KR100976659B1 - Supporting pin producing method, supporting pin, heat processing apparatus and substrate incinerator - Google Patents

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Abstract

가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀이며, 열분해·산화분해에 대한 고도의 내구성을 갖는 지지 핀을 제조하는 방법을 제공한다.A support pin for supporting a substrate to be subjected to heat treatment, which provides a method for producing a support pin having high durability against thermal decomposition and oxidative decomposition.

처음에, 본체부(101)의 성형재료(바람직하게는, 수지)를, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 핀 형상으로 사출성형해서 지지 핀(100)의 본체부(101)를 형성한다. 이어서, 얻어진 본체부(101)의 표면에, 정전분체도장에 의해, 플로로카본막(102)을 형성한다. 이에 의하여, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀(100)을 얻는다.Initially, the molding material (preferably resin) of the main body portion 101 is injection molded into a pin shape in an atmosphere having an oxygen and / or moisture content of 10 ppm or less, and the main body portion 101 of the support pin 100. ). Next, the fluorocarbon film 102 is formed on the surface of the obtained main body portion 101 by electrostatic powder coating. Thereby, the support pin 100 which supports the board | substrate to which heat processing is performed is obtained.

지지 핀, 사출성형, 정전분체도장 Support pin, injection molding, electrostatic powder coating

Description

지지 핀의 제조방법, 지지 핀, 열처리장치 및 기판소성로(基板燒成爐){SUPPORTING PIN PRODUCING METHOD, SUPPORTING PIN, HEAT PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE INCINERATOR}Manufacturing Method of Support Pin, Support Pin, Heat Treatment Apparatus and Substrate Firing Furnace {SUPPORTING PIN PRODUCING METHOD, SUPPORTING PIN, HEAT PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE INCINERATOR}

이 발명은, 반도체기판, 액정표시장치용 유리기판, 포토마스크용 유리기판, 플라즈마 표시용 유리기판, 광디스크용 기판 등(이하, 단지 「기판」이라고 한다)에 대하여 가열처리가 행해질 때에, 그 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀에 관한 것이다.The present invention is applied to a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for plasma display, a substrate for an optical disk, etc. (hereinafter, simply referred to as a "substrate"). It is related with the support pin which supports the board | substrate to which process is performed.

기판에 대하여 일련의 처리를 행하는 기판처리장치는, 기판에 대한 각종의 처리를 실행하는 단위처리부(單位處理部)(예를 들면, 소성처리부, 세정처리부, 레지스트 도포부, 현상부 등)를 구비하고 있다. The substrate processing apparatus which performs a series of processes with respect to a board | substrate is equipped with the unit processing part (for example, a baking process part, a cleaning process part, a resist coating part, a developing part etc.) which performs various processes with respect to a board | substrate. Doing.

기판처리장치 중에서도, 예를 들면 기판소성로와 같이, 기판에 대하여 가열처리를 행하는 처리부에서는, 처리 부내에 설치되는 부재가 고온하에 노출되게 된다. 이 때문에, 부재에는 열분해·산화분해에 대한 고도의 내구성이 요구된다.Among substrate processing apparatuses, for example, in a processing unit that heats a substrate, such as a substrate baking furnace, a member provided in the processing unit is exposed to a high temperature. For this reason, the member is required to have high durability against thermal decomposition and oxidative decomposition.

예를 들면, 기판소성로의 경우, 도 7(a)에 예시하는 바와 같이, 상자체(91)안에 격납된 지지 랙(92)으로 복수의 기판(W)을 다단상태로 격납하고, 상자체(91) 의 내부공간을 히터 등(도시 생략)에 의해 소정의 소성처리온도까지 승온함으로써 기판(W)에 대한 소성처리를 실행한다. 여기에서, 기판(W)을 외팔지지상태로 지지하는 지지부재(921)의 각각에는, 도 7(b)의 가상선(假想線)으로 나타내는 바와 같이, 기판의 이면을 들어올려서 지지하는 지지 핀(922)이 소정 피치로 배치되어 있다.For example, in the case of a substrate firing furnace, as illustrated in FIG. 7A, a plurality of substrates W are stored in a multi-stage state by the support rack 92 stored in the box 91, and the box body ( The inner space of the substrate 91 is heated to a predetermined firing temperature by a heater or the like (not shown), thereby firing the substrate W. As shown in FIG. Here, each of the support members 921 which support the board | substrate W in a cantilever support state is a support pin which lifts and supports the back surface of a board | substrate, as shown by the virtual line of FIG. 922 is arranged at a predetermined pitch.

이러한 기판소성로 내에서 기판을 지지하는 지지 핀은, 상자체(91)의 내부공간에 있어서 소성처리온도와 같은 고온하에 계속 노출되기 때문에, 서서히 열분해, 산화분해되어 버린다. 이 때문에 지지 핀은 서서히 가늘어지게 되어, 2 ∼3년 지나면 빠져 버린다(도 7(b)).Since the support pin which supports a board | substrate in such a board | substrate baking furnace is exposed continuously at high temperature like the baking process temperature in the inner space of the box 91, it will gradually thermally decompose and oxidatively decompose. For this reason, a support pin becomes taper gradually and falls out after 2-3 years (FIG. 7 (b)).

지지 핀이 빠지면, 새 것으로 교환하지 않으면 안된다. 즉, 일단 기판소성로의 운전을 중지해서 제조 라인을 정지하고, 지지 랙을 분해해서 기판소성로로부터 꺼내서, 모든 지지 핀을 교환하지 않으면 안된다. 일반적으로, 기판소성로의 지지 랙에는 40단(段) 정도의 지지선반(支持棚)이 설치되어 있으며, 각 단에 몇 십개의 지지 핀이 배치된다. 따라서, 1대의 기판소성로에 대해서 몇 백개의 지지 핀을 교환하지 않으면 안되고, 지지 핀의 교환에 따른 비용은 막대하다.If the support pin is missing, you must replace it with a new one. In other words, once the operation of the substrate firing furnace is stopped and the production line is stopped, the support rack must be disassembled and taken out of the substrate firing furnace to replace all the supporting pins. Generally, about 40 steps of support shelves are provided in the support rack of a board | substrate baking furnace, and several dozen support pins are arrange | positioned at each end. Therefore, several hundred support pins must be replaced for one substrate baking furnace, and the cost of replacing the support pins is enormous.

그래서, 적어도 기판소성로의 수명(10∼15년정도)이상의 내구성을 가지는 지지 핀을 얻는 기술이 요구되고 있었다.Thus, there has been a demand for a technique for obtaining a support pin having a durability of at least the life of the substrate baking furnace (about 10 to 15 years) or more.

지지 핀은, 종래에는, 사출성형(射出成形)에 의해 형성되었다(예를 들면, 특허문헌1에는, 웨이퍼 누름부재를 사출성형에 의해 제조하는 기술이 기재되어 있다). 그렇지만, 일반적인 사출성형에 있어서는, 성형재료를 가열해서 가소화했을 때에 성형재료가 대기와 접촉해버린다. 이 때문에, 얻어진 형성품은, 표면의 말단기 (末端基)가 산화분해되고, 또한, 그 내부에 산소가 확산한 것으로 되어버린다. 산화분해된 말단기는 열분해에 약하고, 이러한 말단기가 존재함으로써, 성형재료가 원래 가지고 있었던 내산화성, 내열분해성이 저하해버린다. 즉, 종래의 일반적인 사출성형에서는, 성형재료가 원래 가지고 있는 내구성을 살릴 수 없고, 고온하에서 충분한 내구성을 갖는 지지 핀을 얻을 수 없었다.The support pin is conventionally formed by injection molding (for example, Patent Document 1 describes a technique for manufacturing a wafer pressing member by injection molding). However, in general injection molding, the molding material comes into contact with the atmosphere when the molding material is heated and plasticized. For this reason, in the obtained formed article, the terminal end groups on the surface are oxidatively decomposed, and oxygen is diffused therein. Oxidatively decomposed end groups are susceptible to thermal decomposition, and the presence of such end groups reduces the oxidation resistance and thermal decomposition resistance originally possessed by the molding material. That is, in the conventional general injection molding, it is impossible to make use of the durability originally possessed by the molding material, and a support pin having sufficient durability at high temperatures cannot be obtained.

