KR100975530B1 - 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해제조된 순간펄스필터 - Google Patents

양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해제조된 순간펄스필터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 오동작, 짧은 수명 등의 원인이 될 수 있는 순간펄스필터를 알루미늄 양극산화법을 이용하여 제조한 것으로, 특히 절연체 기판(100) 상측에 알루미늄 박막층(200)을 형성시키는 제1단계와; 양극산화법에 의해 상기 알루미늄 박막층(200)을 산화시켜 구멍(pore)(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성시키는 제2단계와; 상기 구멍(310)을 채우기 위해 금속물질을 상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 상측에 증착시키는 제3단계와; 상기 구멍(310) 내부 이외에 증착된 금속물질을 제거하여, 상기 알루미늄 박막층(200) 내부에 나노봉(400)을 형성시키는 제4단계와; 상기 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 박막층(200) 상부에 내부전극(500)을 형성시키는 제5단계와; 상기 알루미늄 박막층(200) 및 내부전극(500)을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층(600)을 형성시키는 제6단계와; 상기 보호막층(600)이 형성된 기판 양측에 외부전극(700)을 형성시키는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해 제조된 순간펄스필터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 전도성 나노봉으로 이루어진 전도체들의 규칙적인 분포와 에너지 장벽의 균일성을 확보할 수 있어, 기존 기술에 비해 더 좋은 비선형 특성과 더 높은 순간펄스 내량의 특성을 갖는 칩 형태의 과전압 보호 부품을 제조할 수 있는 이점이 있다.
양극산화 순간펄스필터 알루미늄 나노봉 순간펄스

Description

양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해 제조된 순간펄스필터{Transient pulse filter manufacturing method using anodic aluminum oxide and the Transient pulse filter}
본 발명은 반도체 소자의 오동작, 짧은 수명 등의 원인이 될 수 있는 순간펄스필터를 알루미늄 양극산화법을 이용한 순간펄스필터의 제조방법 및 그 순간펄스필터에 관한 것으로, 양극산화법에 의해 규칙적인 나노봉으로 이루어진 전도체를 형성하여 전도체 간 에너지 장벽이 균일한 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해 제조된 순간펄스필터에 관한 것이다.
휴대기기의 발달과 더불어 대용량의 데이터를 빠르게 전송해야하는 요즘의 환경에서 빠른 처리속도뿐만 아니라 부품의 소형화가 필수적이다. 이에 따라, 고집적화된 반도체, 빠른 처리 속도를 위한 고속 스위칭 소자, 그리고 휴대형 기기의 사용에 따른 저전압, 저전력형의 반도체의 사용을 증가시키는 계기가 되었다.
결과적으로, 이는 순간펄스와 과도전압(Transient voltage)에 민감한 회로를 구성하게 하는 원인이 되었으며 IC의 파괴가 빈번하게 일어나고 있으므로 이를 방지하기 위해 순간펄스필터를 필수적으로 사용하게 되었다.
이러한 순간펄스필터의 주요 용도는 고속의 데이터 전송이 요구되는 장치 즉 휴대폰, 노트북, USB 2.0 device controller, HDTV, Set Top Box, Antenna, RF circuit 등에 주로 사용되며 향후 지속적인 데이터의 고집적화 및 고속화 추세에 따라 더욱 순간펄스에 대한 대책은 중요하게 될 것이다.
종래의 상기 순간펄스에 대한 대책은 도 1에 도시된 바와 같이, 고분자수지(30)에 전도성분말(40)을 혼합한 고분자 복합재료를 사용한 방식으로, 에폭시기판(10)에 내부전극(20) 형성 후 내부전극(20) 사이에 고분자 복합재료를 형성시키고, 그 양측에 외부전극(50)을 형성시킨 것이다.
도시된 바와 같이, 에폭시기판(10) 상측에 낮은 방전 전압을 얻기 위해 고분자 복합재료를 형성하였으며, 상기 고분자 복합재료는 고분자수지(30)에 금속 전도성분말(40)을 분산시켜 상기 전도성분말(40)을 통해서 순간펄스경로(60)를 형성함으로써, 이것을 방전전극으로 활용한 것이며, 낮은 정전용량, 낮은 누설전류(leakage current) 등의 장점을 가진 것으로 알려져 있다.
또 다른 종래기술은 전압 가변형 저항 물질인 ZnO계 적층 바리스터를 이용하는 것이다.
