KR100978566B1 - Side view light emitting diode package and fabrication method thereof - Google Patents
Side view light emitting diode package and fabrication method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR100978566B1 KR100978566B1 KR1020080018960A KR20080018960A KR100978566B1 KR 100978566 B1 KR100978566 B1 KR 100978566B1 KR 1020080018960 A KR1020080018960 A KR 1020080018960A KR 20080018960 A KR20080018960 A KR 20080018960A KR 100978566 B1 KR100978566 B1 KR 100978566B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- led chip
- molding material
- electrode
- electrode pattern
- package
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
- H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 측면방출 LED 패키지에 관한 것으로, 서로 이격된 두개의 전극패턴; 상기 이격 영역에 형성된 LED 칩; 상기 LED 칩과 전극패턴을 연결하는 와이어; 및 상기 전극패턴, LED 칩 및 와이어를 커버하는 몰딩재;를 포함하여 구성된 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a side emitting LED package, two electrode patterns spaced apart from each other; An LED chip formed in the separation region; A wire connecting the LED chip and an electrode pattern; And a molding material covering the electrode pattern, the LED chip, and the wire; and providing a side emitting LED package and a manufacturing method thereof.
LED, 측면방출, 열 변형, 박형화, 소형화 LED, side emission, heat deformation, thinning, miniaturization
Description
본 발명은 측면방출 LED 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 전극패턴으로 리드 프레임 대신 플레이트 전극을 사용하고, 몰딩재를 패키지 본체로 대체함으로써, 품질을 향상시키고, 소형화를 꾀할 수 있는 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a side emitting LED package, and more particularly, by using a plate electrode instead of a lead frame as an electrode pattern, and by replacing the molding material with the package body, the side emitting LED that can improve the quality and miniaturization A package and a method of manufacturing the same.
휴대 전화와 PDA 등의 소형 LCD는 백라이트 장치의 광원으로 측면형 LED를 사용한다. 이와 같은 측면형 LED는 통상 도 1에 도시한 것과 같이 백라이트 장치에 장착된다.Small LCDs such as mobile phones and PDAs use side-by-side LEDs as the light source for their backlight devices. Such side type LEDs are typically mounted on a backlight device as shown in FIG. 1.
도 1을 참조하면, 백라이트 장치(50)는 기판(52) 상에 평탄한 도광판(54)이 배치되고 이 도광판(54)의 측면에는 복수의 측면형 LED(10)가 어레이 형태로 배치된다. LED(1)에서 도광판(54)으로 입사된 빛(L)은 도광판(54)의 밑면에 제공된 미세한 반사 패턴 또는 반사 시트(56)에 의해 상부로 반사되어 도광판(54)에서 출사 된 다음 도광판(54) 상부의 LCD 패널(58)에 백라이트를 제공하게 된다.Referring to FIG. 1, in the
도 2는 도 1에 도시한 것과 같은 종래기술의 LED 패키지(10)의 일례를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an example of the
도면에 도시된 바와 같이, LED 패키지(10)는 패키지 본체(11), 이 패키지 본체(11) 내에 배치된 한 쌍의 리드 프레임(13, 15) 및 리드 프레임(13)에 상에 장착된 LED 칩(17)을 포함한다.As shown in the figure, the
패키지 본체(11)는 통상 고반사율 수지를 성형하여 이루어진 것으로, 리드 프레임(13, 15)을 중심으로 전반부(11a)와 후반부(11b)로 구분할 수 있다.The
전반부(11a)에는 상부로 갈수록 경사진 홈부(A)를 가지며, 상기 LED 칩(17)은 상기 홈부(A)를 통해 노출된 리드 프레임(13) 상에 실장되어 있다.The
