JPH11251219A - Aligner, exposure method, and manufacture of display device - Google Patents

Aligner, exposure method, and manufacture of display device

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JPH11251219A
JPH11251219A JP10049188A JP4918898A JPH11251219A JP H11251219 A JPH11251219 A JP H11251219A JP 10049188 A JP10049188 A JP 10049188A JP 4918898 A JP4918898 A JP 4918898A JP H11251219 A JPH11251219 A JP H11251219A
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JP
Japan
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exposure
photosensitive substrate
area
areas
reticle
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Application number
JP10049188A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Hori
和彦 堀
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH11251219A publication Critical patent/JPH11251219A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligner, exposure method, and a method for manufacturing a display device wherein, in relation to an aligner for screen compositing, unevenness in partitions on a sensitized substrate caused by exposure amount is reduced. SOLUTION: A pattern on a reticle 9 is exposed and developed on a sensitized substrate 11 so that parts of a plurality of partitions overlap each other, brightness of a resist image in each region and overlapped regions is detected, and the position of a reticle blind 6 and driving during exposure are controlled (16) according to the difference in brightness for controlling the exposure amount, thus unevenness in partitions is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示基板等の製造に用いられる露光装置に関するもので
あり、特に単位領域のパターンの一部分どうしを感光基
板上で互いに重ね合わせることによって大面積のパター
ンを形成する、いわゆる画面合成を行う露光装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display substrate, and the like. In particular, the present invention relates to an exposure apparatus having a large area by overlapping a part of unit area patterns on a photosensitive substrate. And an exposure apparatus for performing so-called screen synthesis for forming a pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の露光装置では、露光対象
となる感光基板の大型化に対処するため、感光基板の露
光領域を複数の単位領域に分割して各単位領域に応じた
露光を繰り返し、最終的に所望のパターンを合成する画
面合成の手法が用いられている。この画面合成を行う際
には、パターン投影用のマスクであるレチクルの描画誤
差や投影光学系のレンズの収差、感光基板を位置決めす
るステージの位置決め誤差等に起因する各露光領域の境
界位置でのパターンの切れ目の発生を防止するため、各
露光領域の境界を微小量重ね合わせて露光を行う。しか
し、露光領域を重ね合わせると、この部分の露光量が2
倍になり、感光剤の特性によってはパターンの継ぎ目部
分の線幅が変化することになる。また、画面合成を行う
と、隣接する露光領域どうしの位置のずれによってパタ
ーンの継ぎ目部分に段差が発生し、デバイスの特性が損
なわれることがある。さらに、画面合成された単層のパ
ターンを多層に重ね合わせる工程を各層毎に異なる露光
装置に分担させた場合、各露光装置のレンズ収差や位置
決め精度の相違によって各層の露光領域の重ね合わせ誤
差がパターンの継ぎ目部分で不連続に変化し、特にアク
ティブマトリックス液晶デバイスではパターン継ぎ目部
分でコントラストが不連続に変化してデバイスの品質が
低下することになる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in this type of exposure apparatus, in order to cope with an increase in the size of a photosensitive substrate to be exposed, the exposure region of the photosensitive substrate is divided into a plurality of unit regions and exposure corresponding to each unit region is performed. A method of screen synthesis for repeatedly synthesizing a desired pattern is finally used. When performing this screen synthesis, the drawing error of the reticle, which is a mask for pattern projection, the aberration of the lens of the projection optical system, the positioning error of the stage for positioning the photosensitive substrate, etc. In order to prevent the occurrence of a break in the pattern, the exposure is performed by overlapping the boundaries of the respective exposure regions by a small amount. However, when the exposure areas are overlapped, the exposure amount in this area is 2
As a result, the line width at the joint of the pattern changes depending on the characteristics of the photosensitive agent. Further, when screen synthesis is performed, a step may occur at a joint portion of a pattern due to a shift in the position between adjacent exposure regions, and the characteristics of the device may be impaired. Furthermore, if the process of superimposing the single-layer pattern synthesized on the screen into multiple layers is assigned to different exposure apparatuses for each layer, the overlay error of the exposure area of each layer is reduced due to the difference in lens aberration and the positioning accuracy of each exposure apparatus. The contrast changes discontinuously at the seams of the pattern, and particularly in the case of an active matrix liquid crystal device, the contrast changes discontinuously at the seams of the pattern, and the quality of the device deteriorates.

