KR100962437B1 - Plasma Display Panel - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전면 기판, 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판 및 상기 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성되며, 상층 및 하층을 포함하는 격벽을 포함하며, 상기 격벽은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료를 포함하고, 상기 상층의 에칭률은 상기 하층의 에칭률보다 낮은 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.The present invention includes a front substrate, a rear substrate facing the front substrate, and a partition wall formed between the front substrate and the rear substrate, the partition including an upper layer and a lower layer, wherein the partition wall is non-bismuth-based. A plasma display panel comprising a material, wherein the upper layer has an etch rate lower than that of the lower layer.

격벽, 플라즈마 디스플레이 패널 Bulkhead, plasma display panel

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel}Plasma Display Panel

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display panel.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)은 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성된 격벽(Barrier Rib)이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주방전 기체와 소량의 크세논(Xe)을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. In general, a plasma display panel (Barrier Rib) formed between the front substrate and the rear substrate forms a unit cell, each of the neon (Ne), helium (He) or neon and helium An inert gas containing a gas such as a mixed gas (Ne + He) and a small amount of xenon (Xe) is filled.

따라서, 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.Therefore, when discharged by a high frequency voltage, the inert gas generates vacuum ultraviolet rays and emits phosphors formed between the partition walls to realize an image. Such plasma display panels are not only easy to thin and large in size, but also greatly improved as a result of recent technology developments, and thus are attracting attention as next generation display devices.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널에 격벽을 형성하는 방법으로는 샌드 블라스트법과 습식 화학 식각법(Wet Chemical Etching : WCE)이 주로 사용되고 있다. 샌드 블라스트법은 유리 기판 위에 유색 재료를 소정의 두께로 도포, 건조하고 그 위에 내샌드 블라스트성을 가진 마스크를 패턴 상으로 형성한 뒤 샌드 블라스트 가공을 행하여 격벽 이외의 부분을 제거하고, 소성하여 원하는 격벽을 형성하는 방법이다. Sandblasting and wet chemical etching (WCE) are mainly used as a method of forming a partition on the plasma display panel. The sand blasting method is to apply a colored material to a predetermined thickness on a glass substrate, dry it, form a mask having sand blast resistance thereon in a pattern form, and then carry out sand blasting to remove portions other than partition walls, and then fire the desired material. It is a method of forming a partition.

그리고, 습식 화학 식각법은 유리 기판 위에 이종의 유색재료를 도포하고, 500℃이상의 고온에서 소성한 후, 내산성 마스크 패턴을 형성한 뒤, 산계 액체 조합물에 의해 선택적으로 에칭하여 격벽을 형성하는 방법이다. 이외에도 격벽은 스크린 프린트(Screen Print)법, 첨가(Additive Method)법, 금형법 등에 의해 형성될 수 있다.In addition, the wet chemical etching method is a method of coating a heterogeneous colored material on a glass substrate, baking at a high temperature of 500 ° C. or higher, forming an acid resistant mask pattern, and then selectively etching the acidic liquid combination to form a partition wall. to be. In addition, the partition wall may be formed by a screen print method, an additive method, a mold method, or the like.

한편, 격벽은 상기와 같은 방법을 통해 단일층 또는 상/하층의 다중층으로 형성될 수 있다. 그러나, 다중층의 경우에는 상/하층 두 개의 층 이상의 격벽층을 형성한 다음, 소성하고 에칭하는데, 격벽의 경사와 그 형상을 조절하는 에칭공법을 적용할 경우, 단일층으로 격벽층을 형성하는 공정에 비해 그 비용 및 효율이 떨어지는 문제점이 있다.Meanwhile, the partition wall may be formed of a single layer or multiple layers of upper and lower layers by the above method. However, in the case of a multi-layer, two or more partition walls of upper and lower layers are formed, and then fired and etched. When an etching method of controlling the slope and shape of the partition is applied, the partition layer is formed of a single layer. Compared with the process, the cost and efficiency are inferior.

또한, 두 개의 층 이상의 격벽층을 제조하는데 있어서, 동일 조성을 갖는 상층 및 하층의 에칭률이 동일하기 때문에 에칭액에 많이 노출되는 상층의 경우 더 많이 에칭되어 격벽의 형상 조절이 어려운 문제점이 있다. In addition, in the manufacture of two or more barrier rib layers, since the upper and lower layers having the same composition have the same etching rate, the upper layer exposed to the etchant is more etched, which makes it difficult to control the shape of the barrier rib.

그리고, 격벽 형성에 사용되는 물질로는 산화납(PbO)이 주로 사용된 유리분말과 유기물을 혼합한 페이스트가 주로 사용되고 있다. 그러나, 산화납은 인체 및 환경에 유해한 물질로 알려져 있으며, 이 때문에 유리 분말 생산 및 사용에 있어 추가 환경설비를 필요로 하게 되어, 공정 효율이 떨어지며, 제조 원가가 증가하는 문제점이 있다. In addition, as a material used for forming the partition walls, a paste obtained by mixing lead glass (PbO) with a glass powder and an organic substance is mainly used. However, lead oxide is known to be harmful to the human body and the environment, and thus requires additional environmental facilities in the production and use of glass powder, resulting in lower process efficiency and increased manufacturing costs.

따라서, 본 발명은 다중층의 격벽의 형상을 조절하기 용이하고 친환경적인 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.Accordingly, the present invention provides an environmentally friendly plasma display panel that is easy to adjust the shape of the multi-layer partition wall.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판, 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판 및 상기 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성되며, 상층 및 하층을 포함하는 격벽을 포함하며, 상기 격벽은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료를 포함하고, 상기 상층의 에칭률은 상기 하층의 에칭률보다 낮을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plasma display panel includes a front substrate, a rear substrate facing the front substrate, and a partition wall formed between the front substrate and the rear substrate, the partition including an upper layer and a lower layer, wherein the partition wall is non- The non-Bi-based lead-free material may be included, and the etching rate of the upper layer may be lower than that of the lower layer.

