JPH06324474A - Photomask and exposing method - Google Patents

Photomask and exposing method

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JPH06324474A
JPH06324474A JP13258593A JP13258593A JPH06324474A JP H06324474 A JPH06324474 A JP H06324474A JP 13258593 A JP13258593 A JP 13258593A JP 13258593 A JP13258593 A JP 13258593A JP H06324474 A JPH06324474 A JP H06324474A
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JP
Japan
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pattern
exposure
exposed
peripheral portion
area
Prior art date
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Pending
Application number
JP13258593A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Naraki
剛 楢木
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH06324474A publication Critical patent/JPH06324474A/en
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Abstract

PURPOSE:To hardly perceive contrast difference caused on a connecting part in the case of performing exposure by picture synthesis. CONSTITUTION:The connecting parts 43 obtained in the case of performing exposure by the picture synthesis are exposed to be overlapped to each other's, and unit patterns arrayed on the connecting part 43 are discretely, irregularly, and selectively exposed so that the unit patterns may not be repeatedly exposed twice or more. Thus, even through the contrast difference exists between the unit patterns formed on the connecting part, the unit patterns having the contrast difference are mixed, so that the connecting part is hardly perceived.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術(図4) 発明が解決しようとする課題(図5〜図8) 課題を解決するための手段(図1) 作用 実施例(図1〜図3) 発明の効果[Table of Contents] The present invention will be described in the following order. Field of Industrial Application Conventional Technology (FIG. 4) Problem to be Solved by the Invention (FIGS. 5 to 8) Means for Solving the Problem (FIG. 1) Action Example (FIGS. 1 to 3)

【0002】[0002]

【産業上の利用分野】本発明は液晶デバイス等の製造に
用いられる投影露光装置において用いられるフオトマス
ク及びこのフオトマスクを用いた露光方法に関し、特に
大面積のパターンを形成する画面合成に適用して好適な
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask used in a projection exposure apparatus used for manufacturing a liquid crystal device or the like and an exposure method using this photomask, and is particularly suitable for application to screen synthesis for forming a large area pattern. It is something.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来、この種のフオトマスクが使用され
る露光装置として図4に示すような光学系を有する露光
装置1が用いられている。この露光装置1は露光用光源
である超高圧水銀ランプ2から射出された光を楕円鏡3
によつて集光した後、反射ミラー4を介して波長フイル
タ5に導いている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an exposure apparatus 1 having an optical system as shown in FIG. 4 has been used as an exposure apparatus using this type of photomask. This exposure apparatus 1 uses an ellipsoidal mirror 3 to emit light emitted from an ultra-high pressure mercury lamp 2 which is a light source for exposure.
After the light is collected by the light source, the light is guided to the wavelength filter 5 via the reflection mirror 4.

【0004】波長フイルタ5は露光に必要な波長のみを
取り出すようになされ、一般にg線やi線と呼ばれる波
長の光を取り出すようになされている。波長フイルタ5
を透過した光はフライアイインテグレータ6にて均一な
照度分布をもつ光束に変換され、ブラインド7に照明さ
れる。ブラインド7は矩形絞りを構成しており、その大
きさと位置は任意に設定できるようになつている。
The wavelength filter 5 is adapted to extract only the wavelength required for exposure, and is adapted to extract light having a wavelength generally called g-line or i-line. Wavelength filter 5
The light that has passed through is converted into a light flux having a uniform illuminance distribution by the fly-eye integrator 6 and illuminated on the blind 7. The blind 7 constitutes a rectangular diaphragm, and its size and position can be arbitrarily set.

【0005】光学的には反射ミラー8によつて反射され
たブラインド7の像がコンデンサレンズ9により所定の
倍率にてレチクル10上に結像されるようになつてい
る。従つてブラインド7で設定された所定の大きさと位
置の矩形光束がレチクル10上の任意の位置と大きさの
領域を選択的に照明することとなる。レチクル10を透
過した光束は投影レンズ11により所定の倍率で基板1
2に結像される。
Optically, the image of the blind 7 reflected by the reflecting mirror 8 is formed on the reticle 10 by the condenser lens 9 at a predetermined magnification. Therefore, the rectangular light flux having the predetermined size and position set by the blind 7 selectively illuminates the area on the reticle 10 having an arbitrary position and size. The light flux transmitted through the reticle 10 is projected by the projection lens 11 at a predetermined magnification to the substrate 1
2 is imaged.

