KR100978566B1 - Side view light emitting diode package and fabrication method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 측면방출 LED 패키지에 관한 것으로, 서로 이격된 두개의 전극패턴; 상기 이격 영역에 형성된 LED 칩; 상기 LED 칩과 전극패턴을 연결하는 와이어; 및 상기 전극패턴, LED 칩 및 와이어를 커버하는 몰딩재;를 포함하여 구성된 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a side emitting LED package, two electrode patterns spaced apart from each other; An LED chip formed in the separation region; A wire connecting the LED chip and an electrode pattern; And a molding material covering the electrode pattern, the LED chip, and the wire; and providing a side emitting LED package and a manufacturing method thereof.

LED, 측면방출, 열 변형, 박형화, 소형화 LED, side emission, heat deformation, thinning, miniaturization

Description

측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법{SIDE VIEW LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF}Side release LED package and its manufacturing method {SIDE VIEW LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF}

본 발명은 측면방출 LED 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 전극패턴으로 리드 프레임 대신 플레이트 전극을 사용하고, 몰딩재를 패키지 본체로 대체함으로써, 품질을 향상시키고, 소형화를 꾀할 수 있는 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a side emitting LED package, and more particularly, by using a plate electrode instead of a lead frame as an electrode pattern, and by replacing the molding material with the package body, the side emitting LED that can improve the quality and miniaturization A package and a method of manufacturing the same.

휴대 전화와 PDA 등의 소형 LCD는 백라이트 장치의 광원으로 측면형 LED를 사용한다. 이와 같은 측면형 LED는 통상 도 1에 도시한 것과 같이 백라이트 장치에 장착된다.Small LCDs such as mobile phones and PDAs use side-by-side LEDs as the light source for their backlight devices. Such side type LEDs are typically mounted on a backlight device as shown in FIG. 1.

도 1을 참조하면, 백라이트 장치(50)는 기판(52) 상에 평탄한 도광판(54)이 배치되고 이 도광판(54)의 측면에는 복수의 측면형 LED(10)가 어레이 형태로 배치된다. LED(1)에서 도광판(54)으로 입사된 빛(L)은 도광판(54)의 밑면에 제공된 미세한 반사 패턴 또는 반사 시트(56)에 의해 상부로 반사되어 도광판(54)에서 출사 된 다음 도광판(54) 상부의 LCD 패널(58)에 백라이트를 제공하게 된다.Referring to FIG. 1, in the backlight device 50, a flat light guide plate 54 is disposed on a substrate 52, and a plurality of side type LEDs 10 are disposed in an array form on the side of the light guide plate 54. The light L incident from the LED 1 to the light guide plate 54 is reflected upwardly by a minute reflection pattern or a reflective sheet 56 provided on the bottom surface of the light guide plate 54 and exited from the light guide plate 54, and then the light guide plate ( 54) The backlight is provided to the upper LCD panel 58.

도 2는 도 1에 도시한 것과 같은 종래기술의 LED 패키지(10)의 일례를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an example of the LED package 10 of the prior art as shown in FIG.

도면에 도시된 바와 같이, LED 패키지(10)는 패키지 본체(11), 이 패키지 본체(11) 내에 배치된 한 쌍의 리드 프레임(13, 15) 및 리드 프레임(13)에 상에 장착된 LED 칩(17)을 포함한다.As shown in the figure, the LED package 10 includes a package body 11, a pair of lead frames 13 and 15 disposed in the package body 11, and an LED mounted on the lead frame 13. And a chip 17.

패키지 본체(11)는 통상 고반사율 수지를 성형하여 이루어진 것으로, 리드 프레임(13, 15)을 중심으로 전반부(11a)와 후반부(11b)로 구분할 수 있다.The package body 11 is usually formed by molding a high reflectance resin, and can be divided into a front half portion 11a and a second half portion 11b around the lead frames 13 and 15.

전반부(11a)에는 상부로 갈수록 경사진 홈부(A)를 가지며, 상기 LED 칩(17)은 상기 홈부(A)를 통해 노출된 리드 프레임(13) 상에 실장되어 있다.The first half 11a has a groove A inclined upward, and the LED chip 17 is mounted on the lead frame 13 exposed through the groove A.

한편, 상기 LED 칩(17)은 와이어(18)에 의해 리드 프레임(13, 15)에 전기적으로 연결되고, 상기 리드 프레임(13, 15)은 일부가 패키지 본체(11) 밖으로 연장되어 외부 단자를 형성한다.Meanwhile, the LED chip 17 is electrically connected to the lead frames 13 and 15 by wires 18, and some of the lead frames 13 and 15 extend outside the package body 11 to provide external terminals. Form.

그리고, 상기 홈부(A)의 내부에는 몰딩재(19)가 채워져 LED 칩(17) 및 와이어(18)를 외부로부터 밀봉한다. In addition, a molding material 19 is filled in the groove A to seal the LED chip 17 and the wire 18 from the outside.