이 점에 관해서, 예를 들면 특허문헌2에는, 전자부품의 소성에 사용하는 치구(治具)를 제조함에 있어서, 진공사출성형(眞空射出成形)으로 성형품을 취득함이 기재되어 있다. 이 기술에 의하면, 진공에서 사출성형되므로, 성형품의 표면에 산화된 부분이 대량으로 발생할 일은 없다. 또한, 진공사출성형을 실현하는 장치의 구성에 대해서는, 예를 들면 특허문헌3에 기재되어 있다.In this regard, for example, Patent Document 2 describes that a molded article is obtained by vacuum injection molding in manufacturing a jig for use in firing an electronic component. According to this technique, since injection molding is performed in a vacuum, a large amount of oxidized portions do not occur on the surface of the molded article. In addition, the structure of the apparatus which implements vacuum injection molding is described in patent document 3, for example.

[특허문헌1] 일본 특허공개 평11-163115호 공보 [Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-163115

[특허문헌2] 일본 특허공개 평3-122043호 공보 [Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-122043

[특허문헌3] 일본 특허공개 평5-318528호 공보 [Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-318528

그러나, 진공사출성형으로 성형품을 취득하는 종래의 기술에 의하면, 성형품의 표면에 산화된 부분이 대량으로 발생할 일은 없지만, 성형시에 생기는 부분적인 열분해에 의해, 성형품의 표면에 반응성이 풍부한 부분이 노출해버려, 이러한 부분으로부터 산화분해나 열분해가 진행할 가능성이 있었다. 즉, 진공사출성형에 의해 지지 핀을 제조하면, 어느 정도 내구성이 높은 지지 핀을 얻는 것이 가능해 지지만, 그 내구성은 아직 충분한 것이라고는 말할 수 없었다.However, according to the conventional technique of acquiring a molded article by vacuum injection molding, a large amount of oxidized portions do not occur on the surface of the molded article, but a portion rich in reactivity on the surface of the molded article is exposed by partial thermal decomposition generated during molding. There was a possibility that oxidative decomposition and pyrolysis proceed from these parts. In other words, if the support pin is manufactured by vacuum injection molding, it becomes possible to obtain a support pin with some degree of durability, but it cannot be said that the durability is still sufficient.

이 발명은, 상기 과제에 비추어 이루어진 것으로, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀으로서, 열분해·산화분해에 대한 고도의 내구성을 갖는 지지 핀을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 그러한 지지 핀을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 그러한 지지 핀을 구비하는 열처리장치 및 기판소성로를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.This invention is made in view of the said subject, Comprising: It aims at providing the support pin which supports the board | substrate to which heat processing is performed, which has a high durability with respect to thermal decomposition and oxidative decomposition. Moreover, it aims at providing such a support pin. Moreover, it aims at providing the heat processing apparatus and board | substrate baking furnace provided with such a support pin.

제1항의 발명은, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀의 제조방법으로서, 수지재료를, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 소정의 핀 형상으로 사출성형해서 성형품을 취득하는 사출성형공정과, 상기 성형품의 표면에 보호막을 형성하는 보호막 형성공정을 구비한다.The invention of claim 1 is a manufacturing method of a support pin for supporting a substrate subjected to a heat treatment, wherein the resin material is injection molded into a predetermined pin shape in an atmosphere having an oxygen and / or moisture content of 10 ppm or less to form a molded article. The injection molding process acquired and the protective film formation process of forming a protective film on the surface of the said molded article are provided.

제2항의 발명은, 제1항에 기재된 지지핀의 제조방법으로서, 상기 보호막 형성공정이, 정전분체도장(靜電粉體塗裝)에 의해 상기 성형품의 표면에 불소수지분체 를 뿜어 칠하는 도장공정(塗裝工程)을 구비한다.The invention according to claim 2 is a manufacturing method of the support pin according to claim 1, wherein the protective film forming step is a coating step in which a fluororesin powder is sprayed onto the surface of the molded article by electrostatic powder coating. (塗裝 工程) is provided.

제3항의 발명은, 제1항 또는 제2항에 기재된 지지 핀의 제조방법으로서, 상기 보호막 형성공정이, 표면이 상기 보호막으로 덮인 상기 성형품을, 상기 지지핀이 사용되는 가열처리온도보다도 높은 온도로 소성하는 소성공정을 구비한다.The invention according to claim 3 is the manufacturing method of the support pin according to claim 1 or 2, wherein the protective film forming step is a temperature higher than the heat treatment temperature at which the support pin is used for the molded article whose surface is covered with the protective film. A firing step of firing is provided.

제4항의 발명은, 제1항에 기재된 지지 핀의 제조방법으로서, 상기 수지재료가, 도전성(導電性) 폴리에테르에테르케톤이다.The invention of claim 4 is the manufacturing method of the support pin according to claim 1, wherein the resin material is a conductive polyether ether ketone.

제5항의 발명은, 제1항에 기재된 지지 핀의 제조방법으로서, 상기 수지재료가, 전방향족(全芳香族)폴리이미드수지이다.The invention of claim 5 is the manufacturing method of the support pin according to claim 1, wherein the resin material is a wholly aromatic polyimide resin.

제6항의 발명은, 수지재료를, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 소정의 핀 형상으로 사출성형해서 성형품을 취득하는 사출성형공정과, 상기 성형품의 표면에 보호막을 형성하는 보호막 형성공정을 구비하는 지지 핀의 제조방법으로 제조된다.The invention according to claim 6 includes an injection molding step of obtaining a molded article by injection molding a resin material into a predetermined pin shape in an atmosphere having an oxygen and / or moisture content of 10 ppm or less, and forming a protective film on the surface of the molded article. It is manufactured by the manufacturing method of the support pin provided with a protective film formation process.

제7항의 발명은, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀으로서, 수지재료로 형성된 본체부와, 상기 본체부의 표면을 피막(被膜)하는 보호막을 구비한다.The invention according to claim 7 is a support pin for supporting a substrate subjected to heat treatment, and includes a main body portion formed of a resin material and a protective film for coating the surface of the main body portion.

제8항의 발명은, 제7항에 기재된 지지 핀으로서, 상기 보호막이, 플로로카본막이다.The invention according to claim 8 is the support pin according to claim 7, wherein the protective film is a fluorocarbon film.

제9항의 발명은, 기판에 대한 가열처리를 실행하는 열처리장치로서, 상기 가열처리가 행해지는 상기 기판을 지지하는 지지 핀을 구비하고, 상기 지지핀이, 수지재료를, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 소정의 핀 형상 으로 사출성형해서 성형품을 취득하는 사출성형공정과, 상기 성형품의 표면에 보호막을 형성하는 보호막 형성공정을 구비하는 지지 핀의 제조방법으로 제조된다.The invention according to claim 9 is a heat treatment apparatus for performing a heat treatment on a substrate, comprising a support pin for supporting the substrate on which the heat treatment is performed, wherein the support pin is formed of oxygen and / or moisture. An injection molding step of obtaining a molded article by injection molding into a predetermined pin shape in an atmosphere having a content concentration of 10 ppm or less, and a protective film forming step of forming a protective film on the surface of the molded article.