【0006】基板12にはガラスプレートが使用され、
ステージ13の上に載置されている。ステージ13は移
動鏡14によつて位置をモニタするレーザ干渉計システ
ム(図示せず)の検出値を基準に位置決め制御される。
通常1回の露光動作では基板12の全領域に渡つて露光
することができないため1回の露光が終了した時点でス
テージ13をX又はY方向に送つて別の領域を露光し、
これを繰り返すことにより基板12の全領域を露光する
ようになされている。
A glass plate is used for the substrate 12,
It is placed on the stage 13. Positioning of the stage 13 is controlled based on a detection value of a laser interferometer system (not shown) whose position is monitored by a movable mirror 14.
Normally, it is not possible to perform exposure over the entire area of the substrate 12 in one exposure operation, so when one exposure is completed, the stage 13 is sent in the X or Y direction to expose another area,
By repeating this, the entire area of the substrate 12 is exposed.

【0007】ところで近年、液晶デバイスに要求される
デバイスサイズは拡大の一途を辿つており、パソコン等
においても10インチクラスのデバイスが使用されてい
る。しかも将来的にはデバイスサイズはさらに拡大する
ものと思われる。これ等いわゆるジヤイアントデバイス
に対応するには投影レンズの有効領域を拡大する方法が
考えられるが、装置が大型化し、かつ基板側の平面度の
限界のために焦点深度の確保がより難しくなるほか、レ
チクル又はフオトマスクも大型化し、平面度の限界のた
め無欠陥にすることが困難になるという欠点があつた。
By the way, in recent years, the device size required for liquid crystal devices has been increasing, and 10-inch class devices are also used in personal computers and the like. Moreover, the device size is expected to further expand in the future. A method of enlarging the effective area of the projection lens is conceivable in order to deal with these so-called giant devices, but it becomes more difficult to secure the depth of focus due to the size increase of the device and the limitation of the flatness on the substrate side. The reticle or photomask also has a large size, and it is difficult to make it defect-free due to the limit of flatness.

【0008】この欠点を克服する方法としてデバイスを
画面合成を用いて生成する方法がある。この方法は1枚
以上のレチクルに形成された複数のレチクルパターンを
用いて1つの液晶デバイスを露光する方法であり、すで
に液晶用のステツプアンドリピート方式の投影露光装置
には一般的に使用されている。この画面合成の手法を用
いた露光動作を図5〜図8を用いて説明する。この例で
は基板20にパターン像21(斜線によつて示す)を4
つのパターン領域22、23、24及び25に分けて露
光し、4回のシヨツトが全て終了した後に1つのパター
ン像を形成する場合について述べる(図5)。
As a method of overcoming this drawback, there is a method of generating a device by using screen synthesis. This method is a method of exposing one liquid crystal device by using a plurality of reticle patterns formed on one or more reticles, and is already generally used in step-and-repeat projection exposure apparatuses for liquid crystals. There is. An exposure operation using this screen compositing method will be described with reference to FIGS. In this example, a pattern image 21 (indicated by diagonal lines) 4 is formed on the substrate 20.
A case will be described in which one pattern image is formed after the exposure is divided into two pattern regions 22, 23, 24, and 25, and all four shots are completed (FIG. 5).

【0009】この露光方法では基板20内に形成すべき
パターン像21が大きく1回のシヨツトによつては露光
することができないため、図6に示すような4枚のレチ
クル(レチクル26A、26B、26C及び26D)を
用いる。各々のレチクル内にはパターン像21を4分割
したパターンに対応するレチクルパターン27A、27
B、27C及び27Dがそれぞれ形成されており、かつ
その境界外周に遮光帯パターン28A、28B、28C
及び28Dが形成されている。
In this exposure method, since the pattern image 21 to be formed on the substrate 20 is large and cannot be exposed by one shot, four reticles (reticles 26A and 26B, as shown in FIG. 6) are formed. 26C and 26D) are used. In each reticle, reticle patterns 27A and 27A corresponding to the pattern obtained by dividing the pattern image 21 into four are formed.
B, 27C and 27D are formed respectively, and the light-shielding band patterns 28A, 28B and 28C are formed around the boundaries thereof.
And 28D are formed.

【0010】これら4つのレチクルパターン27A〜2
7Dどうしが互いに接するように露光することによりパ
ターン像21を基板20上に合成するのである。まず第
1回目のシヨツトとしてレチクル26A上に形成された
レチクルパターン27Aを基板20上に露光して図7に
示すようなパターン像を得る。このときブラインド7は
レチクル26Aに対して図8に示す位置に設定される。
These four reticle patterns 27A-2
The pattern image 21 is synthesized on the substrate 20 by exposing the 7D so that they are in contact with each other. First, as the first shot, the reticle pattern 27A formed on the reticle 26A is exposed on the substrate 20 to obtain a pattern image as shown in FIG. At this time, the blind 7 is set at the position shown in FIG. 8 with respect to the reticle 26A.

