KR101037986B1 - Luminous Apparatus and Manufacturing Method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판에 실장되는 엘이디 칩; 상기 기판에 형성되어 있는 금속패턴과 상기 엘이디 칩을 연결하는 연결부재; 상기 연결부재와 상기 엘이디 칩이 위치되는 수용공을 포함하고, 상기 기판에 형성되는 지지부재; 및 상기 지지부재에 접촉되고, 상기 연결부재와 상기 엘이디 칩이 내측에 수용되게 상기 수용공에 위치하는 기판 위에 형성되는 몰딩부를 포함하는 발광장치 및 그 제조방법에 관한 것으로,The present invention is an LED chip mounted on a substrate; A connection member connecting the metal chip formed on the substrate to the LED chip; A support member including a receiving hole in which the connection member and the LED chip are positioned and formed on the substrate; And a molding part in contact with the support member and formed on a substrate positioned in the receiving hole such that the connection member and the LED chip are accommodated therein.
본 발명에 따르면, 금형을 이용하지 않고 몰딩부를 형성할 수 있도록 구현함으로써, 제조가 용이할 뿐만 아니라 제조단가를 낮출 수 있다.According to the present invention, by implementing the molding unit without using a mold, it is easy to manufacture and can lower the manufacturing cost.
엘이디 칩, 발광, 기판, 금속패턴 LED chip, light emitting, substrate, metal pattern
Description
본 발명은 전기를 빛으로 변환하는 발광 소자의 일종인 엘이디 칩을 이용한 발광장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device using an LED chip which is a kind of light emitting device for converting electricity into light, and a method of manufacturing the same.
엘이디(LED, Light Emitting Diode)는 전기를 빛으로 변환하는 반도체를 이용한 발광 소자의 일종으로, 발광다이오드(Luminescent diode)라고도 한다. 엘이디는 종래 광원에 비해 소형이고, 수명이 길며, 소비전력이 적고, 고속응답이어서, 자동차 계기류의 표시소자, 광통신용광원 등 각종 전자기기의 표시용 램프, 숫자표시 장치나 계산기의 카드 판독기, 백라이트 등 각종 분야에서 널리 사용되고 있다.LED (Light Emitting Diode) is a kind of light emitting device using a semiconductor that converts electricity into light, also known as a Luminescent diode. LEDs are smaller than conventional light sources, have a long life, low power consumption, and high-speed response. They are used to display lamps for various electronic devices such as display devices for automobile instrumentation, optical communication light sources, card readers for digital display devices, calculators, and backlights. It is widely used in various fields.
엘이디는 에피공정(EPI), 칩공정(Fabrication) 및 패키지공정(Package) 등을 거쳐 제조되는데, 패키지공정을 거치기 전 칩 상태의 엘이디를 엘이디 칩이라 한다.The LED is manufactured through an epitaxial process (EPI), a chip process (Fabrication), and a package process (Package), the LED of the chip state before the package process is called an LED chip.
도 1은 종래 기술에 따른 발광장치의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of a light emitting device according to the prior art.
도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 발광장치(10)는 기판(11), 발광칩(12), 및 몰딩부(13)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the
상기 기판(11)에는 금속패드(111)가 형성되어 있다.The
상기 발광칩(12)은 상기 금속패드(111) 위에 실장되고, 상기 금속패드(111)와 와이어(121)를 매개로 하여 연결되어 있다.The
상기 몰딩부(13)는 그 내부에 상기 발광칩(12) 및 와이어(121)가 위치되게 상기 기판(11)에 형성된다. 상기 몰딩부(13)는 그 형상에 대응되는 캐비티를 가지는 금형을 이용하여 형성된다.The
상술한 바와 같은 종래 기술에 따른 발광장치(10)는 상기 몰딩부(13)가 금형을 이용하여 형성되기 때문에, 상기 몰딩부(13)의 형태 또는 크기가 바뀔 때마다 새로운 금형을 제작하여야 하는 문제가 있다. 이는 발광장치(100)의 제조단가를 상승시키는 결과를 초래하는 문제가 있다.In the
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 금형을 이용하지 않고 몰딩부를 형성할 수 있도록 구현함으로써, 제조가 용이할 뿐만 아니라 제조단가를 낮출 수 있는 발광장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above-described problems, the object of the present invention is to implement a molding unit without using a mold, the light emitting device that can be easily manufactured and lower the manufacturing cost and its It is to provide a manufacturing method.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to achieve the above-mentioned object, the present invention can include the following configuration.
본 발명에 따른 발광장치는 기판에 실장되는 엘이디 칩; 상기 기판에 형성되어 있는 금속패턴과 상기 엘이디 칩을 연결하는 연결부재; 상기 연결부재와 상기 엘이디 칩이 위치되는 수용공을 포함하고, 상기 기판에 형성되는 지지부재; 및 상기 지지부재에 접촉되고, 상기 연결부재와 상기 엘이디 칩이 내측에 수용되게 상기 수용공에 위치하는 기판 위에 형성되는 몰딩부를 포함할 수 있다.The light emitting device according to the present invention includes an LED chip mounted on a substrate; A connection member connecting the metal chip formed on the substrate to the LED chip; A support member including a receiving hole in which the connection member and the LED chip are positioned and formed on the substrate; And a molding part in contact with the support member and formed on a substrate positioned in the accommodation hole such that the connection member and the LED chip are accommodated therein.
본 발명에 따른 발광장치는 기판에 실장되는 복수개의 엘이디 칩; 상기 기판에 형성되어 있는 금속패턴들과 상기 엘이디 칩들을 각각 연결하는 복수개의 연결부재; 상기 연결부재들과 상기 엘이디 칩들이 위치되는 수용공을 포함하고, 상기 기판에 형성되는 지지부재; 및 상기 지지부재에 접촉되고, 상기 연결부재들과 상기 엘이디 칩들이 내측에 수용되게 상기 수용공에 위치하는 기판 위에 형성되는 몰딩부를 포함할 수 있다.The light emitting device according to the present invention comprises a plurality of LED chips mounted on a substrate; A plurality of connection members connecting the metal patterns formed on the substrate and the LED chips, respectively; A support member including a receiving hole in which the connection members and the LED chips are positioned and formed on the substrate; And a molding part in contact with the support member and formed on a substrate positioned in the receiving hole such that the connection members and the LED chips are accommodated therein.
본 발명에 따른 발광장치는 방열판; 상기 방열판에 결합되고, 적어도 하나의 관통공이 형성되어 있는 기판; 상기 관통공을 통해 상기 방열판에 실장되는 엘이디 칩; 상기 기판에 형성되어 있는 금속패턴과 상기 엘이디 칩을 연결하는 연결부재; 상기 연결부재와 상기 엘이디 칩이 위치되는 수용공을 포함하고, 상기 관통공 외측에서 상기 기판에 형성되는 지지부재; 및 상기 지지부재에 지지되고, 상기 연결부재와 상기 엘이디 칩이 내측에 수용되게 상기 수용공에 위치하는 기판 및 방열판에 형성되는 몰딩부를 포함할 수 있다.The light emitting device according to the present invention comprises a heat sink; A substrate coupled to the heat sink and having at least one through hole formed therein; An LED chip mounted on the heat sink through the through hole; A connection member connecting the metal chip formed on the substrate to the LED chip; A support member including a receiving hole in which the connection member and the LED chip are positioned and formed on the substrate outside the through hole; And a molding part supported by the support member and formed on the substrate and the heat dissipation plate positioned in the accommodation hole such that the connection member and the LED chip are accommodated therein.
본 발명에 따른 발광장치 제조방법은 기판에 수용공을 포함하는 지지부재를 형성하는 단계; 상기 수용공에 위치하는 기판에 엘이디 칩을 실장하는 단계; 상기 기판에 형성되어 있는 금속패턴과 상기 엘이디 칩을 연결부재로 연결하는 단계; 상기 연결부재와 상기 엘이디 칩이 내측에 수용되게 상기 수용공에 위치하는 기판에 몰딩부를 형성하되, 상기 몰딩부가 상기 지지부재에 지지되게 형성하는 단계; 및 상기 몰딩부를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.The light emitting device manufacturing method according to the present invention comprises the steps of forming a supporting member including a receiving hole in the substrate; Mounting an LED chip on a substrate positioned in the receiving hole; Connecting the metal pattern formed on the substrate and the LED chip to a connection member; Forming a molding part on a substrate positioned in the receiving hole such that the connection member and the LED chip are accommodated therein, wherein the molding part is supported by the support member; And curing the molding part.
본 발명에 따른 발광장치 제조방법은 기판에 수용공을 포함하는 지지부재를 형성하는 단계; 상기 수용공에 위치하는 기판에 엘이디 칩을 복수개 실장하는 단계; 상기 기판에 형성되어 있는 금속패턴들과 상기 엘이디 칩들을 각각 연결부재로 연결하는 단계; 상기 연결부재들과 상기 엘이디 칩들이 내측에 수용되게 상기 수용공에 위치하는 기판에 몰딩부를 형성하되, 상기 몰딩부가 상기 지지부재에 지지되게 형성하는 단계; 및 상기 몰딩부를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.The light emitting device manufacturing method according to the present invention comprises the steps of forming a supporting member including a receiving hole in the substrate; Mounting a plurality of LED chips on a substrate positioned in the accommodation hole; Connecting metal patterns formed on the substrate and the LED chips to each other using a connection member; Forming a molding part on a substrate positioned in the receiving hole such that the connection members and the LED chips are accommodated therein, wherein the molding part is supported by the support member; And curing the molding part.
본 발명에 따른 발광장치 제조방법은 방열판에 적어도 하나의 관통공이 형성 되어 있는 기판을 결합시키는 단계; 상기 관통공 외측에 지지부재가 위치되도록, 상기 기판에 수용공을 포함하는 지지부재를 형성하는 단계; 상기 관통공을 통해 노출되는 상기 방열판에 상기 엘이디 칩을 실장하는 단계; 상기 기판에 형성되어 있는 금속패턴과 상기 엘이디 칩을 연결부재로 연결하는 단계; 상기 연결부재와 상기 엘이디 칩이 내측에 수용되게 상기 수용공에 위치하는 기판 및 방열판에 몰딩부를 형성하되, 상기 몰딩부가 상기 지지부재에 지지되게 형성하는 단계; 및 상기 몰딩부를 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.Method of manufacturing a light emitting device according to the present invention comprises the steps of bonding a substrate having at least one through hole formed in the heat sink; Forming a supporting member including a receiving hole in the substrate such that the supporting member is positioned outside the through hole; Mounting the LED chip on the heat sink exposed through the through hole; Connecting the metal pattern formed on the substrate and the LED chip to a connection member; Forming a molding part on a substrate and a heat dissipation plate positioned in the receiving hole so that the connection member and the LED chip are accommodated therein, the molding part being supported by the support member; And curing the molding part.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 이룰 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.
본 발명은 금형을 이용하지 않고 몰딩부를 형성할 수 있도록 구현함으로써, 제조가 용이할 뿐만 아니라 제조단가를 낮출 수 있는 효과를 얻을 수 있다.By implementing the present invention to form a molding portion without using a mold, it is easy to manufacture, it is possible to obtain the effect of lowering the manufacturing cost.
이하에서는 본 발명에 따른 발광장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of a light emitting device according to the present invention will be described in detail.
도 2a는 본 발명에 따른 발광장치의 사시도, 도 2b는 도 2a의 A-A 단면도, 도 3a 내지 도 6은 본 발명에 따른 발광장치의 제조과정을 개략적으로 나타낸 사시도 및 A-A 단면도이다. 2A is a perspective view of a light emitting device according to the present invention, FIG. 2B is a sectional view taken along the line A-A of FIG. 2A, and FIGS.
도 2a 및 도 2b를 참고하면, 본 발명에 따른 발광장치(1)는 기판(2), 엘이디 칩(3), 지지부재(4), 및 몰딩부(5)를 포함한다.2A and 2B, the
상기 기판(2)에는 엘이디 칩(3)에 전류가 흐르도록 하는 금속패턴(21)이 형 성되어 있다. 상기 기판(2)으로는 상기 금속패턴(21)에 의해 회로를 구현할 수 모든 것이 사용될 수 있으며, 예컨대 PCB(Printed Circuit Board), FPCB(Flexible Printed Circuit Board), Rigid-Flexible Printed Circuit Board, AL PCB(Aluminium Printed Circuit Board), Ceramic Substrate, 적층 CERAMIC 등이 사용될 수 있다.The
상기 엘이디 칩(3)은 상기 기판(2)에 실장된다. 상기 엘이디 칩(3)은 연결부재(31)를 매개로 하여 상기 금속패턴(21)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 엘이디 칩(3)은 상기 금속패턴(21) 위에 실장될 수 있다. 상기 기판(2)에는 복수개의 엘이디 칩(3)이 실장될 수 있다. The
도 2a, 도 3a, 및 도 3b를 참고하면, 상기 지지부재(4)는 상기 기판(2)에 형성되고, 수용공(41)을 포함한다. 상기 지지부재(4)는 상기 수용공(41)에 상기 연결부재(31)와 상기 엘이디 칩(3)이 위치되도록 상기 기판(2)에 형성될 수 있다. 즉, 상기 지지부재(4)는 그 내측에 상기 연결부재(31)와 상기 엘이디 칩(3)이 위치되게 상기 기판(2)에 형성될 수 있다. 도 3b에서 점선으로 표시된 부분은 상기 수용공(41)이 형성되는 영역을 표시한 것이다.2A, 3A, and 3B, the
도 4a 및 도 4b를 참고하면, 상기 지지부재(4)가 상기 기판(2)에 형성된 상태에서, 상기 엘이디 칩(3)은 상기 수용공(41)에 위치되는 기판(2)에 실장될 수 있다. 즉, 상기 엘이디 칩(3)은 상기 지지부재(4) 내측에 위치되는 기판(2)에 실장될 수 있다. 상기 엘이디 칩(3)은 상기 금속패턴(21) 위에 실장될 수 있다.4A and 4B, in a state in which the
도 5a 및 도 5b를 참고하면, 상기 엘이디 칩(3)이 상기 수용공(41)에 위치되 는 기판(2)에 실장된 상태에서, 상기 엘이디 칩(3)은 상기 연결부재(31)를 매개로 하여 상기 금속패턴(21)과 연결된다. 상기 연결부재(31)는 상기 지지부재(4) 내측, 즉 상기 수용공(41)에서 상기 엘이디 칩(3)과 상기 금속패턴(21)을 연결할 수 있다.Referring to FIGS. 5A and 5B, in a state where the
상기 지지부재(4)는 에폭시(Epoxy)로 제조될 수 있다. 상기 지지부재(4)는 스크린프린터에 의해 상기 기판(2)에 인쇄됨으로써 형성될 수 있다.The
도 6을 참고하면, 상기 지지부재(4)는 상기 몰딩부(5)에 접촉된다. 상기 몰딩부(5)가 형성될 때, 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 접촉됨으로써 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2) 위에 형성될 수 있다. 즉, 상기 지지부재(4)는 상기 몰딩부(5)가 형성될 때, 상기 몰딩부(5)가 상기 수용공(41) 외측으로 벗어나지 않도록 할 수 있다.Referring to FIG. 6, the
상기 지지부재(4)는 상기 몰딩부(5)가 형성될 때, 상기 몰딩부(5)를 지지할 수 있다. 상기 지지부재(4)는 상기 몰딩부(5)를 지지함으로써 상기 수용공(41)에 위치되는 기판(2) 위에만 상기 몰딩부(5)가 형성되도록 한다. 즉, 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 의해 상기 기판(2)에서 형성되는 영역이 정하여질 수 있다.The
따라서, 본 발명에 따른 발광장치(1)는 상기 지지부재(4)에 의해 금형을 이용하지 않고도 상기 몰딩부(5)를 형성할 수 있으므로, 제조가 용이할 뿐만 아니라 제조단가를 낮출 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광장치(1)는 상기 몰딩부(5)의 크기를 변경시키고자 할 때, 새로운 금형을 제작할 필요 없이 변경된 몰딩부(5) 크기에 대응되는 크기로 상기 지지부재(4)를 형성시킴으로써 상기 몰딩부(5)의 크기 를 용이하게 변경시킬 수 있다. 따라서, 사용자가 원하는 사양에 맞는 발광장치(1)를 용이하게 제조할 수 있다.Therefore, the
상기 지지부재(4)로 인해 상기 몰딩부(5)가 상기 기판(2)에 직접 형성될 수 있으므로, 상기 엘이디 칩 또한 패키지되지 않은 상태로 상기 기판(2)에 직접 실장될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 발광장치(1)는 엘이디 칩이 발광함에 따라 발생되는 열이 상기 기판(2)을 통해 직접 방열될 수 있으므로 우수한 방열 효과를 가지도록 구현될 수 있다. 또한, 상기 엘이디 칩을 패키지하지 않은 상태로 상기 기판(2)에 실장함에 따라, 상기 엘이디 칩에 대한 패키지 공정을 수행하는데 드는 재료비, 공정비 등을 절감할 수 있으며 이로 인해 제조단가를 낮출 수 있다.Since the
도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 지지부재(4)는 폭(D)이 0.3~0.4 mm로 형성될 수 있다. 상기 폭(D)는 상기 지지부재(4)의 단면 폭(D)이다.As shown in FIG. 3B, the
상기 폭(D)이 0.3mm 미만이면, 상기 지지부재(4)가 상기 몰딩부(5)를 지지하는 힘이 충분하지 못하여 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어날 수 있다. 상기 폭(D)이 0.4mm 초과이면, 상기 지지부재(4)를 형성하는 재료비가 상승하고, 상기 기판(2)에서 상기 지지부재(4)가 차지하는 영역이 증가하는 단점이 있다. When the width D is less than 0.3 mm, the force for supporting the
상기 지지부재(4)는, 상기 폭(D)이 0.3~0.4 mm인 경우, 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어나지 않도록 하면서도, 재료비를 줄일 수 있고 상기 기판(2)에서 상기 지지부재(4)가 차지하는 영역을 줄일 수 있다.When the width D is 0.3 to 0.4 mm, the
도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 지지부재(4)는 높이(H)가 0.13~0.15 mm로 형성될 수 있다. 상기 높이(H)는 상기 지지부재(4)의 단면 높이(H)이다.As shown in FIG. 3B, the
상기 높이(H)가 0.13 mm 미만이면, 상기 지지부재(4)가 상기 몰딩부(5)를 지지하는 힘이 충분하지 못하여 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어날 수 있다. 상기 높이(H)가 0.15 mm 초과이면, 상기 지지부재(4)를 형성하는 재료비가 상승하고, 상기 엘이디 칩이 방사하는 광을 가리게 되는 단점이 있다.When the height H is less than 0.13 mm, the force supporting the
상기 지지부재(4)는, 상기 높이(H)가 0.13~0.15 mm인 경우, 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어나지 않도록 하면서도, 재료비를 줄일 수 있고 상기 엘이디 칩이 방사하는 광이 상기 지지부재(4)에 가려지지 않도록 할 수 있다.When the height H is 0.13 to 0.15 mm, the
도 3a를 참고하면, 상기 지지부재(4)는 폐쇄된 고리 형태로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(4)는 원형의 고리 형태, 타원형의 고리 형태, 사각형의 고리 형태 등 상기 몰딩부(5)의 형태에 대응되는 형태로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3A, the
도 2a, 도 2b, 및 도 6을 참고하면, 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 접촉되게 상기 기판(2) 위에 형성된다. 상기 몰딩부(5) 내측에는 상기 연결부재(31)와 상기 엘이디 칩(3)이 위치된다. 2A, 2B, and 6, the
상기 몰딩부(5)는 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2), 즉 상기 지지부재(4) 내측에 위치하는 기판(2) 위에 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 의해 정하여지는 크기 및 형태로 상기 기판(2)에 형성될 수 있다. The
상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 지지되어서, 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2) 위에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 지지되어 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어나지 않게 상기 기판(2)에 형성될 수 있 다.The
도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(5)는 상기 기판(2) 위쪽으로 돌출되는 반구 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 발광장치(1)가 발하는 광은 160°를 이룰 수 있다.As shown in FIG. 2A, the
도 2b 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(5)는 상기 기판(2) 위쪽으로 돌출되는 반원 형태의 단면을 이루며 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩부(5)는 반구 형태 외에 다른 형태로 형성될 수도 있다.As illustrated in FIGS. 2B and 6, the
도 7 및 도 8을 참고하면, 상기 몰딩부(5)는 그 단면이 반원 형태를 이루며 길이 방향으로 길게 형성되는 바(bar) 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩부(5) 내측에는 복수개의 연결부재(31) 및 복수개의 엘이디 칩(3)이 위치될 수 있다. 상기 지지부재(4)는 상기 몰딩부(5)의 형태에 대응되는 형태로 형성될 수 있고, 도 8에 도시된 바와 같이 사각형을 이루는 폐쇄된 고리 형태로 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the
도 2a 내지 도 8을 참고하면, 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Epoxy)에 경화제가 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Expoxy) 50중량부(wt%)에 경화제 50중량부(wt%)가 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다.2A to 8, the
상기 몰딩부(5)는 에폭시(Epoxy)에 경화제가 첨가된 혼합물에 실리카흄(Silica Fume)이 더 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Epoxy)에 경화제가 첨가된 혼합물이 100중량부(wt%)일 때, 상기 실리카흄(Silica Fume)이 2중량부(wt%) 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 실리 카흄(Silica Fume)을 첨가함에 따라, 본 발명에 따른 발광장치(1)는 백색광을 발할 수 있다. The
상기 몰딩부(5)는 에폭시(Epoxy)에 경화제 및 실리카흄(Silica Fume)이 첨가된 혼합물에 인광체(Phosphor)가 더 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Epoxy)에 경화제 및 실리카흄(Silica Fume)이 첨가된 혼합물이 100중량부(wt%)일 때, 상기 인광체(Phosphor)가 4중량부(wt%) 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다.The
상기 몰딩부(5)는 에폭시(Expoxy) 50중량부(wt%)에 경화제 50중량부(wt%)가 첨가된 제1혼합물, 상기 제1혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제1혼합물에 실리카흄(Silica Fume) 2중량부(wt%)가 첨가된 제2혼합물, 상기 제2혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제2혼합물에 인광체(Phosphor)가 4중량부(wt%) 첨가된 제3혼합물로부터 형성될 수 있다.The
상술한 바와 같이, 에폭시(Epoxy)에 경화제, 실리카흄(Silica Fume), 및 인광체(Phosphor)가 첨가된 혼합물은 점도가 1200~1800 cps 일 수 있다. 상기 점도가 1200 cps 미만이면, 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어날 수 있다. 상기 점도가 1800 cps 초과이면, 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4)에 지지되어 그 내측에 상기 엘이디 칩(3) 및 연결부재(31)를 수용할 수 있게 형성하는데 어려움이 있는 단점이 있다. 상기 점도가 1200~1800 cps인 경우, 상기 몰딩부(5)는 간단한 작업으로 반구 형태를 이루며 형성될 수 있다(도 2에 도시됨).As described above, a mixture in which a curing agent, silica fume, and phosphors are added to epoxy may have a viscosity of 1200 to 1800 cps. When the viscosity is less than 1200 cps, the
여기서, 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Epoxy)를 대신하여 실리콘(Silicone)을 이 용한 혼합물로부터 형성될 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.Here, the
도 2a 내지 도 8을 참고하면, 상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone)에 경화제가 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone) 50중량부(wt%)에 경화제 50중량부(wt%)가 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다.2A to 8, the
상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone)에 경화제가 첨가된 혼합물에 실리카흄(Silica Fume)이 더 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone)에 경화제가 첨가된 혼합물이 100중량부(wt%)일 때, 상기 실리카흄(Silica Fume)이 2중량부(wt%) 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 실리카흄(Silica Fume)을 첨가함에 따라, 본 발명에 따른 발광장치(1)는 백색광을 발할 수 있다. The
상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone)에 경화제 및 실리카흄(Silica Fume)이 첨가된 혼합물에 인광체(Phosphor)가 더 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone)에 경화제 및 실리카흄(Silica Fume)이 첨가된 혼합물이 100중량부(wt%)일 때, 상기 인광체(Phosphor)가 4중량부(wt%) 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다.The
상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone) 50중량부(wt%)에 경화제 50중량부(wt%)가 첨가된 제1혼합물, 상기 제1혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제1혼합물에 실리카흄(Silica Fume) 2중량부(wt%)가 첨가된 제2혼합물, 상기 제2혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제2혼합물에 인광체(Phosphor)가 4중량부(wt%) 첨가된 제3혼합물로부터 형성될 수 있다.The
상술한 바와 같이, 실리콘(Silicone)에 경화제, 실리카흄(Silica Fume), 및 인광체(Phosphor)가 첨가된 혼합물은 점도가 2500~2800 cps 일 수 있다. 상기 점도가 2500 cps 미만이면, 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어날 수 있다. 상기 점도가 2800 cps 초과이면, 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4)에 지지되어 그 내측에 상기 엘이디 칩(3) 및 연결부재(31)를 수용할 수 있게 형성하는데 어려움이 있는 단점이 있다. 상기 점도가 2500~2800 cps인 경우, 상기 몰딩부(5)는 간단한 작업으로 반구 형태를 이루며 형성될 수 있다(도 2에 도시됨).As described above, a mixture in which a curing agent, silica fume, and phosphors are added to silicon may have a viscosity of 2500 to 2800 cps. When the viscosity is less than 2500 cps, the
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 몰딩부(5)는 상술한 바와 같은 성분들을 포함하는 혼합물이 액체정량토출장치(E)에 의해 상기 기판(2)에 토출된 후에 경화됨으로써 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 오븐경화 방식에 의해 경화될 수 있다.As shown in FIG. 6, the
이하에서는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a light emitting device according to a modified embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 9는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치의 사시도, 도 10은 도 9의 B부분에서 몰딩부를 제외한 구성을 확대하여 나타낸 확대도, 도 11은 도 9의 B부분에 대한 A-A 단면도이다.9 is a perspective view of a light emitting device according to a modified embodiment of the present invention, FIG. 10 is an enlarged view showing a configuration excluding a molding part in part B of FIG. 9, and FIG. 11 is an AA cross-sectional view of part B of FIG. 9. .
