KR100956418B1 - 비접촉 타입 웨이퍼 척 - Google Patents

비접촉 타입 웨이퍼 척 Download PDF

Info

Publication number
KR100956418B1
KR100956418B1 KR1020090027941A KR20090027941A KR100956418B1 KR 100956418 B1 KR100956418 B1 KR 100956418B1 KR 1020090027941 A KR1020090027941 A KR 1020090027941A KR 20090027941 A KR20090027941 A KR 20090027941A KR 100956418 B1 KR100956418 B1 KR 100956418B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
gas
body member
space
gas discharge
Prior art date
Application number
KR1020090027941A
Other languages
English (en)
Inventor
김종형
고현준
김원준
전병준
박상영
Original Assignee
서울산업대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울산업대학교 산학협력단 filed Critical 서울산업대학교 산학협력단
Priority to KR1020090027941A priority Critical patent/KR100956418B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100956418B1 publication Critical patent/KR100956418B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 척에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 웨이퍼의 상측에 위치하는 제 1바디부재; 및 웨이퍼를 수용하기 위한 수용공간이 마련되어 있으며, 상기 제 1바디부재의 하측에 결합된 제 2바디부재; 를 포함하며, 상기 제 2바디부재에는 상기 수용공간에 수용되는 웨이퍼의 상측의 제1공간에서 제1방향으로 선회하는 선회기류층과 상기 웨이퍼의 하측의 제2공간에서 제2방향으로 선회하는 선회기류층을 형성시키기 위하여 외부로부터 유입되는 기체를 안내하는 안내유로가 마련되어 있기 때문에 웨이퍼 척과 웨이퍼와의 접촉 및 웨이퍼의 휨변형이 억제되어 웨이퍼를 안정적으로 취급할 수 있는 기술이 개시된다.
웨이퍼, 척, 베르누이, 비접촉

