KR20090100598A - Plasma display panel dielectric substance composition, plasma display panel comprising the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A plasma display panel dielectric composition and a plasma display panel comprising the same are provided to reduce the power consumption of the plasma display panel. CONSTITUTION: A plasma display panel dielectric composition comprises a glass frit. The glass frit is composed of 10-45 parts of boron oxide(B2O3), 9-35 parts of zinc oxide(ZnO), 8-35 parts of aluminium oxide(Al2O3), 3-25 parts of silicon oxide(SiO2), and 5-30 parts of bismuth oxide(Bi2O3). The plasma display panel comprises a front substrate(101), rear substrate(111) and dielectric layers(104, 115). The rear substrate faces against the front substrate. The dielectric layers are positioned between the front and rear substrates. The dielectric layers include the glass frit.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물, 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel Dielectric Substance Composition, Plasma Display Panel Comprising The Same}Plasma Display Panel Dielectric Substance Composition, Plasma Display Panel Comprising The Same}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display panel dielectric composition and a plasma display panel comprising the same.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display panel dielectric composition and a plasma display panel comprising the same.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)은 전면 기판과 후면 기판에 형성된 각각의 상부 유전체 및 하부 유전체와 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성된 격벽(Barrier Rip)이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주방전 기체와 소량의 크세논(Xe)을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 따라서, 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라 즈마 디스플레이 패널은 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.In general, a plasma display panel (Plasma Display Panel) is a unit cell is formed by each of the upper and lower dielectric formed on the front substrate and the rear substrate and a barrier rip formed between the front substrate and the rear substrate, each cell The inside is filled with a gas such as neon (Ne), helium (He) or a mixture of neon and helium (Ne + He), and an inert gas containing a small amount of xenon (Xe). Therefore, when discharged by a high frequency voltage, the inert gas generates vacuum ultraviolet rays and emits phosphors formed between the partition walls to realize an image. Such plasma display panels are not only easy to thin and large in size, but are also being spotlighted as next generation display devices by providing greatly improved image quality thanks to recent technology development.

상기 유전체는 플라즈마 방전시 방전전류를 제한하여 글로우 방전을 유지하고 벽 전하 축적을 통해 메모리 기능과 전압을 저하시키는 역할을 한다. 상기 유전체층을 형성하는 방법으로는 유리분말 등의 분말 성분과 첨가제를 혼합 반죽하여 제작한 페이스트 형태의 유전체용 형성 재료를 스크린 인쇄법으로 형성하고 소성하는 방법을 사용할 수 있다.The dielectric serves to limit the discharge current during plasma discharge to maintain glow discharge and to reduce memory function and voltage through wall charge accumulation. As the method for forming the dielectric layer, a method of forming and baking a paste-type dielectric material formed by mixing and kneading a powder component such as glass powder and an additive may be used.

여기서, 상기 유전체 형성에 사용되는 유전체 물질로는 산화납(PbO)이 사용된 유리분말과 유기물의 혼합한 페이스트가 주로 사용되고 있다. 그러나, 산화납은 인체 및 환경에 유해한 물질로 알려져 있으며, 이 때문에 유리 분말 생산 및 사용에 있어 추가 환경설비를 필요로 하게 되어, 공정 효율이 떨어지며, 제조 원가가 증가하는 문제점이 있다.Here, as the dielectric material used for forming the dielectric, a paste obtained by mixing a glass powder using lead oxide (PbO) and an organic material is mainly used. However, lead oxide is known to be harmful to the human body and the environment, and thus requires additional environmental facilities in the production and use of glass powder, resulting in lower process efficiency and increased manufacturing costs.

현재까지 많은 유리의 전자부품의 응용에 있어서, 다량의 산화납(PbO)이 함유된 유리조성이 오랫동안 사용되어 오고 있다. 납을 사용한 유리조성은 고 굴절율 특성과 저융점의 특성으로 인해 전자부품에 널리 사용되어 왔으나, 환경 문제를 야기하는 문제로 앞으로 시급한 해결로 대두 되고 있다. Until now, glass compositions containing a large amount of lead oxide (PbO) have been used for a long time in the application of many glass electronic components. Glass composition using lead has been widely used in electronic parts due to its high refractive index and low melting point, but it is an urgent solution due to a problem that causes environmental problems.

따라서, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 유전체의 내구성 및 내에칭율을 향상시키고, 종래 산화납을 포함하는 조성물과 동등한 효율을 나타낼 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.Accordingly, the present invention provides a composition for a plasma display panel dielectric and a plasma display panel including the same, which improves the durability and resistance of the plasma display panel dielectric and exhibits the same efficiency as that of the conventional composition including lead oxide.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 글라스 프릿을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 있어서, 상기 글라스 프릿은, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대해 각각 10 내지 45 중량부의 산화붕소(B2O3), 9 내지 35 중량부의 산화아연(ZnO), 8 내지 35 중량부의 산화알루미늄(Al2O3), 3 내지 25 중량부의 산화규소(SiO2), 5 내지 30 중량부의 산화비스무스(Bi2O3)를 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, the composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention comprises a glass frit in the composition for a plasma display panel dielectric, the glass frit, based on 100 parts by weight of the glass frit 10 to 45 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), 9 to 35 parts by weight of zinc oxide (ZnO), 8 to 35 parts by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 3 to 25 parts by weight of silicon oxide (SiO 2) ), And may include 5 to 30 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ).

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판, 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판 및 상기 전면 기판과 상기 후면 기판 사이에 형성된 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 글라스 프릿을 포함하며, 상기 글라스 프릿은, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대해 각각 10 내지 45 중량부의 산화붕소(B2O3), 9 내지 35 중량부의 산화아연(ZnO), 8 내지 35 중량부의 산화알루미 늄(Al2O3), 3 내지 25 중량부의 산화규소(SiO2), 5 내지 30 중량부의 산화비스무스(Bi2O3)를 포함할 수 있다.In addition, the plasma display panel according to an embodiment of the present invention includes a front substrate, a rear substrate facing the front substrate and a dielectric layer formed between the front substrate and the rear substrate, the dielectric layer includes a glass frit, The glass frit includes 10 to 45 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), 9 to 35 parts by weight of zinc oxide (ZnO), and 8 to 35 parts by weight of aluminum oxide (Al 2 ), respectively, based on 100 parts by weight of the glass frit. O 3 ), 3 to 25 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), 5 to 30 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ).

본 발명은 유전체의 내구성 및 내에칭율을 향상시켜 플라즈마 디스플레이 패널의 소비전력을 감소시킬 수 있는 이점이 있다. The present invention has the advantage of reducing the power consumption of the plasma display panel by improving the durability and resistance of the dielectric.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for describing a plasma display panel according to an exemplary embodiment.

도 1을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 형성된 전면 패널(100)과, 배면을 이루는 후면 기판(111) 상에 전술한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)과 교차 되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 나란하게 위치한다.Referring to FIG. 1, a plasma display panel includes a front panel 100 having a scan electrode 102 and a sustain electrode 103 formed on a front substrate 101, and a scan electrode (described above) formed on a rear substrate 111 forming a rear surface thereof. The rear panel 110 having the plurality of address electrodes 113 arranged so as to intersect with the 102 and the sustain electrode 103 is positioned side by side with a predetermined distance therebetween.

상기 전면 패널(100)은 방전 공간, 즉 방전 셀(Cell)에서 방전과 방전 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 위치한다. 보다 자세하게는 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(102a, 103a)과 불투명 금속재질로 제작된 버스 전극(102b, 103b)을 포함하는 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 상기 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체 층(104)에 의해 덮혀진다. 상기 상부 유전체 층(104) 상에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호 층(105)이 위치한다.In the front panel 100, a scan electrode 102 and a sustain electrode 103 are disposed in a discharge space, that is, to maintain discharge and light emission of the discharge cell. More specifically, the scan electrodes 102 and the sustain electrodes 103 including the transparent electrodes 102a and 103a formed of a transparent ITO material and the bus electrodes 102b and 103b made of an opaque metal material are included in pairs. The scan electrode 102 and the sustain electrode 103 are covered by one or more upper dielectric layers 104 that limit the discharge current and insulate the electrode pairs. A protective layer 105 on which magnesium oxide (MgO) is deposited is disposed on the upper dielectric layer 104 to facilitate discharge conditions.

상기 후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 웰 타입(Well Type) 또는 스트라이프 타입의 오픈형의 폐쇄형 격벽(112)을 포함한다. 또한, 데이터 펄스를 공급하기 위한 다수의 어드레스 전극(113)이 위치한다. The rear panel 110 includes a plurality of discharge spaces, that is, a closed type partition wall 112 of a well type or stripe type for partitioning discharge cells. Also, a plurality of address electrodes 113 are provided for supplying data pulses.

이러한, 격벽(112)에 의해 구획된 복수의 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(114), 바람직하게는 적색(Red : R), 녹색(Green : G), 청색(Blue : B) 형광체 층이 위치한다.In the plurality of discharge cells partitioned by the partition wall 112, the phosphor layer 114 for emitting visible light for image display during address discharge, preferably red (R), green (G). A blue (B) phosphor layer is located.

그리고, 어드레스 전극(113)과 형광체 층(114) 사이에는 하부 유전체 층(115)이 위치한다.The lower dielectric layer 115 is positioned between the address electrode 113 and the phosphor layer 114.

여기서, 상부 유전체 층(104)과 하부 유전체 층(115)이 각 전면 기판(101)과 후면 기판(111) 상에 형성되는 것은 한정되지 않으며, 이와는 반대로 전면 기판(101)과 후면 기판(110) 상에 하부 유전체 층(115)과 상부 유전체 층(104)이 형성되는 것도 가능하다.Here, it is not limited that the upper dielectric layer 104 and the lower dielectric layer 115 are formed on each of the front substrate 101 and the rear substrate 111, and on the contrary, the front substrate 101 and the rear substrate 110 are not limited thereto. It is also possible for the lower dielectric layer 115 and the upper dielectric layer 104 to be formed thereon.

도 1에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 일례만을 도시하고 설명한 것으로 써, 본 발명이 도 1의 구조의 플라즈마 디스플레이 패널에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널(100)에는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103), 어드레스 전극(113)이 형성된 것을 도시하고 있지만, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에서는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103) 또는 어드레스 전극(113) 중 하나 이상이 생략될 수도 있다.In FIG. 1, only one example of the plasma display panel is illustrated and described, and the present invention is not limited to the plasma display panel having the structure of FIG. 1. For example, although the scan electrode 102, the sustain electrode 103, and the address electrode 113 are formed in the plasma display panel 100 of FIG. 1, the scan electrode 102 is formed in the plasma display panel of the present invention. At least one of the sustain electrode 103 and the address electrode 113 may be omitted.

또한, 도 1에서는 방전 셀을 구획하기 위한 격벽(112)이 후면 기판(111) 상에 형성된 경우만을 도시하고 있지만, 이와는 다르게 격벽(112)이 전면 기판(101) 상에 형성되는 것도 가능하며, 전면 기판(101)과 후면 기판(112)에 각각 형성될 수 있다.In addition, in FIG. 1, only the case where the partition wall 112 for partitioning the discharge cells is formed on the rear substrate 111 is illustrated. Alternatively, the partition wall 112 may be formed on the front substrate 101. It may be formed on the front substrate 101 and the rear substrate 112, respectively.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(101)과 후면 기판(111)에 각각 상부 유전체층(104) 및 하부 유전체층(115)이 형성되고, 상기 유전체층들(104, 115)은 글라스 프릿을 포함하며, 글라스 프릿 100 중량부에 대해 각각 10 내지 45 중량부의 산화붕소(B2O3), 9 내지 35 중량부의 산화아연(ZnO), 8 내지 35 중량부의 산화알루미늄(Al2O3), 3 내지 25 중량부의 산화규소(SiO2), 5 내지 30 중량부의 산화비스무스(Bi2O3)를 포함하는 것으로 그 외의 다른 사항은 변경 가능한 것이다. In the plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, an upper dielectric layer 104 and a lower dielectric layer 115 are formed on the front substrate 101 and the rear substrate 111, respectively, and the dielectric layers 104 and 115 are formed of glass. 10 to 45 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), 9 to 35 parts by weight of zinc oxide (ZnO), 8 to 35 parts by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), respectively, including 100 parts by weight of the glass frit. ), 3 to 25 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), 5 to 30 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), and others are changeable.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, a composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

플라즈마 디스플레이 패널의 유전체용 조성물은 글로우 방전을 유지하고 벽전하를 축적하기 위한 유전체를 제조하기 위한 것으로서, 글라스 프릿, 바인더, 분산제, 가소제 및 용제를 포함할 수 있다. The dielectric composition of the plasma display panel is for manufacturing a dielectric for maintaining glow discharge and accumulating wall charge, and may include a glass frit, a binder, a dispersant, a plasticizer and a solvent.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 글라스 프릿을 포함하며, 글라스 프릿은 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 50 내지 70 중량부로 포함될 수 있다.The composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention includes a glass frit, and the glass frit may be included in an amount of 50 to 70 parts by weight based on the total composition for the plasma display panel dielectric.

상기 글라스 프릿은 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대해 각각 10 내지 45 중량부의 산화붕소(B2O3), 9 내지 35 중량부의 산화아연(ZnO), 8 내지 35 중량부의 산화알루미늄(Al2O3), 3 내지 25 중량부의 산화규소(SiO2), 5 내지 30 중량부의 산화비스무스(Bi2O3)를 포함할 수 있다.The glass frit includes 10 to 45 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), 9 to 35 parts by weight of zinc oxide (ZnO), and 8 to 35 parts by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), respectively, based on 100 parts by weight of the glass frit. ), 3 to 25 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ), 5 to 30 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ).

상기 글라스 프릿은 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0.5 내지 10 중량부의 산화리튬(Li2O), 0.1 내지 2 중량부의 산화구리(CuO) 및 0.5 내지 3.5 중량부의 산화세슘(Ce2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.The glass frit is composed of 0.5 to 10 parts by weight of lithium oxide (Li 2 O), 0.1 to 2 parts by weight of copper oxide (CuO) and 0.5 to 3.5 parts by weight of cesium oxide (Ce 2 O) based on 100 parts by weight of the glass frit. It may further include any one or more selected from the group.

또한, 상기 글라스 프릿은 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대해 1 내지 12 중량부의 산화인(P2O5), 0.5 내지 10 중량부의 산화나트륨(Na2O) 및 7 내지 12 중량부의 산화칼륨(K2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있 다.The glass frit may include 1 to 12 parts by weight of phosphorus oxide (P 2 O 5 ), 0.5 to 10 parts by weight of sodium oxide (Na 2 O) and 7 to 12 parts by weight of potassium oxide (K based on 100 parts by weight of the glass frit. It may further include any one or more selected from the group consisting of 2 O).

보다 자세하게는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 10 내지 45 중량부의 산화붕소(B2O3)를 포함할 수 있다. 상기 산화붕소(B2O3)는 유전체용 조성물의 망목 구조를 형성하는 역할을 한다. In more detail, the composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention may include 10 to 45 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ) based on 100 parts by weight of the glass frit. The boron oxide (B 2 O 3 ) serves to form the network structure of the dielectric composition.

따라서, 상기 산화붕소(B2O3)의 함량이 전체 글라스 프릿의 중량에 대해 10 중량부 이상일 경우에는 조성물의 망목 구조를 충분히 형성할 수 있으며, 45 중량부 이하일 경우에는 조성물의 전이 온도가 상승되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 산화붕소(B2O3)는 10 내지 45 중량부로 포함될 수 있다.Therefore, when the content of the boron oxide (B 2 O 3 ) is 10 parts by weight or more relative to the weight of the entire glass frit, the network structure of the composition can be sufficiently formed, and when 45 parts by weight or less, the transition temperature of the composition is increased. Since it can be prevented, the boron oxide (B 2 O 3 ) may be included in 10 to 45 parts by weight.

또한, 상기 유전체용 조성물은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 9 내지 35 중량부의 산화아연(ZnO)을 포함할 수 있다. 상기 산화 아연(ZnO)은 유전체의 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)를 감소시키는 역할을 한다. In addition, the composition for the dielectric may include 9 to 35 parts by weight of zinc oxide (ZnO) based on 100 parts by weight of glass frit. The zinc oxide (ZnO) serves to reduce the glass transition temperature (Tg) and the glass softening temperature (Ts) of the dielectric.

따라서, 상기 산화 아연(ZnO)의 함량이 전체 글라스 프릿의 중량에 대하여 9 중량부 이상일 경우에는 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)를 감소시키는데에 충분한 효과를 얻을 수 있으며, 35 중량부 이하일 경우에는 조성물로 인해 형성되는 유리의 결정화 발생 가능성을 방지할 수 있으므로, 상기 산화 아연(ZnO)은 20 내지 35 중량부로 포함될 수 있다.Therefore, when the content of zinc oxide (ZnO) is 9 parts by weight or more based on the total weight of the glass frit, an effect sufficient to reduce the glass transition temperature (Tg) and the glass softening temperature (Ts) can be obtained, and the weight is 35 weight. When the amount is less than or equal to, since the possibility of crystallization of the glass formed due to the composition can be prevented, the zinc oxide (ZnO) may be included in 20 to 35 parts by weight.

또한, 상기 유전체용 조성물은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 8 내지 35 중량부의 산화알루미늄(Al2O3)을 포함할 수 있다. 상기 산화알루미늄(Al2O3)은 열팽창 계수(CTE)를 감소시키고, 고온 점도를 증가시켜 조성물의 기계적 화학적, 안정성을 향상시키는 역할을 한다. In addition, the composition for the dielectric may include 8 to 35 parts by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) based on 100 parts by weight of the glass frit. The aluminum oxide (Al 2 O 3 ) serves to reduce the coefficient of thermal expansion (CTE), increase the high temperature viscosity to improve the mechanical chemical, stability of the composition.

따라서, 상기 산화알루미늄(Al2O3)의 함량이 전체 글라스 프릿의 중량에 대해 8 중량부 이상일 경우에는 열팽창계수(CTE)를 감소시키고 조성물의 기계적, 화학적 안정성을 향상시킬 수 있으며, 35 중량부 이하일 경우에는 열팽창계수(CTE) 및 소성영역에서 점도 거동이 적합하므로, 상기 산화알루미늄(Al2O3)은 8 내지 35 중량부로 포함될 수 있다.Therefore, when the content of the aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is 8 parts by weight or more based on the total weight of the glass frit, the coefficient of thermal expansion (CTE) can be reduced and the mechanical and chemical stability of the composition can be improved, and 35 parts by weight. In the following case, since the viscosity behavior is suitable in the coefficient of thermal expansion (CTE) and the sintering region, the aluminum oxide (Al 2 O 3 ) may be included in an amount of 8 to 35 parts by weight.

또한, 상기 유전체용 조성물은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 3 내지 25 중량부의 산화규소(SiO2)를 포함할 수 있다. 상기 산화규소(SiO2)는 유리 형성 성분으로서 유리를 화학적, 광학적으로 안정화시키는 역할을 하며, 유리전이온도(Tg) 및 유리연화온도(Ts)를 크게 높이는 역할을 한다. In addition, the composition for the dielectric may include 3 to 25 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ) based on 100 parts by weight of the glass frit. The silicon oxide (SiO 2 ) serves to stabilize the glass chemically and optically as a glass forming component, and greatly increases the glass transition temperature (Tg) and the glass softening temperature (Ts).

따라서, 상기 산화규소(SiO2)의 함량이 전체 글라스 프릿의 중량에 대해 3 중량부 이상일 경우에는 유전체를 화학적 및 광학적으로 안정화시킬 수 있으며, 25 중량부 이하일 경우에는 유리전이온도(Tg)가 과도하게 상승되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 산화 규소(SiO2)는 5 내지 25 중량부로 포함될 수 있다.Therefore, when the content of silicon oxide (SiO 2 ) is 3 parts by weight or more based on the weight of the entire glass frit, the dielectric can be stabilized chemically and optically, and when the content is 25 parts by weight or less, the glass transition temperature (Tg) is excessive. Since it can be prevented from rising, the silicon oxide (SiO 2 ) may be included in 5 to 25 parts by weight.

또한, 상기 유전체용 조성물은 5 내지 30 중량부의 산화 비스무스(Bi2O3)를 포함할 수 있다. 상기 산화 비스무스(Bi2O3)는 조성물의 용융온도 및 유리전이온도(Tg)를 감소시키는 역할을 한다. In addition, the dielectric composition may include 5 to 30 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ). The bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) serves to reduce the melting temperature and glass transition temperature (Tg) of the composition.

따라서, 상기 산화 비스무스(Bi2O3)의 함량이 전체 글라스 프릿의 중량에 대하여 5 중량부 이상일 경우에는 저 융점의 효과를 나타낼 수 있으며, 30 중량부 이하일 경우에는 유리의 황색화가 진행되는 것을 방지할 수 있으므로, 상기 산화 비스무스(Bi2O3)는 5 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.Therefore, when the content of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is 5 parts by weight or more based on the total weight of the glass frit, it may exhibit an effect of low melting point, and when the content of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is 30 parts by weight or less, the yellowing of the glass is prevented from proceeding. As such, the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) may be included in 5 to 30 parts by weight.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유전체용 조성물은 산화리튬(Li2O), 산화구리(CuO) 및 산화세슘(Ce2O)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.In addition, the dielectric composition according to an embodiment of the present invention may further include any one or more selected from the group consisting of lithium oxide (Li 2 O), copper oxide (CuO) and cesium oxide (Ce 2 O).

상기 산화리튬(Li2O)은 조성물의 유리전이온도(Tg)를 낮춤으로써 소성온도를 제어할 수 있고, 유전율을 높이며, 열팽창계수(CTE)를 약간 높이는 기능을 한다. 따라서, 상기 산화리튬(Li2O)은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0.5 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.The lithium oxide (Li 2 O) can control the firing temperature by lowering the glass transition temperature (Tg) of the composition, increases the dielectric constant, and functions to slightly increase the coefficient of thermal expansion (CTE). Therefore, the lithium oxide (Li 2 O) may be included in 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the glass frit.

상기 산화구리(CuO) 및 산화세슘(Ce2O)는 착색제로 유전체의 황변을 방지하고 적절한 색을 유지하는 기능을 한다. 따라서, 산화구리(CuO)는 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0.1 내지 2 중량부로 포함될 수 있고, 산화세슘(Ce2O)은 글라스 프릿 100 중량부에 대해 0.5 내지 3.5 중량부로 포함될 수 있다. The copper oxide (CuO) and cesium oxide (Ce 2 O) serve as a colorant to prevent yellowing of the dielectric and maintain an appropriate color. Therefore, copper oxide (CuO) may be included in an amount of 0.1 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of glass frit, and cesium oxide (Ce 2 O) may be included in an amount of 0.5 to 3.5 parts by weight based on 100 parts by weight of glass frit.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유전체용 조성물은 1 내지 12 중량부의 산화인(P2O5), 0.5 내지 10 중량부의 산화나트륨(Na2O) 및 7 내지 12 중량부의 산화칼륨(K2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.In addition, the dielectric composition according to an embodiment of the present invention is 1 to 12 parts by weight of phosphorus oxide (P 2 O 5 ), 0.5 to 10 parts by weight of sodium oxide (Na 2 O) and 7 to 12 parts by weight of potassium oxide (K It may further include any one or more selected from the group consisting of 2 O).

상기 인산(P2O5)은 밝은색을 나타내는 유리형성제로서 유전체의 유리전이온도(Tg)를 약간 높이는 효과가 있으며, 유전율을 낮추고 겔화 빈도를 약간 낮추는 기능을 한다. 따라서, 상기 인산(P2O5)은 전체 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 1 내지 12 중량부로 포함될 수 있다. The phosphoric acid (P 2 O 5 ) is a light-forming glass forming agent has an effect of slightly increasing the glass transition temperature (Tg) of the dielectric, and serves to lower the dielectric constant and slightly reduce the gelation frequency. Therefore, the phosphoric acid (P 2 O 5 ) may be included in 1 to 12 parts by weight based on 100 parts by weight of the total glass frit.

상기 산화나트륨(Na2O)은 노란색을 나타내는 유리수식제로서 조성물의 유리전이온도(Tg)를 낮춤으로써 소성온도를 제어할 수 있고, 유전율을 높이며, 열팽창계수(CTE)를 약간 높이는 기능을 한다. 따라서, 산화나트륨(Na2O)은 전체 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 0.5 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.The sodium oxide (Na 2 O) is a yellow glass formula that can control the firing temperature by lowering the glass transition temperature (Tg) of the composition, increases the dielectric constant, and functions to slightly increase the coefficient of thermal expansion (CTE). . Therefore, sodium oxide (Na 2 O) may be included in 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total glass frit.

상기 산화칼륨(K2O)은 유전체 조성물의 유리연화온도를 낮춤으로써, 소성온도를 제어할 수 있는 역할을 한다. 따라서, 상기 산화칼륨(K2O)은 전체 글라스 프릿 100 중량부에 대하여 7 내지 12 중량부로 포함될 수 있다. The potassium oxide (K 2 O) serves to control the firing temperature by lowering the glass softening temperature of the dielectric composition. Therefore, the potassium oxide (K 2 O) may be included in 7 to 12 parts by weight based on 100 parts by weight of the total glass frit.

이상과 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 글라스 프릿을 포함하며, 글라스 프릿은 산화붕소(B2O3), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄(Al2O3), 산화규소(SiO2), 산화비스무스(Bi2O3)를 포함하고, 산화리튬(Li2O), 산화구리(CuO), 산화세슘(Ce2O), 산화인(P2O5), 산화나트륨(Na2O) 및 산화칼륨(K2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. As described above, the composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention includes a glass frit, and the glass frit includes boron oxide (B 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), and aluminum oxide (Al 2 O 3). ), Silicon oxide (SiO 2 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), lithium oxide (Li 2 O), copper oxide (CuO), cesium oxide (Ce 2 O), phosphorus oxide (P 2 O 5 ), Sodium oxide (Na 2 O) and potassium oxide (K 2 O) may further include any one or more selected from the group consisting of.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 바인더를 포함하며, 바인더는 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.The composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention includes a binder, and the binder may be included in an amount of 1 to 30 parts by weight based on the total composition for the plasma display panel dielectric.

바인더는 제 1 단량체, 제 2 단량체, 제 3 단량체 및 제 4 단량체를 포함할 수 있다.The binder may comprise a first monomer, a second monomer, a third monomer and a fourth monomer.

제 1 단량체는 헥사 아크릴레이트 단량체를 사용할 수 있으며, 예를 들어 헥사 메타크릴레이트 또는 2-에틸 헥사 메타크릴레이트일 수 있다.The first monomer may use a hexa acrylate monomer, for example hexa methacrylate or 2-ethyl hexa methacrylate.

제 2 단량체는 탄소수가 1 내지 5인 알킬기를 가지는 아크릴레이트 단량체를 사용할 수 있으며, 예를 들어 메타크릴레이트, 이소-부틸 메타크릴레이트, 노멀-부틸 메타크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 및 에틸 메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.The second monomer may be an acrylate monomer having an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example methacrylate, iso-butyl methacrylate, normal-butyl methacrylate, methyl methacrylate and ethyl methacrylate. At least one selected from the group consisting of a rate.

제 3 단량체는 극성기 함유 단량체를 사용할 수 있으며, 예를 들어 메타크릴레이트, 아크릴레이트, 2-히드록시 에틸 메타크릴레이트 및 메타크릴릭산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.The third monomer may use a polar group-containing monomer, and may be, for example, any one or more selected from the group consisting of methacrylate, acrylate, 2-hydroxy ethyl methacrylate and methacrylic acid.

제 4 단량체는 시클로 알킬기를 포함하는 아크릴레이트를 사용할 수 있으며, 예를 들어 시클로 헥실 메타크릴레이트일 수 있다.The fourth monomer may use an acrylate including a cyclo alkyl group, and may be, for example, cyclohexyl methacrylate.

여기서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물의 바인더는 제 1 단량체, 제 2 단량체, 제 3 단량체 및 제 4 단량체를 포함할 수 있으며, 각각의 함량은 바인더 100 중량부에 대해서 제 1 단량체는 50 내지 90 중량부로 포함될 수 있고, 제 2 단량체는 10 내지 30 중량부로 포함될 수 있고, 제 3 단량체는 1 내지 10 중량부로 포함될 수 있으며, 제 4 단량체는 1 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.Here, the binder of the composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention may include a first monomer, a second monomer, a third monomer and a fourth monomer, each content of 100 parts by weight of the binder The first monomer may be included in 50 to 90 parts by weight, the second monomer may be included in 10 to 30 parts by weight, the third monomer may be included in 1 to 10 parts by weight, and the fourth monomer may be included in 1 to 10 parts by weight. have.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 분산제를 포함할 수 있다. 상기 분산제는 상기 글라스 프릿의 분산력을 증대시켜 유전체층에 상기 글라스 프릿이 침전되는 것을 방지하기 위한 것으로, 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 0.1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.The composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention may include a dispersant. The dispersant is to prevent the glass frit from being deposited on the dielectric layer by increasing the dispersing force of the glass frit, and may be included in an amount of 0.1 to 5 parts by weight based on the total composition of the plasma display panel.

상기 분산제는 폴리아민아미드계 화합물을 사용할 수 있다. The dispersant may be a polyamineamide compound.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 가소제를 포함할 수 있다. 가소제는 유전체층의 건조 속도를 조절함과 동시에 건조막에 유연성을 부여하는 역할을 하며, 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 0.1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.The composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention may include a plasticizer. The plasticizer controls the drying rate of the dielectric layer and at the same time provides flexibility to the dry film, and may be included in an amount of 0.1 to 5 parts by weight based on the total composition of the plasma display panel dielectric.

상기 가소제는 프탈레이트계, 디옥틸아미페이트(DOA)계, 디옥틸아졸레이트(DOZ)계 및 에스테르(Esther)계로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포 함할 수 있으며, 예를 들어 부틸벤질프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디이소옥틸프탈레이트, 디카프릴프탈레이트, 디부틸프탈레이트 등을 사용할 수 있다.The plasticizer may include any one or more selected from the group consisting of phthalate-based, dioctyl amipate (DOA) -based, dioctyl azolate (DOZ) -based, and ester-based, for example butylbenzylphthalate, di- Octyl phthalate, diisooctyl phthalate, dicapryl phthalate, dibutyl phthalate and the like can be used.

본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 용제를 더 포함할 수 있다. 용제로는 바인더를 용해시킬 수 있고, 기타 첨가제와 잘 혼합되면서 비등점이 150도 이상인 것을 사용할 수 있으며 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 5 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.Plasma display panel dielectric composition according to an embodiment of the present invention may further include a solvent. The solvent may dissolve the binder, may be mixed with other additives, and may have a boiling point of 150 ° or more, and may be included in an amount of 5 to 30 parts by weight based on the total composition of the plasma display panel dielectric.

상기 용제로는 톨루엔(Toluene), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 부틸아세테이트(BA), 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥사논(CYC)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 기타 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콘모노메틸에테르아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 트리프로필렌글리콜 등을 사용할 수 있다. The solvent may include any one or more selected from the group consisting of toluene, propylene glycol monomethyl ether (PGME), butyl acetate (BA), methyl ethyl ketone (MEK), and cyclohexanone (CYC). Other ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, texanol, terpin oil, dipropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol ethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, cellosolve acetate Butyl cellosolve acetate, tripropylene glycol, etc. can be used.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있다. The composition for a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention may further include an additive.

첨가제로는 산화방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 감도를 향상시키는 증감제 등을 포함할 수 있다. 또한, 인산, 인산에스테르, 카르복실산 함유 화합물 등의 코팅 조성물의 보존성을 향상시키는 중합 금지제 및 폴리에스테로 변성 디메틸폴리실록산, 폴리히드록시카르복실산 아미드, 실리콘계 폴리아크릴레이트 공중합체 또는 불소계 파라핀 화합물 등의 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제를 더 포함할 수 있다.The additives may include antioxidants, ultraviolet light absorbers to improve resolution, sensitizers to improve sensitivity, and the like. In addition, polymerization inhibitors and polyester-modified dimethylpolysiloxanes, polyhydroxycarboxylic acid amides, silicone-based polyacrylate copolymers or fluorine-based paraffin compounds which improve the storage properties of coating compositions such as phosphoric acid, phosphate esters and carboxylic acid-containing compounds It may further include a leveling agent for improving the flatness of the film during printing, such as.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 조성을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 그 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a composition for a plasma display panel dielectric including the composition according to an embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof will be described.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 다음과 같은 제조방법에 의해 제조될 수 있다. 먼저, 글라스 프릿 분말을 일정 함량으로 균일하게 혼합한 다음 백금 도가니에 넣고 용융한다. 이때, 용융온도는 1000 내지 1500℃인 것이 바람직하며, 용융시간은 10 내지 60분을 유지하여 상기 성분이 용융상태에서 고르게 혼합될 수 있다.Plasma display panel dielectric composition according to an embodiment of the present invention can be prepared by the following manufacturing method. First, the glass frit powder is uniformly mixed to a predetermined content and then melted into a platinum crucible. At this time, the melting temperature is preferably 1000 to 1500 ℃, the melting time is 10 to 60 minutes to maintain the components can be mixed evenly in the molten state.

상기 용융된 혼합원료를 급냉한 후 분쇄한다. 이때, 상기 급냉과정은 건식 또는 습식으로 수행될 수 있으며, 습식 과정에서는 물을 사용할 수 있다. 상기 급냉과정 후의 분쇄과정도 건식 또는 습식으로 수행될 수 있는데, 상기 습식 분쇄과정에는 물 또는 유기용매를 사용할 수 있다.The molten mixed raw material is quenched and then pulverized. In this case, the quenching process may be performed in a dry or wet manner, and water may be used in the wet process. The pulverization process after the quenching process may also be performed in a dry or wet manner, and water or an organic solvent may be used in the wet grinding process.

상기 분쇄된 글라스 프릿 분말을 여과, 건조 및 해쇄하여 입경이 작은 예를 들어, 0.1 내지 10㎛인 분말상태 즉 파우더 상태로 제조한다. 이어서, 글라스 프릿 분말, 바인더, 분산제, 가소제 및 용제를 일정 비율로 혼합 반죽하여 유전체용 페이스트를 형성한다. The pulverized glass frit powder is filtered, dried and pulverized to prepare a powder having a small particle size, for example, 0.1 to 10 μm in powder form. Next, glass frit powder, a binder, a dispersant, a plasticizer, and a solvent are mixed and kneaded at a predetermined ratio to form a dielectric paste.

본 발명의 일 실시 예에 따른 유전체는 상기 제조된 유전체용 페이스트를 그린시트(Green Sheet)화하여 형성할 수 있다. 즉, 폴리에스테르 등의 베이스 필름 상에 유전체용 페이스트를 코팅한 후, 코팅된 유전체용 페이스트 상에 보호필름을 형성하여 유전체용 그린시트를 형성할 수 있다. The dielectric according to an embodiment of the present invention may be formed by forming a green sheet of the prepared dielectric paste. That is, after coating a dielectric paste on a base film such as polyester, a protective film may be formed on the coated dielectric paste to form a dielectric green sheet.

이와는 달리, 유전체용 페이스트를 코터(coater) 노즐(nozzle)을 이용하여 기판 상에 직접 도포하는 테이블 코팅(Table-Coating)법으로 형성될 수도 있다. Alternatively, the dielectric paste may be formed by a table-coating method in which a dielectric paste is directly applied onto a substrate using a coater nozzle.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체의 제조방법에 따른 실시 예들을 개시한다. 다만, 하기의 실시 예는 본 발명의 바람직한 일 실시 예일 뿐, 본 발명이 하기의 실시 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of a method of manufacturing a plasma display panel dielectric according to an embodiment of the present invention will be described. However, the following embodiments are merely preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments.

<실시예 1><Example 1>

산화붕소(B2O3) 20.4g, 산화아연(ZnO) 13.8g, 산화알루미늄(Al2O3) 5.4g, 산화규소(SiO2) 6g, 산화비스무스(Bi2O3) 7.2g, 산화리튬(Li2O) 2.4g, 산화구리(CuO) 0.9g, 산화세슘(Ce2O) 1.2g 및 산화나트륨(Na2O) 2.7g을 혼합하고, 상기 혼합물을 용광로에서 1200℃의 온도로 용융시켰다. 상기 용융된 혼합물을 건식 급냉 시킨 후, 분쇄하여 60g의 글라스 프릿 분말을 형성하였다. 20.4 g of boron oxide (B 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO) 13.8 g, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) 5.4 g, silicon oxide (SiO 2 ) 6 g, bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) 7.2 g, oxidation 2.4 g of lithium (Li 2 O), 0.9 g of copper oxide (CuO), 1.2 g of cesium oxide (Ce 2 O) and 2.7 g of sodium oxide (Na 2 O) were mixed and the mixture was heated at a temperature of 1200 ° C. in a furnace. Melted. The molten mixture was dry quenched and then ground to form 60 g of glass frit powder.

2-에틸 헥사 메타크릴레이트 23.8g, 이소-부틸 메타크릴레이트 2.52g, 히드록시 에틸 메타크릴레이트 0.84g, 시클로 헥실 메타크릴레이트 0.84g을 혼합하여 28g의 바인더를 형성하였다.23.8 g of 2-ethyl hexa methacrylate, 2.52 g of iso-butyl methacrylate, 0.84 g of hydroxy ethyl methacrylate, and 0.84 g of cyclohexyl methacrylate were mixed to form a 28 g binder.

폴리아민아미드 1g의 분산제, 디옥틸프탈레이트 0.5g의 가소제 및 톨루엔 8.5g의 용제를 준비하여, 상기 제조된 글라스 프릿 분말 60g 및 바인더 28g와 혼합하여 유전체용 페이스트를 제조하였다.A dispersant of 1 g of polyamineamide, a plasticizer of 0.5 g of dioctylphthalate, and a solvent of 8.5 g of toluene were prepared, and mixed with 60 g of the glass frit powder prepared above and 28 g of a binder to prepare a dielectric paste.

상기 제조된 유전체용 페이스트를 그린시트(Green Sheet)화하여 기판 상에 형성하고 이를 소성하여 유전체 층을 형성하였다.The prepared dielectric paste was formed into a green sheet and formed on a substrate, and then fired to form a dielectric layer.

<실시예 2><Example 2>

상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화붕소(B2O3) 9.6g, 산화아연(ZnO) 18.6g, 산화알루미늄(Al2O3) 7.2g, 산화규소(SiO2) 4.2g, 산화비스무스(Bi2O3) 9g, 산화리튬(Li2O) 1.2g, 산화구리(CuO) 0.42g, 산화세슘(Ce2O) 0.72g, 산화인(P2O5) 3.84g, 산화나트륨(Na2O) 0.42g 및 산화칼륨(K2O) 4.8g을 혼합하고, 상기 혼합물을 용광로에서 1200℃의 온도로 용융시켰다. 상기 용융된 혼합물을 건식 급냉 시킨 후, 분쇄하여 60g의 글라스 프릿 분말을 형성하고 유전체 층을 형성하였다.Under the same conditions as in Example 1, 9.6 g of boron oxide (B 2 O 3 ), 18.6 g of zinc oxide (ZnO), 7.2 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 4.2 g of silicon oxide (SiO 2 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) 9 g, lithium oxide (Li 2 O) 1.2 g, copper oxide (CuO) 0.42 g, cesium oxide (Ce 2 O) 0.72 g, phosphorus oxide (P 2 O 5 ) 3.84 g, sodium oxide ( 0.42 g of Na 2 O and 4.8 g of potassium oxide (K 2 O) were mixed and the mixture was melted at a temperature of 1200 ° C. in a furnace. The molten mixture was dry quenched and then pulverized to form 60 g of glass frit powder and a dielectric layer.

<실시예 3><Example 3>

상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화붕소(B2O3) 13.2g, 산화아연(ZnO) 6g, 산화알루미늄(Al2O3) 12g, 산화규소(SiO2) 10.2g, 산화비스무스(Bi2O3) 10.8g, 산화리튬(Li2O) 3.78g, 산화구리(CuO) 0.54g, 산화세슘(Ce2O) 0.9g 및 산화인(P2O5) 2.58g을 혼합하고, 상기 혼합물을 용광로에서 1200℃의 온도로 용융시켰다. 상기 용융된 혼합물을 건식 급냉 시킨 후, 분쇄하여 60g의 글라스 프릿 분말을 형성하고, 유전체 층을 형성하였다.Under the same conditions as in Example 1, 13.2 g of boron oxide (B 2 O 3 ), 6 g of zinc oxide (ZnO), 12 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 10.2 g of silicon oxide (SiO 2 ), bismuth oxide (Bi) 2 O 3 ) 10.8g, lithium oxide (Li 2 O) 3.78g, copper oxide (CuO) 0.54g, cesium oxide (Ce 2 O) 0.9g and phosphorus oxide (P 2 O 5 ) 2.58g are mixed, The mixture was melted in a furnace at a temperature of 1200 ° C. The molten mixture was dry quenched and then pulverized to form 60 g of glass frit powder and a dielectric layer.

<비교예 1>Comparative Example 1

상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화납(PbO) 43.8g, 산화알루미늄(Al2O3) 1.8g, 산화붕소(B2O3) 1.2g, 산화구리(CuO) 4.02g, 산화규소(SiO2) 6.6g 및 산화비스무스(BiO3) 2.58g을 혼합하고, 상기 혼합물을 용광로에서 1200℃의 온도로 용융시켰다. 상기 용융된 혼합물을 건식 급냉 시킨 후, 분쇄하여 60g의 글라스 프릿 분말을 형성하고, 유전체 층을 형성하였다.Under the same conditions as in Example 1, 43.8 g of lead oxide (PbO), 1.8 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1.2 g of boron oxide (B 2 O 3 ), 4.02 g of copper oxide (CuO), and silicon oxide ( 6.6 g of SiO 2 ) and 2.58 g of bismuth oxide (BiO 3 ) were mixed and the mixture was melted in a furnace at a temperature of 1200 ° C. The molten mixture was dry quenched and then pulverized to form 60 g of glass frit powder and a dielectric layer.

<비교예 2>Comparative Example 2

상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 산화납(PbO) 39.42g, 산화알루미늄(Al2O3) 3.6g, 산화붕소(B2O3) 1.5g, 산화구리(CuO) 0.9g 및 산화규소(SiO2) 14.58g을 혼합하고, 상기 혼합물을 용광로에서 1200℃의 온도로 용융시켰다. 상기 용융된 혼합물을 건식 급냉 시킨 후, 분쇄하여 60g의 글라스 프릿 분말을 형성하고, 유전체 층을 형성하였다. Under the same conditions as in Example 1, 39.42 g of lead oxide (PbO), 3.6 g of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), 1.5 g of boron oxide (B 2 O 3 ), 0.9 g of copper oxide (CuO), and silicon oxide ( 14.58 g of SiO 2 ) were mixed and the mixture was melted in a furnace at a temperature of 1200 ° C. The molten mixture was dry quenched and then pulverized to form 60 g of glass frit powder and a dielectric layer.

상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1, 2에 따라 제조된 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물의 글라스 프릿의 조성비에 따른 유전체층을 10㎛의 두께로 형성하고, 유전체층의 유전율을 측정하였다. 그리고, 상기 유전체층을 에칭 용액에 600초 동안 담궈 놓았을 때, 유전체층이 에칭되고 남은 부분의 두께를 측정하여 하기의 표 1에 기재하였다. The dielectric layers according to the composition ratio of the glass frit of the plasma display panel dielectric compositions prepared according to Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were formed to a thickness of 10 μm, and the dielectric constant of the dielectric layers was measured. When the dielectric layer was immersed in the etching solution for 600 seconds, the thickness of the remaining portion of the dielectric layer was etched and measured in Table 1 below.

유전체층의 특성Characteristics of the dielectric layer 에칭 후 남은 유전체층의 두께(㎛)Thickness of Dielectric Layer After Etching (μm) 내에칭율(%) % Resistance 유전율 (C2/N㎡)Permittivity (C 2 / N㎡) 실시예1Example 1 3.23.2 148148 1010 실시예2Example 2 2.32.3 156156 10.510.5 실시예3Example 3 3.73.7 149149 10.210.2 비교예1Comparative Example 1 1.81.8 100100 1616 비교예2Comparative Example 2 1.81.8 100100 1616

상기 표 1에서 내에칭율은 비교예 1 및 2에서 에칭되고 남은 두께를 100%로 보았을 때, 실시예들의 에칭 후 남은 유전체층의 두께 비율을 의미한다.In Table 1, the etching rate refers to the thickness ratio of the dielectric layer remaining after the etching of the embodiments when the thickness remaining after etching in Comparative Examples 1 and 2 is 100%.

상기 표 1에서 나타나는 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예들에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 유전체층 형성 후, 상기 유전체층의 내에칭율 및 유전율을 살펴보면 다음과 같다.As shown in Table 1, the plasma display panel according to an embodiment of the present invention, after forming the dielectric layer, looks at the etching rate and the dielectric constant of the dielectric layer as follows.

실시예 1 내지 3의 경우에는 비교예 1 및 2와 비교하여 에칭 후 남은 유전체층의 두께가 두꺼운 것을 알 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예 1 내지 3에 따른 유전체층은 내에칭율이 140% 내지 160%로 비교예 1 및 2보다 높은 것을 알 수 있다. In the case of Examples 1 to 3, it can be seen that the thickness of the dielectric layer remaining after etching is thick as compared with Comparative Examples 1 and 2. Accordingly, it can be seen that the dielectric layers according to Examples 1 to 3 of the present invention have a etching resistance of 140% to 160%, which is higher than that of Comparative Examples 1 and 2.

그리고, 실시예 1 내지 3으로 제조된 유전체층은 유전율이 10C2/N㎡정도로 나타나며, 유전율이 16C2/N㎡ 이상인 비교예 1 및 2에 비해 낮아진 것을 알 수 있다. In addition, the dielectric layers prepared in Examples 1 to 3 appear to have a dielectric constant of about 10C 2 / Nm 2, and are lower than those of Comparative Examples 1 and 2 having a dielectric constant of 16C 2 / Nm 2 or more.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널은 유전체층의 내에칭율을 향상시키고, 유전율을 낮춤으로써, 플라즈마 디스플레이 패널의 소비전력을 낮추고 신뢰성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 이점이 있다.As described above, the plasma display panel dielectric composition and the plasma display panel including the same according to an embodiment of the present invention improve the etch rate of the dielectric layer and lower the dielectric constant, thereby reducing power consumption and reliability of the plasma display panel. There is an advantage that can provide an excellent plasma display panel.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above may be modified in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 도면.1 illustrates a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

Claims (17)

글라스 프릿을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 있어서, In the composition for a plasma display panel dielectric comprising a glass frit, 상기 글라스 프릿은, The glass frit, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대해 각각 10 내지 45 중량부의 산화붕소(B2O3), 9 내지 35 중량부의 산화아연(ZnO), 8 내지 35 중량부의 산화알루미늄(Al2O3), 3 내지 25 중량부의 산화규소(SiO2) 및 5 내지 30 중량부의 산화비스무스(Bi2O3)를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.10 to 45 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), 9 to 35 parts by weight of zinc oxide (ZnO), 8 to 35 parts by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), respectively 3 to 100 parts by weight of the glass frit A composition for a plasma display panel dielectric comprising 25 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ) and 5 to 30 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 글라스 프릿은 0.5 내지 10 중량부의 산화리튬(Li2O), 0.1 내지 2 중량부의 산화구리(CuO) 및 0.5 내지 3.5 중량부의 산화세슘(Ce2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The glass frit further comprises at least one selected from the group consisting of 0.5 to 10 parts by weight of lithium oxide (Li 2 O), 0.1 to 2 parts by weight of copper oxide (CuO) and 0.5 to 3.5 parts by weight of cesium oxide (Ce 2 O). Composition for plasma display panel dielectric comprising. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 글라스 프릿은 1 내지 12 중량부의 산화인(P2O5), 0.5 내지 10 중량부의 산화나트륨(Na2O) 및 7 내지 12 중량부의 산화칼륨(K2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The glass frit is any one selected from the group consisting of 1 to 12 parts by weight of phosphorus oxide (P 2 O 5 ), 0.5 to 10 parts by weight of sodium oxide (Na 2 O) and 7 to 12 parts by weight of potassium oxide (K 2 O). A composition for a plasma display panel dielectric further comprising the above. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 바인더를 더 포함하며,The plasma display panel dielectric composition further comprises a binder, 상기 바인더는 상기 바인더 100 중량부에 대해 각각 50 내지 90 중량부의 제 1 단량체, 10 내지 30 중량부의 제 2 단량체, 1 내지 10 중량부의 제 3 단량체 및 1 내지 10 중량부의 제 4 단량체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The binder includes 50 to 90 parts by weight of the first monomer, 10 to 30 parts by weight of the second monomer, 1 to 10 parts by weight of the third monomer and 1 to 10 parts by weight of the fourth monomer, respectively, based on 100 parts by weight of the binder. Display panel dielectric composition. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 단량체는 헥사 아크릴레이트를 포함하고, 상기 제 2 단량체는 탄소수가 1 내지 5인 알킬기를 가지는 아크릴레이트를 포함하며, 상기 제 3 단량체는 극성기를 포함하는 단량체를 포함하고, 상기 제 4 단량체는 시클로 알킬기를 가지는 아크릴레이트를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The first monomer comprises hexa acrylate, the second monomer comprises an acrylate having an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, the third monomer comprises a monomer comprising a polar group, the fourth monomer The composition for a plasma display panel dielectric containing the acrylate which has a cycloalkyl group. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 바인더는 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 1 내지 30 중량부로 포함되는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The binder is 1 to 30 parts by weight of the composition for the plasma display panel dielectric composition relative to the total composition for the plasma display panel dielectric. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 글라스 프릿은 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 50 내지 70 중량부로 포함되는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The glass frit is 50 to 70 parts by weight based on the composition for the plasma display panel dielectric composition. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 분산제를 더 포함하며,The plasma display panel dielectric composition further comprises a dispersant, 상기 분산제는 폴리아민아미드(Polyamineamide)계 화합물을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The dispersant is a composition for a plasma display panel dielectric comprising a polyamineamide-based compound. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 분산제는 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 0.1 내지 5 중량부로 포함되는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The dispersant is 0.1 to 5 parts by weight of the total composition for the plasma display panel dielectric composition. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 가소제를 더 포함하며,The plasma display panel dielectric composition further comprises a plasticizer, 상기 가소제는 프탈레이트계, 디옥틸아미페이트(DOA)계, 디옥틸아졸레이트(DOZ)계 및 에스테르(Esther)계로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The plasticizer composition for plasma display panel dielectric comprising any one or more selected from the group consisting of phthalate-based, dioctyl amipate (DOA), dioctyl azolate (DOZ) and ester (Esther). 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 가소제는 전체 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물에 대해 0.1 내지 5 중량부로 포함되는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.Wherein the plasticizer is 0.1 to 5 parts by weight based on the composition for the plasma display panel dielectric composition. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물은 용제를 더 포함하며,The plasma display panel dielectric composition further includes a solvent, 상기 용제는 톨루엔(Toluene), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 부틸아세테이트(BA), 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥사논(CYC)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물.The solvent includes a plasma display panel including any one or more selected from the group consisting of toluene, propylene glycol monomethyl ether (PGME), butyl acetate (BA), methyl ethyl ketone (MEK), and cyclohexanone (CYC). Dielectric composition. 전면 기판;Front substrate; 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판; 및A rear substrate facing the front substrate; And 상기 전면 기판과 상기 후면 기판 사이에 형성된 유전체층을 포함하고,A dielectric layer formed between the front substrate and the back substrate, 상기 유전체층은 글라스 프릿을 포함하며, The dielectric layer comprises a glass frit, 상기 글라스 프릿은, The glass frit, 상기 글라스 프릿 100 중량부에 대해 각각 10 내지 45 중량부의 산화붕소(B2O3), 9 내지 35 중량부의 산화아연(ZnO), 8 내지 35 중량부의 산화알루미늄(Al2O3), 3 내지 25 중량부의 산화규소(SiO2), 5 내지 30 중량부의 산화비스무스(Bi2O3)을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.10 to 45 parts by weight of boron oxide (B 2 O 3 ), 9 to 35 parts by weight of zinc oxide (ZnO), 8 to 35 parts by weight of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), respectively 3 to 100 parts by weight of the glass frit A plasma display panel comprising 25 parts by weight of silicon oxide (SiO 2 ) and 5 to 30 parts by weight of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ). 제 13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 글라스 프릿은 0.5 내지 10 중량부의 산화리튬(Li2O), 0.1 내지 2 중량부의 산화구리(CuO) 및 0.5 내지 3.5 중량부의 산화세슘(Ce2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.The glass frit further comprises at least one selected from the group consisting of 0.5 to 10 parts by weight of lithium oxide (Li 2 O), 0.1 to 2 parts by weight of copper oxide (CuO) and 0.5 to 3.5 parts by weight of cesium oxide (Ce 2 O). Plasma display panel comprising. 제 13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 글라스 프릿은 1 내지 12 중량부의 산화인(P2O5), 0.5 내지 10 중량부의 산화나트륨(Na2O) 및 7 내지 12 중량부의 산화칼륨(K2O)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.The glass frit is any one selected from the group consisting of 1 to 12 parts by weight of phosphorus oxide (P 2 O 5 ), 0.5 to 10 parts by weight of sodium oxide (Na 2 O) and 7 to 12 parts by weight of potassium oxide (K 2 O). Plasma display panel further comprising the above. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 유전체층의 내에칭율은 140 내지 160%인 플라즈마 디스플레이 패널.The plasma display panel has a etch resistance of 140 to 160%. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 유전체층의 유전율은 10 내지 11C2/N㎡ 인 플라즈마 디스플레이 패널.The dielectric constant of the dielectric layer is 10 to 11 C 2 / Nm 2 The plasma display panel.
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