【0003】以上のような画面合成上の不都合を除去す
る手段として、特開平7−235466号公報には、レ
チクルブラインドのパターン継ぎ目部分に相当する位置
に透過光量を減少させる減光部を設け、パターンの重ね
合わせ部分の露光量を他の部分の露光量に略一致させる
ものが開示されている。この時のレチクルブラインドの
調整方法は実際に露光動作を行うときと同様な条件で定
量的に前記露光量のバラツキが最も小さくなるようにレ
チクルブラインドの位置を調整するために、制御目的で
ある露光量をモニタできる光量センサを用いてレチクル
ブラインドの位置決めオフセットを調節している。
As means for eliminating such inconveniences in screen synthesis, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-235466 discloses a dimming unit for reducing the amount of transmitted light at a position corresponding to a pattern joint of a reticle blind. A technique is disclosed in which the exposure amount of a portion where a pattern is superimposed substantially matches the exposure amount of another portion. The method of adjusting the reticle blind at this time is an exposure control which is a control purpose in order to quantitatively adjust the position of the reticle blind so as to minimize the variation of the exposure amount under the same conditions as when actually performing the exposure operation. The positioning offset of the reticle blind is adjusted using a light amount sensor capable of monitoring the amount.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで露光装置にお
いて感光基板に実際に露光した際に明度差を発生させ、
ムラを生じさせる要因の1つに露光量がある。この露光
量にムラがあると、前記線幅ムラや膜の色ムラを発生さ
せることがある。しかるにこれら露光量に起因するムラ
を、明暗の差を256階調に分割したときの1階調の明
度差も発生させないように、前記光量センサで検出しな
がら調整していくことは光量センサの性能的にかなり困
難がある。また、もし検出そのものが可能でも1階調の
明度差も発生させないように露光量を調整するには多大
の時間を要し、また保守管理に要する手間も無視できな
い。本発明は、上記問題点に鑑み、画面合成を行う露光
装置の各区画領域の露光量を容易にまたより正確に調整
して、露光量に起因する感光基板上のムラを軽減するこ
とができる露光装置、露光方法及びディスプレイ装置の
製造方法を提供することを目的とする。
By the way, when an exposure apparatus actually exposes a photosensitive substrate, a brightness difference is generated,
One of the factors that cause unevenness is the exposure amount. If the exposure amount is uneven, the line width unevenness and color unevenness of the film may occur. However, it is necessary for the light amount sensor to adjust the unevenness due to the exposure amount while detecting the light amount sensor so as not to generate a lightness difference of one gradation when the light / dark difference is divided into 256 gradations. There is considerable difficulty in performance. In addition, if the detection itself is possible, a large amount of time is required to adjust the exposure amount so as not to generate a lightness difference of one gradation, and the labor required for maintenance management cannot be ignored. SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, the present invention can easily and more accurately adjust the exposure amount of each divided area of an exposure apparatus that performs screen composition, and can reduce unevenness on a photosensitive substrate due to the exposure amount. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus, an exposure method, and a method for manufacturing a display apparatus.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の一実施の形態を表す図1に対応付けて説明
すると、請求項1記載の露光装置は、マスク(9)上の
パターンを感光基板(11)上の複数の区画領域に転写
するものであって、前記複数の区画領域の内の少なくと
も2つの領域におけるそれぞれの少なくとも一部の露光
結果を検出する露光検出手段を備えるものである。請求
項2記載の露光装置は、前記複数の区画領域は隣り合う
ものの一部が互いに重なり合うものであり、前記露光検
出手段は少なくとも前記重なり合う領域の露光結果を検
出するものであるので、区画領域のつなぎ合わせを滑ら
かにすることができる。
Means for Solving the Problems To solve the above-mentioned problems, the exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 1 showing an embodiment of the present invention. An exposure detecting means for transferring the pattern to a plurality of divided areas on the photosensitive substrate (11), wherein the exposure detecting means detects an exposure result of at least a part of each of at least two of the plurality of divided areas. Things. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the plurality of partitioned areas are configured such that a part of adjacent areas overlap with each other, and the exposure detection unit detects at least an exposure result of the overlapped area. Splicing can be smoothed.

【0006】請求項3記載の露光装置は、前記露光検出
手段が、前記区画領域の露光後の明度を検出するもので
あるので、簡易に露光結果を検出することができる。請
求項4記載の露光装置は、さらに、前記露光検出手段の
出力に基づいて前記感光基板(11)の露光量を制御す
る露光制御手段(16)を備えるので、感光基板の露光
に起因するムラを軽減することができる。請求項5記載
の露光方法は、マスク(9)上のパターンを感光基板
(11)上の複数の区画領域に転写する方法であって、
前記感光基板(11)上の前記複数の区画領域の少なく
とも2つを露光するステップと、前記少なくとも2つの
区画領域におけるそれぞれの少なくとも一部の露光結果
を検出するステップとを含み、前記露光結果に基づいて
前記転写時における前記感光基板(11)の露光量を制
御する方法である。
According to a third aspect of the present invention, since the exposure detecting means detects the brightness of the divided area after exposure, the exposure result can be easily detected. The exposure apparatus according to claim 4, further comprising an exposure control unit (16) for controlling an exposure amount of the photosensitive substrate (11) based on an output of the exposure detection unit, so that unevenness caused by exposure of the photosensitive substrate is provided. Can be reduced. The exposure method according to claim 5, wherein the pattern on the mask (9) is transferred to a plurality of partitioned areas on the photosensitive substrate (11),
Exposing at least two of the plurality of divided areas on the photosensitive substrate (11); and detecting an exposure result of at least a part of each of the at least two divided areas. A method of controlling the exposure amount of the photosensitive substrate (11) at the time of the transfer on the basis of the transfer.

【0007】請求項6記載の露光方法は、複数のパター
ンをその一部が重なり合うように感光基板(11)上に
転写する方法であって、前記感光基板(11)上の第1
区画領域と、該第1区画領域と一部が重なる第2区画領
域とをそれぞれ露光して、該二重露光された領域とそれ
以外の領域との明度差を検出し、前記検出された明度差
を利用して前記転写時における前記感光基板(11)の
露光量を調整する方法である。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an exposure method for transferring a plurality of patterns onto a photosensitive substrate (11) such that a part of the patterns overlaps each other.
Exposing the partitioned area and a second partitioned area that partially overlaps the first partitioned area to detect a brightness difference between the double-exposed area and the other areas, and This is a method of adjusting the exposure amount of the photosensitive substrate (11) at the time of the transfer using the difference.

【0008】請求項7記載の露光方法は、前記感光基板
(11)が前記露光後に現像され、該現像によって前記
二重露光された領域とそれ以外の領域とにそれぞれ形成
されるパターンから生じる光を受光して前記明度差を検
出するので、現像する前の明度差と比べてより広いダイ
ナミックレンジで明度差を検出することができる。請求
項8記載のディスプレイ装置の製造方法は、請求項6又
は7に記載された露光方法を用いてガラスプレート(1
1)上にディスプレイ装置を形成するディスプレイ装置
の製造方法である。
The exposure method according to claim 7, wherein the photosensitive substrate (11) is developed after the exposure, and the light generated from the patterns respectively formed in the double-exposed area and the other areas by the development. To detect the lightness difference, the lightness difference can be detected in a wider dynamic range than the lightness difference before development. According to a eighth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, comprising:
1) A method for manufacturing a display device on which a display device is formed.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下添付図面を参照しながら本発
明の好適な実施の形態について詳細に説明する。図1は
本発明の一実施の形態による露光装置23の概略的な構
成を示す図である。露光光源としての超高圧水銀ランプ
1からの照明光は楕円鏡2で集光され、シャッタ17、
反射鏡3aを介して波長選択フィルタ4に入射する。波
長選択フィルタ4は露光に必要な波長(一般的にはg線
やi線の波長)のみを通過させるもので、波長選択フィ
ルタ4を通過した照明光はフライアイインテグレータ5
にて均一な照度分布の光束にされてレチクルブラインド
6に到達する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus 23 according to one embodiment of the present invention. Illumination light from the ultra-high pressure mercury lamp 1 as an exposure light source is condensed by the elliptical mirror 2,
The light enters the wavelength selection filter 4 via the reflecting mirror 3a. The wavelength selection filter 4 allows only the wavelength necessary for exposure (generally, the wavelength of g-line or i-line) to pass, and the illumination light that has passed through the wavelength selection filter 4 is a fly-eye integrator 5
The light flux is converted into a light flux having a uniform illuminance distribution and reaches the reticle blind 6.

