KR100989706B1 - 마스크 제작 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 마스크 제작 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 마스크 기판에서 주 패턴의 밀집도에 따라서 영역별로 더미 패턴을 적용하여, 패턴의 밀집도를 조절하고, 임계치수의 정확성을 향상하는 데 있다.

이를 위해 본 발명은 적어도 하나의 주 패턴이 형성된 마스크 기판을 준비하는 마스크 준비 단계와, 마스크 기판에서 복수의 영역별로 광학 근접 보상에 따라 마스크 기판에 제1더미 패턴을 형성하는 제1더미 패턴 형성 단계 및 제1더미 패턴이 형성된 마스크 기판의 전체 밀집도에 따라서 마스크 기판에 제2더미 패턴을 형성하는 제2더미 패턴 형성 단계를 포함하는 마스크 제작 방법을 개시한다.

마스크, 밀집도, 광학 근접 보상, 더미 패턴, 보조 패턴

Description

마스크 제작 방법{Mask Making Method}

본 발명은 마스크 제작 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 마스크 기판에서 주 패턴의 밀집도에 따라서 영역별로 더미 패턴을 적용하여, 패턴의 밀집도를 조절하고, 임계치수의 정확성을 향상시킬 수 있는 마스크 제작 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 장치를 제조하기 위해서 사용되는 포토 공정은 패턴을 형성하기 위해서 필연적으로 포토 공정용 마스크가 필요하다. 이러한 포토공정용 마스크는 표면에 빛을 차광하는 차광 물질이 형성된 막 위에 제작하고자하는 집적회로의 다양한 형태의 패턴들을 형성하여 빛을 선택적으로 투과할 수 있도록 제작되어 있다.

그리하여 포토 공정의 정렬 노광시 원하는 패턴이 포토 레지스트에 정확히 전사되도록 한다. 이러한 마스크 제작 방법은, 반도체 장치의 회로 선폭이 좁아지고 이에 따라서 노광용 광원의 파장이 짧아짐에 따라, 포토 마스크 상에 형성된 패턴들끼리 상호 간섭을 하여 실제 원하는 선폭이 제대로 형성되지 않는 단점이 있다.

즉, 비교적 선폭이 세밀한 선형의 패턴은 주변의 패턴 밀도에 따라서 선폭이 영향을 받게 되는데, 마스크 상에는 정상적인 선폭으로 패턴이 되었다 하더라도, 실제 포토 공정에서 노광을 하여 포토 레지스트에 패턴을 형성하면, 패턴 크기가 달라지게 된다.

이러한 문제를 해결하여 패턴의 선폭이 정확하게 전사되도록 하기 위해서 현재 적용되고 기술은 광학 근접 보상(Optical Proximity Correction)기술이다. 즉, 실제 패턴과 정렬 노광 후에 실제로 포토 레지스트에 형성되는 패턴 크기 사이의 관계를 통계적 또는 실험적으로 계산하여 이 계산에 따라 포토 마스크 상의 패턴 크기를 미리 조정하여 그에 맞게 마스크 패턴을 형성하는 방법이 사용되고 있다.

이러한 광학 근접 보상 기술을 통해서 마스크 패턴을 형성할 때에는 패턴의 밀집도를 유지 시켜 주기 위해서 더미 패턴을 형성하게 된다. 그러나 이러한 더미 패턴은 패턴의 최소 선폭 거리에 비해서 더 멀리 떨어지게 배치하여 형성하므로 동일한 패턴의 간격 및 모양일 경우에도 서로 비대칭적이고 상이하게 형성될 수 있다.

이와 같이 동일한 패턴에서 상이하게 형성된 더미 패턴은 동일한 특성을 갖도록 설계된 집적회로의 소자의 선폭에 영향을 주게 되므로 실질적으로 소자의 특성을 저하 시킬 수 있다.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 마스크 기판에서 주 패턴의 밀집도에 따라서 영역별로 더미 패턴을 적용하여, 패턴의 밀집도를 조절하고, 임계치수의 정확성을 향상할 수 있는 마스크 제작 방법을 제공하는데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 대칭 또는 동일한 주 패턴에 따라서, 동일한 더미 패턴을 적용하여 패턴 형성 시간을 줄일 수 있고 동일한 패턴에 대해서는 동일한 밀집도를 갖는 마스크 제작 방법을 제공하는데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 마스크 제작 방법은 적어도 하나의 주 패턴이 형성된 마스크 기판을 준비하는 마스크 준비 단계와, 상기 마스크 기판에서 복수의 영역별로 광학 근접 보상에 따라 상기 마스크 기판에 제1더미 패턴을 형성하는 제1더미 패턴 형성 단계 및 상기 제1더미 패턴이 형성된 상기 마스크 기판의 전체 밀집도에 따라서 상기 마스크 기판에 제2더미 패턴을 형성하는 제2더미 패턴 형성 단계를 포함할 수 있다.

상기 마스크 준비 단계 이후에는 상기 마스크 기판을 상기 복수의 영역으로 나누고, 상기 마스크 기판의 상기 주 패턴에 보조패턴을 형성하는 보조 패턴 형성 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 보조 패턴 형성 단계에서는 상기 복수의 영역에서 광학 근접 보상 시뮬 레이션을 통해서 상기 주 패턴의 밀집도를 확인할 수 있다.

상기 복수의 영역은 서로 중첩되는 영역을 갖도록 나눌 수 있다.

상기 복수의 영역은 중첩되는 영역을 기준으로 서로 대칭 또는 일치하는 영역을 갖도록 나눌 수 있다.

상기 제1더미 패턴 형성 단계에서는 상기 복수의 영역별로 밀집도와 광학 근접 보상에 따라서 상기 주 패턴에서 이격되도록 상기 제1더미 패턴을 형성할 수 있다.

상기 제1더미 패턴 형성 단계에서는 상기 복수의 영역에서 광학 근접 보상을 통해서 상기 제1더미 패턴을 형성한 영역과 동일한 패턴이 형성된 영역 또는 대칭되는 패턴이 형성된 영역은 광학 근접 보상 없이 동일하게 상기 제1더미 패턴을 형성할 수 있다.

상기 제2더미 패턴 형성 단계에서는 상기 마스크 기판의 전체 밀집도에 따라서, 상기 제1더미 패턴에서 일정거리 이격되도록 제2더미 패턴을 형성할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 마스크 제작 방법은 마스크 기판에서 주 패턴의 밀집도에 따라서 영역별로 더미 패턴을 적용하여, 패턴의 밀집도를 조절하고, 임계치수의 정확성을 향상할 수 있게 된다.

또한 상기와 같이 하여 본 발명에 의한 마스크 제작 방법은 대칭 또는 동일한 주 패턴에 따라서, 동일한 더미 패턴을 적용하여 패턴 형성 시간을 줄일 수 있 고 동일한 패턴에 대해서는 동일한 밀집도를 갖도록 할 수 있게 된다.

본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다. 여기서, 명세서 전체를 통하여 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 제작 방법을 도시한 순서도가 도시되어 있다.

도 1에 도시된 바와 같이 마스크 제작 방법은 마스크 준비 단계(S1a), 보조 패턴 형성 단계(S2a), 제1더미 패턴 형성 단계(S3a) 및 제2더미 패턴 형성 단계(S4a)를 포함한다. 상기 마스크 제작 방법은 도 2a 내지 도 2e에 도시된 평면도를 통해서 자세히 설명하고자 한다.

도 2a 내지 도 2e를 참조하면, 도 1의 마스크 제작 방법을 도시한 평면도가 도시되어 있다.

도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 준비 단계(S1a)에서는 대략 평평한 마스크 기판(110)의 일면에 주 패턴(120)을 형성하여 마스크를 준비한다. 상기 주 패턴(120)은 제1주 패턴(121)을 중심으로 제2주 패턴(122)과 제3주 패턴(123)이 서 로 대칭되도록 형성될 수 있으나, 본 발명에서 상기 주 패턴(120)의 구성 및 개수를 한정하는 것은 아니다. 상기 마스크 기판(110)은 석영(quartz), 유리 또는 이의 등가물로 이루어질 수 있으나, 이러한 재질로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.

도 2b에 도시된 바와 같이, 보조 패턴 형성 단계(S2a)에서는 상기 마스크 기판(110)에 광 근접 효과를 보상하기 위해서 광학 근접 보상(Optical Proximity Correction) 시뮬레이션을 통해서 보조 패턴(130)을 형성한다. 이때, 마스크 기판(100)에 형성된 주 패턴(120)의 개수가 많고 시뮬레이션 처리 용량이 많을 경우에는 마스크 기판(100)을 복수의 영역(B1, B2, B3, B4)으로 나누어, 한번에 처리되는 처리 시간 및 처리 용량을 단축시킬 수 있다. 그리고 상기 복수의 영역(B1, B2, B3, B4)은 광학 근접 보상을 할 때에 오류가 발생되는 것을 방지하기 위해서 서로 일부가 중첩되도록 영역을 분류할 수 있다. 즉, 상기 복수의 영역(B1, B2, B3, B4)은 X×Y의 넓이를 가지며, aX×aY의 넓이의 영역이 서로 중첩되도록 분류할 수 있다. 이때 복수의 영역(B1, B2, B3, B4)의 넓이는 중첩 영역의 넓이(aX×aY)에 비하여 더 크게 형성된다.

그리고 상기 복수의 영역(B1, B2, B3, B4)은 중첩되는 영역을 기준으로 일치하거나 대칭되도록 영역을 나누는 것이 바람직하다. 그리고 상기 보조 패턴(130)은 주 패턴(120)의 변형을 방지하기 위해서 마스크 기판(100)에서 주 패턴(120)의 외주연에 형성할 수 있으나, 바람직하게 변형이 많이 발생되는 주 패턴(120)의 코너부에 형성할 수 있다. 그리고 도 2b에서 상기 복수의 영역(B1, B2, B3, B4)은 4개 의 영역으로 나누었으나, 마스크 기판(100)에 형성된 패턴의 개수 및 시뮬레이션 처리 용량에 따라 개수, 크기 및 형상은 변형될 수 있다.

도 2c 내지 도 2d에 도시된 바와 같이, 제1더미 패턴 형성 단계(S3a)에서는 우선 제1영역(B1)의 주 패턴(120)이 형성된 밀집도에 따라서, 제1더미 패턴(140)을 형성한다. 상기 제1더미 패턴(140)은 상기 마스크 기판(100)에서 주 패턴(120)이 형성되지 않은 고립된 부분의 밀집도를 높여 주기 위해서 제1영역(B1)의 광학 근접 보상에 따라 고립된 영역에 형성될 수 있다. 상기 제1더미 패턴(140)은 원설계 모델과 근접한 패터닝을 하기 위해서 패턴의 밀집도를 균일하게 유지시켜 줄 수 있다. 상기 제1더미 패턴(140)은 주 패턴(120)의 모서리에서 수직방향으로 디자인 룰에 비해서 더 많이 이격되어 형성한다. 만약 제1더미 패턴(140)이 주 패턴(120)의 디자인 룰에 비해 더 가까운 거리에 형성될 경우에는, 주 패턴(120)에 제1더미 패턴(140)이 붙어서 주 패턴(120)의 변형에 영향을 줄 수 있으므로, 제1더미 패턴(140)이 광학 효과만 가질 수 있도록 주 패턴(120)의 디자인 룰에 비해서 더 많이 떨어진 거리에 형성하는 것이 바람직하다.

그리고 상기 제1영역(B1)에 제1더미 패턴(140)을 형성한 후에 제2영역(B2), 제3영역(B3) 및 제4영역(B4)에도 순차적으로 제1더미 패턴(140)을 형성할 수 있다. 이때, 제1영역(B1)과 제1주 패턴(121)을 기준으로 대칭되는 제2영역(B2)은 광학 근접 보상 없이 제1주 패턴(121)을 기준으로 대칭되도록 제1영역(B1)과 동일하게 제1더미 패턴(140)을 형성할 수 있다. 그리고 제1영역(B1)과 상이한 제3영역(B3)은 광 학 근접 보상에 따라 제1더미 패턴(140)을 형성한다. 그리고 제3영역(B3)과 제1주 패턴(121)을 기준으로 대칭되는 제4영역(B4)은 광학 근접 보상 없이 제1주 패턴(121)을 기준으로 대칭되도록 제3영역(B3)과 동일하게 제1더미 패턴(140)을 형성할 수 있다. 상기 제1더미패턴(140)은 도 2c 내지 도 2d에서 대략 사각형으로 도시하였으나, 원형 또는 다각형상으로 형성될 수 있으며 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다.

도 2e에 도시된 바와 같이, 제2더미 패턴 형성 단계(S4a)에서는 제1더미 패턴(140)이 형성된 마스크 기판(110) 전체의 밀집도를 측정하고 디자인 룰에 따라서 상기 마스크 기판(110) 전체에서 고립된 부분의 밀집도를 높여 주기 위해서 제2더미 패턴(150)을 형성한다. 상기 제2더미 패턴(150)은 광학 근접 보상 없이 밀집도에 따라서 형성할 수 있다. 상기 제2더미 패턴(150)은 제1더미 패턴(140)으로 해결되지 않은 밀집도를 해결하기 위해 제1더미 패턴(140)에서 일정거리 이격되어 형성되므로, 제2더미 패턴(150)은 광학 근접 보상 없이 밀집도에 따라서만 형성하여도 주 패턴(120)에 영향을 주지 않는다.

이와 같은 마스크 제작 방법은 트랜지스터 패턴과 같이 대칭성을 요구하는 정교한 패턴에서 광학 근접 보상에 소요되는 시간을 줄일 수 있으며, 대칭되는 패턴에 대해서는 동일한 더미 패턴을 형성할 수 있다. 그리고 마스크 제작 방법으로 형성된 마스크 패턴은 동일한 영역에 대해서는 동일한 더미 패턴을 형성할 수 있으므로 영역별로 동일한 밀집도를 얻을 수 있고, 이로 인하여 균일한 임계치수를 얻 을 수 있다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 제작 방법을 도시한 순서도가 도시되어 있다.

도 3에 도시된 바와 같이 마스크 제작 방법은 마스크 준비 단계(S1b), 제1더미 패턴 형성 단계(S3b) 및 제2더미 패턴 형성 단계(S4b)를 포함한다. 상기 마스크 제작 방법은 도 4a 내지 도 4d에 도시된 평면도를 통해서 자세히 설명하고자 한다.

도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 도 3의 마스크 제작 방법을 도시한 평면도가 도시되어 있다.

도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 준비 단계(S1b)에서는 대략 평평한 마스크 기판(210)의 일면에 주 패턴(220)을 형성하여 마스크를 준비한다. 상기 마스크 기판(210)은 차광 기판으로 투광 패턴인 주 패턴(220)을 통해서 반도체 기판(미도시)에 콘택홀을 형성할 수 있다. 상기 주 패턴(220)은 기준패턴(220a)을 중심으로 서로 대칭되도록 형성될 수 있으나, 본 발명에서 상기 주 패턴(220)의 구성 및 개수를 한정하는 것은 아니다. 상기 주 패턴(220)은 도 4a에서 대략 사각형으로 도시하였으나, 원형 또는 다각 형상으로 형성될 수 있으며 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다.

도 4b 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 제1더미 패턴 형성 단계(S3b)에서는 상기 마스크 기판(210)의 주 패턴(220)에 밀집도에 따라서 광학 근접 보상을 하여 제1더미 패턴(240)을 형성한다. 이때, 마스크 기판(200)에 형성된 주 패턴(220)의 개수가 많고 광학 근접 보상을 위해 소요되는 시간이 클 경우에는 마스크 기판(200)을 복수의 영역(B1b, B2b, B3b, B4b)으로 나누어, 처리 시간 및 처리 용량을 단축시킬 수 있다. 그리고 상기 복수의 영역(B1b, B2b, B3b, B4b)은 광학 근접 보상을 할 때에 오류가 발생되는 것을 방지하기 위해서 서로 중첩되도록 영역을 분류할 수 있다. 즉, 상기 복수의 영역(B1b, B2b, B3b, B4b)은 X×Y의 넓이를 가지며, bX×bY의 넓이의 영역이 서로 중첩되도록 분류할 수 있다. 이때 복수의 영역(B1b, B2b, B3b, B4b)의 넓이는 중첩영역의 넓이(bX×bY)에 비하여 더 크게 형성된다. 그리고 상기 복수의 영역(B1b, B2b, B3b, B4b)은 중첩영역을 기준으로 일치하거나 대칭되도록 영역을 나누는 것이 바람직하다.

그리고 제1더미 패턴 형성 단계(S3)에서는 우선 제1영역(B1b)의 밀집도에 따라서, 상기 마스크 기판(200)에서 고립된 부분의 밀집도를 높여 주기 위해서 제1영역(B1b)의 광학 근접 보상에 따라 제1더미 패턴(240)을 형성한다. 상기 제1더미 패턴(240)은 원설계 모델과 근접한 패터닝을 하기 위해서 패턴의 밀집도를 균일하게 유지시켜 줄 수 있다. 상기 제1더미 패턴(240)은 주 패턴(220)의 모서리에서 수직방향으로 디자인 룰에 비해서 더 많이 이격되어 형성한다. 만약 제1더미 패턴(240)이 주 패턴(220)의 디자인 룰에 비해 더 가까운 거리에 형성될 경우에는, 주 패턴(220)에 제1더미 패턴(240)이 붙어서 주 패턴(220)의 변형에 영향을 줄 수 있으므로, 제1더미 패턴(240)이 광학 효과만 가질 수 있도록 주 패턴(220)의 디자인 룰 에 비해서 더 많이 떨어진 거리에 형성하는 것이 바람직하다. 그리고 상기 제1더미 패턴(240)은 상기 주 패턴(220)과 동일한 투광율을 가질 수 있으며, 상기 제1더미 패턴(240)의 크기는 상기 주 패턴(220)의 홀의 크기보다 더 작게 형성되어 광학 효과만 가질 수 있도록 하는 것이 바람직하다.

그리고 상기 제1영역(B1b)에 제1더미 패턴(240)을 형성한 후에 제2영역(B2b), 제3영역(B3b) 및 제4영역(B4b)에도 순차적으로 제1더미 패턴(240)을 형성할 수 있다. 이때, 제1영역(B1b)과 기준 패턴(220a)을 기준으로 대칭되는 제2영역(B2b)은 광학 근접 보상 없이 기준 패턴(220a)을 기준으로 대칭되도록 제1영역(B1b)과 동일하게 제1더미 패턴(240)을 형성할 수 있다. 그리고 제1영역(B1b)과 상이한 제3영역(B3b)은 광학 근접 보상에 따라 제1더미 패턴(240)을 형성한다. 그리고 제3영역(B3b)과 기준 패턴(220a)을 기준으로 대칭되는 제4영역(B4b)은 광학 근접 보상 없이 기준 패턴(220a)을 기준으로 대칭되도록 제3영역(B3b)과 동일하게 제1더미 패턴(240)을 형성할 수 있다. 상기 제1더미패턴(240)은 도 4b 내지 도 4c에서 대략 사각형으로 도시하였으나, 원형 또는 다각 형상으로 형성될 수 있으며 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다.

도 4d에 도시된 바와 같이, 제2더미 패턴 형성 단계(S4b)에서는 제1더미 패턴(240)이 형성된 마스크 기판(210) 전체의 밀집도를 측정하고 디자인 룰에 따라서 상기 마스크 기판(210) 전체에서 고립된 부분의 밀집도를 높여 주기 위해서 제2더미 패턴(250)을 형성한다. 상기 제2더미 패턴(250)은 광학 근접 보상 없이 밀집도 에 따라서 형성할 수 있다. 상기 제2더미 패턴(250)은 제1더미 패턴(240)으로 해결되지 않은 밀집도를 해결하기 위해 제1더미 패턴(240)에서 일정거리 이격되어 형성되므로, 제2더미 패턴(250)은 광학 근접 보상 없이 밀집도에 따라서만 형성하여도 주 패턴(220)에 영향을 주지 않는다. 그리고 상기 제2더미 패턴(250)은 상기 주 패턴(220)과 동일한 투광율을 가질 수 있으며, 상기 제2더미 패턴(250)의 크기는 상기 주 패턴(220)의 홀의 크기보다 더 작게 형성되어 주 패턴(220)의 변형에 영향을 주지 않으며 광학 효과만 가질 수 있도록 형성 하는 것이 바람직하다.

이와 같은 마스크 제작 방법은 트랜지스터 패턴과 같이 대칭성을 요구하는 정교한 패턴에서 광학 근접 보상에 소요되는 시간을 줄일 수 있으며, 대칭되는 패턴에 대해서는 동일한 더미 패턴을 형성할 수 있다. 그리고 마스크 제작 방법으로 형성된 마스크 패턴은 동일한 영역에 대해서는 동일한 더미 패턴을 형성할 수 있으므로 영역별로 동일한 밀집도를 얻을 수 있고, 이로 인하여 균일한 임계치수를 얻을 수 있다.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 마스크 제작 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 제작 방법을 도시한 순서도이다.

도 2a 내지 도 2e는 도1의 마스크 제작 방법을 도시한 평면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 제작 방법을 도시한 순서도이다.

도 4a 내지 도 4d는 도3의 마스크 제작 방법을 도시한 평면도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

110, 210; 마스크 기판 120, 220; 주 패턴

130; 보조 패턴 140, 240; 제1더미 패턴

150, 250; 제2더미 패턴

Claims (8)

1. 적어도 하나의 주 패턴이 형성된 마스크 기판을 준비하는 마스크 준비 단계;

   상기 마스크 기판을 복수의 영역으로 나누고, 상기 마스크 기판의 상기 주 패턴에 보조패턴을 형성하는 보조 패턴 형성 단계;

   상기 마스크 기판에서 복수의 영역별로 광학 근접 보상에 따라 상기 마스크 기판에 제1더미 패턴을 형성하는 제1더미 패턴 형성 단계; 및

   상기 제1더미 패턴이 형성된 상기 마스크 기판의 전체 밀집도에 따라서 상기 마스크 기판에 제2더미 패턴을 형성하는 제2더미 패턴 형성 단계를 포함하고,

   상기 복수의 영역은 서로 중첩되는 영역을 갖도록 나누는 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 보조 패턴 형성 단계에서는

   상기 복수의 영역에서 광학 근접 보상 시뮬레이션을 통해서 상기 주 패턴의 밀집도를 확인하는 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
4. 삭제
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 복수의 영역은 중첩되는 영역을 기준으로 서로 대칭 또는 일치하는 영역을 갖도록 나누는 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
6. 제 1 항 또는 제3항에 있어서,

   상기 제1더미 패턴 형성 단계에서는

   상기 복수의 영역별로 밀집도와 광학 근접 보상에 따라서 상기 주 패턴에서 이격되도록 상기 제1더미 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
7. 제 1 항 또는 제3항에 있어서,

   상기 제1더미 패턴 형성 단계에서는

   상기 복수의 영역에서 광학 근접 보상을 통해서 상기 제1더미 패턴을 형성한 영역과 동일한 패턴이 형성된 영역 또는 대칭되는 패턴이 형성된 영역은 광학 근접 보상 없이 동일하게 상기 제1더미 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.
8. 제 1 항 또는 제3항에 있어서,

   상기 제2더미 패턴 형성 단계에서는

   상기 마스크 기판의 전체 밀집도에 따라서, 상기 제1더미 패턴에서 일정거리 이격되도록 제2더미 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 제작 방법.

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