상기 종래기술에 의한 순간펄스필터의 원리는 고분자를 이용한 경우, 고분자 내에 이웃하는 전도성 입자들 간에 전기장에 의한 전자의 터널링을 이용한 것이고, 적층 바리스터의 경우, ZnO 낟알(grain)과 입계(grain boundary) 사이에 형성된 쇼트키 장벽들의 전기장에 의한 전자의 터널링을 이용한 것이다.
그러나 상기 고분자를 이용한 종래기술은 전도성 금속 분말을 분산시킨 고분 자 수지가 과도한 순간펄스에 취약하여 제 기능을 발휘하지 못하는 경우가 있다. 즉 탄화(저항이 낮아져)되어 고속의 디지털 신호에 대해 접지로의 누설이 발생되어 데이터의 왜곡/손실을 초래하여 디지털 신호가 인가되지 않고 접지로 빠져 시스템의 동작을 방해하는 문제점이 있다.
또한, 고분자를 이용한 경우 전도성 입자의 무질서한 분포로 인해 에너지 장벽의 두께가 일정치 않고 따라서 소자의 전압에 대한 저항의 비선형성이 좋지 않으며, 전압가변형 저항물질로 전류가 흐를 때 에너지 장벽이 낮은 곳으로 전류가 잘 흐르려는 특성으로 인해 순간펄스 내량 특성이 좋지 않으며(전극 사이의 전압가변형 저항물질 전체를 동일한 전류길로 이용하지 못함), 적은 두께 장벽들의 전류길이 형성될 경우 그곳으로 많은 전류가 흐름으로 인해 소자의 수명도 짧아지게 된다.
그리고, 상기 적층 바리스터를 이용한 경우에는 비선형성(nonohmoc) 및 높은 순간펄스 흡수 능력 등의 장점을 갖고 있지만 큰 정전 용량 때문에 고속 데이터 전송시 데이터의 왜곡 문제를 초래할 수 있다.
또한, 상기 고분자를 이용한 경우나 ZnO 적층 바리스터는 미세 구조의 에너지 장벽의 크기를 조절하기에 용이하지 못한 문제점이 있다.
따라서 전도체의 규칙적 분포와 에너지 장벽의 균일성은 순간펄스필터의 근본적인 중요 요소이며, 이 문제를 해결하기 위해 본 발명은 양극산화법에 의해 구멍이 형성된 알루미늄 산화물 박막층 위에 금속물질을 증착하여 상기 구멍에 나노봉을 형성하여 전도체들이 규칙적 분포를 갖고 전도체간 에너지 장벽이 균일한 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해 제조된 순간펄스필터를 그 해결과제로 한다.
또한, 상기 알루미늄 산화물 박막에 와이드닝과 열처리 공정을 더 수행하여 전도체간 에너지 장벽 두께의 조절이 용이한 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해 제조된 순간펄스필터를 또 다른 해결과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 절연체 기판 상측에 알루미늄 박막층을 형성시키는 제1단계와; 양극산화법에 의해 상기 알루미늄 박막층을 산화시켜 구멍(pore)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층을 형성시키는 제2단계와; 상기 구멍을 채우기 위해 금속물질을 상기 알루미늄 산화물 박막층 상측에 증착시키는 제3단계와; 상기 구멍 내부 이외에 증착된 금속물질을 제거하여, 상기 알루미늄 박막층 내부에 나노봉을 형성시키는 제4단계와; 상기 나노봉이 형성된 알루미늄 박막층 상부에 내부전극을 형성시키는 제5단계와; 상기 알루미늄 박막층 및 내부전극을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층을 형성시키는 제6단계와; 상기 보호막층이 형성된 기판 양측에 외부전극을 형성시키는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해 제조된 순간펄스필터를 기술적 요지로 한다.
또한, 상기 기판은, 알루미나, 실리콘, 유리 및 유리질수지 중에 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2단계의 구멍은, 양극산화 이후 와이드닝 또는 열처리공정을 더 거치는 것이 바람직하며, 상기 구멍은, 너비가 100nm 내지 10㎛, 그 사이의 간격은 100nm 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 나노봉의 높이는 10㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 내부전극은, 평면 상(planar)인 것이 바람직하다.