【0011】ブラインド7は2枚のカギ型の羽根31及
び32によつて構成され、この羽根31及び32がレチ
クル26A上に形成された遮光帯パターン28A上に位
置合わせされるのである。この状態でシヤツタ(図示せ
ず)を一定時間の間開放すると、図7に示すようなパタ
ーン像を第1のシヨツトによる露光パターンとして基板
20上に形成することができる。
The blind 7 is composed of two hook-shaped blades 31 and 32, and these blades 31 and 32 are aligned on the light-shielding band pattern 28A formed on the reticle 26A. In this state, when the shutter (not shown) is opened for a certain period of time, a pattern image as shown in FIG. 7 can be formed on the substrate 20 as an exposure pattern by the first shutter.

【0012】このことからも分かるように基板20上に
露光されるパターン像はブラインド7によつて制限され
た領域内のパターンが露光されるのではなく、レチクル
上に形成された遮光帯の内側に位置する領域のパターン
が露光されるのである。次に第2回目のシヨツトとして
先に形成されたパターン像に対して右隣りに第2のパタ
ーン像を露光するには露光原板となるレチクルをレチク
ル26Aからレチクル26Bに変更し、同時にステージ
13を移動して同様に露光すれば良い。
As can be seen from this, the pattern image exposed on the substrate 20 does not expose the pattern in the area limited by the blind 7, but the inside of the light-shielding band formed on the reticle. The pattern of the area located at is exposed. Next, in order to expose the second pattern image to the right of the previously formed pattern image as the second shot, the reticle serving as the exposure original plate is changed from the reticle 26A to the reticle 26B, and at the same time the stage 13 is moved. It may be moved and similarly exposed.

【0013】このとき第1回目のシヨツトと第2回目の
シヨツトでは微小量だけ重ねて露光される。これはレチ
クル上に形成されたパターンの描画誤差や、投影レンズ
11におけるデイストーシヨンや、ステージ13の位置
決め誤差等によつて第1回目のシヨツトと第2回目のシ
ヨツトによつて露光されるパターンの間に切れ目が発生
するのを防ぐためである。
At this time, the first and second shots are exposed by superimposing a small amount. This is a pattern exposed by the first shot and the second shot due to drawing error of the pattern formed on the reticle, distortion in the projection lens 11, positioning error of the stage 13, and the like. This is to prevent a break from occurring between the two.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】ところが従来方式にお
いては以下に述べるような不都合が発生していた。まず
第1にレチクルの描画誤差の他、レンズのデイストーシ
ヨンやステージ13の位置決め誤差に起因するパターン
の段差の発生である。これは製作するデバイスの電気的
な特性や物理的な特性に影響することもあり得る。特に
液晶デイスプレイのようなデバイスにおいては、ミクロ
ンオーダーの段差であつてもデバイスの表示特性に影響
を与える。
However, the following problems have occurred in the conventional system. First, in addition to the reticle drawing error, there is a step difference in the pattern due to the distortion of the lens and the positioning error of the stage 13. This can affect the electrical and physical properties of the device being manufactured. In particular, in devices such as liquid crystal displays, even micron-order steps affect the display characteristics of the device.

【0015】第2に複数台の投影露光装置を用いて液晶
デバイスを露光する際に、主にレンズのデイストーシヨ
ンに起因して重ね合わせの誤差が露光領域の接続部でス
テツプ的に変化することである。これは液晶デイスプレ
イの場合に、より深刻な問題となる。特にアクテイブマ
トリツクス型の液晶デバイスの場合には、薄膜トランジ
スタの動作特性に影響を与えるため露光領域の接続部に
おけるコントラストに違いが生じる。コントラストの違
いはわずかであつても人間の視覚特性から知覚され易い
ため、コントラストに差が生じると表示品質が低下する
ことになる。
Secondly, when a liquid crystal device is exposed using a plurality of projection exposure apparatuses, an overlay error mainly changes due to lens distortion and changes stepwise at the connection portion of the exposure area. That is. This becomes a more serious problem in the case of a liquid crystal display. In particular, in the case of an active matrix type liquid crystal device, the contrast at the connection portion of the exposure region is different because it affects the operating characteristics of the thin film transistor. Even a slight difference in contrast is likely to be perceived by human visual characteristics, and therefore a difference in contrast results in deterioration of display quality.

【0016】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、画面合成による露光領域の接続部を境にしたコント
ラストの違いが従来に比して一段と知覚されないように
露光できるフオトマスク及び露光方法を提案しようとす
るものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and it is possible to perform exposure so that the difference in the contrast at the connecting portion of the exposure regions due to the screen composition is not perceived as much as the conventional method and the exposure method. Is to propose.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、複数の単位パターンをほぼ規則的
に配置したパターン領域を有するフオトマスクにおい
て、複数の単位パターンは、パターン領域の周辺部の少
なくとも一部分で離散的に、且つパターン領域の中心か
ら周辺部に向かうに従つて数が減少するように配置され
ているようにする。
In order to solve such a problem, according to the present invention, in a photomask having a pattern area in which a plurality of unit patterns are arranged substantially regularly, the plurality of unit patterns are formed in a peripheral portion of the pattern area. At least a part of the pattern area is discretely arranged, and the number of the pattern areas is reduced from the center toward the periphery.

【0018】複数の単位パターンを有する第1及び第2
のパターン領域を、該第1及び第2のパターン領域の周
辺部どうしが感光基板12上で互いに連続するように露
光することによつて該感光基板12上に大面積のパター
ンを形成する露光方法において、第1及び第2のパター
ン領域のうち連続されるべき周辺部43における単位パ
ターンが離散的、且つ重複しない位置に配置されたフオ
トマスクを用い、周辺部43どうしを感光基板12上で
重複させて感光する。
First and second units having a plurality of unit patterns
An exposure method for forming a large-area pattern on the photosensitive substrate 12 by exposing the pattern regions of the first and second pattern regions so that the peripheral portions of the first and second pattern regions are continuous with each other on the photosensitive substrate 12. Of the first and second pattern areas, the photomasks are arranged such that the unit patterns in the peripheral portion 43 to be continuous are discrete and do not overlap, and the peripheral portions 43 are overlapped on the photosensitive substrate 12. To expose.

【0019】[0019]

【作用】第1及び第2のパターン領域のうち連続される
べき周辺部43における単位パターンが離散的、且つ重
複しない位置に配置されたフオトマスクを用い、周辺部
43どうしを感光基板上で重複させて感光することによ
り、第1及び第2のパターン領域をそれぞれ露光する際
における露光量の大きさに差がある場合にも、連続され
るべき周辺部43に形成される各単位パターンの露光量
の違いが知覚され難いようにすることができる。
By using a photomask in which the unit patterns in the peripheral portion 43 to be continuous in the first and second pattern areas are discrete and do not overlap, the peripheral portions 43 are overlapped on the photosensitive substrate. By exposing the first and second pattern areas to each other by exposure, the exposure amount of each unit pattern to be formed in the peripheral portion 43 should be continuous even when there is a difference in the exposure amount. The difference can be made hard to be perceived.

【0020】[0020]

【実施例】以下図面について本発明の一実施例を詳述す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0021】ここではマトリクス状に配置された画素電
極を薄膜トランジスタによつてスイツチング駆動するこ
とにより画像を表示する液晶デイスプレイの製造に用い
られるパターン像を基板12上にステツプアンドリピー
ト方式の投影露光装置10を用いて露光する場合につい
て説明する。この実施例の場合、パターン像は左右2つ
のパターン像に分けて露光され、2回のシヨツトの終了
後に1つのパターン像が形成されるようになされてい
る。
Here, a step-and-repeat type projection exposure apparatus 10 is provided on a substrate 12 with a pattern image used for manufacturing a liquid crystal display for displaying an image by switching driving pixel electrodes arranged in a matrix by a thin film transistor. The case of performing exposure using will be described. In the case of this embodiment, the pattern image is divided into two left and right pattern images to be exposed, and one pattern image is formed after two shots are completed.

【0022】このとき基板12上に第1回目のシヨツト
によつて露光される露光領域41と第2回目のシヨツト
によつて露光される露光領域42は、図1(A)に示す
ように、接続部43に当たる部分においてそれぞれ重複
するようになされている。この画面の接続部43を拡大
すると図1(B)のようになる。ここで黒塗り及び白抜
きによつて示される正方形のパターンはそれぞれ液晶デ
イスプレイの各画素を表している。
At this time, the exposure area 41 exposed by the first shot and the exposure area 42 exposed by the second shot on the substrate 12 are as shown in FIG. The portions corresponding to the connecting portions 43 overlap each other. When the connecting portion 43 of this screen is enlarged, it becomes as shown in FIG. Here, the square patterns shown by black and white represent each pixel of the liquid crystal display.

【0023】このうち黒塗りの画素は第1回目のシヨツ
トによつて露光される画素を表し、白抜きの画素は2回
目のシヨツトによつて露光される画素を表す。この実施
例の場合、露光領域41、42を接続する方向の9個の
画素の領域が接続部43に当たる。
Of these, black-painted pixels represent pixels exposed by the first shot, and white pixels represent pixels exposed by the second shot. In the case of this embodiment, the area of nine pixels in the direction of connecting the exposure areas 41 and 42 corresponds to the connection portion 43.

【0024】この接続部43に位置する複数の画素のそ
れぞれは、第1回目のシヨツト又は第2回目のシヨツト
のいずれか一方のシヨツトによつて1度だけ露光される
ようになされており、2重露光されないようになされて
いる。ここで各シヨツトに用いられるレチクルパターン
(図示せず)は、接続部43の部分に配置される画素の
うち他方のシヨツトによつてのみ露光される画素部分が
露光されないようにクロム等によつてマスクされてい
る。
Each of the plurality of pixels located in the connecting portion 43 is exposed only once by either one of the first shot and the second shot. It is designed not to be overexposed. Here, the reticle pattern (not shown) used for each shot is formed by chrome or the like so that the pixel portion that is exposed only by the other shot of the pixels arranged at the connecting portion 43 is not exposed. It is masked.

【0025】接続部43に位置する画素のうち各シヨツ
トによつて露光される画素の数はシヨツトの中心から周
辺に向かうほど少なくなるようになされ、かつ規則性が
生じないように離散的に配置されている。例えば図1
(B)の場合、接続部43に位置する画素のうち第1回
目のシヨツトによつて露光される画素の一部分に注目す
ると、第1回目のシヨツトによつて露光される画素の図
のたて方向の数は領域の周辺方向に向かつて順に(すな
わち左側から右方向へ順に)9個、8個……3個、2
個、1個と減少するように、かつ不規則な位置が選択さ
れて露光される。
The number of pixels exposed by each shot among the pixels located at the connection portion 43 is reduced from the center of the shot toward the periphery, and the pixels are discretely arranged so that no regularity occurs. Has been done. Figure 1
In the case of (B), paying attention to a part of the pixels exposed by the first shot among the pixels located in the connection portion 43, the vertical plot of the pixels exposed by the first shot is shown. The number of directions is 9 in the order of the peripheral direction of the area (that is, from left to right), 8 ... 3 and 2
Irregular positions are selected and exposed so that the number decreases one by one.

【0026】他方、接続部43のうち第2回目のシヨツ
トによつて露光される画素は第1回目のシヨツトによつ
ては選択されなかつた画素に当たり、このとき露光され
る画素の数は同様に領域の周辺方向に向かつて順に(す
なわち右側から左方向へ順に)9個、8個……3個、2
個、1個と減少するように選択されて露光されている。
このように接続部43に位置する画素は第1回目のシヨ
ツトによつて露光される画素と第2回目のシヨツトによ
つて露光される画素が互いに徐々に混ざり合うように露
光される。
On the other hand, the pixel exposed by the second shot in the connecting portion 43 corresponds to the pixel not selected by the first shot, and the number of pixels exposed at this time is the same. Once in the peripheral direction of the area (that is, in order from right to left) 9, 8, ... 3, 2,
The exposure is selected so that the number decreases by one.
In this way, the pixels located at the connection portion 43 are exposed so that the pixels exposed by the first shot and the pixels exposed by the second shot are gradually mixed with each other.

【0027】従つて第1回目のシヨツトによつて形成さ
れた薄膜トランジスタと第2回目のシヨツトによつて形
成された薄膜トランジスタに電気的な差が生じて各画素
の動作特性に差が生じたり、2つの画素における輝度に
若干のコントラスト差が生じたとしてもその輝度の違い
はまざりあつているため知覚されにくくなつている。
Accordingly, there is an electrical difference between the thin film transistor formed by the first shot and the thin film transistor formed by the second shot, which causes a difference in the operating characteristics of each pixel. Even if there is a slight contrast difference in the brightness of one pixel, the difference in brightness is mixed and it is difficult to perceive.

【0028】しかも第1回目又は第2回目のシヨツトに
よつて露光される領域のうち周辺部から領域中央に近い
領域ほど同じシヨツトによつて露光される画素が多くな
るように配置されているため、2つのシヨツトによるコ
ントラストの違いは人間の目には徐々に変化しているか
のように感じられる。特に人間の目はこのように徐々に
コントラストの差が変化するようなパターンの認識性が
劣つているため、実施例のように露光された液晶デイス
プレイの接続部は知覚され難く、画面全体が均一に感じ
られて表示品質が向上している。
Further, among the areas exposed by the first or second shot, the areas closer to the center of the area from the peripheral portion are arranged so that more pixels are exposed by the same shot. The difference in contrast between the two shots appears to the human eye to be gradually changing. In particular, since the human eye is inferior in recognizing the pattern in which the contrast difference gradually changes, the connection part of the exposed liquid crystal display as in the example is hard to perceive and the entire screen is uniform. The display quality has improved.