한편, 상기 LED 칩(17)은 와이어(18)에 의해 리드 프레임(13, 15)에 전기적으로 연결되고, 상기 리드 프레임(13, 15)은 일부가 패키지 본체(11) 밖으로 연장되어 외부 단자를 형성한다.Meanwhile, the
그리고, 상기 홈부(A)의 내부에는 몰딩재(19)가 채워져 LED 칩(17) 및 와이어(18)를 외부로부터 밀봉한다. In addition, a
상기 몰딩재(19)는 투명수지로 이루어져 있으며, 상기 LED 칩(17)에서 발생하는 광 또는 자외선을 예컨대 백색광으로 변환시키는 형광 물질 등이 함유되어 있다.The
상기한 바와 같이 구성된 종래 측면 방출 LED 패키지(10)는 다음과 같은 공정을 통해 제작된다.The conventional side emitting
먼저, 합성수지 내에 리드 프레임(13)을 넣은 상태에서 사출성형에 의해 홈부(A)를 갖는 패키지 본체(11)를 성형한 다음, 상기 홈부(A)를 통해 노출된 리드 프레임(13) 상에 LED 칩(17)을 실장하고, 와이어 본딩을 통해 LED 칩(17)과 리드 프레임(13)을 전기적으로 연결한다.First, the package
이어서, 투명수지와 형광체를 혼합하여, 이를 패키지 본체 전반부(11a)의 홈부(A)에 주입한다. 그리고 나서, 높은 온도에서 장시간 노출시켜서 상기 투명수지를 경화시키게 된다.Subsequently, the transparent resin and the phosphor are mixed and injected into the groove portion A of the first half of the
상기 투명수지를 경화시킨 후, 단위 패키지 별로, 절단하여, 하나의 발광소자를 제작하게 된다.After the transparent resin is cured, each unit package is cut and one light emitting device is manufactured.
이때, 상기 패키지 본체(11)는 합성수지 재료로 되어 있기 때문에, 투명수지의 경화공정에서 높은 열이 가해짐에 따라, 상기 패키지 본체(11)의 열 변형을 초래하게 된다.At this time, since the package
상기 패키지 본체(11)의 열변형이 일어남에 따라 몰딩재(19), 패키지 본체(11) 및 리드 프레임(13, 15)들 간의 박리가 발생하여, 발광소자의 품질을 저하시키게 된다.As the thermal deformation of the
또한, 종래 LED 패키지는, 상기 리드 프레임(13) 상에 LED 칩(17)이 실장되어 있기 때문에, LED 패키지의 두께를 줄이는데 한계가 있다.In addition, in the conventional LED package, since the
더욱이, 상기 패키지 본체(11)의 홈부(A)에 LED 칩(17)을 실장한 후, LED 칩(17)과 리드 프레임(13, 15)과의 와이어 본딩을 수행하기 때문에, 상기 홈부(A)의 크기가 일정수준으로 확보되어야 한다. 따라서, 와이어 본딩의 작업성으로 인 해, 홈부의 크기를 일정수준 이하로 줄이는데 어려움이 있으며, 이로 인해 패키지의 소형화에 한계가 있다.In addition, since the
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 열 변형을 초래하는 패키지 본체를 제거함으로써, 몰딩재, LED 칩 및 리드 프레임 등의 구성 요소들 간의 박리문제를 해결할 수 있는 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to eliminate the problem of peeling between components such as molding materials, LED chips and lead frames by removing the package body causing thermal deformation. It is to provide a side emitting LED package and a method of manufacturing the same that can solve.
본 발명의 다른 목적은, 리드 프레임 대신 플레이트 전극을 사용하고, 몰딩재를 패키지 본체로 대체시킴으로써, 발광소자의 소형화를 꾀할 수 있는 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a side emitting LED package and a method of manufacturing the same, which can reduce the size of a light emitting device by using a plate electrode instead of a lead frame and replacing the molding material with a package body.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 서로 이격된 두개의 전극패턴; 상기 이격 영역에 형성된 LED 칩; 상기 LED 칩과 전극패턴을 연결하는 와이어; 및 상기 전극패턴, LED 칩 및 와이어를 커버하는 몰딩재;를 포함하여 구성된 측면방출 LED 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, two electrode patterns spaced apart from each other; An LED chip formed in the separation region; A wire connecting the LED chip and an electrode pattern; And a molding material covering the electrode pattern, the LED chip, and the wire.
이때, 상기 전극패턴 및 LED 칩의 이면에 형성된 형광체층을 더 포함할 수 있으며, 상기 전극패턴에는 홀이 형성되어, 상기 형광체층과의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다.In this case, the electrode pattern may further include a phosphor layer formed on the back surface of the LED chip, and holes may be formed in the electrode pattern, thereby further improving adhesion to the phosphor layer.
상기 몰딩재는, 반사물질이 포함되어 있으며, LED 칩으로부터 상기 몰딩재를 향해 방출되는 광은 모두 반사되어 LED 칩의 상부방향으로 향하게 된다.The molding material includes a reflective material, and all light emitted from the LED chip toward the molding material is reflected and directed upward.
또한, 본 발명은, 접착성을 가진 시트(sheet)를 준비하는 단계; 상기 시트 상에 일정 간격으로 이격되어 배열된 플레이트 전극을 부착시키는 단계; 상기 시트 상의 플레이트 전극의 이격 영역에 LED 칩을 일정 간격으로 부착시키는 단계; 상기 플레이트 전극과 LED 칩을 와이어 본딩하는 단계; 및 상기 플레이트 전극 및 LED 칩을 포함하는 시트 상에 몰딩재를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 측면방출 LED 패키지의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of preparing a sheet (sheet) having an adhesive; Attaching plate electrodes spaced at regular intervals on the sheet; Attaching the LED chips to the spaced areas of the plate electrodes on the sheet at regular intervals; Wire bonding the plate electrode with an LED chip; And forming a molding material on a sheet including the plate electrode and the LED chip.
상기 몰딩재를 형성하는 단계는, 반사물질을 포함하는 몰딩물질을 일정한 두께로 몰딩하는 단계; 및 상기 몰딩물질을 가경화시키는 단계로 이루어진다.The forming of the molding material may include molding a molding material including a reflective material to a predetermined thickness; And temporarily curing the molding material.
또한, 상기 시트를 제거한 후, 시트가 제거된 플레이트 전극 및 LED 칩 상부에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 형광체층을 형성하는 단계는, 투명수지에 형광물질이 혼합된 혼합물질을 플레이트 전극 및 LED 칩 상부에 몰딩함으로써 이루어진다.The method may further include forming a phosphor layer on the plate electrode and the LED chip on which the sheet is removed after the sheet is removed, and the forming of the phosphor layer may include mixing a fluorescent material mixed with a transparent resin. The material is made by molding on top of the plate electrode and the LED chip.
또한, 상기 반사물질을 포함하는 몰딩물질 및 형광물질을 포함하는 혼합물질을 본 경화시키는 단계를 더 포함하여 이루어진다. 상기 본 경화단계를 통해, 몰딩재 및 형광체층이 완성되며, 상기 몰딩재 및 형광체층이 양면에 각각 형성된 플레이트 전극을 절단하여, 단위 패키지로 분리시키는 단계를 더 포함하여 이루어진다.In addition, the present invention further comprises the step of hardening the mixture comprising the molding material and the fluorescent material comprising the reflective material. Through the present curing step, the molding material and the phosphor layer is completed, and further comprises the step of separating the plate electrode formed on both sides of the molding material and phosphor layer, separated into a unit package.
상기한 바와 같이, 본 발명은, 리드 프레임 대신 플레이트 전극을 사용함으로써, 발광소자의 소형화를 꾀할 뿐 아니라, 몰딩재를 패키지 본체로 대체시킴으로써, 발광소자의 소형화를 꾀할 뿐 아니라, 종래, 몰딩재, LED 칩 및 리드 프레임 등의 구성 요소들 간의 박리문제를 해결한다.As described above, the present invention not only miniaturizes the light emitting device by using the plate electrode instead of the lead frame, but also reduces the size of the light emitting device by replacing the molding material with the package body, and conventionally, the molding material, It solves the problem of separation between components such as LED chip and lead frame.
