KR100972998B1

KR100972998B1 - 전해 재생 처리 장치

Info

Publication number: KR100972998B1
Application number: KR1020037013039A
Authority: KR
Inventors: 다케마에다카히로; 미야자키이쿠오; 미야자와겐지
Original assignee: 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2002-02-06
Filing date: 2003-02-05
Publication date: 2010-07-30
Also published as: JPWO2003066939A1; WO2003066939A1; TWI287589B; TW200302881A; CN100406619C; KR20040082946A; JP4326341B2; CN1498291A

Abstract

전해 재생 처리 장치에서, 금속 이온을 함유하는 에칭 처리액을 재생 탱크에서 재생할 때에 발생하는 슬러지를 가급적 적게 할 수 있어서, 슬러지 제거 탱크 등의 슬러지 제거 수단을 특별히 별도로 설치할 필요가 없게 한다. 이 때문에, 재생 탱크(12)는 공급측으로부터 공급된 상기 에칭 처리액이 유동 방향을 교대로 상향 또는 하향으로 변경하면서 출구측 방향으로 순차적으로 흐르도록 내부가 복수개의 구획(12a~12h)으로 구분되고, 상기 복수개의 구획 중 상기 에칭 처리액이 상향으로 흐르는 구획(12b, 12d, 12f) 내에 전극(16, 16, 16)이 설치되고, 또한 에칭 처리액의 흐름이 정체되는 정체 부분에는 상기 에칭 처리액을 교반하는 교반 수단이 설치되어 있다.

에칭 처리액, 교반 수단, 재생 탱크, 전해, 슬러지

Description

전해 재생 처리 장치{ELECTROLYTIC RECYCLING DEVICE}

본 발명은 전해(electrolytic) 재생 처리 장치에 관한 것으로서, 특히 금속 이온을 함유하는 에칭 처리액을, 전극이 설치된 재생 탱크 내에서 재생하는 전해 재생 처리 장치에 관한 것이다.

반도체 장치 등에 사용하는 다층 회로 기판에는, 이른바 빌드업 기판이 종종 사용된다.

이러한 빌드업 기판의 제조에는, 예를 들면, 코어 기판의 양측 면 상에 형성한 소정 두께의 수지층에, 코어 기판에 형성된 도체 패턴을 저면에 노출하는 비어 홀(via hole)을 형성한 후, 비어 홀의 내벽면을 포함하는 수지층의 전체 표면에 도금에 의해 금속층을 형성하고, 그 다음에, 이 도금 금속층에 패터닝을 실시하여 도체 패턴 및 비어 홀을 형성한다. 또한, 동일한 조작을 반복하여 코어 기판의 양면측에 복수의 도체 패턴이 적층된 다층 회로 기판을 얻을 때까지 동일한 조작을 반복할 수 있다.

이 빌드업 기판의 제조 공정에서는, 수지층 상에 도금에 의해 금속층을 형성할 때에, 수지층과 도금 금속층간의 밀착성을 양호하게 하기 위해, 수지층의 표면에 미세한 요철을 형성하는 조면화(surface roughening) 처리를 행한다.

이러한 조면화 처리에는, 수지층을 에칭하는 에칭액으로서, 예를 들면 과망간산염 수용액이나 6가 크롬 함유 액 등의 금속 이온을 함유하는 에칭액이 사용된다.

이와 같은 금속 이온을 함유한 에칭액은 수지층의 표면에 조면화 처리를 실시함으로써, 그 에칭 성능이 저하한다. 그러나, 이 에칭 성능이 저하한 에칭 처리액에 전해 처리를 행함으로써, 그 에칭 성능을 재생할 수 있다.

이러한 전해 처리 장치로서는, 특개평 10-245443호 공보에서 도 5에 나타낸 장치가 제안되고 있다.

도 5에 나타낸 전해 처리 장치(100)는 조면화 처리를 받은 수지제 기판(102)이 에칭액 중에 담겨진 에칭 처리 탱크(104)와, 배관(106)에 의해서 일체화된 재생 탱크(108)를 포함하고 있다. 이 재생 탱크(108)에는 정류기와 전기적으로 접속된 복수개의 전극(110, 110,...)이 배열 설치되어 있다.

재생 탱크(108)와 에칭 처리 탱크(104) 사이에는 양 탱크를 접속하는 순환 배관(112)이 설치되어 있고, 이 순환 배관(112)의 도중에 설치된 순환 펌프(114)에 의해서 에칭 처리 탱크(104)로부터 재생 탱크(108)로 유입한 에칭액은, 전극(110, 110...)에 의한 전해 처리에 의해서 재생되어 에칭 처리 탱크(104)로 돌아온다.

그런데, 재생 탱크(108) 내에서의 전해 처리시에는, 에칭 처리액을 재생하는 재생 반응과 함께, 불용성의 슬러지(sludge)를 생성하는 부반응(副反應)이 야기된다. 예를 들면, 에칭액으로서 과망간산염 수용액을 사용하는 경우, 에칭 처리 탱 크(104) 내에서는 Mn⁷⁺가 Mn⁶⁺로 환원될 때에, 수지제 기판(102)의 조면화가 이루어진다. 이 에칭 처리 탱크(1O4)에서 생성한 Mn⁶⁺를 함유하는 에칭 처리액은 재생 탱크(108)로 유입하고, 여기서 전극(11O, 11O,...)에 의한 전해 처리에 의해서 Mn⁶⁺가 Mn⁷⁺로 재차 산화되고, 이 처리된 용액이 에칭 처리 탱크(104)로 재차 돌아온다. 이러한 전극(110, 110,...)에 의한 전해 처리 시에는, Mn⁶⁺를 Mn⁷⁺로 산화하여 재생된다. 그러나, 제한된 재생 효율로 인해 일부의 Mn⁶⁺는 재생되지 않고, 이산화 망간(MnO₂)이 생성된다.

이와 같이 하여 생성된 이산화 망간(MnO₂)은 불용성의 슬러지(이하, 간단히 슬러지라 칭함)로서 에칭 처리 탱크 및 재생 탱크(108)를 순환해서 점차 축적되고, 배관에서의 클로깅(clogging)의 원인이 되기 쉬워서, 수지제 기판(102)의 조면화에 악형향을 미친다.

따라서, 도 5에 나타낸 전해 처리 장치(100)에서는 에칭 처리액 중의 슬러지를 침전시켜 제거하는 슬러지 제거 탱크(200)를 설치하고 있다. 이 슬러지 제거 탱크(200)와 재생 탱크(108)는 순환 펌프(202)가 설치된 순환 배관(204, 206)을 통해서 접속되어 있기 때문에, 재생 탱크(108) 내의 슬러지는 에칭 처리액과 함께 슬러지 제거 탱크(200)로 송액되고, 따라서 슬러지가 제거된 처리액을 재생 탱크(108)로 되돌릴 수 있다.

도 5에 나타낸 전해 처리 장치(100)에서는, 에칭 처리액 중의 슬러지를 침전시켜 제거하는 슬러지 제거 탱크(200)의 설치에 의해서 에칭 처리 탱크(104) 및 재생 탱크(108) 내에 슬러지가 축적하는 것을 방지할 수 있다.

그러나, 슬러지 제거 탱크(200)에 침전해서 축적된 슬러지는 정기적으로 상기 탱크로부터 제거되어야 하지만, 이 제거 작업은 번잡한 작업이며, 침전해서 축적된 슬러지로 형성된 슬러지 덩어리가 딱딱하므로, 슬러지의 제거 작업은 곤란하다.

또한, 슬러지 제거 탱크(200)를 설치할 때는 반드시 전해 처리 장치(100)를 대형화할 필요가 있다.

따라서, 슬러지 제거 탱크(200)를 불요화할 수 있을 정도로 슬러지의 발생을 가급적 적게 할 수 있는 새로운 재생 탱크(108)의 제안이 요청되고 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 금속 이온을 함유한 에칭 처리액을, 전극이 설치된 재생 탱크 내에서 재생할 때에 발생하는 불용성의 슬러지량을 가급적 적게 할 수 있어 슬러지 제거 탱크 등의 슬러지제거 수단을 특별히 설치할 필요가 없는 전해 재생 처리 장치를 제공하는데 있다.

본 출원의 발명자들은, 상기한 과제를 해결하기 위한 검토를 거듭한 결과, 재생 탱크에 유입한 에칭 처리액을 교대로 상향 또는 하향으로 흘리고, 상향으로 흐르는 에칭 처리액과 접촉하도록 전극을 설치하고, 에칭 처리액의 정체 부분에 교반(攪拌) 혼합을 행함으로써, 재생 탱크에 발생하는 슬러지량을 가급적 적게 할 수 있음을 견출하여 본 발명에 이르게 되었다.

따라서, 본 발명에 따르면, 공급측으로부터 공급된 상기 에칭 처리액이 유동 방향을 교대로 상향 또는 하향으로 변경하면서 구획(compartment)을 통해서 출구측 방향으로 순차적으로 흐르도록 내부가 복수개의 구획으로 구분된 재생 탱크; 상기 복수개의 구획 중 상기 에칭 처리액이 상향으로 흐르는 구획 내에 설치된 전극; 및 상기 구획 내의 에칭액 유동의 정체(stagnant) 부분에 설치되어 상기 에칭액을 교반하는 교반 수단을 포함하는, 금속 이온을 함유하는 에칭 처리액을 재생하는 전해(electrolytic) 재생 처리 장치가 제공된다.

본 발명에서는, 양극 면적이 음극 면적보다도 큰 전극을 사용하는 것이 바람직한데, 특히 원통 형상의 그물체로 구성된 양극과 상기 그물체 내에 삽입된 봉체로 구성된 음극으로 이루어진 전극을, 상기 그물체 및 봉체가 처리액의 유동 방향에 따라 상측 위치에 설치하여 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 교반 수단을 에칭 처리액의 유동 방향이 하향에서 상향으로 변경되는 부위 근방에 설치함으로써, 에칭 처리액의 유동 방향을 변경하는 부위에 불용성의 슬러지가 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이러한 교반 수단으로서는 재생 탱크 내의 에칭 처리액을 토출하는 노즐을 구비한 교반 수단을 사용하는 것이 바람직하다.

재생 탱크로부터 에칭 처리액을 취출하고, 이 에칭 처리액을 재차 상기 재생 탱크로 되돌리기 위한 순환 경로가 설치되고, 상기 순환 경로에 상기 노즐을 설치하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 전해 재생 처리 장치에 의하면, 재생 탱크 내에서 발생하는 불용성의 슬러지량을 종래의 장치에 비교해서 큰 폭으로 감소할 수 있다.

또한, 이산화망간(MnO₂) 등의 불요성의 슬러지가 생성되는 전극이 상향으로 흐르는 에칭 처리액과 접촉하도록 배치되어 있는 동시에, 에칭 처리액이 정체된 부분에는 교반 수단이 설치되어, 전극에서 생성되는 불용성의 슬러지가 재생관 내에서 실용적으로 축적되지 않기 때문에, 순환 배관의 도중에 설치된 필터 등의 간단한 슬러지 제거 수단에 의해 불용성 슬러지를 용이하게 제거할 수 있다.

그 결과, 본 발명에 따른 전해 재생 장치에는 슬러지 제거 탱크 등을 특별한 슬러지 제거 수단을 별도로 설치할 필요가 없기 때문에, 전해 재생 처리 장치의 소형화를 도모할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 전해 재생 처리 장치의 일례를 설명하는 설명도이다.

도 2는 도 1에 나타낸 전해 재생 처리 장치의 평면도이다.

