KR100979387B1 - 탄소나노물질패턴 형성 방법 - Google Patents

탄소나노물질패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

탄소나노물질패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 방법은 탄소나노물질막의 일부분을 산화유도패턴과 접촉시키는 단계, 및 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막을 산화분위기에서 열처리하여 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막의 일부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함한다.

Description

탄소나노물질패턴 형성 방법 {Method for forming carbon nano material pattern}
본 발명은 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 탄소나노물질패턴 형성 방법에 관한 것이다.
탄소나노물질의 대표적 예인 탄소나노튜브는 1991년 NEC 부설연구소의 일지마 박사가 처음으로 발견한 것으로, 그라핀이 나노 크기의 직경으로 둥글게 말린 상태이다.
탄소나노튜브는 전기저항이 금속에 버금가는 전기전도도를 가지고 있으면서, 전도성 섬유의 함량에 따라 전도도가 급격히 증가하는 임계점(percolation threshold)이 0.04%에 불과하여 광학적 성질을 유지시키면서 전도도를 구현할 수 있는 이상적인 재료로 평가되고 있다. 따라서, 탄소나노튜브로 이루어진 막 즉, 탄소나노튜브막을 광학소자의 투명전극으로 사용하고자 하는 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
이를 위해서는 상기 탄소나노튜브막을 패터닝하는 것이 필요하다. 그러나, 현재까지 연구된 패터닝법은 여전히 나노미터 수준의 정교한 패턴을 얻기 어려우 며, 복잡한 화학처리를 거쳐야 하는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 간단한 방법을 사용하여 나노미터 수준의 정교한 패턴을 얻을 수 있는 탄소나노물질막의 패터닝 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 탄소나노물질패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 방법은 탄소나노물질막의 일부분을 산화유도패턴과 접촉시키는 단계, 및 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막을 산화분위기에서 열처리하여 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막의 일부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함한다.
상기 산화유도패턴은 상기 탄소나노물질에 비해 환원전위(reduction potential)가 높은 물질 또는 그 물질의 산화물일 수 있다. 상기 산화유도패턴은 Au, Pt, Pd, Ag, Po, Hg, Tl, Rh, Cu, Ru, W, Mo, Fe, Ge, Re, Rh, Ir, Bi, Tc, Te, Ga, Pb, Co, Ni, Cr, Zn, Mn, Ba, K, Rb, 및 Sr로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속막, 또는 PbO2 및 CrO2 로 이루어진 군에서 선 택되는 적어도 하나의 금속산화물을 포함하는 금속산화물막일 수 있다.
상기 산화분위기는 수분 또는 산소를 포함하는 분위기일 수 있다. 상기 열처리는 200℃ 내지 700℃의 온도에서 수행할 수 있다.
상기 탄소나노물질막의 일부분을 상기 산화유도패턴과 접촉시키는 단계는 기판 상에 상기 산화유도패턴을 형성하는 단계; 및 상기 산화유도패턴 상에 상기 탄소나노물질막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 산화유도패턴을 형성하는 단계는 상기 기판과 상기 산화유도패턴 사이에 위치하는 접착패턴을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 탄소나노물질막의 일부분을 상기 산화유도패턴과 접촉시키는 단계는 기판 상에 탄소나노물질막을 형성하는 단계; 및 상기 탄소나노물질막 상에 스탬프 내에 구비된 상기 산화유도패턴을 위치시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 스탬프는 스탬프 기판 상에 차례로 적층된 접착패턴과 상기 산화유도패턴을 구비할 수 있다.
상기 접착패턴은 Ti막 또는 Cr막일 수 있다.
