KR100961457B1

KR100961457B1 - Probe substrate and making method thereof

Info

Publication number: KR100961457B1
Application number: KR1020080025395A
Authority: KR
Inventors: 김홍찬
Original assignee: 윌테크놀러지(주)
Priority date: 2008-03-19
Filing date: 2008-03-19
Publication date: 2010-06-08
Also published as: KR20090100037A

Abstract

프로브 카드에 사용되는 형태가 개선된 프로브 기판과 프로브 기판의 제조 방법이 제공된다.Provided are an improved probe substrate and a method of manufacturing the probe substrate for use in a probe card.

회로 패턴이 형성되어 있는 인쇄 회로 기판에 전기적으로 연결되는 프로브 카드용 프로브 기판은 프로브판 및 상기 프로브판의 일 측면 상에 위치하고 있으며 상기 회로 패턴과 연결되는 단자부, 상기 단자부로부터 상기 프로브판의 일 측면 상에서 연장되는 리드부, 상기 프로브판의 단부에 대응하여 상기 리드부로부터 상기 프로브판의 하측 방향으로 절곡 연장되는 절곡부 및 상기 절곡부로부터 연장되어 상기 프로브판을 지나 돌출되는 팁부를 포함하는 접촉 프로브를 포함한다.A probe board for a probe card electrically connected to a printed circuit board having a circuit pattern formed thereon is located on one side of the probe plate and the probe plate, and is connected to the circuit pattern and one side of the probe plate from the terminal part. A contact probe including a lead portion extending in an upper portion, a bending portion extending from the lead portion in a lower direction of the probe plate corresponding to an end of the probe plate, and a tip portion extending from the bending portion and protruding beyond the probe plate. It includes.

프로브 카드, 프로브 기판, 절곡부 Probe card, probe board, bend

Description

PROBE SUBSTRATE AND MAKING METHOD THEREOF

본 발명은 프로브 카드에 사용하는 프로브 기판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 웨이퍼 등의 반도체 장치를 검사하는 프로브 카드에 사용하는 프로브 기판과 프로브 기판의 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a probe substrate for use in a probe card, and more particularly, to a probe substrate for use in a probe card for inspecting a semiconductor device such as a wafer and a method for manufacturing the probe substrate.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접촉 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로 패턴 및 접촉 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.In general, semiconductor devices have a fabrication process of forming contact pads for circuit patterns and inspections on a wafer, and an assembly process of assembling wafers having circuit patterns and contact pads into respective semiconductor chips. It is manufactured through.

패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.An inspection process is performed between the fabrication process and the assembly process to inspect the electrical characteristics of the wafer by applying an electrical signal to the contact pads formed on the wafer. This inspection process is performed to inspect a defect of a wafer and to remove a portion of a wafer in which a defect occurs during an assembly process.

검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄 회로 기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 프로브를 포함한다.In the inspection process, inspection equipment called a tester for applying an electrical signal to a wafer and probe equipment for performing an interface function between the wafer and the tester are mainly used. Among them, the probe card includes a printed circuit board that receives an electrical signal applied from a tester and a plurality of probes in contact with contact pads formed on the wafer.

이하, 도 1을 참조하여 종래의 프로브 카드를 설명한다.Hereinafter, a conventional probe card will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 종래의 프로브 카드를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional probe card.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 프로브 카드(10)는 웨이퍼 척(20)에 안착되어 있는 웨이퍼(30) 상에 형성된 접촉 패드(31)에 접촉하여 웨이퍼(30)를 검사하며, 인쇄 회로 기판(11), 프로브(12) 및 프로브 지지부(13)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional probe card 10 contacts the contact pad 31 formed on the wafer 30 seated on the wafer chuck 20 to inspect the wafer 30, and a printed circuit. And a substrate 11, a probe 12, and a probe support 13.

인쇄 회로 기판(11)의 상면에는 회로 패턴(11a)이 형성되어 있으며, 회로 패턴(11a)은 인쇄 회로 기판(11)과 수직을 이루는 프로브(12)에 연결되어 프로브(12)에 검사 공정을 위한 전기적 신호를 보내준다.A circuit pattern 11a is formed on the upper surface of the printed circuit board 11, and the circuit pattern 11a is connected to the probe 12 perpendicular to the printed circuit board 11 to perform an inspection process on the probe 12. Send electrical signal for

프로브(12)는 회로 패턴(11a)에 연결되어 있고, 프로브 카드(10)의 하강 또는 웨이퍼 척(20)의 상승에 의해 접촉 패드(31)에 접촉하여 회로 패턴(11a)으로부터 공급된 전기적 신호를 접촉 패드(31)에 전달한다.The probe 12 is connected to the circuit pattern 11a and is in contact with the contact pad 31 by the lowering of the probe card 10 or the rise of the wafer chuck 20 to supply an electrical signal supplied from the circuit pattern 11a. Is transmitted to the contact pad 31.

프로브 지지부(13)에는 프로브(12)를 지지하는 관통홀이 형성되어 있으며, 상기 관통홀은 프로브(12)가 안정적으로 상하 운동을 하도록 도와준다.Probe support 13 is formed with a through hole for supporting the probe 12, the through hole helps the probe 12 to move up and down stably.

최근에, 고 집적 반도체 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼(30)에 형성되는 반도체 회로 패턴이 고 집적하게 되며, 이에 의해, 이웃하는 접촉 패드(31)간의 간격, 즉 피치(pitch)가 매우 좁게 형성되고 있다.In recent years, as the demand for high integrated semiconductor chips increases, the semiconductor circuit patterns formed on the wafer 30 by the fabrication process become highly integrated, whereby the intervals, or pitches, between adjacent contact pads 31 are increased. (pitch) is formed very narrowly.

이러한 미세 피치의 접촉 패드(31)를 검사하기 위해서는, 프로브 카드(10)의 프로브(12) 역시 미세 피치로 형성되어야 하며, 그에 따라 인쇄 회로 기판(11) 및 프로브(12) 사이에 인쇄 회로 기판(11) 상의 단자간 간격과 프로브(12)간 간격의 차이를 보상해 주는 소위 공간 변환기(space transformer)가 사용되어야 한다.In order to inspect such fine pitch contact pads 31, the probe 12 of the probe card 10 must also be formed at a fine pitch, thus between the printed circuit board 11 and the probe 12 A so-called space transformer should be used that compensates for the difference in spacing between terminals on probe 11 and between probe 12.

그런데, 종래의 프로브 카드(10)는 각각의 프로브(12)를 인쇄 회로 기판(11)에 연결하여 제조하기 때문에, 프로브(12)를 미세 피치로 형성하기 어렵다.However, since the conventional probe card 10 is manufactured by connecting each probe 12 to the printed circuit board 11, it is difficult to form the probe 12 at a fine pitch.

또한, 종래의 프로브 카드(10)에 공간 변환기를 추가로 사용할 경우, 프로브 카드(10)의 제조 비용이 상승하는 문제점이 있다.In addition, when the space transducer is additionally used in the conventional probe card 10, there is a problem in that the manufacturing cost of the probe card 10 increases.

또한, 종래의 프로브 카드(10)는 검사 공정 시 임계치 이상의 압력이 프로브(10)에 인가될 경우, 프로브(10)에 인가되는 압력을 보상해주는 장치가 없기 때문에 프로브(10)가 손상될 수 있는 문제점이 있다.In addition, in the conventional probe card 10, when a pressure higher than a threshold is applied to the probe 10 during the inspection process, the probe 10 may be damaged because there is no device to compensate the pressure applied to the probe 10. There is a problem.

본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 연성 인쇄 회로 기판에서 피치 변환을 수행하고, 프로브판 상에 형성된 접촉 프로브의 리드부에서 피치 변환을 수행하여 이웃하는 접촉 패드가 미세 피치를 가지도록 형성된 고집적 웨이퍼를 검사할 수 있는 프로브 카드에 사용되는 프로브 기판과 프로브 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 연성 인쇄 회로 기판에서 피치 변환을 수행하고, 프로브판 상에 형성되어 있는 접촉 프로브의 리드부에서 피치 변환을 수행하기 때문에 다층 세라믹 기판 등과 같은 공간 변환기를 사용할 필요가 없어 제조 비용을 절감하는 데 그 목적이 있다.One embodiment of the present invention is to solve the above-described problems, the pitch conversion in the flexible printed circuit board, and the pitch conversion in the lead portion of the contact probe formed on the probe plate to the neighboring contact pad fine pitch An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a probe substrate and a probe substrate used in a probe card capable of inspecting a highly integrated wafer formed to have a.
In addition, since the present invention performs pitch conversion on a flexible printed circuit board and pitch conversion on a lead portion of a contact probe formed on a probe plate, there is no need to use a space converter such as a multilayer ceramic substrate, thereby reducing manufacturing costs. The purpose is to save.