본 발명은, 열 변형을 초래하는 패키지 본체를 제거함으로써, 몰딩재, LED 칩 및 리드 프레임 등의 구성 요소들 간의 박리문제를 해결하여, 소자의 품질을 더욱 향상시킬 수 있다.The present invention can solve the peeling problem between components such as the molding material, LED chip and lead frame by removing the package body that causes thermal deformation, it is possible to further improve the quality of the device.
또한, 본 발명은, 리드 프레임을 제거하고, 플레이트 전극을 전극패턴으로 사용함에 따라, 발광소자의 박형화 및 소형화를 꾀할 수 있다.In addition, according to the present invention, the lead frame is removed and the plate electrode is used as the electrode pattern, whereby the light emitting element can be thinned and downsized.
이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명에 따른 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법에 대해 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the side-emitting LED package and a method of manufacturing the same according to the present invention through the accompanying drawings to be described in detail.
도 3은 본 발명에 따른 측면방출 LED의 단위 패키지를 나타낸 것으로, 도 3a는 형광체층이 형성되기 전 발광소자 패키지의 구조를 나타낸 것이고, 도 3b는 형광체층이 형성된 발광소자 패키지를 나타낸 것이며, 도 4는 도 3a의 I-I'의 단면도이다.3 illustrates a unit package of the side-emitting LED according to the present invention, FIG. 3A illustrates a structure of a light emitting device package before a phosphor layer is formed, and FIG. 3B illustrates a light emitting device package in which a phosphor layer is formed. 4 is a cross-sectional view of II ′ of FIG. 3A.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 측면방출 LED 패키지(100)는, 서로 이격되어 형성된 전극패턴(130), 상기 전극패턴(130)의 이격영역에 배치된 LED 칩(120), 상기 전극패턴(130) 및 LED 칩(120)의 배면에 형성된 몰딩재(110)를 포함하여 구성된다.As shown in the figure, the side-emitting
상기 몰딩재(110)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지등의 절연물질로 이루어져 있으며, 그 양측에 각각 전극패턴(130)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 두 개의 전극패턴(130)들은, 이들 사이에 채워진 몰딩재(110)에 의해 절연되어 있다.The
그리고, 상기 전극패턴(130)은 와이어(160)를 통해 LED 칩(120)의 전극(미도시)과 각각 전기적으로 연결되어 있으며, 플레이트 전극으로 이루어져 있다.In addition, the
또한, 상기 전극패턴(130) 및 LED 칩(120)을 포함하고 있는 몰딩재(110) 상에는 형광체층(150)이 형성되어 있다.In addition, the
상기 형광체층(150)은 수지에 형광체가 혼합되어 형성된 것으로, 상기 수지는 굴절율 및 광투과율이 높은 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함하고 있으며, 형광체는 황색(yellow), 적색(red) 및 녹색(green) 중 어느 하나로 파장을 변환시키는 형광체를 포함하고 있다.The
따라서, 상기 형광체는 상기 LED 칩(120)으로부터 발생된 광을 변환시켜, 백색광을 구현해야 하기 때문에, 상기 LED 칩(120)의 발광파장에 따라 결정된다. 예를 들어, 상기 LED 칩(120)이 청색 소자인 경우, 상기 형광체는 황색 발광 형광체를 사용하게 된다.Therefore, since the phosphor converts the light generated from the
상기 형광체층(150)은, 전극패턴(130) 및 LED 칩(120)이 위치하는 몰딩재(110) 상부의 전면(entire surface)에 형성되거나, LED 칩(120) 상에 국부적으로 형성될 수 있다.The
한편, 상기 형광체층(150)이 몰딩재(110) 상부의 전면에 형성되는 경우, 상 기 형광체층은 상기 몰딩재와의 접착력 향상을 위해, 상기 전극패턴(130)에 홀(140)을 형성할 수도 있다.On the other hand, when the
상기 전극패턴(130)에 형성된 홀(140)을 통해 상기 몰딩재(110)와 형광체층(150)이 직접 접촉하게 된다.The
또한, 상기 LED 칩(120)은, 청색(blue), 적색(red), 녹색(green) 및 UV 파장을 발생시키는 LED 칩 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 청색 발광소자 단독으로 구성되거나, 청색과 적색 발광소자가 함께 구성될 수도 있다.In addition, the
그러나, 본 발명은 이러한 예들에 한정되어 있는 것이 아니고, 청색(blue), 적색(red), 녹색(green) 및 UV 파장을 발생시킨다면, 단독 또는 어떠한 조합으로든 구성할 수 있다.However, the present invention is not limited to these examples and may be constituted alone or in any combination as long as it generates blue, red, green and UV wavelengths.