여기서, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치는 상술한 실시예와 대략 일치하는 구성들을 포함하는 바, 이하에서는 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 상술한 실시예와 차이점이 있는 구성만을 설명한다.Here, the light emitting device according to the modified embodiment of the present invention includes the components that are substantially the same as the above-described embodiment. Hereinafter, only the configuration differing from the above-described embodiment will be described so as not to obscure the gist of the present invention. .
도 9 내지 도 11을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치(1)는 방열판(6)을 포함한다.9 to 11, the
상기 방열판(6)에는 상기 기판(2)이 결합된다. 상기 방열판(6)은 방열성이 우수한 재질로 형성될 수 있고, 예컨대 알루미늄, 세라믹 등으로 형성될 수 있다.The
상기 방열판(6)에 결합되는 기판(2)에는 적어도 하나의 관통공(22)이 형성되어 있다. 상기 엘이디 칩(3)은 상기 관통공(22)을 통해 상기 방열판(6)에 실장될 수 있다. 따라서, 상기 엘이디 칩(3)이 발광할 때 발생되는 열이 상기 방열판(6)을 통해 방열될 수 있으므로, 본 발명에 따른 발광장치(1)는 우수한 방열 효과를 가지도록 구현될 수 있다.At least one through
상기 방열판(6)이 구비됨에 따라, 상기 엘이디 칩(3)은 상기 기판(2)에 형성되어 있는 관통공(22)을 통해 상기 방열판(6)에 실장되고, 상기 연결부재(31)를 매개로 하여 상기 기판(2)에 형성되어 있는 금속패턴(21)과 연결될 수 있다.As the
상기 방열판(6)이 구비됨에 따라, 상기 지지부재(4)는 상기 기판(2)에 형성되어 있는 관통공(22) 외측에서 상기 기판(2)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 수용공(41)에는 상기 엘이디 칩(3), 상기 연결부재(31), 상기 기판(2)의 일부, 상기 금속패턴(21), 상기 관통공(22), 및 상기 방열판(6)의 일부가 위치될 수 있다.As the
상기 방열판(6)이 구비됨에 따라, 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 지지되고, 상기 연결부재(31)와 상기 엘이디 칩(3)이 내측에 수용되게 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2) 및 방열판(6)에 형성될 수 있다.As the
이하에서는 본 발명에 따른 발광장치 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 12는 본 발명에 따른 발광장치 제조방법의 순서도이다.12 is a flowchart of a manufacturing method of a light emitting device according to the present invention.
도 2a 내지 도 8, 및 도 12를 참고하면, 본 발명에 따른 발광장치 제조방법은 다음과 같은 구성을 포함한다.2A to 8, and 12, a light emitting device manufacturing method according to the present invention includes the following configuration.
우선, 기판(2)에 수용공(41)을 포함하는 지지부재(4)를 형성한다(S1). 이러한 공정(S1)은 상기 몰딩부(5) 크기에 대응되는 크기로 상기 기판(2)에 상기 지지부재(4)를 형성시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 지지부재(4)는 스크린프린터에 의해 상기 기판(2)에 인쇄됨으로써 형성될 수 있고, 에폭시(Epoxy)로 제조될 수 있다.First, the supporting
상기 공정(S1)을 통해 형성되는 상기 지지부재(4)는, 도 3b에 도시된 바와 같이, 단면 폭(D)이 0.3~0.4 mm 이고, 단면 높이(H)가 0.13~0.15 mm로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(4)는 폐쇄된 고리 형태로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3B, the
다음, 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2)에 엘이디 칩(3)을 실장한다(S2). 이러한 공정(S2)에 의해, 상기 엘이디 칩(3)은 상기 지지부재(4) 내측, 즉 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2)에 실장될 수 있다. 상기 엘이디 칩(3)은 상기 기판(2)에 형성되어 있는 금속패턴(21)에 실장될 수 있다. 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2)에는 엘이디 칩(3)이 복수개 실장될 수 있다.Next, the
다음, 상기 기판(2)에 형성되어 있는 금속패턴(21)과 상기 엘이디 칩(3)을 연결부재(31)로 연결한다(S3). 이러한 공정(S3)에 의해 상기 엘이디 칩(3)은 상기 연결부재(31)를 매개로 하여 상기 금속패턴(21)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2)에 복수개의 엘이디 칩(3)이 실장된 경우, 상기 엘이디 칩(3)들은 각각 상기 연결부재(31)들을 매개로 하여 상기 금속패턴(21)들과 전기적으로 연결될 수 있다.Next, the
다음, 상기 연결부재(31)와 상기 엘이디 칩(3)이 내측에 수용되게 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2) 위에 몰딩부(5)를 형성하되, 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4)에 지지되게 형성한다(S4).Next, a
이러한 공정(S4)에 의해, 상기 몰딩부(5)는 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2), 즉 상기 지지부재(4) 내측에 위치하는 기판(2) 위에 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 의해 정하여지는 크기 및 형태로 상기 기판(2)에 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 지지되어서, 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2) 위에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 지지되어 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어나지 않게 상기 기판(2)에 형성될 수 있다. 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2)에 복수개의 엘이디 칩(3)이 실장된 경우, 상기 몰딩부(5)는 상기 연결부재(31)들과 상기 엘이디 칩(3)들이 내측에 수용되게 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2)에 형성될 수 있다.By this step (S4), the
상기 공정(S4)에 의해, 상기 몰딩부(5)는 상기 기판(2) 위쪽으로 돌출되는 반구 형태로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 상기 기판(2) 위쪽으로 돌출되는 반원 형태의 단면을 이루며 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩부(5)는 반구 형태 외에 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 몰딩부(5)는 그 단면이 반원 형태를 이루며 길이 방향으로 길게 형성되는 바(bar) 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩부(5) 내측에는 복수개의 연결부재(31) 및 복수개의 엘이디 칩(3)이 위치될 수 있다.By the process S4, the
상기 공정(S4)에서, 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Epoxy)에 경화제, 실리카흄(Silica Fume), 및 인광체(Phosphor)가 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Expoxy) 50중량부(wt%)에 경화제 50중량부(wt%)가 첨가된 제1혼합물, 상기 제1혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제1혼합물에 실리카흄(Silica Fume) 2중량부(wt%)가 첨가된 제2혼합물, 상기 제2혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제2혼합물에 인광체(Phosphor)가 4중량부(wt%) 첨가된 제3혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 제3혼합물은 점도가 1200~1800 cps 일 수 있다.In the step S4, the
상기 공정(S4)에서, 상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone)에 경화제, 실리카흄(Silica Fume), 및 인광체(Phosphor)가 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone) 50중량부(wt%)에 경화제 50중량부(wt%)가 첨가된 제1혼합물, 상기 제1혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제1혼합물에 실리카흄(Silica Fume) 2중량부(wt%)가 첨가된 제2혼합물, 상기 제2혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제2혼합물에 인광체(Phosphor)가 4중량부(wt%) 첨가된 제3혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 제3혼합물은 점도가 2500~2800 cps 일 수 있다.In the step (S4), the
다음, 상기 몰딩부(5)를 경화시킨다(S5). 이러한 공정(S5)은 상기 몰딩부(5)를 오븐경화 방식에 의해 경화시킴으로써 이루어질 수 있다.Next, the
이하에서는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a method of manufacturing a light emitting device according to a modified embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 13은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치 제조방법의 순서도이다.13 is a flowchart illustrating a light emitting device manufacturing method according to a modified embodiment of the present invention.
도 9 내지 도 11, 및 도 13을 참고하면, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발 광장치 제조방법은 다음과 같은 구성을 포함한다.9 to 11 and 13, the light emitting device manufacturing method according to a modified embodiment of the present invention includes the following configuration.
우선, 방열판(6)에 적어도 하나의 관통공(22)이 형성되어 있는 기판(2)을 결합시킨다(S10). 이러한 공정(S10)은 상기 방열판(6)의 상면을 상기 기판(2)의 저면에 결합시킴으로써 이루어질 수 있다. 이러한 공정(S10)에 의해, 상기 방열판(6)의 상면 중 일부는 상기 기판(2)에 형성되어 있는 관통공(22)을 통해 상기 기판(2)의 상면으로 노출될 수 있다.First, the
다음, 상기 관통공(22) 외측에 지지부재(4)가 위치되도록, 상기 기판(2)에 수용공(41)을 포함하는 지지부재(4)를 형성한다(S11). Next, the
이러한 공정(S11)은 상기 몰딩부(5) 크기에 대응되는 크기로 상기 기판(2)에 상기 지지부재(4)를 형성시킴으로써 이루어질 수 있다. 상기 지지부재(4)는 상기 관통공(22) 외측에서 상기 기판(2)에 형성될 수 있다. 상기 지지부재(4)는 스크린프린터에 의해 상기 기판(2)에 인쇄됨으로써 형성될 수 있고, 에폭시(Epoxy)로 제조될 수 있다.The process S11 may be performed by forming the
상기 공정(S11)을 통해 형성되는 상기 지지부재(4)는, 도 3b에 도시된 바와 같이, 단면 폭(D)이 0.3~0.4 mm 이고, 단면 높이(H)가 0.13~0.15 mm로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(4)는 폐쇄된 고리 형태로 형성될 수 있다.The
다음, 상기 관통공(22)을 통해 노출되는 상기 방열판(6)에 상기 엘이디 칩(3)을 실장한다(S12). 이러한 공정(S12)에 의해, 상기 엘이디 칩(3)은 상기 지지부재(4) 내측, 즉 상기 수용공(41)에 위치하는 방열판(6)에 실장될 수 있다. 상기 수용공(41)에 위치하는 방열판(6)에는 엘이디 칩(3)이 복수개 실장될 수 있다.Next, the
다음, 상기 기판(2)에 형성되어 있는 금속패턴(21)과 상기 엘이디 칩(3)을 연결부재(31)로 연결한다(S13). 이러한 공정(S13)에 의해, 상기 방열판(6)에 실장되어 있는 엘이디 칩(3)은 상기 연결부재(31)를 매개로 하여 상기 기판(2)에 형성되어 있는 금속패턴(21)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 수용공(41)에 위치하는 방열판(6)에 복수개의 엘이디 칩(3)이 실장된 경우, 상기 엘이디 칩(3)들은 각각 상기 연결부재(31)들을 매개로 하여 상기 금속패턴(21)들과 전기적으로 연결될 수 있다.Next, the
다음, 상기 연결부재(31)와 상기 엘이디 칩(3)이 내측에 수용되게 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2) 및 방열판(6)에 몰딩부(5)를 형성하되, 상기 몰딩부(5)가 상기 지지부재(4)에 지지되게 형성한다(S14).Next, the
이러한 공정(S14)에 의해, 상기 몰딩부(5)는 상기 수용공(41)에 위치하는, 즉 상기 상기 지지부재(4) 내측에 위치하는 기판(2) 및 방열판(6)에 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 의해 정하여지는 크기 및 형태로 상기 기판(2)에 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 지지되어서, 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2) 및 방열판(6) 위에만 형성될 수 있다. 즉, 상기 몰딩부(5)는 상기 지지부재(4)에 지지되어 상기 지지부재(4) 외측으로 벗어나지 않게 상기 기판(2) 및 상기 방열판(6)에 형성될 수 있다. 상기 방열판(6)에 복수개의 엘이디 칩(3)이 실장된 경우, 상기 몰딩부(5)는 상기 연결부재(31)들과 상기 엘이디 칩(3)들이 내측에 수용되게 상기 수용공(41)에 위치하는 기판(2) 및 방열판(6)에 형성될 수 있다.By this step (S14), the
상기 공정(S14)에 의해, 상기 몰딩부(5)는 상기 기판(2) 위쪽으로 돌출되는 반구 형태로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 상기 기판(2) 위쪽으로 돌출되는 반원 형태의 단면을 이루며 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩부(5)는 반구 형태 외에 다른 형태로 형성될 수도 있다. 상기 몰딩부(5)는 그 단면이 반원 형태를 이루며 길이 방향으로 길게 형성되는 바(bar) 형태로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 몰딩부(5) 내측에는 복수개의 연결부재(31) 및 복수개의 엘이디 칩(3)이 위치될 수 있다.By the process S14, the
상기 공정(S14)에서, 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Epoxy)에 경화제, 실리카흄(Silica Fume), 및 인광체(Phosphor)가 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 에폭시(Expoxy) 50중량부(wt%)에 경화제 50중량부(wt%)가 첨가된 제1혼합물, 상기 제1혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제1혼합물에 실리카흄(Silica Fume) 2중량부(wt%)가 첨가된 제2혼합물, 상기 제2혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제2혼합물에 인광체(Phosphor)가 4중량부(wt%) 첨가된 제3혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 제3혼합물은 점도가 1200~1800 cps 일 수 있다.In the step S14, the
상기 공정(S14)에서, 상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone)에 경화제, 실리카흄(Silica Fume), 및 인광체(Phosphor)가 첨가된 혼합물로부터 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(5)는 실리콘(Silicone) 50중량부(wt%)에 경화제 50중량부(wt%)가 첨가된 제1혼합물, 상기 제1혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제1혼합물에 실리카흄(Silica Fume) 2중량부(wt%)가 첨가된 제2혼합물, 상기 제2혼합물을 100중량부(wt%)라 할 때 상기 제2혼합물에 인광체(Phosphor)가 4중량부(wt%) 첨가된 제3혼 합물로부터 형성될 수 있다. 상기 제3혼합물은 점도가 2500~2800 cps 일 수 있다.In the step S14, the
다음, 상기 몰딩부(5)를 경화시킨다(S15). 이러한 공정(S15)은 상기 몰딩부(5)를 오븐경화 방식에 의해 경화시킴으로써 이루어질 수 있다.Next, the
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and alterations are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those who have knowledge.
도 1은 종래 기술에 따른 발광장치의 개략적인 평면도1 is a schematic plan view of a light emitting device according to the prior art;
도 2a는 본 발명에 따른 발광장치의 사시도2A is a perspective view of a light emitting device according to the present invention;
도 2b는 도 2a의 A-A 단면도FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 2A
도 3a 내지 도 6은 본 발명에 따른 발광장치의 제조과정을 개략적으로 나타낸 사시도 및 A-A 단면도3A to 6 are perspective views and A-A cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of the light emitting device according to the present invention.
도 7 및 도 8은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치를 개략적으로 나타낸 사시도7 and 8 are perspective views schematically showing a light emitting device according to a modified embodiment of the present invention;
도 9는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치의 사시도9 is a perspective view of a light emitting device according to a modified embodiment of the present invention;
도 10은 도 9의 B부분에서 몰딩부를 제외한 구성을 확대하여 나타낸 확대도FIG. 10 is an enlarged view illustrating an enlarged configuration except for a molding part in part B of FIG. 9;
도 11은 도 9의 B부분에 대한 A-A 단면도FIG. 11 is a sectional view taken along the line A-A of part B of FIG.
도 12는 본 발명에 따른 발광장치 제조방법의 순서도12 is a flow chart of a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention.
도 13은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 발광장치 제조방법의 순서도13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to a modified embodiment of the present invention.
Claims (23)
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