도 3은 도 1에 나타낸 전해 재생 처리 장치에 사용되는 전극의 사시도이다.

도 4는 도 1에 나타낸 전해 재생 처리 장치에 사용되는 교반 수단으로서 재생 탱크 내의 에칭 처리액을 분출하는 노즐 구멍을 설명하는 단면도이다.

도 5는 종래의 전해 처리 장치를 설명하기 위한 설명도이다.

도 6은 전해 시간에 대한 과망간산의 증가율을 나타내는 그래프이다.

도 7은 전류 밀도에 대한 과망간산의 재생율을 나타내는 그래프이다.

본 발명에 따른 전해 재생 처리 장치의 일례를 도 1에 나타낸다. 도 1에 나타낸 전해 재생 처리 장치(10)는 재생 탱크(12)를 포함하고, 이 재생 탱크(12)는 과망간산염 수용액 등의 금속 이온을 함유하는 에칭액을 사용해 수지제 기판의 표면에 조면화 처리를 행한 후 에칭 처리액이 공급되는 공급측으로부터 출구측까지 복수개의 구획(12a~12h)으로 구분되어 있다.

재생 탱크는 2종류의 구획판(14a, 14b)으로 된 상기 구획(12a∼12h)에 의해 나눌 수 있다. 구획판(14a)은 에칭 처리액의 수면 위로 돌출하고 있는 상단과, 재생 탱크의 저면과의 사이에 에칭 처리액이 통과하는 통로가 형성되도록 설치된 하단을 갖고 있다. 한편, 구획판(14b)은 재생 탱크(l2)의 저면에 밀착하고 있는 하단과, 그 상단을 넘어가 에칭 처리액이 다음 구획으로 유출하도록 설치된 상단을 갖고 있다.

도 1에 나타낸 재생 탱크(12)에서는, 재생 탱크(12)의 내벽면과 구획판(14a)에 의해 형성된 구획(12a)에 유입한 에칭 처리액은 구획판(l4a)의 하단과 재생 탱크(12)의 저면 사이에 형성된 갭을 통해 구획(l2b)으로 유입하기 때문에, 구획(12a)에서 에칭 처리액은 아래쪽 방향으로 흐른다.

그리고, 구획(12b)은 구획판(14a)과 구획판(14b)으로 형성되어 있기 때문에, 구획판(14a)의 하단측하에 형성된 갭을 통해서 구획(12b)에 유입한 에칭 처리액은 구획판(14b) 상단을 넘어서 구획판(14b)과 구획판(14a)으로 형성된 구획(12c)으로 유입하기 때문에, 구획(12b)에서의 에칭 처리액이 위쪽 방향으로 흐른다.

따라서, 구획(l2a∼12h)은 구획(12a)에 유입한 에칭 처리액이 그 유동 방향 을 교대로 상향 또는 하향으로 변경하면서 출구 방향(구획(12h)의 방향)으로, 즉, 12a→12b→12c→12d→12e→12f→12g→12h의 순서로 순차적으로 흐르도록, 구획(12a∼12h) 각각이 2종류로 구획된 구획판(14a, 14b)에 의해서 나눌 수 있다.

도 1에 나타낸 재생 탱크(12)에서는, 에칭 처리액이 위쪽으로 흐르는 구획(12b, 12d, 12f) 각각에 전극(16)이 설치되어 있다. 이러한 전극(16)은 도 3에 나타낸 바와 같이 원통 형상의 그물체(net member)(16a)로 구성되는 양극과, 그물체(16a) 내에 삽입된 봉체(rod member)(16b)로 구성되는 음극으로 이루어진다. 봉체(16b)는, 예를 들면 폴리테트라플루오르에틸렌으로 된 튜브로 도체 표면의 일부를 피복한 것이다. 또한, 원통 형상의 그물체(16)에는 금속제의 라스(lath) 또는 메쉬(mesh)로 이루어진다. 따라서, 전극(16)은 그물체(l6a)로 구성되는 양극이 봉체(16b)로 구성되는 음극보다도 큰 면적으로 형성되어 있다. 도 3에 나타낸 전극(16)은 구획(12b, 12d, 12f)의 각각에 그물체(16a) 및 봉체(16b)가 상향의 에칭 처리액의 유동 방향을 따라 직립으로 설치되어 있다. 양극과 음극의 면적비나 전류값은 에칭 처리액의 선택된 처리량에 따라서 변화하지만, 이산화망간(Mn0₂)을 처리하기 위해서는, 후술하는 바와 같이 양극과 음극의 면적비를 20:1 정도로 설정하는 것이 바람직하다.