한편, 상기 LED 칩(120)과 전극패턴(130)의 하부에 형성된 몰딩재(110)는, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.Meanwhile, the
상기 몰딩재(110)는, LED 칩(120), 와이어(150) 및 전극패턴(130)을 외부로부터 보호할 뿐 아니라, 종래 패키지 본체로서의 역할도 함께한다.The
더욱이, 상기 몰딩재(110)는 한편, 반사기능을 가진 물질, 즉, 산화티탄(TiO2), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등을 포함하고 있으며, 반사층으로서의 역할도 함께 수행하게 된다.In addition, the
즉, 상기 몰딩재(110)는, 상기 LED 칩(120)으로부터 발생되어 하부방향으로 향하는 광을 반사시켜, LED 칩(120)의 상부 방향으로 향하도록 한다.That is, the
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 발광소자 패키지는, 합성수지로 이루어진 패키지 본체가 생략되고, 몰딩재가 상기 패키지 본체로서의 기능을 하기 때문에, 열 변형에 의한 종래의 문제를 해결할 수 있게 된다.In the light emitting device package of the present invention configured as described above, since the package body made of synthetic resin is omitted, and the molding material functions as the package body, the conventional problem due to thermal deformation can be solved.
다시 말해, 종래에는 합성수지로 이루어진 패키지 본체의 열 변형으로 인해, 상기 패키지 본체와 접촉하는 LED 칩, 리드 프레임 등이 상기 패키지 본체와 박리되어 소자의 품질이 떨어지는 문제가 있었다.In other words, in the related art, due to thermal deformation of a package body made of synthetic resin, an LED chip, a lead frame, etc. contacting the package body is peeled off from the package body, thereby degrading device quality.
그러나, 본 발명에서는, 몰딩재가 상기 패키지 본체를 대신하므로, 열 변형에 의한 문제를 해결할 수 있게 된다.However, in the present invention, since the molding material replaces the package main body, the problem due to thermal deformation can be solved.
또한, 본 발명은, 리드 프레임을 제거하고, 플레이트 전극을 전극패턴으로 사용하므로, 종래에 비해 박형화 및 소형화가 가능하다. 즉, 종래에는 LED 칩이 리드 프레임 상에 실장되어 있기 때문에, 패키지의 두께를 줄이는 데 한계가 있었으며, LED 칩을 패키지 본체의 리드 프레임(전극패턴)과 연결하는 와이어 본딩의 작업을 용이하게 하기 위해, 상기 LED 칩을 에워싸도록 형성된 홈부 영역이 확보되어야 하기 때문에, 소자의 소형화에 한계가 있었다. Further, in the present invention, since the lead frame is removed and the plate electrode is used as the electrode pattern, the present invention can be thinner and smaller in size. That is, in the related art, since the LED chip is mounted on the lead frame, there is a limit in reducing the thickness of the package. In order to facilitate the operation of wire bonding connecting the LED chip to the lead frame (electrode pattern) of the package main body Since the groove area formed to surround the LED chip must be secured, there is a limit in miniaturization of the device.
그러나, 본 발명에서는 전극패턴(130)과 LED 칩(120)의 상하로 적층된 구조가 아니라, 상기 LED 칩(120)이 전극패턴(130)과 동일한 평면(몰딩재) 상에 탑재되어 있기 때문에, 패키지의 두께를 줄일 수 있게 된다.However, in the present invention, the
더욱이, 홈부가 마련된 패키지 본체가 제거되어, LED 칩의 주변이 오픈되어 있기 때문에, 본딩 작업의 구애 없이 소자의 사이즈를 줄이는 소형화가 가능하다.Furthermore, since the package main body provided with the groove portion is removed and the periphery of the LED chip is open, the size of the device can be reduced in size without regard to the bonding operation.
상기한 바와 같이, 본 발명의 발광소자 패키지는, 종래 패키지 본체가 없고, 리드 프레임 대신에 플레이트 전극을 전극패턴으로 사용하며, 상기 전극패턴과 동일한 평면 상에 LED 칩이 탑재되어 구성된 것으로, 본 발명에 따른 발광소자 패키지는 접착성 시트를 준비한 후, 상기 시트 상에 플레이트 전극 및 LED 칩을 부착하고, 이들 간의 와이어 본딩을 실시한 후, 그 상부에 몰딩재를 형성한 다음, 상기 접착성 시트를 제거한 후, 접착성 시트가 제거된 영역에 형광체층을 형성함으로써, 제작할 수 있다.As described above, the light emitting device package of the present invention does not have a conventional package body, and uses a plate electrode as an electrode pattern instead of a lead frame, and an LED chip is mounted on the same plane as the electrode pattern. According to the light emitting device package according to the present invention, after preparing an adhesive sheet, attaching a plate electrode and an LED chip on the sheet, performing wire bonding therebetween, forming a molding material thereon, and then removing the adhesive sheet. Then, it can manufacture by forming a phosphor layer in the area | region from which the adhesive sheet was removed.
도 5a ~ 도 5e는 본 발명에 따른 측면방출 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 공정 평면도이다.5A to 5E are process plan views for explaining a method of manufacturing a side emitting LED package according to the present invention.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 접착성이 있는 시트(101)를 준비한다. 상기 시트(101)는 그 표면에 접착물질이 형성된 것으로, 상기 접착층 표면에 상기 접착물질을 보호하기 위한 필름이 별도로 마련될 수 있다. 접착물질 상에 필름이 마련된 경우, 상기 필름을 제거함으로써, 시트(101)를 준비한다.First, as shown in FIG. 5A, an
상기 시트(101) 상에, 전극패턴(130)을 갖는 플레이트 전극(130a)을 부착한다. 이때, 상기 전극패턴(130)은, 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있으며, 각각의 전극패턴(130)에는 홀(140)이 형성되어 있다.On the
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 전극패턴(130)의 이격 영역에 LED 칩(120)을 일정한 간격으로 배열시킨다. 이때, LED 칩(120)을 배열하는 간격은 제품의 사양 및 공정 조건에 따라 달라지게 된다. 그리고, 상기 플레이트 전극(130a)에는 접착성을 가진 시트가 부착되어 있기 때문에, LED 칩(120)은 상기 시트(101) 상에 마운트 된다.Subsequently, as shown in FIG. 5B, the
계속해서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 와이어 본딩을 통해, 상기 LED 칩(120)과 전극패턴(130)을 연결한다. 도면부호 160은 LED 칩(120)과 전극패턴(130)을 전기적으로 연결하는 와이어(wire) 이다.Subsequently, as shown in FIG. 5C, the
그 다음, 상기 구조물 상에 반사물질을 포함하고 있는 몰딩물질을 채운 후, 상기 몰딩물질을 가경화시킴으로써, 몰딩재(110)를 형성한다. 도 5c는 평면도이므로, 상기 몰딩재(110)가 잘 표현되지 않았으므로, 도 4에 도시된 몰딩재(110)를 참조한다.Then, after filling a molding material containing a reflective material on the structure, by molding the molding material, thereby forming a molding material (110). Since FIG. 5C is a plan view, the
이때, 상기 몰딩물질은, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함하는 수지에 산화티탄(TiO2), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등의 반사물질이 혼합되어 형성된다.In this case, the molding material is titanium oxide (TiO 2), aluminum (Al) or silver (resin) of a resin containing any one of epoxy, silicone, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, acrylic, polycarbonate, and polyimide ( It is formed by mixing reflective materials such as Ag).