Description

비접촉 타입 웨이퍼 척{CONTACTLESS WAFER CHUCK}
본 발명은 웨이퍼 이송 등의 목적으로 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 척에 관한 것이다.
전자산업이나 광학 산업에서의 반도체 칩의 제조공정에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하, 간단하게 "웨이퍼"로 약칭 함)의 표면에 소정의 회로 패턴을 형성한 후, 웨이퍼의 두께를 얇고 균일하게 하기 위해 또는 회로 형성 시에 생성된 산화막을 제거하기 위해 웨이퍼 뒷면을 연마하고, 그 후 웨이퍼를 회로마다 다이싱(dicing:각각의 회로를 조각화)함으로써 반도체 칩을 제조하고 있다.
이러한 반도체 칩의 제조 과정에 있어서 웨이퍼의 이송 등을 위하여 웨이퍼를 홀딩(holding)한 후 웨이퍼를 이송하거나 장비의 트레이에 웨이퍼를 위치시킨다. 웨이퍼를 홀딩 고정하기 위한 방식으로는 웨이퍼 척이 진공 흡착에 의해 웨이퍼를 흡착 홀딩하는 진공 흡착 방식이나 정전기력에 의해 웨이퍼를 흡착 홀딩하는 정전척 방식 그리고 베르누이의 원리를 이용한 웨이퍼 척방식 등이 알려져 있다. 이 중에서 베르누이의 원리를 이용한 웨이퍼 척은 웨이퍼가 수용되는 수용공간으로 서로 다른 방향에서 일정하게 기체를 유입시키어 인위적으로 고속의 기류를 발생시 킨다. 일정한 기류는 웨이퍼 상에서 일정한 기체속도로 지나가면서 압력의 변화를 일으킨다.
베르누이의 원리에 따른 수식(
Figure 112009019586507-pat00001
, p : 압력, v : 유체속도)에서 알 수 있듯이 웨이퍼 표면에서 기체의 유속속도가 증가함으로 인해 압력이 내려가게 된다. 그리고 웨이퍼 밑면에서는 상대적으로 압력이 높아짐으로서 양력이 발생하게 되고 이로 인하여 웨이퍼가 부상하게 된다.
이러한 종래의 베르누이의 원리를 이용한 웨이퍼 척에서는 기체의 분사가 척의 상측에서 웨이퍼가 있는 하측으로 분사가 이루어졌었다. 이러한 경우 기체가 지나가는 동안 지연시간이 생겨 초기에 기체의 압력이 일정하지 않아 불안정해지는 문제점이 있었다. 다시 말해서, 압력이 일정하지 못하면 웨이퍼가 초기에 비접촉으로 부상하더라도 웨이퍼 각 부분에 작용하는 압력의 차이가 생겨 웨이퍼가 흔들릴 수 밖에 없었고 이로 인해 웨이퍼 척과 웨이퍼가 접촉 또는 충돌되거나 부양된 웨이퍼의 중심을 제대로 잡지 못하여 웨이퍼를 이송시키기 곤란하거나 웨이퍼의 휨변형이 발생되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 웨이퍼와의 접촉을 억제하고 웨이퍼를 안정적으로 부양시키어 이송시킬 수 있는 베르누이의 원리를 이용한 웨이퍼 척을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 척은 웨이퍼의 상측에 위치하는 제 1바디부재; 및 웨이퍼를 수용하기 위한 수용공간이 마련되어 있으며, 상기 제 1바디부재의 하측에 결합된 제 2바디부재; 를 포함하며, 상기 제 2바디부재에는 상기 수용공간에 수용되는 웨이퍼의 상측의 제1공간에서 제1방향으로 선회하는 선회기류층과 상기 웨이퍼의 하측의 제2공간에서 제2방향으로 선회하는 선회기류층을 형성시키기 위하여 외부로부터 유입되는 기체를 안내하는 안내유로가 마련된 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제2방향은 상기 제1방향과 다른 것을 또 하나의 특징으로 한다.
여기서, 상기 제2방향은 상기 제1방향에 대하여 반대방향인 것을 또 하나의 특징으로 한다.
여기서, 상기 제 2바디부재에는 상기 수용공간으로 상기 기체가 토출되는 기체토출구가 형성되어 있고, 상기 기체토출구는 상기 기체가 상기 웨이퍼의 면에 대하여 30~40도의 각도로 웨이퍼측으로 토출되도록 형성된 제 1기체토출구 및 상기 제 1기체토출구로 토출되는 기체의 방향에 대하여 역방향으로 상기 기체가 토출되도록 형성된 제 2기체토출구가 한 쌍을 이루어 상기 선회기류층을 형성시키는 것을 또 하나의 특징으로 한다.
나아가 상기 제 2바디부재에는 상기 제1기체토출구 및 상기 제2기체토출구로 이루어진 한 쌍의 기체토출구가 상기 제1공간 및 상기 제2공간 각각에 대응되도록 두 쌍이 마련된 것을 또 하나의 특징으로 한다.
여기서 상기 안내유로는 상기 기체가 상기 수용공간을 중심으로 적어도 1 회전한 후 상기 기체토출구로 토출될 수 있도록 마련된 것을 또 하나의 특징으로 한다.
여기서 상기 제 1바디부재는 상기 수용공간에 수용된 웨이퍼와의 간격을 센싱(sensing)하기 위한 홀센서를 구비하는 것을 또 하나의 특징으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼척은 웨이퍼 수용공간내에서 웨이퍼의 상측의 제1공간에서 제1방향으로 선회하는 선회기류층과 상기 웨이퍼의 하측의 제2공간에서 상기 제1방향에 반대되는 제2방향으로 선회하는 선회기류층을 형성시키기 때문에 웨이퍼 척과 웨이퍼와의 접촉 및 웨이퍼의 휨변형이 억제되므로 웨이퍼의 불량발생률 이 감소되는 장점이 있다. 그리고, 기체의 토출이 웨이퍼의 측면에서 이루어지기 때문에 토출되는 기체의 낭비를 감소시키어 에너지를 절감할 수 있는 장점이 있으며, 웨이퍼 척을 제조하는데 있어서 웨이퍼 척의 두께가 두껍지 않으므로 작업공간을 절약할 수 있는 장점이 있다.
이하에서는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 이해할 수 있도록 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시 예를 들어 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척을 개략적으로 나타낸 분해사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척을 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척을 개략적으로 나타낸 부분단면사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척은 제 1바디부재 및 제 2바디부재를 포함하여 이루어진다.
제 1바디부재(100)는 웨이퍼(W)의 상측에 위치한다. 그리고, 제 1바디부재(100)는 제 2바디부재(200)와 결합하여 제 2바디부재(200)를 지지할 수도 있다.
제 2바디부재(200)는 제 1바디부재(100)의 하측에 결합된다. 그리고 제 2바디부재(200)에는 웨이퍼(W)를 수용하기 위한 수용공간(S1,S2)이 마련되어 있다.
제 2바디부재(200)에는 기체유입구(211,212,213,214)가 형성되어 있다. 그리고 내부에 기체의 흐름을 안내하는 안내유로(220)가 각 기체유입구에 대응되게 형 성되어 있다. 제 2바디부재(200)에 마련된 수용공간(S1,S2)으로 외부로부터 유입된 기체를 토출시켜주기 위하여 제 2바디부재(200)에는 기체토출구(231,232,233,234)가 형성되어 있다.
도 2 및 도 3에서 설명의 편의를 위해 수용공간(S1,S2)을 제1공간(S1)과 제2공간(S2)으로 구분하여 표시하였다. 제1공간(S1)은 수용공간(S1,S2)내에 수용되는 웨이퍼(W)와 제 1 바디부재(100) 사이의 공간을 지칭한다. 즉, 수용공간(S1,S2)에 수용되는 웨이퍼(W)의 상측의 공간을 지칭한다. 제2공간(S2)은 제1공간(S1)의 하측의 공간으로서 수용공간 내에 수용되는 웨이퍼(W)의 하측의 공간을 지칭한다. 그리고 제2공간(S2)에서의 기체의 선회방향(제2방향)은 제1공간(S1)과 기체의 선회방향(제1방향)과 다르게 형성되며 바람직하게는 반대방향으로 형성된다.
제 2바디부재(200)에 마련되는 수용공간(S1,S2)의 예로서 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 직경보다 조금 더 큰 크기로 구멍이 형성되어 있는 것을 들을 수 있다. 제 2바디부재(200)에 형성된 구멍에 의해 웨이퍼(W)가 수용될 수 있는 공간이 마련된다.
제 2바디부재(200)에는 외부로부터 유입되는 기체를 유입받아 수용공간(S1,S2)으로 안내할 수 있는 안내유로(220)가 마련되어 있다. 즉, 에어펌프와 같은 외부의 공압장치(미도시)에서 보내오는 기체가 기체유입구(211,212,213,214)를 통해 제 2바디부재(200)의 안내유로(220)로 유입되고 수용공간(S1,S2)으로 안내된다. 안내유로(220)는 제 2바디부재(200)의 내부에 마련되어 있다. 그리고 안내유 로(220)는 적어도 4개 이상 구비되어 있으며 각각의 안내유로는 독립적으로 구비되어 있다. 그리고 안내유로(220)는 기체유입구 하나와 기체토출구 하나에 각기 대응되도록 구비되어 있다.
제 2바디부재(200)의 안내유로(220)으로 기체가 유입되기 위해 제 2바디부재(200)에는 기체유입구(211,212,213,214)가 구비되어 있다. 기체유입구(211,212,213,214)는 외부의 공압장치(미도시)와 연통되게 연결되어 있다. 기체유입구(211,212,213,214)는 4개가 형성되어 있다. 각각의 기체유입구(211,212,213,214)로 유입된 기체는 각각의 기체유입구(211,212,213,214)에 대응되는 안내유로(220)로 유입된다. 그리고 기체는 안내유로(220)를 지나 각각의 기체토출구(2131,232,233,234)를 통해 수용공간(S1,S2)으로 토출된다. 이러한 점은 기존의 방식과 달리 측면에서 수용공간내로 기체가 토출되기 때문에 토출되는 기체의 과도한 손실이 억제되므로 에너지를 절감할 수 있는 장점이 있다.