상기 상층의 에칭률과 상기 하층의 에칭률의 차이는 10 내지 20%일 수 있다.The difference between the etching rate of the upper layer and the etching rate of the lower layer may be 10 to 20%.

상기 상층의 에칭률은 30 내지 40%일 수 있다.The upper etching rate may be 30 to 40%.

상기 비-비스무스(Non-Bi)계 무기재료는 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The non-bismuth (Non-Bi) -based inorganic material may be any one or more selected from the group consisting of zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO), and phosphoric acid (P 2 O 5 ). It may include.

상기 격벽의 상층은 글라스계 필러를 포함할 수 있다.The upper layer of the partition wall may include a glass filler.

상기 글라스계 필러는 산화크롬(CrO), 산화구리(CuO) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.The glass filler may be any one or more selected from the group consisting of chromium oxide (CrO), copper oxide (CuO), and magnesium oxide (MgO).

상기 상층 및 상기 하층은 세라믹계 필러를 포함할 수 있다.The upper layer and the lower layer may include a ceramic filler.

상기 세라믹계 필러는 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화크롬(CrO), 산화구리(CuO), 산화규소(SiO2), 뮬라이트(3Al2O32SiO2), 마그네시아(magnesia) 및 코디어라이트(cordierite)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.The ceramic filler may be aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), chromium oxide (CrO), copper oxide (CuO), silicon oxide (SiO 2 ), mullite (3Al 2 O 3 2SiO 2 ), Magnesia and cordierite may be any one or more selected from the group consisting of.

본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 다중층의 격벽의 형상을 조절하기 용이하고, 친환경적인 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 이점이 있다.Plasma display panel according to an embodiment of the present invention has the advantage that it is easy to adjust the shape of the multi-layer partition wall, and can provide an environmentally friendly plasma display panel.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.

도 1을 살펴보면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 형성된 전면 패널(100)과, 배면을 이루는 후면 기판(111) 상에 전술한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)과 교차 되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일 정거리를 사이에 두고 나란하게 위치한다.Referring to FIG. 1, a plasma display panel according to an embodiment of the present invention includes a front panel 100 having a scan electrode 102 and a sustain electrode 103 formed on a front substrate 101, and a rear substrate 111 forming a rear surface thereof. The rear panel 110, in which a plurality of address electrodes 113 are arranged so as to intersect the scan electrode 102 and the sustain electrode 103, is positioned side by side with a certain distance therebetween.

상기 전면 패널(100)은 방전 공간, 즉 방전 셀(Cell)에서 방전과 방전 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 위치한다. 보다 자세하게는 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(102a, 103a)과 불투명 금속재질로 제작된 버스 전극(102b, 103b)을 포함하는 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 상기 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체 층(104)에 의해 덮혀진다. 상기 상부 유전체 층(104) 상에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호 층(105)이 위치한다.In the front panel 100, a scan electrode 102 and a sustain electrode 103 are disposed in a discharge space, that is, to maintain discharge and light emission of the discharge cell. More specifically, the scan electrodes 102 and the sustain electrodes 103 including the transparent electrodes 102a and 103a formed of a transparent ITO material and the bus electrodes 102b and 103b made of an opaque metal material are included in pairs. The scan electrode 102 and the sustain electrode 103 are covered by one or more upper dielectric layers 104 that limit the discharge current and insulate the electrode pairs. A protective layer 105 on which magnesium oxide (MgO) is deposited is disposed on the upper dielectric layer 104 to facilitate discharge conditions.

상기 후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 웰 타입(Well Type) 또는 스트라이프 타입의 오픈형의 폐쇄형 격벽(112)을 포함한다. The rear panel 110 includes a plurality of discharge spaces, that is, a closed type partition wall 112 of a well type or stripe type for partitioning discharge cells.

격벽(112)은 상층(112a) 및 하층(112b)을 포함하는 다중층으로 이루어질 수 있다. 격벽(112)의 상층(112a)은 하층(112b)보다 에칭률이 낮을 수 있다. 그리고, 격벽(112)의 상층(112a)의 에칭률과 격벽(112)의 하층(112b)의 에칭률의 차이는 10 내지 20%일 수 있다. 이를 위해, 격벽(112)의 상층(112a)의 에칭률은 30 내지 40%일 수 있다.The partition wall 112 may be formed of a multilayer including an upper layer 112a and a lower layer 112b. The upper layer 112a of the partition wall 112 may have a lower etching rate than the lower layer 112b. The difference between the etching rate of the upper layer 112a of the partition wall 112 and the etching rate of the lower layer 112b of the partition wall 112 may be 10 to 20%. To this end, the etching rate of the upper layer 112a of the partition wall 112 may be 30 to 40%.

한편, 데이터 펄스를 공급하기 위한 다수의 어드레스 전극(113)이 위치한다. On the other hand, a plurality of address electrodes 113 for supplying data pulses are located.

이러한, 격벽(112)에 의해 구획된 복수의 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(114), 바람직하게는 적색(Red : R), 녹색(Green : G), 청색(Blue : B) 형광체 층이 위치한다.In the plurality of discharge cells partitioned by the partition wall 112, the phosphor layer 114 for emitting visible light for image display during address discharge, preferably red (R), green (G). A blue (B) phosphor layer is located.

그리고, 어드레스 전극(113)과 형광체 층(114) 사이에는 하부 유전체 층(115)이 위치한다.The lower dielectric layer 115 is positioned between the address electrode 113 and the phosphor layer 114.

여기서, 상부 유전체 층(104)과 하부 유전체 층(115)이 각 전면 기판(101)과 후면 기판(111) 상에 형성되는 것은 한정되지 않으며, 이와는 반대로 전면 기판(101)과 후면 기판(110) 상에 하부 유전체 층(115)과 상부 유전체 층(104)이 형성되는 것도 가능하다.Here, it is not limited that the upper dielectric layer 104 and the lower dielectric layer 115 are formed on each of the front substrate 101 and the rear substrate 111, and on the contrary, the front substrate 101 and the rear substrate 110 are not limited thereto. It is also possible for the lower dielectric layer 115 and the upper dielectric layer 104 to be formed thereon.

도 1에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 일례만을 도시하고 설명한 것으로써, 본 발명이 도 1의 구조의 플라즈마 디스플레이 패널에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널에는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103), 어드레스 전극(113)이 형성된 것을 도시하고 있지만, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에서는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103) 또는 어드레스 전극(113) 중 하나 이상이 생략될 수도 있다.In FIG. 1, only an example of the plasma display panel is shown and described, and the present invention is not limited to the plasma display panel having the structure of FIG. 1. For example, although the scan electrode 102, the sustain electrode 103, and the address electrode 113 are formed in the plasma display panel of FIG. 1, the scan electrode 102 and the sustain electrode are shown in the plasma display panel of the present invention. One or more of the 103 or the address electrode 113 may be omitted.

또한, 도 1에서는 방전 셀을 구획하기 위한 격벽(112)이 후면 기판(111) 상에 형성된 경우만을 도시하고 있지만, 이와는 다르게 격벽(112)이 전면 기판(101) 상에 형성되는 것도 가능하며, 전면 기판(101)과 후면 기판(112)에 각각 형성될 수 있다.In addition, in FIG. 1, only the case where the partition wall 112 for partitioning the discharge cells is formed on the rear substrate 111 is illustrated. Alternatively, the partition wall 112 may be formed on the front substrate 101. It may be formed on the front substrate 101 and the rear substrate 112, respectively.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 격벽을 제조하기 위한 격벽 조성물에 대해 설명한다.Hereinafter, a partition wall composition for manufacturing a plasma display panel partition wall according to an embodiment of the present invention will be described.

격벽 조성물은 무기물 분말, 바인더, 분산제, 가소제 및 용제를 포함할 수 있다.The partition composition may include an inorganic powder, a binder, a dispersant, a plasticizer and a solvent.

상기 무기물 분말은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료로 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)을 주성분으로 할 수 있다.The inorganic powder is a non-bismuth (Non-Bi) -based lead-free material and may be composed of zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and phosphoric acid (P 2 O 5 ) as main components. .

상기 산화 아연(ZnO)은 유리수식제로서 격벽의 유리전이온도(Tg), 유전율, 열팽창계수(CTE)와 겔화 빈도를 낮추는 반면에, 에칭률을 향상시키는 기능을 한다.The zinc oxide (ZnO) serves to improve the etching rate while lowering the glass transition temperature (Tg), dielectric constant, coefficient of thermal expansion (CTE) and gelation frequency of the barrier rib as a glass formula.

산화붕소(B2O3)는 밝은색을 나타내는 유리형성제로서 격벽의 유리전이온도(Tg)를 높이고, 열팽창계수(CTE)를 낮추는 반면, 에칭률과 겔화 빈도를 높이는 역할을 한다. Boron oxide (B 2 O 3 ) is a light-colored glass forming agent that increases the glass transition temperature (Tg) of the partition walls and lowers the coefficient of thermal expansion (CTE), while increasing the etching rate and gelation frequency.

상기 산화 바륨(BaO)은 어두운 유색을 나타내는 유리수식제로서, 격벽의 유리전이온도(Tg)를 낮추고, 에칭률, 유전율, 열팽창계수(CTE)와 겔화 빈도를 높이는 역할을 한다. The barium oxide (BaO) is a glass formula having a dark color, serves to lower the glass transition temperature (Tg) of the partition wall, increase the etching rate, dielectric constant, coefficient of thermal expansion (CTE) and gelation frequency.

상기 인산(P2O5)은 밝은색을 나타내는 유리형성제로서 격벽의 유리전이온도(Tg)와 에칭률을 약간 높이는 효과가 있으며, 유전율을 낮추고 열팽창계수(CTE)와 겔화 빈도를 약간 낮추는 기능을 한다.The phosphoric acid (P 2 O 5 ) is a light-forming glass forming agent has the effect of slightly increasing the glass transition temperature (Tg) and the etching rate of the partition wall, and the function of lowering the dielectric constant and slightly lowering the coefficient of thermal expansion (CTE) and gelation frequency Do it.

또한, 상기 무기물 분말은 산화규소(SiO2), 산화나트륨(Na2O) 및 산화리튬(Li2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. In addition, the inorganic powder may further include any one or more selected from the group consisting of silicon oxide (SiO 2 ), sodium oxide (Na 2 O), and lithium oxide (Li 2 O).

상기 산화 규소(SiO2)는 밝은색을 나타내는 유리형성제로서 격벽의 유리전이 온도(Tg)를 높이고, 열팽창계수(CTE) 및 에칭률을 급격히 낮추며, 겔화 빈도를 낮추는 역할을 한다.The silicon oxide (SiO 2 ) is a light-forming glass forming agent to increase the glass transition temperature (Tg) of the partition wall, to rapidly lower the coefficient of thermal expansion (CTE) and etching rate, and to lower the gelation frequency.

상기 산화나트륨(Na2O) 및 상기 산화리튬(Li2O)은 조성물의 유리전이온도(Tg)를 낮춤으로써 소성온도를 제어할 수 있고, 열팽창계수(CTE)를 약간 높이는 기능을 한다. The sodium oxide (Na 2 O) and the lithium oxide (Li 2 O) can control the firing temperature by lowering the glass transition temperature (Tg) of the composition, and serves to slightly increase the coefficient of thermal expansion (CTE).