한편, 도면에 상세하게 나타내지는 않았지만, 상기 몰딩재(110)는 별도로 마련된 몰딩재 형성용 틀을 사용하여 형성할 수 있으며, 상기 몰딩재 형성용 틀은, 사방이 벽으로 둘러싸인 것으로, 와이어 본딩이 완료된 구조물의 시트를 상기 틀의 바닥면에 배치한 다음, 상기 틀 내부에 액상의 수지를 충진하고, 이를 경화시킴으로써, 몰딩재(110)를 형성할 수 있을 것이다. 그리고, 경화가 완료되면, 상기 몰딩재 형성용 틀은 제거된다.On the other hand, although not shown in detail in the drawings, the
이와 같이 몰딩재(110)가 형성되면, 상기 플레이트 전극(130a) 및 LED 칩(120)의 상부에 마련된 시트(101)를 제거한다.When the
계속해서, 상기 시트(101)가 제거된 영역에, 형광체가 혼합된 수지를 충진하고, 이를 경화시켜, 형광체층(150)을 형성한다.(도 5d 참조)Subsequently, in the region where the
이때, 상기 형광체층(150)의 수지는 상기 전극패턴(130)에 형성된 홀(140)에 의해 전극패턴(130)의 배면에 형성된 몰딩재(110)와 직접 접촉하게 되며, 상기 형광체층(150)을 경화시키는 공정에서, 상기 몰딩재(110)는 본 경화가 이루어져, 이들 간(형광체층과 몰딩재)의 결합력이 더욱 좋아지게 된다.In this case, the resin of the
한편, 상기 형광체층(150)은, 필름형태로, 상기 LED 칩(120) 상에 바로 형성하는 것도 가능하다. 즉, 시트를 제거한 후, LED 칩(120) 상에 형광필름을 직접 부착할 수도 있다. Meanwhile, the
형광체층을 필름형태로 부착시키는 경우, 전극패턴의 홀은 형성하지 않아도 된다.When attaching the phosphor layer in the form of a film, the hole of the electrode pattern does not need to be formed.
이와 같이 형광체층(150)이 완성되면, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 구조물을 절단선(180)을 따라 절단함으로써, 단위 패키지 별로 분리한다.When the
상기한 바와 같은 공정을 통해 제작된 본 발명의 측면방출 LED 패키지는, 기존의 패키지 본체를 제거하고, 몰딩재를 패키지 본체로 대체함으로써, 열 변형에 따른 품질저하를 막고,소자의 박형화 및 소형화가 가능하도록 한 것으로, LED 칩의 구조에 상관없이, 플레이트 전극을 전극패턴으로 사용하고, 상기 전극패턴과 LED 칩이 동일 평면 상에 형성되며, 이들을 모두 감싸는 몰딩재를 포함한다면, 모두 본 발명에 포함될 것이다.The side-emitting LED package of the present invention manufactured through the process as described above, by removing the existing package body, and replacing the molding material with the package body, to prevent deterioration due to thermal deformation, thinning and miniaturization of the device It is possible to use, regardless of the structure of the LED chip, if the plate electrode is used as the electrode pattern, and the electrode pattern and the LED chip is formed on the same plane, including a molding material surrounding all of them, all will be included in the present invention will be.
이에 따라, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also belong to the scope of the present invention.
도 1은 측면 방출 LED 패키지를 사용하는 백라이트 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a backlight device using a side emitting LED package.
도 2는 종래의 측면 방출 LED 패키지의 단면도.2 is a cross-sectional view of a conventional side emitting LED package.
도 3은 본 발명에 따른 측면 방출 LED의 단위 패키지를 나타낸 것으로, 도 3a 및 도 3b는 LED 패키지의 전,후부를 각각 나타낸 도면.3 is a unit package of the side-emitting LED according to the present invention, Figures 3a and 3b is a view showing the front and rear of the LED package, respectively.
