 1994-06-28 Hitachi Ltd スパッタリング装置
TW299559B (ko) 1994-04-20 1997-03-01 Tokyo Electron Co Ltd
US6051151A (en) * 1997-11-12 2000-04-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method of producing a negative ion plasma
US6085688A (en) 1998-03-27 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving processing and reducing charge damage in an inductively coupled plasma reactor
US6019060A (en) * 1998-06-24 2000-02-01 Lam Research Corporation Cam-based arrangement for positioning confinement rings in a plasma processing chamber
US5998932A (en) * 1998-06-26 1999-12-07 Lam Research Corporation Focus ring arrangement for substantially eliminating unconfined plasma in a plasma processing chamber
US20030010454A1 (en) 2000-03-27 2003-01-16 Bailey Andrew D. Method and apparatus for varying a magnetic field to control a volume of a plasma
US6872281B1 (en) * 2000-09-28 2005-03-29 Lam Research Corporation Chamber configuration for confining a plasma
JP4392852B2 (ja) * 2001-12-07 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置に用いられる排気リング機構及びプラズマ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61128527A (ja) * 1984-11-27 1986-06-16 Mitsubishi Electric Corp プラズマエツチング装置
JPS6269621A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Anelva Corp プラズマ処理装置
WO2003003403A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-09 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060039866A (ko) 2006-05-09
US7455748B2 (en) 2008-11-25
US7838086B2 (en) 2010-11-23
WO2005001877B1 (en) 2008-05-02
JP2012084925A (ja) 2012-04-26
US20090041951A1 (en) 2009-02-12
CN101120429B (zh) 2015-09-02
US20050006028A1 (en) 2005-01-13
JP2007521654A (ja) 2007-08-02
WO2005001877A3 (en) 2005-03-31
TWI358971B (en) 2012-02-21
CN101120429A (zh) 2008-02-06
JP5097397B2 (ja) 2012-12-12
WO2005001877A2 (en) 2005-01-06
TW200511902A (en) 2005-03-16

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