전술한 바와 같이, 격벽 조성물의 무기물 분말은 상기 비-비스무스(Bi)계 무연재료로 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.As described above, the inorganic powder of the partition composition is a non-bismuth (Bi) -based lead-free material, zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and phosphoric acid (P 2 O 5 ) It may include any one or more selected from the group consisting of.

상기 바인더로는 제 1 단량체, 제 2 단량체 및 제 3 단량체를 포함할 수 있다.The binder may include a first monomer, a second monomer, and a third monomer.

제 1 단량체는 헥사 아크릴레이트 단량체를 사용할 수 있으며, 예를 들어 헥사 메타크릴레이트 또는 2-에틸 헥사 메타크릴레이트일 수 있다.The first monomer may use a hexa acrylate monomer, for example hexa methacrylate or 2-ethyl hexa methacrylate.

제 2 단량체는 탄소수가 1 내지 5인 알킬기를 가지는 아크릴레이트 단량체를 사용할 수 있으며, 예를 들어 메타아크릴레이트, 이소-부틸 메타크릴레이트, 노멀-부틸 메타크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 및 에틸 메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.As the second monomer, an acrylate monomer having an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms may be used, for example, methacrylate, iso-butyl methacrylate, normal-butyl methacrylate, methyl methacrylate and ethyl methacrylate. At least one selected from the group consisting of a rate.

제 3 단량체는 극성기 함유 단량체를 사용할 수 있으며, 예를 들어 메타크릴레이트, 아크릴레이트, 2-히드록시 에틸 메타크릴레이트 및 메타크릴릭산으로 이루 어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.The third monomer may be a polar group-containing monomer, for example, may be any one or more selected from the group consisting of methacrylate, acrylate, 2-hydroxy ethyl methacrylate and methacrylic acid.

여기서, 바인더는 제 1 단량체, 제 2 단량체 및 제 3 단량체를 포함할 수 있으며, 각각의 함량은 전체 바인더 100 중량부에 대해서 제 1 단량체는 60 내지 85 중량부를 포함할 수 있고, 제 2 단량체는 10 내지 20 중량부를 포함할 수 있고, 제 3 단량체는 5 내지 20 중량부로 포함할 수 있다.Herein, the binder may include a first monomer, a second monomer, and a third monomer, each of the contents may include 60 to 85 parts by weight based on 100 parts by weight of the total binder, and the second monomer may include It may include 10 to 20 parts by weight, and the third monomer may include 5 to 20 parts by weight.

상기 가소제는 건조막에 유연성을 부여하는 역할을 하며, 예를 들어 부틸벤질프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디이소옥틸프탈레이트, 디카프릴프탈레이트, 디부틸프탈레이트 등을 사용할 수 있으며, 이들로부터 선택된 어느 하나 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.The plasticizer serves to impart flexibility to the dry film, and for example, butyl benzyl phthalate, dioctyl phthalate, diisooctyl phthalate, dicapryl phthalate, dibutyl phthalate, and the like may be used. It can also be mixed and used.

상기 용매로는 바인더를 용해시킬 수 있고, 가교제 및 기타 첨가제와 잘 혼합되면서 비등점이 150도 이상인 것을 사용할 수 있으며 예를 들어, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콘모노메틸에테르아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트 및 트리프로필렌글리콜로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.As the solvent, the binder may be dissolved, and a boiling point of 150 ° C. or more may be used while being well mixed with a crosslinking agent and other additives. For example, ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, Texanol, terpin oil, dipropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol ethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate and tripropylene glycol Can be.

용매는 바인더의 함량에 대해 일정비로 포함될 수 있으며, 바인더 100 중량부에 대하여 100 내지 500 중량부의 양으로 포함될 수 있다.The solvent may be included in a certain ratio with respect to the content of the binder, it may be included in an amount of 100 to 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the binder.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 격벽 조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로는 산화방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 감도를 향상시키는 증감제, 분산성을 향상시키는 분산제 등을 포함할 수 있다. In addition, the partition composition according to an embodiment of the present invention may further include an additive. The additives may include antioxidants, ultraviolet light absorbers to improve resolution, sensitizers to improve sensitivity, dispersants to improve dispersibility, and the like.

또한, 인산, 인산에스테르, 카르복실산 함유 화합물 등의 코팅 조성물의 보존성을 향상시키는 중합 금지제 및 폴리에스테로 변성 디메틸폴리실록산, 폴리히드록시카르복실산 아미드, 실리콘계 폴리아크릴레이트 공중합체 또는 불소계 파라핀 화합물 등의 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제를 더 포함할 수 있다.In addition, polymerization inhibitors and polyester-modified dimethylpolysiloxanes, polyhydroxycarboxylic acid amides, silicone-based polyacrylate copolymers or fluorine-based paraffin compounds which improve the storage properties of coating compositions such as phosphoric acid, phosphate esters and carboxylic acid-containing compounds It may further include a leveling agent for improving the flatness of the film during printing, such as.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 조성물은, 격벽의 상층을 형성하는 상층 조성물 및 격벽의 하층을 형성하는 하층 조성물로 나눌 수 있다.Meanwhile, the partition composition of the plasma display panel according to an embodiment of the present invention may be divided into an upper layer composition forming an upper layer of the partition wall and a lower layer composition forming a lower layer of the partition wall.

상기 상층 조성물은 격벽의 상층을 형성하는 조성물로, 전술한 무기물 분말, 바인더, 분산제, 가소제 및 용제를 포함할 수 있으며, 상기 무기물 분말에는 세라믹계 필러를 포함하며, 글라스계 필러를 더 포함할 수 있다.The upper layer composition is a composition forming an upper layer of the partition wall, and may include the above-described inorganic powder, a binder, a dispersant, a plasticizer, and a solvent. The inorganic powder may include a ceramic filler, and may further include a glass filler. have.