도 4는 도 3a의 I-I'의 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 3A;
도 5a ~ 도 5e는 본 발명에 따른 LED의 패키지의 제조공정을 나타낸 공정 평면도.5a to 5e is a process plan view showing a manufacturing process of the package of the LED according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100 : 측면방출 LED 패키지 101 : 시트100: side emitting LED package 101: sheet
110 : 몰딩재 120 : LED 칩110: molding material 120: LED chip
130a : 플레이트 전극 130 : 전극패턴130a: plate electrode 130: electrode pattern
140 : 홀 150 : 형광체층140: hole 150: phosphor layer
160 : 와이어 180 : 절단선160: wire 180: cutting line
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080018960A KR100978566B1 (en) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | Side view light emitting diode package and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080018960A KR100978566B1 (en) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | Side view light emitting diode package and fabrication method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090093442A KR20090093442A (en) | 2009-09-02 |
KR100978566B1 true KR100978566B1 (en) | 2010-08-27 |
Family
ID=41301926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080018960A KR100978566B1 (en) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | Side view light emitting diode package and fabrication method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100978566B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020000163A (en) * | 2000-02-09 | 2002-01-04 | 엔도 츠카사 | Light source |
JP2003258310A (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Citizen Electronics Co Ltd | Surface mounting light emitting diode and its producing method |
JP2006310887A (en) * | 2006-07-25 | 2006-11-09 | Nippon Leiz Co Ltd | Method of manufacturing light source device |
JP2007116126A (en) | 2005-09-20 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device |
-
2008
- 2008-02-29 KR KR1020080018960A patent/KR100978566B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020000163A (en) * | 2000-02-09 | 2002-01-04 | 엔도 츠카사 | Light source |
JP2003258310A (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Citizen Electronics Co Ltd | Surface mounting light emitting diode and its producing method |
JP2007116126A (en) | 2005-09-20 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device |
JP2006310887A (en) * | 2006-07-25 | 2006-11-09 | Nippon Leiz Co Ltd | Method of manufacturing light source device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090093442A (en) | 2009-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10707393B2 (en) | Light emitting device package including light emitting devices, light-transmissive substrate, and eutectic bonding layer interposed therebetween and display device using the same | |
US9039216B2 (en) | Light emitting device package and light unit having the same | |
EP3872873B1 (en) | Light-emitting module | |
CN108365075B (en) | Wafer level packaging light-emitting device with inclined wafer reflection structure and manufacturing method thereof | |
KR20170135689A (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
KR102524438B1 (en) | Light-emitting device and surface-emitting light source | |
CN111146325A (en) | Light emitting device package and display apparatus using the same | |
US11579486B2 (en) | Light emitting device, backlight, and display panel with reflective layer | |
US11342314B2 (en) | Light-emitting module | |
WO2013114977A1 (en) | Linear light source device, surface light-emitting device, and liquid crystal display device | |
US11506933B2 (en) | Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device | |
KR100978566B1 (en) | Side view light emitting diode package and fabrication method thereof | |
KR100990636B1 (en) | Side view light emitting diode package and fabrication method thereof | |
CN114122229A (en) | Light emitting device, method for manufacturing the same, planar light source, and liquid crystal display device | |
KR102432222B1 (en) | Optical plate, lighting device, and lighting module | |
JP7451085B2 (en) | Chip scale linear light emitting device | |
CN110364608B (en) | Wafer level linear light source light emitting device | |
KR20120062512A (en) | Led pakage and array, lcd module having thereof | |
KR101786071B1 (en) | Backlight unit and display appratus having the same | |
KR102425618B1 (en) | Light-Emitting Package for Display Device and Backlight Unit having the same | |
KR102075522B1 (en) | Light-emitting device | |
KR20140096847A (en) | Light Emitting Diode modules | |
KR20130014718A (en) | Light emitting device package | |
KR101849126B1 (en) | Light Emitting Device Package | |
JP7116327B2 (en) | Light-emitting module and method for manufacturing light-emitting module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130731 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |