KR101002682B1 - 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 일면에 복수의 홀이 형성된 기판; 홀 및 기판의 일면에 형성된 금속층; 금속층에 코팅된 p-타입 반도체; 홀의 내부 및 기판의 일면에 형성된 n-타입 반도체; n-타입 반도체 위에 형성된 투명전극; p-타입 반도체 및 투명전극에 형성된 전극단자를 포함하는 태양전지는 양극부식을 통하여 빛을 흡수하는 면적을 극대화 함으로써 집광 영역을 넓힐 수 있으며, 마이크로 사이즈의 구형 투명전극을 이용하여 빛의 난반사를 막고 빛의 흡수도를 높일 수 있다.
태양전지, 양극산화(Anodizing), 마이크로 렌즈 투명전극

Description

태양전지 및 그 제조방법{Solar cell and manufacturing method thereof}
본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양빛(photons)을 반도체의 성질을 이용하여 전기에너지로 변환시키는 장치로서, 전기에너지를 빛 에너지로 변환시키는 발광 다이오드(lighting emitting diode, LED)나 레이저 다이오드(laser diode)와 반대 작용을 통해 에너지를 얻는 것이다. 태양에너지 기술은 꾸준히 발전하여 현재 일부 시스템이 상용화 되었거나 상용화를 서두르는 단계에 와 있다.
태양전지는 기본적으로 p-n접합으로 구성된 다이오드로서, 광 흡수층으로 사용되는 물질에 따라 다양한 종류로 구분된다. 광 흡수층으로 실리콘을 이용하는 태양전지는 결정질(단, 다결정) 기판(wafer)형 태양전지와 박막형(결정질, 비정질) 태양전지로 구분된다. 또한 CdTe나 CIS(CuInSe2)의 화합물 박막 태양전지, III-V족 태양전지, 염료감응 태양전지, 유기 태양전지를 대표적인 태양전지로 꼽을 수 있다.
태양광발전 기술이 현재 안고 있는 가장 큰 문제점은 시스템의 높은 가격에 의한 높은 발전단가로서 태양광발전이 대량으로 보급되는데 가장 큰 걸림돌로 작용하고 있다. 실리콘 기판 태양전지(단, 다결정)의 시장점유율이 약 90% 이상임을 감안할 때, 현재 태양광발전시스템의 높은 가격은 태양광 모듈의 높은 가격 즉, 태양전지를 구성하는 실리콘 기판의 높은 가격비중에 기인한 것으로 분석된다. 따라서 가격 상승의 주된 요인인 실리콘 기판을 사용하는 대신 태양전지에 필요한 최소한의 물질을 저가의 기판위에 박막 형태로 증착하여 소자를 제조할 경우 태양전지 및 시스템 가격을 획기적으로 줄일 수 있다.
대표적인 박막 태양전지로는 사용되는 광 흡수층 물질에 따라 실리콘계, CuInSe2계, CdTe 박막 태양전지를 들 수 있는데, 이러한 박막 태양전지의 장점은 고가의 실리콘 기판대신 유리나 금속판과 같은 저가의 기판을 사용할 수 있고 두께 수 마이크론 내외의 박막 증착을 통해 물질 소모량을 최소화 하여 태양전지를 저가로 제조할 수 있다는 것이다. 또한 대면적의 모듈을 in-line 공정을 이용하여 제조함으로써 생산성 향상 및 제조단가의 저가화가 가능한 것도 또 하나의 장점으로 들 수 있다.
실리콘 박막 태양전지의 일 예로서 유리기판을 사용한 태양전지가 도 1에 도시되어 있다. 기판으로 글래스(1)를 사용하여 한쪽 면에 투명전극(TCO: Transparent conductive oxide, 2)을 증착 시킨 후 n-타입 반도체(3), p-타입 반도체(4)를 각각 순차적으로 증착시켜 p-n 접합(p-n junction)을 만들어 제작하는 방법이다. 글래스(1) 면으로 들어온 빛은 투명전극(2)과 n-타입 반도체(3)를 지나 p-타입 반도체(4)에서 흡수가 되면서 여기된 전자가 기전력에 의해 흐르게 되고 그 때 전력을 얻을 수가 있게 된다.
본 발명은 태양전지의 집광 표면적을 넓히고, 빛의 난반사를 방지할 수 있는실리콘 박막 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판의 일면에 복수의 홀을 형성하는 단계; 홀의 내부벽 및 기판의 일면에 금속층을 형성하는 단계; 금속층 위에 p-타입 반도체를 코팅하는 단계; 홀의 내부 및 기판의 일면에 n-타입 반도체를 형성하는 단계; n-타입 반도체에 투명전극 형성하는 단계; 및 p-타입 반도체 및 투명전극에 전극단자를 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법이 제공된다.
홀을 형성하는 단계는 양극산화(Anodizing) 처리를 통해 형성할 수 있고, 특히 p-타입 실리콘 웨이퍼를 기판으로 하여 불산 용액에서 양극산화 할 수 있다.
투명전극은 마이크로 렌즈 형상으로 형성할 수 있고, 잉크젯 방식을 이용하여 투명전극을 구성하는 재료를 함유한 잉크를 n-타입 반도체 위에 프린팅하는 단계를 통해 투명전극을 형성할 수 있다.
투명전극을 형성하는 단계는 n-타입 반도체 위에 투명전극을 구성하는 재료 를 함유한 제1 잉크액적을 토출하는 단계; 제1 잉크액적을 경화시키는 단계; 및 제1 잉크액적에 인접하여 투명전극을 구성하는 재료를 함유한 제2 잉크액적을 토출하는 단계를 포함할 수 있다.
n-타입 반도체를 형성하는 단계는 잉크젯 방식으로 수행될 수 있다. 전극단자를 형성하는 단계는 잉크젯 방식으로 도전성 잉크를 프린팅하여 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 일면에 복수의 홀이 형성된 기판; 홀의 내벽 및 기판의 일면에 형성된 금속층; 금속층에 코팅된 p-타입 반도체; 홀의 내부 및 기판의 일면에 형성된 n-타입 반도체; n-타입 반도체 위에 형성된 투명전극; p-타입 반도체 및 투명전극에 형성된 전극단자를 포함하는 태양전지가 제공된다.
기판은 p-타입 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있고, 투명전극은 마이크로 렌즈 형상일 수 있다. 복수의 홀은 그 크기가 일정하고, 각 홀 사이의 간격은 일정하게 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 양극부식을 통하여 빛을 흡수하는 면적을 극대화 함으로써 집광 영역을 넓힐 수 있으며, 마이크로 사이즈의 구형 투명전극을 이용하여 빛의 난반사를 막고 빛의 흡수도를 높일 수 있다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 태양전지 및 그 제조방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 측면에 따른 태양전지 제조방법을 나타낸 순서도이고, 도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 측면에 따른 태양전지 제조방법을 나타낸 흐름도이 다. 도 3 내지 도 8을 참조하면 기판(10), 홀(15), 금속층(20), p-타입 반도체(30), n-타입 반도체(40), 투명전극(50), 제1 잉크액적(51), 제2 잉크액적(52) 및 전극단자(60)가 도시되어 있다.
먼저 도 2에 도시된 바와 같이 기판에 복수의 홀(15)을 형성한다(S100). 기판(10)은 태양전지의 기저로서 각 층상구조를 이루기 위한 밑바탕이 되는 구조체로서, 다양한 재질의 기판(10)이 이용될 수 있으나, 본 실시예에서는 기판(10)에 홀(15)을 형성에 적절한 경도의 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
홀(15)을 형성하는 방법의 하나로서 기판(10) 표면을 양극산화(Anodizig) 처리를 할 수 있는 데, 양극산화(Anodizig) 처리는 처리 대상-본 실시예에서는 기판(10)-에 양극을 가하고 용액에 음극을 가해 표면처리하는 방식이다. 양극산화 처리를 하게 되면 표면이 울퉁불퉁한 다공성 표면이 된다. 양극 산화의 효과는 가용하는 용액의 종류에 따라서 달라지며, 가용용액은 산성용액으로 황산, 크롬산, 인산, 불산 등이 이용될 수 있다.
이러한 양극산화 처리를 하기 위해서 기판(10)으로 p-타입의 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있다. 도 10은 p-타입의 실리콘 웨이퍼를 불산(HF)을 이용해서 양극산화 처리한 모습을 나타낸 기판의 표면 사진이다. 도 10을 참조하면, 양극산화 처리에 의해 일정한 간격으로 홀(15)이 형성되며, 산화처리 시간을 조절하여 홀(15)의 크기를 다양하게 할 수 있다. 도 11은 p-타입의 실리콘기판을 불산(HF)을 이용해서 양극산화 처리한 기판의 단면도로, 크기가 약 1 내지 2마이크로 미터의 가늘고 긴 홀(15)이 형성된 것을 확인할 수 있다.
이렇게 홀(15)을 형성하면 빛을 흡수하는 p-n접합의 면적이 증가하여 동일한 사이즈의 기판(10)을 이용해서 더 많은 양의 빛을 모을 수 있다는 장점이 있다. 또 홀(15) 안으로 들어온 빛은 홀의 내벽을 통해 반사되더라도 반대편 내벽으로 반사되어 결국 홀 내부에서 흡수되고 쉽게 홀(15)을 빠져나가지 못하므로, 빛의 반사로 인한 효율이 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이 홀(15)의 내부벽 및 기판(10)의 일면에 금속층(20)을 형성한다(S200). 금속층(20)은 홀(15)의 내벽면을 포함한 기판(10)의 일면에 전도성 물질을 도포함으로써 박막형태로 형성되며, 이를 위해 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등 다양한 박막 형성방법이 이용될 수 있다. 금속층(20)은 p-타입 반도체(30)와 접하여 후술할 p-타입 반도체(30)와 전극단자(60)를 전기적으로 연결한다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 금속층(20) 위에 p-타입 반도체(30)를 코팅한다(S300). 반도체 물질인 규소(Si)나 게르마늄(Ge) 등 4족 원소에 불순물을 첨가하면 저항을 감소시키는 도핑(doping)공정을 통해 정공의 수를 증가시킴으로써 전도성(傳導性)을 높여 저항을 감소시킨 것이 p-타입 반도체(30)이다.
순수한 반도체에서 정공수를 증가시키기 위해서는 불순물인 알루미늄(Al)·붕소(B)·갈륨(Ga)·인듐(In) 등의 원소를 첨가할 수 있다. 붕소를 예로 더 구체적으로 설명을 하면, 순수한 규소 안에 붕소를 첨가하면 이들은 서로 공유결합을 하 려고 하나 규소의 최외각전자가 4개인데 비해 붕소는 3개이므로 공유결합하기 위해서는 전자 1개가 부족하다. 이때 전자가 부족한 곳이 정공이 되고, 전하 운반체(carrier)는 자유전자보다 양(+, positive)의 전기를 갖는 정공 쪽이 많아지게 된다.
p-타입 반도체도 박막 형상으로 금속층 위에 형성하며, 금속층을 형성하는 방법과 유사하게 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 이용될 수 있다.
다음으로 도 6에 도시된 바와 같이, 홀(15)의 내부 및 기판(10)의 일면에 n-타입 반도체(40)를 형성한다(S400). 도면상에서는 잉크젯 헤드를 이용하여 도포하는 방식으로 도시되어 있으나, 반드시 잉크젯 방법에 한정되는 것은 아니며, n-타입 반도체(40)로 홀을 메우고, 기판의 일면을 n-타입 반도체(40)로 덮을 수 있는 도포 방식이라면 이용 가능하다.
규소나 게르마늄 같은 4가 원자결정 구조에서 일부를 인, 비소, 안티몬과 같은 5가 원자를 치환하면, 공유결합을 형성하는데 5가 원자의 경우 전자가 하나 남기 때문에 원자 사이를 자유롭게 돌아다니는 자유전자가 된다. 이렇게 전자를 잃고 이온화된 불순물 원자를 도너(donor)라고 하며, 4가 원자에 도너가 도핑된 반도체를 n-타입 반도체(40)라고 한다. n-타입 반도체(40)는 전자를 제공하고 p-타입반도체는 전자를 받아들이므로, p-n 타입 반도체간의 전자 농도 기울기에 의해 전자의 흐름 즉 전류가 흐르게 된다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, n-타입 반도체(40)에 투명전극(50) 형성한다(S500). 투명전극(50)은 빛이 반사되지 않고 n-타입 반도체(40)로 투과되도록 하는 역할을 하며 ITO, ZnO등 투명하면서 전기 전도성이 있는 재질이 사용된다. 특히 투명전극(50)이 도 7에 도시된 바와 같이 마이크로 반구형 렌즈 형상인 경우에는 입사된 빛을 손실 없이 투과시키고, 투명전극(50) 과 n-타입 반도체(40) 간의 계면 표면적을 증가시켜 보다 많은 전자가 여기되도록 하는 효과가 있어 더 효율적인 태양전지를 제조할 수 있다.
이러한 마이크로 반구형 렌즈는 잉크젯 방식으로 수십 마이크로 사이즈의 잉크 액적을 토출하여 프린팅할 수 있다. 즉, 잉크젯 방식으로 투명전극(50)을 구성하는 재료를 함유한 잉크를 프린팅하는 과정에서 제1 잉크액적(51)과 그에 인접한 제2 잉크액적(52) 간에 토출 시간의 차이를 둠으로써 제1 잉크액적(51)이 경화되어 반구형의 형상을 유지한 상태에서 제2 잉크액적(52)이 토출되도록 하는 것이다.
따라서, 본 실시예에 따라 마이크로 렌즈 형상의 투명전극(10)을 형성하기 위해서는 제1 잉크액적(51)을 토출하고(S502), n-타입 반도체(40) 상에 탄착된 제1 잉크액적(51)이 경화되도록 한 후(S504), 제1 잉크액적(51)에 인접하여 제2 잉크액적(52)을 토출하는 방법을 이용할 수 있다(S506).
잉크액적의 경화는 단순히 소정의 시간 간격을 두고 액적을 토출하는 방법, 기판(10)을 가열하거나 잉크액적에 자외선을 조사하는 등 탄착된 잉크액적을 건조시키는 방법 등이 가능하다. 제1 잉크액적(51)이 경화된 후 그에 인접하여 제2 잉크액적(52)을 토출하기 위해서는 도 7에 도시된 것처럼 제1 잉크액적(51)이 경화될 정도의 시간 간격을 두고 잉크액적을 토출할 수 있으며, 소정 간격 이격되도록 제1 잉크액적(51)으로 토출하고 제1 잉크액적(51)이 경화된 후에 제1 잉크액적(51) 사이의 공간에 제2 잉크액적(52)을 토출하는 것도 가능하다.
이처럼 소정 간격 이격되도록 잉크액적을 토출한 후에 탄착된 잉크액적들의 사이에 다시 잉크액적을 토출하기 위해서는 잉크액적의 토출간격, 탄착된 잉크액적 사이의 공간의 크기, 잉크액적의 경화시간 등을 고려하여 가장 효율적인 토출방법을 결정하는 것이 좋다.
다음으로, p-타입 반도체(30) 및 투명전극(50)에 전극단자(60)를 형성한다(S600). 전극단자(60)는 태양전지의 음극과 양극의 단자 역할을 하는 것으로 도 8에 도시된 바와 같이 전도성이 있는 금속을 투명전극(50)과 노출된 p-타입 반도체(30)에 형성한다. 형성방법은 도시된 잉크젯 방식으로 프린팅하는 것뿐만 아니라, 박막 증착 방법을 이용할 수도 있다.
이상 양극산화방식을 이용한 태양전지의 제조방법을 설명하였으며 이하 기판에 홀을 형성함으로써 표면적을 증가시킨 태양전지 구조에 대해서 설명하도록 한다.
도 9는 본 발명의 다른 측면에 따른 태양전지를 나타낸 단면도로, 기판(10), 홀(15), 금속층(20), p-타입 반도체(30), n-타입 반도체(40), 투명전극(50), 제1 잉크액적(51), 제2 잉크액적(52), 전극단자(60)가 도시되어 있다.
기판(10)은 태양전지 층상구조의 밑바탕이 되는 구조체로 그 재질은 제한 되지 아니하며, 양극산화(Anodizing) 방식으로 홀(15)을 형성하기 위해 p-타입 실리 콘 웨이퍼를 이용할 수 있다.
기판(10)에 형성된 홀(15)은 기계적인 방법으로 형성하거나, 양극산화(Anodizing) 방식으로 표면처리하여 형성할 수 있음은 앞에서 살펴보았다. 홀(15)의 내부벽 및 기판(10)의 일면에 금속층(20) 및 p-타입 반도체(30)가 형성될 수 있고, 기판(10)의 일면에 n-타입 반도체(40)가 형성되며 이때 홀(15)의 내부에도 n-타입 반도체(40)가 채워진다.
홀(15)에 의해 n-타입 반도체(40)와 p-타입 반도체(30)간의 접하는 p-n 접합 면적이 넓어져서 동일 면적의 태양전지에서 효율을 높일 수 있다. 또한 빛이 들어오면 반사되더라도 홀(15) 내부에서 빛이 움직이므로, 결국에는 p-타입 반도체(30)에 흡수되므로 반도체 내로 들어온 빛을 대부분 이용할 수 있다.
n-타입 반도체(40) 위에 투명전극(50)이 형성되는데 투명전극(50)은 빛을 집광하는 집광층 역할도 하며, 특히 마이크로 렌즈 형상으로 형성하면 더 입사된 빛의 손실을 방지하고 보다 많은 전자가 여기되도록 함으로써 태양전지의 성능을 향상시킬 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 측면에 따른 태양전지의 작동원리를 나타낸 개념도로, 마이크로 렌즈를 통한 빛의 흐름이 도시되어 있다. 마이크로 렌즈 형상의 투명전극(50)으로 인해 입사된 빛이 화살표를 따라 난반사 없이 n-타입 반도체(40)에 전달되므로 보다 많은 전자가 여기되도록 할 수 있어 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있는 것이다.
전극단자(60)는 금속층(20) 및 투명전극(50)에 형성되며 전도성 있는 물질로 구성되고, p-타입 반도체(30)와 n-타입 반도체(40)의 이온 농도 기울기에 의한 전자의 이동통로가 된다.
이상에서 살펴본 태양전지는 양극부식을 통하여 빛을 흡수하는 면적을 극대화 함으로써 집광 영역을 넓힐 수 있으며, 마이크로 사이즈의 구형 투명전극을 이용하여 빛의 난반사를 막고 빛의 흡수도를 높일 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
도 1은 서브스트레이트 타입의 태양전지를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 일 측면에 따른 태양전지 제조방법을 나타낸 순서도.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 측면에 따른 태양전지 제조방법을 나타낸 흐름도.
도 9는 본 발명의 다른 측면에 따른 태양전지를 나타낸 단면도.
도 10은 본 발명의 다른 측면에 따른 태양전지의 홀의 형상을 나타낸 평면도.
도 11은 본 발명의 다른 측면에 따른 태양전지의 홀의 형상을 나타낸 단면도.
도 12는 본 발명의 다른 측면에 따른 태양전지의 작동원리를 나타낸 개념도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판
15: 홀
20: 금속층
30: p-타입 반도체
40: n-타입 반도체
50: 투명전극
51: 제1 잉크액적
52: 제2 잉크액적
60: 전극단자

Claims (13)

  1. 기판의 일면에 복수의 홀을 형성하는 단계;
    상기 홀의 내벽 및 상기 기판의 일면에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 홀의 내벽에 형성된 금속층과 상기 기판의 일면에 형성된 금속층 상에 p-타입 반도체를 코팅하는 단계; - 이 때, 상기 홀의 내벽에 형성된 금속층 상에 코팅된 p-타입 반도체는 상기 홀에 대응하는 오목한 형상을 갖게 됨 -
    상기 p-타입 반도체 상에 n-타입 반도체를 형성하는 단계; - 이 때, 상기 p-타입 반도체에 형성된 오목한 부분은 상기 n-타입 반도체에 의해 채워짐 -
    상기 n-타입 반도체에 투명전극을 형성하는 단계; 및
    상기 p-타입 반도체 및 상기 투명전극에 전극단자를 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 홀을 형성하는 단계는
    양극산화(Anodizing) 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 양극산화 처리는 불산 용액에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 기판은 p-타입 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투명전극은 마이크로 렌즈 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 투명전극을 형성하는 단계는
    잉크젯 방식을 이용하여 투명전극을 구성하는 재료를 함유한 잉크를 상기 n-타입 반도체 위에 프린팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 투명전극을 형성하는 단계는
    상기 n-타입 반도체 위에 투명전극을 구성하는 재료를 함유한 제1 잉크액적을 토출하는 단계;
    상기 제1 잉크액적을 경화시키는 단계; 및
    상기 제1 잉크액적에 인접하여 상기 투명전극을 구성하는 재료를 함유한 제2 잉크액적을 토출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 n-타입 반도체를 형성하는 단계는
    잉크젯 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전극단자를 형성하는 단계는
    잉크젯 방식으로 도전성 잉크를 프린팅하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법.
  10. 일면에 복수의 홀이 형성된 기판;
    상기 홀의 내벽 및 상기 기판의 일면에 형성된 금속층;
    상기 홀의 내벽에 형성된 금속층과 상기 기판의 일면에 형성된 금속층 상에 코팅된 p-타입 반도체; - 이 때, 상기 홀의 내벽에 형성된 금속층 상에 코팅된 p-타입 반도체는 상기 홀에 대응하는 오목한 형상을 갖게 됨 -
    상기 p-타입 반도체 상에 형성된 n-타입 반도체; - 이 때, 상기 p-타입 반도체에 형성된 오목한 부분은 상기 n-타입 반도체에 의해 채워짐 -
    상기 n-타입 반도체 위에 형성된 투명전극;
    상기 p-타입 반도체 및 상기 투명전극에 형성된 전극단자를 포함하는 태양전지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판은 p-타입 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 투명전극은 마이크로 렌즈 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 홀은
    그 크기가 일정하고, 각 홀 사이의 간격은 일정한 것을 특징으로 하는 태양전지.
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