KR100988181B1 - Rf 하향변환 믹서용 공통-게이트 공통-소스트랜스컨덕턴스 스테이지 - Google Patents
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45298—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more combinations of discrete capacitor and resistor elements, e.g. active elements using a transistor as a capacitor or as a resistor
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45306—Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage implemented as dif amp eventually for cascode dif amp
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45318—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a cross coupling circuit, e.g. two extra transistors cross coupled
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- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45352—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a combination of a plurality of transistors, e.g. Darlington coupled transistors
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- 매칭 네트워크;믹서; 및상기 매칭 네트워크와 상기 믹서 사이에 연결된 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 믹서 입력 스테이지를 포함하고,상기 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 믹서 입력 스테이지는,상기 매칭 네트워크로부터 차동 입력 신호들을 수신하는 입력,전류원,상기 입력 및 상기 전류원에 연결된 트랜지스터들을 포함하는 공통-소스 스테이지,상기 입력 및 상기 공통-소스 스테이지에 연결된 트랜지스터들을 포함하는 공통-게이트 스테이지, 및상기 믹서에 연결된 출력을 포함하고,상기 공통-게이트 스테이지의 트랜지스터들은, N-채널 금속 산화막 반도체 (N-channel Metal Oxide Semiconductor; NMOS) 트랜지스터들의 쌍을 포함하고,상기 공통-게이트 스테이지에서의 NMOS 트랜지스터들의 쌍 각각은, 상기 공통-소스 스테이지에 연결된 드레인, 상기 차동 입력 신호들 중 하나에 연결된 게이트, 및 상기 차동 입력 신호들 중 또 다른 것에 연결된 소스를 포함하는, 무선 디바이스 수신기.
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- 매칭 네트워크;믹서; 및상기 매칭 네트워크와 상기 믹서 사이에 연결된 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 믹서 입력 스테이지를 포함하고,상기 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 믹서 입력 스테이지는,상기 매칭 네트워크로부터 차동 입력 신호들을 수신하는 입력,전류원,상기 입력 및 상기 전류원에 연결된 트랜지스터들을 포함하는 공통-소스 스테이지,상기 입력 및 상기 공통-소스 스테이지에 연결된 트랜지스터들을 포함하는 공통-게이트 스테이지, 및상기 믹서에 연결된 출력을 포함하고,상기 공통-게이트 스테이지의 트랜지스터들은, P-채널 금속 산화막 반도체 (P-channel Metal Oxide Semiconductor; PMOS) 트랜지스터들의 쌍을 포함하고,상기 공통-게이트 스테이지에서의 PMOS 트랜지스터들 쌍 각각은, 상기 공통-게이트 스테이지에 연결된 드레인, 상기 차동 입력 신호들 중 하나에 연결된 게이트, 및 상기 전류원에 연결된 소스를 포함하는, 무선 디바이스 수신기.
- 매칭 네트워크;믹서; 및상기 매칭 네트워크와 상기 믹서 사이에 연결된 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 믹서 입력 스테이지를 포함하고,상기 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 믹서 입력 스테이지는,상기 매칭 네트워크로부터 차동 입력 신호들을 수신하는 입력,전류원,상기 입력 및 상기 전류원에 연결된 트랜지스터들을 포함하는 공통-소스 스테이지,상기 입력 및 상기 공통-소스 스테이지에 연결된 트랜지스터들을 포함하는 공통-게이트 스테이지, 및상기 믹서에 연결된 출력을 포함하고,상기 CGCS 믹서 입력 스테이지의 상기 출력으로부터의 출력 전류는
- 전류원;상기 전류원에 연결된 소스, 드레인, 및 제 1 차동 입력 신호에 연결된 게이트를 갖는 제 1 트랜지스터, 및상기 전류원에 연결된 소스, 드레인, 및 제 2 차동 입력 신호 및 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 게이트를 갖는 제 2 트랜지스터를 포함하는,제 1 쌍의 트랜지스터들을 포함하는 공통-소스 스테이지;상기 제 1 트랜지스터의 상기 드레인에 연결된 드레인, 상기 제 1 차동 입력 신호에 연결된 게이트, 및 상기 제 2 차동 입력 신호에 연결된 소스를 갖는 제 3 트랜지스터, 및상기 제 2 트랜지스터의 상기 드레인에 연결된 드레인, 상기 제 2 차동 입력 신호 및 상기 제 3 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 게이트, 및 상기 제 1 차동 입력 신호에 연결된 소스를 갖는 제 4 트랜지스터를 포함하는,제 2 쌍의 트랜지스터들을 포함하는 공통-게이트 스테이지;상기 제 1 트랜지스터의 상기 드레인과 상기 제 3 트랜지스터의 상기 드레인 사이에 연결된, 믹서로의 제 1 출력; 및상기 제 2 트랜지스터의 상기 드레인과 상기 제 4 트랜지스터의 상기 드레인 사이에 연결된, 상기 믹서로의 제 2 출력을 포함하는, 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 트랜스컨덕턴스 스테이지.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 3 트랜지스터의 상기 소스와 그라운드 단자 사이에 연결된 제 1 인덕터; 및상기 제 4 트랜지스터의 상기 소스와 상기 그라운드 단자 사이에 연결된 제 2 인덕터를 더 포함하는, 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 트랜스컨덕턴스 스테이지.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터를 포함하는, 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 트랜스컨덕턴스 스테이지.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 3 트랜지스터 및 상기 제 4 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터를 포함하는, 공통-게이트 공통-소스 (CGCS) 트랜스컨덕턴스 스테이지.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74885405P | 2005-12-08 | 2005-12-08 | |
US60/748,854 | 2005-12-08 | ||
US11/470,556 US7801504B2 (en) | 2005-12-08 | 2006-09-06 | Common-gate common-source transconductance stage for RF downconversion mixer |
US11/470,556 | 2006-09-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080078881A KR20080078881A (ko) | 2008-08-28 |
KR100988181B1 true KR100988181B1 (ko) | 2010-10-18 |
Family
ID=38192908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087016628A KR100988181B1 (ko) | 2005-12-08 | 2006-12-08 | Rf 하향변환 믹서용 공통-게이트 공통-소스트랜스컨덕턴스 스테이지 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7801504B2 (ko) |
EP (1) | EP1958327B1 (ko) |
JP (2) | JP4875104B2 (ko) |
KR (1) | KR100988181B1 (ko) |
CN (1) | CN101326710B (ko) |
WO (1) | WO2007117322A2 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7801504B2 (en) * | 2005-12-08 | 2010-09-21 | Qualcomm Incorporated | Common-gate common-source transconductance stage for RF downconversion mixer |
JP5528358B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2014-06-25 | ニューランズ・インコーポレーテッド | 広帯域信号処理の方法、システムおよび装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2006
- 2006-09-06 US US11/470,556 patent/US7801504B2/en active Active
- 2006-12-08 KR KR1020087016628A patent/KR100988181B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-08 JP JP2008544671A patent/JP4875104B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-08 EP EP06850911.6A patent/EP1958327B1/en not_active Not-in-force
- 2006-12-08 WO PCT/US2006/061819 patent/WO2007117322A2/en active Application Filing
- 2006-12-08 CN CN2006800464442A patent/CN101326710B/zh active Active
-
2010
- 2010-08-19 US US12/859,533 patent/US8401510B2/en active Active
-
2011
- 2011-04-11 JP JP2011087441A patent/JP5301606B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007117322A3 (en) | 2008-06-19 |
EP1958327A2 (en) | 2008-08-20 |
CN101326710B (zh) | 2011-09-21 |
EP1958327B1 (en) | 2018-02-21 |
US20070146071A1 (en) | 2007-06-28 |
KR20080078881A (ko) | 2008-08-28 |
JP4875104B2 (ja) | 2012-02-15 |
US8401510B2 (en) | 2013-03-19 |
JP2011182430A (ja) | 2011-09-15 |
WO2007117322A2 (en) | 2007-10-18 |
US7801504B2 (en) | 2010-09-21 |
JP2009518983A (ja) | 2009-05-07 |
JP5301606B2 (ja) | 2013-09-25 |
CN101326710A (zh) | 2008-12-17 |
US20100323655A1 (en) | 2010-12-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130927 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140929 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160929 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170929 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180928 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190924 Year of fee payment: 10 |