KR100980680B1 - 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 그래핀으로부터 잘라낸 나노크기 너비의 리본을 이용한 스핀밸브 소자의 디자인 및 제작 방법에 대한 것이다. 즉, 본 발명에서는 기존의 전자빔-리소그래피를 이용하여 탄소만으로 이루어진 단층의 2차원 구조를 가지는 그래핀을 특정한 방향으로 잘라내거나 화학적인 방법을 통해 나노크기의 너비를 가지는 리본 형태의 나노리본으로 제작할 수 있다. 이때 나노리본의 모서리를 따라 전자의 스핀이 정렬되면서 강자성을 띄는데, 여기에 강자성체인 Fe, Co, Ni 등을 전극으로 이용하여 나노리본 양 끝 쪽에 연결하여 스핀밸브 소자를 제작한다. 이렇게 만들어진 스핀밸브는 나노리본의 독특한 대칭성으로 인하여 지금까지 보고되어 온 것보다 수 천에서 수 만 배에 이르는 자기저항을 보인다. 이에 따라 본 발명에서는 종래 보다 월등히 뛰어난 성능을 보여주는 스핀밸브를 통해 비휘발성 메모리 소자의 개발, 양자 컴퓨터, 자기센서 등 스핀밸브를 핵심소자로 하는 다양한 분야에서 새로운 연구가능성을 제공할 것으로 예상된다.

그래핀, 나노리본, 자기저항, 스핀밸브

Description

그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자{SPIN-VALVE DEVICES BASED ON GRAPHENE NANORIBBONS}

본 발명은 그래핀 나노리본의 특이한 대칭성을 이용한 스핀밸브 소자의 디자인 및 제작에 관한 것이다. 기존의 전자빔-리소그래피를 이용하여 탄소만으로 이루어진 단층의 2차원 구조를 가지는 그래핀을 특정한 방향으로 잘라내거나 화학적인 방법을 통해 나노크기의 너비를 가지는 리본 형태로 형성한 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자에 관한 것이다.

통상적으로, 프랑스의 알베르 페르(Albert Fert)와 독일의 페테르 그륀베르크(Peter Grㆌnberg)가 거대 자기저항 (Giant Magnetoresistance;GMR)의 발견에 대한 공로로 2007년 노벨 물리학상을 수상하였다. GMR은 오늘날 널리 쓰이는 하드 디스크와 같은 메모리 장치의 핵심 요소로서 정보저장 장치의 집적도를 높이는데 크게 기여하였다.

1988년 페르와 그륀베르크는 종래의 기술을 띄어 넘는 약한 자기장 속에서도 큰 자기저항을 이끌어 낼 수 있는 GMR 장치를 개발하고 이에 관련된 이론을 정립하 였다. 1997년 최초로 GMR을 이용한 하드 디스크의 리드 헤드(read head) 센서가 등장하였고, 이후 수많은 연구들이 보다 높은 GMR을 가지는 장치를 개발하기 위해 수행되어졌다. 전자의 전하만을 이용하는 기존의 전자 장치와 비교했을 때, 자기저항 장치는 전자의 스핀 성질을 이용한다는 측면에서 근본적으로 차이가 난다. 이러한 차이는 기술적 경제적인 면에서 극명하게 드러난다. 한 예로, 전자의 스핀은 강자성체(Ferromagnetic material)인 경우 외부의 자기장을 통해 한 번 방향을 정해주면 더 이상 외부 자기장이 없더라도 스핀의 방향이 변하지 않기 때문에 변화된 상태를 유지하기 위해 별도의 에너지를 필요로 하지 않는다. 따라서 자기저항을 이용한 메모리 소자는 전원이 없더라도 저장된 정보를 잃지 않는 비휘발성을 띄게 된다.

오늘날 급속도로 발달되고 있는 휴대용 전자기기 산업에서 비교적 적은 전력을 소모하는 비휘발성 메모리의 개발은 필수적이다. 이에 GMR 소자의 개발은 대학 연구소 뿐 아니라 IBM 같은 세계적인 컴퓨터 관련 기업에서도 전력을 기울이고 있으며, GMR 장치에 비해 투과 자기저항(Tunneling Magnetoresistance; TMR) 장치가 더 큰 자기저항을 가진다는 것이 보고되면서 TMR에 대한 연구가 최근 각광을 받고 있다.

즉, 도 1에서 보여지는 바와 같이, 도 1의 (a)도시된 GMR과 도 1의 (b)에 도시된 TMR 장치는 유사한 구조를 가지지만 양 끝 강자성체 사이에 삽입된 물질이 서로 다르다. GMR인 경우 자성을 띄지 않는 금속(Non-magnetic metal)이 사용되는 반면, TMR은 얇은 박막 형태의 부도체(Insulator)가 사용된다. TMR에서 사용되는 부 도체는 양쪽 강자성체 전극 사이를 통해 흐르는 전자를 그 스핀에 따라 선택적으로 걸러주는 역할을 한다고 할 수 있다. 따라서 이때 사용되는 부도체의 특성에 따라 자기저항의 크기가 좌우된다.

한편, 2004년 일본의 AIST(Advanced Industrial Science and Technology)와 미국의 IBM에서 독립적으로 기존의 Al₂O₃ 대신 MgO를 사용하는 TMR 장치를 개발하여 자기저항의 크기를 비약적으로 증가시키는데 공헌하였다. 많은 연구자들이 자기저항을 높이는데 주력하는 이유는 자기저항이 클수록 스핀밸브 소자를 통해 저장되어 있는 정보를 읽어 들이는 것이 용이하기 때문이다.

최근 들어서는 나노기술이 발달하면서 종래의 부도체 대신 탄소나노튜브나 유기체로 이루어진 반도체, 단 분자에 이르기까지 다양한 재료들에 대해서 자기저항 연구가 진행 중에 있다. 하지만 이러한 연구에도 불구하고 MgO를 이용한 TMR 이상의 자기 저항은 보고되지 않고 있다.

따라서, 본 발명은 종래의 스핀밸브 소자보다 훨씬 더 큰 자기저항을 보여주는 그래핀 나노리본 기반의 스핀밸브 소자를 이론적으로 설계하고, 어떻게 기존의 수천 수만 배에 해당하는 자기저항을 만들어 낼 수 있는지 그 원리를 규명해 냄으로써 최적화된 스핀밸브 소자를 제공하고자 한다.

상술한 본 발명은 스핀밸브 소자로서, 탄소로 이루어진 단층의 2차원 구조를 가지고, 지그재그 방향으로 형성되는 그래핀 나노리본과, 상기 그래핀 나노리본 양 끝쪽에 연결되어 전류를 인가시키는 강자성체 전극을 포함한다.

또한, 본 발명은 스핀밸브 소자로서, 탄소로 이루어진 단층의 2차원 구조를 가지고, 지그재그 방향으로 형성되는 그래핀 나노리본과, 상기 그래핀 나노리본 양 끝쪽에 연결되어 전류를 인가시키는 두 개의 전극과, 상기 두 개의 전극에서 형성되는 자기장의 방향을 조절하는 자기장 형성부를 포함한다.

본 발명에서는 그래핀 나노리본으로 제작된 스핀 밸브는 극저온에서 수백만 퍼센트에 이르는 자기저항을 가지며, 적정한 전압을 걸어 주었을 때 99% 이상의 스핀 분극 전류를 발생시킨다. 이는 종래의 스핀밸브 소자에서 보여주는 수 백 퍼센트의 자기저항을 월등히 뛰어 넘는 것으로써 자기저항을 이용한 메모리 소자의 개발과, 자기센서 등 스핀밸브를 기반으로 하는 다양한 연구에 응용될 수 있는 이점이 있다. 또한 나노리본에서 보여주는 자기 저항의 이론적 원리가 종래의 스핀밸브 소자에서와 다르게 오비탈 대칭성이 중요한 역할을 함에 따라 스핀밸브 소자의 디자인에 있어서 핵심적인 아이디어를 제공할 수 있는 이점이 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 동작 원리를 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.

본 발명에서는 그래핀 나노리본을 바탕으로 스핀밸브 장치를 제작하였을 때 나노리본을 통해서 어떻게 전류가 흘러가고 어떤 조건에서 자기저항이 극대화 될 수 있는지 그 원리를 규명한다. 또한 어떠한 방법으로 스핀분극 전류를 유도해 낼 수 있는지 설명한다.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.

본 발명에서 사용되는 그래핀 나노리본의 제작 방법은 크게 두 가지로 알려져 있다. 하나는 그래핀을 전자빔 식각 방법을 이용해 원하는 크기와 모양으로 잘라내는 것이다. 하지만 이 방법은 수 나노미터 크기 이하의 나노리본을 만드는데 적합하지 않으며, 식각을 이용할 경우 나노리본의 성질을 결정하는데 중요한 역할을 하는 모서리 모양을 정교하게 조절하기 힘들고 20 nm 이하의 리본을 제작하는 것 자체가 불가능하다.

이를 극복하기 위하여 최근 화학적으로 나노리본을 제작할 수 있는 방법이 개발되었다. 이러한 화학적 방법을 통해 만들어진 나노리본은 비교적 정교한 모서리를 가지며 리본의 너비도 10 nm 이하까지 안정적으로 제작할 수 있다.

본 발명은 이미 만들어진 나노리본을 이용해서 스핀밸브 소자를 디자인하는 것으로, 그래핀 나노리본은 모서리의 모양에 따라서 그 전기 및 자기적 성질이 매우 달라지며, 이때 그래핀 나노리본의 너비는 40nm이하로 제작될 수 있다. 대부분의 나노리본은 반도체의 성질을 가지지만, 지그재그 모양의 모서리를 가지는 나노리본(zig-zag nanoribbon)의 경우, 그 모서리에 의한 경계조건과 그래핀의 대칭성(sublattice symmetry)에 기인해서 전자의 스핀이 리본의 양쪽 모서리를 따라 일렬로 정렬된다. 이때 리본의 양쪽 모서리 스핀들은 각각 강자성을 가지지만 서로 서로는 반대의 스핀 방향을 가짐으로써 전체적으로 반강자성을 가진다.

즉, 본 발명에 따르면, 준비된 나노리본에 적절한 크기의 자기장을 가하면 리본의 자기적 성질이 반강자성에서 강자성으로 바뀌면서 양쪽 모서리 스핀들이 서로 같은 방향으로 정렬되며, 동시에 전기적 성질은 반도체에서 도체로 전이된다. 또한 사용되는 자기장의 크기는 나노리본의 너비에 따라서 바뀌게 된다.

이때, 강자성체로 전이시킨 나노리본을 이용하여 스핀밸브 소자를 완성하기 위해서는 다음의 두 조건을 갖추어야 한다. 첫째, 나노리본의 스핀방향을 조절할 수 있는 자기장이 필요하다. 둘째, 리본을 따라 전류를 발생시키는데 필요한 리본의 양 끝 간에 화학전위(Chemical potential) 차이를 만들기 위한 전극이 필요하다.

도 2a 내지 도 2d는 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자를 도시한 것으로, 본 발명에서는 위 두 조건을 충족하기 위해 도 2a, 도 2b에서와 같이 두 개의 강자성체 전극을 나노리본의 양끝에 연결시킨다. 이때 강자성체 전극은 게이트 전극(Gate voltage) 역할과 동시에 그래핀 나노리본에 자기장을 가해주는 자석 역할 을 동시에 하게 된다.