또한, 구획(12b, 12d, 12f)의 각각에 설치된 전극(16)은 도 2에 나타낸 바와 같이 복수개의 전극(16, 16, 16)으로 설치해도 좋다.

도 1에 나타낸 재생 탱크(12)에서는, 구획(12a)에 유입한 에칭 처리액이 그 유동 방향을 교대로 상향 또는 하향으로 변경하면서 출구 방향(구획(12h)의 방향)으로 각 구획을 순차적으로 흐른다.

에칭 처리액의 유동 방향이 상향에서 하향 또는 하향에서 상향으로 변경될 때에, 에칭 처리액의 유속이 매우 느리게 되는 정체 부분이 발생한다. 이러한 정체 부분에는 에칭 처리액에 함유되어 있는 슬러지가 침전되는 경향이 있다.

이점에서, 도 1에 나타낸 재생 탱크(12)에서는, 에칭 처리액의 유동 방향이 상향에서 하향 또는 하향에서 상향으로 변경되는 상기 정체 부분 근방에 에칭 처리액을 교반하는 교반 수단이 설치되어 있다. 이 교반 수단에서는, 재생 탱크(12)의 저면을 따라 배관(20)을 설치하고, 에칭 처리액의 유동 방향이 변경되는 유동 정체부 근방에 위치하는 배관(20) 부분에 도 4에 나타낸 바와 같이 배관(20)의 재생 탱크(12)의 저면측에 형성한 노즐 구멍(20a, 20a)으로부터, 구획(12h)에 유입한 재생된 재생 에칭액을 펌프(18)에 의해 승압해서 에칭 처리액에 분출하여 재생중인 에칭 처리액을 교반한다.

이 노즐 구멍(20a, 20a)으로부터는 재생 탱크(12)의 저면측을 향해 재생된 에칭액이 분출하여, 슬러지가 재생 탱크(12)의 저면에 침전해서 축적되는 것도 방지할 수 있다.

노즐 구멍(20a, 20a)이 형성된 배관(20)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 각 구획과 다음에 에칭 처리액이 유입하는 구획 사이의 구획판(14a, 14b)에 대략 평행하게, 또한 재생 탱크(12)의 저면 근방에 배치되어 있다. 배관(20)을 이와 같이 배치하는 이유는, 이 구획판(14a, 14b) 근방에서 또한 재생 탱크(12) 저면 근방의 위 치에서 에칭 처리액의 유동 방향이 하향에서 상향으로 변경되어, 그 부근에서 슬러지가 침전해서 축적되는 경향이 있기 때문이다.

또한, 배관(20)의 노즐 구멍(20a, 20a)으로부터 분출하는 분출액은 재생중인 에칭 처리액을 교반하고, 따라서 슬러지가 재생 탱크(12)의 저면에 침전해서 축적되는 것을 방지하는 것이기 때문에, 도 1에 점선으로 나타낸 바와 같이 재생 탱크(12)의 구획(12h) 이외의 구획에 담겨있는 에칭 처리액을 배관(20)의 노즐 구멍(20a, 20a)으로부터 분출해도 좋다.

도 1에 나타낸 전해 재생 처리 장치(10)는 수지제 기판의 표면에 조면화 처리 등의 에칭을 행하는 처리 장치(30)에 병설(倂設)되어 있다. 이 처리 장치(30)에는 수지제 기판의 표면에 조면화 처리 등의 에칭을 행하는 과망간산염 수용액 등의 금속 이온을 함유하는 에칭액이 저장된 처리 탱크(32)가 설치된다. 처리 탱크(32)의 외주에는 처리 탱크(32)를 오버플로우하여 유출하는 에칭액을 담는 오버플로우 탱크(34)가 설치된다. 오버플로우 탱크(34)에는 전해 재생 처리 장치(10)의 구획(12h)으로부터 재생된 재생 에칭액이 배관(36)을 통해서 돌려진다.

오버플로우 탱크(34)에 유입한 에칭액 및 재생 에칭액은 배관(38)과 펌프(40) 및 필터(42)를 통해서 처리 탱크(32)로 돌려진다. 이 필터(42)는 오버플로우 탱크(34)에 유입한 에칭액 및 재생 에칭액 중의 수지 분말을 분리하는 기능을 가진다.

또한, 처리 탱크(32)에는 저장하고 있는 에칭액의 일부를 에칭 처리액으로서 전해 재생 처리 장치(10)의 재생 탱크(12)에 송액하는 배관(44)이 설치되어 있고, 배관(44)에는 송액 펌프(46) 및 필터(48)가 설치되어 있다. 필터(48)는 재생 탱크(12)로 송액하는 에칭 처리액중의 수지 분말을 분리하는 기능을 가진다. 필터(48)에 의해 제거되는 슬러지는 주로 처리 탱크(32)에서의 수지제 기판의 표면에 조면화 처리 등의 에칭에 의해서 발생한 수지 분말이다.

도 1에 나타낸 처리 장치(30) 및 전해 재생 처리 장치(10)에 의하면, 재생 탱크(12) 내에서의 전해에 의한 에칭 처리액의 재생 시에, 슬러지의 발생이 매우 적어, 도 5에 나타낸 종래의 에칭 처리 탱크(104)에서 발생하는 슬러지량에 비교해서 약 1/10 정도로 억제할 수 있다. 따라서, 도 1에 나타낸 처리 장치(30) 및 전해 재생 처리 장치(10)에서는, 재생된 재생 에칭액 및 에칭액중의 슬러지를 제거하기 위한 수단으로서 오버플로우 탱크(34)에 유입한 에칭액 및 재생 에칭액을 처리 탱크(32)에 되돌리기 위해 사용되는 배관(38)의 도중에 필터(42)같은 간단한 수단을 설치하는 정도로 충분하고, 도 5에 나타낸 슬러지 제거 탱크(200) 등의 특별한 장치를 처리 탱크(12)에 별도로 설치할 필요가 없다.

따라서, 도 1에 나타낸 처리 장치(30) 및 전해 재생 처리 장치(10)에서는, 슬러지 제거 작업으로서는 필터(42)의 간단한 교환 정도로 충분하기 때문에, 슬러지 제거 탱크(200)에 침전해서 축적된 슬러지 덩어리를 제거하기 위해 필요한 종래의 작업을 생략할 수 있고, 장치의 소형화도 도모할 수 있다.

다음에, 표 1 및 표 2, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 효과에 대해서 설명한다. 이들 표와 도면은 도 1에 나타낸 바와 같은 전해 재생 처리 장치를 사용하여 금속 이온으로서 과망간산염 수용액을 포함하는 에칭액을 전해 처리한 경우 에 얻어진 실험 결과를 나타내는 것이다.

표 1은 노즐(20a, 20b)의 유무와 교반량(장치를 통과하는 에칭액의 유속)을 변화시킨 경우의, 전해 시간(초기 상태, 2시간, 4시간, 6시간 경과후)마다의 과망간산의 함유율의 변화(상승률) 및 슬러지량의 변화를 나타낸 것이다. 어느 조건에서도, 세로의 구획판(14a, 14b)은 항상 존재한다. 조건 1에서는, 노즐(20a, 20b)이 없으므로, 장치를 통과하는 에칭액의 유속을 67리터/분으로 설정하였다. 조건 2에서는, 마찬가지로 노즐(20a, 20b)이 없지만, 장치를 통과하는 에칭액의 유속을 150리터/분으로 상승시켰다. 조건 3에서는, 노즐(20a, 20b)이 있는 경우, 장치를 통과하는 에칭액의 유속을 67리터/분으로 하였다. 조건 4에서는, 마찬가지로 노즐(20a, 20b)이 있는 경우, 장치를 통과하는 에칭액의 유속을 150리터/분으로 상승시켰다. 도 6은 표 1의 결과를 나타내는 그래프이다.

이 실험 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 재생 전극을 통과하는 유속의 상승과 에칭액 정체 부분의 교반에 의해 재생율, 즉 과망간산 함유 증가율이 상승한다. 그러나, 재생 전극의 통과 유속에 의한 교반만으로는 슬러지를 충분히 제거할 수 없다. 한편, 노즐(20a, 20b)에 의해 교반함으로써, 슬러지의 양을 현저히 감소시킬 수 있다.

표 2는 극비(음극(16b)과 양극(16a)의 전극 면적 비율) 및 양극 전류 밀도를 변화시킨 경우에 얻어진 실험 결과에 의한 재생 효율을 나타내고, 도 7은 그 결과를 나타내는 그래프로서 전류 밀도와 관련된 과망간산 재생율을 나타낸다. 재생률의 피크의 값은, 극비 1:20인 경우와 1:10인 경우간에는 실질적인 차이가 없다. 그러나, 실용적으로는 사용되는 전류 밀도 범위를 가능한한 넓게 허용하기 위해서, 극비를 1:20으로 하는 것이 바람직하다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 전해 재생 처리 장치에 의하면, 에칭 처리액을 전해 재생할 때에, 불용성의 슬러지의 발생을 가급적 적게 할 수 있고, 따라서 슬러지 제거 수단을 간편화 할 수 있고, 슬러지의 제거 작업을 간단화할 수 있으므로, 장치의 소형화를 도모할 수 있다.

Claims

금속 이온을 함유하는 에칭 처리액을 재생하는 전해(electrolytic) 재생 처리 장치에 있어서,

공급측으로부터 공급된 상기 에칭 처리액이 유동 방향을 교대로 상향 또는 하향으로 변경하면서 출구측 방향으로 순차적으로 흐르도록, 내부가, 하단에 에칭액의 통로를 갖는 구획판과, 상단을 넘어 에칭액이 통과하는 구획판을 교대로 배치하여 이루어지는, 복수개의 구획으로 구분된 재생 탱크와,

상기 복수개의 구획 중, 상기 에칭 처리액이 상향으로 흐르는 구획 내에 설치된 에칭액의 전해 처리를 행하는 전극과,

상기 구획 내의 에칭액이 정체(stagnant)되는 부분에 설치된, 상기 에칭액을 교반하는 교반 수단

을 구비하여 이루어지고, 교반된 에칭액을 전해 처리하도록 한 것을 특징으로 하는 전해 재생 처리 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 전극은, 양극과 음극으로 이루어지고, 원통 형상의 그물체(net member)로 이루어지는 양극과, 상기 그물체 내에 삽입된 봉(rod) 형상의 음극으로 구성되고, 상기 그물체 및 상기 봉체가 처리액의 유동 방향을 따라 직립으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전해 재생 처리 장치.
삭제
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 교반 수단은 에칭 처리액의 유동 방향이 하향에서 상향으로 변경되는 부위 근방이며, 재생 탱크의 하부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전해 재생 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 교반 수단은 상기 재생 탱크 내의 에칭 처리액을 분출하는 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 전해 재생 처리 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 재생 탱크로부터 에칭 처리액을 취출(取出)하고, 에칭 처리액을 재차 상기 재생 탱크로 되돌리는 순환 경로가 설치되고, 상기 순환 경로에 상기 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전해 재생 처리 장치.