【0010】レチクルブラインド6は、駆動機構7で駆
動されて開口の大きさを変化させて照明光によるレチク
ル9上の照明範囲を調整するもので、図2に示すような
2つの開口を備えたブラインド6a,6bをクロム面ど
うしを向き合わせて構成されている。また、ブラインド
6a,6bのそれぞれは、透明なガラス基板6c上にク
ロムを蒸着することによって形成された、照明光の透過
率を減衰させる遮光部6dと、減光部6e及びクロムを
蒸着していない開口6fを備えている。さらに、減光部
6eにおけるクロム膜は、露光装置23の解像限界以下
の大きさのドット状にしてガラス基板6cに対して蒸着
してあり、このドット状のクロム膜の密度を開口6fか
ら遮光部6dに向かうに従って大きくなるようにするこ
とによって減光部6eの減光率を変化させている。レチ
クルブラインド6の1つのブラインド6a又は6bによ
る露光特性を図3に示す。図3(b) のレチクルブライン
ド6に対して図3(d) の露光特性が得られ、図3(c) の
レチクルブラインド6に対して図3(e) の露光特性が得
られる。これらのレチクルブラインド6の減光部6eが
重ね合わさるように図3(a) に示すように画面合成する
ことによって、画面合成後には平坦な露光特性を得るこ
とができる。
The reticle blind 6 is driven by a driving mechanism 7 to change the size of the opening to adjust the illumination range on the reticle 9 by the illumination light, and has two openings as shown in FIG. The blinds 6a and 6b are configured with the chrome surfaces facing each other. In addition, each of the blinds 6a and 6b has a light shielding portion 6d formed by evaporating chromium on a transparent glass substrate 6c and attenuating the transmittance of illumination light, and a light reducing portion 6e and chromium. No opening 6f is provided. Further, the chromium film in the darkening portion 6e is formed in a dot shape having a size equal to or smaller than the resolution limit of the exposure device 23 and is vapor-deposited on the glass substrate 6c. The dimming rate of the dimming unit 6e is changed by increasing the dimming rate toward the light shielding unit 6d. FIG. 3 shows the exposure characteristics of one of the reticle blinds 6 by the blind 6a or 6b. 3 (d) is obtained for the reticle blind 6 shown in FIG. 3 (b), and the exposure characteristic shown in FIG. 3 (e) is obtained for the reticle blind 6 shown in FIG. 3 (c). By combining the screens as shown in FIG. 3A so that the light reducing portions 6e of the reticle blind 6 overlap, a flat exposure characteristic can be obtained after the combining of the screens.

【0011】また、フライアイインテグレータ5から射
出した光束の一部はビームスプリッタ18で反射されて
積算露光量計19に入射し、この情報に基づいてシャッ
タ17の開閉時間を制御する。すなわち、露光量の制御
を行うものである。レチクルブラインド6の開口を通過
した照明光は反射鏡3bで反射されてレンズ系8に入射
し、このレンズ系8によってレチクルブラインド6の開
口の像がレチクル9上で結像し、レチクル9の所望範囲
が照明される。レチクル9としては特にテスト用のもの
を用意する必要はなく、通常の回路パターンを有するレ
チクル9を用いる。レチクル9の照明範囲に存在するパ
ターンの像は投影光学系10によりウエハやガラスプレ
ート等の感光基板11上に結像し、これにより感光基板
11の特定領域にレチクル9のパターンの像が露光され
る。
A part of the light beam emitted from the fly-eye integrator 5 is reflected by the beam splitter 18 and enters the integrated exposure meter 19, and the opening / closing time of the shutter 17 is controlled based on this information. That is, the exposure amount is controlled. The illumination light that has passed through the opening of the reticle blind 6 is reflected by the reflecting mirror 3b and enters the lens system 8, which forms an image of the opening of the reticle blind 6 on the reticle 9, and The area is illuminated. There is no particular need to prepare a reticle 9 for testing, and a reticle 9 having a normal circuit pattern is used. The image of the pattern existing in the illumination range of the reticle 9 is formed on the photosensitive substrate 11 such as a wafer or a glass plate by the projection optical system 10, whereby the pattern image of the reticle 9 is exposed on a specific region of the photosensitive substrate 11. You.

【0012】この感光基板11はステージ12上に固定
されている。ステージ12は互いに直交する方向へ移動
可能な一対のブロックを重ね合わせた周知のもので、こ
のステージ12の位置は、不図示のレーザ干渉計システ
ムからのレーザ光15のステージ12上の移動鏡14か
らの反射光に基づいて検出され、これにより感光基板1
1の水平面内での位置が調整される。画面合成を行うと
きは、あるレチクル(パターン領域)についての1回の
露光が終了した後、レチクル9を交換するとともにステ
ージ12を駆動して感光基板11の別の領域を投影光学
系10に対して位置決めし、露光する。以下露光終了毎
に同様手順を繰り返して感光基板11の全領域を露光す
る。なお、1枚のレチクルに複数種類のパターンを形成
し、感光基板11の露光領域の変更に連係してレチクル
ブラインド6によってレチクル内の照射領域を変更して
(異なるパターン領域に変更して)画面合成を行っても
よい。
The photosensitive substrate 11 is fixed on a stage 12. The stage 12 is a well-known one in which a pair of blocks movable in directions orthogonal to each other are superimposed, and the position of the stage 12 is determined by a moving mirror 14 on the stage 12 of a laser beam 15 from a laser interferometer system (not shown). Is detected based on the reflected light from the photosensitive substrate 1
1 is adjusted in the horizontal plane. When performing screen synthesis, after one exposure for a certain reticle (pattern area) is completed, the reticle 9 is replaced and the stage 12 is driven to move another area of the photosensitive substrate 11 to the projection optical system 10. Position and expose. Thereafter, the same procedure is repeated every time the exposure is completed, and the entire area of the photosensitive substrate 11 is exposed. A plurality of types of patterns are formed on one reticle, and the reticle blind 6 changes the irradiation area in the reticle (changes to a different pattern area) in conjunction with the change of the exposure area on the photosensitive substrate 11. Synthesis may be performed.