도 2c, 도 2d는 나노리본의 양 끝 쪽에서 스핀방향이 강자성체 전극에 의해서 어떻게 조절될 수 있는지를 도시한 것이다. 도 2c, 도 2d에서와 같이 강자성체의 전극이 서로 같은 방향의 자기장을 가지면 나노리본의 스핀 또한 양 끝 쪽이 서로 평행하게 되고 이를 P(parallel) 상태라 한다. 반대로 두 전극의 자기장 방향이 반대이면, 나노리본의 스핀 방향 또한 반 평행하게 되고, 이를 AP(anti-parallel) 상태라 한다.

위 P, AP 각각의 상태에서 두 전극에 전압을 걸어 양 끝 쪽에 화학 전위차를 만들어 주면, 전류가 흐르게 된다. 이때 발생되는 저항은 P(R_P)일 때는 작고, AP(R_AP)일 때는 매우 크다. 이 두 저항의 차이 값과 P일 때 저항과의 비를 자기저항(Magnetoresistance : MR)이라 하며, 이는 아래의 [수학식 1]과 같이 산출된다.

MR=(R_AP-R_P)/R_P

이때, 종래의 스핀밸브 소자의 MR 값은 최고 800% 정도에 이르는 반면, 본 발명에 따르면 그래핀 나노리본으로 제작된 스핀밸브의 경우에는 MR 값이 수 백만 퍼센트에 이르는 것으로 이론적 계산을 통해 예측되었다. 그 이유는 종래의 스핀밸브와 달리 두 전극사이에 연결된 그래핀 나노리본이 완벽한 스핀 필터로서 역할을 하기 때문이다.

이에 대한 보다 자세한 설명은 다음과 같다.

즉, 도 2a, 도 2b와 같이 준비된 스핀밸브 소자에서 강자성체 전극(200, 202)에 자기장을 걸어준다. 이때 도 2a에서와 같이 두 전극(200, 202)에서 자기장의 방향이 서로 평행할 때와 도 2b에서와 같이 두 전극(200, 202)에서 자기장의 방향이 서로 반대 방향을 가리킬 때 나노리본에서 자화는 각각 도 2c와 도 2d에서처럼 유도된다.

도 2c, 도 2d는 스핀 자화 밀도(spin magnetization density)를 나태낸 것으로, 자기장의 방향이 서로 반대일 때는 도 2d에서처럼 가운데 부분에서 자구벽 (magnetic domain wall)이 형성됨을 알 수 있다. 이때, 자구벽을 형성하기 위해서 필요한 에너지는 자구벽의 두께와 관계가 있다. 그래핀 나노리본의 경우 원자 번호가 작은 탄소로 이루어져 있기 때문에 이방성(anisotropy) 에너지가 작은 반면, 강한 교환 에너지(exchange energy)를 가진다. 따라서 자구벽의 크기는 상대적으로 큰 값을 가지게 된다.

본 발명에서 하이젠베르크(Heisenberg)모델을 이용한 연구 결과에 따르면, 나노리본에서 자구벽의 크기는 대략 10∼15 nm 정도에 이르고, 자구벽을 형성하기 위해 필요한 자기장의 크기는 0∼0.03 T 정도이다. 즉, 나노리본에 붙어 있는 강자성체 전극이 0.03 T 이상의 자기장을 발생할 수 있다면 나노리본에서의 스핀의 방향을 평행 또는 반평행하게 조절할 수 있게 된다. 동시에 양쪽의 두 전극에 전압을 걸어주면 그 전압차에 따라 전류가 발생하고, 이 때 발생하는 전류는 스핀 방향에 크게 의존하여 자기 저항을 만들어 내는 것이다.

또한, 종래의 스핀밸브 소자에 비해 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸드 소자가 훨씬 더 큰 자기 저항을 가지는 이유는 스핀 필터링의 메커니즘이 서로 다르기 때문이다. 종래의 스핀밸브에서는 단지 스핀 상태가 직교할 때 저항이 큰 반면, 나노리본에서는 스핀에 의한 필터링에 더해서, 같은 스핀끼리라도 전자의 파동함수(wavefunction) 즉, 오비탈(orbital)의 직교 여부에 따라서 한 번 더 저항차이가 발생하게 된다.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시 예에 따라 전자의 오비탈이 스핀 필터링 역할을 하는 것을 도시한 것이다. 도 3a에서 왼쪽 그래프는 나노리본의 밴드 구조(band structure)를 보여준다. 그리고 오른쪽 그림은 각 화살표가 가리키는 밴드의 오비탈을 그린 것이다. 이 때 각 오비탈은 서로 직교하는 대칭성을 가지고 있다는 것을 알 수 있다. 이처럼 밴드의 대칭성은 스핀과 오비탈 두 개의 대칭성의 조합으로 이루어진다.

도 3b는 나노리본의 양 끝 쪽에서 스핀 방향이 평행할 때 알파 스핀(α spin)에 대한 각 끝 쪽에서의 나노리본의 밴드구조와 함께 트랜스미션(Transmission)을 그린 것이다. 위에서 나란히 그려진 세 개의 그래프는 전압이 0 V일 때이고, 아래의 그래프는 전압이 0.15 V일 때이다. 바이어스 전압(bias voltage, V_b)이 낮을 때 전류를 결정하는 페르미 에너지(Fermi energy, E_F) 부근에서 트랜스미션 값은 전압에 관계없이 1로써 일정한 값을 가진다. 하지만 참조번호 (300)으로 표시된 영역에서는 트랜스미션 값이 0 V에 비해서 줄어 든 것을 알 수 있다. 이것은 위 도 3b에서 보여지듯 양쪽 밴드의 대칭성이 서로 엇갈리는 부분이 생기기 때문이다.

이러한 대칭성의 역할은 도 3c에서 보다 극명하게 드러난다. 도 3c는 나노리본의 양 끝 쪽에서 스핀 방향이 서로 반대일 때의 알파 스핀에 대한 밴드와 트랜스미션을 그린 것이고, 도 3b에서처럼 위쪽의 세 그림은 0 V일 때, 아래 그림들은 0.15 V일 때를 나타낸 것이다. 도 3c에서는 0 V일 때부터 대칭성이 서로 직교하여 트랜스미션 값이 0을 보여주는 에너지 영역이 생긴다. 이 때 이 에너지 영역은 참조번호 (302)로 표시된 바와 같이 E_F 주위에 위치하기 때문에 낮은 전압에서의 전류에 크게 영향을 미친다. 이 때 전압을 걸어주면 양쪽의 밴드의 이동과 함께 대칭성의 매칭(matching)이 변함에 따라 트랜스미션 값이 0이 되는 영역의 크기 또한 바뀌게 된다. 이때 이 영역의 너비를 ZTG(zero transmission gap)이라 부른다.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따라 나노리본에서의 전압에 따른 트랜스미션을 나타낸 것이다. 앞서 설명한 바와 같이 스핀 방향이 평행(P)할 때는 알파(α)와 베타(β) 스핀 모두 E_F 근처에서 일정한 값을 가지는 반면, 스핀 방향이 반평행(AP)할 때는 스핀에 관계없이 ZTG를 가진다. 이 때 ZTG는 걸어준 전압에 따라서 바뀌게 되는데 알파 스핀에 대해서는 전압이 커짐에 따라 좁아지고, 반대로 베타 스핀에 대해서는 넓어지는 것을 알 수 있다. 이러한 현상은 모두 앞서 설명한 바와 같이 나노리본의 스핀 오비탈의 대칭성으로 설명된다.

전압에 따른 트랜스미션의 변화는 전류의 변화와 직접적으로 관련되는 물리 적 양으로써, 하기의 [수학식 2]에서와 같이 트랜스미션으로부터 전류(I_σ)를 계산할 수 있다.

여기서 e는 전자의 전하량, h는 플랑스 상수, T_s(E,V_b)는 전압에 따른 에너지 E 값에서의 트랜스미션을 나타내고, f _L/R 값은 각각 왼쪽과 오른쪽에 위치한 나노리본의 페르미-디락 분포 함수(Fermi-Dirac distribution function)을 나타낸 것이다.

위 [수학식 2]를 통해 얻은 전류에 대한 계산 값은 크게 두 가지의 놀라운 결과를 보여준다. 첫째, 나노리본을 통한 자기 저항 값이 수 백만 배에 이른다는 것이다. 둘째, 나노리본을 통해 흐르는 전류는 99% 이상의 스핀 분극화 된 것이다. 위 두 이론적 예측 결과를 아래에서 보다 자세히 설명한다.

(1) 나노리본 스핀밸브 장치에서의 자기저항

도 5a 내지 도 5c는 위의 식을 이용해 계산된 전압에 따른 전류와 자기저항 값을 그래프로 나타낸 것이다. 도 5a에서 보여지는 바와 같이 스핀 방향이 P일 때 전류-전압 곡선(current-voltage curve, I-V curve)은 직선이고 이때 기울기는 컨덕턴스(conductance)이고, 그 값은 양자 컨덕턴스(quantum conductance, 2e²/h)와 일치한다. 반면에 스핀 방향이 AP일 때는 I-V 곡선이 온도에 따라서 다르게 나타나는데, 300K에서는 익스포넨셜(exponential) 하게 증가하지만, 5K에서는 0.12 V까지 전류가 흐르지 않다가 0.15 V에서 갑자기 증가하는 것을 알 수 있다. 이것은 온도에 따른 페르미-디락 분포 함수가 달라지기 때문이다.

이 I-V 곡선으로부터 저항을 계산할 수 있는데, 이렇게 얻은 자기 저항을 300K는 도 5b에, 5K는 도 5c에 나타내었다. 300K에서 자기 저항 값은 나노리본의 넓이에 따라 달라지는데 10⁶ % (1.79 nm) ∼ 10⁴ % (6.97 nm) 값에 이른다. 너비가 작을수록 자기저항이 커지는 이유는 ZTG의 크기와 관계가 있다. 나노리본의 스핀 방향이 P일 경우에는 저항의 크기가 나노리본의 너비와 관계없이 일정하지만, AP일 경우에는 너비가 작을수록 ZTG는 커지고, ZTG가 클수록 저항이 커지기 때문에 자기 저항 값도 따라서 커지게 된다. 한편, 5K에서는 MR값이 도 5c에서 보여지는 바와 같이 나노리본의 너비에 크게 의존하지 않고 10⁶ % 이상에 달하는 큰 값을 가진다. 극저온에서는 페르미-디락 분포 함수가 넓게 퍼지기보다는 계단 모양으로 형성되기 때문에 낮은 전압에서 저항이 ZTG에 기인해서 거의 무한대에 가까운 값을 가지기 때문이다.

(2) 나노리본 스핀밸브 장치를 통한 스핀 분극 전류의 발생

도 6a는 나노리본의 스핀 방향이 AP를 이룰 때 알파와 베타 스핀에 대한 I-V 곡선이다. 알파 스핀에 대해서는 전압이 증가할 때 전류 또한 급격하게 증가하는 반면, 베타 스핀에 대해서는 전류가 거의 흐르지 않는 상태로 유지함을 알 수 있 다. 이때 주어진 전압에서 전체 전류에 대한 각 스핀 전류의 비를 퍼센트로 나타내면 도 6b와 같다. 그림에서 보듯 0.15 V의 전압을 걸어주면 스핀 분극 전류의 비가 99% 이상에 도달하는 것을 알 수 있다. 이 것은 위 도 4에서 살펴본 바와 같이 전압의 변화에 따른 트랜스미션의 변화가 스핀에 따라서 다르기 때문이다.

즉, 알파 스핀의 경우 ZTG가 좁아져서 전압이 증가할수록 전류도 증가하는데, 베타 스핀은 ZTG가 커지기 때문에 전류의 증가가 거의 이루어지지 못한다. 그 결과 스핀 분극 전류가 발생하는 것이다. 따라서 99% 스핀 분극 전류를 발생시키기 위한 전압 값(V_th) 은 ZTG 값과 밀접한 관계가 있다. ZTG 값은 나노리본의 너비에 따라서 달라진다고 했는데, 둘의 관계를 도 6c에 나타내었다. ZTG는 나노리본의 너비에 반비례한다는 것을 알 수 있다. 본 발명에 따르면 V_th 값은 ZTG의 반에 해당하므로 ZTG와 마찬가지로 나노리본의 너비에 반비례해서 변화한다. 너비가 6.97 nm인 나노리본의 경우 도 6b에서 보여지는 바와 같이 0.15 V의 전압으로 99% 스핀 분극 전류를 발생시킬 수 있지만, 너비가 더 큰 나노리본의 경우 더 작은 전압으로도 스핀 분극 전류를 유도해 낼 수 있다.

한편 상술한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 따라서 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위에 의해 정하여져야 한다.

도 1은 종래 스핀밸브 소자 예시도,

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시 예에 따른 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자 예시도,

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시 예에 따른 그래핀 나노리본 소자의 대칭성의 역할을 보여주는 그래프 예시도,

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 전압과 자기장의 방향에 따른 트랜스미션 곡선의 변화 그래프 예시도,

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시 예에 따른 그래핀 나노리본 스핀밸브 소자에서의 온도, 전압에 따른 자기저항 크기를 보여주는 그래프 예시도,

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시 예에 따른 그래핀 나노리본 스핀밸브 소자에서 스핀 분극 전류가 발생됨을 보여주는 그래프 예시도.

Claims (10)

1. 스핀밸브 소자로서,

   그래핀 나노리본과,

   상기 그래핀 나노리본 양 끝쪽에 연결되어 전류를 인가시키는 강자성체 전극

   을 포함하되,

   상기 그래핀 나노리본은,

   탄소로 이루어진 단층의 2차원 구조와 지그재그 모양의 모서리를 가지며, 상기 강자성체 전극의 전류 인가에 따라 상기 모서리에서 강자성을 띄면서 전자의 파동함수가 직교하는

   그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 그래핀 나노리본은,

   40nm 이하의 너비로 제작되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 강자성체 전극은,

   자기장의 방향이 서로 같은 경우 상기 그래핀 나노리본상 양쪽 모서리에서 전자의 회전 방향이 평행하게 되도록 하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 강자성체 전극은,

   자기장의 방향이 서로 반대인 경우 상기 그래핀 나노리본상 양 끝부분에서의 전자의 회전 방향이 서로 반대가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 강자성체 전극은,

   Fe, Co 또는 Ni인 것을 특징으로 하는 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 강자성체 전극간 발생하는 자기저항(MR)은,

   상기 전극간 자기장의 방향이 일치하거나 반대일 때의 두 자기저항의 차이값(R_ap-R_p)과 자기장의 방향이 일치할 때의 자기저항(R_p)과의 비로 아래의 수학식에서와 같이 계산되는

   [수학식]

   MR=(R_ap-R_p)/R_p

   것을 특징으로 하는 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자.
8. 스핀밸브 소자로서,

   그래핀 나노리본과,

   상기 그래핀 나노리본 양 끝쪽에 연결되어 전류를 인가시키는 두 개의 전극과,

   상기 두 개의 전극에서 형성되는 자기장의 방향을 조절하는 자기장 형성부

   를 포함하되,

   상기 그래핀 나노리본은,

   탄소로 이루어진 단층의 2차원 구조와 지그재그 모양의 모서리를 가지며, 상기 두 개의 전극의 전류 인가에 따라 상기 모서리에서 강자성을 띄면서 전자의 파동함수가 직교하는

   그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자.
9. 삭제
10. 제 8 항에 있어서,

    상기 그래핀 나노리본은,

    40nm 이하의 너비로 제작되는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노리본을 이용한 스핀밸브 소자.

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