KR100935674B1

KR100935674B1 - Mask for use in gradual stitching exposure process

Info

Publication number: KR100935674B1
Application number: KR1020030039696A
Authority: KR
Inventors: 백승수
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-06-19
Filing date: 2003-06-19
Publication date: 2010-01-07
Also published as: KR20040110381A

Abstract

본 발명은 그래듀얼 스티칭(Gradual stitching) 노광공정에 사용되는 마스크에 있어서, 피노광부재 상의 노광되는 샷(Shot)에 패턴을 형성하기 위한 마스킹패턴이 마련된 노광부와, 상기 노광되는 샷에 인접하는 샷이 노광되는 것을 차단하기 위한 차광블럭이 마련된 차광부를 포함하며, 상기 차광부는 상호 인접하여 대면하는 차광블럭 간이 일체로 마련되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 불필요하게 이중노광되는 영역과 노광되지 않는 영역을 최소화하여, 피노광부재의 신뢰성이 향상되고, 제조수율을 향상시킬 수 있다.The present invention provides a mask for use in a gradient stitching exposure process, comprising: an exposure portion provided with a masking pattern for forming a pattern on an exposed shot on a member to be exposed, and adjacent to the exposed shot; And a light blocking unit provided with a light blocking block for preventing the shot from being exposed, wherein the light blocking unit is integrally provided between the light blocking blocks facing each other. Thereby, the area which is unnecessarily double-exposed and the area which is not exposed are minimized, the reliability of a to-be-exposed member can be improved and manufacture yield can be improved.

Description

MASK FOR USE IN GRADUAL STITCHING EXPOSURE PROCESS}

도 1은 종래의 그래듀얼 스티칭(Gradual Stitching) 방식에 의한 샷 간의 경계를 나타낸 도면이고,1 is a view showing a boundary between shots by a conventional gradient stitching (Gradual Stitching) method,

도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 그래듀얼 스티칭 공정에 사용되는 마스크를 나타낸 도면이고,2 and 3 is a view showing a mask used in the gradient stitching process according to the present invention,

도 4는 액정표시장치의 하부 기판이 복수의 샷으로 구획된 것을 나타낸 도면이고,4 is a diagram illustrating a lower substrate of a liquid crystal display divided into a plurality of shots;

도 5는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이다.FIG. 5 is an enlarged view of region A of FIG. 4.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1,1a : 마스크 10,10a : 차광부1,1a: mask 10,10a: light shield

12,12a,14,14a : 차광블럭 20.20a : 노광부12,12a, 14,14a: Light blocking block 20.20a: Exposure part

22,22a : 마스킹패턴 30 : 하부기판22,22a: masking pattern 30: lower substrate

31 : 박막 트랜지스터 32 : 게이트 라인31 thin film transistor 32 gate line

33 : 데이터 라인 34 : 화소전극33 data line 34 pixel electrode

1s,2s,3s,4s,5s,6s : 샷Shot: 1s, 2s, 3s, 4s, 5s, 6s

본 발명은, 그래듀얼 스티칭 노광공정에 사용되는 마스크(Mask)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 액정표시장치용 기판을 제조하기 위한 그래듀얼(Gradual) 스티칭(Stitching) 노광공정에 사용되는 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask used in a gradient stitching exposure process, and more particularly, to a mask used in a gradient stitching exposure process for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device. It is about.

일반적으로, 액정표시장치는 상부 기판 및 하부 기판 사이에 액정을 주입하고, 픽셀(Pixel)별로 판면에 형성된 공통전극과 화소전극 사이에 전계가 인가되어, 액정의 배열을 변화시켜 빛을 통과시키거나 차단시킴으로써 화면을 구성하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device injects a liquid crystal between an upper substrate and a lower substrate, and an electric field is applied between the common electrode and the pixel electrode formed on the plate for each pixel to change the arrangement of the liquid crystal so as to pass light. It is a device that composes a screen by blocking.

액정표시장치는 다양한 형태로 제조될 수 있는데, 현재 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)와 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 매트릭스(Matrix) 상으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.Liquid crystal displays can be manufactured in various forms. Currently, a thin film transistor (TFT) and an active matrix LCD in which pixel electrodes connected to the thin film transistors are arranged in a matrix have a resolution. And it is attracting the most attention because of its ability to implement video.

이러한 액정표시장치는 하부 기판에 화소전극 및 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 상부 기판에 공통전극이 형성된 구조를 가지며, 하부 또는 상부 기판 중 어느 하나에 컬러필터가 형성된다. Such a liquid crystal display has a structure in which a pixel electrode and a thin film transistor are formed on a lower substrate, a common electrode is formed on an upper substrate, and a color filter is formed on either the lower or upper substrate.

한편, 액정표시장치에 있어서, 각 기판에 각종 패턴을 형성하기 위하여 감광액 도포(Photo Resist Coating), 정렬(Align) 및 노광(Exposure), 현상(Develop) 등의 일련의 공정으로 진행되는 사진공정(Photo Process)이 진행된다.On the other hand, in the liquid crystal display device, in order to form various patterns on each substrate, a photo process performed by a series of processes such as photoresist coating, alignment and exposure, development, etc. Photo Process is in progress.

여기서, 액정표시장치의 대형화에 따라, 대형 기판 상에 패턴을 형성하기 위 해 스티칭 방식의 노광공정이 적용된다. 스티칭 방식은 대형 기판을 여러 샷(Shot)으로 구분하여 샷의 크기에 대응하는 마스크를 기판 위에 상하좌우로 이동하면서 노광하는 방식이다.Here, as the size of the liquid crystal display increases, a stitching exposure process is applied to form a pattern on a large substrate. The stitching method is a method of dividing a large substrate into several shots and exposing a mask corresponding to the shot size while moving up, down, left, and right on the substrate.

그러나, 이러한 스티칭 방식을 이용한 노광공정에 있어서는 샷 간의 경계영역에서 스티칭 에러를 초래한다. 여기서, 스티칭 에러는 기판을 여러 샷으로 나누어 노광하기 때문에, 각 샷 간의 디플렉션 정확도(Deflection accuracy)와 스테이지(Stage)의 이동 정밀도 등의 불량에 의해 발생하는 것으로, 액정표시장치의 구동시 샷 간의 경계부가 육안으로 나타난다.However, in the exposure process using this stitching method, a stitching error is caused in the boundary region between shots. Here, the stitching error is caused by defects such as deflection accuracy and stage movement accuracy between shots because the substrate is exposed by dividing the shot into several shots. The border is visible to the naked eye.

이러한 스티칭 에러를 제거하게 위해 그래듀얼 스티칭(Gradual Stitching) 방식이 제안되었다. 그래듀얼 스티칭 방식은 제1 샷에 형성되는 기판의 픽셀과, 제1 샷과 인접하는 제2 샷에 형성되는 픽셀이 공간적으로 서서히 섞이게 마련함으로써, 액정표시장치의 구동시 샷 간의 경계부가 육안으로 나타나는 것을 방지한다. 도 1은 그래듀얼 스티칭 방식의 노광공정을 시각적으로 설명하는 도면으로, 도 1의 (a)는 첫 번째 샷의 노광시 노광되는 영역을 도시한 도면이고, 도 1의 (b)는 두 번째 샷의 노광시 노광되는 영역을 도시한 도면이고, 도 1의 (c)는 첫 번째 샷과 두 번째 샷의 노광에 의해 노광되는 영역이 서서히 섞이고 있는 것을 나타내는 도면이다.In order to eliminate this stitching error, a gradient stitching method has been proposed. Gradient stitching is a method in which the pixels of the substrate formed in the first shot and the pixels formed in the second shot adjacent to the first shot are gradually mixed spatially so that the boundary between the shots is visually observed when the LCD is driven. To prevent them. FIG. 1 is a diagram for visually explaining an exposure process using a gradient stitching method. FIG. 1A illustrates a region exposed during exposure of a first shot, and FIG. 1B illustrates a second shot. FIG. 1C is a view showing that the areas exposed by exposure of the first shot and the second shot are gradually mixed.

그런데, 이러한 종래의 그래듀얼 스티칭 방식에 의한 노광공정은 제1 샷을 노광한 후 제2 샷을 노광하는 할 때, 전술한 바와 같이 각 샷 간의 디플렉션 정확도(Deflection accuracy)나 스테이지(Stage)의 이동 정밀도 등의 오류로 인하여, 제1 샷에서 형성된 픽셀과 제2 샷에서 형성된 픽셀 간이 겹치는 경우, 겹치는 부분은 제1 샷 및 제2 샷의 노광에 의해서도 노광되지 않는 문제점이 있다. 이는 원하지 않는 패턴을 형성하는 결과를 가져오며, 결과적으로 기판의 신뢰성 및 특성 저하는 물론, 제조수율의 저하를 야기한다.By the way, in the exposure process using the conventional gradient stitching method, when the first shot is exposed and then the second shot is exposed, the deflection accuracy between the shots and the stage between the shots are as described above. If the pixels formed in the first shot and the pixels formed in the second shot overlap due to an error such as movement accuracy, there is a problem that the overlapping portions are not exposed even by exposure of the first shot and the second shot. This results in the formation of an unwanted pattern, resulting in a decrease in the manufacturing yield as well as in the reliability and properties of the substrate.

따라서, 본 발명의 목적은, 그래듀얼 스티칭 노광공정에 있어서, 노광되지 않는 영역의 발생에 의한 불량을 최소화하여, 피노광부재의 신뢰성을 향상하고, 제조수율을 향상시킬 수 있는 그래듀얼 스티칭 노광공정에 사용되는 마스크를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to improve the reliability of the member to be exposed and to improve the manufacturing yield by minimizing defects caused by the generation of unexposed regions in the gradient stitching exposure process. It is to provide a mask used in.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 그래듀얼 스티칭(Gradual stitching) 노광공정에 사용되는 마스크에 있어서, 피노광부재 상의 노광되는 샷(Shot)에 패턴을 형성하기 위한 마스킹패턴이 마련된 노광부와, 상기 노광되는 샷에 인접하는 샷이 노광되는 것을 차단하기 위한 차광블럭이 마련된 차광부를 포함하며, 상기 차광부는 상호 인접하여 대면하는 차광블럭 간이 일체로 마련되는 것을 특징으로 하는 마스크에 의해 달성될 수 있다.The above object is, according to the present invention, in the mask used for a gradient stitching exposure process, an exposure portion provided with a masking pattern for forming a pattern on the shot (Shot) exposed on the exposed member, and A light blocking unit is provided with a light blocking block for blocking exposure of a shot adjacent to the shot to be exposed, and the light blocking unit may be achieved by a mask, which is integrally provided between light blocking blocks facing each other.

여기서, 상기 차광부의 차광블럭은, 상기 인접하는 샷의 노광시 상기 인접하는 샷을 노광하기 위한 마스크에 마련된 차광블럭에 의해 차단되는 영역과 소정 간격 이격되도록 마련되는 것이 바람직하다.Here, the light blocking block of the light blocking unit may be provided to be spaced apart from the area blocked by the light blocking block provided in the mask for exposing the adjacent shot when the adjacent shot is exposed.

또한, 상기 피노광부재 상에는 매트릭스 형상으로 배열된 다수의 픽셀이 형 성되며, 상기 차광부의 차광블럭은 상기 각 픽셀에 대응하여 마련되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a plurality of pixels arranged in a matrix form are formed on the exposed member, and the light blocking blocks of the light blocking portions are provided corresponding to the respective pixels.

여기서, 상기 피노광부재는 다수의 박막 트랜지스터가 형성되는 액정표시장치용 기판일 수 있다.The exposed member may be a substrate for a liquid crystal display device in which a plurality of thin film transistors are formed.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 그래듀얼 스티칭 (Gradual Stitching) 노광공정에 사용되는 마스크(1,1a)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 노광되는 샷(Shot)(1s, 도 4 참조)(이하, "제1 샷"이라 함)에 패턴을 형성하기 위한 마스킹패턴(22,22a)이 마련된 노광부(20,20a)와, 제1 샷에 인접한 샷(2s, 도 4 참조)(이하, "제2 샷"이라 함)이 노광되는 것을 차단하기 위한 차광블럭(12,14,12a,14b)이 마련된 차광부(10,10a)를 포함한다. 본 발명에 따른 마스크(1,1a)는 상호 인접하여 대면하는 차광블럭(14,14a) 간이 일체로 마련된다.The masks 1 and 1a used in the Gradient Stitching exposure process according to the present invention, as shown in Figs. 2 and 3, are exposed shots 1s (see Fig. 4) (see below). , Exposed portions 20 and 20a provided with masking patterns 22 and 22a for forming patterns in the first shot, and shots 2s (see FIG. 4) adjacent to the first shot (hereinafter, “ And light blocking portions 10 and 10a provided with light blocking blocks 12, 14, 12a, and 14b to block exposure of the second shot. The masks 1 and 1a according to the present invention are integrally provided between the light blocking blocks 14 and 14a facing each other adjacently.

이하에서는, 본 발명의 이해를 돕기 위해, 본 발명에 따른 마스크(1,1a)가 액정표시장치의 하부 기판(30, 도 4 참조)의 제조에 사용되는 것을 일예로 한다.Hereinafter, to facilitate understanding of the present invention, it is assumed that the masks 1 and 1a according to the present invention are used to manufacture the lower substrate 30 (see FIG. 4) of the liquid crystal display device.

먼저, 액정표시장치의 하부 기판(30)에는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(31)(TFT : Thin Film Transistor), 게이트 라인(32), 데이터 라인(33) 및 화소전극(34) 등의 패턴이 형성된다. 여기서, 본 발명의 실시예에서는 하부 기판(31)을 6개의 샷(1s,2s,3s,4s,5s,6s)으로 구분하여 그래듀얼 스티칭 노광공정을 수행하는 것을 일 예로 한다. 여기서, 하부 기판(30)의 패턴은 매트릭스 상의 다수의 픽셀(Pixel)로 형성된다. First, as shown in FIGS. 4 and 5, the lower substrate 30 of the liquid crystal display device includes a thin film transistor 31 (TFT), a gate line 32, a data line 33, and a pixel. A pattern such as an electrode 34 is formed. Here, in the exemplary embodiment of the present invention, the lower substrate 31 is divided into six shots 1s, 2s, 3s, 4s, 5s, and 6s to perform a gradient stitching exposure process. Here, the pattern of the lower substrate 30 is formed of a plurality of pixels (Pixel) on the matrix.

여기서, 도 4는 액정표시장치의 하부 기판(30)을 6개의 샷(1s,2s,3s,4s,5s,6s)으로 구획된 것을 나타내는 도면이고, 도 5는 도 4의 "A"영역을 확대한 도면이고, 도 2는 도 4의 제1 샷(1s)을 노광하기 위한 마스크(1)(이하, "제1 마스크"라 함)의 일 영역을 나타낸 도면이고, 도 3은 도 4의 제2 샷(2s)을 노광하기 위한 마스크(1a)(이하, "제2 마스크"라 함)의 일 영역을 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a diagram illustrating the lower substrate 30 of the liquid crystal display divided into six shots 1s, 2s, 3s, 4s, 5s, and 6s, and FIG. 5 illustrates an area "A" of FIG. FIG. 2 is an enlarged view of a mask 1 (hereinafter referred to as “first mask”) for exposing the first shot 1s of FIG. 4, and FIG. 3 is a view of FIG. 4. It is a figure which shows one area | region of the mask 1a (henceforth a "2nd mask") for exposing 2nd shot 2s.

도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 마스크(1)의 차광부(10)는 하부 기판(30)에 형성될 각 픽셀에 대응하여 마련되며, 상호 인접하여 대면하는 차광블럭(14) 간은 일체로 마련된다. 더욱 쉽게 설명하면, 제1 샷(1s)의 노광시 차광되는 픽셀에 대응하는 차광블럭(12,14)은 그 픽셀의 상,하,좌,우(즉, 대각 방향에 위치하는 픽셀은 제외)에 인접하게 위치하는 픽셀에 대응하는 차광블럭(14)이 존재하는 경우, 존재하는 차광블럭(14)과 일체로 마련된다.Referring to FIG. 2, the light blocking portion 10 of the mask 1 according to the present invention is provided corresponding to each pixel to be formed on the lower substrate 30, and between the light blocking blocks 14 facing each other adjacently. Is provided integrally. In more detail, the light blocking blocks 12 and 14 corresponding to the pixels to be shielded during the exposure of the first shot 1s may have the pixels up, down, left, and right (ie, except for pixels positioned diagonally). When there is a light blocking block 14 corresponding to a pixel positioned adjacent to the light blocking block 14, the light blocking block 14 is provided integrally with the existing light blocking block 14.

또한, 본 발명에 따른 마스크(1)의 차광부(10)에 마련된 차광블럭(12,14)은, 제2 샷(2s)의 노광시 제2 샷(2s)을 노광하기 위한 제2 마스크(1a)에 마련된 차광블럭(12a,14a)에 의해 차단되는 영역과는 소정 간격 이격되도록 마련되는 것이 바람직하다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 하부 기판(31) 상에서, 제1 샷(1s)을 노광시키기 위한 제1 마스크(1)에 의해 차광되는 영역(도 5에서 빗금친 영역 이외의 영역 중 일부)과, 제2 샷(2s)을 노광시키기 위한 제2 마스크(1a)에 의해 차광되는 영역(도 5에서 빗금친 영역) 간은 소정 간격 이격된다.In addition, the light blocking blocks 12 and 14 provided in the light blocking portion 10 of the mask 1 according to the present invention may include a second mask for exposing the second shot 2s when the second shot 2s is exposed. It is preferable to be provided to be spaced apart from the area blocked by the light blocking blocks 12a and 14a provided in 1a. That is, as shown in FIG. 5, on the lower substrate 31, a region shielded by the first mask 1 for exposing the first shot 1s (part of regions other than the shaded region in FIG. 5). ) And a region (shaded region in FIG. 5) that are shielded by the second mask 1a for exposing the second shot 2s are spaced apart by a predetermined interval.

이하에서는, 본 발명에 따른 마스크(1,1a)를 사용하는 그래듀얼 스티칭 노광 공정에 의해 하부 기판(30)에 패턴을 형성하는 과정을 설명하면 다음과 같다. 또한, 본 발명에서는 하부 기판(30)의 각 샷(1s,2s)에 패턴을 형성하기 위해 각각 별도의 마스크(1,1a)를 사용하는 것으로 설명하나, 하나의 마스크가 하부 기판(31) 중의 여러 샷에 사용될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, a process of forming a pattern on the lower substrate 30 by a gradient stitching exposure process using the masks 1 and 1a according to the present invention will be described. In addition, in the present invention, a separate mask (1, 1a) is used to form a pattern in each shot (1s, 2s) of the lower substrate 30, one mask is used in the lower substrate 31 Of course, it can be used for multiple shots.

먼저, 하부 기판(30)의 베이스를 형성하는 도시되지 않은 글래스기판에 알루미늄이나 크롬 등으로 게이트층을 적층하고, 제1 마스크(1)를 이용하여 노광, 현상 및 식각 등의 공정을 통해 제1 샷(1s)에 게이트라인(32)을 형성한다. 여기서, 제1 마스크(1)는 제1 샷(1s)의 글래스기판 상에 형성될 게이트라인(32)에 대응하는 마스크패턴(22)이 마련된 노광부(20)와, 제1 샷에 인접한 제2 샷(2s)이 노광되는 것을 차단하기 위한 차광블럭(12,14)이 마련된 차광부(10)를 포함한다.First, a gate layer is laminated with an aluminum or chromium on a glass substrate (not shown) forming a base of the lower substrate 30, and the first mask 1 is used to expose the first layer through exposure, development, and etching. The gate line 32 is formed in the shot 1s. Here, the first mask 1 includes an exposure part 20 provided with a mask pattern 22 corresponding to a gate line 32 to be formed on the glass substrate of the first shot 1s, and a first adjoining first shot. The light blocking unit 10 is provided with light blocking blocks 12 and 14 for blocking exposure of the two shots 2s.

그런 다음, 제2 샷(2s)의 글래스기판 상에 게이트라인(31)을 형성하기 위해 제2 마스크(1a)를 이용하여, 역시, 노광, 현상 및 식각 등의 공정을 진행한다. 여기서, 제2 마스크(1a)는 제2 샷(1s)의 글래스기판 상에 형성될 게이트라인에 대응하는 마스킹패턴(22a)이 마련된 노광부(20a)와, 인접하는 제1 샷(1s) 및 다른 인접하는 샷(도 4에서는 3s 및 5s))이 노광되는 것을 차단하는 차광블럭(12a,14a))이 마련된 차광부(10a)를 포함한다.Thereafter, the second mask 1a is used to form the gate line 31 on the glass substrate of the second shot 2s. Here, the second mask 1a may include an exposure part 20a provided with a masking pattern 22a corresponding to a gate line to be formed on the glass substrate of the second shot 1s, an adjacent first shot 1s, and And a light shielding portion 10a provided with light blocking blocks 12a and 14a for blocking exposure of other adjacent shots (3s and 5s in FIG. 4).

여기서, 나머지 샷(3s,4s,5s,5s)의 글래스기판에서의 게이트 라인(32)은 동일한 방법으로 형성된다. 또한, 글래스기판 상에 박막 트랜지스터(31),데이터 라인(33) 및 화소전극(34) 등의 패턴 또한 게이트 라인(32)의 형성방법과 동일한 방법에 의해 형성될 수 있다. Here, the gate lines 32 in the glass substrates of the remaining shots 3s, 4s, 5s, and 5s are formed in the same manner. In addition, patterns of the thin film transistor 31, the data line 33, the pixel electrode 34, and the like may also be formed on the glass substrate by the same method as the method of forming the gate line 32.

전술한, 실시예에서는, 본 발명에 따른 마스크(1,1a)가 액정표시장치의 하부 기판(30)을 형성하기 위한 그래듀얼 스티칭 노광공정에 사용되는 것을 일예로 하여 설명하였으나, 액정표시장지의 상부 기판이나, 다른 반도체 기기 등의 전자기기의 제조를 위한 그래듀얼 스티칭 노광공정에 사용 가능함은 물론이다.In the above-described embodiment, the masks 1 and 1a according to the present invention have been described as an example of being used in the gradient stitch exposure process for forming the lower substrate 30 of the liquid crystal display device. Of course, it can be used in a gradient stitching exposure process for manufacturing electronic devices such as upper substrates and other semiconductor devices.

이와 같이, 액정표시장치용 기판을 제조하기 위한 그래듀얼 스티칭(gradual stitching) 노광공정에 사용되는 마스크에 있어서, 기판 상의 노광되는 샷에 패턴을 형성하기 위한 마스킹패턴이 마련된 노광부와, 노광되는 샷에 인접하는 샷이 노광되는 것을 차단하기 위한 차광블럭이 마련된 차광부를 포함하고, 상호 인접하여 대면하는 차광블럭 간이 일체로 마련함으로써, 불필요하게 이중노광되는 영역을 최소화하고, 기판의 신뢰성을 향상하고, 제조수율을 향상시킬 수 있게 된다.As described above, in a mask used in a gradient stitching exposure process for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device, an exposure unit provided with a masking pattern for forming a pattern on an exposed shot on the substrate and an exposed shot And a light shielding portion provided with a light shielding block for blocking exposure of a shot adjacent to each other, and a light shielding block interposed adjacent to each other is integrally provided, thereby minimizing an unnecessary double exposure area and improving reliability of a substrate. It is possible to improve the production yield.

또한, 인접하는 샷의 노광시 인접하는 샷을 노광하기 위한 마스크에 마련된 차광블럭에 의해 차단되는 영역과 소정 간격 이격되도록 차광블럭을 마련함으로써, 노광되지 않는 영역을 최소화하고, 기판의 신뢰성을 향상하고, 제조수율을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, when the adjacent shots are exposed, the light blocking blocks are provided to be spaced apart from the area blocked by the light blocking blocks provided in the mask for exposing the adjacent shots by a predetermined interval, thereby minimizing the unexposed areas and improving the reliability of the substrate. As a result, the production yield can be improved.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 불필요하게 이중노광되는 영역과 노광되지 않는 영역을 최소화하여, 피노광부재의 신뢰성이 향상되고, 제조수율을 향상시킬 수 있는 그래듀얼 스티칭 노광공정에 사용되는 마스크가 제공된다.As described above, according to the present invention, a mask used in a gradient stitching exposure process which minimizes unnecessarily double-exposed areas and unexposed areas, improves reliability of the exposed member and improves manufacturing yield. Is provided.

Claims

In the mask used for the Gradient stitching exposure process,

An exposure part provided with a masking pattern for forming a pattern on an exposed shot on the to-be-exposed member, and a light shielding part provided with a light blocking block for blocking exposure of a shot adjacent to the exposed shot;

The light shielding portion is a mask, characterized in that provided between the light blocking blocks facing each other.

The method of claim 1,

The light blocking block of the light blocking unit,

And exposing the adjacent shots to be spaced apart from the area blocked by the light blocking block provided in the mask for exposing the adjacent shots.

The method of claim 2,

A plurality of pixels arranged in a matrix form is formed on the exposed member,

The light blocking block of the light blocking unit is provided corresponding to each pixel.

The method of claim 3,

And the exposed member is a substrate for a liquid crystal display device in which a plurality of thin film transistors are formed.