KR101012696B1 - 그라운드 본딩 방법 - Google Patents

그라운드 본딩 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101012696B1
KR101012696B1 KR1020030036322A KR20030036322A KR101012696B1 KR 101012696 B1 KR101012696 B1 KR 101012696B1 KR 1020030036322 A KR1020030036322 A KR 1020030036322A KR 20030036322 A KR20030036322 A KR 20030036322A KR 101012696 B1 KR101012696 B1 KR 101012696B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ground
wire
length
ground wire
coordinates
Prior art date
Application number
KR1020030036322A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040107582A (ko
Inventor
정용복
Original Assignee
삼성테크윈 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성테크윈 주식회사 filed Critical 삼성테크윈 주식회사
Priority to KR1020030036322A priority Critical patent/KR101012696B1/ko
Publication of KR20040107582A publication Critical patent/KR20040107582A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101012696B1 publication Critical patent/KR101012696B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명에 의한 그라운드 본딩 방법은, 설정된 그라운드 와이어의 길이
Figure 112003020242197-pat00001
, 및 인접 와이어의 길이 변동량에 의해 결정되는 그라운드 와이어의 길이 변동량
Figure 112003020242197-pat00002
을 이용하여 그라운드 와이어의 길이 L 을 구하는 단계; 상기 인접 와이어의 진행 방향으로부터 상기 그라운드 와이어의 진행방향
Figure 112003020242197-pat00003
를 결정하는 단계; 및 상기 그라운드 와이어의 길이L 및 상기 그라운드 와이어의 진행 방향 theta 을 이용하여, 측정된 그라운드 패드 좌표
Figure 112003020242197-pat00004
로부터 보정된 그라운드 본드 좌표
Figure 112003020242197-pat00005
를 결정하는 단계를 구비한다. 따라서, 인접 와이어의 측정된 좌표로부터 결정되는 그라운드 와이어의 진행방향뿐 아니라, 인접 와이어의 설정 좌표와 측정 좌표간의 차이에 의해 결정되는 그라운드 와이어의 길이 변동량을 그라운드 본드 위치 결정에 반영함으로써, 그라운드 와이어의 진행 방향파워라인과 같이 좁은 영역에 본딩해야 하는 그라운드 본딩에 있어서 오본딩의 확률이 크게 개선할 수 있고, 결과적으로 반도체 조립품질의 향상을 가져온다.

Description

그라운드 본딩 방법{Method for ground bonding}
도 1은 종래의 그라운드 본딩 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 의한 그라운드 본딩 방법에 의한 본딩 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 그라운드 본딩 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
본 발명은 반도체 제조 공정 중 와이어 본딩에 관한 것으로서, 특히 그라운드 본딩에 관한 것이다.
와이어 본딩 공정은, 다이 상면에 마련된 패드(pad)와 리드 프레임(lead frame)의 리드 사이에 전도성 매질 예컨대 고순도 금선을 초음파와 열에 의해 접합하여 연결하는 공정이다.
종래의 그라운드 본딩 방법은, 그라운드 본드 위치 주변의 리드 본딩 와이어의 각도를 계산하여 그 사이에 그라운드 본딩 좌표를 설정하였다. 즉 와이어의 진행방향만을 결정하였다. 그래서 다이 쉬프트(Die shift)로 인하여 패드 본드 포인 트가 심하게 변할 경우에는 그라운드 본딩이 정해진 영역에 이루어지지 않는 경우가 발생한다.
그라운드 본드 좌표는 패드(pad) 또는 리드(lead) 본드와는 달리 일정한 패턴이 없기 때문에 비전 시스템(vision system)에 의해 본드 좌표를 보정해 줄 수 없다는 특징이 있다. 만일 그라운드 본드 좌표가 다이 위치와 리드 프레임 위치의 변동에 관계없이 항상 일정하게 유지된다면, 그라운드 본드 와이어와 인접한 리드 본드 와이어간의 간섭에 의해 단락이 발생할 우려가 매우 높아진다.
이를 보완하기 위한 종래의 그라운드 본딩 방법은, 와이어간의 간섭에 의한 단락을 방지하기 위하여 인접한 두 와이어의 진행각도를 계산하여 그 사잇각으로 그라운드 본딩 와이어의 방향을 설정하여 그라운드 본드 좌표를 보정해 주었다.
도 1은 종래의 그라운드 본딩(Ground bonding) 방법을 설명하기 위한 도면이다. 종래의 그라운드 본딩 방법은, 인접한 와이어 W1, W2 의 패드(102, 106)상의 본드 포인트 (X1P, Y1P) 및 (X2P, Y2P)와 리드 프레임(110, 112)상의 리드 본드 포인트 (X1L, Y1L) 및 (X2L, Y2L)을 연결하는 두 선의 사이각을 이등분하는 선상에서, 그라운드 본드 포인트를 결정한다. 그러나 이러한 종래의 방법은 와이어간 간섭에 의한 단락은 방지할 수 있으나, 리드 프레임(110, 112)의 위치 변동에 의한 와이어 길이 변동량을 고려치 않아서 파워라인(108)을 벗어난 위치(116)에 오본딩되는 경우가 발생하는 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 그라운드 와이어의 진행방향과 그라운드 와이어의 길이를 모두 보정하여 결정하는 그라운드 본딩 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명에 의한 그라운드 본딩 방법은, 설정된 그라운드 와이어의 길이
Figure 112003020242197-pat00006
, 및 인접 와이어의 길이 변동량에 의해 결정되는 그라운드 와이어의 길이 변동량
Figure 112003020242197-pat00007
을 이용하여 그라운드 와이어의 길이 L 을 구하는 단계; 상기 인접 와이어의 진행 방향으로부터 상기 그라운드 와이어의 진행방향
Figure 112003020242197-pat00008
를 결정하는 단계; 및 상기 그라운드 와이어의 길이L 및 상기 그라운드 와이어의 진행 방향
Figure 112003020242197-pat00009
를 이용하여, 측정된 그라운드 패드 좌표
Figure 112003020242197-pat00010
로부터 보정된 그라운드 본드 좌표
Figure 112003020242197-pat00011
를 결정하는 단계를 구비한다.
상기 그라운드 와이어 길이의 변동량
Figure 112003020242197-pat00012
은, 상기 인접한 와이어의 길이 변동량의 평균값에 의하여 결정될 수 있다.
상기 그라운드 와이어 길이 L 은, 수학식
Figure 112003020242197-pat00013
에 의하여 결정될 수 있다.
상기 그라운드 와이어의 진행 방향
Figure 112003020242197-pat00014
는, 상기 인접 와이어의 진행 방향의 평균값에 의하여 결정될 수 있다.
상기 보정된 그라운드 본드 좌표
Figure 112003020242197-pat00015
는, 수학식
Figure 112003020242197-pat00016
,
Figure 112003020242197-pat00017
에 의하여 결정될 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 그라운드 본딩 방법의 구성과 동작을 첨부한 도면들을 참조하여 다음과 같이 상세히 설명한다.
본 발명은, 인접 와이어의 측정된 좌표로부터 결정되는 그라운드 와이어의 진행방향, 및 상기 인접 와이어의 설정 좌표와 측정 좌표간의 차이에 의해 결정되는 그라운드 와이어의 길이 변동량을 이용하여, 보정된 그라운드 본드 좌표를 결정하는 그라운드 본딩 방법이다.
본딩할 디바이스가 본드 위치에 오게 되면 비전 시스템은 이 디바이스를 인식하여 패드의 본드 포인트, 리드의 본드 포인트, 그리고 나서 그라운드 본드 포인트를 계산하게 된다. 이전에 설계된 칩의 경우 주로 그라운드 본드 포인트는 다이의 위치에 의존하였다. 그래서 다이로부터 일정한 거리에 위치한 지점에 본딩을 하면 문제가 없었다.
그러나 패드 피치가 미세해짐에 따라, 그라운드 본드 좌표를 위치는 다이의 위치뿐만이 아니라 리드의 본드 위치도 고려하여 결정되어야 한다. 그래서 그라운드 와이어와 인접한 와이어간의 각을 계산하여, 그라운드 본드 위치가 두 인접한 와이어 사이에 위치하도록 계산하였다.
그러나 이러한 종래의 그라운드 본딩 방법에서는, 리드프레임상에 다이의 본딩 오차가 클수록 그라운드 본드 위치는 특정 영역을 많이 벗어나는 문제점이 발생한다.
본 발명에 의한 그라운드 본딩 방법에 있어서는, 이러한 문제점을 개선하기 위하여, 인접 와이어의 측정된 좌표로부터 결정되는 그라운드 와이어의 진행방향뿐 아니라, 인접 와이어의 설정 좌표와 측정 좌표간의 차이에 의해 결정되는 그라운드 와이어의 길이 변동량을 그라운드 본드 위치 결정에 반영한다.
이렇게 하여 그라운드 본드의 위치를 설정함으로서, 전원 공급을 위하여 다이 주변에 띠모양으로 형성된 파워라인과 같이 좁은 영역에 본딩해야 할 경우 오본딩의 확률이 크게 개선되어 반도체 조립품질의 향상을 가져온다.
도 2는 본 발명에 의한 그라운드 본딩 방법에 의한 본딩 결과를 설명하기 위한 도면이다. 본 발명에 의한 그라운드 본딩 방법은, 인접한 와이어 W1, W2의 패드(202, 206)상의 본드 포인트 (X1P, Y1P) 및 (X2P, Y2P)와 리드 프레임(210, 212)상의 리드 본드 포인트 (X1L, Y1L) 및 (X2L, Y2L)을 연결하는 두 선의 사이각을 이등분하는 선상에서, 그라운드 본드 포인트를 결정할 뿐만 아니라, 리드 프레임(210, 212)의 위치 변동량을 고려한다. 도 2를 참조하면, 도 1에 도시된 와이어 길이 변동량을 고려치 않아서 파워라인(108)을 벗어난 위치(116)에 오본딩되는 경우와는 달리, 파워라인(208) 상의 위치(216)에 올바로 본딩되는 것을 알 수 있다.
도 3은 본 발명에 의한 그라운드 본딩 방법의 바람직한 일 실시예를 설명하기 위한 플로우차트로서, 그라운드 와이어의 설정 길이가 Lt , 두 인접 와이어의 설정 길이가 L1t, L2t 일 때, 보정된 그라운드 본드 좌표 G(XG, Y G)를 결정하기 위한 단계들(S300 ~ S314 단계)로 이루어진다.
먼저, 인접 와이어 W1의 측정된 패드 좌표 (X1P, Y1P) 및 리드 본드 좌표 (X1L, Y1L)로부터 다음 수학식 1에 의하여 인접 와이어 W1의 길이 변동량 ΔL1을 결정한다(S300 단계).
Figure 112003020242197-pat00018
인접 와이어 W2의 측정된 패드 좌표 (X2P, Y2P) 및 리드 본드 좌표 (X2L , Y2L)로부터 다음 수학식 2에 의하여 인접 와이어 W2의 길이 변동량 ΔL2를 결정한다(S302 단계).
Figure 112003020242197-pat00019
그라운드 와이어의 길이 변동량 ΔL을 다음 수학식 3에 의하여 결정한다(S304 단계).
Figure 112003020242197-pat00020
그라운드 와이어의 길이 L을 다음 수학식 4에 의하여 결정한다(S306 단계).
Figure 112003020242197-pat00021
여기서 두 인접한 와이어의 진행방향
Figure 112003020242197-pat00022
,
Figure 112003020242197-pat00023
다음 수학식 5과 같이 결정한 다(S308 단계).
Figure 112003020242197-pat00024
Figure 112003020242197-pat00025
,
그라운드 와이어의 진행 방향
Figure 112003020242197-pat00026
는 다음 수학식 6와 같이 결정될 수 있다(S310 단계).
Figure 112003020242197-pat00027
측정된 그라운드 패드 좌표 P(XP, YP) 에 대한 보정된 그라운드 본드 좌표 G(XG, YG)는 다음 수학식 7과 같이 결정될 수 있다(S312 단계).
Figure 112003020242197-pat00028
Figure 112003020242197-pat00029
이상에서 설명한 한 바와 같이, 본 발명에 따른 그라운드 본딩 방법에 의하면, 인접 와이어의 측정된 좌표로부터 결정되는 그라운드 와이어의 진행방향뿐 아니라, 인접 와이어의 설정 좌표와 측정 좌표간의 차이에 의해 결정되는 그라운드 와이어의 길이 변동량을 그라운드 본드 위치 결정에 반영함으로써, 그라운드 와이어의 진행 방향파워라인과 같이 좁은 영역에 본딩해야 하는 그라운드 본딩에 있어 서 오본딩의 확률이 크게 개선할 수 있고, 결과적으로 반도체 조립품질의 향상을 가져온다.
본 발명은 이상에서 설명되고 도면에 예시된 것에 의해 한정되는 것은 아니며, 다음에 기재되는 청구의 범위 내에서 더 많은 변형 및 변용예가 가능한 것임은 물론이다.

Claims (5)

  1. 설정된 그라운드 와이어의 길이
    Figure 112010034434160-pat00030
    , 및 상기 그라운드 와이어에 인접하는 인접 와이어의 길이 변동량에 의해 결정되는 그라운드 와이어의 길이 변동량
    Figure 112010034434160-pat00031
    을 이용하여 그라운드 와이어의 길이 L 을 구하는 단계;
    상기 인접 와이어의 진행 방향으로부터 상기 그라운드 와이어의 진행방향
    Figure 112010034434160-pat00032
    를 결정하는 단계; 및
    상기 그라운드 와이어의 길이L 및 상기 그라운드 와이어의 진행 방향
    Figure 112010034434160-pat00033
    를 이용하여, 측정된 그라운드 패드 좌표
    Figure 112010034434160-pat00034
    로부터 보정된 그라운드 본드 좌표
    Figure 112010034434160-pat00035
    를 결정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 그라운드 본딩 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 그라운드 와이어 길이의 변동량
    Figure 112010034434160-pat00036
    은,
    상기 인접 와이어의 길이 변동량의 평균값에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 그라운드 본딩 방법.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 그라운드 와이어 길이 L 은,
    다음 수학식
    Figure 112003020242197-pat00037
    에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 그라운드 본딩 방법.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 그라운드 와이어의 진행 방향
    Figure 112003020242197-pat00038
    는,
    상기 인접 와이어의 진행 방향의 평균값에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 그라운드 본딩 방법.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 보정된 그라운드 본드 좌표
    Figure 112003020242197-pat00039
    는,
    다음 수학식
    Figure 112003020242197-pat00040
    Figure 112003020242197-pat00041
    에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 그라운드 본딩 방법.
KR1020030036322A 2003-06-05 2003-06-05 그라운드 본딩 방법 KR101012696B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030036322A KR101012696B1 (ko) 2003-06-05 2003-06-05 그라운드 본딩 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030036322A KR101012696B1 (ko) 2003-06-05 2003-06-05 그라운드 본딩 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040107582A KR20040107582A (ko) 2004-12-23
KR101012696B1 true KR101012696B1 (ko) 2011-02-09

Family

ID=37381658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030036322A KR101012696B1 (ko) 2003-06-05 2003-06-05 그라운드 본딩 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101012696B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56100437A (en) 1980-01-16 1981-08-12 Mitsubishi Electric Corp Bonding method for wire of semiconductor device
KR19990030291A (ko) * 1997-09-30 1999-04-26 모토로라, 인크 전도성 상호 접속부들이 있는 접합 패드들의 멀티플 오버랩핑행들로 구성된 반도체 장치 및 패드 대체 방법
KR19990057772A (ko) * 1997-12-30 1999-07-15 김영환 와이어본딩위치 보정장치 및 방법
JP2001176911A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56100437A (en) 1980-01-16 1981-08-12 Mitsubishi Electric Corp Bonding method for wire of semiconductor device
KR19990030291A (ko) * 1997-09-30 1999-04-26 모토로라, 인크 전도성 상호 접속부들이 있는 접합 패드들의 멀티플 오버랩핑행들로 구성된 반도체 장치 및 패드 대체 방법
KR19990057772A (ko) * 1997-12-30 1999-07-15 김영환 와이어본딩위치 보정장치 및 방법
JP2001176911A (ja) 1999-12-21 2001-06-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040107582A (ko) 2004-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8129263B2 (en) Wire bond interconnection and method of manufacture thereof
KR100536898B1 (ko) 반도체 소자의 와이어 본딩 방법
US20050266672A1 (en) Wire-bonding method for chips with copper interconnects by introducing a thin layer
JP4881620B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2004071983A (ja) バンプの形成方法及びバンプ
US20070029367A1 (en) Semiconductor device
JPH0951011A (ja) 半導体チップのワイヤボンディング方法
US20060128040A1 (en) Bond positioning method for wire-bonding process and substrate for the bond positioning method
US6107676A (en) Leadframe and a method of manufacturing a semiconductor device by use of it
KR101012696B1 (ko) 그라운드 본딩 방법
JP3999780B2 (ja) リードフレームの製造方法
GB2261547A (en) Semiconductor device with bonding pads at the edge
JPH05160192A (ja) 半導体製造装置
JPH02303038A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS63187657A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004281488A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20060213956A1 (en) Method for producing a wire connection
US20040053447A1 (en) Leadframe having fine pitch bond fingers formed using laser cutting method
KR100252732B1 (ko) 내부 리드선 본딩 방법 및 장치
JP3252153B2 (ja) 隆起接点メタライゼーションを形成する方法及びボンディングツール
JP3753685B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2873350B2 (ja) 半導体装置
JP2625956B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPH0982742A (ja) ワイヤボンディング方法
US20030010812A1 (en) Bonding tool capable of bonding inner leads of tab tapes to electrode pads in high quality and high productivity and bonding method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131231

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee