KR101043679B1 - Method For Fabricating Flat Panel Display Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평판표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 상기 박막 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 투과부와 차단부만을 포함한 마스크를 정렬하는 단계; 상기 포토레지스트에 대하여 제1 노광 공정을 실시하여 상기 마스크의 투과부를 통해 노출된 상기 포토레지스트의 제1 영역을 노광시키는 단계; 상기 마스크 및 상기 기판 중 어느 하나를 수평방향으로 이동시키는 단계; 상기 포토레지스트에 대하여 제2 노광 공정을 실시하여 상기 마스크의 투과부를 통해 노출된 상기 포토레지스트에서 상기 제1 영역과 제2 영역 만큼 중첩된 제3 영역을 노광시키는 단계; 상기 포토레지스트에 대하여 현상 공정을 실시하여 상기 제1 및 제2 노광 공정에 의해 상기 포토레지스트에서 노광된 부분을 제거하여 상기 박막 상에 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴의 상기 제2 영역을 통해 노출된 상기 박막의 일부만을 식각하여 박막패턴을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제2 영역은 제1 및 제2 노광 공정을 통한 반복 노광에 의해 상기 포토레지스트 두께 만큼 노광되고, 상기 제2 부분을 제외한 상기 제1 및 제3 영역은 상기 포토레지스트 두께의 절반 만큼 노광된다. The present invention relates to a method of manufacturing a flat panel display device, comprising the steps of: forming a thin film on a substrate; Applying a photoresist on the thin film; Aligning a mask including only a transmissive part and a blocking part on the photoresist; Performing a first exposure process on the photoresist to expose a first region of the photoresist exposed through the transmission portion of the mask; Moving one of the mask and the substrate in a horizontal direction; Performing a second exposure process on the photoresist to expose a third region overlapping with the first region by a second region in the photoresist exposed through the transmission portion of the mask; Performing a development process on the photoresist to remove portions exposed from the photoresist by the first and second exposure processes to form a photoresist pattern having a step on the thin film; And etching a portion of the thin film exposed through the second region of the photoresist pattern to form a thin film pattern on the substrate. The second region is exposed by the photoresist thickness by repeated exposure through the first and second exposure processes, and the first and third regions except the second portion are exposed by half of the photoresist thickness.

Description

평판표시소자의 제조방법{Method For Fabricating Flat Panel Display Device} Method for manufacturing flat panel display device {Method For Fabricating Flat Panel Display Device}             

도 1a 내지 1c 은 종래의 포토공정을 이용하여 박막패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.1A to 1C are diagrams for explaining a method of forming a thin film pattern using a conventional photo process.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 평판표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 2A to 2D are views for explaining a method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 제조방법에 의해 형성된 액정표시패널을 나타내는 도면이다.
3 is a view showing a liquid crystal display panel formed by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>          <Explanation of symbols for main parts of the drawings>

45,145 : 기판 55a,155a : 박막45145: Substrate 55a, 155a: Thin Film

55b,155b : 박막패턴 65a,165a ; 포토레지스트55b, 155b: thin film patterns 65a, 165a; Photoresist

180 : 마스크 180a : 차단부180: mask 180a: blocking

180b : 투과부 165b : 포토레지스트 패턴180b: transmissive portion 165b: photoresist pattern

204 : 블랙 매트릭스 206 : 컬러필터204 black matrix 206 color filter

238 : 게이트 전극 216 : 화소전극 238: gate electrode 216: pixel electrode                 

225 : 스페이서 268 : 소스전극225 spacer 268 source electrode

270 : 드레인 전극 234 : 게이트 절연막270: drain electrode 234: gate insulating film

250 : 보호막 210 : 공통전극250: protective film 210: common electrode

212 : 상부 배향막 242 : 하부 배향막
212: upper alignment layer 242: lower alignment layer

본 발명은 평판표시소자에 관한 것으로, 특히 미세 패턴을 형성할 수 있는 평판표시소자의 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly, to a manufacturing method of a flat panel display device capable of forming a fine pattern.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 일렉트로루미네센스(Electro-luminescence : EL) 표시소자 등이 있다. PDP는 구조와 제조공정이 비교적 단순하기 때문에 대화면화에 가장 유리하지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. EL 표시소자는 무기 EL과 유기 EL로 대별되며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 장점이 있으나 대화면화가 어렵다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Flat display devices include Liquid Crystal Display (LCD), Field Emission Display (FED), Plasma Display Panel (PDP) and Electro-luminescence (EL). Display elements; PDP is most advantageous for large screens because of its relatively simple structure and manufacturing process, but it has the disadvantages of low luminous efficiency, low luminance and high power consumption. The EL display device is roughly classified into an inorganic EL and an organic EL, and has a high response speed, light emission efficiency, brightness, and viewing angle, but is difficult to achieve large screens.

LCD는 EL표시소자에 비해 대화면화에 유리하고 PDP에 비해 소비전력이 작기 때문에 사무실, 가정의 PC에 많이 이용되고 있다. LCDs are widely used in offices and home PCs because they are advantageous for larger screens than EL display elements and consume less power than PDPs.                         

이러한, 여러종류의 평판표시소자는 다수의 박막패턴을 포함하고, 박막패턴들은 포토리쏘그래피 공정 및 식각공정에 의해 형성된다. Such various types of flat panel display devices include a plurality of thin film patterns, and the thin film patterns are formed by a photolithography process and an etching process.

이하, 평판표시소자의 박막패턴을 형성하기 위한 포토리쏘그래피 공정 및 식각공정을 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a photolithography process and an etching process for forming a thin film pattern of a flat panel display device will be described with reference to FIGS. 1A to 1C.

먼저, 기판(45) 상에 박막패턴 등을 형성하기 위한 박막(55a)이 형성된다. 이후, 박막(55a)이 형성된 기판(45) 상에 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정에 의해 도 1a에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(65a)이 형성된다. 한편, 평판표시소자의 종류에 따라, 기판(45)과 박막(55a) 사이에 다른 기능 또는 다른 형태의 박막패턴들이 형성될 수 있다. First, a thin film 55a for forming a thin film pattern or the like is formed on the substrate 45. Thereafter, a photoresist pattern 65a is formed on the substrate 45 on which the thin film 55a is formed, as shown in FIG. 1A by a photolithography process using a mask. Meanwhile, depending on the type of flat panel display device, different functions or different types of thin film patterns may be formed between the substrate 45 and the thin film 55a.

이후, 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용한 식각공정이 실시됨으로써 도 1b에 도시된 바와 같이 박막패턴(55b) 예를 들어, 액정표시패널의 공통전극 또는 화소전극 등이 형성된다. 이후, 스트립공정이 실시됨으로써 도 1c에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(65a)이 제거된다. Subsequently, an etching process using the photoresist pattern as a mask is performed to form a thin film pattern 55b, for example, a common electrode or a pixel electrode of the liquid crystal display panel, as shown in FIG. 1B. Thereafter, the strip process is performed to remove the photoresist pattern 65a as shown in FIG. 1C.

한편, 이러한 포토리쏘그래피 공정에서는 공정마진 또는 공정상의 한계에 따라 포토레지스트 패턴의 선폭은 3~4㎛ 이하로는 형성할 수 없고, 포토레지스트 패턴간의 간격 또한 3~4㎛ 이하로는 형성할 수 없는 단점이 있다. 이에 따라, 박막패턴 또는 박막패턴간의 간격이 3~4㎛ 이하의 크기가 되는 미세패턴을 형성할 수 없는 문제가 있다. On the other hand, in such a photolithography process, the line width of the photoresist pattern may not be formed in the range of 3 to 4 µm or less, and the spacing between the photoresist patterns may also be formed in the range of 3 to 4 µm or less, depending on process margin or process limitation. There are no drawbacks. Accordingly, there is a problem in that a thin pattern or a fine pattern having a size of 3 to 4 μm or less can be formed.

본 발명은 미세 패턴을 형성할 수 있는 평판표시소자의 제조방법을 제공DDDD하는데 있다. The present invention provides a method for manufacturing a flat panel display device capable of forming a fine pattern.