상기 몰딩재(19)는 투명수지로 이루어져 있으며, 상기 LED 칩(17)에서 발생하는 광 또는 자외선을 예컨대 백색광으로 변환시키는 형광 물질 등이 함유되어 있다.The molding material 19 is made of a transparent resin, and contains a fluorescent material for converting light or ultraviolet rays generated by the LED chip 17 into, for example, white light.

상기한 바와 같이 구성된 종래 측면 방출 LED 패키지(10)는 다음과 같은 공정을 통해 제작된다.The conventional side emitting LED package 10 configured as described above is manufactured through the following process.

먼저, 합성수지 내에 리드 프레임(13)을 넣은 상태에서 사출성형에 의해 홈부(A)를 갖는 패키지 본체(11)를 성형한 다음, 상기 홈부(A)를 통해 노출된 리드 프레임(13) 상에 LED 칩(17)을 실장하고, 와이어 본딩을 통해 LED 칩(17)과 리드 프레임(13)을 전기적으로 연결한다.First, the package main body 11 having the groove A is formed by injection molding in a state in which the lead frame 13 is placed in a synthetic resin, and then the LED is placed on the lead frame 13 exposed through the groove A. The chip 17 is mounted, and the LED chip 17 and the lead frame 13 are electrically connected through wire bonding.

이어서, 투명수지와 형광체를 혼합하여, 이를 패키지 본체 전반부(11a)의 홈부(A)에 주입한다. 그리고 나서, 높은 온도에서 장시간 노출시켜서 상기 투명수지를 경화시키게 된다.Subsequently, the transparent resin and the phosphor are mixed and injected into the groove portion A of the first half of the package body 11a. Then, the transparent resin is cured by exposure at high temperature for a long time.

상기 투명수지를 경화시킨 후, 단위 패키지 별로, 절단하여, 하나의 발광소자를 제작하게 된다.After the transparent resin is cured, each unit package is cut and one light emitting device is manufactured.

이때, 상기 패키지 본체(11)는 합성수지 재료로 되어 있기 때문에, 투명수지의 경화공정에서 높은 열이 가해짐에 따라, 상기 패키지 본체(11)의 열 변형을 초래하게 된다.At this time, since the package main body 11 is made of a synthetic resin material, high heat is applied in the curing process of the transparent resin, resulting in thermal deformation of the package main body 11.

상기 패키지 본체(11)의 열변형이 일어남에 따라 몰딩재(19), 패키지 본체(11) 및 리드 프레임(13, 15)들 간의 박리가 발생하여, 발광소자의 품질을 저하시키게 된다.As the thermal deformation of the package body 11 occurs, peeling occurs between the molding material 19, the package body 11, and the lead frames 13 and 15, thereby degrading the quality of the light emitting device.

또한, 종래 LED 패키지는, 상기 리드 프레임(13) 상에 LED 칩(17)이 실장되어 있기 때문에, LED 패키지의 두께를 줄이는데 한계가 있다.In addition, in the conventional LED package, since the LED chip 17 is mounted on the lead frame 13, there is a limit in reducing the thickness of the LED package.

더욱이, 상기 패키지 본체(11)의 홈부(A)에 LED 칩(17)을 실장한 후, LED 칩(17)과 리드 프레임(13, 15)과의 와이어 본딩을 수행하기 때문에, 상기 홈부(A)의 크기가 일정수준으로 확보되어야 한다. 따라서, 와이어 본딩의 작업성으로 인 해, 홈부의 크기를 일정수준 이하로 줄이는데 어려움이 있으며, 이로 인해 패키지의 소형화에 한계가 있다.In addition, since the LED chip 17 is mounted in the groove A of the package body 11, wire bonding between the LED chip 17 and the lead frames 13 and 15 is performed. ) Must be secured to a certain level. Therefore, due to the workability of the wire bonding, it is difficult to reduce the size of the groove portion to a certain level or less, thereby limiting the miniaturization of the package.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 열 변형을 초래하는 패키지 본체를 제거함으로써, 몰딩재, LED 칩 및 리드 프레임 등의 구성 요소들 간의 박리문제를 해결할 수 있는 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to eliminate the problem of peeling between components such as molding materials, LED chips and lead frames by removing the package body causing thermal deformation. It is to provide a side emitting LED package and a method of manufacturing the same that can solve.

본 발명의 다른 목적은, 리드 프레임 대신 플레이트 전극을 사용하고, 몰딩재를 패키지 본체로 대체시킴으로써, 발광소자의 소형화를 꾀할 수 있는 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a side emitting LED package and a method of manufacturing the same, which can reduce the size of a light emitting device by using a plate electrode instead of a lead frame and replacing the molding material with a package body.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 서로 이격된 두개의 전극패턴; 상기 이격 영역에 형성된 LED 칩; 상기 LED 칩과 전극패턴을 연결하는 와이어; 및 상기 전극패턴, LED 칩 및 와이어를 커버하는 몰딩재;를 포함하여 구성된 측면방출 LED 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, two electrode patterns spaced apart from each other; An LED chip formed in the separation region; A wire connecting the LED chip and an electrode pattern; And a molding material covering the electrode pattern, the LED chip, and the wire.