제 2바디부재(200)에는 상기의 기체가 수용공간(S1,S2)으로 토출되는 기체토출구(231,232,233,234)가 형성되어 있다. 기체토출구(231,232,233,234)는 도시된 것처럼 4개 또는 그 이상 형성되어 있을 수 있다.
제 2바디부재(200)에 형성된 기체토출구(231,232,233,234)는 제1기체토출구 또는 제2기체토출구로 분류할 수 있다. 즉, 제1기체토출구는 웨이퍼의 면에 대하여 30~40도의 각도(θ1)로 웨이퍼측으로 상기 기체가 토출되도록 형성된 기체토출구를 지칭한다. 그리고, 제2기체토출구는 제 1기체토출구로 토출되는 기체의 방향에 대한 역방향으로 상기 기체가 토출되도록 형성된 기체토출구를 지칭한다.
기체토출구(231,232,233,234)는 2개가 한 쌍을 이룬다. 도 2 내지 도 3에서 제1공간(S1)에 대응되는 두 개의 기체토출구(231,232)가 한 쌍을 이룬다. 그리고 제2공간(S2)에 대응되는 두 개의 기체토출구(233,234)가 한 쌍을 이룬다. 제1공간(S1)에서 도면부호 231의 기체토출구(231)가 제1기체토출구에 해당한다. 그리고 도면부호 232의 기체토출구(232)는 제2기체토출구에 해당한다. 제2공간(S2)에서는 도면부호 233의 기체토출구(233)가 제1기체토출구에 해당한다. 그리고 도면부호 234의 기체토출구(234)는 제2기체토출구에 해당한다.
외부의 공압장치 등으로부터 제 2바디부재(200)의 안내유로(220)로 유입된 기체는 제 2바디부재(200)의 안내유로(220)의 안내를 받아 기체토출구(231,232,233,234)를 통해 수용공간(S1,S2)으로 토출된다. 그리고, 제 2프레임(200)에 마련된 한 쌍의 기체토출구(231,232)에서 토출된 기체는 선회기류층을 수용공간(S1,S2) 내에서 형성하게 된다.
제 2바디부재(200)의 기체토출구(231,232,233,234)를 통해 수용공간으로 토출된 기체는 수용공간(S1,S2) 내에서 선회하게 된다. 수용공간(S1,S2)에는 선회방향이 서로 다른 선회기류층이 형성된다. 그리고, 앞서 설명한 바와 같이 제 2바디부재(200)에는 2개의 기체토출구가 한 쌍을 이루며, 두 개의 쌍이 마련되어 있다.
그리고 두 개의 쌍으로 이루어진 기체토출구(231,232,233,234)를 통해 토출되는 기체는 선회기류층을 형성하게 된다. 다시 말해서 한 쌍의 기체토출구를 통해 토출되는 기체는 선회기류층을 형성하며, 제 2바디부재(200)에는 기체토출구가 두 개의 쌍으로 마련되어 각각의 쌍이 각각 선회기류층을 형성하게 된다. 따라서 제 2바디부재(200)에 의해 형성된 수용공간(S1,S2)내에서 기체의 선회방향이 서로 다른 선회기류층이 형성된다. 즉, 제2공간(S2)에서의 기체의 선회방향(제2방향)은 제1공간(S1)에서 기체의 선회방향(제1방향)과 다르게 형성되며, 특히 제2방향이 제1방향에 대하여 반대방향으로 형성되게 하는 것이 바람직하다. 수용공간(S1,S2)내에 형성된 선회기류에 의해 웨이퍼(W)가 부양되어 수용공간(S1,S2)내에 위치하게 되며 제1공간(S1)과 제2공간(S2)의 기류의 회전방향이 다르기 때문에 웨이퍼(W)는 제1공간(S1)과 제2공간(S2)사이에 위치하게 된다.
선회기류층의 기류의 회전방향은 도 2와 도 3에서는 하측에서 상측을 바라보았을 때 제1공간(S1)에서는 반시계방향이고, 제2공간(S2)에서는 시계방향인 것을 예로서 도시하였다.
그리고, 선회기류층의 회전을 좀 더 돕기 위하여 안내유로(220)는 수용공간 (S1,S2)을 중심으로 적어도 1회전하도록 제2프레임(200)에 구비되어 있는 것이 바람직하다. 안내유로(200)를 따라 수용공간을 중심으로 적어도 1회전을 한 기체는 회전관성이 있기 때문에 수용공간(S1,S2)으로 토출되고 난 후 회전기류를 좀 더 쉽게 형성할 수 있게 된다.
예를 들어 제1공간(S1)으로 토출되는 기체를 안내하는 안내유로(200)는 제1공간(S1)을 중심으로 반시계방향으로 적어도 1회전되게 제 2프레임(200)에 구비된다. 그리고 제2공간(S2)으로 토출되는 기체를 안내하는 안내유로(200)는 제2공간(S2)을 중심으로 시계방향으로 적어도 1회전되게 제 2프레임(200)에 구비된다.
도면부호 211의 기체유입구(211) 유입된 기체는 안내유로(220)을 통해 제1공간(S1)을 반시계방향으로 적어도 1회전 한 후 도면부호 231의 제1기체토출구(231)로 토출된다. 토출된 기체는 제1공간(S1)에서 반시계방향으로 회전하게 되어 선회기류층을 형성하게 된다.
제1기체토출구와 제2기체토출구의 토출각도가 30~40도의 각도(θ1)를 가지고 있으므로 반시계방향의 나선형 선회기류층을 형성할 수 있게 된다.
한편, 도면부호 213의 기체유입구(213) 유입된 기체는 안내유로(200)를 통해 제2공간(S2)을 시계방향으로 적어도 1회전 한 후 도면부호 233의 제1기체토출구(233)로 토출된다. 토출된 기체는 제2공간(S2)에서 시계방향으로 회전하게 되어 선회기류층을 형성하게 된다. 제2공간(S2)에서의 제1기체토출구(213)와 제2기체토출구(214)의 토출각도가 30~40도의 각도(θ1)를 가지고 있으므로 시계방향의 나선형 선회기류층을 형성할 수 있게 된다.
이와 같이 수용공간내에서 둘 이상의 선회기류층을 형성시키기 때문에 웨이퍼가 부상하여 수용공간내 제1공간(S1)과 제2공간(S2)사이에 위치하게 된다. 따라서 웨이퍼(W)가 제1바디부재(100)으로 접촉되는 것을 억제하게 된다. 그리고 제1공간(S1)과 제2공간(S2)에서의 선회기류로 인하여 웨이퍼(W)가 전체적으로 고르게 부압을 받게 되므로 웨이퍼(W)가 휘어지는 휨 변형이 억제되게 된다. 그리고 측면에서 기체가 수용공간(S1,S2)으로 유입되는 것이므로 수직하향으로 토출되는 방식에서 비하여 토출되는 기체의 낭비가 줄어들게 된다.
본 발명에 따른 실시 예에서는 제1프레임(100)과 제2프레임(200)을 구분하여 설명하였으나 제1프레임(100)과 제2프레임(200)이 단일한 부재로 이루어진 웨이퍼 척 또한 본 발명의 실시 예에 속한다고 하겠다.
한편, 제 1바디부재(100)에는 상기 수용공간(S1,S2)에 수용된 웨이퍼(W)와 제 1바디부재(100) 사이의 간격을 센싱하기 위한 홀센서(Hall senser)(240)가 마련되어 있다. 홀센서(240)는 자계에 의해서 내부저항이 변하는 것을 이용하는 센서이다. 홀센서(240)는 웨이퍼(W)와의 거리에 따라 내부저항이 변하게 되며, 이를 통해 웨이퍼(W)와 웨이퍼척(즉, 제 1바디부재(100))와의 간격를 센싱할 수 있게 된다. 홀센서(240)를 통해 웨이퍼(W)와 웨이퍼척의 제 1바디부재(100) 간의 간격을 센싱함으로써 기체의 유입압력 또는 단위시간 당 유입량을 조절을 통한 웨이퍼와의 간격을 조정하는데 도움이 되며 웨이퍼와 웨이퍼척 간의 간격(gap)을 조절할 수 있게 된다. 홀센서(240)를 이용할 경우 초음파센서는 비교적 고가이지만 홀센서는 비교적 저렴하므로 웨이퍼척의 제조단가를 줄일 수 있는 장점이 있다.
이와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼척은 웨이퍼 수용공간내에서 둘 이상의 선회기류층을 형성시키기 때문에 웨이퍼의 휨변형 및 웨이퍼 척과 웨이퍼와의 접촉이 억제된다. 따라서 제조공정 중 웨이퍼의 불량발생률이 감소되는 장점이 있다. 또한, 홀센서를 통해 웨이퍼 척과 웨이퍼 사이 간격을 파악하여 수용공간내로 보내는 공기의 양을 조절함으로써 웨이퍼 척과 웨이퍼 사이의 간격을 조절할 수 있으며 웨이퍼를 안정적으로 취급할 수 있다. 그리고 웨이퍼 척을 제조하는데 있어서 웨이퍼 척의 두께가 두껍지 않으므로 작업공간을 절약할 수 있는 장점이 있다.
그리고, 본 발명에 따른 웨이퍼 척은 비단 웨이퍼를 이송하는 데에만 이용되는 것이 아니라 태양전지의 기판등을 이송하는 데에도 응용되어 사용될 수 있다. 수용공간은 필요에 따라 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같은 원형(원통형)형상에 국한되지 아니하며 사각형상(사각기둥)의 수용공간을 갖도록 설계변경하여 제작될 수도 있다. 또한, 기술발전에 따라 웨이퍼의 직경이 커지면서 웨이퍼의 두께가 얇아지는 추세에 맞추어 본 발명에 따른 웨이퍼 척의 수용공간을 설계할 수 있으며 이에 따라 직경이 크고 두께가 얇은 웨이퍼도 안정적으로 취급할 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예들에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예들은 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척을 개략적으로 나타낸 분해사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 척을 개략적으로 나타낸 부분단면사시도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 제 1바디부재 200 : 제 2바디부재
220 : 안내유로 231 : 제 1기체토출구
232 : 제 2기체토출구 W : 웨이퍼

Claims (7)

  1. 웨이퍼(W)의 상측에 위치하는 제 1바디부재(100); 및
    웨이퍼(W)를 수용하기 위한 수용공간(S1,S2)이 마련되어 있으며, 상기 제 1바디부재(100)의 하측에 결합된 제 2바디부재(200); 를 포함하며,
    상기 제 2바디부재(200)에는 상기 수용공간(S1,S2)에 수용되는 웨이퍼(W)의 상측의 제1공간(S1)에서 제1방향으로 선회하는 선회기류층과 상기 웨이퍼(W)의 하측의 제2공간(S2)에서 제2방향으로 선회하는 선회기류층을 형성시키기 위하여 외부로부터 유입되는 기체를 안내하는 안내유로(220)가 마련된 것을 특징으로 하는 비접촉 타입 웨이퍼 척.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2방향은 상기 제1방향과 다른 것을 특징으로 하는 비접촉 타입 웨이퍼 척.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제2방향은 상기 제1방향에 대하여 반대방향인 것을 특징으로 하는 비접촉 타입 웨이퍼 척.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2바디부재(200)에는 상기 수용공간(S1,S2)으로 상기 기체가 토출되는 기체토출구(231,232,233,234)가 형성되어 있고,
    상기 기체토출구(231,232,233,234)는
    상기 기체가 상기 웨이퍼(W)의 면에 대하여 30~40도의 각도로 웨이퍼(W)측으로 토출되도록 형성된 제 1기체토출구(231)(233) 및
    상기 제 1기체토출구(231)(233)로 토출되는 기체의 방향에 대하여 역방향으로 상기 기체가 토출되도록 형성된 제 2기체토출구(232)(234)가 한 쌍(231,232)(233,234)을 이루어 상기 선회기류층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 비접촉 타입 웨이퍼 척.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 2바디부재(200)에는
    상기 제1기체토출구(231)(233) 및 상기 제2기체토출구(232)(234)로 이루어진 한 쌍의 기체토출구(231,232)(233,234)가 상기 제1공간(S1) 및 상기 제2공간(S2) 각각에 대응되도록 두 쌍((231,232)(233,234))이 마련된 것을 특징으로 하는 비접촉 타입 웨이퍼 척.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안내유로(220)는 상기 기체가 상기 수용공간(S1,S2)을 중심으로 적어도 1 회전하도록 마련된 것을 특징으로 하는 비접촉 타입 웨이퍼 척.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1바디부재(100)는 상기 수용공간(S1,S2)에 수용된 웨이퍼(W)와의 간격을 센싱하기 위한 홀센서(240)를 구비하는 것을 특징으로 하는 비접촉 타입 웨이퍼 척.
KR1020090027941A 2009-04-01 2009-04-01 비접촉 타입 웨이퍼 척 KR100956418B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090027941A KR100956418B1 (ko) 2009-04-01 2009-04-01 비접촉 타입 웨이퍼 척

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090027941A KR100956418B1 (ko) 2009-04-01 2009-04-01 비접촉 타입 웨이퍼 척

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100956418B1 true KR100956418B1 (ko) 2010-05-06

Family

ID=42281466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090027941A KR100956418B1 (ko) 2009-04-01 2009-04-01 비접촉 타입 웨이퍼 척

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100956418B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101183816B1 (ko) 2010-09-02 2012-09-18 로체 시스템즈(주) 엔드 이펙터

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09122560A (ja) * 1995-11-06 1997-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式塗布装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09122560A (ja) * 1995-11-06 1997-05-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式塗布装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101183816B1 (ko) 2010-09-02 2012-09-18 로체 시스템즈(주) 엔드 이펙터

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5887469B2 (ja) 保持装置、保持システム、制御方法及び搬送装置
KR20180007314A (ko) 접합 시스템
US20100284770A1 (en) Industrial robot
KR20180007318A (ko) 기판 반송 장치 및 접합 시스템
US7396022B1 (en) System and method for optimizing wafer flatness at high rotational speeds
KR20180007315A (ko) 접합 시스템
WO2005055315A1 (ja) 基板位置決めシステム
KR20180082959A (ko) 기판 처리 장치
JP2023118801A (ja) ノズル、吐出口部材およびノズルアーム
KR100956418B1 (ko) 비접촉 타입 웨이퍼 척
US10882080B2 (en) Substrate processing apparatus and method of processing substrate
JP2012040621A (ja) 非接触吸着装置
JP2009032744A (ja) ベルヌーイチャック
JP2007081273A (ja) 基板位置決め装置
CN113314449A (zh) 一种吸浮式无接触输运装置及控制方法
KR101187684B1 (ko) 래디얼 플로우를 이용한 비접촉식 기판 척킹용 에어 패드
CN115023793A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP5381865B2 (ja) ウェハ搬送装置およびウェハ搬送方法
JP6562508B2 (ja) 基板保持装置
KR101591037B1 (ko) 비접촉식 기판 이송 장치
JP5945641B1 (ja) 制御装置及び制御方法
JP5316172B2 (ja) ウェハ吸引パッド及びそれを備えたプリアライナ
JP2010253569A (ja) 吸引保持方法、搬送装置、搬送方法、及び吸引保持装置
JP7394534B2 (ja) ウエハ搬送装置
JP5706981B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130403

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140410

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee