KR101029063B1 - Contact Unit and Test Handler using the same - Google Patents

Contact Unit and Test Handler using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101029063B1
KR101029063B1 KR1020080136611A KR20080136611A KR101029063B1 KR 101029063 B1 KR101029063 B1 KR 101029063B1 KR 1020080136611 A KR1020080136611 A KR 1020080136611A KR 20080136611 A KR20080136611 A KR 20080136611A KR 101029063 B1 KR101029063 B1 KR 101029063B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
test
unit
correction means
base plate
Prior art date
Application number
KR1020080136611A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100078365A (en
Inventor
김석환
구완춘
이종찬
Original Assignee
미래산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미래산업 주식회사 filed Critical 미래산업 주식회사
Priority to KR1020080136611A priority Critical patent/KR101029063B1/en
Publication of KR20100078365A publication Critical patent/KR20100078365A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101029063B1 publication Critical patent/KR101029063B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2862Chambers or ovens; Tanks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • G01R31/2867Handlers or transport devices, e.g. loaders, carriers, trays
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2877Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to cooling
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2893Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트에 결합되는 고정 플레이트; 및 상기 고정 플레이트에 결합되며 반도체소자와 접촉하기 위한 푸셔를 구비한 푸싱 플레이트를 포함하여 이루어지며, 상기 베이스 플레이트, 고정 플레이트, 및 푸싱 플레이트 중 어느 하나의 플레이트에 온도보정수단이 구비된 것을 특징으로 하는 콘택 유닛, 및 그를 이용한 테스트 핸들러에 관한 것으로서, The present invention is a base plate; A fixed plate coupled to the base plate; And a pushing plate coupled to the fixed plate and having a pusher for contacting the semiconductor element, wherein one of the base plate, the fixed plate, and the pushing plate is provided with a temperature correction means. A contact unit, and a test handler using the same,

본 발명에 따르면, 콘택 유닛에 온도보정수단이 구비되어 상기 온도보정수단을 통해 여러 경로로 공급되는 유체의 온도를 테스트온도로 일정하게 유지할 수 있게 함으로써, 반도체소자들로 전달되는 유체의 온도차가 최소화되어 반도체소자들에 대한 테스트결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, the temperature correction means is provided in the contact unit to maintain a constant temperature of the fluid supplied to the various paths through the temperature correction means at the test temperature, thereby minimizing the temperature difference of the fluid delivered to the semiconductor devices Thus, the reliability of test results for semiconductor devices can be improved.

콘택 유닛, 테스트 핸들러 Contact unit, test handler

Description

콘택 유닛 및 그를 이용한 테스트 핸들러{Contact Unit and Test Handler using the same}Contact unit and test handler using the same}

본 발명은 테스트 핸들러에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 복수 개의 반도체소자들이 일정한 테스트 온도에서 테스트될 수 있도록 하는 테스트챔버의 구성에 관한 것이다. The present invention relates to a test handler, and more particularly, to a configuration of a test chamber that allows a plurality of semiconductor devices to be tested at a constant test temperature.

테스트 핸들러는 여러 공정을 거쳐 생산된 반도체소자가 정상적으로 동작하는지 여부를 테스트하는 장비로서, 대량생산된 반도체소자는 그 성능의 적격 여부에 대해서 테스트 핸들러에 의해 테스트 되고, 테스트 결과에 따라 양품 및 불량품으로 분리된 후 양품만이 출하되게 된다. The test handler is a device that tests whether the semiconductor device produced through various processes is operating normally. The mass-produced semiconductor device is tested by the test handler to determine whether the performance is qualified, and according to the test result, After separation, only good products will be shipped.

일반적인 테스트 핸들러는 고온 또는 저온의 상태에서도 반도체소자가 제 기능을 발휘하는 지를 테스트하기 위해서, 고온 또는 저온의 일정한 테스트 온도에서 반도체소자에 대한 테스트가 수행되도록 고안되어 있다. 또한, 대량생산을 통한 생산성 향상을 위해서 복수 개의 반도체소자들을 동시에 테스트하게 되며, 이를 위해서 복수 개의 반도체소자들은 테스트트레이라고 불리는 용기에 담겨진 상태로 테스트된다. A general test handler is designed to perform a test on a semiconductor device at a constant test temperature of high or low temperature in order to test whether the semiconductor device functions in a high or low temperature state. In addition, a plurality of semiconductor devices are tested simultaneously to improve productivity through mass production. For this purpose, the plurality of semiconductor devices is tested in a state called a test tray.

이하에서는, 도면을 참조로 종래의 테스트 핸들러에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional test handler will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 테스트 핸들러의 개략적인 평면도로서, 테스트트레이에 테스트 대상이 되는 복수 개의 반도체소자들을 로딩하는 구성 및 테스트가 완료된 복수 개의 반도체소자들을 테스트트레이로부터 언로딩하는 구성은 생략되어 있고, 테스트트레이이에 담겨된 반도체소자들을 일정한 테스트 온도하에서 테스트하기 위한 챔버들의 구성만을 도시한 것이다. 1 is a schematic plan view of a conventional test handler, in which a configuration for loading a plurality of semiconductor devices to be tested into a test tray and a configuration for unloading a plurality of tested semiconductor devices from a test tray are omitted. Only the configuration of the chambers for testing the semiconductor devices contained in the tray under a constant test temperature is shown.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 테스트 핸들러(1)는 제1챔버(2), 테스트챔버(4), 및 제2챔버(8)를 포함하여 구성된다. As can be seen in FIG. 1, the conventional test handler 1 comprises a first chamber 2, a test chamber 4, and a second chamber 8.

상기 제1챔버(2)에서는 테스트트레이(T)가 한 스텝씩 이송되면서 가열 또는 냉각되어 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체소자들이 테스트 온도로 조절되게 된다. 이와 같이 반도체소자들이 테스트 온도로 조절된 이후에는, 상기 테스트트레이(T)가 테스트챔버(4)로 이동한다. The first chamber 2 is heated or cooled while the test tray T is transferred step by step so that the semiconductor devices contained in the test tray T are adjusted to the test temperature. After the semiconductor devices are adjusted to the test temperature as described above, the test tray T moves to the test chamber 4.

상기 테스트챔버(4)는 상기 제1챔버(2)에서 조절된 테스트 온도 상태를 유지할 수 있도록 항온장치(5)를 구비하고, 또한 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체소자들을 테스트 보드(9)와 접속시킬 수 있도록 콘택 유닛(6)을 구비한다. 상기 항온장치(5)는 소정의 가열 또는 냉각된 유체를 방출하여 반도체소자들이 일정한 테스트 온도에서 테스트 될 수 있도록 하며, 상기 콘택 유닛(6)은 반도체소자들을 테스트 보드(9)쪽으로 밀어 반도체소자들이 테스트 보드(9)와 접속한 상태로 테스트될 수 있도록 한다. 이와 같이 반도체소자들이 테스트된 이후에는, 상기 테스트트레이(T) 가 제2챔버(8)로 이동한다. The test chamber 4 is provided with a thermostat device 5 so as to maintain a controlled test temperature state in the first chamber 2, and the semiconductor devices contained in the test tray T are connected to the test board 9; The contact unit 6 is provided so that it may connect. The thermostat 5 discharges a predetermined heated or cooled fluid so that the semiconductor devices can be tested at a constant test temperature, and the contact unit 6 pushes the semiconductor devices toward the test board 9 so that the semiconductor devices The test board 9 can be connected to the test board 9. After the semiconductor devices are tested as described above, the test tray T moves to the second chamber 8.

상기 제2챔버(8)에서는 테스트트레이(T)가 한 스텝씩 이동되면서 냉각 또는 가열되어 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체소자들이 상온 상태로 복귀하게 된다. In the second chamber 8, the test tray T is moved by one step to cool or heat the semiconductor devices contained in the test tray T to return to the normal temperature state.

이와 같은 테스트 핸들러(1)를 통해 복수 개의 반도체소자들에 대해서 신뢰성 있는 테스트 결과를 얻기 위해서는 복수 개의 반도체소자들이 일정한 테스트 온도에서 테스트되어야 한다. 즉, 복수 개의 반도체소자들 각각에서 테스트 온도에 차이가 발생한 상태로 테스트가 진행될 경우 각각의 반도체소자들에 대한 테스트 결과에 신뢰성이 떨어지게 된다. In order to obtain reliable test results for the plurality of semiconductor devices through the test handler 1, the plurality of semiconductor devices must be tested at a constant test temperature. That is, when the test is performed in a state where a difference in test temperature occurs in each of the plurality of semiconductor devices, the reliability of the test results for each of the semiconductor devices becomes low.

종래의 테스트 핸들러(1)의 경우, 반도체소자들에 대한 테스트시 테스트 온도를 일정하게 유지하기 위해서 테스트챔버(4)에 별도의 항온장치(5)를 마련하고 있다. 상기 항온장치(5)는 송풍기에서 발생된 유체를 고온 또는 저온의 테스트 온도로 조절한 후 소정의 경로를 통해 반도체소자들 쪽으로 전달함으로써 항온을 유지하는 장치이다. 그런데, 상기 항온장치(5)에서 테스트 온도로 조절된 유체는 서로 다른 경로를 통해 각각의 반도체소자들까지 전달되므로, 반도체소자들까지 전달되는 유체의 온도가 서로 상이하게 되는 문제가 발생하였다. 결국, 종래의 테스트 핸들러(1)에서는 복수 개의 반도체소자들 사이에서 테스트 온도차가 발생한 상태로 테스트가 진행되게 되고, 그로 인해 테스트 결과에 대한 신뢰성이 떨어지는 문제가 발생하였다. In the case of the conventional test handler 1, a separate thermostat 5 is provided in the test chamber 4 in order to maintain a constant test temperature when testing semiconductor devices. The thermostat 5 is a device that maintains a constant temperature by controlling the fluid generated in the blower to a test temperature of a high temperature or a low temperature and then transfers the fluid toward the semiconductor devices through a predetermined path. However, since the fluid adjusted to the test temperature in the thermostat 5 is transferred to each of the semiconductor elements through different paths, the temperature of the fluid delivered to the semiconductor elements is different from each other. As a result, in the conventional test handler 1, the test is performed in a state where a test temperature difference occurs between a plurality of semiconductor elements, and thus a problem in that reliability of the test result is deteriorated.

본 발명은 복수 개의 반도체소자들 사이에 테스트 온도차가 최소화된 상태에서 테스트가 진행될 수 있도록 하는 테스트챔버 내에 구비되는 콘택 유닛, 및 그를 포함하는 테스트 핸들러는 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a contact unit provided in a test chamber for allowing a test to be performed in a state in which a test temperature difference is minimized among a plurality of semiconductor devices, and a test handler including the same.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트에 결합되는 고정 플레이트; 및 상기 고정 플레이트에 결합되며 반도체소자와 접촉하기 위한 푸셔를 구비한 푸싱 플레이트를 포함하여 이루어지며, 상기 베이스 플레이트, 고정 플레이트, 및 푸싱 플레이트 중 어느 하나의 플레이트에 온도보정수단이 구비된 것을 특징으로 하는 콘택 유닛을 제공한다.The present invention, in order to achieve the above object, a base plate; A fixed plate coupled to the base plate; And a pushing plate coupled to the fixed plate and having a pusher for contacting the semiconductor element, wherein one of the base plate, the fixed plate, and the pushing plate is provided with a temperature correction means. A contact unit is provided.

상기 온도보정수단은 온도를 감지하기 위한 온도감지부 및 온도를 조절하기 위한 온도조절부로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 온도감지부 및 온도조절부는 서로 쌍을 이루어 단위 온도보정수단을 구성하고, 상기 단위 온도보정수단은 복수 개가 형성되며, 상기 복수 개의 단위 온도보정수단은 개별적으로 작동할 수 있다. 또한, 상기 복수 개의 단위 온도보정수단은 상기 어느 하나의 플레이트의 네모서리에 형성될 수 있다. 또한, 상기 온도감지부는 상기 어느 하나의 플레이트의 일면에 형성된 수용홈에 수용되고, 상기 온도조절부는 상기 온도감지부를 덮으면서 상기 어느 하나의 플레이트의 일면에 부착될 수 있다. 또한, 상기 온도조절부는 전열선 및 상기 전열선을 둘러싸고 있는 절연패드로 이루어질 수 있다. The temperature correction means may be composed of a temperature sensor for sensing the temperature and a temperature controller for adjusting the temperature. At this time, the temperature sensing unit and the temperature control unit are paired with each other to constitute a unit temperature correction means, a plurality of unit temperature correction means are formed, the plurality of unit temperature correction means can be operated individually. In addition, the plurality of unit temperature correction means may be formed at the corners of the one plate. The temperature sensing unit may be accommodated in an accommodation groove formed on one surface of the one plate, and the temperature adjusting unit may be attached to one surface of the one plate while covering the temperature sensing unit. In addition, the temperature control unit may be made of a heating wire and an insulating pad surrounding the heating wire.

상기 어느 하나의 플레이트에는 공기흐름통로가 되는 통풍구가 형성되어 있고, 상기 온도보정수단에도 상기 통풍구에 대응하는 통풍구가 형성될 수 있다. One of the plates is provided with a vent for becoming an air flow passage, the vent may be formed in the temperature correction means corresponding to the vent.

상기 온도보정수단은 상기 베이스 플레이트에 구비될 수 있고, 이때, 상기 온도보정수단은 상기 고정 플레이트와 접하는 상기 베이스 플레이트의 일면에 부착될 수 있다. The temperature correction means may be provided in the base plate, wherein the temperature correction means may be attached to one surface of the base plate in contact with the fixed plate.

본 발명은 또한, 반도체소자를 테스트온도로 가열 또는 냉각하기 위한 제1챔버; 상기 제1챔버와 연결되며 상기 반도체소자에 대한 테스트를 수행하는 테스트챔버; 및 상기 테스트챔버와 연결되며 상기 테스트된 반도체소자를 상온상태로 복귀시키기 위한 제2챔버를 포함하여 이루어지고, 상기 테스트챔버는 상기 테스트온도 상태를 유지시키기 위한 항온장치 및 상기 반도체소자를 테스트기와 접촉시키기 위한 콘택 유닛을 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 콘택 유닛은 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트에 결합되는 고정 플레이트; 및 상기 고정 플레이트에 결합되며 반도체소자와 접촉하기 위한 푸셔를 구비한 푸싱 플레이트를 포함하여 이루어지며, 상기 베이스 플레이트, 고정 플레이트, 및 푸싱 플레이트 중 어느 하나의 플레이트에 온도보정수단이 구비된 것을 특징으로 하는 테스트 핸들러를 제공한다. The present invention also includes a first chamber for heating or cooling a semiconductor device to a test temperature; A test chamber connected to the first chamber and performing a test on the semiconductor device; And a second chamber connected to the test chamber and for returning the tested semiconductor device to a room temperature state, wherein the test chamber is in contact with a tester and a thermostat device for maintaining the test temperature state. And a contact unit, wherein the contact unit comprises: a base plate; A fixed plate coupled to the base plate; And a pushing plate coupled to the fixed plate and having a pusher for contacting the semiconductor element, wherein one of the base plate, the fixed plate, and the pushing plate is provided with a temperature correction means. Provide a test handler to

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above has the following effects.

첫째, 본 발명은 콘택 유닛에 온도보정수단이 구비되어 상기 온도보정수단을 통해 여러 경로로 공급되는 유체의 온도를 테스트온도로 일정하게 유지할 수 있게 함으로써, 반도체소자들로 전달되는 유체의 온도차가 최소화되어 반도체소자들에 대한 테스트결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. First, the present invention is provided with a temperature correction means in the contact unit to maintain a constant temperature of the fluid supplied to the various paths through the temperature correction means at the test temperature, thereby minimizing the temperature difference of the fluid delivered to the semiconductor devices Thus, the reliability of test results for semiconductor devices can be improved.

둘째, 본 발명은 온도감지부와 온도조절부를 쌍으로 하는 단위 온도보정수단을 복수 개 형성하고 복수 개의 단위 온도보정수단을 개별적으로 작동함으로써, 영역별로 유체의 온도를 감지할 수 있고, 그에 따라 테스트온도와 차이가 발생한 영역에 대한 적절한 온도보정을 수행할 수 있다. Secondly, the present invention forms a plurality of unit temperature correction means in pairs with a temperature sensing unit and a temperature control unit and operates a plurality of unit temperature correction means individually, so that the temperature of the fluid can be sensed for each region, and accordingly the test Appropriate temperature correction can be performed for the area where the temperature and difference have occurred.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<콘택 유닛><Contact unit>

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택 유닛의 분해사시도이고, 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 온도보정수단을 구비한 베이스 플레이트의 사시도이다. 2 is an exploded perspective view of a contact unit according to an embodiment of the present invention, Figure 3 and Figure 4 is a perspective view of a base plate having a temperature correction means according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택 유닛(101)은, 베이스 플레이트(100), 고정 플레이트(200), 및 푸싱 플레이트(300)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in FIG. 2, the contact unit 101 according to an embodiment of the present invention includes a base plate 100, a fixing plate 200, and a pushing plate 300.

상기 콘택 유닛(101)은 테스트트레이에 담겨진 반도체소자들을 테스트 보드 쪽으로 밀어 각각의 반도체소자들을 테스트 보드에 접속시키는 역할을 하는 것이다. 이를 위해서, 상기 콘택 유닛(101)의 최후방에 형성된 베이스 플레이트(100)에는 소정의 구동장치가 연결되어 있어, 상기 구동장치에 의해 상기 베이스 플레이트(100)가 전진할 수 있으며, 이와 같이 상기 베이스 플레이트(100)가 전진하게 되 면 상기 콘택 유닛(101)의 최전방에 형성된 푸싱 플레이트(300)가 테스트트레이에 담겨진 반도체소자들을 밀게된다. 여기서, 상기 푸싱 플레이트(300)는 복수 개의 푸셔(320)를 구비하고 있고, 상기 푸셔(320)가 반도체소자들과 접촉하면서 반도체소자들을 테스트 보드 쪽으로 밀게된다. The contact unit 101 serves to connect the semiconductor devices to the test board by pushing the semiconductor devices contained in the test tray toward the test board. To this end, a predetermined driving device is connected to the base plate 100 formed at the rear of the contact unit 101, so that the base plate 100 can be advanced by the driving device. When the plate 100 is advanced, the pushing plate 300 formed at the front of the contact unit 101 pushes the semiconductor elements contained in the test tray. Here, the pushing plate 300 is provided with a plurality of pushers 320, the pusher 320 is in contact with the semiconductor elements to push the semiconductor devices toward the test board.

한편, 테스트트레이는 수용되는 반도체소자들의 크기 및 개수에 따라 다양한 모델로 변경되며, 이와 같이 테스트트레이가 다양한 모델로 변경되면 그에 대응되도록 상기 푸싱 플레이트(300)도 변경되어야 한다. 따라서, 다양한 모델의 푸싱 플레이트(300)를 수시로 변경해야 함을 고려할 때, 상기 푸싱 플레이트(300)를 상기 베이스 플레이트(100)에 직접 결합하는 것보다는, 상기 푸싱 플레이트(300)를 상기 고정 플레이트(200)에 결합하여 고정시킨 후 상기 고정 플레이트(200)를 상기 베이스 플레이트(100)에 결합하는 것이 유리하다. 따라서, 본 발명에 따른 콘택 유닛(101)은 최후방에 베이스 플레이트(100)가 배치되고, 상기 베이스 플레이트(100)의 전방에 고정 플레이트(200)가 결합되고, 상기 고정 플레이트의 전방에 푸싱 플레이트(300)가 결합된다. On the other hand, the test tray is changed to various models according to the size and the number of semiconductor devices accommodated, and if the test tray is changed to various models in this way, the pushing plate 300 should also be changed to correspond thereto. Therefore, in consideration of changing the pushing plate 300 of various models from time to time, rather than directly coupling the pushing plate 300 to the base plate 100, the pushing plate 300 to the fixed plate ( It is advantageous to couple the fixing plate 200 to the base plate 100 after the fixing to the 200. Accordingly, in the contact unit 101 according to the present invention, the base plate 100 is disposed at the rear end, the fixing plate 200 is coupled to the front of the base plate 100, and the pushing plate is placed in front of the fixing plate. 300 is combined.

이와 같은 본 발명에 따른 콘택 유닛(101)이 테스트챔버 내에 배치될 때, 상기 콘택 유닛(101)의 후방, 보다 구체적으로는 상기 베이스 플레이트(100)의 후방에는 항온장치가 배치되어, 상기 항온장치로부터 테스트온도로 조절된 유체가 공급되게 된다. 이와 같이 항온장치로부터 공급되는 유체는 상기 콘택 유닛(101)을 거쳐 상기 콘택 유닛(101)의 전방, 보다 구체적으로는 상기 푸싱 플레이트(300)의 전방에 배치되는 테스트트레이 내의 반도체소자들까지 전달된다. 이를 위해서, 상기 콘택 유닛(101)을 구성하는 베이스 플레이트(100), 고정 플레이트(200), 및 푸싱 플레이트(300) 각각에는 유체가 이동할 수 있는 통풍구가 구비되어 있다. When the contact unit 101 according to the present invention is disposed in the test chamber, a constant temperature device is disposed behind the contact unit 101, more specifically, behind the base plate 100, so that the constant temperature device is provided. From this, the fluid adjusted to the test temperature is supplied. In this way, the fluid supplied from the thermostat is transferred to the semiconductor elements in the test tray disposed in front of the contact unit 101 and more specifically in front of the pushing plate 300 via the contact unit 101. . To this end, each of the base plate 100, the fixing plate 200, and the pushing plate 300 constituting the contact unit 101 is provided with a vent for moving the fluid.

즉, 상기 베이스 플레이트(100)에는 제1통풍구(110)가 구비되어 있고, 상기 고정 플레이트(200)에는 제2통풍구(210)가 구비되어 있고, 상기 푸싱 플레이트(300) 및 푸셔(320)에도 제3통풍구(321)가 구비되어 있다. 상기 제1통풍구(110), 제2통풍구(210), 및 제3통풍구(321)는 서로 연통되어 있으면 충분하고 그 형상 등은 다양하게 변경될 수 있다. 따라서, 항온장치로부터 공급되는 유체는 상기 베이스 플레이트(100)에 구비된 제1통풍구(110), 상기 고정 플레이트(200)에 구비된 제2통풍구(210), 및 상기 푸싱 플레이트(300) 및 푸셔(320)에 구비된 제3통풍구(321)를 거쳐 테스트 트레이 내의 반도체소자들 각각에 전달되게 된다. That is, the base plate 100 is provided with a first vent hole 110, the fixing plate 200 is provided with a second vent hole 210, and the pushing plate 300 and the pusher 320 are also provided. The third vent 321 is provided. The first vent opening 110, the second vent opening 210, and the third vent opening 321 are sufficient to communicate with each other, and the shape thereof may be variously changed. Therefore, the fluid supplied from the thermostat is the first vent holes 110 provided in the base plate 100, the second vent holes 210 provided in the fixing plate 200, and the pushing plate 300 and the pusher. It is delivered to each of the semiconductor elements in the test tray via the third vent 321 provided in (320).

그런데, 항온장치로부터 공급되어 반도체소자들 각각에 전달되는 유체의 경로는 서로 동일하지 않게 되며, 그에 따라 반도체소자들 각각에 전달되는 유체의 온도가 서로 상이하게 될 수 있다. 따라서, 반도체소자들 각각에 전달되는 유체의 온도가 일정하게 유지될 수 있도록 하기 위해서, 본 발명에서는 온도보정수단(400)이 상기 콘택 유닛(101)에 구비된다. 특히, 본 발명의 일 실시예에서는 콘택 유닛(101)을 구성하는 상기 베이스 플레이트(100)에 온도보정수단(400)이 구비된다. However, the paths of the fluids supplied from the thermostat and delivered to each of the semiconductor devices may not be identical to each other, and thus the temperatures of the fluids delivered to the semiconductor devices may be different from each other. Therefore, in order to maintain a constant temperature of the fluid delivered to each of the semiconductor devices, in the present invention, the temperature correction means 400 is provided in the contact unit 101. In particular, in one embodiment of the present invention, the temperature correction means 400 is provided on the base plate 100 constituting the contact unit 101.

상기 온도보정수단(400)은 온도를 감지하기 위한 온도감지부 및 온도를 조절하기 위한 온도조절부로 이루어지는데, 상기 온도보정수단(400)의 일 실시예를 도 3 및 도 4에 도시하였다. The temperature correction means 400 is composed of a temperature sensing unit for sensing the temperature and a temperature adjusting unit for adjusting the temperature, an embodiment of the temperature correction means 400 is shown in FIGS. 3 and 4.

도 3은 상기 베이스 플레이트(100)로부터 온도조절부(410a, 410b, 410c, 410d)가 분해된 모습을 도시한 것이고, 도 4는 상기 베이스 플레이트(100)로부터 온도감지부(420a, 420b, 420c, 420d)가 분해된 모습을 도시한 것이다. 3 illustrates a state in which the temperature controllers 410a, 410b, 410c, and 410d are disassembled from the base plate 100, and FIG. 4 shows the temperature sensors 420a, 420b, and 420c from the base plate 100. , 420d) is disassembled.

도 3에서와 같이 상기 온도조절부(410a, 410b, 410c, 410d)는 상기 베이스 플레이트(100)의 네 모서리에 개별적으로 형성되며, 도 4에서와 같이 상기 온도감지부(420a, 420b, 420c, 420d)도 상기 베이스 플레이트(100)의 네 모서리에 개별적으로 형성된다. As shown in FIG. 3, the temperature adjusting parts 410a, 410b, 410c, and 410d are formed at four corners of the base plate 100, respectively, and as shown in FIG. 4, the temperature sensing parts 420a, 420b, 420c, 420d) is also formed at four corners of the base plate 100 separately.

상기 온도감지부(420a, 420b, 420c, 420d)는 상기 베이스 플레이트(100)의 일면에 형성된 수용홈(120) 내에 수용된다. The temperature sensing units 420a, 420b, 420c, and 420d are accommodated in the accommodation grooves 120 formed on one surface of the base plate 100.

상기 온도조절부(410a, 410b, 410c, 410d)는 상기 온도감지부(420a, 420b, 420c, 420d)를 덮으면서 상기 베이스 플레이트(100)의 일면에 부착된다. 또한, 상기 온도조절부(410a, 410b, 410c, 410d)에는 상기 베이스 플레이트(100)에 구비된 제1통풍구(110)과 연통되는 제4통풍구(416a, 416b, 416c, 416d)가 구비되어 있어, 항온장치로부터 공급되는 유체가 상기 통풍구들을 경유하여 테스트 트레이 내의 반도체소자들 각각에 전달될 수 있도록 한다. The temperature control parts 410a, 410b, 410c, and 410d are attached to one surface of the base plate 100 while covering the temperature sensing parts 420a, 420b, 420c, and 420d. In addition, the temperature control part (410a, 410b, 410c, 410d) is provided with a fourth vent (416a, 416b, 416c, 416d) in communication with the first vent 110 provided in the base plate 100 In addition, the fluid supplied from the thermostat can be delivered to each of the semiconductor elements in the test tray via the vents.

상기 개별적으로 형성된 온도조절부(410a, 410b, 410c, 410d)와 상기 온도감지부(420a, 420b, 420c, 420d)는 각각 쌍을 이루어 단위 온도보정수단을 구성하게 된다. 즉, 상기 베이스 플레이트(100)의 좌측 상부에 하나의 온도조절부(410a) 및 온도감지부(420a)가 쌍을 이루어 하나의 단위 온도보정수단을 구성하게 되고, 상기 베이스 플레이트(100)의 좌측 하부, 우측 상부, 및 우측 하부에도 각각 단위 온도보정수단이 구성된다. The individually formed temperature controllers 410a, 410b, 410c, and 410d and the temperature detectors 420a, 420b, 420c, and 420d are paired to form unit temperature correction means. That is, one temperature control unit 410a and a temperature sensing unit 420a are formed in a pair on the upper left side of the base plate 100 to form one unit temperature correction means, and the left side of the base plate 100 Unit temperature correction means is also provided in the lower part, the upper right part, and the lower right part, respectively.

이와 같은 단위 온도보정수단은 개별적으로 작동하여 온도보정을 수행하게 되는데, 구체적으로는, 어느 하나의 온도감지부(420a, 420b, 420c, 또는 420d)에서 상기 베이스 플레이트(100)의 소정 부분의 온도를 감지하고 감지한 온도가 테스트온도와 상이하게 되면 그와 쌍을 이루는 어느 하나의 온도조절부(410a, 410b, 410c, 또는 410d)가 동작하여 상기 베이스 플레이트(100)의 소정 부분의 온도를 조절하게 된다. 이와 같은 온도보정수단의 작동을 위해서, 상기 온도감지부(420a, 420b, 420c, 또는 420d)의 말단은 상기 베이스 플레이트(100)의 측면에 형성된 홀(미도시)을 통해 외부의 제어부로 연결되고, 상기 제어부에서 상기 온도조절부(410a, 410b, 410c, 또는 410d)를 제어하게 된다. The unit temperature correction means operates individually to perform temperature correction. Specifically, the temperature of a predetermined portion of the base plate 100 in any one of the temperature sensing units 420a, 420b, 420c, or 420d. If the detected temperature is different from the test temperature, any one of the temperature control unit 410a, 410b, 410c, or 410d paired with it operates to adjust the temperature of the predetermined portion of the base plate 100. Done. For the operation of the temperature correction means, the end of the temperature sensing unit (420a, 420b, 420c, or 420d) is connected to an external control unit through a hole (not shown) formed on the side of the base plate 100 The controller controls the temperature controller 410a, 410b, 410c, or 410d.

상기 온도조절부(410a, 410b, 410c, 410d)는 전열선(412a, 412b, 412c, 412d) 및 상기 전열선(412a, 412b, 412c, 412d)을 둘러싸고 있는 절연패드(414a, 414b, 414c, 414d)로 이루어진다. 상기 전열선(412a, 412b, 412c, 412d)의 말단은 외부의 전원부와 연결되고, 상기 전원부에서 전원을 인가하면 상기 전열선(412a, 412b, 412c, 412d)이 가열되어 상기 베이스 플레이트(100)의 해당 부분의 온도를 조절하게 된다. 경우에 따라서, 상기 온도조절부(410a, 410b, 410c, 410d)를 소정부분의 온도를 냉각할 수 있도록 구성하는 것도 가능하다. The temperature controllers 410a, 410b, 410c, and 410d may include heating wires 412a, 412b, 412c, and 412d and insulating pads 414a, 414b, 414c, and 414d surrounding the heating wires 412a, 412b, 412c, and 412d. Is made of. Ends of the heating wires 412a, 412b, 412c, and 412d are connected to an external power supply unit, and when power is applied from the power supply unit, the heating wires 412a, 412b, 412c, and 412d are heated to correspond to the base plate 100. The temperature of the part is controlled. In some cases, the temperature control unit 410a, 410b, 410c, 410d may be configured to cool the temperature of a predetermined portion.

일반적으로 상기 베이스 플레이트(100)의 중앙부보다 모서리부가 온도보정이 요구될 가능성이 크기 때문에, 상기 베이스 플레이트(100)의 모서리에 복수 개의 단위 온도보정수단을 형성한 경우를 도시하였지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 복수 개의 단위 온도보정수단의 형성위치는 다양하게 변경할 수 있다.  In general, since the edge portion is more likely to require temperature correction than the center portion of the base plate 100, the case in which a plurality of unit temperature correction means is formed at the corner of the base plate 100, but is not limited thereto. The position of formation of the plurality of unit temperature correction means can be variously changed.

한편, 이상에서 설명한 온도조절부(410a, 410b, 410c, 410d) 및 온도감지부(420a, 420b, 420c, 420d)로 이루어진 온도보정수단(400)은 상기 베이스 플레이트(100)의 전방, 즉 상기 고정 플레이트(200)와 접하는 상기 베이스 플레이트(100)의 일면에 부착되는데, 이는 상기 베이스 플레이트(100)의 후방에 구동장치가 연결되어 있어 만약 상기 베이스 플레이트(100)의 후방에 온도보정수단(400)을 부착할 경우 온도보정수단(400)의 유지보수를 위해서 상기 구동장치의 연결을 해제하는 등의 추가작업이 요하기 때문이다. 다만, 경우에 따라서 상기 베이스 플레이트(100)의 후방에 상기 온도보정수단(400)을 부착할 수도 있다. On the other hand, the temperature correction means 400 consisting of the temperature control unit (410a, 410b, 410c, 410d) and the temperature sensing unit (420a, 420b, 420c, 420d) described above is the front of the base plate 100, namely It is attached to one surface of the base plate 100 in contact with the fixing plate 200, which is connected to the driving device in the rear of the base plate 100, if the temperature correction means 400 in the rear of the base plate 100 This is because additional work such as disconnecting the drive device is required for the maintenance of the temperature correction means 400 when attaching (). However, in some cases, the temperature correction means 400 may be attached to the rear of the base plate 100.

또한, 이상에서는 상기 온도보정수단(400)이 상기 베이스 플레이트(100)에 구비된 모습만을 설명하였지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 온도보정수단(400)이 상기 고정 플레이트(200) 또는 푸싱 플레이트(300)에 구비될 수도 있다. In addition, in the above description, only the state in which the temperature correction means 400 is provided in the base plate 100 is described, but is not necessarily limited thereto, and the temperature correction means 400 may be the fixed plate 200 or the pushing plate. 300 may be provided.

<테스트 핸들러><Test handler>

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 핸들러의 개략적인 평면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트챔버에 구비되는 항온장치의 개략적인 사시도이다. Figure 5 is a schematic plan view of a test handler according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a schematic perspective view of a thermostat provided in the test chamber according to an embodiment of the present invention.

도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 핸들러는 로딩 스택커(20), 언로딩 스택커(30), 버퍼부(40), 교환부(50), 회전부(55), 제1챔버(60), 테스트챔버(70) 및 제2챔버(80)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in Figure 5, the test handler according to an embodiment of the present invention, the loading stacker 20, the unloading stacker 30, the buffer unit 40, the exchange unit 50, the rotating unit 55, It comprises a first chamber 60, a test chamber 70 and the second chamber (80).

상기 로딩 스택커(20)는 테스트할 반도체소자들을 수용하는 것으로서, 테스 트할 반도체소자들은 상기 로딩 스택커(20) 내에서 고객트레이(미도시)라고 불리는 용기에 담겨져 있다. The loading stacker 20 accommodates semiconductor devices to be tested, and the semiconductor devices to be tested are contained in a container called a customer tray (not shown) in the loading stacker 20.

상기 언로딩 스택커(30)는 테스트 완료된 반도체소자들을 테스트 결과에 따라 분리하여 수용하는 것으로서, 테스트 결과에 따라 양품 또는 불량품으로 결정된 반도체소자들은 상기 언로딩 스택커(30) 내에서 고객트레이(미도시)라고 불리는 용기에 분리하여 담기게 된다. The unloading stacker 30 separates and receives the tested semiconductor devices according to a test result. The semiconductor devices determined to be good or defective according to the test result are stored in a customer tray (not shown) in the unloading stacker 30. It is separated into a container called si).

상기 버퍼부(40)는 상기 로딩 스택커(20)와 상기 교환부(50) 사이, 및 상기 언로딩 스택커(30)와 상기 교환부(50) 사이에서 반도체소자들을 임시로 수용하는 것이다. The buffer unit 40 temporarily receives semiconductor devices between the loading stacker 20 and the exchange unit 50, and between the unloading stacker 30 and the exchange unit 50.

상기 교환부(50)는 테스트할 반도체소자들을 테스트트레이(T)에 로딩함과 더불어 테스트 완료된 반도체소자들을 테스트트레이(T)로부터 언로딩하는 것이다. The exchange unit 50 loads the semiconductor devices to be tested in the test tray T and unloads the tested semiconductor devices from the test tray T.

상기 회전부(55)는 반도체소자들을 수용하고 있는 테스트트레이(T)를 수평상태에서 수직상태로 회전하거나 또는 수직상태에서 수평상태로 회전하는 것이다.The rotating unit 55 rotates the test tray T containing the semiconductor elements from a horizontal state to a vertical state or from a vertical state to a horizontal state.

상기 제1챔버(60)는 반도체소자들을 고온 또는 저온의 테스트온도로 조절하기 위한 것으로서, 상기 제1챔버(60) 내에서 테스트트레이(T)가 한 스텝씩 이송되면서 가열 또는 냉각되어 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체소자들이 테스트 온도로 조절된다. The first chamber 60 is for controlling semiconductor devices to a test temperature of high or low temperature. The first chamber 60 is heated or cooled while the test tray T is transferred by one step in the first chamber 60. The semiconductor devices contained in T) are adjusted to the test temperature.

상기 테스트챔버(70)는 반도체소자들에 대한 테스트를 수행하기 위한 것으로서, 상기 테스트챔버(70)는 상기 제1챔버(60)에서 조절된 테스트 온도 상태를 유지할 수 있도록 항온장치(75)를 구비하고, 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체소자들을 테스트 보드(90)와 접속시킬 수 있도록 콘택 유닛(101)을 구비한다. The test chamber 70 is for performing a test on semiconductor devices, and the test chamber 70 is provided with a thermostat 75 so as to maintain a controlled test temperature state in the first chamber 60. The contact unit 101 may be provided to connect the semiconductor devices contained in the test tray T with the test board 90.

상기 항온장치(75)는 소정의 가열 또는 냉각된 유체를 방출하여 반도체소자들이 일정한 테스트 온도에서 테스트 될 수 있도록 하기 위한 것으로서, 상기 항온장치(75)의 일 실시예를 도 6에 도시하였다. The thermostat 75 is for discharging a predetermined heated or cooled fluid so that the semiconductor devices can be tested at a constant test temperature, and an embodiment of the thermostat 75 is illustrated in FIG. 6.

도 6에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 항온장치(75)는 송풍기(752), 온도조성부(753), 본체(754), 및 유로형성부(755)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in Figure 6, the thermostat device 75 according to an embodiment of the present invention comprises a blower 752, the temperature composition unit 753, the body 754, and the flow path forming portion (755).

상기 송풍기(752)는 상기 본체(754)의 외측에 결합되어 상기 본체(754)의 내측으로 유체를 공급하는 것으로서, 상기 송풍기(752)에서는 복수개의 회전날개가 회전하면서 상기 본체(754)의 내측으로 유체를 공급하게 된다. The blower 752 is coupled to an outer side of the main body 754 to supply a fluid to the inner side of the main body 754. In the blower 752, a plurality of rotary blades rotate inside the main body 754. To supply fluid.

상기 온도조성부(753)는 상기 본체(754)의 내측에 설치되어 상기 송풍기(752)로부터 공급되는 유체를 가열 또는 냉각하여 테스트 온도로 조성하기 위한 것으로서, 유체가열을 위한 전열히터 또는 유체냉각을 위한 액화질소분사시스템 등이 이용될 수 있다.The temperature composition unit 753 is installed inside the main body 754 to heat or cool the fluid supplied from the blower 752 to form a test temperature, and is used for an electric heater or fluid cooling for heating a fluid. A liquefied nitrogen injection system or the like can be used.

상기 본체(754)는 개방된 내측공간(754a)을 구비하여 상기 내측공간(754a)을 통해 상기 온도조성부(753)에서 테스트 온도로 조성된 유체를 상기 콘택유닛(101) 쪽으로 전달한다. The main body 754 has an open inner space 754a to transfer the fluid formed at the test temperature in the temperature composition unit 753 toward the contact unit 101 through the inner space 754a.

상기 유로형성부(755)는 상기 본체(754)의 내측공간(754a)에 설치되어 상기 본체(754)의 내측공간(754a)으로 공급되는 유체가 복수개의 유로를 형성하면서 구역별로 나누어 상기 콘택유닛(101)으로 전달되도록 한다. 즉, 상기 유로형성 부(755)는 하측의 제1유로형성부(755a), 중앙측의 제2유로형성부(755b), 및 상측의 제3유로형성부(755c)로 구성되어, 유체가 제1유로(A), 제2유로(B), 및 제3유로(C)를 형성하면서 상기 콘택유닛(101)으로 전달되도록 한다. The flow path forming unit 755 is installed in the inner space 754a of the main body 754 so that the fluid supplied to the inner space 754a of the main body 754 forms a plurality of flow paths and is divided into sections for the contact unit. To (101). That is, the flow path forming portion 755 is composed of a first flow path forming portion 755a on the lower side, a second flow path forming portion 755b on the central side, and a third flow path forming portion 755c on the upper side. The first passage A, the second passage B, and the third passage C are formed to be transferred to the contact unit 101.

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 항온장치(75)의 작동을 설명하면, 상기 송풍기(752)에서 회전날개가 회전하여 상기 본체(754)의 내측으로 유체를 공급하면, 유체는 상기 온도조성부(753)를 통과하면서 테스트온도로 조성되고, 테스트온도로 조성된 유체는 상기 본체(754)의 내측공간(754a)으로 공급된 후, 제1유로형성부(755a), 제2유로형성부(755b), 및 제3유로형성부(755c)를 통해 제1유로(A), 제2유로(B), 및 제3유로(C)를 형성하면서 상기 콘택유닛(101)으로 전달된다. 이와 같이, 항온장치(75)에서는 다양한 유로를 통해 유체가 전달되므로, 전달되는 유체의 온도가 서로 상이하게 될 수 있고, 그에 따라, 상기 항온장치(75)의 전방에 형성되는 콘택유닛(101)에서 유체의 온도를 보정하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에서는 전술한 온도보정수단(400)을 구비한 콘택유닛(101)을 상기 항온장치(75)의 전방에 형성함으로써, 최종적으로 반도체소자들에 전달되는 유체의 온도가 일정하게 유지될 수 있도록 한다. Referring to the operation of the thermostat 75 according to an embodiment of the present invention, when the rotary blade is rotated in the blower 752 to supply the fluid to the inside of the main body 754, the fluid is the temperature composition unit After passing through the 753, the fluid formed at the test temperature is supplied to the inner space 754a of the main body 754, and then the first flow path forming part 755a and the second flow path forming part ( 755b and the third flow path forming unit 755c, the first flow path A, the second flow path B, and the third flow path C are formed and transferred to the contact unit 101. As such, since the fluid is transferred through the various flow paths in the thermostat 75, the temperatures of the fluids to be transferred may be different from each other, and accordingly, the contact unit 101 is formed in front of the thermostat 75. It is desirable to calibrate the temperature of the fluid at. Therefore, in the present invention, by forming the contact unit 101 having the above-described temperature correction means 400 in front of the thermostat 75, the temperature of the fluid finally delivered to the semiconductor elements can be kept constant To help.

상기 제2챔버(80)는 테스트 완료된 반도체소자들을 상온 상태로 복귀시키는 것으로서, 상기 제2챔버(80) 내에서 테스트트레이(T)가 한 스텝씩 이동되면서 냉각 또는 가열되어 테스트트레이(T)에 담겨진 반도체소자들이 상온 상태로 복귀하게 된다. The second chamber 80 is to return the tested semiconductor devices to a room temperature state, and is cooled or heated while the test tray T is moved by one step in the second chamber 80 to the test tray T. The contained semiconductor devices are returned to room temperature.

이상 설명한 본 발명에 따른 테스트 핸들러의 작동을 도 5를 참조하여 설명 하면 다음과 같다. Referring to Figure 5 the operation of the test handler according to the present invention described above is as follows.

우선, 제1픽커(42)에 의해 상기 로딩 스택커(20)에 수용된 반도체소자들을 상기 버퍼부(40)에 임시로 수용한 후, 제2픽커(44)에 의해 상기 버퍼부(40)에 수용한 반도체소자들을 상기 교환부(50)의 테스트트레이(T)에 로딩한다. First, the semiconductor devices accommodated in the loading stacker 20 by the first picker 42 are temporarily accommodated in the buffer unit 40, and then, by the second picker 44 in the buffer unit 40. The semiconductor elements accommodated are loaded in the test tray T of the exchange unit 50.

다음, 상기 회전부(55)에서 수평상태의 테스트트레이(T)를 90도 회전하여 테스트트레이(T)를 수직상태로 위치시킨다. Next, by rotating the test tray T in a horizontal state by 90 degrees in the rotating unit 55 to position the test tray (T) in a vertical state.

다음, 수직상태의 테스트트레이(T)를 제1챔버(60)로 이송한 후 제1챔버(60) 내에서 순차적으로 이동시켜 테스트 조건에 맞는 온도로 반도체소자들을 가열 또는 냉각한다. Next, the test tray T in the vertical state is transferred to the first chamber 60 and sequentially moved in the first chamber 60 to heat or cool the semiconductor devices to a temperature that meets the test conditions.

다음, 수직상태의 테스트트레이(T)를 테스트챔버(70)로 이송한 후, 콘택 유닛(101)을 이용하여 테스트트레이(T)에 수용된 반도체소자들를 테스트 보드(90)에 접속시켜 반도체소자들에 대한 테스트를 수행한다. 이때, 항온장치(75)에서는 테스트온도로 조절된 유체를 공급하고, 상기 콘택 유닛(101)에서는 반도체소자들에게 동일한 테스트온도로 조절된 유체가 공급될 수 있도록 유체의 온도보정을 수행하게 된다. Next, after transferring the test tray T in the vertical state to the test chamber 70, the semiconductor devices accommodated in the test tray T are connected to the test board 90 by using the contact unit 101. Perform a test on At this time, the thermostat device 75 supplies the fluid adjusted to the test temperature, and the contact unit 101 performs temperature correction of the fluid so that the fluid controlled to the same test temperature can be supplied to the semiconductor devices.

다음, 수직상태의 테스트트레이(T)를 제2챔버(80)로 이송한 후 제2챔버(80) 내에서 순차적으로 이동시키면서 반도체소자들의 온도를 상온으로 복귀시킨다. Next, after transferring the test tray T in the vertical state to the second chamber 80, the temperature of the semiconductor devices is returned to room temperature while sequentially moving in the second chamber 80.

다음, 수직상태의 테스트트레이(T)를 회전부(55)로 이송한 후 회전부(55)에서 90도 회전하여 테스트트레이(T)를 수평상태로 위치시킨다. Next, the test tray T in the vertical state is transferred to the rotating unit 55 and then rotated 90 degrees in the rotating unit 55 to position the test tray T in the horizontal state.

다음, 테스트 완료된 반도체소자들을 제2픽커(44)을 이용하여 버퍼부(40)에 임시로 수용한 후, 제1픽커(42)을 이용하여 언로딩 스택커(30)에 양품 또는 불량품으로 분리하여 적재한다.Next, the semiconductor devices that have been tested are temporarily accommodated in the buffer unit 40 by using the second picker 44, and then separated into good or defective parts in the unloading stacker 30 using the first picker 42. To be loaded.

도 1은 종래의 테스트 핸들러의 개략적인 평면도.1 is a schematic plan view of a conventional test handler.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택 유닛의 분해사시도.2 is an exploded perspective view of a contact unit according to an embodiment of the present invention;

도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 온도보정수단을 구비한 베이스 플레이트의 사시도.3 and 4 are perspective views of a base plate having a temperature correction means according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 핸들러의 개략적인 평면도.5 is a schematic plan view of a test handler according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 테스트챔버에 구비되는 항온장치의 개략적인 사시도.Figure 6 is a schematic perspective view of a thermostat provided in the test chamber according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부의 도면부호에 대한 설명><Description of reference numerals of the main parts of the drawing>

101: 콘택 유닛 100: 베이스 플레이트101: contact unit 100: base plate

200: 고정 플레이트 300: 푸싱 플레이트200: fixed plate 300: pushing plate

400: 온도보정수단 410a, 410b, 410c, 410d: 온도조절부400: temperature correction means 410a, 410b, 410c, 410d: temperature control unit

420a, 420b, 420c, 420d: 온도감지부 420a, 420b, 420c, 420d: temperature sensing unit

Claims (10)

베이스 플레이트;Base plate; 상기 베이스 플레이트에 결합되는 고정 플레이트; 및 A fixed plate coupled to the base plate; And 상기 고정 플레이트에 결합되며 반도체소자와 접촉하기 위한 푸셔를 구비한 푸싱 플레이트를 포함하여 이루어지며, And a pushing plate coupled to the fixed plate and having a pusher for contacting the semiconductor element. 상기 베이스 플레이트, 고정 플레이트, 및 푸싱 플레이트 중 어느 하나의 플레이트에 온도보정수단이 구비되어 있고, Temperature correction means is provided on any one of the base plate, the fixed plate, and the pushing plate, 상기 온도보정수단은 온도를 감지하기 위한 온도감지부 및 온도를 조절하기 위한 온도조절부로 이루어지고, The temperature correction means is composed of a temperature sensor for sensing the temperature and a temperature controller for adjusting the temperature, 상기 온도감지부는 상기 어느 하나의 플레이트의 일면에 형성된 수용홈에 수용되고, The temperature sensing unit is accommodated in the receiving groove formed on one surface of the one plate, 상기 온도조절부는 상기 온도감지부를 덮으면서 상기 어느 하나의 플레이트의 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 콘택 유닛. The temperature control unit is a contact unit, characterized in that attached to one surface of the one plate covering the temperature sensing unit. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 온도감지부 및 온도조절부는 서로 쌍을 이루어 단위 온도보정수단을 구성하고, 상기 단위 온도보정수단은 복수 개가 형성되며, 상기 복수 개의 단위 온도보정수단은 개별적으로 작동하는 것을 특징으로 하는 콘택 유닛.The temperature sensing unit and the temperature control unit are formed in pairs to constitute a unit temperature correction means, a plurality of unit temperature correction means are formed, the plurality of unit temperature correction means is characterized in that the individual operation. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 복수 개의 단위 온도보정수단은 상기 어느 하나의 플레이트의 네모서리 에 형성된 것을 특징으로 하는 콘택 유닛. The plurality of unit temperature correction means is formed in the corner of the one of the plate contact unit. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 온도조절부는 전열선 및 상기 전열선을 둘러싸고 있는 절연패드로 이루어진 것을 특징으로 하는 콘택 유닛. The temperature control unit is a contact unit, characterized in that consisting of a heating wire and the insulating pad surrounding the heating wire. 베이스 플레이트;Base plate; 상기 베이스 플레이트에 결합되는 고정 플레이트; 및 A fixed plate coupled to the base plate; And 상기 고정 플레이트에 결합되며 반도체소자와 접촉하기 위한 푸셔를 구비한 푸싱 플레이트를 포함하여 이루어지며, And a pushing plate coupled to the fixed plate and having a pusher for contacting the semiconductor element. 상기 베이스 플레이트, 고정 플레이트, 및 푸싱 플레이트 중 어느 하나의 플레이트에 온도보정수단이 구비되어 있고, Temperature correction means is provided on any one of the base plate, the fixed plate, and the pushing plate, 상기 어느 하나의 플레이트에는 공기흐름통로가 되는 통풍구가 형성되어 있고, One of the plates is provided with a vent for the air flow passage, 상기 온도보정수단에도 상기 통풍구에 대응하는 통풍구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 콘택 유닛. And a ventilation opening corresponding to the ventilation opening is also formed in the temperature correction means. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 온도보정수단은 상기 베이스 플레이트에 구비된 것을 특징으로 하는 콘 택 유닛. The temperature correction means is provided in the base plate. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 온도보정수단은 상기 고정 플레이트와 접하는 상기 베이스 플레이트의 일면에 부착된 것을 특징으로 하는 콘택 유닛. The temperature correction means is attached to one surface of the base plate in contact with the fixed plate. 반도체소자를 테스트온도로 가열 또는 냉각하기 위한 제1챔버;A first chamber for heating or cooling the semiconductor device to a test temperature; 상기 제1챔버와 연결되며 상기 반도체소자에 대한 테스트를 수행하는 테스트챔버; 및A test chamber connected to the first chamber and performing a test on the semiconductor device; And 상기 테스트챔버와 연결되며 상기 테스트된 반도체소자를 상온상태로 복귀시키기 위한 제2챔버를 포함하여 이루어지고, A second chamber connected to the test chamber and for returning the tested semiconductor device to a room temperature state; 상기 테스트챔버는 상기 테스트온도 상태를 유지시키기 위한 항온장치 및 상기 반도체소자를 테스트기와 접촉시키기 위한 콘택 유닛을 포함하여 이루어지고, The test chamber includes a thermostat for maintaining the test temperature state and a contact unit for contacting the semiconductor device with a tester. 상기 콘택 유닛은 전술한 제1항, 제3항, 제4항, 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 콘택 유닛으로 이루어진 것을 특징으로 하는 테스트 핸들러. 10. The test handler of claim 1, wherein the contact unit comprises a contact unit according to any one of claims 1, 3, 4, and 6-9.
KR1020080136611A 2008-12-30 2008-12-30 Contact Unit and Test Handler using the same KR101029063B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080136611A KR101029063B1 (en) 2008-12-30 2008-12-30 Contact Unit and Test Handler using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080136611A KR101029063B1 (en) 2008-12-30 2008-12-30 Contact Unit and Test Handler using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100078365A KR20100078365A (en) 2010-07-08
KR101029063B1 true KR101029063B1 (en) 2011-04-15

Family

ID=42639593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080136611A KR101029063B1 (en) 2008-12-30 2008-12-30 Contact Unit and Test Handler using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101029063B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101556710B1 (en) * 2010-11-24 2015-09-30 (주)테크윙 Test handler
KR101628953B1 (en) * 2014-09-24 2016-06-09 주식회사 마이크로컨텍솔루션 Connector pad and manufacturing method of connector pad
KR102037961B1 (en) * 2018-05-14 2019-10-29 세메스 주식회사 Temperature controlling module of DSA board and apparatus for testing semiconductor devices having the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070027524A (en) * 2004-02-27 2007-03-09 웰스-씨티아이, 엘엘씨. Burn-in testing apparatus and method
KR20080087450A (en) * 2007-03-27 2008-10-01 미래산업 주식회사 Duct for semiconductor testing handler and testing handler comprising the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070027524A (en) * 2004-02-27 2007-03-09 웰스-씨티아이, 엘엘씨. Burn-in testing apparatus and method
KR20080087450A (en) * 2007-03-27 2008-10-01 미래산업 주식회사 Duct for semiconductor testing handler and testing handler comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100078365A (en) 2010-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100747075B1 (en) Socket for electronic component test, and electronic component test apparatus using the socket
CN1920585B (en) Substrate detector
US6191394B1 (en) Heat treating apparatus
TW201710696A (en) Conductive temperature control
US8905700B2 (en) Transfer and inspection devices of object to be inspected
US9207272B2 (en) Test handler that rapidly transforms temperature and method of testing semiconductor device using the same
US8350191B2 (en) Probe card thermal conditioning system
WO2003007007A1 (en) Electronic parts handling device, and electronic parts temperature control method
KR101990666B1 (en) Test system with localized heating and method of manufacture thereof
JP2000241496A (en) Electronic part test device and test method of electronic part
US20080136436A1 (en) Wafer chuck, apparatus including the same and method for testing electrical characteristics of wafer
KR101029063B1 (en) Contact Unit and Test Handler using the same
US8248089B2 (en) Apparatus for testing a semiconductor device
US10627441B2 (en) Apparatus for testing semiconductor package
JP2014105996A (en) Semiconductor device tester and test method
KR101556710B1 (en) Test handler
US11519953B2 (en) Apparatus for testing semiconductor device
US8008934B2 (en) Burn-in system for electronic devices
WO2006123404A1 (en) Electronic part test device and method for controlling temperature in electronic part test device
KR102428589B1 (en) Test apparatus for electronic device
JP4054465B2 (en) Electronic component testing equipment
TWI405983B (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
KR100789699B1 (en) Wafer prober station being capable of testing in low and high temperature
KR101373489B1 (en) Test handler
TWI782508B (en) Method and system for thermal control of devices in an electronics tester

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140402

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160330

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170329

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190328

Year of fee payment: 9