상기 과제 해결 수단에 의해 본 발명은, 전도성 나노봉으로 이루어진 전도체들의 규칙적 분포와 에너지 장벽의 균일성을 확보할 수 있어, 기존 기술에 비해 더 좋은 비선형 특성과 더 높은 순간펄스 내량의 특성을 갖는 칩 형태의 과전압 보호 부품을 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 양극산화 후 와이드닝 공정 또는 열처리 공정을 더 수행하여 전도체 간 에너지 장벽 두께 조절이 용이하여, 전극 간의 거리의 변화없이 트리거 전압 및 클램프 전압, 누설전류 등을 조절할 수 있는 효과가 있다.
도 2는 본 발명에 따른 순간펄스필터 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 순 간펄스필터의 개략적인 공정도이고, 도 4는 본 발명에 따른 순간펄스필터에서 와이드닝 공정 및 나노봉 형성 공정에 대한 모식도이다.
도 3에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법은, 절연체 기판(100)을 준비하고(도 3(a)), 절연체 기판(100) 상측에 알루미늄 박막층(200)을 형성시키는 제1단계(도 3(b)), 양극산화법에 의해 상기 알루미늄 박막층(200)을 산화시켜 구멍(pore)(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성시키는 제2단계(도 3(c)), 상기 구멍(310)을 채우기 위해 금속물질을 상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 상측에 증착시키는 제3단계(도 3(d)), 상기 구멍(310) 내부 이외에 증착된 금속물질을 제거하여 상기 알루미늄 박막층(200) 내부에 나노봉(400)을 형성시키는 제4단계(도 3(e)), 상기 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 박막층(200) 상부에 내부전극(500)을 형성시키는 제5단계(도 3(f)), 상기 알루미늄 박막층(200) 및 내부전극(500)을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층(600)을 형성시키는 제6단계(도 3(g)), 상기 보호막층(600)이 형성된 기판(100) 양측에 외부전극(700)을 형성시키는 제7단계(도 3(h))로 크게 이루어진다.
즉, 절연체 기판(100) 상측에 알루미늄 박막층(200)을 형성하고 양극산화법에 의해 알루미늄 박막층(200)을 산화시켜 내부에 구멍(310)을 형성한 후, 상기 구멍(310)에 금속물질을 채워 나노봉(400)을 제조하고 내부전극(500), 보호막층(600) 및 외부전극(700)을 형성시키는 것으로, 양극산화에 의해 규칙적인 모양과 일정한 크기로 형성된 구멍(310)에 금속물질을 채워 나노봉(400)을 형성시켜, 종래의 고분 자 수지에 불규칙적이고 불균일하게 분산된 전도성 분말로 형성된 순간펄스필터의 문제점을 해결하여, 높은 순간펄스 내량과 낮은 정전용량 설계로 인한 빠른 반응특성을 갖는 칩 형태의 과전압 보호 부품을 제조할 수 있도록 한 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하고자 한다.
먼저, 제1단계로서, 절연체 기판(100) 상측에 알루미늄 박막층(200)을 형성시키는 것이다.
상기 절연체 기판(100)의 재료는 알루미나, 실리콘, 유리 및 유리질 수지(glass epoxy) 중에 어느 하나가 될 수 있으며, 미리 칩 형태로 홈을 만들어 둔 것이나 홈을 내지 않은 것이나 상관없이 사용할 수 있다.
그리고, 상기 알루미늄 박막층(200)의 증착방법은, 스퍼터링(sputtering), evaporation, PLD(pulsed laser deposition), CVD(chemical vapor deposition)법이 될 수 있다.
그리고, 상기 2단계는 양극산화법을 통해 상기 알루미늄 박막층(200)을 산화시켜 내부에 구멍(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성시키는 것으로, chromic acid (CrO3; 2.5.3%), sulfuric acid (H2SO4; 15.20%), oxalic acid (C2H2O4; 5.10%), boric acid (H3BO3; 9.15%), phosphoric acid (H3PO4; 10%) 중의 하나가 전해액으로 사용될 수 있으며, 상기 전해액이 담긴 산화처리반응조에 알루미늄 박막층(200)이 형성된 절연체 기판(100)을 담그고, 양극을 걸어 준 다음 기준 전극으로 백금판을 산화처리반응조에 담그고 음극을 걸어 주어서 산화시킨다.
