KR102037961B1

KR102037961B1 - Temperature controlling module of DSA board and apparatus for testing semiconductor devices having the same

Info

Publication number: KR102037961B1
Application number: KR1020180054996A
Authority: KR
Inventors: 장용석
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2018-05-14
Filing date: 2018-05-14
Publication date: 2019-10-29

Abstract

Provided is a DSA board temperature adjusting module, which comprises: a heater provided inside the DSA board for electrically connecting an interface board with semiconductor elements to be tested and heating the DSA board; a first temperature sensor provided on the DSA board for measuring a temperature of the DSA board; and a controller controlling the heater so that the temperature of the DSA boards is equal to an inspection temperature of a high temperature test process of the semiconductor element by using the temperature of the DSA boards measured by the first temperature sensor.

Description

Temperature controlling module of DSA board and apparatus for testing semiconductor devices having the same}

본 발명의 실시예들은 DSA 보드 온도 조절 모듈과 이를 포함하는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, Embodiments of the present invention relate to a DSA board temperature control module and a semiconductor device test apparatus including the same. More specifically,

인터페이스 보드와 테스트 대상인 반도체 소자들 사이를 전기적으로 연결하는 DSA 보드의 온도를 조절하는 DSA 보드 온도 조절 모듈과 이를 포함하는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a DSA board temperature control module for controlling a temperature of a DSA board electrically connecting between an interface board and a semiconductor device under test, and a semiconductor device test apparatus including the same.

일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있으며, 상기와 같이 형성된 반도체 소자들은 다이싱 공정과 본딩 공정 및 패키징 공정을 통하여 완제품으로 제조될 수 있다.In general, semiconductor devices may be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes, and the semiconductor devices formed as described above may be manufactured as a finished product through a dicing process, a bonding process, and a packaging process. Can be.

상기와 같이 제조된 반도체 소자들은 전기적 특성 검사를 통하여 양품 또는 불량품으로 판정될 수 있다. 상기 전기적 특성 검사에는 상기 반도체 소자들을 이송하기 위한 복수의 이송 모듈들과, 상기 반도체 소자들을 검사하기 위한 테스트 모듈 및 상기 반도체 소자들과 상기 테스트 모듈을 서로 연결하기 위한 인터페이스 모듈을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치가 사용될 수 있다.The semiconductor devices manufactured as described above may be determined to be good or defective through an electrical property test. The electrical property test may include a plurality of transfer modules for transferring the semiconductor devices, a test module for inspecting the semiconductor devices, and a semiconductor device test including an interface module for connecting the semiconductor devices and the test module to each other. The device can be used.

상기 인터페이스 모듈은 상기 테스트 모듈과 상기 반도체 소자들이 수납된 테스트 트레이 사이에 배치되는 인터페이스 보드와 상기 인터페이스 보드 상에 탑재되며 상기 반도체 소자들과 접속되는 DSA 보드들을 포함할 수 있다.The interface module may include an interface board disposed between the test module and a test tray containing the semiconductor devices, and DSA boards mounted on the interface board and connected to the semiconductor devices.

상기 반도체 소자 테스트 장치는 상기 반도체 소자들과 상기 DSA 보드들 사이를 연결하기 위하여 상기 반도체 소자들을 가압하는 복수의 푸셔들(pushers)을 구비하는 매치 플레이트와 상기 매치 플레이트를 동작시키기 위한 구동부를 포함할 수 있다.The semiconductor device test apparatus may include a match plate including a plurality of pushers for pressing the semiconductor devices to connect the semiconductor devices and the DSA boards, and a driving unit to operate the match plate. Can be.

한편, 상기 반도체 소자들에 대한 테스트 공정은 고온 테스트 공정과 저온 테스트 공정으로 구분될 수 있으며, 일 예로서, 상기 고온 테스트 공정은 약 85℃ 정도의 검사 온도에서 수행되고, 상기 저온 테스트 공정은 - 20℃ 정도의 검사 온도에서 수행될 수 있다. 상기와 같은 고온 테스트 공정과 저온 테스트 공정을 위해 상기 매치 플레이트에는 상기 푸셔들을 통해 상기 반도체 소자들의 온도를 조절하기 위한 열전 소자들이 장착될 수 있다.Meanwhile, a test process for the semiconductor devices may be classified into a high temperature test process and a low temperature test process. For example, the high temperature test process may be performed at an inspection temperature of about 85 ° C., and the low temperature test process may include − It may be carried out at an inspection temperature of about 20 ℃. For the high temperature test process and the low temperature test process, the match plate may be equipped with thermoelectric elements for controlling the temperature of the semiconductor elements through the pushers.

상기 고온 테스트 공정의 경우, 상기 DSA 보드들의 상부면에 상기 반도체 소자들이 접속된 상태에서 상기 반도체 소자 들를 향해 온도 조절용 가스를 분사하여 상기 반도체 소자를 상기 검사 온도로 가열한 후, 상기 반도체 소자들의 고온 테스트가 수행된다. In the case of the high temperature test process, the semiconductor device is heated to the inspection temperature by injecting a gas for controlling temperature toward the semiconductor devices while the semiconductor devices are connected to the upper surfaces of the DSA boards, and then the high temperature of the semiconductor devices. The test is performed.

그러나, 상기 온도 조절용 가스에 의해 상기 DSA 보드가 충분히 가열되기 어려우므로, 상기 반도체 소자들의 온도보다 상기 DSA 보드의 온도가 상대적으로 낮을 수 있다. 상기 반도체 소자들과 상기 DSA 보드 사이에 온도차가 발생하므로, 상기 고온 테스트 공정의 신뢰성이 저하될 수 있다. However, since it is difficult to sufficiently heat the DSA board by the temperature control gas, the temperature of the DSA board may be relatively lower than the temperature of the semiconductor devices. Since a temperature difference occurs between the semiconductor devices and the DSA board, reliability of the high temperature test process may be degraded.

본 발명은 반도체 소자들과 접속되는 DSA 보드의 온도를 조절할 수 있는 DSA 보드 온도 조절 모듈을 제공한다. The present invention provides a DSA board temperature control module that can adjust the temperature of the DSA board connected to the semiconductor devices.

본 발명은 상기 DSA 보드 온도 조절 모듈을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치를 제공한다. The present invention provides a semiconductor device test apparatus including the DSA board temperature control module.

본 발명에 따른 DSA 보드 온도 조절 모듈은, 인터페이스 보드와 테스트 대상인 반도체 소자들 사이를 전기적으로 연결하는 DSA(Device Specific Adaptor) 보드의 내부에 구비되며, 상기 DSA 보드를 가열하기 위한 히터와, 상기 DSA 보드에 구비되며, 상기 DSA 보드의 온도를 측정하기 위한 제1 온도 센서 및 상기 제1 온도 센서에 측정된 상기 DSA 보드들의 온도를 이용하여 상기 DSA 보드들의 온도가 상기 반도체 소자의 고온 테스트 공정의 검사 온도와 동일하도록 상기 히터를 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다. The DSA board temperature control module according to the present invention is provided inside a device specific adapter (DSA) board electrically connecting between an interface board and a semiconductor device under test, a heater for heating the DSA board, and the DSA The temperature of the DSA boards is provided on a board, and the temperature of the DSA boards is measured using the temperature of the DSA boards measured by the first temperature sensor and the first temperature sensor for measuring the temperature of the DSA board. It may include a controller for controlling the heater to be equal to the temperature.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 제1 온도 센서는 상기 반도체 소자들과 접촉을 위한 테스트 소켓들이 배치되는 상기 DSA 보드 상부면의 온도를 측정할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the first temperature sensor may measure the temperature of the upper surface of the DSA board in which test sockets for contacting the semiconductor devices are disposed.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 컨트롤러는, 상기 검사 온도에 대한 정보를 미리 저장하고, 상기 저장된 상기 검사 온도와 상기 제1 센서들에서 측정된 상기 DSA 보드들의 온도를 비교하여, 상기 검사 온도와 상기 DSA 보드들의 온도 차이만큼 상기 DSA 보드들의 온도가 상승하도록 상기 히터들을 제어할 수 있다. According to an embodiment of the present disclosure, the controller may store information about the test temperature in advance, and compare the stored test temperature with the temperatures of the DSA boards measured by the first sensors. The heaters may be controlled to increase the temperature of the DSA boards by a temperature difference between the temperature and the DSA boards.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 DSA 보드 온도 조절 모듈은, 상기 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 챔버의 내부에 구비되며, 상기 검사 온도를 측정하기 위한 제2 온도 센서를 더 포함하고, 상기 컨트롤러는, 상기 제2 센서들에서 측정된 상기 검사 온도와 상기 제1 센서들에서 측정된 상기 DSA 보드들의 온도를 비교하고, 상기 검사 온도와 상기 DSA 보드들의 온도 차이만큼 상기 DSA 보드들의 온도가 상승하도록 상기 히터들을 제어할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the DSA board temperature control module is provided in the test chamber for testing the semiconductor device, further comprises a second temperature sensor for measuring the test temperature, The controller compares the test temperature measured by the second sensors with the temperature of the DSA boards measured by the first sensors, and increases the temperature of the DSA boards by a temperature difference between the test temperature and the DSA boards. The heaters can be controlled to

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 검사 온도는 상기 고온 테스트 공정이 수행되는 상기 반도체 소자들 각각의 온도이며, 상기 제2 센서들은 상기 반도체 소자들 각각의 온도를 측정할 수 있다. In example embodiments, the inspection temperature may be a temperature of each of the semiconductor devices on which the high temperature test process is performed, and the second sensors may measure a temperature of each of the semiconductor devices.

본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치는, 테스트 트레이에 수납된 반도체 소자들을 전기적으로 검사하기 위한 공간을 제공하는 테스트 챔버와, 상기 반도체 소자들을 검사하기 위한 검사 신호들을 제공하고 상기 반도체 소자들로부터의 출력 신호들에 기초하여 상기 반도체 소자들을 검사하는 테스트 모듈과, 상기 테스트 모듈과 상기 반도체 소자들 사이에서 상기 검사 신호들 및 출력 신호들을 전달하기 위한 DSA 보드를 포함하는 인터페이스 모듈 및 상기 DSA 보드의 온도를 조절하기 위한 온도 조절 모듈을 포함하고, 상기 온도 조절 모듈은, 상기 DSA 보드의 내부에 구비되며, 상기 DSA 보드를 가열하기 위한 히터와, 상기 DSA 보드에 구비되며, 상기 DSA 보드의 온도를 측정하기 위한 제1 온도 센서 및 상기 제1 온도 센서에 측정된 상기 DSA 보드들의 온도를 이용하여 상기 DSA 보드들의 온도가 상기 반도체 소자의 고온 테스트 공정의 검사 온도와 동일하도록 상기 히터를 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다. The semiconductor device test apparatus according to the present invention includes a test chamber that provides a space for electrically inspecting semiconductor devices stored in a test tray, and provides test signals for inspecting the semiconductor devices and outputs from the semiconductor devices. An interface module including a test module for inspecting the semiconductor devices based on signals, a DSA board for transferring the test signals and output signals between the test module and the semiconductor devices, and a temperature of the DSA board. And a temperature control module for adjusting, wherein the temperature control module is provided inside the DSA board, and is provided in the heater for heating the DSA board and the DSA board, and measures the temperature of the DSA board. Temperature of the DSA boards measured by the first temperature sensor and the first temperature sensor for The temperature of the DSA board may include a controller for controlling the heater to be equal to the test temperature of the high temperature test process of the semiconductor device using.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 온도 조절 모듈은, 상기 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 챔버의 내부에 구비되며, 상기 검사 온도를 측정하기 위한 제2 온도 센서를 더 포함하고, 상기 컨트롤러는, 상기 제2 센서들에서 측정된 상기 검사 온도와 상기 제1 센서들에서 측정된 상기 DSA 보드들의 온도를 비교하고, 상기 검사 온도와 상기 DSA 보드들의 온도 차이만큼 상기 DSA 보드들의 온도가 상승하도록 상기 히터들을 제어할 수 있다. According to one embodiment of the invention, the temperature control module, is provided in the test chamber for testing the semiconductor device, further comprises a second temperature sensor for measuring the test temperature, the controller Comparing the test temperature measured by the second sensors with the temperature of the DSA boards measured by the first sensors, and increasing the temperature of the DSA boards by a temperature difference between the test temperature and the DSA boards. The heaters can be controlled.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 반도체 소자 테스트 장치는, 상기 테스트 챔버의 가장자리 부위들에 배치되며 상기 테스트 챔버 내측으로 온도 조절용 가스를 분사하는 복수의 분사 노즐들을 더 포함할 수 있다. In example embodiments, the semiconductor device test apparatus may further include a plurality of injection nozzles disposed at edge portions of the test chamber and injecting a gas for controlling temperature into the test chamber.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 반도체 소자 테스트 장치는, 상기 테스트 챔버 내에 배치되며 상기 반도체 소자들을 상기 소켓 보드들에 밀착시키기 위한 복수의 푸셔들이 구비되는 매치 플레이트를 더 포함하며, 상기 푸셔들에는 상기 온도 조절용 가스를 통과시키기 위한 복수의 홀들이 구비될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the semiconductor device test apparatus further includes a match plate disposed in the test chamber and provided with a plurality of pushers for closely contacting the semiconductor devices to the socket boards. They may be provided with a plurality of holes for passing the temperature control gas.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 테스트 트레이에는 상기 반도체 소자들이 수납되는 인서트 조립체들이 장착되며, 상기 인서트 조립체들에는 상기 온도 조절용 가스를 통과시키기 위한 복수의 홀들이 구비될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the test tray may be equipped with insert assemblies for accommodating the semiconductor elements, and the insert assemblies may be provided with a plurality of holes for passing the temperature control gas.

상기 본 발명의 DSA 보드 온도 조절 장치는 상기 DSA 보드의 온도를 측정하고, 상기 측정 온도를 이용하여 상기 DSA 보드들을 목적하는 검사 온도로 용이하게 상승시킬 수 있고, 상기 검사 온도에서 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 상기 반도체 소자들의 고온 테스트 공정시, 상기 DSA 보드들의 온도를 상기 반도체 소자들의 온도와 동일하게 조절할 수 있다. 그러므로, 상기 반도체 소자 테스트 장치를 이용한 상기 고온 테스트 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The DSA board temperature control apparatus of the present invention measures the temperature of the DSA board, and can easily raise the DSA boards to a desired test temperature using the measured temperature, and can be kept constant at the test temperature. . Therefore, during the high temperature test process of the semiconductor devices, the temperature of the DSA boards may be adjusted to be the same as the temperature of the semiconductor devices. Therefore, the reliability of the high temperature test process using the semiconductor device test apparatus can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 인터페이스 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 인터페이스 모듈 및 DSA 보드 온도 조절 모듈을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.1 is a schematic diagram illustrating a semiconductor device test apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view for explaining the interface module illustrated in FIG. 1.
FIG. 3 is a schematic enlarged cross-sectional view illustrating the interface module and the DSA board temperature control module shown in FIG. 1.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 인터페이스 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 인터페이스 모듈 및 DSA 보드 온도 조절 모듈을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.1 is a schematic diagram illustrating a semiconductor device test apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view illustrating the interface module illustrated in FIG. 1, and FIG. 3 is illustrated in FIG. 1. A schematic enlarged cross-sectional view for explaining the interface module and the DSA board temperature control module shown.

도 1 내지 도 3을 참조하면, DSA 보드 온도 조절 모듈(150)을 포함하는 반도체 소자 테스트 장치(100)는 반도체 소자들(10)의 전기적인 검사를 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 테스트 장치(100)는 테스트 트레이(20)에 수납된 복수의 반도체 소자들(10)에 전기적인 검사 신호들을 제공하고, 상기 반도체 소자들(10)로부터의 출력 신호들을 분석함으로써 상기 반도체 소자들(10)의 전기적인 성능을 검사하기 위해 사용될 수 있다.1 to 3, the semiconductor device test apparatus 100 including the DSA board temperature control module 150 may be used for electrical inspection of the semiconductor devices 10. For example, the test apparatus 100 may provide electrical test signals to the plurality of semiconductor devices 10 stored in the test tray 20, and analyze the output signals from the semiconductor devices 10. It may be used to check the electrical performance of the semiconductor devices 10.

상기 테스트 장치(100)는 상기 반도체 소자들(10)에 대한 전기적인 검사 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 테스트 챔버(102)를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 테스트 장치(100)는 커스터머 트레이(미도시)로부터 상기 반도체 소자들(10)을 테스트 트레이(20)로 이송하고, 상기 테스트 트레이(20)를 상기 테스트 챔버(102) 내부로 이송하며, 상기 테스트 챔버(102)에서 검사 공정이 완료된 후 상기 테스트 트레이(20)를 상기 테스트 챔버(102)로부터 반출하며, 상기 테스트 트레이(20)에 수납된 반도체 소자들(10)을 빈 커스터머 트레이(미도시)로 이송하는 복수의 이송 모듈들(미도시)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 소자들(10)의 온도를 미리 조절하기 위한 예열 챔버(미도시)와 상기 반도체 소자들(10)의 온도를 상온으로 회복시키기 위한 제열 챔버(미도시)를 포함할 수 있으며, 상기 테스트 챔버(102)는 상기 예열 챔버와 제열 챔버 사이에 배치될 수 있다.The test apparatus 100 may include a test chamber 102 that provides a space for performing an electrical inspection process on the semiconductor devices 10. Although not shown, the test apparatus 100 transfers the semiconductor devices 10 from the customer tray (not shown) to the test tray 20, and transfers the test tray 20 into the test chamber 102. The test tray 20 is removed from the test chamber 102 after the inspection process is completed in the test chamber 102, and the semiconductor devices 10 stored in the test tray 20 are empty. It may include a plurality of transfer modules (not shown) for transferring to the customer tray (not shown). In addition, it may include a preheating chamber (not shown) for adjusting the temperature of the semiconductor elements 10 in advance, and a heat removal chamber (not shown) for restoring the temperature of the semiconductor elements 10 to room temperature, The test chamber 102 may be disposed between the preheating chamber and the heat removing chamber.

상기 테스트 장치(100)는 상기 반도체 소자들(10)에 검사 신호들을 제공하고 상기 반도체 소자들(10)로부터의 출력 신호들에 기초하여 상기 반도체 소자들(10)의 전기적인 성능을 검사하는 테스트 모듈(110)을 포함할 수 있다.The test apparatus 100 provides a test signal to the semiconductor devices 10 and tests a test of electrical performance of the semiconductor devices 10 based on output signals from the semiconductor devices 10. Module 110 may be included.

상기 테스트 모듈(110)은 상기 검사 신호들을 제공하고 상기 출력 신호들을 분석하는 테스트 헤드(112)와 상기 테스트 헤드(112) 상에 배치되는 베이스 보드(114)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 베이스 보드(114)는 상기 테스트 챔버(102) 내에 배치될 수 있으며 연결 케이블들 또는 커넥터들에 의해 상기 테스트 헤드(112)와 연결될 수 있다.The test module 110 may include a test head 112 that provides the test signals and analyzes the output signals, and a base board 114 disposed on the test head 112. In this case, the base board 114 may be disposed in the test chamber 102 and may be connected to the test head 112 by connection cables or connectors.

상기 테스트 장치(100)는 상기 테스트 헤드(112)와 상기 반도체 소자들(10) 사이에서 상기 검사 신호들 및 상기 출력 신호들을 전달하기 위한 인터페이스 모듈(120)을 포함할 수 있다.The test device 100 may include an interface module 120 for transferring the test signals and the output signals between the test head 112 and the semiconductor devices 10.

상기 인터페이스 모듈(120)은 상기 검사 신호들 및 상기 출력 신호들을 전달하기 위하여 상기 반도체 소자들(10)과 접속하는 복수의 DSA(Device Specific Adaptor) 보드들(122)과, 상기 DSA 보드들(122)이 탑재되는 인터페이스 보드(124)를 포함할 수 있다.The interface module 120 includes a plurality of device specific adapter (DSA) boards 122 and the DSA boards 122 that are connected to the semiconductor devices 10 to transmit the test signals and the output signals. ) May include an interface board 124 mounted thereon.

또한, 상기 인터페이스 모듈(120)과 마주하도록, 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 인터페이스 모듈(120)의 상부에는 상기 테스트 트레이(20)에 수납된 반도체 소자들(10)을 상기 DSA 보드들(122)에 접속시키기 위한 복수의 푸셔들(132)이 구비된 매치 플레이트(130)가 배치될 수 있다. 상기 매치 플레이트(130)는 도 1에 도시된 바와 같이 구동부(134)에 의해 동작될 수 있으며, 상기 반도체 소자들(10)이 상기 DSA 보드들(122)에 접속되도록 상기 반도체 소자들(10)을 가압할 수 있다.In addition, to face the interface module 120, for example, as illustrated in FIG. 3, the DSA may include semiconductor devices 10 stored in the test tray 20 on the interface module 120. Match plate 130 with a plurality of pushers 132 for connecting to boards 122 may be disposed. The match plate 130 may be operated by the driver 134 as shown in FIG. 1, and the semiconductor devices 10 may be connected to the DSA boards 122. Can be pressurized.

상기 테스트 트레이(20)는 상기 인터페이스 모듈(120)과 상기 매치 플레이트(130) 사이로 제공될 수 있으며, 상기 테스트 트레이(20)에는 상기 반도체 소자들(10)을 수납하기 위한 복수의 인서트 조립체들(30)이 구비될 수 있다. 상기 인서트 조립체들(30)은 상기 반도체 소자들(10)을 수납하기 위한 개구들을 가질 수 있으며, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 개구들의 하부에는 상기 반도체 소자들(10)을 지지하기 위한 서포트 필름(미도시)이 구비될 수 있다. 상기 서포트 필름에는 상기 반도체 소자들(10)의 외부 접속 단자들, 예를 들면, 솔더볼들이 하방으로 돌출되도록 형성되며 상기 반도체 소자들(10)의 위치를 안내하기 위한 가이들 홀들이 구비될 수 있다.The test tray 20 may be provided between the interface module 120 and the match plate 130, and the test tray 20 includes a plurality of insert assemblies for accommodating the semiconductor devices 10. 30) may be provided. The insert assemblies 30 may have openings for accommodating the semiconductor devices 10, and although not shown in detail, a support film for supporting the semiconductor devices 10 may be disposed below the openings. Not shown) may be provided. The support film may be formed such that external connection terminals of the semiconductor devices 10, for example, solder balls protrude downward, and have guide holes for guiding positions of the semiconductor devices 10. .

한편, 도시된 바에 의하면, 상기 베이스 보드(114)와 상기 인터페이스 모듈(120) 및 상기 매치 플레이트(130)가 수평 방향으로 배치되고 있으나, 상기 베이스 보드(114)와 인터페이스 모듈(120) 및 상기 매치 플레이트(130)의 배치 방향은 다양하게 변경 가능하다. 예를 들면, 상기 베이스 보드(114)와 상기 인터페이스 모듈(120) 및 상기 매치 플레이트(130)는 수직 방향으로 배치될 수도 있으며, 또한 상기 인터페이스 모듈(120) 상부에 상기 베이스 보드(114)가 배치되고 상기 인터페이스 모듈(120)의 하부에 상기 매치 플레이트(130)가 배치될 수도 있다. 따라서, 상기 베이스 보드(114)와 상기 인터페이스 모듈(120) 및 상기 매치 플레이트(130)의 배치 방향 및 순서 등에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.On the other hand, as shown, although the base board 114, the interface module 120 and the match plate 130 are arranged in a horizontal direction, the base board 114 and the interface module 120 and the match The arrangement direction of the plate 130 can be variously changed. For example, the base board 114, the interface module 120, and the match plate 130 may be disposed in a vertical direction, and the base board 114 may be disposed on the interface module 120. The match plate 130 may be disposed under the interface module 120. Therefore, the scope of the present invention will not be limited by the arrangement direction and order of the base board 114, the interface module 120, and the match plate 130.

상기 DSA 보드들(122) 상에는 상기 반도체 소자들(10)과의 접속을 위한 테스트 소켓들(126)이 배치될 수 있다. 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 테스트 소켓들(126)은 상기 반도체 소자들(10)의 외부 접속 단자들과의 접속을 위한 콘택 단자들을 구비할 수 있다. 예를 들면, 상기 콘택 단자들로는 포고 핀들이 사용될 수 있다. 그러나, 상기 콘택 단자들은 다양한 형태로 구현이 가능하므로 상기 콘택 단자들의 구성에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.Test sockets 126 for connecting to the semiconductor devices 10 may be disposed on the DSA boards 122. Although not shown in detail, the test sockets 126 may include contact terminals for connection with external connection terminals of the semiconductor devices 10. For example, pogo pins may be used as the contact terminals. However, since the contact terminals can be implemented in various forms, the scope of the present invention will not be limited by the configuration of the contact terminals.

상기 DSA 보드들(122)의 하부에는 상기 반도체 소자들(10)의 검사를 위한 전원 공급 소자들과, 상기 검사 신호들과 출력 신호들의 아날로그/디지털 변환을 위한 저항, 콘덴서, 증폭기 등과 같은 수동 소자들이 장착될 수 있다.Lower parts of the DSA boards 122 include power supply elements for inspecting the semiconductor devices 10 and passive elements such as resistors, capacitors, and amplifiers for analog / digital conversion of the test signals and output signals. Can be mounted.

상기 인터페이스 보드(124)는 도시된 바와 같이 상기 DSA 보드들(122)을 하방으로 노출시키는 개구들을 구비할 수 있으며, 상기 DSA 보드들(122)은 상기 개구들을 통해 상기 베이스 보드(114)와 연결될 수 있다. 예를 들면, 상기 DSA 보드들(122)은 복수의 암수 커넥터들(116, 128)에 의해 상기 베이스 보드(114)와 전기적으로 연결될 수 있다.The interface board 124 may have openings that expose the DSA boards 122 downward as shown, and the DSA boards 122 may be connected to the base board 114 through the openings. Can be. For example, the DSA boards 122 may be electrically connected to the base board 114 by a plurality of male and female connectors 116 and 128.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 테스트 장치(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 테스트 챔버(102)의 가장자리 부위들에 배치되어 상기 테스트 챔버(102) 내부로 온도 조절용 가스를 분사하는 복수의 분사 노즐들(140)을 포함할 수 있다. 상기 온도 조절용 가스는 상기 테스트 챔버(102) 내부의 온도를 조절하기 위해 사용될 수 있으며, 특히, 상기 반도체 소자들(10)에 대한 고온 테스트 공정을 수행하기 위해 상기 테스트 챔버(102)의 온도를 약 85℃ 정도의 검사 온도로 가열할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, the test apparatus 100 is disposed at the edge portions of the test chamber 102 as shown in FIG. 2 to provide a temperature control gas into the test chamber 102. It may include a plurality of injection nozzles 140 for spraying. The temperature control gas may be used to adjust the temperature inside the test chamber 102, and in particular, the temperature of the test chamber 102 may be reduced to perform a high temperature test process for the semiconductor devices 10. It can be heated to an inspection temperature of about 85 ° C.

일 예로서, 상기 온도 조절용 가스로는 공기가 사용될 수 있다. 특히, 상기 온도 조절용 가스로서 공기가 사용되는 경우 상기 테스트 챔버(102)에는 상기 분사된 온도 조절용 가스를 외부로 배출하기 위한 적어도 하나의 배출구가 구비될 수 있다. 또한, 상기 공기에 의한 상기 DSA 보드들(122)의 온도 조절 효과를 더욱 향상시키기 위해 상기 푸셔들(132) 및 상기 인서트 조립체들(30)에는 상기 공기를 통과시키기 위한 복수의 홀들이 구비될 수 있다.As an example, air may be used as the temperature control gas. In particular, when air is used as the temperature control gas, the test chamber 102 may be provided with at least one outlet for discharging the injected temperature control gas to the outside. In addition, the pushers 132 and the insert assemblies 30 may be provided with a plurality of holes for passing the air to further improve the temperature control effect of the DSA boards 122 by the air. have.

상기와 다르게, 상기 온도 조절용 유체 및/또는 상기 온도 조절용 가스로서 질소와 같은 불활성 가스가 사용되는 경우 상기 테스트 챔버(102)의 배출구는 상기 불활성 가스를 회수하기 위한 별도의 회수 배관(미도시)과 연결될 수 있다.Unlike the above, when an inert gas such as nitrogen is used as the temperature control fluid and / or the temperature control gas, the outlet of the test chamber 102 may include a separate recovery pipe (not shown) for recovering the inert gas. Can be connected.

상기 고온 테스트 공정에서 상기 DSA 보드들(122)의 온도는 상기 반도체 소자들(10)의 온도와 차이가 있을 수 있다. 구체적으로, 상기 DSA 보드들(122)의 온도가 상기 반도체 소자들(10)의 온도보다 낮을 수 있다.In the high temperature test process, temperatures of the DSA boards 122 may be different from temperatures of the semiconductor devices 10. In detail, temperatures of the DSA boards 122 may be lower than temperatures of the semiconductor devices 10.

상기 DSA 보드들(122)의 온도를 조절하기 위해 온도 조절 모듈(150)이 구비될 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 소자들(10)에 대한 고온 테스트 공정을 수행하는 경우, 상기 온도 조절 모듈(150)은 상기 DSA 보드들(122)을 가열하여 상기 고온 공정에 필요한 검사 온도로 용이하게 상승 및 유지될 수 있도록 한다. 따라서, 상기 고온 테스트 공정시, 상기 반도체 소자들(10)의 온도와 상기 DSA 보드들(122)의 온도를 동일하게 할 수 있다. The temperature control module 150 may be provided to adjust the temperature of the DSA boards 122. For example, when performing a high temperature test process for the semiconductor devices 10, the temperature control module 150 heats the DSA boards 122 to easily rise to the inspection temperature required for the high temperature process. And maintainable. Therefore, during the high temperature test process, the temperature of the semiconductor devices 10 and the temperature of the DSA boards 122 may be the same.

상기 온도 조절 모듈(150)은 상기 DSA 보드들(122)을 가열하기 위한 히터들(152), 제1 센서들(154), 컨트롤러(158)를 포함한다. The temperature control module 150 includes heaters 152, first sensors 154, and a controller 158 for heating the DSA boards 122.

상기 히터들(152)은 상기 DSA 보드들(122)의 내부에 각각 구비될 수 있다. 상기 히터들(152)은 상기 DSA 보드들(122)이 전체적으로 균일한 온도를 갖도록 가열할 수 있다. 예를 들면, 상기 히터들(152)은 평판 형태, 나선 형태, 격자 형태, 동심원과 방사상 직선이 결합된 형태 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 상기 히터들(152)의 형태는 다양하게 변경 가능하며, 상기 히터들(152)의 형태에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.The heaters 152 may be provided inside the DSA boards 122, respectively. The heaters 152 may heat the DSA boards 122 to have a uniform temperature as a whole. For example, the heaters 152 may have various forms such as a plate form, a spiral form, a lattice form, a form in which concentric circles and radial straight lines are combined. The shape of the heaters 152 can be variously changed, and the scope of the present invention will not be limited by the shape of the heaters 152.

상기 제1 센서들(154)은 상기 DSA 보드들(122)에 각각 구비되며, 상기 DSA 보드들(122)의 온도를 측정한다. 예를 들면, 상기 제1 센서들(154)은 상기 테스트 소켓들(126)이 배치되는 상기 DSA 보드들(122)의 상부면에 구비될 수 있다. 따라서, 상기 제1 센서들(154)은 상기 DSA 보드들(122)에서 상기 반도체 소자들(10)과 인접하는 부위의 온도를 측정할 수 있다. 다른 예로, 상기 제1 센서들(154)은 상기 DSA 보드들(122)의 하부면에 구비될 수 있다. 따라서, 상기 제1 센서들(154)은 상기 DSA 보드들(122)에서 상기 반도체 소자들(10)과 이격된 부위의 온도를 측정할 수 있다. 또 다른 예로, 상기 제1 센서들(154)은 비접촉식 온도 센서일 수 있으며, 이 경우 상기 제1 센서들(154)의 위치는 다양하게 변경될 수 있다.The first sensors 154 are provided on the DSA boards 122, respectively, and measure temperatures of the DSA boards 122. For example, the first sensors 154 may be provided on an upper surface of the DSA boards 122 where the test sockets 126 are disposed. Accordingly, the first sensors 154 may measure temperatures of portions of the DSA boards 122 adjacent to the semiconductor devices 10. As another example, the first sensors 154 may be provided on lower surfaces of the DSA boards 122. Accordingly, the first sensors 154 may measure temperatures of portions of the DSA boards 122 spaced apart from the semiconductor devices 10. As another example, the first sensors 154 may be a non-contact temperature sensor. In this case, the positions of the first sensors 154 may be variously changed.

상기 컨트롤러(158)는 상기 제1 센서들(154)에 측정된 상기 DSA 보드들(122)의 온도를 상기 고온 공정에 필요한 검사 온도와 동일하도록 상기 히터들(152)을 각각 제어할 수 있다. The controller 158 may control the heaters 152 so that the temperatures of the DSA boards 122 measured by the first sensors 154 are the same as the inspection temperature required for the high temperature process.

상기 컨트롤러(158)는 상기 검사 온도에 대한 정보를 미리 저장하고, 상기 저장된 상기 검사 온도와 상기 제1 센서들(154)에서 측정된 상기 DSA 보드들(122)의 온도를 비교할 수 있다. 상기 컨트롤러(158)는 상기 검사 온도와 상기 DSA 보드들(122)의 온도 차이만큼 상기 DSA 보드들(122)의 온도가 상승하도록 상기 히터들(152)을 제어한다. The controller 158 may store information about the test temperature in advance, and compare the stored test temperature with temperatures of the DSA boards 122 measured by the first sensors 154. The controller 158 controls the heaters 152 to increase the temperature of the DSA boards 122 by the difference between the test temperature and the DSA boards 122.

상기 DSA 보드들(122)의 온도가 서로 다를 수 있으므로, 상기 컨트롤러(158)는 상기 히터들(152)을 개별적으로 제어할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 컨트롤러(158)는 상기 히터들(152)을 한번에 제어할 수도 있다.Since the temperatures of the DSA boards 122 may be different from each other, the controller 158 may individually control the heaters 152. Alternatively, the controller 158 may control the heaters 152 at one time.

상기 온도 조절 모듈(150)은 제2 센서들(156)을 더 포함할 수 있다. The temperature control module 150 may further include second sensors 156.

상기 제2 센서들(156)은 상기 고온 테스트 공정이 수행되는 상기 테스트 챔버(102)의 상기 검사 온도를 측정한다. The second sensors 156 measure the inspection temperature of the test chamber 102 in which the high temperature test process is performed.

구체적으로, 상기 검사 온도는 상기 고온 테스트 공정이 수행되는 상기 테스트 챔버(102)의 내부의 온도일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 검사 온도는 상기 고온 테스트 공정이 수행되는 상기 반도체 소자들(10) 각각의 온도일 수 있다. 따라서, 상기 제2 센서들(156)은 상기 테스트 챔버(102)의 내부의 온도일 측정하거나, 상기 반도체 소자들(10) 각각의 온도를 측정할 수 있다. Specifically, the inspection temperature may be a temperature inside the test chamber 102 in which the high temperature test process is performed. Alternatively, the inspection temperature may be a temperature of each of the semiconductor devices 10 in which the high temperature test process is performed. Therefore, the second sensors 156 may measure the temperature of the inside of the test chamber 102 or measure the temperature of each of the semiconductor devices 10.

일 예로, 상기 제2 센서들(156)은 상기 테스트 챔버(102)들의 내벽에 구비될 수 있다. 다른 예로, 상기 제2 센서들(156)은 상기 테스트 트레이(20)나 인서트 조립체들(30)들에 구비될 수 있다. 또 다른 예로, 상기 제2 센서들(156)은 상기 매치 플레이트(130)에 구비될 수도 있다. 또 다른 예로, 상기 제2 센서들(156)은 비접촉식 온도 센서일 수 있으며, 이 경우 상기 제2 센서들(156)의 위치는 다양하게 변경될 수 있다.For example, the second sensors 156 may be provided on inner walls of the test chambers 102. As another example, the second sensors 156 may be provided in the test tray 20 or the insert assemblies 30. As another example, the second sensors 156 may be provided in the match plate 130. As another example, the second sensors 156 may be a non-contact temperature sensor. In this case, the positions of the second sensors 156 may be variously changed.

상기 제2 센서들(156)이 구비되는 경우, 상기 컨트롤러(158)는 상기 제1 센서들(154)에 측정된 상기 DSA 보드들(122)의 온도가 상기 제2 센서들(156)에서 측정된 상기 검사 온도와 동일하도록 상기 히터들(152)을 각각 제어할 수 있다. When the second sensors 156 are provided, the controller 158 measures the temperature of the DSA boards 122 measured by the first sensors 154 at the second sensors 156. Each of the heaters 152 may be controlled to be equal to the inspection temperature.

상기 컨트롤러(158)는 상기 제2 센서들(156)에서 측정된 상기 검사 온도와 상기 제1 센서들(154)에서 측정된 상기 DSA 보드들(122)의 온도를 비교할 수 있다. 예를 들면, 구체적으로, 상기 테스트 챔버(122)의 내부 온도와 상기 DSA 보드들(122)의 온도를 비교할 수도 있고, 상기 반도체 소자들(10)의 온도와 상기 DSA 보드들(122)의 온도를 개별적으로 비교할 수도 있다. The controller 158 may compare the test temperature measured by the second sensors 156 with the temperature of the DSA boards 122 measured by the first sensors 154. For example, in detail, the internal temperature of the test chamber 122 may be compared with the temperature of the DSA boards 122, and the temperature of the semiconductor devices 10 and the temperature of the DSA boards 122 may be compared. Can also be compared individually.

상기 컨트롤러(158)는 상기 검사 온도와 상기 DSA 보드들(122)의 온도 차이만큼 상기 DSA 보드들(122)의 온도가 상승하도록 상기 히터들(152)을 제어한다. 상기 컨트롤러(158)는 상기 히터들(152)을 개별적으로 제어할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 컨트롤러(158)는 상기 히터들(152)을 한번에 제어할 수도 있다. The controller 158 controls the heaters 152 to increase the temperature of the DSA boards 122 by the difference between the test temperature and the DSA boards 122. The controller 158 may individually control the heaters 152. Alternatively, the controller 158 may control the heaters 152 at one time.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 소자들(10)의 전기적인 특성 검사를 위한 테스트 장치(100)는 상기 온도 조절 모듈(150)을 이용하여 상기 DSA 보드들(122)의 온도를 상기 검사 온도와 동일하도록 조절할 수 있다. 따라서, 상기 검사 온도와 상기 DAS 보드들(122)의 온도가 실질적으로 동일한 상태에서 상기 반도체 소자들(10)에 대한 테스트가 수행될 수 있다. 결과적으로, 상기 반도체 소자들(10)의 전기적인 특성 검사에 대한 신뢰도가 향상될 수 있다. According to the embodiments of the present invention as described above, the test device 100 for the electrical characteristics inspection of the semiconductor devices 10 by using the temperature control module 150 of the DSA boards 122 The temperature can be adjusted to be equal to the test temperature. Therefore, the test of the semiconductor devices 10 may be performed while the inspection temperature and the temperatures of the DAS boards 122 are substantially the same. As a result, the reliability of the electrical characteristic inspection of the semiconductor devices 10 may be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

10 : 반도체 소자 20 : 테스트 트레이
30 : 인서트 조립체 100 : 테스트 장치
102 : 테스트 챔버 110 : 테스트 모듈
112 : 테스트 헤드 114 : 베이스 보드
120 : 인터페이스 모듈 122 : DSA 보드
124 : 인터페이스 보드 126 : 테스트 소켓
130 : 매치 플레이트 132 : 푸셔
140 : 분사 노즐 150 : 온도 조절 모듈
152 : 히터 154 : 제1 센서
156 : 제2 센서 158 : 컨트롤러10 semiconductor device 20 test tray
30 insert assembly 100 test apparatus
102: test chamber 110: test module
112: test head 114: base board
120: interface module 122: DSA board
124: interface board 126: test socket
130: Match Plate 132: Pusher
140: spray nozzle 150: temperature control module
152: heater 154: first sensor
156: second sensor 158: controller

Claims

A heater provided in an interior of a device specific adapter (DSA) board electrically connecting an interface board and semiconductor devices under test, the heater for heating the DSA board;
First temperature sensors provided on the DSA board for measuring a temperature of the DSA board; And
And a controller for controlling the heater such that the temperature of the DSA boards is equal to the inspection temperature of the high temperature test process of the semiconductor device using the temperatures of the DSA boards measured by the first temperature sensors. Board thermostat module.

The DSA board temperature control module of claim 1, wherein the first temperature sensors measure a temperature of the upper surface of the DSA board on which test sockets for contacting the semiconductor devices are disposed.

The method of claim 1, wherein the controller is configured to store information about the test temperature in advance and compare the stored test temperature with temperatures of the DSA boards measured by the first temperature sensors. And controlling the heaters to raise the temperature of the DSA boards by the temperature difference of the DSA boards.

The method of claim 1, further comprising: second temperature sensors provided inside the test chamber for testing the semiconductor device, the second temperature sensors measuring the inspection temperature;
The controller compares the test temperature measured by the second temperature sensors with the temperature of the DSA boards measured by the first temperature sensors, and compares the test temperature by the temperature difference between the DSA boards. And controlling the heaters to raise the temperature.

The DSA board temperature control of claim 4, wherein the inspection temperature is a temperature of each of the semiconductor devices to which the high temperature test process is performed, and the second temperature sensors measure a temperature of each of the semiconductor devices. module.

A test chamber providing a space for electrically inspecting the semiconductor devices stored in the test tray;
A test module for providing inspection signals for inspecting the semiconductor elements and inspecting the semiconductor elements based on output signals from the semiconductor elements;
An interface module including a DSA board for transferring the test signals and output signals between the test module and the semiconductor elements; And
It includes a temperature control module for adjusting the temperature of the DSA board,
The temperature control module is provided in the inside of the DSA board, the heater for heating the DSA board, the first temperature sensors and the first temperature sensors for measuring the temperature of the DSA board is provided on the DSA board And a controller for controlling the heater such that the temperature of the DSA boards is equal to the inspection temperature of the high temperature test process of the semiconductor device by using the temperature of the DSA boards measured by temperature sensors. .

The semiconductor device test apparatus of claim 6, wherein the first temperature sensors measure a temperature of an upper surface of the DSA board on which test sockets for contacting the semiconductor devices are disposed.

The apparatus of claim 6, wherein the controller is configured to store information about the test temperature in advance, and compare the stored test temperature with temperatures of the DSA boards measured by the first temperature sensors. And controlling the heaters to increase the temperature of the DSA boards by a temperature difference of the DSA boards.

The apparatus of claim 6, wherein the temperature control module further includes second temperature sensors provided inside the test chamber for testing the semiconductor device and for measuring the test temperature.
The controller compares the test temperature measured by the second temperature sensors with the temperature of the DSA boards measured by the first temperature sensors, and compares the test temperature by the temperature difference between the DSA boards. And testing the heaters so that the temperature rises.

The semiconductor device test apparatus of claim 9, wherein the inspection temperature is a temperature of each of the semiconductor devices to which the high temperature test process is performed, and the second temperature sensors measure a temperature of each of the semiconductor devices. .

The semiconductor device test apparatus of claim 6, further comprising a plurality of spray nozzles disposed at edge portions of the test chamber and spraying a gas for controlling temperature into the test chamber.

12. The apparatus of claim 11, further comprising a match plate disposed in the test chamber and having a plurality of pushers for bringing the semiconductor elements into close contact with the DSA boards.
The pushers are provided with a plurality of holes for passing the gas for temperature control device.

The method of claim 11, wherein the test tray is equipped with insert assemblies for receiving the semiconductor elements,
The insert assembly is a semiconductor device test device, characterized in that provided with a plurality of holes for passing the temperature control gas.