본 발명에 따르면, 산화유도패턴과 탄소나노물질막을 접촉시켜 이들 사이의 환원전위차이에 따른 갈바닉 부식 현상을 이용하여 간단하면서도 정교하게 상기 탄소나노물질막을 패터닝할 수 있다. 또한, 리프트 오프법 또는 리소그라피법을 사용하여 상기 산화유도패턴의 선폭 및 피치(pitch)를 미세하게 형성할 수 있으므로, 미세한 선폭을 갖는 탄소나노물질패턴을 얻는 것 또한 매우 용이할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노물질패턴 형성 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 1a을 참조하면, 기판(10) 상에 포토레지스트 패턴들(12)을 형성할 수 있다. 상기 기판(10)은 실리콘, 유리, 석영 또는 플라스틱 등의 베이스 기판일 수 있다. 상기 기판(10)은 상기 베이스 기판 상에 형성된 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 절연막은 산화막 또는 질화막일 수 있다. 일 예로서, 상기 베이스 기판이 실리콘 기판인 경우에, 상기 절연막은 실리콘 산화막일 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴들(12)은 리소그라피법 예를 들어, 포토리소그라피법 또는 전자빔(e-beam)리소그라피법을 사용하여 형성할 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴들(12) 및 상기 포토레지스트 패턴들(12) 사이에 노출된 기판(10) 상에 산화유도물질막(14)을 형성한다. 상기 산화유도물질은 후술하는 열처리 공정에서 상기 탄소나노물질의 산화를 유도할 수 있는 물질로서, 상기 탄소나노물질에 비해 환원전위(reduction potential)가 높은 물질 또는 그 물질의 산화물일 수 있다. 상기 환원전위는 후술하는 열처리 공정의 온도조건을 기준으로 한 값일 수 있다. 상기 산화유도물질막은 Au, Pt, Pd, Ag, Po, Hg, Tl, Rh, Cu, Ru, W, Mo, Fe, Ge, Re, Rh, Ir, Bi, Tc, Te, Ga, Pb, Co, Ni, Cr, Zn, Mn, Ba, K, Rb, Sr 등의 금속막, 바람직하게는 Pt, Au, Ag 또는 Cu의 금속막, 또는 PbO2, CrO2 등의 금속산화물막일 수 있다. 상기 산화유도물질막(14)은 5nm~100nm의 두께로 형성할 수 있다.
상기 산화유도물질막(14)을 형성하기 전에, 상기 포토레지스트 패턴들(12) 및 상기 포토레지스트 패턴들(12) 사이에 노출된 기판(10) 상에 접착층(adhesion layer; 13)을 형성할 수 있다. 상기 접착층(13)은 상기 산화유도물질막(14)과 상기 기판(10) 사이의 접착특성을 향상시킬 수 있는 막으로써, Ti, Cr 등의 금속막일 수 있다. 상기 접착층(13)은 2nm~20nm의 두께로 형성할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴들(12)을 제거한다. 이와 동시에, 상기 접착층(13) 및 상기 산화유도물질막(14)의 포토레지스트 패턴들(12) 상에 형성된 부분들이 선택적으로 제거된다. 따라서, 상기 접착층(13) 및 상기 산화유도물질막(14)의 상기 포토레지스트 패턴들(12) 사이에 노출된 기판 상에 형성되었던 부분들이 남아 접착패턴들(13a)과 산화유도패턴들(14a)를 형성한다.
상기 기판(10) 상에 상기 산화유도패턴들(14a)을 형성하는 방법은 이에 한정되지 않고, 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 모든 패터닝법을 사용할 수 있다. 일 예로서, 기판(10) 상에 산화유도물질막을 형성한 후 상기 산화유도물질막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 산화 유도물질막을 패터닝하여 상기 산화유도패턴들(14a)을 형성할 수도 있다.
도 1c를 참조하면, 상기 산화유도패턴들(14a) 및 그들 사이에 노출된 기판(10) 상에 탄소나노물질막(15)을 형성한다. 상기 탄소나노물질막(15)은 탄소나노튜브, 그라핀 중 적어도 하나를 함유할 수 있다. 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브 또는 다중벽 탄소나노튜브일 수 있으나, 바람직하게는 단일벽 탄소나노튜브일 수 있다.
상기 탄소나노물질막(15)은 탄소나노물질 분산액을 상기 기판(10) 상에 코팅한 후, 용매를 휘발시켜 형성할 수 있다. 상기 탄소나노물질 분산액은 계면활성제 수용액 내에 탄소나노물질을 혼합한 후, 상기 탄소나노물질을 분산시키고, 원심분리기를 통해 뭉쳐진 탄소나노물질을 분리 및 제거한 것일 수 있다. 상기 계면활성제는 SDS(Sodium dodecyl sulfate), LDS(Lithium dodecyl sulfate), SDBS(Sodium dodecylbenzenesulfonate), SDSA(Sodium dodecylsulfonate) 등의 음이온 계면활성제, DTAB(Dodecyltrimethylammonium bromide), CTAB(Cetyltrimethylammonium bromide) 등의 양이온 계면활성제, 또는 PVP(Brij-series, Tweenseries, Triton X-series), Poly(vinylpyrrolidone), 폴리에틸렌옥사이드-폴리부틸렌옥사이드-폴리에틸렌옥사이드 3블럭 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드-폴리페닐렌옥사이드-폴리에틸렌옥사이드 3블럭 공중합체 등의 무극성 계면활성제일 수 있다.