여기서, 상기 세라믹계 필러는 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 티타늄(TiO2), 산화 크롬(CrO), 산화 아연(ZnO), 산화 구리(CuO), 산화 규소(SiO2), 뮬라이트(3Al2O32SiO2), 마그네시아(magnesia) 및 코디어라이트(cordierite)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The ceramic filler may include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), chromium oxide (CrO), zinc oxide (ZnO), copper oxide (CuO), silicon oxide (SiO 2 ), mullite ( 3Al 2 O 3 2SiO 2 ), magnesia (magnesia) and cordierite (cordierite) may include any one or more selected from the group consisting of.

그리고, 상기 글라스계 필러는 산(acid)에 대해 내에칭성이 우수한 재료들일 수 있으며, 산화크롬(CrO), 산화구리(CuO) 또는 산화 마그네슘(MgO) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.In addition, the glass-based filler may be materials having excellent etching resistance to acids, and may include any one or more of chromium oxide (CrO), copper oxide (CuO), or magnesium oxide (MgO).

여기서, 상기 세라믹계 필러 및 글라스계 필러는 상기 상층 조성물의 무기물 분말 100 중량부에 대해 20 내지 60 중량부로 포함될 수 있다.Here, the ceramic filler and the glass filler may be included in an amount of 20 to 60 parts by weight based on 100 parts by weight of the inorganic powder of the upper layer composition.

상기 하층 조성물은 격벽의 하층을 형성하는 조성물로, 전술한 무기물 분말, 바인더, 분산제, 가소제 및 용제를 포함할 수 있다. 전술한 상층 조성물과는 달리, 하층 조성물은 무기물 분말에 세라믹계 필러만을 포함할 수 있다.The lower layer composition is a composition forming a lower layer of the partition wall, and may include the above-described inorganic powder, a binder, a dispersant, a plasticizer, and a solvent. Unlike the above upper layer composition, the lower layer composition may include only a ceramic filler in the inorganic powder.

여기서, 상기 세라믹계 필러는 상기 하층 조성물의 무기물 분말 100 중량부에 대해 20 내지 60 중량부로 포함될 수 있다.Here, the ceramic filler may be included in 20 to 60 parts by weight based on 100 parts by weight of the inorganic powder of the lower layer composition.

즉, 상층 조성물에는 산에 대한 내에칭성이 우수한 글라스계 필러를 더 포함함으로써, 격벽의 상층의 에칭률을 낮출 수 있다. That is, the etching rate of the upper layer of a partition can be reduced by further including the glass-type filler excellent in the etching resistance to an acid in an upper layer composition.

이하, 전술한 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 조성물을 이용하여, 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 제조하는 공정을 설명하면 다음과 같다. 하기에서는 그린시트를 이용하여 2층 격벽을 형성하는 것을 개시한다.Hereinafter, a process of manufacturing the partition wall of the plasma display panel using the plasma display panel partition wall composition according to the exemplary embodiment described above will be described. Hereinafter, the formation of the two-layer partition wall using the green sheet will be disclosed.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 제조방법을 나타낸 공정별 단면도이다.2A through 2D are cross-sectional views illustrating processes of manufacturing a partition wall of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽은, 베이스 필름(210) 상에 격벽의 상층으로 형성되는 상층 조성물을 도포하여 상층 조성물층(220)을 형성하고, 이어서, 격벽의 하층으로 형성되는 하층 조성물을 도포하여 하층 조성물층(230)을 형성한다. First, referring to FIG. 2A, the barrier rib of the plasma display panel according to the exemplary embodiment of the present invention is coated with an upper layer composition formed as an upper layer of the barrier rib on the base film 210 to form an upper layer composition layer 220. Next, the lower layer composition formed by the lower layer of a partition is apply | coated and the lower layer composition layer 230 is formed.

상기 상층 조성물 및 하층 조성물은 각각 전술한 무기물 분말, 바인더, 가소제, 분산제 및 용매를 혼합하고, 상기 상층 조성물의 무기물 분말에는 세라믹계 필러 및 글라스계 필러를 포함하고, 상기 하층 조성물의 무기물 분말에는 세라믹계 필러만을 포함한다. The upper layer composition and the lower layer composition are each mixed with the above-described inorganic powder, a binder, a plasticizer, a dispersant and a solvent, the inorganic powder of the upper composition includes a ceramic filler and a glass filler, and the inorganic powder of the lower composition It only contains a system filler.

그리고, 상층 및 하층 조성물을 도포하기 위해서는 조성물들이 베이스 필름에 도포될 때, 상층 조성물과 하층 조성물이 서로 섞이지 않아야 한다. 이를 위해, 상층 조성물의 점도가 하층 조성물의 점도보다 높아야 한다. 만약 점도가 동일할 경우, 상기 조성물들의 유동 특성이 동일하여 코팅시 섞이는 현상이 발생할 수 있다. 이와 더불어, 상층 조성물층(220)과 하층 조성물층(230) 사이에 밀도 차이가 존재하도록 설계할 수도 있다.In addition, in order to apply the upper layer and the lower layer composition, when the compositions are applied to the base film, the upper layer composition and the lower layer composition should not be mixed with each other. For this purpose, the viscosity of the upper composition must be higher than the viscosity of the lower composition. If the viscosity is the same, the flow characteristics of the compositions are the same may cause mixing phenomenon during coating. In addition, it may be designed such that there is a difference in density between the upper composition layer 220 and the lower composition layer 230.

또한, 상층 조성물층(220)과 하층 조성물층(230)은 동일한 조건 하에서 에칭률이 다르며, 여기서 상층 조성물층(220)은 하층 조성물층(230)보다 에칭률이 낮아야 한다. 이를 위해, 상층 조성물에 글라스계 필러를 더 첨가하여 에칭률을 다르게 설계한다.In addition, the upper composition layer 220 and the lower composition layer 230 is different in the etching rate under the same conditions, where the upper composition layer 220 should be lower than the lower composition layer 230. To this end, the glass-based filler is further added to the upper composition to design the etching rate differently.

이어, 상층 조성물층(220)과 하층 조성물층(230)이 베이스 필름(210) 상에 형성한 후 건조하고, 보호 시트(240)를 부착함으로써 그린 시트(200)가 형성된다.Subsequently, the upper layer composition layer 220 and the lower layer composition layer 230 are formed on the base film 210 and then dried, and the green sheet 200 is formed by attaching the protective sheet 240.

이어, 도 2b를 참조하면, 하부 유전체층(310) 및 어드레스 전극(320)이 형성된 하부 기판(300) 상에 그린 시트(200)가 전사된다. Next, referring to FIG. 2B, the green sheet 200 is transferred onto the lower substrate 300 on which the lower dielectric layer 310 and the address electrode 320 are formed.

즉, 그린 시트(200)의 보호 시트를 박리한 후, 하부 기판(300) 표면에 하층 조성물층(230)의 표면이 접하도록 배열한다. 이때, 그린 시트를 배열하는 방향은 어드레스 전극(320)의 방향과 수평 또는 수직일 수 있으며, 특별한 제한이 있는 것은 아니다.That is, after peeling the protective sheet of the green sheet 200, the lower substrate 300 is arranged so that the surface of the lower layer composition layer 230 is in contact with the surface. In this case, the direction in which the green sheet is arranged may be horizontal or vertical to the direction of the address electrode 320, and there is no particular limitation.

다음, 하부 기판(300) 상에 상층 조성물층(220) 및 하층 조성물층(230)이 전사될 수 있도록 그린 시트 상에 가열된 롤러를 이동시켜 열압착한다. Next, the heated roller is moved on the green sheet so as to transfer the upper layer composition layer 220 and the lower layer composition layer 230 onto the lower substrate 300 to be thermocompressed.

이어, 도 2c에 도시된 바와 같이, 그린 시트의 베이스 필름(210)을 박리하여 제거한다. 그 다음, 상층 조성물층(220) 및 하층 조성물층(230)이 전사된 하부 기판(300)을 500℃ 이상의 온도에서 열처리하여 상기 상층 조성물층(220) 및 하층 조성물층(230)을 소성한다.Then, as shown in Figure 2c, the base film 210 of the green sheet is peeled off. Subsequently, the lower substrate 300 to which the upper composition layer 220 and the lower composition layer 230 are transferred are heat-treated at a temperature of 500 ° C. or higher to fire the upper composition layer 220 and the lower composition layer 230.

다음, 도 2d를 참조하면, 상층 조성물층(220) 및 하층 조성물층(230)이 형성된 하부 기판(300) 상에 마스크를 위치시킨 후, 에칭하여 상층(330) 및 하층(340)을 구비하는 격벽(350)을 형성한다.Next, referring to FIG. 2D, the mask is positioned on the lower substrate 300 on which the upper layer composition layer 220 and the lower layer composition layer 230 are formed, and then etched to include the upper layer 330 and the lower layer 340. The partition wall 350 is formed.

상기 에칭 공정에서는, 상층 조성물층(220)에 포함된 글라스계 필러로 인해, 격벽의 상층(330) 및 하층(340)이 에칭률의 차이를 가질 수 있다. In the etching process, due to the glass filler included in the upper layer composition layer 220, the upper layer 330 and the lower layer 340 of the partition wall may have a difference in etching rate.

보다 자세하게, 격벽의 상층(330)의 에칭률이 격벽의 하층(340)의 에칭률보다 낮도록 형성할 수 있다. 즉, 격벽의 상층(330)이 에칭되고 이어 격벽의 하층(340)이 에칭되는 동안 격벽의 상층(330)이 식각액에 의한 손상을 적게 받게 되고 이에 따라, 구조적 기계적으로 안정한 직사각형 또는 사다리꼴의 단면 형상을 갖는 격벽을 형성할 수 있다. In more detail, the etching rate of the upper layer 330 of the barrier rib may be lower than that of the lower layer 340 of the barrier rib. That is, while the upper layer 330 of the partition is etched and then the lower layer 340 of the partition is etched, the upper layer 330 of the partition is less damaged by the etchant and thus has a structural or mechanically stable rectangular or trapezoidal cross-sectional shape. It is possible to form a partition having a.

이를 위해서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 조성물은 상기 상층 조성물에 글라스계 필러를 더 첨가할 수 있다. 이하, 자세 한 설명은 후술하는 실험예에서 개시한다. To this end, in the plasma display panel partition wall composition according to an embodiment of the present invention, a glass filler may be further added to the upper layer composition. Hereinafter, a detailed description will be disclosed in the experimental example described later.

따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 제조할 수 있다.Therefore, the partition wall of the plasma display panel according to an embodiment of the present invention can be manufactured.

이하, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽의 제조방법에 따른 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시 예는 본 발명의 바람직한 일 실시 예일 뿐, 본 발명이 하기의 실시 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment according to a method of manufacturing a partition of a plasma display panel of the present invention will be described. However, the following embodiments are merely preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments.

실험 : 플라즈마 디스플레이 패널 격벽 조성물에 포함되는 필러에 따른 격벽의 에칭률 측정Experiment: Measurement of the etching rate of the partition according to the filler included in the plasma display panel partition composition

<실험예 1>Experimental Example 1

무기물 분말과 바인더, 가소제, 분산제 및 용제를 혼합하여 플라즈마 디스플레이 패널 격벽용 조성물을 제조하였다.An inorganic powder, a binder, a plasticizer, a dispersant, and a solvent were mixed to prepare a plasma display panel partition composition.

무기물 분말은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료로 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)을 주요 구성 요소로 하고, 세라믹계 필러인 산화알루미늄(Al2O3) 21g과 글라스계 필러인 산화 마그네슘(MgO) 21g을 혼합하여 총 70g을 혼합하였다.The inorganic powder is a non-bismuth (non-Bi) -based lead-free material, with zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO), and phosphoric acid (P 2 O 5 ) as main components. A total of 70 g was mixed by mixing 21 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), which is a ceramic filler, and 21 g of magnesium oxide (MgO), which is a glass filler.

다음, 상기 제조된 무기물 분말 70g과, 바인더로 에틸셀룰로오스 15g, 분산 제로 폴리이소부틸렌 2.5g, 가소제로 프탈레이트 2.5g, 용제로 부틸카비톨 아세테이트(BCA) 10g을 혼합하여 격벽 조성물을 제조하였다.Next, the partition composition was prepared by mixing 70 g of the prepared inorganic powder, 15 g of ethyl cellulose as a binder, 2.5 g of polyisobutylene as a dispersant, 2.5 g of phthalate as a plasticizer, and 10 g of butylcarbitol acetate (BCA) as a solvent.

다음, 유리 기판 상에 상기 제조된 격벽용 조성물을 200㎛의 두께로 코팅하고 건조한 후, 500℃의 온도에서 소성하여 격벽층을 형성하였다.Next, the barrier composition was coated on a glass substrate with a thickness of 200 μm, dried, and then fired at a temperature of 500 ° C. to form a barrier layer.

그리고, 상기 제조된 격벽층을 에칭하여 에칭률을 측정하였다.Then, the prepared barrier layer was etched to measure the etching rate.

<실험예 2>Experimental Example 2

전술한 실험예 1과 동일한 조건 하에, 무기물 분말은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료로 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)을 주요 구성 요소로 하고, 세라믹계 필러인 산화알루미늄(Al2O3) 21g, 산화티타늄(TiO2) 3.5g과 글라스계 필러인 산화 마그네슘(MgO) 17.5g을 혼합하여 총 70g을 혼합하여, 격벽층을 제조하였다.Under the same conditions as in Experimental Example 1, the inorganic powder is a non-bismuth (Non-Bi) -based lead-free material, zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and phosphoric acid (P 2 O 5 ) is a main component, and a total of 70 g is mixed by mixing 21 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), which is a ceramic filler, 3.5 g of titanium oxide (TiO 2), and 17.5 g of magnesium oxide (MgO), which is a glass filler. And the partition layer was produced.

<실험예 3>Experimental Example 3

전술한 실험예 1과 동일한 조건 하에, 무기물 분말은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료로 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)을 주요 구성 요소로 하고, 세라믹계 필러인 산화알루미늄(Al2O3) 14g과 글라스계 필러인 산화 마그네슘(MgO) 14g을 혼합하여 총 70g을 혼합하여, 격벽층을 제조하였다.Under the same conditions as in Experimental Example 1, the inorganic powder is a non-bismuth (Non-Bi) -based lead-free material, zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and phosphoric acid (P 2 O 5 ) as a main component, and 14 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), which is a ceramic filler, and 14 g of magnesium oxide (MgO), which is a glass filler, were mixed and a total of 70 g was mixed to prepare a partition layer.

<실험예 4>Experimental Example 4

전술한 실험예 1과 동일한 조건 하에, 무기물 분말은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료로 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)을 주요 구성 요소로 하고, 세라믹계 필러인 산화알루미늄(Al2O3) 42g을 혼합하여 총 70g을 혼합하여, 격벽층을 제조하였다.Under the same conditions as in Experimental Example 1, the inorganic powder is a non-bismuth (Non-Bi) -based lead-free material, zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and phosphoric acid (P 2 O 5 ) was used as a main component, and 42 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), which is a ceramic filler, was mixed and a total of 70 g was mixed to prepare a partition layer.

<실험예 5>Experimental Example 5

전술한 실험예 1과 동일한 조건 하에, 무기물 분말은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료로 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)을 주요 구성 요소로 하고, 세라믹계 필러인 산화알루미늄(Al2O3) 21g과 산화티타늄(TiO2) 11g을 혼합하여 총 70g을 혼합하여, 격벽층을 제조하였다.Under the same conditions as in Experimental Example 1, the inorganic powder is a non-bismuth (Non-Bi) -based lead-free material, zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and phosphoric acid (P 2 O 5 ) as a main component, a total of 70 g by mixing 21 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), which is a ceramic filler, and 11 g of titanium oxide (TiO 2 ), were mixed to prepare a partition layer.

<실험예 6>Experimental Example 6

전술한 실험예 1과 동일한 조건 하에, 무기물 분말은 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료로 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)을 주요 구성 요소로 하고, 세라믹계 필러인 산화알루미늄(Al2O3) 28g을 혼합하여 총 70g을 혼합하여, 격벽층을 제조하였다.Under the same conditions as in Experimental Example 1, the inorganic powder is a non-bismuth (Non-Bi) -based lead-free material, zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO) and phosphoric acid (P 2 The main component was O 5 ), and 28 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), which is a ceramic filler, was mixed and a total of 70 g was mixed to prepare a partition layer.

상기 실험예 1 내지 6에 따라 제조된 격벽층의 에칭률을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The etching rate of the barrier rib layer prepared according to Experimental Examples 1 to 6 was measured and shown in Table 1 below.


무기물 분말 총 70(g)
Mineral Powder Total 70 (g)
격벽층의 에칭률(%)Etch rate of barrier layer (%)
세라믹계 필러(g)Ceramic Filler (g) 글라스계 필러(g)Glass filler (g) 실험예1Experimental Example 1 2121 2121 34.134.1 실험예2Experimental Example 2 24.524.5 17.517.5 38.438.4 실험예3Experimental Example 3 1414 1414 40.340.3 실험예4Experimental Example 4 4242 00 51.951.9 실험예5Experimental Example 5 3232 00 53.853.8 실험예6Experimental Example 6 2828 00 55.255.2

여기서, 격벽의 에칭률(%)은 격벽 조성물을 200㎛의 두께로 도포하고 소성하여 110㎛의 격벽층을 형성하고, 질산 3%용액으로 격벽층을 3분동안 식각하여 식각된 깊이와 격벽층의 두께를 백분율로 계산하여 나타낸 값이다. Herein, the etching rate (%) of the partition wall is obtained by applying the partition composition to a thickness of 200 µm and firing to form a partition layer of 110 µm, and etching the partition layer for 3 minutes with a 3% nitric acid solution. The thickness is calculated by the percentage.

상기 표 1에서 나타나는 바와 같이, 실험예 1 내지 6에 의해 제조된 격벽층의 에칭률을 살펴보면, 글라스계 필러를 포함하는 실험예 1 내지 3에 의해 제조된 격벽층의 에칭률은 30 내지 40%정도이고, 세라믹계 필러를 포함하는 실험예 4 내지 6에 의해 제조된 격벽층의 에칭률은 50% 이상인 것을 알 수 있다.As shown in Table 1, looking at the etching rate of the barrier rib layer prepared by Experimental Examples 1 to 6, the etching rate of the barrier rib layer prepared by Experimental Examples 1 to 3 including a glass-based filler is 30 to 40% It is understood that the etching rate of the barrier rib layer manufactured by Experimental Examples 4 to 6 including the ceramic filler is 50% or more.

여기서, 전술한 바와 같이, 격벽의 상층의 에칭률은 격벽의 하층의 에칭률보다 낮아야 격벽의 에칭 공정 시, 격벽의 형상을 제어하기 용이하다. Here, as described above, the etching rate of the upper layer of the partition wall must be lower than the etching rate of the lower layer of the partition wall, so that the shape of the partition wall can be easily controlled during the etching process of the partition wall.

따라서, 상기 표 1에서 나타나는 바와 같이, 에칭률이 낮은 실험예 1 내지 3의 조성물을 격벽의 상층으로 형성하고, 에칭률이 높은 실험예 4 내지 6의 조성물을 격벽의 하층으로 형성하는 것이 격벽 형상을 제어하기 용이할 수 있음을 알 수 있다. Therefore, as shown in Table 1, forming the composition of Experimental Examples 1 to 3 having a low etching rate as the upper layer of the partition wall, and forming the composition of Experimental Examples 4 to 6 with a high etching rate as the lower layer of the partition wall It can be seen that it can be easy to control.

그러므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽은 상층과 하층의 에칭률의 차이를 두어, 격벽 제조를 위한 에칭 공정 시, 기계적 구조적으로 안정한 사다리꼴 또는 직사각형의 격벽 형상을 제조할 수 있다.Therefore, the partition wall of the plasma display panel according to an embodiment of the present invention has a difference in the etching rate between the upper layer and the lower layer, and thus, a structurally stable trapezoidal or rectangular partition wall shape may be manufactured during the etching process for fabricating the partition wall. .

따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 격벽의 상층과 격벽의 하층의 에칭률 차이를 10% 이상으로 형성함으로써, 격벽의 형상을 제어하기 용이한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 이점이 있다.Therefore, the plasma display panel according to an embodiment of the present invention has an advantage of providing a plasma display panel that can easily control the shape of the partition wall by forming a difference in etching rate between the upper layer and the lower layer of the partition wall by 10% or more. There is this.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 도면.1 illustrates a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 제조하는 공정별 단면도.2A to 2D are cross-sectional views of processes for manufacturing barrier ribs of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

Claims (8)

전면 기판;Front substrate; 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판; 및A rear substrate facing the front substrate; And 상기 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성되며, 상층 및 하층을 포함하는 격벽을 포함하며,A partition wall formed between the front substrate and the rear substrate, the partition including an upper layer and a lower layer, 상기 격벽은 산화아연(ZnO), 산화붕소(B2O3), 산화바륨(BaO) 및 인산(P2O5)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 비-비스무스(Non-Bi)계 무연재료를 포함하고, The barrier rib is non-bismuth (Non-Bi) including any one or more selected from the group consisting of zinc oxide (ZnO), boron oxide (B 2 O 3 ), barium oxide (BaO), and phosphoric acid (P 2 O 5 ). Including a system lead-free material, 상기 격벽의 상층은 글라스계 필러 및 세라믹계 필러를 포함하고, 상기 격벽의 하층은 세라믹계 필러를 포함하며,The upper layer of the partition includes a glass filler and a ceramic filler, the lower layer of the partition includes a ceramic filler, 상기 상층의 에칭률은 상기 하층의 에칭률보다 낮은 플라즈마 디스플레이 패널.And an etching rate of the upper layer is lower than that of the lower layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상층의 에칭률과 상기 하층의 에칭률의 차이는 11.6 내지 21.1%인 플라즈마 디스플레이 패널.And a difference between the etching rate of the upper layer and the etching rate of the lower layer is 11.6 to 21.1%. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 상층의 에칭률은 34.1 내지 40.3%인 플라즈마 디스플레이 패널.And the etching rate of the upper layer is 34.1 to 40.3%. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 글라스계 필러는 산화크롬(CrO), 산화구리(CuO) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 플라즈마 디스플레이 패널.The glass filler is any one or more selected from the group consisting of chromium oxide (CrO), copper oxide (CuO) and magnesium oxide (MgO). 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세라믹계 필러는 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화크롬(CrO), 산화구리(CuO), 산화규소(SiO2), 뮬라이트(3Al2O32SiO2), 마그네시아(magnesia) 및 코디어라이트(cordierite)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 플라즈마 디스플레이 패널.The ceramic filler may be aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), chromium oxide (CrO), copper oxide (CuO), silicon oxide (SiO 2 ), mullite (3Al 2 O 3 2SiO 2 ), A plasma display panel, which is at least one selected from the group consisting of magnesia and cordierite.
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