이때, 상기 전극패턴 및 LED 칩의 이면에 형성된 형광체층을 더 포함할 수 있으며, 상기 전극패턴에는 홀이 형성되어, 상기 형광체층과의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다.In this case, the electrode pattern may further include a phosphor layer formed on the back surface of the LED chip, and holes may be formed in the electrode pattern, thereby further improving adhesion to the phosphor layer.

상기 몰딩재는, 반사물질이 포함되어 있으며, LED 칩으로부터 상기 몰딩재를 향해 방출되는 광은 모두 반사되어 LED 칩의 상부방향으로 향하게 된다.The molding material includes a reflective material, and all light emitted from the LED chip toward the molding material is reflected and directed upward.

또한, 본 발명은, 접착성을 가진 시트(sheet)를 준비하는 단계; 상기 시트 상에 일정 간격으로 이격되어 배열된 플레이트 전극을 부착시키는 단계; 상기 시트 상의 플레이트 전극의 이격 영역에 LED 칩을 일정 간격으로 부착시키는 단계; 상기 플레이트 전극과 LED 칩을 와이어 본딩하는 단계; 및 상기 플레이트 전극 및 LED 칩을 포함하는 시트 상에 몰딩재를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 측면방출 LED 패키지의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of preparing a sheet (sheet) having an adhesive; Attaching plate electrodes spaced at regular intervals on the sheet; Attaching the LED chips to the spaced areas of the plate electrodes on the sheet at regular intervals; Wire bonding the plate electrode with an LED chip; And forming a molding material on a sheet including the plate electrode and the LED chip.

상기 몰딩재를 형성하는 단계는, 반사물질을 포함하는 몰딩물질을 일정한 두께로 몰딩하는 단계; 및 상기 몰딩물질을 가경화시키는 단계로 이루어진다.The forming of the molding material may include molding a molding material including a reflective material to a predetermined thickness; And temporarily curing the molding material.

또한, 상기 시트를 제거한 후, 시트가 제거된 플레이트 전극 및 LED 칩 상부에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 형광체층을 형성하는 단계는, 투명수지에 형광물질이 혼합된 혼합물질을 플레이트 전극 및 LED 칩 상부에 몰딩함으로써 이루어진다.The method may further include forming a phosphor layer on the plate electrode and the LED chip on which the sheet is removed after the sheet is removed, and the forming of the phosphor layer may include mixing a fluorescent material mixed with a transparent resin. The material is made by molding on top of the plate electrode and the LED chip.

또한, 상기 반사물질을 포함하는 몰딩물질 및 형광물질을 포함하는 혼합물질을 본 경화시키는 단계를 더 포함하여 이루어진다. 상기 본 경화단계를 통해, 몰딩재 및 형광체층이 완성되며, 상기 몰딩재 및 형광체층이 양면에 각각 형성된 플레이트 전극을 절단하여, 단위 패키지로 분리시키는 단계를 더 포함하여 이루어진다.In addition, the present invention further comprises the step of hardening the mixture comprising the molding material and the fluorescent material comprising the reflective material. Through the present curing step, the molding material and the phosphor layer is completed, and further comprises the step of separating the plate electrode formed on both sides of the molding material and phosphor layer, separated into a unit package.

상기한 바와 같이, 본 발명은, 리드 프레임 대신 플레이트 전극을 사용함으로써, 발광소자의 소형화를 꾀할 뿐 아니라, 몰딩재를 패키지 본체로 대체시킴으로써, 발광소자의 소형화를 꾀할 뿐 아니라, 종래, 몰딩재, LED 칩 및 리드 프레임 등의 구성 요소들 간의 박리문제를 해결한다.As described above, the present invention not only miniaturizes the light emitting device by using the plate electrode instead of the lead frame, but also reduces the size of the light emitting device by replacing the molding material with the package body, and conventionally, the molding material, It solves the problem of separation between components such as LED chip and lead frame.

본 발명은, 열 변형을 초래하는 패키지 본체를 제거함으로써, 몰딩재, LED 칩 및 리드 프레임 등의 구성 요소들 간의 박리문제를 해결하여, 소자의 품질을 더욱 향상시킬 수 있다.The present invention can solve the peeling problem between components such as the molding material, LED chip and lead frame by removing the package body that causes thermal deformation, it is possible to further improve the quality of the device.

또한, 본 발명은, 리드 프레임을 제거하고, 플레이트 전극을 전극패턴으로 사용함에 따라, 발광소자의 박형화 및 소형화를 꾀할 수 있다.In addition, according to the present invention, the lead frame is removed and the plate electrode is used as the electrode pattern, whereby the light emitting element can be thinned and downsized.

이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명에 따른 측면방출 LED 패키지 및 그 제조방법에 대해 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the side-emitting LED package and a method of manufacturing the same according to the present invention through the accompanying drawings to be described in detail.

도 3은 본 발명에 따른 측면방출 LED의 단위 패키지를 나타낸 것으로, 도 3a는 형광체층이 형성되기 전 발광소자 패키지의 구조를 나타낸 것이고, 도 3b는 형광체층이 형성된 발광소자 패키지를 나타낸 것이며, 도 4는 도 3a의 I-I'의 단면도이다.3 illustrates a unit package of the side-emitting LED according to the present invention, FIG. 3A illustrates a structure of a light emitting device package before a phosphor layer is formed, and FIG. 3B illustrates a light emitting device package in which a phosphor layer is formed. 4 is a cross-sectional view of II ′ of FIG. 3A.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 측면방출 LED 패키지(100)는, 서로 이격되어 형성된 전극패턴(130), 상기 전극패턴(130)의 이격영역에 배치된 LED 칩(120), 상기 전극패턴(130) 및 LED 칩(120)의 배면에 형성된 몰딩재(110)를 포함하여 구성된다.As shown in the figure, the side-emitting LED package 100 according to the present invention, the electrode pattern 130 formed to be spaced apart from each other, the LED chip 120 disposed in the separation region of the electrode pattern 130, the electrode The pattern 130 and the molding material 110 formed on the rear surface of the LED chip 120 is configured to include.

상기 몰딩재(110)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지등의 절연물질로 이루어져 있으며, 그 양측에 각각 전극패턴(130)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 두 개의 전극패턴(130)들은, 이들 사이에 채워진 몰딩재(110)에 의해 절연되어 있다.The molding member 110 is made of an insulating material such as resin such as epoxy or silicon, and electrode patterns 130 are formed on both sides thereof. Therefore, the two electrode patterns 130 are insulated by the molding material 110 filled therebetween.

그리고, 상기 전극패턴(130)은 와이어(160)를 통해 LED 칩(120)의 전극(미도시)과 각각 전기적으로 연결되어 있으며, 플레이트 전극으로 이루어져 있다.In addition, the electrode pattern 130 is electrically connected to an electrode (not shown) of the LED chip 120 through a wire 160, and is formed of a plate electrode.

또한, 상기 전극패턴(130) 및 LED 칩(120)을 포함하고 있는 몰딩재(110) 상에는 형광체층(150)이 형성되어 있다.In addition, the phosphor layer 150 is formed on the molding material 110 including the electrode pattern 130 and the LED chip 120.

상기 형광체층(150)은 수지에 형광체가 혼합되어 형성된 것으로, 상기 수지는 굴절율 및 광투과율이 높은 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함하고 있으며, 형광체는 황색(yellow), 적색(red) 및 녹색(green) 중 어느 하나로 파장을 변환시키는 형광체를 포함하고 있다.The phosphor layer 150 is formed by mixing a phosphor in a resin, and the resin is any one of epoxy, silicone, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, acrylic, polycarbonate, and polyimide having high refractive index and high light transmittance. It includes, and the phosphor includes a phosphor for converting the wavelength to any one of yellow, red and green.

따라서, 상기 형광체는 상기 LED 칩(120)으로부터 발생된 광을 변환시켜, 백색광을 구현해야 하기 때문에, 상기 LED 칩(120)의 발광파장에 따라 결정된다. 예를 들어, 상기 LED 칩(120)이 청색 소자인 경우, 상기 형광체는 황색 발광 형광체를 사용하게 된다.Therefore, since the phosphor converts the light generated from the LED chip 120 to implement white light, the phosphor is determined according to the emission wavelength of the LED chip 120. For example, when the LED chip 120 is a blue device, the phosphor uses a yellow light emitting phosphor.

상기 형광체층(150)은, 전극패턴(130) 및 LED 칩(120)이 위치하는 몰딩재(110) 상부의 전면(entire surface)에 형성되거나, LED 칩(120) 상에 국부적으로 형성될 수 있다.The phosphor layer 150 may be formed on the entire surface of the molding material 110 on which the electrode pattern 130 and the LED chip 120 are located, or may be locally formed on the LED chip 120. have.

한편, 상기 형광체층(150)이 몰딩재(110) 상부의 전면에 형성되는 경우, 상 기 형광체층은 상기 몰딩재와의 접착력 향상을 위해, 상기 전극패턴(130)에 홀(140)을 형성할 수도 있다.On the other hand, when the phosphor layer 150 is formed on the entire surface of the molding material 110, the phosphor layer to form a hole 140 in the electrode pattern 130 to improve the adhesion with the molding material. You may.

상기 전극패턴(130)에 형성된 홀(140)을 통해 상기 몰딩재(110)와 형광체층(150)이 직접 접촉하게 된다.The molding material 110 and the phosphor layer 150 directly contact through the hole 140 formed in the electrode pattern 130.

또한, 상기 LED 칩(120)은, 청색(blue), 적색(red), 녹색(green) 및 UV 파장을 발생시키는 LED 칩 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 청색 발광소자 단독으로 구성되거나, 청색과 적색 발광소자가 함께 구성될 수도 있다.In addition, the LED chip 120 may include at least one or more of LED chips generating blue, red, green, and UV wavelengths. For example, a blue light emitting device alone Or a blue and a red light emitting device may be configured together.

그러나, 본 발명은 이러한 예들에 한정되어 있는 것이 아니고, 청색(blue), 적색(red), 녹색(green) 및 UV 파장을 발생시킨다면, 단독 또는 어떠한 조합으로든 구성할 수 있다.However, the present invention is not limited to these examples and may be constituted alone or in any combination as long as it generates blue, red, green and UV wavelengths.

한편, 상기 LED 칩(120)과 전극패턴(130)의 하부에 형성된 몰딩재(110)는, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.Meanwhile, the molding material 110 formed under the LED chip 120 and the electrode pattern 130 may be any one of epoxy, silicone, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, acrylic, polycarbonate, and polyimide. It may include.

상기 몰딩재(110)는, LED 칩(120), 와이어(150) 및 전극패턴(130)을 외부로부터 보호할 뿐 아니라, 종래 패키지 본체로서의 역할도 함께한다.The molding member 110 not only protects the LED chip 120, the wire 150, and the electrode pattern 130 from the outside, but also serves as a conventional package body.

더욱이, 상기 몰딩재(110)는 한편, 반사기능을 가진 물질, 즉, 산화티탄(TiO2), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등을 포함하고 있으며, 반사층으로서의 역할도 함께 수행하게 된다.In addition, the molding material 110 includes a material having a reflective function, that is, titanium oxide (TiO 2), aluminum (Al), silver (Ag), and the like, and also serves as a reflective layer.

즉, 상기 몰딩재(110)는, 상기 LED 칩(120)으로부터 발생되어 하부방향으로 향하는 광을 반사시켜, LED 칩(120)의 상부 방향으로 향하도록 한다.That is, the molding material 110 reflects the light generated from the LED chip 120 and directed downward, so that the molding material 110 is directed toward the upper direction of the LED chip 120.

상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 발광소자 패키지는, 합성수지로 이루어진 패키지 본체가 생략되고, 몰딩재가 상기 패키지 본체로서의 기능을 하기 때문에, 열 변형에 의한 종래의 문제를 해결할 수 있게 된다.In the light emitting device package of the present invention configured as described above, since the package body made of synthetic resin is omitted, and the molding material functions as the package body, the conventional problem due to thermal deformation can be solved.

다시 말해, 종래에는 합성수지로 이루어진 패키지 본체의 열 변형으로 인해, 상기 패키지 본체와 접촉하는 LED 칩, 리드 프레임 등이 상기 패키지 본체와 박리되어 소자의 품질이 떨어지는 문제가 있었다.In other words, in the related art, due to thermal deformation of a package body made of synthetic resin, an LED chip, a lead frame, etc. contacting the package body is peeled off from the package body, thereby degrading device quality.

그러나, 본 발명에서는, 몰딩재가 상기 패키지 본체를 대신하므로, 열 변형에 의한 문제를 해결할 수 있게 된다.However, in the present invention, since the molding material replaces the package main body, the problem due to thermal deformation can be solved.

또한, 본 발명은, 리드 프레임을 제거하고, 플레이트 전극을 전극패턴으로 사용하므로, 종래에 비해 박형화 및 소형화가 가능하다. 즉, 종래에는 LED 칩이 리드 프레임 상에 실장되어 있기 때문에, 패키지의 두께를 줄이는 데 한계가 있었으며, LED 칩을 패키지 본체의 리드 프레임(전극패턴)과 연결하는 와이어 본딩의 작업을 용이하게 하기 위해, 상기 LED 칩을 에워싸도록 형성된 홈부 영역이 확보되어야 하기 때문에, 소자의 소형화에 한계가 있었다. Further, in the present invention, since the lead frame is removed and the plate electrode is used as the electrode pattern, the present invention can be thinner and smaller in size. That is, in the related art, since the LED chip is mounted on the lead frame, there is a limit in reducing the thickness of the package. In order to facilitate the operation of wire bonding connecting the LED chip to the lead frame (electrode pattern) of the package main body Since the groove area formed to surround the LED chip must be secured, there is a limit in miniaturization of the device.

그러나, 본 발명에서는 전극패턴(130)과 LED 칩(120)의 상하로 적층된 구조가 아니라, 상기 LED 칩(120)이 전극패턴(130)과 동일한 평면(몰딩재) 상에 탑재되어 있기 때문에, 패키지의 두께를 줄일 수 있게 된다.However, in the present invention, the LED chip 120 is mounted on the same plane (molding material) as the electrode pattern 130, not the stacked structure of the electrode pattern 130 and the LED chip 120. As a result, the thickness of the package can be reduced.

더욱이, 홈부가 마련된 패키지 본체가 제거되어, LED 칩의 주변이 오픈되어 있기 때문에, 본딩 작업의 구애 없이 소자의 사이즈를 줄이는 소형화가 가능하다.Furthermore, since the package main body provided with the groove portion is removed and the periphery of the LED chip is open, the size of the device can be reduced in size without regard to the bonding operation.

상기한 바와 같이, 본 발명의 발광소자 패키지는, 종래 패키지 본체가 없고, 리드 프레임 대신에 플레이트 전극을 전극패턴으로 사용하며, 상기 전극패턴과 동일한 평면 상에 LED 칩이 탑재되어 구성된 것으로, 본 발명에 따른 발광소자 패키지는 접착성 시트를 준비한 후, 상기 시트 상에 플레이트 전극 및 LED 칩을 부착하고, 이들 간의 와이어 본딩을 실시한 후, 그 상부에 몰딩재를 형성한 다음, 상기 접착성 시트를 제거한 후, 접착성 시트가 제거된 영역에 형광체층을 형성함으로써, 제작할 수 있다.As described above, the light emitting device package of the present invention does not have a conventional package body, and uses a plate electrode as an electrode pattern instead of a lead frame, and an LED chip is mounted on the same plane as the electrode pattern. According to the light emitting device package according to the present invention, after preparing an adhesive sheet, attaching a plate electrode and an LED chip on the sheet, performing wire bonding therebetween, forming a molding material thereon, and then removing the adhesive sheet. Then, it can manufacture by forming a phosphor layer in the area | region from which the adhesive sheet was removed.

도 5a ~ 도 5e는 본 발명에 따른 측면방출 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 공정 평면도이다.5A to 5E are process plan views for explaining a method of manufacturing a side emitting LED package according to the present invention.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 접착성이 있는 시트(101)를 준비한다. 상기 시트(101)는 그 표면에 접착물질이 형성된 것으로, 상기 접착층 표면에 상기 접착물질을 보호하기 위한 필름이 별도로 마련될 수 있다. 접착물질 상에 필름이 마련된 경우, 상기 필름을 제거함으로써, 시트(101)를 준비한다.First, as shown in FIG. 5A, an adhesive sheet 101 is prepared. An adhesive material is formed on the surface of the sheet 101, and a film for protecting the adhesive material may be separately provided on the surface of the adhesive layer. When a film is provided on the adhesive material, the sheet 101 is prepared by removing the film.

상기 시트(101) 상에, 전극패턴(130)을 갖는 플레이트 전극(130a)을 부착한다. 이때, 상기 전극패턴(130)은, 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 있으며, 각각의 전극패턴(130)에는 홀(140)이 형성되어 있다.On the sheet 101, a plate electrode 130a having an electrode pattern 130 is attached. In this case, the electrode patterns 130 are regularly arranged at regular intervals, and holes 140 are formed in each electrode pattern 130.

이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 전극패턴(130)의 이격 영역에 LED 칩(120)을 일정한 간격으로 배열시킨다. 이때, LED 칩(120)을 배열하는 간격은 제품의 사양 및 공정 조건에 따라 달라지게 된다. 그리고, 상기 플레이트 전극(130a)에는 접착성을 가진 시트가 부착되어 있기 때문에, LED 칩(120)은 상기 시트(101) 상에 마운트 된다.Subsequently, as shown in FIG. 5B, the LED chips 120 are arranged at regular intervals in the separation region of the electrode pattern 130. At this time, the interval for arranging the LED chip 120 will vary depending on the specifications and process conditions of the product. In addition, since the adhesive sheet is attached to the plate electrode 130a, the LED chip 120 is mounted on the sheet 101.

계속해서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 와이어 본딩을 통해, 상기 LED 칩(120)과 전극패턴(130)을 연결한다. 도면부호 160은 LED 칩(120)과 전극패턴(130)을 전기적으로 연결하는 와이어(wire) 이다.Subsequently, as shown in FIG. 5C, the LED chip 120 and the electrode pattern 130 are connected through wire bonding. Reference numeral 160 is a wire for electrically connecting the LED chip 120 and the electrode pattern 130.

그 다음, 상기 구조물 상에 반사물질을 포함하고 있는 몰딩물질을 채운 후, 상기 몰딩물질을 가경화시킴으로써, 몰딩재(110)를 형성한다. 도 5c는 평면도이므로, 상기 몰딩재(110)가 잘 표현되지 않았으므로, 도 4에 도시된 몰딩재(110)를 참조한다.Then, after filling a molding material containing a reflective material on the structure, by molding the molding material, thereby forming a molding material (110). Since FIG. 5C is a plan view, the molding member 110 is not well represented, and thus, the molding member 110 illustrated in FIG. 4 is referred to.

이때, 상기 몰딩물질은, 에폭시, 실리콘, 변형 실리콘, 우레탄수지, 옥세탄수지, 아크릴, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드 중 어느 하나를 포함하는 수지에 산화티탄(TiO2), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등의 반사물질이 혼합되어 형성된다.In this case, the molding material is titanium oxide (TiO 2), aluminum (Al) or silver (resin) of a resin containing any one of epoxy, silicone, modified silicone, urethane resin, oxetane resin, acrylic, polycarbonate, and polyimide ( It is formed by mixing reflective materials such as Ag).

한편, 도면에 상세하게 나타내지는 않았지만, 상기 몰딩재(110)는 별도로 마련된 몰딩재 형성용 틀을 사용하여 형성할 수 있으며, 상기 몰딩재 형성용 틀은, 사방이 벽으로 둘러싸인 것으로, 와이어 본딩이 완료된 구조물의 시트를 상기 틀의 바닥면에 배치한 다음, 상기 틀 내부에 액상의 수지를 충진하고, 이를 경화시킴으로써, 몰딩재(110)를 형성할 수 있을 것이다. 그리고, 경화가 완료되면, 상기 몰딩재 형성용 틀은 제거된다.On the other hand, although not shown in detail in the drawings, the molding member 110 may be formed using a molding member forming frame provided separately, the molding member forming frame is surrounded on all sides by a wall, wire bonding is After placing the sheet of the completed structure on the bottom surface of the mold, by filling a liquid resin inside the mold, it will be possible to form the molding member 110 by curing it. When the curing is completed, the mold for forming the molding material is removed.

이와 같이 몰딩재(110)가 형성되면, 상기 플레이트 전극(130a) 및 LED 칩(120)의 상부에 마련된 시트(101)를 제거한다.When the molding member 110 is formed as described above, the sheet 101 provided on the plate electrode 130a and the LED chip 120 is removed.

계속해서, 상기 시트(101)가 제거된 영역에, 형광체가 혼합된 수지를 충진하고, 이를 경화시켜, 형광체층(150)을 형성한다.(도 5d 참조)Subsequently, in the region where the sheet 101 is removed, a resin mixed with phosphors is filled and cured to form a phosphor layer 150 (see FIG. 5D).

이때, 상기 형광체층(150)의 수지는 상기 전극패턴(130)에 형성된 홀(140)에 의해 전극패턴(130)의 배면에 형성된 몰딩재(110)와 직접 접촉하게 되며, 상기 형광체층(150)을 경화시키는 공정에서, 상기 몰딩재(110)는 본 경화가 이루어져, 이들 간(형광체층과 몰딩재)의 결합력이 더욱 좋아지게 된다.In this case, the resin of the phosphor layer 150 is in direct contact with the molding material 110 formed on the rear surface of the electrode pattern 130 by the holes 140 formed in the electrode pattern 130, and the phosphor layer 150. In the step of curing), the molding material 110 is the main curing, the bonding force between these (phosphor layer and the molding material) is further improved.

한편, 상기 형광체층(150)은, 필름형태로, 상기 LED 칩(120) 상에 바로 형성하는 것도 가능하다. 즉, 시트를 제거한 후, LED 칩(120) 상에 형광필름을 직접 부착할 수도 있다. Meanwhile, the phosphor layer 150 may be formed directly on the LED chip 120 in a film form. That is, after removing the sheet, it may be attached directly to the fluorescent film on the LED chip 120.

형광체층을 필름형태로 부착시키는 경우, 전극패턴의 홀은 형성하지 않아도 된다.When attaching the phosphor layer in the form of a film, the hole of the electrode pattern does not need to be formed.

이와 같이 형광체층(150)이 완성되면, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 구조물을 절단선(180)을 따라 절단함으로써, 단위 패키지 별로 분리한다.When the phosphor layer 150 is completed as described above, as shown in FIG. 5E, the structure is cut along the cutting line 180 to be separated for each unit package.

상기한 바와 같은 공정을 통해 제작된 본 발명의 측면방출 LED 패키지는, 기존의 패키지 본체를 제거하고, 몰딩재를 패키지 본체로 대체함으로써, 열 변형에 따른 품질저하를 막고,소자의 박형화 및 소형화가 가능하도록 한 것으로, LED 칩의 구조에 상관없이, 플레이트 전극을 전극패턴으로 사용하고, 상기 전극패턴과 LED 칩이 동일 평면 상에 형성되며, 이들을 모두 감싸는 몰딩재를 포함한다면, 모두 본 발명에 포함될 것이다.The side-emitting LED package of the present invention manufactured through the process as described above, by removing the existing package body, and replacing the molding material with the package body, to prevent deterioration due to thermal deformation, thinning and miniaturization of the device It is possible to use, regardless of the structure of the LED chip, if the plate electrode is used as the electrode pattern, and the electrode pattern and the LED chip is formed on the same plane, including a molding material surrounding all of them, all will be included in the present invention will be.

이에 따라, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Accordingly, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims also belong to the scope of the present invention.

도 1은 측면 방출 LED 패키지를 사용하는 백라이트 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a backlight device using a side emitting LED package.

도 2는 종래의 측면 방출 LED 패키지의 단면도.2 is a cross-sectional view of a conventional side emitting LED package.

도 3은 본 발명에 따른 측면 방출 LED의 단위 패키지를 나타낸 것으로, 도 3a 및 도 3b는 LED 패키지의 전,후부를 각각 나타낸 도면.3 is a unit package of the side-emitting LED according to the present invention, Figures 3a and 3b is a view showing the front and rear of the LED package, respectively.

도 4는 도 3a의 I-I'의 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 3A;

도 5a ~ 도 5e는 본 발명에 따른 LED의 패키지의 제조공정을 나타낸 공정 평면도.5a to 5e is a process plan view showing a manufacturing process of the package of the LED according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 측면방출 LED 패키지 101 : 시트100: side emitting LED package 101: sheet

110 : 몰딩재 120 : LED 칩110: molding material 120: LED chip

130a : 플레이트 전극 130 : 전극패턴130a: plate electrode 130: electrode pattern

140 : 홀 150 : 형광체층140: hole 150: phosphor layer

160 : 와이어 180 : 절단선160: wire 180: cutting line

Claims (12)

서로 이격된 두개의 전극패턴;Two electrode patterns spaced apart from each other; 상기 전극패턴의 이격 영역에 형성되고, 일면에 전극이 형성된 LED 칩;An LED chip formed in a spaced area of the electrode pattern and having an electrode formed on one surface thereof; 상기 LED 칩의 전극과 전극패턴의 일면을 연결하는 와이어;A wire connecting one surface of an electrode pattern and an electrode of the LED chip; 상기 전극패턴의 일면, LED 칩의 일면 및 와이어를 커버하는 몰딩재; 및A molding material covering one surface of the electrode pattern, one surface of the LED chip, and a wire; And 상기 전극패턴의 타면 및 LED 칩의 타면에 형성된 형광체층;A phosphor layer formed on the other surface of the electrode pattern and the other surface of the LED chip; 을 포함하여 구성된 측면방출 LED 패키지.Side emission LED package configured to include. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 몰딩재는, 반사물질이 포함된 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지.The molding material, the side-emitting LED package, characterized in that containing a reflective material. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 반사물질은, 산화티탄(TiO2), 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 중의 하나인 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지.The reflective material is titanium oxide (TiO 2), aluminum (Al) or silver (Ag) side emitting LED package, characterized in that one of. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극패턴에 홀(hole)이 형성된 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지.Side emission LED package, characterized in that a hole is formed in the electrode pattern. 접착성을 가진 시트(sheet)를 준비하는 단계;Preparing an adhesive sheet; 상기 시트 상에 일정 간격으로 이격되어 배열된 전극패턴을 갖는 플레이트 전극을 부착시키는 단계;Attaching plate electrodes having electrode patterns spaced at regular intervals on the sheet; 상기 시트 상의 전극패턴의 이격 영역에 일면에 전극이 형성된 LED 칩을 일정 간격으로 부착시키는 단계;Attaching LED chips having electrodes formed on one surface to a spaced area of the electrode pattern on the sheet at a predetermined interval; 상기 전극패턴의 일면과 LED 칩의 전극을 와이어 본딩하는 단계;Wire-bonding one surface of the electrode pattern and an electrode of the LED chip; 상기 전극패턴, LED 칩 및 와이어를 포함하는 시트 상에 몰딩재를 형성하는 단계;Forming a molding material on a sheet including the electrode pattern, the LED chip, and the wire; 상기 시트를 제거하는 단계; 및Removing the sheet; And 상기 시트가 제거된 플레이트 전극의 타면 및 LED 칩의 타면에 형광체층을 형성하는 단계;Forming a phosphor layer on the other surface of the plate electrode from which the sheet is removed and the other surface of the LED chip; 를 포함하여 이루어지는 측면방출 LED 패키지의 제조방법.Method for producing a side-emitting LED package comprising a. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 몰딩재를 형성하는 단계는,Forming the molding material, 수지에 반사물질이 혼합된 몰딩물질을 일정한 두께로 몰딩하는 단계; 및Molding a molding material having a reflective material mixed with the resin to a predetermined thickness; And 상기 몰딩물질을 가경화시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지의 제조방법.Method of manufacturing a side-emitting LED package, characterized in that the step of temporarily curing the molding material. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 몰딩물질을 본 경화시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지의 제조방법.The method of manufacturing a side-emitting LED package, characterized in that further comprising the step of curing the molding material. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 형광체층을 형성하는 단계는,Forming the phosphor layer, 투명수지에 형광물질이 혼합된 혼합물질을 플레이트 전극의 타면 및 LED 칩 의 타면에 몰딩하는 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지의 제조방법.A method of manufacturing a side-emitting LED package, characterized in that for molding the mixture of the fluorescent material mixed with the transparent resin on the other surface of the plate electrode and the other surface of the LED chip. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 혼합물질을 본 경화시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지의 제조방법.Method for producing a side-emitting LED package, characterized in that further comprising the step of curing the mixture. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 형광체층을 형성하는 단계는, 상기 플레이트 전극의 타면 및 LED 칩의 타면에 형광필름을 부착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지의 제조방법.The forming of the phosphor layer may include attaching a fluorescent film to the other surface of the plate electrode and the other surface of the LED chip. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 몰딩재 및 형광체층이 양면에 각각 형성된 플레이트 전극을 절단하여, 단위 패키지로 분리시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측면방출 LED 패키지의 제조방법.And cutting the plate electrodes formed on both surfaces of the molding material and the phosphor layer, and separating the plate electrodes into unit packages.
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