상기 탄소나노물질 분산액을 상기 기판(10) 상에 코팅하는 것은 스프레이법, Langmuir-Blodgett (LB)법, 진공여과법을 통해 형성할 수 있는데, 진공여과법으로 형성된 탄소나노물질필름을 상기 기판(10)으로 옮기는 방법으로는 필터용해법, 접 촉 프린팅(contact printing)법, Quasi-LB법, 수중전이법 등이 있다. 그러나, 상기 탄소나노물질 분산액을 상기 기판(10) 상에 코팅하는 방법은 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1d를 참조하면, 상기 탄소나노물질막(15)이 형성된 기판을 산화성 분위기에서 열처리한다. 상기 산화성 분위기는 수분 또는 산소가 존재하는 분위기, 일 예로서 대기분위기일 수 있다. 상기 열처리는 200℃ 내지 700℃의 온도에서 1 시간 내지 4 시간 동안 수행할 수 있다.
이 과정에서, 상기 탄소나노물질막(15)이 상기 산화유도패턴(14a)과 접하는 부분은 상기 산화유도패턴(14a)과의 환원전위 차이로 인해 갈바닉 부식 즉, 산화되어 제거될 수 있다. 구체적으로, 상기 산화유도패턴(14a)이 금속산화물인 경우에는, 상기 금속 산화물은 상기 열처리 온도에서 금속과 산소로 분해되어 상기 산화유도패턴(14a)은 금속막으로 변할 수 있다. 이 때, 금속의 환원전위가 상기 탄소나노물질의 환원전위에 비해 높아 상기 탄소나노물질을 갈바닉 부식과정에 의해 산화시킬 수 있다.
그 결과, 상기 탄소나노물질막(14)의 상기 산화유도패턴(14a)과 접하지 않는 부분이 상기 기판(10) 상에 잔존하여 탄소나노물질 패턴(15a)을 형성한다.
상기 열처리 과정에서 상기 산화유도패턴(14a)을 구성하는 산화유도물질은 응집(agglomeration) 및 이동되어 나노입자들로 변화될 수 있다. 이 경우 상기 산화유도패턴(14a)의 안정성이 떨어져 상기 탄소나노물질 패턴(15a)의 패턴특성(pattern quality)을 저하시킬 수 있다. 특히, 이러한 문제는 상기 산화유도패 턴(14a) 및 상기 탄소나노물질 패턴(15a)을 수 나노 내지 수십 나노 정도의 초극세 패턴으로 형성하는 경우에 심각한 문제로 대두될 수 있다. 이를 해결하기 위해, 상기 접착패턴(13a)이 도입되었다. 상기 접착패턴(13a)은 상기 산화유도패턴(14a)과 상기 기판(10) 사이의 접착력을 향상시켜, 상기 열처리과정에서 상기 산화유도물질이 응집 또는 이동되는 것을 방지할 수 있다.
도 1e를 참조하면, 상기 산화유도패턴(14a)과 그 하부의 접착패턴(13a)을 제거한다. 예를 들어, 산 또는 플라즈마를 사용하여 제거할 수 있다. 그 결과, 기판(10) 상에는 서로 이격된 탄소나노물질 패턴들(15a)이 형성될 수 있다.
상기 형성된 탄소나노물질 패턴들(15a)은 광학소자 일 예로서, PDP(Plasma Display Panel), LCD(Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diode Display), 태양전지(Solar Cell), 전자종이(E-paper), 광센서 등의 투명전극으로 사용될 수 있다.
이와 같이, 산화유도패턴을 형성하고, 상기 산화유도패턴과 탄소나노물질막을 접촉시켜 이들 사이의 환원전위차이에 따른 갈바닉 부식 현상을 이용하여 간단하면서도 정교하게 상기 탄소나노물질막을 패터닝할 수 있다. 상기 갈바닉 부식을 위해 대기하에서 열처리를 수행하므로, 상기 탄소나노물질막을 패터닝하기 위해 복잡한 화학처리나 진공장비가 필요하지 않을 수 있다. 또한, 리프트 오프법 또는 리소그라피법을 사용하여 상기 산화유도패턴의 선폭 및 피치(pitch)를 미세하게 형성할 수 있으므로, 미세한 선폭을 갖는 탄소나노물질패턴을 얻는 것 또한 매우 용이할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노물질패턴 형성 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 기판(20) 상에 탄소나노물질막(25)을 형성한다. 상기 기판(10)은 실리콘, 유리, 석영 또는 플라스틱 등의 베이스 기판일 수 있다. 상기 기판(10)은 상기 베이스 기판 상에 형성된 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 절연막은 산화막 또는 질화막일 수 있다. 일 예로서, 상기 베이스 기판이 실리콘 기판인 경우에, 상기 절연막은 실리콘 산화막일 수 있다. 상기 탄소나노물질막(25)을 이루는 물질 또는 이를 형성하는 방법에 대한 자세한 설명은 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 설명한 실시예를 참고할 수 있다.
한편, 스탬프 기판(30) 상에 산화유도패턴(34a)을 형성한 스탬프를 제공한다. 상기 산화유도패턴(34a)과 상기 스탬프 기판(30) 사이에는 접착패턴(33a)이 위치할 수 있다. 상기 산화유도패턴(34a)과 상기 접착패턴(33a)을 형성하는 것은 리프트오프(lift-off)법 또는 리소그라피법을 사용하여 수행할 수 있다. 상기 스탬프 기판(30)은 얇은 금속 플레이트, 얇은 유리 플레이트 또는 석영 플레이트일 수 있다. 상기 스탬프 기판(30)이 금속 플레이트인 경우에 상기 스탬프 기판(30)과 상기 접착패턴(33a) 또는 상기 접착패턴(33a)을 형성하지 않은 경우에는 상기 스탬프 기판(30)과 상기 산화유도패턴(34a) 사이에 금속 확산이 발생하지 않을 수 있도록 이들을 동일한 물질로 형성하거나, 또는 그들 사이에 확산방지막을 형성할 수 있다.
상기 산화유도패턴(34a) 및 상기 접착패턴(33a)에 대한 자세한 설명은 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 설명한 실시예를 참고할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 스탬프 기판(30)의 산화유도패턴(34a)을 상기 탄소나노물질막(25) 상에 접촉시킨 후, 산화성 분위기에서 열처리한다. 상기 산화성 분위기는 수분 또는 산소가 존재하는 분위기, 일 예로서 대기 분위기일 수 있다. 상기 열처리는 200℃ 내지 700℃의 온도에서 1 시간 내지 4 시간 동안 수행할 수 있다.
이 과정에서, 상기 탄소나노물질막(25)이 상기 산화유도패턴(34a)과 접하는 부분은 상기 산화유도패턴(34a)과의 환원전위 차이로 인해 갈바닉 부식 즉, 산화되어 제거될 수 있다. 그 결과, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 탄소나노물질막(25)의 상기 산화유도패턴(34a)과 접하지 않는 부분이 상기 기판(20) 상에 잔존하여 탄소나노물질 패턴(25a)을 형성한다.
도 2d를 참조하면, 상기 스탬프를 상기 기판(20)으로부터 분리한다. 그 결과, 기판(20) 상에는 서로 이격된 탄소나노물질 패턴들(25a)이 형성될 수 있다. 상기 탄소나노물질 패턴(25a)을 형성하기 위해 사용된 스탬프는 한 번 제작하면 연속적으로 사용할 수 있기 때문에, 대량 생산에 적합할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실험예 1>
실리콘 산화막이 약 200nm의 두께로 형성된 실리콘 기판을 준비하고, 상기 실리콘 산화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 상기 포토레지스트 패턴 상에 산화유도물질막으로서 15nm의 Ag 막을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 산화유도패턴인 Ag 패턴을 형성하였다. 한편, 계면 활성제인 도데실황산나트륨 (sodium dodecyl sulfate: SDS)이 1 wt%로 함유된 계면 활성제 수용액을 준비하고, 상기 계면활성제 수용액 내에 HiPCO (high pressure carbon monoxide)법으로 제조된 단일벽탄소나노튜브를 1 mg/ml의 비율로 혼합한 후, 소니케이터를 사용하여 30분간 초음파 처리하고, 10000 rpm에서 30분간 원심분리를 통해 뭉쳐진 탄소나노튜브다발을 가라앉힌 후, 200nm의 미세구멍을 갖는 47mm 직경의 알루미나 필터(whatman, Cat. No.: 6809-5022)를 사용해 진공여과하고, Quasi-Langmuir-Blodgett 법을 이용하여 상기 Ag 패턴 상에 탄소나노튜브막을 형성하였다. 그 후, 대기분위기에서 머플퍼니스로 350ㅀC, 4시간 동안 열처리하여, 상기 탄소나노튜브막의 Ag 패턴과 접촉하던 부분을 제거하였다.
<실험예 2>
상기 실험예 1에서 얻어진 결과물을 왕수 30ml에 30분동안 담근 후, 증류수로 깨끗이 세척하여 상기 Ag 패턴을 제거하였다.
<실험예 3>
포토레지스트 패턴 상에 접촉막으로서 5nm의 Ti막을 형성한 후, 상기 Ti막 상에 산화유도물질막으로서 15nm의 Ag 막을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 차례로 적층된 접촉패턴인 Ti 패턴과 산화유도패턴인 Ag 패턴을 형성한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법을 사용하여 결과물을 얻었다.
도 3a 및 도 3b는 실험예 1에 따른 결과물을 촬영한 SEM(scanning electron microscopy)사진들이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 열처리에 의해 상기 탄소나노튜브막이 Ag 패턴과 접촉하던 부분이 제거되어 그 하부의 Ag 패턴이 노출된 반면에, Ag 패턴과 접촉하지 않던 부분은 필름 형태를 유지하고 있는 것을 알 수 있다. 이와 더불어서, Ag 패턴은 열처리로 인해 나노입자의 형태를 띠고 있음을 알 수 있다.
도 3c 및 도 3d는 실험예 2에 따른 결과물을 촬영한 SEM사진들이다.
도 3c 및 도 3d를 참조하면, Ag 패턴은 제거되고 560nm 또는 750nm의 선폭을 갖는 탄소나노튜브 패턴이 형성된 것을 알 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 실험예 3에 따른 결과물을 촬영한 SEM사진들이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 열처리에 의해 상기 탄소나노튜브막이 Ag 패턴과 접촉하던 부분이 제거되어 그 하부의 Ag 패턴이 노출된 반면에, Ag 패턴과 접촉하지 않던 부분은 필름 형태를 유지하고 있는 것을 알 수 있다. 이와 더불어서, Ag 패턴은 열처리로 인해 나노입자의 형태를 띠고 있으나, 하부의 Ti 패턴으로 인해 응집(aggregation) 및 이동(migration)이 억제되어 나노입자의 크기가 도 3a 및 도 3b에 비해 작음을 알 수 있다.
또한, 상기 Ag 패턴 및 상기 Ti 패턴을 제거할 경우에는 수십 nm(several tens of nanometers)의 선폭을 갖는 탄소나노튜브 패턴을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노물질패턴 형성 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노물질패턴 형성 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 실험예 1에 따른 결과물을 촬영한 SEM(scanning electron microscopy)사진들이다.
도 3c 및 도 3d는 실험예 2에 따른 결과물을 촬영한 SEM사진들이다.
도 4a 및 도 4b는 실험예 3에 따른 결과물을 촬영한 SEM사진들이다.

Claims (10)

  1. 탄소나노물질막의 일부분을 산화유도패턴과 접촉시키는 단계; 및
    상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막을 산화분위기에서 열처리하여, 상기 산화유도패턴과 접촉된 탄소나노물질막의 일부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노물질패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산화유도패턴은 상기 탄소나노물질에 비해 환원전위(reduction potential)가 높은 물질 또는 그 물질의 산화물인 탄소나노물질패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 산화유도패턴은 Au, Pt, Pd, Ag, Po, Hg, Tl, Rh, Cu, Ru, W, Mo, Fe, Ge, Re, Rh, Ir, Bi, Tc, Te, Ga, Pb, Co, Ni, Cr, Zn, Mn, Ba, K, Rb, 및 Sr로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속막, 또는 PbO2 및 CrO2 로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속산화물을 포함하는 금속산화물막인 탄소나노물질패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 산화분위기는 수분 또는 산소를 포함하는 분위기인 탄소나노물질패턴 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 열처리는 200℃ 내지 700℃의 온도에서 수행하는 탄소나노물질패턴 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 탄소나노물질막의 일부분을 상기 산화유도패턴과 접촉시키는 단계는 기판 상에 상기 산화유도패턴을 형성하는 단계; 및 상기 산화유도패턴 상에 상기 탄소나노물질막을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노물질패턴 형성 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 산화유도패턴을 형성하는 단계는 상기 기판과 상기 산화유도패턴 사이에 위치하는 접착패턴을 형성하는 것을 더 포함하는 탄소나노물질패턴 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 탄소나노물질막의 일부분을 상기 산화유도패턴과 접촉시키는 단계는 기판 상에 탄소나노물질막을 형성하는 단계; 및 상기 탄소나노물질막 상에 스탬프 내에 구비된 상기 산화유도패턴을 위치시키는 단계를 포함하는 탄소나노물질 패턴 형 성방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 스탬프는 스탬프 기판 상에 차례로 적층된 접착패턴과 상기 산화유도패턴을 구비하는 탄소나노물질패턴 형성 방법.
  10. 제7항 또는 제9항에 있어서,
    상기 접착패턴은 Ti막 또는 Cr막인 탄소나노물질패턴 형성 방법.
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