제10항의 발명은, 기판에 대한 소성처리를 실행하는 기판소성로로서, 상기 소성처리가 행해지는 상기 기판을 지지하는 지지 핀을 구비하고, 상기 지지 핀이, 수지재료를, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 소정의 핀 형상으로 사출성형해서 성형품을 취득하는 사출성형공정과, 상기 성형품의 표면에 보호막을 형성하는 보호막 형성공정을 구비하는 지지 핀의 제조방법으로 제조된다.The invention according to claim 10 is a substrate baking furnace for carrying out a firing process for a substrate, comprising a support pin for supporting the substrate on which the firing process is performed, wherein the support pin is formed of oxygen and / or moisture. An injection molding step of obtaining a molded article by injection molding into a predetermined pin shape in an atmosphere having a content concentration of 10 ppm or less, and a protective film forming step of forming a protective film on the surface of the molded article.

제1항 내지 제5항에 기재된 발명에서는, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 사출성형해서 성형품을 취득하고, 취득된 성형품의 표면에 보호막을 형성한다.In the invention of claims 1 to 5, the molded article is obtained by injection molding in an atmosphere of 10 ppm or less in an oxygen and / or water content, and a protective film is formed on the surface of the obtained molded article.

이에 의하여, 기판에 대한 가열처리시와 같은 고온환경에서 사용된 경우라도 열분해나 산화분해가 일어나기 어려운(즉, 내구성이 높은) 지지 핀을 제조할 수 있다.As a result, even when used in a high temperature environment such as during heat treatment to the substrate, it is possible to produce a support pin that is hard to cause thermal decomposition or oxidative decomposition (that is, high durability).

특히, 제2항에 기재된 발명에서는, 정전분체도장에 의해 성형품의 표면에 불소수지분체를 분사하므로, 단시간이면서 저비용으로, 균일한 보호막을 생성할 수 있다.In particular, in the invention according to claim 2, since the fluororesin powder is sprayed onto the surface of the molded article by electrostatic powder coating, a uniform protective film can be produced in a short time and at low cost.

특히, 제3항에 기재된 발명에서는, 표면이 보호막으로 덮인 성형품을, 지지 핀이 사용되는 가열처리온도보다도 높은 온도로 소성하므로, 사용시에 지지 핀으로 탈(脫)가스가 발생할 일이 없다.In particular, in the invention described in claim 3, since the molded article whose surface is covered with the protective film is fired at a temperature higher than the heat treatment temperature at which the support pin is used, no degassing occurs in the support pin during use.

제6항에 기재된 발명에 따른 지지핀은, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 사출성형된 성형품의 표면에 보호막이 형성되어 있으므로, 고온환경에서 사용해도, 열분해나 산화분해가 일어나기 어렵다. 즉, 높은 내구성을 가진다.The support pin according to the invention according to claim 6 has a protective film formed on the surface of the injection-molded article in an atmosphere having an oxygen and / or moisture content of 10 ppm or less. It's hard to get up. That is, it has high durability.

제7, 8항에 기재된 발명에 따른 지지 핀은, 수지재료로 형성된 본체부가 보호막에 의해 피막되어 있으므로, 고온환경에서 사용해도, 열분해나 산화분해가 일어나기 어렵다. 즉, 높은 내구성을 가진다.In the support pins according to the inventions of claims 7 and 8, since the main body portion formed of the resin material is coated with a protective film, even when used in a high temperature environment, pyrolysis and oxidative decomposition are unlikely to occur. That is, it has high durability.

제9항에 기재된 발명에 관한 열처리장치에서는, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀이 열에 대하여 높은 내구성을 구비하므로, 지지 핀을 교환할 필요가 없다.In the heat treatment apparatus according to the invention of claim 9, since the support pin for supporting the substrate subjected to the heat treatment has high durability against heat, it is not necessary to replace the support pin.

제10항에 기재된 발명에 따른 기판소성로에서는, 소성처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀이 열에 대하여 높은 내구성을 구비하므로, 지지 핀을 교환할 필요가 없다.In the substrate firing furnace according to the invention according to claim 10, since the support pins for supporting the substrates subjected to the firing process have high durability against heat, there is no need to replace the support pins.

<1. 지지 핀>  <1. Support Pins>

이 발명의 실시형태에 따른 지지 핀(100)에 대해서 설명한다. 지지 핀(100)은, 기판에 대한 각종의 처리를 실행하는 기판처리장치를 구성하는 부품이다. 특히, 기판에 대한 가열처리를 실행하는 처리부(예를 들면, 기판에 대한 소성처리를 실행하는 기판소성로(1)(도 4참조))에 있어서, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 부재로서 적합하다.The support pin 100 which concerns on embodiment of this invention is demonstrated. The support pin 100 is a part which comprises the substrate processing apparatus which performs various processes with respect to a board | substrate. In particular, in the processing part which heat-processes a board | substrate (for example, the substrate baking furnace 1 (refer FIG. 4) which performs a baking process with respect to a board | substrate), it is suitable as a member which supports the board | substrate to which heat processing is performed. Do.

지지 핀(100)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 본체부(101)와, 본체부(101)를 피막하는 보호막인 플로로카본막(CFx막)(102)을 구비하고 있다. 단, 도 1은, 지지 핀(100)의 단면도이다. 이 지지 핀(100)의 제조방법에 대해서 도 2를 참조하면서 설명한다. 단, 도 2는, 지지 핀(100)의 제조공정의 흐름을 나타내는 도면이다.As shown in FIG. 1, the support pin 100 is equipped with the main-body part 101 and the fluorocarbon film (CFx film) 102 which is a protective film which coats the main-body part 101. As shown in FIG. 1 is a cross-sectional view of the support pin 100. The manufacturing method of this support pin 100 is demonstrated, referring FIG. 2 is a diagram showing the flow of the manufacturing process of the support pin 100.

지지 핀(100)의 제조에 있어서는, 처음에, 본체부(101)의 성형재료를, 소정의 분위기로, 핀 형상으로 사출성형해서 지지 핀(100)의 본체부(101)를 형성한다(스텝S1).「소정의 분위기」란, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기이다.In the manufacture of the support pin 100, first, the molding material of the main body portion 101 is injection molded into a pin shape in a predetermined atmosphere to form the main body portion 101 of the support pin 100 (step). S1). "Predetermined atmosphere" is an atmosphere having a concentration of oxygen and / or water of 10 ppm or less.

단, 본체부(101)의 성형재료로서는, 수지재료를 이용한다. 특히 바람직하게는, 도전성PEEK(도전성 폴리에테르에테르케톤) 혹은, 전방향족 폴리이미드수지(예를 들면, 도전성의 [베스펠](등록상표:듀폰(Du Pont)사))를 사용한다. PEEK은, 방향족성의 플라스틱이며, 고내열성, 내약품성, 내마모성, 치수안정성이 뛰어나다. 또한, 가공성도 뛰어나, 사출성형에 의한 가공이 가능하다. 또한, 전방향족 폴리이미드수지는, 초내열성(超耐熱性) 플라스틱이며, 고마찰성, 내약품성도 뛰어나다.However, as the molding material of the main body portion 101, a resin material is used. Particularly preferably, conductive PEEK (conductive polyether ether ketone) or a wholly aromatic polyimide resin (for example, conductive Vespel (registered trademark: Du Pont)) is used. PEEK is an aromatic plastic and is excellent in high heat resistance, chemical resistance, abrasion resistance, and dimensional stability. In addition, the processability is also excellent, and processing by injection molding is possible. In addition, the wholly aromatic polyimide resin is a super heat-resistant plastic, and is also excellent in high friction resistance and chemical resistance.

스텝S1의 처리는, 구체적으로는 다음과 같이 행하여진다. 즉, 우선, 성형재료가 충전되기 전의 금형 내를, 소정의 분위기로 한다(스텝S11). 더 구체적으로는, 금형 내의 분위기를, 산소(O2) 및 수분(H2O)을 차단한 고순도의 불활성가스(예를 들면, 질소가스)로 치환함으로써, 금형 내의 분위기를, 산소(O2)의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 한다. 혹은, 수분(H20)의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 한다. 특히 바람직하게는, 산소(02) 및 수분(H20)의 총함유농도가 10ppm이하의 분위기로 한다.The process of step S1 is specifically performed as follows. That is, first, the inside of the mold before the molding material is filled is a predetermined atmosphere (step S11). More specifically, the atmosphere in the mold is replaced with oxygen (O 2 ) by replacing the atmosphere in the mold with a high-purity inert gas (for example, nitrogen gas) that blocks oxygen (O 2 ) and water (H 2 O). The concentration of c) is 10ppm or less. Alternatively, the concentration of water (H 2 0) is set to 10 ppm or less. Especially preferably, the total content concentration of oxygen (0 2 ) and water (H 2 0) is set to 10 ppm or less.

계속해서, 지지 핀(100)의 성형재료를 가열해서 가소화(可塑化)하고, 가소화한 성형재료를, 소정의 분위기(즉, 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기)로 되어 있는 금형 내로 압출장치에 의해 사출충전한다(스텝S12). 가소화한 재료가 금형 내에서 고화(固化)함으로써, 핀 형상의 성형품(즉, 본체부(101))이 얻어진다. 단, 성형재료의 가소화도 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 행한다. 즉, 사출될 때뿐만 아니라, 가소화될 때에도 성형재료가 산소 등과 접촉하는 것을 방지한다.Subsequently, the molding material of the support pin 100 is heated and plasticized, and the plasticized molding material is subjected to a predetermined atmosphere (that is, an atmosphere having an oxygen and / or moisture content of 10 ppm or less). The injection molding is performed into the die, which has been carried out by an extrusion apparatus (step S12). As the plasticized material solidifies in the mold, a pin shaped molded article (that is, the main body portion 101) is obtained. However, the plasticization degree of the molding material is carried out in an atmosphere of 10 ppm or less of oxygen and / or water content. That is, the molding material is prevented from contacting with oxygen or the like not only when being injected but also when it is plasticized.

스텝S1의 처리에 있어서는, 재료가 충전되기 전에 미리 금형 내를 산소 및/ 또는 수분의 함유농도가 10ppm이하의 분위기로 하므로, 가소화한 재료가, 산소나 수분과 접촉하기 어렵다. 따라서, 성형시에 재료가 산화되기 어렵다. 이 때문에, 성형품인 본체부(101)의 표면에 노출하는 말단기가 산화되기 어렵고, 또한, 본체부(101)의 내부로 산소가 확산하기 어렵다. 따라서, 소성처리온도와 같은 고온하에 노출된 경우라도 열분해나 산화분해가 일어나기 어려운 본체부(101)가 얻어진다. 나아가서는, 내산화특성, 내열분해특성이 높은 지지 핀(100)이 얻어진다.In the process of step S1, since the content concentration of oxygen and / or water is 10 ppm or less before the material is filled, the plasticized material is hard to come into contact with oxygen or water. Therefore, the material hardly oxidizes during molding. For this reason, the terminal group exposed to the surface of the main body part 101 which is a molded article is hard to oxidize, and oxygen is hard to diffuse into the main body part 101. Therefore, even when exposed to a high temperature such as the firing treatment temperature, the main body portion 101 which is unlikely to undergo thermal decomposition or oxidative decomposition is obtained. Furthermore, the support pin 100 with high oxidation resistance and thermal decomposition resistance is obtained.

계속해서, 스텝S1에서 얻어진 본체부(101)의 표면에, 정전분체도장에 의해, 보호막인 플로로카본막(102)을 형성한다(스텝S2).Subsequently, on the surface of the main body 101 obtained in step S1, a fluorocarbon film 102 as a protective film is formed by electrostatic powder coating (step S2).

스텝S2의 처리는, 구체적으로는 다음과 같이 행해진다. 즉, 우선, 본체 부(101)에 대하여, 전압을 인가(印加)해서 대전시킨 불소수지분체를 뿜어 칠하여 본체부(101)의 표면에 불소수지를 부착시킨다(스텝S21). 불소수지로서는, 예를 들면, FEP계(테트라플루오로에틸렌―헥사플루오로프로필렌 공중합체)불소수지나, PFA계(테트라플루오로에틸렌―퍼플루오로알킬비닐에테르공중합체)불소수지를 사용한다. 한편, 정전량을 변화시킴으로써, 생성되는 플로로카본막(102)의 막두께를 임의의 두께로 제어할 수 있다. 여기에서는, 20μm이상의 막두께의 플로로카본막(102)을 생성하도록 정전량을 제어하는 것이 바람직하다.The process of step S2 is specifically performed as follows. That is, first, the fluorine resin powder applied by applying a voltage to the main body portion 101 is sprayed and painted to adhere the fluorine resin to the surface of the main body portion 101 (step S21). As the fluorine resin, for example, a FEP system (tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer) fluorine resin or a PFA system (tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer) fluorine resin is used. On the other hand, by changing the electrostatic amount, the film thickness of the produced fluorocarbon film 102 can be controlled to an arbitrary thickness. Here, it is preferable to control the electrostatic amount so as to produce the fluorocarbon film 102 having a film thickness of 20 µm or more.

계속해서, 표면에 불소수지가 부착된 본체부(101)를 어닐한다(스텝S22). 더 구체적으로는, 소정의 불활성가스(예를 들면, 질소, 아르곤, 헬륨 등)중에서, 소정 시간(바람직하게는, 20분간), 소정의 소성온도로, 표면에 불소수지가 부착된 본체부(101)를 소성한다. 단, 이 소성온도는, 적어도, 제조된 지지 핀(100)이 사용되는 가열처리온도보다도 높은 온도로 한다. 따라서, 더 범용성이 높은 지지 핀(100)을 얻기 위해서는, 이 소성온도는, 각종의 기판처리프로세스에 있어서 설정되는 가열처리의 온도조건 중 가장 높은 온도(통상은, 300℃정도)보다 높은 온도로 하는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 380℃에서 소성하는 것이 바람직하다.Subsequently, the main body portion 101 having the fluororesin attached to the surface is annealed (step S22). More specifically, in a predetermined inert gas (for example, nitrogen, argon, helium, etc.), a main body portion having a fluororesin attached to the surface at a predetermined firing temperature (preferably 20 minutes) at a predetermined firing temperature ( 101) is fired. However, this firing temperature is at least higher than the heat treatment temperature at which the manufactured support pin 100 is used. Therefore, in order to obtain a more versatile support pin 100, this firing temperature is higher than the highest temperature (normally, about 300 ° C) among the temperature conditions of the heat treatment set in various substrate processing processes. It is desirable to. Preferably, it is preferable to bake at 380 degreeC.

스텝S2의 처리에 의해, 본체부(101)의 표면에 플로로카본막(102)이 형성된다. 스텝S1에 의해 얻어진 본체부(101)의 표면에는, 부분적으로, 열분해에 의해 반응성이 풍부한 부분이 노출할 경우가 있다. 이러한 상태의 본체부(101)의 표면에 플로로카본막(102)이 형성됨으로써, 본체부(101) 표면의 열분해된 부분을 덮는 보호막이 형성된다. 즉, 본체부(101)의 표면에 산소보다도 산화력이 강한 불소의 막 이 형성됨으로써, 본체부(101)의 표면이 더욱 산화되기 어려운 상태가 된다. 이에 의하여, 지지 핀(100)의 내산화 특성, 내열분해 특성을, 더욱 향상시킬 수 있다.By the process of step S2, the fluorocarbon film 102 is formed in the surface of the main-body part 101. FIG. The part rich in reactivity may be partially exposed to the surface of the main body 101 obtained in step S1 by thermal decomposition. By forming the fluorocarbon film 102 on the surface of the main body portion 101 in this state, a protective film covering the thermally decomposed portion of the main body portion 101 surface is formed. That is, by forming a film of fluorine having a stronger oxidizing power than oxygen on the surface of the main body portion 101, the surface of the main body portion 101 is more difficult to be oxidized. As a result, the oxidation resistance and the thermal decomposition resistance of the support pin 100 can be further improved.

또, 스텝S2의 처리에 있어서는, 표면에 불소수지를 부착시킨 후에, 본체부(101)를 어닐하므로, 본체부(101)의 표면에 강고한 플로로카본막(102)을 형성할 수 있다. 또한, 어닐함으로써, 본체부(101)에 플로로카본막(102)을 생성할 때에 플로로카본막(102) 중에 생긴 불필요성분(예를 들면, 분자량이 작아진 플로로카본)을 승화시킬 수 있다. 이에 의하여, 지지 핀(100)의 내구성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 지지 핀(100)을 기판소성로 등에서 사용했을 때에, 지지 핀(100)으로부터 이들 불필요성분이 탈(脫)가스로서 발생할 일이 없고, 탈(脫)가스에 기인하는 피처리 기판의 오염도 방지된다. 특히, 지지 핀(100)이 사용되는 온도보다도 높은 온도로 소성함으로써, 지지 핀(100)을 사용할 때에 탈(脫)가스가 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.In addition, in the process of step S2, after attaching the fluorine resin to the surface, the main body portion 101 is annealed, so that the firm fluorocarbon film 102 can be formed on the surface of the main body portion 101. Furthermore, by annealing, the unnecessary component (for example, the fluorocarbon whose molecular weight became small) which generate | occur | produced in the fluorocarbon film 102 at the time of producing the fluorocarbon film 102 in the main-body part 101 can be sublimed. have. Thereby, the durability of the support pin 100 can be improved further. In addition, when the support pin 100 is used in a substrate firing furnace or the like, these unnecessary components are not generated as degassing gas from the support pins 100, and contamination of the substrate to be processed due to degassing is also prevented. do. In particular, by firing at a temperature higher than the temperature at which the support pins 100 are used, it is possible to reliably prevent generation of degassed gas when the support pins 100 are used.

또한, 본체부(101) 에 플로로카본막(102)을 생성하는 방법으로서 정전분체도장법을 사용함으로써, 단시간이면서 저비용으로, 균일한 플로로카본막(102)을 생성할 수 있다.In addition, by using the electrostatic powder coating method as a method of producing the fluorocarbon film 102 in the main body portion 101, the uniform fluorocarbon film 102 can be produced in a short time and at low cost.

<2.기판소성로><2.Board firing furnace>

상술한 대로, 지지 핀(100)은, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 부재로서 적합하다. 그리고 다음에, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 부재로서 지지 핀(100)을 구비하는 기판소성로(1)에 대해서 설명한다.As above-mentioned, the support pin 100 is suitable as a member which supports the board | substrate with which heat processing is performed. Next, the substrate baking furnace 1 provided with the support pin 100 as a member which supports the board | substrate to which heat processing is performed is demonstrated.

<2-1.구성><2-1.Configuration>

기판소성로(1)의 구성에 대해서 도 3∼도 5을 참조하면서 설명한다. 도 3은, 기판소성로(1)의 외관을 나타내는 개략사시도이다. 도 4는, 도 3에 나타내는 기판소성로(1)의 횡단면도(K1-K1단면도)이다. 또한, 도 5는, 도 3에 나타내는 기판소성로(1)의 종단면도(K2-K2단면도)이다.The structure of the board | substrate baking furnace 1 is demonstrated, referring FIGS. 3 is a schematic perspective view showing the appearance of the substrate firing furnace 1. 4 is a cross-sectional view (K1-K1 cross-sectional view) of the substrate firing furnace 1 shown in FIG. 5 is a longitudinal cross-sectional view (K2-K2 cross-sectional view) of the substrate baking furnace 1 shown in FIG.

기판소성로(1)는, 개구부를 갖는 상자형의 노체(爐體)(10)와, 노체(10)의 개구부를 막는 루버타입의 셔터(30)를 구비하고 있다.The substrate baking furnace 1 is provided with the box-shaped furnace body 10 which has an opening part, and the louver type shutter 30 which closes the opening part of the furnace body 10. As shown in FIG.

<i. 노체 내부의 구성><i. Configuration inside the furnace body>

노체(10)는, 기판소성로(1)의 본체를 구성하는 상자체이며, 단열재료를 이용해서 성형되어 있다. 노체(10)는 그 내부에 기판격납부(11), 히터(12), 팬(fan)(13), 내열HEPA필터(14)를 격납하고 있다.The furnace body 10 is a box body which comprises the main body of the board | substrate baking furnace 1, and is shape | molded using the heat insulating material. The furnace body 10 includes a substrate storage portion 11, a heater 12, a fan 13, and a heat resistant HEPA filter 14 therein.

노체(10)의 내측면의 한 쪽(내측면S1)에는, 기판격납부(11)의 내부공간(V)(이하에서 「소성공간(V)」이라고 한다)에 열을 공급하는 히터(12)가 구비되어 있다. 또한, 다른 쪽의 내측면(내측면S2)에는, 팬(13)이 구비되어 있다. 또한, 팬(13)과 기판격납부(11) 사이에는 내열HEPA필터(14)가 끼워져 있다. 즉, 팬(13)이 화살표AR1∼AR4과 같이 노체(10)안의 기류를 순환시킴으로써, 소성공간(V)안을 온도차이 없게 균질하게 소정의 소성처리온도로 유지할 수 있다. 한편, 팬(13)과 히터(12)의 위치는 반대라도 좋다.The heater 12 which supplies heat to one of the inner side surfaces of the furnace body 10 (inner side surface S1) to the internal space V of the board | substrate storage part 11 (henceforth "baking space V"). ) Is provided. Moreover, the fan 13 is provided in the other inner side surface (inner side surface S2). In addition, a heat resistant HEPA filter 14 is sandwiched between the fan 13 and the substrate storage portion 11. That is, the fan 13 circulates the airflow in the furnace body 10 as shown by arrows AR1 to AR4, so that the inside of the firing space V can be maintained homogeneously at a predetermined firing temperature without a temperature difference. In addition, the position of the fan 13 and the heater 12 may be reversed.