【0013】以上のシャッタ17、積算露光量計19及
び駆動機構7はいずれも制御装置16によって制御され
る。すなわち、レチクル9の露光すべきパターン領域に
対して、駆動機構7によりレチクルブラインド6を設定
した後、制御装置16からの指令によってシャッタ17
が開いて感光基板11に対する露光が開始され、積算露
光量計19によって積算露光量を測定する。そして、積
算露光量計19による情報が所定露光量に達した時点で
シャッタ17を閉じて、露光を終了する。
The shutter 17, the integrated exposure meter 19, and the driving mechanism 7 are all controlled by the control device 16. That is, after the reticle blind 6 is set by the drive mechanism 7 with respect to the pattern area of the reticle 9 to be exposed, the shutter 17 is controlled by a command from the control device 16.
Opens to start exposure of the photosensitive substrate 11, and the integrated exposure meter 19 measures the integrated exposure. Then, when the information from the integrated exposure meter 19 reaches the predetermined exposure amount, the shutter 17 is closed to end the exposure.

【0014】感光基板11の全領域に対する露光が終了
したところで、感光基板11をデベロッパ(不図示)で
現像してレジスト像にして、図5に示すマクロ検査装置
24にセットする。マクロ検査装置24は定量的に基板
の各位置の明度を検出することができるものである。こ
のマクロ検査装置24と露光装置本体23とをオンライ
ン・ケーブル25で接続してマクロ検査装置24から算
出されるレジスト像の明度値を基にレチクルブラインド
6を制御する値を求めて、自動的にレチクルブラインド
6の位置を設定する。
When the exposure of the entire area of the photosensitive substrate 11 is completed, the photosensitive substrate 11 is developed by a developer (not shown) to form a resist image, and is set in the macro inspection apparatus 24 shown in FIG. The macro inspection device 24 can quantitatively detect the brightness of each position on the substrate. The macro inspection apparatus 24 and the exposure apparatus main body 23 are connected by an online cable 25 to obtain a value for controlling the reticle blind 6 based on the brightness value of the resist image calculated from the macro inspection apparatus 24, and automatically obtain the value. The position of the reticle blind 6 is set.

【0015】このとき、図4(a) に示すように、隣り合
う区画領域が所定の位置関係にあれば均一な露光量で露
光されるのに対して、図4(b) に示すように、隣り合う
区画領域が近くなると重なり合う領域で露光量オーバー
となり、図4(c) に示すように、隣り合う区画領域が遠
くなると重なり合う領域で露光量不足になる。この露光
量の過不足に応じて露光結果にも明暗が現れるので、こ
の露光結果に現れた明暗に応じて前記のように、レチク
ルブラインド6を制御して感光基板11の露光量を最適
にする。
At this time, as shown in FIG. 4 (a), if the adjacent partitioned areas have a predetermined positional relationship, the exposure is performed with a uniform exposure amount, whereas as shown in FIG. 4 (b). When the adjacent partitioned areas are close to each other, the amount of exposure is excessive in the overlapping area. As shown in FIG. 4C, when the adjacent partitioned areas are far from each other, the amount of exposure is insufficient in the overlapping area. Since light and dark appear in the exposure result according to the excess or deficiency of the exposure amount, the reticle blind 6 is controlled to optimize the exposure amount of the photosensitive substrate 11 as described above according to the light and darkness appearing in the exposure result. .

【0016】したがって、マクロ検査装置24で明度を
検出する位置は、図3(a) に示すように、重なり合う領
域にまたがって隣接する区画領域に渡る矢印の直線mの
ように直線状にしてもよいし、重なり合う領域内の点B
とそれぞれの区画領域内の点A,Cの3点にしてもよ
い。また、ムラを軽減するという観点からは、例えば点
Aと点Bの2点の明度を検出するだけでも十分である。
Therefore, as shown in FIG. 3 (a), the position at which the brightness is detected by the macro inspection device 24 may be a straight line such as the straight line m of the arrow extending over the overlapping area and over the adjacent partitioned area. Good, point B in the overlapping area
And points A and C in each of the divided areas. From the viewpoint of reducing unevenness, for example, it is sufficient to detect only the lightness of two points A and B, for example.

【0017】以下、本実施の形態の動作フローを図6に
基づいて、説明する。まず、感光基板11上の露光位置
に応じた所定のレチクル9を不図示のレチクルステージ
にロードして(S1)、そのレチクル9と感光基板11
とをステージ12及びレチクルステージによって投影光
学系10に対してアライメントして(S2)、感光基板
11上の露光位置に応じた所定のレチクルブラインド6
を所定の位置に配置し(S3)、露光する(S4)。す
なわち、シャッタ17を開放して、積算露光量計19に
よる露光量の積算値が所定露光量に達した時点でシャッ
タ17を閉める。ここで、感光基板11の全領域に対し
て露光が終了したかどうかを判断し(S5)、NOでま
だ終了していなければ、ステージ12により感光基板1
1を移動して(S6)隣接する区画領域の一部が重ね合
わさるように位置させて、ステップS1に戻って、新し
い露光領域に対応する所定のレチクル9をロードする。
ステップS5においてYESで全領域に対する露光が終
了したら、ステップS7に進んで、露光した各区画領域
の開口に相当する領域及び重ね合わせ部に相当する領域
の明度を検出する。そして、その検出した明度の差に基
づいてシャッタ17の開時間を設定し、レチクルブライ
ンド6の位置及び露光中のレチクルブラインド6の移動
位置又は移動速度等の設定値を制御する等して露光量を
制御する(S8)。
The operation flow of this embodiment will be described below with reference to FIG. First, a predetermined reticle 9 corresponding to the exposure position on the photosensitive substrate 11 is loaded on a reticle stage (not shown) (S1), and the reticle 9 and the photosensitive substrate 11 are loaded.
Are aligned with the projection optical system 10 by the stage 12 and the reticle stage (S2), and the predetermined reticle blind 6 corresponding to the exposure position on the photosensitive substrate 11 is formed.
Is arranged at a predetermined position (S3), and is exposed (S4). That is, the shutter 17 is opened, and the shutter 17 is closed when the integrated value of the exposure amount by the integrated exposure meter 19 reaches the predetermined exposure amount. Here, it is determined whether or not the exposure has been completed for the entire area of the photosensitive substrate 11 (S5).
1 is moved (S6) so that a part of the adjacent partitioned area is overlapped, and the process returns to step S1 to load a predetermined reticle 9 corresponding to a new exposure area.
In step S5, if the exposure for all the regions is completed with YES, the process proceeds to step S7, and the brightness of the region corresponding to the opening of each exposed divided region and the region corresponding to the overlapping portion is detected. The opening time of the shutter 17 is set based on the detected difference in brightness, and the exposure amount is controlled by controlling the position of the reticle blind 6 and the set value such as the moving position or moving speed of the reticle blind 6 during exposure. Is controlled (S8).

【0018】本実施の形態の特徴的なところは、露光結
果に応じて露光量を制御している点である。特に、表示
装置においては、視覚的にムラが見えてしまっては商品
価値がなくなってしまうので、露光量にムラがあるかど
うかではなく露光結果にムラがあるかどうかが最も問題
となる。その点、露光結果に応じて露光量を制御してい
る本実施の形態は最終製品としての表示装置の品質を高
くすることを可能としている。
A feature of this embodiment is that the exposure amount is controlled according to the exposure result. In particular, in a display device, if the unevenness is visually recognized, the commercial value is lost. Therefore, the most important issue is not whether the exposure amount is uneven but whether the exposure result is uneven. In this regard, in this embodiment, in which the exposure amount is controlled according to the exposure result, it is possible to improve the quality of the display device as a final product.

【0019】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではない。すなわち、 (1).露光結果の検出は、露光後の現像前、現像後のエッ
チング前、エッチング後のいずれのときにおこなっても
よい。 (2).露光結果の検出は、目視又は光学機器によって行う
ことができる。光学機器としては、明度を測定する明度
計、パターンの線幅を測定する線幅測定器、又は、現像
後のレジスト像の構造若しくはエッチング後の基板の構
造を見る電子顕微鏡又は静止画カメラなどがある。この
ときの構造としては、パターンの線幅又は膜厚などがあ
る。また、明度計や線幅測定器は露光装置23に内蔵さ
せることもできる。
The present invention is not limited to the above embodiment. That is, (1). The detection of the exposure result may be performed at any time before the development after the exposure, before the etching after the development, or after the etching. (2) The detection of the exposure result can be performed visually or by an optical device. Examples of the optical device include a lightness meter that measures lightness, a line width measuring device that measures the line width of a pattern, and an electron microscope or a still image camera that looks at the structure of a resist image after development or the structure of a substrate after etching. is there. The structure at this time includes a line width or a film thickness of the pattern. Further, a lightness meter and a line width measuring device can be built in the exposure device 23.

【0020】(3).露光量の制御は、レチクルブラインド
6の位置を変える、露光中のレチクルブラインド6の移
動位置又は移動速度を制御する、シャッタ17の開時間
を制御する、レチクルブラインド6の位置でデフォーカ
スする、レンズ系8や投影光学系10等の調整により照
明ムラをなくす、積算露光量計19を調整する等による
ことができる。 (4).区画領域間の重なり合う領域をなくして、隣接する
区画領域が直線で接するようにしても差し支えない。
(3) The exposure amount is controlled by changing the position of the reticle blind 6, controlling the moving position or moving speed of the reticle blind 6 during exposure, controlling the opening time of the shutter 17, and controlling the reticle blind 6. Defocusing can be performed at a position, illumination unevenness can be eliminated by adjusting the lens system 8 and the projection optical system 10, and the integrated exposure meter 19 can be adjusted. (4) There may be no problem that the overlapping areas between the divided areas are eliminated and the adjacent divided areas are in a straight line.

【0021】(5).レチクル9をなくして、パターンなし
としても、明度を測定する上では差し支えない。 (6).露光装置としては、複数の投影光学系10を有しレ
チクル9と感光基板11とを同期移動して露光する走査
型の露光装置にも、レチクル9と感光基板11とを密接
させて露光するプロキシミティ型の露光装置にも、適用
することができる。また、露光装置としては、液晶デバ
イス用だけでなく、半導体素子を露光する露光装置等に
も幅広く適用することができる。
(5) Even if the reticle 9 is eliminated and there is no pattern, there is no problem in measuring the brightness. (6) The reticle 9 and the photosensitive substrate 11 are also brought into close contact with a scanning type exposure apparatus which has a plurality of projection optical systems 10 and performs exposure by synchronously moving the reticle 9 and the photosensitive substrate 11. The present invention can also be applied to a proximity type exposure apparatus that performs exposure by exposure. In addition, as an exposure apparatus, it can be widely applied not only to a liquid crystal device but also to an exposure apparatus for exposing a semiconductor element.

【0022】(7).露光光としては、g,h,i線の他
に、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキ
シマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)
のみならず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いるこ
とができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃と
して、熱電子放射型のランタンヘキサボライト(La
6)、タンタル(Ta)を用いることができる。 (8).投影光学系10の倍率は縮小系、等倍及び拡大系の
いずれでもよい。また、投影光学系10としては、エキ
シマレーザを用いる場合は硝材として石英や蛍石を用
い、X線を用いる場合は反射屈折系の光学系にし(マス
クも反射型タイプのものを用いる)、また、電子線を用
いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器から
なる電気光学系を用いればよい。なお、電子線が通過す
る光路は真空にする。
(7) As the exposure light, besides the g, h, and i lines, a KrF excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), and an F 2 laser (157 nm)
In addition, charged particle beams such as X-rays and electron beams can be used. For example, when an electron beam is used, a thermionic emission type lanthanum hexaborite (La) is used as an electron gun.
B 6 ) and tantalum (Ta) can be used. (8) The magnification of the projection optical system 10 may be any of a reduction system, an equal magnification, and an enlargement system. Further, as the projection optical system 10, when using an excimer laser, quartz or fluorite is used as a glass material, and when using X-rays, a catadioptric optical system is used (a reflective type mask is used as a mask). When an electron beam is used, an electro-optical system including an electron lens and a deflector may be used as the optical system. The optical path through which the electron beam passes is evacuated.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば露光装置
の露光量に関わる部位の調整において、光量センサの性
能に左右されることなく、製品完成時の視覚的なムラを
軽減することができるので、最終製品としての品質を高
くすることが可能となる。また、調整作業についても、
ほとんどは実際に露光するという時間がかかるだけであ
るので、時間短縮することができる。さらに、特に表示
装置に関しては、製品完成時の視覚的なムラを軽減する
ことができるので、きわめて高い品質を実現することが
できる。
As described above, according to the present invention, in adjusting a portion related to the exposure amount of an exposure apparatus, visual unevenness at the time of product completion can be reduced without being affected by the performance of a light amount sensor. Therefore, the quality as a final product can be improved. Also, for adjustment work,
In most cases, only the actual exposure takes time, so that the time can be reduced. Furthermore, particularly for a display device, visual unevenness at the time of product completion can be reduced, so that extremely high quality can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態による露光装置の概略的
な構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態によるレチクルブライン
ドの具体例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a specific example of a reticle blind according to one embodiment of the present invention.

【図3】図2のレチクルブラインドとその露光量を説明
する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a reticle blind of FIG. 2 and an exposure amount thereof.

【図4】図2のレチクルブラインドの位置関係とその露
光量を説明する図である。
FIG. 4 is a view for explaining a positional relationship of a reticle blind of FIG. 2 and an exposure amount thereof;

【図5】本発明の一実施の形態による露光装置とマクロ
検査装置との接続例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a connection example between an exposure apparatus and a macro inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態の動作フローを示す図で
ある。
FIG. 6 is a diagram showing an operation flow of an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 超高圧水銀ランプ 2 楕円鏡 4 波長選択フィルタ 5 フライアイインテグレータ 6 レチクルブラインド 6a,6b 各レチクルブラインド 6c ガラス基板 6d 遮光部 6e 減光部 6f 開口 7 駆動機構 8 レンズ系 9 レチクル 10 投影レンズ系 11 感光基板 12 ステージ 14 移動鏡 15 レーザ光 16 制御装置 17 シャッタ 19 積算露光量計 23 露光装置 24 マクロ検査装置 25 オンライン・ケーブル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ultra-high pressure mercury lamp 2 Elliptic mirror 4 Wavelength selection filter 5 Fly-eye integrator 6 Reticle blind 6a, 6b Each reticle blind 6c Glass substrate 6d Light-shielding part 6e Light-reducing part 6f Opening 7 Driving mechanism 8 Lens system 9 Reticle 10 Projection lens system 11 Photosensitive substrate 12 Stage 14 Moving mirror 15 Laser beam 16 Control device 17 Shutter 19 Integrated exposure meter 23 Exposure device 24 Macro inspection device 25 Online cable

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 516D ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/30 516D

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マスク上のパターンを感光基板上の複数
の区画領域に転写する露光装置において、 前記複数の区画領域の内の少なくとも2つの領域におけ
るそれぞれの少なくとも一部の露光結果を検出する露光
検出手段を備えることを特徴とする露光装置。
1. An exposure apparatus for transferring a pattern on a mask to a plurality of divided areas on a photosensitive substrate, wherein the exposure apparatus detects at least a part of the exposure result of at least two of the plurality of divided areas. An exposure apparatus comprising a detection unit.
【請求項2】 前記複数の区画領域は隣り合うものの一
部が互いに重なり合うものであり、前記露光検出手段は
少なくとも前記重なり合う領域の露光結果を検出するも
のであることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the plurality of divided areas partially overlap each other, and the exposure detecting means detects an exposure result of at least the overlapped areas. Exposure equipment.
【請求項3】 前記露光検出手段は、前記区画領域の露
光後の明度を検出するものであることを特徴とする請求
項1又は2記載の露光装置。
3. An exposure apparatus according to claim 1, wherein said exposure detecting means detects the lightness of said divided area after exposure.
【請求項4】 さらに、前記露光検出手段の出力に基づ
いて前記感光基板の露光量を制御する露光制御手段を備
えることを特徴とする請求項1乃至3いずれかに記載の
露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising an exposure control unit that controls an exposure amount of the photosensitive substrate based on an output of the exposure detection unit.
【請求項5】 マスク上のパターンを感光基板上の複数
の区画領域に転写する露光方法において、 前記感光基板上の前記複数の区画領域の少なくとも2つ
を露光するステップと、 前記少なくとも2つの区画領域におけるそれぞれの少な
くとも一部の露光結果を検出するステップとを含み、 前記露光結果に基づいて前記転写時における前記感光基
板の露光量を制御することを特徴とする露光方法。
5. An exposure method for transferring a pattern on a mask to a plurality of partitioned areas on a photosensitive substrate, comprising: exposing at least two of the plurality of partitioned areas on the photosensitive substrate; Detecting an exposure result of at least a part of each of the regions, and controlling an exposure amount of the photosensitive substrate at the time of the transfer based on the exposure result.
【請求項6】 複数のパターンをその一部が重なり合う
ように感光基板上に転写する露光方法において、 前記感光基板上の第1区画領域と、該第1区画領域と一
部が重なる第2区画領域とをそれぞれ露光して、該二重
露光された領域とそれ以外の領域との明度差を検出し、
前記検出された明度差を利用して前記転写時における前
記感光基板の露光量を調整することを特徴とする露光方
法。
6. An exposure method for transferring a plurality of patterns onto a photosensitive substrate so that a part of the patterns overlaps with each other, wherein: a first partition region on the photosensitive substrate; and a second partition partially overlapping the first partition region. Each area is exposed, and the brightness difference between the double-exposed area and the other areas is detected,
An exposure method, comprising: adjusting an exposure amount of the photosensitive substrate during the transfer using the detected brightness difference.
【請求項7】 前記感光基板は前記露光後に現像され、
該現像によって前記二重露光された領域とそれ以外の領
域とにそれぞれ形成されるパターンから生じる光を受光
して前記明度差を検出することを特徴とする請求項6記
載の露光方法。
7. The photosensitive substrate is developed after the exposure,
7. The exposure method according to claim 6, wherein the lightness difference is detected by receiving light generated from a pattern formed in each of the double-exposed area and the other area by the development.
【請求項8】 請求項6又は7に記載された露光方法を
用いてガラスプレート上にディスプレイ装置を形成する
ことを特徴とするディスプレイ装置の製造方法。
8. A method for manufacturing a display device, comprising: forming a display device on a glass plate by using the exposure method according to claim 6. Description:
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