여기에서, 양극산화 후 구멍(310)의 크기 조절, 인접하는 구멍(310) 사이의 절연 장벽 두께의 조절, 규칙성의 향상 등을 위하여 와이드닝(widening) 또는 열처리 공정을 더 수행할 수 있으며, 와이드닝의 경우 희석된 H3PO4 용액 등을 사용할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 절연체 기판(100) 상측에 구멍(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성시킨 후, 와이드닝 공정을 수행하여 구멍(310)의 너비를 크게 조절할 수 있으며, 그 상층에 금속물질을 증착한 후 제거하여 너비 및 그 사이의 간격이 조절된 나노봉(400)을 형성시킬 수 있는 것이다.
상기 와이드닝 공정이나 열처리 공정에 의해 상기 구멍(310)의 크기 조절 및 그 사이의 간격 등을 조절하여 에너지 장벽의 두께 조절이 용이하게 된다. 이것은 전극 간의 거리의 변화없이 용이하게 트리거 전압 및 클램프 전압, 누설전류 등을 조절할 수 있다는 장점으로 작용하게 된다.
그리고, 제3단계는 상기 구멍(310)을 채우기 위해 금속물질을 상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 상측에 증착시키는 것으로, 졸겔 코팅 또는 ALD(atomic layer deposition) 또는 evaporation 또는 전기도금 등의 방법을 사용할 수 있으며 사용되는 금속은 증착하는 방법에 따라 순수 금속뿐만 아니라 도핑된 여러 종류의 반도체도 사용될 수 있다.
그리고, 제4단계는 상기 구멍(310) 내부 이외에 증착된 금속물질을 제거하 여, 상기 알루미늄 박막층(200) 내부에 나노봉(400)을 형성시키는 것으로, 물리적 또는 화학적인 여러 방법이 사용될 수 있으며, 예로 Ru가 증착되어 있을 경우 Cl2 가스를 사용한 플라즈마 반응성 이온-에칭(ion etching)이 사용될 수 있으며, Cu가 증착되어 있을 경우 염소가 포함된 용액에 담근 후 자외선을 조사하는 방법 등이 사용될 수 있다.
따라서, 상기 나노봉(400)들을 통해서는 전기장에 의한 전자의 터널링이 이루어져 순간펄스경로(S)를 형성하며, 나노봉(400)들 사이의 알루미늄 산화물 부분에 의해서는 절연이 이루어져 에너지 장벽이 형성되도록 하는 것이다.
그리고, 제5단계는 상기 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300) 상부에 평면 상(planar)의 내부전극(500)을 형성시키는 것으로, 일반적인 반도체의 리소그래피 공정과 금속의 박막 증착공정을 따를 수 있으며 내부전극(500) 물질로는 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등이 될 수 있으며, 형성 방법은 진공물리증착, 진공화학증착, 도금, 스크린 프린팅(screen printing) 또는 두 가지 증착법을 혼용해서 사용해도 무방하다.
그리고, 제6단계는 상기 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300) 및 내부전극(500)을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층(600)을 형성시키는 것으로, 상기 보호막층(600)을 이루는 물질로는 무기질의 실리콘, 유리질, 불소수지계가 될 수 있으며, 형성 방법으로는 스파터링(sputtering), 졸 겔(sol-gel), 스크린 프린팅(screen printing) 등이 될 수 있다.
또한, 상기 내부전극(500)은 전압가변형 저항물질의 한쪽면에만 2개 이상 형성시켜 정전용량을 극단적으로 낮게 할 수 있는 고속 통신용 순간펄스필터의 제조가 가능하게 된다.
그리고, 제7단계는 상기 보호막층(600)이 형성된 기판(100) 양측에 외부전극(700)을 형성시키는 것으로, 스크린 인쇄 방법 등으로 일반적인 칩 부품의 외부전극(700) 형성방법으로 이루어진다.