<기판격납부><Substrate payment>

기판격납부(基板格納部)(11)는, 복수의 기판을 다단상태로 격납하기 위한 격납부이며, 본체를 구성하는 벽면(110) 중, 특히 측벽면(110a, 110b)은 펀칭 메탈에 의해 성형되어 있다.The board | substrate storage part 11 is a storage part for storing several board | substrates in a multistage state, Among the wall surfaces 110 which comprise a main body, especially the side wall surfaces 110a and 110b are made of a punching metal. It is molded.

기판격납부(11)를 구성하는 상자체의 내배면(內背面)(T1)에는, 복수의 노내지지부재(爐內支持部材)(111)의 기단부가 각각 고정되어 있다. 노내지지부재(111)는, 기판격납부(11) 내에서, 기판(W)을 한쪽지지상태로 지지하는 기판지지부재이다. 노내지지부재(111)의 길이방향의 길이는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판격납부(11)에 격납된 기판(W)의 깊이방향의 길이와 같은 정도의 길이를 가지고 있다.Base ends of the plurality of furnace support members 111 are respectively fixed to the inner rear surface T1 of the box body constituting the substrate storage unit 11. The furnace support member 111 is a board | substrate support member which supports the board | substrate W in one support state in the board | substrate storage part 11. As shown in FIG. 4, the length of the furnace support member 111 has a length that is about the same as the length of the substrate W stored in the substrate storage unit 11 in the depth direction.

기판격납부(11)를 구성하는 상자체의 내측면(T2, T3)은 펀칭 플레이트로 구성되고, 복수의 보조지지부재(112)의 기단부가 각각 고정되어 있다. 보조지지부재(112)는, 기판격납부(11) 내에서, 노내지지부재(111)에 지지된 기판(W)을, 보조적으로 지지하기 위한 지지부재이다. 보조지지부재(112)의 길이방향의 길이는, 기판소성로(1)에 대하여 기판을 반출입하는 기판반송장치의 반송포크와 간섭하지 않는 정도의 길이로 한다.The inner side surfaces T2 and T3 of the box constituting the substrate containment portion 11 are formed of punching plates, and the base ends of the plurality of auxiliary supporting members 112 are respectively fixed. The auxiliary support member 112 is a support member for auxiliaryly supporting the substrate W supported by the furnace support member 111 in the substrate storage portion 11. The length of the auxiliary support member 112 in the longitudinal direction is such that it does not interfere with the conveyance forks of the substrate transport apparatus for carrying in and out of the substrate with respect to the substrate baking path 1.

기판격납부(11)의 내배면(內背面)(T1)의 동일 수평위치에는, 복수의 노내지지부재(111)(도 4에 있어서는 3개)의 기단부가 고정되어 있다. 또한, 기판격납부(11)의 내측면(T2, T3)의 각각에는, 동일수평위치에, 복수의 보조지지부재(112)(도 4에 있어서는 5개)의 기단부가 각각 고정되어 있다. 서로 동일수평위치에 그 기단부가 고정된 이들 지지부재의 집합은, 동일한 기판(W)을 지지하기 위해서 제공된다. 즉, 기판격납부(11)안에 격납되는 복수의 기판(W)의 각각은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 동일수평위치에 고정된 지지부재의 집합에 의해 수평으로 지지된다.At the same horizontal position of the inner back surface T1 of the substrate storage part 11, the base end part of the several furnace support members 111 (three in FIG. 4) is being fixed. Further, base ends of the plurality of auxiliary supporting members 112 (five in FIG. 4) are respectively fixed to the inner side surfaces T2 and T3 of the substrate storage part 11 in the same horizontal position. A set of these support members whose base ends are fixed at the same horizontal position to each other is provided to support the same substrate W. As shown in FIG. That is, each of the several board | substrate W stored in the board | substrate storage part 11 is horizontally supported by the assembly of the support member fixed to the same horizontal position as shown in FIG.

또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 기판격납부(11)의 내배면(T1) 및 내측면(T2, T3)에는, 연직방향에 대해서, 이들 동일수평위치에 고정된 지지부재의 집합이 소정의 배치간격(랙 피치)(d)을 두고 소정 수(도 5에 있어서는 간략화해서 나타내고 있지만, 실제는, 예를 들면 40단(段) 정도) 설치되어 있다. 이에 의하여, 기판격납부(11)는, 각각 수평으로 지지된 기판(W)을 다단상태로 복수 격납할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5, the inner back surface T1 and the inner surface T2, T3 of the board | substrate storage part 11 have a predetermined set of support members fixed to these same horizontal positions with respect to a perpendicular direction. A predetermined number (simplified in Fig. 5 is shown in Fig. 5) with an arrangement interval (rack pitch) d. In fact, for example, about 40 steps are provided. Thereby, the board | substrate storage part 11 can store two or more board | substrates W supported horizontally in the multistage state, respectively.

<지지 핀><Support pin>

노내지지부재(111) 및 보조지지부재(112)의 각각에는, 지지부재(111, 112)위에 재치된 기판(W)의 이면을 지지하는 부재로서, 복수 개의 지지 핀(100)이 배치되어 있다. 더 구체적으로는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 지지부재(111, 112)에는, 소정 피치로 지지 핀(100)을 삽입하기 위한 삽입공(揷入孔)(K)이 형성되어 있으며, 각 삽입공(K)에 지지 핀(100)이 삽입 설치됨으로써, 지지부재(111, 112)위에 복수의 지지 핀(100)이 소정 피치로 배치된다. 지지 핀(100)의 구체적인 구성 및 그 제조방법은, 상술한 대로이다.In each of the furnace support member 111 and the auxiliary support member 112, a plurality of support pins 100 are disposed as members that support the back surface of the substrate W placed on the support members 111 and 112. . More specifically, as shown in FIG. 6, insertion holes K for inserting the support pins 100 at a predetermined pitch are formed in the support members 111 and 112, and each insertion is performed. As the support pin 100 is inserted into the ball K, the plurality of support pins 100 are disposed on the support members 111 and 112 at a predetermined pitch. The specific structure of the support pin 100 and its manufacturing method are as above-mentioned.

<ii. 셔터의 구성> <ii. Configuration of the shutter>

다시 도 3을 참조한다. 셔터(30)는, 전체위치 규제부재(31)과, 전체위치 규제부(31)위로 연직방향에 적층재치된 복수 개의 루버(32a, 32b, 32c))를 구비한다.Reference is again made to FIG. 3. The shutter 30 includes a global position regulating member 31 and a plurality of louvers 32a, 32b, 32c stacked in a vertical direction on the global position regulating portion 31.

전체위치 규제부재(31)에는 승강기구(도시 생략)가 설치되어 있고, 상하방향(화살표AR5)으로 승강가능하다. 전체위치 규제부재(31)에 설치된 승강기구를 제어함으로써, 전체위치 규제부재(31) 및 그에 적층재치된 복수의 루버(32a, 32b, 32c))를 일체적으로 승강(乘降)시킬 수 있다.The lifting mechanism (not shown) is provided in the global position regulating member 31, and can be lifted up and down (arrow AR5). By controlling the lift mechanism provided in the global position regulating member 31, the global position regulating member 31 and the plurality of louvers 32a, 32b, and 32c stacked thereon can be raised and lowered integrally. .

또한, 복수의 루버(32a, 32b, 32c)의 각각에도 승강기구(도시 생략)가 부착되어 있으며, 각 루버(32a, 32b, 32c)는 상하방향(화살표AR6, 7, 8)으로 승강가능하다.예를 들면, 루버(32b)에 부착된 승강기구를 제어함으로써, 루버(32b) 및 그것에 적층재치된 루버(32a)를 일체적으로 승강시킬 수 있다. 즉, 루버(32b)를 상방으로 이동시킴으로써, 루버(32c)와 루버(32b) 사이에 개구부(Q)(도 5)를 형성할 수 있다.In addition, a lifting mechanism (not shown) is attached to each of the plurality of louvers 32a, 32b, and 32c, and each louver 32a, 32b, and 32c can be lifted up and down (arrows AR6, 7, 8). For example, by controlling the lifting mechanism attached to the louver 32b, the louver 32b and the louver 32a laminated thereon can be raised and lowered integrally. That is, by moving the louver 32b upward, the opening part Q (FIG. 5) can be formed between the louver 32c and the louver 32b.

즉, 루버(32a, 32b, 32c) 및 전체위치 규제부재(31)의 각각을 승강 제어함으로써, 기판격납부(11)의 다단구조 중 임의의 단에 대향한 개구부를 형성할 수 있다. 이에 의하여, 도 5에 나타내는 바와 같이, 기판소성로(1)에 대한 기판의 반출입을 행하는 기판반송장치(전체 도면은 도시 생략)를 구비하는 반송포크(24)가, 기판격납부(11)의 다단구조 중 임의의 단에 접촉(더 구체적으로는, 임의의 단에 재치된 기판(W)을 꺼내거나, 임의의 단에 기판(W)을 재치하는 것)이 가능해 진다. 또한, 루버(32a, 32b, 32c)의 이동 거리를 적절하게 설정함으로써, 형성되는 개구부의 연직방향에 대한 길이를 적정값(더 구체적으로는, 반송포크(24)가 기판(W)을 재치한 상태로 설치 가능한 최소의 값)으로 할 수 있다.That is, by raising and lowering each of the louvers 32a, 32b, and 32c and the global position regulating member 31, an opening can be formed facing any stage of the multi-stage structure of the substrate storage portion 11. Thereby, as shown in FIG. 5, the conveyance fork 24 provided with the board | substrate conveying apparatus (not shown in the whole figure) which carries out the board | substrate with respect to the board | substrate baking furnace 1 is multistage of the board | substrate storage part 11. Contact to any end of the structure (more specifically, taking out the substrate W placed on any end or placing the substrate W on any end) becomes possible. In addition, by appropriately setting the moving distances of the louvers 32a, 32b, and 32c, the length in the vertical direction of the openings to be formed is set to an appropriate value (more specifically, the transport forks 24 have the substrate W mounted thereon). The minimum value that can be installed in the state).

<2-2.기판소성처리><2-2 substrate firing treatment>

기판소성로(1)에서의 기판소성처리는, 아래와 같이 실행된다.Substrate firing in the substrate firing furnace 1 is performed as follows.

우선, 기판반송장치(1)는, 기판소성처리를 실행함에 앞서, 미리 히터(12)에 의해 소성공간(V)에 열의 공급을 시작하여, 소성공간(V)을 소성처리온도(예를 들면 300℃)까지 승온한다.First, before carrying out the substrate firing process, the substrate transport apparatus 1 starts supplying heat to the firing space V by the heater 12 in advance, and the firing space V is subjected to the firing processing temperature (for example, To 300 ° C).

소성공간(V)이 소성처리온도까지 승온되면, 기판의 소성처리가 개시된다. 즉, 기판반송장치(도시 생략)가, 기판소성로(1)에 대한 기판(W)의 반출입을 시작한다. 더 구체적으로는, 기판반송장치가 반송포크(24)(도 5참조)에 의해 미처리 기판을 기판소성로(1)안에 반입해서 기판소성로(1) 내의 소정의 노내지지부재(111)위로 재치함과 아울러, 노내지지부재(111) 상에 재치된 소성처리를 마친 기판(즉, 기판소성로(1)안에서 소정시간 소성된 기판)을 지지하여 기판소성로(1)안에서 반출한다. 이에 의하여, 복수의 기판(W)에 대한 소성처리가 순차 실행된다.When the firing space V is raised to the firing temperature, the firing process of the substrate is started. That is, a substrate conveying apparatus (not shown) starts carrying in and out of the board | substrate W with respect to the board | substrate baking furnace 1. More specifically, the substrate conveying apparatus carries the unprocessed substrate into the substrate baking furnace 1 by the conveying fork 24 (see FIG. 5), and places it on a predetermined furnace support member 111 in the substrate baking furnace 1. In addition, the substrate which has been fired on the furnace support member 111 (ie, the substrate fired for a predetermined time in the substrate baking furnace 1) is supported and carried out in the substrate baking furnace 1. Thereby, the baking process with respect to the some board | substrate W is performed one by one.

<3.효과><3.Effect>

상기의 실시형태에 관련된 지지 핀(100)은, 산소 및/ 또는 수분의 함유 농도가 10PPm이하인 분위기에 있어서의 사출성형에 의해 성형된 본체부(101)를 플로로카본막(102)으로 피막한 구성을 가지고 있다. 따라서, 고온환경하(예를 들면, 기판소성로(1)의 소성공간(V)안)에서 사용되었을 경우라도, 열분해나 산화분해가 일어나기 어렵다. 즉, 내구성이 높다.The support pin 100 which concerns on said embodiment formed the main body 101 by the injection molding in the atmosphere whose oxygen and / or water content concentration is 10 PPm or less with the fluorocarbon film 102. Has a configuration. Therefore, even when used in a high temperature environment (for example, in the firing space V of the substrate firing furnace 1), pyrolysis or oxidative decomposition hardly occurs. That is, durability is high.

또, 상기의 실시형태에 관련된 기판소성로(1)는, 소성처리가 행해지는 기판을 지지하는 부재로서, 내구성이 높은 지지 핀(100)을 구비하므로, 적어도, 일반적인 기판소성로의 수명(10∼15년정도)이 다할 때까지, 지지 핀(100)이 빠지는 사태는 생기지 않는다. 즉, 기판을 지지하는 부재를 교환할 필요가 없다. 따라서, 부재교환에 관련된 비용, 부재교환 때문에 라인을 정지함에 기인하는 손해 등이 생기지 않는다.The substrate firing furnace 1 according to the above embodiment is a member for supporting a substrate subjected to the firing process, and includes a support pin 100 having high durability, and therefore, at least, the lifespan of the general substrate firing furnace (10 to 15). Until the end of the year), the support pin 100 does not occur. That is, it is not necessary to replace the member which supports a board | substrate. Therefore, there is no cost associated with member replacement, no damage due to stopping the line due to the member replacement, and the like.

<4.변형예><4.Modification>

상기의 실시형태에 있어서는, 정전분체도장에 의해 본체부(101)에 플르오로카본막(102)을 생성하는 구성으로 하고 있었지만, 열CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학적 기상성장), 플라즈마 CVD(Plasma Enhanced CVD(PECVD), 플라즈마 화학기상성장법)에 의해 본체부(101)에 플로로카본막(102)을 생성해도 좋다.In the above embodiment, although the fluorocarbon film 102 is formed in the main body portion 101 by electrostatic powder coating, thermal CVD (chemical vapor deposition) and plasma CVD (Plasma Enhanced) are used. The fluorocarbon film 102 may be formed in the body portion 101 by CVD (PECVD) or plasma chemical vapor deposition method.

또한, 상기의 실시형태에서는, 지지 핀(100)을 구비하는 기판소성로(1)에 대해서 설명했지만, 지지 핀(100)은, 기판소성로(1) 이외의 각종의 장치로 있어서도, 가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 부재로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 산화 확산처리가 행해지는 기판을 지지하는 부재로서 지지 핀(100)을 구비하는 산화확산로(酸化擴散爐), CVD 처리가 행해지는 기판을 지지하는 부재로서 지지 핀(100)을 구비하는 CVD로(爐), 그 면위로 지지 핀(100)을 구비하는 핫플레이트(가열 플레이트), 반송포크 상에 부착되어, 피반송기판을 지지하는 부재로서 지지 핀(100)을 구비하는 기판반송장치 등이 실현가능하다. 어느 장치에 사용한 경우라도, 상술한 기판소성로(1)와 마찬가지로 기판을 지지하는 부재가 내구성이 높은 지지 핀(100)이기 때문에, 기판을 지지하는 부재를 교환할 필요가 없어져서, 부재교환에 관한 비용, 부재교환 때문에 라인 정지함에 기인하는 손해의 발생 등의 문제가 생기지 않는다.In addition, although the board | substrate baking furnace 1 provided with the support pin 100 was demonstrated in the said embodiment, the support pin 100 is heat-processed also in various apparatuses other than the board | substrate baking furnace 1. Can be used as a member supporting the substrate. For example, the oxidation diffusion furnace including the support pins 100 as a member for supporting the substrate subjected to the oxidation diffusion treatment, and the support pin 100 as the member for supporting the substrate subjected to the CVD treatment. CVD furnace provided, a hot plate (heating plate) having support pins 100 on its surface, a substrate attached to a conveyance fork, and having a support pin 100 as a member for supporting a substrate to be conveyed. A conveying device or the like can be realized. Even when used in any of the apparatuses, since the member supporting the substrate is a support pin 100 having high durability similar to the substrate baking furnace 1 described above, there is no need to replace the member supporting the substrate, thereby reducing the cost of replacing the member. No problem such as damage caused by line stoppage occurs due to member replacement.

도 1은 지지 핀의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a support pin.

도 2는 지지 핀의 제조공정의 흐름을 나타내는 도면이다.2 is a view showing the flow of the manufacturing process of the support pin.

도 3은 기판소성로의 개략사시도이다.3 is a schematic perspective view of a substrate firing furnace.

도 4는 기판소성로의 횡단면도이다.4 is a cross-sectional view of the substrate firing furnace.

도 5는 기판소성로의 종단면도이다.5 is a longitudinal sectional view of a substrate firing furnace.

도 6은 지지부재의 확대사시도이다.6 is an enlarged perspective view of the support member.

도 7은 종래의 지지 핀이 빠지는 모양을 모식적으로 나타내는 도면이다.It is a figure which shows typically the shape which a conventional support pin falls out.

[부호의 설명] [Description of the code]

1 기판소성로 100 지지 핀1 substrate firing furnace 100 support pin

101 본체부 102 플로로카본막101 Main body 102 Florocarbon film

Claims (10)

가열처리가 행해지는 기판을 지지하는 지지 핀의 제조방법으로서, As a manufacturing method of the support pin which supports the board | substrate to which heat processing is performed, 수지재료(樹脂材料)를, 산소의 함유농도가 10ppm이하의 분위기에서 핀 형상으로 사출성형(射出成形)해서 성형품을 취득하는 사출성형공정과, 상기 성형품의 표면에 보호막으로서 플로로카본막을 형성하는 보호막 형성공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 지지 핀의 제조방법.An injection molding step of obtaining a molded article by injection molding a resin material into a pin shape in an atmosphere containing oxygen of 10 ppm or less, and forming a fluorocarbon film as a protective film on the surface of the molded article. A process for producing a support pin, comprising the step of forming a protective film. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 보호막 형성공정이, 정전분체도장에 의해 상기 성형품의 표면에 불소수지분체를 뿜어 칠하는 도장공정(塗裝工程)을 구비하는 것을 특징으로 하는 지지 핀의 제조방법.The protective film forming step includes a coating step of spraying fluorine resin powder on the surface of the molded article by electrostatic powder coating. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 보호막 형성공정이, The protective film forming step, 표면이 상기 보호막으로 덮인 상기 성형품을, 상기 지지핀이 사용되는 가열처리온도보다도 높은 온도로 소성하는 소성공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 지지 핀의 제조방법.And a firing step of firing the molded article whose surface is covered with the protective film at a temperature higher than the heat treatment temperature at which the support pin is used. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 수지재료가, 도전성 폴리에테르에테르케톤인 것을 특징으로 하는 지지 핀의 제조방법.The said resin material is electroconductive polyether ether ketone, The manufacturing method of the supporting pin characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 수지재료가, 전방향족 폴리이미드수지인 것을 특징으로 하는 지지 핀의 제조방법.The resin material is a wholly aromatic polyimide resin. 수지재료를, 산소의 함유농도가 10ppm이하의 분위기에서 핀 형상으로 사출성형해서 성형품을 취득하는 사출성형공정과, 상기 성형품의 표면에 보호막으로서 플로로카본막을 형성하는 보호막 형성공정을 구비하는 지지 핀의 제조방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 지지 핀.A support pin including an injection molding step of obtaining a molded article by injection molding a resin material into a pin shape in an atmosphere containing oxygen of 10 ppm or less, and a protective film forming step of forming a fluorocarbon film as a protective film on the surface of the molded article. The support pin, characterized in that manufactured by the manufacturing method. 삭제delete 삭제delete 기판에 대한 가열처리를 실행하는 열처리장치로서, A heat treatment apparatus for performing heat treatment on a substrate, 상기 가열처리가 행해지는 상기 기판을 지지하는 지지 핀을 구비하고, A support pin for supporting the substrate on which the heat treatment is to be performed, 상기 지지핀이, 수지재료를, 산소의 함유농도가 10ppm이하의 분위기에서 핀 형상으로 사출성형해서 성형품을 취득하는 사출성형공정과, 상기 성형품의 표면에 보호막으로서 플로로카본막을 형성하는 보호막 형성공정을 구비하는 지지 핀의 제조방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 열처리장치.The support pin is an injection molding step of obtaining a molded article by injection molding a resin material into a pin shape in an atmosphere containing oxygen of 10 ppm or less, and a protective film forming step of forming a fluorocarbon film as a protective film on the surface of the molded article. Heat treatment apparatus, characterized in that manufactured by the manufacturing method of the support pin having a. 기판에 대한 소성처리를 실행하는 기판소성로(基板燒成爐)로서,As a substrate baking furnace which performs a baking process with respect to a board | substrate, 상기 소성처리가 행해지는 상기 기판을 지지하는 지지 핀을 구비하고, A support pin for supporting the substrate on which the firing process is performed; 상기 지지핀이, 수지재료를, 산소의 함유농도가 10ppm이하의 분위기에서 핀 형상으로 사출성형해서 성형품을 취득하는 사출성형공정과, 상기 성형품의 표면에 보호막으로서 플로로카본막을 형성하는 보호막 형성공정을 구비하는 지지 핀의 제조방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 기판소성로.The support pin is an injection molding step of obtaining a molded article by injection molding a resin material into a pin shape in an atmosphere containing oxygen of 10 ppm or less, and a protective film forming step of forming a fluorocarbon film as a protective film on the surface of the molded article. Substrate firing furnace, characterized in that manufactured by the manufacturing method of the support pin provided with.
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