【0029】これに対して従来の露光方法による露光の
場合、図2(A)に示すように、重複露光領域を設け
ず、中心線Lに対して左半分の領域51と右半分の領域
52とをそれぞれ別々に、かつ第1回目のシヨツトと第
2回目のシヨツトが接続するように露光するようになさ
れている。従つてその接続部を拡大して示す図2(B)
のようにように、第1回目のシヨツトによつて形成され
た画素と第2回目のシヨツトとによつて露光された画素
にわずかでもコントラストの差があるとその差が知覚さ
れ易く、あたかも画面の中央に線があるかのように知覚
される。
On the other hand, in the case of the exposure by the conventional exposure method, as shown in FIG. 2A, the overlapping exposure area is not provided and the left half area 51 and the right half area 52 with respect to the center line L. Are exposed separately so that the first and second shots are connected to each other. Accordingly, FIG. 2B is an enlarged view of the connecting portion.
As described above, when there is a slight difference in contrast between the pixels formed by the first shot and the pixels exposed by the second shot, the difference is easily perceived, and It is perceived as if there is a line in the center of.

【0030】以上の構成によれば、複数の画素パターン
がマトリクス状に配置されて形成されるパターン像を左
右2つの露光領域41及び42に分割し、各露光領域4
1及び43を2回のシヨツトに分けて画面合成する場合
において、2つの露光領域の接続部43を重複露光し、
かつこの領域に位置する画素を二度以上重ねて露光され
ないように離散的に選択して露光することにより2つの
露光領域によつて形成された画素が互いに少しづつ混ざ
り合うように形成することができる。
According to the above construction, a pattern image formed by arranging a plurality of pixel patterns in a matrix is divided into two left and right exposure areas 41 and 42, and each exposure area 4 is divided.
When dividing 1 and 43 into two shots and synthesizing screens, the connecting portion 43 of two exposure areas is overlapped and exposed,
In addition, the pixels formed by the two exposure areas may be formed to be mixed little by little by discretely selecting and exposing the pixels located in this area so as not to be exposed more than once. it can.

【0031】これにより各シヨツトによつて露光された
画素間にコントラストの差がある場合にも、2つの露光
領域の境界部分が線状に知覚されるおそれを有効に回避
し得る。この結果、画面全体の輝度が均一に知覚され、
液晶デイスプレイによる表示品質を一段と向上させるこ
とができる。
Thus, even if there is a difference in contrast between pixels exposed by each shot, it is possible to effectively avoid the possibility that the boundary portion between two exposure areas is perceived as a line. As a result, the brightness of the entire screen is perceived uniformly,
The display quality of the liquid crystal display can be further improved.

【0032】なお上述の実施例においては、液晶デイス
プレイを2つの露光領域に分割し、2回のシヨツトに分
けてつなぎ露光する場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、1つの露光パターンを3回以上のシヨツト
によつてつなぎ露光する場合にも同様に適用し得る。例
えば1つの露光パターンを上下方向及び左右方向にそれ
ぞれ2分するように4つのパターン像に分け、このパタ
ーン像を4回のシヨツトに分けてつなぎ露光する場合に
も適用し得る。この場合、4回のシヨツト全てについて
重複露光される画面中央の領域に位置する画素について
はコントラスト差が目立たないように上述と同様に露光
する。
In the above-mentioned embodiment, the case where the liquid crystal display is divided into two exposure regions and divided into two shots for continuous exposure is described. However, the present invention is not limited to this, and one exposure pattern is used. Can be similarly applied to the case of connecting and exposing by using three or more shots. For example, it can be applied to a case where one exposure pattern is divided into four pattern images so as to be divided into two in the vertical direction and in the horizontal direction, and the pattern image is divided into four shots and joint exposure is performed. In this case, the pixels located in the central area of the screen, which are subjected to overlapping exposure for all four shots, are exposed in the same manner as described above so that the contrast difference is not noticeable.

【0033】また上述の実施例においては、第1回目の
シヨツトと第2回目のシヨツトにおいて重ねて露光され
る露光領域の巾を9画素分とする場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、重ね露光される露光領域の
巾は各シヨツトごとのコントラスト差が大きいほど広
く、またその反対にコントラスト差が小さいほど狭くと
れば良く、デバイスの設計及びプロセスに応じて設定す
れば良い。
Further, in the above-described embodiment, the case where the width of the exposure area which is exposed in the first and second shots is 9 pixels has been described, but the present invention is not limited to this. However, the width of the exposure area to be overlaid and exposed may be wider as the contrast difference between the respective shots is larger, and conversely, may be narrower as the contrast difference is smaller, and may be set according to the device design and process.

【0034】さらに上述の実施例においては、重複露光
される領域に配置される画素のうち第1回目のシヨツト
又は第2回目のシヨツトによつて同時に露光される画素
の数を9個、8個、7個……2個、1個と線形に減少さ
せる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、他
方のシヨツトによつて露光される領域中央に近づくほど
露光される画素の数が減少するようにすれば良い。
Further, in the above-described embodiment, among the pixels arranged in the overlapping exposure area, the number of pixels which are simultaneously exposed by the first shot or the second shot is 9 or 8. , 7 ... 2 and 1 are linearly reduced, but the present invention is not limited to this, and the number of exposed pixels becomes closer to the center of the area exposed by the other shot. It should be reduced.

【0035】さらに上述の実施例においては、接続方向
(すなわち図の左右方向)と直角な方向(すなわち図の
上下方向)に並ぶ画素の配置については、規則性をもた
ないように配置する場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、コントラスト差が視覚によつて認識されな
い範囲内で第1回目のシヨツトによつて露光される画素
と第2回目のシヨツトによつて露光される画素が配置さ
れていれば良く、厳密に規則性をもたないように配置し
なくとも良い。
Further, in the above-described embodiment, the arrangement of the pixels arranged in a direction perpendicular to the connecting direction (ie, the horizontal direction in the drawing) (ie, the vertical direction in the drawing) has no regularity. However, the present invention is not limited to this, and a pixel exposed by the first shot and a pixel exposed by the second shot within a range in which the contrast difference is not visually recognized. Need only be placed, and need not be placed so as not to have strict regularity.

【0036】さらに上述の実施例においては、液晶デイ
スプレイを構成する各画素がマトリクス状に配列されて
いる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、各
画素がちどり配置となるように形成されている場合にも
適用し得る。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case where the pixels composing the liquid crystal display are arranged in a matrix has been described, but the present invention is not limited to this, and the pixels are formed in a small arrangement. It can be applied even if it is.

【0037】さらに上述の実施例においては、液晶デイ
スプレイを構成する各画素を駆動する電解効果トランジ
スタを露光する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、他のゲートや配線パターンを露光する場合にも
広く適用し得る。例えばブラツクマトリクスを形成する
場合にも適用し得る。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case of exposing the field effect transistor driving each pixel constituting the liquid crystal display has been described, but the present invention is not limited to this, and other gates and wiring patterns are exposed. It can also be widely applied. For example, it can be applied to the case of forming a black matrix.

【0038】さらに上述の実施例においては、液晶デイ
スプレイを構成するパターンを露光する場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、プラズマデイスプレイ
の場合にも適用し得る。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case of exposing the pattern constituting the liquid crystal display has been described, but the present invention is not limited to this, and can be applied to the case of the plasma display.

【0039】さらに上述の実施例においては、ステツプ
アンドリピート方式の投影露光装置によつて露光パター
ンを露光する場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、ミラープロジエクシヨン式投影露光装置等、他の
露光方式による露光装置によつて1つの露光パターンを
画面合成によつて得る場合に広く適用し得る。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case where the exposure pattern is exposed by the step-and-repeat type projection exposure apparatus has been described, but the present invention is not limited to this, and the mirror projection type projection exposure apparatus and the like. The present invention can be widely applied to the case where one exposure pattern is obtained by screen composition by an exposure apparatus of another exposure method.

【0040】なお基板上で画面合成すべき複数のパター
ン領域は、同一レチクル上に形成されていても、異なる
レチクル上に分割されていてもどちらでも構わない。ま
たパターン領域としては1種類とし、このパターン領域
をくり返し露光することで基板上にパターンを形成する
ようにしても良い(図3)。
The plurality of pattern regions to be screen-synthesized on the substrate may be formed on the same reticle or may be divided on different reticles. Alternatively, one type of pattern area may be used, and the pattern area may be repeatedly exposed to form a pattern on the substrate (FIG. 3).

【0041】[0041]

【発明の効果】上述のように本発明によれば、画面合成
を行う際に接続部となる境界部分を互いに重複するよう
に露光し、かつこの部分に規則的に配列された単位パタ
ーンが2度以上重ねて露光されないように離散的に選択
して露光することにより、接続部分に形成された単位パ
ターンの露光量に差があつても合成される2つの領域の
境界部分を知覚され難くできる。
As described above, according to the present invention, it is possible to expose the boundary portions, which are the connecting portions when the screens are combined, so as to overlap each other, and to arrange the unit patterns regularly arranged in this portion. By discretely selecting and exposing so as not to be repeatedly exposed more than once, even if there is a difference in the exposure amount of the unit pattern formed in the connection portion, it is possible to make it difficult to perceive the boundary portion between the two regions to be combined. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による露光装置によつて露光されるパタ
ーンのつなぎ部分の説明に供する略線図である。
FIG. 1 is a schematic diagram used for explaining a connecting portion of a pattern exposed by an exposure apparatus according to the present invention.

【図2】従来方式によつて露光されるパターンのつなぎ
部分の説明に供する略線図である。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a connecting portion of a pattern exposed by a conventional method.

【図3】他の実施例の説明に供する略線図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining another embodiment.

【図4】ステツプ式投影露光装置の構成の説明に供する
略線的光路図である。
FIG. 4 is a schematic optical path diagram for explaining the configuration of a step type projection exposure apparatus.

【図5】画面合成の説明に供する略線的平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view for explaining screen composition.

【図6】その露光に使用されるレチクルの説明に供する
略線的平面図である。
FIG. 6 is a schematic plan view for explaining a reticle used for the exposure.

【図7】露光パターンの生成過程の説明に供する略線的
平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view for explaining a process of generating an exposure pattern.

【図8】レチクルに対するブラインドの設定位置の説明
に供する略線的平面図である。
FIG. 8 is a schematic plan view for explaining a setting position of a blind with respect to a reticle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……露光装置、2……超高圧水銀ランプ、3……楕円
鏡、4、8……反射ミラー、5……波長フイルタ、6…
…フライアイインテグレータ、7……ブラインド、9…
…コンデンサレンズ、10……レチクル、11……投影
レンズ、12、20……基板、13……ステージ、14
……移動鏡、21……パターン像、22、23、24、
25……パターン領域、26A、26B、26C、26
D……レチクル、27A、27B、27C、27D……
レチクルパターン、28A、28B、28C、28D…
…遮光帯パターン、31、32……羽根、41、42…
…露光領域、43……接続部。
1 ... Exposure device, 2 ... Ultra high pressure mercury lamp, 3 ... Elliptical mirror, 4, 8 ... Reflection mirror, 5 ... Wavelength filter, 6 ...
… Fly-eye integrator, 7… blinds, 9…
... condenser lens, 10 ... reticle, 11 ... projection lens, 12, 20 ... substrate, 13 ... stage, 14
...... Movable mirror, 21 ...... Pattern image, 22, 23, 24,
25 ... Pattern area, 26A, 26B, 26C, 26
D ... Reticle, 27A, 27B, 27C, 27D ...
Reticle pattern, 28A, 28B, 28C, 28D ...
... Shading band pattern, 31, 32 ... Feather, 41, 42 ...
... exposure area, 43 ... connection part.

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 7352−4M H01L 21/30 311 L Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location 7352-4M H01L 21/30 311 L

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の単位パターンをほぼ規則的に配置し
たパターン領域を有するフオトマスクにおいて、 前記複数の単位パターンは、前記パターン領域の周辺部
の少なくとも一部分で離散的に、且つ前記パターン領域
の中心から前記周辺部に向かうに従つて数が減少するよ
うに配置されていることを特徴とするフオトマスク。
1. A photomask having a pattern area in which a plurality of unit patterns are arranged substantially regularly, wherein the plurality of unit patterns are discretely present in at least a part of a peripheral portion of the pattern area, and at the center of the pattern area. The photo mask is arranged so that the number of the masks decreases from the periphery toward the peripheral portion.
【請求項2】前記フオトマスクは前記周辺部に対応する
第2の周辺部を有する第2のパターン領域を有し、前記
周辺部と前記第2の周辺部に存在する前記単位パターン
の位置は、前記周辺部と前記第2の周辺部とを重ねた場
合に前記周辺部に存在する前記単位パターンと前記第2
の周辺部に存在する前記単位パターンとが重複しないよ
うに配置されていることを特徴とする請求項1に記載の
フオトマスク。
2. The photomask has a second pattern region having a second peripheral portion corresponding to the peripheral portion, and the positions of the unit patterns existing in the peripheral portion and the second peripheral portion are: The unit pattern and the second pattern which are present in the peripheral portion when the peripheral portion and the second peripheral portion are overlapped with each other.
The photomask according to claim 1, wherein the photomask is arranged so as not to overlap with the unit patterns existing in the peripheral portion of the photomask.
【請求項3】複数の単位パターンを有する第1及び第2
のパターン領域を、該第1及び第2のパターン領域の周
辺部どうしが感光基板上で互いに連続するように露光す
ることによつて該感光基板上に大面積のパターンを形成
する露光方法において、 前記第1及び第2のパターン領域のうち連続させるべき
前記周辺部における前記単位パターンが離散的、且つ重
複しない位置に配置されたフオトマスクを用い、 前記周辺部どうしを前記感光基板上で重複させて感光す
ることを特徴とする露光方法。
3. First and second units having a plurality of unit patterns
An exposure method for forming a large-area pattern on the photosensitive substrate by exposing the pattern region of 1) so that the peripheral portions of the first and second pattern regions are continuous with each other on the photosensitive substrate, Using the photomask in which the unit patterns in the peripheral portion to be continuous of the first and second pattern regions are discrete and are arranged at positions that do not overlap, the peripheral portions are overlapped on the photosensitive substrate. An exposure method characterized by exposing to light.
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