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상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 프로브판의 일 측면 상에 위치하며, 이 프로브판의 하측 방향으로 절곡 연장되는 절곡부를 포함하는 접촉 프로브가 형성된 프로브판을 포함하는 프로브 기판의 제조 방법에 있어서, (a) 절연성 물질로 이루어진 판상으로 형성되고, 제 1 면 및 이 제 1 면과 대향하는 제 2 면으로 이루어진 절연 기판의 제 1 면상에 스핀 코팅법에 의해 제 1 포토레지스트층을 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 접촉 프로브의 절곡부 및 팁부에 대응하는 제 1 영역이 개구되며 절연 기판이 노출되도록 제 1 포토마스크층을 형성하고, 상기 제 1 영역에 대응하는 절연 기판이 함몰되도록 이 절연 기판을 에칭하여 기판 개구부를 형성하는 단계; (c) 상기 제 1 포토레지스트층을 에슁하여 제거하는 단계; (d) 상기 절연 기판의 제 1 면 및 기판 개구부에 포토레지스트물질을 도포하여 제 2 포토레지스트층을 형성하는 단계; (e) 상기 제 2 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 접촉 프로브에 대응하는 제 2 영역의 제 2 포토레지스트층을 제거해 개구부를 형성하는 단계; (f) 상기 개구부에 도전성 물질을 채워 접촉 프로브를 형성하되, 이 접촉 프로브 사이에 상기 제 2 포토레지스트층이 위치하도록 도전성 물질을 채워넣는 단계; (g) 상기 절연 기판의 상기 제 2 면상에 포토레지스트물질을 도포하여 제 3 포토레지스트층을 형성하고, 이 제 3 포토레지스트층을 노광 및 현상하여 상기 프로브판에 대응하는 제 3 영역에 제 2 포토마스크층을 형성하는 단계; (h) 상기 (g) 단계의 절연 기판을 에칭하여 프로브판을 형성하는 단계; 및 (i) 제 2 포토레지스트층 및 제 2 포토마스크층을 에슁하여 제거하는 단계; 를 포함하는 프로브 기판의 제조 방법을 제공한다.As a technical means for achieving the above-described technical problem, a method for manufacturing a probe substrate comprising a probe plate formed on a side of the probe plate, the contact plate formed with a contact probe bent extending in the downward direction of the probe plate (A) A first photoresist layer is formed by a spin coating method on a first surface of an insulating substrate formed of a plate shape made of an insulating material, the first surface and the second surface of the second surface facing the first surface. Doing; (b) exposing and developing the first photoresist layer to form a first photomask layer such that a first region corresponding to the bent and tip portions of the contact probe is opened and an insulating substrate is exposed; Etching the insulating substrate to form a substrate opening so that the corresponding insulating substrate is recessed; (c) etching off the first photoresist layer; (d) applying a photoresist material to the first surface of the insulating substrate and the substrate opening to form a second photoresist layer; (e) exposing and developing the second photoresist layer to remove the second photoresist layer in the second region corresponding to the contact probe to form openings; (f) filling the opening with a conductive material to form a contact probe, wherein the conductive material is filled with the second photoresist layer between the contact probes; (g) applying a photoresist material on the second surface of the insulating substrate to form a third photoresist layer, and exposing and developing the third photoresist layer to form a second photoresist in a third region corresponding to the probe plate. Forming a photomask layer; (h) etching the insulating substrate of step (g) to form a probe plate; And (i) etching off the second photoresist layer and the second photomask layer; It provides a method for producing a probe substrate comprising a.

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상기 절연 기판의 제 1 면 및 기판 개구부와 상기 제 2 포토레지스트층 사이에 스퍼터링(Sputtering) 을 통해 접착층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming an adhesive layer between the first surface and the substrate opening of the insulating substrate and the second photoresist layer through sputtering.

상기 접착층을 에칭하여 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include etching to remove the adhesive layer.

전술한 본 발명의 과제 해결 수단의 일부 실시예 중 하나에 의하면, 형태를 개선함으로써, 미세 피치를 가진 접촉 패드가 형성되어 있는 웨이퍼 등의 반도체 장치를 검사할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 연성 인쇄 회로 기판에서 피치 변환을 수행하고, 프로브판 상에 형성되어 있는 접촉 프로브의 리드부에서 피치 변환을 수행하기 때문에 다층 세라믹 기판 등과 같은 공간 변환기를 사용할 필요가 없으므로, 제조 비용이 절감되는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 접촉 프로브가 동시에 일괄적으로 프로브판 상에 형성되어 있기 때문에, 접촉 프로브 각각을 인쇄 회로 기판에 연결해야 할 필요가 없어, 제조 시간 및 제조 비용이 절감되는 효과가 있다.According to one embodiment of the above-described problem solving means of the present invention, by improving the shape, there is an effect that it is possible to inspect a semiconductor device such as a wafer on which a contact pad having a fine pitch is formed.
Further, according to the present invention, since the pitch conversion is performed in the flexible printed circuit board and the pitch conversion is performed in the lead portion of the contact probe formed on the probe plate, it is not necessary to use a space transducer such as a multilayer ceramic substrate. The manufacturing cost is reduced.
Further, according to the present invention, since the contact probes are formed on the probe plate at the same time, it is not necessary to connect each of the contact probes to the printed circuit board, thereby reducing the manufacturing time and manufacturing cost.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재와 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 “전기적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a member is located “on” another member, this includes not only when one member is in contact with another member but also when another member exists between the two members. Also, when a part is "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.

이하, 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명에 따른 프로브 카드를 설명한다.Hereinafter, a probe card according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 10.

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도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 프로브 카드는 인쇄 회로 기판(100), 인터포저(200), 연성 인쇄 회로 기판(300), 완충판(400), 지지판(500) 및 프로브 기판(600)를 포함한다.As shown, the probe card according to the present invention includes a printed circuit board 100, an interposer 200, a flexible printed circuit board 300, a buffer plate 400, a support plate 500, and a probe substrate 600. do.

인쇄 회로 기판(100)은 대략 원판 형상으로 형성되며, 검사 공정을 위한 프로브 회로 패턴이 형성되어 있다. 인쇄 회로 기판(100)은 고집적 웨이퍼를 검사하기 위해 인쇄 회로 기판(100) 내에서 배선을 통해 피치(pitch) 변환이 수행될 수 있으며, 인쇄 회로 기판(100)은 검사 공정을 위한 테스터와 연결되어 있을 수 있다. 인쇄 회로 기판(100)의 주변 영역에는 후술할 완충판(400)의 완충 나사(420)가 삽입되는 삽입구(110, 도 7 도시)가 형성되어 있다. 인쇄 회로 기판(100) 상에는 인쇄 회로 기판(100)과 연성 인쇄 회로 기판(300) 사이를 연결하는 인터포저(200)가 위치하고 있다.The printed circuit board 100 is formed in a substantially disk shape, and a probe circuit pattern for an inspection process is formed. The printed circuit board 100 may be pitch-transformed through wiring in the printed circuit board 100 to inspect the highly integrated wafer, and the printed circuit board 100 may be connected to a tester for an inspection process. There may be. In the peripheral region of the printed circuit board 100, an insertion hole 110 (shown in FIG. 7) into which the buffer screw 420 of the buffer plate 400 to be described later is inserted is formed. The interposer 200 connecting the printed circuit board 100 and the flexible printed circuit board 300 is positioned on the printed circuit board 100.

한편, 피치 변환이란 복수의 일 단자로부터 각각 복수의 타 단자로 신호가 전송될 시, 이웃하는 일 단자간의 간격보다 이웃하는 타 단자간의 간격을 변환하는 것을 의미한다. On the other hand, pitch conversion means that when a signal is transmitted from a plurality of terminals to a plurality of other terminals, the interval between neighboring other terminals is converted rather than the interval between neighboring one terminals.

도 4는 도 3의 A부분의 확대도이다.4 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 인터포저(200)는 인쇄 회로 기판(100)의 주변 영역 상에 위치하고 있으며, 도전부(210) 및 본체부(220)를 포함한다. 도전부(210)는 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴과 후술할 연성 인쇄 회로 기판(300)의 기판 단자부(310) 사이에 위치하며, 프로브 회로 패턴과 기판 단자부(310) 사이를 연결하는 역할을 한다. 본체부(220)는 도전부(210)의 적어도 일부를 감싸고 있으며, 도전부(210)를 지지하는 역할을 한다. 인터포저(200)는 검사 공정을 위해 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴을 거친 전기 신호를 연성 인쇄 회로 기판(300)으로 전달하는 역할을 한다.As shown in FIGS. 3 and 4, the interposer 200 is positioned on the peripheral area of the printed circuit board 100 and includes a conductive portion 210 and a main body portion 220. The conductive part 210 is positioned between the probe circuit pattern of the printed circuit board 100 and the board terminal part 310 of the flexible printed circuit board 300, which will be described later, and connects the probe circuit pattern and the board terminal part 310. Play a role. The body portion 220 surrounds at least a portion of the conductive portion 210 and serves to support the conductive portion 210. The interposer 200 transmits an electrical signal that passes through the probe circuit pattern of the printed circuit board 100 to the flexible printed circuit board 300 for the inspection process.

도 5는 본 발명에 따른 프로브 카드에 포함되어 있는 연성 인쇄 회로 기판의 평면도이다.5 is a plan view of a flexible printed circuit board included in a probe card according to the present invention.

도시된 바와 같이, 연성 인쇄 회로 기판(300)은 기판 단자부(310) 및 프로브 단자부(320)를 포함한다. 기판 단자부(310)는 인터포저(200)의 도전부(210)와 직접 연결되어 있으며, 인터포저(200)를 통해 인쇄 회로 기판(100)의 프로브 회로 패턴과 연결되어 있다.
프로브 단자부(320)는 후술할 프로브 기판(600)의 접촉 프로브(620)와 연결되어 있다. 기판 단자부(310) 및 프로브 단자부(320)는 복수개이며, 이웃하는 프로브 단자부(320)간의 거리는 이웃하는 기판 단자부(310)간의 거리보다 좁다.
즉, 연성 인쇄 회로 기판(300)은 인쇄 회로 기판(100)과 프로브 기판(600) 사이를 연결하는 역할을 하는 동시에 연성 인쇄 회로 기판(300) 자체적으로 피치 변환을 수행한다. 또한, 연성 인쇄 회로 기판(300)의 단부로부터 이웃하는 프로브 단자부(320) 각각의 거리는 서로 상이하다.
더 자세하게는, 프로브 단자부(320)는 2개의 열로 형성되며, 연성 인쇄 회로 기판(300)의 단부로부터 이웃하는 프로브 단자부(320)의 열까지의 거리는 서로 상이하다. 즉, 프로브 단자부(320)는 상호 교호적으로 엇갈려 배치되어 있다. 연성 인쇄 회로 기판(300)은 인쇄 회로 기판(100)과 완충판(400) 사이에 위치하여 프로브 기판(600)과 연결되어 있다.As shown, the flexible printed circuit board 300 includes a board terminal portion 310 and a probe terminal portion 320. The board terminal part 310 is directly connected to the conductive part 210 of the interposer 200, and is connected to the probe circuit pattern of the printed circuit board 100 through the interposer 200.
The probe terminal 320 is connected to the contact probe 620 of the probe substrate 600 which will be described later. The board terminal part 310 and the probe terminal part 320 are plural, and the distance between the neighboring probe terminal parts 320 is smaller than the distance between the neighboring board terminal parts 310.
That is, the flexible printed circuit board 300 serves to connect between the printed circuit board 100 and the probe substrate 600 and at the same time performs the pitch conversion on the flexible printed circuit board 300 itself. In addition, the distances of the adjacent probe terminal portions 320 from the ends of the flexible printed circuit board 300 are different from each other.
In more detail, the probe terminal portions 320 are formed in two rows, and the distances from the ends of the flexible printed circuit board 300 to the rows of the neighboring probe terminal portions 320 are different from each other. In other words, the probe terminal portions 320 are alternately arranged alternately. The flexible printed circuit board 300 is positioned between the printed circuit board 100 and the buffer plate 400 to be connected to the probe substrate 600.

도 6은 본 발명에 따른 프로브 카드에 포함되어 있는 완충판의 사시도이며, 도 7은 도 2의 Ⅶ-Ⅶ을 따른 단면도이다.6 is a perspective view of a buffer plate included in a probe card according to the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. 2.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 완충판(400)은 인쇄 회로 기판(100) 상에 위치하고 있다. 완충판(400)은 완충판 본체부(410), 완충 나사(420), 탄성 구조물(430) 및 스프링부(440)를 포함한다.As shown in FIGS. 6 and 7, the buffer plate 400 is positioned on the printed circuit board 100. The buffer plate 400 includes a buffer plate body part 410, a buffer screw 420, an elastic structure 430, and a spring part 440.

완충판 본체부(410)는 대략 원 형상으로 이루어져 있으며, 중심 영역에 후술할 지지판(500)이 지지되는 안착부(411)가 형성되어 있다. 안착부(411)는 완충판 본체부(410)를 관통시켜 형성된다. 완충판 본체부(410)의 주변 영역에는 완충 나사(420)가 위치하고 있다.The shock absorbing plate body 410 is formed in a substantially circular shape, and a seating portion 411 is formed in the central region to support the supporting plate 500. The seating portion 411 is formed through the buffer plate body portion 410. The buffer screw 420 is positioned in the peripheral region of the buffer plate body 410.

완충 나사(420)는 완충판 본체부(410)를 관통하여 인쇄 회로 기판(100)에 형 성되어 있는 삽입구(110)에 삽입되어 있다. 완충 나사(420)의 단부(421)는 삽입구(110)의 저부(111)와 이격되어 있다. 완충 나사(420)는 탄성 구조물(430)이 감싸고 있다. 검사 공정 시, 완충판(400)에 설정된 하중 이상의 하중이 인가되면 완충 나사(420)의 단부(421)는 삽입구(110)의 내에서 슬라이딩 운동을 한다. 완충 나사(420)는 완충판(400)과 인쇄 회로 기판(100)을 결합시키는 역할을 한다.The buffer screw 420 is inserted into the insertion hole 110 formed in the printed circuit board 100 through the buffer plate body 410. The end 421 of the buffer screw 420 is spaced apart from the bottom 111 of the insertion hole 110. The buffer screw 420 is wrapped around the elastic structure 430. During the inspection process, when a load equal to or greater than the load set in the buffer plate 400 is applied, the end portion 421 of the shock absorbing screw 420 performs a sliding motion in the insertion hole 110. The buffer screw 420 serves to couple the buffer plate 400 and the printed circuit board 100.

탄성 구조물(430)은 완충판 본체부(410)와 인쇄 회로 기판(100) 사이에 위치하고 있다. 탄성 구조물(430)은 탄성을 가지는 고무 등의 탄성 수지로 이루어져 있다. 탄성 구조물(430)은 완충판(400)의 최초 높이를 설정하는 역할을 한다. 탄성 구조물(430)과 완충 나사(420) 사이에는 스프링부(440)가 위치한다.The elastic structure 430 is located between the buffer plate body 410 and the printed circuit board 100. The elastic structure 430 is made of an elastic resin such as rubber having elasticity. The elastic structure 430 serves to set the initial height of the buffer plate 400. The spring part 440 is positioned between the elastic structure 430 and the buffer screw 420.

스프링부(440)는 완충판 본체부(410)와 인쇄 회로 기판(100) 사이에 위치하고 있으며, 완충 나사(420)를 감싸고 있다. 스프링부(440)는 탄성을 가지며, 검사 공정 시 완충판(400)에 압력이 인가되어 스프링부(440)에 압력이 인가될 때 인쇄 회로 기판(100) 및 완충판 본체부(410) 방향으로 압력을 가한다. 이와 같이, 완충판(400)은 검사 공정 시 압력이 완충판(400)에 인가되면 인쇄 회로 기판(100)에 대해 탄성 지지한다. 완충판(400)의 안착부(411)에는 지지판(500)이 안착되어 있다.The spring 440 is positioned between the buffer plate main body 410 and the printed circuit board 100 and surrounds the buffer screw 420. The spring part 440 has elasticity, and when pressure is applied to the buffer plate 400 during the inspection process, pressure is applied to the printed circuit board 100 and the buffer plate main body part 410 when pressure is applied to the spring part 440. Add. As such, the buffer plate 400 elastically supports the printed circuit board 100 when pressure is applied to the buffer plate 400 during the inspection process. The support plate 500 is seated on the seating portion 411 of the buffer plate 400.

도 8은 본 발명에 따른 프로브 카드에 포함되어 있는 지지판의 사시도이며, 도 9는 도 2의 Ⅸ-Ⅸ를 따른 단면도이다.
도시된 바와 같이, 지지판(500)은 지지판(500)을 관통하여 형성되어 있는 고정 슬릿(510)을 포함한다. 고정 슬릿(510)은 복수의 슬릿을 가지고 있으며, 각각의 슬릿에는 후술할 프로브 기판(600)의 프로브판(610)이 지지된다. 고정 슬릿(510)은 포토리소그래피(photolithography) 방법을 이용해 지지판(500)에 형성되거나, 물리적인 가공을 통해 형성될 수 있다.8 is a perspective view of a supporting plate included in the probe card according to the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. 2.
As shown, the support plate 500 includes a fixed slit 510 formed through the support plate 500. The fixed slit 510 has a plurality of slits, and each of the slits supports the probe plate 610 of the probe substrate 600 to be described later. The fixed slit 510 may be formed on the support plate 500 using photolithography or may be formed through physical processing.

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한편, 고정 슬릿(510)은 각 프로브판(610)이 삽입되도록 복수의 막대 형상의 관통구로서, 지지판(500)을 관통하여 형성될 수 있다.On the other hand, the fixing slit 510 may be formed through the support plate 500 as a plurality of rod-shaped through-holes so that each probe plate 610 is inserted.

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프로브 기판(600)은 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 프로브판(610), 접촉 프로브(620) 및 접착층(630)를 포함한다.The probe substrate 600 includes a probe plate 610, a contact probe 620, and an adhesive layer 630, as shown in FIGS. 9 and 10.

프로브판(610)은 일 단부(611)와 타 단부(612)를 포함하며, 지지판(500)의 고정 슬릿(510)에 상측 방향으로 세워져서 지지되어 있다. 프로브판(610)은 실리콘(Si) 또는 글라스(glass) 등의 절연성 세라믹으로 이루어져 있다. 프로브판(610)은 습식 에칭 또는 건식 에칭 시 경사면을 가질 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 프로브판(610) 상에는 접촉 프로브(620)가 형성되어 있다.The probe plate 610 includes one end 611 and the other end 612, and is supported by being fixed to the fixing slit 510 of the support plate 500 in an upward direction. The probe plate 610 is made of an insulating ceramic such as silicon (Si) or glass. The probe plate 610 may be made of a material that may have an inclined surface during wet etching or dry etching. The contact probe 620 is formed on the probe plate 610.

접촉 프로브(620)는 복수개로 형성되며, 이웃하는 접촉 프로브(620)는 서로 이격되어 있다. 복수개의 접촉 프로브(620)는 동시에 일괄적으로 형성될 수 있다. 접촉 프로브(620)는 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu) 등의 도전성 물질로 이루어져 있으며, 고정 슬릿(510)과 마찬가지로 포토리소그래피(photolithography) 방법을 이용해 프로브판(610) 상에 형성된다. 접촉 프로브(620)는 단자부(621), 리드부(622), 절곡부(623) 및 팁부(624)를 포함한다.The contact probes 620 are formed in plural, and neighboring contact probes 620 are spaced apart from each other. The plurality of contact probes 620 may be formed in a batch at the same time. The contact probe 620 is made of a conductive material such as gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), and the like on the probe plate 610 using a photolithography method, similarly to the fixed slit 510. Is formed. The contact probe 620 includes a terminal portion 621, a lead portion 622, a bent portion 623, and a tip portion 624.

단자부(621)는 프로브판(610)의 일 측면의 일 단부(611) 상에 복수개로 형성되어 있으며, 연성 인쇄 회로 기판(300)과 연결되어 있다. 프로브판(610)의 일 단부(611)로부터 이웃하는 단자부(621) 각각의 거리는 서로 상이하다. 더 자세하게 는, 단자부(621)는 2개의 열로 형성되며, 프로브판(610)의 일 단부(611)로부터 이웃하는 단자부(621)의 열까지의 거리는 서로 상이하다. 즉, 단자부(621)는 상호 교호적으로 엇갈려 배치되어 있다. 단자부(621)는 연성 인쇄 회로 기판(300)의 프로브 단자부(320)와 대응하며, 전도성 접착 부재(ACF)에 의해 연성 인쇄 회로 기판(300)의 프로브 단자부(320)와 연결되어 있다. 전도성 접착 부재(ACF)는 전도성 경화형 접착 필름 중의 하나인 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film, ACF)을 사용하는 것이 바람직하다. 단자부(621)로부터 연장되어 리드부(622)가 형성되어 있다.The terminal unit 621 is formed in plural on one end 611 of one side of the probe plate 610, and is connected to the flexible printed circuit board 300. The distances of the adjacent terminal portions 621 from one end 611 of the probe plate 610 are different from each other. In more detail, the terminal portions 621 are formed in two rows, and the distances from one end 611 of the probe plate 610 to the rows of the adjacent terminal portions 621 are different from each other. That is, the terminal portions 621 are alternately arranged alternately. The terminal portion 621 corresponds to the probe terminal portion 320 of the flexible printed circuit board 300, and is connected to the probe terminal portion 320 of the flexible printed circuit board 300 by a conductive adhesive member (ACF). The conductive adhesive member (ACF) preferably uses an anisotropic conductive film (ACF), which is one of the conductive curable adhesive films. A lead portion 622 is formed extending from the terminal portion 621.

리드부(622)는 프로브판(610)의 일 측면 상에 형성되어 있으며, 프로브판(610)의 타 단부(612) 방향으로 절곡 연장되어 있다. 리드부(622)는 프로브판(610) 상에서 단자부(621)로부터 절곡부(623)까지 프로브판(610)의 판면 상에서 피치 변환을 수행한다. 리드부(622)로부터 연장되어 절곡부(623)가 형성되어 있다.The lead part 622 is formed on one side of the probe plate 610, and is bent and extended in the direction of the other end 612 of the probe plate 610. The lead portion 622 performs pitch conversion on the plate surface of the probe plate 610 from the terminal portion 621 to the bent portion 623 on the probe plate 610. The bent portion 623 extends from the lead portion 622.

절곡부(623)는 프로브판(610)의 타 단부(612)에 대응하여 프로브판(610)의 하측 방향으로 절곡 연장되어 있다. 절곡부(623)는 리드부(622)와 팁부(624) 사이를 연결하며, 검사 공정 시 팁부(624)가 검사 대상인 웨이퍼(wafer)에 형성된 접촉 패드에 탄성적으로 대응할 수 있도록 한다. 절곡부(623)로부터 연장되어 팁부(624)가 형성되어 있다.The bent portion 623 is bent and extended in the downward direction of the probe plate 610 in correspondence with the other end 612 of the probe plate 610. The bent part 623 connects between the lead part 622 and the tip part 624, and allows the tip part 624 to elastically correspond to the contact pad formed on the wafer to be inspected during the inspection process. A tip portion 624 is formed extending from the bent portion 623.

팁부(624)는 절곡부(623)로부터 리드부(622)의 연장 방향으로 절곡되어 연장되어 있다. 팁부(624)는 프로브판(610)과 이격되어 있으며, 프로브판(610)의 타 단부(612)로부터 지지판(500)의 상측 방향으로 돌출되어 있다. 팁부(624)는 단자 부(621)에 대응하여 복수개이며, 이웃하는 팁부(624)간의 거리는 이웃하는 단자부(621)간의 거리보다 좁다. 즉, 리드부(622)에 의해 단자부(621)로부터 팁부(624)까지 피치 변환이 수행된다. 팁부(624)는 검사 공정 시 검사 대상인 웨이퍼에 형성된 접촉 패드와 직접 접촉하는 역할을 한다. The tip part 624 is bent and extended from the bend part 623 in the extension direction of the lead part 622. The tip portion 624 is spaced apart from the probe plate 610, and protrudes from the other end 612 of the probe plate 610 in the upward direction of the support plate 500. The tip part 624 is plural in correspondence with the terminal part 621, and the distance between the adjacent tip parts 624 is smaller than the distance between the neighboring terminal parts 621. That is, pitch conversion is performed from the terminal portion 621 to the tip portion 624 by the lead portion 622. The tip portion 624 is in direct contact with the contact pads formed on the wafer to be inspected during the inspection process.

접촉 프로브(620) 및 프로브판(610) 사이에는 접착층(630)이 위치하고 있다.An adhesive layer 630 is positioned between the contact probe 620 and the probe plate 610.

접착층(630)은 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr) 등의 도전성 물질로 이루어져 있으며, 접촉 프로브(620)보다 프로브판(610)과 화학적 친화력이 더 높다. 더 구체적으로, 접착층(630)은 접촉 프로브(620) 및 프로브판(610) 사이에 위치하여 접촉 프로브(620) 및 프로브판(610) 사이의 접합을 용이하게 하는 역할을 한다.The adhesive layer 630 is made of a conductive material such as titanium (Ti) or chromium (Cr), and has a higher chemical affinity with the probe plate 610 than the contact probe 620. More specifically, the adhesive layer 630 is positioned between the contact probe 620 and the probe plate 610 to facilitate bonding between the contact probe 620 and the probe plate 610.

여기서, 화학적 친화력이란, 두개의 물질에 있어서 상호간의 접착력을 의미한다.Here, chemical affinity means the adhesive force of two materials.

한편, 외부로 노출되는 접촉 프로브(620) 표면에는 절연성 물질이 형성될 수 있다. 이 경우, 이웃하는 접촉 프로브(620) 간의 단락이 억제된다.Meanwhile, an insulating material may be formed on the surface of the contact probe 620 exposed to the outside. In this case, a short circuit between neighboring contact probes 620 is suppressed.

이상과 같이, 연성 인쇄 회로 기판(300)에서 피치 변환을 수행하고, 프로브판(610) 상에 형성되어 있는 접촉 프로브(620)의 리드부(622)에서 피치 변환을 수행하기 때문에, 이웃하는 접촉 패드가 미세 피치를 가지고 형성되어 있는 고집적 웨이퍼를 검사할 수 있다.As described above, since the pitch conversion is performed in the flexible printed circuit board 300 and the lead portion 622 of the contact probe 620 formed on the probe plate 610 is performed, the neighboring contact is performed. It is possible to inspect highly integrated wafers in which pads are formed with fine pitch.

또한, 연성 인쇄 회로 기판(300)에서 피치 변환을 수행하고, 프로브판(610) 상에 형성되어 있는 접촉 프로브(620)의 리드부(622)에서 피치 변환을 수행하기 때문에 다층 세라믹 기판 등과 같은 공간 변환기를 사용할 필요가 없다. 이에 의해, 제조 비용이 절감된다.In addition, the pitch conversion is performed in the flexible printed circuit board 300, and the pitch conversion is performed in the lead portion 622 of the contact probe 620 formed on the probe plate 610. There is no need to use a converter. This reduces the manufacturing cost.

또한, 접촉 프로브(620)가 동시에 일괄적으로 프로브판(610) 상에 형성되어 있기 때문에, 접촉 프로브(620) 각각을 인쇄 회로 기판에 연결해야 할 필요가 없다. 이에 의해, 제조 시간 및 제조 비용이 절감된다.In addition, since the contact probes 620 are simultaneously formed on the probe plate 610, it is not necessary to connect each of the contact probes 620 to the printed circuit board. Thereby, manufacturing time and manufacturing cost are saved.

또한, 접촉 프로브(620)가 포토리소그래피 방법을 통해 프로브판(610) 상에 형성되기 때문에, 이웃하는 접촉 프로브(620)간의 간격 조절 또는 접촉 프로브(620) 자체의 크기를 미세하게 형성할 수 있다. 이에 의해, 미세 피치를 가지면서 자체의 크기가 작은 접촉 패드가 형성되어 있는 초고집적 웨이퍼를 검사할 수 있다.In addition, since the contact probe 620 is formed on the probe plate 610 through a photolithography method, it is possible to finely form the size of the contact probe 620 itself or the spacing between neighboring contact probes 620. . As a result, it is possible to inspect an ultra-high density wafer having a fine pitch and having a small contact pad.

또한, 접촉 프로브(620)가 절곡부(623)를 가지고 있고, 절곡부(623)에 의해 팁부(624)가 탄성을 가지기 때문에, 검사 공정 시 웨이퍼에 형성되어 있는 접촉 패드에 팁부(624)가 탄성적으로 접촉한다. 이에 의해, 검사 공정 시 팁부(624)가 접촉 패드 표면에서 미끄러질 수 있고, 이 미끄러짐에 의해 팁부(624)에 인가되는 압력이 분산되며, 접촉 패드 표면에 스크럽(scrub)이 발생하면서 팁부(624)는 안정적으로 접촉 패드와 접촉할 수 있다. 또한, 팁부(624)에 집중되는 압력이 분산되기 때문에 팁부(624)의 손상 및 접촉 패드의 손상과 같은 검사 공정에 의한 불량이 억제된다.In addition, since the contact probe 620 has a bent portion 623, and the tip portion 624 has elasticity by the bent portion 623, the tip portion 624 is formed on the contact pad formed on the wafer during the inspection process. Elastic contact. As a result, during the inspection process, the tip portion 624 may slide on the contact pad surface, and the pressure applied to the tip portion 624 is dispersed by the slip, and a scrub is generated on the contact pad surface, and the tip portion 624 Can stably contact the contact pads. In addition, since the pressure concentrated on the tip portion 624 is dispersed, defects caused by inspection processes such as damage to the tip portion 624 and damage to the contact pads are suppressed.

또한, 연성 인쇄 회로 기판(300)의 복수의 프로브 단자부(320)가 서로 엇갈려 배치되어 있기 때문에, 프로브 단자부(320)가 일렬로 배치되어 있을 경우에 비해서 이웃하는 프로브 단자부(320)간의 간격이 넓다. 이에 의해, 검사 공정 시 이 웃하는 프로브 단자부(320) 간에 발생할 수 있는 전자파에 의한 간섭을 억제할 수 있다.In addition, since the plurality of probe terminal portions 320 of the flexible printed circuit board 300 are alternately arranged, the interval between adjacent probe terminal portions 320 is wider than when the probe terminal portions 320 are arranged in a line. . As a result, interference due to electromagnetic waves that may occur between probe terminals 320 adjacent to each other during the inspection process may be suppressed.

또한, 접촉 프로브(620)의 복수의 단자부(621)가 서로 엇갈려 배치되어 있기 때문에, 단자부(621)가 일렬로 배치되어 있을 경우에 비해서 이웃하는 단자부(621)간의 간격이 넓다. 이에 의해, 검사 공정 시 이웃하는 단자부(621) 간에 발생할 수 있는 전자파에 의한 간섭을 억제할 수 있다.In addition, since the plurality of terminal portions 621 of the contact probe 620 are arranged alternately with each other, the spacing between adjacent terminal portions 621 is wider than when the terminal portions 621 are arranged in a line. As a result, interference due to electromagnetic waves that may occur between neighboring terminal portions 621 during the inspection process can be suppressed.

또한, 검사 공정 시 일 접촉 프로브(620)에 불량이 발생할 경우, 불량이 발생한 접촉 프로브(620)가 형성되어 있는 프로브판(610)을 지지판(500)의 고정 슬릿(510)로부터 분리시킨 후, 새로운 접촉 프로브(620)가 형성되어 있는 프로브판(610)을 지지판(500)의 고정 슬릿(510)에 삽입하여 간단하게 불량이 발생한 접촉 프로브(620)를 교체할 수 있다. 이에 의해, 유지 비용이 절감된다.In addition, when a failure occurs in the one-contact probe 620 during the inspection process, after separating the probe plate 610 on which the defective contact probe 620 is formed from the fixing slit 510 of the support plate 500, The probe plate 610 in which the new contact probe 620 is formed may be inserted into the fixed slit 510 of the support plate 500 to simply replace the defective contact probe 620. As a result, the maintenance cost is reduced.

또한, 프로브 기판(600)이 지지되어 있는 지지판(500)이 완충판(400)에 안착되어 있고, 완충판(400)이 인쇄 회로 기판(100)에 대해 지지판(500)을 탄성 지지하기 때문에, 검사 공정 시 웨이퍼에 형성되어 있는 접촉 패드에 접촉하는 접촉 프로브(620)가 탄성적으로 접촉 패드에 접촉할 수 있다. 이에 의해, 임계치 이상의 압력이 접촉 프로브(620)에 인가되어도 접촉 프로브(620)의 손상이 억제된다.In addition, since the support plate 500 on which the probe substrate 600 is supported is seated on the buffer plate 400, and the buffer plate 400 elastically supports the support plate 500 with respect to the printed circuit board 100, an inspection process. The contact probe 620 that contacts the contact pads formed on the wafer may elastically contact the contact pads. Thereby, even if the pressure more than a threshold is applied to the contact probe 620, the damage of the contact probe 620 is suppressed.

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이하, 도 10 내지 도 22을 참조하여 본 발명에 따른 프로브 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a probe substrate according to the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 22.

도 11는 본 발명에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 나타낸 순서도이며, 도 12 내지 도 22는 본 발명에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.11 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe substrate according to the present invention, and FIGS. 12 to 22 are views for explaining a method of manufacturing a probe substrate according to the present invention.

우선, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 제 1 면(1100) 및 제 1 면(1100)과 대향하는 제 2 면(1200)을 포함하는 절연 기판(1000)을 마련 한다(S310).First, as shown in FIGS. 11 and 12, an insulating substrate 1000 including a first surface 1100 and a second surface 1200 facing the first surface 1100 is provided (S310).

실리콘 또는 유리 등의 절연성 물질로 이루어진 판상의 절연 기판(1000)을 마련한다. 절연 기판(1000)이 실리콘일 경우, 보다 높은 절연성을 위해 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100)을 산화시켜 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100)에 산화 실리콘(SiOx)을 형성할 수 있다.A plate-shaped insulating substrate 1000 made of an insulating material such as silicon or glass is provided. When the insulating substrate 1000 is silicon, silicon oxide (SiOx) is formed on the first surface 1100 of the insulating substrate 1000 by oxidizing the first surface 1100 of the insulating substrate 1000 for higher insulation. can do.

다음, 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 상에 제 1 포토레지스트층(2000)을 형성한다(S320).Next, the first photoresist layer 2000 is formed on the first surface 1100 of the insulating substrate 1000 (S320).

시료의 중앙에 용액상태의 재료를 도포하고 고속(약 3000 rpm 이상)으로 회전시켜 건조시킴으로써 박막을 성장시키는 스핀 코팅법(Spin-coating theory) 등을 이용해, 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 상에 포토레지스트 물질을 도포하여 제 1 포토레지스트층(2000)을 형성한다. 제 1 포토레지스트층(2000)은 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 전체에 걸쳐서 형성될 수 있다.The first surface of the insulating substrate 1000 may be coated with a spin-coating theory or the like to apply a material in a solution state to the center of the sample, and rotate the material at a high speed (about 3000 rpm or more) to grow the thin film. A photoresist material is coated on the 1100 to form the first photoresist layer 2000. The first photoresist layer 2000 may be formed over the entire first surface 1100 of the insulating substrate 1000.

다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트층(2000)을 노광 및 현상하여 제 1 포토마스크층(2500)을 형성한다(S330).Next, as shown in FIG. 13, the first photoresist layer 2000 is exposed and developed to form a first photomask layer 2500 (S330).

마스크를 제 1 포토레지스트층(2000) 상에 정렬하고, 마스크를 거쳐 제 1 포토레지스트층(2000)에 자외선을 조사하고 제 1 포토레지스트층(2000)을 현상하여, 접촉 프로브(620)의 절곡부(623) 및 팁부(624)에 대응하는 제 1 영역(X)이 개구되어 절연 기판(1000)이 노출되도록 제 1 포토마스크층(2500)을 형성한다.Aligning the mask on the first photoresist layer 2000, irradiating ultraviolet rays to the first photoresist layer 2000 through the mask and developing the first photoresist layer 2000, bending the contact probe 620. The first photomask layer 2500 is formed to open the first region X corresponding to the portion 623 and the tip portion 624 to expose the insulating substrate 1000.

다음, 도 14에 도시된 바와 같이, 절연 기판(1000)을 에칭하여 기판 개구부(1500)를 형성한다(S340).Next, as shown in FIG. 14, the insulating substrate 1000 is etched to form a substrate opening 1500 (S340).

절연 기판(1000)을 습식 에칭 또는 건식 에칭 방법을 통해 제 1 포토마스크층(2500)이 위치한 방향으로 절연 기판(1000)을 에칭한다. 제 1 포토마스크층(2500)의 마스크 역할에 의해 절연 기판(1000)이 함몰되도록 에칭되어 기판 개구부(1500)가 형성된다. 절연 기판(1000)을 이루는 물질의 결정 형태에 따라서 기판 개구부(1500)는 경사면을 가지며 에칭된다.The insulating substrate 1000 is etched in the direction in which the first photomask layer 2500 is positioned by wet etching or dry etching the insulating substrate 1000. The substrate opening 1500 is formed by etching the insulating substrate 1000 by the masking role of the first photomask layer 2500. The substrate opening 1500 is etched with an inclined surface according to the crystal form of the material constituting the insulating substrate 1000.

다음, 도 15에 도시된 바와 같이, 제 1 포토마스크층(2500)을 에슁하여 제거한다(S350).Next, as shown in FIG. 15, the first photomask layer 2500 is etched and removed (S350).

현상 용액 등을 이용해 제 1 포토마스크층(2500)을 에슁하여 절연 기판(1000)으로부터 제거한다.The first photomask layer 2500 is etched and removed from the insulating substrate 1000 using a developing solution or the like.

다음, 도 16에 도시된 바와 같이, 기판 개구부(1500) 및 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 상에 접착층(630)을 형성한다(S360).Next, as shown in FIG. 16, an adhesive layer 630 is formed on the substrate opening 1500 and the first surface 1100 of the insulating substrate 1000 (S360).

스퍼터링(sputtering) 등을 통해 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 및 기판 개구부(1500) 상에 접착층(630)을 형성한다. 접착층(630)은 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr) 등으로 이루어진 도전성 물질이다.The adhesive layer 630 is formed on the first surface 1100 and the substrate opening 1500 of the insulating substrate 1000 through sputtering or the like. The adhesive layer 630 is a conductive material made of titanium (Ti) or chromium (Cr).

다음, 접착층(630) 상에 제 2 포토레지스트층(3000)을 형성한다(S370).Next, a second photoresist layer 3000 is formed on the adhesive layer 630 (S370).

접착층(630) 상에 포토레지스트물질을 도포하여 제 2 포토레지스트층(3000) 을 형성한다. 제 2 포토레지스트층(3000)은 접착층(630) 전체에 걸쳐서 형성될 수 있다.A photoresist material is coated on the adhesive layer 630 to form the second photoresist layer 3000. The second photoresist layer 3000 may be formed over the entire adhesive layer 630.

다음, 도 17에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트층(3000)을 노광 및 현상하여 개구부(3100)를 형성한다(S380).Next, as shown in FIG. 17, the opening 3100 is formed by exposing and developing the second photoresist layer 3000 (S380).

마스크를 제 2 포토레지스트층(3000) 상에 정렬하고, 마스크를 거쳐 제 2 포토레지스트층(3000)에 자외선을 조사한 후 제 2 포토레지스트층(3000)을 현상하여, 접촉 프로브(620)에 대응하는 제 2 영역(Y)에 개구부(3100)를 형성한다.Align the mask on the second photoresist layer 3000, irradiate ultraviolet rays to the second photoresist layer 3000 through the mask, and then develop the second photoresist layer 3000 to correspond to the contact probe 620. The opening 3100 is formed in the second region Y.

이 때, 서로 이격하여 형성되어 있는 접촉 프로브(620)에 대응하여 복수개의 개구부(3100)가 서로 이격되어 형성된다.At this time, the plurality of openings 3100 are spaced apart from each other to correspond to the contact probes 620 formed to be spaced apart from each other.

다음, 도 18에 도시된 바와 같이, 개구부(3100)에 도전성 물질을 채워 접촉 프로브(620)를 형성한다(S390).Next, as shown in FIG. 18, the contact probe 620 is formed by filling a conductive material in the opening 3100 (S390).

개구부(3100)에 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 등의 도전성 물질을 채워 접촉 프로브(620)를 형성한다. 접촉 프로브(620)가 형성되면 이웃하는 접촉 프로브(620) 사이에는 제 2 포토레지스트층(3000)이 위치하고 있다. 즉, 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 상에서 접촉 프로브(620)와 제 2 포토레지스트층(3000)이 상호 교호적으로 위치한다.The contact probe 620 is formed by filling the opening 3100 with a conductive material such as gold (Au), silver (Ag), or copper (Cu). When the contact probe 620 is formed, the second photoresist layer 3000 is positioned between neighboring contact probes 620. That is, the contact probe 620 and the second photoresist layer 3000 are alternately positioned on the first surface 1100 of the insulating substrate 1000.

다음, 도 19에 도시된 바와 같이, 절연 기판(1000)의 제 2 면(1200) 상에 제 3 포토레지스트층(4000)을 형성한다(S400).Next, as shown in FIG. 19, a third photoresist layer 4000 is formed on the second surface 1200 of the insulating substrate 1000 (S400).

절연 기판(1000)의 제 2 면(1200) 상에 포토레지스트 물질을 도포하여, 제 3 포토 레지스트층(4000)을 형성한다. 제 3 포토레지스트층(4000)은 절연 기판(1000) 의 제 2 면(1200) 전체에 걸쳐서 형성될 수 있다.A photoresist material is coated on the second surface 1200 of the insulating substrate 1000 to form a third photoresist layer 4000. The third photoresist layer 4000 may be formed over the entire second surface 1200 of the insulating substrate 1000.

다음, 도 20에 도시된 바와 같이, 제 3 포토레지스트층(4000)을 노광 및 현상하여 제 2 포토마스크층(4500)을 형성한다(S410).Next, as shown in FIG. 20, the second photomask layer 4500 is formed by exposing and developing the third photoresist layer 4000 (S410).

마스크를 제 3 포토레지스트층(4000) 상에 정렬하고, 마스크를 거쳐 제 3 포토레지스트층(4000)에 자외선을 조사한 후 제 3 포토레지스트층(4000)을 현상하여 프로브판(610)에 대응하는 제 3 영역(Z)에 제 2 포토마스크층(4500)을 형성한다.Align the mask on the third photoresist layer 4000, irradiate ultraviolet rays to the third photoresist layer 4000 through the mask, and then develop the third photoresist layer 4000 to correspond to the probe plate 610. The second photomask layer 4500 is formed in the third region Z.

다음, 도 21에 도시된 바와 같이, 절연 기판(1000)을 에칭하여 프로브판(610)을 형성한다(S420).Next, as shown in FIG. 21, the insulating substrate 1000 is etched to form a probe plate 610 (S420).

절연 기판(1000)을 습식 에칭 또는 건식 에칭 방법을 통해 제 2 포토마스크층(4500)이 위치한 방향으로 절연 기판(1000)을 에칭한다. 제 2 포토마스크층(4500)의 마스크 역할에 의해 절연 기판(1000)이 에칭되어 프로브판(610)이 형성된다. 절연 기판(1000)을 이루는 물질의 결정 형태에 따라서 절연 기판(1000)은 경사면을 가지며 에칭된다.The insulating substrate 1000 is etched in the direction in which the second photomask layer 4500 is positioned by wet etching or dry etching. The insulating substrate 1000 is etched by the mask of the second photomask layer 4500 to form the probe plate 610. The insulating substrate 1000 is etched with an inclined surface according to the crystal form of the material constituting the insulating substrate 1000.

다음, 도 22에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트층(3000) 및 제 2 포토마스크층(4500)을 에슁하여 제거한다(S430).Next, as shown in FIG. 22, the second photoresist layer 3000 and the second photomask layer 4500 are removed by etching (S430).

제 2 포토레지스트층(3000) 및 제 2 포토마스크층(4500)은 실질적으로 동일한 포토레지스트 물질로 이루어져 있기 때문에, 하나의 현상 용액으로 인해 에슁되어 제거될 수 있다.Since the second photoresist layer 3000 and the second photomask layer 4500 are made of substantially the same photoresist material, the second photoresist layer 3000 and the second photomask layer 4500 may be removed due to one developing solution.

다음, 도 10에 도시된 바와 같이, 접착층(630)을 에칭한다(S440).Next, as shown in FIG. 10, the adhesive layer 630 is etched (S440).

제 2 포토레지스트층(3000) 및 제 2 포토마스크층(4500)이 제거되었기 때문 에, 프로브판(610)과 접촉 프로브(620) 사이를 제외한 영역에 외부로 노출되어 있는 접착층(630)을 에칭한다. 이 공정에 의해, 이웃하는 접촉 프로브(620) 사이에 위치하는 접착층(630)이 제거되어 이웃하는 접촉 프로브(620)간의 단락이 방지된다. 이후, 이웃하는 접촉 프로브(620)간의 단락을 방지하기 위해, 외부로 노출된 접촉 프로브(620) 및 접착층(630)에 절연성 물질을 코팅할 수 있다.Since the second photoresist layer 3000 and the second photomask layer 4500 are removed, the adhesive layer 630 exposed to the outside except for the area between the probe plate 610 and the contact probe 620 is etched. do. By this process, the adhesive layer 630 located between the neighboring contact probes 620 is removed to prevent a short circuit between the neighboring contact probes 620. Subsequently, in order to prevent a short circuit between neighboring contact probes 620, an insulating material may be coated on the externally exposed contact probes 620 and the adhesive layer 630.

이상과 같은 방법에 의해, 프로브판(610), 접촉 프로브(620) 및 접착층(630)을 포함하는 프로브 기판(600)이 제조된다.By the above method, the probe substrate 600 including the probe plate 610, the contact probe 620, and the adhesive layer 630 is manufactured.

이하, 도 23를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 기판에 대하여 설명한다.Hereinafter, a probe substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 23.

이하, 제 1 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명이 생략된 부분은 제 1 실시예에 따른다. 그리고, 본 발명의 제 2 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하여 설명한다.Hereinafter, only the characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described, and the descriptions thereof will be omitted according to the first embodiment. In addition, in the second embodiment of the present invention, for the convenience of description, the same components will be described using the same reference numerals.

도 23는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 기판의 단면도이다.23 is a cross-sectional view of a probe substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 23에 도시된 바와 같이, 프로브 기판(600)은 프로브판(610), 접촉 프로브(620) 및 접착층(630)를 포함한다.As shown in FIG. 23, the probe substrate 600 includes a probe plate 610, a contact probe 620, and an adhesive layer 630.

프로브판(610)은 일 단부(611)와 타 단부(612)를 포함하며, 지지판(500)의 고정 슬릿(510)에 상측 방향으로 세워져서 지지되어 있다. 프로브판(610)은 실리콘(Si) 또는 글라스(glass) 등의 절연성 세라믹으로 이루어져 있다. 프로브판(610) 상에는 접촉 프로브(620)가 형성되어 있다.The probe plate 610 includes one end 611 and the other end 612, and is supported by being fixed to the fixing slit 510 of the support plate 500 in an upward direction. The probe plate 610 is made of an insulating ceramic such as silicon (Si) or glass. The contact probe 620 is formed on the probe plate 610.

접촉 프로브(620)는 복수개로 형성되며, 이웃하는 접촉 프로브(620)는 서로 이격되어 있다. 복수개의 접촉 프로브(620)는 한번의 공정으로 인해 형성될 수 있다. 접촉 프로브(620)는 단자부(621), 리드부(622) 및 팁부(624)를 포함한다.The contact probes 620 are formed in plural, and neighboring contact probes 620 are spaced apart from each other. The plurality of contact probes 620 may be formed by one process. The contact probe 620 includes a terminal portion 621, a lead portion 622, and a tip portion 624.

단자부(621)는 프로브판(610)의 일 단부(611) 상에 복수개로 형성되어 있으며, 연성 인쇄 회로 기판(300)과 연결되어 있다. 프로브판(610)의 일 단부(611)로부터 이웃하는 단자부(621) 각각의 거리는 서로 상이하다. 더 자세하게는, 단자부(621)는 상호 교호적으로 엇갈려 배치되어 있다. 단자부(621)는 연성 인쇄 회로 기판(300)의 프로브 단자부(320)와 대응하며, 전도성 접착 부재(ACF)에 의해 연성 인쇄 회로 기판(300)의 프로브 단자부(320)와 연결되어 있다. 전도성 접착 부재(ACF)는 전도성 경화형 접착 필름 중의 하나인 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film, ACF)을 사용하는 것이 바람직하다. 단자부(621)로부터 연장되어 리드부(622)가 형성되어 있다.The terminal unit 621 is formed in plural on one end 611 of the probe plate 610, and is connected to the flexible printed circuit board 300. The distances of the adjacent terminal portions 621 from one end 611 of the probe plate 610 are different from each other. In more detail, the terminal parts 621 are alternately arranged alternately. The terminal portion 621 corresponds to the probe terminal portion 320 of the flexible printed circuit board 300, and is connected to the probe terminal portion 320 of the flexible printed circuit board 300 by a conductive adhesive member (ACF). The conductive adhesive member (ACF) preferably uses an anisotropic conductive film (ACF), which is one of the conductive curable adhesive films. A lead portion 622 is formed extending from the terminal portion 621.

리드부(622)는 프로브판(610)상에 형성되어 있으며, 프로브판(610)의 타 단부(612) 방향으로 절곡 연장되어 있다. 리드부(622)는 프로브판(610) 상에서 단자부(621)로부터 팁부(624)까지 피치 변환을 수행한다. 리드부(622)로부터 연장되어 팁부(624)가 형성되어 있다.The lead portion 622 is formed on the probe plate 610, and is bent and extended in the direction of the other end 612 of the probe plate 610. The lead part 622 performs pitch conversion from the terminal part 621 to the tip part 624 on the probe plate 610. A tip portion 624 is formed extending from the lead portion 622.

팁부(624)는 단자부(621)로부터 리드부(622)의 연장 방향으로 연장되어 프로브판(610)과 이격되어 있다. 팁부(624)는 프로브판(610)의 타 단부(612)로부터 지지판(500)의 상측 방향으로 돌출되어 있다. 팁부(624)는 단자부(621)에 대응하여 복수개이며, 이웃하는 팁부(624)간의 거리는 이웃하는 단자부(621)간의 거리보다 좁다. 즉, 리드부(622)에 의해 단자부(621)로부터 팁부(624)까지 피치 변환이 수행된다. 팁부(624)는 검사 공정 시 검사 대상인 웨이퍼에 형성된 접촉 패드와 직접 접촉하는 역할을 한다. The tip portion 624 extends from the terminal portion 621 in the extension direction of the lead portion 622 and is spaced apart from the probe plate 610. The tip portion 624 protrudes from the other end 612 of the probe plate 610 in the upward direction of the support plate 500. The tip part 624 is plural in correspondence with the terminal part 621, and the distance between the neighboring tip parts 624 is smaller than the distance between the neighboring terminal parts 621. That is, pitch conversion is performed from the terminal portion 621 to the tip portion 624 by the lead portion 622. The tip portion 624 is in direct contact with the contact pads formed on the wafer to be inspected during the inspection process.

접착층(630)은 접촉 프로브(620)보다 프로브판(610)과 화학적 친화력이 더 높다. 더 구체적으로, 접착층(630)은 접촉 프로브(620) 및 프로브판(610) 사이에 위치하여 접촉 프로브(620) 및 프로브판(610) 사이의 접합을 용이하게 하는 역할을 한다.The adhesive layer 630 has a higher chemical affinity with the probe plate 610 than with the contact probe 620. More specifically, the adhesive layer 630 is positioned between the contact probe 620 and the probe plate 610 to facilitate bonding between the contact probe 620 and the probe plate 610.

이하, 도 23 내지 도 31를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a probe substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 23 to 31.

도 24는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 나타낸 순서도이고, 도 25 내지 도 31는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.24 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 25 to 31 are views illustrating a method of manufacturing a probe substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 제 1 면(1100) 및 제 1 면(1100)과 대향하는 제 2 면(1200)을 포함하는 절연 기판(1000)을 마련 한다(S510).First, as illustrated in FIGS. 24 and 25, an insulating substrate 1000 including a first surface 1100 and a second surface 1200 facing the first surface 1100 is provided (S510).

다음, 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 상에 접착층(630)을 형성한 다(S520).Next, an adhesive layer 630 is formed on the first surface 1100 of the insulating substrate 1000 (S520).

스퍼터링 방법 등을 통해 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 상에 접착층(630)을 형성한다. 접착층(630)은 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr) 등으로 이루어진 도전성 물질이며, 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 전체에 걸쳐서 형성될 수 있다.The adhesive layer 630 is formed on the first surface 1100 of the insulating substrate 1000 through a sputtering method. The adhesive layer 630 is a conductive material made of titanium (Ti), chromium (Cr), or the like, and may be formed over the entire first surface 1100 of the insulating substrate 1000.

다음, 접착층(630) 상에 제 1 포토레지스트층(2000)을 형성한다(S530).Next, the first photoresist layer 2000 is formed on the adhesive layer 630 (S530).

스핀 코팅 방법 등을 이용해, 접착층(630) 상에 포토레지스트 물질을 도포하여 제 1 포토레지스트층(2000)을 형성한다. 제 1 포토레지스트층(2000)은 접착층(630) 전체에 걸쳐서 형성될 수 있다.The first photoresist layer 2000 is formed by applying a photoresist material on the adhesive layer 630 using a spin coating method or the like. The first photoresist layer 2000 may be formed over the entire adhesive layer 630.

다음, 도 26에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트층(2000)을 노광 및 현상하여 개구부(3100)를 형성한다(S540).Next, as shown in FIG. 26, the opening 3100 is formed by exposing and developing the first photoresist layer 2000 (S540).

마스크를 제 1 포토레지스트층(2000) 상에 정렬하고, 마스크를 거쳐 제 1 포토레지스트층(2000)에 자외선을 조사한 후 제 1 포토레지스트층(2000)을 현상하여, 접촉 프로브(620)에 대응하는 제 1 영역(X)에 개구부(3100)를 형성한다.Align the mask on the first photoresist layer 2000, irradiate ultraviolet rays to the first photoresist layer 2000 through the mask, and then develop the first photoresist layer 2000 to correspond to the contact probe 620. The opening 3100 is formed in the first region X.

다음, 도 27에 도시된 바와 같이, 개구부(3100)에 도전성 물질을 채워 접촉 프로브(620)를 형성한다(S550).Next, as shown in FIG. 27, a contact probe 620 is formed by filling a conductive material in the opening 3100 (S550).

개구부(3100)에 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 등의 도전성 물질을 채워 접촉 프로브(620)를 형성한다. 접촉 프로브(620)가 형성되면 이웃하는 접촉 프로브(620) 사이에는 제 1 포토레지스트층(2000)이 위치하고 있다. 즉, 절연 기판(1000)의 제 1 면(1100) 상에서 접촉 프로브(620)와 제 1 포토레지스트층(2000)이 상호 교호적으로 위치한다.The contact probe 620 is formed by filling the opening 3100 with a conductive material such as gold (Au), silver (Ag), or copper (Cu). When the contact probe 620 is formed, the first photoresist layer 2000 is positioned between neighboring contact probes 620. That is, the contact probe 620 and the first photoresist layer 2000 are alternately positioned on the first surface 1100 of the insulating substrate 1000.

다음, 도 28에 도시된 바와 같이, 절연 기판(1000)의 제 2 면(1200) 상에 제 2 포토레지스트층(3000)을 형성한다(S560).Next, as shown in FIG. 28, a second photoresist layer 3000 is formed on the second surface 1200 of the insulating substrate 1000 (S560).

절연 기판(1000)의 제 2 면(1200) 상에 포토레지스트 물질을 도포하여, 제 2 포토 레지스트층(3000)을 형성한다. 제 2 포토레지스트층(3000)은 절연 기판(1000)의 제 2 면(1200) 전체에 걸쳐서 형성될 수 있다.A photoresist material is coated on the second surface 1200 of the insulating substrate 1000 to form the second photoresist layer 3000. The second photoresist layer 3000 may be formed over the entire second surface 1200 of the insulating substrate 1000.

다음, 도 29에 도시된 바와 같이, 제 2 포토레지스트층(3000)을 노광 및 현상하여 포토마스크층(4100)을 형성한다(S570).Next, as shown in FIG. 29, the photomask layer 4100 is formed by exposing and developing the second photoresist layer 3000 (S570).

마스크를 제 2 포토레지스트층(3000) 상에 정렬하고, 마스크를 거쳐 제 2 포토레지스트층(3000)에 자외선을 조사한 후 제 2 포토레지스트층(3000)을 현상하여 프로브판(610)에 대응하는 제 2 영역(Y)에 포토마스크층(4100)을 형성한다.Align the mask on the second photoresist layer 3000, irradiate ultraviolet rays to the second photoresist layer 3000 through the mask, and then develop the second photoresist layer 3000 to correspond to the probe plate 610. The photomask layer 4100 is formed in the second region Y.

다음, 도 30에 도시된 바와 같이, 절연 기판(1000)을 에칭하여 프로브판(610)을 형성한다(S580).Next, as shown in FIG. 30, the insulating substrate 1000 is etched to form a probe plate 610 (S580).

절연 기판(1000)을 습식 에칭 또는 건식 에칭 방법을 통해 포토마스크층(4100)이 위치한 방향으로 절연 기판(1000)을 에칭한다. 포토마스크층(4100)의 마스크 역할에 의해 절연 기판(1000)이 에칭되어 프로브판(610)이 형성된다. 절연 기판(1000)을 이루는 물질의 결정 형태에 따라서 절연 기판(1000)은 경사면을 가지며 에칭된다.The insulating substrate 1000 is etched in the direction in which the photomask layer 4100 is positioned by wet etching or dry etching the insulating substrate 1000. The insulating substrate 1000 is etched by the mask of the photomask layer 4100 to form the probe plate 610. The insulating substrate 1000 is etched with an inclined surface according to the crystal form of the material constituting the insulating substrate 1000.

다음, 도 31에 도시된 바와 같이, 제 1 포토레지스트층(2000) 및 포토마스크층(4100)을 에슁하여 제거한다(S590).Next, as shown in FIG. 31, the first photoresist layer 2000 and the photomask layer 4100 are removed by removing them (S590).

제 1 포토레지스트층(2000) 및 포토마스크층(4100)은 실질적으로 동일한 포토레지스트 물질로 이루어져 있기 때문에, 하나의 현상 용액으로 인해 에슁되어 제거될 수 있다.Since the first photoresist layer 2000 and the photomask layer 4100 are made of substantially the same photoresist material, they may be etched and removed due to one developing solution.

다음, 도 23에 도시된 바와 같이, 접착층(630)을 에칭한다(S600).Next, as shown in FIG. 23, the adhesive layer 630 is etched (S600).

제 1 포토레지스트층(2000) 및 포토마스크층(4100)이 제거되었기 때문에, 프로브판(610)과 접촉 프로브(620) 사이를 제외한 영역에 외부로 노출되어 있는 접착층(630)을 에칭한다. 이 공정에 의해, 이웃하는 접촉 프로브(620) 사이에 위치하는 접착층(630)이 제거되어 이웃하는 접촉 프로브(620)간의 단락이 방지된다. 이후, 이웃하는 접촉 프로브(620)간의 단락을 방지하기 위해, 외부로 노출된 접촉 프로브(620) 및 접착층(630)에 절연성 물질을 코팅할 수 있다.Since the first photoresist layer 2000 and the photomask layer 4100 are removed, the adhesive layer 630 exposed to the outside in the region except between the probe plate 610 and the contact probe 620 is etched. By this process, the adhesive layer 630 located between the neighboring contact probes 620 is removed to prevent a short circuit between the neighboring contact probes 620. Subsequently, in order to prevent a short circuit between neighboring contact probes 620, an insulating material may be coated on the externally exposed contact probes 620 and the adhesive layer 630.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

도 1은 종래의 프로브 카드를 도시한 단면도이고,1 is a cross-sectional view showing a conventional probe card,

도 2는 본 발명에 따른 프로브 카드의 저면도이고,2 is a bottom view of a probe card according to the invention,

도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따른 단면도이고,3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2,

도 4는 도 3의 A부분의 확대도이고,4 is an enlarged view of a portion A of FIG. 3,

도 5는 본 발명에 따른 프로브 카드에 포함되어 있는 연성 인쇄 회로 기판의 평면도이고,5 is a plan view of a flexible printed circuit board included in a probe card according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 프로브 카드에 포함되어 있는 완충판의 사시도이고,6 is a perspective view of a buffer plate included in a probe card according to the present invention;

도 7은 도 2의 Ⅶ-Ⅶ을 따른 단면도이고,7 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG.

도 8은 본 발명에 따른 프로브 카드에 포함되어 있는 지지판의 사시도이고,8 is a perspective view of a support plate included in a probe card according to the present invention;

도 9는 도 2의 Ⅸ-Ⅸ를 따른 단면도이고,9 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of FIG. 2,

도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ에 대한 따른 프로브 기판의 단면도이고,FIG. 10 is a cross-sectional view of the probe substrate according to VIII-VIII in FIG. 9,

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도 11은 본 발명에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 나타낸 순서도이고,11 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe substrate according to the present invention.

도 12 내지 도 22는 본 발명에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이고,12 to 22 are views for explaining a method for manufacturing a probe substrate according to the present invention,

도 23은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 기판의 단면도이고,23 is a sectional view of a probe substrate according to a second embodiment of the present invention,

도 24는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 나타낸 순서도이며,24 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a probe substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 25 내지 도 31는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.25 to 31 are views for explaining a method for manufacturing a probe substrate according to a second embodiment of the present invention.

Claims

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In the method of manufacturing a probe substrate comprising a probe plate formed on a side of the probe plate, the contact plate is formed with a contact probe including a bent portion extending in the lower direction of the probe plate,

(a) a first photoresist formed by a spin-coating theory on a first surface of an insulating substrate formed of a plate made of an insulating material and having a first surface and a second surface opposite to the first surface; Forming a layer;

(b) exposing and developing the first photoresist layer to form a first photomask layer such that a first region corresponding to the bent and tip portions of the contact probe is opened and an insulating substrate is exposed; Etching the insulating substrate to form a substrate opening so that the corresponding insulating substrate is recessed;

(c) etching off the first photoresist layer;

(d) applying a photoresist material to the first surface of the insulating substrate and the substrate opening to form a second photoresist layer;

(e) exposing and developing the second photoresist layer to remove the second photoresist layer in the second region corresponding to the contact probe to form openings;

(f) filling the opening with a conductive material to form a contact probe such that the bent portion is bent downward, and filling the conductive material such that the second photoresist layer is positioned between the contact probes;

(g) applying a photoresist material on the second surface of the insulating substrate to form a third photoresist layer, and exposing and developing the third photoresist layer to form a second photoresist in a third region corresponding to the probe plate. Forming a photomask layer;

(h) etching the insulating substrate of step (g) to form a probe plate; And

(i) etching off the second photoresist layer and the second photomask layer; Method for producing a probe substrate comprising a.

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The method of claim 7, wherein

In the step (d),

And forming an adhesive layer between the first surface and the substrate opening of the insulating substrate and the second photoresist layer through sputtering.

The method of claim 9,

And removing the adhesive layer by etching.