KR101031957B1 - Package for Light emitting diode - Google Patents

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KR101031957B1 KR1020090064143A KR20090064143A KR101031957B1 KR 101031957 B1 KR101031957 B1 KR 101031957B1 KR 1020090064143 A KR1020090064143 A KR 1020090064143A KR 20090064143 A KR20090064143 A KR 20090064143A KR 101031957 B1 KR101031957 B1 KR 101031957B1
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Abstract

본 발명은 발광다이오드용 패키지에 관한 것이다.

본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지는, LED 칩(100)이 내부에 설치되고 LED 칩(100)에서 발광하는 빛을 외부로 안내하는 금속하우징(20)과 일측이 금속하우징(20)의 내부에 배치되어 LED칩(100)에 전기적으로 접속되고 타측이 금속하우징(20)의 외부에 배치되는 리드 프레임(40) 및 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)을 접합하는 접합 부재를 포함하고, 금속하우징(20)과 리드 프레임(40) 중에 어느 하나의 표면에는 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)이 접촉되는 부분이 절연되도록 세라믹층(20b)이 형성되는 것을 포함한다.

Figure R1020090064143

발광다이오드, 패키지, LED, 조명, 방열, 금속층, 절연층, MAO

The present invention relates to a package for a light emitting diode.

In the LED package 100 according to the first embodiment of the present invention, the LED chip 100 is installed therein and the metal housing 20 for guiding light emitted from the LED chip 100 to the outside and one side of the metal housing ( 20 is a junction that is connected to the lead frame 40 and the metal housing 20 and the lead frame 40 which is disposed inside the electrical connection to the LED chip 100 and the other side is disposed outside the metal housing 20. And a ceramic layer 20b formed on the surface of any one of the metal housing 20 and the lead frame 40 so as to insulate a portion where the metal housing 20 and the lead frame 40 are in contact with each other. do.

Figure R1020090064143

Light Emitting Diode, Package, LED, Lighting, Heat Dissipation, Metal Layer, Insulation Layer, MAO

Description

발광다이오드용 패키지{Package for Light emitting diode}Package for Light emitting diodes

본 발명은 발광다이오드용 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광다이오드(LED) 칩이 설치되어 LED 조립체가 구성될 수 있도록 하는 발광다이오드용 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a package for a light emitting diode, and more particularly, to a package for a light emitting diode in which a light emitting diode (LED) chip is installed so that an LED assembly can be configured.

일반적으로 발광다이오드(LED: Light-Emitting Diode 이하 'LED'이라 한다)는 광원소자로 이용될 수 있고, 좀 더 구체적인 적용사례로서 각종 전기전자 제품, 산업기계 등에 설치되어 계기판, 조작부 등을 조명하여 쉽고 빠르게 알아차리도록 하거나, 램프(형광등, 백열등, 가로등 등)를 대체하여 순수한 조명기기로 이용되기도 한다.In general, a light emitting diode (LED) may be used as a light source element, and as a more specific application example, is installed in various electric and electronic products, industrial machines, and the like to illuminate an instrument panel and an operation panel. It can be easily and quickly noticed, or it can be used as a pure luminaire by replacing a lamp (fluorescent lamp, incandescent lamp, street lamp, etc.).

그러나 LED는 빛을 발광하면서 열이 많이 발생하고, 특히 고출력의 LED는 매우 높은 온도까지 열이 발생하며, 이러한 발열을 LED의 자체 수명을 단축시키거나 효율을 저하시킴은 물론 LED의 주변에 설치된 다른 부속품에도 악영향을 끼치는 문제점이 있다.However, LEDs emit a lot of heat while emitting light, and especially high-power LEDs generate heat up to very high temperatures, which can reduce the LED's own life or reduce its efficiency, as well as other factors installed around the LED. There is also a problem that adversely affects the accessories.

또한, 종래에는 LED가 설치되는 하우징이 합성수지의 재질로 제공되는데 이 러한 수지는 방열의 효율이 극히 떨어지는 문제점이 있다.In addition, conventionally, the housing in which the LED is installed is provided with a material of synthetic resin. Such a resin has a problem that the efficiency of heat radiation is extremely low.

상술한 문제점을 해소하기 위해서 LED에서 발생한 열을 더욱 신속하고 효과적으로 방열하기 위해 LED 방열장치가 연구 개발이 진행되고 있다.In order to solve the above problems, LED heat dissipation devices are being researched and developed to more quickly and effectively dissipate heat generated from LEDs.

LED의 방열에 관한 종래에 기술로서 등록특허 제10-0688626호 '발광다이오드용 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛'이 있다.Conventional technology regarding heat dissipation of LEDs is disclosed in Korean Patent No. 10-0688626 "Light Emitting Diode Package and Backlight Unit Using the Same".

상술한 패키지는 하우징의 하측에 통공을 형성하고 그 통공에 금속리드를 배치하며 하우징의 하측에 히트 싱크를 배치하는 구성이다.The package described above is configured to form a through hole in the lower side of the housing, arrange a metal lead in the through hole, and arrange a heat sink under the housing.

또한, 하우징의 내부에는 LED를 설치하고 상술한 LED와 상술한 금속리드는 전기적으로 통전하도록 와이어 본딩(wire bonding)이 이루어진다.In addition, the LED is installed inside the housing, and the above-described LED and the metal lead are wire bonded to electrically conduct electricity.

즉, LED에서 발열되는 열기는 하우징을 통하여 전도되고 전도된 열기는 히트 싱크를 통해 냉각되는 구성이다.That is, the heat generated from the LED is conducted through the housing and the conducted heat is cooled by the heat sink.

상술한 종래의 패키지는 하우징과 금속리드는 도체로서 절연할 필요가 있고, 이때 절연을 하는 수단으로서 부도체인 글라스 또는 절연성 고분자로 이루어진다.The above-mentioned conventional package needs to insulate the housing and the metal lead as a conductor, and is made of glass or an insulating polymer which is a non-conductor as a means for insulation.

즉, 금속리드의 단부를 감싼 형태로 글라스 또는 절연성 고분자가 배치되고 이러한 글라스 또는 절연성 고분자는 상술한 하우징의 통공에 채워져 고착되는 것이다.That is, the glass or insulating polymer is disposed in the form of wrapping the end of the metal lead, and the glass or insulating polymer is filled in the through-hole of the housing described above and fixed.

그러나 상술한 종래의 패키지는 하우징과 금속리드를 일체로 구성시키면서도 통전되지 않도록 하기 위해서는 글라스 또는 절연성 고분자를 이용하는 것이고, 이때 글라스 또는 절연성 고분자가 통공을 긴밀하게 채워지기 위해서는 글라스 또는 절연성 고분자가 액상 또는 반고체상태로 상태변화를 이루도록 고온의 열을 가하는 것이며, 이때 가해지는 고온은 1000℃이상이다.However, the above-mentioned conventional package uses glass or insulating polymer to make the housing and the metal lead integral with each other but is not energized. In this case, in order for the glass or insulating polymer to fill the through hole tightly, the glass or insulating polymer is liquid or semisolid. The high temperature heat is applied to achieve a state change in a state, and the high temperature applied is 1000 ° C. or more.

즉, 종래의 패키지는 1000℃이상의 고온을 가해주는 장비와 공정과 시간이 필요하게 됨으로써 제조공정이 무척 복잡해지는 문제점이 있다.That is, the conventional package has a problem that the manufacturing process is very complicated because the equipment and the process and time for applying a high temperature of more than 1000 ℃ is required.

또한, 상술한 바와 같은 고온은 하우징의 기계적인 성질이 변형될 수 있고, LED의 수명 또는 효율이 저하되는 문제점이 있다.In addition, the high temperature as described above may deform the mechanical properties of the housing, there is a problem that the lifetime or efficiency of the LED is reduced.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광다이오드용 패키지에서 하우징과 리드 프레임 중에 어느 하나에 세라믹층을 형성시켜 하우징과 리드프레임 사이에 절연될 수 있도록 함으로써 LED로부터 발생하는 열을 효율적으로 방출하면서도 하우징과 리드 프레임의 접합공정을 간소화시킬 수 있는 발광다이오드용 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to form a ceramic layer in any one of the housing and the lead frame in the package for the light emitting diode to be insulated between the housing and the lead frame by efficiently dissipating heat generated from the LED An object of the present invention is to provide a package for a light emitting diode that can simplify the bonding process of the lead frame.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the technical problem mentioned above, another technical problem that is not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광다이오드용 패키지 는, LED 칩이 내부에 설치되고 상기 LED 칩에서 발광하는 빛을 외부로 안내하는 금속하우징;과 일측이 상기 금속하우징의 내부에 배치되어 상기 LED칩에 전기적으로 접속되고 타측이 상기 금속하우징의 외부에 배치되는 리드 프레임; 및 상기 금속하우징과 상기 리드 프레임을 접합하는 접합 부재를 포함하고, 상기 금속하우징과 상기 리드 프레임 중에 어느 하나의 표면에는 상기 금속하우징과 상기 리드 프레임이 접촉되는 부분이 절연되도록 세라믹층이 형성되는 것을 포함한다.Package for a light emitting diode according to the present invention for achieving the technical problem, the LED chip is installed inside and the metal housing for guiding the light emitted from the LED chip to the outside; and one side is disposed inside the metal housing A lead frame electrically connected to the LED chip and having a second side disposed outside the metal housing; And a joining member for joining the metal housing and the lead frame, wherein a ceramic layer is formed on a surface of any one of the metal housing and the lead frame to insulate a portion where the metal housing and the lead frame contact each other. Include.

또한, 상기 접합 부재는, 상기 금속하우징과 상기 리드 프레임의 사이에 배치되고 용융된 후에 경화되어 상기 금속하우징과 상기 리드 프레임을 접합시키는 용융금속 부재인 것일 수 있다.In addition, the bonding member may be a molten metal member disposed between the metal housing and the lead frame and melted and then cured to bond the metal housing to the lead frame.

또한, 상기 접합 부재는, 상기 금속하우징과 상기 리드 프레임에 주입된 후에 경화되어 상기 금속하우징과 상기 리드 프레임을 접합시키는 수지인 것일 수 있다.In addition, the bonding member may be a resin that is cured after being injected into the metal housing and the lead frame to bond the metal housing and the lead frame.

또한, 상기 리드 프레임의 한쪽에는 용융된 상기 수지가 상기 금속하우징과 상기 리드 프레임의 사이에 유입되도록 통공이 형성된 것일 수 있다.In addition, a hole may be formed at one side of the lead frame such that the molten resin flows between the metal housing and the lead frame.

또한, 상기 세라믹층은 상기 리드 프레임의 표면에 형성되고, 상기 세라믹층의 일부가 제거되어 상기 LED 칩과 전기적으로 연결되도록 리드 베이스의 한쪽에 제1 세라믹층 제거부가 형성되며, 기판에 형성되는 패턴과 전기적으로 연결되도록 리드 플레이트의 한쪽에 제2 세라믹층 제거부가 형성되는 것일 수 있다.In addition, the ceramic layer is formed on the surface of the lead frame, a portion of the ceramic layer is removed, the first ceramic layer removing portion is formed on one side of the lead base to be electrically connected to the LED chip, the pattern formed on the substrate The second ceramic layer removing unit may be formed on one side of the lead plate so as to be electrically connected to the lead plate.

또한, 상기 세라믹층은, 산화마그네슘(MgO)층 또는 산화알루미늄(Al2O3)층일 수 있다.In addition, the ceramic layer may be a magnesium oxide (MgO) layer or an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) layer.

또한, 상기 세라믹층은, 플라즈마 전해 산화(Plasma Electrolytic Oxidation)처리되어 형성되는 것일 수 있다.In addition, the ceramic layer may be formed by plasma electrolytic oxidation.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 따른 발광다이오드용 패키지는 하우징과 리드 프레임 중에 어느 한쪽에는 세라믹층을 형성시킴으로써 하우징과 리드 프레임이 접촉되는 부분이 세라믹층에 의해 절연이 되고, 이에 의해 접합부재를 하우징과 리드프레임을 접합시킬 수 있어 절연성 접합부재 또는 비절연성 접합부재 중 최적의 접합부재를 선별적으로 선택할 수 있고 이로써 접합공정을 간소화시킬 수 있다.In the package for a light emitting diode according to the present invention made as described above, a ceramic layer is formed on either of the housing and the lead frame, so that the part where the housing and the lead frame contact is insulated by the ceramic layer, thereby housing the bonding member. And the lead frame can be joined to selectively select an optimal bonding member among the insulating bonding member or the non-insulating bonding member, thereby simplifying the bonding process.

또한, 본 발명의 따른 발광다이오드용 패키지는 LED 칩에서 발생하는 열은 금속재질의 금속하우징에 전도되므로 방열이 우수하여 LED 칩의 수명이 비정상적으로 단축되는 것을 방지하여 LED 칩의 높은 효율을 더욱 긴 시간 동안 유지시킬 수 있다.In addition, the LED package according to the present invention heat is generated from the LED chip is conducted to the metal housing of the metal material, so that excellent heat dissipation prevents the life of the LED chip is abnormally shortened to further increase the high efficiency of the LED chip Can be maintained for hours.

또한, 본 발명의 따른 발광다이오드용 패키지는 용융금속 부재를 이용하여 하우징과 리드 프레임을 접합하는 것으로서 종래에는 1000℃의 고온을 구현시키는 것에 비교하여 본 발명은 상대적으로 낮은 400℃의 온도에서 용융되어 하우징과 리 드프레임을 접합시킴으로써 접합 공정을 간소화함은 물론 비용과 시간을 절감할 수 있다.In addition, the package for the light emitting diode according to the present invention is to join the housing and the lead frame using a molten metal member, the present invention is melted at a relatively low temperature of 400 ℃ compared to the conventional high temperature of 1000 ℃ Joining the housing and the leadframe simplifies the joining process and saves time and money.

또한, 본 발명의 따른 발광다이오드용 패키지는 수지를 이용하여 하우징과 리드 프레임을 접합하는 것으로서 액상의 수지를 주입할 수 있는 것으로 인서트 사출이 가능하여 공장자동화에 의해 생산이 가능하게 되어 종래의 발광다이오드용 패키지에 비교하여 대량생산이 가능할 수 있다.In addition, the light emitting diode package according to the present invention is to join the housing and the lead frame by using a resin to inject a liquid resin to insert the injection can be produced by factory automation, so that the conventional light emitting diode It may be possible to mass-produce compared to the package.

또한, 본 발명의 따른 발광다이오드용 패키지는 리드 프레임에 통공이 형성됨으로써 접합부재가 액상인 상태에서 통공을 통해 유통될 수 있으므로 접합부재는 금속하우징과 리드 프레임을 더욱 긴밀하게 접합시킬 수 있다.In addition, the package for the light emitting diode according to the present invention is formed through the lead frame can be circulated through the hole in the bonding member in the liquid state, the bonding member can be more closely bonded to the metal housing and the lead frame.

또한, 본 발명의 따른 발광다이오드용 패키지는 하우징에 비교하여 표면적이 좁은 리드 프레임에 세라믹층을 형성시킴으로써 세라믹층을 형성시킴에 따른 비용과 시간을 절감할 수 있고, 전기적으로 접속되는 부분에 세라믹층을 제거함으로써 전기적인 전도도가 저하되지 않아 전기저항을 줄일 수 있다.In addition, the package for a light emitting diode according to the present invention can reduce the cost and time of forming a ceramic layer by forming a ceramic layer in a lead frame with a narrow surface area compared to the housing, and the ceramic layer in the electrically connected portion By eliminating the electrical conductivity is not lowered can reduce the electrical resistance.

또한, 본 발명의 따른 발광다이오드용 패키지는 세라믹층은 플라즈마 전해 산화 처리되어 형성됨으로써 방열성능을 향상시킬 수 있다.In addition, in the LED package according to the present invention, the ceramic layer is formed by plasma electrolytic oxidation, thereby improving heat dissipation performance.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지에 대해서 설명한다.Hereinafter, a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

첨부도면 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 부분단면 예시도면이고, 첨부도면 도 2는 도 1의 "A"부 상세도면이며, 첨부도면 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시도면으로서 하우징과 리드 프레임을 분리시켜 보인 도면이고, 첨부도면 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시 단면도면이다.1 is a partial cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a detailed view of portion “A” of FIG. 1, and FIG. Exemplary drawings for explaining a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention is a view showing a housing and a lead frame separated, Figure 4 is a description of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention It is an example sectional surface for the following.

본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지(10)는 도 1, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 금속하우징(20)과 복수개의 리드 프레임(40)이 접합 부재에 의해 일체로 접합되어 구성되는 것일 수 있다.In the light emitting diode package 10 according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 1, 3, and 4, the metal housing 20 and the plurality of lead frames 40 are integrally bonded by a bonding member. It may be configured.

상술한 금속하우징(20)은 도 1, 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 베이스(22)에 복수 개의 설치 홀(24)이 형성된다.In the metal housing 20 described above, a plurality of mounting holes 24 are formed in the base 22 as shown in FIGS. 1, 3, and 4.

또한, 상술한 복수 개의 설치 홀(24)의 외측단부에는 각각 시트(26)가 형성될 수 있고, 이때 시트(26)의 단면적은 복수 개의 설치 홀(24)의 단면적보다 넓을 수 있다.In addition, a sheet 26 may be formed at each of the outer end portions of the plurality of installation holes 24 described above, and the cross-sectional area of the sheet 26 may be wider than that of the plurality of installation holes 24.

또한, 금속하우징(20)의 한쪽에는 개구부(28)가 더 형성될 수 있고, 개구부(28)는 상술한 시트(26)와 연통될 수 있다.In addition, an opening 28 may be further formed on one side of the metal housing 20, and the opening 28 may be in communication with the sheet 26 described above.

또한, 상술한 금속하우징(20)은 도 2에 나타낸 바와 같이 금속층(20a)의 표면에 세라믹층(20b)이 형성될 수 있다.In addition, in the metal housing 20 described above, a ceramic layer 20b may be formed on the surface of the metal layer 20a.

특히 상술한 세라믹층(20b)은 플라즈마 전해 산화(Plasma Electrolytic Oxidation)처리되어 세라믹 피막이 형성되는 것일 수 있다.In particular, the above-described ceramic layer 20b may be formed by forming a ceramic film by plasma electrolytic oxidation.

여기서, 상기 플라즈마 전해 산화 처리란 MAO(Micro-Arc Oxidation)라고도 불리는 코팅법으로서, 전해액속에서 금속면에 플라즈마 방전을 유도하여 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg) 같은 금속 표면을 세라믹으로 전이시키는 방법을 말한다.Here, the plasma electrolytic oxidation treatment is a coating method, also referred to as MAO (Micro-Arc Oxidation), induces a plasma discharge to the metal surface in the electrolyte solution to the metal surface such as aluminum (Al), titanium (Ti), magnesium (Mg) The method of transferring to ceramic.

또한, 상술한 플라즈마 전해 산화 처리는 알루미늄 또는 마그네슘 등 경금속의 표면에 세라믹을 코팅하여 알루미늄과 세라믹이 갖는 특성을 복합시켜서 새로운 기능을 얻게 하는 기술로서, 전해액 중에 가공품을 양극으로 하고 전력을 공급하면 소재표면에 피막이 생성되고, 공급하는 에너지에 의하여 피막이 국소적으로 파괴시켜 그때에 그 주위에 있는 석출물이 고화하여 세라믹화시키며, 이러한 과정이 반복되면서 피막이 점차 성장하여 전해가 끝난 시점에서는 완전한 세라믹피막 층이 형성되는 것이다.In addition, the above-mentioned plasma electrolytic oxidation treatment is a technique of obtaining a new function by coating ceramics on the surface of light metals such as aluminum or magnesium to combine the characteristics of aluminum and ceramics. The film is formed on the surface, and the film is locally destroyed by the supplied energy, and the precipitates around it solidify and ceramicize.As this process is repeated, the film is gradually grown and the complete ceramic film layer is formed at the end of electrolysis. It is formed.

상술한 세라믹 피막에 의한 세라믹층(20b)은 절연의 성질을 갖는 것으로써 금속하우징(20)의 금속층(20a)은 도체가 접촉하더라도 세라믹층(20b)에 의해 절연되어 통전되지 않는 것이다.The ceramic layer 20b by the ceramic film described above has an insulating property, so that the metal layer 20a of the metal housing 20 is insulated by the ceramic layer 20b and is not energized even when the conductor contacts.

상술한 금속하우징(20)이 마그네슘(MgO)로 제작될 경우, 상술한 세라믹층(20b)은 마그네슘(Mg)를 플라즈마 전해 산화 처리하여 세라믹으로 전이된 산화마그네슘(MgO)층으로 구성되고, 상술한 금속하우징(20)이 알루미늄(Al)으로 제작될 경우, 상술한 세라믹층(20b)은 알루미늄(Al)을 플라즈마 전해 산화 처리하여 세라 믹으로 전이된 산화알루미늄(Al2O3)층으로 구성될 수 있다. When the metal housing 20 is made of magnesium (MgO), the ceramic layer (20b) is composed of a magnesium oxide (MgO) layer transitioned to ceramic by plasma electrolytic oxidation of magnesium (Mg), When one metal housing 20 is made of aluminum (Al), the ceramic layer 20b described above is composed of an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) layer transferred to ceramic by plasma electrolytic oxidation of aluminum (Al). Can be.

또한, 상술한 베이스(22)의 상측에 반사면(30)이 형성될 수 있고, 반사면(30)의 주연부에는 렌즈 설치부(32)가 형성될 수도 있다.In addition, the reflective surface 30 may be formed on the upper side of the base 22 described above, and the lens mounting portion 32 may be formed on the periphery of the reflective surface 30.

상술한 반사면(30)은 LED 칩(100)에서 발광하는 빛을 안내하는 것으로서, 상측이 넓고 하측이 좁은 상광하협 형상으로 형성될 수 있고, 이로써 베이스(22)의 상측에 LED 칩(100)이 실장된 후에 LED 칩(100)에서 발광하는 빛이 사방으로 난반사될 수 있다.The above-described reflective surface 30 guides the light emitted from the LED chip 100, and may be formed in the upper and lower narrow upper light narrowing shapes, and thus the LED chip 100 on the base 22. After the mounting, the light emitted from the LED chip 100 may be diffusely reflected in all directions.

상술한 복수 개의 리드 프레임(40)의 구성은 첨부도면 도 3 및 도 4를 참조하여 좀 더 상세하게 설명한다.The configuration of the plurality of lead frames 40 described above will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4.

도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 리드 프레임(40)은 다중으로 절곡되어 리드 베이스(42)와 리드 플레이트(46)를 형성하고, 상술한 리드 베이스(42)와 리드 플레이트(46)는 연결 절곡부(44)에 의해 연결될 수 있다.3 and 4, the lead frame 40 is multiplely bent to form a lead base 42 and a lead plate 46, and the above-described lead base 42 and lead plate 46 are connected and bent. It can be connected by means 44.

또한, 상술한 연결 절곡부(44)의 한쪽에는 통공(45)이 더 형성될 수 있고, 상술한 리드 베이스(42)의 타측에 단부 절곡부(48)가 더 형성될 수도 있다.In addition, a through hole 45 may be further formed on one side of the above-described connection bent portion 44, and an end bent portion 48 may be further formed on the other side of the above-described lead base 42.

상술한 리드 프레임(40)은 도 1 및 도 4에 나타낸 바와 같이 상술한 복수 개의 설치 홀(24)에 삽입되어 설치될 수 있고, 이때 리드 베이스(42)는 베이스(22)의 표면과 동일한 레벨로 배치될 수 있으며 리드 플레이트(46)는 금속하우징(20)의 외측으로 돌출되게 배치될 수 있다.The lead frame 40 described above may be inserted into and installed in the plurality of installation holes 24 described above, as shown in FIGS. 1 and 4, where the lead base 42 is at the same level as the surface of the base 22. The lead plate 46 may be disposed to protrude to the outside of the metal housing 20.

이때, 상술한 리드 플레이트(46)는 금속하우징(20)의 한쪽에 형성된 개구부(28)를 통과할 수 있고, 이로써 금속하우징(20)의 저면과 리드 플레이트(46)의 저면이 동일한 레벨로 배치될 수도 있다.In this case, the above-described lead plate 46 may pass through the opening 28 formed in one side of the metal housing 20, whereby the bottom surface of the metal housing 20 and the bottom surface of the lead plate 46 are disposed at the same level. May be

또한, 상술한 리드 플레이트(46)는 인쇄회로기판 등에 실장된 후에 본딩(bonding)될 수 있고, 특히 금속하우징(20)의 저면은 인쇄회로기판 등에 직접 닿을 수도 있는 것이다.In addition, the above-described lead plate 46 may be bonded after being mounted on a printed circuit board. In particular, the bottom surface of the metal housing 20 may directly contact the printed circuit board.

상술한 접합 부재는 일례로서 브레이징(brazing) 접합 방식에 의한 접합일 수 있다.The bonding member described above may be, for example, a bonding by a brazing bonding method.

즉, 상술한 접합 부재는, 용융점이 400℃이하인 용융금속 부재(50)를 용융시켜 모재인 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40)을 용융시키기지 않고 접합하는 것일 수 있다.That is, the above-described joining member may be formed by melting the molten metal member 50 having a melting point of 400 ° C. or less without melting the metal housing 20 and the lead frame 40 as the base materials.

상술한 용융금속 부재(50)는 도 3에 나타낸 바와 같이 중앙에 삽입 홀(52)이 형성되어 있고, 삽입 홀(52)에는 상술한 리드 프레임(40)의 리드 베이스(42)가 끼워지며, 이때 상술한 연결 절곡부(44) 또는 단부 절곡부(48)에 얹히는 형태로 결합될 수 있다.In the molten metal member 50 described above, an insertion hole 52 is formed in the center as shown in FIG. 3, and the lead base 42 of the lead frame 40 described above is fitted into the insertion hole 52. At this time, it can be coupled in the form to be mounted on the above-described connection bent portion 44 or the end bent portion (48).

또한, 상술한 용융금속 부재(50)는 상술한 금속하우징(20)의 시트(26)에 안착되어 배치될 수 있다.In addition, the above-described molten metal member 50 may be seated on the sheet 26 of the metal housing 20 described above.

상술한 용융금속 부재(50)는 일례로 납, 주석합금 등이 있을 수 있다.For example, the molten metal member 50 may include lead, tin alloy, or the like.

따라서 종래의 예에서처럼 글라스 등을 용융시키기 위해 1000℃이상의 고온 을 가하지 않고서도 본 발명의 실시예에서는 비교적 저온인 400℃의 온도에서 접합을 시도할 수 있어서 1000℃의 고온을 구현하기위한 장비를 구비하지 않아도 되고 이로써 제조공정을 간소화할 수 있으며 또한 시간과 비용을 절약할 수 있는 것이다.Therefore, in the embodiment of the present invention can be bonded at a relatively low temperature of 400 ℃ without applying a high temperature of more than 1000 ℃ to melt the glass or the like as in the conventional example is equipped with equipment for realizing a high temperature of 1000 ℃ This can simplify the manufacturing process and save time and money.

따라서 첨부도면 도 1 및 도 4에 나타낸 바와 같이 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)이 일체로 구성된 상태에서 LED 칩(100)이 베이스(22)에 본딩 되고, 복수 개의 리드 프레임(40)은 LED 칩(100)과 와이어 본딩(102)되어 리드 프레임(40)을 통해 전기가 인가되면 그 전기는 LED 칩(100)에 통전되는 것이다.Accordingly, as shown in FIGS. 1 and 4, the LED chip 100 is bonded to the base 22 in a state in which the metal housing 20 and the lead frame 40 are integrally formed, and the plurality of lead frames 40 are attached. When the silver is applied to the LED chip 100 and the wire bonding 102 is applied through the lead frame 40, the electricity is supplied to the LED chip 100.

또한, 상술한 금속하우징(20)은 표면에 세라믹층(20a)이 형성되어 있는 것으로서 도체인 리드 프레임(40)과 직접 닿더라도 금속하우징(20)에는 전기가 통하지 않는 것이다.In addition, the above-described metal housing 20 is a ceramic layer 20a is formed on the surface of the metal housing 20, even if the direct contact with the lead frame 40 is not through the electricity.

다른 한편으로, 상술한 본 발명의 제1 실시예에서는 금속하우징(20)에 절연처리를 하였지만, 리드 프레임(40)에 절연처리를 할 수도 있으며 이는 첨부도면 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다.On the other hand, in the above-described first embodiment of the present invention, the metal housing 20 is insulated, but the lead frame 40 may be insulated, which will be described with reference to FIGS. 5 and 6. .

첨부도면 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시도면으로서 하우징과 리드 프레임을 분리시켜 보인 도면이고, 첨부도면 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시 단면도면이다.5 is a diagram illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention, in which a housing and a lead frame are separated from each other. FIG. 6 is a view illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention. An exemplary cross-sectional view for explaining a package for a light emitting diode.

도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 패키지(10) 는 금속하우징(20)에 복수 개의 설치 홀(24)이 형성되고 그 설치 홀(24)에는 복수 개의 리드 프레임(40)이 설치되며, 이때 리드 프레임(40)에 절연처리가 될 수 있다.5 and 6, in the package 10 according to the second embodiment of the present invention, a plurality of mounting holes 24 are formed in the metal housing 20, and a plurality of lead frames are formed in the mounting holes 24. 40 is installed, and the lead frame 40 may be insulated.

이때 본 발명의 제2 실시예에서의 절연처리는 상술한 본 발명의 제1 실시예에서 설명된 세라믹층(20b)을 형성시키는 구성과 동일하므로 더욱 상세한 설명은 생략한다.In this case, the insulation treatment in the second embodiment of the present invention is the same as that of forming the ceramic layer 20b described in the first embodiment of the present invention.

상술한 바와 같이 리드 프레임(40)의 표면에 세라믹층이 형성된 이후에 도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이 리드 베이스(42)와 리드플레이트(46)의 일부분에는 각각 절연층이 제거되는 제1, 제2 세라믹층 제거부(42a)(46a)가 형성될 수 있다.After the ceramic layer is formed on the surface of the lead frame 40 as described above, as shown in FIGS. 5 and 6, portions of the lead base 42 and the lead plate 46 are respectively removed from the first, Second ceramic layer removal parts 42a and 46a may be formed.

즉, 도 6에 나타낸 바와 같이 금속하우징(20)에 리드 프레임(40)이 접합되더라도 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)은 전기가 통하지 않는 것이다.That is, as shown in FIG. 6, even when the lead frame 40 is bonded to the metal housing 20, the metal housing 20 and the lead frame 40 do not conduct electricity.

또한, 리드 베이스(42)에 형성된 제1 세라믹층 제거부(42a)에는 LED 칩(100)과 와이어 본딩(102)이 될 수 있고, 리드 플레이트(46)에 형성된 제2 세라믹층 제거부(42a)는 기판(120) 또는 인쇄회로기판 등의 패턴(130)에 통전될 수 있다.In addition, the first ceramic layer removing portion 42a formed in the lead base 42 may be an LED chip 100 and a wire bonding 102, and the second ceramic layer removing portion 42a formed in the lead plate 46 may be formed. ) May be supplied to the pattern 130 of the substrate 120 or the printed circuit board.

따라서 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지(10)는 종래의 기술에 비교하여 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)을 접합시킴에 있어서 더욱 간소화된 절차에 의해 신속하게 접합시킬 수 있게 된다.Therefore, the package 10 for a light emitting diode according to the second embodiment of the present invention can be quickly bonded by a more simplified procedure in joining the metal housing 20 and the lead frame 40 as compared with the conventional technology. It becomes possible.

또한, 리드 프레임(40)의 표면에 절연층을 형성시킴으로써 금속하우징(20)에 비교하여 상대적으로 리드 프레임(40)의 표면적이 좁은 것으로 절연층을 형성시키는 비용과 시간을 절감할 수 있게 된다.In addition, by forming an insulating layer on the surface of the lead frame 40, the surface area of the lead frame 40 is relatively smaller than that of the metal housing 20, thereby reducing the cost and time for forming the insulating layer.

다른 한편으로 상술한 접합 부재는 수지에 의해 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)을 접합시킬 수 도 있고 이는 첨부도면 도 7 내지 도 9를 참조하여 설명한다.On the other hand, the above-described bonding member may bond the metal housing 20 and the lead frame 40 by resin, which will be described with reference to FIGS. 7 to 9.

첨부도면 도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 부분단면 예시도면이고, 첨부도면 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시도면으로서 하우징과 리드 프레임을 분리시켜 보인 도면이며, 첨부도면 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시 단면도면이다.7 is a partial cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view illustrating a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention. FIG. 9 is a view illustrating the housing and the lead frame separated from each other, and the accompanying drawings. FIG. 9 is an exemplary cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention.

도 7 및 도 9에 나타낸 바와 같이 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)이 조립된 상태에서 설치 홀(24) 및 시트(26)에 수지(60)가 주입되어 경화되면서 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)을 일체화시키는 것이다.As shown in FIG. 7 and FIG. 9, the resin housing 60 is injected into the installation hole 24 and the sheet 26 in the state where the metal housing 20 and the lead frame 40 are assembled, and the metal housing 20 is cured. And the lead frame 40 are integrated.

특히, 도 8에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제3 실시예에 따른 패키지(10)에서는 제1, 제2 실시예에서 용융금속 부재(50)가 배재됨을 알 수 있다.In particular, as shown in FIG. 8, it can be seen that in the package 10 according to the third embodiment of the present invention, the molten metal member 50 is excluded in the first and second embodiments.

상술한 수지(60)는 비전도성이고 경화성을 가질 수 있으며, 이러한 수지(60)는 공장자동화 공정에 의해 액상의 상태에서 자동으로 복수 개의 설치 홀(24) 또는 시트(26)에 주입될 수 있다.The resin 60 described above may be non-conductive and curable, and the resin 60 may be injected into the plurality of installation holes 24 or the sheet 26 automatically in a liquid state by a factory automation process. .

다른 한편으로 상술한 수지(60)는 주입 주사기 또는 주입 건 등을 이용하여 수작업에 의해 주입시킬 수도 있다.On the other hand, the above-described resin 60 may be injected by hand using an injection syringe or an injection gun.

또 다른 한편으로, 상술한 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)이 조립된 상태 에서 금형틀에 넣어진 후에 수지(60)를 금형틀에 주입시키는 인서트 사출기에 의해 일체로 성형될 수도 있다.On the other hand, the metal housing 20 and the lead frame 40 described above may be integrally formed by an insert injection machine for injecting the resin 60 into the mold after it is put into the mold.

또한, 상술한 수지(60)는 리드 프레임(40)에 형성된 통공(45)을 통하여 유통될 수 있고, 이때 수지(60)는 상술한 금속하우징(20)과 상술한 리드 프레임(40)을 더욱 긴밀하게 접합시킬 수 있게 된다.In addition, the above-described resin 60 may be distributed through the through-hole 45 formed in the lead frame 40, wherein the resin 60 further comprises the above-described metal housing 20 and the above-described lead frame 40. It can be closely bonded.

따라서 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지(10)는 종래의 기술에 비교하여 1000℃의 고온을 구현하지 않아도 되므로 그에 따른 공정과 시간 및 비용을 절감할 수 있고, 특히 수지(60)를 공장자동화에 의해 자동으로 주입시킬 수도 있으므로 제조공정의 자동화가 가능하게 된다.Therefore, the package 10 for a light emitting diode according to the third embodiment of the present invention does not have to implement a high temperature of 1000 ℃ compared to the prior art it is possible to reduce the process and time and cost accordingly, in particular the resin (60) ) Can be automatically injected by factory automation, which enables automation of the manufacturing process.

상술한 바와 같이 구성되는 본 발명의 제1, 제2, 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지(10)는 금속하우징(20)과 리드 프레임(40)이 접합되어 완성된 단품(單品)으로 출시될 수도 있고, 이러한 패키지(10)는 최종적으로 완성되는 제품 또는 기계에 적합하도록 후 공정이 이루어질 수 있고 그러한 적용예는 첨부도면 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한다.In the light emitting diode package 10 according to the first, second, and third embodiments of the present invention configured as described above, the metal housing 20 and the lead frame 40 are joined to each other. The package 10 may be post-processed to be suitable for the finished product or machine and such application will be described with reference to the accompanying drawings.

또한, 후 공정에서 베이스(22)의 상면에 LED 칩(100)이 다이 본딩(102)되어 고정될 수도 있다.In addition, the LED chip 100 may be die-bonded 102 and fixed to the upper surface of the base 22 in a later process.

첨부도면 도 10 내지 도 12는 본 발명의 제1, 제2, 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지(10)의 적용례를 설명하기 위한 예시도면이다.10 to 12 are exemplary views for explaining an application example of the package 10 for a light emitting diode according to the first, second, and third embodiment of the present invention.

LED 칩(100)에서 발광하는 빛을 직접 이용할 수도 있지만, 조명의 효과를 얻고자 할 때에는 도 10에 나타낸 바와 같이 렌즈(110)가 더 배치될 수 있다.Although light emitted from the LED chip 100 may be used directly, the lens 110 may be further disposed as shown in FIG. 10 to obtain the effect of illumination.

상술한 렌즈(110)는 LED 칩(100)에서 발광하는 빛을 산란시키거나 필터링하는 것일 수 있고, 빛의 조사 방향을 굴절시켜 빛을 산란시킬 수도 있다.The above-described lens 110 may be to scatter or filter the light emitted from the LED chip 100, or may be scattered by refracting the irradiation direction of the light.

또한, 패키지(10)를 기판(120)에 설치하였을 때에는 금속하우징(20)의 저면이 기판(120)에 직접 접촉할 수 있고, LED 칩(100)이 발광하여 발열되면 그 열기는 금속하우징(20)에 전열되고 곧바로 기판(120)에 전열될 수 있다.In addition, when the package 10 is installed on the substrate 120, the bottom surface of the metal housing 20 may directly contact the substrate 120, and when the LED chip 100 emits heat to generate heat, the heat may be removed from the metal housing ( 20 may be directly heated to the substrate 120.

즉, LED 칩(100)에서 발생하는 열은 금속 재질의 금속하우징(20)에 의해 전열되므로 더욱 신속하게 방열되는 것이고 이로써 LED 칩(100)이 비정상적으로 수명 단축되는 것을 방지하게 되는 것이다.That is, the heat generated from the LED chip 100 is transferred by the metal housing 20 of the metal material, so that the heat is radiated more quickly, thereby preventing the LED chip 100 from abnormally shortening its lifespan.

첨부도면 도 11에 나타낸 바와 같이 단일의 금속하우징(20)에 복수 개의 LED 칩(100)을 배치할 수도 있다.As shown in FIG. 11, a plurality of LED chips 100 may be disposed in a single metal housing 20.

특히 금속하우징(20)은 금속 재질로서 방열 성능이 우수하므로 LED 칩(100)을 복수개로 배치하더라도 발생되는 열기를 효과적으로 방열할 수 있고 이로써 더 많은 개수의 LED 칩(100)을 집약시킬 수 있게 되는 것이다.In particular, since the metal housing 20 has excellent heat dissipation performance as a metal material, it is possible to effectively dissipate heat generated even when a plurality of LED chips 100 are arranged, thereby converging a larger number of LED chips 100. will be.

또한, 상술한 바와 같이 단일의 금속하우징(20)에 복수 개의 LED 칩(100)을 배치함으로서 좀 더 밝은 고휘도의 빛을 구현할 수 있게 되는 것이고 일례로서 LCD와 같은 디스플레이장치에 광원으로 이용될 수 있다.In addition, as described above, by arranging the plurality of LED chips 100 in a single metal housing 20, more bright and high brightness light can be realized. For example, the LED chip 100 can be used as a light source in a display device such as an LCD. .

첨부도면 도 12에 나타낸 바와 같이 단일의 기판(120)에 패키지(10)를 복렬로 배치시킬 수도 있다.As shown in FIG. 12, the packages 10 may be arranged in a row on a single substrate 120.

따라서 좀 더 광범위에 더 밝은 빛을 비출 수 있게 되는 것으로 일례로서 가로등과 같은 조명기기에 이용될 수 있는 것이다.Therefore, it is possible to shine brighter light in a wider range, for example can be used in lighting equipment such as street lights.

즉, 여러 개의 패키지(10)가 적용된 LED 조립체를 배치함으로써 빛의 밝기와 빛이 비추어지는 면적을 넓일 수 있으며 이러한 적용례는 가로등, 신호등, 조명등 등 다양한 조명기기에 적용될 수 있는 것이다.That is, by arranging the LED assembly to which the several packages 10 are applied, the brightness of the light and the area of the light can be widened, and this application example can be applied to various lighting devices such as street lamps, traffic lights, lighting lamps, and the like.

다른 한편으로, 구체적으로 나타내지 않았으나 패키지(10)는 금속재질의 회로기판에 설치될 수 있고, 또한, 히트싱크와 결합될 수도 있으며, 이러한 경우에는 방열의 효과가 더욱 극대화 될 수도 있다.On the other hand, although not specifically shown, the package 10 may be installed on a circuit board made of metal, and may also be combined with a heat sink, in which case the effect of heat radiation may be further maximized.

또 다른 한편으로, 본 발명의 제1, 제2, 제3 실시예 따른 패키지(10)는 크기가 너무 크거나 작지 않음으로써 공장자동화 설비에 의해 생산 공정이 자동화가 가능한 것으로서 생산성을 향상시킬 수도 있다.On the other hand, the package 10 according to the first, second and third embodiments of the present invention is not too large or small in size, so that the production process can be automated by the factory automation facility, thereby improving productivity. .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains can understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. will be.

그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명은 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is represented by the following detailed description, and the meaning and scope of the claims and All changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

본 발명의 제1, 제2, 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지는 LED가 사용되는 전기전자제품, 조명기기, 산업기계 등에 설치되어 조명하는 데에 이용될 수 있다.The light emitting diode package according to the first, second, and third embodiments of the present invention may be used to illuminate and be installed in electrical and electronic products, lighting equipment, industrial machinery, etc., in which LEDs are used.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 부분단면 예시도면이다.1 is a partial cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 "A"부 상세도면이다.FIG. 2 is a detailed view of portion “A” of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시도면으로서 하우징과 리드 프레임을 분리시켜 보인 도면이다.FIG. 3 is an exemplary view illustrating a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention, in which the housing and the lead frame are separated.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시 단면도면이다.4 is an exemplary cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시도면으로서 하우징과 리드 프레임을 분리시켜 보인 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention, in which a housing and a lead frame are separated.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시 단면도면이다.6 is an exemplary cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 부분단면 예시도면이다.7 is a partial cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시도면으로서 하우징과 리드 프레임을 분리시켜 보인 도면이다.FIG. 8 is an exemplary view illustrating a package for a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention, in which the housing and the lead frame are separated.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지를 설명하기 위한 예시 단면도면이다.9 is an exemplary cross-sectional view illustrating a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention.

도 10 내지 도 12는 본 발명의 제1, 제2, 제3 실시예에 따른 발광다이오드용 패키지의 적용례를 설명하기 위한 예시도면이다.10 to 12 are exemplary views for explaining an application example of a light emitting diode package according to the first, second, and third embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10: 패키지10: Package

20: 금속하우징 20a: 금속층20: metal housing 20a: metal layer

20b: 세라믹층 22: 베이스20b: ceramic layer 22: base

24: 설치 홀 26: 시트24: mounting hole 26: sheet

28: 개구부28: opening

30: 반사면 32: 렌즈 설치부30: reflecting surface 32: lens mounting portion

40, 40a: 리드 프레임 42: 리드 베이스40, 40a: lead frame 42: lead base

44: 연결 절곡부 45: 통공44: connection bent portion 45: through hole

46: 리드 플레이트 48: 단부 절곡부46: lead plate 48: end bent portion

42a, 46a: 제1, 제2 세라믹층 제거부42a and 46a: first and second ceramic layer removing portions

50: 용융금속 부재 60: 수지50: molten metal member 60: resin

100: LED 칩 102: 와이어 본딩100: LED chip 102: wire bonding

110: 렌즈 120: 기판110: lens 120: substrate

130: 패턴130: pattern

Claims (7)

LED 칩(100)이 내부에 설치되고 상기 LED 칩(100)에서 발광하는 빛을 외부로 안내하는 금속하우징(20);A metal housing 20 having an LED chip 100 installed therein and guiding the light emitted from the LED chip 100 to the outside; 일측이 상기 금속하우징(20)의 내부에 배치되어 상기 LED칩(100)에 전기적으로 접속되고 타측이 상기 금속하우징(20)의 외부에 배치되는 리드 프레임(40); 및A lead frame 40 having one side disposed inside the metal housing 20 to be electrically connected to the LED chip 100 and the other side disposed outside the metal housing 20; And 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40)을 접합하는 접합 부재를 포함하고,It includes a joining member for bonding the metal housing 20 and the lead frame 40, 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40) 중에 어느 하나의 표면에는 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40)이 접촉되는 부분이 절연되도록 세라믹층(20b)이 형성되는 것을 포함하는 발광다이오드용 패키지.The ceramic layer 20b is formed on the surface of any one of the metal housing 20 and the lead frame 40 so that the contact portion between the metal housing 20 and the lead frame 40 is insulated. Package for light emitting diodes. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 접합 부재는,The joining member, 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40)의 사이에 배치되고 용융된 후에 경화되어 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40)을 접합시키는 용융금속 부재(50)인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 패키지.The molten metal member 50 is disposed between the metal housing 20 and the lead frame 40 and then melted and cured to bond the metal housing 20 and the lead frame 40 to each other. Package for light emitting diodes. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접합 부재는,The joining member, 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40)에 주입된 후에 경화되어 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40)을 접합시키는 수지(60)인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 패키지.And a resin (60) which is cured after being injected into the metal housing (20) and the lead frame (40) to bond the metal housing (20) to the lead frame (40). 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 리드 프레임(40)의 한쪽에는 용융된 상기 수지(60)가 상기 금속하우징(20)과 상기 리드 프레임(40)의 사이에 유입되도록 통공(45)이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 패키지.On one side of the lead frame 40, a package for a light emitting diode, characterized in that the through hole (45) is formed so that the molten resin (60) flows between the metal housing (20) and the lead frame (40). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세라믹층은 상기 리드 프레임(40)의 표면에 형성되고,The ceramic layer is formed on the surface of the lead frame 40, 상기 세라믹층의 일부가 제거되어 상기 LED 칩(100)과 전기적으로 연결되도록 리드 베이스(42)의 한쪽에 제1 세라믹층 제거부(42a)가 형성되며,A first ceramic layer removing portion 42a is formed on one side of the lead base 42 so that a portion of the ceramic layer is removed to be electrically connected to the LED chip 100. 기판(120)에 형성되는 패턴(130)과 전기적으로 연결되도록 리드 플레이트(46)의 한쪽에 제2 세라믹층 제거부(46a)가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 패키지.The package for light emitting diodes, characterized in that the second ceramic layer removing portion (46a) is formed on one side of the lead plate 46 to be electrically connected to the pattern 130 formed on the substrate (120). 제 1항 내지 제 5항 중에 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 세라믹층은, 산화마그네슘(MgO)층 또는 산화알루미늄(Al2O3)층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 패키지.The ceramic layer is a package for light emitting diodes, characterized in that the magnesium oxide (MgO) layer or aluminum oxide (Al 2 O 3 ) layer. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 세라믹층은,The ceramic layer, 플라즈마 전해 산화(Plasma Electrolytic Oxidation)처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 패키지.Package for light emitting diodes, characterized in that formed by plasma electrolytic oxidation (Plasma Electrolytic Oxidation).
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