상기의 제조방법에 의해 절연체 기판(100) 상측에 형성된 알루미늄 박막층(200)을 형성하여 양극산화법에 의해 상기 알루미늄 박막층(200)을 산화시켜 구멍(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성하고, 그 상층에 금속물질을 증착하고 구멍(310) 외에 증착된 금속물질을 제거하여 알루미늄 산화물 박막층(300) 내부에 규칙적으로 형성된 나노봉(400)과, 그 상층에 형성된 내부전극(500)과 보호막층(600) 및 그 양측에 형성된 외부전극(700)을 포함하여 이루어지는 순간펄스필터가 제조되게 되는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 절연체 기판(100) 위에 알루미늄을 증착하는 공정과 양극산화에 의해 규칙적인 모양과 일정한 크기의 구멍(pore)(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성시키는 공정, 전기도금이나 ALD(atomic layer deposition) 또는 evaporation 등의 방법을 사용하여 구멍(310)이 채워지도록 금속물질을 증착하는 공정, 화학적 또는 물리적으로 구멍(310) 내부 이외의 금속을 제 거하여 나노봉(400)을 형성하는 공정, 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300) 한쪽 면 내에 내부전극(500) 층을 2개 이상 형성하는 공정, 그리고 보호막층(600) 및 외부전극(700)을 형성하는 공정을 통해, 과도한 순간펄스가 유입되더라도 상기 나노봉을 통해 순간펄스경로(S)를 형성하여, 종래의 고분자수지에서 발생하는 탄화를 방지하여 높은 신뢰성을 갖도록 한 것이다.
또한, 본 발명은 하나의 전압가변형 저항물질 두께를 조절하여 단지 전극의 갭 조정만으로 쉽게 방전전압을 조정할 수 있어 규격 변경이 매우 용이하며, 이에 따라 고속 통신용 순간펄스필터의 제조가 가능하게 된다.
도 1 - 종래기술에 따른 순간펄스필터에 대한 개략적인 단면도.
도 2 - 본 발명에 따른 순간펄스필터 단면도.
도 3 - 본 발명에 따른 순간펄스필터의 개략적인 공정도.
도 4 - 본 발명에 따른 순간펄스필터에서 와이드닝 공정 및 나노봉 형성 공정에 대한 모식도.
<도면에 사용된 주요부호에 대한 설명>
10 : 에폭시기판 20 : 내부전극
30 : 고분자수지 40 : 전도성분말
50 : 외부전극 60 : 순간펄스경로
100 : 기판 200 : 알루미늄 박막층
300 : 알루미늄 산화물 박막층 310 : 구멍
400 : 나노봉 500 : 내부전극
600 : 보호막층 700 : 외부전극
S : 순간펄스경로

Claims (14)

  1. 절연체 기판(100) 상측에 알루미늄 박막층(200)을 형성시키는 제1단계와;
    양극산화법에 의해 상기 알루미늄 박막층(200)을 산화시켜 구멍(pore)(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성시키는 제2단계와;
    상기 구멍(310)을 채우기 위해 금속물질을 상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 상측에 증착시키는 제3단계와;
    상기 구멍(310) 내부 이외에 증착된 금속물질을 제거하여, 상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 내부에 나노봉(400)을 형성시키는 제4단계와;
    상기 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300) 상부에 내부전극(500)을 형성시키는 제5단계와;
    상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 및 내부전극(500)을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층(600)을 형성시키는 제6단계와;
    상기 보호막층(600)이 형성된 기판(100) 양측에 외부전극(700)을 형성시키는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판(100)은,
    알루미나, 실리콘, 유리 및 유리질수지 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 구멍(310)은,
    양극산화 이후 와이드닝 또는 열처리공정을 더 거치는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 구멍(310)은,
    너비가 100nm 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 나노봉(400)의 높이는 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 구멍(310) 사이의 간격은 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 내부전극(500)은,
    평면 상(planar)인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법.
  8. 절연체 기판(100)과;
    상기 절연체 기판(100) 상측에 형성되며, 내부에 양극산화법에 의해 구멍(pore)(310)이 형성된 알루미늄 산화물로 이루어진 알루미늄 산화물 박막층(300)과;
    상기 구멍(310)에 금속물질을 증착하여 상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 내부에 형성되는 나노봉(400)과;
    상기 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300) 상부에 형성된 내부전극(500)과;
    상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 및 내부전극(500)을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 형성되는 보호막층(600)과;
    상기 보호막층(600)이 형성된 기판(100) 양측에 형성된 외부전극(700);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 기판(100)은,
    알루미나, 실리콘, 유리 및 유리질수지 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 구멍(310)은,
    양극산화 이후 와이드닝 또는 열처리공정을 더 거치는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 구멍(310)은,
    너비가 100nm 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 나노봉(400)의 높이는 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터.
  13. 제 8항에 있어서, 상기 구멍(310) 사이의 간격은 100nm 이하인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터.
  14. 제 8항에 있어서, 상기 내부전극(500)은,
    평면 상(planar)인 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터.
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