본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조방법은 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 상기 박막 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 투과부와 차단부만을 포함한 마스크를 정렬하는 단계; 상기 포토레지스트에 대하여 제1 노광 공정을 실시하여 상기 마스크의 투과부를 통해 노출된 상기 포토레지스트의 제1 영역을 노광시키는 단계; 상기 마스크 및 상기 기판 중 어느 하나를 수평방향으로 이동시키는 단계; 상기 포토레지스트에 대하여 제2 노광 공정을 실시하여 상기 마스크의 투과부를 통해 노출된 상기 포토레지스트에서 상기 제1 영역과 제2 영역 만큼 중첩된 제3 영역을 노광시키는 단계; 상기 포토레지스트에 대하여 현상 공정을 실시하여 상기 제1 및 제2 노광 공정에 의해 상기 포토레지스트에서 노광된 부분을 제거하여 상기 박막 상에 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴의 상기 제2 영역을 통해 노출된 상기 박막의 일부만을 식각하여 박막패턴을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제2 영역은 제1 및 제2 노광 공정을 통한 반복 노광에 의해 상기 포토레지스트 두께 만큼 노광되고, 상기 제2 부분을 제외한 상기 제1 및 제3 영역은 상기 포토레지스트 두께의 절반 만큼 노광된다.
상기 박막패턴의 선폭이나 상기 박막패턴들 간의 간격은 1㎛~2㎛ 사이 정도로 미세하다.
상기 평판표시소자는 액정표시소자(LCD), 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계발광소자(EL) 중 어느 하나이다.Method of manufacturing a flat panel display device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a thin film on the substrate; Applying a photoresist on the thin film; Aligning a mask including only a transmissive part and a blocking part on the photoresist; Performing a first exposure process on the photoresist to expose a first region of the photoresist exposed through the transmission portion of the mask; Moving one of the mask and the substrate in a horizontal direction; Performing a second exposure process on the photoresist to expose a third region overlapping with the first region by a second region in the photoresist exposed through the transmission portion of the mask; Performing a development process on the photoresist to remove portions exposed from the photoresist by the first and second exposure processes to form a photoresist pattern having a step on the thin film; And etching a portion of the thin film exposed through the second region of the photoresist pattern to form a thin film pattern on the substrate.
The second region is exposed by the photoresist thickness by repeated exposure through the first and second exposure processes, and the first and third regions except the second portion are exposed by half of the photoresist thickness.
The line width of the thin film pattern or the spacing between the thin film patterns is as small as 1 μm to 2 μm.
The flat panel display device is any one of a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescent device (EL).

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상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 2a 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 3.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 2A to 2D illustrate a method of manufacturing a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 기판(145) 상에 스퍼터링, PECVD 등의 증착방법을 통해 박막(155a)이 형성된 후 포토레지스트(165a)가 도포된다. 이후, 차단부(180a) 및 투과부(180b)를 가지는 마스크(180)가 포토레지스트(165a)가 도포된 기판(145) 상에 정렬된다. First, the thin film 155a is formed on the substrate 145 through a sputtering method or a deposition method such as PECVD, and then the photoresist 165a is applied. Thereafter, the mask 180 having the blocking portion 180a and the transmitting portion 180b is aligned on the substrate 145 to which the photoresist 165a is applied.

이어서, 제1 노광공정이 실시됨으로써 도 2a에 도시된 바와 같이 마스크(180)의 투과부(180b)를 통해 노출된 포토레지스트(165a)가 부분적으로 노광된다. 제1 노광공정에서, 마스크(180)의 투과부(180b)를 통해 노출된 포토레지스트(165a)의 제1 영역(A)에서 포토레지스트(165a) 두께의 절반 정도(도 2b의 V1)가 노광된다. 여기서, 제1 영역(A)은 제2 영역(B)을 포함하고, 제1 영역(A)과 제2 영역(B)은 동일한 깊이로 노광된다. Subsequently, the first exposure process is performed to partially expose the photoresist 165a exposed through the transmissive portion 180b of the mask 180 as illustrated in FIG. 2A. In the first exposure process, about half of the thickness of the photoresist 165a (V1 of FIG. 2B) is exposed in the first region A of the photoresist 165a exposed through the transmissive portion 180b of the mask 180. . Here, the first region A includes the second region B, and the first region A and the second region B are exposed to the same depth.

이어서, 마스크(180) 및 기판(145) 중 적어도 어느 하나가 수평방향으로 이동하고 제2 노광 공정이 실시된다. 제2 노광공정에서, 마스크(180)의 투과부(180b)를 통해 노출된 포토레지스트(165a)의 제3 영역(C)이 노광된다. 제3 영역(C)은 제2 영역(B)을 포함한다. 따라서, 제1 및 제2 노광공정을 거쳐 제2 영역(B)은 두 차례 노광되므로 포토레지스트(165a) 두께(도 2b의 V2) 만큼 노광되고, 제2 영역(B)을 제외한 제3 영역(B)의 나머지 부분은 한 차례 노광되므로 포토레지스트(165a) 두께의 절반 정도(도 2b의 V1) 만큼 노광된다. 제2 영역(B)은 도 2a 내지 도 2d와 같이 마스크(180)의 투과부 폭보다 작은 폭을 갖는다.
이어서, 현상공정이 실시됨으로써 도 2c에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 노광 공정에 의해 노광된 포토레지스트(165a)가 제거됨으로써 포토레지스트 패턴(165b)이 형성된다. 포토레지스트 패턴(165b)은 도 2c와 같이 제2 영역(B)에서 최소 두께가 되고, 제2 영역(B)을 제외한 제1 및 제3 영역(A, C)의 나머지 부분에서 제2 영역(B) 보다 얇은 두께를 가지며, 노광되지 않은 부분들에서 최대 두께를 갖는 단차 구조로 패터닝된다.
이어서, 포토레지스트 패턴(165b)을 이용한 식각 공정을 실시하여 포토레지스트 패턴(165b)의 제2 영역(B)을 통해 노출된 박막(155a)의 일부만을 제거하여 미세 선폭을 가지며 두께 차이가 없는 박막패턴(155b)을 형성할 수 있다.
이렇게 형성된 박막패턴(155b)과 박막패턴(155b) 사이의 간격(d1)은 1㎛~2㎛ 정도의 미세 선폭을 갖을 수 있게 된다. 더 나아가 도 2a 내지 도 2d에 나타낸 부분적인 이중 노광을 이용하여 1㎛~2㎛ 정도의 미세 선폭을 가지는 박막패턴을 형성할 수 있게 된다.Subsequently, at least one of the mask 180 and the substrate 145 moves in the horizontal direction and a second exposure process is performed. In the second exposure process, the third region C of the photoresist 165a exposed through the transmissive portion 180b of the mask 180 is exposed. The third region C includes the second region B. FIG. Therefore, since the second region B is exposed twice through the first and second exposure processes, the second region B is exposed by the thickness of the photoresist 165a (V2 of FIG. 2B), and the third region (except the second region B) Since the remaining portion of B) is exposed once, about half of the thickness of the photoresist 165a (V1 in FIG. 2B) is exposed. The second region B has a width smaller than the width of the transmissive portion of the mask 180 as shown in FIGS. 2A to 2D.
Subsequently, the development process is performed to remove the photoresist 165a exposed by the first and second exposure processes as shown in FIG. 2C, thereby forming the photoresist pattern 165b. The photoresist pattern 165b has a minimum thickness in the second region B, as shown in FIG. 2C, and the second region (in the remaining portions of the first and third regions A and C except for the second region B). B) Patterned into a stepped structure having a thinner thickness and having a maximum thickness in the unexposed portions.
Subsequently, an etching process using the photoresist pattern 165b is performed to remove only a portion of the thin film 155a exposed through the second region B of the photoresist pattern 165b to have a fine line width and no thickness difference. The pattern 155b may be formed.
The gap d1 between the thin film pattern 155b and the thin film pattern 155b thus formed may have a fine line width of about 1 μm to 2 μm. Furthermore, by using the partial double exposure shown in FIGS. 2A to 2D, a thin film pattern having a fine line width of about 1 μm to 2 μm can be formed.

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이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 평판표시소자의 제조방법은 포토레지스트의 소정영역을 부분적으로 제1 노광한다. 이후, 마스크 또는 기판을 이동시켜 상기 부분적으로 제1 노광된 포토레지스트 중 일부를 노출시킴과 아울러 노광되지 않은 포토레지스트를 부분적으로 노출시킨 후 제2 노광을 실시한다. 이에 따라, 제1 노광과 제2 노광에서 중첩적으로 노광된 포토레지스트 영역은 전면노광되고 제1 노광 및 제2 노광 중 어느 하나에 의해 노광된 포토레지스트 영역은 부분적으로 노광되게 된다. 이에 따라, 노광된 포토레지스트가 현상공정에 의해 제거되게 됨으로써 미세 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있게 된다. 그 결과, 박막패턴간의 간격 및 박막패턴이 종래의 보다 작은 크기를 갖도록 형성할 수 있게 된다.As described above, the method of manufacturing the flat panel display device according to the exemplary embodiment of the present invention partially exposes a predetermined region of the photoresist. Thereafter, the mask or the substrate is moved to expose a part of the partially exposed photoresist, and partially expose the unexposed photoresist and then perform a second exposure. Accordingly, the photoresist region overlapped in the first exposure and the second exposure is exposed to the entire surface, and the photoresist region exposed by either of the first exposure and the second exposure is partially exposed. Accordingly, the exposed photoresist is removed by the developing process, thereby forming a photoresist pattern capable of forming a fine pattern. As a result, the gap between the thin film patterns and the thin film pattern can be formed to have a smaller size than the conventional one.

도 3은 본 발명에 실시예에 따른 제조방법에 의해 형성되는 액정표시소자를 나타내는 도면이다. 3 is a view showing a liquid crystal display device formed by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 액정표시패널은 상부기판(202) 상에 순차적으로 형성된 블랙 매트릭스(204), 컬러필터(206), 공통전극(210), 스페이서(225), 상부 배향막(212) 등으로 구성되는 컬러필터 어레이 기판(또는 상부 어레이 기판)과, 하부기판(232) 상에 형성된 TFT와, 화소전극(216) 및 하부 배향막(242) 등으로 구성되는 박막 트랜지스터 어레이 기판(또는 하부 어레이 기판)과, 상부 어레이 기판 기판 및 하부 어레이 기판 사이의 내부공간에 주입되는 액정(도시되지 않음)을 구비한다. The liquid crystal display panel illustrated in FIG. 3 includes a black matrix 204, a color filter 206, a common electrode 210, a spacer 225, and an upper alignment layer 212 formed sequentially on the upper substrate 202. A thin film transistor array substrate (or lower array substrate) including a color filter array substrate (or an upper array substrate), a TFT formed on the lower substrate 232, a pixel electrode 216, a lower alignment layer 242, and the like. And liquid crystal (not shown) injected into an inner space between the upper array substrate and the lower array substrate.

상부 어레이 기판에 있어서, 블랙 매트릭스(204)는 하판의 TFT 영역과 도시하지 않은 게이트라인들 및 데이터라인들 영역에 대응되어 상부기판(202) 상에 형성되며, 컬러필터(206)가 형성될 셀영역을 마련한다. 블랙 매트릭스(204)는 빛샘을 방지함과 아울러 외부광을 흡수하여 콘트라스트를 높이는 역할을 한다. 컬러필터(206)는 블랙 매트릭스(204)에 의해 분리된 셀영역 및 블랙 매트릭스(204)에 걸쳐 형성된다. 이 컬러필터(206)는 R,G,B 별로 형성되어 R, G, B 색상을 구현한다. 공통전극(210)에는 액정구동시 기준이 되기 위한 공통전압이 공급된다. 스페이서(225)는 상부 어레이 기판과 하부 어레이 기판 사이의 셀 갭을 유지하는 역할을 한다. In the upper array substrate, the black matrix 204 is formed on the upper substrate 202 corresponding to the TFT region of the lower plate and the gate line and data line regions (not shown), and the cell in which the color filter 206 is to be formed. Provide an area. The black matrix 204 prevents light leakage and absorbs external light to enhance contrast. The color filter 206 is formed over the cell region and the black matrix 204 separated by the black matrix 204. The color filter 206 is formed for each of R, G, and B to implement R, G, and B colors. The common electrode 210 is supplied with a common voltage to be a reference when driving the liquid crystal. The spacer 225 serves to maintain a cell gap between the upper array substrate and the lower array substrate.

하부 어레이 기판에 있어서, TFT는 게이트라인(도시하지 않음)과 함께 하부기판(232)위에 형성되는 게이트전극(238)과, 이 게이트전극(238)과 게이트 절연막(234)을 사이에 두고 중첩되는 반도체층(214,248)과, 반도체층(214,248)을 사이에 두고 데이터라인(도시하지 않음)과 함께 형성되는 소스/드레인전극(268,270)을 구비한다. In the lower array substrate, the TFT overlaps the gate electrode 238 formed on the lower substrate 232 with the gate line (not shown), and the gate electrode 238 and the gate insulating film 234 interposed therebetween. The semiconductor layers 214 and 248 and the source / drain electrodes 268 and 270 formed together with the data lines (not shown) are disposed between the semiconductor layers 214 and 248.

이러한 TFT는 게이트라인으로 부터의 스캔신호에 응답하여 데이터라인으로부터 화소신호를 화소전극(216)에 공급한다. The TFT supplies a pixel signal from the data line to the pixel electrode 216 in response to a scan signal from the gate line.

화소전극(216)은 광투과율이 높은 투명전도성 물질로 보호막(250)을 사이에 두고 TFT의 드레인 전극(270)과 접촉된다. 액정배향을 위한 상/하부 배향막(212,242)은 폴리이미드 등과 같은 배향물질을 도포한 후 러빙공정을 수행함으로써 형성된다. The pixel electrode 216 is a transparent conductive material having a high light transmittance and contacts the drain electrode 270 of the TFT with the passivation layer 250 therebetween. The upper and lower alignment layers 212 and 242 for liquid crystal alignment are formed by applying an alignment material such as polyimide and then performing a rubbing process.

이러한 구성을 갖는 액정표시소자는 각 박막들은 도 2a 내지 도 2d에서 제시한 방법에 의해 형성될 수 있다.In the liquid crystal display device having such a configuration, each of the thin films may be formed by the method shown in FIGS. 2A to 2D.

이로써, 각 박막패턴의 선폭을 줄일 수 있고 각 박막패턴간의 간격 또한 줄일 수 있게 되는 등 미세 패턴을 형성할 수 있게 된다.As a result, the line width of each thin film pattern can be reduced, and the spacing between each thin film pattern can also be reduced, thereby forming a fine pattern.

본 발명에 따른 평판 표시소자의 제조방법은 액정표시소자(LCD) 뿐만아니라, 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계발광소자(EL) 등의 평판표시소자의 전극층, 유기물층 및 무기물층 등을 패터닝하기 위한 어떠한 공정에 적용될 수 있다.
The manufacturing method of the flat panel display device according to the present invention is not only a liquid crystal display device (LCD) but also an electrode layer and an organic material layer of a flat panel display device such as a field emission display device (FED), a plasma display panel (PDP) and an electroluminescent device (EL). And any process for patterning an inorganic layer or the like.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 평판표시소자의 제조방법은 포토레지스트의 소정영역을 부분적으로 제1 노광한다. 이후, 마스크 또는 기판을 이동시켜 상기 부분적으로 제1 노광된 포토레지스트 중 일부를 노출시킴과 아울러 노광되지 않은 포토레지스트를 부분적으로 노출시킨 후 제2 노광을 실시한다. 이에 따라, 제1 노광과 제2 노광에서 중첩적으로 노광된 포토레지스트 영역은 전면노광되고 제1 노광 및 제2 노광 중 어느 하나에 의해 노광된 포토레지스트 영역은 부분적으로 노광되게 된다. 이에 따라, 노광된 포토레지스트가 현상공정에 의해 제거되게 됨으로써 미세 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있게 된다. 그 결과, 박막패턴간의 간격 및 박막패턴이 종래의 보다 작은 크기를 갖는 등 미세 패턴을 형성할 수 있게 된다.As described above, the method for manufacturing a flat panel display device according to the present invention partially exposes a predetermined region of the photoresist. Thereafter, the mask or the substrate is moved to expose a part of the partially exposed photoresist, and partially expose the unexposed photoresist and then perform a second exposure. Accordingly, the photoresist region overlapped in the first exposure and the second exposure is exposed to the entire surface, and the photoresist region exposed by either of the first exposure and the second exposure is partially exposed. Accordingly, the exposed photoresist is removed by the developing process, thereby forming a photoresist pattern capable of forming a fine pattern. As a result, it is possible to form fine patterns such as the gap between the thin film patterns and the thin film pattern having a smaller size than the conventional one.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (6)

박막패턴들을 포함하는 평판표시소자의 제조방법에 있어서, In the manufacturing method of a flat panel display device comprising a thin film pattern, 기판 상에 박막을 형성하는 단계; Forming a thin film on the substrate; 상기 박막 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; Applying a photoresist on the thin film; 상기 포토레지스트 상에 투과부와 차단부만을 포함한 마스크를 정렬하는 단계; Aligning a mask including only a transmissive part and a blocking part on the photoresist; 상기 포토레지스트에 대하여 제1 노광 공정을 실시하여 상기 마스크의 투과부를 통해 노출된 상기 포토레지스트의 제1 영역을 노광시키는 단계; Performing a first exposure process on the photoresist to expose a first region of the photoresist exposed through the transmission portion of the mask; 상기 마스크 및 상기 기판 중 어느 하나를 수평방향으로 이동시키는 단계; Moving one of the mask and the substrate in a horizontal direction; 상기 포토레지스트에 대하여 제2 노광 공정을 실시하여 상기 마스크의 투과부를 통해 노출된 상기 포토레지스트에서 상기 제1 영역과 제2 영역 만큼 중첩된 제3 영역을 노광시키는 단계; Performing a second exposure process on the photoresist to expose a third region overlapping with the first region by a second region in the photoresist exposed through the transmission portion of the mask; 상기 포토레지스트에 대하여 현상 공정을 실시하여 상기 제1 및 제2 노광 공정에 의해 상기 포토레지스트에서 노광된 부분을 제거하여 상기 박막 상에 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 Performing a development process on the photoresist to remove portions exposed from the photoresist by the first and second exposure processes to form a photoresist pattern having a step on the thin film; And 상기 포토레지스트 패턴의 상기 제2 영역을 통해 노출된 상기 박막의 일부만을 식각하여 박막패턴을 상기 기판 상에 형성하는 단계를 포함하고, Etching a portion of the thin film exposed through the second region of the photoresist pattern to form a thin film pattern on the substrate; 상기 제2 영역은 제1 및 제2 노광 공정을 통한 반복 노광에 의해 상기 포토레지스트 두께 만큼 노광되고, 상기 제2 부분을 제외한 상기 제1 및 제3 영역은 상기 포토레지스트 두께의 절반 만큼 노광되는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법. The second region is exposed by the photoresist thickness by repetitive exposure through the first and second exposure processes, and the first and third regions except the second portion are exposed by half of the photoresist thickness. A method of manufacturing a flat panel display device characterized in that. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 박막패턴들 간의 간격은 1㎛~2㎛ 사이의 간격인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법. The interval between the thin film patterns is a manufacturing method of the flat panel display device, characterized in that the interval between 1㎛ ~ 2㎛. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 박막패턴의 선폭은 1㎛~2㎛ 사이의 선폭인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법. The line width of the thin film pattern is a manufacturing method of the flat panel display device, characterized in that the line width between 1㎛ ~ 2㎛. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 평판표시소자는,The flat panel display device, 액정표시소자(LCD), 전계 방출 표시소자(FED), 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP) 및 전계발광소자(EL) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법. A liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP) and an electroluminescent device (EL) of any one of the manufacturing method of the flat panel display device.
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